CN104750616A - 数据储存装置以及快闪存储器控制方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种高抹除效率的数据储存装置以及快闪存储器控制方法。一微控制器系设置来在一快闪存储器上维护记载一主机以及该快闪存储器之间映射信息的多个逻辑-物理地址映射表以及一链结表。链结表标示该多个逻辑-物理地址映射表的位置，且链结表各栏位系对应该多个逻辑-物理地址映射表其一。抹除逻辑地址对应N个逻辑-物理地址映射表的使用者数据时，微控制器系设置来令该链结表中对应上述N个逻辑-物理地址映射表的N个栏位无效。N为整数。

Description

数据储存装置以及快闪存储器控制方法
技术领域
本发明系有关于快闪存储器(flash memory)实现的数据储存装置以及快闪存储器控制方法。
背景技术
现今数据储存装置常以快闪存储器(flash memory)为储存媒体。例如，快闪存储器常用作存储卡(memory card)、通用序列总线闪存装置(USB flash device)、固态硬盘(SSD)…等产品。另外有一种应用是采多芯片封装、将一与非门型快闪存储器与其控制芯片包装在同一封装中─称为嵌入式快闪存储器模块(如eMMC)。
快闪存储器的实体空间通常包括多个区块(blocks)。各区块包括多个物理页(pages)。针对快闪存储器而设计的抹除操作须以区块为抹除单位，一次释放一区块的储存空间。数据更新时，新数据系写入闲置空间，而非覆写在旧数据上。物理-逻辑地址映射信息需记载于一快闪存储器中，以管理该快闪存储器。快闪存储器的管理远较其他传统储存媒体复杂，特别是大尺寸快闪存储器更不易管理。大尺寸快闪存储器的映射信息管理须妥善设计。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种采用快闪存储器的数据储存装置以及快闪存储器控制方法，其中包括高效率抹除技术。
根据本案一种实施方式所实现的数据储存装置包括一快闪存储器以及一控制单元。该快闪存储器系划分为多个区块。各区块包括多个物理页。该控制单元耦接该快闪存储器至一主机，且具有一微控制器。该微控制器系设置来在该快闪存储器上维护记载有该主机以及该快闪存储器之间映射信息的多个逻辑-物理地址映射表以及一链结表。该链结表标示这些逻辑-物理地址映射表的位置。该链结表各栏位对应一个逻辑-物理地址映射表。抹除逻辑地址对应N个逻辑-物理地址映射表的使用者数据时，该微控制器系设置来令该链结表中对应上述N个逻辑-物理地址映射表的N个栏位无效。N为整数。
根据本案一种实施方式所实现的快闪存储器控制方法包括：在一快闪存储器上维护记载有一主机以及该快闪存储器之间映射信息的多个逻辑-物理地址映射表以及一链结表，其中该快闪存储器所供应的储存空间系划分为多个区块，各区块包括多个物理页，该链结表标示这些逻辑-物理地址映射表的位置，该链结表各栏位对应这些逻辑-物理地址映射表格其一；以及，在抹除逻辑地址对应N个逻辑-物理地址映射表的使用者数据时，令该链结表中对应上述N个逻辑-物理地址映射表的N个栏位无效，其中，N为整数。
下文特举实施例，并配合所附图示，详细说明本发明内容。
附图说明
图1图解一快闪存储器100的储存空间规划；
图2根据本案一种实施方式图解一逻辑-物理地址映射表H2F；
图3为方块图，根据本案一种实施方式图解一数据储存装置300；
图4更详细分解图3链结表H2FLink的更新过程；以及
图5为流程图，根据本案一种实施方式图解如何抹除其逻辑地址对应链结表H2FLink中N个栏位332的大尺寸使用者数据，其逻辑-物理地址映射信息系储存于N个逻辑-物理地址映射表H2Fi…H2Fi+N-1中。
【附图标记说明】
100～快闪存储器；          102～物理页；
104、106、108以及110～区段；
300～数据储存装置；        302～主机；
304～快闪存储器；          306～控制单元；
308～系统内程序区块；      310～系统信息区块；
312～数据集合；            320～微控制器；
322～随机存取存储器；      324～只读存储器；
330～系统区块；
332～链结表H2FLink的N个栏位；
334～供链结表指标*H2FLink下载储存的空间；
336～供链结表H2FLink下载储存的空间；
338～N个栏位332于随机存取存储器322上的内容；
340～闲置空间；
342～更新过的链结表指标；
(B_N，P_N)～(区块编号，物理页编号)；
BLK4、BLK2…BLKN～区块；
H2F～逻辑-物理地址映射表；
H2F1…H2Fi…H2Fi+N-1…H2FK～逻辑-物理地址映射表；
H2FLink～链结表；
Hm(LBAk0～LBAk0+7)、Hm+1(LBAk1～LBAk1+7)、Hm+2(LBAk2～LBAk2+7)、Hm+3(LBAk3～LBAk3+7)～主机页；
S502…S508～步骤；
*H2F1…*H2Fi-1、*H2Fi…*H2Fi+N-1、*H2Fi+N…*H2FK～逻辑-物理地址映射表指标；
*H2FLink～链结表指标。
具体实施方式
以下叙述列举本发明的多种实施例。以下叙述介绍本发明的基本概念，且并非意图限制本发明内容。实际发明范围应依照权利要求书界定之。
图1图解一快闪存储器100的储存空间规划。快闪存储器100所供应的储存空间系划分为多个区块(blocks)BLK1、BLK2…BLKN…等。各区块包括多个物理页(pages)。各物理页包括多个区段(sectors)。例如，区块BLKN上的物理页102包括四个区段104、106、108以及110。
若各区段系配置储存一主机页的使用者数据(对应一串逻辑地址，如LBAk～LBAk+7)，各物理页系配置给四个主机页使用。例如，区段104、106、108以及110系分别对应主机页Hm(即，LBAk0～LBAk0+7)、Hm+1(即，LBAk1～LBAk1+7)、Hm+2(即，LBAk2～LBAk2+7)、Hm+3(即，LBAk3～LBAk3+7)。若一区块包括128个物理页，则系有128x4个主机页对应一区块的128x4个区段。针对各区块，如此128x4个区段以及128x4个主机页之间的映射信息需记录下来，供管理储存空间使用。大尺寸存储器所需管理的映射信息量也大。
在一种实施方式中，可观数据量的映射信息系记录于快闪存储器100中，作非挥发性储存。映射信息系设计为多阶层架构。映射关系系以多个逻辑-物理地址映射表(简称H2Fs)以及标示这些逻辑-物理地址映射表H2Fs位置的一链结表记录在快闪存储器中。
