CN106024613B - 切断装置以及切断方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种切断装置和切断方法。切断装置包括:拍摄部件,其通过至少对多个第1标记和多个第3标记进行拍摄而生成第1次图像数据;控制部件,其对由输送机构载置到切断用夹具之上的被切断物和切断用夹具进行对位。控制部件通过对第1位置信息和第3位置信息进行比较,计算出第1次偏移量,第1位置信息由第1标记的位置信息构成,该第3位置信息由基于第3标记的位置信息构成。输送机构从切断用夹具抬起被切断物,基于第1次偏移量使输送机构和切断用夹具相对移动,从而使被切断物移动到与第1次偏移量相对应的第1次目标位置,之后,输送机构将被切断物再次载置于切断用夹具。切断机构沿着多个切断线将再次载置的被切断物切断。

Description

切断装置以及切断方法
技术领域
本发明涉及制造将被切断物切断并将被切断物单片化而成的多个产品的切断装置以及切断方法。
背景技术
将包括印刷基板、引线框架等的基板假想地划分成格子状的多个区域,在各个区域安装了一个或多个芯片状的元件(例如,半导体芯片)之后,对整个基板进行树脂封装,将由此而成的构件称为“封装完毕基板”。利用使用了旋转刀等的切断机构将封装完毕基板切断,单片化成各个区域单位的构件成为产品。
以往以来,使用切断装置而利用旋转刀等切断机构将封装完毕基板的预定区域切断。首先,将封装完毕基板载置于切断用台之上。接着,对封装完毕基板进行对准(对位)。通过进行对准,设定用于划分多个区域的假想的切断线的位置。接着,使载置有封装完毕基板的切断用台和切断机构相对移动。将切削水向封装完毕基板的切断部位喷射并利用切断机构沿着设定于封装完毕基板上的切断线将封装完毕基板切断。通过切断封装完毕基板,制造出单片化的产品。
在切断用台安装有与产品相对应的切断用夹具。封装完毕基板被载置并吸附于切断用夹具之上。在切断用夹具设有用于分别吸附保持封装完毕基板的多个区域的多个台地状的突起部。在多个突起部分别设有吸附孔。在突起部彼此之间设有与用于划分封装完毕基板的各区域的多个切断线的位置相对应的多个切断槽。通过使切断用台和切断机构相对移动,封装完毕基板沿着多个切断线被切断而被单片化。
在切断封装完毕基板的情况下,以封装完毕基板的切断线与切断用夹具的切断槽的位置对准的方式进行切断。通过使旋转刀沿着切断线移动,将封装完毕基板切断。若在切断用夹具的切断槽的位置和封装完毕基板的切断线的位置偏移了的状态下切断封装完毕基板,则有时旋转刀从切断槽的位置偏移而切削切断用夹具的一部分。由于切断用夹具被切削而产生大量的碎屑。而且,由于切断用夹具被切削而切断用夹具的寿命变短。因而,使封装完毕基板的切断线的位置与切断用夹具的切断槽的位置准确地对准来进行切断变得重要。
作为即使分割线存在图案偏移、也能够以分割线与切削刀片退刀槽的位置对齐的方式将被加工物保持在保持台上的切削装置,提出了一种切削装置,该切削装置包括“保持台,其能够旋转,在与被加工物表面的分割线相对应的位置形成有切削刀片退刀槽,用于保持被加工物;切削部件,其具有用于沿着所述分割线对被保持于所述保持台的被加工物进行切削的切削刀片;输送部件,其用于将被加工物向所述保持台上输送,其中,该切削装置包括控制部件,该控制部件对所述输送部件或所述保持台进行控制,以便使由拍摄部件识别出的被加工物表面的所述分割线和所述保持台的所述切削刀片退刀槽的位置对齐,从而将被加工物保持于所述保持台上”(例如,参照日本特开2009-170501号公报的段落〔0009〕、图1、图4、图5)。
如日本特开2009-170501号公报的图4、图5所示,通过利用拍摄部件13对被加工物60的表面进行拍摄,识别分割线61的状态,基于该识别结果对输送部件20的输送量、保持台30的姿势·位置进行控制,以便使分割线61和切削刀片退刀槽32的位置对齐而将被加工物60保持于保持台30上。因而,即使在被加工物60中存在分割线61的图案偏移,也能够以分割线61与切削刀片退刀槽32的位置对齐的方式将被加工物60保持于保持台30上。因而,在切削刀片41、分割线61、切削刀片退刀槽32的位置对齐了的状态下,能够进行良好的全切割动作。
