TWI610612B - 多晶片自調式冷卻解決方案 - Google Patents

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Abstract

一種設備包括：主裝置及至少一輔助裝置，連接在對基板的平面陣列中；第一被動式熱交換器，設置在主裝置上且在對應到至少一輔助裝置的區域上具有開口；第二被動式熱交換器，設置在至少一輔助裝置上；至少一第一彈簧，可操作來在主裝置的方向上將力量施加到第一熱交換器；以及至少一第二彈簧，可操作來在輔助裝置的方向上將力量施加到第二熱交換器。一種方法包括：將被動式熱交換器放置在多晶片封裝上，以及偏轉彈簧來在位於封裝上的至少一輔助裝置的方向上施加力量。

Description

多晶片自調式冷卻解決方案
本發明關於一種多晶片產品的冷卻技術。
許多集成電路產品包括多晶片產品。多晶片產品的一個範例為包括微處理器及記憶體的封裝、以及配套裝置或部件(例如，晶片)。封裝可包含在所有部件上的單一集成散熱片(integrated heat spreader，IHS)、或用於各個部件的個別IHS。每一個封裝選項具有優點及缺點，然而每個部件仍需要足夠的冷卻。
不同的封裝選項顯著地影響到周圍熱阻的整體接合。在晶片和IHS之間的每一個熱介面材料(thermal interface material)(TIM1)的接合線厚度(bond line thickness，BLT)、以及在IHS和散熱器之間的熱介面材料(TIM2)為兩個最顯著的熱阻因子，連同晶片/IHS尺寸、功率密度(power density)以及總功率。
單一IHS設計提供了一個相對平坦的表面給冷卻解決方案(例如，被動式熱交換器(例如，散熱器))的介 面，但對TIM1的BLT以及因此造成的封裝熱阻(晶片到IHS)，單一IHS封裝選項可具有顯著影響。對於在單一IHS選項中IHS的內部的封裝的水平、或對於在具有個別IHS選項的冷卻解決方案的水平，每一部件之間的公差必須被考慮。對於利用單一IHS選項的多晶片產品內的特定晶片之TIM1的BLT之厚度，公差導致寬廣的範圍。當配套部件在尺寸上減少且在功率密度上增加時，來自TIM1的BLT的熱阻可顯著地影響封裝效能。
個別IHS封裝選項使在每個部件上的TIM1的BLT以及因此造成的封裝熱阻最小化。一個缺陷在於現在具有必須與冷卻解決方案構成介面的多個非共面(non-coplanar)的表面。冷卻解決方案(被動式熱交換器)通常被對齊於CPU的IHS，因此使其TIM2的BLT以及對應的熱阻最小化。但冷卻方案現在必須考慮到通常會在各個部件上導致大的TIM2的BLT範圍之各個別部件的IHS的變動和非平面性(non-planarity)。
100‧‧‧封裝
101‧‧‧組件
105‧‧‧基板
110‧‧‧晶片(中央處理單元)
120‧‧‧集成散熱片
130A‧‧‧記憶體晶片
130B‧‧‧記憶體晶片
135A‧‧‧集成散熱片
135B‧‧‧集成散熱片
140A‧‧‧記憶體晶片
140B‧‧‧記憶體晶片
145A‧‧‧集成散熱片
145B‧‧‧集成散熱片
150A‧‧‧記憶體晶片
150B‧‧‧記憶體晶片
155A‧‧‧集成散熱片
155B‧‧‧集成散熱片
160A‧‧‧配套晶片
160B‧‧‧配套晶片
165A‧‧‧集成散熱片
165B‧‧‧集成散熱片
170‧‧‧散熱基座
172‧‧‧表面
175A‧‧‧散熱基座
