TWI593497B - Laser processing equipment - Google Patents

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TWI593497B
TWI593497B TW099110584A TW99110584A TWI593497B TW I593497 B TWI593497 B TW I593497B TW 099110584 A TW099110584 A TW 099110584A TW 99110584 A TW99110584 A TW 99110584A TW I593497 B TWI593497 B TW I593497B
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Ryuji Sugiura
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Hamamatsu Photonics Kk
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Description

雷射加工裝置
本發明，係有關於用以將加工對象物切斷之雷射加工裝置及雷射加工方法。
作為先前技術之雷射加工裝置，係週知有：藉由使集光點匯集於板狀之加工對象物的內部，並照射雷射光，而沿著加工對象物之切斷預定線，來在加工對象物處形成改質區域者(例如，參考專利文獻1)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2006-108459號公報
然而，在上述一般之雷射加工裝置中，係有伴隨著改質區域的形成，而從該改質區域來使沿著加工對象物之厚度方向而延伸之龜裂(以下，單純稱作「龜裂」)產生的情況。而，在近年的雷射加工裝置中，從切斷後之加工對象物的切斷面狀態或是加工速度等的觀點來看，係期望能夠從改質區域來產生所期望之長度的龜裂。
因此，本發明，係以提供一種能夠從改質區域來產生所期望之長度的龜裂之雷射加工裝置以及雷射加工方法作為課題。
為了解決上述課題，在本發明者反覆作了努力檢討後，係發現了：例如藉由將雷射光之脈衝寬幅增大，龜裂之長度係變長，因此，而得到了下述之知識，亦即是：在雷射光之脈衝寬幅與龜裂的長度之間，係存在有相關關係。因此，而想到了：若是能夠根據此種關係，則能夠從改質區域來產生所期望之長度的龜裂，並完成了本發明。
亦即是，本發明之雷射加工裝置，係藉由使集光點匯集於板狀之加工對象物的內部，並照射雷射光，而沿著加工對象物之切斷預定線，來在加工對象物處形成改質區域，並且，伴隨著改質區域之形成，而從該改質區域來產生沿著加工對象物之厚度方向而延伸的龜裂，該雷射加工裝置，其特徵為具備有：雷射光源，係射出雷射光；和控制手段，係對於雷射光之脈衝寬幅作控制；控制手段，係根據從改質區域所產生之龜裂之長度，來變更脈衝寬幅。
在此種雷射加工裝置中，係根據由改質區域所產生之龜裂的長度，來變更脈衝寬幅。因此，能夠對於在脈衝寬幅與龜裂的長度之間所發現到的上述關係作合適的利用，而成為能夠從改質區域來產生所期望之長度的龜裂。
此時，控制手段，係會有以隨著將所產生之前述龜裂的長度增長而將前述脈衝寬幅增大的方式，來變更前述脈衝寬幅的情況。
於此，較理想，控制手段，係因應於與龜裂之長度相關的輸入值，來變更脈衝寬幅。於此情況，例如當欲從改質區域來產生長的龜裂的情況時，係成為因應於與該龜裂之長度相關的輸入值，來將脈衝寬幅增大。
