JP6709314B2 - 液晶用基板の製造方法、及び液晶用基板の処理装置 - Google Patents

液晶用基板の製造方法、及び液晶用基板の処理装置 Download PDF

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Description

本発明は、基板に対して液晶分子を配向させるためのラビング処理を行った後に、基板を洗浄処理する洗浄工程を含む液晶用基板の製造方法、及び液晶用基板の処理装置に関する。
従来、液晶表示装置の主要構成部品である液晶パネルの製造においては、液晶用ガラス基板の表面にポリイミド等の高分子膜(配向膜)を塗布し、ラビング処理法や偏光紫外線照射処理法等によって配向膜に一定方向の異方性を持たせるための配向処理が行われている。このうちラビング処理法では、回転するラビングローラーによって配向膜の表面を一定方向に擦ることにより微細な粉塵や削りカス等が生じるため、ラビング処理後に基板の表面(配向処理面)に付着した異物を除去するべく、基板表面を純水洗浄する。
ラビング処理後の洗浄工程を含む液晶用基板の製造方法の従来例として、下記特許文献1に記載されたものが知られている。この特許文献1に記載された液晶用基板の処理装置は、液晶用基板をブラッシング洗浄する回転式のブラッシングローラーを備えており、その回転方向とラビングローラーの回転方向を逆向きとすることによって、超音波洗浄では除去しにくい配向処理面において下地構造物にひっかかった異物を取り除くことができ、洗浄効果を高めることができるとしている。
特開平4−221925号公報
しかし、ブラッシングローラーの接触によって配向膜に不必要な傷が生じて配向乱れが生じてしまい、配向処理効果が低下してしまうことがある。また、ブラッシングローラーと共に使用される水系洗浄材の流れによっても、配向乱れが生じてしまい、配向処理効果が低下してしまう恐れがある。
本発明は上記のような事情に基づいて完成されたものであって、配向処理効果を低下せずに、高い洗浄力を実現することを目的とする。
(1)本発明の一実施形態は、基板に対して液晶分子を配向させるためのラビング処理を行った後に、前記基板を洗浄処理する洗浄工程を含む液晶用基板の製造方法であって、前記洗浄工程において、前記基板が、前記基板の搬送方向に沿って流れる水系洗浄材により洗浄される際、前記洗浄材の供給圧力は、前記基板のラビング処理方向と前記搬送方向とが交わる場合に、前記基板のラビング処理方向と前記搬送方向とが沿っている場合に比して小さく調整される液晶用基板の製造方法。
基板のラビング処理方向が、基板の搬送方向、すなわち洗浄材の流通方向と交わる場合、配向処理面において下地構造物にひっかかった異物が除去されやすくなるため、ブラッシングローラーを使用しなくても洗浄力を高めることができる。一方で、この場合には、基板のラビング処理方向が搬送方向、すなわち洗浄材の流通方向に沿う場合に比して、洗浄材の流れによる配向乱れが生じやすくなり、ラビング処理によりなされた配向処理効果が低下しやすくなってしまう。このため、洗浄材の供給圧力を小さく調整することによって、洗浄力を高めつつ、配向処理効果の低下を抑制できるようになる。
(2)また、本発明のある実施形態は、上記(1)に加え、前記水系洗浄材が高圧噴射して供給される液晶用基板の製造方法。
(3)また、本発明のある実施形態は、上記(1)又は(2)に加え、前記基板が板状をなし、前記搬送方向が前記基板の長辺方向に沿っており、前記基板のラビング処理方向と前記搬送方向とが交わる場合は、前記ラビング処理方向が前記基板の短辺方向に沿っており、前記基板のラビング処理方向と前記搬送方向とが沿っている場合は、前記ラビング処理方向が前記基板の長辺方向に沿っている液晶用基板の製造方法。
(4)また、本発明のある実施形態は、基板に対して液晶分子を配向させるためのラビング処理を行った後に、前記基板を洗浄処理する液晶用基板の処理装置であって、前記基板を搬送方向に搬送する搬送装置と、前記基板を前記基板の搬送方向に沿って流れる水系洗浄材により洗浄する洗浄槽と、を備え、前記洗浄槽において、前記基板が、前記搬送方向に沿って流れる水系洗浄材により洗浄される際、前記洗浄材の供給圧力は、前記基板のラビング処理方向と前記搬送方向とが交わる場合に、前記基板のラビング処理方向と前記搬送方向とが沿っている場合に比して小さく調整される液晶用基板の処理装置。
