TWI621622B - 組成物及使用該組成物的發光元件 - Google Patents

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Abstract

本發明係提供一種組成物，其係含有磷光發光性化合物、溶劑，當使用於吐出模塗佈法時，可用於製造平坦性佳的膜。本發明之組成物係含有磷光發光性化合物、溶劑(A)及溶劑(B)，其中，溶劑(A)的1大氣壓下的沸點：bpA(℃)與溶劑(B)的1大氣壓下的沸點：bpB(℃)係滿足式(11)及式(12)；且溶劑(A)的含量：wtA(重量)與溶劑(B)的含量：wtB(重量)係滿足式(13)；bpB<200℃≦bpA (11)
70℃≦bpA-bpB≦120℃ (12)
wtB≦wtA (13)。

Description

組成物及使用該組成物的發光元件
本發明係關於組成物及使用該組成物的發光元件。
有機電激發光元件(以下亦稱為「發光元件」)，由於發光效率高、驅動電壓低，故可適合使用於顯示器及照明的用途，其研究開發正盛行。藉由使用含有發光元件的發光層所使用的可溶性發光性化合物及溶劑之組成物，使用以噴墨印刷法為代表的吐出模塗佈法，可形成發光層。於是，藉由使用吐出模塗佈法形成發光層，可用簡單的製程製造大面積的發光元件。所以，檢討含有可溶性發光性化合物及溶劑之組成物。
於專利文獻1中，記載使用含有可溶性發光性化合物及2種以上的溶劑之組成物，藉由噴墨印刷法，可形成等方向性的發光層。再者，該發光性化合物為螢光發光性化合物。而且，該2種以上的溶劑的沸點差為50℃至55℃左右。
於專利文獻2中，記載使用含有可溶性發光 性化合物及沸點為200℃以上的溶劑之組成物，藉由噴墨印刷法，可形成平滑的發光層。再者，該發光性化合物為螢光發光性化合物。而且，沒有記載含有沸點為200℃以上的溶劑以及沸點未達200℃的溶劑之組成物。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2001-288416號公報
[專利文獻2]日本特開2003-229256號公報
將顯現來自三重態激發狀態的發光(磷光發光)之磷光發光性化合物用於發光層的發光元件，比將顯現來自單重態激發狀態的發光(螢光發光)之螢光發光性化合物用於發光層的發光元件，顯示較高的發光效率。所以，尋求含有磷光發光性化合物及溶劑的組成物，且當使用於吐出模塗佈法的情況，有用於平坦性佳的膜之製造的組成物。
因此，本發明係以提供含有磷光發光性化合物及溶劑的組成物，且當使用於吐出模塗佈法的情況，有用於平坦性佳的膜之製造的組成物為目的。本發明又以提供使用該組成物所得之發光元件為目的。
本發明係提供以下的[1]至[13]。
[1]一種組成物，其係含有磷光發光性化合物、溶劑(A)及溶劑(B)，其中，溶劑(A)的1大氣壓下的沸點：bpA(℃)與溶劑(B)的1大氣壓下的沸點：bpB(℃)係滿足式(11)及式(12)；溶劑(A)的含量：wtA(重量)與溶劑(B)的含量：wtB(重量)係滿足式(13)；bpB<200℃≦bpA (11)
70℃≦bpA-bpB≦120℃ (12)
wtB≦wtA (13)。
[2]如[1]記載的組成物，其中，前述溶劑(A)及前述溶劑(B)分別獨立地為芳香族烴系溶劑或芳香族醚系溶劑。
[3]如[1]或[2]記載的組成物，其中，前述溶劑(A)及前述溶劑(B)中的至少一者為芳香族醚系溶劑。
[4]如[1]至[3]中任一項記載的組成物，其中，前述磷光發光性化合物為式(1)所示的磷光發光性化合物； [式中，M表示釕原子、銠原子、鈀原子、銥原子或鉑原子；n1表示1以上的整數；n2表示0以上的整數；於M為 釕原子、銠原子或銥原子的情況，n1+n2為3；於M為鈀原子或鉑原子的情況，n1+n2為2；E1及E2分別獨立地表示碳原子或氮原子；但是E1及E2中任一者為碳原子；環R1表示5員環或6員環的芳香族雜環，該等環可具有取代基；於該取代基存在複數個的情況，該等可為相同，亦可為相異，可互相鍵結並與各自所鍵結的原子一起形成環；於環R1存在複數個的情況，該等可為相同，亦可為相異；但是於環R1為6員環的芳香族雜環的情況，E1為碳原子；環R2表示5員環或6員環的芳香族烴環或者5員環或6員環的芳香族雜環，該等環可具有取代基；於該取代基存在複數個的情況，該等可為相同，亦可為相異，可互相鍵結並與各自所鍵結的原子一起形成環；於環R2存在複數個的情況，該等可為相同，亦可為相異；但是於環R2為6員環的芳香族雜環的情況，E2為碳原子；A1-G1-A2表示陰離子性的2牙配位子；A1及A2分別獨立地表示碳原子、氧原子或氮原子，該等原子可為構成環的原子；G1表示單鍵、或與A1及A2一起構成2牙配位子的原子團；於A1-G1-A2存在複數個的情況，該等可為相同，亦可為相異]。
[5]如[4]記載的組成物，其中，前述環R1為可具有取代基的喹啉(quinoline)環、可具有取代基的異喹啉(isoquinoline)環、可具有取代基的吡啶環、可具有取代基的嘧啶環、可 具有取代基的咪唑環或可具有取代基的三唑環。
[6]如[4]或[5]記載的組成物，其中，前述環R2為可具有取代基的苯環、可具有取代基的萘環、可具有取代基的茀環、可具有取代基的菲(phenanthrene)環、可具有取代基的吡啶環、可具有取代基的二氮雜苯環、可具有取代基的吡咯環、可具有取代基的呋喃環或可具有取代基的噻吩環。
[7]如[4]至[6]中任一項記載的組成物，其中，選自由前述環R1及前述環R2所成群組的至少一個環具有式(2)所示的基；-R100 (2)[式中，R100表示芳香基、1價雜環基或取代胺基，該等基可具有取代基]。
[8]如[4]至[7]中任一項記載的組成物，其中，前述M為銥原子。
[9]如[1]至[8]中任一項記載的組成物，其係更含有非磷光發光性低分子化合物。
[10]如[1]至[8]中任一項記載的組成物，其係更含有：包含選自由式(X)所示的構成單元及式(Y)所示的構成單元所成群組的至少1種構成單元之高分子化合物； [式中，aX1及aX2分別獨立地表示0以上的整數；ArX1及ArX3分別獨立地表示伸芳香基或2價雜環基，該等基可具有取代基；ArX2及ArX4分別獨立地表示伸芳香基、2價雜環基或至少1種伸芳香基與至少1種2價雜環基直接鍵結而成的2價基，該等基可具有取代基；於ArX2及ArX4存在複數個的情況，該等分別可為相同，亦可為相異；RX1、RX2及RX3分別獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、芳香基或1價雜環基，該等基可具有取代基；於RX2及RX3存在複數個的情況，該等分別可為相同，亦可為相異]； [式中，ArY1表示伸芳香基、2價雜環基或至少1種伸芳香基與至少1種2價雜環基直接鍵結而成的2價基，該等基可具有取代基]。
[11]如[1]至[10]中任一項記載的組成物，其係更含有：選自由電洞傳輸材料、電洞注入材料、電子傳輸材料、電子注入材料、發光材料及抗氧化劑所成群組的至少1種材料。
[12]如[1]至[11]中任一項記載的組成物，其黏度為1至20 mPa‧s。
[13]一種發光元件，其係具有陽極、陰極及設置於陽極與陰極之間的發光層之發光元件，其中，發光層為使用如[1]至[12]中任一項記載的組成物所得之層。
根據本發明，可提供含有磷光發光性化合物及溶劑的組成物，且當使用於吐出模塗佈法的情況，有用於平坦性佳的膜之製造的組成物。而且，根據本發明，可提供使用該組成物所得之發光元件。
第1圖係表示實施例B1、B2及B3與比較例CB1及CB2所使用的溶劑(A)與溶劑(B)的沸點差以及薄膜B1、B2、B3、CB1及CB2的「(最厚的周圍部的膜厚)/(最薄的中心部的膜厚)」之值的關係。
以下，詳細說明關於本發明的較佳實施態樣。
〈共通用語的說明〉
於本說明書中，共通使用的用語，在沒有特別記載限制下，其係以下的意義。
Me表示甲基，Et表示乙基，Bu表示丁基，i-Pr表示異丙基，t-Bu表示第3丁基。
氫原子可為重氫原子，亦可為輕氫原子。
在表示金屬錯合物的式中，表示與中心金屬鍵結的實線，係指共價鍵結或配位鍵結。
所謂「高分子化合物」，係指具有分子量分佈，換算聚苯乙烯的數量平均分子量為1×103至1×108的聚合物。
高分子化合物，可為嵌段共聚物、無規共聚物、交替共聚物、接枝共聚物的任一種，亦可為其他態樣。
高分子化合物的末端基，依照原樣殘留聚合活性基時，當使用高分子化合物於發光元件的製作的情況，因發光特性或亮度壽命可能降低，故較理想為安定的基。作為該末端基者，較理想為與主鏈共軛鍵結的基，可列舉例如隔著碳-碳鍵結而與芳香基或1價雜環基鍵結的基。
所謂「低分子化合物」，係指不具有分子量分佈，分子量為1×104以下之化合物。
所謂「構成單元」，係指高分子化合物中存在1個以上的單元。
「烷基」，可為直鏈及分支的任一種。直鏈的烷基的碳原子數，在不含取代基之碳原子數下，通常為1至50，較理想為3至30，更理想為4至20。分支的烷基的碳原子數，在不含取代基之碳原子數下，通常為3至50，較理想為3至30，更理想為4至20。
烷基，可具有取代基，可列舉例如甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第3丁基、戊基、異戊基、2-乙基丁基、己基、庚基、辛基、2-丁基、2-乙基己基、3-丙基庚基、癸基、3,7-二甲基辛基、2-乙基辛基、2-己基癸基、十二烷基及該等基的氫原子經環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳香基、氟原子等取代的基，可列舉例如三氟甲基、五氟乙基、全氟丁基、全氟己基、全氟辛基、3-苯基丙基、3-(4-甲基苯基)丙基、3-(3,5-二己基苯基)丙基、6-乙氧基己基。
「環烷基」的碳原子數，在不含取代基之碳原子數下，通常為3至50，較理想為3至30，更理想為4至20。
環烷基，可具有取代基，可列舉例如環己基、環己基甲基、環己基乙基。
「芳香基」，係指從芳香族烴除去1個直接鍵結於構成環的碳原子的氫原子所殘留的原子團。芳香基的碳原子數，在不含取代基之碳原子數下，通常為6至60，較理想為6至20，更理想為6至10。
芳香基，可具有取代基，可列舉例如苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、1-芘基(pyrenyl)、2-芘基、4-芘基、2-茀基(fluorenyl)、3-茀基、4-茀基、2-苯基苯基、3-苯基苯基、4-苯基苯基以及該等基的氫原子經烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳香基、氟原子等取代的基。
「烷氧基」，可為直鏈及分支的任一種。直鏈的烷氧基的碳原子數，在不含取代基之碳原子數下，通 常為1至40，較理想為4至10。分支的烷氧基的碳原子數，在不含取代基之碳原子數下，通常為3至40，較理想為4至10。
烷氧基，可具有取代基，可列舉例如甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、異丁氧基、第3丁氧基、戊氧基、己氧基、庚氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3,7-二甲基辛氧基、月桂氧基以及該等基的氫原子經環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳香基、氟原子等取代的基。
「環烷氧基」的碳原子數，在不含取代基之碳原子數下，通常為3至40，較理想為4至10。
環烷氧基，可具有取代基，可列舉例如環己氧基。
「芳氧基」的碳原子數，在不含取代基之碳原子數下，通常為6至60，較理想為6至48。
芳氧基，可具有取代基，可列舉例如苯氧基、1-萘氧基、2-萘氧基、1-蒽氧基、9-蒽氧基、1-芘氧基以及該等基的氫原子經烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、氟原子等取代的基。
所謂「p價雜環基」(p表示1以上的整數)，係指從雜環式化合物，將直接鍵結於構成環的碳原子或雜原子之氫原子中之p個氫原子除去所殘留的原子團。p價雜環基中，以從芳香族雜環式化合物，將直接鍵結於構成環的碳原子或雜原子之氫原子中之p個氫原子除去所殘留的原子團之「p價芳香族雜環基」較理想。
「芳香族雜環式化合物」，係指二唑(oxadiazole)、噻二唑(thiadiazole)、噻唑(thiazole)、唑(oxazole)、噻吩(thiophene)、吡咯、磷雜環戊二烯(phosphole)、呋喃、吡啶、吡(pyrazine)、嘧啶、三(triazine)、嗒(pyridazine)、喹啉(quinoline)、異喹啉(isoquinoline)、咔唑、二苯并磷雜環戊二烯等雜環本身顯示芳香族性的化合物，以及啡(phenoxazine)、啡噻(phenothiazine)、二苯并硼雜環戊二烯(dibenzoborole)、二苯并矽雜環戊二烯(dibenzosilole)、苯并吡喃(benzopyran)等雜環本身不顯示芳香族性而芳香環縮環於雜環之化合物。