又，較理想，控制手段，係因應於與加工對象物之厚度相關的輸入值，來變更脈衝寬幅。例如，當對於所產生之龜裂的長度預先作了把握的情況時，由於係能夠在對於此龜裂之長度預先作了考慮(根據)下，來實施雷射加工，因此，能夠因應於與加工對象物之厚度相關的輸入值，來變更脈衝寬幅。
又，較理想，控制手段，係因應於與雷射光之集光點位置相關的輸入值，來變更脈衝寬幅。例如，當對於所產生之龜裂的長度以及加工對象物之厚度預先作了把握的情況時，由於係能夠在對於此些條件預先作了考慮下，來實施雷射加工，因此，能夠因應於與雷射光之集光點位置相關的輸入值，來變更脈衝寬幅。
又，作為能夠合適地得到上述作用效果之構成，具體而言，係可列舉出雷射光源為光纖雷射之構成。又，可列舉出下述之構成：加工對象物，係為矽基板，藉由雷射光源所射出之雷射光的波長，係為1064nm～3000nm，由控制手段所致之脈衝寬幅的可變寬幅，係為100nsec～1500nsec。
一種雷射加工方法，係為藉由將集光點匯集於板狀之加工對象物的內部而照射雷射光，而沿著加工對象物之切斷預定線，來在加工對象物處形成改質區域之雷射加工方法，其特徵為：雷射光，係具備有略矩形狀之脈衝波形。若藉由此雷射加工方法，則能夠以良好精確度來形成改質區域。
若藉由本發明，則成為能夠從改質區域而產生所期望之長度的龜裂。
以下，針對本發明之合適的實施形態，參考圖面並作詳細說明。另外，在各圖中，對於同一或是相當之要素，係附加同一符號，並省略重複之說明。又，「上」、「下」、「左」、「右」之各用語，係為根據在圖面中所示之狀態而簡易說明者。
在本實施形態之雷射加工裝置中，係藉由將集光點匯集於加工對象物之內部，並照射雷射光，而在加工對象物處形成改質區域。因此，首先，針對由本實施形態之雷射加工裝置所致的改質區域之形成，參考圖1～圖6而作說明。
如圖1中所示一般，雷射加工裝置100，係為被稱作所謂的SDE(Stealth Dicing Engine：登記商標)者，並具備有：將雷射光L作脈衝震盪之雷射光源101、和以將雷射光L之光軸(光路)的方向作90°變化的方式而被作了配置的分色鏡(dichroic mirror)103、和用以將雷射光L作集光之集光用透鏡(集光光學系)105。於此，作為雷射光源101，係使用有偏波保持型之光纖雷射，並射出其波長為1064nm～3000nm之雷射光L。
又，雷射加工裝置100，係具備有：用以將被照射有經由集光用透鏡105而被作了集光的雷射光L之加工對象物1作支持的支持台107；和用以使支持台107在X、Y、Z軸方向上作移動之平台111；和為了對於雷射光L之輸出或是脈衝寬幅等作調節，而對於雷射光源101作控制之雷射光源控制部(控制手段)102、和對於平台111之移動作控制的平台控制部115。
在此雷射加工裝置100中，從雷射光源101所射出之雷射光L，係經由分色鏡103而使其之光軸的方向作90°改變，並經由集光用透鏡105而被集光於被載置在支持台107上的加工對象物1之內部。與此同時地，平台111係移動，加工對象物1係相對於雷射光L而沿著切斷預定線5作相對移動。藉此，而成為在加工對象物1處形成沿著切斷預定線5之改質區域。
加工對象物1，係使用有半導體材料或是壓電材料，如圖2中所示一般，在加工對象物1處，係被設置有用以將加工對象物1切斷之切斷預定線5。切斷預定線5，係為直線狀延伸之假想線。當在加工對象物1之內部形成改質區域的情況時，係如圖3中所示一般，在使集光點P匯集於加工對象物1之內部的狀態下，而使雷射光L沿著切斷預定線5(亦即是，圖2之箭頭A方向)來作相對性移動。藉由此，如圖4～圖6中所示一般，改質區域7，係沿著切斷預定線5而被形成於加工對象物1之內部，沿著切斷預定線5所被形成之改質區域7，係成為切斷起點區域8。
