CN104750626A - 数据储存装置以及快闪存储器控制方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种高效率的数据储存装置以及快闪存储器控制方法。该数据储存装置的一随机存取存储器系配置来提供一收集与更新空间，用作一物理-逻辑地址映射表所载的逻辑地址所对应的逻辑-物理位置映射表的收集与更新。将尚未出现在该收集与更新空间的一新逻辑-物理地址映射表记录至该物理-逻辑地址映射表上时，该数据储存装置的一微控制器系设置来收集该新逻辑-物理地址映射表至该收集与更新空间，并且在该更新与收集空间上对该新逻辑-物理地址映射表作更新。

Description

数据储存装置以及快闪存储器控制方法
技术领域
本发明系有关于快闪存储器(flash memory)实现的数据储存装置以及快闪存储器控制方法。
背景技术
现今数据储存装置常以快闪存储器(flash memory)为储存媒体。例如，快闪存储器常用作存储卡(memory card)、通用序列总线闪存装置(USB flash device)、固态硬盘(SSD)…等产品。另外有一种应用是采多芯片封装、将一与非门型快闪存储器与其控制芯片包装在同一封装中─称为嵌入式快闪存储器模块(如eMMC)。
快闪存储器的实体空间通常包括多个区块(blocks)。各区块包括多个物理页(pages)。针对快闪存储器而设计的抹除操作须以区块为抹除单位，一次释放一区块的储存空间。数据更新时，新数据系写入闲置空间，而非覆写在旧数据上。为了管理快闪存储器，主机端以及快闪存储器之间的映射信息需加以维护。相较于其他传统储存媒体，快闪存储器的管理更为复杂。快闪存储器的映射信息管理需要相当技巧。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种采用高效率快闪存储器控制技术的数据储存装置以及高效率的快闪存储器控制方法。
根据本案一种实施方式所实现的数据储存装置包括一快闪存储器以及一控制单元。该快闪存储器系划分为多个区块。各区块包括多个物理页。该控制单元耦接该快闪存储器至一主机，且具有一微控制器、以及一随机存取存储器。该微控制器系设置来在该随机存取存储器上、为该快闪存储器的这些区块中的一数据接收区块建立一物理-逻辑地址映射表。该微控制器系更设置来规划该随机存取存储器为该物理-逻辑地址映射表所载的逻辑地址所相关的逻辑-物理地址映射表提供一收集以及更新空间。将尚未出现在该收集以及更新空间的一新逻辑-物理地址映射表所对应的逻辑地址载入该物理-逻辑地址映射表时，该微控制器系设置来将该新逻辑-物理地址映射表收集至该收集以及更新空间、并系于该收集以及更新空间上对该新逻辑-物理地址映射表作更新。将已出现在该收集以及更新空间的一已暂存逻辑-物理地址映射表所对应的逻辑地址载入该物理-逻辑地址映射表时，该微控制器系设置来在该收集以及更新空间作该已暂存逻辑-物理地址映射表的更新。该微控制器系设置来基于该收集以及更新空间所收集且更新的逻辑-物理地址映射表对该快闪存储器所载的逻辑-物理地址映射关系作更新。
根据本案一种实施方式所实现的一快闪存储器控制方法包括以下步骤：为一快闪存储器提供一随机存取存储器，该快闪存储器提供划分为多个区块的储存空间，且各区块包括多个物理页；在该随机存取存储器为该快闪存储器的这些区块中的一数据接收区块建立一物理-逻辑地址映射表；配置该随机存取存储器为该物理-逻辑地址映射表所载的逻辑地址所对应的逻辑-物理地址映射表提供一收集以及更新空间。将尚未出现在该收集以及更新空间的一新逻辑-物理地址映射表所对应的逻辑地址载入该物理-逻辑地址映射表时，该新逻辑-物理地址映射表系收集至该收集以及更新空间，且该新逻辑-物理地址映射系在该收集以及更新空间上作更新。将已出现在该收集以及更新空间的一已暂存逻辑-物理地址映射表的逻辑地址载入该物理-逻辑地址映射表时，该已暂存逻辑-物理地址映射表系在该收集以及更新空间作更新。载于该快闪存储器上的一逻辑-物理地址映射关系可基于该收集以及更新空间所收集以及更新的逻辑-物理地址映射表作更新。
下文特举实施例，并配合所附图示，详细说明本发明内容。
附图说明
图1图解一快闪存储器100的储存空间规划；
图2为方块图，根据本案一种实施方式图解一数据储存装置200；
图3为流程图，根据本案一种实施方式图解逻辑-物理地址映射关系(H2F)的即时下载以及更新技术，其中，写入数据系写入该数据接收区块214；且
图4为流程图，图解如何更新该逻辑-物理地址映射关系H2F。
【附图标记说明】
100～快闪存储器；      102～物理页；
104、106、108以及110～区段；
200～数据储存装置；    202～主机；
204～快闪存储器；      206～控制单元；
208～系统内程序区块；  210～系统信息区块；
212～闲置区块；        214～数据接收区块；
216～数据集合；        220～微控制器；
222～随机存取存储器；  224～只读存储器；
BLK4、BLK2…BLKN～区块；
F2H～物理-逻辑地址映射表；
H1、H2…Hk…Hm～逻辑地址；
H2F～逻辑-物理地址映射关系；
H2F_H1、H2F_H2…H2F_Hk…H2F_Hm～逻辑-物理地址映射表。
Hm(LBAk0～LBAk0+7)、Hm+1(LBAk1～LBAk1+7)、Hm+2(LBAk2～LBAk2+7)、Hm+3(LBAk3～LBAk3+7)～主机页；
S302…S310、S402…S406～步骤。
具体实施方式
以下叙述列举本发明的多种实施例。以下叙述介绍本发明的基本概念，且并非意图限制本发明内容。实际发明范围应依照权利要求书界定之。
图1图解一快闪存储器100的储存空间规划。快闪存储器100所供应的储存空间系划分为多个区块(blocks)BLK1、BLK2…BLKN…等。各区块包括多个物理页(pages)。各物理页包括多个区段(sectors)。例如，区块BLKN上的物理页102包括四个区段104、106、108以及110。
若各区段系配置储存一主机页的使用者数据(对应一串逻辑地址，如LBAk～LBAk+7)，各物理页系配置给四个主机页使用。例如，区段104、106、108以及110系分别对应主机页Hm(即，LBAk0～LBAk0+7)、Hm+1(即，LBAk1～LBAk1+7)、Hm+2(即，LBAk2～LBAk2+7)、Hm+3(即，LBAk3～LBAk3+7)。若一区块包括128个物理页，则系有128x4个主机页对应一区块的128x4个区段。针对各区块，如此128x4个区段以及128x4个主机页之间的映射信息需记录下来，供管理储存空间使用；为极大数据量。