1價雜環基的碳原子數，在不含取代基之碳原子數下，通常為2至60，較理想為4至20。
1價雜環基，可具有取代基，可列舉例如噻吩基、吡咯基、呋喃基、吡啶基、哌啶基(piperidyl)、喹啉基、異喹啉基、嘧啶基、三基以及該等基的氫原子經烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基等取代的基。
所謂「鹵原子」，係表示氟原子、氯原子、溴原子或碘原子。
「胺基」，可具有取代基，較理想為取代胺基。作為胺基所具有的取代基者，較理想為烷基、環烷基、芳香基或1價雜環基。
作為取代胺基者，可列舉例如二烷基胺基、二環烷基胺基以及二芳香基胺基。
作為胺基者，可列舉例如二甲基胺基、二乙基胺基、 二苯基胺基、雙(4-甲基苯基)胺基、雙(4-第3丁基苯基)胺基、雙(3,5-二第3丁基苯基)胺基。
「烯基」，可為直鏈及分支的任一種。直鏈的烯基的碳原子數，在不含取代基之碳原子數下，通常為2至30，較理想為3至20。分支的烯基的碳原子數，在不含取代基之碳原子數下，通常為3至30，較理想為4至20。
「環烯基」的碳原子數，在不含取代基之碳原子數下，通常為3至30，較理想為4至20。
烯基及環烯基，可具有取代基，可列舉例如乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、3-戊烯基、4-戊烯基、1-己烯基、5-己烯基、7-辛烯基以及該等基具有取代基之基。
「炔基」，可為直鏈及分支的任一種。炔基的碳原子數，在不含取代基之碳原子數下，通常為2至20，較理想為3至20。分支的炔基的碳原子數，在不含取代基之碳原子數下，通常為4至30，較理想為4至20。
「環炔基」的碳原子數，在不含取代基之碳原子數下，通常為4至30，較理想為4至20。
炔基及環炔基，可具有取代基，可列舉例如乙炔基、1-丙炔基、2-丙炔基、2-丁炔基、3-丁炔基、3-戊炔基、4-戊炔基、1-己炔基、5-己炔基以及該等基具有取代基之基。
「伸芳香基」，係指從芳香族烴除去2個直接鍵結於構成環的碳原子之氫原子所殘留的原子團。伸芳香基的碳原子數，在不含取代基之碳原子數下，通常為6 至60，較理想為6至30，更理想為6至18。
伸芳香基，可具有取代基，可列舉例如伸苯基、萘二基、蒽二基、菲二基(phenanthrenediyl)、二氫菲二基、稠四苯二基(naphthacenediyl)、茀二基、芘二基、苝二基(perylenediyl)、苯并菲二基(chrysenediyl)以及該等基具有取代基之基，較理想為式(A-1)至式(A-20)所示的基。伸芳香基，包含該等基複數鍵結的基。
[式中，R及Ra分別獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、芳香基或1價雜環基；存在複數個R及Ra，分別可為相同亦可為相異，Ra彼此可以互相鍵結，並與各自所鍵結的原子一起形成環]
2價雜環基的碳原子數，在不含取代基之碳原子數下，通常為2至60，較理想為3至20，更理想為4至15。
2價雜環基，可具有取代基，可列舉例如從吡啶、二氮雜苯、三、氮雜萘(azanaphthalene)、二氮雜萘(diazanaphthalene)、咔唑、二苯並呋喃、二苯並噻吩、二苯并矽雜環戊二烯、啡、啡噻、吖啶、二氫吖啶、呋喃、噻吩、唑(azole)、二唑、三唑，除去直接鍵結於構成環的碳原子或雜原子的氫原子中的2個氫原子而成之2價基，較理想為式(AA-1)至式(AA-34)所示的基。2價雜環基，包含該等基複數鍵結的基。
[式中，R及Ra表示與前述相同的意義]
所謂「交聯基」，係指藉由供應於加熱處理、紫外線照射處理、近紫外線照射處理、可見光照射處理、紅外線照射處理、自由基反應等而可能生成新鍵結的基，較理想為式(B-1)至式(B-17)的任一者表示的基。該等基，可具有取代基。
所謂「取代基」，係指鹵原子、氰基、烷基、環烷基、芳香基、1價雜環基、烷氧基、環烷氧基、芳氧基、胺基、取代胺基、烯基、環烯基、炔基或環炔基。取代基可為交聯基。
所謂「樹突」(dendron)，係指具有以原子或環為分歧點的規則性的樹枝狀分支構造(亦即樹枝狀聚合物(dendrimer)構造)的基。作為具有樹突的化合物(以下稱為「樹枝狀聚合物」)者，可列舉例如國際公開第02/067343號、日本特開2003-231692號公報、國際公開第2003/079736號、國際公開第2006/097717號等文獻所記載的構造。
作為樹突者，較理想為式(D-A)或(D-B)所示的基。
[式中，mDA1、mDA2及mDA3分別獨立地表示0以上的整數；GDA表示氮原子、芳香族烴基或雜環基，該等基可具有取代基；ArDA1、ArDA2及ArDA3分別獨立地表示伸芳香基或2價雜環基，該等基可具有取代基；於ArDA1、ArDA2及ArDA3有複數個的情況，該等分別可為相同亦可為相異；TDA表示芳香基或1價雜環基，該等基可具有取代基；複數個TDA，可為相同亦可為相異]
[式中，mDA1、mDA2、mDA3、mDA4、mDA5、mDA6及mDA7分別獨立地表示0以上的整數；GDA表示氮原子、芳香族烴基或雜環基，該等基可具有取代基；複數個GDA，可為相同亦可為相異；ArDA1、ArDA2、ArDA3、ArDA4、ArDA5、ArDA6及ArDA7分別獨立地表示伸芳香基或2價雜環基，該等基可具有取代基；於ArDA1、ArDA2、ArDA3、ArDA4、ArDA5、ArDA6及ArDA7有複數個的情況，該等分別可為相同亦可為相異；TDA表示芳香基或1價雜環基，該等基可具有取代基；複數個TDA，可為相同亦可為相異]
mDA1、mDA2、mDA3、mDA4、mDA5、mDA6及mDA7通常為10以下的整數，較理想為5以下的整數，更理想為0或1。mDA1、mDA2、mDA3、mDA4、mDA5、mDA6及mDA7係以相同的整數較理想。
GDA較理想為式(GDA-11)至(GDA-15)所示的基，該等基可具有取代基。
[式中，*表示與式(D-A)之ArDA1、與式(D-B)之ArDA1、與式(D-B)之ArDA2、或與式(D-B)之ArDA3的鍵結；**表示與式(D-A)之ArDA2、與式(D-B)之ArDA2、與式(D-B)之ArDA4、或與式(D-B)之ArDA6的鍵結；***表示與式(D-A)之ArDA3、與式(D-B)之ArDA3、與式(D-B)之ArDA5、或與式(D-B)之ArDA7的鍵結；RDA表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳香基或1價雜環基，該等基可具有取代基；於存在複數個RDA的情況，該等可為相同，亦可為相異]
RDA較理想為氫原子、烷基、環烷基、烷氧基或環烷氧基，更理想為氫原子、烷基或環烷基，該等基可具有取代基。
ArDA1、ArDA2、ArDA3、ArDA4、ArDA5、ArDA6及ArDA7較理想為式(ArDA-1)至(ArDA-3)所示的基。
[式中， RDA表示與前述相同的意義；RDB表示氫原子、烷基、環烷基、芳香基或1價雜環基，該等基可具有取代基；於存在複數個RDB的情況，該等可為相同，亦可為相異]
RDB較理想為烷基、環烷基、芳香基或1價雜環基，更理想為芳香基或1價雜環基，更加理想為芳香基。
TDA較理想為式(TDA-1)至(TDA-3)所示的基。
[式中，RDA及RDB表示與前述相同的意義]
式(D-A)所示的基，較理想為式(D-A1)至(D-A3)所示的基。
[式中， Rp1、Rp2及Rp3分別獨立地表示烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基或鹵原子。於Rp1及Rp2有複數個的情況，該等分別可為相同，亦可為相異。
np1表示0至5的整數，np2表示0至3的整數，np3表示0或1。複數個np1，可為相同，亦可為相異]
式(D-B)所示的基，較理想為式(D-B1)至(D-B3)所示的基。
[式中，Rp1、Rp2及Rp3分別獨立地表示烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基或鹵原子。於Rp1及Rp2有複數個的情況，該等分別可為相同，亦可為相異。
np1表示0至5的整數，np2表示0至3的整數，np3表示0或1。於np1及np2有複數個的情況，該等分別可為相同，亦可為相異]
np1較理想為0至3的整數，更理想為1至3的整數，更加理想為1。np2較理想為0或1，更理想為 0。np3較理想為0。
Rp1、Rp2及Rp3，較理想為烷基或環烷基。
〈溶劑〉
說明關於本發明的組成物所含有的溶劑(A)及溶劑(B)。
本發明的組成物所含有的溶劑(A)的1大氣壓下的沸點：bpA(℃)與溶劑(B)的1大氣壓下的沸點：bpB(℃)係滿足式(11)。
bpB<200℃≦bpA (11)
本發明的組成物所含有的溶劑(A)的1大氣壓下的沸點：bpA(℃)與溶劑(B)的1大氣壓下的沸點：bpB(℃)，由於使用本發明的組成物所形成的膜之平坦性會更佳，故以滿足式(11’)較理想，以滿足式(11”)更理想。
80℃≦bpB<200℃≦bpA<320℃ (11’)
100℃≦bpB<200℃≦bpA<300℃ (11”)
本發明的組成物所含有的溶劑(A)的1大氣壓下的沸點：bpA(℃)與溶劑(B)的1大氣壓下的沸點：bpB(℃)係滿足式(12)。
70℃≦bpA-bpB≦120℃ (12)
本發明的組成物所含有的溶劑(A)的1大氣壓下的沸點：bpA(℃)與溶劑(B)的1大氣壓下的沸點：bpB(℃)，由於使用本發明的組成物所形成的膜之平坦性會更佳，故以滿足式(12’)較理想，以滿足式(12”)更理想。
80℃≦bpA-bpB≦120℃ (12’)
90℃≦bpA-bpB≦120℃ (12”)
本發明的組成物所含有的溶劑(A)的含量：wtA(重量)與溶劑(B)的含量：wtB(重量)係滿足式(13)。
wtB≦wtA (13)。
本發明的組成物所含有的溶劑(A)的含量：wtA(重量)與溶劑(B)的含量：wtB(重量)，由於使用本發明的組成物所形成的膜之平坦性會更佳，故以滿足式(13-A)及式(13-B)較理想。
0.50≦wtA/(wtA+wtB)≦0.95 (13-A)
0.05≦wtB/(wtA+wtB)≦0.50 (13-B)
本發明的組成物所含有的溶劑(A)的含量：wtA(重量)與溶劑(B)的含量：wtB(重量)，由於使用本發明的組成物所形成的膜之平坦性會更佳，故以滿足式(13’-A)及式(13’-B)更理想。
0.50≦wtA/(wtA+wtB)≦0.90 (13’-A)
0.10≦wtB/(wtA+wtB)≦0.50 (13’-B)
本發明的組成物所含有的溶劑(A)的含量：wtA(重量)與溶劑(B)的含量：wtB(重量)，由於使用本發明的組成物所形成的膜之平坦性會更佳，故以滿足式(13”-A)及式(13”-B)更加理想。
0.50≦wtA/(wtA+wtB)≦0.80 (13”-A)
0.20≦wtB/(wtA+wtB)≦0.50 (13”-B)
作為本發明的組成物所含有的溶劑(A)及溶 劑(B)者，可列舉例如烴系溶劑、一元醇系溶劑、多元醇系溶劑、酯系溶劑、酮系溶劑、醚系溶劑、包含氮原子的溶劑、包含硫原子的溶劑。
本發明的組成物所含有的溶劑(A)及溶劑(B)分別獨立地為以烴系溶劑、酯系溶劑、酮系溶劑或醚系溶劑較理想，以烴系溶劑、酯系溶劑或醚系溶劑更理想，以烴系溶劑或醚系溶劑更加理想，以芳香族烴系溶劑或芳香族醚系溶劑特別理想。
本發明的組成物所含有的溶劑(A)及溶劑(B)中至少一者係以芳香族醚系溶劑較理想。
本發明的組成物所含有的溶劑(A)的1大氣壓下的沸點為200℃以上，可列舉例如下述的溶劑。
作為烴系溶劑者，可列舉例如正十二烷、正十三烷、正十四烷、聯環己烷等脂肪族烴系溶劑；正戊基苯、正己基苯、正庚基苯、正辛基苯、正壬基苯、正癸基苯、正十二烷基苯、1,3-二異丙基苯、1,4-二異丙基苯、環己基苯、四氫萘、聯苯等芳香族烴系溶劑。
作為一元醇系溶劑者，可列舉例如1-壬醇、正癸醇、2-癸醇、正十一醇、異癸醇、正十四醇等脂肪族醇系溶劑；間-甲酚、對-甲酚、對-乙基酚、4-甲氧基酚、鄰-正丙基酚、鄰-異丙基酚、鄰-第2丁基酚、鄰-第3丁基酚、間-第3丁基酚、對-第3丁基酚、苯甲醇等芳香族醇系溶劑。
作為多元醇系溶劑者，可列舉例如二乙二 醇、三乙二醇、乙二醇單-2-乙基己基醚、乙二醇單丁醚、乙二醇單己醚、乙二醇苯甲醚、二丙二醇、三丙二醇、1,3-丁烷二醇、1,4-丁烷二醇、新戊二醇、1,5-戊烷二醇、1,6-己烷二醇。