然而,根据日本特开2009-170501号公报所公开的切削装置10,产生如下那样的问题。例如,于在制造被称为BGA(Ball Grid Array)的产品(半导体装置)时的半成品即封装完毕基板(以下称为“BGA基板”。)中,在基板上形成有供与外部电连接的许多焊锡球。在BGA基板中,焊锡球有时形成于相对于分割线的位置偏移了的位置。若在焊锡球的位置相对于分割线偏移了的状态下切削BGA基板,则有可能损伤焊锡球的一部分。若损伤焊锡球,则有可能单片化而成的BGA产品的品质劣化而产生次品。
发明内容
发明要解决的问题
本发明的一技术方案的目的在于,提供如下一种切断装置以及切断方法,即使是相对于设定于具有供与外部电连接的外部电极的被切断物上的切断线,外部电极的位置偏移了的情况下,也通过对切断被切断物的位置进行校正来防止次品的产生。
用于解决问题的方案
本发明的一技术方案的切断装置,其在通过切断被切断物来制造多个产品时使用,该切断装置包括:切断用夹具,其具有多个第1标记和多个切断槽,用于载置具有多个第2标记和由多个外部电极构成的多个第3标记的被切断物;切断机构,其用于沿着多个切断线将载置到切断用夹具之上的被切断物切断;输送机构,其用于输送被切断物;移动机构,其用于使切断用夹具和切断机构相对移动;拍摄部件,其用于通过至少对多个第1标记和多个第3标记进行拍摄而生成第1次图像数据;以及控制部件,其用于对由输送机构载置到切断用夹具之上的被切断物和切断用夹具进行对位。控制部件通过对第1位置信息和第3位置信息进行比较,计算出表示多个切断槽和多个第3标记之间的相对的错位的第1次偏移量,该第1位置信息由所存储的特定的第1标记的位置信息构成或由对第1次图像数据进行图像处理而获得的特定的第1标记的位置信息构成,该第3位置信息由基于第1次图像数据测定出的特定的第3标记的位置信息构成。输送机构从切断用夹具抬起被切断物,基于第1次偏移量使输送机构和切断用夹具相对移动,从而使被切断物移动到与第1次偏移量相对应的第1次目标位置,之后,输送机构将被切断物再次载置于切断用夹具。切断机构沿着多个切断线将再次载置的被切断物切断。
本发明的一技术方案的切断装置根据上述的切断装置,其中,在生成第1次图像数据之前,拍摄部件至少通过对多个第2标记进行拍摄而生成第0次图像数据。在生成第1次图像数据之前,控制部件通过对第1位置信息和由基于第0次图像数据测定出的特定的第2标记的位置信息构成的第2位置信息进行比较,计算出表示多个切断槽和多个第2标记之间的相对的错位的第0次偏移量。在生成第1次图像数据之前,输送机构从切断用夹具抬起被切断物,基于第0次偏移量使输送机构和切断用夹具相对移动,从而使被切断物移动到与第0次偏移量相对应的第0次目标位置,之后,输送机构将被切断物再次载置于切断用夹具。
本发明的一技术方案的切断装置根据上述的切断装置,其中,通过使输送机构和切断用夹具相对移动,沿着X方向、Y方向、以及θ方向中的至少一个方向使被切断物移动到第0次目标位置或第1次目标位置,之后,输送机构将被切断物再次载置于切断用夹具。
本发明的一技术方案的切断装置根据上述的切断装置,其中,特定的第1标记俯视看来沿着第1方向以及与第1方向正交的第2方向分别至少设定有两个,特定的第2标记俯视看来沿着第1方向以及第2方向分别至少设定有两个,特定的第3标记俯视看来沿着第1方向以及第2方向分别至少设定有两个。
本发明的一技术方案的切断装置根据上述的切断装置,其中,被切断物是在制造BGA时所使用的封装完毕基板,外部电极是突起状电极。
为了解决上述问题,本发明的一技术方案的切断方法包括如下工序:准备具有多个切断槽和多个第1标记的切断用夹具的工序;准备具有多个切断线、多个第2标记和由多个外部电极构成的多个第3标记的被切断物的工序;由输送机构将被切断物载置到切断用夹具之上的工序;利用拍摄部件对多个第1标记和多个第3标记进行拍摄而生成第1次图像数据的工序;获取由所存储的特定的第1标记的位置信息构成的第1位置信息或者获取由对第1次图像数据进行图像处理而获得的特定的第1标记的位置信息构成的第1位置信息的工序;获取由对第1次图像数据进行图像处理而获得的特定的第3标记的位置信息构成的第3位置信息的工序;通过对第1位置信息和第3位置信息进行比较而计算出表示多个切断槽和多个第3标记之间的相对的错位的第1次偏移量的工序;从切断用夹具抬起被切断物、使被切断物移动到与第1次偏移量相对应的第1次目标位置的工序;将被切断物再次载置于切断用夹具的工序;以及通过使切断用夹具和切断机构相对移动并使用切断机构而沿着多个切断线将再次载置的被切断物切断的工序。
