TWI611293B - 資料儲存裝置以及快閃記憶體控制方法 - Google Patents

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TWI611293B TW103138872A TW103138872A TWI611293B TW I611293 B TWI611293 B TW I611293B TW 103138872 A TW103138872 A TW 103138872A TW 103138872 A TW103138872 A TW 103138872A TW I611293 B TWI611293 B TW I611293B
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梁嘉旂
黃昌傑
李介豪
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慧榮科技股份有限公司
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Abstract

本案揭露快閃記憶體所實現之資料儲存裝置、以及快閃記憶體控制技術，其中係分段將一物理區塊所對應的物理-邏輯位址映射資訊封存至快閃記憶體。一微控制器係設置來規劃該快閃記憶體提供一第一資料接收區塊。在該第一資料接收區塊上的一第一寫入操作以及一第二寫入操作之間，該微控制器基於一第一物理-邏輯映射表的僅部分空間更新一邏輯-物理位址映射表。該邏輯-物理位址映射表係維護於該快閃記憶體中。該第一物理-邏輯位址映射表係建立於隨機存取記憶體中，負責記錄一個物理區塊之物理位址所對應的邏輯位址。

Description

資料儲存裝置以及快閃記憶體控制方法
本發明係有關於快閃記憶體(flash memory)實現之資料儲存裝置以及快閃記憶體控制方法。
現今資料儲存裝置常以快閃記憶體(flash memory)為儲存媒體。例如，快閃記憶體常用作記憶卡(memory card)、通用序列匯流排閃存裝置(USB flash device)、固態硬碟(SSD)...等產品。另外有一種應用是採多晶片封裝、將一非及閘型快閃記憶體與其控制晶片包裝在同一封裝中-稱為嵌入式快閃記憶體模組(如eMMC)。
快閃記憶體的實體空間通常包括複數個物理區塊(blocks)。各物理區塊包括複數個物理頁(pages)。針對快閃記憶體而設計的抹除操作須以物理區塊為抹除單位，一物理區塊接著一物理區塊地釋放儲存空間。為了方便管理快閃記憶體，各物理區塊的物理-邏輯位址映射資訊係動態收集於一揮發式記憶體(例如，一靜態隨機存取記憶體(SRAM))。傳統技術中，針對一個完整物理區塊動態收集到的物理-邏輯位址映射資訊係一次性地上傳至該快閃記憶體作非揮發性儲存。一個完整物理區塊之物理-邏輯位址映射資訊之上傳非常耗時。
本案揭露快閃記憶體所實現的資料儲存裝置以及快閃記憶體控制方法，係分段將一物理區塊所對應的物理-邏輯位址映射資訊上傳至快閃記憶體。
根據本案一種實施方式所實現的資料儲存裝置包括一快閃記憶體以及一控制單元。該快閃記憶體係劃分為複數個物理區塊。各物理區塊包括複數個物理頁。該控制單元耦接該快閃記憶體至一主機，且包括一微控制器以及一隨機存取記憶體。該微控制器係運作來配置該快閃記憶體的該等物理區塊其一為一第一資料接收區塊。在該第一資料接收區塊上的一第一寫入操作以及一第二寫入操作之間，該微控制器基於一第一物理-邏輯映射表的僅部分空間更新一邏輯-物理位址映射表。該邏輯-物理位址映射表係維護於該快閃記憶體中。該第一物理-邏輯位址映射表係建立於該隨機存取記憶體上，記載一物理區塊之物理頁所對應的邏輯頁。