作為酯系溶劑者，可列舉例如乙酸正辛酯、琥珀酸二乙酯等脂肪族酯系溶劑；苯甲酸乙酯、苯甲酸正丁酯等芳香族酯系溶劑。
作為酮系溶劑者，可列舉例如2-(1-環己烯基)環己酮、異佛酮。
作為醚系溶劑者，可列舉例如三乙二醇二甲醚、四乙二醇二甲醚等脂肪族醚系溶劑；正丁基苯基醚、第3丁基苯甲醚、正戊基苯甲醚、正己基苯甲醚、正庚基苯甲醚、正辛基苯甲醚、1-甲基萘基醚、2-甲基萘基醚、二苯醚、3-苯氧基甲苯等芳香族醚系溶劑，以芳香族醚系溶劑為佳。
作為包含氮原子的溶劑者，可列舉例如乙醯胺、N-甲基吡咯啶酮、2-吡咯啶酮。
作為包含硫原子的溶劑者，可列舉例如硫二乙二醇(thiodiglycol)、環丁碸(sulfolane)。
本發明的組成物所含有的溶劑(B)的1大氣壓下的沸點未達200℃，可列舉例如下述的溶劑。
作為烴系溶劑者，可列舉例如正辛烷、正壬烷、正癸烷、正十一烷、甲基環己烷、二甲基環己烷、乙基環己烷、環庚烷、十氫萘等脂肪族烴系溶劑；甲苯、 鄰-二甲苯、對-二甲苯、間-二甲苯、均三甲苯、1,2,4-三甲基苯、乙基苯、鄰-二乙基苯、間-二乙基苯、對-二乙基苯、鄰-乙基甲基苯、對-乙基甲基苯、間-乙基甲基苯、正丙基苯、異丙基苯、正丁基苯、第2丁基苯、異丁基苯、第3丁基苯等芳香族烴系溶劑。
作為一元醇系溶劑者，可列舉例如1-丁醇、1-戊醇、2-戊醇、1-己醇、2-己醇、1-庚醇、2-庚醇、1-辛醇、2-辛醇、環戊醇、環己醇、甲基環己醇、二甲基環己醇、環己烯醇、環己基甲醇、四氫呋喃甲醇、2-壬醇等脂肪族醇系溶劑；酚、鄰-甲酚、鄰-乙基酚等芳香族醇系溶劑。
作為多元醇系溶劑者，可列舉例如乙二醇、乙二醇單乙醚、乙二醇單甲醚、丙二醇、丙二醇單乙醚、丙二醇單甲醚、己二醇。
作為酯系溶劑者，可列舉例如甲酸正丁酯、乙酸烯丙酯、乙酸正丁酯、琥珀酸二甲酯、草酸二乙酯、草酸二甲酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、丙二酸二甲酯、丙二酸二乙酯等脂肪族酯系溶劑；苯甲酸甲酯等芳香族酯系溶劑。
作為酮系溶劑者，可列舉例如環戊酮、環己酮、甲基環己酮、甲基異丁基酮、二異丙基酮、二異丁基酮。
作為醚系溶劑者，可列舉例如乙二醇二乙醚、二丁醚、二烷、四氫呋喃等脂肪族醚系溶劑；苯甲 醚、乙基苯基醚、2-甲基苯甲醚、3-甲基苯甲醚、4-甲基苯甲醚、2,5-二甲基苯甲醚、2-乙基苯甲醚、4-乙基苯甲醚等芳香族醚系溶劑。
作為包含氮原子的溶劑者，可列舉例如N,N-二甲基乙醯胺、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二異丙基乙基胺。
作為包含硫原子的溶劑者，可列舉例如二甲基亞碸。
於本發明的組成物，可含有作為溶劑(A)及溶劑(B)以外的溶劑之滿足式(14)的溶劑(以下亦稱為「溶劑(C)」)。於本發明的組成物，溶劑(C)可含有單獨1種，亦可含有2種以上。
wtC<wtB≦wtA (14)(此處，wtC表示溶劑(C)的含量(重量)。再者，於本發明的組成物含有2種以上的溶劑(C)的情況，wtC表示溶劑(C)的合計含量(重量))
於本發明的組成物含有溶劑(C)的情況，溶劑(A)的含量：wtA(重量)、溶劑(B)的含量：wtB(重量)及溶劑(C)的含量：wtC(重量)，由於使用本發明的組成物所形成的膜之平坦性會更佳，故以滿足式(14-A)及式(14-B)較理想。
0.50≦wtA/(wtA+wtB+wtC)≦0.95 (14-A)
0.05≦wtB/(wtA+wtB+wtC)≦0.50 (14-B)
於本發明的組成物含有溶劑(C)的情況，溶 劑(A)的含量：wtA(重量)、溶劑(B)的含量：wtB(重量)及溶劑(C)的含量：wtC(重量)，由於使用本發明的組成物所形成的膜之平坦性會更佳，故以滿足式(14’-A)及式(14’-B)更理想。
0.50≦wtA/(wtA+wtB+wtC)≦0.90 (14’-A)
0.10≦wtB/(wtA+wtB+wtC)≦0.50 (14’-B)
於本發明的組成物含有溶劑(C)的情況，溶劑(A)的含量：wtA(重量)、溶劑(B)的含量：wtB(重量)及溶劑(C)的含量：wtC(重量)，由於使用本發明的組成物所形成的膜之平坦性會更佳，故以滿足式(14”-A)及式(14”-B)更加理想。
0.50≦wtA/(wtA+wtB+wtC)≦0.80 (14”-A)
0.20≦wtB/(wtA+wtB+wtC)≦0.50 (14”-B)
於本發明的組成物含有溶劑(C)的情況，溶劑(A)的含量：wtA(重量)、溶劑(B)的含量：wtB(重量)及溶劑(C)的含量：wtC(重量)，由於使用本發明的組成物所形成的膜之平坦性會更佳，故以滿足式(14-C)較理想，以滿足式(14’-C)更理想，以滿足式(14”-C)更加理想。
0.01≦wtC/(wtA+wtB+wtC)≦0.20 (14-C)
0.02≦wtC/(wtA+wtB+wtC)≦0.15 (14’-C)
0.03≦wtC/(wtA+wtB+wtC)≦0.10 (14”-C)
於本發明的組成物含有溶劑(C)的情況，溶劑(C)的1大氣壓下的沸點：bpC(℃)，以滿足式(15)較理想，以滿足式(15’)更理想，以滿足式(15”)更加理想。
25℃≦bpC≦350℃ (15)
50℃≦bpC≦350℃ (15’)
80℃≦bpC≦350℃ (15”)
於本發明的組成物含有溶劑(C)的情況，作為溶劑(C)者，可列舉例如烴系溶劑、一元醇系溶劑、多元醇系溶劑、酯系溶劑、酮系溶劑、醚系溶劑、包含氮原子的溶劑、包含硫原子的溶劑。
於本發明的組成物含有溶劑(C)的情況，溶劑(C)係以烴系溶劑、酯系溶劑、酮系溶劑或醚系溶劑化合物較理想，以烴系溶劑、酯系溶劑或醚系溶劑更理想，以烴系溶劑或醚系溶劑更加理想，以芳香族烴系溶劑或芳香族醚系溶劑特別理想。
於本發明的組成物含有溶劑(C)的情況，作為溶劑(C)的例者，可列舉例如與前述溶劑(A)及溶劑(B)的例相同者。
作為本發明的組成物所含有的溶劑(A)及溶劑(B)的組合，以表1的INK-001至INK-026的組合較理想。
本發明的組成物所含有的溶劑(A)、溶劑(B)及溶劑(C)的組合，以表2的INK-101至INK-121的組合較理想。
〈磷光發光性化合物〉
說明關於本發明的組成物所含有的磷光發光性化合物。
本發明的組成物所含有的磷光發光性化合物，較理想為式(1)所示的磷光發光性化合物。
式(1)所示的磷光發光性化合物，係由中心金屬的M、以附帶的數字n1規定數目之配位子以及以附帶的數字n2規定數目之配位子所構成。
因使用本發明的組成物所得之發光元件的發光效率佳，故M較理想為銥原子或鉑原子，更理想為銥原子。
於M為釕原子、銠原子或銥原子的情況，n1係以2或3較理想，更理想為3。
於M為鈀原子或鉑原子的情況，n1係以2較理想。
E1及E2係以碳原子較理想。
環R1較理想為喹啉環、異喹啉環、吡啶環、 嘧啶環、咪唑環或三唑環，更理想為吡啶環、嘧啶環、咪唑環或三唑環，該等環可具有取代基。
環R2較理想為苯環、萘環、茀環、菲環、吡啶環、二氮雜苯環或三環，更理想為苯環、吡啶環或嘧啶環，該等環可具有取代基。
作為環R1及環R2可具有的取代基者，可列舉例如烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳香基、芳氧基、1價雜環基、鹵原子以及取代胺基，較理想為烷基、環烷基、芳香基、1價雜環基或取代胺基，更理想為烷基、芳香基、1價雜環基或取代胺基。
選自由環R1及環R2所成群組的至少1個環，因使用本發明的組成物所得之發光元件的亮度壽命佳，故較理想為具有式(2)所示的基，環R2係以具有式(2)所示的基更理想。
-R100 (2)
於存在複數個環R1及環R2的情況，較理想為存在的複數個環R1全部、存在的複數個環R2全部、或存在的複數個環R1及環R2的全部具有式(2)所示的基，更理想為存在的複數個環R2全部具有式(2)所示的基。
R100較理想為芳香基或1價雜環基，更理想為芳香基。
R100所示的芳香基、1價雜環基或取代胺基係以樹突(dendron)較理想。
作為A1-G1-A2所示的陰離子性的2牙配位子者，可列舉例如下述式所示的配位子。
[式中，*表示與M鍵結的部位]
因使用本發明的組成物所得之發光元件的發光效率佳，故式(1)所示的磷光發光性化合物較理想為式(1-A)所示的磷光發光性化合物或式(1-B)所示的磷光發光性化合物。
[式中，M、n1、n2、E1及A1-G1-A2表示與前述相同的意義。
E11A、E12A、E13A、E21A、E22A、E23A及E24A分別獨立地表示氮原子或碳原子。於存在複數個E11A、E12A、E13A、E21A、E22A、E23A及E24A的情況，該等分別可為相同亦可為相異。於E11A、E12A及E13A為氮原子的情況，R11A、R12A、R13A可存在，亦可不存在。於E21A、E22A、E23A及E24A為氮原子的情況，不存在R21A、R22A、R23A及R24A。
R11A、R12A、R13A、R21A、R22A、R23A及R24A分別獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳香基、芳氧基、1價雜環基、鹵原子或取代胺基，該等基可具有取代基。於存在複數個R11A、R12A、R13A、R21A、R22A、R23A及R24A的情況，該等分別可為相同亦可為相異。R11A與R12A、R12A與R13A、R11A與R21A、R21A與R22A、R22A與R23A以及R23A與R24A，可分別鍵結並與各自所鍵結的原子一起形成環。
環R1A表示由氮原子、E1、E11A、E12A及E13A所構成的咪唑環或三唑環。
環R2A表示由2個碳原子、E21A、E22A、E23A及E24A所構成的苯環、吡啶環或嘧啶環]
選自由R11A、R12A、R13A、R21A、R22A、R23A及R24A所成群組的至少一者，因使用本發明的組成物所得之發光元件的亮度壽命佳，故較理想為式(2)所示的基。
於環R1A為咪唑環的情況，較理想為E11A為氮原子之咪唑環或E12A為氮原子之咪唑環，更理想為E11A為氮原子之咪唑環。
於環R1A為三唑環的情況，較理想為E11A及E12A為氮原子之三唑環或E11A及E13A為氮原子之三唑環，更理想為E11A及E12A為氮原子之三唑環。
E11A為氮原子且存在R11A的情況，R11A係以烷基、環烷基或式(2)所示的基較理想。
E11A為碳原子的情況，R11A係以氫原子、烷基、環烷基、芳香基或1價雜環基較理想，更理想為氫原子、烷基、環烷基或芳香基，更加理想為氫原子、烷基或環烷基。
E12A為氮原子且存在R12A的情況，R12A係以烷基、環烷基或式(2)所示的基較理想。
E12A為碳原子的情況，R12A係以氫原子、烷基、環烷基、芳香基或1價雜環基較理想，更理想為氫原子、烷基、環烷基或芳香基，更加理想為氫原子、烷基或 環烷基。
E13A為氮原子且存在R13A的情況，R13A係以烷基、環烷基或式(2)所示的基較理想。
E13A為碳原子的情況，R13A係以氫原子、烷基、環烷基、芳香基或1價雜環基較理想，更理想為氫原子、烷基、環烷基或芳香基，更加理想為氫原子、烷基或環烷基。
於環R1A具有式(2)所示的基的情況，以R11A或R12A為式(2)所示的基較理想，以R11A為式(2)所示的基更理想。式(2)所示的基係以樹突較理想。
於環R2A為吡啶環的情況，以E21A為氮原子之吡啶環、E22A為氮原子之吡啶環或E23A為氮原子之吡啶環較理想，以E22A為氮原子之吡啶環更理想。
於環R2A為嘧啶環的情況，以E21A及E23A為氮原子之嘧啶環或E22A及E24A為氮原子之嘧啶環較理想，以E22A及E24A為氮原子之嘧啶環更理想。
環R2A係以苯環較理想。
R21A、R22A、R23A及R24A係以氫原子、烷基、環烷基或式(2)所示的基較理想，更理想為氫原子或式(2)所示的基。
於環R2A具有式(2)所示的基的情況，以R22A或R23A為式(2)所示的基較理想，以R22A為式(2)所示的基更理想。式(2)所示的基係以樹突較理想。
[式中，M、n1、n2及A1-G1-A2表示與前述相同的意義。
E11B、E12B、E13B、E14B、E21B、E22B、E23B及E24B分別獨立地表示氮原子或碳原子。於存在複數個E11B、E12B、E13B、E14B、E21B、E22B、E23B及E24B的情況，該等分別可為相同亦可為相異。於E11B、E12B、E13B、E14B、E21B、E22B、E23B及E24B為氮原子的情況，R11B、R12B、R13B、R14B、R21B、R22B、R23B及R24B不存在。
