TWI595592B - 基板處理裝置 - Google Patents

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TWI595592B
TWI595592B TW103116689A TW103116689A TWI595592B TW I595592 B TWI595592 B TW I595592B TW 103116689 A TW103116689 A TW 103116689A TW 103116689 A TW103116689 A TW 103116689A TW I595592 B TWI595592 B TW I595592B
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仲野彰義
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斯克林集團公司
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Description

基板處理裝置
本發明係關於一種對基板進行處理之基板處理裝置。作為處理對象之基板，例如包含半導體晶圓、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、FED(Field Emission Display)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板、太陽電池用基板等。
於半導體裝置及液晶顯示裝置等之製造步驟中，使用對半導體晶圓及液晶顯示裝置用玻璃基板等之基板進行處理之基板處理裝置。
日本專利特開2003-092343號公報中所記載之單片式的基板處理裝置，係具備水平保持基板而使該基板旋轉之旋轉夾頭、及朝保持於旋轉夾頭上之基板噴吐處理液之噴嘴。旋轉夾頭包含配置於基板周圍之複數個夾頭銷。旋轉夾頭係藉由將複數個夾頭銷抵壓在基板之周緣部，而以水平之姿勢保持基板。夾頭銷係由含碳之導電性材料所構成。
本發明者對以下情況進行了探討：當基板上表面以處理液被加以覆蓋時、或者當使被供給有處理液之基板進行乾燥時，於基板之上方使熱源發熱以促進基板之處理。
然而，由於夾頭銷係配置於基板之周圍，若熱源發熱，則不僅僅是對基板及處理液進行加熱，連夾頭銷也同時被加熱。因此，恐有夾頭銷之溫度超過軟化溫度而造成夾頭銷變形之虞。
此外，如日本專利特開2003-092343號公報所記載，為了防止基板帶電，普通之夾頭銷係由具有導電性之材料所形成。此種材料通常含有碳。因此，具有導電性之夾頭銷的外表面多為黑色。
由於黑色容易吸收光線，於熱源為燈之情況下，夾頭銷之溫度的上昇速度增高，恐有於短時間內造成夾頭銷變形之虞。雖然亦可考慮以陶瓷等之黑色以外的導電性材料形成夾頭銷，但若夾頭銷較基板還硬，恐有損傷基板之虞。
於此，本發明之目的之一在於，提供一種基板處理裝置，其可防止因加熱而造成之夾頭銷的變形，且可防止基板之損傷。
本發明之一實施形態，係提供一種基板處理裝置，其包含有：旋轉夾頭，其具有配置在基板周圍之複數個夾頭銷、藉由將上述複數個夾頭銷之各者加以抵壓在基板之周緣部而使基板以呈水平之姿勢加以把持在上述複數個夾頭銷之夾頭開閉機構、及使由上述複數個夾頭銷所把持之基板產生旋轉之旋轉馬達；處理液供給裝置，其將處理液供給至由上述旋轉夾頭所保持之基板；及熱源，其配置在由上述旋轉夾頭所保持之基板的上方，且上述複數個夾頭銷係具有：導電性構件，其包含有軟於基板且抵壓在基板之周緣部的把持部，由含碳之材料所形成，且在上述把持部抵壓在基板之周緣部的狀態下且在俯視下，為自基板之外周緣而突出至外側；及銷罩，其在俯視下將上述導電性構件之一部分(突出部)的全域加以覆蓋，該導電性構件係在上述把持部抵壓在基板之周緣部的狀態下且在俯視下，為自基板之外周緣 而突出至外側。
根據此構成，複數個夾頭銷之各者，係藉由夾頭開閉機構而抵壓在基板之周緣部。藉此，基板係藉由複數個夾頭銷被以水平姿勢把持。旋轉馬達係於複數個夾頭銷把持基板之狀態下使基板旋轉。處理液供給裝置係朝被複數個夾頭銷所把持之基板供給處理液。熱源係於被複數個夾頭銷所把持之基板的上方發熱。藉此，基板及基板上之處理液的至少一者，係藉由熱源被加熱。
複數個夾頭銷係包含具有導電性之導電性構件、及覆蓋導電性構件之銷罩。導電性構件係由含碳材料所形成，其具有導電性。導電性構件係包含抵壓在基板之周緣部的把持部。因此，於基板之旋轉中接觸於基板之部分(把持部)具有導電性。因此，可抑制或者防止因基板之旋轉而引起的基板之帶電、及因供給帶電之處理液而引起的基板之帶電等。而且，由於導電性構件之把持部較基板軟，因而可抑制或者防止因基板與導電性構件之接觸而損傷基板之情況。
此外，於複數個把持部抵壓在基板之周緣部的狀態下，導電性構件之一部分俯視為配置於基板之周圍。銷罩係俯視為覆蓋於突出部(導電性構件之一部分)的全域，該突出部係於複數個把持部被抵壓在基板之周緣部之狀態下俯視為自基板之外周緣朝外側突出者。因此，導電性構件之一部分，藉由銷罩而被自熱源隔絕而得到保護。此外，即使位於基板下方之導電性構件的其他部分俯視時自銷罩露出，此部分也可藉由基板而被自熱源隔絕而得到保護。因此，導電性構件整體被自熱源隔絕而得到保護。藉此，可防止因加熱而造成夾頭銷之變形。
本發明之一實施形態中，上述熱源係亦可包含有燈，該 燈係自基板之上方而朝向由上述夾頭銷所把持之基板發出光(包含可視光線及近紅外線之至少一者的電磁波)。上述銷罩之光反射率係亦可高於上述導電性構件。
根據此構成，燈係配置於被把持於旋轉夾頭之基板之上方。燈係朝基板發出光。藉此，光照射於基板上，將基板及基板上之處理液的至少一者加熱。覆蓋導電性構件之銷罩之光反射率，係較導電性構件之光反射率高。換言之，銷罩之光吸收率係較導電性構件之光吸收率低。因此，銷罩相較於導電性構件不容易被加熱，而溫度較導電性構件不容易上昇。因此，銷罩不僅可將來自燈之光隔絕而對導電性構件進行保護，還可抑制銷罩本身之溫度上昇。藉此，可抑制夾頭銷之溫度上昇。
本發明之一實施形態中，上述銷罩係亦可包含有白色(包含純白及乳白色)之外表面。上述銷罩之外表面的全域可為白色，也可僅一部分區域為白色。亦即，只要上述銷罩外表面之俯視時所可視見之區域為白色即可。
根據此構成，銷罩具有容易反射光之白色的外表面。相對於此，導電性構件係由含黑色之碳的材料所形成，其具有黑色之外表面。因此，銷罩之光反射率係較導電性構件之光反射率高。又，由於銷罩之外表面為容易反射光之白色，因而可減少銷罩所吸收之光的量，從而可有效率地抑制銷罩本身之溫度上昇。
本發明之一實施形態中，上述夾頭開閉機構係亦可使上述複數個夾頭銷移動在，上述把持部於基板之周緣部產生抵壓的緊閉位置與上述把持部自基板之周緣部產生分開的開放位置之間。上述銷罩係亦可包含有支撐部，該支撐部係自上述把持部而朝向斜下方延 伸，並且在上述把持部自基板之周緣部呈分開的狀態下，加以支撐基板之下表面周緣部。又，上述銷罩係亦可軟於基板。
根據此構成，夾頭開閉機構係使複數個夾頭銷於緊閉位置與開放位置之間移動。藉此，把持部係於把持部抵壓在基板之周緣部的位置與把持部自基板之周緣部分開的位置之間移動。銷罩係包含於把持部自基板之周緣部分開之狀態、即夾頭銷位於開放位置的狀態下支撐基板之下表面周緣部之支撐部。
