JP2016108573A - めっき処理装置及びめっき処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】芯材からの触媒の脱落の抑制を図るめっき処理装置及びめっき処理方法を提供する。【解決手段】めっき処理装置１は、被処理面ＯＦ４に触媒Ｃが吸着した光ファイバＯＦを搬送しながら、光ファイバＯＦを無電解めっき液ＰＢに浸漬して光ファイバＯＦ上に無電解めっき層ＰＬを形成するものであり、光ファイバＯＦを上流側から下流側へ連続的に搬送する搬送装置１０と、無電解めっき液ＰＢを収容するめっき槽６２と、無電解めっき液ＰＢ内にバブリングガスＧを吹き出す複数のガス吹出口６２５と、を備え、上流側におけるガス吹出口６２５から吹き出すバブリングガスＧの流量が、下流側におけるガス吹出口６２５から吹き出すバブリングガスＧの流量に対して相対的に小さい。【選択図】図１

Description

本発明は、めっき処理装置及びめっき処理方法に関するものである。

被めっき物を搬送させながら、めっき液中に非酸化性ガスをバブリングさせて被めっき物のめっきを行うめっき処理装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。

特開２００５−８２８４７号公報

芯材及び当該芯材に吸着した触媒を有する被めっき物を上記めっき処理装置によりめっき処理する場合、大きい流量の非酸化性ガスにより撹拌されるめっき液に触媒が曝されることで、めっき層が析出する前に当該触媒が脱落するおそれがある、という問題がある。

本発明が解決しようとする課題は、芯材からの触媒の脱落の抑制を図るめっき処理装置及びめっき処理方法を提供することである。

［１］本発明に係るめっき処理装置は、芯材及び前記芯材に吸着した触媒を有する被めっき物を搬送しながら、前記被めっき物をめっき液に浸漬して前記被めっき物上にめっき層を形成するものであり、前記被めっき物を上流側から下流側に搬送する搬送手段と、前記めっき液を収容するめっき槽と、前記めっき液内に気体を吹き出す複数の気体吹出口と、を備え、上流側における前記気体吹出口から吹き出す気体の流量が、下流側における前記気体吹出口から吹き出す気体の流量に対して相対的に小さくなるように、前記気体吹出口が設けられていることを特徴とする。

［２］上記発明において、上流側における前記気体吹出口の数量が、下流側における前記気体吹出口の数量に対して相対的に少なくてもよい。

［３］上記発明において、上流側における隣り合う前記気体吹出口の間の間隔が、下流側における隣り合う前記気体吹出口の間の間隔に対して相対的に大きくてもよい。

［４］上記発明において、上流側における前記気体吹出口の開口面積が、下流側における前記気体吹出口の開口面積に対して相対的に小さくてもよい。

［５］上記発明において、前記気体吹出口は、下流側にのみ配置されていてもよい。

［６］上記発明において、前記めっき処理装置は、前記めっき液に浸漬するように前記めっき槽内に設けられた配管をさらに備え、前記気体吹出口は、前記配管に形成されていてもよい。

［７］上記発明において、搬送方向に対して交差する複数の前記配管が配置され、上流側における前記配管の間の間隔が、下流側における前記配管の間の間隔に対して相対的に大きくなるように、複数の前記配管が設けられていてもよい。

［８］上記発明において、前記めっき処理装置は、前記配管に供給される気体の流量を制御する気体流量調整手段をさらに備え、複数の前記配管は、搬送方向に対して交差するように配置され、前記気体流量調整手段は、上流側における前記気体吹出口から吹き出す気体の流量が、下流側における前記気体吹出口から吹き出す気体の流量に対して相対的に小さくなるように、前記配管に供給される気体の流量を制御してもよい。

［９］上記発明において、前記気体が非酸化性ガスを含んでいてもよい。

［１０］本発明に係るめっき処理方法は、芯材及び前記芯材に吸着した触媒を有する被めっき物を搬送しながら、前記被めっき物をめっき液に浸漬して前記被めっき物上にめっき層を形成するめっき処理方法であり、前記被めっき物をめっき液に浸漬した状態で、前記めっき液内に気体を吹き出し、前記めっき液を撹拌する際に、上流側において吹き出す気体の流量が、下流側において吹き出す気体の流量に対して相対的に小さいことを特徴とする。

本発明によれば、めっき槽の上流側において、めっき液内に吹き出す気体の流量を小さくすることで、芯材からの触媒の脱落の抑制が図られる。さらに、これに加えて、めっき槽の下流側において、めっき液内に吹き出す気体の流量を大きくすることで、めっき層の析出レートの向上が図られる。

図１は、本発明の第１実施形態におけるめっき処理装置の全体構成を示す概略側面図である。 図２は、本発明の第１実施形態における光ファイバを示す図であり、図２（ａ）は、図１のIIa−IIa線に沿った断面図であり、図２（ｂ）は、図１のIIb−IIb線に沿った断面図であり、図２（ｃ）は、図１のIIc−IIc線に沿った断面図である。 図３は、本発明の第１実施形態におけるめっき形成部の構成を示す概略図断面図である。 図４は、本発明の第１実施形態におけるめっき槽の構成を示す概略平面図である。 図５は、本発明の第１実施形態におけるめっき槽の変形例を示す概略図であり、図５（ａ）は、側面断面図であり、図５（ｂ）は、平面図である。 図６は、本発明の第２実施形態におけるめっき槽の構成を示す概略図であり、図６（ａ）は、側面断面図であり、図６（ｂ）は、平面図である。 図７は、本発明の第２実施形態におけるめっき槽の変形例を示す概略図であり、図７（ａ）は、側面断面図であり、図７（ｂ）は、平面図である。 図８は、本発明の第３実施形態におけるめっき槽の構成を示す概略図であり、図８（ａ）は、側面断面図であり、図８（ｂ）は、平面図である。 図９（ａ）は、本発明の第３実施形態におけるめっき槽の構成を示す概略平面図であり、図９（ｂ）は、本発明の第３実施形態におけるめっき槽の変形例の構成を示す概略平面図である。 図１０は、本発明の第４実施形態におけるめっき槽の構成を示す概略図であり、図１０（ａ）は、側面断面図であり、図１０（ｂ）は、平面図である。

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。

≪第１実施形態≫
図１は本発明の第１実施形態におけるめっき処理装置の全体構成を示す概略側面図である。

本実施形態のめっき処理装置１は、図１に示すように、搬送される光ファイバＯＦに対して連続的に無電解めっき層ＰＬを形成する装置である。以下の説明では、まず、光ファイバＯＦについて、図２（ａ）〜図２（ｃ）を参照しながら詳細に説明する。次いで、めっき処理装置１について詳細に説明する。

図２は本発明の第１実施形態における光ファイバを示す図であり、図２（ａ）は図１のIIa−IIa線に沿った断面図、図２（ｂ）は図１のIIb−IIb線に沿った断面図、図２（ｃ）は図１のIIc−IIc線に沿った断面図である。

光ファイバＯＦは、断面が略真円形とされ、図２（ａ）に示すように、コアＯＦ１と、クラッド層ＯＦ２と、被覆層ＯＦ３と、を備えている。本実施形態のめっき処理装置１は、上述のような１層のクラッド層ＯＦ２を備えるシングルクラッド構造を有する光ファイバに対して表面処理を行っているが、２層のクラッド層を有するダブルクラッド構造を有する光ファイバにも適用するこができる。また、本実施形態の光ファイバＯＦは、シングルモード型光ファイバであってもよいし、シングルモード型光ファイバに比べてコア径の大きいマルチモード型光ファイバであってもよい。本実施形態における「光ファイバＯＦ」が本発明における「芯材」の一例に相当する。

