TWI596445B - 曝光資料產生方法、多層立體構造之製造方法、曝光資料產生裝置、記錄媒體及多層立體構造之製造系統 - Google Patents

Description

曝光資料產生方法、多層立體構造之製造方法、曝光資料產生裝置、記錄媒體及多層立體構造之製造系統

本發明係關於一種藉由沿著曝光資料曝光而製造多層立體構造之技術。

先前以來，已知有一種技術，其於將積層之抗蝕劑(resist)選擇性曝光之後，藉由顯影去除抗蝕劑積層體中之顯影可溶區域，而製造於一方側具有凹凸面之多層立體構造。

作為於一方側具有凹凸面之多層立體構造之製造方法，例如已知有一種技術，其於抗蝕劑積層體之一方側之主表面局部地形成耐蝕刻液用之抗蝕劑被膜(resist coating)之後，對無被膜之部位進行濕蝕刻。然而，如此般藉由濕蝕刻形成凹凸面之情形時，難以個別地調整凹凸面之各凹部之深度。

於專利文獻1所記載之技術中，於積層抗蝕劑之成分不同之複數個抗蝕劑層之後，對抗蝕劑積層體照射波長不同之複數之曝光用光而將抗蝕劑積層體選擇性曝光。其後，藉由顯影去除抗蝕劑積層體中之顯影可溶區域，而製造多層立體構造。以該技術，能夠製造個別地調 整凹凸面之各凹部之深度之多層立體構造。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2012-208350號公報

然而，如專利文獻1般抗蝕劑之成分於各層中不同之情形時，必須設置分別塗佈不同成分之抗蝕劑之複數個塗佈裝置。又，如專利文獻1般對各抗蝕劑層照射波長不同之複數之曝光用光之情形時，必須設置分別照射不同波長之曝光用光之複數個曝光裝置。因此，就製造多層立體構造之製造處理之容易性或製造成本之觀點而言不太理想。

又，於對抗蝕劑層之曝光位置完全不產生位置偏離之情況稀少，通常產生若干位置偏離。該情形時，於專利文獻1所記載之技術中，起因於將各抗蝕劑層曝光時之位置偏離，而製造具有與所需形狀不同形狀之凹凸面之多層立體構造。因此，要求一種即使於在將各抗蝕劑層曝光時產生此種位置偏離之情形時，亦可製造具有所需之凹凸面之多層立體構造之技術。

本發明係鑑於上述問題而完成者，其目的在於提供一種關於多層立體構造之製造，可個別地調整凹凸面之各凹部之深度，且可抑制起因於曝光位置之位置偏離之凹凸面之形狀變化之技術。

本發明之第1態樣之曝光資料產生方法之特徵在於，其係於對在各層反復進行抗蝕劑層之形成與對該抗蝕劑層之曝光而產生之抗蝕劑積層體進行顯影而製造多層立體構造之前，產生複數個曝光資料者，且包含如下步驟：分割圖案產生步驟，其基於表現於一方側具有凹凸面之上述多層立體構造之設計資料，而產生表現將上述多層立體構造 於深度方向分割成上述各層之情形時之各圖案之複數個分割圖案；及資料產生步驟，其對上述複數個分割圖案，將於上述一方側包含凸面之凸面區域、於上述一方側包含凹面之凹面區域、及位於上述凹面區域之周圍之凹面周圍區域設定為曝光區域，並產生複數個曝光資料。

本發明之第2態樣之曝光資料產生方法係如本發明之第1態樣之曝光資料產生方法，其中上述資料產生步驟係執行如下處理之步驟：第1處理，其對上述複數個分割圖案，將上述多層立體構造之存在區域設定為曝光區域且將上述多層立體構造之非存在區域設定為非曝光區域；第2處理，其藉由將上述第1處理後之各曝光區域之中於上述一方側之層亦設定有曝光區域之區域變更為非曝光區域，而將上述凸面區域及上述凹面區域設定為曝光區域；及第3處理，其藉由將上述第2處理後之各非曝光區域之中位於上述凹面區域之周圍之上述凹面周圍區域變更為曝光區域，而將上述凸面區域、上述凹面區域、及上述凹面周圍區域設定為曝光區域，並產生上述複數個曝光資料。

本發明之第3態樣之曝光資料產生方法係如本發明之第1態樣之曝光資料產生方法，其中曝光裝置對抗蝕劑層進行曝光時之曝光位置自基準曝光位置偏離之情形時之偏離之上限值係作為重合精度而預先得知，且上述凹面周圍區域之寬度為上述重合精度之2倍至3倍之長度。

本發明之第4態樣之曝光資料產生方法係如本發明之第1態樣之曝光資料產生方法，其中上述凹凸面具有複數個凹部，且上述複數個凹部之中寬度相對較寬之凹部相對較淺，上述複數個凹部之中寬度相對較窄之凹部相對較深。

本發明之第5態樣之製造方法之特徵在於，其係對在各層反復進行抗蝕劑層之形成與對該抗蝕劑層之曝光而產生之抗蝕劑積層體進行顯影，而製造於一方側具有凹凸面之多層立體構造者，且作為按自另 一方側至上述一方側之順序對各層反復執行之步驟，包含如下步驟：塗佈步驟，其塗佈抗蝕劑而形成抗蝕劑層；預烘烤步驟，其將上述抗蝕劑層加熱；及曝光步驟，其基於藉由本發明之第1態樣至第4態樣中任一項之曝光資料產生方法而產生之上述複數個曝光資料之中對應於該層之曝光資料，將上述抗蝕劑層進行曝光；且作為對於對上述各層執行上述塗佈步驟、上述預烘烤步驟、及上述曝光步驟而產生之抗蝕劑積層體執行之步驟，包含如下步驟：顯影步驟，其藉由顯影液去除於上述曝光步驟未曝光之部位之抗蝕劑，而獲得上述多層立體構造；及硬烘烤步驟，其將上述多層立體構造加熱。

本發明之第6態樣之製造方法係如本發明之第5態樣之製造方法，其中作為按自上述另一方側至上述一方側之順序對各層反復執行之步驟，除上述塗佈步驟、上述預烘烤步驟、及上述曝光步驟以外，亦包含將曝光後之上述抗蝕劑層加熱之後烘烤步驟；且作為對於對上述各層執行上述塗佈步驟、上述預烘烤步驟、上述曝光步驟、及上述後烘烤步驟而產生之抗蝕劑積層體執行之步驟，包含上述顯影步驟及上述硬烘烤步驟。

本發明之第7態樣之製造方法係如本發明之第5態樣之製造方法，其中作為於上述硬烘烤步驟之後進行之步驟，包含對上述多層立體構造之上述一方側之表面進行加工之表面加工步驟。