根據本案一種實施方式所實現的一快閃記憶體控制方法包括以下步驟：配置一快閃記憶體的複數個物理區塊其一為一第一資料接收區塊，各物理區塊係包括複數個物理頁；並且在該第一資料接收區塊上一第一寫入操作以及一第二寫入操作之間，根據一第一物理-邏輯位址映射表的僅部分內容更新一邏輯-物理位址映射表。該邏輯-物理位址映射表係維護於該快閃記憶體之上。該第一物理-邏輯位址映射表係建立於該隨機存取記憶體上，記錄一物理區塊之邏輯位址所對應的物理位址。
下文特舉實施例，並配合所附圖示，詳細說明本 發明內容。
100‧‧‧快閃記憶體
102‧‧‧物理頁
104、106、108以及110‧‧‧物理區段
200‧‧‧資料儲存裝置
202‧‧‧主機
204‧‧‧快閃記憶體
206‧‧‧控制單元
208‧‧‧系統內程式區
210‧‧‧系統資訊區塊
212‧‧‧閒置區塊
214、214_1、214_2‧‧‧資料接收區塊
216‧‧‧資料集合
218、218_1、218_2‧‧‧表格過期區塊
220‧‧‧微控制器
222‧‧‧隨機存取記憶體
224‧‧‧唯讀記憶體
302、306、310以及314‧‧‧各為32個物理頁
304、308、312以及316‧‧‧對應302、306、310以及314的映射資訊
402‧‧‧多個物理頁
404‧‧‧一串4K尺寸資料
406、408、410、412‧‧‧各自為4K尺寸資料
414、416、418、420‧‧‧物理-邏輯位址映射資訊
422‧‧‧區域
502、504、506、508‧‧‧物理-邏輯位址映射資訊
510、512、514、516‧‧‧儲存空間
BLK1、BLK2…BLKN…‧‧‧物理區塊
F2H、F2H1、F2H2‧‧‧物理-邏輯位址映射表
H2F‧‧‧邏輯-物理位址映射表
Hm(LBAk0~LBAk0+7)、Hm+1(LBAk1~LBAk1+7)、Hm+2(LBAk2~LBAk2+7)、Hm+3(LBAk3~LBAk3+7)‧‧‧主機頁
第1圖圖解一快閃記憶體100的儲存空間規劃；第2圖為方塊圖，根據本案一種實施方式實現一資料儲存裝置200，其中顯示主機202以及快閃記憶體204之間的映射資訊係如何建立且動態更新；第3圖根據本案一種實施方式圖解如此在區塊內寫入操作之間執行的局部F2H→H2F封存，其中該物理-邏輯位址映射表F2H係根據該資料接收區塊214上的寫入操作建立於該隨機存取記憶體222上；第4圖根據本案另一種實施方式圖解如此在區塊內寫入操作之間執行的局部F2H→H2F封存，其中該物理-邏輯位址映射表F2H係根據該資料接收區塊214上的寫入操作建立於該隨機存取記憶體222上；第5圖根據本案另一種實施方式圖解如此在區塊內寫入操作之間執行的局部F2H→H2F封存，其中上述物理-邏輯位址映射表F2H係針對表格過期區塊218建立於該隨機存取記憶體222中；第6圖說明兩種不同型態寫入操作所對應物理區塊規劃以及映射資訊更新。
以下敘述列舉本發明的多種實施例。以下敘述介紹本發明的基本概念，且並非意圖限制本發明內容。實際發明 範圍應依照申請專利範圍界定之。
第1圖圖解一快閃記憶體100的儲存空間規劃。快閃記憶體100所供應的儲存空間係劃分為複數個物理區塊(blocks)BLK1、BLK2…BLKN…等。各物理區塊包括複數物理頁(pages)。各物理頁包括複數物理區段(sectors)。例如，物理區塊BLKN上的物理頁102包括四個物理區段104、106、108以及110。若各物理區段係配置儲存一主機頁的使用者資料(對應一串邏輯位址，如LBAk~LBAk+7)，各物理頁係配置給四個主機頁使用。例如，物理區段104、106、108以及110係分別對應主機頁Hm(即，LBAk0~LBAk0+7)、Hm+1(即，LBAk1~LBAk1+7)、Hm+2(即，LBAk2~LBAk2+7)、Hm+3(即，LBAk3~LBAk3+7)。若一物理區塊包括128個物理頁，則係有128x4個主機頁對應一物理區塊之128x4個物理區段。針對各物理區塊，128x4個物理區段以及128x4個主機頁之間的映射資訊需記錄下來，作儲存空間管理。
第2圖為方塊圖，根據本案一種實施方式實現一資料儲存裝置200，其中顯示主機202以及快閃記憶體204之間的映射資訊係如何建立且動態更新。資料儲存裝置200除了包括快閃記憶體204、更包括一控制單元206。
