TWI593765B - 低燒製溫度之銅組合物 - Google Patents

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Description

低燒製溫度之銅組合物 【相關申請】
本申請要求於2012年9月10日申請之美國臨時申請號61/699,008之權益，該申請以引用之方式併入本文。
本申請係關於一種特別在LED技術中使用的用於在介電層上形成導電引線的低燒製溫度之銅導電漿料組合物。更具體而言，該漿料組合物可用於發光二極體系統之製造，藉此本發明之漿料被沈積至介電層上，該介電層被沈積至導熱基板(例如鋁金屬或鋁合金)上，從而形成導電引線。本發明亦係關於一種在富氮氣氛中燒製銅漿料、介電層及熱基板總成之方法。
發光二極體(LED)係用於各種各樣應用中之半導體光源，該等應用包括(僅舉幾例)普通照明、街道照明及汽車照明。LED藉由電致發光效應發光，藉此材料(通常為半導體)中之電子與電洞重組，從而導致電子以光子或光之形式發出能量。LED優於白熾光源，因為其消耗更少能量、具有更長壽命、發出更強光輸出且尺寸更小。
維持LED長壽命的一個影響因素為溫度調節。使大功率LED經受更高的結溫(junction temperature)(有時可達150℃)，會導致對材料之應力。因此，LED效能係為溫度依賴性。構造LED封裝以調節其溫度之一種方式係為使用熱基板。現今製造之大多數大功率/高亮度(HP/HB) 之LED電路係基於金屬芯印刷電路板(MCPCB)技術。MCPCB系統由充當電路層之銅箔、聚合物介電層及充當熱基板之鋁抑或銅基層組成。鋁或銅基板具有極好導熱性且提供遠離電路系統之熱耗散。該聚合物介電層使銅箔與熱基板電絕緣，同時亦具有良好導熱性以允許熱被傳遞至熱基板。
MCPCB系統通常係使用減成法(subtractive process)來製造，藉此銅箔、介電層及熱基板被層壓於一起，且接著銅箔被化學蝕刻以產生所需的電圖案，從而形成電路層。此方法可能昂貴，因為其為勞動密集型且在銅蝕刻過程中存在大量材料浪費。
因此，需要易於製造、具有最佳熱耗散特性且減少由電引線之形成所引起的材料浪費量之導電組分。其亦較佳引起高導電性的密集燒製之引線之形成。用於電路系統之材料較佳能夠在低於約610℃之溫度下進行加工，因為鋁基板在高於620℃之溫度下開始變形。此外，電路系統應良好地黏附至介電層。最後，理想LED系統較佳在各種各樣環境條件(包括汽車及室外使用)下皆表現良好。
本發明係關於一種包含銅組分、玻璃粉、及有機載體之導電漿料。根據一實施例，該銅組分包含具有不同表面積之兩種類型之銅粒子。較佳地，該銅組分包含比表面積為約0.15m2/g至1.0m2/g之第一銅粒子及比表面積為約0.5m2/g至2.5m2/g之第二銅粒子。更佳地，該等第一銅粒子具有約0.15m2/g至0.5m2/g且甚至更佳約0.15m2/g至0.35m2/g之比表面積。根據另一較佳實施例，該等第二銅粒子具有約0.5m2/g至1.5m2/g、更佳約0.9m2/g至1.3m2/g之比表面積。
根據一實施例，該等第一銅粒子具有小於2微米之平均粒度，且該等第二銅粒子具有約2.5微米至4.7微米之平均粒度。根據一實施例， 該等第一銅粒子為該漿料之約60重量%至80重量%，且該等第二銅粒子可達該漿料之約20重量%。根據較佳實施例，該等第一銅粒子為該漿料之約70重量%，且該等第二銅粒子為該漿料之約10重量%。
