TWI599589B - 形成定向自組裝圖案之方法 - Google Patents

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Description

形成定向自組裝圖案之方法
本專利申請案係關於電子材料及方法領域。更特定言之，本文所揭示及所主張為一種自嵌段共聚物移除污染物之方法。
因奈米尺度機械、電氣、化學及生物裝置及系統之開發增加，故需求新穎方法及材料以製造奈米尺度裝置及組件。在該等結構之尺度減小至奈米長度尺度(其中尺寸可自幾奈米延伸至幾十奈米)時，此點尤其正確。尤其需求可準確及以高可再現程度及製程寬容度於大面積上複製奈米尺度圖案之材料及方法。嵌段共聚物材料適用於奈米製造，因為其等可自組裝成具有自幾奈米至幾十奈米尺寸之不同域之故。
然而，現有的使用嵌段共聚物材料之定向自組裝之方法具有局限性。例如，缺陷形成仍然是一問題，尤其係若該等聚合物嵌段之自然長度尺度與化學或製圖外延法中之導向特徵之間稍有些失配。
此外，通常希望在嵌段共聚物中之嵌段具有窄莫耳質量分佈。可藉由使用陰離子聚合(參見R.P.Quirk等人於「熱塑性彈性體(Thermoplastic Elastomers)」，Hansen，Munich，Germany，第74-78頁，(1996年)中)，或+活性自由基聚合法，諸如原子轉移自由基聚合(ATRP)(參見：例如，T.E.Patten等人，Adv.Mater.第10卷，第901 頁，1998年)或使用TEMPO(參見：例如，N.A.Listigovers等人大分子(Macromolecules)第29卷，第8992頁，1996年)或相似之基於氮氧化物的引發劑之穩定自由基聚合(SFRP)，達成此等分佈。然而，該等聚合法可傾向於產生出含有不同含量之金屬離子污染物(諸如鋁、鈣、鉻、銅、鐵、鎂、錳、鎳、鉀、鈉、鋅、錫、鎘、鈷、鍺、鉛、鋰、銀或鈦)之聚合物。此等污染物可為半導體製造中非所需的。
此外，如同任何工業製程，期望容許盡可能多的製程寬容度，使得可將對難以控制的製程變數之影響減低至最小。
因此需要經由定向自組裝製造圖案之方法及材料，其提供低缺陷形成、低金屬離子污染及改良之製程寬容度。可利用本文所揭示及所主張的方法及材料達成該等特徵中之一者或全部。
本發明係關於使用至少一種離子交換樹脂來純化嵌段共聚物溶液。本發明係關於一種方法，其中該方法包括：提供在非水溶劑中含有嵌段共聚物之溶液；利用鹼性離子交換樹脂及/或強酸類離子交換樹脂與弱鹼類離子交換樹脂之混合物處理該溶液。該溶液中之聚合物可呈0.1重量%至20重量%之濃度。本發明亦關於從嵌段共聚物之自定向組裝形成圖案之方法，其中該嵌段共聚物應用本發明之新穎純化方法。
圖1繪示用以判定製程寬容度之「基準」。
圖1顯示用以判定定向自組裝製程是否產生出可接受影像之基準。於1中，線為筆直、平行及具有可接受敏銳度。於2中，線大致上為平行但似乎損失持續性。於3中，定向機構具有很小影響或沒有影響；因而產生出熟悉的無向「指紋」圖案。
如本文所用，除非另作指明，否則連詞「及」意圖具包容性及連詞「或」不意圖具排他性。例如，術語「或、或者」意圖具排他性。如本文所用，術語示例性應理解為闡述一實例而不指示特定較佳者。如本文所用，金屬離子污染物應理解為具有相關技藝所熟知的各種不同氧化態。例如，元素鈷可展現呈裸物種或呈化合物之氧化態，其範圍為自-3至+4。在已知範圍內之污染物元素之氧化態應理解為金屬離子污染物。
