TWI605153B - 樹脂薄膜的濕式處理裝置 - Google Patents

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Yaichiro Nakamaru
Yukio Shinozaki
Tetsuya Aoki
Takashi Matsukura
Goki Hashimoto
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Chuo Kikai Co Ltd
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Description

樹脂薄膜的濕式處理裝置
本發明關於一種樹脂薄膜的濕式處理裝置，其藉由將網(web)狀的樹脂薄膜浸入規定的處理液中，而對前述樹脂薄膜的面，施加規定的處理。
伴隨著行動資訊終端等的小型化、高性能化，對於薄型且可彎折的軟性電路板(FPC，Flexible Printed Circuit)的需要提高。於是，也想要進行FPC自身的輕薄短小化、電路的細微化和低成本化。現在的FPC，是使用低價的層壓型(laminate type)或塗佈型(cast type)的軟性銅箔基板(FCCL，Flexible Copper Clad Laminate)，但是這些類型的軟性銅箔基板不適合進行細微電路的形成或薄型化。為了實現市場所要求的FPC的進一步的輕薄短小化，例如必須使用已形成有金屬膜之金屬化型(metallize type)的軟性銅箔基板，但是用於在薄膜上形成金屬膜之濺射法(sputtering)的成本高，而造成FPC自身的成本也變得高價。
作為這種高價的濺射法的替代技術，已知一種使用比較低價的無電解鍍覆法來製造軟性銅箔基板的方法(例如，參照專利文獻1)。使用該製造方法，可製造與現行的金屬化型的軟性銅箔基板具有同等性能且低成本的軟性銅箔基板。
[先前技術文獻] (專利文獻) 專利文獻1：日本特開2010-159478號公報
[發明所欲解決的問題] 在使用無電解的鍍覆法之製造裝置中，一般來說是選擇聚醯亞胺膜來作為網狀的樹脂薄膜，且以捲對捲製方式(roll to roll)來進行連續處理，其特點是生產性高。利用捲對捲方式所搬送的聚醯亞胺膜的厚度，現在是以25μm～50μm為主流，但是預期將會移轉到今後的FPC市場所要求之厚度是12.5μm的聚醯亞胺膜。然而，厚度12.5μm的聚醯亞胺膜是非常薄且難以處理，在利用現有的搬送技術來搬送時會造成薄膜的損傷或斷裂，所以不容易利用捲對捲方式來進行鍍覆加工。
又，當使作為無電解鍍覆的觸媒之金屬離子觸媒吸附在聚醯亞胺膜等的網狀的樹脂薄膜上時，在將該網狀的樹脂薄膜浸入無電解鍍覆液之前，必須進行金屬離子觸媒的活性化。然而，由於此活性化所還原的金屬離子與樹脂薄膜上的羧酸離子(carboxylate ion)的結合力弱，而在先前的捲對捲方式的搬送中，當輥與樹脂薄膜接觸時，金屬離子觸媒容易從樹脂薄膜的表面脫落，不利於金屬膜的沉積而不容易形成厚度足夠的金屬膜。
因此，鑒於上述技術問題，本發明的目的在於提供一種樹脂薄膜的濕式處理裝置，其即便對於膜厚比較薄的樹脂薄膜，也可實現無電解的鍍覆法等的表面處理。
[解決問題的技術手段] 用來解決上述技術問題之本發明的樹脂薄膜的濕式處理裝置，其藉由將網狀的樹脂薄膜浸入規定的處理液中，而對前述樹脂薄膜的面，施加規定的處理，該濕式處理裝置的特徵在於，具有：處理槽，其內部積存有前述處理液且使前述樹脂薄膜通過前述處理液中；一對的搬送構件，其被分別地設置在前述處理槽的前述樹脂薄膜的導入側和前述樹脂薄膜的排出側，且被設置在比積存於前述處理槽內的前述處理液的液面更高的位置；及，噴流單元，其被配設在一對的前述搬送構件之間且位於比該搬送構件更低的位置，在其周面上設置有複數個孔，以使前述處理液自該周面噴出，且藉由來自該孔的噴流，使得前述樹脂薄膜以非接觸的方式(沒有接觸到處理液以外的東西的方式)在前述處理液中沿著該周面進行方向轉換。
[發明的效果] 依據本發明的樹脂薄膜的濕式處理裝置，前述噴流單元，在一對的前述搬送構件之間，使得前述樹脂薄膜以非接觸的方式在前述處理液中沿著該周面進行方向轉換，所以能夠防止薄的樹脂薄膜發生損傷或斷裂的情況。在前述處理液中的樹脂薄膜與前述噴流單元彼此沒有接觸，所以也能夠防止金屬離子觸媒自樹脂薄膜的表面脫落的情況。
一邊參照圖式一邊說明本發明的實施形態。另外，以下說明是本發明的數個具體例，然而本發明不受限於這些具體例的實施形態。又，本發明不受限於各個圖式中所表示的各個構成要素的配置或尺寸等。
[第一實施形態] 本實施形態，是以上下(up down)搬送方式進行鍍覆處理的鍍覆裝置的例子來作為樹脂薄膜的濕式處理裝置，特別是作為被設置在製造軟性銅箔基板(FCCL)的生產線上的裝置的一個例子，例如藉由無電解鍍覆法而在聚醯亞胺膜等的樹脂薄膜上形成作為晶種層(seed layer)之鎳(Ni)薄膜，且在該鎳薄膜上形成作為導電層之銅層，以製造該軟性銅箔基板。本實施形態的鍍覆裝置，在形成金屬薄膜前的樹脂薄膜上，存在有已活性化的金屬觸媒，但是特別使在鍍覆槽內的樹脂薄膜本身沒有接觸到處理液(鍍覆液)以外的東西，所以能夠預先地抑制金屬觸媒自樹脂薄膜上脫落的情況。該鍍覆裝置，被設置在製造軟性銅箔基板的生產線上，使用網狀的樹脂薄膜來作為基材，且進行連續處理，所以比批次式的裝置更適合進行量產。
如第1圖和第2圖所示，本實施形態的鍍覆裝置，是一邊搬送網狀的聚醯亞胺膜等的樹脂薄膜20一邊進行鍍覆處理的裝置，其是採用所謂上下搬送方式，該上下搬送方式是以將樹脂薄膜20的搬送方向從垂直方向變成水平方向的方式連續地搬送，並在處理槽10的內部採用先使樹脂薄膜20暫時下降，然後再度上升的搬送路線。在這種搬送方式下，使樹脂薄膜20通過鍍覆液時，不是水平而是在上下方向振動，而能夠使在鍍覆液中產生且附著在樹脂薄膜20的表面上之氣泡，自樹脂薄膜20的表面上脫離，所以當藉由鍍覆來形成金屬薄膜時，能夠將由氣泡所造成的不良影響減至最小，並且也能夠減少生產線整體的佔有面積。