图2为方块图，根据本案一种实施方式图解一数据储存装置200。数据储存装置200系根据主机202所下达的数据运作，包括一快闪存储器204以及一控制单元206。快闪存储器204的多个区块(blocks)系配置作多种用途。部分区块208系用于储存系统内程序码(in-system programs，简称ISPs)。部分区块210储存系统信息(system information)，包括一逻辑-物理地址映射关系H2F。部分区块212为闲置区块。数据接收区块214系配置自这些闲置区块，用以写入数据，且将推入数据集合216作为数据区块。快闪存储器204可更包括未作任何配置使用的区块(free blocks)，未显示于图示中。
控制单元206耦接该快闪存储器204至该主机202，且包括一微控制器220、一随机存取存储器222以及一只读存储器224。只读程序码系储存于只读存储器224中。微控制器220包括执行该只读存储器224内的只读程序码(ROM code)或/以及执行该快闪存储器204的这些区块208内的系统内程序码，据以操作该快闪存储器204。微控制器220系设置来执行该快闪存储器204的区块配置(如图2所示)，并于该随机存取存储器222上建立一物理-逻辑地址映射表F2H，并于该快闪存储器204内储存逻辑-物理地址映射关系H2F。物理-逻辑地址映射表F2H系建立在随机存取存储器220上，动态记载数据接收区块214的物理地址所对应的逻辑地址。如图所示，主机页H1、H2…Hk…Hm系循序对应数据接收区块214的多个区段。逻辑-物理地址映射关系H2F显示主机202地址(即逻辑地址)以及快闪存储器204之间的映射，系载于快闪存储器204上作非挥发性储存。逻辑-物理地址映射关系H2F可以多个逻辑-物理地址映射表呈现。如图所示，对应主机页H1、H2…Hk…Hm…的逻辑-物理地址映射表H2F_H1、H2F_H2…H2F_Hk…H2F_Hm可自逻辑-物理地址映射关系H2F取得。各逻辑-物理地址映射表可包含一串逻辑地址的映射信息。
除了在随机存取存储器222上为数据接收区块214建立物理-逻辑地址映射表F2H，微控制器220可更设置来配置该随机存取存储器222供应一收集以及更新空间H2F_M_A给该物理-逻辑地址映射表F2H所载的逻辑地址H1、H2…Hk…Hm对应的逻辑-物理地址映射表H2F_H1、H2F_H2…H2F_Hk…H2F_Hm，实现即时的逻辑-物理地址映射关系H2F的下载以及更新。将尚未出现在该收集以及更新空间H2F_M_A的一新逻辑-物理地址映射表所对应的一逻辑地址更新至该物理-逻辑地址映射表F2H时，该微控制器220系设置来自该快闪存储器204所载的该逻辑-物理地址映射关系H2F获取该新逻辑-物理地址映射表，并将该新逻辑-物理地址映射表收集至该收集以及更新空间H2F_M_A。该为控制器220系设置来在该收集以及更新空间H2F_M_A实施该新逻辑-物理地址映射表的更新。将已出现在该收集以及更新空间H2F_M_A的一已暂存逻辑-物理地址映射表所对应的一逻辑地址记载至该物理-逻辑地址映射表F2H时，该微控制器220不再次读取该快闪存储器204收集该已暂存逻辑-物理地址映射表。该微控制器220系设置来在该收集以及更新空间H2F_M_A上实施该已暂存逻辑-物理地址映射表的更新。该收集以及更新空间H2F_M_A所收集以及更新的该已暂存逻辑-物理地址映射表更会由该微控制器222读取，以写入该快闪存储器204更新该逻辑-物理地址映射关系H2F。
根据前述技术，频繁变动的数据所对应的逻辑-物理地址映射表不会反复自该快闪存储器204下载做修正再上传回该快闪存储器204。写入序列数据(具连续逻辑地址)至快闪存储器204时，一序列的写入逻辑地址可能对应同样的逻辑-物理地址映射表。因此，需求的逻辑-物理地址映射表仅一次下载至该收集以及更新空间H2F_M_A，随一序列写入操作后最终方上传回该快闪存储器204。
图3为流程图，根据本案一种实施方式图解逻辑-物理地址映射关系(H2F)的即时下载与更新，其中写入数据系写入该数据接收区块214。步骤S302检查逻辑写入页HPage_Write所对应的逻辑-物理地址映射表H2F_Hpage_Write是否已存入该收集以及更新空间H2F_M_A。若否，步骤S304检查该收集以及更新空间H2F_M_A是否还足以容纳该逻辑-物理地址映射表H2F_HPage_Write。若该收集以及更新空间H2F_M_A不足以储存该逻辑-物理地址映射表H2F_HPage_Write，步骤S306令该收集以及更新空间H2F_M_A上的数据无效。若该收集以及更新空间H2F_M_A尚有空间储存该逻辑-物理地址映射表H2F_HPage_Write，步骤S308以及S310自该快闪存储器204将该逻辑-物理地址映射表H2F_HPage_Write载入该收集以及更新区域H2F_M_A，并在该收集以及更新空间H2F_M_A上作该逻辑-物理地址映射表H2F_HPage_Write的更新。特别是，当步骤S302判定对应该逻辑写入页HPage_Write的该逻辑-物理地址映射表H2F_HPage_Write已储存于该收集以及更新空间H2F_M_A，流程将省略步骤S304以及S308而进行步骤S310，在该收集以及更新空间H2F_M_A上对已经储存于该收集以及更新空间H2F_M_A的该逻辑-物理地址映射表HPage_Write作更新。
图4为流程图，图解该逻辑-物理地址映射关系H2F系如何更新。步骤S402检查该收集以及更新空间H2F_M_A。若该收集以及更新空间H2F_M_A的数据有效，步骤S404将该收集以及更新空间H2F_M_A所收集且更新的逻辑-物理地址映射表上传至该快闪存储器204更新该逻辑-物理地址映射关系H2F。该收集以及更新空间H2F_M_A上的数据为无效时，表示该收集以及更新空间H2F_M_A上的数据必须被舍弃，步骤S406因而执行，扫描该物理-逻辑地址映射表F2H，将该物理-逻辑地址映射表F2H所载的逻辑地址对应的逻辑-物理地址映射表自该随快闪存储器204随着该物理-逻辑地址映射表F2H的扫描下载至该随机存取存储器222、并在该随机存取存储器222上进行更新再上传回该快闪存储器204。
其他采用上述概念控制一快闪存储器的技术都属于本案所欲保护的范围。基于以上技术内容，本案更涉及快闪存储器的控制方法，不限定以特定架构的控制单元实现。
虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何熟悉此项技艺者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可做些许更动与润饰，因此本发明的保护范围当视权利要求书所界定者为准。

Claims (14)

1.一种数据储存装置，包括：
一快闪存储器，划分为多个区块，且上述区块各自包括多个物理页；以及
一控制单元，耦接该快闪存储器至一主机，且包括一微控制器以及一随机存取存储器；
其中：
该微控制器系设置来在该随机存取存储器上为该快闪存储器的该多个区块中的一数据接收区块建立一物理-逻辑地址映射表；
该微控制器系更设置来配置该随机存取存储器为该物理-逻辑地址映射表上所记载的逻辑地址所对应的逻辑-物理地址映射表供应一收集以及更新空间；以及