由於吾人針對於藉由離子交換純化非水性嵌段共聚物溶液之研究，吾人已發現若干意想不到的結果：(1)鹼性(鹼)離子交換樹脂不但可成功地移除單價陽離子而且可移除二價及三價陽離子；(2)使用強酸類離子交換樹脂及/或鹼類離子交換樹脂處理嵌段共聚物之非水性溶液，可改良定向自組裝製程之製程寬容度；及(3)利用強酸類離子交換樹脂及鹼類離子交換樹脂兩者一起處理非水性嵌段共聚物溶液，至少產生對製程寬容度改善之加成效應。定向自組裝製程之製程寬容度增加至少2%、或至少5%、或至少10%或至少15%、或至少20%。至少一種金屬離子減少至少5%。特定言之，鋰減少。
因此，本文揭示及主張一種自非水性嵌段共聚物溶液移除金屬離子之方法，其中該方法包括：提供在非水溶劑中含有嵌段共聚物之溶液；添加鹼性或鹼離子交換樹脂以形成漿液，過濾該漿液以移除該離子交換樹脂。該離子交換樹脂可為諸如游離鹼三級胺樹脂之弱鹼或鹼性離子交換樹脂。該嵌段共聚物溶液之濃度可在約0.1重量%至20重量%之範圍。
本文進一步揭示及主張一種方法，其中該方法包括：提供在非水溶劑中含有嵌段共聚物之溶液；利用鹼性離子交換樹脂及/或強酸陽離子交換樹脂處理該溶液。該離子交換樹脂可為諸如游離鹼三級胺樹脂之弱鹼性或鹼性離子交換樹脂。該溶液中之聚合物可為0.1重量% 至20重量%濃度。
本發明亦關於一種從嵌段共聚物之自定向組裝形成圖案之方法，其中已利用本發明之新穎純化法純化該嵌段共聚物以減少金屬。
以上所述製程可包括其他離子交換樹脂，例如，藉由添加一或多種其他磺酸陽離子交換樹脂以形成混合的漿液。可使用標準實驗室滾筒或其他攪拌器攪動該漿液。宜避免使離子交換珠破裂或物理損壞來防止引入可殘留於該等樹脂珠內部之顆粒物質及雜質。
宜在使用之前將離子交換樹脂脫水。例如，可使陽離子、強酸性離子交換樹脂接觸一或多種溶劑以置換該離子交換樹脂上之水。水可混溶溶劑諸如甲醇、乙醇、(異)丙醇、(異)丁醇、丙二醇甲醚及類似者可用來較快速地置換所吸附水。然而，亦可使用可選擇性地溶解嵌段共聚物之溶劑來置換多種離子交換樹脂上之所吸附水。溶劑之選擇在某種程度上可取決於離子交換樹脂是否可與溶劑發生反應。例如，已發現磺酸類離子交換樹脂在用以處理乳酸乙酯時可催化形成乳酸寡聚物。
用於溶解嵌段共聚物之溶劑及稀釋劑可包括酮、酯、醚及醇，例如：2-庚酮、丙二醇甲醚乙酸酯、乳酸乙酯、丙二醇甲醚、苯甲醚、甲基苯甲醚、乙酸(異)戊酯、乙基溶纖劑乙酸酯、甲基溶纖劑乙酸酯、乙酸乙酯及乙酸丁酯；丁內酯；環己酮、二乙氧基化物及丙二酸二乙酯；乙二醇二乙酸酯及丙二醇二乙酸酯、2-羥基異丁酸乙酯及乙基-3-羥基丙酸酯。溶劑可單獨或呈彼此混合狀態使用及可進一步與諸如表面活性劑及調平劑之非溶劑或其他成分混合。
雖然該方法可使用漿液，但仍宜使用連續床或混合床塔製程來純化嵌段共聚物溶液。就連續床製程而言，該塔可先加料磺酸基離子交換珠接著加料鹼性離子交換珠或反之亦然。為了防止混合，可將中性材料插入介於此兩床之間。
此外，可使用混合床塔；其中磺酸基離子交換珠及鹼性離子交換珠二者係在加入該塔之前摻合在一起的。此系統可用以移除磺酸部位之金屬離子並且快速地移除該鹼性塔上之酸性物質；因而減低損害溶劑或溶質之潛勢。
非限制性地，適宜鹼性離子交換樹脂一般為交聯材料，使得其等不會藉水或其他溶劑溶解或膨脹。材料之一種類型係基於經取代之苯乙烯及二乙烯基苯之聚合物。此類型之磺酸類離子交換材料及鹼性離子交換材料均為已知及許多可購自Dow Chemical Company或Dow Corning Company。該等離子交換樹脂可具有可以是凝膠型、大網狀構造或具有不同孔隙度之形態。