本實施形態的鍍覆裝置，具有處理槽10，其為了將樹脂薄膜20浸漬於鍍覆液中而在內部積存有鍍覆液，且使樹脂薄膜20通過該鍍覆液中；並且，該鍍覆裝置，在該處理槽10的樹脂薄膜20的導入側和樹脂薄膜20的排出側，具有一對的搬送構件也就是導入輥14和排出輥16，其被分別地設置在比積存於處理槽10內的鍍覆液的液面更高的位置。在這些導入輥14與排出輥16之間，噴流單元12被配設在位於比導入輥14和排出輥16更低的位置，且使得樹脂薄膜20以非接觸的方式在鍍覆液中沿著該周面13進行方向轉換。
噴流單元12，其是底側為圓筒形狀、上側為矩形形狀且內部為中空的構件，例如藉由PVC(聚氯乙烯)等的樹脂加工而形成。又，噴流單元12的尺寸，被設定成在樹脂薄膜20的寬度方向上比樹脂薄膜20的寬度更大。噴流單元12，例如是在寬度方向的端部處被固定在處理槽10上，但是也能夠作成可對於處理槽10安裝和拆下的形式，也能夠作成不是固定式而是可在處理槽10內移動的構造，也可以是由處理槽10的上部垂吊而支撐的機構。在噴流單元12的底側的圓筒形狀的周面13上，形成有複數個孔15，以使鍍覆液自該周面13噴出，且藉由來自此孔15所噴出的鍍覆液的壓力，以與噴流單元12非接觸的方式來搬送要被搬送的樹脂薄膜20。孔15，例如是在噴流單元12的底側的圓筒形狀的周面13上並排配列且貫通周面13的構成板之貫通孔，可以設置複數個同樣口徑的孔15，也可以混合地設置不同口徑的孔15。將複數個孔15設置在周面13上的角度如後述。
在噴流單元12上，連接有鍍覆液供給管38，經由此鍍覆液供給管38而供給的鍍覆液，以規定的液壓自噴流單元12噴出到處理槽10內。在鍍覆液供給管38的下端，連接有用來以非接觸方式搬送樹脂薄膜20之噴流單元12；在鍍覆液供給管38的上端，配設有頂槽(head tank)18，且該頂槽18位於比處理槽10更高的位置。頂槽18，其暫時積存藉由泵24所供給的鍍覆液，且將該鍍覆液供給至噴流單元12，而能夠抑制由於泵24的運作而造成鍍覆液在噴流單元12中的脈動。鍍覆液供給管38，其連接頂槽18和噴流單元12，且設置有流量計22和閥30。能夠藉由操作閥30的來調整自頂槽18供給到噴流單元12中的鍍覆液的流量，且藉由流量計22來監控該流量。鍍覆液因為自身重量而自頂槽18落下，藉此鍍覆液自噴流單元12噴出至處理槽10內。為了將樹脂薄膜20穩定且非接觸地搬送，也可以將閥30設置在鍍覆液供給管38上且加以控制，也可以如後述般地進行調整鍍覆液自噴流單元12噴出的角度。又，也可以利用先前的方法來控制形成在噴流單元12的周面13上的孔15的尺寸，也可以進一步調整頂槽18的高度。
處理槽10，具有在上側開口的矩形狀的構造，以搬送樹脂薄膜20，如第2圖所示，在上端部形成有溢流槽48，以收容自處理槽10溢出的鍍覆液，且排水管(drain pipe)50從溢流槽48的底部連接到積存槽26。因此，鍍覆液可隨時或持續供給到處理槽10中，且鍍覆液不會自處理槽10流出至裝置外部。經由閥28且藉由泵24來汲取在積存槽26中的鍍覆液，並將藉由泵24所汲取的鍍覆液供給到頂槽18。在頂槽18的底部，設置有排水閥32，藉由打開排水閥32，能夠使在頂槽18中的鍍覆液回到積存槽26。
在處理槽10的側壁上，配設有壁面噴流部40、42來作為將噴流施加至壁面上之第二噴流部。壁面噴流部40、42，是被配設在處理槽10的內側壁上之管狀構件，且被設置在樹脂薄膜20的寬度方向上，亦即以水平方向來作為長度方向。如第6圖所示，壁面噴流部40、42的本體41在水平方向上直至端部45之間形成有並排的複數個噴流孔43，如後述般地可藉由自複數個噴流孔43噴出的液流來將樹脂薄膜20的搬送路徑控制在適當的位置上。此壁面噴流部40、42，將噴流施加至樹脂薄膜20的與承受來自噴流單元12的液壓的面為相反側之面。在壁面噴流部40、42的本體41上形成有複數個噴流孔43，該等噴流孔43的噴出方向，不是直接朝向處理槽10的內部，而是被設置成自本體41朝向處理槽10的內壁，以將鍍覆液的壓力間接地施加到樹脂薄膜20。將鍍覆液自壁面噴流部40、42間接地送到樹脂薄膜20的表面，藉此能夠防止被搬送的樹脂薄膜20貼近至處理槽10的邊緣或內壁，而能夠穩定地進行樹脂薄膜20的搬送。
第5圖是表示具有壁面噴流部40、42之鍍覆裝置的構成圖。為了比較，第7圖是表示沒有壁面噴流部40、42之鍍覆裝置的構成圖。如第7圖所示，在處理槽10的側壁上沒有設置壁面噴流部40、42的構成之裝置中，被搬送的樹脂薄膜20受到來自噴流單元12之鍍覆液的液壓，造成其搬送路徑偏向沿著處理槽10的側壁之壁面。因此，樹脂薄膜20可能貼近至處理槽10的邊緣或內壁，特別是在使用12.5微米這樣的厚度薄的樹脂薄膜20的場合，此傾向更是顯著。相對於此，如第5圖所示，在處理槽10的側面配設有壁面噴流部40、42的構成中，即便在使用厚度薄的樹脂薄膜20的場合，也能夠使樹脂薄膜20不會貼近至處理槽10的邊緣或內壁，並能夠通過適當的搬送路徑，而穩定地進行薄膜的搬送。
樹脂薄膜20，如上述，例如是具有在25微米以下，較佳是在12.5微米以下程度的厚度薄的聚醯亞胺樹脂薄膜，通常是將芳香族化合物直接以醯亞胺鍵連結成的芳香族聚醯亞胺，經由此醯亞胺鍵而與芳香族彼此具有共軛結構(conjugated structure)，且藉由具有強分子間力之醯亞胺鍵，而在聚合物中具有良好的耐熱性、機械性、化學特性。在本實施形態中，能夠使用東麗杜邦(DUPONT-TORAY)公司所製造的Kapton(商品名稱)、或宇部興產股份有限公司所製造的UPILEX(商品名稱)。
這種鍍覆裝置，較佳是在連續的生產線中作為進行1個步驟之處理裝置來使用，例如能夠在製造軟性銅箔基板的生產線中作為進行金屬晶種層的形成步驟之處理裝置來使用，該生產線用以在樹脂薄膜20上形成作為導電層之銅層。針對這種軟性銅箔基板的製造方法，例如本案的申請人已在日本特開2010-159478號公報中，提出一種2層軟性銅箔基板(2層FCCL)的製造技術，其特徵在於：利用濕式處理來進行下列的全部步驟(all wet process)，預先形成Ni或含有Ni的合金等的導電性金屬的晶種層之步驟，然後為了增加厚度而在該晶種層上進行銅導電層的鍍覆步驟，且整個該鍍覆銅的步驟是1個步驟。