本发明的一技术方案的切断方法根据上述的切断方法,其中,该切断方法还包括如下工序:在获取第1次图像数据的工序之前通过至少对多个第2标记进行拍摄而生成第0次图像数据的工序;在获取第1次图像数据的工序之前、通过对第1位置信息和由基于第0次图像数据测定出的特定的第2标记的位置信息构成的第2位置信息进行比较从而计算出表示多个切断槽和多个第2标记之间的相对的错位的第0次偏移量的工序;在获取第1次图像数据的工序之前、从切断用夹具抬起被切断物、使被切断物移动到与第0次偏移量相对应的第0次目标位置的工序;以及在获取第1次图像数据的工序之前、将移动到第0次目标位置的被切断物再次载置的工序。
本发明的一技术方案的切断方法根据上述的切断方法,其中,使被切断物移动的工序包括如下工序:通过使输送机构和切断用夹具相对移动,沿着X方向、Y方向、以及θ方向中的至少一个方向使被切断物移动到第0次目标位置或第1次目标位置。
本发明的一技术方案的切断方法根据上述的切断方法,其中,该切断方法还包括如下工序:俯视看来沿着第1方向以及与第1方向正交的第2方向设定多个第1标记中的分别至少由两个构成的特定的第1标记的工序;俯视看来沿着第1方向以及第2方向设定多个第2标记中的分别至少由两个构成的特定的第2标记的工序;以及俯视看来沿着第1方向以及第2方向设定多个第3标记中的分别至少由两个构成的特定的第3标记的工序。
本发明的一技术方案的切断方法根据上述的切断方法,其中,被切断物是在制造BGA时所使用的封装完毕基板,外部电极是突起状电极。
发明的效果
根据本发明的一技术方案,使用输送机构将具有第3标记的被切断物载置于具有第1标记的切断用夹具。利用拍摄部件获取被形成于切断用夹具的特定的第1标记的位置信息和被形成于被切断物的特定的第3标记的位置信息。控制部件通过对特定的第1标记的位置信息和特定的第3标记的位置信息进行比较,计算出设于切断用夹具的切断槽和形成于被切断物的第3标记之间的相对的偏移量。输送机构从切断用夹具抬起被切断物,基于偏移量使输送机构和切断用夹具相对移动,从而使被切断物移动到目标位置。输送机构将被切断物再次载置于切断用夹具,切断机构沿着切断线切断被切断物。由此,不会损伤第3标记,就能够沿着切断线将被切断物准确地切断。因而,能够防止次品的产生。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式1的切断装置的概略结构的示意图。
图2A以及2B是表示在本发明的实施方式1的切断装置中使用的BGA基板(封装完毕基板)的概况图,图2A是从基板侧观察而得到的平面图,图2B是主视图。
图3A以及3B是表示与图2A以及2B所示的BGA基板相对应的切断用夹具的概况图,图3A是俯视图,图3B是图3A中的A-A线剖视图。
图4A和图4B是表示在本发明的实施方式1的切断装置中将BGA基板载置到切断用夹具之上的状态的概况图,图4A是俯视图,图4B是剖视图。
图5A~5D是表示在本发明的实施方式1的切断装置中的焊锡球和切断线之间的位置关系的概略图,图5A是表示焊锡球的没有偏移的状态的俯视图,图5B是表示焊锡球稍微偏移了的状态的俯视图,图5C是表示焊锡球超出容许值地偏移了的状态的俯视图,图5D是对焊锡球的偏移量进行校正而在BGA基板设定好新的切断线的状态的俯视图。
图6A以及6B是表示本发明的实施方式1的切断装置中的切断方法的顺序的流程图。
图7是表示本发明的实施方式2的切断装置的概要的俯视图。
附图标记说明
1、BGA基板(被切断物);2、基板;3、半导体芯片;4、封装树脂;5、5A、5B、…、5F、5G、焊锡球(外部电极、第3标记);6、6A、6B、…、6G、6H、第2标记;7、第1切断线(切断线);8、第2切断线(切断线);9、9A、9B、9C、区域;10、切断用台;11、切断用夹具;12、金属板;13、树脂片;14、突起部;15、吸附孔;16、空间;17、第1切断槽(切断槽);18、第2切断槽(切断槽);19、19A、19B、…、19G、19H、第1标记;20、第3切断线(切断线);21、第4切断线(切断线);22、切断装置;23、基板供给机构;24、基板载置部;25、125、输送机构;26、126、移动机构;27、旋转机构;28、对准用的照相机(拍摄部件);29、主轴(切断机构);30、旋转刀;31、检查用台;32、切断完毕BGA基板;33、托盘;34、切口检查用的照相机;100、CTL、控制部;102、图像识别模块;104、设备控制模块;128、照相机;129、切断机构;dX、从第1切断线到焊锡球的中心的距离;dY、从第2切断线到焊锡球的中心的距离;X0、从预先设定好的第1切断线到焊锡球的中心的距离;Y0、从预先设定好的第2切断线到焊锡球的中心的距离;T1、偏移量的容许值;A、基板供给模块;B、基板切断模块;C、检查模块;P、产品。
