TWI593005B - 切斷裝置及切斷方法 - Google Patents

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TWI593005B
TWI593005B TW105109137A TW105109137A TWI593005B TW I593005 B TWI593005 B TW I593005B TW 105109137 A TW105109137 A TW 105109137A TW 105109137 A TW105109137 A TW 105109137A TW I593005 B TWI593005 B TW I593005B
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Ｔｏｗａ股份有限公司
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Description

切斷裝置及切斷方法
本發明係關於一種切斷被切斷物，以製造被個別片體化之複數製品之切斷裝置及切斷方法。
使由印刷電路板或導線架等所構成之基板，假想性地分割成格子狀之複數領域，組裝一個或複數個晶片狀之元件(例如半導體晶片)到各領域後，樹脂密封基板全體者，稱做已密封基板。藉使用旋轉刀等之切斷機構，切斷已密封基板，各領域單位成為個別片體化者係成為製品。
自先前以來，係使用切斷裝置，藉旋轉刀等之切斷機構，切斷已密封基板的既定領域。首先，載置已密封基板到切斷用桌台上。接著，對位已密封基板。藉對位而設定分割複數領域之假想性切斷線之位置。接著，相對性移動載置有已密封基板之切斷用桌台與切斷機構。噴射切削液到已密封基板的切斷處所，同時藉切斷機構，沿著被設定到已密封基板上之切斷線，切斷已密封基板。藉切斷已密封基板，製造被個別片體化之製品。
在切斷用桌台安裝有對應製品之切斷用治具。在切斷用治具上，載置吸著有已密封基板。在切斷用治具設有分別吸著保持已密封基板的複數領域之複數台地狀之突起部。在 複數突起部分別設有吸著孔。在突起部們之間，設有對應分割已密封基板的各領域之複數切斷線之位置之複數切斷凹槽。相對性移動切斷用桌台與切斷機構，藉此，沿著複數切斷線切斷已密封基板以個別片體化。
當切斷已密封基板時，對合已密封基板的切斷線之位置，到切斷用治具的切斷凹槽之位置以切斷之。藉沿著切斷線移動旋轉刀，切斷已密封基板。當在切斷用治具的切斷凹槽之位置，與已密封基板的切斷線之位置偏移之狀態下，切斷已密封基板時，旋轉刀自切斷凹槽之位置偏移，而有時切削切斷用治具之一部分。因為切斷用治具被切削，而產生大量切屑。而且，因為切斷用治具被切削，切斷用治具之壽命變短。因此，正確對合已密封基板的切斷線之位置，到切斷用治具的切斷凹槽之位置以切斷之情事變得很重要。
即使在分割線有圖案偏移，也可保持被加工物在保持桌台上，使得分割線對合切削刀片遁逃凹槽之位置之切削裝置，係提案有一種「切削裝置，其包括：保持桌台，可旋轉，在對應被加工物表面的分割線之位置，形成切削刀片遁逃凹槽，以保持被加工物；切削機構，具有沿著前述分割線，分割被保持在前述保持桌台上之被加工物之切削刀片；以及搬運機構，搬運被加工物往前述保持桌台上，其特徵在於：其具有控制機構，前述控制機構係控制前述搬運機構或前述保持桌台，使得被攝影機構辨識之被加工物表面的前述分割線，與前述保持桌台的前述切削刀片遁逃凹槽之位置對合，以保持被加工物在前述保持桌台上。」(例如參照日本特開2009-170501號公 報的段落【0009】、第1圖、第4圖及第5圖)。
如日本特開2009-170501號公報的第4圖及第5圖所示，以攝影機構13拍攝被加工物60的表面，藉此，辨識分割線61的狀態，依據此辨識結果，控制搬運機構20之搬運量或保持桌台30之姿勢‧位置，使得分割線61與切削刀片遁逃凹槽32之位置對合，以保持被加工物60到保持桌台30上。因此，在被加工物60中，即使分割線61之圖案有偏移，也可保持被加工物60到保持桌台30上，使得分割線61與切削刀片遁逃凹槽32之位置對合。因此，在切削刀片41、分割線61與切削刀片遁逃凹槽32之位置對合之狀態下，可進行良好之全切削動作。
但是，當依據日本特開2009-170501號公報所開示之切削裝置10時，產生如下之課題。例如在當被稱做BGA(Ball Grid Array)之製品(半導體裝置)被製造時之做為半成品之已密封基板(以下，稱做「BGA基板」)中，在基板上形成有與外部電性連接之多數之軟焊球。在BGA基板中，相對於分割線之位置而言，有時軟焊球係被形成在偏移位置。當在軟焊球之位置相對於分割線而言偏移之狀態下，切削BGA基板時，有損傷軟焊球一部份之虞。當損傷軟焊球時，被個別片體化之BGA製品之品質有劣化而產生不良品之虞。
本發明之某實施形態之目的，係提供一種即使相對於被設定在具有與外部電性連接之外部電極之被切斷物上之切斷線而言，外部電極之位置偏移時，也可藉修正切斷被切斷物之位置，防止不良品產生之切斷裝置及切斷方法。
本發明之某實施形態之在藉切斷被切斷物以製造複數製品時被使用之切斷裝置，係包括：切斷用治具，具有複數之第1標記與複數之切斷凹槽，載置有具有複數之第2標記與由複數之外部電極所構成之複數第3標記之被切斷物；切斷機構，使被載置於切斷用治具上之被切斷物，沿著複數切斷線切斷；搬運機構，搬運被切斷物；移動機構，使切斷用治具與切斷機構相對性移動；攝影機構，藉攝影至少複數第1標記與複數第3標記，生成第1次影像數據；以及控制機構，藉搬運機構，對位被載置於切斷用治具上之被切斷物與切斷用治具。控制機構係比較由被記憶之特定第1標記之位置資訊所構成之第1位置資訊，或者，由影像處理第1次影像數據所得之特定第1標記之位置資訊所構成之第1位置資訊，與由依據第1次影像數據所測得之特定第3標記之位置資訊所構成之第3位置資訊，藉此，算出表示複數切斷凹槽與複數第3標記間之相對性位置偏移之第1次偏移量。搬運機構係自切斷用治具拿起被切斷物，依據第1次偏移量，相對性移動搬運機構與切斷用治具，藉此，移動被切斷物到對應第1次偏移量之第1次目標位置後，搬運機構再次載置被切斷物到切斷用治具。切斷機構係沿著複數切斷線，切斷再次被載置之被切斷物。
本發明之某實施形態之切斷裝置，係在上述切斷裝置中，在生成第1次影像數據前，攝影機構係至少拍攝複數第2標記，藉此，生成第0次影像數據。在生成第1次影像數據前，控制機構係比較第1位置資訊，與由依據第0次影像數據所測得之特定第2標記之位置資訊所構成之第2位置資訊，藉此，算出 表示複數切斷凹槽與複數第2標記間之相對性位置偏移之第0次偏移量。在生成第1次影像數據前，搬運機構係自切斷用治具拿起被切斷物，依據第0次偏移量，相對性移動搬運機構與切斷用治具，藉此，移動被切斷物到對應第0次偏移量之第0次目標位置後，搬運機構再次載置被切斷物到切斷用治具上。
本發明之某實施形態之切斷裝置，係在上述切斷裝置中，藉相對性移動搬運機構與切斷用治具，在沿著X方向、Y方向及θ方向中之至少一者之方向，移動被切斷物到第0次目標位置或第1次目標位置後，搬運機構再次載置被切斷物到切斷用治具上。