例如，市售強鹼性離子交換樹脂包括Amberjet 4200(凝膠型)、DOWEX 21K XLT(凝膠型)、及Lewatit Monoplus M500(凝膠型)。
弱鹼性離子交換樹脂可包括三級胺以及一級及二級胺(根據要求)。非限制性地，若需求螯合能力的話，其等亦可基於乙二胺。例如，弱鹼性離子交換樹脂包括Amberlite IRA-67(凝膠型)、Amberlite IRA-96(大網狀構造)、Amberlite IRA-743(大網狀構造)、Amberlyst A21(大網狀構造)、Duolite A7(多孔)、DOWEX M43(大孔)、Lewatit MP-62(大孔)、及Lewatit MP-64(大孔)。
市售之大孔型強磺酸離子交換樹脂包括(例如)Lewatit SCP 118、Lewatit SCP 108、Amberlyst A15及Amberlyst A35。其他強酸離子交換樹脂包括Duolite C20、Duolite C26、Amberlite IR-120、Amberlite 200、Dowex 50、Lewatit SPC 118、Lewatit SPC 108、K2611、K2621、OC 1501。
前述中Amberlyte、Amberlyst、Amberjet Duolite、及DOWEX為Dow Chemical Company之商標。Lewatit為Lanxess Company之商標。
特定用於定向自組裝之嵌段共聚物可為可經由自組裝形成域之任何嵌段共聚物。微型域係藉由容易自結合之相同類型嵌段而形成。典型地，可用於此目的之嵌段共聚物為其中源自單體之重複單元係呈嵌段配置之聚合物，嵌段為組成不同、結構不同或兩者不同及能夠相分離及形成域者。嵌段具有可用以移除一嵌段同時維持表面上其他嵌段完整之相異特性，因而在表面上提供圖案。因此，可選擇性地藉由電漿蝕刻、溶劑蝕刻、使用鹼水溶液之顯影劑蝕刻等來移除嵌段。於基於有機單體之嵌段共聚物中，一嵌段可來自聚烯烴單體，包括聚二烯、聚醚，包括聚(環氧烷)諸如聚(環氧乙烷)、聚(環氧丙烷)、聚(環氧丁烷)或其混合物；及另一嵌段可來自不同單體，包括聚((甲基)丙烯酸酯)、聚苯乙烯、聚酯、聚有機矽氧烷、聚有機鍺烷及/或其混合物。聚合物鏈中之該等嵌段可各自包含一或多個源自單體之重複單元。取決於所需圖案之類型及所採用的方法，可使用不同類型之嵌段共聚物。例如，其等可包括二嵌段共聚物、三嵌段共聚物、三聚物、或多嵌段共聚物。該等嵌段共聚物之嵌段本身可由均聚物或共聚物所組成。不同類型之嵌段共聚物亦可用於自組裝，諸如樹枝狀嵌段共聚物、高度支化嵌段共聚物、接枝嵌段共聚物、有機二嵌段共聚物、有機多嵌段共聚物、直鏈嵌段共聚物、星狀嵌段共聚物、兩親性無機嵌段共聚物、兩親性有機嵌段共聚物或至少由不同類型嵌段共聚物所組成之混合物。
有機嵌段共聚物之嵌段可包含源自以下之重複單元：諸如C2-30烯烴之單體、源自C1-30醇之(甲基)丙烯酸酯單體、包括彼等基於Si、Ge、Ti、Fe、Al之含無機物質單體。基於C2-30烯烴之單體可單獨構成具高抗蝕刻性之嵌段或與另一烯烴單體組合達成。此類型烯烴單體之具體實例為乙烯、丙烯、1-丁烯、1,3-丁二烯、異戊二烯、二氫哌喃、降冰片烯、馬來酸酐、苯乙烯、4-羥基苯乙烯、4-乙醯氧基苯乙 烯、4-甲基苯乙烯、α-甲基苯乙烯或其混合物。高度可蝕刻單元之實例可源自(甲基)丙烯酸酯單體，諸如(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸正戊酯、(甲基)丙烯酸異戊酯、(甲基)丙烯酸新戊酯、(甲基)丙烯酸正己酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸異莰酯、(甲基)丙烯酸羥乙酯或其混合物。