支撐部係自把持部朝斜下方延伸。因此，若夾頭銷自開放位置移動至緊閉位置時，則把持部靠近基板之周緣部，並且支撐部使基板朝上方移動。藉此，把持部被抵壓在基板之周緣部，於是基板由複數個把持部所把持。此外，若夾頭銷自緊閉位置移動至開放位置時，則把持部自基板之周緣部遠離，同時支撐部使基板朝下方移動。藉此，於所有之把持部自基板之周緣部分開的狀態下，基板被支撐於複數個支撐部上。
由於支撐基板之下表面周緣部之支撐部係設於銷罩，因而相較於將支撐部設置於導電性構件之情況，可將導電性構件小型化。因此，可減少自熱源隔絕而應保護之部分(導電性構件之一部分)。又，由於與基板之下表面相互摩擦之支撐部係較基板柔軟，因而，藉由基板與銷罩之接觸，可抑制或者防止基板之損傷。藉此，可進一步提高藉由基板處理裝置所處理之基板的品質。
本發明之一實施形態中，上述銷罩係亦可為與上述導電性構件不同之構件。
根據此構成，導電性構件與銷罩係彼此不同之構件，且可相互組合。銷罩係與組合於導電性構件之導電性構件為不同之構 件，因而較銷罩係密接於導電性構件之外表面的塗佈層之情況，銷罩之形狀的自由度高。因而可容易增加銷罩之厚度。因此，藉由銷罩可更為減少自熱源傳遞至導電性構件之熱。藉此，可進一步抑制導電性構件之溫度上昇。
本發明之一實施形態中，上述銷罩係亦可包含有以至少將上述把持部之上表面加以覆蓋的方式將上述把持部加以收納之銷被覆部。上述銷罩係亦可形成有向內開口，該向內開口係自上述把持部至上述銷被覆部之外部為止而朝向內側延伸。
根據此構成，設於導電性構件之把持部，係收納於設置在銷罩之銷被覆部。銷被覆部之至少一部分係配置於把持部之上方，且覆蓋把持部之上表面。因此，銷罩可自熱源隔絕而對把持部之上表面進行保護。又，自把持部朝內側延伸至銷被覆部之外部的向內開口，係由銷罩形成，因而藉由使基板之周緣部進入向內開口內，可將把持部抵壓在基板之周緣部。因此，銷罩不會妨礙把持部對基板之把持，從而可自熱源隔絕而對把持部進行保護。
本發明之一實施形態中，上述銷罩係亦可形成有向外開口，該向外開口係自上述把持部至上述銷被覆部的外部為止而朝向外側延伸，且與於上述銷被覆部之內表面與上述把持部之外表面之間的間隙產生連結。
根據此構成，自把持部朝外側延伸至銷被覆部的外部之向外開口，係由銷罩所形成。如前述，由於導電性構件與銷罩係彼此不同之構件且相互組合，因而於銷被覆部之內表面與把持部之外表面之間產生有微小間隙。若處理液供給裝置朝基板供給處理液，則會有微量之處理液滲入此間隙之情況。向外開口係連設於銷被覆部之內表 面與把持部之外表面之間的間隙，且向外開放。因此，滲入銷被覆部與把持部之間的處理液，會朝向外開口移動，藉由旋轉夾頭之旋轉自向外開口朝外側排出。藉此，可減少夾頭銷內之處理液的殘留量，而可減低殘留液對基板造成之污染。
本發明之一實施形態中，上述向外開口係亦可於上下方向上較長於上述把持部。
根據此構成，向外開口係於上下方向上較把持部長，從而於向外開口確保充分之開口面積。因此，可自向外開口有效率地排出通過向內開口滲入銷罩內部之處理液。藉此，可減少夾頭銷內之處理液的殘留量，而可減低殘留液對基板造成之污染。
本發明之一實施形態中，上述向外開口係亦可向外開放且向下開放。
根據此構成，向外開口係向外開放並向下開放。向外開口內之處理液因重力朝下方流動於向外開口內。因此，於向外開口之下端被閉合之情況下，處理液蓄積於向外開口之下端。相對於此，於向外開口向下開放之情況下，流下至向外開口之下端的處理液，自向外開口朝下方排出。因此，可減少夾頭銷內之處理液的殘留量，而可減低殘留液對基板造成之污染。
本發明之一實施形態中，上述銷罩係亦可包含有密接於上述導電性構件之外表面的塗佈層。銷罩係可包含塗佈層及與導電性構件不同之構件(罩構件)，也可為整個銷罩係由塗佈層所構成。
根據此構成，導電性構件之外表面的至少一部分被塗佈，且藉由密接於導電性構件外表面之塗佈層所覆被。因此，導電性構件係藉由塗佈層而自熱源隔絕而被保護。藉此，可抑制導電性構件 之溫度上昇。又，由於塗佈層可容易將厚度減薄，因而可抑制夾頭銷之重量的增加。藉此，可抑制夾頭銷之慣性質量之增加。因此，可降低在基板之旋轉開始時旋轉馬達所施加於夾頭銷之力。
本發明之一實施形態中，上述基板處理裝置係亦可更進一步包含有控制上述旋轉夾頭、處理液供給裝置及熱源之控制裝置。在此情況下，上述控制裝置亦可執行以下之步驟：液膜形成步驟，其藉由於上述處理液供給裝置將處理液加以供給至基板，而形成將基板之上表面全域加以覆蓋之處理液的液膜；及加熱步驟，其於在上述液膜形成步驟中所形成之處理液的液膜位在基板上之狀態下，使上述熱源產生發熱。
此外，在上述基板處理裝置包含有上述控制裝置之情況下，上述控制裝置係亦可執行以下之步驟：處理液供給步驟，其一方面於上述旋轉夾頭使基板進行旋轉，一方面於上述處理液供給裝置將處理液加以供給至基板；乾燥步驟，其在朝向基板之處理液的供給為呈停止之狀態下，以較在上述處理液供給步驟中之旋轉速度為更大之旋轉速度，於上述旋轉夾頭使基板產生旋轉，藉此自基板將處理液加以除去，而使基板產生乾燥；及加熱步驟，其與上述乾燥步驟同步進行，使上述熱源產生發熱。
本發明之一實施形態中，上述導電性構件係亦可包含有軟於基板且抵壓在基板之周緣部的上述把持部、及比上述把持部剛性為較高且將上述把持部加以保持的保持部。
根據此構成，把持部及保持部係設置於導電性構件。把持部及保持部皆具有導電性。因此，藉由基板與把持部之接觸，可抑制或防止基板之帶電。又，接觸於基板之把持部係較基板軟，因而藉 由基板與導電性構件之接觸可抑制或防止基板之損傷。而且，保持把持部之保持部係較把持部之剛性高，因而可提高導電性構件整體之剛性。藉此，可減低夾頭銷之變形量。
本發明之前述內容或者其他之目的、特徵及功效，藉由參照所附之圖式及後述之實施形態之說明，自可明瞭。
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧處理單元
3‧‧‧控制裝置
4‧‧‧腔室
5‧‧‧旋轉夾頭
6‧‧‧處理液供給裝置
7‧‧‧加熱裝置
8‧‧‧杯部
8a‧‧‧上端部
9‧‧‧隔壁
10‧‧‧FFU(風機濾網單元)
11‧‧‧排氣管
12‧‧‧旋轉台
13‧‧‧夾頭銷
14‧‧‧夾頭開閉機構
14a‧‧‧驅動軸
15‧‧‧旋轉軸
16‧‧‧旋轉馬達
17‧‧‧第一藥液噴嘴
18‧‧‧第一藥液配管
19‧‧‧第一藥液閥
20‧‧‧第一藥液臂
21‧‧‧噴嘴移動裝置
22‧‧‧第二藥液噴嘴
23‧‧‧第二藥液配管
24‧‧‧第二藥液閥
25‧‧‧第二藥液臂
26‧‧‧噴嘴移動裝置
27‧‧‧清洗液噴嘴
28‧‧‧清洗液配管
29‧‧‧清洗液閥
30‧‧‧清洗液臂
31‧‧‧噴嘴移動裝置
32‧‧‧紅外線加熱器
32a‧‧‧照射面
33‧‧‧紅外線燈
34‧‧‧燈殼
35‧‧‧加熱器臂
36‧‧‧加熱器移動裝置
37‧‧‧導電性構件
38‧‧‧銷罩
39‧‧‧連結構件
39a‧‧‧頭部
39b‧‧‧軸部
40‧‧‧台部
41‧‧‧把持部
41a‧‧‧把持部之上表面
42‧‧‧收納槽
42a‧‧‧底
43‧‧‧上側槽內表面
44‧‧‧下側槽內表面
45‧‧‧上側傾斜面
46‧‧‧下側傾斜面
47‧‧‧向內開口
48‧‧‧台部被覆部
49‧‧‧下側上壁
50‧‧‧周壁
50a‧‧‧一端部
50b‧‧‧另一端部
51‧‧‧銷被覆部
52‧‧‧上側上壁
53‧‧‧側壁
53a‧‧‧外側部
53b‧‧‧下側部
54‧‧‧內側壁
55‧‧‧支撐部
56‧‧‧向外開口
57‧‧‧安裝孔
58‧‧‧陰螺紋孔
