TWI595645B - 發光裝置 - Google Patents

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TWI595645B
TWI595645B TW105130323A TW105130323A TWI595645B TW I595645 B TWI595645 B TW I595645B TW 105130323 A TW105130323 A TW 105130323A TW 105130323 A TW105130323 A TW 105130323A TW I595645 B TWI595645 B TW I595645B
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瀨尾哲史
大沼英人
木村肇
神保安弘
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Description

發光裝置
本發明關於包括發光元件的發光模組、包括該發光模組的發光裝置及製造該發光模組的方法。
行動電話、個人電腦、智慧型手機、電子書及類似者已被廣泛使用，且在吾人的生活中使用顯示裝置的時間已增長。因為此等電子裝置現今已被普遍使用，彼等亦被用於先前慣用紙和文具所進行的簡單工作。具體地，現今使用以智慧型手機為代表的多功能電子裝置以進行先前慣用記事本所進行的日程管理、住址名簿、雜記事項及類似者。
對於大多數該等電子裝置，使用顯示面板，其中顯示元件係配置呈矩陣狀。作為顯示元件，使用控制光透射的元件(例如液晶顯示元件)、控制光反射的元件(例如利用電泳方式的元件)、自身發光的發光元件及類似者。
已知在一對電極之間提供含有發光有機化合物層(亦 稱為EL層)的發光元件，其中該層呈膜狀。此發光元件被稱為例如有機EL元件，且當對該對電極之間施加電壓時，可自含有發光有機化合物層發光。已知各別包括有機EL元件的照明裝置和供顯示器用的發光裝置。專利文獻1揭露包括有機EL元件的顯示裝置的實例。
[專利文獻1]日本公開專利申請案號2002-324673
在空氣中存有雜質(諸如水和/或氧)的環境中，在一對電極之間存在含有發光有機化合物層的發光元件的可靠性容易降低。
本發明的一實施態樣是鑒於上述技術背景而提出。因此，本發明的一實施態樣的目的在於提供可靠性高的發光模組。此外，本發明的一實施態樣的目的在於提供可靠性高的發光裝置。此外，本發明的一實施態樣的目的在於提供可靠性高的發光模組的製造方法。
為達成上述諸目的，本發明的一實施態樣著眼於使用液體材料以形成犧牲層。為達成上述諸目的，製造一結構，該結構包括在第一基板與第二基板之間設置在該第一基板上的第一電極、在該第一電極上設置第二電極且在該第一電極與該第二電極之間設置含有發光有機化合物層、及在該第二電極上設置由液體材料所形成的犧牲層。
亦即，本發明的一實施態樣是一種發光模組，該發光模組包括：第一基板；與該第一基板對置的第二基板； 及，設置在該第一基板與該第二基板之間的發光元件。該發光元件包括：設置在該第一基板上的第一電極；與該第一電極重疊的第二電極；及，設置在該第一電極與該第二電極之間的含有發光有機化合物的層，該第二電極係與經塗敷法所形成的犧牲層接觸，且該犧牲層含有與雜質反應或吸附該雜質的材料。
本發明的一實施態樣的發光模組含有一結構，該結構包括與該第二電極接觸的犧牲層。該犧牲層含有與雜質(諸如水和/或氧)反應或吸附該雜質的材料且係藉由塗敷法(亦稱為濕式法)形成。於是，降低發光元件的可靠性的雜質會優先與該犧牲層所含的材料反應或被吸附且失去活性。結果是可提供可靠性高的發光模組。
此外，本發明的一實施態樣是該發光模組，其中該第二電極和該第二基板傳送自含有發光有機化合物的層所發射的光，且該第二電極與該第二基板係由該犧牲層光學連接。
本發明的一實施態樣的發光模組含有一結構，其中該第二電極與該第二基板係由該犧牲層光學連接。於是，於自該第二電極至該第二基板的光路中，可抑制該發光元件的光的折射率的急劇變化(亦稱為折射率的臺階)，使得該發光元件的光可有效地通過該第二電極而被收集於該第二基板。結果是可改善該發光模組的發光效率，且可提供可靠性高的發光模組。
此外，本發明的一實施態樣是該發光模組，該發光模 組另包括覆蓋該第一電極的端部且包括與該第一電極重疊的開口的間隔。該犧牲層的與該間隔重疊的區域的厚度係小於該犧牲層與該開口重疊的區域的厚度。
在本發明的一實施態樣的發光模組中，因該間隔上的薄犧牲層之緣故，散射光受到抑制。結果是可改善該發光模組的發光效率，並可提供可靠性高的發光模組。
此外，本發明的一實施態樣是任一上述之發光模組，其中該犧牲層含有用於該發光元件的材料。
在本發明的一實施態樣的發光模組中，降低該發光元件的可靠性的雜質(諸如水和/或氧)優先會與該犧牲層所含的材料反應或被吸附，該材料亦用於該發光元件。於是，該雜質在到達該發光元件之前失去活性。結果是可提供可靠性高的發光模組。
此外，本發明的一實施態樣是任一上述之發光模組，其中圍繞該發光元件的密封材料貼合該第一基板與該第二基板。
本發明的一實施態樣的發光模組包括該發光元件，其被密封材料圍繞且與該犧牲層重疊。該密封材料防止會降低該發光元件的可靠性的雜質(諸如水和/或氧)進入該發光模組。該雜質優先會與該犧牲層所含的材料反應或被吸附而失去活性。結果是可提供可靠性高的發光模組。
此外，本發明的一實施態樣是該發光模組，其中圍繞該犧牲層的密封材料貼合該第一基板與該第二基板。
本發明的一實施態樣的發光模組含有一結構，其中使 用圍繞該發光元件和該犧牲層的密封材料以未與該犧牲層重疊之方式使該第一基板與該第二基板彼此貼合。因為該密封材料未與該犧牲層重疊，空氣不會通過該犧牲層而進入該發光模組。結果是可提供可靠性高的發光模組。
此外，本發明的一實施態樣是該發光模組，其中該犧牲層為液體。
本發明的一實施態樣的發光模組包括由該第一基板、第二基板及密封材料所包圍的空間內的液體犧牲層。藉由使用液體犧牲層，可均勻提供犧牲層。此外，由於該犧牲層被密封材料圍繞，故液體犧牲層不會漏出。結果是可提供可靠性高的發光模組。
此外，本發明的一實施態樣是任一上述的發光模組，其中該犧牲層為固體。
本發明的一實施態樣的發光模組中，由於犧牲層為固體，故雜質(諸如水和/或氧)擴散速率低。結果是可提供可靠性高的發光模組。
此外，本發明的一實施態樣是該發光模組，其中該犧牲層使該第一基板與該第二基板彼此貼合。
本發明的一實施態樣的發光模組中，使用犧牲層使該第一基板與該第二基板彼此貼合；因此，不需使用密封材料。結果是可輕易地提供可靠性高的發光模組。
此外，本發明的一實施態樣是任一上述的發光模組，其中該第二基板具有撓性。
本發明的一實施態樣的發光模組中，具有撓性的第二 基板可因該犧牲層而變形，致使不易生成該犧牲層與該第二基板之間的空間。結果是可改善該發光模組的發光效率，且可提供可靠性高的發光模組。
此外，本發明的一實施態樣是一種發光模組的製造方法，該製造方法包括第一步驟、第二步驟及第三步驟：該第一步驟係在第一基板上形成第一電極，形成覆蓋該第一電極的端部且包括與該第一電極重疊的開口的間隔，形成含有發光有機化合物的層且該層之一表面在該間隔的開口處與該第一電極接觸，及形成與該含有發光有機化合物的層之另一表面接觸的第二電極，藉以與該間隔的開口重疊，因而形成發光元件；該第二步驟係在該發光元件的第二電極上形成塗敷液層，該塗敷液層含有與雜質反應或吸附該雜質的材料，及在該第二基板上形成圍繞該發光元件的密封材料；及，該第三步驟使用密封材料使該第一基板與該第二基板彼此貼合，使得該發光元件設置於該第一基板與該第二基板之間。
藉由本發明的一實施態樣的發光模組的製造方法，可利用塗敷法(亦稱為濕式法)形成與該第二電極接觸的犧牲層。此外，可使該犧牲層與該間隔重疊的區域的厚度小於該犧牲層與該開口重疊的區域的厚度。結果是可改善該發光模組的發光效率，並可提供可靠性高的發光模組的製造方法。
此外，本發明的一實施態樣是該發光模組的製造方法，其中在該第二步驟中，於塗敷該犧牲層之後，對該犧 牲層施加能量而使該犧牲層硬化。
藉由本發明的一實施態樣的發光模組的製造方法，可利用塗敷法(亦稱為濕式法)形成與該第二電極接觸的犧牲層。此外，可形成固體犧牲層，其中雜質(諸如水和/或氧)擴散受到抑制。結果是可提供可靠性高的發光模組的製造方法。
此外，本發明的一實施態樣是該發光模組的製造方法，其中在該第三步驟中，於該第一基板與該第二基板彼此貼合之後，對該犧牲層施加能量而使該犧牲層硬化。
藉由本發明的一實施態樣的發光模組的製造方法，可利用塗敷法(亦稱為濕式法)形成與該第二電極接觸的犧牲層。此外，可形成固體犧牲層，其中雜質擴散受到抑制。結果是可提供可靠性高的發光模組的製造方法。
此外，本發明的一實施態樣是一種發光模組的製造方法，該製造方法包括第一步驟、第二步驟、第三步驟及第四步驟：該第一步驟係在第一基板上形成第一電極，形成覆蓋該第一電極的端部且包括與該第一電極重疊的開口的間隔，形成含有發光有機化合物的層且該層之一表面係與該間隔的開口處的該第一電極接觸，及形成與該含有發光有機化合物的層之另一表面接觸的第二電極，藉以與該間隔的開口重疊，因而形成發光元件；該第二步驟係形成包括開口且圍繞該第二基板上的發光元件的第一密封材料，且使用該第一密封材料使該第一基板與該第二基板彼此貼合，使得該發光元件設置於該第一基板與該第二基板之 間；該第三步驟係自該開口對該第一基板與該第二基板之間的空間注入塗敷液層，該塗敷液層含有與雜質反應或吸附該雜質的材料；及，該第四步驟使用第二密封材料填充該開口。
藉由本發明的一實施態樣的發光模組的製造方法，可利用塗敷法(亦稱為濕式法)形成與該第二電極接觸的犧牲層。結果是可提供可靠性高的發光模組的製造方法。
在本說明書中，EL層是指設置在發光元件的一對電極之間的層。因此，含有介於電極之間作為發光材料的有機化合物的發光層為EL層的實施態樣。
在本說明書中，當物質A分散在使用物質B所形成的基質(matrix)中時，形成該基質的物質B稱為主體材料，且將分散在該基質中的物質A稱為客體材料。物質A和物質B可分別是單一物質或者是兩種或多種物質的混合物。
在本說明書中，發光裝置是指影像顯示裝置、發光裝置或光源(其包括照明裝置)。此外，該發光裝置於彼之範疇內包括任何下述之模組：其中連接器(諸如軟性印刷電路(FPC)、TAB(卷帶式自動接合(tape automated bonding))帶或TCP(帶載封裝(tape carrier package))與發光裝置連接的模組；含有TAB帶或末端設置印刷線路板的TCP的模組；及，藉由COG(玻璃上晶片(chip-on-glass))方法在形成發光元件的基板上直接設置IC(積體電路)的模組。
本發明的實施態樣可提供可靠性高的發光模組、可靠性高的發光裝置、及可靠性高的發光模組的製造方法。
100‧‧‧發光面板
106a‧‧‧導電層
106b‧‧‧導電層
107‧‧‧絕緣層
110‧‧‧基板
120‧‧‧基板
121a‧‧‧光學濾波器
121b‧‧‧光學濾波器
123‧‧‧遮光層
125‧‧‧外敷層
130‧‧‧犧牲層
140‧‧‧間隔
150a‧‧‧發光模組
150b‧‧‧發光模組
151a‧‧‧電極
151b‧‧‧電極
152a‧‧‧電極
152b‧‧‧電極
153a‧‧‧含有發光有機化合物的層
153b‧‧‧含有發光有機化合物的層
154a‧‧‧發光元件
154b‧‧‧發光元件
1101‧‧‧陽極
1102‧‧‧陰極
1103‧‧‧發光單元
1103a‧‧‧發光單元
1103b‧‧‧發光單元
1104‧‧‧中間層
1104a‧‧‧電子注入緩衝體
1104b‧‧‧電子中繼層