非限制性地，嵌段共聚物之實例可包括聚(苯乙烯-b-(甲基)丙烯酸甲酯)、聚(苯乙烯-b-乙烯基吡啶)、聚(苯乙烯-b-丁二烯)、聚(苯乙烯-b-異戊二烯)、聚(苯乙烯-b-甲基丙烯酸甲酯)、聚(苯乙烯-b-烯基芳香烴)、聚(異戊二烯-b-環氧乙烷)、聚(苯乙烯-b-(乙烯-丙烯))、聚(環氧乙烷-b-己內酯)、聚(丁二烯-b-環氧乙烷)、聚(苯乙烯-b-(甲基)丙烯酸第三丁酯)、聚(甲基丙烯酸甲酯-b-甲基丙烯酸第三丁酯)、聚(環氧乙烷-b-環氧丙烷)、聚(苯乙烯-b-四氫呋喃)、聚(苯乙烯-b-異戊二烯-b-環氧乙烷)、聚(苯乙烯-b-二甲基矽氧烷)、聚(甲基丙烯酸甲酯-b-二甲基矽氧烷)、聚(苯乙烯-b-聚乙二醇)、聚(苯乙烯-b-乙基甲基矽氧烷)、聚(苯乙烯-b-乳酸交酯)、聚(苯乙烯-b-2-(甲基)丙烯酸羥乙酯)、聚(苯乙烯-b-2-(甲基)丙烯酸羥丙酯)、聚(二甲基矽氧烷-b-(甲基)丙烯酸正丁酯)、聚(二甲基矽氧烷-b-(甲基)丙烯酸第三丁酯)、聚(二甲基矽氧烷-b-(甲基)丙烯酸羥乙酯)、聚(二甲基矽氧烷-b-甲基丙烯酸甲酯-共聚-甲基丙烯酸第三丁酯)、聚(二甲基矽氧烷-b-(甲基)丙烯酸1-乙氧基乙酯)、聚(二甲基矽氧烷-b-ε-己內酯)、聚(二甲基矽氧烷-b-乳酸交酯)、及聚(環氧丙烷-b-苯乙烯-共聚-4-乙烯基吡啶)或包括上述嵌段共聚物中之至少一者之組合。嵌段共聚物可與包含嵌段中之至少一者之均聚物及無規共聚物一起使用來促進所預期的自組裝，縮短必需的時間或產生出非對稱結構。
依據此新穎方法處理之嵌段共聚物可進一步用於任何自組裝方法中，諸如彼等述於2011年9月23日申請之美國專利申請案序號13/243,640、US 7,560,141、US 7,521,094、US 2009/0179002、US 7,471,614、US 2010/0124629、US 2008/0299353、及2009/0087653中者，其等均以引用的方式併入本文中。
可將嵌段共聚物溶液塗覆至基板上以形成薄膜及加熱容許該嵌段共聚物自對準，特定言之，其中該基板上之特徵係用以定向該嵌段共聚物。經自對準之聚合物接著經濕或乾蝕刻以移除該等嵌段中之一者從而在該基板上形成圖案。
基於所有目的，以上提到的文獻各者之全文以引用的方式併入本文中。以下具體實例將提供製備及利用本發明組合物之方法之詳細說明。然而該等實例用意不在於以任何方式限制或約束本發明之範疇及不應被理解為提供實施本發明必須得使用之條件、參數或值。
實例
於以下實例中，如所指示，苯乙烯-b-甲基丙烯酸甲酯嵌段共聚物(S-MMA)獲自Polymer Source(PSI)(Dorval(Montreal)，Quebec，Canada)或AZ Electronic Materials(70,Meister Avenue，Somerville，NJ)。Amberlyst A15(A15)為購自Dow Chemical Company之強酸性、磺酸、大網狀構造聚合物離子交換樹脂。Amberlyst A21(A21)為購自Dow Chemical Company之呈珠狀之弱鹼性(三級胺)離子交換樹脂。電子級丙二醇甲醚乙酸酯(PGMEA)係購自AZ Electronic Materials。嵌段共聚物包括聚苯乙烯及聚(甲基丙烯酸甲酯)之嵌段單元。因此其等一般使用個別嵌段之分子量及字母「b」如此指定來指明其等為嵌段共聚物。例如，18k-b-21k S-MMA指示含有以化學方式與甲基丙烯酸甲酯重複單元嵌段(Mw 21,000道耳頓)結合之苯乙烯重複單元嵌段(Mw 18,000道耳頓)之嵌段共聚物。