图2根据本案一种实施方式图解一逻辑-物理地址映射表H2F。该逻辑-物理地址映射表H2F为16K字节，等同一个物理页尺寸。该逻辑-物理地址映射表H2F各栏位占4字节。因此，各逻辑-物理地址映射表存有4K(＝16KB/4B)个主机页的映射信息。各栏位对应一主机页，且系记载一区块号码B_N以及一物理页号码P_N，显示对应的主机页储存于快闪存储器何处。以上例子并不意图限定表格尺寸为16K字节，更不意图限定各主机页的映射信息为4字节。
图3为方块图，根据本案一种实施方式图解一数据储存装置300。数据接收装置300系根据主机302所下达的指令运作，包括一快闪存储器304以及一控制单元306。快闪存储器304的多个区块(blocks)系配置作多种用途。部分区块308系用于储存系统内程序码(in-system programs，简称ISPs)。部分区块310储存系统信息(system information)。使用者数据系储存在数据集合312。快闪存储器304可更包括未作任何配置使用的区块(free blocks)、闲置区块(spare blocks)以及数据接收区块，这些区块未显示于图示中。
控制单元306耦接该快闪存储器304至该主机302，且包括一微控制器320、一随机存取存储器322以及一只读存储器324。只读程序码系储存于只读存储器324中。微控制器320包括执行该只读存储器324内的只读程序码(ROM code)或/以及执行该快闪存储器304的这些区块308内的系统内程序码，据以操作该快闪存储器304。微控制器320系设置来执行该快闪存储器304的区块配置(如图3所示)。
微控制器320系更设置来在该快闪存储器304上供应一链结表指标*H2FLink、多个逻辑-物理地址映射表H2F1…H2Fi…H2Fi+N-1…H2FK、以及一链结表H2FLink，以记录主机302以及快闪存储器304之间的逻辑-物理地址映射信息。系统区块330上的链结表指标*H2FLink系标示链结表H2FLink位置。链结表*H2FLink可以一区块号码以及一物理页号码标示链结表H2FLink位置。链结表H2FLink系标示上述这些逻辑-物理地址映射表H2F1…H2Fi…H2Fi+N-1…H2FK的位置。链结表H2FLink的多个栏位分别对应这些逻辑-物理地址映射表H2F1…H2Fi…H2Fi+N-1…H2FK。在一种实施方式中，链结表H2FLink各栏位系储存一区块号码以及一物理页号码，标示所对应的逻辑-物理地址映射表的位置。若欲抹除逻辑地址对应N个逻辑-物理地址映射表H2Fi…H2Fi+N-1的使用者数据，相关操作讨论如下。链结表H2FLink中，N个栏位332对应N个逻辑-物理地址映射表H2Fi…H2Fi+N-1。微控制器320系设置来读取该系统区块330，以自该快闪存储器304下载链结表指标*H2FLink于随机存取存储器322的空间334。此外，基于链结表指标*H2FLink，微控制器320自快闪存储器304下载链结表H2FLink至随机存取存储器的空间336，并在随机存取存储器322上令链结表的N个栏位338(对应332)无效。微控制器320再将如此N个栏位338内容无效的链结表上传回快闪存储器304(例如，写入快闪存储器304的闲置空间340)。上传如此N个栏位338内容无效的链结表回快闪存储器304(写入闲置空间340)时，微控制器320更将更新系统区块330记录更新过的链结表指标342，以标示更新后的链结表位置340。如此一来，面对大尺寸抹除要求(如，抹除其逻辑地址对应N个逻辑-物理地址映射表H2Fi…H2Fi+N-1的使用者数据，即，抹除一序列数据，其逻辑地址含括N个逻辑-物理地址映射表H2Fi…H2Fi+N-1)，也仅会耗费少量系统资源。本案令大尺寸抹除操作可简单借由修正链结表指标*H2FLink以及链结表H2FLink达到目的，无须自快闪存储器304将N个逻辑-物理地址映射表H2Fi…H2Fi+N-1全数载入该随机存取存储器322作映射信息修正。数据储存装置300具有显著提升的系统效率。
图4更详细分解图3链结表H2FLink的更新过程。如图所示，链结表H2FLink储存有指标*H2F1…*H2FK，分别指向逻辑-物理地址映射表H2F1…H2FK。抹除逻辑地址对应N个逻辑-物理地址映射表H2Fi…H2Fi+N-1的使用者数据时，链结表H2FLink遭下载至随机存取存储器322的空间336，且链结表的N个栏位338(对应332)在随机存取存储器322上被转化为无效数据。接着，如此N个栏位338内容无效的链结表上传回快闪存储器304，储存于空间340。原来的链结表H2FLink转化为无效。
图5为流程图，根据本案一种实施方式图解如何抹除逻辑地址对应链结表H2FLink中N个栏位332的大尺寸使用者数据，其逻辑-物理地址映射信息系储存于N个逻辑-物理地址映射表H2Fi…H2Fi+N-1。以下基于图3架构说明图5流程。
步骤S502存取系统区块330，以获得链结表指标*H2FLink、并将之暂存于随机存取存储器322的空间334。步骤S504自快闪存储器304下载链结表H2FLink，且将之暂存于随机存取存储器322的空间336。步骤S506令随机存取存储器322所储存的链结表的N个栏位338无效，并将如此N个栏位338内容无效的链结表上传回快闪存储器304，储存于空间340。步骤S508更新空间334的链结表指标，并将更新后的链结表指标重新上传回该快闪存储器304，存至空间342。
其他采用上述概念控制一快闪存储器的技术都属于本案所欲保护的范围。基于以上技术内容，本案更涉及快闪存储器的控制方法，不限定以特定架构的控制单元实现。
虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何熟悉此项技艺者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可做些许更动与润饰，因此本发明的保护范围当视权利要求书所界定者为准。

Claims (12)

1.一种数据储存装置，包括：
一快闪存储器，划分为多个区块，且上述区块各自包括多个物理页；以及
一控制单元，耦接该快闪存储器至一主机，且包括一微控制器；
其中：
该微控制器系设置来在该快闪存储器上维护多个逻辑-物理地址映射表以及一链结表，以记录该主机以及该快闪存储器之间的映射信息；
该链结表标示上述多个逻辑-物理地址映射表的位置，且该链结表各栏位对应上述该多个逻辑-物理地址映射表其一；且
抹除逻辑地址对应N个逻辑-物理地址映射表的使用者数据时，该微控制器系设置来令该链结表中对应上述N个逻辑-物理地址映射表的N个栏位无效，N为整数。
2.如权利要求1所述的数据储存装置，其特征在于：
该控制单元更包括一随机存取存储器；且
抹除逻辑地址对应上述N个逻辑-物理地址映射表的使用者数据时，该微控制器系设置来自该快闪存储器将该链结表下载至该随机存取存储器，并在该随机存取存储器上令该链结表上述N个栏位无效，并将上述N个栏位为无效数据的该链结表上传回该快闪存储器。