1104c‧‧‧電荷產生區域
1113‧‧‧電洞注入層
1114‧‧‧電洞傳輸層
1115‧‧‧發光層
1116‧‧‧電子傳輸層
1117‧‧‧電子注入層
1400‧‧‧發光裝置
1401‧‧‧源極側驅動電路
1402‧‧‧像素部
1403‧‧‧閘極側驅動電路
1404‧‧‧基板
1405‧‧‧密封材料
1405b‧‧‧密封材料
1407‧‧‧犧牲層
1408‧‧‧佈線
1410‧‧‧基板
1411‧‧‧電晶體
1412‧‧‧電晶體
1413‧‧‧電極
1414‧‧‧間隔
1415c‧‧‧密封材料
1416‧‧‧含有發光有機化合物的層
1417‧‧‧電極
1418‧‧‧發光元件
1423‧‧‧n通道型電晶體
1424‧‧‧p通道型電晶體
1433‧‧‧隔離物
1434‧‧‧彩色濾光片
1435‧‧‧薄膜
2140B‧‧‧彩色濾光片
2140G‧‧‧彩色濾光片
2140R‧‧‧彩色濾光片
2500‧‧‧發光裝置
2501‧‧‧基板
2502‧‧‧電極
2503‧‧‧電極
2505‧‧‧絕緣層
2506‧‧‧間隔層
2507‧‧‧犧牲層
7100‧‧‧電視機
7101‧‧‧外殼
7103‧‧‧顯示部分
7105‧‧‧支架
7107‧‧‧顯示部分
7109‧‧‧操作鍵
7110‧‧‧遙控器
7201‧‧‧主體
7202‧‧‧外殼
7203‧‧‧顯示部分
7204‧‧‧鍵盤
7205‧‧‧外部連接埠
7206‧‧‧指向裝置
7301‧‧‧外殼
7302‧‧‧外殼
7303‧‧‧連接部
7304‧‧‧顯示部
7305‧‧‧顯示部
7306‧‧‧揚聲器部
7307‧‧‧儲存介質插入部
7308‧‧‧LED燈
7309‧‧‧操作鍵
7310‧‧‧連接端子
7311‧‧‧感測器
7312‧‧‧麥克風
7400‧‧‧行動電話機
7401‧‧‧外殼
7402‧‧‧顯示部
7403‧‧‧操作按鈕
7404‧‧‧外部連接埠
7405‧‧‧揚聲器
7406‧‧‧麥克風
7500‧‧‧照明裝置
7501‧‧‧外殼
7503a至7503d‧‧‧發光裝置
圖1A和1B說明根據一實施態樣的發光模組及發光面板的結構。
圖2說明根據一實施態樣的發光模組及發光面板的結構。
圖3A至3C說明根據一實施態樣的發光模組及發光面板的結構。
圖4A和4B說明根據一實施態樣的發光模組及發光面板的結構。
圖5A至5C說明根據一實施態樣的發光模組及發光面板的製造方法。
圖6A至6C說明根據一實施態樣的發光模組及發光面板的製造方法。
圖7A至7E各別說明根據一實施態樣的發光元件的結構。
圖8A和8B說明根據一實施態樣的發光裝置的結構。
圖9A至9E各別說明根據一實施態樣的電子裝置的實例。
參照圖式對實施態樣進行詳細說明。本發明不侷限於下述說明，且發明所屬技術領域的普通技術人員可很容易地理解：該等實施態樣的模式和細節在不背離本發明的精神和範圍下可以各種樣式被變換。因此，本發明不應被解釋為僅侷限於下述實施態樣所記載的內容。在下述說明的本發明的結構中，在不同圖式中藉由相同的元件符號表示相同部分或具有相似功能的部分，且不重複該等部分的說明。
[實施態樣1]
在本實施態樣中，參照圖1A、1B及2，說明本發明的一實施態樣的發光模組的結構。本發明的一實施態樣的發光模組包括介於第一基板與第二基板之間：該第一基板上的第一電極；與該第一電極之間夾有含有發光有機化合物的層的第二電極；及，在該第二電極上由液體材料形成的犧牲層。特定地，以多個發光模組互相鄰接設置的發光面板作為實例說明。
本發明的一實施態樣的發光模組所具有的結構包含與該第二電極接觸的犧牲層。該犧牲層含有與雜質(諸如水和/或氧)反應或吸附該雜質的材料且係經塗敷法(亦稱為濕式法)形成。於是，降低發光元件的可靠性的雜質會優先與該犧牲層所含的材料反應或被彼所吸附而失去活性。結果是可提供可靠性高的發光模組。
該發光模組具有一結構，其中具有透光性的第二電極 與具有透光性的第二基板係經該犧牲層光學連接。於是，可抑制該發光元件的光於自該第二電極至該第二基板的光路中折射率的急劇變化(亦稱為折射率臺階)，因而該發光元件的光可通過該第二電極被該第二基板有效地收集。結果是可改善該發光模組的發光效率，並可提供可靠性高的發光模組。
於本發明的一實施態樣的發光模組中，因間隔上的薄犧牲層的緣故，散設光受到抑制。結果是可改善該發光模組的發光效率，並可提供可靠性高的發光模組。
<包括多個發光模組的發光面板的結構>
參照圖1A和1B，說明包括本發明的一實施態樣的多個發光模組的發光面板的結構。圖1A是包括本發明的一實施態樣的多個發光模組的發光面板的俯視圖，且圖1B是沿圖1A的切斷線J-K的剖面圖。圖1B例示的發光面板100沿圖所示的箭頭方向發射光。
發光面板100包括第一發光模組150a和第二發光模組150b。該第一發光模組150a包括介於第一基板110與第二基板120之間的第一發光元件154a。該第二發光模組150b包括介於該第一基板110與該第二基板120之間的第二發光元件154b。
在該第一基板110上設置有包括導電層106a及導電層106b的導電層，且在該導電層上設置有絕緣層107。在該絕緣層107中形成達到該導電層106a的開口及達到 該導電層106b的開口。
在該絕緣層107上相鄰設置第一電極151a和第一電極151b。該第一電極151a藉由該開口電連接該導電層106a，且該第一電極151b藉由該開口電連接該導電層106b。間隔140具有與該第一電極151a和該第一電極151b重疊的開口。此外，該間隔140覆蓋該第一電極151a和該第一電極151b的端部。
第二電極152a設置在與該第一電極151a重疊的位置。該第一電極151a、該第二電極152a及夾在其間的含有發光有機化合物的層153a構成第一發光元件154a。第二電極152b設置在與該第一電極151b重疊的位置。該第一電極151b、該第二電極152b及夾在其間的含有發光有機化合物的層153b構成第二發光元件154b。自含有發光有機化合物的層153a發射的光通過該第二電極152a，且自含有發光有機化合物的層153b發射的光通過該第二電極152b。
該第二基板120在與該第一電極151a重疊的位置設置有第一光學濾波器121a且在與該第一電極151b重疊的位置設置有第二光學濾波器121b。可設置遮光層123，藉以與隔開相鄰之第一電極的間隔140重疊。可設置外敷層125，藉以與該第一光學濾波器121a、該第二光學濾波器121b及該遮光層123重疊。
該第一發光模組150a包括在該第一基板110與該第二基板120之間堆疊的該第一發光元件154a及該第一光 學濾波器121a。該第二發光模組150b包括在該第一基板110與該第二基板120之間堆疊的該第二發光元件154b及該第二光學濾波器121b。
本發明的一實施態樣的多個發光模組中，在該第一基板110與該第二基板120之間設置有犧牲層130。特定地，該第一發光模組150a包括介於該第二電極152a與該第一光學濾波器121a之間的犧牲層130。該第二發光模組150b包括介於該第二電極152b與該第二光學濾波器121b之間的犧牲層130。另外，在該間隔140與該遮光層之間設置有犧牲層130。
在此實施態樣中，該發光面板100的該第一發光模組150a包括：使自含有發光有機化合物的層153a發射的光反射的第一電極151a；透過該光的第二電極152a；及，透過該光的一部分的第一光學濾波器121a。該第二發光模組150b包括：使自含有發光有機化合物的層153b發射的光反射的第一電極151b；透過該光的第二電極152b；及，透過該光的一部分的第二光學濾波器121b。
〈犧牲層〉
犧牲層130係與該第二電極接觸且含有會與雜質(諸如水和/或氧)反應或吸附該雜質的材料，該雜質會降低發光元件的可靠性。雜質在降低發光元件的可靠性之前優先與該犧牲層所含的材料反應或被吸附而失去活性。結果是可提供可靠性高的發光模組。
可作為該犧牲層130的材料不限於特殊材料，只要該材料可為液體，可塗敷於該第二電極上以形成該犧牲層130，且可含有會與雜質反應或吸附該雜質的材料，該雜質會降低發光元件的可靠性。
對該犧牲層130，可使用可用於EL層的材料：一或多種具有高電洞傳輸性之物質、發光物質、主體材料、具有高電子傳輸性之物質、具有高電子注入性之物質、受體物質及類似者。在降低發光元件的可靠性之前，降低發光元件的可靠性的雜質與添加於可用於EL層的犧牲層中的的材料反應或被彼吸附且失去活性。結果是可提供可靠性高的發光模組。
作為犧牲層130的材料的具體實例包括導電性高之分子、聚(3,4-乙烯二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT/PSS)、乾燥劑、可作為發光有機化合物的材料、4,4'-雙[N-(1-萘基)-N-苯基胺基]聯苯(簡稱NPB或α-NPD)、三(8-喹啉醇根)鋁(III)(簡稱Alq)。可作為發光有機化合物的材料將於實施態樣4中詳細說明。
在形成該犧牲層130與該第二電極和該第二基板接觸的結構中，該犧牲層130可與該第二電極和該第二基板光學連接。於是，可抑制發光元件的光於自該第二電極至該第二基板的光路中折射率的急劇變化(亦稱為折射率臺階)，使得該發光元件的光可通過該第二電極有效地被該第二基板收集。結果是可改善發光模組的發光效率，並可降低能達到預定發光亮度的電流，因而可提供可靠性高的 發光模組。
該犧牲層130與該間隔140的開口重疊的區域(亦稱為與發光元件的發光區域重疊的區域)的厚度厚，且該犧牲層130與該間隔140重疊的區域的厚度薄。因此，散設光受到抑制，且可改善發光模組的發光效率，藉此可提供可靠性高的發光模組。
該犧牲層130與該第二基板120接觸的表面具有小高度凸出的些微不平處。特定地，與該間隔140的開口重疊的區域(亦稱為與發光元件的發光區域重疊的區域)凹陷，且與該間隔140重疊的區域突出(亦可稱為鼓起)。該第二基板因該犧牲層130的凹凸而變形，使得有時該發光面板的第二基板呈凹凸起伏。
當使用撓性基板作為該第二基板時，因該第二基板可因該犧牲層而變形，故不易產生介於該犧牲層與該第二基板之間的空間。結果是可改善發光模組的發光效率，且可提供可靠性高的發光模組。
可用於該犧牲層130的材料可為液體且可塗敷於該第二電極上以形成該犧牲層130，藉以可達成上述結構。形成該犧牲層130的方法係於實施態樣3中詳細說明。
〈第一基板〉
第一基板110具有能耐受製程的高耐熱性。第一基板110可具有單層結構或包括二或多層的疊層結構。只要該第一基板110可用於製造設備，該第一基板110的厚度和 大小並無特別限制。
該第一基板110上供形成發光元件的表面較佳地具有絕緣性。可替代地，亦可在該第一基板110上層疊絕緣性薄膜。
該第一基板110上供形成發光元件的表面較佳地呈平坦。可替代地，亦可在該第一基板110上層疊供平坦化之膜。
第一基板110較佳地具有氣體阻隔性。可替代地，亦可在該第一基板110上層疊具有氣體阻隔性的膜。特定地，當該第一基板110具有該氣體阻隔性使得水蒸氣透過率低於或等於10-5g/m2．天(較佳地低於或等於10-6g/m2．天)時，可改善發光模組的可靠性，該可靠性是較佳的。
例如，可使用非鹼玻璃基板、硼矽酸鋇玻璃基板、硼矽酸鋁玻璃基板、陶瓷基板、石英基板、藍寶石基板、金屬基板、不鏽鋼基板、塑膠基板、聚對苯二甲酸乙二醇酯基板、聚醯亞胺基板或類似者作為可用作該第一基板110的基板。
本實施態樣中，描述使用非鹼玻璃基板作為第一基板110的結構。
〈導電層〉
導電層106a和導電層106b具有導電性。導電層106a和導電層106b各別可具有含有導電材料的層的單層結構或包括二或多層的疊層結構，該二或多層各別含有導電材 料。該導電層106a和106b的厚度並無特別限制。