将尚未出现在该收集以及更新空间的一新逻辑-物理地址映射表所对应的一逻辑地址载入该物理-逻辑地址映射表时，该微控制器系更设置来将该新逻辑-物理物址映射表收集至该收集以及更新空间，并在该收集以及更新空间上对该新逻辑-物理地址映射表作更新。
2.如权利要求1所述的数据储存装置，其特征在于：
将已出现在该收集以及更新空间的一已暂存逻辑-物理地址映射表所对应的一逻辑地址载入该物理-逻辑地址映射表时，该微控制器系更设置来在该收集以及更新空间上对该已暂存逻辑-物理地址映射表作更新。
3.如权利要求2所述的数据储存装置，其特征在于：
该微控制器系设置来根据该收集以及更新空间所收集以及更新的逻辑-物理地址映射表更新该快闪存储器所载的一逻辑-物理地址映射关系。
4.如权利要求2所述的数据储存装置，其特征在于：
该微控制器系设置来在该收集以及更新空间不足以记录该物理-逻辑地址映射表所载的逻辑地址所对应的逻辑-物理地址映射表时，令该收集以及更新空间无效。
5.如权利要求4所述的数据储存装置，其特征在于：
该微控制器系设置来在该收集以及更新空间非无效时，将该收集以及更新空间内所收集以及更新的逻辑-物理地址映射表上传至该快闪存储器，以更新该快闪存储器所载的一逻辑-物理地址映射关系。
6.如权利要求5所述的数据储存装置，其特征在于：
该微控制器系设置来在该收集以及更新空间无效时，舍弃该收集以及更新空间中的数据。
7.如权利要求6所述的数据储存装置，其特征在于：
该收集以及更新空间中的数据被舍弃时，该微控制器系设置来扫描该物理-逻辑地址映射表，据以将该物理-逻辑地址映射表所载的逻辑地址所对应的逻辑-物理地址映射表自该快闪存储器载入该随机存取存储器；以及
随着扫描该物理-逻辑地址映射表而下载至该随机存取存储器的逻辑-物理地址映射表系在该随机存取存储器上更新，继而上传回该快闪存储器。
8.一种快闪存储器控制方法，包括步骤：
为一快闪存储器供应一随机存取存储器，该快闪存储器的储存空间系划分为多个区块，且上述区块各自包括多个物理页；
在该随机存取存储器上为该快闪存储器的该多个区块中的一数据接收区块建立一物理-逻辑地址映射表；以及
配置该随机存取存储器为该物理-逻辑地址映射表上所记载的逻辑地址所对应的逻辑-物理地址映射表供应一收集以及更新空间；
其中，将尚未出现在该收集以及更新空间的一新逻辑-物理地址映射表所对应的一逻辑地址载入该物理-逻辑地址映射表时，将该新逻辑-物理物址映射表收集至该收集以及更新空间，并在该收集以及更新空间上对该新逻辑-物理地址映射表作更新。
9.如权利要求8所述的快闪存储器控制方法，其特征在于：
将已出现在该收集以及更新空间的一已暂存逻辑-物理地址映射表所对应的一逻辑地址载入该物理-逻辑地址映射表时，该已暂存逻辑-物理地址映射表的更新系于该收集以及更新空间上执行。
10.如权利要求9所述的快闪存储器控制方法，其特征在于，更包括：
根据该收集以及更新空间所收集以及更新的逻辑-物理地址映射表，更新该快闪存储器所载的一逻辑-物理地址映射关系。
11.如权利要求9所述的快闪存储器控制方法，其特征在于，更包括：
在该收集以及更新空间不足以记录该物理-逻辑地址映射表所载的逻辑地址所对应的逻辑-物理地址映射表时，令该收集以及更新空间无效。
12.如权利要求11所述的快闪存储器控制方法，其特征在于，更包括：
在该收集以及更新空间非无效时，将该收集以及更新空间内所收集以及更新的逻辑-物理地址映射表上传至该快闪存储器，以更新该快闪存储器所载的一逻辑-物理地址映射关系。
13.如权利要求12所述的快闪存储器控制方法，其特征在于，更包括：
在该收集以及更新空间无效时，舍弃该收集以及更新空间中的数据。
14.如权利要求13所述的快闪存储器控制方法，其特征在于：
该收集以及更新空间中的数据被舍弃时，该物理-逻辑地址映射表系经扫描，以将该物理-逻辑地址映射表所载的逻辑地址所对应的逻辑-物理地址映射表自该快闪存储器载入该随机存取存储器；且
随着扫描该物理-逻辑地址映射表而下载至该随机存取存储器的逻辑-物理地址映射表系在该随机存取存储器上更新，继而上传回该快闪存储器。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108932107A (zh) * 2017-05-29 2018-12-04 爱思开海力士有限公司 数据存储装置及其操作方法
CN109582599A (zh) * 2017-09-29 2019-04-05 上海宝存信息科技有限公司 数据储存装置以及非挥发式存储器操作方法
CN110334035A (zh) * 2018-03-31 2019-10-15 慧荣科技股份有限公司 数据储存系统的控制单元以及逻辑至物理映射表更新方法
CN111338562A (zh) * 2018-12-18 2020-06-26 慧荣科技股份有限公司 数据存储装置与数据处理方法
CN112506814A (zh) * 2020-11-17 2021-03-16 合肥康芯威存储技术有限公司 一种存储器及其控制方法与存储系统
CN112559386A (zh) * 2020-12-22 2021-03-26 深圳忆联信息系统有限公司 提升ssd性能的方法、装置、计算机设备及存储介质
CN112668642A (zh) * 2020-12-28 2021-04-16 高新兴智联科技有限公司 一种机动车电子标识与视频结合系统及方法

Families Citing this family (77)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9811275B2 (en) * 2015-02-27 2017-11-07 Toshiba Memory Corporation Memory system and data control method
US10007451B2 (en) * 2015-03-20 2018-06-26 SK Hynix Inc. Scalable SPOR algorithm for flash memories
US9703498B1 (en) * 2015-06-29 2017-07-11 EMC IP Holding Company LLC Allocating space in a file system from sequential and random cursors
TWI563510B (en) * 2015-07-24 2016-12-21 Phison Electronics Corp Mapping table accessing method, memory control circuit unit and memory storage device
TWI575374B (zh) * 2015-08-04 2017-03-21 群聯電子股份有限公司 映射表格更新方法、記憶體儲存裝置及記憶體控制電路單元
