KR20170038862A - 멀티-칩 자동 조정식 냉각 솔루션 - Google Patents

멀티-칩 자동 조정식 냉각 솔루션 Download PDF

Info

Publication number
KR20170038862A
KR20170038862A KR1020177005169A KR20177005169A KR20170038862A KR 20170038862 A KR20170038862 A KR 20170038862A KR 1020177005169 A KR1020177005169 A KR 1020177005169A KR 20177005169 A KR20177005169 A KR 20177005169A KR 20170038862 A KR20170038862 A KR 20170038862A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
heat sink
sink base
heat exchanger
spring
thickness
Prior art date
Application number
KR1020177005169A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102134061B1 (ko
Inventor
제포리 엘 스몰레이
수잔 에프 스미쓰
마니 프라카쉬
타오 리우
헨리 씨 보삭
하비 알 코프스타드
알만조 티 오티즈
Original Assignee
인텔 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 인텔 코포레이션 filed Critical 인텔 코포레이션
Publication of KR20170038862A publication Critical patent/KR20170038862A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102134061B1 publication Critical patent/KR102134061B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
    • H01L23/3677—Wire-like or pin-like cooling fins or heat sinks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
    • H01L23/3675—Cooling facilitated by shape of device characterised by the shape of the housing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/40—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs
    • H01L23/4093—Snap-on arrangements, e.g. clips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • H01L23/433—Auxiliary members in containers characterised by their shape, e.g. pistons
    • H01L23/4338—Pistons, e.g. spring-loaded members
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L25/0655—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/20—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)

Abstract

기판에 평면 어레이로 결합된 일차 디바이스 및 적어도 하나의 이차 디바이스; 일차 디바이스 상에 배치되고 적어도 하나의 이차 디바이스에 대응하는 영역 위에 개구를 갖는 제 1 수동 열교환기; 적어도 하나의 이차 디바이스 상에 배치된 제 2 수동 열교환기; 일차 디바이스의 방향으로 제 1 열교환기에 힘을 가하도록 작동가능한 적어도 하나의 제 1 스프링; 및 이차 디바이스의 방향으로 제 2 열교환기에 힘을 가하도록 작동가능한 적어도 하나의 제 2 스프링을 포함하는 장치. 수동 열교환기를 멀티-칩 패키지 상에 배치하는 단계, 및 패키지 상의 적어도 하나의 이차 디바이스의 방향으로 힘을 가하기 위해 스프링을 편향시키는 단계를 포함하는 방법.