快閃記憶體204的物理區塊係配置作多種用途。部分物理區塊208係儲存系統內程式(in-system programs，簡稱ISPs)。部分物理區塊210係儲存系統資訊。部分物理區塊212為閒置物理區塊。配置自該些閒置區塊212的一資料接收區塊214則是負責接收寫入資料，將推入資料集合216為一資料區塊。 在另外一種實施方式中，資料接收區塊214的映射資訊可能正確更新在隨機存取記憶體222上，但在快閃記憶體204上已過時；參考虛線標示，如此資料接收區塊214可先標示為表格過期區塊218，待映射表更新完成，方自表格過期區塊218改標示為資料區塊，推入資料集合216中。快閃記憶體204可更包括未作任何配置使用的物理區塊(free blocks，未顯示於圖示中)。
控制單元206係耦接該快閃記憶體204至主機202，且包括一微控制器220、一隨機存取記憶體222以及一唯讀記憶體224。唯讀程式碼係儲存於唯讀記憶體224中。微控制器220包括執行該唯讀記憶體224內的唯讀程式碼或/以及該快閃記憶體204之該些物理區塊208內的系統內程式碼，據以操作該快閃記憶體204。微控制器220係運作來實現該快閃記憶體204上的物理區塊配置(參考第2圖)，在該隨機存取記憶體222上建立物理-邏輯位址映射表F2H，以及在該快閃記憶體204上維護一邏輯-物理位置映射表H2F(例如，記錄在系統資訊物理區塊210中)。該物理-邏輯位址映射表F2H係建立在該隨機存取記憶體222上，以動態紀錄該資料接收區塊214(或該表格過期區塊218)之物理位址所對應的邏輯位址。不同於將物理-邏輯位址映射表F2H完整地一口氣用來更新該邏輯-物理位址映射表H2F，微控制器220係運作來在該資料接收區塊214上兩個寫入操作之間，僅基於該物理-邏輯位址映射表F2H局部內容更新該邏輯-物理位址映射表H2F。基於該物理-邏輯位址映射表F2H而對該邏輯-物理位址映射表H2F所作的更新動作可稱為「F2H→H2F更新/封存」。微控制器220係運作來在區塊內寫入操作之間 (run-time，在資料接收區塊214兩個寫入操作之間)執行局部F2H→H2F封存(即，僅封存該物理-邏輯位址映射表F2H局部內容)-將顯著改善資料儲存裝置200的系統效能。
第3圖根據本案一種實施方式圖解如此在區塊內寫入操作之間執行的局部F2H→H2F封存，其中該物理-邏輯位址映射表F2H係根據該資料接收區塊214上的寫入操作建立於該隨機存取記憶體222上。第2圖控制器220係運作來在寫入特定尺寸的使用者資料(例如，32個物理頁，小於該資料接收區塊214的完整尺寸(128個物理頁))至該資料接收區塊214後，封存對應該特定尺寸使用者資料的該段物理-邏輯位址映射表F2H至該快閃記憶體204上的該邏輯-物理位址映射表H2F。如圖所示，物理-邏輯位址映射資訊304係基於32個物理頁302之寫入操作產生，用於組成該隨機存取記憶體222上的物理-邏輯位址映射表F2H。上述32個物理頁302的寫入操作完成後，快閃記憶體204上的邏輯-物理位址映射表H2F係隨後根據上述物理-邏輯位址映射資訊304作更新。上述物理-邏輯位址映射資訊304即物理-邏輯位址映射表F2H中對應上述32個物理頁302的段落。類似地，物理-邏輯位址映射資訊308係基於32個物理頁306之寫入操作產生，用於組成該隨機存取記憶體222上的物理-邏輯位址映射表F2H。上述32個物理頁306的寫入操作完成後，快閃記憶體204上的邏輯-物理位址映射表H2F係隨後根據上述物理-邏輯位址映射資訊308作更新。類似地，物理-邏輯位址映射資訊312係基於32個物理頁310之寫入操作產生，用於組成該隨機存取記憶體222上的物理-邏輯位址映射表F2H。上述32個 物理頁310的寫入操作完成後，快閃記憶體204上的邏輯-物理位址映射表H2F係隨後根據上述物理-邏輯位址映射資訊312作更新。至於尚未填滿的32個物理頁314，其物理-邏輯位址映射資訊316同樣尚未完全建立。因此，快閃記憶體204上的邏輯-物理位址映射表H2F尚未基於該段物理-邏輯位址映射資訊316作更新。第2圖之微控制器220可更運作來以一指標標示該段物理-邏輯位址映射資訊316，以標示尚未封存至該快閃記憶體204的該段映射資訊。因此，面對搜尋該段未封存映射資訊的需求時，微控制器220係即刻根據上述指標尋得該段物理-邏輯位址映射資訊316，相當省時，且大幅縮小未封存之映射資訊的搜尋區域。