任何導電材料可作為本發明的導電材料，只要該導電材料具有導電性且能耐受製程。例如，可使用選自鉬、鈦、鉭、鎢、鋁、銅、鉻、釹、鈧或類似者的金屬或含有彼的合金。
導電材料可為金屬氮化物。該金屬氮化物的特定實例包括氮化鈦、氮化鉬及氮化鎢。
可替代地，導電材料可為導電性金屬氧化物。特定地，可使用氧化銦、氧化錫、銦錫氧化物(亦稱為ITO)、銦鋅氧化物、氧化鋅、添加鎵或鋁的氧化鋅、或含有氧化矽的該等金屬氧化物材料。
可替代地，導電材料可為石墨烯或類似物。
本實施態樣中，描述藉由在鋁合金上層疊鈦所得的疊層體作為導電層106a和導電層106b的結構。
〈絕緣膜〉
絕緣層107具有絕緣性。絕緣層107可具有單層結構或包括二或多層的疊層結構。該絕緣層107的厚度並無特別限制。
絕緣層107的表面較佳地呈平坦。因為當絕緣層107的表面不平坦時，該第一電極的表面亦不平坦，該不平坦會導致在該第一電極與該第二電極之間引發短路。
可作為絕緣層107的材料較佳地具有絕緣性且較佳地能耐受製程；例如，可使用選自氧化矽層、氧氮化矽層、 氧化鋁層、丙烯酸樹脂層、聚醯亞胺樹脂層、苯並環丁烯樹脂層、聚醯胺樹脂、環氧樹脂層、矽氧烷為底質的樹脂層、SOG層、聚矽氮烷為底質的SOG層或類似者的絕緣層，或包括任一該等絕緣層的層。
本實施態樣中，描述聚醯亞胺層作為絕緣層107的結構。
〈第一電極〉
第一電極151a和第一電極151b各別含有導電材料。第一電極151a和第一電極151b各別可具有單層結構或包括二或多層的疊層結構。該第一電極151a和第一電極151b的厚度並無特別限制。
任何導電材料可作為本發明的導電材料，只要該導電材料具有導電性且能耐受製程。例如，可使用選自鉬、鈦、鉭、鎢、鋁、銅、鉻、釹、鈧或類似者的金屬或含有彼的合金。
含有鋁的合金的實例包括鋁-鎳-鑭合金、鋁-鈦合金及鋁-釹合金。含有銀的合金的實例包括銀-釹合金和鎂-銀合金。此外，可使用含有金和銅的合金。
導電材料可為金屬氮化物。該金屬氮化物之特定實例包括氮化鈦、氮化鉬及氮化鎢。
可替代地，導電材料可為導電性金屬氧化物。特定地，可使用氧化銦、氧化錫、銦錫氧化物(亦稱為ITO)、銦鋅氧化物、氧化鋅、添加鎵或鋁的氧化鋅、或 含有氧化矽的該等金屬氧化物材料。
本實施態樣中，描述在含有鋁-鎳-鑭合金的層上層疊含有鈦的層的疊層結構作為該第一電極151a和該第一電極151b。該鋁-鎳-鑭合金具有高反射率且因該含有鈦的層之緣故可抑制在該第一電極的表面上形成高電阻氧化物膜的現象。結果是可減少自發光元件發出的光強度的損失及起因於電阻的電力損失。
在該第一基板110上形成電晶體，且該電晶體的源極電極或汲極電極可通過該導電層106a與該第一電極151a電連接或可通過該導電層106b與該第一電極151b電連接。藉由上述結構，可提供各別發光模組可獨立發光的發光裝置，且該發光裝置可用於例如顯示裝置。
〈間隔〉
間隔140含有絕緣性材料。間隔140可具有單層結構或包括二或多層的疊層結構。間隔140的厚度並無特別限制。較佳地該間隔140的上端部或下端部形成具有曲率的曲面。
可使用具有絕緣性且能耐受製程的材料以形成間隔140。例如，可使用選自光聚合體、光敏性丙烯酸樹脂、光敏性聚醯亞胺或類似者的絕緣層，或含有該材料的絕緣層。
本實施態樣中，使用正型光敏性丙烯酸樹脂以形成間隔140且該間隔140的上端部形成具有大於或等於0.2μm 至小於或等於3μm的曲率半徑的曲面。
〈含有發光有機化合物的層〉
含有發光有機化合物的第一層153a和含有發光有機化合物的第二層153b各別含有至少一種發光有機化合物。含有發光有機化合物的第一層153a和含有發光有機化合物的第二層153b可各別具有單層結構或包括二或多層的疊層結構。含有發光有機化合物的層的結構將於實施態樣4中詳細說明。
本實施態樣中，使用發射白光的層分別作為含有發光有機化合物的第一層153a和含有發光有機化合物的第二層153b。
〈第二電極〉
第二電極152a和第二電極152b各別含有導電材料。第二電極152a和第二電極152b各別可具有單層結構或包括二或多層的疊層結構。
任何導電材料可作為本發明的導電材料，只要該導電材料具有導電性且能耐受製程。例如，可使用選自鋁、銀或類似者的金屬或含有彼的合金。
含有鋁的合金的實例包括鋁-鎳-鑭合金、鋁-鈦合金及鋁-釹合金。含有銀的合金的實例包括銀-釹合金和鎂-銀合金。此外，可使用含有金和銅的合金。
導電材料可為金屬氮化物。該金屬氮化物之特定實例 包括氮化鈦、氮化鉬及氮化鎢。
可替代地，導電材料可為導電性金屬氧化物。特定地，可使用氧化銦、氧化錫、銦錫氧化物(亦稱為ITO)、銦鋅氧化物、氧化鋅、添加鎵或鋁的氧化鋅、或含有氧化矽的該等金屬氧化物材料。
本實施態樣中，使用在鎂-銀合金層上層疊含有氧化矽的銦錫氧化物層的疊層結構作為該第二電極152a和該第二電極152b。因為鎂-銀合金層的功函數小，該鎂-銀合金層具有優異之電子注入性和導電性，含有氧化矽的銦錫氧化物層的結晶化受到抑制，且自含有發光有機化合物的層所發出的光具有高透過率。結果是可減少自發光元件所發出的光強度的損失及起因於電阻的電力損失。
〈光學濾波器〉
第一光學濾波器121a和第二光學濾波器121b各別包括能透過自含有發光有機化合物的層所發出的光的至少部分的層。第一光學濾波器121a和第二光學濾波器121b各別可具有單層結構或包括二或多層的疊層結構。第一光學濾波器121a和第二光學濾波器121b的厚度並無特別限制。
可用於透過自含有發光有機化合物的層所發出的光的至少部分的層的材料可為能耐受製程的材料。例如，可使用含有著色材料的有機材料層或多層濾波器。
可使用能透過紅光的層、能透過綠光的層或能透過藍 光的層作為含有著色材料的有機材料層。
本實施態樣中，使用選自能透過紅光的層、能透過綠光的層或能透過藍光的層用於第一光學濾波器121a，並使用選自彼等之另一層用於第二光學濾波器121b。
〈遮光層〉
遮光層123包括遮蔽通過第二基板120的光的層。遮光層123可具有單層結構或包括二或多層的疊層結構。
較佳地使用能抑制通過第二基板120之光進入發光模組且能耐受製程的材料以形成能遮蔽通過第二基板120的光的層。例如，可使用選自鉻層、鈦層、鎳層、分散有碳黑的高分子或類似者的遮光層。
本實施態樣中，使用分散有碳黑的高分子層作為遮光層123。
〈外敷層〉
外敷層125包括使表面平坦化且防止雜質(諸如水和/或氧)擴散的層。外敷層125可具有單層結構或包括二或多層的疊層結構。外敷層125的厚度並無特別限制。
使表面平坦化且防止雜質擴散的層可使光學濾波器的表面不平情況緩和，可抑制光學濾波器和/或遮光層所含的雜質向發光元件側擴散，或可抑制通過光學濾波器和/或遮光層的雜質向發光元件側擴散。可使用能耐受製程的材料以形成使表面平坦化且防止雜質擴散的層。例如，可 使用選自聚醯亞胺層、環氧層、丙烯酸樹脂層或類似者的外敷層或包括彼等之一的外敷層。該外敷層可為熱固型或紫外線固化型。
本實施態樣中，描述使用聚醯亞胺作為外敷層的案例。
〈第二基板〉
第二基板120可具有單層結構或包括二或多層的疊層結構，只要該第二基板120具有足夠耐受製程的高耐熱性。只要第二基板120可用於製造設備，該第二基板120的厚度和大小並無特別限制。
第二基板120較佳地具有氣體阻隔性。可替代地，可在該第二基板120上層疊具有氣體阻隔性的膜。特定地，當第二基板120具有該氣體阻隔性以使水蒸氣透過率低於或等於10-5g/m2．天(較佳地低於或等於10-6g/m2．天)時，可改善發光模組的可靠性，該可靠性是較佳的。
第二基板120較佳地具有撓性。撓性基板的典型實例可為塑膠基板。此外，可使用厚度為大於或等於50μm至低於或等於500μm的薄玻璃基板。當光不被第二基板120側收集時，亦可使用金屬箔作為該第二基板120。
例如，可使用非鹼玻璃基板、硼矽酸鋇玻璃基板、硼矽酸鋁玻璃基板、陶瓷基板、石英基板、藍寶石基板、金屬基板、不鏽鋼基板、塑膠基板、聚對苯二甲酸乙二醇酯基板、聚醯亞胺基板或類似者作為可用作第二基板120的 基板。
本實施態樣中，描述使用非鹼玻璃基板作為第二基板120的結構。
〈多色發光面板的結構〉
隨後，描述利用具有上述結構的發光面板的多色發光面板。例如，可將發出不同顏色的光的兩個發光元件之一應用在第一發光模組150a，而另一發光元件應用在第二發光模組150b。特定地，可將發出選自藍色、紅色或綠色的光的發光元件應用在第一發光元件154a，並將發出選自彼等之另一顏色的光的發光元件應用在第二發光元件154b。
藉由將含有能發出一種顏色的光的發光有機化合物的層和含有能發出另一種顏色的光的發光有機化合物的層分別設置於第一發光元件154a和第二發光元件154b之方式，可形成能發出不同顏色的光的兩個發光元件。含有發光有機化合物的層的結構將於實施態樣4中詳細說明。
藉由使該第一和第二電極中之一者形成反射性電極且另一者作為半透明-半反射電極以調節該第一電極與該第二電極之間的間隔(光學距離)，可形成微諧振器(亦稱為微腔：microcavity)，且通過該半透明-半反射電極可有效地收集特定波長的光。
可替代地，可選擇能透過不同顏色的光的兩種光學濾波器，並將該兩種光學濾波器之一應用於第一光學濾波器 121a且另一者應用於第二光學濾波器121b。特定地，可將透過藍色、紅色或綠色之一的光的光學濾波器應用於第一光學濾波器121a，並將透過該藍色、紅色或綠色之另一顏色的光的光學濾波器應用於第二光學濾波器121b。
當選擇透過不同顏色的光的兩種光學濾波器時，第一發光元件154a和第二發光元件154b可分別為發出白光的發光元件。
〈變形實例〉
參照圖2所示的剖面圖，描述不同於圖1A和1B所示的發光面板且包括本發明的一實施態樣的發光模組的發光面板的結構。圖2例示的發光面板100與圖1A和1B例示的發光面板100的不同處在於收集光的方向。特定地，圖2例示的發光面板100中，由第一基板110側收集光。
圖2例示的發光面板100包括第一發光模組150a和第二發光模組150b。第一發光模組150a包括位於第一基板110與第二基板120之間的第一發光元件154a。第二發光模組150b包括位於第一基板110與第二基板120之間的第二發光元件154b。
第一發光元件154a包括位於第一電極151a與第二電極152a之間的含有發光有機化合物的層153a。第二發光元件154b包括位於第一電極151b與第二電極152b之間的含有發光有機化合物的層153b。
圖2例示的本發明的一實施態樣的發光模組中，第一基板110與第二基板120之間設置犧牲層130。特定地，第一發光模組150a包括位於第二電極152a與第二基板120之間的犧牲層130，且第二發光模組150b包括位於第二電極152b與第二基板120之間的犧牲層130。另外，間隔140與第二基板120之間設置犧牲層130。
本變形實例描述的發光面板100的第一發光模組150a包括：使含有發光有機化合物的層153a發出的光反射的第二電極152a；透過該光的第一電極151a；及，透過該光的一部分的第一光學濾波器121a。該發光面板100的第二發光模組150b包括：使含有發光有機化合物的層153b發出的光反射的第二電極152b；透過該光的第一電極151b；及，透過該光的一部分的第二光學濾波器121b。
本實施態樣所描述的本發明的一實施態樣的發光模組具有包括犧牲層與第二電極接觸的結構。該犧牲層含有與雜質(諸如水和/或氧)反應或吸附該雜質的材料且使用塗敷法(亦稱為濕式法)形成該犧牲層。降低發光元件的可靠性的雜質優先會與該犧牲層所含的材料反應或被彼吸附而失去活性。結果是可提供可靠性高的發光模組。