59‧‧‧保持部
60‧‧‧芯部
A1‧‧‧基板旋轉軸線
A2‧‧‧銷轉動軸線
A3‧‧‧加熱器轉動軸線
C1‧‧‧圓周方向
G1‧‧‧間隙
R1‧‧‧徑向
W‧‧‧基板
圖1為水平觀察本發明之一實施形態之基板處理裝置所具有之腔室內部之示意圖。
圖2為旋轉台及其關連構成之俯視示意圖。
圖3為沿圖2所示之III-III線所作之夾頭銷之剖視示意圖。
圖4為夾頭銷之俯視示意圖。
圖5為顯示把持部及銷被覆部之夾頭銷之立體示意圖。
圖6為沿圖4所示之VI-VI線所作之夾頭銷之剖視示意圖。
圖7為沿圖4所示之VII-VII線所作之夾頭銷之剖視示意圖。
圖8A為朝圖4所示之箭頭VIIIA之方向觀察夾頭銷之示意圖。
圖8B為朝圖4所示之箭頭VIIIB之方向觀察夾頭銷之示意圖。
圖8C為朝圖4所示之箭頭VIIIC之方向觀察夾頭銷之示意圖。
圖9為用以對藉由處理單元進行之基板的處理之一例進行說明之步驟圖。
圖10為本發明之其他實施形態之夾頭銷之剖視示意圖。
圖11為本發明之另一其他實施形態之夾頭銷之剖視示意圖。
圖1為水平觀察本發明之一實施形態之基板處理裝置1 所具有之腔室4內部之示意圖。圖2為旋轉台12及其關連構成之俯視示意圖。圖3為沿圖2所示之III-III線所作之夾頭銷13之剖視示意圖。如以下所作說明，夾頭銷13係可於緊閉位置與開放位置之間移動。以下，若無特別注明，皆是對夾頭銷13位於緊閉位置之狀態進行說明。
如圖1所示，基板處理裝置1係對半導體晶圓等之圓板狀之基板W一片一片地進行處理的單片式之裝置。基板處理裝置1包含：朝基板W供給處理液之複數個處理單元2；及對基板處理裝置1所具備之裝置的動作及閥之開閉進行控制之控制裝置3。
如圖1所示，各處理單元2係單片式之單元。各處理單元2包含：具有內部空間之箱形腔室4；於腔室4內以水平姿勢保持一片基板W，且使基板W繞通過基板W之中心之鉛直的基板旋轉軸線A1旋轉之旋轉夾頭5；朝保持於旋轉夾頭5之基板W供給處理液之處理液供給裝置6；且基板W之上方對保持於旋轉夾頭5之基板W加熱之加熱裝置7；及於基板旋轉軸線A1之周圍圍繞著旋轉夾頭5之筒狀杯部8。
如圖1所示，腔室4包含：收納旋轉夾頭5等之箱形隔壁9；自隔壁9之上部朝隔壁9內輸送清潔空氣(藉由過濾器過濾後之空氣)之作為送風單元之FFU10(風機濾網單元10)；及自杯部8之下部將腔室4內之氣體排出之排氣管11。FFU10係配置於隔壁9之上方。FFU10係自隔壁9之頂板向下朝腔室4內輸送清潔空氣。排氣管11連接於杯部8之底部，且將腔室4內之氣體朝設置有基板處理裝置1之工廠內所設置之排氣處理設備導引。因此，藉由FFU10及排氣管11形成朝下方流動於腔室4內之下向流(下降流)。基板W之處理係於在腔室4內形成下向流之狀態下進行。
如圖1所示，旋轉夾頭5包含：以水平姿勢所保持之圓板狀之旋轉台12；自旋轉台12之上表面外周部朝上方突出之複數個夾頭銷13；及使複數個夾頭銷13開閉之夾頭開閉機構14。旋轉夾頭5還包含：自旋轉台12之中央部沿基板旋轉軸線A1朝下方延伸之旋轉軸15；及藉由使旋轉軸15旋轉而使旋轉台12及夾頭銷13繞基板旋轉軸線A1旋轉之旋轉馬達16。
如圖2所示，旋轉台12之外徑係比基板W之直徑大。旋轉台12之中心線係配置於基板旋轉軸線A1上。複數個夾頭銷13係於旋轉台12之外周部被保持於旋轉台12上。複數個夾頭銷13係於圓周方向C1上(繞基板旋轉軸線A1之方向)隔開間隔而配置。夾頭銷13係於夾頭銷13抵壓在基板W之周端面的緊閉位置(圖2之位置)與夾頭銷13自基板W之周端面分開的開放位置之間，可相對於旋轉台12繞銷轉動軸線A2旋轉。如圖1所示，基板W係於基板W之下表面及旋轉台12之上表面在上下方向分離之狀態下，被複數個夾頭銷13所把持。並且，於此狀態下，若旋轉馬達16使旋轉軸15旋轉，則基板W與旋轉台12及夾頭銷13一起繞基板旋轉軸線A1旋轉。
如圖3所示，夾頭銷13包含：於緊閉位置上抵壓在基板W之周端面之把持部41；及於開放位置上支撐基板W之下表面周緣部之支撐部55。若夾頭銷13於緊閉位置與開放位置之間繞銷轉動軸線A2(與基板旋轉軸線A1平行之軸線)轉動，則把持部41及支撐部55水平移動，但於圖3中，為了便於說明，圖示基板W水平移動之情況。支撐部55係配置於把持部41之內側(靠近基板旋轉軸線A1之方向)。支撐部55之上表面係自把持部41朝斜下方內側延伸。若夾頭銷13配置於緊閉位置，則把持部41抵壓在基板W之周緣部，基板W之下表 面自支撐部55分開。另一方面，若夾頭銷13配置於開放位置，則把持部41自基板W之周緣部分開，基板W之下表面接觸於支撐部55。
控制裝置3係藉由控制夾頭開閉機構14，於複數個夾頭銷13把持基板W之緊閉狀態與將複數個夾頭銷13之對基板W的把持解除之開放狀態之間，對複數個夾頭銷13之狀態進行切換。當基板W被搬送至旋轉夾頭5時，控制裝置3係使各夾頭銷13退避至開放位置。控制裝置3係於此狀態下使搬送機器人將基板W載置於複數個夾頭銷13。藉此，各支撐部55之上表面接觸於基板W之下表面周緣部，基板W係於較旋轉台12之上表面更上方之支撐位置(圖3中之一點點劃線所示之位置)以水平姿勢被支撐。
於基板W被載置於複數個夾頭銷13後，控制裝置3使各夾頭銷13自開放位置朝緊閉位置移動。由於支撐部55之上表面係朝向把持部41向斜上延伸，因而於各夾頭銷13朝緊閉位置移動之過程中，基板W藉由複數個支撐部55被漸漸地抬起。又，於各夾頭銷13朝緊閉位置移動之過程中，把持部41靠近基板W之周端面。藉此，把持部41(具體而言，後述之上側槽內表面43及下側槽內表面44)被抵壓在基板W之周緣部，基板W在較支撐位置更上方之把持位置上(圖3中之二點點劃線所示之位置)被水平姿勢被把持。
如圖1所示，處理液供給裝置6包含：朝基板W之上表面噴吐第一藥液之第一藥液噴嘴17；連接於第一藥液噴嘴17之第一藥液配管18；介設於第一藥液配管18之第一藥液閥19；前端部安裝有第一藥液噴嘴17之第一藥液臂20；及藉由使第一藥液臂20移動，而使第一藥液之著液位置於基板W之上表面內移動之噴嘴移動裝置21。
若開啟第一藥液閥19，自第一藥液配管18供給於第一 藥液噴嘴17之第一藥液，會自第一藥液噴嘴17朝下方噴吐。若將第一藥液閥19閉合，則停止來自第一藥液噴嘴17之第一藥液的噴吐。噴嘴移動裝置21係藉由使第一藥液噴嘴17移動，以使第一藥液之著液位置於基板W之上表面內移動。又，噴嘴移動裝置21係於自第一藥液噴嘴17噴吐之第一藥液著液於基板W上表面之處理位置、與第一藥液噴嘴17俯視時退避至旋轉夾頭5周圍的退避位置之間，使第一藥液噴嘴17移動。
如圖1所示，處理液供給裝置6包含：朝基板W之上表面噴吐第二藥液之第二藥液噴嘴22；連接於第二藥液噴嘴22之第二藥液配管23；介設於第二藥液配管23之第二藥液閥24；前端部安裝有第二藥液噴嘴22之第二藥液臂25；及藉由使第二藥液臂25移動，而使第二藥液之著液位置於基板W之上表面內移動之噴嘴移動裝置26。
若開啟第二藥液閥24，自第二藥液配管23供給於第二藥液噴嘴22之第二藥液，會自第二藥液噴嘴22朝下方噴吐。若將第二藥液閥24閉合，則停止來自第二藥液噴嘴22之第二藥液的噴吐。噴嘴移動裝置26係藉由使第二藥液噴嘴22移動，使第二藥液之著液位置於基板W之上表面內移動。又，噴嘴移動裝置26係於自第二藥液噴嘴22噴吐之第二藥液著液於基板W上表面之處理位置、與第二藥液噴嘴22俯視時退避至旋轉夾頭5周圍的退避位置之間，使第二藥液噴嘴22移動。