TWI534619B (zh) * 2015-09-11 2016-05-21 慧榮科技股份有限公司 動態邏輯分段方法以及使用該方法的裝置
TWI646461B (zh) * 2016-10-12 2019-01-01 慧榮科技股份有限公司 資料儲存裝置及其資料維護方法
TWI537729B (zh) 2015-10-15 2016-06-11 慧榮科技股份有限公司 資料儲存裝置及其資料維護方法
US10073769B2 (en) 2015-10-15 2018-09-11 Silicon Motion, Inc. Data storage device and data maintenance method thereof
TWI604308B (zh) 2015-11-18 2017-11-01 慧榮科技股份有限公司 資料儲存裝置及其資料維護方法
KR102625637B1 (ko) * 2016-02-01 2024-01-17 에스케이하이닉스 주식회사 데이터 저장 장치 및 그것의 동작 방법
CN105868122A (zh) * 2016-03-28 2016-08-17 深圳市硅格半导体股份有限公司 快闪存储设备的数据处理方法及装置
TWI603193B (zh) * 2016-03-31 2017-10-21 慧榮科技股份有限公司 資料儲存裝置及其資料維護方法
US9910772B2 (en) * 2016-04-27 2018-03-06 Silicon Motion Inc. Flash memory apparatus and storage management method for flash memory
CN107391026B (zh) 2016-04-27 2020-06-02 慧荣科技股份有限公司 闪存装置及闪存存储管理方法
CN107391296B (zh) 2016-04-27 2020-11-06 慧荣科技股份有限公司 存取闪存模块的方法及相关的闪存控制器与记忆装置
US10019314B2 (en) 2016-04-27 2018-07-10 Silicon Motion Inc. Flash memory apparatus and storage management method for flash memory
US10289487B2 (en) 2016-04-27 2019-05-14 Silicon Motion Inc. Method for accessing flash memory module and associated flash memory controller and memory device
CN111679787B (zh) 2016-04-27 2023-07-18 慧荣科技股份有限公司 闪存装置、闪存控制器及闪存存储管理方法
TW201742063A (zh) 2016-05-30 2017-12-01 慧榮科技股份有限公司 資料儲存方法及發生電源中斷事件後之系統初始化之方法
CN106201903B (zh) * 2016-07-05 2019-07-30 深圳市领存技术有限公司 一种三维闪存擦除控制方法及其系统
KR20180019419A (ko) 2016-08-16 2018-02-26 삼성전자주식회사 메모리 컨트롤러, 메모리 시스템 및 그 동작방법
KR20180031851A (ko) * 2016-09-19 2018-03-29 에스케이하이닉스 주식회사 메모리 시스템 및 메모리 시스템의 동작 방법
TWI607312B (zh) 2016-10-07 2017-12-01 慧榮科技股份有限公司 資料儲存裝置及其資料寫入方法
TWI640868B (zh) * 2016-10-07 2018-11-11 慧榮科技股份有限公司 資料儲存裝置及其資料寫入方法
TWI619018B (zh) * 2016-11-10 2018-03-21 慧榮科技股份有限公司 可用於資料儲存裝置之垃圾蒐集方法
TWI670640B (zh) * 2016-11-25 2019-09-01 慧榮科技股份有限公司 可用於資料儲存裝置之資料儲存方法與資料回復程序、以及採用這些方法的資料儲存裝置
TWI591533B (zh) 2016-11-25 2017-07-11 慧榮科技股份有限公司 可用於資料儲存裝置之資料儲存方法與資料回復程序、以及採用這些方法的資料儲存裝置
TWI627531B (zh) * 2016-11-28 2018-06-21 慧榮科技股份有限公司 資料儲存裝置以及其操作方法
KR20180080589A (ko) * 2017-01-04 2018-07-12 에스케이하이닉스 주식회사 데이터 저장 장치 및 그것의 동작 방법
TWI659307B (zh) * 2017-01-06 2019-05-11 慧榮科技股份有限公司 資料儲存裝置以及快閃記憶體控制方法
TWI602116B (zh) 2017-03-07 2017-10-11 Silicon Motion Inc 資料儲存裝置及其資料維護方法
TWI653533B (zh) * 2017-03-07 2019-03-11 慧榮科技股份有限公司 資料儲存裝置以及其操作方法
TWI644250B (zh) * 2017-03-07 2018-12-11 慧榮科技股份有限公司 電子系統及其資料維護方法
CN108733575B (zh) * 2017-04-20 2022-12-27 深圳市得一微电子有限责任公司 一种断电重启后逻辑对物理映像表的重建方法、固态硬盘
TWI639917B (zh) * 2017-04-25 2018-11-01 慧榮科技股份有限公司 資料儲存裝置及映射表重建方法
US10141050B1 (en) * 2017-04-27 2018-11-27 Pure Storage, Inc. Page writes for triple level cell flash memory
CN108959108B (zh) 2017-05-26 2021-08-24 上海宝存信息科技有限公司 固态硬盘访问方法以及使用该方法的装置
TWI633437B (zh) 2017-05-26 2018-08-21 慧榮科技股份有限公司 偵測使用中邏輯頁面之資料儲存裝置與資料儲存方法
TWI672590B (zh) * 2017-06-27 2019-09-21 慧榮科技股份有限公司 資料儲存裝置
TWI630540B (zh) * 2017-07-13 2018-07-21 慧榮科技股份有限公司 資料儲存裝置及非揮發式記憶體操作方法
CN107391046B (zh) * 2017-08-02 2021-04-20 郑州云海信息技术有限公司 一种raid系统的数据写入方法及装置
CN108132853A (zh) * 2017-11-24 2018-06-08 北京动力机械研究所 用于发动机控制器软件的上电校验双冗余引导加载方法