具体实施方式
本发明的上述以及其他的目的、特征、技术方案以及优点根据与所附的附图相关联地理解的与本发明有关的如下详细说明变清楚。
[概要]
作为典型的方式,如图4A和图4B所示,在切断装置中,将形成有第1标记19的切断用夹具11安装于切断用台10。将形成有第2标记6以及焊锡球5的BGA基板1载置于切断用夹具11。利用拍摄部件对第1标记19的坐标位置、第2标记6的坐标位置和焊锡球5的坐标位置分别进行测定。切断装置通过对第1标记19的坐标位置、第2标记6的坐标位置和焊锡球5的坐标位置进行比较,计算出设于切断用夹具的切断槽和形成于BGA基板1的焊锡球之间的相对的偏移量。利用输送机构抬起BGA基板1,使BGA基板1移动基于相对的偏移量的适当的量后将BGA基板1再次载置于切断用夹具11。由此,在将形成于相邻的区域9中的各自的焊锡球5和焊锡球5之间的中间点连结的线上被设定新的切断线。新的切断线与切断用夹具11的切断槽的位置对齐。通过沿着新的切断线切断BGA基板1,能够不损伤焊锡球5而防止次品的产生。
[实施方式1]
参照图1、2A、2B、3A、3B、4A、4B、5A~5D、6A以及6B对本发明的实施方式1的切断装置进行说明。为了容易理解,对本申请文件的任一个图都适当省略或夸张而示意性地描绘。对于相同的结构要素标注相同的附图标记而适当省略说明。
本发明的实施方式1的切断装置122可在通过切断被切断物(典型地说是BGA基板1)来制造多个产品时使用。如图1所示,切断装置122包括:切断用夹具11,其用于载置被切断物;切断机构129,其沿着多个切断线将载置到切断用夹具11之上的被切断物切断;输送机构125,其用于输送被切断物;以及移动机构126,其用于使切断用夹具11和切断机构129相对移动。切断装置122还包括作为拍摄部件的一个例子的照相机128,照相机128以被切断物被包含于拍摄视场的方式配置。切断装置122还包括控制部100,该控制部100接收由照相机128拍摄而得到的图像信息,并且对切断机构129、输送机构125以及移动机构126进行控制。控制部100具有用于存储所需的数据的存储部。
控制部100包括图像识别模块102和设备控制模块104作为其功能模块,该图像识别模块102对由照相机128拍摄而得到的图像信息进行图像识别,该设备控制模块104基于图像识别模块102的图像识别的结果对各机构进行控制。这些功能模块典型地说既可以通过构成控制部100的处理器执行程序来实现,也可以使用由ASIC(Application SpecificIntegrated Circuit)、LSI(Large Scale Integration)等硬件安装而成的电路结构来实现。
如图2A以及2B所示,BGA基板1是最终被切断而单片化的被切断物的一个例子。BGA基板1是在制造BGA产品(半导体装置)时所使用的封装完毕基板。BGA基板1具有:基板2,其由印刷基板等构成;多个半导体芯片3,其安装到基板2所具有的多个区域(后述);以及封装树脂4,其以多个区域一并被覆盖的方式形成。在基板2的表面,用于与外部连接的外部电极即焊锡球5在各区域的内侧形成有很多。作为突起状电极的许多焊锡球5经由电线、配线(未图示)等与设置于半导体芯片3的各个焊盘电极(未图示)电连接。
如图2A以及2B所示,在BGA基板1所包括的基板2上,多个由对位标记构成的第2标记6A、6B、…、6G、6H(在图中用+表示的标记;以下适当地统称为“第2标记6”。对于其他结构要素也是相同的。)沿着基板2的长度方向以及宽度方向形成。第2标记6可根据产品的尺寸、数量任意地设定。利用对准用的照相机128对第2标记6进行拍摄,利用图像识别对坐标位置进行测定。通过对坐标位置进行测定,可进行BGA基板1相对于切断用夹具(后述)的对位。为了对位,通常使用被形成于BGA基板1的四角的第2标记6。在图2A中,将形成于BGA基板1的四角的8个第2标记6以BGA基板1的左上为基点而逆时针地分别设为6A、6B、…、6G、6H。