第4圖根據本案另一種實施方式圖解如此在區塊內寫入操作之間執行的局部F2H→H2F封存，其中該物理-邏輯位址映射表F2H係根據該資料接收區塊214上的寫入操作建立於該隨機存取記憶體222上。如此在區塊內寫入操作之間執行的局部F2H→H2F封存係由一連串短於一物理頁的使用者資料觸發。如圖所示，在一系列物理頁402後，一連串的短資料404、406~412(一連串4K尺寸的資料)寫入該資料接收區塊214。物理-邏輯位址映射資訊F2H係根據該資料接收區塊214的寫入操作建立於該物理-邏輯位址映射表F2H。例如，物理-邏輯位址映射資訊414~420係對應多個物理頁402以及該串4K尺寸資料404形成，而區域422內的物理-邏輯映射資訊係針對該串4K尺寸資料406~412形成。在感測到該串4K尺寸資料404的寫入操作時，第2圖微控制器220係於該資料接收區塊214接續的寫入操作之 間基於該物理-邏輯位址映射表F2H更新該邏輯-物理位址映射表H2F。在4K尺寸資料406寫入該資料接收區塊214之前，該邏輯-物理位址映射表H2F係根據該物理-邏輯位址映射資訊414更新。在4K尺寸資料406以及4K尺寸資料408的寫入操作之間，邏輯-物理位址映射表H2F係根據該物理-邏輯位址映射資訊416更新。在4K尺寸資料408以及4K尺寸資料410的寫入操作之間，邏輯-物理位址映射表H2F係根據該物理-邏輯位址映射資訊418更新。在4K尺寸資料410以及4K尺寸資料412的寫入操作之間，邏輯-物理位址映射表H2F係根據該物理-邏輯位址映射資訊420更新。第2圖的微控制器220可更運作來以一指標標示儲存空間422內剩餘的物理-邏輯位址映射資訊(即，尚未封存的映射資訊)。因此，面對搜尋該段未封存的映射資訊的需求時，微控制器220係即刻根據上述指標尋得儲存空間422，相當省時，且大幅縮小未封存之映射資訊的搜尋區域。
第5圖根據本案另一種實施方式圖解如此在區塊內寫入操作之間執行的局部F2H→H2F封存，其中上述物理-邏輯位址映射表F2H係針對表格過期區塊218建立於該隨機存取記憶體222中。
在一種實施方式中，第2圖之微控制器220可設置來在該表格過期區塊218寫滿時令該快閃記憶體204配置供應上述資料接收區塊214。在此例中，微控制器220可設置來在該資料接收區塊214的寫入操作間根據該物理-邏輯位址映射表F2H更新上述邏輯-物理映射表H2F。
在另一實施方式中，表格過期區塊218的寫入操作 係曾被非預期掉電事件打斷，第2圖之微控制器220係運作來在一復電程序中配置該快閃記憶體204供應上述資料接收區塊214。在此實施例中，微控制器220係運作於該復電程序修復該物理-邏輯位址映射表格F2H，並在該資料接收區塊214的寫入操作之間將修復後的該物理-邏輯位址映射表格F2H封存至該邏輯-物理位址映射表H2F。