另外，所謂集光點P，係指雷射光L被作集光的場所。又，切斷預定線5，係並不被限定於直線狀，而亦可為曲線狀，且並不被限定於假想線，而亦可為在加工對象物1之表面3上所實際畫出的線。又，改質區域7，係有被連續性地形成的情況，亦有被斷續性地形成的情況。又，改質區域7，係可為列狀，亦可為點狀，也就是說，改質區域7，係只要至少被形成在加工對象物1之內部即可。
另外，於此，雷射光L，係透過加工對象物1，並且特別是在加工對象物1之內部的集光點附近處而被作吸收，藉此，在加工對象物1中，係被形成有改質區域7(也就是所謂的內部吸收型雷射加工)。故而。在加工對象物1之表面3處，由於雷射光L係幾乎不會被吸收，因此，係並不會有加工對象物1之表面3被熔融的情況。一般而言，當從表面3起而被溶融並被除去並形成有孔或溝等之除去部(表面吸收型雷射加工)的情況時，加工區域係從表面3側而逐漸地朝向背面側進行。
然而，藉由本實施形態之雷射加工裝置所形成的改質區域，係指在密度、折射率、機械性強度或是其他之物理特性上成為與周圍相異之狀態的區域。作為改質區域，例如，係有熔融處理區域、碎裂區域、絕緣破壞區域、折射率變化區域等，且亦存在有將該些作了混合存在的區域。進而，作為改質區域，係亦存在有：在加工對象物之材料處，改質區域之密度相較於非改質區域之密度而有所變化的區域，或者是被形成有晶格缺陷的區域(亦有將此些統稱為高密度轉換區域的情況)。
又，在熔融處理區域或是折射率變化區域、改質區域之密度相較於非改質區域之密度而有所變化的區域、被形成有晶格缺陷的區域中，係更進而會有在該些區域之內部或者是改質區域與非改質區域間的界面處而內包有龜裂(裂痕、微碎裂)的情形。並且，被內包之龜裂，係會有涵蓋於改質區域之全面的情況、或是僅存在於一部份處的情況，亦或是在複數之部分處而被形成的情況。
如圖7中所示一般，加工對象物1，係為矽基板，並具備有：矽晶圓11、和包含有複數之功能元件15並被形成於矽晶圓11之表面11a上的功能元件層16。功能元件15，例如，係為藉由結晶成長所形成之半導體動作層、光二極體等之受光元件、雷射二極體等之發光元件、或者是作為電路而被形成之電路元件等，並且在與矽晶圓11之定向平面6相平行之方向以及相垂直之方向上，以矩陣狀而被形成有多數。
當使用此雷射加工裝置100而將加工對象物1作切斷的情況時，係在加工對象物1之背面21處貼附延伸膠帶，並將該加工對象物1載置於支持台107上。接著，藉由集光用透鏡105，而使集光點P匯集於加工對象物1之內部，並從加工對象物1之表面3側起來照射雷射光L，而沿著以通過相鄰之功能元件15間的方式而被設定為格子狀之各切斷預定線5，來在加工對象物1之內部形成成為切斷之起點的改質區域7。而後，藉由使延伸膠帶擴張，而將改質區域7作為切斷之起點，並沿著切斷預定線5來將加工對象物1在每一功能元件15處而以良好精確度來作切斷。其結果，係成為能夠得到例如晶片尺寸為1mm×1mm的複數之半導體晶片。
特別是，在本實施形態之雷射加工裝置100中，係藉由將集光點P匯集於加工對象物1之內部，並照射雷射光L，而伴隨著改質區域7的形成，來從該改質區域7起而產生沿著加工對象物1之厚度方向而延伸之龜裂(亦成為裂痕或是碎裂)。
圖8(a)、(b)，係為用以針對從改質區域所產生之龜裂而作說明的剖面圖。於圖8中，左側之圖，係為與沿著圖7之A-A線的剖面相對應之剖面圖(沿著龜裂C之龜裂剖面圖)，於此，龜裂C，係作為龜裂痕而出現(關於後述之圖12～16，亦為相同)。又，右側之圖，係為與沿著圖7之B-B線的剖面相對應之剖面圖。