針對簡單地製造軟性銅箔基板的方法進行說明，首先，在軟性(可撓性)、耐熱性、耐藥性優異的聚醯亞胺樹脂薄膜的面上進行表面改質的前置作業，以使該表面親水化。該表面改質法，是利用鹼性濕式改質法而在該表面上形成聚醯胺酸改質層。接著，利用鈀(Pb)系觸媒，使鈀離子吸附在該表面上之後進行還原處理，使得已吸附的鈀離子還原成金屬而作成親水性的表面改質層。此鹼性濕式改質法所造成的一連串的化學作用，通常如果利用鹼性水溶液來處理聚醯亞胺樹脂，則其表面的一部分受到加水分解(hydrolysis)而使得醯亞胺環的一部分裂開且產生醯胺基和羧基。此產生的羧基容易進行陽離子(cation)交換，所以能夠吸附金屬離子。
在這種表面改質後具有親水性之樹脂薄膜面上，利用無電解鍍覆法，預先施加導電性金屬的鍍覆，以形成Ni或含有Ni的合金等的導電性金屬的晶種層。此時，使用關於本實施形態之鍍覆裝置，利用噴流單元12以非接觸的方式來搬送樹脂薄膜20。在此濕式無電解鎳鍍覆處理中，只要在樹脂薄膜20的雙面上形成10～300nm程度的鎳晶種層即可，且可以舉例Ni-P(磷)、Ni-B(硼)、Ni-Cu(銅)等作為Ni合金。
接著，在酸性銅鍍覆浴組成物中，進行濕式電鍍，且在樹脂薄膜的晶種層上，利用1次步驟以自在地控制層厚的方式增加銅導電層的厚度，使得進行鍍覆後之銅的附著厚度是在0.05～50μm的範圍內，以製造軟性銅箔基板。針對在表面上形成有金屬鍍覆膜之樹脂薄膜，利用酸性銅鍍覆浴組成物來進行銅鍍覆的條件，也可以設定為通常的硫酸銅鍍覆的條件。亦即，在液溫是23～27℃的程度、平均陰極電流密度是1～3A/dm2 的程度，進行0.1～250分鐘的程度的鍍覆。又，一般來說，較佳是在有由充氣(aeration)等所實行的液體攪拌下進行銅鍍覆。
在以上的2層軟性銅箔基板的製造方法中，利用濕式處理來進行全部步驟(all process)，在該全部步驟中包含晶種層的形成步驟，該晶種層的形成步驟，藉由無電解Ni鍍覆而能夠低成本地插入生產線(in-line)，並且所得到的2層軟性銅箔基板能夠適用於細微的圖案化。又，在預先形成有導電性金屬鍍覆膜的晶種層之樹脂薄膜面上，不需要經由基底銅鍍覆(primary copper plating)，就能夠直接增加銅鍍覆層的厚度來製造的2層軟性銅箔基板，呈現平滑光澤的外觀，並且所得到的銅鍍覆層的耐剝離性能夠顯著提升。
這種軟性銅箔基板的製造方法，僅是本實施形態的鍍覆裝置的一個應用例，本發明的樹脂薄膜的濕式處理裝置，不僅是可以應用於鍍覆，也可以應用於其他所有的濕式處理。亦即，本發明的樹脂薄膜的濕式處理裝置，例如也可以是濕式蝕刻裝置、藥液處理裝置、洗淨裝置、塗佈裝置、顯影裝置、塗覆裝置等。又，也可以不是獨立裝置而被組裝到大型的生產線的一部分中，也可以被搭載在其他的處理裝置的一部分上。又，本發明的樹脂薄膜的濕式處理裝置，是被配置在進行表面改質之前處理步驟與進行銅層的形成之後處理步驟之間，且以將網狀的樹脂薄膜被連續地供給到該濕式處理裝置作為前提，但是只要不產生薄膜剝離的問題，所供給的樹脂薄膜也能夠在前處理步驟後被暫時捲繞，也可以在後處理步驟前被暫時捲繞。
作為被導入至處理槽10中的鍍覆液，在本實施形態中，例如能夠利用已知的無電解鎳鍍覆浴。也能夠將無電解鎳鍍覆浴所常用的濃度、溫度、時間等，直接作為設定條件。另外，作為無電解鎳鍍覆浴，能夠使用無電解Ni-P鍍覆、無電解Ni-B鍍覆、無電解純Ni鍍覆等而沒有特別限制，但是較佳是利用無電解Ni-P鍍覆。作為使用藥劑的一例，可以使用JCU公司所製造的ES-500(型號)，處理溫度可以設定為例如40℃。
在本實施形態的鍍覆裝置中，如果來自噴流單元12的噴出流的大部分沖到樹脂薄膜20上則可以使搬送穩定，相反地卻會使在鍍覆析出面上的鈀落下而造成在樹脂薄膜20的噴出側的表面上的鍍覆膜的厚度變薄，與在樹脂薄膜20的沒有噴流吐出的背面上的鍍覆膜的厚度之間產生膜厚差異，而造成在表面和背面上的膜厚不均一。因此，在本實施形態的鍍覆裝置中，限制其噴出量，例如來自噴流單元12的孔15之噴流是每分鐘在100公升以下，較佳是每分鐘在75公升以下，更佳是每分鐘在50公升以下。這些數值是本發明人進行實驗而得到，利用每分鐘在100公升以下的低噴出量，較佳是每分鐘在75公升以下的低噴出量，更佳是每分鐘在50公升以下的低噴出量，可以得到表面和背面上的膜厚幾乎均一的結果。
接著，針對使樹脂薄膜20沿著周面13進行方向轉換之噴流單元12的噴出角度，一邊參照第3圖一邊進行說明。本實施形態的鍍覆裝置的噴流單元12的構成，其下側的一半是圓筒形狀，經由形成在周面13上的孔15使鍍覆液自該下側的中心放射狀地吐出。在膜的搬送方向上切斷之噴流單元12的剖面上的孔15的分布，可決定噴流單元12的噴出角度。所具有的構成是：(a)噴流單元12的噴出角度θ是180度；(b)噴流單元12的噴出角度θ是90度；(c)噴流單元12的噴出角度θ是120度；(d)噴流單元12的噴出角度θ是150度；(e)噴流單元12的噴出角度θ是180度，且進一步在圓筒部的上面的矩形狀的部分上也形成有孔。比較這些形狀的結果，在噴出角度θ是180度之(a)、(e)的噴流單元12中，例如自周面13至樹脂薄膜20的距離幾乎都固定成3mm的程度而得到良好的樹脂薄膜20的搬送穩定性。又，即便是在(b)～(d)的噴流單元12中的噴出角度是90度～150度，也能夠在樹脂薄膜20的雙面上形成必要的10～300nm程度的導電性的鎳晶種層。
本實施形態的鍍覆裝置，為了處理相較於先前的樹脂薄膜的膜厚更薄之樹脂薄膜20，所以蛇行的防止及搬送速度的穩定化極為重要，藉由如第4圖所示的回饋控制系統，能夠在樹脂薄膜20的雙面形成均一(均勻)的鍍覆膜。樹脂薄膜20的搬送狀態，藉由透過型的感測器44、46來持續監視，且將監視結果的訊號傳送至搬送控制器60。透過型的感測器44、46，其中一方是發光元件，另一方是受光元件。感測器44、46，在其安裝位置上監測樹脂薄膜20是否遮住自發光元件射出的光。作為一例，感測器44、46能夠監測樹脂薄膜20的位置，是在自噴流單元12的底部起算1mm～15mm的程度的位置，較佳是在3mm～10mm的程度的位置。搬送控制器60的構成，能夠控制用來驅動導入輥14之馬達64、及用來驅動排出輥16之馬達66。