R11B、R12B、R13B、R14B、R21B、R22B、R23B及R24B分別獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳香基、芳氧基、1價雜環基、鹵原子或取代胺基，該等基可具有取代基。於存在複數個R11B、R12B、R13B、R14B、R21B、R22B、R23B及R24B的情況，該等分別可為相同亦可為相異。R11B與R12B、R12B與R13B、R13B與R14B、R11B與R21B、R21B與R22B、R22B與R23B以及R23B與R24B，可分別鍵結並與各自所鍵結的原子一起形成環。
環R1B表示由氮原子、碳原子、E11B、E12B、E13B及E14B所構成的吡啶環或嘧啶環。
環R2B表示由2個碳原子、E21B、E22B、E23B及E24B所構成的苯環、吡啶環或嘧啶環]
選自由R11B、R12B、R13B、R14B、R21B、R22B、R23B及R24B所成群組的至少一者，因使用本發明的組成物所得之發光元件的亮度壽命佳，故較理想為式(2)所示的基。
於環R1B為嘧啶環的情況，以E11B為氮原子之嘧啶環或E13B為氮原子之嘧啶環較理想，以E11B為氮原子之嘧啶環更理想。
R11B、R12B、R13B及R14B係以氫原子、烷基、環烷基或式(2)所示的基較理想，更理想為氫原子或式(2)所示的基。
於環R1B具有式(2)所示的基的情況，較理想為R11B、R12B或R13B為式(2)所示的基，更理想為R11B或R13B為式(2)所示的基，更加理想為R11B為式(2)所示的基。式(2)所示的基係以樹突較理想。
於環R2B為吡啶環的情況，以E21B為氮原子之吡啶環、E22B為氮原子之吡啶環或E23B為氮原子之吡啶環較理想，以E22B為氮原子之吡啶環更理想。
於環R2B為嘧啶環的情況，以E21B及E23B為氮原子之嘧啶環或E22B及E24B為氮原子之嘧啶環較理想，以E22B及E24B為氮原子之嘧啶環更理想。
環R2B係以苯環較理想。
R21B、R22B、R23B及R24B係以氫原子、烷基、環烷基或式(2)所示的基較理想，更理想為氫原子或式(2)所示的基。
於環R2B具有式(2)所示的基的情況，較理想為R22B或R23B為式(2)所示的基，更理想為R22B為式(2)所示的基。式(2)所示的基係以樹突較理想。
式(1-A)所示的磷光發光性化合物，較理想為式(1-A1)所示的磷光發光性化合物、式(1-A2)所示的磷光發光性化合物、式(1-A3)所示的磷光發光性化合物或式(1-A4)所示的磷光發光性化合物。
[式中， M、n1、n2、R11A、R12A、R13A、R21A、R22A、R23A、R24A及A1-G1-A2表示與前述相同的意義]
式(1-B)所示的磷光發光性化合物，較理想為式(1-B1)所示的磷光發光性化合物、式(1-B2)所示的磷光發光性化合物或式(1-B3)所示的磷光發光性化合物。
[式中，M、n1、n2、R11B、R12B、R13B、R14B、R21B、R22B、R23B、R24B及A1-G1-A2表示與前述相同的意義。
n3及n4分別獨立地表示1以上的整數，n3+n4為2或3。於M為釕原子、銠原子或銥原子的情況，n3+n4為3，於M為鈀原子或鉑原子的情況，n3+n4為2。
R15B、R16B、R17B及R18B分別獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳香基、芳氧基、1價雜環基、鹵原子或取代胺基，該等基可具有取代基。於存在複數個R15B、R16B、R17B及R18B的情況，該等分別可為相同亦可為相異。R13B與R15B、R15B與R16B、R16B與R17B、R17B與R18B、R18B與R21B，可分別鍵結並與各自所鍵結的原子一起形成環]
作為式(1)所示的磷光發光性化合物者，可列舉例如下述式所示的磷光發光性化合物。
磷光發光性化合物，例如可根據日本特表2004-530254號公報、日本特開2008-179617號公報、日本特開2011-105701號公報、日本特表2007-504272號公報、日本特開2013-147449號公報、日本特開2013-147450號公報記載的方法合成。
〈非磷光發光性低分子化合物〉
本發明的組成物，可再含有非磷光發光性低分子化合物。說明關於本發明的組成物可含有的非磷光發光性低分子化合物。
本發明的組成物可含有的非磷光發光性低 分子化合物，較理想為式(H-1)所示的化合物。
[式中，ArH1及ArH2分別獨立地表示芳香基或1價雜環基，該等基可具有取代基。
nH1及nH2分別獨立地表示0或1。於存在複數個nH1的情況，該等可為相同亦可為相異。存在複數個的nH2，可為相同亦可為相異。
nH3表示0以上的整數。
LH1表示伸芳香基、2價雜環基或-[C(RH11)2]nH11-所示之基，該等基可具有取代基。於存在複數個LH1的情況，該等可為相同亦可為相異。
nH11表示1以上10以下的整數，RH11表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳香基或1價雜環基，該等基可具有取代基。存在複數個的RH11，可為相同亦可為相異，亦可互相鍵結並與各自所鍵結的碳原子一起形成環。
LH2表示-N(-LH21-RH21)-所示的基。於存在複數個LH2的情況，該等可為相同亦可為相異。
LH21表示單鍵、伸芳香基或2價雜環基，該等基可具有取代基。RH21表示氫原子、烷基、環烷基、芳香基或1 價雜環基，該等基可具有取代基]
ArH1及ArH2係以苯基、茀基、螺二茀基、吡啶基、嘧啶基、三基、喹啉基、異喹啉基、噻吩基、苯並噻吩基、二苯並噻吩基、呋喃基、苯並呋喃基、二苯並呋喃基、吡咯基、吲哚基、氮雜吲哚基、咔唑基、氮雜咔唑基、二氮雜咔唑基、啡基或啡噻基較理想，以苯基、螺二茀基、吡啶基、嘧啶基、三基、二苯並噻吩基、二苯並呋喃基、咔唑基或氮雜咔唑基更理想，以苯基、吡啶基、咔唑基或氮雜咔唑基更加理想，以上述式(TDA-1)或(TDA-3)所示的基特別理想，以上述式(TDA-3)所示的基又特別理想，該等基可具有取代基。
作為ArH1及ArH2可具有的取代基者，較理想為鹵原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳香基或1價雜環基，更理想為烷基、環烷氧基、烷氧基或環烷氧基，更加理想為烷基或環烷氧基，該等基可再具有取代基。
nH1較理想為1。nH2較理想為0。
nH3通常為0以上10以下的整數，較理想為0以上5以下的整數，更理想為1以上3以下的整數，特別理想為1。
nH11較理想為1以上5以下的整數，更理想為1以上3以下的整數，更加理想為1。
RH11係以氫原子、烷基、環烷基、芳香基或1價雜環基較理想，以氫原子、烷基或環烷基更理想，以 氫原子或烷基更加理想，該等基可具有取代基。
LH1係以伸芳香基或2價雜環基較理想。
LH1係以式(A-1)至(A-3)、式(A-8)至(A-10)、式(AA-1)至(AA-6)、式(AA-10)至(AA-21)或式(AA-24)至(AA-34)所示的基較理想，以式(A-1)、式(A-2)、式(A-8)、式(A-9)、式(AA-1)至(AA-4)、式(AA-10)至(AA-15)或式(AA-29)至(AA-34)所示的基更理想，式(A-1)、式(A-2)、式(A-8)、式(A-9)、式(AA-2)、式(AA-4)、式(AA-10)至(AA-15)所示的基更加理想，式(A-1)、式(A-2)、式(A-8)、式(AA-2)、式(AA-4)、式(AA-10)、式(AA-12)或式(AA-14)所示的基特別理想，式(A-1)、式(A-2)、式(AA-2)、式(AA-4)或式(AA-14)所示的基更加特別理想。
作為LH1可具有的取代基者，較理想為鹵原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳香基或1價雜環基，更理想為烷基、烷氧基、芳香基或1價雜環基，更加理想為烷基、芳香基或1價雜環基，該等基可再具有取代基。
LH21較理想為單鍵或伸芳香基，更理想為單鍵，該伸芳香基可具有取代基。
LH21所示的伸芳香基或2價雜環基的定義及例子係與LH1所示的伸芳香基或2價雜環基的定義及例子相同。
RH21係以芳香基或1價雜環基較理想，該等基可具有取代基。
RH21所示的芳香基及1價雜環基的定義及例子係與ArH1及ArH2所示的芳香基及1價雜環基的定義及例子相同。
RH21可具有的取代基的定義及例子係與ArH1及ArH2可具有的取代基的定義及例子相同。
式(H-1)所示的化合物，較理想為式(H-2)所示的化合物。
[式中，ArH1、ArH2、nH3及LH1係表示與前述相同意義]
作為式(H-1)所示的化合物者，例如下述式(H-101)至(H-119)所示的化合物。
〈高分子化合物〉
本發明的組成物可更含有包含選自由式(X)所示的構成單元及式(Y)所示的構成單元所成群組的至少1種構成單元的高分子化合物(以下亦稱為「第一高分子化合物」)。 說明關於本發明的組成物可含有的第一高分子化合物。
[式(X)所示的構成單元]
因使用本發明的組成物所得之發光元件的發光效率佳，故aX1較理想為2以下的整數，更理想為1。
因使用本發明的組成物所得之發光元件的發光效率佳，故aX2較理想為2以下的整數，更理想為0。
RX1、RX2及RX3較理想為烷基、環烷基、芳香基或1價雜環基，更理想為芳香基，該等基可具有取代基。
ArX1及ArX3所示的伸芳香基，更理想為式(A-1)或式(A-9)所示的基，更加理想為式(A-1)所示的基，該等基可具有取代基。
ArX1及ArX3所示的2價雜環基，更理想為式(AA-1)、式(AA-2)或式(AA-7)至(AA-26)所示的基，該等基可具有取代基。
ArX1及ArX3較理想為可具有取代基之伸芳香基。
作為ArX2及ArX4所示的伸芳香基者，更理想為式(A-1)、式(A-6)、式(A-7)、式(A-9)至(A-11)或式(A-19)所示的基，該等基可具有取代基。
ArX2及ArX4所示的2價雜環基的更理想的範圍，係與ArX1及ArX3所示的2價雜環基的更理想的範圍相同。
ArX2及ArX4所示的至少1種伸芳香基與至少1種2價雜環基直接鍵結而成的2價基中之伸芳香基及2價雜環基的更理想的範圍、更加理想的範圍，分別與ArX1及ArX3所示的伸芳香基及2價雜環基的更理想的範圍、更加理想的範圍相同。
ArX2及ArX4所示的至少1種伸芳香基與至少1種2價雜環基直接鍵結而成的2價基，可列舉例如下述式所示的基，該等基可具有取代基。
[式中，RXX表示氫原子、烷基、環烷基、芳香基或1價雜環基，該等基可具有取代基]
RXX較理想為烷基、環烷基或芳香基，該等基可具有取代基。
ArX2及ArX4較理想為可具有取代基之伸芳香基。
作為ArX1至ArX4及RX1至RX3所示的基可具有的取代基者，較理想為烷基、環烷基或芳香基，該等基可具有取代基。
式(X)所示的構成單元，較理想為式(X-1)至(X-7)所示的構成單元，更理想為式(X-1)至(X-6)所示的構成單元，更加理想為式(X-3)至(X-6)所示的構成單元。
[式中，RX4及RX5分別獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳香基、芳氧基、鹵原子、1價雜環基或氰基，該等基可具有取代基。存在複數個的RX4，可為相同亦可為相異。存在複數個的RX5，可為相同亦可為相異，相鄰的RX5彼此可互相鍵結並與各自所鍵結的碳原子一起形成環]
因使用本發明的組成物所得之發光元件的電洞傳輸性佳，故相對於第一高分子化合物中包含的構成單元的合計量而言，式(X)所示的構成單元較理想為0.1至50莫耳%，更理想為1至40莫耳%，更加理想為5至30莫耳%。
作為式(X)所示的構成單元者，可列舉例如式(X1-1)至(X1-11)所示的構成單元，較理想為式(X1-3)至(X1-10)所示的構成單元。
式(X)所示的構成單元，於第一高分子化合物中，可只包含1種，亦可包含2種以上。
[式(Y)所示的構成單元]
ArY1所示的伸芳香基，較理想為式(A-1)、式(A-2)、式(A-6)至(A-10)、式(A-19)或式(A-20)所示的基，更理想為式(A-1)、式(A-2)、式(A-7)、式(A-9)或式(A-19)所示的基，該等基可具有取代基。
ArY1所示的2價雜環基，較理想為式(AA-1)至(AA-4)、式(AA-10)至(AA-15)、式(AA-18)至(AA-21)、式(AA-33)或式(AA-34)所示的基，更理想為式(AA-4)、式(AA-10)、式(AA-12)、式(AA-14)或式(AA-33)所示的基，該等基可具有取代基。
ArY1所示的至少1種伸芳香基與至少1種2價雜環基直接鍵結而成的2價基中之伸芳香基及2價雜環基的較理想的範圍、更理想的範圍，分別與前述ArY1所示的伸芳香基及2價雜環基的較理想的範圍、更理想的範圍 相同。