如圖8(a)中所示一般，伴隨著此改質區域7之形成所產生的龜裂C，當在加工對象物1處而將改質區域7作一列形成的情況時，係指在第1次掃描(亦即是，在第1列之改質區域7的形成時)時所產生者。另一方面，如圖8(b)中所示一般，當將改質區域7形成複數列的情況時，則係指在雷射光L之第複數(最終)次掃描時所產生者。此係因為，當將改質區域7形成複數列的情況時，通常，經由雷射光L之照射而被積蓄之熱影響或是應力等，係在最終之掃描處而容易被釋放，因此，龜裂C係主要發生在最終掃描處之故。又，龜裂C之長度CL(以下，稱為「龜裂長度CL」)，係指從龜裂C之其中一端(上端)起直到另外一端(下端)為止的距離。
此龜裂C，係從形成之改質區域7起，沿著加工對象物1之厚度方向而延伸。特別是，關於龜裂C，當改質區域7之形成位置為接近於背面21的情況時，係容易成為朝向背面21側而延伸之背面側龜裂，又，當改質區域7之形成位置為接近於表面3的情況時，則係容易成為朝向表面3側而延伸之表面側龜裂。在圖示之例中，龜裂C，係成為到達背面21處之龜裂(所謂的BHC)。另外，此處之龜裂C，由於係並未被改質，因此，係並不被包含於改質區域7中。
於此，如圖9中所示一般，從加工對象物1之表面3(或者是背面21)而被照射雷射光L並被形成的改質區域7，係在加工對象物1之厚度方向上而成為細長形狀。而，在改質區域7之上端部以及下端部處，係作用有壓縮應力F1與拉張應力F2。故而，係得到了下述之知識：亦即是，當形成改質區域1時，若是對於雷射光L之脈衝寬幅作控制，而對於改質區域7之大小作控制，則能夠對於該應力F1、F2之作用作控制，其結果，能夠對於從改質區域7所產生之龜裂C的長度自由地作控制。
因此，在本實施形態之雷射光源控制部102處，係根據從改質區域7所產生之龜裂C的長度，而將雷射光L之脈衝寬幅設為可變。亦即是，雷射光源控制部102，係為了從改質區域7而產生所期望之長度的龜裂C，而以隨著將所產生之龜裂長度CL增長而將脈衝寬幅增大的方式(或者是，以隨著將所產生之龜裂長度CL縮短而將脈衝寬幅縮小的方式)，來對於脈衝寬幅作控制。
具體而言，雷射光源控制部102，係具備有將「龜裂長度CL」、「加工對象物1之厚度」、「雷射光L之脈衝寬幅」相互附加有關連而成的資料表Tb(參考圖10)。而，雷射光源控制部102，係因應於此資料表Tb，而變更雷射光L之脈衝寬幅。於此之由雷射光源控制部102所控制的脈衝寬幅之可變幅度，係作為以能夠合適地實現雷射加工一事作為前提的條件，而被設為100nsec～1500nsec。
圖10，係為對於資料表之其中一例作展示的圖。如圖10中所示一般，資料表Tb之數值，係展示有「脈衝寬幅」，並構成為：若是「龜裂長度CL」以及「加工對象物1之厚度」被作了設定，則因應於此些而作選擇並決定之。另外，於圖中，在加工對象物1之厚度為300μm與600μm處之資料列，係代表第2次掃描之資料。
故而，若依據本實施形態，則若是在雷射光源控制部102處而被輸入有「加工對象物1之厚度」與「龜裂長度CL」，則此些之輸入值係被與資料表Tb作對照，並因應於加工對象物1之厚度，而對於適合於所欲產生之龜裂C之長度的「脈衝寬幅」作選擇。而後，係成為以藉由此脈衝寬幅來射出雷射光L的方式，而對於雷射光源101作控制。亦即是，係成為因應於「加工對象物1之厚度」與「龜裂長度CL」之輸入值，而變更「脈衝寬幅」。
另外，關於在加工對象物1處之雷射光L的集光點P之位置(亦即是，改質區域7之形成位置)，係亦可在上述資料表Tb處，作為其他之參數而對其附加關連。於此情況，係成為亦因應於「集光點P之位置」地而變更脈衝寬幅，並且，因應於資料表Tb地，來藉由平台控制部115而對於平台111之位置(或者是，集光用透鏡105之位置)作控制。