175B‧‧‧散熱基座
175C‧‧‧散熱基座
175D‧‧‧散熱基座
180‧‧‧鰭片
182A‧‧‧開口
182B‧‧‧開口
182C‧‧‧開口
182D‧‧‧開口
185A‧‧‧散熱鰭片
185B‧‧‧散熱鰭片
185C‧‧‧散熱鰭片
185D‧‧‧散熱鰭片
190‧‧‧機械負載彈簧
195‧‧‧螺釘
197A‧‧‧波形彈簧
197B‧‧‧波形彈簧
197C‧‧‧波形彈簧
197D‧‧‧波形彈簧
200‧‧‧組件
203‧‧‧底板
205‧‧‧多晶片封裝
210‧‧‧主晶片(CPU)
220‧‧‧集成散熱片
230‧‧‧輔助裝置
235‧‧‧集成散熱片
240‧‧‧輔助裝置
245‧‧‧集成散熱片
270‧‧‧第一散熱基座
275A‧‧‧第二散熱基座
275B‧‧‧第二散熱基座
280‧‧‧第一散熱鰭片
285A‧‧‧第二散熱鰭片
285B‧‧‧第二散熱鰭片
295‧‧‧彈簧負載螺釘
297‧‧‧溝槽
298‧‧‧保持彈簧
299‧‧‧開口
圖1顯示包括中央處理單元(CPU)的通用多晶片封裝的俯視立體圖。
圖2顯示圖1的結構，伴隨著對多晶片封裝的冷卻解決方案的採用。
圖3顯示圖2的組件之示意分解側視圖。
圖4顯示穿過圖2的線4-4’的剖面側視圖。
圖5顯示包括對多晶片封裝的冷卻解決方案的組件之第二實施例的示意俯視分解圖。
圖6顯示圖5之組裝結構的側視圖。
【發明內容及實施方式】
本發明關於一種冷卻解決方案和執行冷卻解決方案的方法，以提升需要冷卻之在主機板上的一個多晶片產品封裝(或多個封裝)之每一個部件的冷卻能力與性能。冷卻解決方案調整以改變部件或封裝的高度，且因此得到並可操作來維持對每一個部件的最小介面熱阻(thermal interface resistance)。以此方式，冷卻解決方案可利用現有的熱介面材料使接合線厚度最小化，且其執行不會為了另一個部件而熱犧牲一個部件。
圖1顯示通用多晶片中央處理單元(CPU)封裝的俯視立體圖。封裝100包括設置在處理器基板105上的晶片110。疊置在晶片110上的是集成散熱片(IHS)120，且在晶片110與IHS 120之間具有TIM1材料。在一實施例中，封裝100亦包括輔助裝置，例如，記憶體晶片130A、記憶體晶片130B、記憶體晶片140A、記憶體晶片140B、記憶體晶片150A及記憶體晶片150B，以及配套晶片160A和配套晶片160B，其分別為，例如，處理器。可以理解的是，記憶體晶片和配套晶片僅作為輔助裝置的一個範例。在其他實施例中，其他類型的裝置可存在於封裝中。主裝置(晶片110)及輔助裝置(記憶體晶片 130A/B、140A/B、150A/B、以及配套晶片160A/B)被連接在對基板105的平面陣列中。在一實施例中，一個或多個輔助裝置的厚度(z尺寸)係不同於晶片110的厚度(z尺寸)。在一實施例中，一個或多個輔助裝置具有z尺寸厚度，其係少於晶片110的厚度。在另一實施例中，一個或多個輔助裝置的z方向厚度係不同於晶片110和一個或多個其他的輔助裝置。