TWI733964B (zh) * 2017-12-13 2021-07-21 英業達股份有限公司 記憶體整體測試之系統及其方法
CN107967125A (zh) * 2017-12-20 2018-04-27 北京京存技术有限公司 闪存转换层的管理方法、装置及计算机可读存储介质
TWI649755B (zh) * 2017-12-22 2019-02-01 慧榮科技股份有限公司 資料儲存裝置與記憶體裝置之資料處理方法
TWI668700B (zh) * 2017-12-22 2019-08-11 慧榮科技股份有限公司 資料儲存裝置與記憶體裝置之資料處理方法
TWI645404B (zh) * 2017-12-28 2018-12-21 慧榮科技股份有限公司 資料儲存裝置以及非揮發式記憶體操作方法
TWI670594B (zh) * 2018-01-18 2019-09-01 慧榮科技股份有限公司 資料儲存裝置
CN108255436A (zh) * 2018-01-25 2018-07-06 广东美的制冷设备有限公司 数据存取方法、存取装置、家电设备和可读存储介质
TWI664527B (zh) * 2018-03-20 2019-07-01 慧榮科技股份有限公司 用來於一記憶裝置中進行初始化之方法、記憶裝置及其控制器以及電子裝置
JP2019185350A (ja) * 2018-04-09 2019-10-24 東芝メモリ株式会社 メモリシステム及びメモリシステムの制御方法
TWI669610B (zh) * 2018-06-13 2019-08-21 慧榮科技股份有限公司 資料儲存裝置以及非揮發式記憶體控制方法
TWI678622B (zh) * 2018-06-15 2019-12-01 慧榮科技股份有限公司 資料儲存裝置的開發系統以及產品化方法
US10534551B1 (en) * 2018-06-22 2020-01-14 Micron Technology, Inc. Managing write operations during a power loss
CN110955384B (zh) * 2018-09-26 2023-04-18 慧荣科技股份有限公司 数据储存装置以及非挥发式存储器控制方法
CN109446109B (zh) * 2018-10-25 2021-06-29 江苏华存电子科技有限公司 一种混合型记录实体映像表的方法
CN113168377B (zh) * 2018-10-29 2024-04-23 美光科技公司 Slc高速缓存分配
CN109582222B (zh) * 2018-10-31 2020-11-24 华中科技大学 一种主机感知瓦记录磁盘中持久缓存的清理方法
TW202018513A (zh) * 2018-11-07 2020-05-16 威剛科技股份有限公司 固態硬碟及其資料存取的方法
KR20200058867A (ko) * 2018-11-20 2020-05-28 에스케이하이닉스 주식회사 메모리 시스템의 복구 동작 중 비휘발성 메모리 블록의 반복 접근을 줄이는 방법 및 장치
TWI704456B (zh) * 2018-11-22 2020-09-11 慧榮科技股份有限公司 資料儲存裝置與資料存取方法
KR102637478B1 (ko) 2018-12-05 2024-02-15 삼성전자주식회사 오픈 채널 솔리드 스테이트 드라이브, 이를 포함하는 비휘발성 메모리 시스템 및 오픈 채널 솔리드 스테이트 드라이브의 파워 로스 프로텍션 방법
US11288185B2 (en) 2019-01-03 2022-03-29 Silicon Motion, Inc. Method and computer program product for performing data writes into a flash memory
CN111399750B (zh) * 2019-01-03 2023-05-26 慧荣科技股份有限公司 闪存数据写入方法及计算机可读取存储介质
TWI709854B (zh) * 2019-01-21 2020-11-11 慧榮科技股份有限公司 資料儲存裝置及用於存取邏輯至物理位址映射表之方法
JP6708762B1 (ja) * 2019-01-29 2020-06-10 ウィンボンド エレクトロニクス コーポレーション 半導体記憶装置
CN111610929B (zh) * 2019-02-26 2023-04-14 慧荣科技股份有限公司 数据储存装置以及非挥发式存储器控制方法
TWI695264B (zh) * 2019-05-20 2020-06-01 慧榮科技股份有限公司 資料儲存裝置與資料處理方法
TWI745695B (zh) * 2019-05-22 2021-11-11 慧榮科技股份有限公司 用來進行無預警斷電復原管理之方法、記憶裝置及其控制器以及電子裝置
CN112100087B (zh) * 2019-06-17 2024-04-02 慧荣科技股份有限公司 数据储存装置以及非挥发式存储器控制方法
TWI726524B (zh) * 2019-12-09 2021-05-01 新唐科技股份有限公司 電子處理裝置及記憶體控制方法
TWI738308B (zh) * 2020-04-27 2021-09-01 宇瞻科技股份有限公司 基於分頁模式備份資料的固態硬碟以及基於分頁模式的固態硬碟資料備份方法
KR20220142192A (ko) * 2021-04-14 2022-10-21 에스케이하이닉스 주식회사 저장 장치 및 그 동작 방법
CN113535092B (zh) * 2021-07-20 2024-05-17 阿里巴巴创新公司 用于减少内存元数据的存储引擎、方法和可读介质
US11615020B2 (en) * 2021-08-12 2023-03-28 Micron Technology, Inc. Implementing mapping data structures to minimize sequentially written data accesses
CN114356246B (zh) * 2022-03-17 2022-05-13 北京得瑞领新科技有限公司 Ssd内部数据的存储管理方法、装置、存储介质及ssd设备

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6895490B1 (en) * 2001-04-09 2005-05-17 Matrix Semiconductor, Inc. Method for making a write-once memory device read compatible with a write-many file system