将沿着BGA基板1的宽度方向相对地分别形成的第2标记6彼此连结,从而假想地设定分别沿着宽度方向延伸的多个第1切断线7。将沿着BGA基板1的长度方向相对地分别形成的第2标记6彼此连结,从而假想地设定分别沿着长度方向延伸的多个第2切断线8。由多个第1切断线7和多个第2切断线8围成的多个区域9与通过单片化而分别制造的产品相对应。在图2A中,例如,设定沿着宽度方向延伸的7根第1切断线7,设定沿着长度方向延伸的4根第2切断线8。因而,沿着宽度方向形成有3个区域9以及沿着长度方向形成有6个区域9,合计共18个区域9形成为格子状。在各区域9的内侧形成有许多焊锡球5。在图中,在各个区域9示出4个焊锡球5。形成于BGA基板1的区域9根据被单片化的产品的尺寸、数量任意地设定。
如图3A以及3B所示,切断用台10是用于在切断装置中将BGA基板1切断而使其单片化的台。在切断用台10安装有与产品相对应的切断用夹具11。切断用夹具11包括金属板12和固定到金属板12之上的树脂片13。为了缓和机械冲击,树脂片13需要适度的柔软性。优选树脂片13例如由有机硅类树脂、氟类树脂等形成。优选切断用台10针对多个产品是通用的,仅切断用夹具11与产品相对应地进行更换。
在切断用夹具11的树脂片13设有对BGA基板1上的多个区域9分别进行吸附并保持的多个台地状的突起部14。在切断用夹具11分别设有从多个突起部14的表面贯通树脂片13和金属板12的多个吸附孔15。多个吸附孔15分别与设置于切断用台10的空间16相连。空间16与设置于外部的吸引机构(未图示)连接。
以与划分BGA基板1的多个区域9的、多个第1切断线7以及多个第2切断线8(参照图2A以及2B)相对应的方式在突起部14彼此之间分别设有多个第1切断槽17以及多个第2切断槽18。多个第1切断槽17以沿着树脂片13(切断用夹具11)的宽度方向延伸的方式形成。多个第2切断槽18以沿着树脂片13(切断用夹具11)的长度方向延伸的方式形成。与设定于BGA基板1的最端部的第1切断线7以及第2切断线8相对应地,形成于树脂片13的最外周的突起部14的外侧的空间具有与切断槽相同的作用。
如图3A所示,以能够与设置于BGA基板1的第2标记6(参照图2A)的位置相对应的方式且以围绕树脂片13的周围的方式,多个第1标记19(在图3A中用+表示的标记)沿着长度方向以及宽度方向形成于金属板12。例如,以能够与设置于BGA基板1的四角的第2标记6A、6B、…、6G、6H(参照图2A)的位置相对应的方式在金属板12的四角形成有第1标记19A、19B、…、19G、19H。而且,也可以以能够与形成于BGA基板1的第2标记6相对应的方式沿着长度方向以及宽度方向形成所需的数量的第1标记19。
在将沿着金属板12(切断用夹具11)的宽度方向形成且相对的两个第1标记19连结的线上形成有多个第1切断槽17。在将沿着金属板12(切断用夹具11)的长度方向形成且相对的两个第1标记19连结的线上形成有多个第2切断槽18。
在图3A中,以能够与形成于BGA基板1的第2标记6相对应的方式在金属板12形成有第1标记19。但并不限于此,也可以以与形成于BGA基板1的第2标记6的位置相对应的方式在树脂片13形成第1标记19。
接着,对将BGA基板1载置于切断用夹具11之上而将BGA基板1切断的工序进行说明。如图4A以及4B所示,在切断用台10中,切断用夹具11被安装于切断用台10之上,BGA基板1被载置于切断用夹具11之上。因而,能够将形成于切断用夹具11的金属板12的第1标记19的位置信息以及形成于BGA基板1的第2标记6的位置信息测定为切断用台10(切断用夹具11)上的位置信息(坐标位置)。在实施方式1中,对切断用台10的长度方向沿着X方向配置、切断用台10的宽度方向沿着Y方向配置的情况进行说明。
首先,图3A以及3B所示,在没有将BGA基板1载置于切断用夹具11的状态下,利用对准用的照相机128对形成于金属板12的第1标记19进行拍摄而获取图像数据。通过基于图像数据进行图像识别,对第1标记19的坐标位置进行测定。将测定出的第1标记19的坐标位置作为切断用台10的基准的坐标位置而预先存储于控制部100。例如,预先存储被形成于金属板12的四角的8个第1标记19A、19B、…、19G、19H的坐标位置。