(5)また、本発明のある実施形態は、上記(4)に加え、前記洗浄槽が前記水系洗浄材を高圧噴射して供給するノズルシャワーを備える液晶用基板の処理装置。
(6)また、本発明のある実施形態は、上記(4)又は(5)に加え、前記基板が板状をなし、前記搬送方向が前記基板の長辺方向に沿っており、前記基板のラビング処理方向と前記搬送方向とが交わる場合は、前記ラビング処理方向が前記基板の短辺方向に沿っており、前記基板のラビング処理方向と前記搬送方向とが沿っている場合は、前記ラビング処理方向が前記基板の長辺方向に沿っている液晶用基板の処理装置。
本発明によれば、配向処理効果を低下せずに、高い洗浄力を実現できる。
本発明の実施形態1に係る洗浄工程の側面図 カーテンシャワー及びノズルシャワーによる洗浄処理を示す斜視図 基板の長辺方向に沿ったラビング処理方向を示す斜視図 基板の短辺方向に沿ったラビング処理方向を示す斜視図 ノズルシャワーによる洗浄処理を示す斜視図 基板のラビング処理方向が長辺に沿う範囲を示す上面図 基板のラビング処理方向が短辺に沿う範囲を示す上面図 比較実験1の実験結果を示す表1
<実施形態1>
本発明の実施形態1を図1から図6を参照して説明する。本実施形態では、基板を洗浄処理する液晶用基板の処理装置100について例示する。なお、以下の説明においては、図1のX軸方向を基板20の搬送方向とし、紙面に直交するY軸方向を左右方向とし、Z軸方向を上下方向とする。また、各図の左側を搬送方向の上流側とし、右側を搬送方向の下流側とする。
液晶用基板の処理装置100は、液晶用基板の製造方法において、基板に対して液晶分子を配向させるためのラビング処理を行った後に、前記基板を洗浄処理する洗浄工程に用いられるものである。具体的には、基板表面に塗布された配向膜がラビング法により配向処理(ラビング処理)されて、表面に微細な粉塵や削りカス等の異物が付着した状態の基板20の異物を洗浄処理する。
液晶用基板の処理装置100は、図1に示すように、複数の処理槽を備える。液晶用基板の処理装置100において、板状の基板20は、配向処理面20A(ラビング処理された面)が上側に向けられた水平状態で搬送方向の上流側に搬入され、その長辺方向がX軸方向に沿うとともにその短辺方向がY軸方向に沿った姿勢で、次述する搬送装置15によって搬送方向の上流側から下流側へと搬送される。
液晶用基板の処理装置100は、具体的には図1に示すように4つの処理槽を備えており、これらの槽は上流側(左側)から順に、被膜処理槽11、置換槽12、洗浄槽13、乾燥槽14とされている。液晶用基板の処理装置100は搬送装置15を備えており、この搬送装置15には、基板20を図示しない駆動源により搬送方向(X軸方向)に沿って搬送する複数の搬送ローラ16が設けられている。基板20は、配向処理面20Aとは反対側の板面(下面)が搬送ローラ16によって断続的に支持されながら、搬送装置15により各槽内を搬送方向に沿って順に搬送されるとともに、各槽内において処理される。なお、本実施形態において基板20のサイズはG4.5ないしはG6サイズとされ、搬送速度は2000〜3000mm/分とされている。
被膜処理槽11は、ラビング処理後であって水洗前の基板20の表面、すなわち、配向処理面20Aに、イソプロピルアルコール(IPA21)(前処理材の一例)の薄膜を被膜させるための槽である。IPA21は、後述する置換槽12において純水24が基板表面を隙間なく覆うための前処理として被膜される。被膜処理槽11内の搬送方向における上流側にカーテンシャワー17(第1供給装置の一例)が設けられると共に、下流側にパイプシャワー18(第2供給装置の一例)が設けられており、これらの二つのシャワーにより、配向処理面20AにIPA21が供給され、IPA21は、基板20の搬送方向に沿って流れる。