本發明之第8態樣之製造方法係如本發明之第5態樣之製造方法，其中於上述塗佈步驟中塗佈之抗蝕劑之成分於上述各層中相同。

本發明之第9態樣之製造方法係如本發明之第5態樣之製造方法，其中上述曝光步驟係藉由對上述抗蝕劑層一面掃描一面照射曝光用光而連續地進行局部曝光之直接描繪步驟。

本發明之第10態樣之曝光資料產生裝置之特徵在於，其係於對在各層反復進行抗蝕劑層之形成與對該抗蝕劑層之曝光而產生之抗蝕 劑積層體進行顯影而製造多層立體構造之前，產生複數個曝光資料者，且包含如下構件：分割圖案產生機構，其基於表現於一方側具有凹凸面之上述多層立體構造之設計資料，而產生表現將上述多層立體構造於深度方向分割成上述各層之情形時之各圖案之複數個分割圖案；及資料產生機構，其對上述複數個分割圖案，將於上述一方側包含凸面之凸面區域、於上述一方側包含凹面之凹面區域、及位於上述凹面區域之周圍之凹面周圍區域設定為曝光區域，並產生複數個曝光資料。

本發明之第11態樣之曝光資料產生裝置係如本發明之第10態樣之曝光資料產生裝置，其中上述資料產生機構包含如下處理：第1處理，其對上述複數個分割圖案，將上述多層立體構造之存在區域設定為曝光區域，且將上述多層立體構造之非存在區域設定為非曝光區域；第2處理，其藉由將上述第1處理後之各曝光區域之中亦於上述一方側之層設定曝光區域之區域變更為非曝光區域，而將上述凸面區域及上述凹面區域設定為曝光區域；及第3處理，其藉由將第2處理後之各非曝光區域之中位於上述凹面區域之周圍之上述凹面周圍區域變更為曝光區域，而將上述凸面區域、上述凹面區域、及上述凹面周圍區域設定為曝光區域，並產生上述複數個曝光資料。

本發明之第12態樣之曝光資料產生裝置係如本發明之第10態樣之曝光資料產生裝置，其中曝光裝置對抗蝕劑層進行曝光時之曝光位置自基準曝光位置偏離之情形時之偏離之上限值係作為重合精度而預先得知，且上述凹面周圍區域之寬度為上述重合精度之2倍至3倍之長度。

本發明之第13態樣之曝光資料產生裝置係如本發明之第10態樣之曝光資料產生裝置，其中上述凹凸面具有複數個凹部，且上述複數個凹部之中寬度相對較寬之凹部相對較淺，上述複數個凹部之中寬度 相對較窄之凹部相對較深。

本發明之第14態樣之記錄媒體係可藉由電腦讀取地記錄曝光資料產生程式，該曝光資料產生程式之特徵在於，其係藉由被安裝於電腦並由CPU於記憶體中執行，而使上述電腦作為如技術方案10至技術方案13中任一項之曝光資料產生裝置發揮功能。

本發明之第15態樣之製造系統之特徵在於，其係對在各層反復進行抗蝕劑層之形成與對該抗蝕劑層之曝光而產生之抗蝕劑積層體進行顯影，而製造於一方側具有凹凸面之多層立體構造者，且包含：如本發明之第10態樣至第13態樣中任一項之曝光資料產生裝置；塗佈裝置，其塗佈抗蝕劑而形成抗蝕劑層；加熱裝置，其將上述抗蝕劑層加熱；曝光裝置，其將上述抗蝕劑層進行曝光；及顯影裝置，其藉由顯影液去除未以上述曝光裝置予以曝光之部位之抗蝕劑。

本發明之第16態樣之製造系統係如本發明之第15態樣之製造系統，其包含：表面加工裝置，其係對上述多層立體構造之上述一方側之表面進行加工。

本發明之第17態樣之製造系統係如本發明之第15態樣之製造系統，其中上述塗佈裝置所塗佈之抗蝕劑之成分於上述各層中相同。

本發明之第18態樣之製造系統係如本發明之第15態樣之製造系統，其中上述曝光裝置係藉由對上述抗蝕劑層一面掃描一面照射曝光用光而連續地進行局部曝光之直接描繪裝置。

於本發明中，藉由對在各層反復進行抗蝕劑層之形成與對該抗蝕劑層之選擇性曝光而產生之抗蝕劑積層體進行顯影而製造多層立體構造。因此，可根據針對各抗蝕劑層之各曝光圖案，個別地調整凹凸面之各凹部之深度。

又，於本發明中，曝光資料之曝光區域包含凸面區域、凹面區 域、及凹面周圍區域。因此，即使於關於某2個抗蝕劑層兩層偏離而曝光之情形時，亦抑制於多層立體構造之凹凸面產生意外之階差。