根據本發明之另一實施例，該玻璃粉包含實質上無鉛之氧化物。根據一實施例，該玻璃粉包含硼-鋅-鋇氧化物。該玻璃粉可為該漿料之約1重量%至10重量%。
該有機載體可包含黏合劑及有機溶劑。根據一實施例，該有機載體包含丙烯酸黏合劑及texanol。該有機載體可為該漿料之約10重量%至30重量%。
根據本發明之另一實施例，該漿料進一步包含氧化銅。該氧化銅可為該漿料之約0.5重量%至3重量%。
本發明亦係關於一種導電漿料，其包含約60重量%至95重量%之銅粒子、包含硼-鋅-鋇氧化物之玻璃粉、及有機載體。
根據一實施例，該玻璃粉為該漿料之約1重量%至5重量%。該有機載體可包含黏合劑及有機溶劑。根據一實施例，該有機載體包含丙烯酸黏合劑及texanol。該有機載體可為該漿料之約1重量%至20重量%。在另一實施例中，該漿料進一步包含氧化銅。該氧化銅可為該漿料之約0.5重量%至3重量%。
本發明亦係關於一種形成導電電路之方法，該方法包括以下步驟：沈積導電漿料以形成用於導電引線之圖案，其中該導電漿料包含銅組分、及玻璃粉及有機載體，該銅組分包含比表面積為0.15m2/g至1.0m2/g之第一銅粒子及比表面積為0.5m2/g至2.5m2/g之第二銅粒子(諸如上所述之彼等者)。接著例如藉由使該導電引線較佳在氮氣氛中經受約540℃至610℃之峰值溫度而將其燒製。該氮氣氛可包含氧，例如約0.5ppm至20ppm之氧。在一實施例中，該溫度被保持於峰值溫度歷時約8至10分鐘。
根據一實施例，該氮氣氛包含約1ppm至10ppm之氧。在另一實施例中，該氮氣氛包含約2ppm至3ppm之氧。
根據一實施例，將該導電引線經約25至28分鐘自室溫加熱至約540℃至610℃之峰值溫度、保持於峰值溫度歷時8至10分鐘且經約14至16分鐘冷卻至室溫。
根據另一實施例，該等第一銅粒子具有約0.15m2/g至0.5m2/g、較佳約0.15m2/g至0.35m2/g之比表面積。在另一實施例中，該等第二銅粒子具有約0.5m2/g至1.5m2/g、較佳約0.9m2/g至1.3m2/g之比表面積。在另一實施例中，該等第一銅粒子具有小於2微米之平均粒度。在又一實施例中，該等第二銅粒子具有約2.5微米至4.7微米之平均粒度。根據另一實施例，該等第一銅粒子為該漿料之約60重量%至80重量%，較佳為該漿料之約70重量%。在另一實施例中，該等第二銅粒子可達該漿料之約20重量%，較佳為該漿料之約10重量%。
根據另一實施例，該玻璃粉包含實質上無鉛之氧化物。在另一實施例中，該玻璃粉包含硼-鋅-鋇氧化物。在一實施例中，該玻璃粉為該漿料之約1重量%至10重量%。
該有機載體可包含黏合劑及有機溶劑。在一實施例中，該有機載體包含丙烯酸黏合劑及texanol。在另一實施例中，該有機載體為該漿料之約10重量%至30重量%。
根據另一實施例，該漿料進一步包含氧化銅。在一實施例中，該氧化銅為該漿料之約0.5重量%至3重量%。
本發明之其他目的、優點及顯著特點將自以下詳述變得明顯，該詳述連同附圖一起揭示了本發明之較佳實施例。
圖1描繪600℃之燒製分佈圖。
本發明係針對一種低燒製溫度之銅導電漿料組合物。雖不限於該種應用，該種漿料可用於形成LED總成中之導電引線。此應用所需之漿料具有最佳電特性且良好地黏附至下層基板(介電層)。通常，該導電漿料組合物包含導電組分、玻璃粉及有機載體。此外，該導電漿料組合物亦可包含氧化物添加劑。
根據一實施例，本發明提供一種低燒製溫度之銅導電漿料，其包含銅組分、玻璃粉及有機載體。該導電漿料亦可包含氧化銅添加劑。
銅組分
本發明之銅組分為導電漿料提供導電性。根據一實施例，該銅組分包含具有不同表面積之兩種基本銅粒子。與僅使用一種類型銅粒子相反，使用具有不同表面積之兩種銅粒子改進所燒製之導電引線之密度，而此又改進導電性。若引線不夠緻密，使得它們在其微結構中具有縫隙，則將阻礙穿過引線之電流。
較佳地，該銅組分包含比表面積為約0.15m2/g至1.0m2/g之第一銅粒子及比表面積為約0.5m2/g至2.5m2/g之第二銅粒子。更佳地，該等第一銅粒子具有約0.15m2/g至0.5m2/g之比表面積，且該等第二銅粒子具有約0.5m2/g至1.5m2/g之比表面積。最佳地，該等第一銅粒子具有約0.15m2/g至0.35m2/g之比表面積，且該等第二銅粒子具有約0.9m2/g至1.3m2/g之比表面積。根據一實施例，該等第一銅粒子與該等第二銅粒子之比表面積之間的差異可為至少0.4m2/g(例如，至少0.5m2g、0.6m2g、0.7m2g或0.8m2g)。量測比表面積之方法在此項技術中係已知的。如本文所陳述，所有表面積量測係使用BET(Brunauer-Emmett-Teller)法、經由Monosorb MS-22分析儀(由Florida的Boynton Beach的Quantachrome Instruments公司製造)執行。
表徵該等銅粒子之另一種方法係藉由其粒度分佈(D50)。D50為中值 直徑或粒度分佈之中值。其為累積分佈中50%處粒徑之值。根據一實施例，該等第一銅粒子可具有小於2微米之平均粒度(D50)，且該等第二銅粒子可具有約2.5微米至4.7微米之平均粒度(D50)。粒度分佈可經由雷射繞射、動態光散射、成像、電泳光散射或此項技術中已知之任何其他方法來量測。本文所描述之所有粒度量測值(D50)係使用X射線/沈降法、經由SediGraph III粒度分析儀(由Georgia的Norcross的Micromeritics Instrument公司製造)執行。
較佳地，該漿料包含基於該漿料之總重量而言為約60重量%至80重量%之第一銅粒子及用量可達約20重量%之第二銅粒子。在一較佳實施例中，該漿料包含約70重量%之該等第一銅粒子及約10重量%之該等第二銅粒子。根據本發明之一實施例，該低燒製溫度之銅導電漿料包含為該漿料之約60重量%至95重量%之銅組分、玻璃粉及有機載體。
玻璃粉
該玻璃粉促進導電漿料良好地黏附至下層基板之能力。根據一實施例，該玻璃粉為該漿料之約1重量%至10重量%，且較佳為無鉛，即無任何有意添加之鉛或鉛化合物且不具有超過痕量之鉛。較佳地，該玻璃粉為該漿料之約1重量%至5重量%。
該玻璃粉可實質上為非晶相，或其可部分地結合結晶相或化合物。無鉛之玻璃粉可包括熟習此項技術者已知之各種各樣氧化物或化合物。例如，可使用矽、硼、鋁、鉍、鋅、鈦、鋇或鉻之氧化物或化合物。其他玻璃基質成形劑或玻璃改性劑，諸如氧化鍺、氧化釩、氧化鎢、氧化鉬、氧化鈮、氧化錫、氧化銦、其他鹼金屬及鹼土金屬(諸如K、Rb、Cs及Be、Ca、Sr及Ba)之化合物、稀土氧化物(諸如La2O3及氧化鈰)亦可為玻璃組合物之部分。
根據較佳實施例，使用了硼-鋇-鋅氧化物玻璃。如本文所更充分地陳述，發現該硼-鋇-鋅氧化物玻璃粉具有最佳黏附特性，較佳具有 以下莫耳比：約30mol%至60mol%之B2O3；約20mol%至40mol%之BaO；及約10mol%至40mol%之ZnO。該等氧化物可以其各自的氧化物形式來組合；或可使用熟習此項技術者已知的在燒製溫度下將產生所提及之氧化物之任何硼、鋇或鋅化合物(例如，B2O3、B2O、H3BO3、BaO、Ba(OH)2、ZnO、及Zn(OH)2)。
本文所描述之B2O3-BaO-ZnO玻璃粉可藉由熟習此項技術者已知之任何方法製成，該方法包括但不限於：將適當量的個別成分之粉末混合；將該粉末混合物於空氣中或於含氧之氣氛中加熱以形成熔化物；對該熔化物進行淬火；對經淬火之材料進行研磨及球磨且篩選經磨碎之材料以提供具有所需粒度之粉末。舉例而言，可將粉末形式之玻璃粉組分於V形梳狀攪拌器中混合於一起。接著可將該混合物加熱至約800℃至1200℃(視材料而定)，歷時約30至40分鐘。接著可對玻璃進行淬火，從而呈現砂狀一致性。接著可如在球磨機或噴磨機中對此粗玻璃粉末進行研磨，直至產生精細粉末為止。通常，將玻璃粉粉末研磨至平均粒度為0.01μm至10μm、較佳0.1μm至5μm。
有機載體
在本發明之背景下較佳之有機載體係為基於一或多種溶劑(較佳為有機溶劑)之溶液、乳液或分散液，該等溶劑確保導電漿料之成分係以溶解、乳化或分散之形式存在。根據一實施例，該有機載體可為該漿料之約10重量%至30重量%。根據另一實施例，該有機載體可為該漿料之約1重量%至20重量%。
在一實施例中，該有機載體可包含黏合劑及溶劑。適合之黏合劑包括但不限於：纖維素、酚醛樹脂、或丙烯酸樹脂。適合之溶劑包括但不限於：卡必醇(carbitol)、萜品醇(terpineol)、己基卡必醇、texanol、丁基卡必醇、丁基卡必醇乙酸酯、或己二酸二甲酯或乙二醇醚。在一較佳實施例中，該有機載體包含黏合劑及溶劑，該黏合劑及溶劑在低 氧含量之環境(<10ppm O2)中具有低的燃盡溫度(約350℃或更低)，以便減少焦渣之存在。具體言之，於燒製該漿料之過程中，丙烯酸樹脂及texanol溶劑具有最佳的潔淨燃燒。有機載體亦可包括此項技術中已知之界面活性劑及觸變劑(thixatropic agent)。適合之界面活性劑包括但不限於：聚氧乙烯、聚乙二醇、苯并三唑、聚(乙二醇)乙酸、月桂酸、油酸、癸酸、肉豆蔻酸、亞油酸、硬脂酸、棕櫚酸、硬脂酸鹽、棕櫚酸鹽及其混合物。
氧化物添加劑
該導電漿料組合物亦可包含氧化物添加劑以幫助黏附力。該氧化物添加劑較佳係以粉末之形式存在。該氧化物粉末可為該漿料之約0.5重量%至3重量%。較佳地，該氧化物粉末係為任何形式之氧化銅，包括但不限於CuO及Cu2O。根據一實施例，該氧化銅可作為與該玻璃粉分開的獨特且單獨之組分存在於該漿料中。
製備該導電漿料
該導電漿料組合物可藉由此項技術中已知的用於製備漿料組合物之任何方法來製備。製備方法並非係關鍵，只要其產生均勻分散之漿料即可。作為舉例而無限制，接著可將該等漿料組分混合(如用混合機)、接著穿過三輥式磨機以製成經分散之均勻漿料。接著可將該漿料沈積(例如，網版印刷)至基板上以形成導電引線。
形成LED總成
在一示範性應用中，該銅漿料組合物可用以在金屬基板上形成LED總成。為了製造LED總成，將一或多個介電玻璃材料層網版印刷至下層基板上，該基板較佳為鋁或鋁合金，此係由於其最佳的導熱性。該介電材料較佳具有最佳的導熱性，同時提供電絕緣(較佳具有高擊穿電壓)。此外，該介電材料較佳具有與導熱基板類似之熱膨脹係數，以防止燒製過程中之彎曲或翹曲。最後，當使用鋁基板時，較佳於低於 610℃之溫度下對該介電材料進行燒結，因為高於此溫度時鋁會熔化。作為舉例而無限制，由Heraeus Precious Metals North America Conshohocken LLC出售之CelcionTM IP6075介電漿料符合所有此等要求。
在一實施例中，首先將帶有介電層之基板於約550℃在空氣中燒製。燒製後，介電層之最終厚度可為約40微米至60微米。接著例如使用280目、0.5密耳(mil)乳液不銹鋼絲網將銅導電漿料網版印刷至頂部介電層之表面上，且該銅導電漿料較佳具有38微米至42微米之濕厚度。印刷圖案對LED應用類型係為特定的，且不限於任何特定組態。將該銅導電漿料在125℃乾燥十分鐘，且接著根據經設定之燒製分佈圖對完整總成進行燒製。
根據另一實施例，於氮氣氛中根據特定分佈圖對該總成進行燒製。若在氧過多之環境中對銅導電漿料進行燒製，則銅組分可能開始氧化。然而，為了促進該漿料中之有機黏合劑燃盡，可較佳為最低水平之氧。根據本發明之較佳實施例，於爐氣氛中存在約0.5ppm至20ppm之氧。更佳地，於爐氣氛中存在約1ppm至10ppm之氧，且最佳地，存在約2ppm至3ppm之氧。可於約540℃至610℃(偏離值為10℃)之峰值溫度下進行燒製，其中較佳將該總成保持於峰值溫度歷時8至10分鐘。圖1描繪適當之燒製分佈圖。
為了形成完整的LED總成，將一或多個發光二極體焊接至由該銅漿料形成之導電引線或焊盤。可使用此項技術中已知之任何焊接方法。
實例
實例1
對兩種銅粉末之組合進行測試以確定於600℃之燒製分佈圖下表面積對導電效能及黏附力之影響。製備具有不同量之兩種銅粉末之示範性漿料調配物。使用表面積為約1.2m2/g之高表面積(SA)銅粉末及表 面積為約0.34m2/g之低表面積(SA)銅粉末。該等示範性漿料亦包含3重量%之B2O3-BaO-ZnO玻璃粉，及有機載體及3重量%之氧化銅添加劑(與該玻璃粉分開)。
接著將示範性漿料印刷至介電塗覆之鋁基板上且使用如本文所描述之焊線拉力測試對黏附強度及焊料驗收率進行評估。當等於或大於約4lbf時，平均黏附力或「拉力」在行業中被認為係令人滿意的。>95%之焊料驗收率在行業中被認為係令人滿意的。亦量測了薄層電阻、或橫跨每個印刷之漿料之平面所量測之電阻，以量測導電性。一般而言，薄層電阻愈高，則導電性愈低。用以塗覆鋁基板之介電材料為由Heraeus Precious Metals North America Conshohocken LLC出售之CelcionTM IP6075介電玻璃漿料。該等示範性漿料組合物及測試結果於表1中列出。
在此處展示之具體實例中(無限制)，示例漿料1及2於600℃之燒製溫度下產生令人滿意之黏附力(高於4lbf)及焊料驗收率(>95%)。示例漿料1不含有高表面積銅粉末，而示例漿料2含有約10重量%之高表面 積銅粉末及約71重量%之低表面積銅粉末。在示例漿料2展示出令人滿意之黏附力的同時，其亦具有較示例漿料1更低之薄層電阻，因此展示出更好之電效能。
實例2
亦製備了具有不同類型及量之玻璃粉及不同量之CuO或Cu2O添加劑之示例漿料，以確定玻璃粉及添加劑對導電漿料之黏附效能所具有之影響。組合物及此等組分之量於以下表2中列出。每種示範性漿料包含兩種類型之銅粒子，一種具有約0.15m2/g至0.5m2/g之低表面積，且另一種具有約1.0m2/g至1.4m2/g之高表面積。每種漿料包含以該漿料之100%總重量計為約71重量%之低表面積銅粉末及10重量%之高表面積銅粉末。
如在實例1中，亦使用焊線拉力測試對這些漿料進行評估，以確定對黏附力及焊料驗收率之影響。如本文所更充分描述，亦測試了熱循環後之黏附力。結果於以下表2中列出。
如表2所概述，示範性漿料5展示出最佳之平均黏附力及熱循環後之黏附力。因此，使用錫-銅-銀(SAC 305)焊料、用漿料5來測試所燒製之銅膜之焊料驗收率及浸出阻力、及與下層基板及介電膜之黏附力。所有焊料效能測試係使用Robotic Process Systems公司之自動可焊性測試儀(Automatic Solderability Tester)型號202TL來進行。此型號之測試參數於以下表3中列出。首先將測試片夾入基板支座中。接著將該測試片浸漬在助熔劑(flux)(其防止焊縫處之氧化)中設定之深度處歷時規定之時間，其中在助熔劑浸漬與浸沒於熔化之焊料合金之間有五秒延遲。接著視所正進行之測試而定，將該測試片浸沒於熔化之焊料合金中規定之深度處並歷時一定時間。在停留時間過去後，將該測試片自該熔化之焊料合金中提起、允許其冷卻、且接著用丙酮清洗。
表3. Robotic Process Systems公司自動可焊性測試儀--測試參數
在50倍放大之顯微鏡下藉由目測來確定焊料驗收率。藉由用焊接後之面積除以焊接前之面積來計算浸出阻力，焊盤尺寸已在焊接過程中於浸漬之前及之後進行了量測。結果於以下表4及表5中列出。如表可見，焊料驗收率係高於95%。浸出阻力較低，其中在首先兩次浸漬之後展示出小於5%之浸出阻力，且在第三次浸漬之後展示出小於10%之浸出阻力。使用錫-銅-銀焊料合金(無鉛)進行三次5秒之浸漬後，小於10%面積損失之浸出阻力在行業中被認為係令人滿意的。
為了測定黏附力，進行焊線拉力測試。在此具體測試中，將引線定位於經沈積在測試片上之80×80密耳之導體焊盤上。將測試片置放於固定件中以將引線保持於適當位置，且接著插入至焊料浸漬件之測試臂中。根據表3所列出之參數將測試片浸沒於助熔劑中，且接著用丙酮清洗，且允許其風乾最少六個小時。將鉤狀物切除且使用機械夾具將電線彎曲至90°角以使彎曲角度之任何改變最小化。在對測試片進行風乾最少六小時後測定初始黏附力。將剩餘之測試片分為三組，且根據 以下溫度分佈圖之一對每組進行處理：(1)於150℃之盒式烘箱中加熱1,000小時；(2)於85%相對濕度下85℃之盒式烘箱中加熱1,000小時；或(3)經受-55℃/+150℃下之熱循環，進行1,000個循環。在測試黏附力之前，允許經受熱循環之彼等測試片(子集3)變為室溫且平衡。
引線拉力測試係用以測定在焊接後自印刷之導體焊盤牽拉個別引線所需之力。將每個引線修整為兩吋(扁平的)，且接著將此等部分夾入Zwick Z2.5拉力測試機之夾具中。垂直於基板牽拉每個引線，直至其自印刷之導體焊盤分離。將臂移動設定為0.5吋/分之恆速。將夾具間距設定為1.25吋。在設定之時間增量下被加熱至150℃之測試片之拉力測試結果於以下表6中列出。在設定之時間增量下在85%之相對濕度下加熱至85℃之測試片之拉力測試結果於以下表7中列出。經受-55℃/+150℃下之熱循環之測試片之拉力測試結果於以下表8中列出。每個測試之斷裂模式亦於表6至表8中列出。若高於閾值拉力，可能出現三種類型之斷裂模式。電線可能自焊盤(WP)拉離，介電層可能經歷斷裂(DF)，或銅導體焊盤本身可能自電介質脫離(PF)。
如表6至表8所示，無一測試中之銅焊盤自下層介電基板脫離。所有測試展示出令人滿意之黏附水平，且斷裂模式係限於下層電介質斷裂、電線自引線拉離、或兩者之組合。銅導電焊盤未斷裂且顯示出與介電層之優良黏附力。
根據前述說明書，本發明之此等及其他優點對於熟習此項技術者將變得明顯。因此，熟習此項技術者將認識到，在不背離本發明之廣泛發明理念之情況下，可對上述實施例作出變化或修改。任何具體實施例之特定尺寸僅出於說明之目的而描述。因此，應理解本發明不限於本文所描述之具體實施例，而旨在包括在本發明之範圍及精神內的所有變化及修改。

Claims (40)

  1. 一種導電漿料，其包含：銅組分，其包含比表面積為約0.15m2/g至1.0m2/g之第一銅粒子及比表面積為約0.5m2/g至2.5m2/g之第二銅粒子，該等第二銅粒子以該導電漿料之100%總重量計用量可達約20重量%，其中該等第一銅粒子之比表面積與該等第二銅粒子之比表面積之間的差異係為至少0.4m2/g；玻璃粉；及有機載體。
  2. 如請求項1之導電漿料，其中該等第一銅粒子具有約0.15m2/g至0.5m2/g之比表面積。
  3. 如請求項1或2之導電漿料，其中該等第二銅粒子具有約0.5m2/g至1.5m2/g之比表面積。
  4. 如請求項1或2之導電漿料，其中該等第一銅粒子具有小於2微米之平均粒度。
  5. 如請求項1或2之導電漿料，其中該等第二銅粒子具有約2.5微米至4.7微米之平均粒度。
  6. 如請求項1或2之導電漿料，其中該等第一銅粒子係為該漿料之約60重量%至80重量%。
  7. 如請求項1或2之導電漿料，其中該等第二銅粒子之含量可達該漿料之約10重量%。
  8. 如請求項1或2之導電漿料，其中該玻璃粉包含實質上無鉛之氧化物。
  9. 如請求項1或2之導電漿料，其中該玻璃粉包含硼-鋅-鋇氧化物。
  10. 如請求項1或2之導電漿料，其中該玻璃粉係為該漿料之約1重量% 至10重量%。
  11. 如請求項1或2之導電漿料，其中該有機載體包含黏合劑及有機溶劑。
  12. 如請求項1或2之導電漿料，其中該有機載體包含丙烯酸黏合劑及texanol。
  13. 如請求項1或2之導電漿料，其中該有機載體係為該漿料之約10重量%至30重量%。
  14. 如請求項1或2之導電漿料，其進一步包含氧化銅。
  15. 如請求項14之導電漿料，其中該氧化銅係為該漿料之約0.5重量%至3重量%。
  16. 一種導電漿料，其包含：60重量%至95重量%之銅粒子，其包含比表面積為約0.15m2/g至1.0m2/g之第一銅粒子及比表面積為約0.5m2/g至2.5m2/g之第二銅粒子，該等第二銅粒子以該導電漿料之100%總重量計用量可達約20重量%，其中該等第一銅粒子之比表面積與該等第二銅粒子之比表面積之間的差異係為至少0.4m2/g；包含硼-鋅-鋇氧化物之玻璃粉；及有機載體。
  17. 如請求項16之導電漿料，其中該玻璃粉係為該漿料之約1重量%至5重量%。
  18. 如請求項16或17之導電漿料，其中該有機載體包含黏合劑及有機溶劑。
  19. 如請求項16或17之導電漿料，其中該有機載體包含丙烯酸黏合劑及texanol。
  20. 如請求項16或17之導電漿料，其中該有機載體係為該漿料之約1重量%至20重量%。
  21. 如請求項16或17之導電漿料，其進一步包含氧化銅。
  22. 如請求項21之導電漿料，其中該氧化銅係為該漿料之約0.5重量%至3重量%。
  23. 一種形成導電電路之方法，其包括以下步驟：沈積導電漿料以形成用於導電引線之圖案，其中該導電漿料包含銅組分、玻璃粉及有機載體，該銅組分包含比表面積為0.15m2/g至1.0m2/g之第一銅粒子及比表面積為約0.5m2/g至2.5m2/g之第二銅粒子，該等第二銅粒子以該導電漿料之100%總重量計用量可達約20重量%，其中該等第一銅粒子之比表面積與該等第二銅粒子之比表面積之間的差異係為至少0.4m2/g；使該導電引線於氮氣氛中經受約540℃至610℃之峰值溫度，該氮氣氛包含約0.5ppm至20ppm之氧；將溫度保持於該峰值溫度歷時約8至10分鐘。
  24. 如請求項23之形成導電電路之方法，其中該氮氣氛包含約1ppm至10ppm之氧。
  25. 如請求項23或24之形成導電電路之方法，其中該氮氣氛包含約2ppm至3ppm之氧。
  26. 如請求項23或24之形成導電電路之方法，其中將該導電引線經約25至28分鐘自室溫加熱至約540℃至610℃之峰值溫度、保持於該峰值溫度歷時8至10分鐘、且經14至16分鐘冷卻回室溫。
  27. 如請求項23或24之形成導電電路之方法，其中該等第一銅粒子具有約0.15m2/g至0.5m2/g之比表面積。
  28. 如請求項23或24之形成導電電路之方法，其中該等第二銅粒子具有約0.5m2/g至1.5m2/g之比表面積。
  29. 如請求項23或24之形成導電電路之方法，其中第一銅粒子具有小於2微米之平均粒度。
  30. 如請求項23或24之形成導電電路之方法，其中第二銅粒子具有約2.5微米至4.7微米之平均粒度。
  31. 如請求項23或24之形成導電電路之方法，其中該等第一銅粒子係為該漿料之約60重量%至80重量%。
  32. 如請求項23或24之形成導電電路之方法，其中該等第二銅粒子之含量可達該漿料之約10重量%。
  33. 如請求項23或24之形成導電電路之方法，其中該玻璃粉包含實質上無鉛之氧化物。
  34. 如請求項23或24之形成導電電路之方法，其中該玻璃粉包含硼-鋅-鋇氧化物。
  35. 如請求項23或24之形成導電電路之方法，其中該玻璃粉係為該漿料之約1重量%至10重量%。
  36. 如請求項23或24之形成導電電路之方法，其中該有機載體包含黏合劑及有機溶劑。
  37. 如請求項23或24之形成導電電路之方法，其中該有機載體包含丙烯酸黏合劑及texanol。
  38. 如請求項23或24之形成導電電路之方法，其中該有機載體係為該漿料之約10重量%至30重量%。
  39. 如請求項23或24之形成導電電路之方法，其中該導電漿料進一步包含氧化銅。
  40. 如請求項39之形成導電電路之方法，其中該氧化銅係為該漿料之約0.5重量%至3重量%。
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