カーテンシャワー17は、IPA貯留槽から延びる配管(図示せず)と連結されるとともに、図2に示すように、基板20の配向処理面20A(XY平面)に沿いかつ搬送方向と直交する方向(Y方向)に細長く延びており、その下端に、IPA21をカーテン状に吐出するための図示しない細長いスリットが設けられている。このスリットは、IPA21が基板20の配向処理面20A(XY平面)に対して所定の傾斜角度θで搬送方向の下流側(図1の右側)に向けて、いわゆる液カーテン状に供給されるように設定されている。このカーテンシャワー17から傾斜した状態で吐出されたIPA21により、基板20の配向処理面20Aは、全体にムラが極めて少ない均一に近い状態でIPA薄膜により被覆される。
パイプシャワー18は金属製であって、図示しないIPA貯留槽から延びる配管と連結されており、基板20の配向処理面20A(XY平面)に沿いかつ搬送方向と直交する方向(Y方向)に細長く延びる筒状とされている。このパイプシャワー18のうち基板20と対向する面(下面)には、複数の吐出孔(図示せず)が等間隔で一列に並んで設けられており、基板20に対して垂直にIPA21が吐出される。本実施形態においては、パイプシャワー18の吐出孔18Aは等間隔で一列に並んでおり、複数の吐出孔18Aの孔径は、いずれも同一とされている。具体的には、各吐出孔18Aの孔径は0.5mmφ〜1.0mmφとされており、隣り合う吐出孔18Aとの間隔は10mm〜15mmとされている。また、各吐出孔から吐出される吐出流量の総計は5〜20リットル/分とされている。パイプシャワー18から吐出されたIPA21により、被膜処理槽11から搬出される直前の基板20の配向処理面20Aには、IPA薄膜が幅方向に亘って形成される。パイプシャワー18によりIPA21を再供給することで、IPA21の部分的な乾燥を回避することができる。
基板20は、被覆処理槽11の出口付近に設けられたエアナイフ19により過剰なIPAが除去され、上面全体がIPA21の薄膜で被覆された状態で被膜処理槽11から置換槽12に搬送される(図1)。
置換槽12内の上流側には被膜処理槽11と同様の形態のカーテンシャワー22が設けられている。このカーテンシャワー22からは、基板20上に置換用の純水24が吐出される。また、カーテンシャワー22の下流側には、同じく基板20上に置換用の純水24を放射状に噴射する複数のノズルからなる樹脂製のノズルシャワー23(洗浄材供給装置の一例)が設けられている。供給された純水24は、基板20の表面に噴射され、基板20の搬送方向に沿って流れる。
ノズルシャワー23は、基板20の配向処理面20Aに沿いかつ搬送方向と直交する方向(Y軸方向)に直線状に延びており、搬送方向と直交するように並列した状態で2〜4列設けられている(本実施形態においては2列)。配向処理面20Aに供給された純水24は、IPA21と置き換わり、基板表面は純水24で隙間なく覆われた状態となる。
置換槽12において表面が純水置換された基板20は、搬送装置15により洗浄槽13内に搬送される。洗浄槽13には、置換槽12と同様の形態のノズルシャワー23が、搬送方向と直交するように複数列並んで設けられている(本実施形態においては3列)。これらのノズルシャワー23から噴射される純水24により、基板20は高圧洗浄され、配向処理面20Aの異物が除去される。
次に、ノズルシャワー23による配向処理面20Aの異物除去について説明する。まず配向処理面20Aの状態について詳しく述べる。基板20の配向処理面20Aには、図3及び図4に示すように、ラビングローラーRによって配向膜の表面を一定方向に擦るラビング処理が施されている。図3、図4はそれぞれ、基板20の長辺方向、短辺に沿ってラビング処理を施す様子を示す図である。ラビングローラーRを通過した表面(配向処理面20A)には、ラビング処理により微細な粉塵や削りカス(ラビング布のパイルが切れたものや配向膜の削りカス等)が生じる。配向処理面20Aは、基板の下地構造物(カラーフィルター基板上に形成されたフォトスペーサーやアレイ基板上に形成された電極)にそれらが引っかかった状態となっている。