本發明之某實施形態之切斷裝置，係在上述切斷裝置中，特定之第1標記係當俯視時，沿著第1方向與直交第1方向之第2方向，分別至少設定兩個，特定之第2標記係當俯視時，沿著第1方向與第2方向，分別至少設定兩個，特定之第3標記係當俯視時，沿著第1方向與第2方向，分別至少設定兩個。
本發明之某實施形態之切斷裝置，係在上述切斷裝置中，被切斷物係在製造BGA時被使用之已密封基板，外部電極係突起狀電極。
為解決上述課題，本發明之某實施形態之切斷方法係包括：準備切斷用治具工序，準備具有複數切斷凹槽與複數第1標記之切斷用治具；準備被切斷物工序，準備具有複數切斷線、複數第2標記及由複數外部電極所構成之複數第3標記之被切斷物；載置工序，藉搬運機構，載置被切斷物到切斷 用治具上；生成工序，藉攝影機構拍攝複數第1標記與複數第3標記，以生成第1次影像數據；取得第1位置資訊工序，取得由被記憶之特定之第1標記之位置資訊所構成之第1位置資訊，或者，由影像處理第1次影像數據所得之特定之第1標記之位置資訊所構成之第1位置資訊；取得第3位置資訊工序，取得由影像處理第1次影像數據所得之特定之第3標記之位置資訊所構成之第3位置資訊；算出工序，比較第1位置資訊與第3位置資訊位，藉此，算出表示複數切斷凹槽與複數第3標記間之相對性位置偏移之第1次偏移量；移動被切斷物工序，自切斷用治具拿起被切斷物，移動被切斷物到對應第1次偏移量之第1次目標位置；再次載置工序，再次載置被切斷物到切斷用治具上；以及切斷工序，藉相對性移動切斷用治具與切斷機構以使用切斷機構，沿著複數切斷線，切斷再次被載置之被切斷物。
本發明之某實施形態之切斷方法，係在上述切斷方法中，而且包括：生成工序，在取得第1次影像數據之工序前，藉攝影至少複數第2標記，生成第0次影像數據；算出工序，在取得第1次影像數據之工序前，比較第1位置資訊，與由依據第0次影像數據所測得之特定第2標記之位置資訊所構成之第2位置資訊，藉此，算出表示複數切斷凹槽與複數第2標記間之相對性位置偏移之第0次偏移量；移動被切斷物工序，在取得第1次影像數據之工序前，自切斷用治具拿起被切斷物，移動被切斷物到對應第0次偏移量之第0次目標位置；以及再次載置工序，在取得第1次影像數據之工序前，再次載置移動到第0次目標位置 之被切斷物。
本發明之某實施形態之切斷方法，係在上述切斷方法中，移動被切斷物之工序，係包含藉相對性移動搬運機構與切斷用治具，在沿著X方向、Y方向及θ方向中之至少一者之方向，移動被切斷物到第0次目標位置或第1次目標位置之工序。
本發明之某實施形態之切斷方法，係在上述切斷方法中，而且包括：設定第1標記工序，當俯視時，沿著第1方向與直交第1方向之第2方向，設定在複數第1標記之中，分別由至少兩個所構成之特定之第1標記；設定第2標記工序，當俯視時，沿著第1方向與第2方向，設定在複數第2標記之中，分別由至少兩個所構成之特定之第2標記；以及設定第3標記工序，當俯視時，沿著第1方向與第2方向，設定在複數第3標記之中，分別由至少兩個所構成之特定之第3標記。
本發明之某實施形態之切斷方法，係在上述切斷方法中，被切斷物係在製造BGA時被使用之已密封基板，外部電極係突起狀電極。
當依據本發明之某實施形態時，使用搬運機構，載置具有第3標記之被切斷物，到具有第1標記之切斷用治具。藉攝影機構取得被形成在切斷用治具上之特定之第1標記之位置資訊，與被形成在被切斷物上之特定之第3標記之位置資訊。控制機構係比較特定之第1標記之位置資訊，與特定之第3標記之位置資訊，算出被設於切斷用治具上之切斷凹槽，與被形成於被切斷物上之第3標記間之相對性偏移量。搬運機構係自切斷用治具拿起被切斷物，依據偏移量，相對性移動搬 運機構與切斷用治具，藉此，移動被切斷物到目標位置。搬運機構再次載置被切斷物到切斷用治具上，切斷機構沿著切斷線切斷被切斷物。藉此，可不損傷第3標記地，沿著切斷線正確切斷被切斷物。因此，可防止不良品之產生。
1‧‧‧BGA基板(被切斷物)
2‧‧‧基板
3‧‧‧半導體晶片
4‧‧‧密封樹脂
5~5G‧‧‧軟焊球(外部電極、第3標記)
6~6H‧‧‧第2標記
7‧‧‧第1切斷線(切斷線)
8‧‧‧第2切斷線(切斷線)
9,9A,9B,9C‧‧‧領域
10‧‧‧切斷用桌台
11‧‧‧切斷用治具
12‧‧‧金屬板
13‧‧‧樹脂片
14‧‧‧突起部
15‧‧‧吸著孔
16‧‧‧空間
17‧‧‧第1切斷凹槽(切斷凹槽)
18‧‧‧第2切斷凹槽(切斷凹槽)
19~19H‧‧‧第1標記
20‧‧‧第3切斷線(切斷線)
21‧‧‧第4切斷線(切斷線)
22‧‧‧切斷裝置
23‧‧‧基板供給機構
24‧‧‧基板載置部
25,125‧‧‧搬運機構
26,126‧‧‧移動機構
27‧‧‧旋轉機構
28‧‧‧對位用攝影機(攝影機構)
29‧‧‧主軸(切斷機構)
30‧‧‧旋轉刀
31‧‧‧檢查用桌台
32‧‧‧已切斷BGA基板
33‧‧‧托盤
34‧‧‧曲線檢查用攝影機
100,CTL‧‧‧控制部
102‧‧‧影像辨識模組
104‧‧‧機器控制模組
128‧‧‧攝影機
129‧‧‧切斷機構
dX‧‧‧自第1切斷線至軟焊球中心為止之距離
dY‧‧‧自第2切斷線至軟焊球中心為止之距離
X0‧‧‧自事先被設定之第1切斷線至軟焊球中心為止之距離
Y0‧‧‧自事先被設定之第2切斷線至軟焊球中心為止之距離
T1‧‧‧偏移量之容許值
A‧‧‧基板供給模組
B‧‧‧基板切斷模組
C‧‧‧檢查模組
P‧‧‧製品
第1圖係表示本發明實施形態1之切斷裝置的概略構成之示意圖。
第2A圖及第2B圖係表示於本發明實施形態1之切斷裝置中，被使用之BGA基板(已密封基板)之概觀圖；第2A圖係自基板側所見之俯視圖；第2B圖係正視圖。
第3A圖及第3B圖係表示對應第2A圖及第2B圖所示BGA基板之切斷用治具之概觀圖；第3A圖係俯視圖；第3B圖係第3A圖中之A-A線剖面圖。
第4A圖及第4B圖係表示在本發明實施形態1之切斷裝置中，載置BGA基板在切斷用治具上之後之狀態之概觀圖；第4A圖係俯視圖；第4B圖係剖面圖。
第5A圖~第5D圖係表示在本發明實施形態1之切斷裝置中，軟焊球與切斷線之位置關係之示意圖；第5A圖係表示軟焊球無偏移之狀態之俯視圖；第5B圖係表示軟焊球少許偏移之狀態之俯視圖；第5C圖係表示軟焊球之偏移超過容許值之狀態之俯視圖；第5D圖係表示修正軟焊球之偏移，在BGA基板上設定新的切斷線後之狀態之俯視圖。
第6A圖及第6B圖係表示本發明實施形態1之切斷裝置 中之切斷方法之順序之流程圖。
第7圖係表示本發明實施形態2之切斷裝置的概要之俯視圖。
本發明之上述及其他之目的、特徵、局面及優點，係由關於與附圖相關連以被理解之本發明之下述詳細說明，應該可以很明瞭。
〔概要〕
典型上，如第4A圖及第4B圖所示，在切斷裝置中，安裝形成有第1標記19之切斷用治具11到切斷用桌台10。載置形成有第2標記6及軟焊球5之BGA基板1到切斷用治具11。藉攝影機構，分別量測第1標記19之座標位置、第2標記6之座標位置及軟焊球5之座標位置。切斷裝置係比較第1標記19之座標位置、第2標記6之座標位置與軟焊球5之座標位置，藉此，算出被設於切斷用治具上之切斷凹槽，與被形成在BGA基板1上之軟焊球間之相對性偏移量。藉搬運機構拿起BGA基板1，僅以依據相對性偏移量之適當量移動BGA基板1，再度載置於切斷用治具11。藉此，在連結被形成在鄰接之領域9上之各軟焊球5與軟焊球5的中間點之線上，新的切斷線被設定。新的切斷線，係被對位到切斷用治具11的切斷凹槽之位置。沿著新的切斷線切斷BGA基板1，藉此，可不損傷軟焊球5地，防止不良品之產生。