3.如权利要求2所述的数据储存装置，其特征在于：
该微控制器更是设置来配置该快闪存储器的该多个区块供应一系统区块；并且
该微控制器系设置来在该系统区块记录一链结表指标，标示该链结表的位置。
4.如权利要求3所述的数据储存装置，其特征在于：
该微控制器系根据记录于该系统区块的该链结表指标，自该快闪存储器下载该链结表至该随机存取存储器；且
将上述N个栏位为无效数据的该链结表上传回该快闪存储器时，该微控制器更以更新后的链结表指标更新该系统区块。
5.如权利要求3所述的数据储存装置，其特征在于：
该链结表指标以一区块号码以及一物理页号码标示该链结表的位置。
6.如权利要求1所述的数据储存装置，其特征在于：
该链结表各栏位储存一区块号码以及一物理页号码标示所对应的逻辑-物理地址映射表的位置。
7.一种快闪存储器控制方法，包括：
在一快闪存储器上维护多个逻辑-物理地址映射表以及一链结表，以记录一主机以及该快闪存储器之间的映射信息，其中，该快闪存储器提供的储存空间系划分为多个区块，且上述区块各自包括多个物理页，且该链结表标示上述多个逻辑-物理地址映射表的位置，且该链结表各栏位对应一个逻辑-物理地址映射表；并且
在抹除逻辑地址对应N个逻辑-物理地址映射表的使用者数据时，令该链结表中对应上述N个逻辑-物理地址映射表的N个栏位无效，其中，N为整数。
8.如权利要求7所述的快闪存储器控制方法，其特征在于，更包括：
供应一随机存取存储器；以及
在抹除逻辑地址对应上述N个逻辑-物理地址映射表的使用者数据时，自该快闪存储器下载该链结表至该随机存取存储器，并在该随机存取存储器上令该链结表上述N个栏位无效，并将上述N个栏位为无效数据的该链结表上传回该快闪存储器。
9.如权利要求8所述的快闪存储器控制方法，其特征在于，更包括：
配置该快闪存储器的该多个区块供应一系统区块；并且
在该系统区块记录一链结表指标，标示该链结表的位置。
10.如权利要求9所述的快闪存储器控制方法，其特征在于，更包括：
根据记录于该系统区块的该链结表指标，自该快闪存储器下载该链结表至该随机存取存储器；且
将上述N个栏位为无效数据的该链结表上传回该快闪存储器时，更以更新后的链结表指标更新该系统区块。
11.如权利要求9所述的快闪存储器控制方法，其特征在于：
该链结表指标以一区块号码以及一物理页号码标示该链结表的位置。
12.如权利要求7所述的快闪存储器控制方法，其特征在于：
该链结表各栏位储存一区块号码以及一物理页号码标示所对应的逻辑-物理地址映射表的位置。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105868122A (zh) * 2016-03-28 2016-08-17 深圳市硅格半导体股份有限公司 快闪存储设备的数据处理方法及装置
CN108073522A (zh) * 2016-11-10 2018-05-25 慧荣科技股份有限公司 可用于数据储存装置的垃圾搜集方法
CN108280032A (zh) * 2017-01-06 2018-07-13 慧荣科技股份有限公司 数据储存装置以及快闪存储器控制方法
CN110058796A (zh) * 2018-01-18 2019-07-26 慧荣科技股份有限公司 数据储存装置
CN111459844A (zh) * 2019-01-21 2020-07-28 慧荣科技股份有限公司 数据储存装置及用于存取逻辑至物理地址映射表的方法
CN111610929A (zh) * 2019-02-26 2020-09-01 慧荣科技股份有限公司 数据储存装置以及非挥发式存储器控制方法
CN111897743A (zh) * 2019-05-06 2020-11-06 慧荣科技股份有限公司 数据储存装置及逻辑至物理地址映射表的载入方法

Families Citing this family (78)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9811275B2 (en) * 2015-02-27 2017-11-07 Toshiba Memory Corporation Memory system and data control method
US10007451B2 (en) * 2015-03-20 2018-06-26 SK Hynix Inc. Scalable SPOR algorithm for flash memories
US9703498B1 (en) * 2015-06-29 2017-07-11 EMC IP Holding Company LLC Allocating space in a file system from sequential and random cursors
TWI563510B (en) * 2015-07-24 2016-12-21 Phison Electronics Corp Mapping table accessing method, memory control circuit unit and memory storage device
TWI575374B (zh) * 2015-08-04 2017-03-21 群聯電子股份有限公司 映射表格更新方法、記憶體儲存裝置及記憶體控制電路單元
TWI534619B (zh) * 2015-09-11 2016-05-21 慧榮科技股份有限公司 動態邏輯分段方法以及使用該方法的裝置
TWI646461B (zh) * 2016-10-12 2019-01-01 慧榮科技股份有限公司 資料儲存裝置及其資料維護方法
TWI537729B (zh) 2015-10-15 2016-06-11 慧榮科技股份有限公司 資料儲存裝置及其資料維護方法
US10073769B2 (en) 2015-10-15 2018-09-11 Silicon Motion, Inc. Data storage device and data maintenance method thereof
TWI604308B (zh) 2015-11-18 2017-11-01 慧榮科技股份有限公司 資料儲存裝置及其資料維護方法
KR102625637B1 (ko) * 2016-02-01 2024-01-17 에스케이하이닉스 주식회사 데이터 저장 장치 및 그것의 동작 방법
TWI603193B (zh) * 2016-03-31 2017-10-21 慧榮科技股份有限公司 資料儲存裝置及其資料維護方法