本發明的一實施態樣的發光模組中，因間隔上的薄犧牲層的緣故，散設光受到抑制。結果是可改善發光模組的發光效率，並可提供可靠性高的發光模組。
本實施態樣可與本說明書所示的其他實施態樣適當地 組合。
[實施態樣2]
本實施態樣中，參照圖3A至3C及圖4A和4B，說明發光模組。該發光模組在第一基板與第二基板之間包括：設置在第一基板上的第一電極；與該第一電極之間夾有含有發光有機化合物的層的第二電極；及，在該第二電極上由液體材料形成的犧牲層。特定地，描述多個發光模組鄰接設置的發光面板的發光裝置。
本實施態樣所例示的發光模組中，使用圍繞發光元件的密封材料使第一基板與第二基板彼此貼合(參照圖3A至圖3C)。該密封材料防止會降低發光元件的可靠性的雜質(諸如水和/或氧)進入發光模組。此外，已進入的雜質優先地會與犧牲層所含的材料反應或被彼所吸附而失去活性。結果是可提供可靠性高的發光模組。
本實施態樣所例示的發光模組中，犧牲層係由密封材料圍繞，該密封材料係使第一基板與第二基板彼此貼合(參照圖3C)。此外，本發明的一實施態樣的發光模組中，密封材料係以不與犧牲層重疊的方式圍繞發光元件及犧牲層，且藉由密封材料使第一基板與第二基板彼此貼合。因為密封材料與犧牲層未彼此重疊，空氣不會經由通過犧牲層而進入發光模組。結果是可提供可靠性高的發光模組。
本實施態樣所例示的發光模組所包括的犧牲層可為液 體(參照圖3C)。當犧牲層為液體時，犧牲層可流動且可被均勻地提供。此外，由於犧牲層被密封材料圍繞，液體犧牲層免於漏出。結果是可提供可靠性高的發光模組。
使用不會溶解發光元件的液體，可形成液體犧牲層；例如，可使用液晶材料或以氟為底質的惰性液體(諸如全氟化碳)。於去除會降低發光元件的可靠性的雜質後，可使用此等材料。此外，可將會與雜質反應或吸附雜質的材料分散於上述材料中。
本實施態樣所例示的發光模組所包括的犧牲層可為固體。當犧牲層為固體時，雜質之擴散速度慢。結果是可提供可靠性高的發光模組。
於本實施態樣所例示的發光模組中，藉由犧牲層使第一基板與第二基板彼此貼合(參照圖4)。由於使用犧牲層使第一基板與第二基板彼此貼合，因此無需設置密封材料。結果是可簡便地提供可靠性高的發光模組。
本實施態樣描述主動矩陣型發光裝置，其中本發明的一實施態樣的發光模組係與電晶體連接；然而，本發明的一實施態樣並不侷限於主動矩陣型發光裝置且亦可應用於被動矩陣型發光裝置、顯示裝置及照明裝置。
〈主動矩陣型發光裝置〉
圖3A至3C說明本發明的發光模組應用於主動矩陣型發光裝置的結構。圖3A是發光裝置的俯視圖，且圖3B是沿圖3A的A-B及C-D線所得的剖面圖。圖3B例示的 發光裝置1400沿圖所示的箭頭方向發光。
主動矩陣型發光裝置1400包括驅動電路部(源極側驅動電路)1401、像素部1402、驅動電路部(閘極側驅動電路)1403、第二基板1404及密封材料1405(參照圖3A)。被密封材料1405包圍的部分是空間。
發光裝置1400藉由為外部輸入端子的FPC(軟性印刷電路)1409接收視頻信號、時脈信號、起始信號、重設信號及類似者。在此僅說明FPC，但是亦可將印刷線路板(PWB)附加到FPC。本說明書的發光裝置的範疇不僅包括該發光裝置本身且亦包括配備FPC或PWB的發光裝置。
隨後，參照圖3B所示的剖面圖說明發光裝置1400的結構。發光裝置1400包括在第一基板1410上的驅動電路部及像素部1402，該驅動電路部包括所示的源極側驅動電路1401，且該像素部1402包括所示的像素。另外，發光裝置1400包括用於傳輸信號的引線1408，該信號將被輸入源極側驅動電路1401及閘極側驅動電路1403。
雖然源極側驅動電路1401包括CMOS電路(其中在本實施態樣中n通道型電晶體1423與p通道型電晶體1424組合)，但是驅動電路的結構並不侷限於此種結構且亦可為由各種不同的電路，諸如CMOS電路、PMOS電路或NMOS電路。雖然本實施態樣示出在基板上形成驅動電路的驅動器一體型結構，但是本發明並不限於此種結構，且驅動電路可形成於基板外部而非在基板上。
〈電晶體的結構〉
在形成電晶體的通道的區域，可使用各種不同的半導體。特定地，可使用非晶矽、多晶矽、單晶矽、氧化物半導體或類似者。
當在形成電晶體的通道的區域使用單晶半導體時，可實現減小電晶體尺寸，此導致顯示部分的較高解析度的像素。
作為構成半導體層的單晶半導體，典型地可使用包括第14族元素構成的單晶半導體基板(諸如單晶矽基板、單晶鍺基板或單晶矽鍺基板等)及化合物半導體基板(SiC基板、藍寶石基板及GaN基板)的半導體基板。較佳的是，可使用在絕緣表面上設置單晶半導體層的SOI(Silicon On Insulator：絕緣體上矽)基板。
藉由下述的方法或類似者，形成SOI基板：在向鏡面經拋光的晶片注入氧離子後，該鏡片經高溫加熱以在該鏡片之表面形成預定深度的氧化物層並消除產生在表面層的缺陷。可替代地，藉由下述的方法可形成SOI基板：藉由因氫離子照射所形成的微孔生長以分離半導體基板，該氫離子照射係由熱處理產生。可替代地，藉由下述的方法可形成SOI基板：藉由結晶生長在絕緣表面上形成單晶半導體層。
本實施態樣中，通過單晶半導體基板的表面添加離子，在離單晶半導體基板的表面的預定深度處形成脆化 層，且在單晶半導體基板的表面上或第一基板1410上形成絕緣層。在單晶半導體基板和第一基板1410與介於其間的絕緣層各別結合的狀態下進行熱處理，使得脆化層產生裂縫且沿該脆化層分離單晶半導體基板。因此，與該單晶半導體基板分離的單晶半導體層係於第一基板1410上形成半導體層。可使用玻璃基板作為第一基板1410。
可在半導體基板中形成彼此電絕緣的區域，並利用該彼此電絕緣的區域形成電晶體1411和1412。
使用單晶半導體作為通道形成區可減少因晶粒邊界處的鍵缺陷所導致的電晶體的電特性(諸如臨界電壓)的變異性。所以，本發明的一實施態樣的發光裝置中，對各像素不配置用於補償臨界電壓的電路下，可使發光元件正常地操作。因此，可減少每一像素的電路元件以提高佈局的自由度。據此，可得到高解析度的發光裝置。例如，可得到矩陣狀多像素(特定地每英寸350像素(ppi)或以上(即水平解析度為350ppi或以上)且較佳地400ppi或以上(即水平解析度為400ppi或以上))的發光裝置。
再者，可使電晶體(其中通道形成區域係由單晶半導體構成)縮小並同時可保持高電流驅動能力。使用縮小的電晶體可縮小無助於顯示操作的電路部面積，進而增加顯示部的面積且減小發光裝置的邊框。
〈像素部的結構〉
像素部1402包括多個像素。每個像素包括發光元件 1418、電流控制用電晶體1412(其中汲極電極與發光元件1418的第一電極1413連接)及開關用電晶體1411。
設置在發光面板中的發光元件1418包括第一電極1413、第二電極1417及含有發光性有機化合物的層1416。形成間隔1414以覆蓋第一電極1413的端部。
所形成的間隔1414的上端部或下端部具有曲率曲面。使用藉由照射光而不溶於蝕刻劑的負型光敏樹脂或藉由照射光而溶於蝕刻劑的正型光敏樹脂，可形成間隔1414。例如，在使用正型光敏性丙烯酸樹脂作為間隔1414的材料下，較佳地僅於所形成的間隔1414的上端部形成曲率半徑為0.2μm~3μm的曲面。此處，使用正型光敏性聚醯亞胺膜形成間隔1414。
當間隔1414係供遮光時，可抑制因設置在發光面板的反射性薄膜所導致的外部光反射。當延伸至發光元件1418外側的反射膜反射外部光時，發光裝置的對比度降低；據此，不能獲得鮮明的發光。當間隔係供遮光時，利用黑色著色的樹脂層以形成該間隔。
作為發光元件1418的結構，可使用例如實施態樣4所示的發光元件的結構。
特定地，可使用其中含有發光性有機化合物的層1416發出白光的結構。
可在重疊於發光元件1418的位置上設置彩色濾光片1434。此外，可與介於相鄰的發光元件之間的間隔重疊的方式設置遮光性薄膜(亦稱為黑矩陣)。彩色濾光片 1434及遮光性薄膜可設置在第二基板1404上。
藉由利用發光元件1418的第一電極1413及第二電極1417，可構成微諧振器(亦稱為微腔)。例如，使用能使自含有發光性有機化合物的層1416發射的光反射的導電膜以形成第一電極1413，且使用能反射部分光且透過部分光的半透明-半反射性導電膜以形成第二電極1417。
另外，可在第一電極與第二電極之間設置光學調整層。該光學調整層調整介於反射型第一電極1413與半透明-半反射性的第二電極1417之間的光距離。藉由調節光學調整層的厚度，可控制從第二電極1417優先抽取的光波長。
可使用含有發光性有機化合物的層為用於光學調整層的材料。例如，藉由利用電荷產生區域可控制光學調整層的厚度。特定地，較佳地使用含有具有高電洞傳輸性的物質和受體性物質的區域以用於光學調整層，因為即使當光學調整層的厚度厚時，亦可抑制驅動電壓的上升。
另外，亦可使用能透過自含有發光性有機化合物的層1416發射的光的透光性導電膜於光學調整層的材料。例如，可在反射型導電膜的表面上層疊該透光性導電膜以形成第一電極1413。該結構是較佳的，因為容易改變在相鄰的第一電極上的光學調整層的厚度。
〈密封結構1〉
本實施態樣所例示的發光裝置1400所具有的結構 中，由第一基板1410、第二基板1404及密封材料1405所包圍的空間密封發光元件1418。
該空間經填充犧牲層1407。該空間可不留間隙地被犧牲層1407填充，或部分空間未經填充。該未經填充之部分空間可填充惰性氣體(諸如氮或氬)或密封材料1405。另外，可設置吸附雜質(諸如水和/或氧)之材料(諸如乾燥劑)。
使用儘可能地不傳輸空氣的雜質(諸如水和/或氧)的材料以如所欲地形成密封材料1405及第二基板1404。密封材料1405可使用環氧為底質之樹脂、玻璃粉(glass frit)或類似者。
第二基板1404的實例包括玻璃基板、石英基板、由PVF(聚氟乙烯)、聚酯、丙烯酸樹脂或類似者所構成的塑膠基板、或纖維增強塑膠(FRP)基版、及類似者。
圖3B所例示的發光裝置中，犧牲層1407覆蓋發光元件1418，且利用圍繞發光元件1418的密封材料1405使第一基板與第二基板彼此貼合。密封材料1405防止會降低發光元件1418的可靠性的雜質進入發光模組。此外，已進入之雜質優先會與該犧牲層1407所含的材料反應或優先地被彼所吸附，進而失去活性。結果是可提供具有可靠性高的發光模組。
〈密封結構2〉
圖3C說明與圖3B例示的發光裝置不同的發光裝置 的結構。圖3C例示的發光裝置所包括的發光模組中，藉由貼合第一基板和第二基板的密封材料圍繞犧牲層。因為密封材料與犧牲層彼此並未重疊，空氣不會通過犧牲層而進入發光模組。結果是可提供可靠性高的發光模組。
本實施態樣例示的發光模組所包括的犧牲層可為液體。當犧牲層為液體時，犧牲層會流動且可呈均勻。另外，因犧牲層被密封材料圍繞，液體犧牲層不會漏出。結果是可提供可靠性高的發光模組。
本實施態樣例示的發光模組所包括的犧牲層可為固體。當犧牲層為固體時，雜質的分散速度慢。結果是可提供可靠性高的發光模組。
間隔1414上可設置隔離物1433。隔離物1433可呈球狀或柱狀。藉由在間隔1414上設置隔離物1433，可防止因施加外力而彎曲的第二基板1404損傷發光元件1418的現象。
〈密封結構3〉
圖4A和4B說明與圖3B或圖3C例示的發光裝置不同的發光裝置的結構。圖4A和4B例示的發光裝置所包括的發光模組中，犧牲層貼合第一基板和第二基板。因第一基板和第二基板藉由犧牲層彼此貼合，因此不需使用密封材料。結果是可輕易地提供可靠性高的發光模組。
本發明的實施態樣的發光模組包括：介於第一基板與第二基板之間，設置在第一基板上的第一電極；與該第一 電極之間配置含有發光性有機化合物的層的第二電極；及，在該第二電極上由液體材料所形成的犧牲層。