ノズルシャワー23には、図5に示すように、基板20と対向する面(下面)に、複数(本実施形態いおいては12個)の高圧吐出孔(図示せず)が等間隔で一列に並んで設けられており、基板20に対して高圧で放射状に純水24が吐出される。複数の高圧吐出孔の孔径はいずれも同一であり、具体的には、各高圧吐出孔の孔径は、0.3mmとされており、隣り合う高圧吐出孔との間隔は60mmとされている。また、吐出圧力は4MPaから15MPa、各高圧吐出孔から吐出される吐出液量の総計は8〜17リットル/分とされている。本実施形態において、ノズルシャワー23から噴射される純水24の吐出圧力は、基板20のラビング処理方向に応じて調整される。具体的には、基板20のラビング処理方向が搬送方向と交わる場合、ラビング処理方向が搬送方向に沿っている場合に比して小さく調整される。
ラビング処理方向が長辺方向に沿っている場合(図3)、図5における基板20のラビング処理方向はX軸方向となり、搬送方向、及び搬送方向に沿って流れる純水24の流通方向に沿い、ノズルシャワー23が延びるY軸方向とは交わるものとなる。また、ラビング処理方向が短辺方向に沿う場合(図4)には、長辺方向が搬送方向となるよう90°回転させて液晶用基板の処理装置100に搬入される。このため、図5における基板20のラビング処理方向はY軸方向となり、搬送方向、及び搬送方向に沿って流れる純水24の流通方向と交わり、ノズルシャワー23が延びるY軸方向に沿うものとなる。
なお、実際のラビング処理方向は、図6及び図7の上面図に示すように、長辺から傾斜角αをなして長辺に沿う場合(図6)や、短辺から傾斜角βをなして短辺に沿う場合(図7)がある。このため、本明細書においては、傾斜角α=0°から+30°(図6において時計回りに30°)以下、及び0°から−30°(図6において反時計回りに30°)以下の範囲を、ラビング方向と基板の長辺(搬送方向)とが沿っているものとし、傾斜角β=0°から+30°(図7において時計回りに30°)以下、及び0°から−30°(図7において反時計回りに30°)以下の範囲を、ラビング方向と基板の長辺(搬送方向)とが交わるものと定義する。
洗浄槽13の出口付近にはエアナイフ19が設けられている。エアナイフ19により液切りされた基板20は、搬送装置15により乾燥槽14に搬送される。基板20は、乾燥槽14内において、エアナイフ19の液切りのみでは除去しきれていない吸湿水分が完全に除去される。そして、高温乾燥後、液晶用基板の処理装置100から搬出される。
本実施形態は以上のような構成であって、続いて、液晶用基板の処理装置100の作用及び効果について説明する。上記した構成の液晶用基板の処理装置100において、基板20のラビング処理方向がY軸方向であって、搬送方向、すなわち純水24の流通方向であるX軸方向と交わる場合、ラビング処理方向と交わる水流によって配向膜面において下地構造物にひっかかった異物が除去されやすくなる。これによって、ブラッシングローラーを使用しなくても洗浄力を高めることができる。
一方で、この場合には、純水24の流れによって、配向処理面20Aに配向乱れが生じてしまうことがある。水流によって、配向処理面20Aにラビング処理方向と交わる目視できない極微小な傷が生じるためと考えられる。このため、基板20のラビング処理方向と搬送方向とが交わる場合には、純水24の供給圧力(ノズルシャワー23の吐出圧力)を、これらが沿う場合に比べて小さく調整することで、洗浄力を高めつつ、配向処理効果の低下を抑制できるものとなる。
<比較実験1>
上記のような作用及び効果を実証するため、比較実験1を行った。比較実験1では、平面サイズ680mm×880mmの基板を用い、基板のラビング処理方向と搬送方向とが交わる場合においてノズルシャワーの吐出圧力を10MPa,13MPaに調整した例をそれぞれ実施例1、比較例1とし、ラビング処理方向と搬送方向とが沿っている場合においてノズルシャワーの吐出圧力を10MPa,13MPaに調整した例をそれぞれ比較例2、実施例2とし、これらの実施例及び比較例について基板20の屈折率異方性を測定し、パネル焼き付き特性、及び異物不良発生率を評価した。実験結果を表1(図8)に示す。
<屈折率異方性の測定>
配向膜付き基板の配向処理面側の上方から光を照射し、基板上の測定点(離間した12箇所)における透過光のリタデーション(Δnd)を測定し、得られた値をそれぞれの配向膜の膜厚(d)で割ることで屈折率異方性(Δn)を算出した。また、各測定点の平均及び標準偏差を算出した。上記リタデーション(Δnd)は、Axo Metrics社製の「Axo Scan FAA-3series」を用いて測定した。上記膜厚は、小坂研究所社製の「全自動・高精度微細形状測定機ET5000」を用いて、接触式段差測定により測定した。表1では、実施例1の算出値を基準値1として規格化しており、数字が大きいほど、配向膜の異方性に優れたものとなる。