Description

멀티-칩 자동 조정식 냉각 솔루션{MULTI-CHIP SELF ADJUSTING COOLING SOLUTION}
본 개시는 멀티-칩 제품 냉각에 관한 것이다.
많은 집적 회로 제품이 멀티-칩 제품을 포함한다. 멀티-칩 제품의 예는 마이크로프로세서 및 메모리 및 컴패니언(companion) 디바이스 또는 컴포넌트(예를 들어, 칩)를 포함하는 패키지이다. 패키징은 모든 컴포넌트 위의 단일의 통합 열 스프레더(integrated heat spreader, IHS) 또는 각각의 컴포넌트를 위한 개별 IHS로 이루어질 수 있다. 각각의 패키징 옵션은 장점 및 단점을 갖지만, 여전히 각각의 컴포넌트는 적절한 냉각을 필요로 한다.
상이한 패키지 옵션은 주위 열 저항에 대한 전체 접합부에 크게 영향을 미친다. 다이와 IHS 사이의 열 인터페이스 재료(TIM1) 및 IHS와 히트싱크(heatsink) 사이의 열 인터페이스 재료(TIM2) 각각의 본드 라인 두께(bond line thickness, BLT)는 다이/IHS 크기, 전력 밀도, 및 총 전력과 함께 가장 중요한 열 저항 인자 중 2개이다.
단일 IHS 설계는 수동 열 교환기(예를 들어, 히트싱크)와 같은 냉각 솔루션과 인터페이싱하는 하나의 비교적 평평한 표면을 제공하지만, 단일 IHS 패키지 옵션은 TIM1 BLT 및 이에 따라 패키지 열 저항(다이 대 IHS)에 큰 영향을 미칠 수 있다. 각각의 컴포넌트 사이의 허용오차(tolerance)는 단일 IHS 옵션에서와 같이 IHS에 대해 내부에 있는 패키지 수준에서, 또는 개별 IHS 옵션을 갖는 냉각 솔루션 수준에서 고려되어야 한다. 허용오차는 단일 IHS 옵션을 채용하는 멀티-칩 제품에서 소정 칩의 TIM1 BLT에 대해 광범위한 두께를 야기한다. 컴패니언 컴포넌트가 크기에 있어서 감소하고 전력 밀도에 있어서 증가하기 때문에, TIM1 BLT로부터의 열 저항은 패키지 성능에 크게 영향을 미친다.
개별 IHS 패키지 옵션은 각각의 컴포넌트 상의 TIM1 BLT 및 이에 따라 또한 패키지 열 저항을 최소화한다. 하나의 결점은 이제 냉각 솔루션에 인터페이싱해야 하는 다수의 비-동일 평면 표면이 있다는 것이다. 냉각 솔루션(수동 열 교환기)는 전형적으로 CPU IHS에 맞춰져서, 그것의 TIM2 BLT 및 대응하는 열 저항을 최소화한다. 그러나, 냉각은 이제 각각의 개별 컴포넌트 IHS의 변화 및 비-평면성을 고려하여야 하며, 이는 종종 각각의 컴포넌트 상의 큰 TIM2 BLT 범위를 야기한다.
도 1은 중앙 처리 디바이스(CPU)를 포함하는 일반적인 멀티-칩 패키지의 상면 사시도를 보여주는 도면,
도 2는 멀티-칩 패키지 상에 냉각 솔루션을 도입한 후의, 도 1의 구조체를 보여주는 도면,
도 3은 도 2의 조립체의 개략 분해 측면도를 보여주는 도면,
도 4는 도 2의 선 4-4'을 통한 측단면도를 보여주는 도면,
도 5는 멀티-칩 패키지 상에 냉각 솔루션을 포함하는 조립체의 제 2 실시예의 개략 분해 상면도를 보여주는 도면,
도 6은 도 5의 조립된 구조체의 측면도를 보여주는 도면.
냉각을 필요로 하는 마더보드 상의 멀티-칩 제품 패키지(또는 다수의 패키지)의 각각의 컴포넌트의 냉각 능력 및 성능을 개선하기 위한 냉각 솔루션 및 냉각 솔루션을 구현하는 방법. 냉각 솔루션은 다양한 높이의 컴포넌트 또는 패키징에 맞추어 조정되고 이에 따라 달성되며, 각각의 컴포넌트에 대해 최소의 열 인터페이스 저항을 유지하도록 작동가능하다. 이러한 방식으로, 냉각 솔루션은 기존의 열 인터페이스 재료를 이용하고, 본드 라인 두께를 최소화할 수 있으며, 그것의 구현은 하나의 컴포넌트를, 다른 컴포넌트를 위해 열적으로 희생시키지 않는다.
도 1은 일반적인 멀티-칩 중앙 처리 디바이스(CPU) 패키지의 상면 사시도를 보여준다. 패키지(100)는 프로세서 기판(105) 상에 배치된 다이(110)를 포함한다. IHS(120)가 다이(110) 위에 놓여 있으며, 이들 사이에 TIM1 재료가 존재한다. 일 실시예에서, 패키지(100)는 또한 예를 들어 메모리 칩(130A), 메모리 칩(130B), 메모리 칩(140A), 메모리 칩(140B), 메모리 칩(150A) 및 메모리 칩(150B)뿐만 아니라, 예를 들어 각각 프로세서인 컴패니언 칩(160A) 및 컴패니언 칩(160B)의 이차 디바이스를 포함한다. 메모리 칩 및 컴패니언 칩과 같은 이차 디바이스는 하나의 예이다는 것이 인식된다. 다른 실시예에서, 다른 유형의 디바이스가 패키지 내에 존재할 수 있다. 일차 디바이스(다이(110)) 및 이차 디바이스(메모리 칩(130A/B, 140A/B, 150A/B), 및 컴패니언 칩(160A/B)) 각각은 기판(105)에 평면 어레이로 연결된다. 일 실시예에서, 이차 디바이스 중 하나 이상의 두께(z-치수)는 다이(110)의 두께(z-치수)와는 상이하다. 일 실시예에서, 이차 디바이스 중 하나 이상은 다이(110)의 두께보다 작은 z-치수 두께를 갖는다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 이차 디바이스의 z-방향 두께는 다이(110) 및 하나 이상의 다른 이차 디바이스와는 상이하다.
일 실시예에서, IHS가 각각의 이차 디바이스 위에 놓여 있으며, 이들 사이에 TIM1이 존재한다. 도 1은 메모리 칩(130A) 상의 IHS(135A), 메모리 칩(130B) 상의 IHS(135B), 메모리 칩(140A) 상의 IHS(145A), 메모리 칩(140B) 상의 IHS(145B), 메모리 칩(150A) 상의 IHS(155A), 및 메모리 칩(150B) 상의 IHS(155B)를 도시한다. IHS(165A)가 컴패니언 칩(160A) 위에 놓여 있고, IHS(165B)가 컴패니언 칩(160B) 위에 놓여 있으며, 각각 이들 사이에 TIM1이 존재한다. 일 실시예에서, 각각의 열 발생 컴포넌트와 냉각 솔루션 사이의 열 성능을 개선하고 이에 따라 각각의 컴포넌트의 온도를 최소화하기 위해 TIM1은 각각의 IHS와 그것의 각자의 일차 디바이스(예를 들어, 다이(110)) 또는 이차 디바이스(예를 들어, 메모리 칩(130A 내지 150A), 컴패니언 칩(160A, 160B)) 사이에서 일관되게 얇거나 실질적으로 최소이다. 일 실시예에서, 적합한 TIM1은 대략 20 미크론(micron)(㎛) 내지 30 ㎛의 대표적인 두께를 갖는 중합체 TIM이다.