ArY1所示的至少1種伸芳香基與至少1種2價雜環基直接鍵結而成的2價基，可列舉例如與式(X)的ArX2及ArX4所示的至少1種伸芳香基與至少1種2價雜環基直接鍵結而成的2價基相同者。
ArY1所示的基可具有的取代基，較理想為烷基、環烷基或芳香基，該等基可具有取代基。
作為式(Y)所示的構成單元者，可列舉例如式(Y-1)至(Y-10)所示的構成單元，從使用本發明的組成物所得之發光元件的發光效率的觀點而言，較理想為式(Y-1)至(Y-3)所示的構成單元，從使用本發明的組成物所得之發光元件的電子傳輸性的觀點而言，較理想為式(Y-4)至(Y-7)所示的構成單元，從使用本發明的組成物所得之發光元件的電洞傳輸性的觀點而言，較理想為式(Y-8)至(Y-10)所示的構成單元。又，因使用本發明的組成物所得之發光元件的亮度壽命佳，故式(Y)所示的構成單元較理想為式(Y-1)至(Y-4)所示的構成單元。
[式中，RY1表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳香基或1價雜環基，該等基可具有取代基。存在複數個的RY1，可為相同亦可為相異，相鄰的RY1彼此可互相 鍵結並與各自所鍵結的碳原子一起形成環]
RY1較理想為氫原子、烷基、環烷基或芳香基，該等基可具有取代基。
式(Y-1)所示的構成單元，較理想為式(Y-1’)所示的構成單元。
[式中，RY11表示烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳香基或1價雜環基，該等基可具有取代基。存在複數個的RY11，可為相同亦可為相異]
RY11較理想為烷基、環烷基或芳香基，更理想為烷基或環烷基，該等基可具有取代基。
[式中，RY1表示與前述相同的意義。
XY1表示-C(RY2)2-、-C(RY2)=C(RY2)-或-C(RY2)2-C(RY2)2-所示的基。RY2表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳香基或1價雜環基，該等基可具有取代基。存在複數個的RY2，可為相同亦可為相異，RY2彼此可互相鍵結 並與各自所鍵結的碳原子一起形成環]
RY2較理想為烷基、環烷基、芳香基或1價雜環基，更理想為烷基、環烷基或芳香基，該等基可具有取代基。
於XY1中，-C(RY2)2-所示的基中的2個RY2的組合，較理想為兩者為烷基或環烷基、兩者為芳香基、兩者為1價雜環基、或者一者為烷基或環烷基而另一者為芳香基或1價雜環基，更理想為一者為烷基或環烷基而另一者為芳香基，該等基可具有取代基。存在2個的RY2，可互相鍵結並與各自所鍵結的原子一起形成環，於RY2形成環的情況，作為-C(RY2)2-所示的基者，較理想為式(Y-A1)至(Y-A5)所示的基，更理想為式(Y-A4)所示的基，該等基可具有取代基。
於XY1中，-C(RY2)=C(RY2)-所示的基中的2個RY2的組合，較理想為兩者為烷基或環烷基，或者一者為烷基或環烷基而另一者為芳香基，該等基可具有取代基。
於XY1中，-C(RY2)2-C(RY2)2-所示的基中的4個RY2，較理想為可具有取代基的烷基或環烷基。複數個RY2，可互相鍵結並與各自所鍵結的原子一起形成環，於RY2形成環的情況，-C(RY2)2-C(RY2)2-所示的基，較理想為式 (Y-B1)至(Y-B5)所示的基，更理想為式(Y-B3)所示的基，該等基可具有取代基。
[式中，RY2表示與前述相同的意義]
式(Y-2)所示的構成單元，較理想為式(Y-2’)所示的構成單元。
[式中，RY1及XY1表示與前述相同的意義]
[式中，RY1及XY1表示與前述相同的意義]
式(Y-3)所示的構成單元，較理想為式(Y-3’)所示的構成單元。
[式中，RY11及XY1表示與前述相同的意義]
[式中，RY1表示與前述相同的意義。
RY3表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳香基或1價雜環基，該等基可具有取代基]
RY3較理想為烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳香基或1價雜環基，更理想為芳香基，該等基可具有取代基。
式(Y-4)所示的構成單元，較理想為式 (Y-4’)所示的構成單元，式(Y-6)所示的構成單元，較理想為式(Y-6’)所示的構成單元。
[式中，RY1及RY3表示與前述相同的意義]
[式中，RY1表示與前述相同的意義。
RY4表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳香基或1價雜環基，該等基可具有取代基]
RY4較理想為烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳香基或1價雜環基，更理想為芳香基，該等基可具有取代基。
作為式(Y)所示的構成單元者，可列舉例如式(Y-101)至(Y-121)所示的伸芳香基所成的構成單元、式(Y-201)至(Y-206)所示的2價雜環基所成的構成單元、式 (Y-301)至(Y-304)所示的至少1種伸芳香基與至少1種2價雜環基直接鍵結而成的2價基所成的構成單元。
屬於式(Y)所示的構成單元且ArY1為伸芳香基之構成單元，因使用本發明的組成物所得之發光元件的發光效率佳，故相對於第一高分子化合物所包含的構成單元的合計量而言，較理想為0.5至90莫耳%，更理想為30至80莫耳%。
屬於式(Y)所示的構成單元且ArY1為2價雜環基或至少1種伸芳香基與至少1種2價雜環基直接鍵結而成的2價基之構成單元，因使用本發明的組成物所得之發光元件的電荷傳輸性佳，故相對於第一高分子化合物所包含的構成單元的合計量而言，較理想為0.5至50莫耳%，更理想為3至30莫耳%。
式(Y)所示的構成單元，於第一高分子化合物中，可只包含1種，亦可包含2種以上。
作為第一高分子化合物者，可列舉例如表3的高分子化合物(P-101)至(P-107)。
[表中，p、q、r、s及t表示各構成單元的莫耳比例。p+q+r+s+t=100，且100≧p+q+r+s≧70。所謂其他構成單元，係指式(Y)所示的構成單元、式(X)所示的構成單元以外的構成單元]
〈包含磷光發光性構成單元的高分子化合物〉
本發明的組成物所含有的磷光發光性化合物，亦可為包含具有磷光發光性化合物構造的構成單元(亦即，具有除去直接鍵結於構成磷光發光性化合物的碳原子或雜原子之1個以上的氫原子所成的基之構成單元。以下亦稱為「磷光發光性構成單元」)之高分子化合物(以下亦稱為「第二高分子化合物」)。說明關於本發明的組成物所含有的第二 高分子化合物。
磷光發光性構成單元，因使用本發明的組成物所得之發光元件的發光效率佳，故較理想為具有式(1)所示的磷光發光性化合物的構造的構成單元。作為具有式(1)所示的磷光發光性化合物的構造的構成單元者，較理想為具有從式(1)所示的磷光發光性化合物除去直接鍵結於構成該化合物的碳原子或雜原子之1個以上3個以下的氫原子所成的基之構成單元，更理想為式(1B)、(2B)、(3B)或(4B)所示的構成單元，更加理想為式(2B)或(3B)所示的構成單元，特別理想為式(2B)所示的構成單元。
[式(1B)所示的磷光發光性構成單元]
[式中，M1B表示從式(1)所示的磷光發光性化合物除去直接鍵結於構成該化合物的碳原子或雜原子之1個氫原子所成的基。
LC表示氧原子、硫原子、-N(RA)-、-C(RB)2-、-C(RB)=C(RB)-、-C≡C-、伸芳香基或2價雜環基，該等基可具有取代基。RA表示氫原子、烷基、環烷基、芳香基或1價雜環基，該等基可具有取代基。RB表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳香基或1價雜環基，該等 基可具有取代基。存在複數個的RB，可為相同亦可為相異，可互相鍵結並與各自所鍵結的碳原子一起形成環。於存在複數個LC的情況，該等可為相同亦可為相異。
nc1表示0以上的整數。]
RA較理想為芳香基或1價雜環基，更理想為芳香基，該等基可具有取代基。
RB較理想為氫原子、烷基、環烷基、芳香基或1價雜環基，更理想為氫原子、烷基、環烷基或芳香基，更加理想為氫原子或烷基，特別理想為氫原子，該等基可具有取代基。
LC較理想為-C(RB)2-、伸芳香基或2價雜環基，更理想為-C(RB)2-或伸芳香基，更加理想為伸芳香基，特別理想為式(A-1)或式(A-2)所示的基，該等基可具有取代基。
RA、RB及LC可具有的取代基的定義及例子係與前述環R1及環R2可具有的取代基的定義及例子相同。
nc1通常為0至10的整數，較理想為0至5的整數，更理想為0至2的整數，更加理想為0或1，特別理想為0。
於第二高分子化合物為包含式(1B)所示的構成單元的高分子化合物的情況，式(1B)所示的構成單元為末端的構成單元。
所謂「末端的構成單元」，係指高分子化合物的末端的構成單元，該末端的構成單元在高分子化合物 的製造時以由末端封閉劑衍生的構成單元較理想。
M1B係以式(BM-1)所示的基更理想。
[式中，M、E1、E2、環R1、環R2及A1-G1-A2表示與前述相同的意義。
環R11表示5員環或6員環的芳香族雜環，該等環可具有取代基。於存在複數個該取代基的情況，該等可為相同亦可為相異，可互相鍵結並與各自所鍵結的原子一起形成環。但是於環R11為6員環的芳香族雜環的情況，E1為碳原子。
環R12表示5員環或6員環的芳香族烴環、或者5員環或6員環的芳香族雜環，該等環可具有取代基。於存在複數個該取代基的情況，該等可為相同亦可為相異，可互相鍵結並與各自所鍵結的原子一起形成環。但是於環R12為6員環的芳香族雜環的情況，E2為碳原子。
但是，環R11及環R12之一者具有1個鍵結鍵。
n11及n12分別獨立地表示0以上的整數。但是n11+n12 為1或2。於M為釕原子、銠原子或銥原子的情況，n11+n12為2，於M為鈀原子或鉑原子的情況，n11+n12為1]
於M為釕原子、銠原子或銥原子的情況，以n11為2更理想。
於M為鈀原子或鉑原子的情況，以n11為1更理想。
於環R11不具有鍵結鍵的情況，環R11的定義及例子係與前述的環R1的定義及例子相同。
於環R11具有鍵結鍵的情況，環R11的將鍵結鍵除外之後之環部分的定義及例子係與前述的環R1的定義及例子相同。
於環R12不具有鍵結鍵的情況，環R12的定義及例子係與前述的環R2的定義及例子相同。
於環R12具有鍵結鍵的情況，環R12的將鍵結鍵除外之後之環部分的定義及例子係與前述的環R2的定義及例子相同。
環R11及環R12可具有的取代基的定義及例子係與前述環R1及環R2可具有的取代基的定義及例子相同。
[式(2B)所示的構成單元]
[式中，M1B表示與前述相同的意義。
Ld及Le分別獨立地表示氧原子、硫原子、-N(RA)-、-C(RB)2-、-C(RB)=C(RB)-、-C≡C-、伸芳香基或2價雜環基，該等基可具有取代基。RA及RB表示與前述相同的意義。於存在複數個Ld及Le的情況，該等分別可為相同亦可為相異。
nd1及ne1分別獨立地表示0以上的整數。存在複數個的nd1，可為相同亦可為相異。
Ar1M表示芳香族烴基或雜環基，該等基可具有取代基]
Ld較理想為-C(RB)2-、伸芳香基或2價雜環基，更理想為伸芳香基或2價雜環基，更加理想為伸芳香基，特別理想為式(A-1)或式(A-2)所示的基，該等基可具有取代基。
Le較理想為-C(RB)2-、伸芳香基或2價雜環基，更理想為-C(RB)2-或伸芳香基，更加理想為伸芳香基，特別理想為式(A-1)或式(A-2)所示的基，該等基可具有取代基。
nd1及ne1通常為0至10的整數，較理想為0至5的整數，更理想為0至2的整數，更加理想為0或1，特別理想為0。
Ar1M較理想為從苯環、萘環、茀環、菲環、二氫菲環、吡啶環、二氮雜苯環、三環、咔唑環、啡 環或啡噻環，除去直接鍵結於構成環的碳原子或雜原子的3個氫原子之基，更理想為從苯環、萘環、茀環、菲環或二氫菲環，除去直接鍵結於構成環的碳原子的3個氫原子之基，更加理想為從苯環或茀環，除去直接鍵結於構成環的碳原子的3個氫原子之基，特別理想為從苯環除去直接鍵結於構成環的碳原子的3個氫原子之基，該等基可具有取代基。
Ld、Le及Ar1M可具有的取代基的定義及例子係與前述環R1及環R2可具有的取代基的定義及例子相同。
[式(3B)所示的構成單元]
[式中，Ld及nd1表示與前述相同的意義。
M2B表示從式(1)所示的磷光發光性化合物除去直接鍵結於構成該化合物的碳原子或雜原子之2個氫原子所成的基]
M2B係以式(BM-2)或(BM-3)所示的基更理想，更加理想為式(BM-2)所示的基。
[式中，M、E1、E2、環R1、環R2、環R11、環R12及A1-G1-A2表示與前述相同的意義。存在複數個的環R11，可為相同亦可為相異。存在複數個的環R12，可為相同亦可為相異。