在一實施例中，疊置在每個輔助裝置上的為IHS，且在每個輔助裝置與IHS之間具有TIM1材料。圖1顯示在記憶體晶片130A上的IHS 135A、在記憶體晶片130B上的IHS 135B、在記憶體晶片140A上的IHS 145A、在記憶體晶片140B上的IHS 145B、在記憶體晶片150A上的IHS 155A、以及在記憶體晶片150B上的IHS 155B。疊置在配套晶片160A上的為IHS 165A，且疊置在配套晶片160B上的為IHS 165B，其之間均具有TIM1材料。在一實施例中，在每個IHS及其各自的主裝置(例如，晶片110)或輔助裝置(例如，記憶體晶片130A-150A、配套晶片160A-B)之間，TIM1為一致地薄的或有效地最小的，以提升每一熱生成部件和冷卻解決方案之間的散熱效能，且因此使得每個部件的溫度最小化。在一實施例中，適合的TIM1為聚合物TIM，其具有20微米(μm)至30μm等級的代表性厚度。
圖2顯示圖1的結構，伴隨著對多晶片封裝100的冷卻解決方案的介紹。組件101包括冷卻解決方案，在此實 施例中，冷卻解決方案為被動式熱交換器，其為包括第一部分的散熱器，第一部分具有散熱基座170和鰭片180。散熱器的第一部分包括區域尺寸，在一實施例中，區域尺寸被設置在多晶片封裝100的區域部分上、或被設置在多晶片封裝100包括熱生成裝置的區域(例如，包括主裝置和輔助裝置的區域)上。圖2顯示在CPU晶片110及IHS 120上方/上的熱交換器(散熱器)的第一部分，且散熱基座170與IHS 120對齊。散熱基座170被與IHS 120對齊，在某種意義上，散熱基座170係與IHS為物理性接觸，或與設置在IHS 120的表面上的TIM2材料接觸直到此材料的最小有效厚度。
熱交換器(散熱器)的第一部分包括散熱基座170及鰭片180，且亦包括數個開口，其係在對應到多晶片封裝100的輔助裝置，特別是記憶體晶片130A、130B、140A、140B、150A及150B和配套晶片160A及160B，的區域上。被設置在此等開口中的為第二熱交換器(散熱器)部分，其各包括基座及鰭片結構。圖2顯示第二散熱鰭片185A(其設置在記憶體晶片140A及記憶體晶片140B上；鰭片185B，其設置在記憶體晶片130A及記憶體晶片130B上；散熱鰭片185C，其設置在記憶體晶片150A及記憶體晶片150B上；以及散熱鰭片185D，其設置在配套晶片160A及配套晶片160B上)。圖2亦顯示散熱器到封裝100的主要連接。需注意的是，圖2顯示機械負載彈簧(mechanical loading spring)190，其藉由螺 釘195而被偏轉(例如，被壓縮)，螺釘195可進入到散熱基座170的表面。
圖3顯示圖2的組件之示意分解側視圖。特別是，圖3顯示被動式熱交換器的冷卻解決方案，被動式熱交換器為散熱器，其包括具有散熱基座170和散熱鰭片180的第一部分。散熱器的第一部分亦具有數個開口，其設置穿過散熱基座170和散熱鰭片180(從散熱基座170和散熱鰭片180延伸貫穿)，且分別對齊或對應於包括記憶體晶片130A/B(開口182B)、記憶體晶片140A/B(開口182A)及記憶體晶片150A/B(開口182C)、以及配套晶片160A/B(開口182D)的區域。圖3顯示被動式熱交換器(散熱器)的第二部分，其具有要被定位在開口182A-D中的尺寸，且具有對應到個別的輔助裝置之個別的xy區域。參照圖3，被動式熱交換器(散熱器)的第二部分包括散熱基座175A/鰭片185A，其對應到記憶體晶片140A/B上的xy區域；散熱基座175B/鰭片185B，其對應到記憶體晶片130A/B上的xy區域；散熱基座175C/鰭片185C，其對應到記憶體晶片150A/B上的xy區域；以及散熱基座175D/鰭片185D，其對應到配套晶片160A/B上的xy區域。