7‧‧‧曝光資料產生裝置

11~14‧‧‧分割圖案

21~24‧‧‧分割圖案

31~34‧‧‧分割圖案

50‧‧‧基材

51~54‧‧‧抗蝕劑層

51A~54A‧‧‧抗蝕劑層

51B~54B‧‧‧抗蝕劑層

55‧‧‧保護膜

55B‧‧‧保護膜

57‧‧‧抗蝕劑積層體

57A‧‧‧抗蝕劑積層體

57B‧‧‧抗蝕劑積層體

71‧‧‧CPU

72‧‧‧ROM

73‧‧‧RAM

74‧‧‧記憶裝置

75‧‧‧匯流排線

76‧‧‧輸入部

77‧‧‧顯示部

78‧‧‧通信部

79‧‧‧讀取部

90‧‧‧曝光區域

90a‧‧‧凸面區域

90b‧‧‧凹面區域

90c‧‧‧凹面周圍區域

91‧‧‧非曝光區域

92‧‧‧顯影不溶區域

93‧‧‧顯影可溶區域

100‧‧‧多層立體構造

100A‧‧‧多層立體構造

100B‧‧‧多層立體構造

110‧‧‧凹凸面

110A‧‧‧凹凸面

110a‧‧‧凸面

110B‧‧‧凹凸面

110b‧‧‧凹面

111‧‧‧第1凹部

111A‧‧‧第1凹部

112‧‧‧第2凹部

112A‧‧‧第2凹部

113‧‧‧第3凹部

113A‧‧‧第3凹部

A-A‧‧‧剖面

P‧‧‧程式

RM‧‧‧記錄媒體

S1~S10‧‧‧步驟

W10‧‧‧寬度

W20‧‧‧寬度

W30‧‧‧寬度

W40‧‧‧寬度

X‧‧‧方向

Y‧‧‧方向

Z‧‧‧方向

圖1係顯示曝光資料產生處理及製造處理之流程之流程圖。

圖2係顯示藉由圖1之流程製造之多層立體構造之一例之立體圖。

圖3係顯示曝光資料產生裝置之電性構成之方塊圖。

圖4係顯示第1處理後之分割圖案之圖。

圖5係顯示第1處理後之分割圖案之圖。

圖6係顯示第1處理後之分割圖案之圖。

圖7係顯示第1處理後之分割圖案之圖。

圖8係自圖2之A-A剖面觀察第1處理後之各分割圖案之圖。

圖9係顯示第2處理後之分割圖案之圖。

圖10係顯示第2處理後之分割圖案之圖。

圖11係顯示第2處理後之分割圖案之圖。

圖12係顯示第2處理後之分割圖案之圖。

圖13係自圖2之A-A剖面觀察第2處理後之各分割圖案之圖。

圖14係顯示第3處理後之分割圖案之圖。

圖15係顯示第3處理後之分割圖案之圖。

圖16係顯示第3處理後之分割圖案之圖。

圖17係顯示第3處理後之分割圖案之圖。

圖18係自圖2之A-A剖面觀察第3處理後之各分割圖案之圖。

圖19係自圖2之A-A剖面觀察多層立體構造之製造過程之圖。

圖20係自圖2之A-A剖面觀察多層立體構造之製造過程之圖。

圖21係自圖2之A-A剖面觀察多層立體構造之製造過程之圖。

圖22係自圖2之A-A剖面觀察多層立體構造之製造過程之圖。

圖23係自圖2之A-A剖面觀察多層立體構造之製造過程之圖。

圖24係自圖2之A-A剖面觀察多層立體構造之製造過程之圖。

圖25係於在曝光位置產生偏離之情形時，自圖2之A-A剖面觀察比較例之多層立體構造之製造過程之圖。

圖26係於在曝光位置產生偏離之情形時，自圖2之A-A剖面觀察比較例之多層立體構造之製造過程之圖。

圖27係於在曝光位置產生偏離之情形時，自圖2之A-A剖面觀察比較例之多層立體構造之製造過程之圖。

圖28係於在曝光位置產生偏離之情形時，自圖2之A-A剖面觀察比較例之多層立體構造之製造過程之圖。

圖29係於在曝光位置產生偏離之情形時，自圖2之A-A剖面觀察比較例之多層立體構造之製造過程之圖。

圖30係於在曝光位置產生偏離之情形時，自圖2之A-A剖面觀察本實施形態之多層立體構造之製造過程之圖。

圖31係於在曝光位置產生偏離之情形時，自圖2之A-A剖面觀察本實施形態之多層立體構造之製造過程之圖。

圖32係於在曝光位置產生偏離之情形時，自圖2之A-A剖面觀察本實施形態之多層立體構造之製造過程之圖。

圖33係於在曝光位置產生偏離之情形時，自圖2之A-A剖面觀察本實施形態之多層立體構造之製造過程之圖。

圖34係於在曝光位置產生偏離之情形時，自圖2之A-A剖面觀察本實施形態之多層立體構造之製造過程之圖。

圖35係於在曝光位置產生偏離之情形時，自圖2之A-A剖面觀察本實施形態之多層立體構造之製造過程之圖。

以下，基於圖式說明本發明之實施形態。於圖式中對具有相同 之構成及功能之部分標註相同符號，並省略重複說明。又，各圖式係示意性顯示者。另，於一部分圖式中，出於明確方向關係之目的，而適當標註有以Z軸為鉛直方向之軸以XY平面為水平面之XYZ正交座標軸。於以下之說明中，僅表現為上下之情形時，上意指+Z側，下意指-Z側。

<1 實施形態>

<1.1 多層立體構造100之構成例>

圖1係顯示產生複數個曝光資料之曝光資料產生處理及製造多層立體構造100之製造處理之流程之流程圖。圖1中之步驟S1、S2表示曝光資料產生處理之各步驟，圖1中之步驟S3~S10表示製造處理之各步驟。

圖2係顯示藉由圖1之流程製造之多層立體構造100之一例之立體圖。如圖2所示，本實施形態之多層立體構造100係於基材50之+Z側之主表面積層有4層抗蝕劑層51~54之構造，且於其+Z側具有凹凸面110。於凹凸面110，沿X方向排列有於XY俯視下以Y方向為長邊之矩形狀之第1凹部111、於XY俯視下以Y方向為長邊之L字狀之第2凹部112、及於XY俯視下圓狀之第3凹部113。

於以下，於依序稱呼各層之情形時，自-Z側之層朝向+Z側之層依序稱為第1層~第4層。又，於以下，將凹凸面110中之最上側之面(第4層之上表面)稱為凸面110a，將凹凸面110中之較凸面110a更凹陷之部分稱為凹面110b。又，第1凹部111係具有3層之深度之凹部。即，第1凹部111之凹面110b位於第1層與第2層之邊界。又，第2凹部112係具有2層之深度之凹部。即，第2凹部112之凹面110b位於第2層與第3層之邊界。又，第3凹部113係具有1層之深度之凹部。即，第3凹部113之凹面110b位於第3層與第4層之邊界。

<1.2 曝光資料產生處理>

於以下，對於多層立體構造100之製造處理之前進行之曝光資料產生處理進行說明。

圖3係顯示執行曝光資料產生處理之曝光資料產生裝置7之電性構成之方塊圖。如圖3所示，曝光資料產生裝置7係例如由將CPU(Central Processing Unit：中央處理單元)71、ROM(Read Only Memory：唯讀記憶體)72、RAM(Random Access Memory：隨機存取記憶體)73、記憶裝置74等經由匯流排線75相互連接之一般之電腦構成。ROM72儲存有作業系統等，RAM73係供用為CPU71執行特定處理時之作業區域。記憶裝置74係由快閃記憶體、或硬碟裝置等非揮發性之記憶裝置構成。

又，於曝光資料產生裝置7中，亦將輸入部76、顯示部77、通信部78、及讀取部79連接於匯流排線75。輸入部76係由各種開關、觸控面板等構成，接收來自操作員之各種輸入。顯示部77係由液晶顯示裝置、燈等構成，於藉由CPU71進行之控制下顯示各種資訊。通信部78具有經由有線或無線之資料通信功能。讀取部79讀取記錄於可藉由所插入之電腦讀取之記錄媒體、例如CD(Compact Disk：光碟)、DVD(Digital Versatile Disc：數位多功能光碟)、或USB(Universal Serial Bus：通用串列匯流排)記憶體之資料。

藉由將程式P(曝光資料產生程式)安裝於曝光資料產生裝置7並利用CPU71於RAM73(記憶體)中執行，曝光資料產生裝置7之功能部即分割圖案產生機構執行步驟S1，且曝光資料產生裝置7之功能部即資料產生機構執行步驟S2。藉此，執行曝光資料產生處理。