實例1至7：將表1及2中之所指定聚合物以2重量%之濃度溶解於PGMEA中。將離子交換樹脂添加至該等聚合物溶液以形成具有指定百分率之混合物。將所得混合物置於實驗室滾筒上，容許歷時約20小時混合，然後透過0.2μm鐵氟龍(Teflon)過濾器過濾以移除離子交換珠。採用感應耦合電漿質譜法(ICP-MS)進行分析及結果列於表1及表2中。表1顯示就如所指示之實例1至3中所述之離子交換處理而言，19種所列金屬之污染物濃度，單位為重量份/十億份(ppb)。表2顯示就所指示之實例4至7中所述之離子交換處理而言，19種所列金屬之污染物濃度，單位為重量份/十億份(ppb)。於所有情況中，相較於未經處理樣本之污染物含量，離子性污染物實致上減少。
實例8至11：依據實例5，其中聚合物為聚(苯乙烯-b-甲基丙烯酸甲酯)(21k-b-21k)，除了其不接受離子交換處理，製得一個樣本。如同實例5，製得兩個樣本，僅除了：代替接受以A21及A15之組合之處理地，此兩樣本各自接受以A21(20重量%)及A15(20重量%)之分開處理。如同實例5製得一個樣本。
利用剝離法製成表3之微影圖案。此剝離法闡述於Cheng等人之ACS Nano 2010,4(8),4815-4823中。旋塗碳底層抗反射材料係於2800rpm下旋塗至200mm矽晶圓上。使經塗覆之膜經歷於255℃下加熱板上烘焙2分鐘，可獲得厚度為120nm之膜。將抗反射塗層SHB-A940(Shin-Etsu Chemical)塗覆於該碳底層之頂部接著於220℃下烘焙90秒。所得堆疊適用於光阻製程，其中塗覆ARX3538(JSR Micro，Japan synthetic Rubber，Japan))及於110℃下烘焙1分鐘。接著以1mJ/cm2增量方式貫穿曝光範圍46至64mJ/cm2，將所得70nm膜曝光於193nm掃描器(Nikon 306D)上，於110℃下進行曝光後烘焙(PEB)1分鐘，然後利用AZ®300MIF(購自AZ® Electronic Materials)顯影劑顯影30秒。接著使圖案化晶圓全面性曝光，於115℃下烘焙1分鐘，然後於 200℃之高溫下烘焙5分鐘。於3000rpm下將中性層調配物AZ® NLD-089(AZ Electronic Materials)旋塗於該晶圓上，然後於215℃下烘焙5分鐘以形成厚度10nm之膜。利用AZ 300MIF顯影劑將該經塗覆之膜浸置式顯影90秒及以去離子水沖洗30秒。此後，於3400rpm下將實例8至11之材料旋塗於所得構形頂部以形成27nm厚膜，然後於250℃下將該膜退火5分鐘。於CD SEM(Applied Materials Nano 3D)上分析該晶圓。不同嵌段之自組裝獲得25nm之標稱節距。根據圖1中之示例性照片，判定所得微影，及自1-3地評定等級，且賦值1係可接受的，2係潛在可接受的及3係不可接受的。利用最大能量範圍計算曝光寬容度，所有曝光均具有值「1」，僅除了亦算得一包埋值為「2」。因此，於(例如)表3之實例9中，以上所述曝光能量範圍為46至56mJ/cm2，且中心曝光能量為51mJ/cm2。曝光寬容度%為該範圍與該中心曝光能量之商(或就(例如)實例9而言，為19.6%)。