圖4顯示穿過圖2的線4-4’的剖面側視圖。圖4顯示包括被動式熱交換器(散熱器)的組件101，被動式熱交換器(散熱器)具有第一部分，第一部分包括散熱基座170和在散熱基座170上的散熱鰭片180。在CPU 110上 作為封裝上的主要熱生成裝置的情況下，散熱器的第一部分的散熱基座170與在多晶片封裝的主晶片上的IHS 120對齊。最小有效TIM2厚度將散熱基座170從IHS 120分開。用於主裝置和輔助裝置之代表性的TIM2材料為相變材料(phase change material)。
圖4顯示與被動式熱交換器的第一部分相關聯的散熱基座170，被動式熱交換器的第一部分係隔離於在對應到多晶片封裝的輔助裝置的區域上的輔助熱傳遞表面。散熱基座170藉由在對應於多晶片封裝上的輔助裝置的位置之區域中被形成為貫穿散熱基座的開口而被分離出來。圖4亦顯示設置在貫穿第一部分的開口中的散熱器的第二部分，第二部分包括分別在IHS 145A上的散熱基座175A；在IHS 135A上的散熱基座175B；在IHS 155A上的散熱基座175C；以及在IHS 165A上的散熱基座175D。在一實施例中，第二部分的散熱基座的一個或多個具有不同於散熱基座170之z尺寸厚度的z尺寸厚度。在一實施例中，第二部分的散熱基座的一個或多個具有少於散熱基座170之z尺寸厚度的z尺寸厚度。每一個散熱基座以TIM2之最小有效層厚度從在輔助裝置(記憶體晶片、配套晶片)上之各自的IHS分離。設置在各個第二部分的散熱基座上的是鰭片部分(分別為鰭片185A、185B、185C以及185D)。圖4還顯示第二散熱鰭片185A-185D，在一實施例中，第二散熱鰭片185A-185D為相互隔離的，且被設置在第一部分的散熱鰭片180中的開口內。在一實施例 中，散熱器的第二部分經由內嵌式彈簧(例如，內嵌式波形彈簧(wave spring))被支撐在被動式熱交換器的第一部分中的開口內，且反之則在各自的開口內為浮動(float)的(例如，散熱器的第二部分的移動未受到第一部分的散熱鰭片或基座的壁的阻礙)。
圖4顯示每一個第二散熱基座(散熱基座175A-175D)受到在散熱基座170和各自的第二散熱基座(散熱基座175A-175D)之間使用內嵌式彈簧的彈簧負載。圖4顯示波形彈簧197A、波形彈簧197B、波形彈簧197C以及波形彈簧197D，其在每一端與各自的第二散熱基座(散熱基座175A-175D)接觸，且其中央部分與散熱基座170接觸。在彈簧(彈簧197A-197D)的偏轉之前，在一實施例中，每一個第二散熱基座延伸超過散熱基座170的表面之平面(延伸一距離，此距離超過與主裝置(在CPU 110上的IHS 120)對齊的散熱基座170的表面172)。當被動式熱交換器(散熱器)被組裝到多晶片封裝100上時，散熱基座170被與IHS 120對齊，且獨立的彈簧197A-197D被偏轉，以及每一個第二散熱基座175A-175D可在離開多晶片封裝100的方向上從多晶片封裝100被位移(亦即，朝向散熱基座170的表面172之方向)。解決方案中的機械負載彈簧190的偏轉(見圖2)有助於彈簧197A-197D的偏轉。在一實施例中，力量的預定量(例如，200磅的力量(890牛頓)到250磅的力量(1112牛頓))經由散熱基座170被轉移到IHS 120當中。