<パネル焼付特性>
簡易評価方法として白黒チェッカーパターンの画面表示でパネルに電圧を2時間電圧印加し、その後パネル全面を中間諧調ベタ画面に切り替えた直後及び所定の緩和放置時間を設けた時の残像輝度レベル(白黒差)にて比較している。裸眼で視認されないレベルを◎、透過率10%〜8%のND(Neutral Density)フィルターを通して視認されないレベルを〇、透過率3%のNDフィルターを通しても視認されるレベルを×と評価した。
<異物不良発生率>
10型液晶パネルで視認される異物起因の輝点不良の発生率で比較している。0.5%未満を〇、3%超を×と評価した。
比較実験1の実験結果について説明する。比較例1に係る基板は、表1に示すように、異物不良発生率が0.3%未満と低いものの、屈折率異方性が低く、パネル焼き付き特性で劣る結果となったため、総合評価はNGとなった。ラビング処理方向に交わる水流によって高い洗浄力が実現されたが、配向乱れが生じ、ラビング処理により施された配向処理効果が低下したためと考えられる。一方、実施例1に係る基板は、異物不良発生率が0.5%未満と低く高い洗浄力が確認され、かつ、屈折率異方性、パネル焼き付き特性共に良好な結果となったため、総合評価はOKとなった。比較例1に比べて、ノズルシャワーの吐出圧力が小さく調整されているため、高い洗浄力を維持しつつ、配向処理効果の低下が抑えられたためと考えられる。
比較例2に係る基板は、表1に示すように、屈折率異方性が高く、パネル焼き付き特性で良好な結果が得られたが、異物不良発生率が3%超と高い結果となったため、総合評価はNGとなった。ラビング処理方向に沿う水流によれば、配向乱れが生じず、配向処理効果が低下しないものの、洗浄力が不十分で配向処理面において下地構造物にひっかかった異物が残留しているためと考えられる。一方、実施例2に係る基板は、異物不良発生率が0.5%未満と低く高い洗浄力が確認され、かつ、屈折率異方性、パネル焼き付き特性共に良好な結果となったため、総合評価はOKとなった。比較例2に比べて、ノズルシャワーの吐出圧力が大きく調整されているため、高い洗浄力を実現できたためと考えられる。
実施例2と実施例1とを比較すると、基板20のラビング処理方向と搬送方向とが交わる場合(実施例1)には、ノズルシャワー23の吐出圧力を、これらが沿う場合(実施例2)に比べて小さく調整することで、洗浄力を高めつつ、配向処理効果の低下を抑制できたことが確認される。また、全ての実施例及び比較例において、屈折率異方性(配向膜の異方性)とパネル焼き付き特性には相関があり、異方性が高いほどパネル焼き付き特性が良好となることが確認された。
なお、純水24の供給手段としてノズルシャワー23を用いると、配向処理面20Aを高圧洗浄できるため洗浄力をより高めることができるが、水流の勢いが増すため、純水24の流れによる配向乱れはより生じやすくなってしまう。このため、上記したノズルシャワー23の吐出圧力の調整作用がより効果的なものとなる。
また、基板20のラビング処理方向が短辺方向又は長辺方向にそれぞれ沿うものを用意し、ラビング処理方向が短辺方向に沿う場合(図4)には、長辺方向が搬送方向となるよう90°回転させて液晶用基板の処理装置100に搬入することで、ラビング処理方向が異なる基板20であっても、洗浄材の供給圧力を上記したように調整することによって、同一の製造ライン(同一の液晶用基板の処理装置100)を用いて容易に洗浄できるようになる。
<他の実施形態>
本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。
(1)上記実施形態では、前処理材としてIPA、水系洗浄材として純水を使用する例を示したが、前処理材および水系洗浄材はこれらに限定されず、他のものを使用してもよい。