第一藥液及第二藥液係種類互不相同之藥液。第一藥液係酸性，第二藥液係鹼性。第一藥液之具體例，係SPM(硫酸與過氧化氫水之混合液)、磷酸(濃度例如為80%以上、未滿100%之磷酸水溶液)、氟酸(氟氫酸)。第二藥液之具體例，係SC1(氨水與過氧化氫水與 水之混合液)。第一藥液之具體例，皆為自基板W除去薄膜及微粒等之不需要物質的除去液(蝕刻液或洗淨液)。此外，第一藥液之具體例，皆為除去能力隨溫度上昇而昇高之藥液。
如圖1所示，處理液供給裝置6係包含：朝基板W之上表面噴吐清洗液之清洗液噴嘴27；連接於清洗液噴嘴27之清洗液配管28；介設於清洗液配管28之清洗液閥29；前端部安裝有清洗液噴嘴27之清洗液臂30；及藉由使清洗液臂30移動，而使清洗液之著液位置於基板W之上表面內移動之噴嘴移動裝置31。
若開啟清洗液閥29，自清洗液配管28供給於清洗液噴嘴27之清洗液，會自清洗液噴嘴27朝下方噴吐。若將清洗液閥29閉合，則停止來自清洗液噴嘴27之清洗液之噴吐。噴嘴移動裝置31係藉由使清洗液噴嘴27移動，使清洗液之著液位置於基板W之上表面內移動。又，噴嘴移動裝置31係於自清洗液噴嘴27噴吐之清洗液著液於基板W上表面之處理位置、與清洗液噴嘴27退避至旋轉夾頭5周圍的退避位置之間，使清洗液噴嘴27移動。
供給於清洗液噴嘴27之清洗液，係純水(去離子水：Deionized Water)。供給於清洗液噴嘴27之清洗液不限為純水，也可為碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水、IPA(異丙醇)或稀釋濃度(例如為10~100ppm左右)之鹽酸水等。
如圖1所示，杯部8係配置於較保持在旋轉夾頭5之基板W更外側(自基板旋轉軸線A1分開之方向)。杯部8係圍繞旋轉台12。於旋轉夾頭5使基板W旋轉之狀態下，若將處理液供給於基板W，處理液會自基板W朝基板W之周圍飛散。於將處理液供給於基板W時，向上開放之杯部8的上端部8a係較旋轉台12配置於更上方。因 此，排出於基板W之周圍的藥液及清洗液等之處理液，可藉由杯部8承接。並且，由杯部8所承接之處理液，被輸送至未圖示之回收裝置或排液裝置。
如圖1所示，加熱裝置7係包含：配置於保持在旋轉夾頭5之基板W的上方之紅外線加熱器32；前端部安裝有紅外線加熱器32之加熱器臂35；及使加熱器臂35移動之加熱器移動裝置36。
如圖1所示，紅外線加熱器32係包含：發出含有紅外線之光的紅外線燈33；及收納紅外線燈33之燈殼34。紅外線燈33係配置於燈殼34內。如圖2所示，燈殼34俯視為比基板W小。因此，紅外線加熱器32俯視為較基板W小。紅外線燈33及燈殼34係安裝於加熱器臂35上。因此，紅外線燈33及燈殼34係與加熱器臂35一起移動。
紅外線燈33係鹵素燈。紅外線燈33係包含燈絲及收納燈絲之石英管。紅外線燈33可為碳加熱器，也可為鹵素燈及碳加熱器以外之發熱體。燈殼34之至少一部分，係由石英等之具有光穿透性及耐熱性的材料所形成。因此，若紅外線燈33發光，來自紅外線燈33之光，穿透燈殼34而自燈殼34之外表面放射。
如圖1所示，燈殼34係具有與基板W之上表面平行的底壁。紅外線燈33係配置於底壁上方。底壁之下表面係包含與基板W之上表面平行且平坦之照射面32a。於紅外線加熱器32配置於基板W上方之狀態下，燈殼34之照射面32a，係隔開間隔而於上下方向上與基板W之上表面對向。若紅外線燈33於此狀態下發光，含有紅外線之光會自燈殼34之照射面32a朝向基板W之上表面，照射於基板W的上表面。照射面32a例如為直徑小於基板W之半徑的圓形。照射面 32a不限為圓形，也可為長度方向之長度為基板W之半徑以上的矩形形狀，也可為圓形及矩形以外之形狀。
如圖1所示，加熱器移動裝置36係於規定之高度保持紅外線加熱器32。加熱器移動裝置36係藉由使加熱器臂35於旋轉夾頭5之周圍繞在上下方向延伸之加熱器轉動軸線A3轉動，而使紅外線加熱器32水平移動。藉此，照射有紅外線之照射位置(基板W之上表面內的一部分之區域)於基板W之上表面內移動。如圖2所示，加熱器移動裝置36係使紅外線加熱器32沿俯視為通過基板W之中心之圓弧狀的軌跡水平移動。因此，紅外線加熱器32係於包括旋轉夾頭5之上方的水平面內移動。此外，加熱器移動裝置36係藉由使紅外線加熱器32於鉛垂方向移動，以使照射面32a與基板W之距離變化。
來自紅外線加熱器32之光，係照射於基板W之上表面內的照射位置。控制裝置3係於紅外線加熱器32發出紅外線之狀態下，一面藉由旋轉夾頭5使基板W旋轉，一面藉由加熱器移動裝置36使紅外線加熱器32繞加熱器轉動軸線A3轉動。藉此，基板W之上表面係根據作為加熱位置之照射位置而進行掃描。因此，含有紅外線之光被基板W之上表面所吸收，輻射熱自紅外線燈33傳遞至基板W。因此，若於處理液等之液體被保持於基板W上之狀態下紅外線燈33發出紅外線，則基板W及處理液之溫度上昇。
圖4為夾頭銷13之俯視示意圖。圖5為顯示把持部41及銷被覆部51之夾頭銷13之立體示意圖。圖6為沿圖4所示之VI-VI線所作之夾頭銷13之剖視示意圖。圖7為沿圖4所示之VII-VII線所作之夾頭銷13之剖視示意圖。圖8A為朝圖4所示之箭頭VIIIA之方向觀察夾頭銷13之示意圖。圖8B為朝圖4所示之箭頭VIIIB之方向 觀察夾頭銷13之示意圖。圖8C為朝圖4所示之箭頭VIIIC之方向觀察夾頭銷13之示意圖。圖4、圖5、圖8A、圖8B及圖8C中，以交叉陰影線顯示導電性構件37。
如圖4所示，夾頭銷13包含：具有導電性之導電性構件37；覆蓋導電性構件37之銷罩38；及連結導電性構件37與銷罩38之連結構件39。
如圖4所示，導電性構件37、銷罩38及連結構件39，係配置於旋轉台12之上方。導電性構件37、銷罩38及連結構件39，係較旋轉台12之外周面配置於更靠內側。如圖6及圖7所示，導電性構件37、銷罩38及連結構件39，係分別為不同之構件。銷罩38係可拆裝地安裝於導電性構件37，且藉由連結構件39固定於導電性構件37。如圖7所示，導電性構件37係固定於自旋轉台12之上表面朝上方突出之夾頭開閉機構14之驅動軸14a上。驅動軸14a係於上下方向沿銷轉動軸線A2延伸。連結構件39係配置於驅動軸14a之上方。驅動軸14a係與導電性構件37一起繞銷轉動軸線A2轉動。藉此，導電性構件37、銷罩38及連結構件39，係於緊閉位置與開放位置之間繞銷轉動軸線A2成一體地被驅動。
導電性構件37係由較基板W軟且具有抗藥性及導電性之複合材料所形成。複合材料之具體例，係包含樹脂與碳之材料。導電性構件37可為交互地積層含有樹脂之樹脂材料及含碳之碳材料而成者，也可為藉由於內部分散有碳材料之樹脂材料所構成者。此外，導電性構件37內所含之碳，可為碳纖維(碳纖)，也可為碳粉或粒子。導電性構件37所含之樹脂之具體例，係PFA(tetrafluoro ethylene-perfluoro alkylvinyl ether copolymer)、PCTFE(Poly Chloro Tri Furuoro Ethylene)、 PTFE(polytetrafluoroethylene)、PEEK(polyetheretherketone)。該等樹脂均較基板W軟且具有抗藥性。