도 2는 멀티-칩 패키지(100) 상에 냉각 솔루션을 도입한 후의, 도 1의 구조체를 도시한다. 조립체(101)는, 이 실시예에서, 히트싱크 베이스(heatsink base)(170) 및 핀(fin)(180)을 포함하는 제 1 부분을 포함하는 히트싱크인 수동 열교환기인 냉각 솔루션을 포함한다. 히트싱크의 제 1 부분은, 일 실시예에서, 멀티-칩 패키지(100)의 영역 부분 또는 열 발생 디바이스를 포함하는 멀티-칩 패키지(100)의 영역(예를 들어, 일차 디바이스 및 이차 디바이스를 포함하는 영역) 위에 배치된 영역 치수를 포함한다. 도 2는 IHS(120)에 맞춰진 히트싱크 베이스(170)를 가진, CPU 다이(110) 및 IHS(120) 위의/상의 열교환기(히트싱크)의 제 1 부분을 도시한다. 히트싱크 베이스(170)는, 그것이 IHS와 물리적으로 접촉하거나 IHS(120)의 표면 상에 배치된 TIM2 재료와, 그러한 재료에 대한 최소 유효 두께로 접촉한다는 의미에서, IHS(120)에 맞춰진다.
히트싱크 베이스(170) 및 핀(180)을 포함하는 열교환기(히트싱크)의 제 1 부분은 또한 멀티-칩 패키지(100)의 이차 디바이스, 특히 메모리 다이(130A, 130B, 140A, 140B, 150A, 150B) 및 컴패니언 다이(160A, 160B)에 대응하는 영역 위에 다수의 개구를 포함한다. 베이스 및 핀 구조체를 각각 포함하는 제 2 열교환기(히트싱크) 부분이 그러한 개구 내에 배치된다. 도 2는 (메모리 다이(140A) 및 메모리 다이(140B) 위에 배치된) 제 2 히트싱크 핀(185A); (메모리 다이(130A) 및 메모리 다이(130B) 위에 배치된) 핀(185B); (메모리 다이(150A) 및 메모리 다이(150B) 위에 배치된) 히트싱크 핀(185C); 및 (컴패니언 다이(160A) 및 컴패니언 다이(160B) 위에 배치된) 히트싱크 핀(185D)을 도시한다. 도 2는 또한 패키지(100)에 대한 히트싱크의 일차 연결을 도시한다. 특히, 도 2는 히트싱크 베이스(170)에서 접근가능한 스크류(195)에 의해 편향된(예를 들어, 압축된) 기계적 하중 스프링(190)을 도시한다.
도 3은 도 2의 조립체의 개략 분해도를 도시한다. 특히, 도 3은 히트싱크 베이스(170) 및 히트싱크 핀(180)을 포함하는 제 1 부분을 포함하는 히트싱크인 수동 열교환기의 냉각 솔루션을 도시한다. 히트싱크의 제 1 부분은 또한 히트싱크 베이스(170) 및 히트싱크 핀(180)을 통해 배치된(관통 연장되는), 그리고, 각각, 메모리 다이(130A/B)(개구(182B)), 메모리 다이(140A/B)(개구(182A)) 및 메모리 다이(150A/B)(개구(182C)) 및 컴패니언 칩(160A/B)(개구(182D))을 포함하는 영역과 정렬되거나 그것에 대응하는 다수의 개구를 갖는다. 도 3은 개구(182A 내지 182D) 내에 위치될 치수를 갖는, 그리고 각자의 이차 디바이스의 영역에 대응하는 각자의 xy 영역을 갖는 수동 열교환기(히트싱크)의 제 2 부분을 도시한다. 도 3을 참조하면, 수동 열교환기(히트싱크)의 제 2 부분은 메모리 다이(140A/B) 위의 xy 영역에 대응하는 히트싱크 베이스(175A)/히트싱크 핀(185A); 메모리 다이(130A/B) 위의 xy 영역에 대응하는 히트싱크 베이스(175B)/핀(185B); 메모리 다이(150A/B)에 대응하는 xy 영역 위의 히트싱크 베이스(175C)/핀(185C); 및 컴패니언 칩(160A/B)에 대응하는 xy 영역 위의 히트싱크 베이스(175D)/핀(185D)을 포함한다.
도 4는 도 2의 선 4-4'을 통한 측단면도를 도시한다. 도 4는 히트싱크 베이스(170) 및 히트싱크 베이스(170) 상의 히트싱크 핀(180)을 포함하는 제 1 부분을 갖는 수동 열교환기(히트싱크)를 포함하는 조립체(101)를 도시한다. 히트싱크의 제 1 부분의 히트싱크 베이스(170)는 멀티-칩 패키지의 일차 다이 상의, 이 경우에 패키지 상의 일차 열 발생 디바이스로서의 CPU(110) 상의 IHS(120)에 맞춰진다. 최소 유효 TIM2 두께는 히트싱크 베이스(170)를 IHS(120)로부터 분리시킨다. 일차 및 이차 디바이스에 대한 대표적인 TIM2 재료는 상 변화 재료(phase change material)이다.
도 4는 멀티-칩 패키지의 이차 디바이스에 대응하는 영역 위의 이차 열전달 표면으로부터 격리된 수동 열교환기의 제 1 부분과 연관된 히트싱크 베이스(170)를 도시한다. 히트싱크 베이스(170)는 멀티-칩 패키지 상의 이차 디바이스의 위치에 대응하는 영역에서 히트싱크 베이스를 통해 형성된 개구에 의해 분리된다. 도 4는 또한 제 1 부분을 통해 개구 내에 배치된 히트싱크의 제 2 부분을 도시하며, 제 2 부분은, 각각, IHS(145A) 상의 히트싱크 베이스(175A); IHS(135A) 상의 히트싱크(175B); IHS(155A) 상의 히트싱크 베이스(175C); 및 IHS(165A) 상의 히트싱크 베이스(175D)를 포함한다. 일 실시예에서, 제 2 부분 히트싱크 베이스 중 하나 이상은 히트싱크 베이스(170)의 z-치수 두께와는 상이한 z-치수 두께를 갖는다. 일 실시예에서, 제 2 부분 히트싱크 베이스 중 하나 이상은 히트싱크 베이스(170)의 z-치수 두께보다 작은 z-치수 두께를 갖는다. 각각의 히트싱크 베이스는 이차 디바이스(메모리 칩, 컴패니언 칩) 상의 각자의 IHS로부터 TIM2의 최소 유효 층 두께만큼 분리된다. 핀 부분(각각, 핀(185A, 185B, 185C, 185D))이 각각의 제 2 부분 히트싱크 베이스 상에 배치된다. 도 4는 또한, 일 실시예에서, 각각 서로 격리되고 제 1 부분의 히트싱크 핀(180) 내의 개구 내에 배치된 제 2 히트싱크 핀(185A 내지 185D)을 도시한다. 일 실시예에서, 히트싱크의 제 2 부분은 매립된 스프링(예를 들어, 매립된 파형 스프링)을 통해 수동 열교환기의 제 1 부분 내의 개구 내에서 지지되고 달리 각자의 개구 내에서 부유한다(예를 들어, 제 2 부분 히트싱크는 제 1 부분 히트싱크 핀 또는 베이스의 벽에 의해 이동이 저지되지 않음).