作為回饋控制的例子，如果樹脂薄膜20接近噴流單元12，則光透過感測器44與46之間，而接收到感測器的訊號之搬送控制器60將訊號傳送到馬達64以控制在處理槽10的入口處之導入輥14而使其旋轉速度加快。若這樣做，使得樹脂薄膜20與噴流單元12的底部之間的距離增加(分離)。相反地，如果光在感測器44與46之間被遮斷，則接收到感測器的訊號之搬送控制器60將訊號傳送到馬達64以控制在處理槽10的入口處之導入輥14而使其旋轉速度減慢。其結果，使得樹脂薄膜20與噴流單元12的底部之間的距離減少(接近)。藉由搬送控制器60來控制馬達，也能夠控制馬達66，此場合是控制排出輥16的旋轉速度。又，搬送控制器60所進行的馬達的控制，也能夠在馬達64和馬達66的雙方同時進行，利用使一方的旋轉速度加快，並使另一方的旋轉速度減慢，可以迅速地進行回饋控制。因此，藉由此回饋控制，能夠適當地保持噴流單元12與樹脂薄膜20的間隔，且能夠穩定地進行薄膜搬送。
第8圖和第9圖分別地表示第一實施形態的鍍覆裝置的變化例。第8圖所示的第一實施形態的鍍覆裝置的變化例的構造，是將處理槽11a設定成具有比先前的實施形態更狹小的跨距(span)W1，使導入輥14與排出輥16之間的距離也變短，以減少生產線整體的佔有面積。如果導入輥14與排出輥16之間的距離變短，但是噴流單元12a在處理槽11a內的位置仍與第1圖所示的鍍覆裝置相同，則自導入輥14朝向噴流單元12a之樹脂薄膜20的搬送路徑會更急遽地向下，而自噴流單元12a朝向排出輥16之樹脂薄膜20的搬送路徑會更急遽地向上，在縮小設置面積的同時，也改善在樹脂薄膜20的表面上的氣泡的排出，而能夠形成均勻膜厚的鍍覆膜。
第9圖所示的第一實施形態的鍍覆裝置的變化例，是將處理槽11b設定成具有進一步更狹小的跨距W2的例子，其將被配設在內部的噴流單元12b設成剖面是紡錘形狀，且具有對應於進一步更狹小的跨距W2之尺寸。使用這種紡錘形狀的噴流單元12b，藉此防止樹脂薄膜20接觸到噴流單元12b的側壁，並且在紡錘形的肩部分能夠積存液體，以穩定化樹脂薄膜20與噴流單元12b的間隔。又，能夠謀求防止噴流單元12b與樹脂薄膜20的接觸、及能夠謀求樹脂薄膜20的穩定搬送。在利用微弱的液流進行處理的場合，希望做成紡錘形且使口徑變小。其結果，能夠使頂槽、處理槽11b、積存槽26的容量的任一種都變小，能夠減少需要的藥液的量，也能夠減低處理成本、廢液處理成本，而進一步降低環境負擔。
[第二實施形態] 在本實施形態的鍍覆裝置的例子中，噴流單元具有2個以上的分離的腔室(chamber)，且利用第10圖～第12圖來表示本實施形態的構造。另外，在本實施形態的鍍覆裝置及先前的實施形態的鍍覆裝置具有同樣的構成要素的場合，則將同樣的參考符號給予這些構成要素且省略重複的說明。
第10圖所示的本實施形態的鍍覆裝置，其處理槽70的跨距W1比較狹小，且該處理槽70的內部配置有噴流單元81。該噴流單元81，是由被配設在單元上側的第一積存室80、及被配設在單元下側的第二積存室82所構成。這些第一積存室80和第二積存室82，彼此沒有連通，且經由各自獨立的鍍覆液供給管92、96而被連接至頂槽18。第一積存室80，經由鍍覆液供給管92和閥94而被連接至頂槽18。第二積存室82，經由鍍覆液供給管96和閥98而被連接至頂槽18。第一積存室80，具有使鍍覆液自噴流單元81的上半部噴出的孔，而能夠自這些孔朝向水平方向放出噴流。又，第二積存室82，具有使鍍覆液自噴流單元81的下半部噴出的孔，而能夠沿著噴流單元81的周面放射狀地放出噴流。
鍍覆液供給管92、96是彼此獨立的供給管路，所以能夠利用閥94、98的操作來控制彼此獨立的供給管內的流量，而能夠以有利於形成均勻的鍍覆膜的方式來組合第一積存室80和第二積存室82且進行處理。又，個別地對該噴流單元81內的第一積存室80和第二積存室82進行流量控制，能夠使樹脂薄膜20相對於噴流單元的位置穩定化。另外，較佳是自頂槽18將液體供給到各個第一積存室80、82。依據第10圖所示的本實施形態的鍍覆裝置，能夠防止噴流單元81與樹脂薄膜20的接觸，且也能夠穩定地進行搬送。
第11圖所示的本實施形態的鍍覆裝置，其將被配設在其內部的噴流單元85設成剖面是紡錘形狀，且具有對應於進一步更狹小的跨距W2之尺寸。此比較小型的噴流單元85，是由被配設在單元上側的第一積存室84、及被配設在單元下側的第二積存室86所構成。這些第一積存室84和第二積存室86，彼此沒有連通，且經由各自獨立的鍍覆液供給管92、96而被連接至頂槽18。第一積存室84，經由鍍覆液供給管92和閥94而被連接至頂槽18。第二積存室86，經由鍍覆液供給管96和閥98而被連接至頂槽18。第一積存室84，具有使鍍覆液自噴流單元85的上半部噴出的孔，而能夠沿著噴流單元81的周面朝上且放射狀地放出噴流。又，第二積存室86，具有使鍍覆液自噴流單元85的下半部噴出的孔，而能夠沿著噴流單元85的周面朝下且放射狀地放出噴流。
在第11圖所示的本實施形態的鍍覆裝置中，也與第10圖所示的鍍覆裝置同樣，鍍覆液供給管92、96是彼此獨立的供給管路，所以能夠利用閥94、98的操作來控制彼此獨立的供給管內的流量，而能夠以有利於形成均勻的鍍覆膜的方式來組合第一積存室84和第二積存室86且進行處理。在處理時，能夠使通過的樹脂薄膜20的位置穩定。
第12圖所示的鍍覆裝置，與第11圖所示的鍍覆裝置同樣，具有剖面是紡錘形狀的噴流單元87。該噴流單元87，是由被配設在單元上側的第一積存室88、及被配設在單元下側的第二積存室90所構成，且相較於第11圖所示的鍍覆裝置，被配設在單元上側的第一積存室88延伸直到底部側，且第二積存室90被縮小地配設在底部。藉由這種構成，鍍覆液供給管92、96也是彼此獨立的供給管路，所以能夠利用閥94、98的操作來控制彼此獨立的供給管內的流量，而能夠以有利於形成均勻的鍍覆膜的方式來組合第一積存室88和第二積存室90且進行處理。在處理時，能夠使通過的樹脂薄膜20的位置穩定。
在上述實施形態中，積存室的數量是2，但是也可以設置3個或3個以上的積存室。又，將鍍覆液供給到各個積存室中之供給管，雖然是被連接至同一個頂槽18來供給鍍覆液，但是也可以被連接至各自設置的頂槽來供給鍍覆液，也可以利用隔壁等來將頂槽本身分割成複數個較小的頂槽。進一步，將鍍覆液供給到各個積存室中之供給管，也可以全部都是相同的口徑，也可以是不同的供給管有不同的口徑。