當第二散熱基座與裝置或其IHS接觸時，第二散熱基座175A-175D經由與獨立的散熱部分相關聯的彈簧(例如，波形或螺旋彈簧)的偏轉(例如，壓縮)產生對輔助裝置(記憶體晶片130A/B、140A/B和150A/B、以及配套晶片160A/B)的每一個的獨立負載。在一實施例中，彈簧197A-197D被選擇來使得所欲的偏轉提供預定的總力量，以維持在獨立的輔助裝置及在封裝上的散熱部分的機械負載。圖4顯示被動式熱交換器的實施例，其包括在熱交換器內部(在散熱器組件內部)之用於輔助熱生成裝置的彈簧。在第二散熱基座和散熱基座170之間具有彈簧負載的彈簧負載式的第二散熱基座之配置允許每一獨立的第二散熱基座在前到後或一側到另一側的任何組合中去對齊，以使每一個散熱基座表面對齊於要被冷卻的部件表面。以此方式，在各個部件上的TIM接合線(TIM2的BLT)可被最小化且在整個可靠性試驗中被一致地維持，因此提升線的一端及線的另一端之兩者的冷卻解決方案效能。調整在，例如，波形彈簧對於每個接觸表面的位移的彈簧應變率(spring rate)允許被施加到要被冷卻的每一個輔助裝置的特定負載(壓力)之調變。
圖5及圖6顯示包括連接到多晶片封裝的被動式熱交換器(散熱器)的另一組件的實施例。參照圖5，組件200包括多晶片封裝205，多晶片封裝205包括主晶片210及輔助裝置230和輔助裝置240，主晶片210為，例如，CPU，且輔助裝置230和輔助裝置240代表性地為記 憶體晶片和配套晶片。在一實施例中，疊置在獨立的晶片上的是由最小所需厚度的TIM1分離的IHS。圖5還顯示任選的在主裝置210上的IHS 220、在輔助裝置230上的IHS 235以及在輔助裝置240上的IHS 245。被設置在多個IHS上且在封裝組件上被包圍的是被動式熱交換器，被動式熱交換器為包括第一散熱基座270和第一散熱鰭片280的散熱器。第一散熱基座和第一散熱鰭片具有尺寸，在一實施例中，該尺寸在封裝的大部分熱生成區域上的多晶片封裝的至少大部分區域上延伸。設置在第一散熱基座270的本體和第一散熱鰭片280內的為一個或多個開口，以容納輔助熱交換系統。圖5顯示第二熱交換部分，其作為散熱器包括在第二散熱基座275A上的第二散熱鰭片285A以及在第二散熱基座275B上的第二散熱鰭片285B。每一個第二熱交換部分具有尺寸，以適配到第一散熱鰭片和基座中的開口內。在一實施例中，第一散熱基座270被與第一裝置210(CPU晶片)對齊(例如，被對齊以與IHS 270或IHS 220上的TIM2材料接觸)。在一實施例中，IHS 220上的TIM2材料具有最小有效厚度。第一散熱基座270藉由彈簧負載螺釘(spring loaded screw)295被固定到底板203。
如同參照圖1至4所說明的先前實施例，第二熱交換裝置(散熱器)為浮動的、或為自由的以相對於第一被動式熱交換器在z方向上移動。一旦第一被動式熱交換裝置被安裝在CPU封裝上且與主裝置210對齊，第二被動式 熱交換裝置(散熱器)被插入到第一被動式熱交換裝置中的一個或多個開口內。在另一實施例中，第二被動式熱交換裝置(散熱器)被預先組裝在第一熱交換裝置(散熱器)中，且結合在一起的組件被同時安裝到CPU封裝上。由於第二被動式熱交換裝置未被限制在這些開口中，裝置可前進到與底下的輔助裝置(例如，分別為晶片230及晶片240、或在此種裝置上的IHS(分別是IHS 235及IHS 245))、或是在此種晶片上的熱介面材料(TIM2)接觸的點。因此，最小有效厚度的TIM2可被設置在輔助晶片的表面上。