程式P亦可藉由無線而被讀入至曝光資料產生裝置7。又，亦可為，由讀取部79對可藉由電腦讀取地記錄程式P之記錄媒體RM進行讀取，而將程式P讀入至曝光產生裝置7。

於曝光資料產生處理中，首先，基於表現多層立體構造100之設 計資料，產生表現將多層立體構造100於深度方向分割成各層之情形時之各圖案之複數個分割圖案(步驟S1：分割圖案產生步驟)。此處，因多層立體構造100係包含4層之立體構造，故於步驟S1產生4個分割圖案。

於曝光資料產生處理中，其次，對4個分割圖案進行第1處理至第3處理，而產生4個曝光資料(步驟S2：資料產生步驟)。

於資料產生步驟中，首先，進行第1處理。具體而言，對於分割圖案產生步驟獲得之4個分割圖案，將多層立體構造100之存在區域設定為曝光區域90，且將多層立體構造100之非存在區域設定為非曝光區域91。圖4~圖7係按第1層~第4層之順序顯示第1處理後之4個分割圖案11~14之圖。

如圖2所示，於多層立體構造100之第1層，未形成第1凹部111~第3凹部113。換言之，第1層之所有區域成為多層立體構造100之存在區域。因此，於分割圖案11中，將第1層之所有區域設定為曝光區域90。

又，如圖2所示，於多層立體構造100之第2層，形成第1凹部111，未形成第2凹部112及第3凹部113。換言之，於第2層之全區域中形成有第1凹部111之區域成為多層立體構造100之非存在區域，第2層之全區域中其餘之區域成為多層立體構造100之存在區域。因此，於分割圖案12中，將第2層之全區域中之上述非存在區域設定為非曝光區域91，且將第2層之全區域中之上述存在區域設定為曝光區域90。

又，如圖2所示，於多層立體構造100之第3層，形成第1凹部111及第2凹部112，未形成第3凹部113。換言之，於第3層之全區域中形成有第1凹部111及第2凹部112之區域成為多層立體構造100之非存在區域，第3層之全區域中其餘之區域成為多層立體構造100之存在區域。因此，於分割圖案13中，將第3層之全區域中之上述非存在區域 設定為非曝光區域91，且將第3層之全區域中之上述存在區域設定為曝光區域90。

又，如圖2所示，於多層立體構造100之第4層，形成有第1凹部111~第3凹部113。換言之，於第4層之全區域中形成有第1凹部111~第3凹部113之區域成為多層立體構造100之非存在區域，第4層之全區域中其餘之區域成為多層立體構造100之存在區域。因此，於分割圖案14中，將第4層之全區域中之上述非存在區域設定為非曝光區域91，且將第4層之全區域中之上述存在區域設定為曝光區域90。圖8係自圖2之A-A剖面觀察該第1處理後之時點之分割圖案11~14之圖。

於資料產生步驟中，其次，進行第2處理。具體而言，將第1處理後之各曝光區域90之中於其上層(+Z側之層)亦設定有曝光區域90之區域變更為非曝光區域91。圖9~圖12係按第1層~第4層之順序顯示第2處理後之4個分割圖案21~24之圖。於以下，將各分割圖案中於+Z側包含凸面110a之區域稱為凸面區域90a，將於+Z側包含凹面110b之區域稱為凹面區域90b。

藉由對第1層之第2處理，將分割圖案11之曝光區域90之中於分割圖案12~14亦設定有曝光區域90之區域變更為非曝光區域91，而將分割圖案11變更成分割圖案21。如自圖2及圖9可知般，分割圖案21之曝光區域90係於+Z側包含第1凹部111之凹面110b之凹面區域90b。

又，藉由對第2層之第2處理，將分割圖案12之曝光區域90之中於分割圖案13、14亦設定有曝光區域90之區域變更為非曝光區域91，而將分割圖案12變更成分割圖案22。如自圖2及圖10可知般，分割圖案22之曝光區域90係於+Z側包含第2凹部112之凹面110b之凹面區域90b。

又，藉由對第3層之第2處理，將分割圖案13之曝光區域90之中於分割圖案14亦設定有曝光區域90之區域變更為非曝光區域91，而將 分割圖案13變更成分割圖案23。如自圖2及圖11可知般，分割圖案23之曝光區域90係於+Z側包含第3凹部113之凹面110b之凹面區域90b。

又，由於第4層於多層立體構造100中為最上之層，故即使對第4層進行第2處理於曝光區域90及非曝光區域91亦無變更。因此，分割圖案24係與分割圖案14相同之圖案。如自圖2及圖12可知般，分割圖案24之曝光區域90係於+Z側包含凸面110a之凸面區域90a。

如以上所說明般，於第2處理後之分割圖案21~24中，將凸面區域90a及凹面區域90b設定為曝光區域90。圖13係自圖2之A-A剖面觀察該第2處理後之時點之分割圖案21~24之圖。

於資料產生步驟中，其次，進行第3處理。具體而言，將第2處理後之各非曝光區域91之中位於凹面區域90b之周圍之區域變更為曝光區域90。圖14~圖17係按第1層~第4層之順序顯示第3處理後之4個分割圖案31~34之圖。於以下，將各分割圖案中位於凹面110b之周圍之區域稱為凹面周圍區域90c。

藉由對第1層之第3處理，將分割圖案21之非曝光區域91之中位於凹面區域90b之周圍之凹面周圍區域90c變更為曝光區域90，而將分割圖案21變更成分割圖案31。如自圖14可知般，凹面周圍區域90c係以Y方向為長邊之矩形環狀之區域。

又，藉由對第2層之第3處理，將分割圖案22之非曝光區域91之中位於凹面區域90b之周圍之凹面周圍區域90c變更為曝光區域90，而將分割圖案22變更成分割圖案32。如自圖15可知般，凹面周圍區域90c係以Y方向為長邊之L字環狀之區域。

又，藉由對第3層之第3處理，將分割圖案23之非曝光區域91之中位於凹面區域90b之周圍之凹面周圍區域90c變更為曝光區域90，而將分割圖案23變更成分割圖案33。如自圖16可知般，凹面周圍區域90c係圓環狀之區域。

又，由於第4層之分割圖案24不具有凹面區域90b，故即使對第4層進行第3處理於曝光區域90及非曝光區域91亦無變更。因此，分割圖案34係與分割圖案14、24相同之圖案。

如以上所說明般，於第3處理後之分割圖案31~34中，將凸面區域90a、凹面區域90b、及凹面周圍區域90c設定為曝光區域90。圖18係自圖2之A-A剖面觀察該第3處理後之時點之分割圖案31~34之圖。