也可以是,每次将BGA基板1载置于切断用夹具11都进行该工序,每次存储第1标记19的坐标位置,在之后的工序中读出该存储的第1标记19的坐标位置。或者,也可以是,在更换了切断用夹具11的时刻进行该工序,将第1标记19的坐标位置存储,之后每次将BGA基板1载置于切断用夹具11都读出该第1标记19的坐标位置。
接着,如图4所示,使用输送机构(参照图1的输送机构125)将BGA基板1载置于切断用台10。在BGA基板1载置到切断用夹具11的状态下,对形成于BGA基板1的第2标记6进行拍摄而获取图像数据。通过基于图像数据进行图像识别,对第2标记6的坐标位置进行测定。例如,对形成于四角的8个第2标记6A、6B、…、6G、6H(参照图2A)的坐标位置进行测定。将这些测定出的第2标记6的坐标位置和预先测定而存储了的第1标记19的坐标位置进行比较。由此,在切断用夹具11中,能够计算出X方向、Y方向以及θ方向上的因BGA基板1的错位产生的偏移量。
也可以是,在该工序中,对第1标记19和第2标记6同时进行拍摄而获取图像数据。在该情况下,每次将BGA基板1载置切断用夹具11都获取图像数据,通过基于图像数据进行图像识别,对第1标记19的坐标位置和第2标记6的坐标位置进行测定,每次都存储。之后,将这些存储的第1标记19的坐标位置和第2标记6的坐标位置读出而进行比较。
控制部100对计算出的X方向、Y方向以及θ方向上的偏移量是否处于预先设定好的容许值的范围内进行判断。只要偏移量都在容许值的范围内,就进入下一个工序。在X方向、Y方向以及θ方向上的偏移量中的任一者脱离容许值的情况下,预先对该偏移量进行校正。
为了预先对BGA基板1的偏移量进行校正,首先,使用输送机构(参照图1的输送机构125)并利用进行吸附等手段从切断用夹具11拿起BGA基板1而将BGA基板1保持于输送机构。接着,在BGA基板1没有载置于切断用夹具11而BGA基板1保持于输送机构的状态下,沿着X方向、Y方向以及θ方向中的至少一个方向使输送机构移动基于偏移量的适当的量。通过移动,使BGA基板1移动到与偏移量相对应的目标位置。目标位置是偏移量为零的位置或与移动之前的位置相比偏移量减小而成为接近零的值(容许值的范围内的值)的位置。接着,使用输送机构而将BGA基板1再次载置于切断用夹具11。利用至此为止的工序完成BGA基板1的偏移量的校正。
如图4A以及4B所示,通过预先对偏移量进行校正,能够以与切断用夹具11的第1标记19的位置相对应的方式将BGA基板1的第2标记6的位置准确地对准。详细而言,能够将第1标记19和第2标记6之间的位置关系确定为预定的位置关系。能够使设定于BGA基板1的多个第1切断线7以及多个第2切断线8的位置与设置于切断用夹具11的多个第1切断槽17以及多个第2切断槽18的位置准确地对准。因而,在该状态下,多个第1切断槽17以及多个第2切断槽18的坐标位置和多个第1切断线7以及多个第2切断线8的坐标位置大致一致。
接着,利用对准用的照相机或设置于切断机构的切口检查用的照相机(图1的照相机128)对形成于BGA基板1的焊锡球5进行拍摄而获取图像数据。通过基于图像数据进行图像识别,对焊锡球5的坐标位置进行测定。例如,如图4A以及4B所示,对沿着BGA基板1的长度方向形成的焊锡球5A、5B、5C、5D的坐标位置进行测定。通过将这些坐标位置和沿着长度方向延伸的第2切断线8的坐标位置进行比较,能够求出从第2切断线8到焊锡球5的距离。通过将这些距离和预先存储到控制部100的产品上的从切断线到焊锡球的距离(产品的标准值)进行比较,能够计算出因在BGA基板1形成焊锡球5时的错位产生的焊锡球5的偏移量。在该工序中,使用焊锡球5作为拍摄对象即第3标记。
通过对焊锡球5A、5B的坐标位置进行测定,能够在区域9A内计算出焊锡球5A、5B的相对于沿着长度方向延伸的第2切断线8的偏移量。通过对焊锡球5C、5D的坐标位置进行测定,能够在区域9C内计算出焊锡球5C、5D的相对于第2切断线8的偏移量。通过使这些偏移量平均化,计算出焊锡球5的相对于沿着长度方向延伸的第2切断线8的偏移量。