CN111679787B (zh) 2016-04-27 2023-07-18 慧荣科技股份有限公司 闪存装置、闪存控制器及闪存存储管理方法
US9910772B2 (en) * 2016-04-27 2018-03-06 Silicon Motion Inc. Flash memory apparatus and storage management method for flash memory
US10133664B2 (en) 2016-04-27 2018-11-20 Silicon Motion Inc. Method, flash memory controller, memory device for accessing 3D flash memory having multiple memory chips
US10289487B2 (en) 2016-04-27 2019-05-14 Silicon Motion Inc. Method for accessing flash memory module and associated flash memory controller and memory device
CN107391026B (zh) 2016-04-27 2020-06-02 慧荣科技股份有限公司 闪存装置及闪存存储管理方法
US10019314B2 (en) 2016-04-27 2018-07-10 Silicon Motion Inc. Flash memory apparatus and storage management method for flash memory
TW201742063A (zh) 2016-05-30 2017-12-01 慧榮科技股份有限公司 資料儲存方法及發生電源中斷事件後之系統初始化之方法
CN106201903B (zh) * 2016-07-05 2019-07-30 深圳市领存技术有限公司 一种三维闪存擦除控制方法及其系统
KR20180019419A (ko) 2016-08-16 2018-02-26 삼성전자주식회사 메모리 컨트롤러, 메모리 시스템 및 그 동작방법
KR20180031851A (ko) * 2016-09-19 2018-03-29 에스케이하이닉스 주식회사 메모리 시스템 및 메모리 시스템의 동작 방법
TWI640868B (zh) * 2016-10-07 2018-11-11 慧榮科技股份有限公司 資料儲存裝置及其資料寫入方法
TWI607312B (zh) * 2016-10-07 2017-12-01 慧榮科技股份有限公司 資料儲存裝置及其資料寫入方法
TWI591533B (zh) 2016-11-25 2017-07-11 慧榮科技股份有限公司 可用於資料儲存裝置之資料儲存方法與資料回復程序、以及採用這些方法的資料儲存裝置
TWI670640B (zh) * 2016-11-25 2019-09-01 慧榮科技股份有限公司 可用於資料儲存裝置之資料儲存方法與資料回復程序、以及採用這些方法的資料儲存裝置
TWI691839B (zh) * 2016-11-28 2020-04-21 慧榮科技股份有限公司 資料管理方法
KR20180080589A (ko) * 2017-01-04 2018-07-12 에스케이하이닉스 주식회사 데이터 저장 장치 및 그것의 동작 방법
TWI653533B (zh) * 2017-03-07 2019-03-11 慧榮科技股份有限公司 資料儲存裝置以及其操作方法
TWI602116B (zh) 2017-03-07 2017-10-11 Silicon Motion Inc 資料儲存裝置及其資料維護方法
TWI644250B (zh) * 2017-03-07 2018-12-11 慧榮科技股份有限公司 電子系統及其資料維護方法
CN108733575B (zh) * 2017-04-20 2022-12-27 深圳市得一微电子有限责任公司 一种断电重启后逻辑对物理映像表的重建方法、固态硬盘
TWI639917B (zh) 2017-04-25 2018-11-01 慧榮科技股份有限公司 資料儲存裝置及映射表重建方法
US10141050B1 (en) * 2017-04-27 2018-11-27 Pure Storage, Inc. Page writes for triple level cell flash memory
TWI633437B (zh) 2017-05-26 2018-08-21 慧榮科技股份有限公司 偵測使用中邏輯頁面之資料儲存裝置與資料儲存方法
CN108959108B (zh) 2017-05-26 2021-08-24 上海宝存信息科技有限公司 固态硬盘访问方法以及使用该方法的装置
KR102233400B1 (ko) * 2017-05-29 2021-03-26 에스케이하이닉스 주식회사 데이터 저장 장치 및 그것의 동작 방법
TWI672590B (zh) * 2017-06-27 2019-09-21 慧榮科技股份有限公司 資料儲存裝置
TWI630540B (zh) * 2017-07-13 2018-07-21 慧榮科技股份有限公司 資料儲存裝置及非揮發式記憶體操作方法
CN107391046B (zh) * 2017-08-02 2021-04-20 郑州云海信息技术有限公司 一种raid系统的数据写入方法及装置
CN109582599B (zh) * 2017-09-29 2023-12-22 上海宝存信息科技有限公司 数据储存装置以及非挥发式存储器操作方法
CN108132853A (zh) * 2017-11-24 2018-06-08 北京动力机械研究所 用于发动机控制器软件的上电校验双冗余引导加载方法
TWI733964B (zh) * 2017-12-13 2021-07-21 英業達股份有限公司 記憶體整體測試之系統及其方法
CN107967125A (zh) * 2017-12-20 2018-04-27 北京京存技术有限公司 闪存转换层的管理方法、装置及计算机可读存储介质
TWI649755B (zh) * 2017-12-22 2019-02-01 慧榮科技股份有限公司 資料儲存裝置與記憶體裝置之資料處理方法
TWI668700B (zh) * 2017-12-22 2019-08-11 慧榮科技股份有限公司 資料儲存裝置與記憶體裝置之資料處理方法
TWI645404B (zh) * 2017-12-28 2018-12-21 慧榮科技股份有限公司 資料儲存裝置以及非揮發式記憶體操作方法