為了保持第二被動式熱交換裝置(第二散熱基座275/第二散熱鰭片285A以及第二散熱基座275/第二散熱鰭片285B)，保持彈簧被設置跨越每一個輔助裝置的散熱鰭片結構。圖5顯示保持彈簧298，其被設置在跨越每一第二裝置的鰭片的頂部而形成的溝槽297中。如圖6所示，在輔助裝置(輔助結構的散熱鰭片)的相對側上，保持彈簧298經由形成在主散熱鰭片280的鰭片中的開口而在一端或靠近此一端被連接，且第二端被連接在或靠近於主散熱鰭片280的第二鰭片中的第二端，使得保持彈簧298被設置在跨越每一第二鰭片的y方向長度l 1的溝槽297中，並朝向封裝接觸第二鰭片及將預定的z方向力量施加到第二鰭片上。圖6顯示被組裝的結構的側視圖，且顯示保持彈簧298經由在第一散熱鰭片280的鰭片中的開口299突出。
在上述實施例中，輔助裝置(輔助晶粒或晶片)在y 方向上被側向地對齊，使得第二被動式熱交換器同樣地可側向地對齊，且單一的保持彈簧(保持彈簧298)可被使用來將選定的向下力量施加於這些第二被動式熱交換器結構上，以在第二被動式熱交換器結構上維持預定的機械負載(mechanical load)。在另一實施例中，這種輔助裝置可能未被側向地對齊，使得在第一被動式熱交換裝置中的開口未被對齊，且對應的第二被動式熱交換器結構未被側向地對齊。在這種實施例中，將採用多個保持彈簧。
範例
範例1為一種設備，其包括：主裝置及至少一輔助裝置，連接在對基板的平面陣列中；第一被動式熱交換器，設置在主裝置上且在對應到至少一輔助裝置的區域上具有開口；第二被動式熱交換器，設置在至少一輔助裝置上；至少一第一彈簧，可操作來在主裝置的方向上將力量施加到第一熱交換器；以及至少一第二彈簧，可操作來在輔助裝置的方向上將力量施加到第二熱交換器。
在範例2中，範例1的設備中的第一熱交換器及至少一第二熱交換器的每一者包括散熱基座以及鰭片結構。
在範例3中，範例2的設備中的第二彈簧被設置於第一散熱基座和至少一第二散熱基座之間。
在範例4中，範例3的設備中的在基板上的主裝置的厚度尺寸不同於至少一輔助裝置的厚度尺寸，且第二彈簧可操作為被壓縮到相當於第一散熱基座和至少一第二散熱 基座的厚度差之間的差值的距離。
在範例5中，範例2的設備中的第一散熱基座在對應到第一裝置的區域中包括第一厚度，且在相鄰於開口的區域中包括第二厚度，第二厚度係少於第一厚度。
在範例6中，範例2的設備中的至少一第二彈簧被設置跨越至少一第二熱交換器的鰭片結構的尺寸。
在範例7中，範例6的設備中的在基板上的主裝置的厚度尺寸不同於至少一輔助裝置的厚度尺寸，且第二彈簧可操作來朝向至少一輔助裝置位移第二散熱基座。
在範例8中，範例7的設備中的在基板上的主裝置的厚度尺寸係大於至少一輔助裝置的高度尺寸。
在範例9中，範例2的設備中的第一熱交換器的散熱基座具有厚度，該厚度被選擇來使散熱基座與主裝置對齊。
範例10為一種設備，其包括：被動式熱交換器，具有可操作來用於在多晶片封裝上的配置的尺寸，被動式熱交換器包括：第一部分，具有第一區域，第一區域中具有開口；第二部分，具有可操作來用於開口中的布置的尺寸；以及彈簧，可操作來將力量施加到第二部分。
在範例11中，範例10的設備中的熱交換器的第一部分及第二部分的每一者包括散熱基座以及鰭片結構。
在範例12中，範例11的設備中的彈簧被設置於第一散熱基座和至少一第二散熱基座之間。
在範例13中，範例12的設備中的第一散熱基座的厚 度尺寸不同於至少一第二散熱基座的厚度尺寸。