接着,对沿着BGA基板1的宽度方向形成的焊锡球5D、5E、5F、5G的坐标位置进行测定。通过对这些坐标位置和沿着宽度方向延伸的第1切断线7的坐标位置进行比较,能够求出从第1切断线7到焊锡球5的距离。通过对该距离和预先存储到控制部100的产品上的从切断线到焊锡球的距离(产品的标准值)进行比较,能够计算出焊锡球5的偏移量。
通过对焊锡球5D、5E的坐标位置进行测定,能够在区域9C内计算出焊锡球5D、5E的相对于沿着宽度方向延伸的第1切断线7的偏移量。通过对焊锡球5F、5G的坐标位置进行测定,能够在区域9F内计算出焊锡球5F、5G的相对于第1切断线7的偏移量。通过使这些偏移量平均化,计算出焊锡球5的相对于沿着宽度方向延伸的第1切断线7的偏移量。
控制部100对计算出的焊锡球5的相对于沿着宽度方向延伸的第1切断线7以及沿着长度方向延伸的第2切断线8的偏移量是否相对于产品的标准值处于容许范围内进行判断。
参照图5A~5D说明对焊锡球5的错位进行测定而校正的动作。沿着BGA基板1的宽度方向设定好的第1切断线7被预先与沿着切断用夹具11的宽度方向形成的第1切断槽17的位置准确地对准。沿着BGA基板1的长度方向设定好的第2切断线8被预先与沿着切断用夹具11的长度方向形成的第2切断槽18的位置准确地对准。在该状态下,对焊锡球5的错位进行测定并进行校正。
在图5A中,将从沿着宽度方向延伸的第1切断线7到焊锡球5的中心的距离设为dX,将从沿着长度方向延伸的第2切断线8到焊锡球5的中心的距离设为dY。使用对准用的照相机或切口检查用的照相机(图1的照相机128)对焊锡球5的坐标位置进行测定。由此,能够求出从第1切断线7到焊锡球5的距离dX以及从第2切断线8到焊锡球5的距离dY。对求出来的距离dX以及距离dY和预先存储的产品的标准值即距离X0以及距离Y0进行比较,计算出焊锡球5的偏移量(dX-X0)以及(dY-Y0)。控制部100对这些偏移量(dX-X0)以及(dY-Y0)是否处于产品的容许范围内进行判断。此外,预先存储的产品的标准值即距离X0、距离Y0例如满足X0=Y0(>0)的关系。
例如,将产品上的从第1切断线7以及第2切断线8到焊锡球5的中心的偏移量的容许值设为T1。只要0≤(dX-X0)<T1、且0≤(dY-Y0)<T1,控制部100就判断为焊锡球5的相对于第1切断线7以及第2切断线8的偏移量在容许范围内。只要是该情况,按照沿着BGA基板1的宽度方向延伸的第1切断线7以及沿着长度方向延伸的第2切断线8将BGA基板1切断而使其单片化。焊锡球5的相对于第1切断线7以及第2切断线8的偏移量在容许范围内,因此,不产生次品。
图5A是(dX-X0)≈0(<<0)、且(dY-Y0)≈0(<<0)的情况。焊锡球5处于沿着X方向以及Y方向相对于第1切断线7以及第2切断线8实质上都没有偏移的状态。因而,按照沿着BGA基板1的宽度方向延伸的第1切断线7以及沿着长度方向延伸的第2切断线8将BGA基板1切断而使其单片化。
图5B是0<(dX-X0)<T1、且0<(dY-Y0)<T1的情况。焊锡球5相对于第1切断线7沿着X方向偏移了-(dX-X0)、相对于第2切断线8沿着Y方向偏移了-(dY-Y0)。焊锡球5沿着X方向、Y方向都从预定的位置稍微偏移了,但形成在容许范围内。因而,按照沿着BGA基板1的宽度方向延伸的第1切断线7以及沿着长度方向延伸的第2切断线8将BGA基板1切断而使其单片化。在该情况下,焊锡球5的相对于第1切断线7以及第2切断线8的偏移量也在容许范围内,因此不产生次品。
即使是图5A以及5B中的哪一种情况,焊锡球5的偏移量都在产品的容许范围内。因而,能够按照沿着BGA基板1的宽度方向延伸的第1切断线7以及沿着长度方向延伸的第2切断线8将BGA基板1切断而使其单片化。焊锡球5的偏移量在容许范围内,因此,哪一种情况都不产生次品。
图5C是(dX-X0)>T1、且(dY-Y0)>T1的情况。是焊锡球5的X方向以及Y方向的偏移量这两者都超出了容许值T1的状态。若在该状态下沿着第1切断线7以及第2切断线8切断BGA基板1,则有可能损伤焊锡球5的一部分而产生次品。在这样的情况下,无法沿着当初设定好的第1切断线7以及第2切断线8切断BGA基板1。因而,需要在对当初设定好的第1切断线7以及第2切断线8的位置进行校正后切断BGA基板1。