[第三實施形態] 本實施形態，是如第13A圖、第13B圖、第14A圖、及第14B圖所示的鍍覆裝置，其在噴流單元100內設置舵構件102，而具有控制自噴流單元100噴出的鍍覆液之機構。另外，在本實施形態的鍍覆裝置及先前的實施形態的鍍覆裝置具有同樣的構成要素的場合，則將同樣的參考符號給予這些構成要素且省略重複的說明。
第13A圖、及第13B圖是本實施形態的鍍覆裝置的主要部分的正面圖、及主要部分的側面圖。噴流單元100的上側是矩形形狀且下側是半圓筒形狀。在噴流單元100內的鍍覆液供給管38的端部，以將鍍覆液供給管38的端部附近作為支點且能夠轉動的方式安裝有板狀的舵構件102。舵構件102，能夠藉由該舵構件102的朝向來控制自鍍覆液供給管38的端部流入到噴流單元100內之鍍覆液的流動方向。舵構件102，也可以藉由螺絲等來固定在規定的角度上，也能夠藉由未圖示的馬達等，以可改變舵構件102的角度的方式來進行控制。 使用舵構件102來控制鍍覆液的流動方向，藉此能夠使自噴流單元100的周面101噴流之鍍覆液也具有方向性，例如，在樹脂薄膜的右側提高鍍覆液的液壓的同時，能夠相對地在樹脂薄膜的左側降低鍍覆液的液壓，而在樹脂薄膜傾斜的場合也能夠修正該傾斜。又，例如，在樹脂薄膜的搬送方向上，在上流側提高鍍覆液的液壓的同時，能夠相對地在下流側降低鍍覆液的液壓。藉由此控制，能夠防止樹脂薄膜20發生蛇行的情況，以謀求穩定搬送。
在第14A圖、第14B圖中，具有與第13A圖、第13B圖所示的本實施形態的鍍覆裝置的主要部分的噴流單元100同樣的構成，且進一步在噴流單元100的內部的周面側突出地設置有隔間板104，此隔間板104被配置在周面的約略中央部，以將周面分成兩部分，又被設置成對向於舵構件102。藉由此隔間板104，能夠在噴流單元100內部將樹脂薄膜的寬度方向分成右側部101a和左側部101b，如果操作舵構件102，則能夠使在右側部101a中的鍍覆液的噴出量與在左側部101b中的鍍覆液的噴出量之間產生差異。因此，能夠謀求防止噴流單元100與樹脂薄膜20的接觸、及能夠謀求樹脂薄膜20的穩定搬送。
[第四實施形態] 本實施形態，是如第15圖～第18圖所示的鍍覆裝置，其噴流單元具有2個以上的分離的積存室，且在噴流單元內設置有舵構件，而具有控制自噴流單元噴出的鍍覆液之機構。另外，在本實施形態的鍍覆裝置及先前的實施形態的鍍覆裝置具有同樣的構成要素的場合，則將同樣的參考符號給予這些構成要素且省略重複的說明。
如第15圖所示，本實施形態的鍍覆裝置，與第10圖所示的鍍覆裝置同樣，其處理槽70的跨距W1比較狹小，且該處理槽70的內部配置有噴流單元81。該噴流單元81，是由被配設在單元上側的第一積存室80、及被配設在單元下側的第二積存室82所構成。這些第一積存室80和第二積存室82，經由各自獨立的鍍覆液供給管92、96及閥94、98而被連接至頂槽18。第一積存室80，具有使鍍覆液自噴流單元81的上半部噴出的孔，而能夠自這些孔朝向水平方向放出噴流。又，第二積存室82，具有使鍍覆液自噴流單元81的下半部噴出的孔，而能夠沿著噴流單元81的周面放射狀地放出噴流。
在本實施形態的鍍覆裝置中，能夠利用閥94、98的操作來控制彼此獨立的供給管內的流量，且能夠使樹脂薄膜20相對於噴流單元的位置穩定化，且以有利於形成均勻的鍍覆膜的方式進行處理。進一步，本實施形態的鍍覆裝置，在噴流單元81內的鍍覆液供給管96的端部，以將鍍覆液供給管96的端部附近作為支點且能夠轉動的方式安裝有板狀的舵構件106。舵構件106，能夠藉由該舵構件106的朝向來控制自鍍覆液供給管96的端部流入到噴流單元81的第二積存室82內之鍍覆液的流動方向。因此，在樹脂薄膜傾斜的場合也能夠操作舵構件106來修正該傾斜。
如第16圖及第17圖所示的鍍覆裝置，與第11圖所示的鍍覆裝置同樣，其將被配設在內部的噴流單元85設成剖面是紡錘形狀，且具有對應於進一步更狹小的跨距W2之尺寸。此比較小型的噴流單元85，是由被配設在單元上側的第一積存室84、及被配設在單元下側的第二積存室86所構成。這些第一積存室84和第二積存室86，經由各自獨立的鍍覆液供給管92、96及閥94、98而被連接至頂槽18。第一積存室84，具有使鍍覆液自噴流單元85的上半部噴出的孔，而能夠沿著噴流單元81的周面朝上且放射狀地放出噴流。又，第二積存室86，具有使鍍覆液自噴流單元85的下半部噴出的孔，而能夠沿著噴流單元85的周面朝下且放射狀地放出噴流。
如第16圖及第17圖所示的鍍覆裝置，與第11圖所示的鍍覆裝置同樣，能夠藉由閥94、98的操作來控制彼此獨立的供給管內的流量，且能夠使樹脂薄膜20相對於噴流單元的位置穩定化，且以有利於形成均勻的鍍覆膜的方式進行處理。進一步，本實施形態的鍍覆裝置，在噴流單元85內的鍍覆液供給管96的端部，以將鍍覆液供給管96的端部附近作為支點且能夠轉動的方式安裝有板狀的舵構件108。舵構件108，能夠藉由該舵構件108的朝向來控制自鍍覆液供給管96的端部流入到噴流單元85的第二積存室86內之鍍覆液的流動方向。因此，在樹脂薄膜傾斜的場合也能夠操作舵構件108來修正該傾斜。
又，如第18圖所示的鍍覆裝置，除了如第17圖所示的鍍覆裝置的構成之外，進一步具有隔間板110。藉由此隔間板110，能夠在噴流單元內部將樹脂薄膜的寬度方向分成右側部和左側部，如果操作舵構件108，則能夠使在右側部中的鍍覆液的噴出量與在左側部中的鍍覆液的噴出量之間產生差異。因此，能夠謀求防止噴流單元與樹脂薄膜的接觸、及能夠謀求樹脂薄膜的穩定搬送。
[第五實施形態] 本實施形態，是如第19圖及第20A圖、第20B圖所示的鍍覆裝置，其具有防止樹脂薄膜20在搬送時發生蛇行之機構，且將排出輥16的旋轉軸17控制成使一方的端部側以角度θ進行迴旋，而能夠修正在搬送時的蛇行。如第19圖所示的本實施形態的鍍覆裝置，在樹脂薄膜20的排出側且位於排出輥16的附近，具有一對的光感測器21、23以判別是否在搬送時有發生蛇行。這些光感測器21、23，如前述透過型的感測器44、46，其中一方是發光元件，另一方是受光元件。另外，在本實施形態的鍍覆裝置及先前的實施形態的鍍覆裝置具有同樣的構成要素的場合，則將同樣的參考符號給予這些構成要素且省略重複的說明。