도 4는 각각의 제 2 히트싱크 베이스(히트싱크 베이스(175A, 175B))가 히트싱크 베이스(170)와 각자의 제 2 히트싱크 베이스(히트싱크 베이스(175A 내지 175D)) 사이에 매립된 스프링을 사용하여 스프링-로딩되는 것을 도시한다. 도 4는 각각의 단부에서 각자의 제 2 히트싱크 베이스(히트싱크 베이스(175A 내지 175D))와 접촉하는 파형 스프링(197A), 파형 스프링(197B), 파형 스프링(197C) 및 파형 스프링(197D), 및 히트싱크 베이스(170)와 접촉하는 중간 부분을 도시한다. 스프링(스프링(197A 내지 197D))의 편향 전에, 일 실시예에서, 각각의 제 2 히트싱크 베이스는 히트싱크 베이스(170)의 표면의 평면을 넘어 연장된다(일차 디바이스(CPU(110) 상의 IHS(120))에 맞춰진 히트싱크 베이스(170)의 표면(172)을 넘어 소정 거리 연장된다). 수동 열교환기(히트싱크)가 멀티-칩 패키지(100) 상에 조립될 때, 히트싱크 베이스(170)가 IHS(120)에 맞춰지고, 개별 스프링(197A 내지 197D)이 편향되며, 각각의 제 2 히트싱크 베이스(175A 내지 175D)가 멀티-칩 패키지(100)로부터 멀어지는 방향(즉, 히트싱크 베이스(170)의 표면(172)을 향하는 방향)으로 변위될 수 있다. 기계적 로딩 솔루션 스프링(190)(도 2 참조)의 편향은 스프링(197A 내지 197D)의 편향에 도움을 준다. 일 실시예에서, 사전결정된 양의 힘(예를 들어, 200 파운드 힘(890 뉴턴) 내지 250 파운드 힘(1112 뉴턴))이 히트싱크 베이스(170)를 통해 IHS(120)로 전달된다.
제 2 히트싱크 베이스(175A 내지 175D)는 제 2 히트싱크 베이스가 디바이스 또는 그것의 IHS와 접촉함에 따라 개별 히트싱크 부분(예를 들어, 파형 또는 코일 스프링)과 연관된 스프링의 편향(예를 들어, 압축)을 통해 이차 디바이스(메모리 칩(130A/B, 140A/B, 150A/B) 및 컴패니언 칩(160A/B)) 각각의 독립적인 로딩을 발생시킨다. 일 실시예에서, 스프링(197A 내지 197D)은 개별 이차 디바이스 및 패키지 상의 히트싱크 부분의 기계적 하중을 유지하기 위해 원하는 편향이 사전결정된 전체 힘을 제공하도록 선택된다. 도 4는 열교환기에 대해 내부에 있는(히트싱크 조립체에 대해 내부에 있는) 이차 열 발생 디바이스를 위한 스프링을 포함하는 수동 열교환기의 실시예를 도시한다. 제 2 히트싱크 베이스와 히트싱크 베이스(170) 사이에 스프링 로딩을 갖는 스프링-로딩된 제 2 히트싱크의 구성은 각각의 독립적인 제 2 히트싱크 베이스가 전후 또는 좌우의 임의의 조합으로 정렬되도록 허용하여 각각의 히트싱크 베이스 표면을 냉각되는 컴포넌트 표면에 맞춘다. 이러한 방식으로, 각각의 컴포넌트 상의 TIM 본드 라인(TIM2 BLT)이 최소화되고 신뢰성 시험 전체에 걸쳐 일관되게 유지될 수 있어서, 라인 단부 및 라인 단부 냉각 솔루션 성능 둘 모두를 개선할 수 있다. 각각의 접촉 표면을 위한, 예를 들어 파형 스프링의, 변위에서 스프링 상수를 조정하는 것은 냉각되는 각각의 이차 디바이스에 가해지는 특정 하중(압력)의 변조를 허용한다.
도 5 및 도 6은 멀티-칩 패키지에 결합된 수동 열교환기(히트싱크)를 포함하는 다른 조립체의 실시예를 도시한다. 도 5를 참조하면, 조립체(200)는 예를 들어 CPU인 일차 다이(210), 및 대표적으로 메모리 칩 및 컴패니언 칩인 이차 디바이스(230) 및 이차 디바이스(240)를 포함하는 멀티-칩 패키지(205)를 포함한다. 일 실시예에서, 최소 요구 두께의 TIM1에 의해 분리된 IHS가 개별 다이 위에 놓여 있다. 도 5는 또한 선택적인, 일차 디바이스(210) 상의 IHS(220), 이차 디바이스(230) 상의 IHS(235) 및 이차 디바이스(240) 상의 IHS(245)를 도시한다. 제 1 히트싱크 베이스(270) 및 제 1 히트싱크 핀(280)을 포함하는 히트싱크인 수동 열교환기가, 패키지 조립체 상에 둘러싸진 IHS 상에 배치된다. 제 1 히트싱크 베이스 및 제 1 히트싱크 핀은, 일 실시예에서, 패키지의 열 생성 영역의 대부분 상에서 멀티-칩 패키지의 적어도 대부분의 영역 위로 연장되는 치수를 갖는다. 이차 열교환기 시스템을 수용하기 위한 하나 이상의 개구가 제 1 히트싱크 베이스(270) 및 제 1 히트싱크 핀(280)의 몸체 내에 배치된다. 도 5는 제 2 히트싱크 베이스(275A) 상의 제 2 히트싱크 핀(285A) 및 제 2 히트싱크 베이스(275B) 상의 제 2 히트싱크 핀(285B)을 포함하는 히트싱크로서의 제 2 열교환 부분을 도시한다. 제 2 열교환 부분 각각은 제 1 히트싱크 핀 및 베이스 내의 개구 내에 끼워맞춤되는 치수를 갖는다. 일 실시예에서, 제 1 히트싱크 베이스(270)는 제 1 디바이스(210)(CPU 다이)에 맞춰진다(예를 들어, IHS(270) 또는 IHS(220) 상의 TIM2 재료와 접촉하도록 맞춰진다). 일 실시예에서, IHS(220) 상의 TIM2 재료는 최소 유효 두께를 갖는다. 제 1 히트싱크 베이스(270)는 스프링 로딩된 스크류(295)를 이용하여 베이스보드(203)에 고정된다.
도 1 내지 도 4를 참조하여 기술된 이전의 실시예에서와 같이, 제 2 열교환 디바이스(히트싱크)는 제 1 수동 열교환기에 대해 z-방향으로 부유하거나 자유롭게 이동한다. 일단 제 1 수동 열교환 디바이스가 CPU 패키지 상에 설치되고 일차 디바이스(210)에 맞춰지면, 제 2 수동 열교환 디바이스(히트싱크)가 제 1 열교환 디바이스 내의 개구(들) 내로 삽입된다. 다른 실시예에서, 제 2 수동 열교환 디바이스(히트싱크)가 제 1 열교환 디바이스(히트싱크) 내에 사전-조립되고, 조합된 조립체가 동시에 CPU 패키지 상에 설치된다. 제 2 수동 열교환 디바이스가 그러한 개구(들) 내에서 구속되지 않기 때문에, 디바이스는 밑에 있는 이차 디바이스(예를 들어, 각각, 다이(230) 및 다이(240), 또는 그러한 디바이스 상의 IHS(각각, IHS(235) 및 IHS(245))) 또는 그러한 다이 상의 열 인터페이스 재료(TIM2)와의 접촉점까지 전진할 수 있다. 이에 따라, 최소 유효 두께의 TIM2가 이차 다이의 표면 상에 배치될 수 있다. 이차 수동 열교환 디바이스(이차 히트싱크 베이스(275)/이차 히트싱크 핀(285A) 및 이차 히트싱크 베이스(275)/이차 히트싱크 핀(285B))를 유지하기 위해, 유지 스프링(retention spring)이 각각의 이차 디바이스의 히트싱크 핀 구조체를 가로질러 배치된다. 도 5는 각각의 제 2 디바이스의 핀의 상부를 가로질러 형성된 홈(297) 내에 배치된 유지 스프링(298)을 도시한다. 도 6에 도시된 바와 같이, 유지 스프링(298)은 일차 히트싱크 핀(280)의 핀 내에 형성된 개구를 통해 하나의 단부에서 또는 그 부근에서 연결되고, 제 2 단부는 이차 디바이스(이차 구조체의 히트싱크 핀)의 반대측에 있는 일차 히트싱크 핀(280)의 제 2 핀 내의 제 2 단부에서 또는 그 부근에서 연결되어, 유지 스프링(298)이 각각의 제 2 핀의 y-방향 길이(ℓ1)를 가로질러 홈(297) 내에 배치되고 접촉하며 제 2 핀 상에 그리고 패키지를 향해 사전결정된 z-방향 힘을 가한다. 도 6은 조립된 구조체의 측면도를 도시하며, 제 1 히트싱크 핀(280)의 핀 내의 개구(299)를 통해 돌출하는 유지 스프링(298)을 예시한다.