如此藉由第1處理~第3處理產生之4個分割圖案31~34之資料成為於多層立體構造100之製造處理之時賦予至曝光裝置之4個曝光資料。

於本實施形態中，於第3處理之前預先得知曝光裝置之重合精度，且將凹面周圍區域90c之寬度W40設定為重合精度之2倍之長度。此處，所謂重合精度係將抗蝕劑層進行曝光時之曝光位置自基準曝光位置偏離之情形時之偏離之上限值，且係與日本專利特開2009-224523號公報之重合精度或日本專利特開2014-103343號公報之重合精度相同之概念。對如此設定凹面周圍區域90c之寬度W40之效果，於後述之<1.4曝光步驟之位置偏離>進行詳細說明。

<1.3 多層立體構造100之製造處理>

製造多層立體構造100之製造系統係對在各層反復進行抗蝕劑層之形成與對該抗蝕劑層之曝光而產生之抗蝕劑積層體進行顯影，而製造於+Z側具有凹凸面110之多層立體構造100之系統。

該製造系統具備曝光資料產生裝置7、塗佈抗蝕劑形成抗蝕劑層之塗佈裝置、對抗蝕劑層進行加熱之加熱裝置、將抗蝕劑層進行曝光之曝光裝置、藉由顯影液去除未以曝光裝置進行曝光之部位之抗蝕劑之顯影裝置、及進行表面加工之表面加工裝置。製造系統既可藉由將該等各裝置以集束方式配置而構成，亦可藉由將該等各裝置以直列方式配置而構成。

圖19~圖24係自圖2之A-A剖面觀察多層立體構造100之製造過程之圖。以下，對自圖2之A-A剖面觀察之情形時之、多層立體構造100之製造處理進行說明。

於製造處理中，首先，塗佈裝置於基材50之一方側(+Z側)之主表面塗佈負型之抗蝕劑，而形成基材50上之第1層之抗蝕劑層51(步驟S3：塗佈步驟)。另，該抗蝕劑對於曝光裝置所使用之曝光用光具有透過性。

其次，加熱裝置對抗蝕劑層51進行加熱，使抗蝕劑層51內之溶劑蒸發(步驟S4：預烘烤步驟)。

其次，曝光裝置基於藉由上述之曝光資料產生處理產生之4個曝光資料之中第1層之曝光資料，將抗蝕劑層51進行曝光(步驟S5：曝光步驟)。抗蝕劑層51之中相當於分割圖案31之曝光區域90之部位被曝光，而成為顯影不溶區域92。又，抗蝕劑層51之中相當於分割圖案31之非曝光區域91之部位未被曝光，而仍維持為顯影可溶區域93。曝光裝置係例如以對抗蝕劑層藉由一面掃描一面照射曝光用光而連續地進行局部曝光之直接描繪裝置構成。該情形時，於步驟S5中因執行直接描繪步驟，而無須準備對應於各曝光資料之掩模，故而較為理想。

其次，加熱裝置對抗蝕劑層51進行加熱，使抗蝕劑層51之溶劑蒸發(步驟S6：後烘烤步驟)。圖19係顯示該時點之、多層立體構造100之製造過程之圖。

若對抗蝕劑層51執行步驟S3~S6，則對是否存在尚未形成之抗蝕劑層進行判定(步驟S7)。此處，由於作為尚未形成之抗蝕劑層存在抗蝕劑層52~54，故於步驟S7向是分支。

其次，對基材50上之第2層之抗蝕劑層52執行步驟S3~S6。其結果，抗蝕劑層52之中相當於分割圖案32之曝光區域90之部位被曝光，而成為顯影不溶區域92。如上述般，於本實施形態所使用之抗蝕劑對 於曝光用光具有透過性。因此，對於抗蝕劑層52之下層即抗蝕劑層51，相當於分割圖案32之曝光區域90之部位亦被曝光，而成為顯影不溶區域92。又，抗蝕劑層52之中相當於分割圖案32之非曝光區域91之部位未被曝光，而仍維持為顯影可溶區域93。其後，加熱抗蝕劑層52，而抗蝕劑層52內之溶劑蒸發。圖20係顯示該時點之、多層立體構造100之製造過程之圖。

若對抗蝕劑層52執行步驟S3~S6，則對是否存在尚未形成之抗蝕劑層進行判定(步驟S7)。此處，由於作為尚未形成之抗蝕劑層存在抗蝕劑層53、54，故於步驟S7向是分支。

其次，對基材50上之第3層之抗蝕劑層53及第4層之抗蝕劑層54亦同樣執行步驟S3~S6。圖21係顯示對抗蝕劑層53執行步驟S3~S6之時點之、多層立體構造100之製造過程之圖。圖22係顯示對抗蝕劑層54執行步驟S3~S6之時點之、多層立體構造100之製造過程之圖。

如此，藉由按自-Z側至+Z側之順序對各層執行步驟S3~S6，而產生抗蝕劑積層體57。然後，對是否存在尚未形成之抗蝕劑層進行判定(步驟S7)。此處，由於形成有全部之抗蝕劑層51~54，故於步驟S7向否分支。

顯影裝置係藉由顯影液將抗蝕劑積層體57中之顯影可溶區域93之抗蝕劑去除，而獲得多層立體構造100(步驟S8：顯影步驟)。於該時點雖可獲得多層立體構造100，但於製造處理中藉由繼續進行步驟S9、S10而提高多層立體構造100之強度。

其次，加熱裝置對多層立體構造100進行加熱，使多層立體構造100內之溶劑或附著於多層立體構造100之顯影液蒸發(步驟S9：硬烘烤步驟)。圖23係顯示該時點之、多層立體構造100之製造過程之圖。另，於圖2中，出於防止圖示變繁雜之目的，而描繪有進行後續之表面加工步驟前之時點之多層立體構造100(即，對應於圖23之多層立體 構造100)。

其次，表面加工裝置對多層立體構造100之+Z側之表面進行加工，而以保護膜55覆蓋該表面(步驟S10：表面加工步驟)。作為保護膜55，成膜例如鍍敷膜或金剛石碳膜等膜。圖24係顯示藉由步驟S1~S10製造出之多層立體構造100之圖。

如以上所說明般，於本實施形態之製造方法中，藉由對在各層反復進行抗蝕劑層之形成與對該抗蝕劑層之選擇性曝光而產生之抗蝕劑積層體57進行顯影而製造多層立體構造100。因此，可根據針對各抗蝕劑層之各曝光圖案，個別地調整凹凸面110之各凹部之深度。