CN101123116A (zh) * 2006-08-09 2008-02-13 安国国际科技股份有限公司 存储装置及其读写方法
CN102332290A (zh) * 2010-05-24 2012-01-25 慧荣科技股份有限公司 用来管理和存取闪存模块的控制器
US8352706B2 (en) * 2008-12-27 2013-01-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Memory system managing address translation table and method of controlling thereof

Family Cites Families (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7886108B2 (en) 2000-01-06 2011-02-08 Super Talent Electronics, Inc. Methods and systems of managing memory addresses in a large capacity multi-level cell (MLC) based flash memory device
US8078794B2 (en) 2000-01-06 2011-12-13 Super Talent Electronics, Inc. Hybrid SSD using a combination of SLC and MLC flash memory arrays
US8266367B2 (en) * 2003-12-02 2012-09-11 Super Talent Electronics, Inc. Multi-level striping and truncation channel-equalization for flash-memory system
US6970890B1 (en) 2000-12-20 2005-11-29 Bitmicro Networks, Inc. Method and apparatus for data recovery
US7085879B2 (en) 2002-02-27 2006-08-01 Microsoft Corporation Dynamic data structures for tracking data stored in a flash memory device
CN100590737C (zh) 2003-01-26 2010-02-17 深圳市朗科科技股份有限公司 闪存介质中的数据管理方法
US7904635B2 (en) * 2003-03-04 2011-03-08 Netac Technology Co., Ltd. Power cut data recovery and data management method for flash media
TW594477B (en) * 2003-05-02 2004-06-21 Genesys Logic Inc Method and related device for accessing non-volatile memory of dual platforms for PC and X-BOX
US6988175B2 (en) 2003-06-30 2006-01-17 M-Systems Flash Disk Pioneers Ltd. Flash memory management method that is resistant to data corruption by power loss
US7509474B2 (en) * 2005-06-08 2009-03-24 Micron Technology, Inc. Robust index storage for non-volatile memory
KR101257848B1 (ko) 2005-07-13 2013-04-24 삼성전자주식회사 복합 메모리를 구비하는 데이터 저장 시스템 및 그 동작방법
US20070156998A1 (en) * 2005-12-21 2007-07-05 Gorobets Sergey A Methods for memory allocation in non-volatile memories with a directly mapped file storage system
EP1966699A2 (en) * 2005-12-22 2008-09-10 Nxp B.V. Memory with block-erasable locations and a linked chain of pointers to locate blocks with pointer information
US7711923B2 (en) * 2006-06-23 2010-05-04 Microsoft Corporation Persistent flash memory mapping table
KR100771521B1 (ko) 2006-10-30 2007-10-30 삼성전자주식회사 멀티 레벨 셀을 포함하는 플래시 메모리 장치 및 그것의데이터 쓰기 방법
KR100833188B1 (ko) 2006-11-03 2008-05-28 삼성전자주식회사 데이터의 특성에 따라 싱글 레벨 셀 또는 멀티 레벨 셀에데이터를 저장하는 불휘발성 메모리 시스템
KR101490327B1 (ko) * 2006-12-06 2015-02-05 퓨전-아이오, 인크. 뱅크 인터리브를 이용한 솔리드-스테이트 스토리지의 명령 관리 장치, 시스템 및 방법
US8762620B2 (en) 2007-12-27 2014-06-24 Sandisk Enterprise Ip Llc Multiprocessor storage controller
JP4533968B2 (ja) 2007-12-28 2010-09-01 株式会社東芝 半導体記憶装置及びその制御方法、コントローラ、情報処理装置
KR101067457B1 (ko) 2008-03-01 2011-09-27 가부시끼가이샤 도시바 메모리 시스템
TWI472916B (zh) * 2008-06-02 2015-02-11 A Data Technology Co Ltd 記憶體儲存空間管理方法
US8843691B2 (en) 2008-06-25 2014-09-23 Stec, Inc. Prioritized erasure of data blocks in a flash storage device