위의 실시예에서, 이차 디바이스(이차 다이 또는 칩)는 y-방향으로 측방향으로 정렬되어, 제 2 수동 열교환기가 유사하게 측방향으로 정렬될 수 있고, 단일의 유지 스프링(유지 스프링(298))이 제 2 수동 열교환 구조체 상의 사전결정된 기계적 하중을 유지하기 위해 그러한 제 2 수동 교환 구조체 상에 선택된 하향력을 가하는 데 사용될 수 있다. 다른 실시예에서, 그러한 이차 디바이스는 측방향으로 정렬되지 않을 수 있어, 제 1 수동 교환 디바이스 내의 개구가 정렬되지 않고, 대응하는 제 2 수동 열교환 구조체가 측방향으로 정렬되지 않는다. 그러한 실시예에서, 다수의 유지 스프링이 이용될 것이다.
예
예 1은 기판에 평면 어레이로 결합된 일차 디바이스 및 적어도 하나의 이차 디바이스; 일차 디바이스 상에 배치되고 적어도 하나의 이차 디바이스에 대응하는 영역 위에 개구를 갖는 제 1 수동 열교환기; 적어도 하나의 이차 디바이스 상에 배치된 제 2 수동 열교환기; 일차 디바이스의 방향으로 제 1 열교환기에 힘을 가하도록 작동가능한 적어도 하나의 제 1 스프링; 및 이차 디바이스의 방향으로 제 2 열교환기에 힘을 가하도록 작동가능한 적어도 하나의 제 2 스프링을 포함하는 장치이다.
예 2에서, 예 1의 장치의 제 1 열교환기 및 적어도 하나의 제 2 열교환기 각각은 히트싱크 베이스 및 핀 구조체를 포함한다.
예 3에서, 예 2의 장치의 제 2 스프링은 제 1 싱크 베이스와 적어도 하나의 제 2 히트싱크 베이스 사이에 배치된다.
예 4에서, 예 3의 장치의 기판 상의 일차 디바이스의 두께 치수는 적어도 하나의 이차 디바이스의 두께 치수와는 상이하고, 제 2 스프링은 제 1 히트싱크 베이스의 두께와 적어도 하나의 제 2 히트싱크 베이스의 두께 사이의 차이와 동등한 거리만큼 압축되도록 작동가능하다.
예 5에서, 제 1 히트싱크 베이스는 제 1 디바이스에 대응하는 영역에서 제 1 두께를 포함하고, 예 2의 장치의 개구에 인접한 영역에서 제 1 두께보다 작은 제 2 두께를 포함한다.
예 6에서, 예 2의 장치의 적어도 하나의 제 2 스프링은 적어도 하나의 제 2 열교환기의 핀 구조체의 치수를 가로질러 배치된다.
예 7에서, 예 6의 장치의 기판 상의 일차 디바이스의 두께 치수는 적어도 하나의 이차 디바이스의 두께 치수와는 상이하고, 제 2 스프링은 제 2 히트싱크를 적어도 하나의 이차 디바이스를 향해 변위시키도록 작동가능하다.
예 8에서, 예 7의 장치의 기판 상의 일차 디바이스의 두께 치수는 적어도 하나의 이차 디바이스의 높이 치수보다 크다.
예 9에서, 예 2의 장치의 제 1 열교환기의 히트싱크 베이스는 히트싱크 베이스를 일차 디바이스에 맞추도록 선택된 두께를 갖는다.
예 10은 멀티-칩 패키지 상에 배치되도록 작동가능한 치수를 갖는 수동 열교환기를 포함하는 장치이며, 수동 열교환기는 그것 내에 개구를 가진 제 1 영역을 갖는 제 1 부분; 개구 내에 배치되도록 작동가능한 치수를 갖는 제 2 부분; 및 제 2 부분에 힘을 가하도록 작동가능한 스프링을 포함한다.
예 11에서, 예 10의 장치의 열교환기의 제 1 부분 및 제 2 부분 각각은 히트싱크 베이스 및 핀 구조체를 포함한다.
예 12에서, 예 11의 장치의 스프링은 제 1 싱크 베이스와 적어도 하나의 제 2 히트싱크 베이스 사이에 배치된다.
예 13에서, 예 12의 장치의 제 1 히트싱크 베이스의 두께 치수는 적어도 하나의 제 2 히트싱크 베이스의 두께 치수와는 상이하다.
예 14에서, 에 13의 장치의 적어도 하나의 제 2 히트싱크 베이스의 두께 치수는 제 1 히트싱크 베이스의 두께 치수보다 작다.
예 15에서, 예 11의 장치의 적어도 하나의 스프링은 적어도 하나의 제 2 부분의 핀 구조체의 치수를 가로질러 배치된다.
예 16에서, 예 11의 장치의 제 1 부분의 히트싱크 베이스는 히트싱크 베이스를, 최대 열 발생을 포함하는 멀티-칩 패키지 내의 디바이스에 맞추도록 작동가능한 두께를 갖는다.
예 17은 수동 열교환기를 멀티-칩 패키지 상에 배치하는 단계로서, 수동 열교환기는, 일차 디바이스 상에 배치된 제 1 영역을 갖고, 적어도 하나의 이차 디바이스에 대응하는 영역 위에 적어도 하나의 개구를 갖는 제 1 부분, 및 적어도 하나의 개구 내에 배치되도록 작동가능한 치수를 갖는 제 2 부분을 포함하는, 단계; 및 적어도 하나의 이차 디바이스의 방향으로 수동 열교환기의 제 2 부분에 힘을 가하기 위해 스프링을 편향시키는 단계를 포함하는 방법이다.
예 18에서, 예 17의 방법의 열교환기의 제 1 부분 및 제 2 부분 각각은 히트싱크 베이스 및 핀 구조체를 포함하고, 스프링은 제 1 싱크 베이스와 적어도 하나의 제 2 히트싱크 베이스 사이에 배치된다.
예 19에서, 예 17의 방법의 열교환기의 제 1 부분 및 제 2 부분 각각은 히트싱크 베이스 및 핀 구조체를 포함하고, 스프링은 열교환기의 제 2 부분의 핀 구조체의 치수를 가로질러 배치된다.
예 20에서, 예 17의 방법의 열교환기의 제 1 부분 및 제 2 부분 각각은 히트싱크 베이스 및 핀 구조체를 포함하고, 제 1 부분의 히트싱크 베이스는 히트싱크 베이스를 일차 디바이스에 맞추도록 작동가능한 두께를 갖는다.
예 21에서, 열교환기를 포함하는 멀티-칩 패키지 조립체가 예 17 내지 예 20의 방법 중 임의의 것에 의해 제조된다.
'요약서'에 기술된 것을 포함한, 본 발명의 예시된 구현예의 상기 설명은 총망라하는 것으로, 또는 본 발명을 개시된 정확한 형태로 제한하는 것으로 의도되지 않는다. 본 발명의 특정 구현예 및 본 발명에 대한 예가 예시의 목적으로 본 명세서에 기술되지만, 관련 기술분야의 기술자가 인식할 바와 같이, 본 발명의 범위 내에서 다양한 동등한 변경이 가능하다.
이러한 변경은 상기의 상세한 설명을 고려하여 본 발명에 대해 이루어질 수 있다. 하기의 청구범위에 사용된 용어는 본 발명을 명세서 및 청구범위에 개시된 특정 구현예로 제한하도록 해석되어서는 안된다. 오히려, 본 발명의 범위는 전적으로 하기의 청구범위에 의해 결정되어야 하며, 청구범위는 확립된 청구범위 해석론에 따라 해석되어야 한다.