〔實施形態1〕
針對本發明實施形態1之切斷裝置，參照第1圖、第2A 圖、第2B圖、第3A圖、第3B圖、第4A圖、第4B圖、第5A圖~第5D圖、第6A圖及第6B圖做說明。關於本申請文件中之任一圖面，也為了容易瞭解，而適宜省略或誇張地示意描繪。關於同一構成要素，係賦予同一編號而適宜省略其說明。
本發明實施形態1之切斷裝置122，係在藉切斷被切斷物(典型性地係BGA基板1)以製造複數製品時被使用。如第1圖所示，切斷裝置122係包含：切斷用治具11，載置有被切斷物；切斷機構129，沿著複數切斷線，切斷被載置於切斷用治具11上之被切斷物；搬運機構125，搬運被切斷物；以及移動機構126，相對性移動切斷用治具11與切斷機構129。切斷裝置122更包含做為攝影機構一例之攝影機128，攝影機128係被配置使得被切斷物包含在攝影視野中。切斷裝置122係而且包含控制部100，控制部100係接收被攝影機128拍攝之影像資訊，同時控制切斷機構129、搬運機構125及移動機構126。控制部100係具有用於記憶必要數據之記憶部。
控制部100係其功能模組包含：影像辨識模組102，對於被攝影機128拍攝之影像資訊，進行影像辨識；以及機器控制模組104，依據在影像辨識模組102之影像辨識結果，控制各機構。這些功能模組典型上，可以藉構成控制部100之處理器執行程式以實現，或者，也可以使用藉ASIC(Application Specific Integrated Circuit)或LSI(Large Scale Integration)等之硬體組裝成之電路構成以實現。
如第2A圖及第2B圖所示，BGA基板1係最終被切斷以被個別片體化之被切斷物之一例。BGA基板1係在製造 BGA製品(半導體裝置)時，被使用之已密封基板。BGA基板1係包括：基板2，由印刷電路板等所構成；複數之半導體晶片3，被組裝在基板2具有之複數領域(下述)上；以及密封樹脂4，被形成為覆蓋複數領域全部。在基板2的表面，用於做為與外部連接之外部電極之軟焊球5，係在各領域的內側形成很多個。做為突起狀電極之多數軟焊球5，係透過導線或配線(未圖示)等，電性連接在分別被設於半導體晶片3上之墊體電極(未圖示)。
如第2A圖及第2B圖所示，在被包含於BGA基板1之基板2，由複數之對合標記所構成之第2標記6A、6B、…、6G、6H(在圖面中，以+表示之標記；以下，適宜地總稱為「第2標記6」。其他構成要素也相同。)，係沿著基板2的縱向及橫向被形成。第2標記6係藉製品之尺寸或數量而被任意設定。藉對位用之攝影機128，第2標記6被拍攝，藉影像辨識而座標位置被量測。藉座標位置被量測，對於切斷用治具(下述)之BGA基板1之對位被進行。對位係通常使用被形成於BGA基板1四角落之第2標記6。在第2A圖中，將被形成於BGA基板1四角落之八個第2標記6，以BGA基板1的左上為基點，逆時針方向分別當作6A、6B、…、6G、6H。
連結沿著BGA基板1的橫向相向而分別形成之第2標記6們地，分別沿著橫向延伸之第1切斷線7，係被假想性地設定。連結沿著BGA基板1的縱向相向而分別形成之第2標記6們地，分別沿著縱向延伸之第2切斷線8，係被假想性地設定。以複數第1切斷線7與複數第2切斷線8包圍之複數 領域9，係對應藉被個別片體化以分別被製造之製品。在第2A圖中，係例如沿著橫向延伸之七條第1切斷線7被設定，沿著縱向延伸之四條第2切斷線8被設定。因此，被形成為沿著橫向三個及沿著縱向六個之領域9，總計十八個領域9被形成為格子狀。在各領域9的內側，形成有多數之軟焊球5。在圖面中，在各領域9係表示有四個軟焊球5。形成在BGA基板1之領域9，係藉被個別片體化之製品之尺寸或數量而任意被設定。
如第3A圖及第3B圖所示，切斷用桌台10係用於在切斷裝置中，切斷BGA基板1以個別片體化之桌台。在切斷用桌台10安裝有對應製品之切斷用治具11。切斷用治具11係包含金屬板12及被固定在金屬板12上之樹脂片13。樹脂片13為緩和機械性衝擊，其需要適度之柔軟性。樹脂片13最好係例如以矽膠系樹脂或氟系樹脂等形成。切斷用桌台10係相對於複數製品而言被共通化，最好僅切斷用治具11可對應製品而替換。
在切斷用治具11的樹脂片13，設有分別吸著保持BGA基板1中之複數領域9之複數台地狀之突起部14。在切斷用治具11分別設有自複數突起部14表面，貫穿樹脂片13與金屬板12之複數吸著孔15。複數之吸著孔15，係分別連接被設於切斷用桌台10之空間16。空間16係被連接到被設於外部之吸引機構(未圖示)。
在突起部14們之間，分別設有複數第1切斷凹槽17及複數第2切斷凹槽18，使得對應分割BGA基板1的複數領域9之複數第1切斷線7及複數第2切斷線8(參照第2A圖及第2B圖)。複數第1切斷凹槽17係被形成使得沿著樹脂 片13(切斷用治具11)的橫向延伸。複數第2切斷凹槽18係被形成使得沿著樹脂片13(切斷用治具11)的縱向延伸。相對於被設定於BGA基板1的最末端之第1切斷線7及第2切斷線8而言，被形成於樹脂片13的最外周之突起部14外側的空間，係具有與切斷凹槽相同之角色。
如第3A圖所示，複數第1標記19(在第3A圖中，以+表示之標記)係包圍樹脂片13之周圍地，沿著縱向與橫向，形成在金屬板12上，使得可對應被設於BGA基板1上之第2標記6(參照第2A圖)之位置。例如在金屬板12的四角落形成有第1標記19A、19B、…、19G、19H，使得可對應被設於BGA基板1的四角落之第2標記6A、6B、…、6G、6H(參照第2A圖)。而且，也可以使必要數量之第1標記19沿著縱向與橫向形成，使得可對應被設於BGA基板1的四角落之第2標記6。
在沿著金屬板12(切斷用治具11)的橫向被形成，且連結兩個相向之第1標記19之線上，形成有複數第1切斷凹槽17。在沿著金屬板12(切斷用治具11)的縱向被形成，且連結兩個相向之第1標記19之線上，形成有複數第2切斷凹槽18。
在第3A圖中，形成第1標記19在金屬板12上，使得可對應被形成於BGA基板1上之第2標記6。本發明並不侷限於此，也可以形成第1標記19在樹脂片13上，使得可對應被形成於BGA基板1上之第2標記6。
接著，說明載置BGA基板1到切斷用治具11以切斷之工序。如第4A圖及第4B圖所示，在切斷用桌台10中， 切斷用治具11係被安裝在切斷用桌台10上，BGA基板1被載置於切斷用治具11上。因此，可使被形成於切斷用治具11的金屬板12上之第1標記19之位置資訊，與被形成於BGA基板1上之第2標記6之位置資訊，當作切斷用桌台10(切斷用治具11)中之位置資訊(座標位置)以測量之。在實施形態1中，係說明切斷用桌台10的縱向係沿著X方向被配置，切斷用桌台10的橫向係沿著Y方向被配置之情形。
首先，如第3A圖及第3B圖所示，在不載置BGA基板1到切斷用治具11上之狀態下，以對位用攝影機128拍攝被形成於金屬板12上之第1標記19，以取得影像數據。依據影像數據以影像辨識，藉此，測量第1標記19之座標位置。將被測得之第1標記19之座標位置，當作切斷用桌台10中之基準之座標位置，以事先記憶在控制部100。例如事先記憶被形成於金屬板12四角落上之八個第1標記19A、19B、…、19G、19H之座標位置。