銷罩38係由較基板W軟且具有抗藥性之樹脂材料所形成。銷罩38內所含有之樹脂之具體例，係PTFE、ETFE(ethylenetetrafluoroethylene)、PEEK。該等樹脂皆較基板W軟且具有抗藥性。本實施形態中，銷罩38係由白色(含純白及乳白色)之PTFE所形成，其具有白色之外表面。如前述，由於導電性構件37內含有黑色之碳，因而導電性構件37的外表面係黑色。因此，銷罩38外表面之光(可視光線)的反射率係較導電性構件37外表面之光反射率高。換言之，銷罩38之外表面的光(可視光線)之吸收率係較導電性構件37外表面之光吸收率低。此外，若自光(可視光線)之反射率之面觀察，銷罩38外表面之反射率係較導電性構件37外表面之反射率高。
如圖4所示，銷罩38係配置於導電性構件37之上方。銷罩38係俯視為與導電性構件37重疊，導電性構件37之大部分俯視為被銷罩38所隱藏。導電性構件37之一部分(後述之上側傾斜面45)係俯視為自銷罩38露出，俯視時可視見。此導電性構件37之一部分，係於複數個夾頭銷13把持基板W之狀態下被基板W所隱藏之部分。因此，於複數個夾頭銷13把持基板W之狀態下，導電性構件37整體被基板W及銷罩38所隱藏。因此，於複數個夾頭銷13把持基板W之狀態下，即使紅外線加熱器32發出光線，來自紅外線加熱器32之光，仍會藉由基板W及銷罩38所遮蔽。
如圖6所示，導電性構件37係包含配置於旋轉台12之上方的台部40、及自台部40之上表面朝上方突出之把持部41。
如圖4所示，俯視下之台部40之面積，係較俯視時之 把持部41的面積大。台部40係與銷轉動軸線A2交叉。相對於此，把持部41不與銷轉動軸線A2交叉。因此，把持部41係配置於銷轉動軸線A2之周圍。如圖7所示，台部40係連結於夾頭開閉機構14之驅動軸14a。台部40係藉由夾頭開閉機構14而繞銷轉動軸線A2被驅動。台部40係與把持部41一起繞銷轉動軸線A2轉動。
如圖6所示，把持部41包含：形成具有朝內(圖6中為紙面之左側)開放之V字狀的縱剖面(於鉛垂面切斷之剖面)之收納槽42的2個槽內表面43、44；及自2個槽內表面43、44之下端(下側槽內表面44之內端)朝斜下方內側延伸之上側傾斜面45。2個槽內表面43、44包含：自收納槽42之底42a朝斜上方內側延伸之上側槽內表面43；及自收納槽42之底42a朝斜下方內側延伸之下側槽內表面44。
如圖6所示，上側槽內表面43及下側槽內表面44，係以彼此相等之大小且朝相互反向之方向相對於水平面傾斜。上側傾斜面45係較上側槽內表面43及下側槽內表面44配置於更下方。因此，上側傾斜面45係較收納槽42配置於更下方。上側傾斜面45係配置於下側槽內表面44之內側，且連接於下側槽內表面44。上側傾斜面45係以較下側槽內表面44之相對於水平面之傾斜角度小的角度相對於水平面傾斜。上側傾斜面45之徑向長度(朝徑向R1(與基板旋轉軸線A1正交之方向)的長度)，係較上側槽內表面43及下側槽內表面44之徑向長度更小。此外，如圖5所示，上側傾斜面45之周向長度，係與上側槽內表面43之周向長度相等，且與下側槽內表面44之周向長度相等。上側傾斜面45之周向長度，係較支撐部55之上表面(後述之下側傾斜面46)的周向長度更長。
如圖4及圖5所示，銷罩38係包含覆蓋台部40之台部 被覆部48、及覆蓋把持部41之銷被覆部51。
如圖6所示，台部被覆部48係與銷被覆部51為一體。銷被覆部51係自台部被覆部48朝上方延伸。台部40係收納於台部被覆部48內，把持部41係收納於銷被覆部51內。如圖5所示，銷罩38藉由銷被覆部51形成朝內開放之向內開口47。向內開口47係自把持部41朝內側延伸至銷被覆部51之外部。因此，把持部41係自向內開口47露出。向內開口47係連設於銷被覆部51之內表面與把持部41之外表面之間的間隙G1。
如圖4所示，台部被覆部48係包含配置於台部40上方之下側上壁49、及配置於台部40周圍之周壁50。
如圖4所示，下側上壁49俯視為與台部40之全域重疊。下側上壁49俯視為覆蓋整個台部40，台部40整體俯視為被台部被覆部48(下側上壁49)所隱藏。周壁50係自下側上壁49之外周部朝下方延伸。周壁50俯視為沿下側上壁49之外周部延伸。周壁50係具有一端部50a及另一端部50b且俯視為C字狀。周壁50之一端部50a係較銷被覆部51配置於更內側，周壁50之另一端部50b係較周壁50之一端部50a配置於更外側(亦一併參照圖8C)。周壁50之一端部50a與周壁50之另一端部50b，係形成後述之向外開口56的一部分。
如圖5所示，銷被覆部51包含：配置於把持部41之上方之上側上壁52；配置於圓周方向C1上之把持部41的兩側之2個側壁53；於圓周方向C1隔開間隔而配置於把持部41內側之2個內側壁54；及於2個內側壁54之間配置於把持部41內側之支撐部55。
如圖5所示，側壁53、內側壁54及支撐部55，係自台部被覆部48之上表面(下側上壁49之上表面)朝上方突出。各側壁53 之上端部，係較內側壁54及支撐部55配置於更上方。2個側壁53係於圓周方向C1隔開間隔而配置。上側上壁52係自一個側壁53之上端部朝另一側壁53之上端部延伸。上側上壁52係較內側壁54及支撐部55配置於更上方。內側壁54係自側壁53之內端部於圓周方向C1延伸至支撐部55。支撐部55係配置於收納槽42的內側，其周向長度係較上側上壁52之周向長度小。此外，如圖3及圖6所示，支撐部55係較收納槽42配置於更下方，且朝向收納槽42朝斜上延伸。因此，支撐部55之高度係隨著靠近收納槽42而增加。內側壁54之上端係較支撐部55之外端配置於更下方。
如圖8A、圖8B、圖8C所示，上側槽內表面43及下側槽內表面44，係配置於上側上壁52與支撐部55之間的高度。類似地，上側傾斜面45係配置於上側上壁52與支撐部55之間的高度。上側上壁52之內端，係配置於上側槽內表面43之內端的上方。收納槽42之底42a係較上側上壁52之內端配置於更外側。側壁53包含：較上側槽內表面43及下側槽內表面44配置於更外側之外側部53a；及較上側槽內表面43及下側槽內表面44配置於更下方之下側部53b。外側部53a係自下側部53b朝上方延伸至上側上壁52。外側部53a之內端係較上側槽內表面43及下側槽內表面44配置於更外側。因此，若於圓周方向C1水平地觀察收納槽42，收納槽42整體自銷罩38露出(參照圖8B)。因此，於把持部41把持基板W時，基板W與銷罩38不接觸。
如圖6所示，支撐部55係包含自上側傾斜面45之下端(上側傾斜面45的內端)朝斜下方內側延伸之下側傾斜面46。
如圖6所示，下側傾斜面46係較收納槽42配置於更下方。下側傾斜面46係配置於上側傾斜面45之內側，且連接於上側傾 斜面45。下側傾斜面46係以與上側傾斜面45之相對於水平面之傾斜角度相等之傾斜角度相對於水平面傾斜。下側傾斜面46之徑向長度係較上側傾斜面45之徑向長度更大。基板W之下表面周緣部係藉由下側傾斜面46所支撐。此外，下側傾斜面46係以朝斜下方內側延伸之方式傾斜，因而基板W係藉由下側傾斜面46以線接觸或點接觸所支撐。於基板W由複數個下側傾斜面46所支撐之狀態下，若夾頭銷13自開放位置朝緊閉位置移動，基板W之周緣部依序通過下側傾斜面46及上側傾斜面45移動於收納槽42內。藉此，上側槽內表面43及下側槽內表面44被抵壓在基板W之周緣部，且基板W藉由複數個夾頭銷13以水平姿勢被保持。
如圖8A、圖8B、圖8C所示，銷罩38藉由台部被覆部48及銷被覆部51形成朝外開放之向外開口56。