CN108255436A (zh) * 2018-01-25 2018-07-06 广东美的制冷设备有限公司 数据存取方法、存取装置、家电设备和可读存储介质
TWI664527B (zh) 2018-03-20 2019-07-01 慧榮科技股份有限公司 用來於一記憶裝置中進行初始化之方法、記憶裝置及其控制器以及電子裝置
TWI679538B (zh) * 2018-03-31 2019-12-11 慧榮科技股份有限公司 資料儲存系統之控制單元以及邏輯至物理映射表更新方法
JP2019185350A (ja) * 2018-04-09 2019-10-24 東芝メモリ株式会社 メモリシステム及びメモリシステムの制御方法
TWI669610B (zh) * 2018-06-13 2019-08-21 慧榮科技股份有限公司 資料儲存裝置以及非揮發式記憶體控制方法
TWI678622B (zh) * 2018-06-15 2019-12-01 慧榮科技股份有限公司 資料儲存裝置的開發系統以及產品化方法
US10534551B1 (en) * 2018-06-22 2020-01-14 Micron Technology, Inc. Managing write operations during a power loss
CN110955384B (zh) * 2018-09-26 2023-04-18 慧荣科技股份有限公司 数据储存装置以及非挥发式存储器控制方法
CN109446109B (zh) * 2018-10-25 2021-06-29 江苏华存电子科技有限公司 一种混合型记录实体映像表的方法
CN113168377B (zh) * 2018-10-29 2024-04-23 美光科技公司 Slc高速缓存分配
CN109582222B (zh) * 2018-10-31 2020-11-24 华中科技大学 一种主机感知瓦记录磁盘中持久缓存的清理方法
TW202018513A (zh) * 2018-11-07 2020-05-16 威剛科技股份有限公司 固態硬碟及其資料存取的方法
KR20200058867A (ko) * 2018-11-20 2020-05-28 에스케이하이닉스 주식회사 메모리 시스템의 복구 동작 중 비휘발성 메모리 블록의 반복 접근을 줄이는 방법 및 장치
TWI704456B (zh) * 2018-11-22 2020-09-11 慧榮科技股份有限公司 資料儲存裝置與資料存取方法
KR102637478B1 (ko) 2018-12-05 2024-02-15 삼성전자주식회사 오픈 채널 솔리드 스테이트 드라이브, 이를 포함하는 비휘발성 메모리 시스템 및 오픈 채널 솔리드 스테이트 드라이브의 파워 로스 프로텍션 방법
TWI749279B (zh) * 2018-12-18 2021-12-11 慧榮科技股份有限公司 資料儲存裝置與資料處理方法
TWI739075B (zh) * 2019-01-03 2021-09-11 慧榮科技股份有限公司 閃存的資料寫入方法及電腦程式產品
US11288185B2 (en) 2019-01-03 2022-03-29 Silicon Motion, Inc. Method and computer program product for performing data writes into a flash memory
JP6708762B1 (ja) * 2019-01-29 2020-06-10 ウィンボンド エレクトロニクス コーポレーション 半導体記憶装置
TWI695264B (zh) * 2019-05-20 2020-06-01 慧榮科技股份有限公司 資料儲存裝置與資料處理方法
TWI745695B (zh) * 2019-05-22 2021-11-11 慧榮科技股份有限公司 用來進行無預警斷電復原管理之方法、記憶裝置及其控制器以及電子裝置
CN112100087B (zh) * 2019-06-17 2024-04-02 慧荣科技股份有限公司 数据储存装置以及非挥发式存储器控制方法
TWI726524B (zh) * 2019-12-09 2021-05-01 新唐科技股份有限公司 電子處理裝置及記憶體控制方法
TWI738308B (zh) * 2020-04-27 2021-09-01 宇瞻科技股份有限公司 基於分頁模式備份資料的固態硬碟以及基於分頁模式的固態硬碟資料備份方法
CN112506814B (zh) * 2020-11-17 2024-03-22 合肥康芯威存储技术有限公司 一种存储器及其控制方法与存储系统
CN112559386B (zh) * 2020-12-22 2024-06-18 深圳忆联信息系统有限公司 提升ssd性能的方法、装置、计算机设备及存储介质
CN112668642A (zh) * 2020-12-28 2021-04-16 高新兴智联科技有限公司 一种机动车电子标识与视频结合系统及方法
KR20220142192A (ko) * 2021-04-14 2022-10-21 에스케이하이닉스 주식회사 저장 장치 및 그 동작 방법
CN113535092B (zh) * 2021-07-20 2024-05-17 阿里巴巴创新公司 用于减少内存元数据的存储引擎、方法和可读介质
US11615020B2 (en) * 2021-08-12 2023-03-28 Micron Technology, Inc. Implementing mapping data structures to minimize sequentially written data accesses
CN114356246B (zh) * 2022-03-17 2022-05-13 北京得瑞领新科技有限公司 Ssd内部数据的存储管理方法、装置、存储介质及ssd设备

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030163630A1 (en) * 2002-02-27 2003-08-28 Aasheim Jered Donald Dynamic data structures for tracking data stored in a flash memory device
US20060282644A1 (en) * 2005-06-08 2006-12-14 Micron Technology, Inc. Robust index storage for non-volatile memory
CN101346704A (zh) * 2005-12-22 2009-01-14 Nxp股份有限公司 具有可擦除块单元的存储器和定位具有指针信息地块的联结指针链