本實施態樣例示的發光模組中，藉由犧牲層使第一基板與第二基板彼此貼合。因第一基板和第二基板藉由犧牲層彼此貼合，因此不需使用密封材料。結果是可輕易地提供可靠性高的發光模組。
本實施態樣可與本說明書所示的任一其他實施態樣適當地組合。
[實施態樣3]
本實施態樣中，藉由例示製造包括發光面板的發光裝置(其中多個發光模組係彼此相鄰設置)的案例，說明製造本發明的實施態樣的發光模組的方法。特定地，參照圖5A至5C和圖6A至6C，說明一種製造發光模組的方法，該發光模組包括在第一基板和第二基板之間：設置在第一基板上的第一電極；與該第一電極之間配置含有發光性有機化合物的層的第二電極；及，在該第二電極上由液體材料所形成的犧牲層。
〈第一步驟〉
藉由下述方式，在第一基板1410上形成單晶半導體層。通過單晶半導體基板的表面添加離子以在預定深度處形成脆化層。此外，在第一基板1410的表面形成絕緣膜。藉由其間配置之絕緣層使單晶半導體基板與第一基板 1410彼此貼合，進行熱處理，及於該脆化層中產生裂縫。於脆化層處分離單晶半導體基板，使得在第一基板1410上形成單晶半導體層。
在源極側驅動電路1401中形成包括該單晶半導體層作為通道形成區的電晶體，即n通道形電晶體1423和p通道形電晶體1424。在像素部1402處形成電流控制用電晶體1412和開關用電晶體1411。
形成覆蓋電晶體的絕緣層並在該絕緣層上形成佈線層，且經設置在該絕緣層的開口部連接電晶體的源極電極或汲極電極與該佈線層。
電晶體1412的源極電極或汲極電極電連接所形成的供形成第一電極1413的導電膜，且該導電膜經加工呈島狀，藉以形成第一電極1413。
隨後，形成絕緣性間隔1414，藉以覆蓋第一電極1413的端部，且該絕緣性間隔1414具有與第一電極1413重疊的開口部。
形成含有發光性有機化合物的層1416並於間隔1414的開口部與第一電極1413接觸，且形成與該含有發光性有機化合物的層1416的表面接觸的第二電極1417，該表面不是與該第一電極1413接觸的表面且未與間隔1414的開口部重疊，藉以形成發光元件1418(參照圖5A)。
本實施態樣說明發光元件1418採用發射白光的發光元件的案例。實施態樣4說明發射白光的發光元件的結構及製造方法。
〈第二步驟〉
在第二電極1417上形成犧牲層1407。藉由塗敷法(亦稱為濕式法)形成該犧牲層1407。
藉由塗敷法，施加溶解或分散材料於其中的液體以形成犧牲層1407。塗敷法是指將流動性的液體材料施加在基材表面上的方法，諸如旋塗法、印刷法、塗覆法、浸漬法、分配器法、噴墨法等。在第二步驟中，將與雜質(諸如水和/或氧)反應或吸附彼的材料分散於其中的液體施加第二電極1417。
製備塗敷液係使與雜質(諸如水和/或氧)反應或吸附彼的材料溶解或分散在溶劑或分散劑中，藉以去除雜質。溶劑或分散劑可為揮發性或具反應性。利用揮發性溶劑(諸如有機溶劑)的塗敷液，藉由加熱或減壓可形成固體犧牲層1407。利用反應性溶劑(諸如單體)的塗敷液，藉由能量(諸如加熱或紫外線照射)可形成固體犧牲層1407。
本實施態樣中，使用分配器以形成犧牲層1407。將塗敷液填充於能定量的容器(諸如注射器)。然後，將能定量的容器(諸如注射器)與分配器連接。
在去除雜質的環境下(特定地露點為-70℃或以下)，使用分配器將定量的塗敷液滴落於第二電極上以形成具有所欲厚度的塗敷液層。
另外，在第二基板1404之表面上形成圍繞發光元件 1418的密封材料1405，該第二基板1404設有彩色濾光片1434及遮光性薄膜(參照圖5B)。
〈第三步驟〉
利用密封材料1405使第一基板1410與第二基板1404彼此貼合，使得發光元件1418置於第一基板1410與第二基板1404之間。當密封材料1405使用反應性材料時，為不損壞發光元件，可施加能量進行硬化(諸如熱和紫外線)(參照圖5C)。
〈製造方法的變形例1〉
為得到固體犧牲層1407，在第二步驟中，對塗敷液層施加能量(諸如熱或紫外線)以使該其塗敷液層呈固體。
特定地，當塗敷液層含有揮發性溶劑(諸如有機溶劑)時，可對含有塗敷液層的第一基板加熱或降低第一基板周圍的壓力以揮發該溶劑，使得該塗敷液層可為固體。此外，藉由調節揮發的溶劑量，可調節塗敷液層的流動性。
當塗敷液層含有反應性溶劑(諸如單體)時，可對含有塗敷液層的第一基板加熱或降低第一基板周圍的壓力以使該溶劑硬化，使得該塗敷液層可為固體。此外，藉由調節該塗敷液層的硬化反應，可調節塗敷液層的流動性。
使用上述方法，藉由使塗敷液層固化或調節其流動 性，可形成能抑制雜質(諸如水和/或氧)擴散的固體犧牲層。另外，可調節殘留於犧牲層中的溶劑量。結果是可提供製造可靠性高的發光模組的方法。
〈製造方法的變形例2〉
為得到固體犧牲層1407，在第三步驟中，對塗敷液層施加能量(諸如熱或紫外線)，以使該塗敷液層可為固體。
特定地，當塗敷液層含有揮發性溶劑(諸如有機溶劑)時，可對含有塗敷液層的第一基板加熱或降低第一基板周圍的壓力以揮發該溶劑，使得該塗敷液層可為固體。此外，藉由調節揮發的溶劑量，可調節塗敷液層的流動性。
當採用上述方法時，因自塗敷液層釋出揮發性溶劑，所以可在密封材料1405處設置開口部。當在密封材料1405處設置開口部時，較佳的是在第三步驟之後形成填充該開口部的第二密封材料。
當塗敷液層含有反應性溶劑(諸如單體)時，可對含有塗敷液層的第一基板加熱或降低第一基板周圍的壓力以使該溶劑硬化，使得該塗敷液層可為固體。此外，藉由調節該塗敷液層的硬化反應，可調節塗敷液層的流動性。
使用上述方法，藉由使塗敷液層固化或調節其流動性，可形成能抑制雜質(諸如水和/或氧)擴散的固體犧牲層。另外，可調節殘留於犧牲層中的溶劑量。結果是可 提供製造可靠性高的發光模組的方法。
〈製造方法的變形例3〉
本發明的實施態樣的另一製造發光模組的方法中，在第一步驟之後的第二步驟中，未在第二電極1417上形成犧牲層1407，在第二基板1404上形成設有開口部並圍繞發光元件1418的第一密封材料1405b，且在該第一密封材料1405b上設有彩色濾光片1434和遮光性薄膜。使用第一密封材料1405b使第一基板1410與第二基板1404彼此貼合，使得發光元件1418介於第一基板1410與第二基板1404之間(參照圖6A和6B)。
在後續的第三步驟中，從設置於密封材料1405b的開口部對介於第一基板1410與第二基板1404之間的空間注入含有與雜質反應或吸附雜質的材料的塗敷液層。
為注入塗敷液，可在減壓環境下配置彼此貼合的第一基板1410和第二基板1404，且可自比該環境的壓力為高的開口部引入塗敷液。特定地，可使用在減壓環境下將開口部浸在塗敷液並逐漸提高環境的壓力的方法、對開口部插入噴嘴並注入塗敷液的方法及類似者。
在後續的第四步驟中，形成第二密封材料1415c並填充該開口部(參照圖6C)。上述的製造方法可製造發光模組。
藉由本發明的實施態樣的發光模組的製造方法，可利用塗敷法(亦稱為濕式法)形成與第二電極接觸的犧牲 層。結果是可提供製造可靠性高的發光模組的方法。
本實施態樣可與本說明書所示的任一其他實施態樣適當地組合。
[實施態樣4]
本實施態樣說明可用於本發明的實施態樣的發光模組的發光元件的結構。特定地，參照圖7A至7E，說明在一對電極之間配置含有發光性有機化合物的層的發光元件的結構實例。該發光元件可用於發光模組，該發光模組包括介於第一基板與第二基板之間，設置在第一基板上的第一電極；與該第一電極之間配置含有發光性有機化合物的層的第二電極；及，在該第二電極上由液體材料所形成的犧牲層。
本實施態樣例示的發光元件包括第一電極、第二電極及介於第一電極與第二電極之間含有發光性有機化合物的層(以下稱為EL層)。該第一電極或第二電極之一者作為陽極，而另一者作為陰極。EL層設置在第一電極和第二電極之間，且根據第一電極和第二電極的材質可適當地選擇EL層的結構。下述說明發光元件的結構實例，但是發光元件的結構不限於該實例。
本發明的實施態樣的發光模組所包括的犧牲層可使用可用於EL層的材料且係本實施態樣所例示的實例(高電洞傳輸性物質、發光物質、主體材料、高電子傳輸性物質、高電子注入性物質或/和受體物質等)。降低發光元 件的可靠性的雜質在降低發光元件的可靠性之前即與添加於犧牲層中可用於EL層的材料反應或被吸附以使該雜質失去活性。結果是可提供可靠性高的發光模組。
可用於犧牲層的材料的特定實例包括導電高分子、聚(3,4-乙烯二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT/PSS)、4,4'-雙[N-(1-萘基)-N-苯基胺基]聯苯基(簡稱：NPB或α-NPD)、三(8-喹啉醇根)鋁(簡稱：Alq)等。
〈發光元件的結構例1〉
圖7A示出發光元件的結構實例。圖7A所示的發光元件在陽極1101和陰極1102之間設有EL層。
對陽極1101和陰極1102之間施加高於發光元件的臨界電壓的電壓，使來自陽極1101一側的電洞及來自陰極1102一側的電子注入EL層中。被注入的電子和電洞在EL層中重新結合，於是EL層所含的發光物質發光。
在本說明書中，包括來自雙端注入的電子和電洞重新結合的區域的層或層疊體稱為發光單元。由此，該發光元件的結構例1包括發光單元。
發光單元1103可包括至少一個含有發光物質的發光層且可為發光層與非發光層的層的疊層結構。作為非發光層的層的實例係含有高電洞注入性物質、高電洞傳輸性物質、電洞傳輸性低(阻擋)物質、高電子傳輸性物質、高電子注入性物質及雙極性(電子及電洞的傳輸性高)物質 的層。
圖7B示出發光單元1103的特定結構實例。圖7B所示的發光單元1103從陽極1101一側依次層疊電洞注入層1113、電洞傳輸層1114、發光層1115、電子傳輸層1116及電子注入層1117。
〈發光元件的結構例2〉
圖7C示出發光元件的另一結構實例。圖7C例示的發光元件在陽極1101和陰極1102之間設置含發光單元1103的EL層。陰極1102和發光單元1103之間設置中間層1104。與上述發光元件的結構例1所包括的發光單元同樣的結構可適用於該發光元件的結構例2的發光單元1103，因此，詳細內容可參照發光元件的結構例1。
所形成的中間層1104可包括至少電荷產生區域且可以是層疊電荷產生區域與非電荷產生區域的層的結構。例如，可從陰極1102一側依次層疊第一電荷產生區域1104c、電子中繼層1104b及電子注入緩衝體1104a。
說明中間層1104的電子和電洞的行為。當對陽極1101和陰極1102之間施加高於發光元件的臨界電壓的電壓時，第一電荷產生區域1104c產生電洞和電子，電洞移動到陰極1102，且電子移動到電子中繼層1104b。電子中繼層1104b的電子傳輸性高，因此可將第一電荷產生區域1104c所產生的電子立即送達到電子注入緩衝體1104a。電子注入緩衝體1104a降低電子注入到發光單元1103的 障礙，而提高對發光單元1103的電子注入效率。從而，第一電荷產生區域1104c所產生的電子經過電子中繼層1104b和電子注入緩衝體1104a注入發光單元1103的LUMO能階。
另外，電子中繼層1104b可防止構成第一電荷產生區域1104c的物質和構成電子注入緩衝體1104a的物質在介面發生反應而破壞彼此的功能的相互作用。
可用於發光元件的結構例2的陰極材料的選擇範圍比可用於結構例1的陰極材料的選擇範圍大。此係因為結構例2的陰極可接受中間層所產生的電洞，且可使用功函數較大的材料。
〈發光元件的結構例3〉
圖7D示出發光元件的另一結構實例。圖7D例示的發光元件包括在陽極1101和陰極1102之間設置兩個發光單元的EL層。第一發光單元1103a和第二發光單元1103b之間設置中間層1104。