也可以使此工程在載置BGA基板1到切斷用治具11上時進行，在此時記憶第1標記19之座標位置，在其後之工序中，讀出被記憶之第1標記19之座標位置。或者，也可以使此工程在更換切斷用治具11之時點進行，記憶第1標記19之座標位置，之後，在載置BGA基板1到切斷用治具11上時讀出。
接著，如第4A圖及第4B圖所示，使用搬運機構(參照第1圖之搬運機構125)，載置BGA基板1到切斷用桌台10。在BGA基板1被載置到切斷用治具11上之狀態下，拍攝被形成於BGA基板1上之第2標記6，以取得影像數據。依 據影像數據以影像辨識，藉此，測量第2標記6之座標位置。例如量測被形成於四角落之八個第2標記6A、6B、…、6G、6H(參照第2A圖)。比較此被測得之第2標記6之座標位置，與事先被測得以記憶之第1標記19之座標位置。藉此，在切斷用治具11中，可算出由X方向、Y方向及θ方向中之BGA基板1之位置偏移所造成之偏移量。
在此工程中，也可以同時拍攝第1標記19與第2標記6，以取得影像數據。在此情形下，在載置切斷用治具11到BGA基板1時，取得影像數據，再依據影像數據進行影像辨識，藉此，量測第1標記19之座標位置與第2標記6之座標位置，此時記憶之。之後，讀出這些被記憶之第1標記19之座標位置與第2標記6之座標位置以比較之。
控制部100係判斷被算出之X方向、Y方向及θ方向之偏移量，是否在事先設定之容許值範圍內。如果偏移量全部在容許值範圍內時，前進到下一工序。當X方向、Y方向及θ方向之偏移量之即使任一者在容許值之外時，事先修正該偏移量。
在事先修正BGA基板1的偏移量時，首先，使用搬運機構(參照第1圖的搬運機構125)，藉吸著等之機構，自切斷用治具11拿起BGA基板1，保持BGA基板1在搬運機構。接著，在BGA基板1不被載置於切斷用治具11上，而BGA基板1被保持在搬運機構之狀態下，沿著X方向、Y方向及θ方向中之至少一者之方向，依據偏移量，使搬運機構僅移動適當之量。藉此移動，移動BGA基板1到對應偏移量之目標位置。 目標位置係偏移量為零之位置，或者，與移動前之位置相比較下，偏移量減少而接近零(容許值範圍內之數值)之位置。接著，使用搬運機構，再度載置BGA基板1到切斷用治具11上。藉到此為止之工序，結束BGA基板1之偏移量修正。
如第4A圖及第4B圖所示，事先修正偏移量，藉此，可正確對位BGA基板1的第2標記6之位置，使得對應切斷用治具11的第1標記19之位置。詳細說明時，可使第1標記19與第2標記6間之位置關係，決定在既定之位置關係。可正確對位被設定在BGA基板1上之複數第1切斷線7及複數第2切斷線8之位置，到被設於切斷用治具11上之複數第1切斷凹槽17及複數第2切斷凹槽18之位置。因此，在此狀態下，複數第1切斷凹槽17及複數第2切斷凹槽18之座標位置，與複數第1切斷線7及複數第2切斷線8之座標位置係大概一致。
接著，藉對位用攝影機或被設於切斷機構上之曲線檢查用攝影機(第1圖的攝影機128)，拍攝被形成於BGA基板1上之軟焊球5，以取得影像數據。依據影像數據以進行影像辨識，藉此，量測軟焊球5之座標位置。例如如第4A圖及第4B圖所示，量測沿著BGA基板1縱向被形成之軟焊球5A、5B、5C、5D之座標位置。比較這些座標位置與沿著縱向延伸之第2切斷線8之座標位置，藉此，可求出自第2切斷線8至軟焊球5為止之距離。比較這些距離，與事先記憶到控制部100之自製品中之切斷線至軟焊球為止之距離(製品的規格值)，藉此，可算出在BGA基板1上形成軟焊球5時之位置偏移所造成之軟焊球5的偏移量。在此工序中，做為拍攝對象 之第3標記係使用軟焊球5。
藉量測軟焊球5A、5B之座標位置，可算出相對於在領域9A內，沿著縱向延伸之第2切斷線8而言之軟焊球5A、5B之偏移量。藉量測軟焊球5C、5D之座標位置，可算出相對於在領域9C內之第2切斷線8而言之軟焊球5C、5D之偏移量。藉平均化這些偏移量，算出相對於沿著縱向延伸之第2切斷線8而言之軟焊球5之偏移量。
接著，量測沿著BGA基板1的橫向被形成之軟焊球5D、5E、5F、5G之座標位置。比較這些座標位置與沿著橫向延伸之第1切斷線7之座標位置，藉此，可求出自第1切斷線7至軟焊球5為止之距離。比較這些距離，與事先記憶到控制部100之自製品中之切斷線至軟焊球為止之距離(製品的規格值)，藉此，可算出軟焊球5時之位置偏移量。
藉量測軟焊球5D、5E之座標位置，可算出相對於在領域9C內，沿著橫向延伸之第1切斷線7而言之軟焊球5D、5E之偏移量。藉量測軟焊球5F、5G之座標位置，可算出相對於在領域9F內之第1切斷線7而言之軟焊球5F、5G之偏移量。藉平均化這些偏移量，算出相對於沿著橫向延伸之第1切斷線7而言之軟焊球5之偏移量。
控制部100係判斷相對於沿著橫向延伸之第1切斷線7與沿著縱向延伸之第2切斷線8而言，被算出之軟焊球5的偏移量，是否相對於製品規格值而言在容許範圍內。
參照第5A圖~第5D圖，說明量測軟焊球5的偏移量以修正之動作。沿著BGA基板1橫向被設定之第1切斷線 7，係事先正確對合到沿著切斷用治具11橫向被形成之第1切斷凹槽17之位置。沿著BGA基板1縱向被設定之第2切斷線8，係事先正確對合到沿著切斷用治具11縱向被形成之第2切斷凹槽18之位置。在此狀態中，量測軟焊球5的位置偏移以修正之。
在第5A圖中，將自沿著橫向延伸之第1切斷線7，至軟焊球5的中心為止之距離當作dX，將自沿著縱向延伸之第2切斷線8，至軟焊球5的中心為止之距離當作dY。使用對位用攝影機，或者，曲線檢查用攝影機(第1圖的攝影機128)，以量測軟焊球5的座標位置。藉此，可求出自第1切斷線7至軟焊球5為止之距離dX，與自第2切斷線8至軟焊球5為止之距離dY。比較被求出之距離dX及距離dY，與事先被記憶之做為製品規格值之距離X0及距離Y0，藉此，算出軟焊球5的偏移量(dX-X0)及(dY-Y0)。控制部100係判斷這些偏移量(dX-X0)及(dY-Y0)，是否在製品中之容許範圍內。而且，事先被記憶之做為製品規格值之距離X0及距離Y0，係例如有X0=Y0(>0)之關係。
例如將自製品中之第1切斷線7及第2切斷線8，至軟焊球5中心為止之偏移量之容許值當作T1。如果0≦(dX-X0)<T1，而且0≦(dY-Y0)<T1時，控制部100係判斷相對於第1切斷線7及第2切斷線8而言之軟焊球5的偏移量，在容許範圍內。如果係此情形時，沿著沿BGA基板1之橫向延伸之第1切斷線7，及沿縱向延伸之第2切斷線8，切斷BGA基板1以個別片體化。相對於第1切斷線7及第2切斷線8而言之軟焊球5的偏移量，係在容許範圍內，所以， 不產生不良品。
第5A圖係(dX-X0)≒0(<<0)，而且(dY-Y0)≒0(<<0)之情形。軟焊球5係相對於第1切斷線7及第2切斷線8而言，X方向及Y方向皆實質上無偏移之狀態。因此，沿著沿BGA基板1之橫向延伸之第1切斷線7，及沿縱向延伸之第2切斷線8，切斷BGA基板1以個別片體化。