US20100169551A1 (en) * 2008-12-27 2010-07-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Memory system and method of controlling memory system
CN103455437A (zh) * 2012-05-30 2013-12-18 慧荣科技股份有限公司 数据储存装置与数据储存装置操作方法

Family Cites Families (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8078794B2 (en) 2000-01-06 2011-12-13 Super Talent Electronics, Inc. Hybrid SSD using a combination of SLC and MLC flash memory arrays
US7886108B2 (en) 2000-01-06 2011-02-08 Super Talent Electronics, Inc. Methods and systems of managing memory addresses in a large capacity multi-level cell (MLC) based flash memory device
US8266367B2 (en) 2003-12-02 2012-09-11 Super Talent Electronics, Inc. Multi-level striping and truncation channel-equalization for flash-memory system
US6970890B1 (en) 2000-12-20 2005-11-29 Bitmicro Networks, Inc. Method and apparatus for data recovery
US6895490B1 (en) 2001-04-09 2005-05-17 Matrix Semiconductor, Inc. Method for making a write-once memory device read compatible with a write-many file system
CN100590737C (zh) 2003-01-26 2010-02-17 深圳市朗科科技股份有限公司 闪存介质中的数据管理方法
JP2006519444A (ja) 2003-03-04 2006-08-24 深▲せん▼市朗科科技有限公司 フラッシュメモリーのデータ管理方法
TW594477B (en) * 2003-05-02 2004-06-21 Genesys Logic Inc Method and related device for accessing non-volatile memory of dual platforms for PC and X-BOX
US6988175B2 (en) 2003-06-30 2006-01-17 M-Systems Flash Disk Pioneers Ltd. Flash memory management method that is resistant to data corruption by power loss
KR101257848B1 (ko) 2005-07-13 2013-04-24 삼성전자주식회사 복합 메모리를 구비하는 데이터 저장 시스템 및 그 동작방법
US20070156998A1 (en) * 2005-12-21 2007-07-05 Gorobets Sergey A Methods for memory allocation in non-volatile memories with a directly mapped file storage system
US7711923B2 (en) * 2006-06-23 2010-05-04 Microsoft Corporation Persistent flash memory mapping table
CN100583293C (zh) 2006-08-09 2010-01-20 安国国际科技股份有限公司 存储装置及其读写方法
KR100771521B1 (ko) 2006-10-30 2007-10-30 삼성전자주식회사 멀티 레벨 셀을 포함하는 플래시 메모리 장치 및 그것의데이터 쓰기 방법
KR100833188B1 (ko) 2006-11-03 2008-05-28 삼성전자주식회사 데이터의 특성에 따라 싱글 레벨 셀 또는 멀티 레벨 셀에데이터를 저장하는 불휘발성 메모리 시스템
WO2008070191A2 (en) * 2006-12-06 2008-06-12 Fusion Multisystems, Inc. (Dba Fusion-Io) Apparatus, system, and method for a reconfigurable baseboard management controller
US8775717B2 (en) 2007-12-27 2014-07-08 Sandisk Enterprise Ip Llc Storage controller for flash memory including a crossbar switch connecting a plurality of processors with a plurality of internal memories
CN101632068B (zh) 2007-12-28 2015-01-14 株式会社东芝 半导体存储装置
KR101067457B1 (ko) * 2008-03-01 2011-09-27 가부시끼가이샤 도시바 메모리 시스템
TWI472916B (zh) * 2008-06-02 2015-02-11 A Data Technology Co Ltd 記憶體儲存空間管理方法
US8843691B2 (en) 2008-06-25 2014-09-23 Stec, Inc. Prioritized erasure of data blocks in a flash storage device
US8321652B2 (en) * 2008-08-01 2012-11-27 Infineon Technologies Ag Process and method for logical-to-physical address mapping using a volatile memory device in solid state disks