光感測器21、23，在其安裝位置上進行監視而能夠監測樹脂薄膜20是否被偏移地搬送。亦即，在如第20A圖的通常的搬送狀態的場合，且在該一對的光感測器21、23檢測到雖然排出輥16的旋轉軸17沒有移動但是仍產生蛇行的場合，則使在旋轉軸17上的未圖示的致動器進行動作。藉由該致動器的動作，將排出輥16的旋轉軸17控制成使一方的端部側以角度θ進行迴旋。藉由這種回饋控制能夠修正薄膜的蛇行，特別是即便在樹脂薄膜是不容易處理的薄的聚醯亞胺膜的場合，也可能實現穩定的薄膜搬送。
[第六實施形態] 本實施形態，是如第21圖～第23圖所示的鍍覆裝置，其在搬送路徑的底部側形成U字型的引導部120、122、126的例子。如第21圖所示的U字型的引導部120，其形狀是沿著噴流單元12的周面的U字型，且有效地防止由於自噴流單元噴出的液體的上升流而擾亂在噴流單元的導入部和排出口附近的薄膜的位置的情況，而能夠更確實且穩定地進行薄膜的搬送。如第22圖所示的U字型的引導部122，在其底部側設置有孔124或網狀構造，使得在薄膜附近與引導部122的外側的液體能夠經由此孔124而自由地出入，而能夠使薄膜附近的表面和背面的液體穩定化。又，如第23圖所示的U字型的引導部126，進一步具有斜向延伸的橫向葉片部分，以在朝向噴流單元的導入部和排出口附近產生圓滑的液體流，而能夠進行穩定的搬送。
[第七實施形態] 本實施形態，是如第24圖～第26圖所示的鍍覆裝置，是設置有底部噴出部130、132、134、136的例子，以將鍍覆液供給至由樹脂薄膜20來觀察是沒有面向噴流單元12的一面上。如第24圖所示的底部噴出部130，是自鍍覆裝置的底側面供給鍍覆液之裝置。如第25圖所示的底部噴出部132，是自鍍覆裝置的底部供給鍍覆液之裝置。如第26圖所示的一對的底部噴出部134、136，是自鍍覆裝置的底部分別地供給鍍覆液之裝置。頂槽18經由閥而將鍍覆液供給到這些底部噴出部130、132、134、136。利用在樹脂薄膜20的表面側(彎曲部的內側)和背面側(彎曲部的外側)上設置液流(有液體流通)，換句話說，將來自噴流單元12之鍍覆液供給至薄膜的表面側，並將來自這些底部噴出部130、132、134、136之鍍覆液供給至薄膜的背面側，藉此可得到使鍍覆膜均一的效果。又，在自兩側接受液壓的液流中進行搬送，藉此使薄膜搬送穩定，且能夠藉由適當地設定液流的方向而穩定地進行搬送。
[第八實施形態] 本實施形態，是如第27圖～第29圖所示的鍍覆裝置，其在噴流單元12與導入輥14之間、及噴流單元12與排出輥16之間，分別地設置側部噴流板140、142、150、152來作為搬送單元。第27圖和第29圖分別表示鍍覆裝置的構成，第28圖表示側部噴流板140的剖面構造。
如第28圖所示，側部噴流板140，具有例如由PVC(聚氯乙烯)等的樹脂所構成的一對的框體部144、146，且具有使樹脂薄膜20通過這一對的框體部144、146之間的空隙的構造。一對的框體部144、146被做成中空，且上述頂槽18經由閥來供給鍍覆液。在使樹脂薄膜20通過的空隙部中，以相對於薄膜搬送方向之斜向方向作為噴出方向的方式，在一對的框體部144、146之間的整個空隙部，遍布地形成有複數個孔148、154，且自這些複數個孔148、154噴出鍍覆液，藉此能夠穩定地進行薄膜搬送。在一對的框體部144、146當中，被配置在樹脂薄膜的內側之單元稱為內側單元，被配置在樹脂薄膜的外側之單元稱為外側單元。
如果在樹脂薄膜20要進出噴流單元12的出入口附近，樹脂薄膜20是沒有拉緊的鬆弛狀態，則薄膜搬送容易不穩定。因此，在噴流單元12的出入口附近設置側部噴流板140、142、150、152，藉此能夠消除此不安定因素。能夠適當地調整側部噴流板140、142、150、152的液體噴出角度與液流(液壓)，並希望能夠設置成使得樹脂薄膜20在沒有鬆弛的情況下進出噴流單元12。
如第27圖所示的鍍覆裝置，具有側部噴流板140、142，且以在噴流單元12的入口側和出口側具有相同的噴流方向的方式來配設側部噴流板140、142。又，如第29圖所示的鍍覆裝置，具有側部噴流板150、152，且以在噴流單元12的入口側和出口側具有相反的噴流方向的方式來配設側部噴流板150、152。依據整體的液流的平衡來選擇這種側部噴流板的噴出方向。利用自側部噴流板140、142、150、152的複數個孔148、154噴出的鍍覆液，而能夠穩定地進行薄膜搬送。
另外，使側部噴流板140、142、150、152的外側單元的液流比內側單元的液流更大，藉此使沖到薄膜的整體的表面和背面之液流同等(平衡)，而能夠使膜厚均一化。亦即，在薄膜的內側具有來自噴流單元12之噴流，所以來自側部噴流板之噴流也可以較少。此處，雖然以具有夾住薄膜之側部噴流板的類型之鍍覆裝置來說明，但是也能夠僅在薄膜的一面上配設側部噴流板。又，也能夠以監測樹脂薄膜的搬送狀態且穩定地進行薄膜搬送的方式，來控制側部噴流板的移動、或是改變自噴流板輸出的鍍覆液的壓力。在樹脂薄膜的表面側(彎曲部的內側)和背面側(彎曲部的外側)上的膜厚不同的場合，則也可以在樹脂薄膜的表面側(彎曲部的內側)和背面側(彎曲部的外側)的兩側設置液流，使得樹脂薄膜在自兩側受到沖擊之液流中進行搬送，以穩定地進行薄膜搬送。
本發明不受限於上述實施形態，可以基於本發明的主旨進行各種變化，這些變化也包含在本發明的範圍中。
10、11a、11b、70、72‧‧‧處理槽 12、12a、12b、81、85、87、100‧‧‧噴流單元 13、101‧‧‧周面 14‧‧‧導入輥 15、124、148、154‧‧‧孔 16‧‧‧排出輥 17‧‧‧旋轉軸 18‧‧‧頂槽 20‧‧‧樹脂薄膜 21、23‧‧‧光感測器 22‧‧‧流量計 24‧‧‧泵 26‧‧‧積存槽 28、30、94、98‧‧‧閥 32‧‧‧排水閥 34、36、38、92、96‧‧‧鍍覆液供給管 40、42‧‧‧壁面噴流部 41‧‧‧本體 43‧‧‧噴流孔 44、46‧‧‧感測器 45‧‧‧端部 48‧‧‧溢流槽 50‧‧‧排水管 60‧‧‧搬送控制器 64、66‧‧‧馬達 80、84、88‧‧‧第一積存室 82、86、90‧‧‧第二積存室 101a‧‧‧右側部 101b‧‧‧左側部 102、106、108‧‧‧舵構件 104、110‧‧‧隔間板(隔壁部) 120、122、126‧‧‧U字型的引導部 130、132、134、136‧‧‧底部噴出部 140、142、150、152‧‧‧側部噴流板 144、146‧‧‧框體部 W1、W2‧‧‧跨距 θ‧‧‧角度