第5B圖係0<(dX-X0)<T1，而且0<(dY-Y0)<T1之情形。軟焊球5係自第1切斷線7往X方向僅偏移-(dX-X0)，自第2切斷線8往Y方向僅偏移-(dY-Y0)。軟焊球5係在X方向與Y方向，皆自既定位置少許偏移，但是，被形成在容許範圍內。因此，沿著沿BGA基板1之橫向延伸之第1切斷線7，及沿縱向延伸之第2切斷線8，切斷BGA基板1以個別片體化。此情形也相對於第1切斷線7及第2切斷線8而言之軟焊球5的偏移量，係在容許範圍內，所以，不產生不良品。
即使在第5A圖及第5B圖之情形，軟焊球5的偏移量係在製品之容許範圍內。因此，可沿著沿BGA基板1之橫向延伸之第1切斷線7，及沿縱向延伸之第2切斷線8，切斷BGA基板1以個別片體化。軟焊球5的偏移量係在容許範圍內，所以，皆不產生不良品。
第5C圖係(dX-X0)>T1，而且(dY-Y0)>T1之情形。其係軟焊球5之X方向與Y方向之偏移量，皆超過容許值T1之狀態。在此狀態下，當沿著第1切斷線7與第2切斷線8切斷BGA基板1時，有損傷軟焊球5一部份而產生不良品之虞。在此情形下，無法沿著當初被設定之第1切斷線 7與第2切斷線8切斷BGA基板1。因此，必須修正當初被設定之第1切斷線7與第2切斷線8，再切斷BGA基板1。
第5C圖係表示(dX-X0)>T1，而且(dY-Y0)>T1之情形。因此，其係軟焊球5之X方向與Y方向之偏移量，皆超過容許值T1之狀態。如果係(dX-X0)>T1或(dY-Y0)>T1之任一者成立時，其係軟焊球5之X方向與Y方向之任一者之偏移量，皆超過容許值T1之狀態。當任一者之偏移量超過容許值T1時，修正至少一者之偏移量，最好修正兩者之偏移量，再切斷BGA基板1。
如第5D圖所示，X方向之偏移量係-(dX-X0)>T1，Y方向之偏移量係-(dY-Y0)>T1，所以，修正這些偏移量。首先，藉搬運機構(參照第1圖的搬運機構125)，自切斷用治具11拿起BGA基板1。接著，在保持BGA基板1之狀態下，在X方向僅+(dX-X0)，在Y方向僅+(dY-Y0)地，移動BGA基板1。藉此，移動BGA基板1至目標位置。藉此移動，可在連結分別被形成在鄰接領域9上之各軟焊球5與軟焊球5的中間點之線上，設定新的切斷線(在第5D圖中，以粗的中心線所示之線)。在BGA基板1中，沿著橫向設定新的複數第3切斷線20，沿著縱向設定新的複數第4切斷線21。複數第3切斷線20及複數第4切斷線21，係分別位於複數切斷凹槽17及複數切斷凹槽18上。
使用搬運機構拿起BGA基板1，僅依據偏移量之適當量地，移動BGA基板1，藉此，可在被形成於切斷用治具11上之第1切斷凹槽17及第2切斷凹槽18上，分別放置第3 切斷線20及第4切斷線21。再度載置BGA基板1在切斷用治具11上，沿著複數第3切斷線20及複數第4切斷線21，切斷BGA基板1。藉此，不會損傷軟焊球5，所以，可防止不良品之產生。切斷機構的旋轉刀不切削切斷用治具11的樹脂片13，所以，可延長切斷用治具11之使用壽命。而且，在切斷用治具11中，BGA基板1係在自當初位置，沿著橫向延伸之第1切斷線7僅在X方向移動+(dX-X0)，沿著縱向延伸之第2切斷線8僅在Y方向移動+(dY-Y0)之狀態下被載置。
也可以對應搬運機構(參照第1圖的搬運機構125)與切斷用治具11(參照第4圖)之構成，在搬運機構自切斷用治具11拿起BGA基板1，以保持BGA基板1在搬運機構之狀態下，沿著X方向、Y方向及θ方向中之至少一者之方向，僅以依據軟焊球5的偏移量之適當量地，移動切斷用治具11。之後，使用搬運機構，再度載置BGA基板1到切斷用治具11。
本質上，也可以在搬運機構自切斷用治具11拿起BGA基板1，以保持BGA基板1在搬運機構之狀態下，沿著X方向、Y方向及θ方向中之至少一者之方向，僅以依據偏移量之適當量地，相對性移動搬運機構與切斷用治具11。
搬運機構之典型例，有在第7圖所示之「搬運機構25」。隨著搬運機構與切斷用治具11相對性移動之搬運機構與切斷用治具11間之位置精度(原來應該之位置與實際位置間之偏移量)，係在比較對於切斷用治具11之BGA基板1之偏移量，與BGA基板1中之軟焊球5之偏移量時，其係非常小而到可忽視之程度。例如重複移動使得搬運機構與切斷用 治具11在相同位置關係時之位置精度，係在比較對於切斷用治具11之BGA基板1之偏移量，與BGA基板1中之軟焊球5之偏移量時，其係非常小而到可忽視之程度。
參照第6A圖及第6B圖，當依據實施形態1時，安裝對應製品之切斷用治具11到切斷用桌台10(參照第6A圖之步驟S1)。設置複數之第1標記19在切斷用治具11，使得可對應被形成在BGA基板1上之複數第2標記6。在切斷用桌台10中，量測被形成在切斷用治具11上之第1標記19之座標位置，以當作基準座標位置事先記憶。接著，量測被載置於切斷用治具11上之BGA基板1的第2標記6之座標位置(參照第6A圖的步驟S2~S4)。比較第1標記19之座標位置與第2標記6之座標位置，藉此，可算出切斷用治具11中之BGA基板1的偏移量(參照第6A圖的步驟S5)。當BGA基板1的偏移量超過容許值時，修正偏移量，藉此，可正確對合BGA基板1的第2標記6之位置，到切斷用治具11上之第1標記19之位置(參照第6A圖的步驟S6~S7)。藉此，可正確對位被設定在BGA基板1上之複數切斷線之位置，到被設於切斷用治具11上之複數切斷凹槽之位置。
在正確對位BGA基板1之複數切斷線之位置，到切斷用治具11之複數切斷凹槽之位置之狀態下，量測被形成於BGA基板1上之軟焊球5之座標位置(參照第6A圖及第6B圖之步驟S8~S10)。比較測得之軟焊球5之座標位置與切斷線之座標位置，藉此，求出自切斷線至軟焊球5之距離。比較此距離與事先記憶在控制部100之自製品中之切斷線至軟焊 球為止之距離(製品之規格值)，藉此，算出軟焊球5之偏移量(參照第6B圖之步驟S11)。控制部100判斷被算出之偏移量是否在容許範圍內(參照第6B圖之步驟S12)。當在容許範圍內時，沿著切斷線切斷BGA基板1以個別片體化(參照第6B圖之步驟S15)。當在容許範圍外時，使用搬運機構以自切斷用治具11拿起BGA基板1，僅以依據偏移量之適當量地，移動BGA基板1，再度載置到切斷用治具11中之目標位置(參照第6B圖之步驟S13~S14)。藉此，可在連接被形成在鄰接領域9上之各軟焊球5與軟焊球5的中間點之線上，設定新的切斷線。新的切斷線可正確對位到切斷用治具11的切斷凹槽之位置。沿著這些切斷線以切斷BGA基板1而個別片體化，藉此，不損傷軟焊球5，所以，可防止不良品之產生。
當依據實施形態1時，即使軟焊球5自當初之切斷線偏移時，僅以依據偏移量之適當量，移動BGA基板1，以在鄰接領域9上之各軟焊球5與軟焊球5的中間點之線上，設定新的切斷線。藉此，可對位新的切斷線到切斷用治具11的切斷凹槽之位置。因此，被設於切斷機構之旋轉刀，不自切斷凹槽之位置偏移，可沿著新的切斷線切斷BGA基板1。不損傷軟焊球5，所以，可防止不良品之產生。此外，可防止旋轉刀切削切斷用治具11。因此，變得不自切斷用治具11產生切屑。旋轉刀不切削切斷用治具11，所以，切斷用治具11之使用壽命延長，可減少切斷裝置之運轉成本。