US8321652B2 (en) * 2008-08-01 2012-11-27 Infineon Technologies Ag Process and method for logical-to-physical address mapping using a volatile memory device in solid state disks
CN101667157A (zh) 2008-09-04 2010-03-10 群联电子股份有限公司 闪存数据传输方法、闪存储存系统及控制器
TWI467369B (zh) 2008-10-01 2015-01-01 A Data Technology Co Ltd 混合密度記憶體系統及其控制方法
US8412880B2 (en) 2009-01-08 2013-04-02 Micron Technology, Inc. Memory system controller to manage wear leveling across a plurality of storage nodes
US8832353B2 (en) * 2009-04-07 2014-09-09 Sandisk Technologies Inc. Host stop-transmission handling
US20100306451A1 (en) * 2009-06-01 2010-12-02 Joshua Johnson Architecture for nand flash constraint enforcement
US8688894B2 (en) * 2009-09-03 2014-04-01 Pioneer Chip Technology Ltd. Page based management of flash storage
TWI407310B (zh) 2009-10-09 2013-09-01 Silicon Motion Inc 資料儲存裝置及資料存取方法
US8291194B2 (en) 2009-11-16 2012-10-16 Mediatek Inc. Methods of utilizing address mapping table to manage data access of storage medium without physically accessing storage medium and related storage controllers thereof
KR101662827B1 (ko) 2010-07-02 2016-10-06 삼성전자주식회사 쓰기 패턴에 따라 데이터 블록의 쓰기 모드를 선택하는 메모리 시스템 및 그것의 데이터 쓰기 방법
KR101811297B1 (ko) 2011-03-15 2017-12-27 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리를 제어하는 메모리 컨트롤러
CN102682848B (zh) 2011-03-16 2016-12-07 三星电子株式会社 存储器装置、存储器卡、固态驱动器、系统及其操作方法
US20120297121A1 (en) 2011-05-17 2012-11-22 Sergey Anatolievich Gorobets Non-Volatile Memory and Method with Small Logical Groups Distributed Among Active SLC and MLC Memory Partitions
KR20140040137A (ko) 2011-05-17 2014-04-02 샌디스크 테크놀로지스, 인코포레이티드 활성 slc 및 mlc 메모리 분할들 간에 분포된 작은 논리 그룹들을 가진 비휘발성 메모리 및 방법
CN103106143B (zh) * 2011-11-11 2016-01-13 光宝科技股份有限公司 固态储存装置及其逻辑至实体对应表建立方法
CN102591748A (zh) 2011-12-29 2012-07-18 记忆科技(深圳)有限公司 固态硬盘及其掉电保护方法、系统
US9244833B2 (en) 2012-05-30 2016-01-26 Silicon Motion, Inc. Data-storage device and flash memory control method
TWI544334B (zh) 2012-05-30 2016-08-01 慧榮科技股份有限公司 資料儲存裝置與資料儲存裝置操作方法
TWI477966B (zh) 2012-05-31 2015-03-21 Silicon Motion Inc 資料儲存裝置與快閃記憶體操作方法
US20130326169A1 (en) 2012-05-31 2013-12-05 Amir Shaharabany Method and Storage Device for Detection of Streaming Data Based on Logged Read/Write Transactions
US8910017B2 (en) 2012-07-02 2014-12-09 Sandisk Technologies Inc. Flash memory with random partition
US9146857B2 (en) * 2012-08-18 2015-09-29 Storart Technology Co. Ltd. Method for mapping management
US9268682B2 (en) 2012-10-05 2016-02-23 Skyera, Llc Methods, devices and systems for physical-to-logical mapping in solid state drives
US9098400B2 (en) 2012-10-31 2015-08-04 International Business Machines Corporation Dynamic tuning of internal parameters for solid-state disk based on workload access patterns
US8954694B2 (en) 2012-11-15 2015-02-10 Western Digital Technologies, Inc. Methods, data storage devices and systems for fragmented firmware table rebuild in a solid state drive
CN103150125B (zh) 2013-02-20 2015-06-17 郑州信大捷安信息技术股份有限公司 提高掉电保护数据缓冲存储器使用寿命的方法及智能卡