另外，亦可使平台控制部115分開地具備有相關於雷射光L之集光點P之位置的資料表Tb。例如，當形成複數列之改質區域7的情況時，由於會有從相鄰接之改質區域7而對於龜裂長度CL(龜裂C之伸展)造成影響的情況，因此，雷射光L之集光點P之位置，係為重要的參數。
以上，在本實施形態之雷射加工裝置中，係經由雷射光源控制部102，而因應於將「龜裂長度CL」、「加工對象物1之厚度」、「雷射光L之脈衝寬幅」相互附加有關連而成的資料表Tb，來變更雷射光L之脈衝寬幅。亦即是，係根據從改質區域7所產生之龜裂長度CL，來變更脈衝寬幅。故而，能夠將在脈衝寬幅與龜裂長度CL之關係中所得到的上述知識作適當的利用，並成為能夠從改質區域而產生所期望之長度的龜裂C。
其結果，例如在欲將加工速度(加工時間，tact time)提升的情況中，為了將雷射光L之掃描根數減少，係可藉由將脈衝寬幅增大，來將龜裂長度CL增長。又，例如當為了將加工品質提升而形成複數列之改質區域7的情況時，係成為可藉由將脈衝寬幅縮小，而將龜裂長度CL縮短。
圖11，係為對於雷射光之脈衝寬幅作展示的圖。於圖中，橫軸係代表時間。如圖11中所示一般，所謂脈衝寬幅(半寬幅)H，係指從波形之上揚(Up)起直到下挫(Dw)為止的時間寬幅，並經由被施加在雷射光源101處之電流值或是反覆頻率等而作改變。亦即是，在變更脈衝寬幅H一事中，係包含有變更電流值或是反覆頻率等。另外，脈衝寬幅H，在高斯分布的情況中，係設為FWHM(Full Width at Half Maximum，半高全寬)。
又，在圖11(a)中所示之脈衝波形P1，係呈現略矩形狀，在圖11(b)、(c)中所示之脈衝波形P2、P3，其之上揚Up係呈現陡峭之略鋸齒狀。不論是藉由此些之任一者的脈衝波形P1～P3之雷射光L，均能夠以良好精確度而形成改質區域7。另外，在脈衝波形P1～P3中，上揚Up係成為陡峭(垂直狀)，可以想見，此種陡峭之上揚Up，係對於改質區域7之良好精確度的形成有所助益。
圖12～14，係為對於被施加有由本實施形態所致之雷射加工的加工對象物之例作展示的剖面圖。在各圖中，係對於厚度100μm之加工對象物1，而從表面3側起來照射雷射光L，並形成改質區域7以及龜裂C。
在圖12(a)所示之例中，為了產生龜裂長度CL為40μm之作為BHC的龜裂C，係將脈衝寬幅H設為150nsec(圖10之E1)，並將集光點P之位置設為從表面3起而距離95μm之位置。在圖12(b)所示之例中，為了產生龜裂長度CL為50μm之作為BHC的龜裂C，係將脈衝寬幅H設為300nsec(圖10之E2)，並將集光點P之位置設為從表面3起而距離95μm之位置。
在圖13(a)所示之例中，為了產生龜裂長度CL為70μm之作為BHC的龜裂C，係將脈衝寬幅H設為400nsec(圖10之E3)，並將集光點P之位置設為從表面3起而距離85μm之位置。在圖13(b)所示之例中，為了產生龜裂長度CL為90μm之作為BHC的龜裂C，係將脈衝寬幅H設為500nsec(圖10之E4)，並將集光點P之位置設為從表面3起而距離80μm之位置。在圖14所示之例中，為了產生龜裂長度CL為100μm之作為FC(全切割，龜裂C為從表面3起而一直到達背面21處者)的龜裂C，係將脈衝寬幅H設為550nsec(圖10之E5)，並將集光點P之位置設為從表面3起而距離60μm之位置。
圖15，係為對於被施加有由本實施形態之雷射加工的加工對象物之其他例作展示的剖面圖。在此圖中，係對於厚度300μm之加工對象物1，而從表面3側起來照射雷射光L，並形成改質區域7a以及7b，並且，從上段之改質區域7b起而形成龜裂C。具體而言，在圖15所示之例中，係使集光點P匯集於從表面3起而距離240μm之位置處，而形成改質區域7a，之後，使集光點P匯集於從表面3起而距離155μm之位置處，而形成改質區域7b。又，在形成改質區域7b時，為了產生龜裂長度CL為300μm之作為FC的龜裂C，係將脈衝寬幅H設為650nsec(圖10之E6)。
圖16，係為對於被施加有由本實施形態之雷射加工的加工對象物之另外其他例作展示的剖面圖。在此圖中，係對於厚度600μm之加工對象物1，而從表面3側起來照射雷射光L，並形成改質區域7a以及7b，並且，從上段之改質區域7b起而形成龜裂C。具體而言，在圖16所示之例中，係使集光點P匯集於從表面3起而距離591μm之位置處，而形成改質區域7a，之後，使集光點P匯集於從表面3起而距離541μm之位置處，而形成改質區域7b。又，在形成改質區域7b時，為了產生龜裂長度CL為140μm之作為BHC的龜裂C，係將脈衝寬幅H設為500nsec(圖10之E7)。
若依據圖12～16中所示之剖面圖，則能夠確認到下述之作用效果：亦即是，藉由變更雷射光L之脈衝寬幅，能夠從改質區域7而產生所期望之龜裂長度CL的龜裂C。
以上，雖係針對本發明之合適的實施形態而作了說明，但是，本發明之雷射加工裝置，係並非被限定於實施形態之雷射加工裝置100，在不對各申請項中所記載之要旨作變更的範圍內，係可作變形或者是適用在其他的裝置中。
例如，在上述實施形態中，係將「龜裂長度CL」、「加工對象物1之厚度」以及「雷射光L之脈衝寬幅」相互附加有關連而構成資料表Tb(參考圖10)，但是，只要是能夠根據從改質區域7所產生(使其產生)之龜裂長度CL來變更脈衝寬幅，則並不被限定於此。
亦即是，當預先對於加工對象物1之厚度作了掌握的情況時，由於係能夠在對於該厚度作了考慮的前提下來實施雷射加工，因此，亦可僅將「龜裂長度CL」以及「雷射光L之脈衝寬幅」附加有關連地來構成資料表Tb。亦即是，亦可僅因應於相關於龜裂長度CL之輸入值，來變更脈衝寬幅。
又，當預先對於所形成之龜裂長度CL作了掌握的情況時，由於係能夠在對於此龜裂長度CL作了考慮(作了依據)的前提下來實施雷射加工，因此，亦可如圖17(a)中所示一般，僅將「加工對象物1之厚度」以及「雷射光L之脈衝寬幅」相互附加關連地來構成資料表Tb。亦即是，亦可僅因應於相關於加工對象物1之厚度的輸入值，來變更脈衝寬幅。此時，如圖17(b)中所示一般，亦可將包含有例如作為重視品質的條件之加工條件1與作為重視加工速度的條件之加工條件2的「加工條件」進而附加關連，而構成資料表Tb。於此情況，係成為能夠對於複數種類之量產製品的製造而適當地作對應。
又，當預先對於所形成之龜裂長度CL以及加工對象物1之厚度作了掌握的情況時，由於係能夠在對於此些作了 考慮的前提下來實施雷射加工，因此，亦可如圖17(c)中所示一般，僅將「集光點P之位置」以及「雷射光L之脈衝寬幅」相互附加關連地來構成資料表Tb。亦即是，亦可僅因應於相關於集光點P之位置之輸入值，來變更脈衝寬幅。
又，在上述實施形態中，資料表Tb雖係預先被輸入至雷射光源控制部102中，但是，亦可透過網際網路等之線路，而由雷射光源控制部102將資料表Tb讀出。
另外，當在加工對象物1處，將雷射光L集光在從雷射光L所入射之雷射光入射面起較深的位置處的情況時，經由將加工對象物1之透過率提高，係成為能夠在集光點P處而將雷射光L有效地作利用。另外，作為加工對象物1，例如，係包含有矽、玻璃、LiTaO3或者是藍寶石(Al2O3)，又，亦可為由此些所成者。
[產業上之利用可能性]
成為能夠從改質區域而產生所期望之長度的龜裂。
1．．．加工對象物
5．．．切斷預定線
7、7a、7b．．．改質區域
100．．．雷射加工裝置
101．．．雷射光源
102．．．雷射光源控制部(控制手段)
C．．．龜裂
CL．．．龜裂長度(龜裂之長度)
L．．．雷射光
P．．．集光點
[圖1]本發明之其中一種實施型態之雷射加工裝置的概略構成圖。
[圖2]對於成為改質區域之形成對象的加工對象物之其中一例作展示的平面圖。
[圖3]沿著圖2之加工對象物的III-III線之剖面圖。
[圖4]雷射加工後之加工對象物的平面圖。
[圖5]沿著圖4之加工對象物的V-V線之剖面圖。
[圖6]沿著圖4之加工對象物的VI-VI線之剖面圖。
[圖7]對於本實施型態之加工對象物作展示的平面圖。
[圖8]用以對於從改質區域而產生之龜裂作說明的剖面圖。
[圖9]沿著圖7之加工對象物的B-B線之剖面圖。
[圖10]對於資料表之其中一例作展示的圖。
[圖11]對於雷射光之脈衝寬幅作展示的圖。
[圖12]對於被施加有由本實施型態所致之雷射加工的加工對象物之例作展示的剖面圖。
[圖13]對於與圖12相異之其他例作展示的剖面圖。
[圖14]對於與圖12相異之另外其他例作展示的剖面圖。
[圖15]對於被施加有由本實施型態所致之雷射加工的加工對象物之其他例作展示的剖面圖。
[圖16]對於被施加有由本實施型態所致之雷射加工的加工對象物之另外其他例作展示的剖面圖。
[圖17]對於資料表之其他例作展示的圖。
1．．．加工對象物
3．．．表面
5．．．切斷預定線
100．．．雷射加工裝置
101．．．雷射光源
102．．．雷射光源控制部(控制手段)
103．．．分色鏡
105．．．集光用透鏡
107．．．支持台
111．．．平台
115．．．平台控制部
L．．．雷射光
P．．．集光點

Claims (7)

  1. 一種雷射加工裝置，係藉由使集光點匯集於板狀之加工對象物的內部，並照射雷射光，而沿著前述加工對象物之切斷預定線，來在前述加工對象物處形成改質區域，並且，伴隨著前述改質區域之形成，而從該改質區域來產生沿著前述加工對象物之厚度方向而延伸的龜裂，該雷射加工裝置，其特徵為，具備有：雷射光源，係射出前述雷射光；和控制手段，係對於前述雷射光之脈衝寬幅作控制，前述控制手段，係具備有將前述龜裂的長度、前述加工對象物的厚度及前述雷射光的脈衝寬幅相互附加有關連而成的資料表，並因應於前述資料表來控制前述雷射光的前述脈衝寬幅。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之雷射加工裝置，其中，前述控制手段，係以隨著將所產生之前述龜裂的長度增長而將前述脈衝寬幅增大的方式，來變更前述脈衝寬幅。
  3. 如申請專利範圍第1項所記載之雷射加工裝置，其中，前述控制手段，係因應於與前述龜裂之長度相關連之輸入值，來變更前述脈衝寬幅。
  4. 如申請專利範圍第1項所記載之雷射加工裝置，其中，前述控制手段，係因應於與前述加工對象物的厚度相關連之輸入值，來變更前述脈衝寬幅。
  5. 如申請專利範圍第1項所記載之雷射加工裝置，其 中，前述控制手段，係因應於與前述雷射光之前述集光點的位置相關連之輸入值，來變更前述脈衝寬幅。
  6. 如申請專利範圍第1項所記載之雷射加工裝置，其中，前述雷射光源，係為光纖雷射。
  7. 如申請專利範圍第1項所記載之雷射加工裝置，其中，前述加工對象物，係為矽基板，藉由前述雷射光源所射出之前述雷射光的波長，係為1064nm~3000nm，由前述控制手段所控制之前述脈衝寬幅的可變更寬幅，係為100nsec~1500nsec。
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