多層立體構造100係例如作為印刷處理之凹版利用。於將多層立體構造100作為凹版利用之情形時，較理想為將複數個凹部之中寬度相對較寬之凹部相對較淺地形成，且將上述複數個凹部之中寬度相對較窄之凹部相對較深地形成。其理由在於，藉此，於將填充於各凹部之墨水轉印於轉印滾筒等時，抑制各凹部之墨水轉印比例之不均。此處，所謂凹部之寬度係指，將該凹部自上面觀察之俯視下之短方向之寬度。如圖2所示，於本實施形態之多層立體構造100中，將相對較寬之寬度W30之第3凹部113相對較淺地形成，將中間之寬度W20之第2凹部112以中間之深度形成，且將相對較窄之寬度W10之第1凹部111相對較深地形成。因此，根據上述觀點抑制轉印時之不均，故而較為理想。

又，若如本實施形態之多層立體構造100般，第1層之抗蝕劑層51之整面為顯影不溶區域92，則基材50與抗蝕劑層51~54之間之密接性提高，故而較為理想。

又，於如本實施形態般塗佈裝置所塗佈之抗蝕劑之成分於各層中相同之態樣中，與如日本專利特開2012-208350號公報所記載之技術般抗蝕劑之成分於各層中不同之態樣相比，多層立體構造100之製 造處理變容易，且亦抑制製造成本。

又，於如本實施形態般曝光裝置對抗蝕劑層照射同一波長之曝光用光之態樣中，與如日本專利特開2012-208350號公報所記載之技術般對各抗蝕劑層對應於抗蝕劑之成分而照射不同波長之曝光用光之態樣相比，多層立體構造100之製造處理變容易，且亦抑制製造成本。

<1.4 曝光步驟之位置偏離>

於上述之<1.3多層立體構造100之製造處理>中，就於不存在對抗蝕劑層之位置偏離之理想之曝光位置(基準曝光位置)進行曝光步驟之情形加以說明。然而，執行曝光步驟之情形時，一般而言，於XY面內於重合精度之範圍內存在曝光位置偏離。

以下，設想曝光步驟中產生出位置偏離之情形，而說明本實施形態與比較例之製造處理之差異。此處，設想為如下情形：將第1層之抗蝕劑層51於基準曝光位置進行曝光，將第2層之抗蝕劑層52於自基準曝光位置朝-X方向偏離重合精度量進行曝光，將第3層之抗蝕劑層53自基準曝光位置朝+X方向偏離重合精度量進行曝光，將第4層之抗蝕劑層54自基準曝光位置朝-X方向偏離重合精度量進行曝光。

於上述設想下，對以比較例之製造處理製造多層立體構造100A之情形進行說明。於該比較例中，以圖8所示之分割圖案11~14之資料為曝光資料，執行曝光步驟。圖25~圖29係自圖2之A-A剖面觀察多層立體構造100A之製造過程之圖。

首先，對基材50上之第1層之抗蝕劑層51A執行步驟S3~S6。其結果，抗蝕劑層51A之中相當於分割圖案11之曝光區域90之部位被曝光，而成為顯影不溶區域92。其後，加熱抗蝕劑層51A，而抗蝕劑層51A內之溶劑蒸發。圖25係顯示該時點之、多層立體構造100A之製造過程之圖。

若對抗蝕劑層51A執行步驟S3~S6，則對是否存在尚未形成之抗蝕劑層進行判定(步驟S7)。此處，由於作為尚未形成之抗蝕劑層存在抗蝕劑層52A~54A，故於步驟S7朝是分支。

對基材50上之第2層~第4層抗蝕劑層52A~54A亦同樣執行步驟S3~S6。另，於各步驟S5中，如上述般，自基準曝光位置朝±X方向偏離重合精度量而執行曝光步驟。圖26係顯示對抗蝕劑層52A執行步驟S3~S6之時點之、多層立體構造100之製造過程之圖。圖27係顯示對抗蝕劑層53A執行步驟S3~S6之時點之、多層立體構造100之製造過程之圖。圖28係顯示對抗蝕劑層54A執行步驟S3~S6之時點之、多層立體構造100之製造過程之圖。

如此，藉由按自-Z側至+Z側之順序對各層執行步驟S3~S6，而產生抗蝕劑積層體57A(圖28)。然後，對是否存在尚未形成之抗蝕劑層進行判定(步驟S7)。此處，由於形成有全部之抗蝕劑層51A~54A，故於步驟S7向否分支。

顯影裝置係藉由顯影液將抗蝕劑積層體57A中之顯影可溶區域93之抗蝕劑去除，而獲得多層立體構造100A(步驟S8：顯影步驟)。其次，加熱裝置對多層立體構造100A進行加熱，使多層立體構造100A內之溶劑或附著於多層立體構造100A之顯影液蒸發(步驟S9：硬烘烤步驟)。圖29係顯示該時點之、多層立體構造100A之製造過程之圖。

如此製造出之多層立體構造100A係於凹凸面110A包含第1凹部111A~第3凹部113A而構成。然而，凹凸面110A與執行無位置偏離之理想之曝光步驟之情形時之多層立體構造100之凹凸面110之形狀不同。其起因於，因曝光位置之位置偏離而抗蝕劑積層體57A之顯影可溶區域93之形狀變成與凹凸面110之形狀不對應。如此，於比較例之製造方法中，無法於在曝光位置產生偏離之情形時製造具有所需之凹凸面110之多層立體構造。

其次，於上述設想下，對以本實施形態之製造處理製造多層立體構造100B之情形進行說明。於以下，以圖18所示之分割圖案31~34之資料為曝光資料，執行曝光步驟。圖30~圖35係自圖2之A-A剖面觀察多層立體構造100B之製造過程之圖。

首先，對基材50上之第1層之抗蝕劑層51B執行步驟S3~S6。其結果，抗蝕劑層51B之中相當於分割圖案31之曝光區域90之部位被曝光，而成為顯影不溶區域92。又，抗蝕劑層51B之中相當於分割圖案31之非曝光區域91之部位未被曝光，而仍維持為顯影可溶區域93。其後，加熱抗蝕劑層51B，而抗蝕劑層51B內之溶劑蒸發。圖30係顯示該時點之、多層立體構造100B之製造過程之圖。

若對抗蝕劑層51B執行步驟S3~S6，則對是否存在尚未形成之抗蝕劑層進行判定(步驟S7)。此處，由於作為尚未形成之抗蝕劑層存在抗蝕劑層52B~54B，故於步驟S7向是分支。

對基材50上之第2層~第4層抗蝕劑層52B~54B亦同樣執行步驟S3~S6。另，於各步驟S5中，如上述般，自基準曝光位置朝±X方向偏離重合精度量而執行曝光步驟。圖31係顯示對抗蝕劑層52B執行步驟S3~S6之時點之、多層立體構造100B之製造過程之圖。圖32係顯示對抗蝕劑層53B執行步驟S3~S6之時點之、多層立體構造100B之製造過程之圖。圖33係顯示對抗蝕劑層54B執行步驟S3~S6之時點之、多層立體構造100B之製造過程之圖。