在範例14中，範例13的設備中的至少一第二散熱基座的厚度尺寸係小於第一散熱基座的厚度尺寸。
在範例15中，範例11的設備中的至少一彈簧被設置跨越至少一第二部分的鰭片結構的尺寸。
在範例16中，範例11的設備中的第一部分的散熱基座具有厚度，該厚度可操作來使散熱基座與在多晶片封裝中具有最大的熱生成之裝置對齊。
範例17為一種方法，其包括：將被動式熱交換器放置在多晶片封裝上，被動式熱交換器包括：第一部分，具有設置在主裝置上的第一區域，第一部分在對應到至少一輔助裝置的區域上具有至少一開口；第二部分，具有可操作來用於在至少一開口內的布置(disposal)的尺寸；以及偏轉彈簧來在至少一輔助裝置的方向上將力量施加到被動式熱交換器的第二部分。
在範例18中，範例17的方法中的熱交換器的第一部分及第二部分的每一者包括散熱基座以及鰭片結構，且彈簧被設置於第一散熱基座和至少一第二散熱基座之間。
在範例19中，範例17的方法中的熱交換器的第一部分及第二部分的每一者包括散熱基座以及鰭片結構，且彈簧被設置跨越熱交換器的第二部分的鰭片結構的尺寸。
在範例20中，範例17的方法中的熱交換器的第一部分及第二部分的每一者包括散熱基座以及鰭片結構，且第一部分的散熱基座具有可操作來使散熱基座與主裝置對齊 的厚度。
在範例21中，包括熱交換器的多晶片封裝組件係由範例17至20的方法的任一者所製成。
本發明之所顯示的實施的上述說明，包括在摘要中所說明的，並非意圖用於窮盡或限制本發明於所揭露的精確形式。雖然本發明之範例的具體的實施在此被說明用於例示性的目的，在本發明的範疇內之各種均等的修改為可能的，如本領域技術人士將理解的。
有鑑於上述的詳細說明，對於本發明的這些修改可被作成。在以下申請專利範圍中所使用的詞語不應被解釋為將本發明限制於揭露在說明書及申請專利範圍中的具體實施。相反地，本發明的範疇完全的藉由以下的申請專利範圍來確定，申請專利範圍將根據申請專利範圍的解釋的既定原則來詮釋。
101‧‧‧組件
120‧‧‧集成散熱片
135A‧‧‧集成散熱片
145A‧‧‧集成散熱片
155A‧‧‧集成散熱片
165A‧‧‧集成散熱片
170‧‧‧散熱基座
172‧‧‧表面
175A‧‧‧散熱基座
175B‧‧‧散熱基座
175C‧‧‧散熱基座
175D‧‧‧散熱基座
180‧‧‧鰭片
185A‧‧‧散熱鰭片
185B‧‧‧散熱鰭片
185C‧‧‧散熱鰭片
185D‧‧‧散熱鰭片
197A‧‧‧波形彈簧
197B‧‧‧波形彈簧
197C‧‧‧波形彈簧
197D‧‧‧波形彈簧

Claims (19)

  1. 一種設備，包括：主裝置及至少一輔助裝置，其連接在對基板的平面陣列中；第一被動式熱交換器，包括設置在該主裝置上的散熱基座以及鰭片結構，且該第一被動式熱交換器的該散熱基座及該鰭片結構在對應到該至少一輔助裝置的區域上均具有開口；至少一第二被動式熱交換器，包括均設置在該開口中且在該至少一輔助裝置上的散熱基座以及鰭片結構；至少一第一彈簧，可操作來在該主裝置的方向上將力量施加到該第一被動式熱交換器；以及至少一第二彈簧，可操作來在該至少一輔助裝置的方向上將力量施加到該至少一第二被動式熱交換器。
  2. 如申請專利範圍第1項之設備，其中，該至少一第二彈簧被設置於該第一被動式熱交換器的該散熱基座和該至少一第二被動式熱交換器的該散熱基座之間。