設置在陽極1101和陰極1102之間的發光單元的數目不限於2。圖7E例示的發光元件具有層疊多個發光單元1103的結構，即串聯型結構。當在陽極和陰極之間設置n(n是2以上的自然數)層的發光單元1103時，採用第m(m是自然數，1以上且(n-1)以下)個的發光單元和第(m+1)個的發光單元之間分別設置中間層1104的結構。
可將與上述發光元件的結構例1同樣的結構適用於該發光元件的結構例3的發光單元1103，且可將與上述發光元件的結構例2同樣的結構適用於該發光元件的結構例3的中間層1104。由此，詳細內容可參照發光元件的結構例1或發光元件的結構例2。
說明設置在發光單元之間的中間層1104的電子和電洞的行為。當對陽極1101和陰極1102之間施加高於發光元件的臨界電壓的電壓時，中間層1104產生電洞和電子，電洞移動到設置在陰極1102一側的發光單元，且電子移動到設置在陽極一側發光單元。注入到設置在陰極一側的發光單元的電洞與來自陰極一側注入的電子重新結合，由此該發光單元所含的發光物質發光。注入到設置在陽極一側的發光單元的電子與來自陽極一側注入的電洞重新結合，由此在該發光單元所含的發光物質發光。因此，中間層1104產生的電洞和電子分別在不同的發光單元發光。
當藉由發光單元設置為彼此接觸且在兩者之間形成與中間層同樣的結構時，所形成的發光單元為彼此接觸。特定地，當在發光單元的一面形成電荷產生區域時，因該電荷產生區域作為中間層的第一電荷產生區域，故發光單元設置為彼此接觸。
發光元件的結構例1至結構例3可彼此組合。例如，在發光元件的結構例3的陰極和第n個發光單元之間可設置中間層。
〈可用於發光元件的材料〉
說明可用於具備上述結構的發光元件的特定材料。依次說明陽極、陰極、EL層、電荷產生區域、電子中繼層及電子注入緩衝體的材料。
〈陽極材料〉
較佳的是，陽極1101使用具有高功函數(特定地，較佳為4.0Ev或以上)的金屬、合金、導電化合物及彼等的混合物。特定地，例如可舉出銦錫氧化物(ITO：Indium Tin Oxide)、含有矽或氧化矽的銦錫氧化物、銦鋅氧化物(IZO：Indium Zinc Oxide)及含有氧化鎢及氧化鋅的氧化銦等。
這些導電金屬氧化物膜通常藉由濺射法形成，但是亦可藉由使用溶膠-凝膠法等形成。例如，可藉由濺射法使用相對於氧化銦添加有1wt%以上且20wt%以下的氧化鋅靶材以形成銦鋅氧化物膜。此外，可使用在氧化銦中含有0.5wt%以上且5wt%以下的氧化鎢及0.1wt%以上且1wt%以下的氧化鋅靶材藉由濺射法形成含有氧化鎢及氧化鋅的氧化銦膜。
此外，可舉出下述物質：金(Au)、鉑(Pt)、鎳(Ni)、鎢(W)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鐵(Fe)、鈷(Co)、銅(Cu)、鈀(Pd)、鈦(Ti)、金屬材料氮化物(例如氮化鈦等)、鉬氧化物、釩氧化物、釕氧化 物、鎢氧化物、錳氧化物、鈦氧化物等。另外，亦可使用聚(3,4-乙烯二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/聚(苯乙烯磺酸)(PAni/PSS)等導電性聚合物。
當以與陽極1101接觸的方式設置第二電荷產生區域時，可以與功函數的高低無關，將各種導電材料用於陽極1101。特定地，不僅可使用功函數高的材料，亦可使用功函數低的材料。對於構成第二電荷產生區域的材料，在下文與構成第一電荷產生區域的材料一起說明。
〈陰極材料〉
當在發光單元1103與陰極1102之間以接觸陰極1102的方式設置第一電荷產生區域1104c時，陰極1102可使用各種導電性材料且與功函數的大小無關。
使用透過可見光的導電膜形成陰極1102和陽極1101中至少一者。使可見光透過的導電膜的實例可舉出含有氧化鎢的銦氧化物、含有氧化鎢的銦鋅氧化物、含有氧化鈦的銦氧化物、含有氧化鈦的銦錫氧化物、銦錫氧化物、銦鋅氧化物、添加有氧化矽的銦錫氧化物等。此外，亦可使用厚度足以透過光的金屬薄膜(較佳為5nm或以上且30nm或以下)。
〈EL層的材料〉
用於構成上述發光單元1103的各層的材料的具體實 例說明如下。
電洞注入層是包含高電洞注入性物質的層。作為高電洞注入性物質，可使用例如鉬氧化物、釩氧化物、釕氧化物、鎢氧化物、錳氧化物等。除了上述以外，亦可使用諸如酞菁(簡稱：H2Pc)和銅酞菁(簡稱：CuPc)等的酞菁類化合物或諸如聚(3,4-乙烯二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT/PSS)等的高分子以形成電洞注入層。
另外，可使用第二電荷產生區域以代替電洞注入層。當使用第二電荷產生區域時，如上所述，可使用各種導電性材料作為陽極1101，且不用考慮功函數。對於構成第二電荷產生區域的材料，在下文與構成第一電荷產生區域的材料一起說明。
〈電洞傳輸層〉
電洞傳輸層是包含高電洞傳輸性物質的層。電洞傳輸層不限於單層，可以層疊兩層以上的包含高電洞傳輸性物質的層。電洞傳輸層只要使用電洞傳輸性高於電子傳輸性的物質即可。因為可降低發光元件的驅動電壓，尤其是10-6cm2/Vs或以上的電洞遷移率的物質是較佳的。
作為高電洞傳輸性物質，可舉出例如4,4’-雙[N-(1-萘基)-N-苯基胺基]聯苯(縮寫：NPB或α-NPD)、N,N’-雙(3-甲基苯)-N,N’-二苯基-[1,1’-聯苯]-4,4’-二胺(縮寫：TPD)、4-苯基-4’-(9-苯基茀-9-基)三苯胺(縮寫：BPAFLP)、4,4’,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(縮 寫：TCTA)、4,4’,4”-三(N,N-二苯胺)三苯胺(縮寫：TDATA)、4,4’,4”-三[N-(3-甲基苯)-N-苯胺]三苯胺(縮寫MTDATA)、4,4’-雙[N-(螺-9,9’-二茀-2-基)-N-苯基胺基]聯苯(縮寫：BSPB)等的芳香胺化合物。或者，3-[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基胺基]-9-苯基咔唑(縮寫：PCzPCA1)、3,6-雙[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基胺基]-9-苯基咔唑(縮寫：PCzPCA2)、3-[N-(1-萘基)-N-(9-苯基咔唑-3-基)胺基]-9-苯基咔唑(縮寫：PCzPCN1)等。或者，亦可舉出4,4’-二(N-咔唑基)聯苯(縮寫：CBP)、1,3,5-三[4-(N-咔唑基)苯基]苯(縮寫：TCPB)、9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(縮寫：CzPA)等的咔唑衍生物等。
除了上述以外，亦可使用聚(N-乙烯咔唑)(縮寫：PVK)、聚(4-乙烯三苯胺)(縮寫：PVTPA)、聚[N-(4-{N’-[4-(4-二苯基胺基)苯基]苯基-N’-苯基胺基}苯基)甲基丙烯醯胺](縮寫：PTPDMA)、聚[N,N’-雙(4-丁基苯基)-N,N’-雙(苯基)聯苯胺](縮寫：Poly-TPD)等高分子化合物作為電洞傳輸層。
〈發光層〉
發光層是包含發光物質的層。發光層不限於單層且亦可為層疊有兩層以上的包含發光物質的層。作為發光物質，可使用螢光化合物或磷光化合物。當將磷光化合物用作發光物質時，可提高發光元件的發光效率，因此是較佳 的。
作為可用作發光物質的螢光化合物，可舉出例如N,N’-雙[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-N,N’-二苯基二苯乙烯-4,4’-二胺(縮寫：YGA2S)、4-(9H-咔唑-9-基)-4’-(10-苯基-9-蒽基)三苯胺(縮寫：YGAPA)、4-(9H-咔唑-9-基)-4’-(9,10-二苯基-2-蒽基)三苯胺(縮寫：2YGAPPA)、N,9-二苯基-N-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(縮寫：PCAPA)、二萘嵌苯、2,5,8,11-四-叔丁基二萘嵌苯(縮寫：TBP)、4-(10-苯基-9-蒽基)-4’-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(縮寫：PCBAPA)、N,N”-(2-叔丁基蒽-9,10-二基二-4,1-亞苯基)雙[N,N’,N’-三苯基-1,4-苯二胺](縮寫：DPABPA)、N,9-二苯基-N-[4-(9,10-二苯基-2-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(縮寫：2PCAPPA)、N-[4-(9,10-二苯基-2-蒽基)苯基]-N,N’,N’-三苯基-1,4-苯二胺(縮寫：2DPAPPA)、N,N,N’,N’,N”,N”,N’’’,N’’’-八苯基二苯並[g,p]屈(chrysene)-2,7,10,15-四胺(縮寫：DBC1)、香豆素30、N-(9,10-二苯基-2-蒽基)-N,9-二苯基-9H-咔唑-3-胺(縮寫：2PCAPA)、N-[9,10-雙(1,1’-聯苯-2-基)-2-蒽基]-N,9-二苯基-9H-咔唑-3-胺(縮寫：2PCABPhA)、N-(9,10-二苯基-2-蒽基)-N,N’,N’-三苯基-1,4-苯二胺(縮寫：2DPAPA)、N-[9,10-雙(1,1’-聯苯-2-基)-2-蒽基]-N,N’,N’-三苯基-1,4-苯二胺(縮寫：2DPABPhA)、9,10-雙(1,1'-聯苯-2-基)-N-[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-N-苯 基蒽-2-胺(縮寫：2YGABPhA)、N,N,9-三苯基蒽-9-胺(縮寫：DPhAPhA)、香豆素545T、N,N’-二苯基喹吖酮(縮寫DPQd)、紅熒烯、5,12-雙(1,1’-聯苯-4-基)-6,11-二苯基稠四苯(縮寫：BPT)、2-(2-{2-[4-(二甲基胺基)苯基]乙烯基}-6-甲基-4H-吡喃-4-亞基(ylidene))丙二腈(縮寫：DCM1)、2-{2-甲基-6-[2-(2,3,6,7-四氫-1H,5H-苯並[ij]喹嗪(quinolizine)-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亞基}丙二腈(縮寫：DCM2)、N,N,N’,N’-四(4-甲基苯基)稠四苯-5,11-二胺(縮寫：p-mPhTD)、7,14-二苯基-N,N,N',N'-四(4-甲基苯基)苊並(acenaphtho)[1,2-a]熒蒽-3,10-二胺(縮寫：p-mPhAFD)、2-{2-異丙基-6-[2-(1,1,7,7-四甲基-2,3,6,7-四氫-1H,5H-苯並[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亞基}丙二腈(縮寫：DCJTI)、2-{2-叔丁基-6-[2-(1,1,7,7-四甲基-2,3,6,7-四氫-1H,5H-苯並[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亞基}丙二腈(縮寫：DCJTB)、2-(2,6-雙{2-[4-(二甲基胺基)苯基]乙烯基}-4H-吡喃-4-亞基)丙二腈(縮寫：BisDCM)、2-{2,6-雙[2-(8-甲氧基-1,1,7,7-四甲基-2,3,6,7-四氫-1H,5H-苯並[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亞基}丙二腈(縮寫：BisDCJTM)、SD1(商標名；SFC Co.,Ltd製造)等。