在第5圖，儲存空間510的寫入操作以及儲存空間512的寫入操作間隔係長於該資料儲存裝置200之負荷警示時間(time out period)兩倍。在儲存空間510的寫入操作以及儲存空間512的寫入操作之間，該微控制器220先基於該物理-邏輯位址映射資訊502更新該邏輯-物理位址映射表H2F，再基於該物理-邏輯位址映射資訊504更新該邏輯-物理位址映射表H2F。至於儲存空間512的寫入操作以及儲存空間514的寫入操作間隔則是較該資料儲存裝置200之負荷警示時間的兩倍短。在儲存空間512的寫入操作以及儲存空間514的寫入操作之間，該微控制器220係基於該物理-邏輯位址映射資訊506更新該邏輯-物理位址映射表H2F。至於儲存空間514的寫入操作以及儲存空間516的寫入操作間隔同樣是較該資料儲存裝置200之負荷警示時間的兩倍短。在儲存空間514的寫入操作以及儲存空間516的寫入操作之間，該微控制器220係基於該物理-邏輯位址映射資訊508更新該邏輯-物理位址映射表H2F。使用者資料接收以及映射資訊封存係交錯實行。此外，更有一指標可設計來標示出尚未封存至該邏輯-物理位址映射表H2F的物理-邏輯位址映射資訊。
在某些實施方式中，主機202下達的寫入操作係有兩種分類。例如，序列資料以及零散資料可分開寫入該快閃記憶體204。第6圖圖解針對以上兩種寫入操作而設計物理區塊配置以及映射資訊更新。資料接收區塊214_1以及表格過期區塊218_1係供應來寫入序列資料，資料接收區塊214_2以及表格過期區塊218_2係供應來寫入零散資料。對應表格過期區塊218_1的物理-邏輯位址映射係記錄於物理-邏輯位址映射表F2H1。對應表格過期區塊218_2的物理-邏輯位址映射係記錄於物理-邏輯位址映射表F2H2。
在一種實施方式中，第2圖微控制器220係運作來在該表格過期區塊218_1滿載時，配置該快閃記憶體204供應該資料接收區塊214_1。微控制器220在該資料接收區塊214_1的寫入操作之間，穿插將該物理-位址邏輯映射表F2H1封存至該邏輯-物理位址映射表H2F。微控制器220在該資料接收區塊214_2的寫入操作之間，穿插將該物理-位址邏輯映射表F2H2封存至該邏輯-物理位址映射表H2F。
在另一種實施方式中，若表格過期區塊218_1的寫入操作因非預期掉電事件中斷，第2圖該微控制器220在一復電程序係運作來配置該快閃記憶體204供應上述資料接收區塊214_1。該微控制器220係運作來在該復電程序修復該物理-邏輯位址映射表F2H1。該微控制器220會在該資料寫入區塊214_1的寫入操作間，穿插將修復後的物理-邏輯位址映射表F2H1封存至該邏輯-物理位址映射表H2F。若表格過期區塊218_2的寫入操作因非預期掉電事件中斷，第2圖該微控制器220在一復電 程序係運作來配置該快閃記憶體204供應上述資料接收區塊214_2。該微控制器220係運作來在該復電程序修復該物理-邏輯位址映射表F2H2。該微控制器220會在該資料寫入區塊214_2的寫入操作間，穿插將修復後的物理-邏輯位址映射表F2H2封存至該邏輯-物理位址映射表H2F。
其他採用上述概念控制一快閃記憶體的技術都屬於本案所欲保護的範圍。基於以上技術內容，本案更涉及快閃記憶體的控制方法，不限定以特定架構的控制單元實現。
雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟悉此項技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可做些許更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
200‧‧‧資料儲存裝置
202‧‧‧主機
204‧‧‧快閃記憶體
206‧‧‧控制單元
208‧‧‧系統內程式區塊
210‧‧‧系統資訊區塊
212‧‧‧閒置區塊
214‧‧‧資料接收區塊
216‧‧‧資料集合
218‧‧‧表格過期區塊
220‧‧‧微控制器
222‧‧‧隨機存取記憶體
224‧‧‧唯讀記憶體
F2H‧‧‧物理-邏輯位址映射表
H2F‧‧‧邏輯-物理位址映射表

Claims (16)