Claims (21)

  1. 장치에 있어서,
    기판(substrate)에 평면 어레이로 결합된 일차 디바이스(primary device) 및 적어도 하나의 이차 디바이스(secondary device);
    상기 일차 디바이스 상에 배치되고, 상기 적어도 하나의 이차 디바이스에 대응하는 영역 위에 개구(opening)를 갖는 제 1 수동 열교환기(passive heat exchanger);
    상기 적어도 하나의 이차 디바이스 상에 배치된 제 2 수동 열교환기;
    상기 일차 디바이스의 방향으로 상기 제 1 열교환기에 힘을 가하도록 작동가능한 적어도 하나의 제 1 스프링; 및
    상기 이차 디바이스의 방향으로 상기 제 2 열교환기에 힘을 가하도록 작동가능한 적어도 하나의 제 2 스프링을 포함하는
    장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 열교환기 및 적어도 하나의 상기 제 2 열교환기 각각은 히트싱크 베이스(heatsink base) 및 핀 구조체(fin structure)를 포함하는
    장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 2 스프링은 제 1 싱크 베이스와 적어도 하나의 제 2 히트싱크 베이스 사이에 배치되는
    장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 기판 상의 상기 일차 디바이스의 두께 치수는 상기 적어도 하나의 이차 디바이스의 두께 치수와는 상이하고, 상기 제 2 스프링은 상기 제 1 히트싱크 베이스의 두께와 상기 적어도 하나의 제 2 히트싱크 베이스의 두께 사이의 차이와 동등한 거리만큼 압축되도록 작동가능한
    장치.
  5. 제 2 항에 있어서,
    제 1 히트싱크 베이스는 제 1 디바이스에 대응하는 영역에서 제 1 두께를 포함하고, 상기 개구에 인접한 영역에서 상기 제 1 두께보다 작은 제 2 두께를 포함하는
    장치.
  6. 제 2 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 제 2 스프링은 적어도 하나의 상기 제 2 열교환기의 핀 구조체의 치수를 가로질러 배치되는
    장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 기판 상의 상기 일차 디바이스의 두께 치수는 상기 적어도 하나의 이차 디바이스의 두께 치수와는 상이하고, 상기 제 2 스프링은 제 2 히트싱크를 상기 적어도 하나의 이차 디바이스를 향해 변위시키도록 작동가능한
    장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 기판 상의 상기 일차 디바이스의 두께 치수는 상기 적어도 하나의 이차 디바이스의 높이 치수보다 큰
    장치.
  9. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 열교환기의 히트싱크 베이스는 상기 히트싱크 베이스를 상기 일차 디바이스에 맞추도록(justify) 선택된 두께를 갖는
    장치.
  10. 장치에 있어서,
    멀티-칩 패키지(multi-chip package) 상에 배치되도록 작동가능한 치수를 갖는 수동 열교환기를 포함하며, 상기 수동 열교환기는,
    내부에 개구를 구비한 제 1 영역을 갖는 제 1 부분;
    상기 개구 내에 배치되도록 작동가능한 치수를 갖는 제 2 부분; 및
    상기 제 2 부분에 힘을 가하도록 작동가능한 스프링을 포함하는
    장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 열교환기의 제 1 부분 및 제 2 부분 각각은 히트싱크 베이스 및 핀 구조체를 포함하는
    장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 스프링은 제 1 히트싱크 베이스와 적어도 하나의 제 2 히트싱크 베이스 사이에 배치되는
    장치.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 제 1 히트싱크 베이스의 두께 치수는 상기 적어도 하나의 제 2 히트싱크 베이스의 두께 치수와는 상이한
    장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 제 2 히트싱크 베이스의 두께 치수는 상기 제 1 히트싱크 베이스의 두께 치수보다 작은
    장치.
  15. 제 11 항에 있어서,
    적어도 하나의 상기 스프링은 적어도 하나의 상기 제 2 부분의 핀 구조체의 치수를 가로질러 배치되는
    장치.
  16. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 1 부분의 히트싱크 베이스는 상기 히트싱크 베이스를, 최대 열 발생을 포함하는 멀티-칩 패키지 내의 디바이스에 맞추도록 작동가능한 두께를 갖는
    장치.
  17. 방법에 있어서,
    수동 열교환기를 멀티-칩 패키지 상에 배치하는 단계로서, 상기 수동 열교환기는,
    일차 디바이스 상에 배치된 제 1 영역을 갖고, 적어도 하나의 이차 디바이스에 대응하는 영역 위에 적어도 하나의 개구를 갖는 제 1 부분,
    상기 적어도 하나의 개구 내에 배치되도록 작동가능한 치수를 갖는 제 2 부분을 포함하는, 단계; 및
    상기 적어도 하나의 이차 디바이스의 방향으로 상기 수동 열교환기의 제 2 부분에 힘을 가하기 위해 스프링을 편향(deflecting)시키는 단계를 포함하는
    방법.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 열교환기의 제 1 부분 및 제 2 부분 각각은 히트싱크 베이스 및 핀 구조체를 포함하고, 상기 스프링은 제 1 싱크 베이스와 적어도 하나의 제 2 히트싱크 베이스 사이에 배치되는
    방법.
  19. 제 17 항에 있어서,
    상기 열교환기의 제 1 부분 및 제 2 부분 각각은 히트싱크 베이스 및 핀 구조체를 포함하고, 상기 스프링은 상기 열교환기의 제 2 부분의 핀 구조체의 치수를 가로질러 배치되는
    방법.
  20. 제 17 항에 있어서,
    상기 열교환기의 제 1 부분 및 제 2 부분 각각은 히트싱크 베이스 및 핀 구조체를 포함하고, 상기 제 1 부분의 히트싱크 베이스는 상기 히트싱크 베이스를 상기 일차 디바이스에 맞추도록 작동가능한 두께를 갖는
    방법.
  21. 제 17 항 내지 제 20 항 중 어느 한 항에 기재된 방법에 의해 제조되는
    멀티-칩 패키지 조립체.
KR1020177005169A 2014-09-27 2014-09-27 멀티-칩 자동 조정식 냉각 솔루션 KR102134061B1 (ko)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/US2014/057922 WO2016048384A1 (en) 2014-09-27 2014-09-27 Multi-chip self adjusting cooling solution