第1圖是表示關於本發明的第一實施形態之鍍覆裝置的構成圖。 第2圖是表示在第1圖所示的鍍覆裝置的配管系統的配管圖。 第3圖是表示關於本發明的第一實施形態之鍍覆裝置的噴流單元的例子的示意圖，第3(a)圖～第3(e)圖分別表示噴出角度不同的例子。 第4圖是表示關於本發明的第一實施形態之鍍覆裝置的控制系統的示意圖。 第5圖是表示關於本發明的第一實施形態之鍍覆裝置的壁面噴流部的構成圖。 第6圖是表示在第5圖所示的壁面噴流部的概略立體圖。 第7圖是表示在沒有壁面噴流的場合之鍍覆裝置的構成圖。 第8圖是表示關於本發明的第一實施形態之鍍覆裝置的變化例的一例的構成圖。 第9圖是表示關於本發明的第一實施形態之鍍覆裝置的變化例的其他例的構成圖。 第10圖是表示關於本發明的第二實施形態之鍍覆裝置的構成圖。 第11圖是表示關於本發明的第二實施形態之鍍覆裝置的變化例的一例的構成圖。 第12圖是表示關於本發明的第二實施形態之鍍覆裝置的變化例的其他例的構成圖。 第13圖是表示關於本發明的第三實施形態之鍍覆裝置的主要部分構成圖，第13A圖是主要部分的正面圖，第13B圖是主要部分的側面圖。 第14圖是表示關於本發明的第三實施形態之鍍覆裝置的變化例的一例的主要部分構成圖，第14A圖是主要部分的正面圖，第14B圖是主要部分的側面圖。 第15圖是表示關於本發明的第四實施形態之鍍覆裝置的構成圖。 第16圖是表示關於本發明的第四實施形態之鍍覆裝置的變化例的一例的構成圖。 第17圖是表示在第16圖所示的鍍覆裝置的變化例的一例的側面圖。 第18圖是表示關於本發明的第四實施形態之鍍覆裝置的變化例的其他例的構成圖。 第19圖是表示關於本發明的第五實施形態之鍍覆裝置的構成圖。 第20圖是表示在關於本發明的第五實施形態之鍍覆裝置中的薄膜的搬送狀態的圖，第20A圖是表示通常的搬送狀態，第20B圖是表示蛇行時的搬送狀態。 第21圖是表示關於本發明的第六實施形態之鍍覆裝置的構成圖。 第22圖是表示關於本發明的第六實施形態之鍍覆裝置的變化例的一例的構成圖。 第23圖是表示關於本發明的第六實施形態之鍍覆裝置的變化例的其他例的構成圖。 第24圖是表示關於本發明的第七實施形態之鍍覆裝置的構成圖。 第25圖是表示關於本發明的第七實施形態之鍍覆裝置的變化例的一例的構成圖。 第26圖是表示關於本發明的第七實施形態之鍍覆裝置的變化例的其他例的構成圖。 第27圖是表示關於本發明的第八實施形態之鍍覆裝置的構成圖。 第28圖是表示在第27圖所示的鍍覆裝置中配設的側部噴流板的一例的構成圖。 第29圖是表示關於本發明的第八實施形態之鍍覆裝置的變化例的一例的構成圖。
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10‧‧‧處理槽
12‧‧‧噴流單元
13‧‧‧周面
14‧‧‧導入輥
15‧‧‧孔
16‧‧‧排出輥
18‧‧‧頂槽
20‧‧‧樹脂薄膜
22‧‧‧流量計
24‧‧‧泵
26‧‧‧積存槽
28、30‧‧‧閥
32‧‧‧排水閥
34、36、38‧‧‧鍍覆液供給管
40、42‧‧‧壁面噴流部
44、46‧‧‧感測器

Claims (19)

  1. 一種樹脂薄膜的濕式處理裝置，其藉由將網狀的樹脂薄膜浸入規定的處理液中，而對前述樹脂薄膜的面，施加規定的處理，該濕式處理裝置的特徵在於，具有： 處理槽，其內部積存有前述處理液且使前述樹脂薄膜通過前述處理液中； 一對的搬送構件，其被分別地設置在前述處理槽的前述樹脂薄膜的導入側和前述樹脂薄膜的排出側，且被設置在比積存於前述處理槽內的前述處理液的液面更高的位置；及， 噴流單元，其被配設在一對的前述搬送構件之間且位於比該搬送構件更低的位置，在其周面上設置有複數個孔，以使前述處理液自該周面噴出，且藉由來自該孔的噴流，使得前述樹脂薄膜以非接觸的方式在前述處理液中沿著該周面進行方向轉換。
  2. 如請求項1所述之樹脂薄膜的濕式處理裝置，其中，前述噴流單元，將來自配設在比前述處理槽更高位置之頂槽所供給的處理液，自前述周面的孔噴出。
  3. 如請求項2所述之樹脂薄膜的濕式處理裝置，其中，前述噴流單元，經由單一個或複數個管而被連接至前述頂槽，且各個管能夠調整前述處理液的流量。
  4. 如請求項2所述之樹脂薄膜的濕式處理裝置，其中，在前述處理槽內的底部附近，形成有底部噴出部，以供給來自前述頂槽之處理液。
  5. 如請求項1所述之樹脂薄膜的濕式處理裝置，其中，前述噴流單元，其周面的一部分具有圓筒形狀。
  6. 如請求項5所述之樹脂薄膜的濕式處理裝置，其中，形成在前述噴流單元的周面上的孔，將前述處理液自前述噴流單元放射狀地噴出。
  7. 如請求項1所述之樹脂薄膜的濕式處理裝置，其中，在前述處理液中的比前述噴流單元更高的位置上，具備壁面噴流單元，前述處理液自前述壁面噴流部的周面上的複數個孔噴出。
  8. 如請求項7所述之樹脂薄膜的濕式處理裝置，其中，前述壁面噴流單元的複數個前述孔，被設置成將前述處理液朝向前述處理槽的內壁噴出。
  9. 如請求項1所述之樹脂薄膜的濕式處理裝置，其中，在前述處理槽內設置第二噴流部，該第二噴流部將噴流施加至前述樹脂薄膜的與承受來自前述噴流單元的液壓的面為相反側之面。
  10. 如請求項1所述之樹脂薄膜的濕式處理裝置，其中，在前述處理槽內設置有感測器，以檢測被搬送的前述樹脂薄膜的搬送狀態，對應於該感測器的訊號來控制一對的前述搬送構件。
  11. 如請求項1所述之樹脂薄膜的濕式處理裝置，其中，在前述噴流單元內形成有可動構件，該可動構件可改變由該噴流單元在垂直於前述樹脂薄膜的搬送方向之薄膜寬度方向上所噴出的處理液的噴出量。
  12. 如請求項1所述之樹脂薄膜的濕式處理裝置，其中，在前述噴流單元內形成有隔壁部，該隔壁部用以分割由該噴流單元噴出到薄膜寬度方向上的處理液。
  13. 如請求項1所述之樹脂薄膜的濕式處理裝置，其中，一對的前述搬送構件的至少一方是搬送輥，當薄膜在寬度方向上偏移而需要調整時，該搬送輥的旋轉軸可被控制成在軸方向上傾斜。
  14. 如請求項1所述之樹脂薄膜的濕式處理裝置，其中，在一對的前述搬送構件與前述噴流單元之間設置搬送單元，藉由來自該搬送單元之噴流以非接觸的方式搬送前述樹脂薄膜。