作為可用作發光物質的磷光化合物，可舉出例如雙[2-(4',6'-二氟苯基)吡啶-N,C2' ]銥(Ⅲ)四(1-吡唑基)硼酸鹽(縮寫：FIr6)、雙[2-(4',6'-二氟苯基)吡 啶-N,C2' ]銥(Ⅲ)吡啶甲酸鹽(縮寫：FIrpic)、雙[2-(3',5'-雙三氟甲基苯基)吡啶-N,C2' ]銥(Ⅲ)吡啶甲酸鹽(縮寫：[Ir(CF3ppy)2(pic)])、雙[2-(4',6'-二氟苯基)吡啶-N,C2' ]銥(Ⅲ)乙醯丙酮(縮寫：FIracac)、三(2-苯基吡啶)銥(Ⅲ)(縮寫：[Ir(ppy)3])、雙(2-苯基吡啶)銥(Ⅲ)乙醯丙酮(縮寫：[Ir(ppy)2(acac)])、雙(苯並[h]喹啉)銥(Ⅲ)乙醯丙酮(縮寫：[Ir(bzq)2(acac)])、雙(2,4-二苯基-1,3-噁唑-N,C2' )銥(Ⅲ)乙醯丙酮(縮寫：[Ir(dpo)2(acac)])、雙{2-[4'-(全氟苯基)苯基]吡啶-N,C2' }銥(Ⅲ)乙醯丙酮(縮寫：[Ir(p-PF-ph)2(acac)])、雙(2-苯基苯並噻唑-N,C2' )銥(Ⅲ)乙醯丙酮(縮寫：[Ir(bt)2(acac)])、雙[2-(2'-苯並[4,5-α]噻吩基)吡啶-N,C3' ]銥(Ⅲ)乙醯丙酮(縮寫：[Ir(btp)2(acac)])、雙(1-苯基異喹啉-N,C2' )銥(Ⅲ)乙醯丙酮(縮寫：[Ir(piq)2(acac)])、(乙醯基丙酮)雙[2,3-雙(4-氟苯基)喹喔啉]銥(Ⅲ)(縮寫：[Ir(Fdpq)2(acac)])、(乙醯丙酮)雙(2,3,5-三苯基吡嗪根合)銥(Ⅲ)(縮寫：[Ir(tppr)2(acac)])、2,3,7,8,12,13,17,18-八乙基-21H,23H-卟啉合鉑(Ⅱ)(縮寫：PtOEP)、三(乙醯丙酮)(一啡啉)鋱(Ⅲ)(縮寫：Tb(acac)3(Phen))、三(1,3-二苯基-1,3-丙二酮)(一啡啉)銪(Ⅲ)(縮寫：Eu(DBM)3(Phen))、三[1-(2-噻吩甲醯基)-3,3,3-三氟丙酮](一啡啉)銪(Ⅲ)(縮寫：Eu(TTA)3(Phen))、雙(2,3,5-三苯基吡嗪根)銥 (Ⅲ)(縮寫：[(Ir(tppr)2(dpm)])等。
另外，較佳地該等發光物質分散在主體材料中。作為主體材料，使用其激發能階大於發光物質的激發能階的材料較佳。
作為主體材料，可使用例如NPB(縮寫)、TPD(縮寫)、TCTA(縮寫)、TDATA(縮寫)、MTDATA(縮寫)、BSPB(縮寫)等芳香胺化合物；PCzPCA1(縮寫)、PCzPCA2(縮寫)、PCzPCN1(縮寫)、CBP(縮寫)、TCPB(縮寫)、CzPA(縮寫)、9-苯基-3-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(縮寫：PCzPA)、4-苯基-4’-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(縮寫：PCBA1BP)等咔唑衍生物。或者，可使用PVK(縮寫)、PVTPA(縮寫)、PTPDMA(縮寫)、Poly-TPD(縮寫)等包含高分子化合物的高電洞傳輸性物質。或者，可使用三(8-羥基喹啉)鋁(縮寫：Alq)、三(4-甲基-8-羥基喹啉)鋁(縮寫：Almq3)、雙(10-羥基苯並[h]喹啉)鈹(縮寫：BeBq2)、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)(4-苯基苯酚合)鋁(縮寫：BAlq)等具有喹啉骨架或苯並喹啉骨架的金屬錯合物。或者，可使用雙[2-(2-羥基苯基)苯並噁唑]鋅(縮寫：Zn(BOX)2)、雙[2-(2-羥基苯基)苯並噻唑]鋅(縮寫：Zn(BTZ)2)等具有噁唑類或噻唑類配體的金屬錯合物。或者，可使用2-(4-聯苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-惡二唑(縮寫：PBD)、1,3-雙[5-(對叔丁基苯基)-1,3,4-惡二唑-2-基]苯(縮寫：OXD-7)、9-[4- (5-苯基-1,3,4-噁二唑-2-基)苯基]-咔唑(縮寫：CO11)、3-(4-聯苯基)-4-苯基-5-(4-叔丁基苯基)-1,2,4-三唑(縮寫：TAZ)、紅菲繞啉(縮寫：BPhen)、浴銅靈(縮寫：BCP)等高電子傳輸性物質。
〈電子傳輸層〉
電子傳輸層是包含高電子傳輸性物質的層。電子傳輸層不限於單層且可以是層疊兩層以上的包含高電子傳輸性物質的層。電子傳輸層只要使用電子傳輸性高於電洞傳輸性的物質即可。因為可以降低發光元件的驅動電壓，尤其是10-6cm2/Vs或以上的電子遷移率的物質是較佳的。
作為高電子傳輸性物質，可使用例如Alq(縮寫)、Almq3(縮寫)、BeBq2(縮寫)、BAlq(縮寫)等具有喹啉骨架或苯並喹啉骨架的金屬錯合物等。除了上述以外，亦可使用Zn(BOX)2(縮寫)、Zn(BTZ)2(縮寫)等具有噁唑類或噻唑類配體的金屬錯合物等。或者，可舉出PBD(縮寫)、OXD-7(縮寫)、CO11(縮寫)、TAZ(縮寫)、BPhen(縮寫)、BCP(縮寫)、以及2-[4-(二苯並噻吩-4-基)苯基]-1-苯基-1H-苯並咪唑(縮寫：DBTBIm-II)等。
除了上述以外，作為電子傳輸層亦可使用聚[(9,9-二己基茀-2,7-二基)-co-(吡啶-3,5-二基)](簡稱PF-Py)、聚[(9,9-二辛基茀-2,7-二基)-co-(2,2'-聯吡啶-6,6'-二基)](簡稱PF-BPy)等高分子化合物。
〈電子注入層〉
電子注入層是包含高電子注入性物質的層。電子注入層不限於單層且可以是層疊兩層以上的包含高電子注入性物質的層。藉由採用設置有電子注入層的結構，可提高來自陰極1102的電子注入效率，而降低發光元件的驅動電壓，因此是較佳的。
作為高電子注入性物質，可以舉出例如鋰(Li)、銫(Cs)、鈣(Ca)、氟化鋰(LiF)、氟化銫(CsF)、氟化鈣(CaF2)等鹼金屬、鹼土金屬或彼等的化合物。另外，亦可使用具有電子傳輸性且其中含有鹼金屬、鹼土金屬、鎂(Mg)或彼等的化合物的物質，例如其中含有鎂(Mg)的Alq等。
〈可用於電荷產生區域的材料〉
第一電荷產生區域1104c及第二電荷產生區域是包含高電洞傳輸性物質和受體物質的區域。另外，電荷產生區域可以在同一膜中含有高電洞傳輸性物質和受體物質，並亦可層疊包含高電洞傳輸性物質的層和包含受體物質的層。但是，在與陰極接觸所設置的第一電荷產生區域採用疊層結構的情況下，含有高電子傳輸性物質的層與陰極1102接觸。在與陽極接觸所設置的第二電荷產生區域採用疊層結構的情況下，含有受體物質的層與陽極1101接觸。
較佳的是，在電荷產生區域中添加受體物質，使得受體物質相對於高電洞傳輸性物質的質量比為0.1：1至4.0：1。
作為電荷產生區域的受體物質，較佳的是使用過渡金屬氧化物，尤其是屬於元素週期表第四族至第八族的金屬的氧化物。特定地，氧化鉬是特別較佳的。氧化鉬具有低吸濕性。
作為電荷產生區域的高電洞傳輸性物質，可使用各種有機化合物，諸如芳香胺化合物、咔唑衍生物、芳香烴、高分子化合物(其包括低聚物、樹狀聚合物、聚合體)等。特定地，使用具有10-6cm2/Vs或以上的電洞遷移率的物質較佳。但是，可使用只要是電洞傳輸性高於電子傳輸性的物質的上述以外的物質。
〈可用於電子中繼層的材料〉
電子中繼層1104b是能夠立即接收由受體物質在第一電荷產生區域1104c所抽出的電子的層。因此，電子中繼層1104b是包含高電子傳輸性物質的層，且其LUMO能階位於第一電荷產生區域1104c的受體物質的受體能階與發光單元1103的LUMO能階之間。特定地，設定為-5.0eV或以上且-3.0eV或以下較佳。
作為電子中繼層1104b的物質，可舉出例如二萘嵌苯衍生物和含氮稠合芳香化合物。另外，因為含氮稠環芳香化合物是穩定的化合物，所以作為用於電子中繼層1104b 的物質是較佳的。再者，藉由使用含氮稠環芳香化合物中具有氰基或氟基等電子吸引基的化合物，能使電子中繼層1104b的電子接收變得更容易，所以是較佳的。
二萘嵌苯衍生物的特定實例可舉出3,4,9,10-苝四羧酸二酐(縮寫：PTCDA)、3,4,9,10-苝四羧酸-二-苯並咪唑(縮寫：PTCBI)、N,N’-二辛基-3,4,9,10-苝四羧酸二醯亞胺(縮寫：PTCDI-C8H)、N,N’-二己基-3,4,9,10-苝四羧酸二醯亞胺(縮寫：Hex PTC)等。
含氮稠合芳香化合物的特定實例可舉出吡嗪並[2,3-f][1,10]鄰二氮雜菲-2,3-二腈(縮寫：PPDN)，2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮雜三亞苯(縮寫：HAT(CN)6)，2,3-二苯基吡啶並[2,3-b]吡嗪(縮寫：2PYPR)，2,3-雙(4-氟苯基)吡啶並[2,3-b]吡嗪(縮寫：F2PYPR)等。
作為電子中繼層1104b，亦可使用7,7,8,8-四氰基醌二甲烷(縮寫：TCNQ)、1,4,5,8-萘四甲酸二酐(縮寫：NTCDA)、全氟稠五苯、十六氟酞氰銅(縮寫：F16CuPc)、N,N’-雙(2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-十五烷氟辛基)-1,4,5,8-萘四羧酸二醯亞胺(縮寫：NTCDI-C8F)、3’,4’-二丁基-5,5”-雙(二氰基亞甲基)-5,5”-二氫-2,2’：5’,2”-三聯噻吩(縮寫：DCMT)及甲醇富勒烯(例如[6,6]-苯基C61酪酸甲酯)等。
〈可用於電子注入緩衝體的材料〉
電子注入緩衝體1104a是使電子更容易從第一電荷產生區域1104c注入發光單元1103的層。藉由在第一電荷產生區域1104c和發光單元1103之間設置電子注入緩衝體1104a，可降低兩者的注入障礙。
電子注入緩衝體1104a可使用鹼金屬、鹼土金屬、稀土金屬及彼等的化合物(鹼金屬化合物(包括氧化鋰等氧化物、鹵化物、碳酸鋰或碳酸銫等碳酸鹽)、鹼土金屬化合物(包括氧化物、鹵化物、碳酸鹽)或稀土金屬的化合物(包括氧化物、鹵化物、碳酸鹽))等高電子注入性物質。
在所形成的電子注入緩衝體1104a包含高電子傳輸性物質和施體物質的情況下，較佳地以相對於高電子傳輸性物質的質量比為0.001：1至0.1：1的比率添加施體物質。對此，作為施體物質，除了鹼金屬、鹼土金屬、稀土金屬及彼等的化合物(鹼金屬化合物(包括氧化鋰等氧化物、鹵化物、碳酸鋰或碳酸銫等碳酸鹽)、鹼土金屬化合物(包括氧化物、鹵化物、碳酸鹽)或稀土金屬的化合物(包括氧化物、鹵化物、碳酸鹽))以外，亦可使用四硫稠四苯(tetrathianaphthacene)(縮寫：TTN)、二茂鎳、十甲基二茂鎳等有機化合物。另外，作為高電子傳輸性物質，可使用與上述說明的可形成在發光單元1103的一部分的電子傳輸層的材料同樣的材料。
〈發光元件的製造方法〉
說明發光元件的製造方法的一實施態樣。藉由在第一電極上適當地組合上述層而形成EL。根據用於EL層的材料可採用各種方法(例如乾式法或濕式法)。例如，可採用真空蒸鍍法、噴墨法、旋塗法等。或者，亦可分別採用不同的方法以形成每個層。在EL層上形成第二電極以製造發光元件。
藉由組合上述材料，能製造本實施態樣所示的發光元件。從該發光元件能獲得來自上述發光物質的發光，且藉由改變發光物質的種類可得到各種發光顏色。
另外，可藉由使用發光顏色不相同的多個發光物質，擴大發光光譜的幅度，例如能夠得到白色發光。在得到白色發光的情況下，例如採用具備至少兩個包含發光物質的層的結構，並構成使每個層分別發射呈現互補色關係的顏色的光。作為具體的互補色關係，例如可舉出藍色與黃色、藍綠色與紅色等。