CN101667157A (zh) 2008-09-04 2010-03-10 群联电子股份有限公司 闪存数据传输方法、闪存储存系统及控制器
TWI467369B (zh) 2008-10-01 2015-01-01 A Data Technology Co Ltd 混合密度記憶體系統及其控制方法
US8412880B2 (en) 2009-01-08 2013-04-02 Micron Technology, Inc. Memory system controller to manage wear leveling across a plurality of storage nodes
US8832353B2 (en) * 2009-04-07 2014-09-09 Sandisk Technologies Inc. Host stop-transmission handling
US20100306451A1 (en) * 2009-06-01 2010-12-02 Joshua Johnson Architecture for nand flash constraint enforcement
US8688894B2 (en) 2009-09-03 2014-04-01 Pioneer Chip Technology Ltd. Page based management of flash storage
TWI407310B (zh) 2009-10-09 2013-09-01 Silicon Motion Inc 資料儲存裝置及資料存取方法
US8291194B2 (en) 2009-11-16 2012-10-16 Mediatek Inc. Methods of utilizing address mapping table to manage data access of storage medium without physically accessing storage medium and related storage controllers thereof
US9104546B2 (en) 2010-05-24 2015-08-11 Silicon Motion Inc. Method for performing block management using dynamic threshold, and associated memory device and controller thereof
KR101662827B1 (ko) 2010-07-02 2016-10-06 삼성전자주식회사 쓰기 패턴에 따라 데이터 블록의 쓰기 모드를 선택하는 메모리 시스템 및 그것의 데이터 쓰기 방법
KR101811297B1 (ko) 2011-03-15 2017-12-27 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리를 제어하는 메모리 컨트롤러
CN102682848B (zh) 2011-03-16 2016-12-07 三星电子株式会社 存储器装置、存储器卡、固态驱动器、系统及其操作方法
US20120297121A1 (en) 2011-05-17 2012-11-22 Sergey Anatolievich Gorobets Non-Volatile Memory and Method with Small Logical Groups Distributed Among Active SLC and MLC Memory Partitions
EP2710475A1 (en) 2011-05-17 2014-03-26 SanDisk Technologies Inc. Non-volatile memory and method with small logical groups distributed among active slc and mlc memory partitions
CN103106143B (zh) * 2011-11-11 2016-01-13 光宝科技股份有限公司 固态储存装置及其逻辑至实体对应表建立方法
CN102591748A (zh) 2011-12-29 2012-07-18 记忆科技(深圳)有限公司 固态硬盘及其掉电保护方法、系统
US9244833B2 (en) 2012-05-30 2016-01-26 Silicon Motion, Inc. Data-storage device and flash memory control method
TWI477966B (zh) 2012-05-31 2015-03-21 Silicon Motion Inc 資料儲存裝置與快閃記憶體操作方法
US20130326169A1 (en) 2012-05-31 2013-12-05 Amir Shaharabany Method and Storage Device for Detection of Streaming Data Based on Logged Read/Write Transactions
US8910017B2 (en) 2012-07-02 2014-12-09 Sandisk Technologies Inc. Flash memory with random partition
US9146857B2 (en) * 2012-08-18 2015-09-29 Storart Technology Co. Ltd. Method for mapping management
US9268682B2 (en) * 2012-10-05 2016-02-23 Skyera, Llc Methods, devices and systems for physical-to-logical mapping in solid state drives
US9098400B2 (en) * 2012-10-31 2015-08-04 International Business Machines Corporation Dynamic tuning of internal parameters for solid-state disk based on workload access patterns