  3. 如申請專利範圍第2項之設備，其中，在該基板上的該主裝置的厚度尺寸不同於該至少一輔助裝置的厚度尺寸，且該至少一第二彈簧可操作以被偏轉來使該至少一第二被動式散熱器的該散熱基座位移遠離該基板。
  4. 如申請專利範圍第1項之設備，其中，該第一被動式熱交換器的該散熱基座在對應到該主裝置的區域中包括第一厚度，且在相鄰於該開口的區域中包括第二厚度， 該第二厚度係少於該第一厚度。
  5. 如申請專利範圍第1項之設備，其中，該至少一第二彈簧被設置跨越該至少一第二被動式熱交換器的該鰭片結構的尺寸。
  6. 如申請專利範圍第5項之設備，其中，在該基板上的該主裝置的厚度尺寸不同於該至少一輔助裝置的厚度尺寸，且該至少一第二彈簧可操作來使該至少一第二被動式熱交換器的該散熱基座朝向該至少一輔助裝置位移。
  7. 如申請專利範圍第6項之設備，其中，在該基板上的該主裝置的該厚度尺寸係大於該至少一輔助裝置的該厚度尺寸。
  8. 如申請專利範圍第1項之設備，其中，該第一被動式熱交換器的該散熱基座具有厚度，該厚度被選擇來使該第一被動式熱交換器的該散熱基座與該主裝置對齊。
  9. 一種設備，包括：被動式熱交換器，具有可操作來用於在多晶片封裝上的配置的尺寸，該被動式熱交換器包括：第一部分，包括散熱基座以及鰭片結構，該第一部分的該散熱基座及該鰭片結構在區域上均具有開口；至少一第二部分，包括均具有可操作來用於在該開口中的布置(disposal)的尺寸的散熱基座以及鰭片結構；以及至少一彈簧，可操作來將力量施加到該至少一第二部分。
  10. 如申請專利範圍第9項之設備，其中，該至少一彈簧被設置於該第一部分的該散熱基座和該至少一第二部分的該散熱基座之間。
  11. 如申請專利範圍第10項之設備，其中，該第一部分的該散熱基座的厚度尺寸不同於該至少一第二部分的該散熱基座的厚度尺寸。
  12. 如申請專利範圍第11項之設備，其中，該至少一第二部分的該散熱基座的該厚度尺寸係小於該第一部分的該散熱基座的該厚度尺寸。
  13. 如申請專利範圍第9項之設備，其中，該至少一彈簧被設置跨越該至少一第二部分的該鰭片結構的尺寸。
  14. 如申請專利範圍第9項之設備，其中，該第一部分的該散熱基座具有厚度，該厚度可操作來使該第一部分的該散熱基座與在多晶片封裝中具有最大的熱生成之裝置對齊。
  15. 一種方法，包括將被動式熱交換器放置在多晶片封裝上，該被動式熱交換器包括：第一部分，包括設置在主裝置上的散熱基座以及鰭片結構，該第一部分的該散熱基座及該鰭片結構在對應到至少一輔助裝置的區域上均具有至少一開口；至少一第二部分，包括均具有可操作來用於在該至少一開口中的布置的尺寸的散熱基座以及鰭片結構；以及 偏轉至少一彈簧來在該至少一輔助裝置的方向上將力量施加到該被動式熱交換器的該至少一第二部分。
  16. 如申請專利範圍第15項之方法，其中，該至少一彈簧被設置於該第一部分的該散熱基座和該至少一第二部分的該散熱基座之間。
  17. 如申請專利範圍第15項之方法，其中，該至少一彈簧被設置跨越該被動式熱交換器的該至少一第二部分的該鰭片結構的尺寸。
  18. 如申請專利範圍第15項之方法，其中，該第一部分的該散熱基座具有可操作來使該第一部分的該散熱基座與該主裝置對齊的厚度。
  19. 一種多晶片封裝組件，其係由如申請專利範圍第15至18項任一項之方法所製成。
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