コアＯＦ１は、光ファイバＯＦの延在方向に垂直な断面において、当該光ファイバＯＦの略中心に位置している。このコアＯＦ１を構成する材料としては、高い透過率を有する材料とされ、特に限定しないが、たとえば、石英系ガラスに屈折率を高くするゲルマニウム（Ｇｅ）や励起光により励起状態とされる活性元素等が添加されたものを例示することができる。活性元素としては、希土類元素を例示することができ、希土類元素の具体例としては、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イットリウム（Ｙ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ホルミウム（Ｈｏ）、サマリウム（Ｓｍ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）等を例示することができる。

クラッド層ＯＦ２は、コアＯＦ１に積層されており、当該コアＯＦ１の外周を隙間なく包囲している。このクラッド層ＯＦ２を構成する材料のとしては、コアＯＦ１と同様、高い透過率を有している。また、クラッド層ＯＦ２を構成する材料の屈折率（ｎ２）は、コアＯＦ１を構成する材料の屈折率（ｎ１）に対して相対的に小さい値となっており（ｎ１＞ｎ２）、これにより、コアＯＦ１内を伝搬する光がクラッド層ＯＦ２で全反射するようになっている。このようなクラッド層ＯＦ２を構成する材料としては、特に限定しないが、たとえば、上述のコアＯＦ１を構成する材料と同様の材料や、何らドーパンドが添加されていない純粋石英等を例示することができる。

被覆層ＯＦ３は、クラッド層ＯＦ２に積層されており、当該クラッド層ＯＦ２の外周を包囲している。この被覆層ＯＦ３を構成する材料としては、耐熱性や化学的安定性に優れた材料が好ましく、特に限定しないが、たとえば、ポリイミド、シリコーン樹脂、及び、紫外線硬化樹脂等を例示することができる。なお、本実施形態の光ファイバＯＦは、１層の被覆層ＯＦ３を有しているが、２層以上の被覆層を複層させてもよい。なお、本実施形態では、この被覆層ＯＦ３の外面を光ファイバＯＦの被処理面ＯＦ４と称する。

そして、本実施形態では、図２（ｂ）及び図２（ｃ）に示すように、この光ファイバＯＦの被処理面ＯＦ４に触媒Ｃと、無電解めっき層ＰＬと、が順に形成されている。本実施形態では、被処理面ＯＦ４に触媒Ｃが吸着した状態となっており、この触媒Ｃは、後述する無電解めっき層ＰＬが析出する際の被膜結晶の核となるものである。この触媒Ｃが被処理面ＯＦ４に部分的に点在していることで、めっき処理を行うに当たり、反応起点数を増加させ、めっき処理を加速させる。このような触媒Ｃを構成する材料としては、特に限定しないが、たとえば、パラジウム（Ｐｄ）、パラジウム及び錫（Ｓｎ）からなる触媒金属を例示することができる。なお、触媒Ｃを被覆層ＯＦ３上に吸着させる方法については、後に詳細に説明する。本実施形態における「触媒Ｃ」が本発明における「触媒」の一例に相当し、本実施形態における「被処理面ＯＦ４に触媒Ｃが吸着した状態となった光ファイバＯＦ」が本発明における「被めっき物」の一例に相当する。

無電解めっき層ＰＬは、被処理面ＯＦ４に点在する触媒Ｃを反応起点として、当該光ファイバＯＦの外周に積層するように形成されている。光ファイバＯＦの最外層に無電解めっき層ＰＬが形成されていることで、光ファイバＯＦの耐摩耗性及び耐熱性の向上が図られる。無電解めっき層ＰＬを構成する材料としては、特に限定しないが、たとえば、銅（Ｃｕ）やニッケル（Ｎｉ）等を主成分として金属材料を例示することができる。なお、無電解めっき層ＰＬを形成する方法については、後に詳細に説明する。本実施形態における「無電解めっき層ＰＬ」が本発明における「めっき層」の一例に相当する。

次に、本実施形態におけるめっき処理装置１について、図１を参照しながら詳細に説明する。

本実施形態におけるめっき処理装置１は、搬送装置１０と、表面処理部２０と、を備えている。搬送装置１０は、送出キャプスタン１１と、複数のガイドロール１２と、ダンサーロール１３と、巻取キャプスタン１４と、を有している。本実施形態における「搬送装置１０」が本発明における「搬送手段」の一例に相当する。

送出キャプスタン１１は、めっき処理装置１の上流側に設けられており、表面処理前の光ファイバＯＦがロール状に捲回された供給ドラム１１１を有している。この供給ドラム１１１を図中時計廻りに回転させることで、表面処理前の光ファイバＯＦが送出キャプスタン１１から表面処理部２０に連続的（無端状）に供給される。

ガイドロール１２は、その位置が固定されたものであり、光ファイバＯＦの搬送ライン上に複数設けられている。このガイドロール１２の外周に光ファイバＯＦを沿わせることで、当該光ファイバＯＦの搬送方向が変更される。なお、このガイドロール１２の半径は、光ファイバＯＦの曲率半径よりも大きい値を有している。これにより、曲げ等により光ファイバＯＦにクラック等が生じるのを抑制している。

ダンサーロール１３は、搬送される光ファイバＯＦの張力の調整及び当該光ファイバＯＦの張力の安定化を図るためのものであり、表面処理部２０の上流側に設けられている。このダンサーロール１３には、軸１３ａを中心として図中反時計回りに回転しようとする回転トルクが印加されており、この回転トルクと搬送される光ファイバＯＦの張力とが釣り合っている。つまり、送出キャプスタン１１から送出される際の摩擦抵抗値や光ファイバＯＦの直径の大小等に起因して当該光ファイバＯＦに印加される張力が変動するが、この張力の変動に対応してダンサーロール１３に印加される回転トルクを制御することで、当該光ファイバＯＦの張力の調整及び光ファイバＯＦの張力の安定化が図られる。なお、本実施形態では、ダンサーロール１３を表面処理部２０の上流側に配置しているが、特に上述に限定されず、表面処理部２０の下流側に配置してもよい。

巻取キャプスタン１４は、表面処理部２０の下流側に設けられており、表面処理後の光ファイバＯＦがロール状に巻き取る回収ドラム１４１を有している。この回収ドラム１４１を図中時計廻りに回転させることで、表面処理後の光ファイバＯＦが巻取キャプスタン１４に連続的（無端状）に回収される。なお、この巻取キャプスタン１４の回転速度と上述の送出キャプスタン１１の回転速度とは、実質的に一致しており、搬送中に光ファイバＯＦが伸線されるのを抑制している。因みに、本明細書中において、「上流側」と「下流側」とは、光ファイバＯＦの搬送方向を基準とする。

表面処理部２０は、脱脂洗浄部３０と、表面調整部４０と、触媒部５０と、無電解めっき部６０と、乾燥部７０と、を備えている。

脱脂洗浄部３０では、光ファイバＯＦの被処理面に不純物（たとえば、汚染物、油脂分、指紋など）が付着しているので、これを洗浄する。この脱脂洗浄部３０は、脱脂槽３１と、第１の水洗槽３２と、を有している。脱脂槽３１は、たとえば、長方形状とされた槽であり、アルカリ性の脱脂水溶液が収容されている。また、脱脂槽３１には、光ファイバＯＦの搬送方向に沿って上流側及び下流側のそれぞれに搬送口（不図示）が設けられている。この搬送口を通じて脱脂槽３１内に搬送された光ファイバＯＦが脱脂水溶液に浸漬され、当該光ファイバＯＦに付着した不純物が化学的に除去される。第１の水洗槽３２は、たとえば、長方形状とされた槽であり、脱脂槽３１と同様、光ファイバＯＦの搬送方向に沿って上流側及び下流側のそれぞれに搬送口（不図示）が設けられている。この第１の水洗槽３２の内部には、水が収容されているか、又は水洗用のシャワーが配置されている。この第１の水洗槽３２内を光ファイバＯＦが通過することで、脱脂槽３１において光ファイバＯＦに付着した脱脂水溶液の余剰分を水によって洗い流す。

表面調整部４０は、界面活性化槽４１と、第２の水洗槽４２と、を有している。界面活性化槽４１は、たとえば、長方形状とされた槽であり、水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）、水酸化リチウム（ＬｉＯＨ）、水酸化カリウム（ＫＯＨ）等の界面活性剤を含むアルカリ性水溶液が収容されている。また、界面活性化槽４１には、脱脂槽３１と同様、光ファイバＯＦの搬送方向に沿って上流側及び下流側のそれぞれに搬送口（不図示）が設けられており、この搬送口を通じて界面活性化槽４１内に搬送された光ファイバＯＦがアルカリ性水溶液に浸漬され、被処理面ＯＦ４が親水性を有するように改質される。具体的には、界面活性剤によって、光ファイバＯＦの被処理面ＯＦ４において、親水性が付与された部分の電荷状態が調整される。無電解めっき処理用の触媒Ｃとして用いられるパラジウムは、水溶液中において正イオン（カチオン）として存在するため、界面活性剤によって被処理面ＯＦ４をマイナスに帯電させておく。これにより、被処理面ＯＦ４への触媒Ｃの吸着を促進させることができる。第２の水洗槽４２では、界面活性化槽４１において光ファイバに付着したアルカリ性水溶液の余剰分を水によって洗い流す。なお、第２の水洗槽４２は、第１の水洗槽３２と同様の構成を有しているため、説明は省略する。

触媒部５０は、触媒吸着槽５１と、第３の水洗槽５２と、触媒活性化槽５３と、第４の水洗槽５４と、を有している。触媒吸着槽５１は、たとえば、長方形状とされた槽であり、上述の脱脂槽３１と同様、光ファイバＯＦの搬送方向に沿って上流側及び下流側のそれぞれに搬送口（不図示）が設けられている。この触媒吸着槽５１には、触媒Ｃを含む触媒付与溶液が収容されている。搬送口を通じて触媒吸着槽５１内に搬送された光ファイバＯＦが触媒付与溶液に浸漬されることで、被処理面ＯＦ４に触媒付与溶液が付着する。この触媒付与溶液の具体例としては、塩化パラジウム（ＰｄＣｌ_２）、塩化錫（ＳｎＣｌ_４）、及び、塩酸（ＨＣｌ）を混合して得られるパラジウム／錫の混合コロイド触媒付与溶液を例示することができる。第３の水洗槽５２では、光ファイバＯＦに付着した触媒付与溶液の余剰分を水によって洗い流す。なお、第３の水洗槽５２は、第１の水洗槽３２と同様の構成を有しているため、説明は省略する。

触媒活性化槽５３は、たとえば、長方形状とされた槽であり、上述の脱脂槽３１と同様、光ファイバＯＦの搬送方向に沿って上流側及び下流側のそれぞれに搬送口（不図示）が設けられている。この触媒活性化槽５３には、還元剤を含む還元剤水溶液が収容されている。搬送口を通じて触媒活性化槽５３内に触媒付与溶液が被処理面に付着した状態の光ファイバＯＦを搬送して、還元剤水溶液に浸漬することで、被処理面ＯＦ４に吸着していたパラジウムを還元し、パラジウム金属として析出させる。具体的には、光ファイバＯＦを還元剤水溶液に浸漬することで、被処理面ＯＦ４に吸着したパラジウム／錫混合コロイド触媒粒子の表面に存在する錫が溶出して、パラジウム金属が当該光ファイバＯＦに吸着した状態となる。なお、還元剤の具体例としては、希硫酸（Ｈ_２ＳＯ_４）水溶液や次亜リン酸（Ｈ_３ＰＯ_３）水溶液等を例示することができる。第４の水洗槽５４では、光ファイバＯＦに付着した還元溶液の余剰分を水によって洗い流す。なお、第４の水洗槽５４は、第１の水洗槽３２と同様の構成を有しているため、説明は省略する。

このように、触媒部５０では、パラジウムリッチとなった触媒金属を光ファイバＯＦに吸着させることで、被処理面ＯＦ４の活性を向上させており、これにより、後述する無電解めっき部６０において、不導体材料で構成される光ファイバＯＦの被処理面ＯＦ４に無電解めっき処理が可能となる。

そして、被処理面ＯＦ４に触媒Ｃが吸着した光ファイバＯＦを本実施形態の無電解めっき部６０に通過させることで、無電解めっき処理により当該光ファイバＯＦに無電解めっき層ＰＬを形成する。無電解めっき部６０は、無電解めっき形成部６１と、第５の水洗槽６７と、を有している。なお、無電解めっき形成部６１については、後に詳細に説明する。第５の水洗槽６７では、無電解めっき形成部６１において光ファイバＯＦに付着した無電解めっき溶液ＰＢ（後述）の余剰分を洗い流す。なお、第５の水洗槽６７は、第１の水洗槽３２と同様の構成を有しているため、説明は省略する。乾燥部７０では、第５の水洗槽６７において光ファイバＯＦに付着した水分を乾燥させるため、たとえば、エアナイフ等により乾燥空気を光ファイバＯＦに吹き付ける。なお、乾燥部７０を通過した光ファイバＯＦは、図１に示すように、ガイドロール１２を介して上述した回収ドラム１４１に巻き取られる。

次に、本実施形態の無電解めっき形成部６１について、図３及び図４を参照しながら詳細に説明する。

図３は本発明の第１実施形態におけるめっき形成部の構成を示す概略図断面図、図４は本発明の第１実施形態におけるめっき槽の構成を示す概略平面図である。

本実施形態の無電解めっき形成部６１では、無電解めっき処理によって光ファイバＯＦに無電解めっき層ＰＬを形成する。この無電解めっき形成部６１は、図３に示すように、めっき槽６２と、バッファ槽６３、管理槽６４と、排出ポンプ６５と、供給ポンプ６６と、を備えている。めっき槽６２は、入口６２１と、出口６２２と、ガス配管６２３と、ガス供給口６２４と、めっき液供給口６２６と、を有している。本実施形態における「めっき槽６２」が本発明における「めっき槽」の一例に相当する。

めっき槽６２は、図３に示すように、長方形状とされ、上方が開放しており、内部に無電解めっき液ＰＢが収容可能となっている。このめっき槽６２の上流側壁面には、入口６２１が形成されている。この入口６２１は、略真円形状とされ、めっき槽６２の壁面をＸ方向に沿って貫通している。また、めっき槽６２の下流側壁面には、出口６２２が形成されている。この出口６２２は、略真円形状とされ、めっき槽６２の壁面をＸ方向に沿って貫通している。本実施形態では、めっき槽６２の長手方向（光ファイバＯＦの搬送方向）の中心軸に沿って光ファイバＯＦが搬送されており、入口６２１及び出口６２２は、当該光ファイバＯＦがこれらの中心を通る位置に設けられている。

本実施形態では、光ファイバＯＦを常に無電解めっき液ＰＢに浸漬した状態とするため、入口６２１及び出口６２２の上端部よりも高い位置に無電解めっき液ＰＢの液面が位置するようになっている。入口６２１及び出口６２２からは無電解めっき液ＰＢが流出するようになっており、バッファ槽６３が流れ出る無電解めっき液ＰＢを受け止めている。なお、この無電解めっき液ＰＢの具体例としては、硫酸銅（ＣｕＳＯ_４）めっき液、硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ_４）めっき液、或いは、これらの混合液等に錯化剤、還元剤、ｐＨ調整剤、及び、安定剤等を添加したものを例示することができる。本実施形態における「無電解めっき液ＰＢ」が本発明における「めっき液」の一例に相当する。

上述のめっき槽６２では、無電解めっき液ＰＢ内にバブリングガスＧを気泡（バブル）Ｂとして噴出して、当該無電解めっき液ＰＢを撹拌できるようになっている（バブリング）。本実施形態では、めっき槽６２の内部の、たとえば、底面側に沿って、複数のガス配管６２３（本実施形態では、５本）が設けられている。それぞれのガス配管６２３は、管状の部材とされ、図３及び図４に示すように、実質的に同一の長さを有している。複数のガス配管６２３は、相互に平行となるように配列され、光ファイバＯＦの搬送方向に対して直交するように設けられている。また、複数のガス配管６２３は、隣り合うガス配管６２３間の間隔が実質的に等間隔となっている。それぞれのガス配管６２３は、一方の端部では閉塞され、他方の端部ではガス供給口６２４を介してガス供給源ＧＳに接続されている。

本実施形態では、この複数のガス配管６２３は、めっき槽６２の下流側にのみ配置されている。この場合、複数のガス配管６２３のうち最も上流側のガス配管６２３（以下、ガス配管６２３ａとする）は、たとえば、めっき槽６２の上流側の端部から当該ガス配管６２３ａまでの距離（Ｌ１）と、ガス配管６２３ａからめっき槽６２の下流側の端部までの距離（Ｌ２）との比が、０．３：１４．７〜１：１４となる位置に配置されていることが好ましい。或いは、ガス配管６２３ａは、光ファイバＯＦを無電解めっき液ＰＢへ浸漬開始してから２０秒〜１分間に亘り浸漬される条件に相当する位置に配置されていることが好ましい。

なお、バブリングガスＧとしては、特に限定しないが、たとえば、窒素（Ｎ２）等の非酸化性ガスや非酸化性ガスと空気の混合ガス等を例示することができる。本実施形態における「ガス配管６２３」が本発明における「配管」の一例に相当し、本実施形態における「バブリングガスＧ」が本発明における「気体」の一例に相当する。

複数のガス配管６２３のそれぞれには、図３及び図４に示すように、当該ガス配管６２３の延在方向に沿って、上方に向かって開口する複数のガス吹出口６２５が形成されている。このガス吹出口６２５は、それぞれのガス配管６２３毎に６箇所（合計して３０箇所）形成されている。また、隣り合うガス吹出口６２５同士の間隔（中心間距離）は、実質的に等間隔となっている。

それぞれのガス吹出口６２５は、相互に略同一の形状を有しており、このガス吹出口６２５からは、上述のように、バブリングガスＧが気泡Ｂとして噴出される。このようなガス吹出口６２５の１箇所当たりの面積（開口面積）は、吹き出すバブリングガスＧの気泡Ｂの大きさに応じて設定される。めっき液供給口６２６は、めっき槽６２の底面に設けられており、管理槽６４と接続されている。本実施形態における「ガス吹出口６２５」が本発明における「気体吹出口」の一例に相当する。

バッファ槽６３は、図３に示すように、めっき槽６２の下側に設けられており、当該めっき槽６２（具体的には、入口６２１及び出口６２２）から流れ出る無電解めっき液ＰＢを受け止めて、管理槽６４に誘導している。このバッファ槽６３は、めっき液排出口６３１と、めっき液供給口６３２と、を有している。めっき液排出口６３１は、排出ポンプ６５を介して管理槽６４と接続されており、めっき槽６２から流れ出た無電解めっき液ＰＢを当該管理槽６４に送り出している。めっき液供給口６３２は、上述のめっき液供給口６２６に対応して形成されており、供給ポンプ６６を介して管理槽６４と接続されている。

管理槽６４は、図３に示すように、収容する無電解めっき液ＰＢの温度、溶存酸素濃度（以下、単に「ＤＯ濃度」とも称する）、及び金属イオン濃度を制御するための槽であり、加熱ユニット６４１と、温度計６４２（以下、単に「ＴＧ６３２」とも称する）と、溶存酸素濃度計６４３（以下、単に「ＤＯＧ６３３」とも称する）と、を備えている。

この管理槽６４では、ＴＧ６４２から出力される無電解めっき液ＰＢの液温に基づいて、加熱ユニット６４１により無電解めっき液ＰＢの温度調整が行われる。また、この管理槽６４では、ＴＧ６４２から出力される無電解めっき液ＰＢの液温及びＤＯＧ６３３から出力される無電解めっき液ＰＢのＤＯ濃度に基づいて、めっき液供給源ＰＢＳから新た無電解めっき液ＰＢが供給され、無電解めっき液ＰＢの温度やＤＯ濃度の調整が行われる。また、めっき槽６２において無電解めっき処理が促進することで、無電解めっき液ＰＢ中の金属イオン濃度が低下するが、この場合は、管理槽６４に新たに無電解めっき液ＰＢが供給されることで、当該無電解めっき液ＰＢ中の金属イオン濃度の調整が行われる。

加熱ユニット６４１は、加熱回路６４１ａと、ヒータ６４１ｂと、を有している。加熱回路６４１ａは、ヒータ６４１ｂに電流を供給するための回路である。ヒータ６４１ｂは、管理槽６４内に収容されており、加熱回路６４１ａから電流が供給されることで発熱し、無電解めっき液ＰＢを所定温度に加熱することができる。なお、このヒータ６４１ｂは、管理槽６４の外側に配置されていてもよい。ＴＧ６４２は、管理槽６４に収容された無電解めっき液ＰＢの温度を測定している。ＤＯＧ６４３は、管理槽６４に収容された無電解めっき液ＰＢのＤＯ濃度を測定している。

排出ポンプ６５は、一次側ではバッファ槽６３と接続され、二次側では管理槽６４と接続されている。この排出ポンプ６５は、バッファ槽６３で受け止めた無電解めっき液ＰＢを管理槽６４に送り出している。供給ポンプ６６は、一次側では管理槽６４と接続され、二次側ではめっき槽６２と接続されている。この供給ポンプ６６は、管理槽６４において、水温及びＤＯ濃度の調整が行われた無電解めっき液ＰＢをめっき槽６２に送り出している。この供給ポンプ６６は、入口６２１及び出口６２２の上端部（少なくとも光ファイバＯＦの上端）よりも高い位置に無電解めっき液ＰＢの液面を維持できる吐出圧により無電解めっき液ＰＢを吐出している。

次に、本実施形態におけるめっき処理装置１によるめっき処理方法について図３及び図４を適宜参照しながら説明する。

本実施形態では、触媒部５０において、光ファイバＯＦの被処理面ＯＦ４に触媒Ｃを吸着させた後、当該光ファイバＯＦを無電解めっき部６０の無電解めっき形成部６１に搬送する。無電解めっき形成部６１では、無電解めっき液ＰＢに光ファイバＯＦを浸漬して、無電解めっき処理を行う。

ここで、本実施形態では、無電解めっき処理を行うに当たり、バブリングガスＧを無電解めっき液ＰＢ中に噴出することで、当該無電解めっき液ＰＢ中のＤＯ濃度を低下させている。無電解めっき液ＰＢ中の溶存酸素は、当該無電解めっき液ＰＢに浸漬された触媒Ｃや遊離電子と優先的に反応するため、たとえば、溶存酸素の還元反応により触媒Ｃが酸化し消費され、無電解めっき層ＰＬの析出レートが低下するおそれがある。特に、本実施形態の光ファイバＯＦは、被めっき面積が小さいことから、無電解めっき液ＰＢ中の溶存酸素の影響が顕著となり易い。このような場合、バブリングガスＧを気泡Ｂとして無電解めっき液ＰＢ内に吹き付け、当該無電解めっき液ＰＢを流動させ撹拌することで、無電解めっき液ＰＢ中のＤＯ濃度を低下させ、無電解めっき層ＰＬの析出レートが低下するのを抑制している。

しかしながら、従来では、めっき槽の上流側において、大きい流量のバブリングガスにより撹拌される無電解めっき液に触媒が曝されることで、当該触媒が脱落するおそれがあった。また、噴出したバブリングガスＧの気泡Ｂが光ファイバの被処理面に吸着する触媒と衝突して破裂し、衝撃により当該触媒が脱落するおそれもあった。このように触媒が脱落した部分では、無電解めっき層が形成されにくく、光ファイバの被処理面上に無めっき部が形成され、当該光ファイバの品質を損なうおそれがある。

これに対し、本実施形態では、めっき槽６２の下流側にのみバブリングガスＧを噴出するガス配管６２３（具体的には、ガス吹出口６２５）を配置している。つまり、めっき槽６２の上流側においては、バブリングガスＧによる無電解めっき液ＰＢの撹拌が抑制されており、これにより、触媒Ｃの脱落が抑制されている。また、噴出したバブリングガスＧの気泡Ｂが光ファイバＯＦに吸着する触媒Ｃと衝突するのを防いでおり、これにより、当該触媒Ｃが脱落するのをさらに抑制している。

めっき槽６２の上流側では、触媒Ｃを反応起点として、光ファイバＯＦ上に無電解めっき層ＰＬを構成するめっき金属が析出する。そして、さらに無電解めっき処理が促進し、光ファイバＯＦを包囲するように無電解めっき層ＰＬが層状に形成される。これにより、無電解めっき層ＰＬが被処理面ＯＦ４に点在する触媒Ｃを覆うように形成されるため、触媒Ｃがより強固に当該被処理面ＯＦ４に担持される。

つまり、めっき槽６２の下流側では、無電解めっき層ＰＬが層状に形成されたことで、光ファイバＯＦの被処理面ＯＦ４から触媒Ｃが脱落するおそれは低くなっている。従って、めっき槽６２の下流側では、ガス吹出口６２５からバブリングガスＧを吹き出すことで、光ファイバＯＦ廻りの無電解めっき液ＰＢを撹拌する。これにより、無電解めっき液ＰＢ中のＤＯ濃度が低下し、無電解めっき層ＰＬの析出レートの向上が図られる。

また、光ファイバＯＦ廻りでは、触媒Ｃ近傍で還元剤が酸化し、無電解めっき液ＰＢ中の金属イオンが還元されることで、めっき金属が析出するが、これにより、光ファイバＯＦ周りにおいて、無電解めっき液ＰＢ中の金属イオンが消費され、当該金属イオンの濃度が低下した領域（以下、単に「拡散層」とも称する）が形成される。このような拡散層では、金属イオンが欠乏しており、無電解めっき層ＰＬの析出レートが低下するおそれがある。

これに対して、本実施形態では、めっき槽６２の下流側において、ガス吹出口６２５からバブリングガスＧを吹き出して、光ファイバ廻りの無電解めっき液ＰＢを撹拌する。これにより、金属イオン濃度の低い領域と金属イオン濃度の高い領域とが混合され、拡散層を薄膜化し、さらに、光ファイバＯＦ廻りに高い金属イオン濃度を有する無電解めっき液ＰＢが供給される。この結果、無電解めっき層ＰＬの析出レートの向上が図られる。

本実施形態のめっき処理装置１及びめっき処理方法は、以下の効果を奏する。

本実施形態では、めっき槽６２の上流側においては、ガス吹出口６２５を配置せず、めっき槽６２の下流側においては、ガス吹出口６２５からバブリングガスＧを吹き出すことで、光ファイバＯＦ廻りの無電解めっき液ＰＢを撹拌する。このように、めっき槽６２の上流側において、無電解めっき液ＰＢ内に吹き出すバブリングガスＧの流量を小さくする（本実施形態では、バブリングガスＧを吹き出さない）ことで、光ファイバＯＦからの触媒Ｃの脱落の抑制が図られる。さらに、これに加えて、めっき槽６２の下流側において、無電解めっき液ＰＢ内に吹き出すバブリングガスＧの流量を大きくすることで、無電解めっき層ＰＬの析出レートの向上が図られる。

なお、本実施形態におけるガス配管６２３は、光ファイバＯＦの搬送方向に対して直交するように配置されているが、特にこれに限定されない。図５は本発明の第１実施形態におけるめっき槽の変形例を示す概略図であり、図５（ａ）は側面断面図、図５（ｂ）は平面図である。

例えば、複数のガス配管６２３Ｂ（本実施形態では、４本）は、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、光ファイバＯＦの搬送方向に対して平行に設けられていてもよい。複数のガス配管６２３Ｂは、隣り合うガス配管６２３Ｂ同士の間隔が実質的に等間隔に配列されている。また、それぞれのガス配管６２３Ｂは、一方の端部（下流側の端部）でガス供給口６２４Ｂを介してガス供給源ＧＳに接続されている。

このようなガス配管６２３Ｂは、ガス配管６２３と同様、めっき槽６２の下流側にのみ配置されている。このガス配管６２３Ｂの上流側の端部は、たとえば、めっき槽６２の上流側の端部から当該ガス配管６２３Ｂの上流側の端部までの距離（Ｌ３）と、ガス配管６２３Ｂの上流側の端部からめっき槽６２の下流側の端部までの距離（Ｌ４）との比が、０．３：１４．７〜１：１４となる位置に配置されていることが好ましい。或いは、ガス配管６２３Ｂの上流側の端部は、光ファイバＯＦを無電解めっき液ＰＢへ浸漬開始してから２０秒〜１分間に亘り浸漬される条件に相当する位置に配置されていることが好ましい。

このガス配管６２３Ｂのそれぞれにも、当該ガス配管６２３Ｂの延在方向に沿って、ガス吹出口６２５が形成されている。本実施形態では、ガス吹出口６２５は、それぞれのガス配管６２３Ｂ毎に８箇所（合計して３２箇所）形成されている。

≪第２実施形態≫
図６は本発明の第２実施形態におけるめっき槽の構成を示す概略図であり、図６（ａ）は側面断面図、図６（ｂ）は平面図である。

本実施形態のめっき処理装置１Ｂでは、複数のガス配管６２３Ｃがめっき槽６２の上流側から下流側に亘って並んで配置されている点と、ガス配管６２３Ｃに形成された複数のガス吹出口６２５Ｂ同士の間隔がガス配管６２３に形成された複数のガス吹出口６２５同士の間隔と異なる点において、第１実施形態で説明しためっき処理装置１と相違しており、その他の構成は、第１実施形態と同様であるので、同一符号を付してその説明を省略する。

複数のガス配管６２３Ｃ（本実施形態では、１０本）は、図６（ａ）及び図６（ｂ）に示すように、実質的に同一の長さとされ、めっき槽６２の上流側から下流側に亘って並んで配置されている。複数のガス配管６２３Ｃは、相互に平行となるように配列され、光ファイバＯＦの搬送方向に対して直交するように設けられている。また、複数のガス配管６２３Ｃは、隣り合うガス配管６２３Ｃ間の間隔が実質的に等間隔となっている。それぞれのガス配管６２３Ｃは、一方の端部では閉塞され、他方の端部ではガス供給口６２４を介してガス供給源ＧＳに接続されている。

複数のガス配管６２３Ｃのそれぞれには、当該ガス配管６２３Ｃの延在方向に沿って、上方に向かって開口する複数のガス吹出口６２５Ｂが形成されている。それぞれのガス吹出口６２５Ｂは、相互に略同一の形状を有している。また、図６（ｂ）に示すように、上流側に配置されるガス配管６２３Ｃに形成された複数のガス吹出口６２５Ｂ間の間隔は、下流側に配置されるガス配管６２３Ｃに形成された複数のガス吹出口６２５Ｂ間の間隔に対して相対的に大きくなっている。また、複数のガス吹出口６２５Ｂは、隣り合う当該ガス吹出口６２５Ｂ間の間隔が、上流側から下流側に向かうに従い、徐々に小さくなるように配置されている。

つまり、本実施形態では、めっき槽６２の上流側において、ガス吹出口６２５Ｂの数量が小さいため、当該ガス吹出口６２５Ｂから吹き出すバブリングガスＧの流量が小さくなっている。このように、めっき槽６２の上流側においては、比較的小さい流量のバブリングガスＧにより無電解めっき液ＰＢを撹拌することで、触媒Ｃの脱落を抑制すると共に、光ファイバＯＦ廻りの無電解めっき液ＰＢのＤＯ濃度を低下させ、無電解めっき槽ＰＬの析出レートの向上を図っている。

一方、めっき槽６２の下流側では、隣り合うガス吹出口６２５Ｂ同士の間隔が小さく、ガス吹出口６２５Ｂの数量が大きいため、当該ガス吹出口６２５Ｂから吹き出すバブリングガスＧの流量が大きくなっている。このように、めっき槽６２の下流側では、比較的大きい流量のバブリングガスＧにより無電解めっき液ＰＢを撹拌することで、光ファイバ廻りの無電解めっき液ＰＢ中のＤＯ濃度をさらに低下させ、無電解めっき層ＰＬの析出レートの向上を図っている。

また、比較的大きい流量のバブリングガスＧにより無電解めっき液ＰＢを撹拌することで、第１実施形態と同様、光ファイバＯＦ廻りに形成される拡散層を薄膜化し、さらに、光ファイバＯＦ廻りに高い金属イオン濃度を有する無電解めっき液ＰＢを供給することで、無電解めっき層ＰＬの析出レートの向上をさらに図っている。

なお、本実施形態では、複数のガス配管６２３Ｃは、めっき槽６２の上流側から下流側に亘って設けられ、それぞれのガス配管６２３Ｃは、搬送方向に対して直交するように設けられているが、特に上述に限定されない。図７は本発明の第２実施形態におけるめっき槽の変形例を示す概略図であり、図７（ａ）は側面断面図、図７（ｂ）は平面図である。

たとえば、図７（ａ）及び図７（ｂ）に示すように、複数のガス配管６２３Ｄは、めっき槽６２の上流側から下流側に亘って、光ファイバＯＦの搬送方向に対して平行となるように設けられていてもよい。複数のガス配管６２３Ｄは、実質的に同一の長さを有し、隣り合うガス配管６２３Ｄ同士の間隔が実質的に等間隔となっている。また、それぞれのガス配管６２３Ｄは、一方の端部では閉塞され、他方の端部ではガス供給口６２４Ｂを介してガス供給源ＧＳに接続されている。

複数のガス配管６２３Ｄのそれぞれには、当該ガス配管６２３Ｄの延在方向に沿って、上方に向かって開口する複数のガス吹出口６２５Ｃが形成されている。それぞれのガス吹出口６２５Ｃは、相互に略同一の形状を有している。本実施形態では、図７（ａ）及び図７（ｂ）に示すように、上流側でのガス吹出口６２５Ｃ間の間隔が、下流側でのガス吹出口６２５Ｃ間の間隔に対して相対的に大きくなっている。

≪第３実施形態≫
図８は本発明の第３実施形態におけるめっき槽の構成を示す概略図であり、図８（ａ）は側面断面図、図８（ｂ）は平面図である。

本実施形態のめっき処理装置１Ｃは、複数のガス配管６２３Ｅが異なる間隔で配置されている点において、第１実施形態と相違しており、その他の構成は、第１実施形態で説明しためっき処理装置１と同様であるので、同一符号を付してその説明を省略する。

複数のガス配管６２３Ｅ（本実施形態では、１０本）は、図８（ａ）及び図８（ｂ）に示すように、実質的に同一の長さとされ、めっき槽６２の上流側から下流側に亘って並んで配置されている。複数のガス配管６２３Ｅは、相互に平行となるように配列され、光ファイバＯＦの搬送方向に対して直交するように設けられている。それぞれのガス配管６２３Ｃは、一方の端部では閉塞され、他方の端部ではガス供給口６２４を介してガス供給源ＧＳに接続されている。

本実施形態では、複数のガス配管６２３Ｅは、上流側における隣り合うガス配管６２３Ｅ間の間隔が、下流側における隣り合うガス配管６２３Ｅ間の間隔に対して相対的に大きくなるように配置されている。また、複数のガス配管６２３Ｅは、隣り合う当該ガス配管６２３Ｅ間の間隔が、上流側から下流側に向かうに従い徐々に小さくなるように配置されている。また、これらのガス配管６２３Ｅのそれぞれには、複数のガス吹出口６２５が形成されている。なお、ガス配管６２５は、第１実施形態で説明した構成と同様であるため、同一符号を付して説明を省略する。

つまり、本実施形態では、めっき槽６２の上流側において、複数のガス吹出口６２５が空疎に配置されており、当該ガス吹出口６２５から吹き出すバブリングガスＧの流量が小さくなっている。このように、めっき槽６２の上流側においては、比較的小さい流量のバブリングガスＧにより無電解めっき液ＰＢを撹拌することで、触媒Ｃの脱落を抑制すると共に、光ファイバＯＦ廻りの無電解めっき液ＰＢのＤＯ濃度を低下させ、無電解めっき槽ＰＬの析出レートの向上を図っている。

一方、めっき槽６２の下流側では、複数のガス吹出口６２５が緊密に配置されており、当該ガス吹出口６２Ｂから吹き出すバブリングガスＧの流量が大きくなっている。このように、めっき槽６２の下流側においては、比較的大きい流量のバブリングガスＧにより無電解めっき液ＰＢを撹拌することで、光ファイバ廻りの無電解めっき液ＰＢ中のＤＯ濃度をさらに低下させ、無電解めっき層ＰＬの析出レートの向上を図っている。

また、比較的大きい流量のバブリングガスＧにより無電解めっき液ＰＢを撹拌することで、第１実施形態と同様、光ファイバＯＦ廻りに形成される拡散層を薄膜化し、さらに、光ファイバＯＦ廻りに高い金属イオン濃度を有する無電解めっき液ＰＢを供給することで、無電解めっき層ＰＬの析出レートの向上をさらに図っている。

≪第４実施形態≫
図９（ａ）は本発明の第４実施形態におけるめっき槽の構成を示す概略平面図、図９（ｂ）は本発明の第４実施形態におけるめっき槽の変形例の構成を示す概略平面図である。

本実施形態のめっき処理装置１Ｄでは、複数のガス配管６２３Ｆがめっき槽６２の上流側から下流側に亘って並んで配置されている点と、ガス配管６２３Ｆに形成されたガス吹出口６２５Ｄの形状がガス配管６２３に形成されたガス吹出口６２５の形状と異なる点において、第１実施形態と相違しており、その他の構成は、第１実施形態で説明しためっき処理装置１と同様であるので、同一符号を付してその説明を省略する。

複数のガス配管６２３Ｆ（本実施形態では、１０本）のそれぞれには、図９（ａ）に示すように、当該ガス配管６２３Ｆの延在方向に沿って、上方に向かって開口する複数のガス吹出口６２５Ｄが形成されている。なお、本実施形態におけるガス配管６２３Ｆは、第２実施形態で説明した構成と同様であるため、同一符号を付してその説明を省略する。このガス吹出口６２５Ｄは、それぞれのガス配管６２３Ｆ毎に６箇所（合計して６０箇所）形成されている。また、隣り合うガス吹出口６２５Ｄ同士の間隔は、実質的に等間隔となっている。

本実施形態では、図９（ａ）に示すように、上流側に配置されるガス配管６２３Ｆに形成されたガス吹出口６２５Ｄの開口面積は、下流側に配置されるガス配管６２３Ｆに形成されたガス吹出口６２５Ｄの開口面積に対して相対的に小さくなっている。また、ガス吹出口６２５Ｄの開口面積は、上流側から下流側に向かうに従い、徐々に大きくなっている。

つまり、本実施形態では、めっき槽６２の上流側では、ガス吹出口６２５Ｄの開口面積が小さいため、当該ガス吹出口６２５Ｄから吹き出すバブリングガスＧの流量が小さくなっている。このように、めっき槽６２の上流側においては、比較的小さい流量のバブリングガスＧにより無電解めっき液ＰＢを撹拌することで、触媒Ｃの脱落を抑制すると共に、光ファイバＯＦ廻りの無電解めっき液ＰＢのＤＯ濃度を低下させ、無電解めっき槽ＰＬの析出レートの向上を図っている。

一方、めっき槽６２の下流側では、ガス吹出口６２５Ｄの開口面積が大きいため、当該ガス吹出口６２５Ｄから吹き出すバブリングガスＧの流量が大きくなっている。このように、めっき槽６２の下流側では、ガス吹出口６２５Ｄから比較的大きい流量のバブリングガスＧにより無電解めっき液ＰＢを撹拌することで、光ファイバ廻りの無電解めっき液ＰＢ中のＤＯ濃度をさらに低下させ、無電解めっき層ＰＬの析出レートの向上を図っている。

また、比較的大きい流量のバブリングガスＧにより無電解めっき液ＰＢを撹拌することで、第１実施形態と同様、光ファイバＯＦ廻りに形成される拡散層を薄膜化し、さらに、光ファイバＯＦ廻りに高い金属イオン濃度を有する無電解めっき液ＰＢを供給することで、無電解めっき層ＰＬの析出レートの向上をさらに図っている。

なお、本実施形態では、複数のガス配管６２３Ｆは、めっき槽６２の上流側から下流側に亘って、搬送方向に対して直交するように設けられているが、特に上述に限定されない。

たとえば、図９（ｂ）に示すように、複数のガス配管６２３Ｇが設けられていてもよい。このガス配管６２３Ｇは、第２実施形態で説明したガス配管６２３Ｄと同様に、めっき槽６２の上流側から下流側に亘って、光ファイバＯＦの搬送方向に対して平行となるように設けられ、隣り合うガス配管６２３Ｇ同士の間隔が実質的に等間隔となっている。

複数のガス配管６２３Ｇ（本実施形態では、４本）のそれぞれには、当該ガス配管６２３Ｇの延在方向に沿って、上方に向かって開口する複数のガス吹出口６２５Ｅが形成されている。このガス吹出口６２５Ｅは、それぞれのガス配管６２３Ｇ毎に１５箇所（合計して６０箇所）形成されている。また、隣り合うガス吹出口６２５Ｅ同士の間隔は、実質的に等間隔となっている。

本実施形態では、図９（ｂ）に示すように、上流側に配置されるガス配管６２３Ｇに形成されたガス吹出口６２５Ｅの開口面積は、下流側に配置されるガス配管６２３Ｇに形成されたガス吹出口６２５Ｅの開口面積に対して相対的に小さくなっている。また、ガス吹出口６２５Ｅは、その開口面積が上流側から下流側に向かうに従い徐々に大きくなるように形成されている。

≪第５実施形態≫
図１０は本発明の第４実施形態におけるめっき槽の構成を示す図であり、図１０（ａ）は側面断面図、図１０（ｂ）は平面図である。

本実施形態のめっき処理装置１Ｅでは、複数のガス配管６２３Ｈがめっき槽６２の上流側から下流側に亘って並んで配置されている点と、ガス供給源ＧＳとそれぞれのガス供給口６２４の間にコントロールバルブＣＶが設けられている点において、第１実施形態と相違しており、その他の構成は、第１実施形態で説明しためっき処理装置１と同様であるので、同一符号を付してその説明を省略する。

コントロールバルブＣＶは、ガス配管６２３Ｈに供給されるバブリングガスＧの流量を調整する流量調整手段であり、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）に示すように、それぞれのガス供給口６２４の一次側（ガス供給源ＧＳ側）に設けられている。このコントロールバルブＣＶの開度を制御することで、当該コントロールバルブＣＶの二次側に設けられたガス配管６２３Ｈに供給されるバブリングガスＧの流量を調整することができる。なお、このコントロールバルブＣＶを遮断することで、ガス供給源ＧＳからガス配管６２３ＨへのバブリングガスＧの供給が停止される。因みに、本実施形態における複数のガス配管６２３Ｈは、第２実施形態で説明したガス配管６２３Ｃと同様に、めっき槽６２の上流側から下流側に亘って並んで配置されると共に、光ファイバＯＦの搬送方向に対して直交するように設けられている。また、複数のガス配管６２３Ｈは、相互に平行となっており、隣り合うガス配管６２３Ｈ間の間隔が実質的に等間隔となっている。本実施形態における「コントロールバルブＣＶ」が本発明における「気体流量調整手段」の一例に相当する。

本実施形態では、コントロールバルブＣＶの開度を制御して、めっき槽６２の上流側では、ガス配管６２３Ｈに供給されるバブリングガスＧの流量を小さくし、めっき槽６２の下流側では、ガス配管６２３Ｈに供給されるバブリングガスＧの流量を大きくしている。

従って、本実施形態では、めっき槽６２の上流側では、比較的小さい流量のバブリングガスＧにより無電解めっき液ＰＢを撹拌することで、触媒Ｃの脱落を抑制すると共に、光ファイバＯＦ廻りの無電解めっき液ＰＢのＤＯ濃度を低下させ、無電解めっき槽ＰＬの析出レートの向上を図っている。

一方、めっき槽６２の下流側では、ガス吹出口６２５から比較的大きい流量のバブリングガスＧにより無電解めっき液ＰＢを撹拌することで、光ファイバ廻りの無電解めっき液ＰＢ中のＤＯ濃度をさらに低下させ、無電解めっき層ＰＬの析出レートの向上を図っている。

また、本実施形態では、比較的大きい流量のバブリングガスＧにより無電解めっき液ＰＢを撹拌することで、第１実施形態と同様、光ファイバＯＦ廻りに形成される拡散層を薄膜化し、さらに、光ファイバＯＦ廻りに高い金属イオン濃度を有する無電解めっき液ＰＢを供給することで、無電解めっき層ＰＬの析出レートの向上をさらに図っている。

なお、以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属するすべての設計変更や均等物をも含む趣旨である。

たとえば、以上に説明した各実施形態では、第１実施形態において下流側にのみガス吹出口６２５を設ける構成を説明し、第２実施形態において隣り合うガス吹出口６２５Ｂ（６２５Ｃ）の間の間隔が、上流側から下流側に向かって漸減する構成を説明し、第３実施形態において複数の配管６２３Ｅの間の間隔が、上流側から下流側に向かって漸減する構成を説明し、第４実施形態において複数のガス吹出口６２５Ｄ（６２５Ｅ）の開口面積が、上流側から下流側に向かって漸増する構成を説明し、第５実施形態において複数の配管６２３Ｈのそれぞれの一次側にコントロールバルブＣＶを設ける構成を説明したが、これらの構成を適宜組み合わせてもよい。

１・・・めっき処理装置
１０・・・搬送装置
１１・・・送出キャプスタン
１１１・・・供給ドラム
１２・・・ガイドロール
１３・・・ダンサーロール
１３ａ・・・軸
１４・・・巻取キャプスタン
１４１・・・回収ドラム
２０・・・表面処理部
３０・・・脱脂洗浄部
３１・・・脱脂槽
３２・・・第１の水洗槽
４０・・・表面調整部
４１・・・界面活性化槽
４２・・・第２の水洗槽
５０・・・触媒部
５１・・・触媒吸着槽
５２・・・第３の水洗槽
５３・・・触媒活性化槽
５４・・・第４の水洗槽
６０・・・無電解めっき部
６１・・・無電解めっき形成部
６２・・・無電解めっき槽
６２１・・・入口
６２２・・・出口
６２３，６２３Ｂ〜６２３Ｈ・・・ガス配管
ＢＤ・・・湾曲部
６２４，６２４Ｂ・・・ガス供給口
６２５，６２５Ｂ〜６２５Ｅ・・・ガス吹出口
６２６・・・めっき液供給口
６３・・・バッファ槽
６３１・・・めっき液排出口
６３２・・・めっき液供給口
６４・・・管理槽
６４１・・・加熱ユニット
６４１ａ・・・加熱回路
６４１ｂ・・・ヒータ
６４２・・・温度計（ＴＧ）
６４３・・・溶存酸素濃度計（ＤＯＧ）
６５・・・排出ポンプ
６６・・・供給ポンプ
６７・・・第５の水洗槽
７０・・・乾燥部
ＯＦ・・・光ファイバ
ＯＦ１・・・コア
ＯＦ２・・・クラッド層
ＯＦ３・・・被覆層
ＯＦ４・・・被処理面
Ｃ・・・触媒
ＰＬ・・・無電解めっき層
ＰＢ・・・めっき液
ＰＢＳ・・・めっき液供給源
Ｇ・・・非酸化性ガス
Ｂ・・・気泡
ＧＳ・・・ガス供給源
ＣＶ・・・コントロールバルブ

Claims (10)

1. 芯材及び前記芯材に吸着した触媒を有する被めっき物を搬送しながら、前記被めっき物をめっき液に浸漬して前記被めっき物上にめっき層を形成するめっき処理装置であって、
   前記被めっき物を上流側から下流側に搬送する搬送手段と、
   前記めっき液を収容するめっき槽と、
   前記めっき液内に気体を吹き出す複数の気体吹出口と、を備え、
   上流側における前記気体吹出口から吹き出す気体の流量が、下流側における前記気体吹出口から吹き出す気体の流量に対して相対的に小さくなるように、前記気体吹出口が設けられていることを特徴とするめっき処理装置。
2. 請求項１に記載のめっき処理装置であって、
   上流側における前記気体吹出口の数量が、下流側における前記気体吹出口の数量に対して相対的に少ないことを特徴とするめっき処理装置。
3. 請求項１又は２に記載のめっき処理装置であって、
   上流側における隣り合う前記気体吹出口の間の間隔が、下流側における隣り合う前記気体吹出口の間の間隔に対して相対的に大きいことを特徴とするめっき処理装置。
4. 請求項１〜３の何れか１項に記載のめっき処理装置であって、
   上流側における前記気体吹出口の開口面積が、下流側における前記気体吹出口の開口面積に対して相対的に小さいことを特徴とするめっき処理装置。
5. 請求項１〜４の何れか１項に記載のめっき処理装置であって、
   前記気体吹出口は、下流側にのみ配置されていることを特徴とするめっき処理装置。
6. 請求項１〜５の何れか１項に記載のめっき処理装置であって、
   前記めっき処理装置は、前記めっき液に浸漬するように前記めっき槽内に設けられた配管をさらに備え、
   前記気体吹出口は、前記配管に形成されていることを特徴とするめっき処理装置。
7. 請求項６に記載のめっき処理装置であって、
   搬送方向に対して交差する複数の前記配管が配置され、
   上流側における前記配管の間の間隔が、下流側における前記配管の間の間隔に対して相対的に大きくなるように、複数の前記配管が設けられていることを特徴とするめっき処理装置。
8. 請求項６に記載のめっき処理装置であって、
   前記めっき処理装置は、前記配管に供給される気体の流量を制御する気体流量調整手段をさらに備え、
   複数の前記配管は、搬送方向に対して交差するように配置され、
   前記気体流量調整手段は、上流側における前記気体吹出口から吹き出す気体の流量が、下流側における前記気体吹出口から吹き出す気体の流量に対して相対的に小さくなるように、前記配管に供給される気体の流量を制御することを特徴とするめっき処理装置。
9. 請求項１〜８の何れか１項に記載のめっき処理装置であって、
   前記気体が非酸化性ガスを含むことを特徴とするめっき処理装置。
10. 芯材及び前記芯材に吸着した触媒を有する被めっき物を搬送しながら、前記被めっき物をめっき液に浸漬して前記被めっき物上にめっき層を形成するめっき処理方法であって、
    前記被めっき物をめっき液に浸漬した状態で、前記めっき液内に気体を吹き出し、前記めっき液を撹拌する際に、上流側において吹き出す気体の流量が、下流側において吹き出す気体の流量に対して相対的に小さいことを特徴とするめっき処理方法。

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