如此，藉由按自-Z側至+Z側之順序對各層執行步驟S3~S6，而產生抗蝕劑積層體57B(圖33)。然後，對是否存在尚未形成之抗蝕劑層進行判定(步驟S7)。此處，由於形成有全部之抗蝕劑層51B~54B，故於步驟S7向否分支。

顯影裝置係藉由顯影液將抗蝕劑積層體57B中之顯影可溶區域93之抗蝕劑去除，而獲得多層立體構造100B(步驟S8：顯影步驟)。其 次，加熱裝置對多層立體構造100B進行加熱，使多層立體構造100B內之溶劑或附著於多層立體構造100B之顯影液蒸發(步驟S9：硬烘烤步驟)。圖34係顯示該時點之、多層立體構造100B之製造過程之圖。

如此製造出之多層立體構造100B之凹凸面110B之位置係伴隨最上層即第4層之曝光位置發生位置偏離，自理想位置(凹凸面110之位置)偏離而形成。儘管如此，但如自圖23及圖34可知般，多層立體構造100B之凹凸面110B之形狀與理想之凹凸面110之形狀一致。

於本實施形態中，因曝光資料之曝光區域90不包含凸面區域90a、凹面區域90b、及凹面周圍區域90c以外之其他區域，而即使於關於某2個抗蝕劑層兩層偏離而曝光之情形時，亦抑制產生意外之階差。例如，於比較例中，因曝光區域90包含上述其他區域，而於將第4層之抗蝕劑層54A相對於第3層之抗蝕劑層53A朝-X方向偏離而曝光之情形時，於第2凹部112A產生意外之階差(圖27~圖29)。然而，於本實施形態中，因曝光區域90僅包含凸面區域90a、凹面區域90b、及凹面周圍區域90c，而抑制曝光區域之數量。藉此，抑制於在下層形成之顯影不溶區域92與於上層形成之顯影不溶區域92之間產生意外之階差。尤其，若如本實施形態般凹面周圍區域90c之寬度W40為重合精度之2倍之長度，則即使於關於某2個抗蝕劑層兩層朝相反方向最大限度地偏離而曝光之情形時(即，即使於兩層朝相反方向偏離重合精度量而曝光之情形時)，亦防止各凹部之形狀變化。因此，於本實施形態之製造方法中，抑制起因於曝光位置之位置偏離之凹凸面110之形狀變化。

最後，表面加工裝置對多層立體構造100B之+Z側之表面進行加工，而以保護膜55B覆蓋該表面(步驟S10：表面加工步驟)。作為保護膜55B，成膜例如鍍敷膜或金剛石碳膜等膜。圖35係顯示藉由步驟S1~S10製造出之多層立體構造100B之圖。

<2 變化例>

以上，雖對本發明之實施形態加以說明，但該發明只要不脫離其主旨，除上述者以外亦可進行各種變更。

於上述實施形態中，雖出於容易理解之目的，對製造簡易之形狀之多層立體構造100(圖2)之態樣加以說明，但藉由本發明可製造各種形狀之多層立體構造。又，於上述實施形態中，雖對各抗蝕劑層之層厚為一定之情形加以說明，但各抗蝕劑層之層厚亦可不為一定。

又，於上述實施形態中，雖對凹面周圍區域90c之寬度W40為重合精度之2倍之情形加以說明，但並非限於此。但，若考慮如上述般，將上層與下層之兩層朝相反方向偏離而進行曝光之情形，則較理想為凹面周圍區域之寬度為重合精度之2倍以上。又，由於如上述般，將曝光區域設定為較寬會成為於製造之多層立體構造產生意外之階差之原因，故較理想為凹面周圍區域之寬度為重合精度之3倍以下。

又，於上述實施形態中，雖對以4層抗蝕劑層構成製造之多層立體構造100之情形加以說明，但並非限於此。製造之多層立體構造100既可以3層以下之抗蝕劑層構成，亦可以5層以上之抗蝕劑層構成。但，就即使於在各抗蝕劑層曝光位置偏離之情形時亦獲得具有所需之凹凸面之多層立體構造之觀點而言，於4層以上之情形等層數較多之情形時本發明尤其有效。

又，於上述實施形態中，雖就藉由進行第1處理至第3處理而產生複數個曝光資料之態樣加以說明，但並非限於此。即使為藉由其他處理順序產生複數個曝光資料之態樣，只要於該等曝光資料中設定之曝光區域為凸面區域、凹面區域、及凹面周圍區域，即亦可獲得與上述實施形態相同之效果。

又，於上述實施形態中，就對各抗蝕劑層於曝光步驟(步驟S5)之 後進行後烘烤步驟(步驟S6)之態樣加以說明。一般，於後烘烤步驟(步驟S6)中，有促進加熱之抗蝕劑層之交聯反應而使該抗蝕劑層與其上層及下層之密接性提高之效果。然而，根據抗蝕劑層之材質或形成之抗蝕劑層之層厚等條件，有即使不實施後烘烤步驟(步驟S6)亦可充分確保於各層間之密接性之情形。因此，此種情形時，亦可省略後烘烤步驟(步驟S6)。

以上，雖對實施形態及其變化例之曝光資料產生方法、製造方法、曝光資料產生裝置、記錄媒體、及製造系統加以說明，但其等為於本發明較佳之實施形態之例，並非限定本發明之實施範圍。本發明可於其發明之範圍內，進行各實施形態之自由組合、或各實施形態之任意之構成要件之變化、或者於各實施形態中任意之構成要件之省略。

31~34‧‧‧分割圖案

90‧‧‧曝光區域

90a‧‧‧凸面區域

90b‧‧‧凹面區域

90c‧‧‧凹面周圍區域

91‧‧‧非曝光區域

W40‧‧‧寬度

X‧‧‧方向

Y‧‧‧方向

Z‧‧‧方向

Claims (18)