再者，在得到致色性良好的白色發光的情況下，較佳的是，使用發光光譜擴大到所有可見光區域的結構，例如，一個發光元件可包括發射藍光的層、發射綠光的層及發射紅光的層的結構。
本實施態樣可與本說明書所示的任一其他實施態樣適當地組合。
[實施態樣5]
本實施態樣說明本發明的一實施態樣的被動矩陣型發 光裝置。特定地，參照圖8A和8B，說明包括設有多個發光模組的發光面板的被動型發光裝置。該發光模組在第一基板和第二基板之間包括：設置在第一基板上的第一電極；與該第一電極之間設有含有發光性有機化合物的層的第二電極；及，在該第二電極上由液體材料形成的犧牲層。
在設置於本發明的實施態樣的被動矩陣型發光裝置中的發光模組的結構中，包含與雜質(諸如水和/或氧)反應或吸附雜質的材料且使用塗敷法(亦稱為濕式法)形成的犧牲層與第二電極接觸。藉由此結構，降低發光元件的可靠性的雜質優先地與犧牲層所含的材料反應或被其吸附，以使該雜質失去活性。結果是可提高發光模組的可靠性，從而可提供可靠性高的被動型發光裝置。
本發明的一實施態樣的發光模組具有犧牲層光學連接具有透光性的第二電極和具有透光性的第二基板的結構。藉由此結構，可抑制在第二電極至第二基板的光路中發光元件的光的折射率急劇變化(亦稱為折射率的臺階)，進而可從第二電極一側向第二基板有效地取出發光元件的發光。結果是可提高發光模組的發光效率，從而可提供可靠性高的被動型發光裝置。
本發明的一實施態樣所設置的被動矩陣型發光裝置的發光模組中，因間隔上的犧牲層的厚度薄，可抑制散設光。結果是可提高發光模組的發光效率，從而可提供可靠性高的發光裝置。
〈被動矩陣型的發光裝置〉
圖8A和8B示出本發明的一實施態樣的發光模組用於被動矩陣型發光裝置時的結構。圖8A描述發光裝置的透視圖，而圖8B是沿圖8A的線X-Y剖開的剖面圖。
被動矩陣型的發光裝置2500在基板2501上具備第一電極2502。此外，絕緣層2505覆蓋第一電極2502的端部，間隔層2506設置在絕緣層2505上。
此外，在發光元件上分別設置有透過紅色光的彩色濾光片2140R、透過綠色光的彩色濾光片2140G、及透過藍色光的彩色濾光片2140B。
發光裝置2500在第一電極2502上具有第二電極2503，在第一電極2502和第二電極2503之間設有含發光性有機化合物的層2504，藉以構成發光元件。作為發光元件的結構，例如可應用實施態樣4例示的發光元件的結構。此外，在第二電極2503上設置犧牲層2507。
本實施態樣例示的發光裝置的發光模組包括：在一對電極之間具有發射白色光的包含發光性有機化合物的層的發光元件；及與該發光元件重疊的彩色濾光片。
間隔層2506的側壁具有傾斜，該傾斜係一個側壁與另一側壁之間的距離隨著靠近基板表面逐漸變窄。亦即，沿著間隔層2506的短邊方向上的剖面為梯形，且底邊(朝向與絕緣層2505的面方向相同的方向，與絕緣層2505接觸的邊)短於頂邊(朝向與絕緣層2505的面方向 相同的方向，不與絕緣層2505接觸的邊)。如此，藉由設置間隔層2506可防止因串擾或類似者所產生的發光元件的缺陷。
本實施態樣可與本說明書所示的任一其他實施態樣適當地組合。
[實施態樣6]
本實施態樣說明本發明的一實施態樣的電子裝置。特定地，參照圖9A至9E，說明設有多個發光模組的發光面板的電子裝置。該發光模組在第一基板和第二基板之間包括：設置在第一基板上的第一電極；與該第一電極之間設有含發光性有機化合物的層的第二電極；及，在該第二電極上由液體材料形成的犧牲層。
在設置於本發明的實施態樣的電子裝置中的發光模組的結構中，包含與雜質(諸如水和/或氧)反應或吸附雜質的材料且使用塗敷法(亦稱為濕式法)形成的犧牲層與第二電極接觸。藉由此結構，降低發光元件的可靠性的雜質優先地與犧牲層所含的材料反應或被其吸附以使該雜質失去活性。結果是可提高發光模組的可靠性，從而可提供可靠性高的電子裝置。
本發明的一實施態樣的發光模組具有犧牲層光學連接具有透光性的第二電極和具有透光性的第二基板的結構。藉由此結構，可抑制在第二電極至第二基板的光路中發光元件的光的折射率急劇變化(亦稱為折射率的臺階)，而 可從第二電極一側向第二基板有效地取出發光元件的發光。結果是可提高發光模組的發光效率，從而可提供可靠性高的電子裝置。
本發明的一實施態樣的電子裝置的發光模組中，因間隔上的犧牲層的厚度薄，可抑制散設光。結果是可提高發光模組的發光效率，從而可提供可靠性高的電子裝置。
採用發光裝置的電子裝置的實例可舉出電視機組(亦稱為電視機或電視接收機)、用於電腦等的顯示器、數位相機、數位攝像機、數位相框、行動電話機(亦稱為行動電話、行動電話裝置)、可攜式遊戲機、可攜式資訊終端、音頻再生裝置、彈子機等大型遊戲機等。圖9A至9E示出此等電子裝置的具體實例。
圖9A示出電視機的一個實例。在電視機7100中，外殼7101組裝顯示部分7103。利用顯示部分7103顯示影像，將發光裝置可用於顯示部分7103。此外，此示出利用支架7105支撐外殼7101的結構。
可藉由利用外殼7101所具備的操作開關、另外提供的遙控器7110進行電視機7100的操作。藉由利用遙控器7110所具備的操作鍵7109，可以進行頻道及音量的操作，並且可以對在顯示部分7103上顯示的影像進行操作。此外，也可以採用在遙控器7110中設置顯示從該遙控器7110輸出的資訊的顯示部分7107的結構。
另外，電視機7100採用具備接收機、數據機等的結構。可以藉由接收機接收一般的電視廣播。再者，藉由數 據機連接到有線或無線方式的通信網路，能夠進行單向(從發送者到接收者)或雙向(在發送者和接收者之間或在接收者之間等)的資訊通信。
圖9B示出電腦，該電腦包括主體7201、外殼7202、顯示部分7203、鍵盤7204、外部連接埠7205、指向裝置7206等。此外，該電腦是藉由將發光裝置用於其顯示部分7203來製造的。
圖9C示出可攜式遊戲機的實例。該可攜式遊戲機由外殼7301和外殼7302的兩個外殼構成，並且藉由連接部7303可以開閉地連接。外殼7301組裝有顯示部7304，而外殼7302組裝有顯示部7305。另外，圖9C所示的可攜式遊戲機還具備揚聲器部7306、儲存介質插入部7307、LED燈7308、輸入單元(操作鍵7309、連接端子7310、感測器7311(包括測量如下因素的功能：力量、位移、位置、速度、加速度、角速度、轉動數、距離、光、液、磁、溫度、化學物質、聲音、時間、硬度、電場、電流、電壓、電力、輻射線、流量、濕度、斜率、振動、氣味或紅外線)、麥克風7312)等。當然，可攜式遊戲機的結構不侷限於上述結構，只要在顯示部7304和顯示部7305中的兩者或一方中使用發光裝置即可，而可以採用適當地設置有其他附屬設備的結構。圖9C所示的可攜式遊戲機具有如下功能：讀出儲存在儲存介質中的程式或資料並將其顯示在顯示部上；以及藉由與其他可攜式遊戲機進行無線通信而實現資訊共用。另外，圖9C所示的可攜式遊戲 機所具有的功能不侷限於此，而可以具有各種各樣的功能。
圖9D示出行動電話機的實例。行動電話機7400除了組裝在外殼7401的顯示部7402之外還具備操作按鈕7403、外部連接埠7404、揚聲器7405、麥克風7406等。另外，將發光裝置用於顯示部7402來製造行動電話機7400。
圖9D所示的行動電話機7400可以用手指等觸摸顯示部7402來輸入資訊。另外，可以用手指等觸摸顯示部7402來進行打電話或製作電子郵件等的操作。
顯示部7402主要有三種螢幕模式。第一模式是主要用於顯示影像的顯示模式。第二模式是主要用於輸入諸如文本的資訊的輸入模式。第三模式是混合顯示模式和輸入模式這兩種模式的顯示和輸入模式。
例如，在打電話或製作電子郵件的情況下，將顯示部7402設定為以文字輸入為主的文字輸入模式，並進行在螢幕上顯示的文字的輸入操作。在此情況下，較佳的是，在顯示部7402的螢幕的大多部分中顯示鍵盤或號碼按鈕。
另外，藉由在行動電話機7400內部設置具有陀螺儀和加速度感測器等檢測傾斜度的感測器的檢測裝置，判斷行動電話機7400的方向(縱向或橫向)，而可以對顯示部7402的螢幕顯示進行自動切換。
另外，藉由觸摸顯示部7402或對外殼7401的操作按 鈕7403進行操作，切換螢幕模式。或者，也可以根據顯示在顯示部7402上的影像的種類而切換螢幕模式。例如，當顯示在顯示部上的影像信號為動態影像的資料時，將螢幕模式切換成顯示模式，而當顯示在顯示部上的影像信號為文字資料時，將螢幕模式切換成輸入模式。
另外，當在輸入模式下藉由檢測出顯示部7402的光感測器所檢測的信號得知在一定期間內沒有顯示部7402的觸摸操作輸入時，也可以進行控制以將螢幕模式從輸入模式切換成顯示模式。
還可以將顯示部7402用作影像感測器。例如，藉由用手掌或手指觸摸顯示部7402，來拍攝掌紋、指紋等，而可以進行身份識別。另外，藉由將發射近紅外光的背光或發射近紅外光的傳感用光源用於顯示部，還可以拍攝手指靜脈、手掌靜脈等。
圖9E示出照明設備的一個實例。在照明設備7500中，作為光源本發明的一實施態樣的發光裝置7503a至7503d組裝在外殼7501中。照明設備7500可以安裝在天花板上或牆上等。
另外，因為本發明的一實施態樣的發光裝置的發光面板為薄膜狀，所以藉由將其貼在具有曲面的基體上，可實現具有曲面的發光裝置。此外，藉由將該發光裝置配置在具有曲面的外殼中，可實現具有曲面的電子裝置或照明設備。
本實施態樣可與本說明書所示的任一其他實施態樣適 當地組合。
100‧‧‧發光面板
106a‧‧‧導電層
106b‧‧‧導電層
107‧‧‧絕緣層
110‧‧‧基板
120‧‧‧基板
121a‧‧‧光學濾波器
121b‧‧‧光學濾波器
123‧‧‧遮光層
125‧‧‧外敷層
130‧‧‧犧牲層
140‧‧‧間隔
150a‧‧‧發光模組
150b‧‧‧發光模組
151a‧‧‧電極
151b‧‧‧電極
152a‧‧‧電極
152b‧‧‧電極
153a‧‧‧含有發光有機化合物的層
153b‧‧‧含有發光有機化合物的層
154a‧‧‧發光元件
154b‧‧‧發光元件

Claims (8)

  1. 一種發光裝置，其包含第一基板；與該第一基板對置的第二基板；介於該第一基板與該第二基板之間的發光元件，其中該發光元件包括在該第一基板上的第一電極、與該第一電極重疊的第二電極、及介於該第一電極與該第二電極之間的發光性有機化合物；及在該第二電極上且在該第二基板下的含有液晶材料的層，其中該含有液晶材料的層係由密封材料圍繞。
  2. 如申請專利範圍第1項之發光裝置，其中該層含有以氟為底質的惰性液體。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之發光裝置，其中該密封材料包含環氧為底質之樹脂。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之發光裝置，其中該密封材料係介於該第一基板與該第二基板之間。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之發光裝置，其中該第一基板或該第二基板係玻璃基板。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之發光裝置，其中該發光元件具有頂部發射結構。
  7. 如申請專利範圍第1或2項之發光裝置，其於該發光元件上另包含彩色濾光片。
  8. 如申請專利範圍第1或2項之發光裝置，其中該發光裝置係置入選自由電視、電腦、數位相機及行動電話 所構成之群組中一者。
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