n13及n14分別獨立地表示0以上的整數。但是n13+n14為0或1。於M為釕原子、銠原子或銥原子的情況，n13+n14為1，於M為鈀原子或鉑原子的情況，n13+n14為0]
於M為釕原子、銠原子或銥原子的情況，n13較理想為1。
[式中，M、E1、E2、環R1、環R2、A1-G1-A2、n11及n12表示與 前述相同的意義。
環R13表示5員環或6員環的芳香族雜環，該等環可具有取代基。於存在複數個該取代基的情況，該等可為相同亦可為相異，可互相鍵結並與各自所鍵結的原子一起形成環。但是於環R13為6員環的芳香族雜環的情況，E1為碳原子。
環R14表示5員環或6員環的芳香族烴環或者5員環或6員環的芳香族雜環，該等環可具有取代基。於存在複數個該取代基的情況，該等可為相同亦可為相異，可互相鍵結並與各自所鍵結的原子一起形成環。但是於環R14為6員環的芳香族雜環的情況，E2為碳原子。
但是，環R13及環R14的一者具有2個鍵結鍵，或環R13及環R14分別各具有1個鍵結鍵]
於環R13不具有鍵結鍵的情況，環R13的定義及例子係與前述的環R1的定義及例子相同。
於環R13具有鍵結鍵的情況，環R13的將鍵結鍵除外之後之環部分的定義及例子係與前述的環R1的定義及例相同。
於環R14不具有鍵結鍵的情況，環R14的定義及例子係與前述的環R2的定義及例子相同。
於環R14具有鍵結鍵的情況，環R14的將鍵結鍵除外之後之環部分的定義及例子係與前述的環R2的定義及例子相同。
環R13及環R14可具有的取代基的定義及例 子係與前述環R1及環R2可具有的取代基的定義及例子相同。
環R13及環R14係以分別各具有1個鍵結鍵較理想。
[式(4B)所示的構成單元]
[式中，Ld及nd1表示與前述相同的意義。
M3B表示從式(1)所示的磷光發光性化合物除去直接鍵結於構成該化合物的碳原子或雜原子之3個氫原子所成的基]
M3B係以式(BM-4)所示的基更理想。
[式中，M、E1、E2、環R11、環R12、環R13、環R14及A1-G1-A2表示與前述相同的意義。
n15表示0或1。n16表示1或3。但是於M為釕原子、銠原子或銥原子的情況，n15為0且n16為3。於M為鈀原子或鉑原子的情況，n15為1且n16為1]
作為磷光發光性構成單元者，可列舉例如式(B-1)至(B-25)所示的構成單元。
[式中，D表示式(2)所示的基。於存在複數個D的情況，該等可為相同亦可為相異。
Rp表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基或環烷氧基，該等基可具有取代基]
因使用本發明的組成物所得之發光元件的發光效率佳，故相對於第二高分子化合物中所包含的構成單元的合計量而言，磷光發光性構成單元較理想為0.5至 50莫耳%，更理想為1至30莫耳%，更加理想為3至15莫耳%。
磷光發光性構成單元，於第二高分子化合物中，可只包含1種，亦可包含2種以上。
第二高分子化合物，係以更包含式(Y)所示的構成單元較理想。式(Y)所示的構成單元的定義及例子係與前述第一高分子化合物所包含的式(Y)所示的構成單元的定義及例子相同。
屬於式(Y)所示的構成單元且ArY1為伸芳香基的構成單元，因使用本發明的組成物所得之發光元件的發光效率佳，故相對於第二高分子化合物中所包含的構成單元的合計量而言，較理想為0.5至90莫耳%，更理想為30至80莫耳%。
屬於式(Y)所示的構成單元且ArY1為2價雜環基或至少1種伸芳香基與至少1種2價雜環基直接鍵結而成的2價基之構成單元，因使用本發明的組成物所得之發光元件的電荷傳輸性佳，故相對於第二高分子化合物所包含的構成單元的合計量而言，較理想為0.5至50莫耳%，更理想為3至30莫耳%。
式(Y)所示的構成單元，於第二高分子化合物中，可只包含1種，亦可包含2種以上。
第二高分子化合物，因使用本發明的組成物所得之發光元件的電洞傳輸性佳，故係以更包含式(X)所示的構成單元較理想。式(X)所示的構成單元的定義及例 子係與前述的第一高分子化合物所包含的式(X)所示的構成單元的定義及例子相同。
因使用本發明的組成物所得之發光元件的電洞傳輸性佳，故相對於第二高分子化合物所包含的構成單元的合計量而言，式(X)所示的構成單元較理想為0.1至50莫耳%，更理想為1至40莫耳%，更加理想為5至30莫耳%。
式(X)所示的構成單元，於第二高分子化合物中，可只包含1種，亦可包含2種以上。
作為第二高分子化合物者，可列舉例如表4的高分子化合物(P-108)至(P-114)。
[表中，p’、q’、r’、s’、t’及u’表示各構成單元的莫耳比例。p’+q’+r’+s’+t’+u’=100，且100≧p’+q’+r’+s’+t’≧70。所謂其他構成單元，係指式(Y)所示的構成單元、式(X)所示的構成單元、磷光發光性構成單元以外的構成單元]
〈高分子化合物的製造方法〉
第一高分子化合物及第二高分子化合物，可為嵌段共聚物、無規共聚物、交替共聚物、接枝共聚物的任一種，亦可為其他態樣，以將複數種的原料單體共聚合所成的共聚物較理想。
第一高分子化合物，例如可藉由使式(M-Y1)所示的化合物、以及選自由式(M-Y2)所示的化合物及式(M-X)所示的化合物所成群組的至少1種化合物縮合聚合而製造。
第二高分子化合物，例如可藉由使式(M-Y1)所示的化合物、選自由式(M-Y2)所示的化合物及式(M-X)所示的化合物所成群組的至少1種化合物、以及選自由式(M-1B)所示的化合物、式(M-2B)所示的化合物、式(M-3B)所示的化合物以及式(M-4B)所示的化合物所成群組的至少1種化合物縮合聚合而製造。
再者，於使用式(M-1B)所示的化合物的情況，該等化合物係被使用作為末端封閉劑。
於本說明書中，有時將第一至第二高分子化合物的製造所使用的化合物總稱為「原料單體」。
[式中，ArY1、ArX1至ArX4、RX1、RX2、RX3、aX1、aX2、Lc至Le、M1B至M3B、nc1、nd1及ne1表示與前述相同的意義。
ZC1至ZC14分別獨立地表示選自由取代基A群及取代基B群所成群組之基]
例如，於ZC1及ZC2為選自取代基A群的基的情況，選擇ZC3至ZC14為選自取代基B群的基。
例如，於ZC1及ZC2為選自取代基B群的基的情況，選擇ZC3至ZC14為選自取代基A群的基。
〈取代基A群〉
氯原子、溴原子、碘原子、-O-S(=O)2RC1所示的基。(式中，RC1表示烷基、環烷基或芳香基，該等基可具有取代基)
〈取代基B群〉
-B(ORC2)2(式中，RC2表示氫原子、烷基、環烷基或芳香基，該等基可具有取代基。存在複數個的RC2，可為相同，亦可為相異，可互相鍵結並與各自所鍵結的氧原子一起形成環構造)所示的基；-BF3Q’(式中，Q’表示Li、Na、K、Rb或Cs)所示的基；-MgY’(式中，Y’表示氯原子、溴原子或碘原子)所示的基；-ZnY”(式中，Y”表示氯原子、溴原子或碘原子)所示的基；及-Sn(RC3)3(式中，RC3表示氫原子、烷基、環烷基或芳香基，該等基可具有取代基。存在複數個的RC3，可為相同，亦可為相異，可互相鍵結並與各自所鍵結的錫原子一起形成環構造)所示的基。
作為-B(ORC2)2所示的基者，可列舉例如以下述式所示的基。
具有選自取代基A群的基之化合物以及具 有選自取代基B群的基之化合物，藉由習知的偶合反應進行縮合聚合，使與選自取代基A群的基以及選自取代基B群的基鍵結的碳原子彼此鍵結。因此，若將具有1個以上的選自取代基A群的基之化合物以及具有1個以上的選自取代基B群的基之化合物，供應予習知的偶合反應，藉由縮合聚合，可得到該等化合物的縮聚物。
縮合聚合，通常在觸媒、鹼及溶劑的存在下進行，依據需要可與相間轉移觸媒共存下進行。
作為觸媒者，可列舉例如二氯雙(三苯基膦)鈀、二氯雙(三-鄰-甲氧基苯基膦)鈀、鈀[四(三苯基膦)]、[三(二亞苄基丙酮)]二鈀(tris(dibenzylideneacetone)dipalladium)、鈀二乙酸酯等鈀錯合物，鎳[四(三苯基膦)]、[1,3-雙(二苯基膦基)丙烷]二氯化鎳、[雙(1,4-環辛二烯)]鎳等鎳錯合物等過渡金屬錯合物；該等過渡金屬錯合物更具有三苯基膦、三-鄰-甲苯基膦、三(第3丁基膦)、三環己基膦、二苯基膦基丙烷、聯吡啶等配位子之錯合物。觸媒，可使用單獨一種，亦可併用2種以上。
觸媒的使用量，以相對於原料單體的莫耳數的合計而言之過渡金屬的量，通常為0.00001至3莫耳當量。
作為鹼者，可列舉例如碳酸鈉、碳酸鉀、碳酸銫、氟化鉀、氟化銫、磷酸三鉀等無機鹼；氟化四丁基銨、氫氧化四丁基銨等有機鹼。鹼，可使用單獨一種，亦可併用2種以上。
作為相間轉移觸媒者，可列舉例如氯化四丁基銨、溴化四丁基銨等。相間轉移觸媒，可使用單獨一種，亦可併用2種以上。
鹼的使用量，相對於原料單體的合計莫耳數而言，通常為0.001至100莫耳當量。
相間轉移觸媒的使用量，相對於原料單體的合計莫耳數而言，通常為0.001至100莫耳當量。
作為溶劑者，可列舉例如甲苯、二甲苯、均三甲苯(mesitylene)、四氫呋喃、1,4-二烷、二甲氧基乙烷、N,N-二甲基乙醯胺、N,N-二甲基甲醯胺等有機溶劑；水。溶劑，可使用單獨一種，亦可併用2種以上。
溶劑的使用量，相對於原料單體的總計100重量份而言，通常為10至100000重量份。
縮合聚合的反應溫度，通常為-100至200℃。縮合聚合的反應時間，通常為1小時以上。
聚合反應的後處理，以習知的方法進行，單獨或組合例如藉由分離溶液而除去水溶性不純物的方法；於甲醇等低級醇中添加聚合反應後的反應液，並將所析出的沈澱過濾後，使其乾燥的方法等進行。於第一高分子化合物及第二高分子化合物的純度低的情況，例如可藉由再結晶、再沈澱、藉由索氏(Soxhlet)萃取器之連續萃取、管柱層析法等的通常的方法來進行精製。
〈組成物〉
說明關於本發明的組成物。
本發明的組成物，於使用於吐出模塗佈法的情況，係有用於平坦性佳的膜之製造的組成物，可適合使用於發光元件的製造。亦即，本發明的組成物，適合作為發光元件製造用的組成物。
本發明的組成物，係含有磷光發光性化合物(亦可為第二高分子化合物)、溶劑(A)及溶劑(B)之組成物(以下亦稱為「組成物A」)。
於組成物A中，磷光發光性化合物，可含有單獨1種，亦可含有2種以上。
於組成物A中，於磷光發光性化合物、溶劑(A)及溶劑(B)的合計含量為100重量份的情況，磷光發光性化合物的含量通常為0.1至20重量份，從成膜性的觀點而言，較理想為0.2至10重量份，更理想為0.3至5重量份，更加理想為0.5至3重量份。
本發明的組成物，亦可為含有磷光發光性化合物(亦可為第二高分子化合物)、溶劑(A)、溶劑(B)及第一高分子化合物之組成物(以下亦稱為「組成物B」)。
於組成物B中，磷光發光性化合物，可含有單獨1種，亦可含有2種以上。
於組成物B中，第一高分子化合物，可含有單獨1種，亦可含有2種以上。
於組成物B中，於磷光發光性化合物、溶劑(A)、溶劑(B)及第一高分子化合物的合計含量為100重 量份的情況，磷光發光性化合物與第一高分子化合物的合計含量通常為0.1至20重量份，從成膜性的觀點而言，較理想為0.2至10重量份，更理想為0.3至5重量份，更加理想為0.5至3重量份。
於組成物B中，於磷光發光性化合物與第一高分子化合物的合計含量為100重量份的情況，第一高分子化合物的含量通常為10至99.9重量份，從使用組成物B所得之發光元件的發光特性的觀點而言，較理想為20至99重量份，更理想為30至97重量份，更加理想為40至95重量份。
本發明的組成物，亦可為含有磷光發光性化合物(亦可為第二高分子化合物)、溶劑(A)、溶劑(B)及非磷光發光性低分子化合物之組成物(以下亦稱為「組成物C」)。
於組成物C中，磷光發光性化合物，可含有單獨1種，亦可含有2種以上。
於組成物C中，非磷光發光性低分子化合物，可含有單獨1種，亦可含有2種以上。
於組成物C中，於磷光發光性化合物、溶劑(A)、溶劑(B)及非磷光發光性低分子化合物的合計含量為100重量份的情況，磷光發光性化合物與非磷光發光性低分子化合物的合計含量通常為0.1至20重量份，從成膜性的觀點而言，較理想為0.2至10重量份，更理想為0.3至5重量份，更加理想為0.5至3重量份。
於組成物C中，於磷光發光性化合物與非磷光發光性低分子化合物的合計含量為100重量份的情況，非磷光發光性低分子化合物的含量通常為10至99.9重量份，從使用組成物C所得之發光元件的發光特性的觀點而言，較理想為20至99重量份，更理想為30至97重量份，更加理想為40至95重量份。
本發明的組成物，亦可為含有磷光發光性化合物(亦可為第二高分子化合物)、溶劑(A)、溶劑(B)、非磷光發光性低分子化合物及第一高分子化合物之組成物(以下亦稱為「組成物D」)。
於組成物D中，磷光發光性化合物，可含有單獨1種，亦可含有2種以上。
於組成物D中，非磷光發光性低分子化合物，可含有單獨1種，亦可含有2種以上。
於組成物D中，第一高分子化合物，可含有單獨1種，亦可含有2種以上。