US8954694B2 (en) 2012-11-15 2015-02-10 Western Digital Technologies, Inc. Methods, data storage devices and systems for fragmented firmware table rebuild in a solid state drive
CN103150125B (zh) 2013-02-20 2015-06-17 郑州信大捷安信息技术股份有限公司 提高掉电保护数据缓冲存储器使用寿命的方法及智能卡
US8990458B2 (en) 2013-02-28 2015-03-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Controller, semiconductor storage device and method of controlling data writing
US20150127687A1 (en) * 2013-11-04 2015-05-07 Roger Graves System and methods for creating and modifying a hierarchial data structure
US20150261444A1 (en) 2014-03-12 2015-09-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Memory system and information processing device

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030163630A1 (en) * 2002-02-27 2003-08-28 Aasheim Jered Donald Dynamic data structures for tracking data stored in a flash memory device
US20060282644A1 (en) * 2005-06-08 2006-12-14 Micron Technology, Inc. Robust index storage for non-volatile memory
CN101346704A (zh) * 2005-12-22 2009-01-14 Nxp股份有限公司 具有可擦除块单元的存储器和定位具有指针信息地块的联结指针链
US20100169551A1 (en) * 2008-12-27 2010-07-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Memory system and method of controlling memory system
CN103455437A (zh) * 2012-05-30 2013-12-18 慧荣科技股份有限公司 数据储存装置与数据储存装置操作方法

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105868122A (zh) * 2016-03-28 2016-08-17 深圳市硅格半导体股份有限公司 快闪存储设备的数据处理方法及装置
CN108073522A (zh) * 2016-11-10 2018-05-25 慧荣科技股份有限公司 可用于数据储存装置的垃圾搜集方法
CN108280032A (zh) * 2017-01-06 2018-07-13 慧荣科技股份有限公司 数据储存装置以及快闪存储器控制方法
CN108280032B (zh) * 2017-01-06 2022-06-28 慧荣科技股份有限公司 数据储存装置以及快闪存储器控制方法
CN110058796A (zh) * 2018-01-18 2019-07-26 慧荣科技股份有限公司 数据储存装置
CN110058796B (zh) * 2018-01-18 2022-06-24 慧荣科技股份有限公司 数据储存装置
CN111459844A (zh) * 2019-01-21 2020-07-28 慧荣科技股份有限公司 数据储存装置及用于存取逻辑至物理地址映射表的方法
CN111459844B (zh) * 2019-01-21 2022-11-11 慧荣科技股份有限公司 数据储存装置及用于存取逻辑至物理地址映射表的方法
CN111610929A (zh) * 2019-02-26 2020-09-01 慧荣科技股份有限公司 数据储存装置以及非挥发式存储器控制方法
CN111610929B (zh) * 2019-02-26 2023-04-14 慧荣科技股份有限公司 数据储存装置以及非挥发式存储器控制方法
CN111897743A (zh) * 2019-05-06 2020-11-06 慧荣科技股份有限公司 数据储存装置及逻辑至物理地址映射表的载入方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW201527974A (zh) 2015-07-16
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CN104750626A (zh) 2015-07-01
US20170160942A1 (en) 2017-06-08
TW201526003A (zh) 2015-07-01
TWI520139B (zh) 2016-02-01
TWI561982B (en) 2016-12-11
US9684568B2 (en) 2017-06-20
CN104750618A (zh) 2015-07-01
TW201527971A (zh) 2015-07-16
US20150186262A1 (en) 2015-07-02
TW201527970A (zh) 2015-07-16
US20150186261A1 (en) 2015-07-02
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CN104750625A (zh) 2015-07-01
US9645896B2 (en) 2017-05-09
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US9632880B2 (en) 2017-04-25
US9645895B2 (en) 2017-05-09
US20170249219A1 (en) 2017-08-31
CN104750618B (zh) 2017-11-24
US9842030B2 (en) 2017-12-12

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