如圖8A、圖8B、圖8C所示，向外開口56係配置於向內開口47之外側。向外開口56係自把持部41朝外側延伸至銷被覆部51的外部。因此，向外開口56係配置於把持部41之外側。向外開口56係連設於銷被覆部51之內表面與把持部41之外表面之間的間隙G1。向外開口56係自較把持部41之上表面41a更上方之高度延伸至較把持部41更下方的高度為止。向外開口56係朝外開放並朝下側開放。向外開口56也可自與把持部41之一部分相等的高度延伸至較把持部41更下方的高度為止。
如圖7所示，連結構件39係包含配置於銷罩38上方之頭部39a、及自頭部39a朝下方延伸之軸部39b。
如圖7所示，頭部39a及軸部39b係配置於夾頭開閉機構14之驅動軸14a之上方。軸部39b係於上下方向沿銷轉動軸線A2 延伸。軸部39b係插入於在上下方向貫通銷罩38之下側上壁49之安裝孔57內。軸部39b係進而被螺栓鎖緊於設置在導電性構件37之台部40的陰螺紋孔58。銷罩38之一部分(下側上壁49之一部分)，係配置於連結構件39的頭部39a與導電性構件37之台部40之間，藉由連結構件39與導電性構件37於連結構件39之軸向(軸部39b的軸向)被鎖緊。藉此，將銷罩38固定於導電性構件37。
圖9為用以對藉由處理單元2進行之基板W的處理之一例進行說明之步驟圖。以下，參照圖1。並適宜地參照圖9。
以下，對處理矽基板之例子進行說明。基板W不限為矽基板，也可為例如碳化矽基板、藍寶石基板、氮化鎵基板、或砷化鎵基板等。
於藉由處理單元2對基板W進行處理時，進行將基板W搬入腔室4內之搬入步驟(圖9之步驟S1)。具體而言，控制裝置3係於所有之噴嘴自旋轉夾頭5上方退避之狀態下，使保持基板W之搬送機器人的機械手進入腔室4內。並且，控制裝置3藉由搬送機器人將基板W載置於複數個夾頭銷13上。然後，控制裝置3使搬送機器人之機械手自腔室4內退避。並且，於將基板W載置於複數個夾頭銷13上後，控制裝置3使各夾頭銷13自開放位置朝緊閉位置移動。然後，控制裝置3藉由旋轉馬達16開始基板W之旋轉。
其次，進行將第一藥液之一例即SPM供給於基板W之第一藥液供給步驟(圖9之步驟S2)。具體而言，控制裝置3藉由控制噴嘴移動裝置21，使第一藥液噴嘴17自退避位置移動至處理位置。藉此，將第一藥液噴嘴17配置於基板W之上方。然後，控制裝置3開啟第一藥液閥19，於第一藥液噴嘴17朝旋轉狀態之基板W的上表面 噴吐較室溫高溫(例如，140℃)之SPM。於此狀態下，控制裝置3藉由控制噴嘴移動裝置21，使SPM之對基板W之上表面之著液位置在中央部與周緣部之間移動。
自第一藥液噴嘴17噴吐之SPM，於著液於基板W之上表面後，藉由離心力沿基板W之上表面朝外側流動。因此，SPM被供給於基板W之上表面全域，於基板W上形成覆於基板W之上表面全域之SPM液膜。藉此，藉由SPM等將光阻膜等之異物自基板W除去。又，控制裝置3係於基板W旋轉之狀態下，使SPM之對基板W之上表面之著液位置在中央部與周緣部之間移動，因而SPM之著液位置通過基板W之上表面全域，對基板W之上表面全域進行掃描。因此，自第一藥液噴嘴17噴吐之SPM直接被吹在基板W之上表面全域，從而可對基板W之上表面全域均勻地進行處理。
接著，進行於停止朝基板W供給SPM之狀態下將SPM液膜保持於基板W上之旋攪(puddle)步驟(圖9之步驟S3)。具體而言，控制裝置3藉由控制旋轉夾頭5，於基板W之上表面全域被SPM液膜覆被之狀態下，使基板W之旋轉速度降低至較第一藥液供給步驟中的基板W之旋轉速度更小之低旋轉速度(例如，1~30rpm)。因此，作用於基板W上之SPM上的離心力減弱，於是自基板W上排出之SPM的量減少。控制裝置3於基板W以低旋轉速度旋轉之狀態下，將第一藥液閥19閉合，停止自第一藥液噴嘴17噴吐SPM。藉此，於停止朝基板W供給SPM之狀態下，覆被於基板W上表面全域之SPM的液膜被保持於基板W上。控制裝置3於停止朝基板W供給SPM之後，藉由控制噴嘴移動裝置21，使第一藥液噴嘴17自旋轉夾頭5的上方退避。
接著，與旋攪步驟同步進行對基板W及基板W上之 SPM進行加熱之加熱步驟(圖9之步驟S4)。具體而言，控制裝置3使來自紅外線加熱器32之發光開始。藉此，紅外線加熱器32之溫度(加熱溫度)上昇至較第一藥液(本處理例中為SPM)之沸點更高的溫度，且維持於此溫度。然後，控制裝置3藉由加熱器移動裝置36使紅外線加熱器32自退避位置移動至處理位置。於將紅外線加熱器32配置於基板W上方後，控制裝置3以紅外線之相對於基板W上表面的照射位置自中央部及周緣部的一者移動至另一者之方式，藉由加熱器移動裝置36使紅外線加熱器32水平移動。於藉由紅外線加熱器32對基板W之加熱進行了規定時間後，控制裝置3使紅外線加熱器32自基板W上方退避。然後，控制裝置3停止紅外線加熱器32之發光。又，上述紅外線加熱器32之發光及移動可同時進行，也可於移動後開始發光。
如此，由於控制裝置3係於使基板W旋轉之狀態下，使紅外線之對基板W上表面之照射位置自中央部及周緣部之一者移動至另一者，因而可均勻地對基板W進行加熱。因此，覆在基板W之上表面全域的SPM之液膜也被均勻加熱。紅外線加熱器32產生之對基板W之加熱溫度，係設定為SPM之該濃度下的沸點以上之溫度。因此，基板W上之SPM係被加熱至該濃度下之沸點為止。特別是，於紅外線加熱器32產生之對基板W之加熱溫度被設定為較SPM之該濃度下的沸點更高溫之情況下，基板W與SPM之界面的溫度，係維持為較沸點更高溫，以促進自基板W的異物除去。
接著，進行將基板W上之SPM排出之第一藥液排出步驟(圖9之步驟S5)。具體而言，控制裝置3係藉由控制旋轉夾頭5，於停止朝基板W供給液體之狀態下，以較旋攪步驟之基板W的旋轉速度更快之旋轉速度使基板W旋轉。藉此，較旋攪步驟時更大之離心力 被施加於基板W上之SPM，從而將基板W上之SPM甩開至基板W之周圍。因此，幾乎所有之SPM自基板W上排出。此外，飛散於基板周圍之SPM，係藉由杯部8所承接，且經由杯部8被導引至回收裝置或排液裝置。
然後，進行將清洗液之一例即純水供給於基板之第一清洗液供給步驟(圖9之步驟S6)。具體而言，控制裝置3藉由控制噴嘴移動裝置31，使清洗液噴嘴27自退避位置移動至處理位置。於清洗液噴嘴27被配置於基板之上方後，控制裝置3開啟清洗液閥29，於清洗液噴嘴27朝旋轉狀態之基板上表面噴吐純水。藉此，形成覆在基板上表面全域之純水的液膜，藉由純水對殘留在基板上之SPM進行沖洗。並且，若清洗液閥29開啟後經過了規定時間，控制裝置3將清洗液閥29閉合，停止純水之噴吐。然後，控制裝置3藉由控制噴嘴移動裝置31，使清洗液噴嘴27自基板上方退避。
接著，進行將第二藥液之一例即SC1供給於基板之第二藥液供給步驟(圖9之步驟S7)。具體而言，控制裝置3藉由控制噴嘴移動裝置26，使第二藥液噴嘴22自退避位置移動至處理位置。於第二藥液噴嘴22被配置於基板之上方後，控制裝置3開啟第二藥液閥24，於第二藥液噴嘴22朝旋轉狀態之基板上表面噴吐SC1。於此狀態下，控制裝置3藉由控制噴嘴移動裝置26，使SC1之對基板之上表面之著液位置在中央部與周緣部之間移動。並且，若第二藥液閥24開啟後經過了規定時間，控制裝置3將第二藥液閥24閉合，停止SC1之噴吐。然後，控制裝置3藉由控制噴嘴移動裝置26，使第二藥液噴嘴22自基板上方退避。
自第二藥液噴嘴22噴出之SC1，於著液於基板之上表 面後，藉由離心力沿基板之上表面朝外側流動。因此，基板上之純水，藉由SC1被朝外側沖洗，而排出於基板之周圍。藉此，基板上之純水的液膜，被置換為覆在基板之上表面全域之SC1之液膜。又，由於控制裝置3係於基板旋轉之狀態下，使SC1之對基板上表面之著液位置在中央部與周緣部之間移動，因而SC1之著液位置通過基板之上表面全域，對基板之上表面全域進行掃描。因此，自第二藥液噴嘴22噴吐之SC1直接被吹在基板之上表面全域，從而對基板之上表面全域均勻地進行處理。
接著，進行將清洗液之一例即純水供給於基板之第二清洗液供給步驟(圖9之步驟S8)。具體而言，控制裝置3藉由控制噴嘴移動裝置31，使清洗液噴嘴27自退避位置移動至處理位置。於清洗液噴嘴27被配置於基板之上方後，控制裝置3開啟清洗液閥29，於清洗液噴嘴27朝旋轉狀態之基板上表面噴吐純水。藉此，基板上之SC1，藉由純水被朝外側沖洗，而排出於基板之周圍。因此，基板上之SC1的液膜，被置換為覆在基板之上表面全域之純水之液膜。並且，若清洗液閥29開啟後經過了規定時間，控制裝置3將清洗液閥29閉合，停止純水之噴吐。然後，控制裝置3藉由控制噴嘴移動裝置31，使清洗液噴嘴27自基板上方退避。
接著，進行使基板乾燥之乾燥步驟(圖9之步驟S9)。具體而言，控制裝置3藉由旋轉夾頭5使基板之旋轉加速，以較自第一藥液供給步驟至第二清洗液供給步驟為止之旋轉速度大的高旋轉速度(例如，數千rpm)使基板旋轉。藉此，基板上之液體被施加有較大之離心力，進而將附著於基板上之液體朝基板之周圍甩開。如此，從基板除去液體而對基板進行乾燥。而且，若基板之高速旋轉開始後經過了 規定時間，控制裝置3藉由控制旋轉馬達16，使藉由旋轉夾頭5進行之基板之旋轉停止。
然後，進行自腔室4內搬出基板之搬出步驟(圖9之步驟S10)。具體而言，控制裝置3使各夾頭銷13自緊閉位置移動至開放位置，解除藉由旋轉夾頭5對基板之把持。然後，於所有之噴嘴自旋轉夾頭5上方退避之狀態下，控制裝置3使搬送機器人之機械手進入腔室4內。並且，控制裝置3使搬送機器人之機械手保持旋轉夾頭5上之基板。然後，控制裝置3使搬送機器人之機械手自腔室4內退避。藉此，將處理完之基板自腔室4內搬出。
如上述，本實施形態中，於各夾頭銷13設置有具有導電性之導電性構件37及覆蓋導電性構件37之銷罩38。導電性構件37係由含碳之材料所形成，且具有導電性。導電性構件37係包含抵壓在基板周緣部之把持部41。因此，於基板之旋轉中接觸於基板之部分(把持部41)，係具有導電性。因此，可抑制或者防止因基板之旋轉而引起的基板之帶電、及因供給帶電之處理液而引起的基板之帶電等。而且，由於導電性構件37較基板軟，因而可抑制或者防止因基板與導電性構件37之接觸而損傷基板之情況。
此外，於複數個把持部41被抵壓在基板之周緣部的狀態下，導電性構件37之一部分俯視為配置於基板之周圍。銷罩38係俯視為覆蓋於突出部(導電性構件37之一部分)的全域，該突出部係於複數個把持部41抵壓在基板周緣部之狀態下俯視為自基板之外周緣朝外側突出者。因此，導電性構件37之一部分係藉由銷罩38被自熱源隔絕而得到保護。此外，即使位於基板下方之導電性構件37的其他部分，俯視為自銷罩38露出，此部分也可藉由基板而被自熱源隔絕而得 到保護。因此，導電性構件37整體被自熱源隔絕而得到保護。藉此，可防止因加熱造成之夾頭銷13之變形。
此外，本實施形態中，紅外線燈33係配置於被旋轉夾頭5所把持之基板的上方。紅外線燈33朝基板發出光。藉此，光照射於基板上，將基板及基板上之處理液的至少一者加熱。覆蓋導電性構件37之銷罩38之光反射率，係較導電性構件37之光反射率高。因此，銷罩38相較於導電性構件37不容易被加熱，且溫度較導電性構件37不容易上昇。因此，銷罩38不僅可將來自紅外線燈33的光隔絕而對導電性構件37進行保護，還可抑制銷罩38本身之溫度上昇。藉此，可抑制夾頭銷13之溫度上昇。
此外，本實施形態中，銷罩38係具有容易反射光之白色的外表面。相對於此，導電性構件37係由含黑色之碳的材料所形成，其具有黑色之外表面。因此，銷罩38之光反射率係較導電性構件37之光反射率高。又，由於銷罩38之外表面為容易反射光之白色，因而可減少銷罩38所吸收之光的量，從而可有效率地抑制銷罩38本身之溫度上昇。
此外，本實施形態中，支撐基板之下表面周緣部之支撐部55係設於銷罩38。因此，相較於將支撐部55設置於導電性構件37之情況，可將導電性構件37小型化。因此，可減少自熱源隔絕而應保護之部分(導電性構件37之一部分)。又，由於與基板之下表面摩擦之支撐部55係較基板柔軟，因而，藉由基板與銷罩38之接觸，可抑制或者防止基板之損傷。藉此，可進一步提高藉由基板處理裝置1所處理之基板的品質。
本實施形態中，導電性構件37與銷罩38係彼此不同之 構件，且相互組合。銷罩38係與組合於導電性構件37之導電性構件37為不同之構件，因而較銷罩38係密接於導電性構件37外表面之塗佈層之情況，銷罩38之形狀的自由度高。因而可容易增加銷罩38之厚度。因此，藉由銷罩38可更為減少自熱源傳遞至導電性構件37之熱。藉此，可進一步抑制導電性構件37之溫度上昇。
此外，本實施形態中，設於導電性構件37之把持部41係收納於設置在銷罩38之銷被覆部51。銷被覆部51之至少一部分係配置於把持部41之上方，且覆蓋把持部41之上表面41a。因此，銷罩38可自熱源隔絕而對把持部41之上表面41a進行保護。又，自把持部41朝內側延伸至銷被覆部51之外部的向內開口47，係由銷罩38所形成，因而藉由使基板之周緣部進入向內開口47內，可將把持部41抵壓在基板之周緣部。因此，銷罩38不會妨礙把持部41對基板之把持，從而可自熱源隔絕而對把持部41進行保護。
此外，本實施形態中，自把持部41朝外側延伸至銷被覆部51外部之向外開口56，係由銷罩38所形成。如前述，由於導電性構件37與銷罩38係彼此不同之構件，且相互組合，因而於銷被覆部51之內表面與把持部41之外表面之間產生有微小間隙G1(例如，2mm左右以下之間隙)。若處理液供給裝置6將處理液供給至基板，會有微量之處理液滲入此間隙G1之情況。向外開口56係連設於銷被覆部51之內表面與把持部41之外表面之間的間隙G1，且向外開放。因此，滲入銷被覆部51與把持部41之間的處理液，朝向外開口56移動，自向外開口56朝外側排出。藉此，可減少夾頭銷13內之處理液的殘留量，進而可減低殘留液對基板造成之污染。
此外，本實施形態中，向外開口56係於上下方向上較 把持部41更長，從而於向外開口56確保有充分之開口面積。因此，可自向外開口56有效率地排出通過向內開口47而滲入銷罩38內部之處理液。藉此，可減少夾頭銷13內之處理液的殘留量，進而可減低殘留液對基板造成之污染。
此外，本實施形態中，向外開口56係向外開放並向下開放。向外開口56內之處理液因重力而朝下方流動於向外開口56內。因此，於向外開口56之下端被閉合之情況下，處理液蓄積於向外開口56之下端。相對於此，於向外開口56向下開放之情況下，流下至向外開口56下端的處理液，自向外開口56朝下方排出。因此，可減少夾頭銷13內之處理液的殘留量，進而可減低殘留液對基板造成之污染。
以上對本發明之實施形態進行了說明，惟本發明不限於上述實施形態之內容，也可於本發明之範圍內進行各種之變更。
例如，上述實施形態中，對接觸於基板之下表面周緣部之支撐部55被設於銷罩38的情況進行了說明，但支撐部55也可設置於導電性構件37。
此外，上述實施形態中，對導電性構件37之一部分俯視為自銷罩38露出之情況進行了說明，但也可為銷罩38俯視為覆蓋整個導電性構件37，導電性構件37整體俯視為被銷罩38所隱藏。
此外，如圖10所示，導電性構件37係除了把持部41也可包含剛性較把持部41高且用以保持把持部41之保持部59。
如圖10所示，把持部41及保持部59係不同之構件。把持部41係由較基板W軟且具有抗藥性及導電性之上述複合材料所形成。保持部59係由較把持部41硬且具有抗藥性及導電性之材料所形成。
於把持部41由含碳及PFA之複合材料所形成之情況下，保持部59係由SiC(碳化矽)等之導電性陶瓷所形成。保持部59可為碳之燒結體，也可為由二氧化鋯(ZrO2)等之SiO以外之導電性陶瓷所形成。
如圖10所示，保持部59係包含前述之台部40、及自台部40朝上方延伸之芯部60。把持部41係配置於台部40之上方。芯部60係插入設置於把持部41之插入孔中。把持部41係圍繞芯部60之全周。芯部60之上端係較收納槽42之底42a配置於更上方。如圖10所示，芯部60之上端可配置於與把持部41之上表面41a相等之高度，也可配置於把持部41之上表面41a與收納槽42之底42a之間的高度。於夾頭銷13位於緊閉位置時，芯部60係位於基板W之周圍。
圖10所示之構成中，把持部41及保持部59係設置於導電性構件37。把持部41及保持部59皆具有導電性。因此，可抑制或防止基板W之帶電。又，接觸於基板W之把持部41係較基板W軟，因而藉由基板W與導電性構件37之接觸可抑制或防止基板W之損傷。而且，保持把持部41之保持部59係較把持部41之剛性高，因而可提高導電性構件37整體之剛性。藉此，可減低夾頭銷13之變形量。特別是可藉由保持部59之芯部60來補強把持部41，因而可有效地抑制把持部41之變形。
此外，上述實施形態中，對將基板及處理液之至少一者加熱之熱源為包含紅外線燈33之紅外線加熱器32的情況進行了說明，但也可將藉由通電而發熱之包含電熱絲之電阻加熱器、或吹送較室溫更高溫之熱風的送風機作為熱源而使用。
此外，上述實施形態中，對銷罩38與導電性構件37為 不同之構件的情況進行了說明，但如圖11所示，銷罩38之全部或一部分也可為密接於導電性構件37之外表面的塗佈層。塗佈層係可容易將厚度形成為較與導電性構件37不同之其他構件更薄。因此，於銷罩38包含塗佈層之情況下，可抑制夾頭銷13之重量的增加。藉此，可抑制夾頭銷13之慣性質量之增加。
此外，上述實施形態中，對在紅外線加熱器32之發光被停止之狀態下進行乾燥步驟之情況進行了說明，但控制裝置3也可與乾燥步驟同步使紅外線加熱器32對基板及基板上之液體進行加熱。於此情況下，控制裝置3可以光之相對於基板上表面的照射位置於基板之上表面內移動之方式使紅外線加熱器32移動，也可於使紅外線加熱器32靜止之狀態下使紅外線加熱器32發光。於任一情況下`，由於藉由基板及液體之加熱而促進液體之蒸發，因而可縮短至基板乾燥為止之時間。
此外，上述實施形態中，對第一藥液噴嘴17、第二藥液噴嘴22及清洗液噴嘴27係安裝於不同之臂上的情況進行了說明，但也可將第一藥液噴嘴17、第二藥液噴嘴22及清洗液噴嘴27中之2個以上安裝於共同之臂上。此外，上述實施形態中，對紅外線加熱器32被安裝於加熱器臂35之情況進行了說明，但紅外線加熱器32也可安裝於保持第一藥液噴嘴17、第二藥液噴嘴22及清洗液噴嘴27中之至少一個臂上。
此外，上述實施形態中，對基板處理裝置1係用以處理圓板狀之基板之裝置的情況進行了說明，但基板處理裝置1也可為對液晶顯示裝置用基板等之多角形的基板進行處理之裝置。
此外，也可將上述所有之實施形態中的2個以上組合。
本申請案係與2013年5月13日向日本專利廳提出申請之特願2013-101532號、及2014年1月24日向日本專利廳提出申請之特願2014-011684號對應，且該等申請案之所有揭示皆藉由引用而組入於本說明書中。
以上，對本發明之實施形態進行了詳細說明，但該等說明僅僅是為了瞭解本發明之技術內容而使用之具體例而已，不應解釋為本發明係限定於該等之具體例，本發明之精神及範圍只能由所附之申請專利範圍所限制。
12‧‧‧旋轉台
13‧‧‧夾頭銷
37‧‧‧導電性構件
38‧‧‧銷罩
39‧‧‧連結構件
39a‧‧‧頭部
40‧‧‧台部
41‧‧‧把持部
41a‧‧‧把持部之上表面
42‧‧‧收納槽
45‧‧‧上側傾斜面
46‧‧‧下側傾斜面
48‧‧‧台部被覆部
49‧‧‧下側上壁
50‧‧‧周壁
50a‧‧‧一端部
50b‧‧‧另一端部
51‧‧‧銷被覆部
52‧‧‧上側上壁
53‧‧‧側壁
54‧‧‧內側壁
55‧‧‧支撐部
A2‧‧‧銷轉動軸線
C1‧‧‧圓周方向
R1‧‧‧徑向
W‧‧‧基板

Claims (9)

  1. 一種基板處理裝置，其包含有：旋轉夾頭，其具有配置在基板周圍之複數個夾頭銷、藉由將上述複數個夾頭銷之各者加以抵壓在基板之周緣部而使基板以呈水平之姿勢加以把持在上述複數個夾頭銷之夾頭開閉機構、及使由上述複數個夾頭銷所把持之基板產生旋轉之旋轉馬達；處理液供給裝置，其將處理液供給至由上述旋轉夾頭所保持之基板；及熱源，其配置在由上述旋轉夾頭所保持之基板的上方，且上述複數個夾頭銷係具有：導電性構件，其包含有軟於基板且抵壓在基板之周緣部的把持部，由含碳之材料所形成，且在上述把持部抵壓在基板之周緣部的狀態下且在俯視下，為自基板之外周緣而突出至外側；及銷罩，其包含在俯視下至少覆蓋上述把持部之上表面的銷被覆部，與上述導電性構件為不同之構件，且在俯視下將上述導電性構件之一部分的全域加以覆蓋，該導電性構件係在上述把持部抵壓在基板之周緣部的狀態下且在俯視下，為自基板之外周緣而突出至外側，上述夾頭開閉機構係使上述導電性構件與上述銷罩一起移動在上述把持部於基板之周緣部產生抵壓的緊閉位置與上述把持部自基板之周緣部產生分開的開放位置之間。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述熱源係包含有燈，該燈係自基板之上方而朝向由上述夾頭銷所把持之基板發出光，上述銷罩之光反射率係高於上述導電性構件。
  3. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中，上述銷罩係包含 有白色之外表面。
  4. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述銷罩係包含有支撐部，該支撐部係自上述把持部而朝向斜下方延伸，並且在上述把持部自基板之周緣部呈分開的狀態下，加以支撐基板之下表面周緣部，且較軟於基板。
  5. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述銷罩係形成有向內開口，該向內開口係自上述把持部至上述銷被覆部之外部為止而朝向內側延伸。
  6. 如申請專利範圍第5項之基板處理裝置，其中，上述銷罩係形成有向外開口，該向外開口係自上述把持部至上述銷被覆部的外部為止而朝向外側延伸，且與於上述銷被覆部之內表面與上述把持部之外表面之間的間隙產生連結。
  7. 如申請專利範圍第6項之基板處理裝置，其中，上述向外開口係於上下方向上較長於上述把持部。
  8. 如申請專利範圍第6項之基板處理裝置，其中，上述向外開口係向外開放且向下開放。
  9. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述導電性構件係包含有軟於基板且抵壓在基板之周緣部的上述把持部、及硬於上述把持部且將上述把持部加以保持的保持部。
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