於組成物D中，於磷光發光性化合物、溶劑(A)、溶劑(B)、非磷光發光性低分子化合物及第一高分子化合物的合計含量為100重量份的情況，磷光發光性化合物、非磷光發光性低分子化合物及第一高分子化合物的合計含量通常為0.1至20重量份，從成膜性的觀點而言，較理想為0.2至10重量份，更理想為0.3至5重量份，更加理想為0.5至3重量份。
於組成物D中，於磷光發光性化合物、非 磷光發光性低分子化合物及第一高分子化合物的合計含量為100重量份的情況，非磷光發光性低分子化合物及第一高分子化合物的合計含量通常為10至99.9重量份，從使用組成物D所得之發光元件的發光特性的觀點而言，較理想為20至99重量份，更理想為30至97重量份，更加理想為40至95重量份。
〈其他成分〉
本發明的組成物，可更含有選自由電洞傳輸材料、電洞注入材料、電子傳輸材料、電子注入材料、發光材料(與磷光發光性化合物不同)及抗氧化劑所成群組的至少1種材料。
〈電洞傳輸材料〉
電洞傳輸材料，分類為低分子化合物及高分子化合物，且較理想為高分子化合物，更理想為具有交聯基的高分子化合物。
作為高分子化合物者，可列舉例如聚乙烯基咔唑及其衍生物；側鏈或主鏈具有芳香族胺構造之聚伸芳基及其衍生物。高分子化合物，可為鍵結有電子接受性部位的化合物。作為電子接受性部位者，可列舉例如富勒烯、四氟四氰基醌二甲烷、四氰基乙烯、三硝基茀酮等，較理想為富勒烯。
於本發明的組成物中，於磷光發光性化合 物為100重量份的情況，電洞傳輸材料的含量通常為1至400重量份，較理想為5至150重量份。
電洞傳輸材料，可使用單獨一種，亦可併用2種以上。
〈電子傳輸材料〉
電子傳輸材料，分類為低分子化合物及高分子化合物。電子傳輸材料可具有交聯基。
作為低分子化合物者，可列舉例如以8-羥基喹啉為配位子之金屬錯合物、二唑、蒽醌二甲烷、苯醌、萘醌、蒽醌、四氰基蒽醌二甲烷、茀酮、二苯基二氰基乙烯及聯苯醌以及該等的衍生物。
作為高分子化合物者，可列舉例如聚伸苯基、聚茀及該等的衍生物。高分子化合物，可用金屬摻雜。
於本發明的組成物中，於磷光發光性化合物為100重量份的情況，電子傳輸材料的含量通常為1至400重量份，較理想為5至150重量份。
電子傳輸材料，可使用單獨一種，亦可併用2種以上。
〈電洞注入材料及電子注入材料〉
電洞注入材料及電子注入材料，各自分類為低分子化合物及高分子化合物。電洞注入材料及電子注入材料，可具有交聯基。
作為低分子化合物者，可列舉例如銅酞青(copper phthalocyanine)等金屬酞青；碳；鉬、鎢等的金屬氧化物；氟化鋰、氟化鈉、氟化銫、氟化鉀等金屬氟化物。
作為高分子化合物者，可列舉例如聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯、聚伸苯基伸乙烯基(polyphenylene vinylene)、聚伸噻吩基伸乙烯基、聚喹啉、及聚喹啉(polyquinoxaline)以及該等的衍生物；於主鏈或側鏈含有芳香族胺構造的聚合物等導電性高分子。
於本發明的組成物中，電洞注入材料及電子注入材料的含量，分別於磷光發光性化合物為100重量份的情況，通常為1至400重量份，較理想為5至150重量份。
電洞注入材料及電子注入材料，分別可使用單獨一種，亦可併用2種以上。
〈離子摻雜〉
於電洞注入材料或電子注入材料包含導電性高分子的情況，導電性高分子的導電度係以1×10-5S/cm至1×103S/cm較理想。為了使導電性高分子的導電度為如此的範圍，可於導電性高分子摻雜適量的離子。
摻雜的離子之種類，在電洞注入材料為陰離子，在電子注入材料為陽離子。作為陰離子者，可列舉例如聚苯乙烯磺酸離子、烷基苯磺酸離子、樟腦磺酸離子。作為陽離子者，可列舉例如鋰離子、鈉離子、鉀離子、四 丁基銨離子。
摻雜的離子，可使用單獨一種，亦可併用2種以上。
〈發光材料〉
發光材料(與磷光發光性化合物不同)，分類為低分子化合物及高分子化合物。發光材料可具有交聯基。
作為低分子化合物者，可列舉例如萘及其衍生物、蒽及其衍生物以及苝(perylene)及其衍生物。
作為高分子化合物者，可列舉例如包含伸苯基、萘二基、茀二基、菲二基、二氫菲二基、式(X)所示的基、咔唑二基、啡二基、啡噻二基、蒽二基、芘二基等的高分子化合物。
於本發明的組成物中，於磷光發光性化合物為100重量份的情況，發光材料的含量通常為0.1至400重量份。
〈抗氧化劑〉
抗氧化劑，只要是可溶解於溶劑(A)及/或溶劑(B)且不阻礙發光及電荷傳輸的化合物即可，例如酚系抗氧化劑、磷系抗氧化劑。
於本發明的組成物中，於組成物為100重量份的情況，抗氧化劑的調配量通常為10-6至101重量份。
抗氧化劑，可使用單獨一種，亦可併用2種以上。
〈黏度〉
本發明的組成物的黏度，通常為1至100mPa‧s，較理想為1至50mPa‧s，更理想為1至20mPa‧s。
〈膜〉
膜係使用本發明的組成物所形成之含有磷光發光性化合物(亦可為第二高分子化合物)的膜。於膜中，亦可含有第一高分子化合物或非磷光發光性低分子化合物。
膜也包含使磷光發光性化合物(亦可為第二高分子化合物)或者第一高分子化合物或非磷光發光性低分子化合物藉由交聯而對溶劑不溶化之不溶化膜。不溶化膜，係藉由加熱、光照射等外部刺激而使磷光發光性化合物或者第一高分子化合物或非磷光發光性低分子化合物交聯所得之膜。不溶化膜，因實質上不溶於溶劑，故可適合使用於發光元件的積層化。
用以使膜交聯的加熱溫度，通常為25至300℃，因發光效率佳，故較理想為50至250℃，更理想為150至200℃。
用以使膜交聯的光照射所使用的光之種類，例如紫外光、近紫外光、可見光。
膜適合作為發光元件的發光層、電洞傳輸 層或電洞注入層。
膜，可使用本發明的組成物，藉由例如旋轉塗佈法、鑄膜法、微凹版塗佈法、凹版塗佈法、棒塗法、滾輪(roll)塗佈法、線棒塗佈法、浸塗法、噴塗法、網版印刷法、柔版印刷法(flexo printing)、平版印刷法、噴墨印刷法、毛細管塗佈法、噴嘴塗佈法而製作，藉由吐出模塗佈法的噴墨印刷法等所製作的膜，其平坦性變佳。
膜的厚度，通常為1nm至10μm。
〈發光元件〉
本發明的發光元件係使用本發明的組成物所得之發光元件，且磷光發光性化合物(亦可為第二高分子化合物)及/或第一高分子化合物或非磷光發光性低分子化合物，可在分子內或分子間交聯者。
作為本發明的發光元件的構成者，例如具有陽極及陰極所構成的電極、以及設置於該電極間的使用本發明的組成物所得的層。
〈層構成〉
使用本發明的組成物所得的層，通常為發光層、電洞傳輸層、電洞注入層、電子傳輸層、電子注入層的1種以上的層，較理想為發光層。該等層，分別包含發光材料、電洞傳輸材料、電洞注入材料、電子傳輸材料、電子注入材料。
發光元件係於陽極與陰極之間具有發光層。本發明的發光元件，從電洞注入性及電洞傳輸性的觀點而言，以於陽極與發光層之間，具有電洞注入層及電洞傳輸層的至少1層較理想，從電子注入性及電子傳輸性的觀點而言，以於陰極與發光層之間，具有電子注入層及電子傳輸層的至少1層較理想。
作為電洞傳輸層、電子傳輸層、發光層、電洞注入層及電子注入層的材料，除本發明的組成物外，分別可列舉例如上述的電洞傳輸材料、電子傳輸材料、發光材料、電洞注入材料及電子注入材料等。
電洞傳輸層的材料、電子傳輸層的材料以及發光層的材料，於發光元件的製作中，分別會溶解於鄰接電洞傳輸層、電子傳輸層以及發光層的層形成時所使用的溶劑的情況，為了避免該材料溶解於該溶劑，以該材料具有交聯基較理想。使用具有交聯基的材料，形成各層後，藉由使該交聯基交聯，可使該層不溶化。
於本發明的發光元件中，作為發光層、電洞傳輸層、電子傳輸層、電洞注入層、電子注入層等各層的形成方法者，於使用低分子化合物的情況，可列舉例如從粉末的真空蒸鍍法、藉由從溶液或熔融狀態成膜之方法，於使用高分子化合物的情況，可列舉例如藉由從溶液或熔融狀態成膜之方法。
此處，作為藉由從溶液成膜的方法者，可列舉例如旋轉塗佈法、鑄膜法、微凹版塗佈法、凹版塗佈 法、棒塗法、滾輪塗佈法、線棒塗佈法、浸塗法、噴塗法、網版印刷法、柔版印刷法、平版印刷法、噴墨印刷法、毛細管塗佈法、噴嘴塗佈法。
積層的層的順序、數目及厚度，係考慮發光效率及亮度壽命而調整。
〈基板/電極〉
發光元件的基板，只要是可形成電極且在形成有機層時沒有化學變化的基板即可，例如由玻璃、塑膠、矽等材料所構成的基板。於不透明的基板之情況，係以距離基板最遠的電極為透明或半透明較理想。
作為陽極的材料者，可列舉例如導電性金屬氧化物、半透明金屬，較理想為氧化銦、氧化鋅、氧化錫；銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物等導電性化合物；銀、鈀及銅的複合體(APC)；NESA、金、鉑、銀、銅。
作為陰極的材料者，可列舉例如鋰、鈉、鉀、銣、銫、鈹、鎂、鈣、鍶、鋇、鋁、鋅、銦等金屬；該等之中2種以上之合金；該等之中的1種以上以及銀、銅、錳、鈦、鈷、鎳、鎢、錫中的1種以上之合金；以及，石墨及石墨層間化合物。作為合金者，可列舉例如鎂-銀合金、鎂-銦合金、鎂-鋁合金、銦-銀合金、鋰-鋁合金、鋰-鎂合金、鋰-銦合金、鈣-鋁合金。
陽極及陰極，分別可為2層以上的積層構造。
〈發光元件的製造方法〉
本發明的發光元件，可藉由具有陽極、陰極及設置於陽極與陰極之間的發光層的發光元件的製造方法而製造，該製造方法係包含使用本發明的組成物形成發光層的步驟(發光元件的製造方法的第一態樣)。
作為使用本發明的組成物形成發光層的方法者，可列舉例如旋轉塗佈法、鑄膜法、微凹版塗佈法、凹版塗佈法、棒塗法、滾輪塗佈法、線棒塗佈法、浸塗法、噴塗法、網版印刷法、柔版印刷法、平版印刷法、噴墨印刷法、毛細管塗佈法、及噴嘴塗佈法。該等之中，以吐出模塗佈法的噴墨印刷法等較理想。
而且，本發明的發光元件，可藉由具有陽極、陰極、設置於陽極與陰極之間的發光層以及選自由電洞傳輸層、電洞注入層、電子傳輸層及電子注入層所成群組的至少1層的發光元件的製造方法而製造，該製造方法係包含使用本發明的組成物形成選自由電洞傳輸層、電洞注入層、電子傳輸層及電子注入層所成群組的至少1層的步驟(發光元件的製造方法的第二態樣)。
作為使用本發明的組成物形成選自由電洞傳輸層、電洞注入層、電子傳輸層及電子注入層所成群組的至少1層的方法者，可列舉例如旋轉塗佈法、鑄膜法、微凹版塗佈法、凹版塗佈法、棒塗法、滾輪塗佈法、線棒塗佈法、浸塗法、噴塗法、網版印刷法、柔版印刷法、平版印刷法、噴墨印刷法、毛細管塗佈法、及噴嘴塗佈法。該等之中， 以吐出模塗佈法的噴墨印刷法等較理想。
〈用途〉
為了使用發光元件得到面狀的發光，只要以使面狀的陽極與陰極重疊之方式配置即可。為了得到圖形(pattern)狀的發光，於面狀的發光元件的表面，設置設有圖形狀的窗之遮罩的方法；將欲作為非發光部的層以使厚度為極度厚之方式形成而實質上為不發光的方法；使陽極或陰極或者這兩種電極以圖形狀形成的方法。藉由以該些方法的任一種形成圖形，並以可獨立地開/關(ON/OFF)之方式配置數個電極，而可得到可顯示數字、文字等之段型顯示裝置。為了成為點矩陣顯示裝置，只要使陽極與陰極皆形成為條(stripe)狀並以使其垂直之方式配置即可。藉由將複數種類的發光顏色相異的高分子化合物分別塗佈之方法、使用彩色濾光片或螢光轉換濾光片之方法，可成為部分彩色顯示、多色顯示。點矩陣顯示裝置，可被動式驅動，亦可與TFT等組合而主動式驅動。該等顯示裝置可使用作為電腦、電視、攜帶式終端等的顯示器。面狀的發光元件，可適合使用作為液晶顯示裝置的背光用面狀光源或面狀的照明用光源。若使用可撓性基板，則亦可使用作為曲面狀的光源及顯示裝置。
[實施例]
以下，藉由實施例，更詳細地說明本發明，但本發明不限於該等實施例。
於本實施例中，薄膜的形狀，係使用三維非接觸表面形狀量測系統(菱化系統公司製、商品名：Micromap(MM557N-M100型))進行測定。
〈合成例1〉磷光發光性化合物E1的合成
磷光發光性化合物E1，係根據日本特開2006-188673號公報記載的方法合成。
〈合成例2〉低分子化合物H1的合成
低分子化合物H1，係根據日本特開2010-189630號公報記載的方法合成。
〈實施例1〉組成物1的調製
混合磷光發光性化合物E1(0.45重量份)、低分子化合物H1(1.05重量份)、四氫萘(1大氣壓下的沸點：207℃)78.8重量份及乙基苯(1大氣壓下的沸點：136℃)19.7重量份。然後，進行攪拌，藉由使磷光發光性化合物E1及低分子化合物H1溶解於四氫萘與乙基苯的混合溶劑中，而調製組成物1。再者，四氫萘與乙基苯的沸點差為71℃。
〈實施例2〉組成物2的調製
混合磷光發光性化合物E1(0.45重量份)、低分子化合物H1(1.05重量份)、3-苯氧基甲苯(1大氣壓下的沸點：272℃)78.8重量份及第2丁基苯(1大氣壓下的沸點：173℃)19.7重量份。然後，進行攪拌，藉由使磷光發光性化合物E1及低分子化合物H1溶解於3-苯氧基甲苯與第2丁基苯的混合溶劑中，而調製組成物2。再者，3-苯氧基甲苯與第2丁基苯的沸點差為99℃。