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170038862A true KR20170038862A (ko) 2017-04-07
KR102134061B1 KR102134061B1 (ko) 2020-07-14

Family

ID=55581699

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020177005169A KR102134061B1 (ko) 2014-09-27 2014-09-27 멀티-칩 자동 조정식 냉각 솔루션

Country Status (10)

Country Link
US (2) US10141241B2 (ko)
EP (1) EP3198635B1 (ko)
JP (1) JP6432676B2 (ko)
KR (1) KR102134061B1 (ko)
CN (1) CN106796923B (ko)
BR (1) BR112017003978A2 (ko)
MY (1) MY188301A (ko)
RU (1) RU2664778C1 (ko)
TW (1) TWI610612B (ko)
WO (1) WO2016048384A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021210914A1 (ko) * 2020-04-14 2021-10-21 엘지이노텍 주식회사 방열판

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9806003B2 (en) * 2016-01-30 2017-10-31 Intel Corporation Single base multi-floating surface cooling solution
DE102016117841A1 (de) * 2016-09-21 2018-03-22 HYUNDAI Motor Company 231 Packung mit aufgerauter verkapselter Oberfläche zur Förderung einer Haftung
CN108710409B (zh) 2017-07-05 2022-02-11 超聚变数字技术有限公司 一种处理器固定结构件、组件及计算机设备
CN108233680B (zh) * 2018-01-30 2020-04-21 湘潭大学 一种应用于clcl谐振变换器的无源元件集成装置
US11251103B2 (en) * 2019-03-29 2022-02-15 Intel Corporation Segmented heatsink
RU201912U1 (ru) * 2020-09-25 2021-01-21 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Петрозаводский государственный университет" Многокристальная микросхема с верхним радиатором