1. 一種曝光資料產生方法，其特徵在於，其係於對在各層反復進行抗蝕劑(resist)層之形成與對該抗蝕劑層之曝光而產生之抗蝕劑積層體進行顯影而製造多層立體構造之前，產生複數個曝光資料者，且包含如下步驟：分割圖案產生步驟，其基於表現於一方側具有凹凸面之上述多層立體構造之設計資料，而產生表現將上述多層立體構造於深度方向分割成上述各層之情形時之各圖案之複數個分割圖案；及資料產生步驟，其對上述複數個分割圖案，將於上述一方側包含凸面之凸面區域、於上述一方側包含凹面之凹面區域、及位於上述凹面區域之周圍之凹面周圍區域設定為曝光區域，並產生複數個曝光資料。
2. 如請求項1之曝光資料產生方法，其中上述資料產生步驟係執行如下處理之步驟：第1處理，其對上述複數個分割圖案，將上述多層立體構造之存在區域設定為曝光區域且將上述多層立體構造之非存在區域設定為非曝光區域；第2處理，其藉由將上述第1處理後之各曝光區域之中於上述一方側之層亦設定有曝光區域之區域變更為非曝光區域，而將上述凸面區域及上述凹面區域設定為曝光區域；及第3處理，其藉由將上述第2處理後之各非曝光區域之中位於上述凹面區域之周圍之上述凹面周圍區域變更為曝光區域，而將上述凸面區域、上述凹面區域、及上述凹面周圍區域設定為曝光區域，並產生上述複數個曝光資料。
3. 如請求項1之曝光資料產生方法，其中曝光裝置對抗蝕劑層進行曝光時之曝光位置自基準曝光位置偏離之情形時之偏離之上限值係作為重合精度而預先得知；且上述凹面周圍區域之寬度為上述重合精度之2倍至3倍之長度。
4. 如請求項1之曝光資料產生方法，其中上述凹凸面具有複數個凹部，且上述複數個凹部之中寬度相對較寬之凹部相對較淺，上述複數個凹部之中寬度相對較窄之凹部相對較深。
5. 一種多層立體構造之製造方法，其特徵在於，其係對在各層反復進行抗蝕劑層之形成與對該抗蝕劑層之曝光而產生之抗蝕劑積層體進行顯影，而製造於一方側具有凹凸面之多層立體構造者，且作為按自另一方側至上述一方側之順序對各層反復執行之步驟，包含如下步驟：塗佈步驟，其塗佈抗蝕劑而形成抗蝕劑層；預烘烤步驟，其將上述抗蝕劑層加熱；及曝光步驟，其基於藉由如請求項1至4中任一項之曝光資料產生方法而產生之上述複數個曝光資料之中對應於該層之曝光資料，將上述抗蝕劑層進行曝光；且作為對於對上述各層執行上述塗佈步驟、上述預烘烤步驟、及上述曝光步驟而產生之抗蝕劑積層體執行之步驟，包含如下步驟：顯影步驟，其藉由顯影液去除於上述曝光步驟未曝光之部位之抗蝕劑，而獲得上述多層立體構造；及硬烘烤步驟，其將上述多層立體構造加熱。
6. 如請求項5之多層立體構造之製造方法，其中作為按自上述另一方側至上述一方側之順序對各層反復執行之步驟，除上述塗佈步驟、上述預烘烤步驟、及上述曝光步驟以外，亦包含將曝光後之上述抗蝕劑層加熱之後烘烤步驟；且作為對於對上述各層執行上述塗佈步驟、上述預烘烤步驟、上述曝光步驟、及上述後烘烤步驟而產生之抗蝕劑積層體執行之步驟，包含上述顯影步驟及上述硬烘烤步驟。
7. 如請求項5之多層立體構造之製造方法，其中作為於上述硬烘烤步驟之後進行之步驟，包含對上述多層立體構造之上述一方側之表面進行加工之表面加工步驟。
8. 如請求項5之多層立體構造之製造方法，其中於上述塗佈步驟中塗佈之抗蝕劑之成分於上述各層中相同。
9. 如請求項5之多層立體構造之製造方法，其中上述曝光步驟係藉由對上述抗蝕劑層一面掃描一面照射曝光用光而連續地進行局部曝光之直接描繪步驟。
10. 一種曝光資料產生裝置，其特徵在於，其係於對在各層反復進行抗蝕劑層之形成與對該抗蝕劑層之曝光而產生之抗蝕劑積層體進行顯影而製造多層立體構造之前，產生複數個曝光資料者，且包含如下構件：分割圖案產生機構，其基於表現於一方側具有凹凸面之上述多層立體構造之設計資料，而產生表現將上述多層立體構造於深度方向分割成上述各層之情形時之各圖案之複數個分割圖案；及資料產生機構，其對上述複數個分割圖案，將於上述一方側 包含凸面之凸面區域、於上述一方側包含凹面之凹面區域、及位於上述凹面區域之周圍之凹面周圍區域設定為曝光區域，並產生複數個曝光資料。
11. 如請求項10之曝光資料產生裝置，其中上述資料產生機構包含如下處理：第1處理，其對上述複數個分割圖案，將上述多層立體構造之存在區域設定為曝光區域，且將上述多層立體構造之非存在區域設定為非曝光區域；第2處理，其藉由將上述第1處理後之各曝光區域之中亦於上述一方側之層設定曝光區域之區域變更為非曝光區域，而將上述凸面區域及上述凹面區域設定為曝光區域；及第3處理，其藉由將第2處理後之各非曝光區域之中位於上述凹面區域之周圍之上述凹面周圍區域變更為曝光區域，而將上述凸面區域、上述凹面區域、及上述凹面周圍區域設定為曝光區域，並產生上述複數個曝光資料。
12. 如請求項10之曝光資料產生裝置，其中曝光裝置對抗蝕劑層進行曝光時之曝光位置自基準曝光位置偏離之情形時之偏離之上限值係作為重合精度而預先得知；且上述凹面周圍區域之寬度為上述重合精度之2倍至3倍之長度。
13. 如請求項10之曝光資料產生裝置，其中上述凹凸面具有複數個凹部，且上述複數個凹部之中寬度相對較寬之凹部相對較淺，上述複數個凹部之中寬度相對較窄之凹部相對較深。
14. 一種記錄媒體，其可藉由電腦讀取地記錄曝光資料產生程式，該曝光資料產生程式之特徵在於，其係藉由被安裝於電腦並由 CPU於記憶體中執行，而使上述電腦作為如請求項10至13中任一項之曝光資料產生裝置發揮功能。
15. 一種多層立體構造之製造系統，其特徵在於，其係對在各層反復進行抗蝕劑層之形成與對該抗蝕劑層之曝光而產生之抗蝕劑積層體進行顯影，而製造於一方側具有凹凸面之多層立體構造者，且包含：如請求項10至13中任一項之曝光資料產生裝置；塗佈裝置，其塗佈抗蝕劑而形成抗蝕劑層；加熱裝置，其將上述抗蝕劑層加熱；曝光裝置，其將上述抗蝕劑層進行曝光；及顯影裝置，其藉由顯影液去除未以上述曝光裝置予以曝光之部位之抗蝕劑。
16. 如請求項15之多層立體構造之製造系統，其包含：表面加工裝置，其係對上述多層立體構造之上述一方側之表面進行加工。
17. 如請求項15之多層立體構造之製造系統，其中上述塗佈裝置所塗佈之抗蝕劑之成分於上述各層中相同。
18. 如請求項15之多層立體構造之製造系統，其中上述曝光裝置係藉由對上述抗蝕劑層一面掃描一面照射曝光用光而連續地進行局部曝光之直接描繪裝置。