〈實施例3〉組成物3的調製
混合磷光發光性化合物E1(0.45重量份)、低分子化合物H1(1.05重量份)、3-苯氧基甲苯(1大氣壓下的沸點：272℃)78.8重量份及苯甲醚(1大氣壓下的沸點：154℃)19.7重量份。然後，進行攪拌，藉由使磷光發光性化合物E1及低分子化合物H1溶解於3-苯氧基甲苯與苯甲醚的混合溶劑中，而調製組成物3。再者，3-苯氧基甲苯與苯甲醚的沸點差為118℃。
〈比較例1〉組成物C1的調製
混合磷光發光性化合物E1(0.45重量份)、低分子化合物H1(1.05重量份)、正庚基苯(1大氣壓下的沸點：235℃)68.95重量份及甲苯(1大氣壓下的沸點：110℃)29.55重量份。然後，進行攪拌，藉由使磷光發光性化合物E1及低分子化合物H1溶解於正庚基苯與甲苯的混合溶劑中，而調製組成物C1。再者，正庚基苯與甲苯的沸點差為125℃。
〈比較例2〉組成物C2的調製
混合磷光發光性化合物E1(0.45重量份)、低分子化合物H1(1.05重量份)、正己基苯(1大氣壓下的沸點：226℃)68.95重量份及4-甲基苯甲醚(1大氣壓下的沸點：175℃)29.55重量份。然後，進行攪拌，藉由使磷光發光性化合物 E1及低分子化合物H1溶解於正己基苯與4-甲基苯甲醚的混合溶劑中，而調製組成物C2。再者，正己基苯與4-甲基苯甲醚的沸點差為51℃。
〈實施例B1〉薄膜B1的形成
將實施例1所調製的組成物1注入注射器後，將高精密針頭安裝於該注射器，使用安裝有該高精密針頭的注射器，將組成物1吐出至玻璃基板上。將所得之玻璃基板藉由於大氣壓下於23℃乾燥20分鐘，而形成薄膜B1於玻璃基板上。
測定薄膜B1的形狀時，薄膜B1為接近平面的形狀。薄膜B1的「最薄的中心部的膜厚」為115nm，「最厚的周圍部的膜厚」為327nm。薄膜B1的「(最厚的周圍部的膜厚)/(最薄的中心部的膜厚)」的值(平坦性的尺度)為2.8。
〈實施例B2〉薄膜B2的形成
將實施例2所調製的組成物2注入注射器後，將高精密針頭安裝於該注射器，使用安裝有該高精密針頭的注射器，將組成物2吐出至玻璃基板上。將所得之玻璃基板藉由於大氣壓下於加熱板上80℃、加熱20分鐘，使其乾燥，形成薄膜B2於玻璃基板上。
測定薄膜B2的形狀時，薄膜B2為接近平面的形狀。薄膜B2的「最薄的中心部的膜厚」為1702nm，「最厚的周圍部的膜厚」為1738nm。薄膜B2的「(最厚的周圍部 的膜厚)/(最薄的中心部的膜厚)」的值(平坦性的尺度)為1.0。
〈實施例B3〉薄膜B3的形成
將實施例3所調製的組成物3注入注射器後，將高精密針頭安裝於該注射器，使用安裝有該高精密針頭的注射器，將組成物3吐出至玻璃基板上。將所得之玻璃基板藉由於大氣壓下於加熱板上80℃、加熱20分鐘，使其乾燥，形成薄膜B3。
測定薄膜B3的形狀時，薄膜B3為接近平面的形狀。薄膜B3的「最薄的中心部的膜厚」為2352nm，「最厚的周圍部的膜厚」為2821nm。薄膜B3的「(最厚的周圍部的膜厚)/(最薄的中心部的膜厚)」的值(平坦性的尺度)為1.2。
〈比較例CB1〉薄膜CB1的形成
將比較例1所調製的組成物C1注入注射器後，將高精密針頭安裝於該注射器，使用安裝有該高精密針頭的注射器，將組成物C1吐出至玻璃基板上。將所得之玻璃基板藉由於大氣壓下於加熱板上50℃、加熱20分鐘，使其乾燥，形成薄膜CB1。
測定薄膜CB1的形狀時，薄膜CB1為極端的凹形的形狀。薄膜CB1的「最薄的中心部的膜厚」為38nm，「最厚的周圍部的膜厚」為512nm。薄膜CB1的「(最厚的周圍 部的膜厚)/(最薄的中心部的膜厚)」的值(平坦性的尺度)為13.5。
〈比較例CB2〉薄膜CB2的形成
將比較例2所調製的組成物C2注入注射器後，將高精密針頭安裝於該注射器，使用安裝有該高精密針頭的注射器，將組成物C2吐出至玻璃基板上。將所得之玻璃基板藉由於減壓下於23℃、乾燥20分鐘，形成薄膜CB2於玻璃基板上。
測定薄膜CB2的形狀時，薄膜CB2為極端的凹形的形狀。薄膜CB2的「最薄的中心部的膜厚」為9nm，「最厚的周圍部的膜厚」為266nm。薄膜CB2的「(最厚的周圍部的膜厚)/(最薄的中心部的膜厚)」的值(平坦性的尺度)為29.6。
[產業上的可利用性]
根據本發明，可提供含有磷光發光性化合物及溶劑的組成物，且於使用於吐出模塗佈法的情況，係有用於平坦性佳的膜之製造的組成物。而且，根據本發明，可提供使用該組成物所得之發光元件。

Claims (16)

  1. 一種組成物，其係含有磷光發光性化合物、溶劑(A)及溶劑(B)，其中，前述溶劑(A)及前述溶劑(B)中的至少一者為芳香族醚系溶劑；溶劑(A)的1大氣壓下的沸點：bpA(℃)與溶劑(B)的1大氣壓下的沸點：bpB(℃)係滿足式(11)及式(12)；溶劑(A)的含量：wtA(重量)與溶劑(B)的含量：wtB(重量)係滿足式(13)；bpB<200℃≦bpA (11) 70℃≦bpA-bpB≦120℃ (12) wtB≦wtA (13)。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之組成物，其中，前述溶劑(A)及前述溶劑(B)分別獨立地為芳香族烴系溶劑或芳香族醚系溶劑。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之組成物，其中，前述磷光發光性化合物為式(1)所示的磷光發光性化合物； 式中，M表示釕原子、銠原子、鈀原子、銥原子或鉑原 子；n1表示1以上的整數；n2表示0以上的整數；於M為釕原子、銠原子或銥原子的情況，n1+n2為3；於M為鈀原子或鉑原子的情況，n1+n2為2；E1及E2分別獨立地表示碳原子或氮原子；但是E1及E2中任一者為碳原子；環R1表示5員環或6員環的芳香族雜環，該等環可具有取代基；於該取代基存在複數個的情況，該等可為相同，亦可為相異，可互相鍵結並與各自所鍵結的原子一起形成環；於環R1存在複數個的情況，該等可為相同，亦可為相異；但是於環R1為6員環的芳香族雜環的情況，E1為碳原子；環R2表示5員環或6員環的芳香族烴環或者5員環或6員環的芳香族雜環，該等環可具有取代基；於該取代基存在複數個的情況，該等可為相同，亦可為相異，可互相鍵結並與各自所鍵結的原子一起形成環；於環R2存在複數個的情況，該等可為相同，亦可為相異；但是於環R2為6員環的芳香族雜環的情況，E2為碳原子；A1-G1-A2表示陰離子性的2牙配位子；A1及A2分別獨立地表示碳原子、氧原子或氮原子，該等原子可為構成環的原子；G1表示單鍵、或與A1及A2一起構成2牙配位子的原子團；於A1-G1-A2存在複數個的情況，該等可為相同，亦可為相異。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之組成物，其中，前述環 R1為可具有取代基的喹啉環、可具有取代基的異喹啉環、可具有取代基的吡啶環、可具有取代基的嘧啶環、可具有取代基的咪唑環或可具有取代基的三唑環。
  5. 如申請專利範圍第3項所述之組成物，其中，前述環R2為可具有取代基的苯環、可具有取代基的萘環、可具有取代基的茀環、可具有取代基的菲環、可具有取代基的吡啶環、可具有取代基的二氮雜苯環、可具有取代基的吡咯環、可具有取代基的呋喃環或可具有取代基的噻吩環。
  6. 如申請專利範圍第3項所述之組成物，其中，選自由前述環R1及前述環R2所成群組的至少一個環具有式(2)所示的基；-R100 (2)式中，R100表示芳香基、1價雜環基或取代胺基，該等基可具有取代基。
  7. 如申請專利範圍第3項所述之組成物，其中，前述M為銥原子。
  8. 如申請專利範圍第1或2項所述之組成物，更含有非磷光發光性低分子化合物。
  9. 如申請專利範圍第1或2項所述之組成物，更含有：包含選自由式(X)所示的構成單元及式(Y)所示的構成單元所成群組的至少1種構成單元之高分子化合物； 式中，aX1及aX2分別獨立地表示0以上的整數；ArX1及ArX3分別獨立地表示伸芳香基或2價雜環基，該等基可具有取代基；ArX2及ArX4分別獨立地表示伸芳香基、2價雜環基、或至少1種伸芳香基與至少1種2價雜環基直接鍵結而成的2價基，該等基可具有取代基；於ArX2及ArX4存在複數個的情況，該等分別可為相同，亦可為相異；RX1、RX2及RX3分別獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、芳香基或1價雜環基，該等基可具有取代基；於RX2及RX3存在複數個的情況，該等分別可為相同，亦可為相異； 式中，ArY1表示伸芳香基、2價雜環基、或至少1種伸芳香基與至少1種2價雜環基直接鍵結而成的2價基，該等基可具有取代基。
  10. 如申請專利範圍第1或2項所述之組成物，更含有：選自由電洞傳輸材料、電洞注入材料、電子傳輸材料、電子注入材料、發光材料及抗氧化劑所成群組的至少1 種材料。
  11. 如申請專利範圍第1或2項所述之組成物，其黏度為1至20mPa‧s。
  12. 一種發光元件，其係具有陽極、陰極及設置於陽極與陰極之間的發光層之發光元件，其中，發光層為使用申請專利範圍第1項至第11項中任一項所述之組成物所得之層。
  13. 一種組成物，其係含有磷光發光性化合物、溶劑(A)及溶劑(B)，其中，溶劑(A)的1大氣壓下的沸點：bpA(℃)與溶劑(B)的1大氣壓下的沸點：bpB(℃)係滿足式(11)及式(12)；溶劑(A)的含量：wtA(重量)與溶劑(B)的含量：wtB(重量)係滿足式(13)；前述磷光發光性化合物為式(1)所示的磷光發光性化合物；bpB<200℃≦bpA (11) 70℃≦bpA-bpB≦120℃ (12) wtB≦wtA (13)； 式中， M表示釕原子、銠原子、鈀原子、銥原子或鉑原子；n1表示1以上的整數；n2表示0以上的整數；於M為釕原子、銠原子或銥原子的情況，n1+n2為3；於M為鈀原子或鉑原子的情況，n1+n2為2；E1及E2分別獨立地表示碳原子或氮原子；但是E1及E2中任一者為碳原子；環R1表示5員環或6員環的芳香族雜環，該等環可具有取代基；於該取代基存在複數個的情況，該等可為相同，亦可為相異，可互相鍵結並與各自所鍵結的原子一起形成環；於環R1存在複數個的情況，該等可為相同，亦可為相異；但是於環R1為6員環的芳香族雜環的情況，E1為碳原子；環R2表示5員環或6員環的芳香族烴環或者5員環或6員環的芳香族雜環，該等環可具有取代基；於該取代基存在複數個的情況，該等可為相同，亦可為相異，可互相鍵結並與各自所鍵結的原子一起形成環；於環R2存在複數個的情況，該等可為相同，亦可為相異；但是於環R2為6員環的芳香族雜環的情況，E2為碳原子；但是，選自由前述環R1及前述環R2所成群組的至少一個環具有式(2)所示的基；A1-G1-A2表示陰離子性的2牙配位子；A1及A2分別獨立地表示碳原子、氧原子或氮原子，該等原子可為構成環的原子；G1表示單鍵、或與A1及A2一起構成 2牙配位子的原子團；於A1-G1-A2存在複數個的情況，該等可為相同，亦可為相異；-R100 (2)式中，R100表示芳香基、1價雜環基或取代胺基，該等基可具有取代基。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之組成物，更含有非磷光發光性低分子化合物。
  15. 如申請專利範圍第13或14項所述之組成物，更含有：包含選自由式(X)所示的構成單元及式(Y)所示的構成單元所成群組的至少1種構成單元之高分子化合物； 式中，aX1及aX2分別獨立地表示0以上的整數；ArX1及ArX3分別獨立地表示伸芳香基或2價雜環基，該等基可具有取代基；ArX2及ArX4分別獨立地表示伸芳香基、2價雜環基、或至少1種伸芳香基與至少1種2價雜環基直接鍵結而成的2價基，該等基可具有取代基；於ArX2及ArX4存在複數個的情況，該等分別可為相同，亦可為相異； RX1、RX2及RX3分別獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、芳香基或1價雜環基，該等基可具有取代基；於RX2及RX3存在複數個的情況，該等分別可為相同，亦可為相異； 式中，ArY1表示伸芳香基、2價雜環基、或至少1種伸芳香基與至少1種2價雜環基直接鍵結而成的2價基，該等基可具有取代基。
  16. 一種發光元件，其係具有陽極、陰極及設置於陽極與陰極之間的發光層，其中，發光層為使用申請專利範圍第13項至第15項中任一項所述之組成物所得之層。
TW105102018A 2015-01-26 2016-01-22 組成物及使用該組成物的發光元件 TWI621622B (zh)

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