  1. 一種資料儲存裝置，包括：一快閃記憶體，劃分為複數個物理區塊，且上述物理區塊各自包括複數個物理頁；以及一控制單元，耦接該快閃記憶體至一主機，且包括一微控制器以及一隨機存取記憶體；其中：該微控制器係運作來配置該快閃記憶體以該等物理區塊之一作一第一資料接收區塊；在該第一資料接收區塊上一第一寫入操作以及一第二寫入操作之間，該微控制器根據物理-邏輯資訊之一第一部分更新至一邏輯-物理位址映射表，而物理-邏輯資訊之一第二部分於執行於上述第一資料接收區塊上的另一對寫入操作間之一時間間隔中等待被更新至上述邏輯-物理位址映射表；該邏輯-物理位址映射表係設置在該快閃記憶體上；且用以提供物理-邏輯資訊之上述第一部分以及上述第二部分之一第一物理-邏輯位址映射表係建立於該隨機存取記憶體上，以記錄一個物理區塊之物理頁所對應的邏輯位址。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之資料儲存裝置，其中：該微控制器包括根據該主機對該第一資料接收區塊所下達的寫入操作建立該第一物理-邏輯位址映射表。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之資料儲存裝置，其中：在寫入各短於一物理頁的一串使用者資料進該第一資料接收區塊後，該微控制器係運作來在該第一資料接收區塊上 接續的寫入操作之間，穿插將該第一物理-邏輯位址映射表封存至該邏輯-物理位址映射表。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之資料儲存裝置，其中：該微控制器係運作來在該快閃記憶體之該等物理區塊之間對應該第一物理-邏輯位址映射表的一第一表格過期區塊填滿時，配置該快閃記憶體供應上述第一資料接收區塊；且該微控制器係運作來在該第一資料接收區塊之寫入操作之間，穿插將該第一物理-邏輯位址映射表封存至該邏輯-物理位址映射表。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之資料儲存裝置，其中：該微控制器係運作來在該快閃記憶體之該等物理區塊之間對應一第二物理-邏輯位址映射表的一第二表格過期區塊填滿時，配置該快閃記憶體供應一第二資料接收區塊，該第二物理-邏輯位址映射表係建立於該隨機存取記憶體上；該微控制器係運作來在該第二資料接收區塊之寫入操作之間，穿插將該第二物理-邏輯位址映射表封存至該邏輯-物理位址映射表；該第一資料接收區塊以及該第一表格過期區塊係配置作一第一型態的寫入操作；且該第二資料接收區塊以及該第二表格過期區塊係配置作一第二型態的寫入操作。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之資料儲存裝置，其中：該微控制器係運作來在該快閃記憶體之該等物理區塊之間對應該第一物理-邏輯位址映射表的一第一表格過期區塊遭 非預期掉電事件中斷時，於一復電程序配置該快閃記憶體供應上述第一資料接收區塊；該微控制器係運作來在該復電程序修復該第一物理-邏輯位址映射表；以及該微控制器係運作來在該第一資料接收區塊之寫入操作之間，穿插將修復後的該第一物理-邏輯位址映射表封存至該邏輯-物理位址映射表。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之資料儲存裝置，其中：該微控制器係運作來在該快閃記憶體之該等物理區塊之間對應一第二物理-邏輯位址映射表的一第二表格過期區塊遭非預期掉電事件中斷時，於該復電程序配置該快閃記憶體供應一第二資料接收區塊，該第二物理-邏輯位址映射表係建立於該隨機存取記憶體上；該微控制器係運作來在該復電程序修復該第二物理-邏輯位址映射表；該微控制器係運作來在該第二資料接收區塊之寫入操作之間，穿插將修復後的該第二物理-邏輯位址映射表封存至該邏輯-物理位址映射表；該第一資料接收區塊以及該第一表格過期區塊係配置作一第一型態的寫入操作；且該第二資料接收區塊以及該第二表格過期區塊係配置作一第二型態的寫入操作。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之資料儲存裝置，其中：該微控制器係更運作來使用一指標標示該第一物理-邏輯位 址映射表中尚未封存至該邏輯一物理位址映射表的一段內容；且該微控制器係運作來根據該指標搜尋該第一物理-邏輯位址映射表。