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1070383A (ja) * 1996-08-28 1998-03-10 Nec Corp ヒートシンクの実装構造
JP2002261213A (ja) * 2001-03-06 2002-09-13 Showa Denko Kk ヒートシンク固定用クリップ
JP2007243051A (ja) * 2006-03-10 2007-09-20 Fujitsu Ltd 放熱装置
WO2014148026A1 (ja) * 2013-03-21 2014-09-25 日本電気株式会社 ヒートシンク構造、半導体装置及びヒートシンク搭載方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2970693B2 (ja) 1991-02-18 1999-11-02 富士通株式会社 半導体装置
JPH1070219A (ja) * 1996-08-27 1998-03-10 Fujitsu Ltd 実装モジュールの冷却装置
US5808236A (en) * 1997-04-10 1998-09-15 International Business Machines Corporation High density heatsink attachment
US7113406B1 (en) * 2004-07-22 2006-09-26 Cisco Technology, Inc. Methods and apparatus for fastening a set of heatsinks to a circuit board
US7405931B2 (en) * 2004-09-20 2008-07-29 Nortel Networks Limited Floating heatsink for removable components
WO2007055625A1 (en) * 2005-11-11 2007-05-18 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Cooling assembly
US7495922B2 (en) * 2007-03-29 2009-02-24 Intel Corporation Spring loaded heat sink retention mechanism
US20090085187A1 (en) * 2007-09-28 2009-04-02 Ward Scott Loading mechanism for bare die packages and lga socket
JP3139706U (ja) 2007-12-07 2008-02-28 訊凱國際股▲分▼有限公司 治具付き放熱器
US20090321901A1 (en) 2008-06-25 2009-12-31 Antares Advanced Test Technologies, Inc. Thermally balanced heat sinks
US20110088874A1 (en) 2009-10-20 2011-04-21 Meyer Iv George Anthony Heat pipe with a flexible structure
US8355255B2 (en) 2010-12-22 2013-01-15 Raytheon Company Cooling of coplanar active circuits
US8780561B2 (en) 2012-03-30 2014-07-15 Raytheon Company Conduction cooling of multi-channel flip chip based panel array circuits
US9257364B2 (en) 2012-06-27 2016-02-09 Intel Corporation Integrated heat spreader that maximizes heat transfer from a multi-chip package
JP6056490B2 (ja) 2013-01-15 2017-01-11 株式会社ソシオネクスト 半導体装置とその製造方法
US9236323B2 (en) * 2013-02-26 2016-01-12 Intel Corporation Integrated heat spreader for multi-chip packages
RU134358U1 (ru) 2013-05-30 2013-11-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А." (СГТУ имени Гагарина Ю.А.) Фрактальный радиатор для охлаждения полупроводниковых и микроэлектронных компонент
TWI600091B (zh) * 2014-10-23 2017-09-21 英特爾股份有限公司 用於多表面構件之使用撓性熱管的散熱器連接器

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1070383A (ja) * 1996-08-28 1998-03-10 Nec Corp ヒートシンクの実装構造
JP2002261213A (ja) * 2001-03-06 2002-09-13 Showa Denko Kk ヒートシンク固定用クリップ
JP2007243051A (ja) * 2006-03-10 2007-09-20 Fujitsu Ltd 放熱装置
WO2014148026A1 (ja) * 2013-03-21 2014-09-25 日本電気株式会社 ヒートシンク構造、半導体装置及びヒートシンク搭載方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021210914A1 (ko) * 2020-04-14 2021-10-21 엘지이노텍 주식회사 방열판

Also Published As

Publication number Publication date
TWI610612B (zh) 2018-01-01
WO2016048384A1 (en) 2016-03-31
CN106796923B (zh) 2020-05-05
US20190067158A1 (en) 2019-02-28
US20160276243A1 (en) 2016-09-22
EP3198635B1 (en) 2020-04-15
MY188301A (en) 2021-11-26
RU2664778C1 (ru) 2018-08-22
BR112017003978A2 (pt) 2017-12-12
JP2017530551A (ja) 2017-10-12
TW201626879A (zh) 2016-07-16
KR102134061B1 (ko) 2020-07-14
JP6432676B2 (ja) 2018-12-05
EP3198635A4 (en) 2018-06-06
US10141241B2 (en) 2018-11-27
CN106796923A (zh) 2017-05-31
EP3198635A1 (en) 2017-08-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102134061B1 (ko) 멀티-칩 자동 조정식 냉각 솔루션
US8373280B2 (en) Manufacturing fixture for a ramp-stack chip package using solder for coupling a ramp component
US7606035B2 (en) Heat sink and memory module using the same
US20170207205A1 (en) Semiconductor packages
CN107591396B (zh) 减少晶粒之间的热交互作用的热加强式封装
US7518873B2 (en) Heat spreader, semiconductor package module and memory module having the heat spreader
US20100148356A1 (en) Stacked semiconductor device and manufacturing method thereof
US20070075412A1 (en) Mid-plane arrangement for components in a computer system
US7705449B2 (en) Cooling apparatus for memory module
US20210037679A1 (en) Tubular heat spreaders for memory modules and memory modules incorporating the same
US20190285362A1 (en) Cooling structure and mounting structure
US9947560B1 (en) Integrated circuit package, and methods and tools for fabricating the same
US6717246B2 (en) Semiconductor package with integrated conical vapor chamber
EP3175688B1 (en) Apparatus, systems and methods for limiting travel distance of a heat sink
EP3712936B1 (en) Flexible base design for chipset heat sink
JP6701753B2 (ja) 冷却モジュール及び装置
KR20230159274A (ko) 반도체 디바이스와 함께 사용하기 위한 히트 스프레더
JP2008205081A (ja) 半導体モジュール及び半導体モジュール用放熱板
KR20150124936A (ko) 히트 싱크 커플링

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant