TWI604896B - A wet processing apparatus, a wet processing method, a substrate processing apparatus and a substrate processing method - Google Patents

Description

接液處理裝置，接液處理方法，基板處理裝置及基板處理方法

本發明之實施形態，係有關接液處理裝置、接液處理方法、基板處理裝置及基板處理方法。

舉例來說，液晶顯示裝置的製造工程中，有一藉由配向處理使液晶分子朝所需方向配向之工程。作為此一液晶的配向處理方法，習知有下述這樣的摩擦法，即，在形成有作為電極的透明導電層之基板上塗布聚醯亞胺樹脂並硬化形成樹脂層後，將該樹脂層的表面以摩擦布朝所需的單一方向刮擦，藉此對液晶分子賦予配向限制力。此外，習知還有下述這樣的光配向法，即，在基板上形成聚醯亞胺樹脂層後，對該聚醯亞胺樹脂層照射偏光光，而在關於偏光方向或光入射方向對液晶分子賦予配向限制力。

但，摩擦法，由於是在摩擦滾筒上捲繞由尼龍樹脂系或乙烯系樹脂系的纖維所製作之摩擦布，並以捲繞於該摩擦滾筒之摩擦布來機械性地刮擦樹脂層的表面，因此會從摩擦布產生微小的灰塵等，而因為該灰塵等而有顯示品質 降低這樣的問題。因此，進行摩擦處理後必須以處理液將基板洗淨。

另一方面，藉由光配向法得到的液晶配向膜，相較於以摩擦所得者，對於高分子液晶配向膜的配向方向之異方性較小。若異方性小，則無法獲得足夠的液晶配向性，當成為製品時會產生發生殘影等問題這樣的缺點。

本發明所欲解決之問題，在於提供一種提高藉由光配向法得到的液晶配向膜的異方性，且可形成均一的液晶配向膜之接液處理裝置、接液處理方法、基板處理裝置及基板處理方法。

實施形態之接液處理裝置，為對具有藉由光配向法而形成之配向膜的基板做接液處理之接液處理裝置，其特徵為，具有：第1噴嘴，具備除去氣泡之手段，對前述基板供給異方性提升液而在前述基板表面上形成液膜；至少一個第2噴嘴，為將異方性提升液供給至前述基板之噴嘴；及搬運手段，具有保持前述基板之保持手段，使前述基板與前述第1噴嘴及第2噴嘴相對地移動；前述第2噴嘴，設置於比第1噴嘴還靠基板搬運方向下游側，且設置於能夠對藉由前述第1噴嘴而存在有形成於前述基板表面上之液膜的狀態的前述基板供給異方性提升液之位置。

實施形態之接液處理裝置，為對具有藉由光配向法而形成之配向膜的基板做接液處理之接液處理裝置，其特徵為，具有：第1處理單元，具備：第1噴嘴，具備除去氣 泡之手段，對前述基板供給至少乳酸乙酯(Ethyl-L-lactate)液、IPA、臭氧水的其中一者亦即異方性提升液而在前述基板表面上形成液膜；及液膜除去噴嘴，對前述基板表面供給氣體，以便除去藉由前述第1噴嘴而形成於前述基板表面上之液膜；第2處理單元，具備至少一個第2噴嘴，為將前述異方性提升液供給至前述基板之噴嘴；搬運手段，具有保持前述基板之保持手段，使前述基板、前述第1處理單元及第2處理單元相對地移動；前述第1處理單元，連續設置複數個。

實施形態之基板處理裝置，為對具有藉由光配向法而形成之配向膜的基板做處理之基板處理裝置，其特徵為，具有：接液處理單元，具備：第1噴嘴，具備除去氣泡之手段，對前述基板供給至少乳酸乙酯液、IPA、臭氧水的其中一者亦即異方性提升液而在前述基板表面上形成液膜；及至少一個第2噴嘴，為將前述異方性提升液供給至前述基板之噴淋嘴；淋洗處理單元，具有供給淋洗液之噴淋嘴，其置換藉由前述接液處理單元而形成於前述基板上之前述液膜；乾燥單元，具有狹縫噴嘴，對在前述淋洗處理單元被供給淋洗液之前述基板供給氣體；搬運手段，具有保持前述基板之保持手段，使前述基板、前述第1噴嘴與前述第2噴嘴及前述噴淋嘴相對地移動；前述第2噴嘴，設置於比第1噴嘴還靠基板搬運方向下游側，且設置於能夠對藉由前述第1噴嘴而存在有形成於前述基板表面上之液膜的狀態的前述基板供給前述異方性提升液之位 置。

實施形態之接液處理方法，為藉由搬運手段令其一面搬運具有藉由光配向法而形成之配向膜的基板一面做接液處理之接液處理方法，其特徵為，具有：對前述基板從第1噴嘴供給除去了氣泡之至少乳酸乙酯液、IPA、臭氧水的其中一者亦即異方性提升液而在前述基板表面上形成液膜之工程；對存在有在前述形成液膜之工程中形成之液膜的狀態的前述基板，從至少一個噴淋嘴亦即第2噴嘴供給異方性提升液之工程。

實施形態之接液處理方法，為藉由搬運手段令其一面搬運具有藉由光配向法而形成之配向膜的基板一面做接液處理之接液處理方法，其特徵為，具有：對前述基板從第1噴嘴供給除去了氣泡之至少乳酸乙酯液、IPA、臭氧水的其中一者亦即異方性提升液而在前述基板表面上形成液膜之工程；將形成於前述基板表面上之液膜藉由液膜除去噴嘴予以除去之工程；將前述形成液膜之工程、及前述除去液膜之工程的組合進行複數次之工程；對除去了前述異方性提升液之液膜的前述基板，從至少一個噴淋嘴亦即第2噴嘴供給前述異方性提升液之工程。

實施形態之基板處理方法，為藉由搬運手段一面搬運具有藉由光配向法而形成之配向膜的基板一面做處理之基板處理方法，其特徵為，具有：接液處理工程，具有：對前述基板從第1噴嘴供給除去了氣泡之至少乳酸乙酯液、IPA、臭氧水的其中一者亦即異方性提升液而在前述基板 表面上形成液膜之工程；及對存在有在前述形成液膜之工程中形成之液膜的狀態的前述基板，從至少一個噴淋嘴亦即第2噴嘴供給異方性提升液之工程；淋洗處理工程，將藉由前述接液處理工程而形成於前述基板上之前述液膜置換成淋洗液；乾燥工程，對在前述淋洗處理工程被供給淋洗液之前述基板供給氣體。

按照上述接液處理裝置、接液處理方法、基板處理裝置及基板處理方法，提高藉由光配向法得到之液晶配向膜的異方性，且可形成均一的液晶配向膜。

1‧‧‧搬運滾筒

2‧‧‧噴淋嘴

3‧‧‧狹縫噴嘴

4‧‧‧光配向處理裝置

5‧‧‧液膜除去噴嘴

10‧‧‧循環配管

10a‧‧‧開關閥

10b‧‧‧開關閥

20‧‧‧給液配管

20a‧‧‧開關閥

30‧‧‧廢液配管

30a‧‧‧開關閥

100‧‧‧基板處理裝置

A‧‧‧區域(第1區域)

B‧‧‧區域(第2區域)

C‧‧‧冷卻手段

D‧‧‧濃度計

H‧‧‧加熱器

L‧‧‧燈

N1‧‧‧第1噴嘴

N2‧‧‧第2噴嘴

N4‧‧‧第1噴嘴

N5‧‧‧第2噴嘴

T‧‧‧槽

T1‧‧‧隔板

U1‧‧‧接液處理單元

U12‧‧‧接液處理單元

U13‧‧‧接液處理裝置

U13A‧‧‧第1處理單元

U13B‧‧‧第1處理單元

U13C‧‧‧第2處理單元

U2‧‧‧淋洗處理單元

U3‧‧‧乾燥單元

W‧‧‧基板

[圖1]搭載本發明第1實施形態之接液處理裝置的基板處理裝置的概略構成圖。

[圖2]本發明第1實施形態之接液處理裝置的概略構成圖。

[圖3]本發明第1實施形態之接液處理裝置及進行其前工程之光配向處理裝置的概略構成圖。

[圖4]本發明第3實施形態之接液處理裝置的概略構成圖。

[圖5]本發明第4實施形態之接液處理裝置的概略構成圖。

[圖6]本發明第5實施形態之接液處理裝置的概略構成圖。

以下，參照圖面說明本發明之實施形態。

(第1實施形態)

圖1為本發明第1實施形態之基板處理裝置100的側面圖。基板處理裝置100，為對在基板W被搬入至基板處理裝置100前的工程(於光配向處理裝置進行之光配向處理工程)中經處理之基板W，供給處理液並進行處理之裝置。另，有關基板處理裝置100之前的工程亦即光配向處理工程後述之。

基板處理裝置100，如圖1所示，具有接液處理單元U1(接液處理裝置)、淋洗處理單元U2、乾燥單元U3這複數個單元。在各單元U1、U2、U3，備有藉由未圖示的驅動機構而旋轉之搬運滾筒1(保持手段)，基板W被載置於該搬運滾筒1上，朝圖中X方向被搬運而被依序處理。該驅動機構與搬運滾筒1，構成搬運手段。

另，有關搬運滾筒1，作為其一例，例如能夠設想一種搬運滾筒，其在旋轉軸的周圍具備於其寬度方向以規定間距(pitch)和基板W直接接觸之滾筒部。

然而，當採用這樣的搬運滾筒的情形下，若將基板W載置於搬運滾筒上，則因滾筒部是以規定間距設置，故該滾筒部與基板會有接觸之部分以及不接觸之部分。這樣一來，由於基板W薄，故搬運中料想基板W會撓曲。若像這樣基板W撓曲，則當進行接液處理的情形下可能會有 處理不均。此外，即使基板W沒有撓曲，當進行接液處理的情形下，在基板W與搬運滾筒的接觸部接觸之部分以及不接觸之部分，料想吐出的處理液打在基板表面時的力道會不同，這恐會招致處理不均。

另一方面，當使用不具備滾筒部，而是搬運軸本身發揮滾筒的功能之搬運滾筒1的情形下，便能減低上述這樣的弊端發生的可能性。鑑此，以搬運作為處理對象的基板W之搬運滾筒1而言，合適是使用形成為使得被載置的基板表面會成為平滑狀態之搬運滾筒1。

在接液處理單元U1，備有用來將處理液亦即乳酸乙酯液(Ethyl-L-lactate)供給至基板W之第1噴嘴N1及複數個第2噴嘴N2。在淋洗處理單元U2，備有用來對從接液處理單元U1搬入之基板W供給淋洗液(例如純水)之噴淋嘴2。又，在乾燥單元U3，備有用來對從淋洗處理單元U2搬入之基板W噴射氣體(例如空氣)，使基板W乾燥之狹縫噴嘴3。

另，作為處理液，除乳酸乙酯液以外，例如亦可考慮IPA(異丙醇：Isopropyl Alcohol)或臭氧水，它們是也能稱為例如「異方性提升液」之處理液，均可提高藉由光配向法得到之液晶配向膜的異方性。鑑此，以下係舉出乳酸乙酯液作為該異方性提升液的一例來做說明。

此外，第1噴嘴N1、第2噴嘴N2、噴淋嘴2、狹縫噴嘴3，均是以和被搬運滾筒1搬運之基板相向的方式，在基板W的搬運路徑的上方且沿著基板W的搬運方向依 序設置。

又，假設基板當中和X方向正交之寬度方向Y的長度為A，則藉由噴淋嘴2而形成之基板上的Y方向的塗布區域長度、狹縫噴嘴3的狹縫長，分別訂為至少A以上。

圖2為基板處理裝置100的接液處理單元U1的概略構成圖。第1噴嘴N1為狹縫噴嘴，構成為將處理液亦即乳酸乙酯液以簾幕狀吐出。又，第1噴嘴N1，為了防止所吐出之乳酸乙酯液中含有氣泡，而具有用來宣洩剩餘氣體的閥等，為具有周知用來防止氣泡的構成之噴嘴(例如日本特開2008-53689號公報)。另，此處所謂「防止」，係指防止從噴嘴吐出之乳酸乙酯液中含有氣泡，亦包括將已經產生的氣泡除去後再吐出之機構。

另一方面，第2噴嘴N2，為將和第1噴嘴N1吐出的液相同的乳酸乙酯液以液滴狀吐出之噴淋嘴，並未特別具備使其不含氣泡之機構等。但，第2噴嘴N2與基板W之高度距離，是考量吐出壓力來設定，以避免吐出之乳酸乙酯供給至基板W後，於基板W上在表面起泡。

此外，假設基板當中和X方向正交之寬度方向Y的長度為A，則第1噴嘴N1的狹縫長、藉由複數個第2噴嘴N2而形成之基板上的Y方向的處理液供給區域長度，分別訂為至少A以上。

圖3為表示進行基板W被搬運到基板處理裝置100之前的工程亦即光配向處理之光配向處理裝置4的構成，以及表示基板W被搬入基板處理裝置100最先被搬入之 接液處理單元U1的圖。另，圖3中，省略了淋洗處理單元U2、乾燥單元U3。

光配向處理裝置4，備有燈L，為對基板W照射UV光(做光配向處理)之裝置。一旦從燈L照射UV光，則形成於基板W上的感光性樹脂層的分子構造的一部份會發生結構變化，而被賦予配向限制力。在該被賦予配向限制力之基板W中，會殘留有低分子量成份。所謂此低分子量成份，例如為在被照射光之前的高分子的末端附近光分解而成之游離成份，其對於賦予液晶配向膜的配向限制力沒有助益。藉由除此此低分子量成份，可提高液晶配向膜的異方性。

接著，說明基板處理裝置100中的處理手續。另，動作控制，均藉由未圖示之控制部來完成。

於光配向處理裝置4進行完光配向處理之基板W，被搬入至基板處理裝置100，藉由搬運滾筒1一面朝搬運方向X方向被依序搬運一面被處理。

首先，當基板W被搬入至接液處理單元U1，會從未圖示之控制部送來訊號，而從第1噴嘴N1以簾幕狀吐出處理液亦即乳酸乙酯液。

被用作為處理液之乳酸乙酯液，雖然已知其有助於除去因前工程亦即光配向處理而殘留於基板W的表面之低分子量成份，但其具有容易含氣泡之性質。若將含有許多氣泡的狀態的乳酸乙酯液供給至基板W，則氣泡會介在乳酸乙酯液與基板W表面之間，妨礙對基板W表面的接 液。因此，恐使乳酸乙酯液無法有效地作用於基板W，而無法形成均一的液晶配向膜。

因此，第1噴嘴N1如上述般，採用具有除去氣泡的構成之周知的狹縫噴嘴。從第1噴嘴N1供給之乳酸乙酯液，會在基板W上形成液膜。基板W的搬運速度，是藉由未圖示的驅動機構來設定搬運滾筒1的旋轉速度，使成為乳酸乙酯液可在基板W表面形成液膜之速度。

此外，前工程中殘留於基板W表面之低分子量成份，會因為與此乳酸乙酯液接觸一定時間而被除去。是故，基板W上的乳酸乙酯液，必須在一定時間內以不含氣泡的液膜的形式存在於基板W上。

基板W，是被搬運滾筒1朝搬運方向X一面搬運，一面從第1噴嘴N1供給乳酸乙酯液而受到處理，但隨著處理進行，基板W上的乳酸乙酯液(特別是到達基板W的端部之液)會逐漸從基板W滴落。是故，存在於基板W當中搬運方向X的下游側之液膜，相較於同一時間點被搬運至第1噴嘴N1的正下方之基板W的一部份而言會變薄。因此，第2噴嘴N2被設於必要處，以便使得乳酸乙酯液的液膜於一定時間持續形成於基板W上。

也就是說，第2噴嘴N2的設置位置被設定成使得，對於從第1噴嘴N1供給之乳酸乙酯液的液膜雖存在但逐漸變薄的狀態(未出現乳酸乙酯液不存在之處的狀態)之基板W，從第2噴嘴N2供給乳酸乙酯液。

考量此一情況而配置之第2噴嘴N2係構成為，當基 板W被搬入至接液處理單元U1後，經過一定時間後，藉由來自未圖示之控制部的訊號，會開始供給乳酸乙酯液。

第2噴嘴N2為噴淋嘴，並未特別具有如第1噴嘴N1般除去氣泡之機構，因此從第2噴嘴N2吐出之乳酸乙酯液中，相較於從第1噴嘴N1吐出之乳酸乙酯液，很可能含有氣泡。

然而，基於下述理由，即使從第2噴嘴N2供給之乳酸乙酯液中含有氣泡，仍會防止對處理帶來影響。

理由1，在從第2噴嘴N2供給乳酸乙酯液之時間點，於基板W上已存在從第1噴嘴N1供給之乳酸乙酯液的液膜。此一時間點的液膜，相較於從第1噴嘴N1供給後當下而言雖變薄，但由於是呈未出現不存在乳酸乙酯液之處的狀態，因此從第2噴嘴N2供給之乳酸乙酯液中含有的氣泡不會對處理造成妨礙。

理由2，第2噴嘴N2為噴淋嘴，吐出的液體為液滴狀，因此乳酸乙酯液中含有的氣泡大小，係比吐出的液滴尺寸還小。當這樣的小氣泡被供給至基板W上的情形下，相較於含有大尺寸氣泡的情形而言，乳酸乙酯液與基板之間造成妨礙的氣泡所存在的面積小，故難以對處理帶來影響。

理由3，如上所述，第2噴嘴N2與基板W之高度距離，係考量吐出壓力而設定，以避免吐出之乳酸乙酯供給至基板W後於基板W上在表面起泡(例如，當吐出壓力為未滿0.15MPa時，從基板W表面至第2噴嘴吐出面為 止之高度距離，較佳是未滿100mm)。另，第2噴嘴N2的高度為固定的情形下，亦能調整吐出壓力來防止起泡。

像這樣，第2噴嘴N2相較於第1噴嘴N1，由於不必具備除去氣泡之機構等，因此其機構簡易，可採價廉之物，相較於具備複數個和第1噴嘴N1具有同一機構的噴嘴之裝置，可謀求大幅的成本下降。藉由從第2噴嘴N2供給乳酸乙酯液至基板W，在基板W的表面，直到基板W從接液處理單元U1搬出為止可不中斷地持續形成液膜。

當基板W的X方向先端，到達配置於最下游之第2噴嘴N2(圖2中，右側的第2噴嘴N2)的正下方，則未圖示之控制部，會停止從第1噴嘴N1供給乳酸乙酯液。在此時間點，基板W會被搬運至不存在於第1噴嘴N1的正下方之位置。也就是說，本實施形態中，相較於第1噴嘴N1與位於X方向最下游的第2噴嘴N2之間隔而言，於X方向基板W的長度較短。複數個第2噴嘴N2，從停止從第1噴嘴N1供給乳酸乙酯液之時間點起算，由設置於第1噴嘴N1側者開始依序每隔經過一定時間停止供給。該一定時間，是考量以足夠量的乳酸乙酯液對基板W做接液處理所需之時間來設定。

接著，當基板W被搬入至淋洗處理單元U2，藉由來自未圖示之控制部的訊號，從噴嘴2開始供給純水。噴嘴2例如為噴淋嘴，為用於一般的基板淋洗工程之周知噴嘴。一旦從噴嘴2對基板W供給純水，則於接液處理單 元U1形成之基板W上的乳酸乙酯液的液膜會被置換成純水。

接著，當基板W被搬入至乾燥單元U3，藉由來自未圖示之控制部的訊號，從狹縫噴嘴3開始供給空氣。狹縫噴嘴3，為用於一般的基板乾燥工程之周知狹縫噴嘴。藉由來自狹縫噴嘴的空氣，於淋洗處理單元U2供給至基板W之純水被吹飛，基板W受到乾燥。從乾燥單元U3搬出之基板W被搬運至下一工程。

按照上述之第1實施形態，在對基板W之接液處理完成之前，能夠使乳酸乙酯液的液膜不中斷地存在於基板W上，因此可提高藉由光配向法得到之液晶配向膜的異方性，且不會發生處理不均，可形成均一的液晶配向膜。

(第2實施形態)

接著說明本發明之第2實施形態。另，第2實施形態中，對於和上述第1實施形態中說明的構成要素相同的構成要素標註同一符號，並省略同一構成要素之說明以免重複。

和上述第1實施形態不同之處在於，將基板W從接液處理單元U1搬出而搬入至淋洗處理單元U2之時間點，以及第1噴嘴N1、第2噴嘴N2的液供給的時間點。

首先，如同第1實施形態般，當已做好光配向處理的基板W被搬入至接液處理單元U1，則從第1噴嘴N1朝向基板W供給乳酸乙酯液。搬入的基板W，被搬運滾筒1 依序朝X方向搬運，被搬運至第2噴嘴N2下方，如同第1實施形態般從第2噴嘴N2供給乳酸乙酯液。像這樣如同第1實施形態般，在基板W上形成乳酸乙酯液的液膜。

其後，當基板W不存在於第1噴嘴N1下方，則未圖示之控制部會停止第1噴嘴N1的吐出，且在此時間點暫時停止基板W的搬運。在此時間點，於基板W的上方會呈複數個第2噴嘴N2相向之狀態。

第2噴嘴N2，對於此停止的基板W，進行乳酸乙酯液的吐出。第2噴嘴N2，可以設計成對停止的基板連續地吐出乳酸乙酯液，但只要設定成可使基板W上形成之液膜在基板W上不中斷地持續形成即可，亦可間歇性地吐出。又，基板W的搬運停止之時間，為可藉由乳酸乙酯液進行足夠處理之一定時間。當經過此一定時間，基板W會再次被搬運滾筒1搬運，而從接液處理單元U1被搬入至淋洗處理單元U2。

像這樣，控制將基板W從接液處理單元U1搬出而搬入至淋洗處理單元U2之時間點，以及第1噴嘴N1、第2噴嘴N2的液供給的時間點，藉此便能獲得如同第1實施形態般之效果，即，可提高藉由光配向法得到之液晶配向膜的異方性，且不發生處理不均，可形成均一的液晶配向膜。

而且，第2噴嘴N2只要設置成用來對停止的基板W供給乳酸乙酯液即可，不需為了對搬運中的基板W供給 乳酸乙酯液而在搬運路徑上設置多數個第2噴嘴N2，因此接液處理單元U1所具備之第2噴嘴N2的數量或搬運滾筒1的數量有最小限度即足夠。又，能夠縮減接液處理單元U1的大小，而可削減基板處理裝置100本身的設置空間。

(第3實施形態)

接著說明本發明之第3實施形態。

圖4為本發明第3實施形態之接液處理裝置的概略構成圖。

第3實施形態之接液處理單元U12，除第1噴嘴N1、第2噴嘴N2以外還具有第3噴嘴N3，除此以外和上述第1實施形態及第2實施形態相同，針對相同機構以同一符號來表示，並省略說明。

第3噴嘴N3為和第1噴嘴N1具有相同機構之狹縫噴嘴，經常性地以簾幕狀供給乾淨的乳酸乙酯液。此處，第1噴嘴N1及第2噴嘴N2，例如是構成為吐出未圖示之槽中貯留之乳酸乙酯液。從該第1噴嘴N1及第2噴嘴N2吐出之乳酸乙酯液，是設計成供給至基板W後，從未圖示之回收手段回收而回到槽內，再次藉由第1噴嘴N1及第2噴嘴N2吐出。

相對於此，供給至第3噴嘴N3之乳酸乙酯液，係每次供給未使用過的乳酸乙酯液。也就是說，從第3噴嘴N3會供給不曾對基板W循環供給過的乳酸乙酯液。第3 噴嘴N3，在基板W被搬運至下一淋洗處理單元之前，會將基板W上的液膜置換成乾淨的乳酸乙酯液。該第3噴嘴N3，會在藉由第1噴嘴N1及第2噴嘴N2對基板W上供給乳酸乙酯液而經過足夠接液處理之時間後，對基板W上供給乳酸乙酯液。

像這樣，藉由對基板W供給從第3噴嘴N3吐出之乾淨的乳酸乙酯液，能夠於淋洗工程前除去基板W上的液膜中含有之異物。此外，如以上各實施形態所說明般，在對基板W之接液處理完成之前，能夠使乳酸乙酯液的液膜不中斷地存在於基板W上，因此可提高藉由光配向法得到之液晶配向膜的異方性，且不會發生處理不均，可形成均一的液晶配向膜。

(第4實施形態)

圖5為本發明第4實施形態之接液處理裝置的概略構成圖。

第4實施形態之接液處理單元U12，於搬運滾筒1的下方具有槽T，以及具有循環配管10、給液配管20、廢液配管30，除此以外和上述第3實施形態相同，針對相同機構以同一符號表示並省略說明。

槽T，於基板W的搬運方向的長度約一半的地點具有隔板T1，藉由此隔板T1，被劃分成A區域(第1區域)及B區域(第2區域)。在A區域的底面，連接著循環配管10的始端，循環配管10的終端連接至第1噴嘴N1 及第2噴嘴N2，在循環配管10的途中，備有未圖示之泵浦。在B區域的底部設有給液配管20的始端，給液配管20的終端連接至A區域的底部，在給液配管20的途中，備有未圖示之泵浦。

又，在A區域底部設有廢液配管30，循環配管10、給液配管20、廢液配管30分別具有開關閥10a、10b、20a、30a。此外，在A區域的槽T，設有用來將貯留於A區域內的乳酸乙酯液予以加溫之加熱器H、用來予以冷卻之冷卻手段C。加熱器H，例如設於槽T的A區域的底部，冷卻手段C，例如是在設於槽T的A區域內之配管內流通冷卻水。

使用於基板W的處理後的乳酸乙酯液，會被回收至槽T。

從第1噴嘴N1或第2噴嘴N2供給之乳酸乙酯液，如前述般係循環供給，供複數次基板W的接液處理之用。相對於此，從第3噴嘴N3供給之乳酸乙酯液，如前述般，經常性地使用乾淨的乳酸乙酯液。槽T中，A區域主要回收來自第1噴嘴N1的乳酸乙酯液，B區域主要回收來自第3噴嘴N3的乳酸乙酯液，依此方式來決定隔板T1的位置。

此處，所謂「主要」，係指A區域回收之乳酸乙酯液中，會包含從第1噴嘴N1供給至基板W之乳酸乙酯液、以及從第2噴嘴N2供給至基板W之乳酸乙酯液，但第1噴嘴N1如前述般，是在基板W上形成液膜者。相對於 此，第2噴嘴N2則是用來對於已經藉由第1噴嘴N1形成了液膜之基板W，輔助性地供給乳酸乙酯液之噴嘴。因此，意思是說A區域中回收之乳酸乙酯液，絕大多數為來自第1噴嘴N1的乳酸乙酯液。

此外，B區域中回收之乳酸乙酯液中，會包含從第3噴嘴N3供給至基板W之乳酸乙酯液、以及從第2噴嘴N2供給至基板W之乳酸乙酯液，以及在基板W上以液膜形式存在之來自第1噴嘴N1之乳酸乙酯液。但，第3噴嘴N3如前述般，為用來置換基板W上的液膜之噴嘴，因此意思是說B區域中回收之乳酸乙酯液，絕大多數為來自第3噴嘴N3的乳酸乙酯液。

在槽T的A區域，設有濃度計D。藉由濃度計D測定之貯留於A區域的乳酸乙酯液的濃度測定結果，會被傳輸至未圖示之控制部。在控制部，利用接收到的測定結果，判定是否為用於接液處理的容許範圍(事先藉由實驗等求出並設定)之濃度。

若貯留於A區域的乳酸乙酯液的濃度，被控制部判斷為超出容許範圍，則設於循環配管10的途中之未圖示之泵浦會停止，閥10a、10b被關閉。如此一來，從槽T供給至循環配管10之乳酸乙酯液會停止，接液處理單元U12中的處理會暫時地停止。然後，廢液配管30的閥30a被開啟，A區域內的乳酸乙酯液被廢棄，閥30a被關閉。也就是說，當乳酸乙酯液的濃度超出容許範圍的情形下，會中止使用乳酸乙酯液，該乳酸乙酯液被廢棄。

接著，給液配管20的閥20a被開啟，B區域的乳酸乙酯液藉由設於給液配管20的途中之未圖示之泵浦的驅動而被移動往A區域。一旦A區域充滿了事先設定好的量的乳酸乙酯液，給液配管20的閥20a被關閉，加熱器H的電源打開。循環配管10的閥10a、以及從循環配管10分歧而連接至第2噴嘴N2的配管上具備之閥10b被開啟，重新開始對第1噴嘴N1及第2噴嘴N2供給乳酸乙酯液，重新開始接液處理。

另，貯留於B區域之僅一次供接液處理的乳酸乙酯液，可從未圖示之廢液用配管廢棄，其設計成，當A區域的乳酸乙酯液的濃度為容許範圍內，亦即不必從B區域對A區域供給乳酸乙酯液的情形下，且當B區域的乳酸乙酯液為全滿的情形下，能夠廢棄。另，係設計成，當基板W存在於第1噴嘴N1、第2噴嘴N2的下方時，會待基板W通過之後再使設於循環配管10的途中之泵浦停止。

在使用乳酸乙酯液之接液處理工程中，乳酸乙酯液的溫度和處理效率有關，因此將所需溫度的乳酸乙酯供給至第1噴嘴N1、第2噴嘴N2是重點所在。在此，藉由設置於槽T的A區域側之加熱器H、冷卻手段C，來對即將被供給至基板W之A區域的乳酸乙酯液事先做溫度管理，藉此便能有效率地進行接液處理。

又，如上述般，槽T是藉由隔板T1被劃分成二個區域。一方的A區域主要回收已供複數次接液處理之乳酸乙酯液，另一方的B區域主要回收僅一次供接液處理之乳酸 乙酯液。因此，相較於不具備隔板T1的情況，用於處理之乳酸乙酯液的濃度的均一性容易保持。

也就是說，當不具備隔板T1的情形下，從第1噴嘴N1、第2噴嘴N2、第3噴嘴N3供給之所有的乳酸乙酯液會被回收至同一區域。是故，在第1噴嘴N1、第2噴嘴N2循環供給而濃度逐漸變淡之乳酸乙酯液，和未被循環供給而是經常供給新液之來自第3噴嘴N3的乳酸乙酯液會不均一地混合，乳酸乙酯液的濃度會明顯變化。

另一方面，藉由具備隔板T1，來設計成對濃度變化大的A區域內的乳酸乙酯液做濃度測定，若超出容許範圍，則將這樣的乳酸乙酯液廢棄後，再使用未用於循環供給之區域B內的乳酸乙酯液。藉由進行這樣的處理，便能將經常為容許範圍內的濃度，且濃度相對均一的乳酸乙酯液供給至基板W。

除上述事實外，還會發揮下述效果，即，如以上各實施形態所說明般，在對基板W之接液處理完成之前，能夠使乳酸乙酯液的液膜不中斷地存在於基板W上，因此可提高藉由光配向法得到之液晶配向膜的異方性，且不會發生處理不均，可形成均一的液晶配向膜。

此外，即使基板W的尺寸變大，或使用的乳酸乙酯液量變多，藉由具備隔板T1並對乳酸乙酯液做濃度管理，便不需要管理槽T內的所有乳酸乙酯液的濃度，因此能夠經常地且相對容易地將容許範圍內濃度的乳酸乙酯液供給至第1噴嘴N1、第2噴嘴N2。

又，欲調整即將被供給至第1噴嘴N1之乳酸乙酯液的溫度，只要在A區域具備加熱器H、冷卻手段C即足夠，因此相較於在槽T的底部全體具備加熱器H、冷卻手段C之情形，能夠削減能量。

另，當B區域的乳酸乙酯液全滿的情形下，亦能先貯留於未圖示之其他槽。或是，亦可設計成能夠透過隔板T1而從B區域溢流(overflow)至A區域。

此外，A區域的乳酸乙酯液，係舉例藉由濃度計D來測定其濃度，藉此在接液處理中控制部會利用該測定結果判斷是否為容許範圍，但並不限於此，亦可以時間方式來管理。

此外，A區域的乳酸乙酯液的濃度測定，亦可設計成藉由測定乳酸乙酯液中含有之雜質濃度來管理。

(第5實施形態)

接著說明第5實施形態。另，第5實施形態中，對於和上述第1至第4實施形態中說明的構成要素相同的構成要素標註同一符號，並省略同一構成要素之說明以免重複。

圖6為本發明第5實施形態之接液處理裝置U13的概略構成圖。接液處理裝置U13，係由第1處理單元U13A、U13B及第2處理單元U13C所構成。

其中，第1處理單元U13A、U13B均採用相同構成，具備第1噴嘴N4及液膜除去噴嘴5這2種類的噴嘴。

也就是說，第1噴嘴N4，如同之前說明的第1噴嘴N1般，具備除去氣泡之手段，負責對基板供給乳酸乙酯液等異方性提升液，藉此在基板表面上形成液膜。是故，該第1噴嘴N4為狹縫噴嘴，以簾幕狀吐出處理液亦即異方性提升液。此外，吐出的異方性提升液，如上述般，至少為乳酸乙酯液、IPA、或臭氧水的其中一者。

該第1噴嘴N4設於基板W被搬運手段搬運之方向(亦即圖6的X方向)上游。又，液膜除去噴嘴5設於搬運方向下游。該液膜除去噴嘴5，例如為用來噴射氣體(如空氣)之噴嘴，以便除去因第1噴嘴N4而形成於基板W表面上之液膜。

像這樣，第1處理單元U13A、U13B均擁有相同構成，因此會對基板W進行2次相同處理。然後，如圖6所示，由於第1處理單元U13A及第1處理單元U13B係鄰接設置，因此對於基板W之處理會連續進行。

另，此處是將2個第1處理單元鄰接設置，因此成為連續進行2次相同處理之構成，但連續處理之次數，只要不是1次而是複數次即可，可為2次，或3次。

另一方面，第2處理單元U13C，具備以液滴狀吐出乳酸乙酯液等異方性提升液之噴淋嘴亦即第2噴嘴N5。第2處理單元U13C，為負責下述工作之處理單元，即，從第2噴嘴N5朝向基板W吐出異方性提升液，藉此除去第1處理單元U13A，U13B中可能未除去而殘留之低分子量成份。該第2噴嘴N5，並未特別具有除去氣泡之機 構。

因此，第2噴嘴N5與基板W之高度距離係被設定成，讓打在基板W的異方性提升液能夠充分地除去低分子量成份，且能夠避免將異方性提升液打在基板W時造成的不均之距離。此外，該第2噴嘴N5，在圖6所示之第2處理單元U13C中係沿著基板W的搬運方向設有5個。但，第2處理單元U13C內要設置幾個第2噴嘴N5能夠任意設定。

此處，如同之前各實施形態中所說明般，本發明之目的在提供一種提高藉由光配向法得到之液晶配向膜的異方性，且可形成均一的液晶配向膜之接液處理裝置等。在此之前，例如如第1實施形態之接液處理裝置U1般，利用乳酸乙酯液來進行除去低分子量成份時，當從第1噴嘴N1供給之乳酸乙酯液的液膜雖存在但變薄的情形下，會從第2噴嘴N2另行供給乳酸乙酯液，藉此，在對基板W的接液處理完成之前，使乳酸乙酯液的液膜不中斷地存在於基板W上，以謀求處理加快。

而第5實施形態中，為了提高液晶配向膜的異方性，且加快形成均一的液晶配向膜，係採用下述方法，即，在基板W的表面上形成乳酸乙酯液的液膜後，將形成的該液膜先全部除去，然後再度形成液膜。具體而言係依以下流程做處理。另，此一處理，於圖6中，係在基板W於接液處理裝置U13內朝X方向被搬運之期間進行。

一旦基板W被搬運滾筒1搬運至接液處理裝置U13 內，首先會從第1處理單元U13A中的第1噴嘴N4以簾幕狀吐出乳酸乙酯液。藉由吐出乳酸乙酯液，會在基板W的表面上形成液膜。藉由形成於該基板W的表面上之液膜，來進行基板表面上的低分子量成份的除去處理。

在維持基板W的表面上存在著液膜的狀態下，基板W被搬運滾筒1搬運。搬運中也會持續進行低分子量成份的除去處理，但隨著時間經過，例如乳酸乙酯液相對於與基板W之接觸面而言已不再流動，因此處理會達飽和狀態，低分子量成份除去處理的效率會降低。

在此，可以考慮使基板W上的乳酸乙酯液流動來解決此一問題，但在基板W上，如上述般係已進行過光配向法所致之處理，如果在基板W表面上使乳酸乙酯液朝各個方向流動，則可能發生基板W上的配向方向打亂，引發顯示不良等新的問題。

鑑此，暫且將形成於基板W的表面上之乳酸乙酯液的液膜藉由液膜除去噴嘴5予以除去。液膜除去噴嘴5，是將空氣噴吹至基板W的表面，藉此除去液膜。然後，在此狀態下，基板W被搬運往下一第1處理單元U13B。

第1處理單元U13B中，對於搬入的基板W重新從第1噴嘴N4以簾幕狀吐出乳酸乙酯液，在基板表面形成液膜。藉由在基板W的表面重新形成液膜，會再次以乳酸乙酯液進行低分子量成份的除去處理。

但，如同在第1處理單元U13A內搬運之情形般，隨著在第1處理單元U13B內搬運，乳酸乙酯液所致之低分 子量成份除去處理的效率會逐漸降低。鑑此，再次藉由液膜除去噴嘴5將形成於基板W的表面上之乳酸乙酯液的液膜予以除去。

被除去液膜的基板W，會被搬運滾筒1搬運往第2處理單元U13C。在該第2處理單元U13C中，藉由第2噴嘴N5，乳酸乙酯液以噴淋(shower)狀成為液滴而朝向基板W的表面吐出。

在此之前雖已接續複數次在第1處理單元U13A、U13B中藉由乳酸乙酯液的液膜進行了低分子量成份的除去處理，但在基板W的表面上仍然可能殘留低分子量成份。鑑此，第2處理單元U13C中是以噴淋狀吐出乳酸乙酯液，讓乳酸乙酯液對基板W的表面以敲擊的方式擊打，利用其衝撃來進行除去殘留的低分子量成份。

藉由這些處理，在接液處理裝置U13內利用乳酸乙酯液等異方性提升液完成了低分子量成份的除去處理，基板W被搬運滾筒1搬運至圖6中未圖示之淋洗處理單元U2或乾燥單元U3，並各自進行處理。

藉由在接液處理裝置U13內進行以上說明之處理，便可提供一種提高藉由光配向法得到的液晶配向膜的異方性，且可形成均一的液晶配向膜之接液處理裝置、接液處理方法、基板洗淨裝置及基板處理方法。

特別是，先將形成於基板W的表面上之液膜除去後，再重新形成液膜，藉此便能夠謀求加快乳酸乙酯液等異方性提升液所致之低分子量成份的除去處理。也就是 說，藉由接續複數次反複液膜的形成/除去，每次都會形成新的液膜，因此即使處理速度降低也能令其一次次恢復，故能夠謀求加快處理。

另，第5實施形態中，是藉由進行這樣的處理來謀求加快低分子量成份的除去處理，因此液膜的形成/除去之組合並不以僅做1次為前提。這是因為，若液膜的形成/除去僅各做1次，則基板W的表面與乳酸乙酯液相接之交界面不會移動，如上述般處理速度會逐漸慢下來。另一方面，該組合要反複幾次係可自由設定。

此外，針對第1噴嘴N4或第2噴嘴N5中使用的乳酸乙酯液並無特別給予限定，因此例如可如第4實施形態說明般，使用循環供給之乳酸乙酯液，或亦可使用非循環供給之乾淨的乳酸乙酯液。

(其他變形例)

另，上述各實施形態中，係說明基板被搬運滾筒搬運之例子，但並不限於此，只要具有基板與噴嘴相對移動之機構即可，例如由噴嘴側來移動等。

此外，上述，特別是第1至第4實施形態中，係說明第2噴嘴備有複數個之例子，但並不限於此，能夠依基板的尺寸或搬運速度來採用最適當的個數。如此能夠設置最小限度個數的噴嘴，可謀求成本下降。

又，上述，特別是第1至第4實施形態中，係說明從第1噴嘴及第2噴嘴開始供給及停止供給處理液之時間 點，是基板被搬入至各單元後起算，因應時間經過而受到控制部控制之例子，但並不限於此，亦可在和基板的搬入時間點無關之時間點做控制，或是亦可從基板W被搬入至接液處理單元U1以降，至由乾燥單元U3搬出往下一工程為止均維持供給。此外，亦可偵測搬運滾筒1保持基板之時間點，並因應其來控制。在此情形下，相較於以時間來控制之情形，能夠更正確地，僅在必要的時間點進行處理液之供給，因此能夠使用必要最低限度的處理液，而可謀求成本下降。

此外，上述各實施形態中，係說明供給淋洗液之手段為噴淋嘴，但並不限於此，亦可為狹縫噴嘴等。當採用狹縫噴嘴的情形下，較佳是將一對狹縫噴嘴配置成狹縫彼此相向。在此情形下，能夠將形成於基板上之淋洗液的液膜增厚，如此一來，基板表面的淋洗處理可均一地且迅速地進行。

以上已說明本發明的數個實施形態，但該些實施形態僅是提出作為例子，並非意圖用以限定發明之範圍。該些新穎的實施形態，可以其他各種形態來實施，在不脫離發明要旨之範圍內，可進行各種省略、置換、變更。該些實施形態或其變形，均包含於發明範圍或要旨內，且包含於申請專利範圍所記載之發明及其均等範圍內。

1‧‧‧搬運滾筒

N1‧‧‧第1噴嘴

N2‧‧‧第2噴嘴

W‧‧‧基板

U1‧‧‧接液處理單元

Claims (13)

1. 一種接液處理裝置，為對具有藉由光配向法而形成之配向膜的基板做接液處理之接液處理裝置，其特徵為，具有：第1噴嘴，具備除去氣泡之手段，對前述基板供給異方性提升液而在前述基板表面上形成液膜；至少一個第2噴嘴，為將異方性提升液供給至前述基板之噴嘴；搬運手段，具有保持前述基板之保持手段，使前述基板與前述第1噴嘴及第2噴嘴相對地移動；前述第2噴嘴，設置於比第1噴嘴還靠基板搬運方向下游側，且設置於能夠對藉由前述第1噴嘴而存在有形成於前述基板表面上之液膜的狀態的前述基板供給異方性提升液之位置。
2. 如申請專利範圍第1項所述之接液處理裝置，其中，前述異方性提升液，至少為乳酸乙酯液、IPA、臭氧水的其中一者。
3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之接液處理裝置，其中，前述搬運手段，在前述基板位於比前述第1噴嘴還靠搬運方向下游側之時間點，停止搬運一定時間，前述第1噴嘴，在前述搬運手段停止基板搬運之時間點，停止前述異方性提升液的供給，前述第2噴嘴，在前述搬運手段停止基板搬運之時間點，將前述異方性提升液的供給切換成間歇供給。
4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之接液處理裝置，其中，前述第2噴嘴，將供給至前述基板後被回收之前述異方性提升液，再次供給至前述基板。
5. 如申請專利範圍第3項所述之接液處理裝置，其中，前述第2噴嘴，將供給至前述基板後被回收之前述異方性提升液，再次供給至前述基板。
6. 如申請專利範圍第4項所述之接液處理裝置，其中，具有第3噴嘴，設置於比前述第2噴嘴還靠基板搬運方向下游側，且對藉由前述第2噴嘴而存在有形成於前述基板表面上之液膜的狀態的前述基板，供給非循環供給之異方性提升液。
7. 如申請專利範圍第5項所述之接液處理裝置，其中，具有第3噴嘴，設置於比前述第2噴嘴還靠基板搬運方向下游側，且對藉由前述第2噴嘴而存在有形成於前述基板表面上之液膜的狀態的前述基板，供給非循環供給之異方性提升液。
8. 如申請專利範圍第6項所述之接液處理裝置，其中，具有槽，供從前述第1噴嘴與前述第2噴嘴與前述第3噴嘴供給而被供給至前述基板表面之前述異方性提升液回收，前述槽具有隔板，用來劃分成主要回收從前述第1噴嘴供給的前述異方性提升液之第1區域、及主要回收從前述第3噴嘴供給的前述異方性提升液之第2區域，在前述槽的壁面具有循環配管，用來將貯留於前述第 1區域的前述異方性提升液供給至前述第1噴嘴。
9. 一種接液處理裝置，為對具有藉由光配向法而形成之配向膜的基板做接液處理之接液處理裝置，其特徵為，具有：第1處理單元，具備：第1噴嘴，具備除去氣泡之手段，對前述基板供給至少乳酸乙酯液、IPA、臭氧水的其中一者亦即異方性提升液而在前述基板表面上形成液膜；及液膜除去噴嘴，對前述基板表面供給氣體，以便除去藉由前述第1噴嘴而形成於前述基板表面上之液膜；第2處理單元，具備至少一個第2噴嘴，為將前述異方性提升液供給至前述基板之噴淋嘴；及搬運手段，具有保持前述基板之保持手段，使前述基板、前述第1處理單元及第2處理單元相對地移動；前述第1處理單元，連續設置複數個。
10. 一種基板處理裝置，為對具有藉由光配向法而形成之配向膜的基板做處理之基板處理裝置，其特徵為，具有：接液處理單元，具備：第1噴嘴，具備除去氣泡之手段，對前述基板供給至少乳酸乙酯液、IPA、臭氧水的其中一者亦即異方性提升液而在前述基板表面上形成液膜；及至少一個第2噴嘴，為將前述異方性提升液供給至前述基板之噴淋嘴；淋洗處理單元，具有供給淋洗液之噴淋嘴，其置換藉由前述接液處理單元而形成於前述基板上之前述液膜； 乾燥單元，具有狹縫噴嘴，對在前述淋洗處理單元被供給淋洗液之前述基板供給氣體；搬運手段，具有保持前述基板之保持手段，使前述基板、前述第1噴嘴與前述第2噴嘴及前述噴淋嘴相對地移動；前述第2噴嘴，設置於比第1噴嘴還靠基板搬運方向下游側，且設置於能夠對藉由前述第1噴嘴而存在有形成於前述基板表面上之液膜的狀態的前述基板供給前述異方性提升液之位置。
11. 一種接液處理方法，為藉由搬運手段令其一面搬運具有藉由光配向法而形成之配向膜的基板一面做接液處理之接液處理方法，其特徵為，具有：對前述基板從第1噴嘴供給除去了氣泡之至少乳酸乙酯液、IPA、臭氧水的其中一者亦即異方性提升液而在前述基板表面上形成液膜之工程；對存在有在前述形成液膜之工程中形成之液膜的狀態的前述基板，從至少一個噴淋嘴亦即第2噴嘴供給前述異方性提升液之工程。
12. 一種接液處理方法，為藉由搬運手段令其一面搬運具有藉由光配向法而形成之配向膜的基板一面做接液處理之接液處理方法，其特徵為，具有：對前述基板從第1噴嘴供給除去了氣泡之至少乳酸乙酯液、IPA、臭氧水的其中一者亦即異方性提升液而在前述基板表面上形成液膜之工程； 將形成於前述基板表面上之液膜藉由液膜除去噴嘴予以除去之工程；將前述形成液膜之工程、及前述除去液膜之工程的組合進行複數次之工程；對除去了前述異方性提升液之液膜的前述基板，從至少一個噴淋嘴亦即第2噴嘴供給前述異方性提升液之工程。
13. 一種基板處理方法，為藉由搬運手段一面搬運具有藉由光配向法而形成之配向膜的基板一面做處理之基板處理方法，其特徵為，具有：接液處理工程，具有：對前述基板從第1噴嘴供給除去了氣泡之至少乳酸乙酯液、IPA、臭氧水的其中一者亦即異方性提升液而在前述基板表面上形成液膜之工程；及對存在有在前述形成液膜之工程中形成之液膜的狀態的前述基板，從至少一個噴淋嘴亦即第2噴嘴供給異方性提升液之工程；淋洗處理工程，將藉由前述接液處理工程而形成於前述基板上之前述液膜置換成淋洗液；乾燥工程，對在前述淋洗處理工程被供給淋洗液之前述基板供給氣體。