  9. 一種快閃記憶體控制方法，包括：配置一快閃記憶體，以由該快閃記憶體的複數個物理區塊供應一第一資料接收區塊，上述物理區塊各自包括複數個物理頁；以及在該第一資料接收區塊上一第一寫入操作以及一第二寫入操作之間，根據物理-邏輯資訊之一第一部分更新至一邏輯-物理位址映射表，而物理-邏輯資訊之一第二部分於執行於上述第一資料接收區塊上的另一對寫入操作間之一時間間隔中等待被更新至上述邏輯-物理位址映射表；其中：該邏輯-物理位址映射表係維護於該快閃記憶體上；且用以提供物理-邏輯資訊之上述第一部分以及上述第二部分之一第一物理-邏輯位址映射表係建立於一隨機存取記憶體上，以記錄一個物理區塊之物理頁所對應的邏輯位址。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之快閃記憶體控制方法，其中：該第一物理-邏輯位址映射表係根據一主機對該第一資料接收區塊所下達的寫入操作而建立。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之快閃記憶體控制方法，其中：在寫入各短於一物理頁的一串使用者資料進該第一資料接 收區塊後，在該第一資料接收區塊上接續的寫入操作之間，穿插將該第一物理-邏輯位址映射表封存至該邏輯-物理位址映射表。
  12. 如申請專利範圍第9項所述之快閃記憶體控制方法，其中：該快閃記憶體係在該快閃記憶體之該等物理區塊之間對應該第一物理-邏輯位址映射表的一第一表格過期區塊填滿時，配置供應上述第一資料接收區塊；且該第一物理-邏輯位址映射表係穿插在該第一資料接收區塊之寫入操作之間封存至該邏輯-物理位址映射表。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之快閃記憶體控制方法，更包括：在該快閃記憶體之該等物理區塊之間對應一第二物理-邏輯位址映射表的一第二表格過期區塊填滿時，配置該快閃記憶體更供應一第二資料接收區塊，該第二物理-邏輯位址映射表係建立於該隨機存取記憶體上；以及穿插在該第二資料接收區塊之寫入操作之間封存該第二物理-邏輯位址映射表至該邏輯-物理位址映射表；其中：該第一資料接收區塊以及該第一表格過期區塊係配置作一第一型態的寫入操作；且該第二資料接收區塊以及該第二表格過期區塊係配置作一第二型態的寫入操作。
  14. 如申請專利範圍第9項所述之快閃記憶體控制方法，其中：在該快閃記憶體之該等物理區塊之間對應該第一物理-邏輯 位址映射表的一第一表格過期區塊之寫入操作遭非預期掉電中斷後，該快閃記憶體係於一復電程序配置供應上述第一資料接收區塊；該第一物理-邏輯位址映射表係在上述復電程序修復；並且修復後的該第一物理-邏輯位址映射表係穿插在該第一資料接收區塊之寫入操作之間封存至該邏輯-物理位址映射表。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之快閃記憶體控制方法，更包括：在該快閃記憶體之該等物理區塊之間對應一第二物理-邏輯位址映射表的一第二表格過期區塊之寫入操作遭非預期掉電中斷後，配置該快閃記憶體於上述復電程序更配置供應一第二資料接收區塊，該第二物理-邏輯位址映射表係建立於該隨機存取記憶體上；在上述復電程序修復該第二物理-邏輯位址映射表；並且穿插在該第二資料接收區塊之寫入操作之間將修復後的該第二物理-邏輯位址映射表係封存至該邏輯-物理位址映射表；其中：該第一資料接收區塊以及該第一表格過期區塊係配置作一第一型態的寫入操作；且該第二資料接收區塊以及該第二表格過期區塊係配置作一第二型態的寫入操作。
  16. 如申請專利範圍第9項所述之快閃記憶體控制方法，更包括： 使用一指標標示該第一物理-邏輯位址映射表中尚未封存至該邏輯-物理位址映射表的一段內容；且根據該指標搜尋該第一物理-邏輯位址映射表。
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