(2)上記実施形態では、第1供給装置としてカーテンシャワー、第2供給装置としてパイプシャワーを使用する例を示したが、これに限るものではなく、IPA耐性を有する金属製のノズルシャワー等の他の形態の供給装置を使用することもできる。また、各設置数についても適宜変更可能である。
(3)上記実施形態では、パイプシャワー、及びノズルシャワーは、同一孔径の吐出孔(高圧吐出孔)が等間隔に一列に並んで設けられている例を示したが、吐出孔(高圧吐出孔)の間隔、孔径は一部又は全部が異なっていてもよく、また列数も適宜変更可能である。
(4)カーテンシャワー(第1供給装置)、パイプシャワー(第2供給装置)、ノズルシャワー(洗浄材供給装置)は搬送方向と直交する方向に配されていなくてもよい。例えば幅方向における中心が搬送方向の下流側に配され、両端部が上流側に配されたV字形状としてもよい。
(5)上記実施形態では、基板処理装置が1つの洗浄槽を有する構成としたが、洗浄槽の数については限定されない。また、各洗浄槽における洗浄方法は、ノズルシャワーに限らず、超音波シャワーやバブルジェット、キャビテーションジェット、高圧スプレーシャワー、二流体等、異物除去効果に応じて自由に選択できる。
(6)上記実施形態では、4つの処理槽をそれぞれ別個の槽としたが、洗浄槽が複数設けられる場合には、複数の洗浄槽は1つの槽を区切ることにより形成されていてもよい。
(7)上記した実施形態では、搬送方向が基板の長辺方向である例を示したが、短辺方向でもよい。また、基板の搬送速度は2000mm/分〜3000mm/分とされる例を示したが、他の速度の場合にも本発明は適用可能である。
(8)上記した実施形態では、基板20のサイズはG4.5ないしはG6サイズとされる例を示したが、他の大きさの基板にも本発明は適用可能である。
13…洗浄槽、15…搬送装置、20…基板、23…ノズルシャワー、24…純水(水系洗浄材)、100…液晶用基板の処理装置

Claims (6)

  1. 基板に対して液晶分子を配向させるためのラビング処理を行った後に、前記基板を洗浄処理する洗浄工程を含む液晶用基板の製造方法であって、
    前記洗浄工程において、前記基板が、前記基板の搬送方向に沿って流れる水系洗浄材により洗浄される際、
    前記水系洗浄材の供給圧力は、前記基板のラビング処理方向と前記搬送方向とが交わる場合に、前記基板のラビング処理方向と前記搬送方向とが沿っている場合に比して小さく調整される液晶用基板の製造方法。
  2. 前記水系洗浄材は高圧噴射して供給される請求項1記載の液晶用基板の製造方法。
  3. 前記基板は板状をなし、
    前記搬送方向は前記基板の長辺方向に沿っており、
    前記基板のラビング処理方向と前記搬送方向とが交わる場合は、前記ラビング処理方向が前記基板の短辺方向に沿っており、
    前記基板のラビング処理方向と前記搬送方向とが沿っている場合は、前記ラビング処理方向が前記基板の長辺方向に沿っている請求項1又は請求項2記載の液晶用基板の製造方法。
  4. 基板に対して液晶分子を配向させるためのラビング処理を行った後に、前記基板を洗浄処理する液晶用基板の処理装置であって、
    前記基板を搬送方向に搬送する搬送装置と、
    前記基板を前記基板の搬送方向に沿って流れる水系洗浄材により洗浄する洗浄槽と、を備え、
    前記洗浄槽において、前記基板が、前記搬送方向に沿って流れる水系洗浄材により洗浄される際、
    前記水系洗浄材の供給圧力は、前記基板のラビング処理方向と前記搬送方向とが交わる場合に、前記基板のラビング処理方向と前記搬送方向とが沿っている場合に比して小さく調整される液晶用基板の処理装置。
  5. 前記洗浄槽は前記水系洗浄材を高圧噴射して供給するノズルシャワーを備える請求項4記載の液晶用基板の処理装置。
  6. 前記基板は板状をなし、
    前記搬送方向は前記基板の長辺方向に沿っており、
    前記基板のラビング処理方向と前記搬送方向とが交わる場合は、前記ラビング処理方向が前記基板の短辺方向に沿っており、
    前記基板のラビング処理方向と前記搬送方向とが沿っている場合は、前記ラビング処理方向が前記基板の長辺方向に沿っている請求項4又は請求項5記載の液晶用基板の処理装置。
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