在實施形態1中，首先量測被形成在BGA基板1上之複數第2標記6之座標位置，算出切斷用治具11中之BGA 基板1之偏移量。當BGA基板1之偏移量超過容許值時，藉修正該偏移量，對位被設於BGA基板1上之複數切斷線之位置，到被設於切斷用治具11上之複數切斷凹槽之位置。接著，量測被形成於BGA基板1上之軟焊球5之座標位置，以求出自切斷線至軟焊球5之距離。當軟焊球5之偏移量超過容許值時，藉修正該偏移量，重新設定複數切斷線在BGA基板1上。對位重新設定之複數切斷線之位置，到切斷用治具11上之複數切斷凹槽之位置，以切斷BGA基板1而個別片體化。
〔實施形態1的變形例〕
實施形態1的變形例有如下述般地，可修正軟焊球5之偏移量。
第1變形例有分別量測被設於切斷用治具11上之第1標記19之座標位置、被載置於切斷用治具11上之BGA基板1的第2標記6之座標位置、及軟焊球5之座標位置。控制部100係進行測得之各座標位置之數據處理，藉此，算出軟焊球5與切斷凹槽之相對性偏移量。藉修正軟焊球5之偏移量，可設定切斷線在連結被形成在鄰接之領域9上之各軟焊球5與軟焊球5的中間點之線上，以切斷BGA基板1。
在此情形下，分別在另一工序中量測被設於切斷用治具11上之第1標記19之座標位置、被載置於切斷用治具11上之BGA基板1的第2標記6之座標位置、及軟焊球5之座標位置。本發明並不侷限於此，在BGA基板1被載置於切斷用治具11上之狀態下，可以同時量測第1標記19之座標位置、第2標記6之座標位置、及軟焊球5之座標位置，算出軟 焊球5與切斷凹槽之相對性偏移量。
第2變形例有分別量測被設於切斷用治具11上之第1標記19之座標位置、及被載置於切斷用治具11上之BGA基板1的軟焊球5之座標位置。控制部100比較被測得之各座標位置，藉此，算出軟焊球5與切斷凹槽之偏移量。藉修正軟焊球5之偏移量，可設定切斷線在連結被形成在鄰接之領域9上之各軟焊球5與軟焊球5的中間點之線上，以切斷BGA基板1。在此情形下，也在BGA基板1被載置於切斷用治具11上之狀態下，同時量測第1標記19之座標位置、及軟焊球5之座標位置，算出軟焊球5與切斷凹槽之偏移量。
〔實施形態2〕
關於本發明實施形態2之切斷裝置，參照第7圖做說明。如第7圖所示，切斷裝置22係使被切斷物個別片體化成複數製品之裝置。切斷裝置22係具有分別做為構成要素之基板供給模組A、基板切斷模組B及檢查模組C。各構成要素(各模組A~C)係分別相對於其他構成要素而言，可裝卸及更換。
在基板供給模組A中設有：基板供給機構23，供給相當於被切斷物之BGA基板1；基板載置部24，接受BGA基板1；以及搬運機構25，搬運BGA基板1。BGA基板1係使形成有軟焊球5(參照第2A圖及第2B圖)之基板2之側當作上側而被供給。搬運機構25係可移動在X方向、Y方向及Z方向上，而且可在θ方向上轉動。BGA基板1係在基板載置部24中被定位後，被搬運機構25搬運到基板切斷模組B。
第7圖所示之切斷裝置22，係單切桌台方式之切 斷裝置。因此，在基板切斷模組B中，設有一個切斷用桌台10。切斷用桌台10係藉移動機構26而可在第7圖之Y方向上移動，而且，藉旋轉機構27而可在θ方向上轉動。在切斷用桌台10安裝有切斷用治具11(參照3A圖及第3B圖)，BGA基板1被載置吸著在切斷用治具11上。
在基板切斷模組B設有對位用攝影機28。攝影機28係可獨立在X方向上移動。在基板切斷模組B設有當作切斷機構之主軸29。切斷裝置22係設有一個主軸29之單主軸構成之切斷裝置。主軸29係可獨立在X方向與Z方向上移動。在主軸29組裝有旋轉刀30。在主軸29為了抑制由高速旋轉之旋轉刀30所產生之摩擦熱，設有噴射切削液之切削液用噴嘴(未圖示)。相對性移動切斷用桌台10與主軸29，藉此，切斷BGA基板1。旋轉刀30係在包含Y方向與Z方向之面內旋轉，藉此，切斷BGA基板1。
在檢查模組C設有檢查用桌台31。在檢查用桌台31載置有由切斷BGA基板1以被個別片體化之複數製品P所構成之集合體，亦即，載置有已切斷BGA基板32。複數製品P係被檢查用攝影機(未圖示)檢查，良品與不良品被分類。良品被收容在托盤33。
在主軸29設有曲線檢查用攝影機34。攝影機34係在即將切斷BGA基板1時，拍攝軟焊球5。攝影機28或攝影機34係在X方向上移動，而且，切斷用桌台10在Y方向上移動，藉此，拍攝被形成於BGA基板1上之第2標記6(參照第2A圖)。控制部CTL係依據被攝得之影像數據，量測第 2標記6之座標位置。控制部CTL比較第2標記6之座標位置，與被形成於切斷用治具11且事先被量測記憶之第1標記19(參照第3A圖)之座標位置，藉此，對位切斷用治具11與BGA基板1(對位切斷凹槽與切斷線)。接著，藉攝影機28或攝影機34拍攝軟焊球5。控制部CTL係依據攝得之影像數據，量測軟焊球5之座標位置。當軟焊球5有無法被容許之偏移時，修正切斷線之位置後，以旋轉刀30切斷BGA基板1。
而且，在實施形態2中，設置進行切斷裝置22之動作、BGA基板1之搬運、BGA基板1之對位、軟焊球之偏移量修正、BGA基板1之切斷及製品P之檢查等之控制部CTL到基板供給模組A內。本發明並不侷限於此，也可以設置控制部CTL到其他模組內。
在實施形態2中，係說明過做為單切桌台方式之單主軸構成之切斷裝置22。本發明並不侷限於此，在做為單切桌台方式之雙主軸構成之切斷裝置，或者，做為雙切桌台方式之雙主軸構成之切斷裝置等之中，也可以適用本發明之BGA基板1之對位或切斷等。
當依據實施形態2時，在切斷裝置22中，使搬運機構25可在X方向、Y方向及Z方向上移動，而且，可在θ方向上轉動。藉此，即使當BGA基板1自切斷用治具11之既定位置偏移時，或者，軟焊球5自切斷線偏移時，也可以藉搬運機構25修正這些偏移量。在BGA基板1偏移之狀態，或者，在軟焊球5偏移之狀態下，藉搬運機構25拿起BGA基板1。自此狀態，僅以依據BGA基板之偏移量或軟焊球5之偏移量 之適當量地，移動搬運機構25，以在切斷用治具11之既定位置上方停止。之後，再度載置BGA基板1到切斷用治具11上。可以載置BGA基板1到切斷用治具11之既定位置，所以，可正確對合必須切斷之切斷線之位置，到切斷用治具11之切斷凹槽之位置。無須追加新的構成要素或新的功能到既存之切斷裝置22，就可以正確對位BGA基板1。無須改造切斷裝置22，而且無須產生費用地，就可以進行BGA基板1之對位。因此，無須產生切斷裝置22之改造費用，就可提高切斷之品質或製品之材料利用率。
當依據實施形態2時，在正確對位BGA基板1的切斷線之位置，到切斷用治具11的切斷凹槽之位置後之狀態下，可切斷BGA基板1。因此，不損傷軟焊球5，所以，可防止不良品之產生。此外，可防止旋轉刀切削樹脂片13。因此，變得不自切斷用治具11產生切屑。旋轉刀不切削樹脂片13，所以，切斷用治具11之使用壽命延長，可減少切斷裝置22之運轉成本。
而且，在實施形態2中，搬運機構25修正BGA基板1之X方向、Y方向及θ方向之偏移量，以使BGA基板1移動載置到切斷用治具11的既定位置上方。本發明並不侷限於此，也可以搬運機構25修正BGA基板1之X方向之偏移量，切斷用桌台10修正Y方向及θ方向之偏移量，以載置BGA基板1到切斷用治具11的既定位置。如果係這種情形時，也可以使搬運機構做成僅在X方向可移動之構成。
〔其他實施形態〕