US8990458B2 (en) 2013-02-28 2015-03-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Controller, semiconductor storage device and method of controlling data writing
US20150127687A1 (en) * 2013-11-04 2015-05-07 Roger Graves System and methods for creating and modifying a hierarchial data structure
US20150261444A1 (en) 2014-03-12 2015-09-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Memory system and information processing device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6895490B1 (en) * 2001-04-09 2005-05-17 Matrix Semiconductor, Inc. Method for making a write-once memory device read compatible with a write-many file system
CN101123116A (zh) * 2006-08-09 2008-02-13 安国国际科技股份有限公司 存储装置及其读写方法
US8352706B2 (en) * 2008-12-27 2013-01-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Memory system managing address translation table and method of controlling thereof
CN102332290A (zh) * 2010-05-24 2012-01-25 慧荣科技股份有限公司 用来管理和存取闪存模块的控制器

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108932107A (zh) * 2017-05-29 2018-12-04 爱思开海力士有限公司 数据存储装置及其操作方法
CN108932107B (zh) * 2017-05-29 2021-06-25 爱思开海力士有限公司 数据存储装置及其操作方法
CN109582599A (zh) * 2017-09-29 2019-04-05 上海宝存信息科技有限公司 数据储存装置以及非挥发式存储器操作方法
CN109582599B (zh) * 2017-09-29 2023-12-22 上海宝存信息科技有限公司 数据储存装置以及非挥发式存储器操作方法
CN110334035A (zh) * 2018-03-31 2019-10-15 慧荣科技股份有限公司 数据储存系统的控制单元以及逻辑至物理映射表更新方法
CN110334035B (zh) * 2018-03-31 2022-11-25 慧荣科技股份有限公司 数据储存系统的控制单元以及逻辑至物理映射表更新方法
CN111338562A (zh) * 2018-12-18 2020-06-26 慧荣科技股份有限公司 数据存储装置与数据处理方法
CN111338562B (zh) * 2018-12-18 2023-06-09 慧荣科技股份有限公司 数据存储装置与数据处理方法
CN112506814A (zh) * 2020-11-17 2021-03-16 合肥康芯威存储技术有限公司 一种存储器及其控制方法与存储系统
CN112506814B (zh) * 2020-11-17 2024-03-22 合肥康芯威存储技术有限公司 一种存储器及其控制方法与存储系统
CN112559386A (zh) * 2020-12-22 2021-03-26 深圳忆联信息系统有限公司 提升ssd性能的方法、装置、计算机设备及存储介质
CN112668642A (zh) * 2020-12-28 2021-04-16 高新兴智联科技有限公司 一种机动车电子标识与视频结合系统及方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20150186262A1 (en) 2015-07-02
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TW201527974A (zh) 2015-07-16
TWI520139B (zh) 2016-02-01
TWI561982B (en) 2016-12-11
TWI570737B (zh) 2017-02-11
TW201527970A (zh) 2015-07-16
US9645895B2 (en) 2017-05-09
CN104750625A (zh) 2015-07-01
US20150186261A1 (en) 2015-07-02
CN104750619A (zh) 2015-07-01
US9727271B2 (en) 2017-08-08
CN104750625B (zh) 2017-10-03
CN104750619B (zh) 2018-05-11
CN104750618B (zh) 2017-11-24
US20150186263A1 (en) 2015-07-02
TWI611293B (zh) 2018-01-11
US9645894B2 (en) 2017-05-09
US20150186225A1 (en) 2015-07-02
US20170249219A1 (en) 2017-08-31
CN104750618A (zh) 2015-07-01
US20150186264A1 (en) 2015-07-02
US9542278B2 (en) 2017-01-10
US9632880B2 (en) 2017-04-25
CN104750626B (zh) 2018-01-12
TW201527971A (zh) 2015-07-16
TW201528281A (zh) 2015-07-16
TW201526003A (zh) 2015-07-01
CN104750616A (zh) 2015-07-01
CN104750615A (zh) 2015-07-01

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TWI544335B (zh) 資料儲存裝置以及快閃記憶體控制方法

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