  15. 一種樹脂薄膜的濕式處理裝置，其藉由將在表面上吸附有金屬離子觸媒之網狀的樹脂薄膜浸入規定的處理液中，而對前述樹脂薄膜的面，施加導電性金屬的鍍覆處理，該濕式處理裝置的特徵在於，具有： 處理槽，其內部積存有前述處理液且使前述樹脂薄膜通過前述處理液中； 一對的搬送構件，其被分別地設置在前述處理槽的前述樹脂薄膜的導入側和前述樹脂薄膜的排出側，且被設置在比積存於前述處理槽內的前述處理液的液面更高的位置；及， 噴流單元，其被配設在一對的前述搬送構件之間且位於比該搬送構件更低的位置，在其周面上設置有複數個孔，以使前述處理液自該周面噴出，且藉由來自該孔的噴流，使得前述樹脂薄膜以非接觸的方式在前述處理液中沿著該周面進行方向轉換。
  16. 如請求項15所述之樹脂薄膜的濕式處理裝置，其中，前述處理液是無電解金屬鍍覆液，藉由該無電解金屬鍍覆液所形成的金屬膜，作為用於進行接下來的濕式金屬膜形成時的晶種層而發揮機能。
  17. 如請求項15所述之樹脂薄膜的濕式處理裝置，其中，前述樹脂薄膜是聚醯亞胺膜或其他的高耐熱絕緣樹脂薄膜。
  18. 如請求項17所述之樹脂薄膜的濕式處理裝置，其中，前述聚醯亞胺膜，其膜厚是25微米以下，較佳是12.5微米以下。
  19. 如請求項15所述之樹脂薄膜的濕式處理裝置，其中，來自前述噴流單元的孔之噴流是每分鐘在100公升以下，較佳是每分鐘在75公升以下，更佳是每分鐘在50公升以下。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3220470U (ja) * 2018-12-26 2019-03-07 株式会社Ｊｃｕ 樹脂フィルムの湿式処理装置
CN111093323B (zh) * 2019-12-12 2021-04-09 住井科技(深圳)有限公司 一种电路基板及其制备方法
US11673158B1 (en) * 2022-02-16 2023-06-13 Jon Kyle Lavender Method and apparatus for coating a drinking straw

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
LU53772A1 (zh) 1967-05-30 1969-03-20
JPS5143762Y2 (zh) * 1971-11-05 1976-10-23
JPS5513423Y2 (zh) * 1974-12-18 1980-03-26
US4269138A (en) * 1979-04-23 1981-05-26 Western Electric Company, Inc. Apparatus for distributing liquid over a surface
US4349589A (en) * 1979-04-23 1982-09-14 Western Electric Co., Inc. Method for distributing liquid over a surface
JPS59118653A (ja) * 1982-12-25 1984-07-09 Sumitomo Metal Ind Ltd ストリツプの蛇行防止方法
DE3903783A1 (de) * 1989-02-09 1990-08-16 Hauni Werke Koerber & Co Kg Vorrichtung zum foerdern eines flachen gegenstandes
FI890785A (fi) * 1989-02-17 1990-08-18 Valmet Paper Machinery Inc System av undertrycksmunstycken avsett foer behandling av roerliga aemnesbanor.
DE4033642A1 (de) 1990-10-23 1992-04-30 Hoechst Ag Leitvorrichtung zum fuehren, aus- und/oder umlenken einer materialbahn
JPH05320928A (ja) * 1992-05-15 1993-12-07 Hitachi Chem Co Ltd 成形品の無電解めっき液及びめっき法
JP4031586B2 (ja) 1999-02-25 2008-01-09 Ｊｆｅスチール株式会社 帯状材の進行方向変更装置
JP3738834B2 (ja) * 2001-12-28 2006-01-25 セイコーエプソン株式会社 配線基板の製造方法及び製造装置
JP3805267B2 (ja) 2002-03-05 2006-08-02 富士写真フイルム株式会社 搬送方向転換装置
JP4841996B2 (ja) * 2006-03-31 2011-12-21 富士フイルム株式会社 洗浄装置、めっき被膜付きフィルムの製造装置、洗浄方法及びめっき被膜付きフィルムの製造方法
JP2008163407A (ja) * 2006-12-28 2008-07-17 Fujifilm Corp めっき装置、液中ロール、およびフィルムのめっき方法
JP5358145B2 (ja) * 2007-09-28 2013-12-04 富士フイルム株式会社 導電性材料の製造方法及び導電性材料の製造装置
JP5320928B2 (ja) * 2008-09-22 2013-10-23 東洋製罐株式会社 飲料充填システム
JP5385625B2 (ja) 2008-12-08 2014-01-08 株式会社Ｊｃｕ ２層フレキシブル銅張積層基材及びその製造方法
JP2011174125A (ja) * 2010-02-24 2011-09-08 Panasonic Corp 湿式処理装置
TWI513859B (zh) * 2013-08-30 2015-12-21 Flex Tek Co Ltd 製造可撓性印刷電路板的電鍍設備

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