在上述各實施形態中，被切斷物有表示具有擁有縱向與橫向之長方形平面形狀之BGA基板。本發明並不侷限於此，即使在具有正方形平面形狀之BGA基板係被切斷物之情形，也可以適用本發明。而且，當製造PBGA(Plastic Ball Grid Array)、P-FBGA(Plastic Fine pitch Ball Grid Array)、FC-BGA(Flip Chip-Ball Grid Array)、C-BGA(Ceramic Ball Grid Array)等BGA製品時，可以適用本發明。
而且，在製造LGA(Land Grid Array)、PoP(Package on a Package)、PiP(Package in a Package)等之時，也可以適用本發明。在這些情形中，當作做為拍攝對象之第3標記，係使用自密封樹脂露出之導線(外部電極)等。當依據本發明時，也包含被切斷物係BGA基板之情形，可修正基板收縮所造成之軟焊球及導線等之位置偏移，以切斷被切斷物。
在上述各實施形態中，使具有金屬板12與被固定在金屬板12上之樹脂片13之切斷用治具11，安裝在切斷用桌台10。本發明並不侷限於此，可使用以一種或複數種金屬所構成之切斷用治具11，換言之，可使用金屬製之切斷用治具11。可使用以一種或複數種樹脂所構成之切斷用治具11，換言之，可使用樹脂製之切斷用治具11。也可以不使用切斷用桌台10，藉移動機構26與旋轉機構27，直接移動切斷用治具11。
在上述各實施形態中，切斷機構係使用旋轉刀。本發明並不侷限於此，也可以使用線鋸、帶鋸、雷射光、水刀及噴砂等。當使用線鋸及帶鋸時，當作通過做為貢獻於切斷之機構之刀(線鋸、帶鋸)之空間之貫穿孔，係設於切斷用治具。 當使用雷射光、水刀及噴砂時，當作通過做為貢獻於切斷之機構之空間之貫穿孔，係設於切斷用治具。因此，在本發明中之「切斷凹槽」中，係包含貫穿「切斷用治具」之狹縫狀之貫穿孔。被包含在切斷機構之貢獻於切斷之機構(旋轉刀、線鋸、帶鋸等)之至少一部份，係通過「切斷凹槽」。自切斷機構被供給之貢獻於切斷之機構(雷射光、高壓噴射水及磨粒等)之至少一部份，係通過「切斷凹槽」。
本發明係並不侷限於上述各實施形態，在不脫逸本發明旨趣之範圍內，因應需要，可任意且適宜地組合、變更或選擇採用。
雖然說明過本發明之實施形態，但是，其必須被考慮為本次開示之實施形態，係以全部之點做例示，其並非用於限制本發明者。本發明之範圍係藉專利申請範圍表示，其意圖包含與專利申請範圍均等之意味及在範圍內的全部變更。
1‧‧‧BGA基板(被切斷物)
6‧‧‧第2標記
7‧‧‧第1切斷線(切斷線)
8‧‧‧第2切斷線(切斷線)
10‧‧‧切斷用桌台
11‧‧‧切斷用治具
12‧‧‧金屬板
13‧‧‧樹脂片
15‧‧‧吸著孔
5,5A~5G‧‧‧軟焊球(外部電極、第3標記)
16‧‧‧空間
17‧‧‧第1切斷凹槽(切斷凹槽)
19‧‧‧第1標記
9,9A,9C,9F‧‧‧領域

Claims (10)

  1. 一種切斷裝置，在藉切斷被切斷物以製造複數製品時被使用，其特徵在於包括：切斷用治具，具有複數之第1標記與複數之切斷凹槽，載置有具有複數之第2標記與由複數之外部電極所構成之複數第3標記之被切斷物；切斷機構，使被載置於前述切斷用治具上之前述被切斷物，沿著複數切斷線切斷；搬運機構，搬運前述被切斷物；移動機構，使前述切斷用治具與前述切斷機構相對性移動；攝影機構，藉攝影至少前述複數第1標記與前述複數第3標記，生成第1次影像數據；以及控制機構，藉前述搬運機構，對位被載置於前述切斷用治具上之前述被切斷物與前述切斷用治具，前述控制機構係比較由被記憶之特定第1標記之位置資訊所構成之第1位置資訊，或者，由影像處理前述第1次影像數據所得之特定第1標記之位置資訊所構成之第1位置資訊，與由依據前述第1次影像數據所測得之特定第3標記之位置資訊所構成之第3位置資訊，藉此，算出表示前述複數切斷凹槽與前述複數第3標記間之相對性位置偏移之第1次偏移量，前述搬運機構係自前述切斷用治具拿起前述被切斷物，依據前述第1次偏移量，相對性移動前述搬運機構與前述切 斷用治具，藉此，移動前述被切斷物到對應前述第1次偏移量之第1次目標位置後，前述搬運機構係再次載置前述被切斷物到前述切斷用治具，前述切斷機構係沿著前述複數切斷線，切斷再次被載置之前述被切斷物。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之切斷裝置，其中，在生成前述第1次影像數據前，前述攝影機構係至少拍攝前述複數第2標記，藉此，生成第0次影像數據，在生成前述第1次影像數據前，前述控制機構係比較前述第1位置資訊，與由依據前述第0次影像數據所測得之特定第2標記之位置資訊所構成之第2位置資訊，藉此，算出表示前述複數切斷凹槽與前述複數第2標記間之相對性位置偏移之第0次偏移量，在生成前述第1次影像數據前，前述搬運機構係自前述切斷用治具拿起前述被切斷物，依據前述第0次偏移量，相對性移動前述搬運機構與前述切斷用治具，藉此，移動前述被切斷物到對應前述第0次偏移量之第0次目標位置後，前述搬運機構再次載置前述被切斷物到前述切斷用治具上。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之切斷裝置，其中，藉相對性移動前述搬運機構與前述切斷用治具，在沿著X方向、Y方向及θ方向中之至少一者之方向，移動前述被切斷物到前述第0次目標位置或前述第1次目標位置後，前述搬運機構再次載置前述被切斷物到前述切斷用治具上。
  4. 如申請專利範圍第1或2項所述之切斷裝置，其中，前述特定之第1標記係當俯視時，沿著第1方向與直交前述第1方向之第2方向，分別至少設定兩個，前述特定之第2標記係當俯視時，沿著前述第1方向與前述第2方向，分別至少設定兩個，前述特定之第3標記係當俯視時，沿著前述第1方向與前述第2方向，分別至少設定兩個。
  5. 如申請專利範圍第1或2項所述之切斷裝置，其中，前述被切斷物係在製造BGA時被使用之已密封基板，前述外部電極係突起狀電極。
  6. 一種切斷方法，包括：準備切斷用治具工序，準備具有複數切斷凹槽與複數第1標記之切斷用治具；準備被切斷物工序，準備具有複數切斷線、複數第2標記及由複數外部電極所構成之複數第3標記之被切斷物；載置工序，藉搬運機構，載置前述被切斷物到前述切斷用治具上；生成工序，藉攝影機構拍攝前述複數第1標記與前述複數第3標記，以生成第1次影像數據；取得第1位置資訊工序，取得由被記憶之特定之前述第1標記之位置資訊所構成之第1位置資訊，或者，由影像處理前述第1次影像數據所得之特定之前述第1標記之位置資訊所構成之第1位置資訊；取得第3位置資訊工序，取得由影像處理前述第1次影像 數據所得之特定之前述第3標記之位置資訊所構成之第3位置資訊；算出工序，比較前述第1位置資訊與前述第3位置資訊位，藉此，算出表示前述複數切斷凹槽與前述複數第3標記間之相對性位置偏移之第1次偏移量；移動被切換物工序，自前述切斷用治具拿起前述被切斷物，移動前述被切斷物到對應前述第1次偏移量之第1次目標位置；再次載置工序，再次載置前述被切斷物到前述切斷用治具上；以及切斷工序，藉相對性移動前述切斷用治具與切斷機構，以使用前述切斷機構沿著前述複數切斷線，切斷再次被載置之前述被切斷物。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之切斷方法，其中，而且包括：生成工序，在取得前述第1次影像數據之工序前，藉攝影至少前述複數第2標記，生成第0次影像數據；算出工序，在取得前述第1次影像數據之工序前，比較前述第1位置資訊，與由依據前述第0次影像數據所測得之特定第2標記之位置資訊所構成之第2位置資訊，藉此，算出表示前述複數切斷凹槽與前述複數第2標記間之相對性位置偏移之第0次偏移量；移動被切斷物工序，在取得前述第1次影像數據之工序前，自前述切斷用治具拿起前述被切斷物，移動前述被切斷物到對應前述第0次偏移量之第0次目標位置；以及 再次載置工序，在取得前述第1次影像數據之工序前，再次載置移動到第0次目標位置之前述被切斷物。