根據表3可見，經離子交換樹脂處理之此三個樣本展現相對於未經處理樣本所測定之曝光寬容度改良3.3%(2mJ/cm2/60mJ/cm2)之曝光寬容度。然而，經組合離子交換樹脂處理之樣本展現27.0%之最佳曝光寬容度%。
儘管已參考特定實例顯示及論述本發明，然據信為熟習本發明相關技藝者所明瞭之不同變化及修改落在附屬申請專利範圍中所述標的之精神、範疇及設想範圍內。

Claims (14)

  1. 一種形成定向自組裝圖案之方法，其包括以下步驟：a.在基板上塗覆已降低金屬離子汙染含量之溶液，其中該溶液包含嵌段共聚物，該嵌段共聚物源自單體，該單體被配置成嵌段，該等嵌段為組成不同、結構不同或兩者不同及能夠相分離及形成域者，且進一步其中該等嵌段具有不同的蝕刻性質，可用以移除一嵌段並同時維持基板表面上其他嵌段完整，因而在基板表面上提供圖案，且進一步該已降低金屬離子汙染之溶液係藉下列步驟製造：i.利用鹼性離子交換樹脂處理該溶液以形成漿液；及，ii.過濾該漿液以移除該離子交換樹脂；b.加熱該基板以形成一定向自組裝聚合物層；及，c.移除該嵌段共聚物之一嵌段，藉此形成圖案。
  2. 如請求項1之方法，其中一嵌段經溼或乾蝕刻步驟移除。
  3. 如請求項1之方法，其中該鹼性離子交換樹脂具有選自凝膠型、大網狀構造或多孔之形態；及其中，由於處理該嵌段共聚物溶液所致，選自鋁、鈣、鉻、銅、鐵、鎂、錳、鎳、鉀、鈉、鋅、錫、鎘、鈷、鍺、鉛、鋰、銀或鈦之一或多種金屬離子污染物自其初始預處理值減低至少5%。
  4. 如請求項1之方法，其中該溶液包含0.1重量%至20重量%濃度之該嵌段共聚物。
  5. 如請求項1之方法，其中，由於處理該嵌段共聚物溶液所致，該嵌段共聚物之曝光寬容度百分比增加至少2個百分點。
  6. 如請求項1之方法，進一步包含添加磺酸陽離子交換樹脂以形成混合的漿液。
  7. 如請求項6之方法，其中該磺酸陽離子交換樹脂具有選自凝膠型、大網狀構造或多孔之形態；及其中，由於處理所致，選自鋁、鈣、鉻、銅、鐵、鎂、錳、鎳、鉀、鈉、鋅、錫、鎘、鈷、鍺、鉛、鋰、銀或鈦之一或多種金屬離子污染物自其初始預處理值減低至少5%。
  8. 如請求項6之方法，其中，由於處理該嵌段共聚物溶液所致，曝光寬容度百分比增加至少2個百分點。
  9. 如請求項1之方法，其中該鹼性離子交換樹脂藉由在接觸該溶液之前與有機溶劑接觸進行脫水。
  10. 如請求項6之方法，其中該磺酸陽離子交換樹脂藉由在接觸該溶液之前與有機溶劑接觸進行脫水。
  11. 如請求項1之方法，其中該嵌段共聚物係選自聚(苯乙烯-b-(甲基)丙烯酸甲酯)、聚(苯乙烯-b-乙烯基吡啶)、聚(苯乙烯-b-聚乙二醇)、聚(苯乙烯-b-二甲基矽氧烷)、聚(苯乙烯-b-乙基甲基矽氧烷)、聚(苯乙烯-b-乳酸交酯)、聚(苯乙烯-b-2-(甲基)丙烯酸羥乙酯)、聚(苯乙烯-b-2-(甲基)丙烯酸羥丙酯)、聚(二甲基矽氧烷-b-(甲基)丙烯酸正丁酯)、聚(二甲基矽氧烷-b-(甲基)丙烯酸第三丁酯)、聚(二甲基矽氧烷-b-(甲基)丙烯酸羥乙酯)、聚(二甲基矽氧烷-b-甲基丙烯酸甲酯-共聚-甲基丙烯酸第三丁酯)、聚(二甲基矽氧烷-b-(甲基)丙烯酸1-乙氧基乙酯)、聚(二甲基矽氧烷-b-ε-己內酯)、聚(二甲基矽氧烷-b-乳酸交酯)、或聚(環氧丙烷-b-苯乙烯-共聚-4-乙烯基吡啶)。
  12. 如請求項1之方法，其中該蝕刻性質是電漿蝕刻。
  13. 如請求項1之方法，其中該蝕刻性質是溶劑蝕刻。
  14. 如請求項1之方法，其中該蝕刻性質是顯影劑蝕刻。
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