  8. 如申請專利範圍第6或7項所述之切斷方法，其中，移動前述被切斷物之工序，係包含藉相對性移動前述搬運機構與前述切斷用治具，在沿著X方向、Y方向及θ方向中之至少一者之方向，移動前述被切斷物到前述第0次目標位置或前述第1次目標位置之工序。
  9. 如申請專利範圍第6或7項所述之切斷方法，其中，而且包括：設定第1標記工序，當俯視時，沿著第1方向與直交前述第1方向之第2方向，設定在前述複數第1標記中之分別由至少兩個所構成之前述特定之第1標記；設定第2標記工序，當俯視時，沿著前述第1方向與前述第2方向，設定在前述複數第2標記中之分別由至少兩個所構成之前述特定之第2標記；以及設定第3標記工序，當俯視時，沿著前述第1方向與前述第2方向，設定在前述複數第3標記中之分別由至少兩個所構成之前述特定之第3標記。
  10. 如申請專利範圍第6或7項所述之切斷方法，其中，前述被切斷物係在製造BGA時被使用之已密封基板，前述外部電極係突起狀電極。
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Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6656752B2 (ja) * 2016-01-22 2020-03-04 株式会社ディスコ パッケージウェーハの加工方法
KR20180028265A (ko) 2016-09-08 2018-03-16 현대자동차주식회사 알루미늄 판재 및 이를 이용한 이지알쿨러
JP6896326B2 (ja) * 2017-03-06 2021-06-30 株式会社ディスコ 加工装置
JP7032050B2 (ja) * 2017-03-14 2022-03-08 株式会社ディスコ レーザー加工装置
CN206662561U (zh) * 2017-04-25 2017-11-24 京东方科技集团股份有限公司 激光切割基台和激光切割装置
JP2019016700A (ja) * 2017-07-07 2019-01-31 Ｔｏｗａ株式会社 保持部材、保持部材の製造方法、保持装置、搬送装置及び電子部品の製造装置
JP7007052B2 (ja) * 2017-09-19 2022-01-24 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7020673B2 (ja) * 2018-02-21 2022-02-16 三星ダイヤモンド工業株式会社 ブレーク装置、ブレーク方法、およびブレークプレート
CN112074357B (zh) * 2018-05-14 2022-08-26 株式会社富士 引线切断单元以及具备该引线切断单元的安装机
JP7150401B2 (ja) * 2018-11-20 2022-10-11 株式会社ディスコ 被加工物の加工方法
CN110587835A (zh) * 2019-09-24 2019-12-20 上海集成电路研发中心有限公司 一种光栅硅片的切割方法
KR102411860B1 (ko) * 2019-09-27 2022-06-23 가부시키가이샤 도교 세이미쓰 다이싱 장치 및 방법
JP6912745B1 (ja) * 2019-09-27 2021-08-04 株式会社東京精密 ダイシング装置及び方法
JP2022042948A (ja) * 2020-09-03 2022-03-15 ダイア アンド コー インコーポレイテッド 原石を１００面体にカッティングして高強度の宝石を取得するシステム
JP7564747B2 (ja) * 2021-03-29 2024-10-09 Ｔｏｗａ株式会社 加工装置、及び加工品の製造方法
WO2023107988A1 (en) * 2021-12-07 2023-06-15 Jabil Inc. Self correcting router technology
CN114497276B (zh) * 2021-12-31 2024-02-06 中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司 光伏组件生产线
CN114783865B (zh) * 2022-04-13 2023-02-10 苏州优力科瑞半导体科技有限公司 一种划片切割方法及系统
CN117549411B (zh) * 2023-11-11 2024-04-30 肇庆市宏华电子科技有限公司 多层片式陶瓷电容片的切边方法、装置、设备和介质
CN117532760B (zh) * 2023-12-18 2024-08-02 肇庆市宏华电子科技有限公司 Mlcc生产用的多相机切换定位方法、装置、设备及介质

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001060566A (ja) 1999-08-19 2001-03-06 Nec Corp 半導体パッケージの切断方法および装置
JP2003211354A (ja) * 2002-01-18 2003-07-29 Disco Abrasive Syst Ltd 切削装置
JP3991872B2 (ja) * 2003-01-23 2007-10-17 松下電器産業株式会社 半導体装置の製造方法
TW200512060A (en) * 2003-09-24 2005-04-01 Aurotek Corp System and method for automatically generating cutting path
JP2009170501A (ja) * 2008-01-11 2009-07-30 Disco Abrasive Syst Ltd 切削装置
JP5906103B2 (ja) * 2012-03-02 2016-04-20 株式会社ディスコ パッケージ基板の加工方法および位置関係検出装置
JP5960532B2 (ja) * 2012-07-25 2016-08-02 株式会社ディスコ パッケージ基板の加工方法
JP6218511B2 (ja) * 2013-09-02 2017-10-25 Ｔｏｗａ株式会社 切断装置及び切断方法

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