此外,图5C示出了(dX-X0)>T1、且(dY-Y0)>T1的情况。因而,是焊锡球5的X方向以及Y方向的偏移量这两者都超出了容许值T1的状态。只要是(dX-X0)>T1或(dY-Y0)>T1中的任一者成立的情况,是焊锡球5的X方向或Y方向中的任一方向的偏移量超出了容许值T1的状态。在任一方向的偏移量超出了容许值T1的情况下,至少对该一个方向的偏移量进行校正,优选对两者的偏移量进行校正后切断BGA基板1。
如图5D所示,X方向的偏移量是-(dX-X0)>T1,Y方向的偏移量是-(dY-Y0>T1,因此,对这些偏移量进行校正。首先,利用输送机构(参照图1的输送机构125)从切断用夹具11拿起BGA基板1。接着,在保持着BGA基板1的状态下,使BGA基板1沿着X方向移动+(dX-X0),使BGA基板1沿着Y方向移动+(dY-Y0)。由此,使BGA基板1移动到目标位置。通过进行移动,能够在将分别形成于相邻的区域9中的各自的焊锡球5和焊锡球5之间的中间点连结的线上设定新的切断线(在图5D中以粗的单点划线表示的线)。在BGA基板1中,沿着宽度方向设定新的多个第3切断线20,沿着长度方向设定新的多个第4切断线21。多个第3切断线20以及多个第4切断线21分别位于多个切断槽17以及多个切断槽18之上。
通过使用输送机构抬起BGA基板1、使BGA基板1移动基于偏移量的适当的量,能够将第3切断线20以及第4切断线21分别置于形成于切断用夹具11的第1切断槽17以及第2切断槽18之上。将BGA基板1再次载置于切断用夹具11,沿着多个第3切断线20以及多个第4切断线21将BGA基板1切断。由此,不会损伤焊锡球5,因此,能够防止次品的产生。切断机构的旋转刀不会切削切断用夹具11的树脂片13,因此,能够延长切断用夹具11的寿命。此外,在切断用夹具11中,在沿着宽度方向延伸的第1切断线7从当初的位置沿着X方向移动了+(dX-X0)、沿着长度方向延伸的第2切断线8从当初的位置沿着Y方向移动了+(dY-Y0)的状态下载置了BGA基板1。
也可以是,根据输送机构(参照图1的输送机构125)和切断用夹具11(参照图4)的结构,在输送机构从切断用夹具11拿起BGA基板1而将BGA基板1保持到输送机构的状态下,沿着X方向、Y方向以及θ方向中的至少一个方向使切断用夹具11移动基于焊锡球5的偏移量的适当的量。之后,使用输送机构将BGA基板1再次载置于切断用夹具11。
本质上,在输送机构从切断用夹具11拿起BGA基板1而将BGA基板1保持到输送机构的状态下,使输送机构和切断用夹具11沿着X方向、Y方向以及θ方向中的至少一个方向相对移动基于偏移量的适当的量即可。
作为典型例,输送机构在图7中示出为“输送机构25”。随着输送机构和切断用夹具11相对移动的输送机构和切断用夹具11之间的位置的精度(本来应该处于的位置和实际的位置之间的偏移量)足够小到在与BGA基板1的相对于切断用夹具11的偏移量以及BGA基板1上的焊锡球5的偏移量相比较的情况下能够忽视的程度。例如,以输送机构和切断用夹具11成为相同的位置关系的方式反复移动的情况下的位置的精度足够小到在与BGA基板1的相对于切断用夹具11的偏移量以及BGA基板1上的焊锡球5的偏移量相比较的情况下能够忽视的程度。
参照图6A以及6B,根据实施方式1,将与产品相对应的切断用夹具11安装于切断用台10(参照图6A的步骤S1)。以能够与形成于BGA基板1的多个第2标记6相对应的方式将多个第1标记19设置于切断用夹具11。在切断用台10中,对形成于切断用夹具11的第1标记19的坐标位置进行测定并预先存储为基准的坐标位置。接着,对载置到切断用夹具11的BGA基板1的第2标记6的坐标位置进行测定(参照图6A的步骤S2~S4)。通过对第1标记19的坐标位置和第2标记6的坐标位置进行比较,能够计算出切断用夹具11上的BGA基板1的偏移量(参照图6A的步骤S5)。在BGA基板1的偏移量超出了容许值的情况下,能够通过对偏移量进行校正来使BGA基板1的第2标记6的位置与切断用夹具11的第1标记19的位置准确地对准(参照图6A的步骤S6~S7)。由此,使设定于BGA基板1的多个切断线的位置与设置于切断用夹具11的多个切断槽的位置准确地对准。
在BGA基板1的多个切断线的位置被与切断用夹具11的多个切断槽的位置准确地对准了的状态下,对形成于BGA基板1的焊锡球5的坐标位置进行测定(参照图6A以及6B的步骤S8~S10)。通过对测定出的焊锡球5的坐标位置和切断线的坐标位置进行比较,求出从切断线到焊锡球5的距离。通过对该距离和预先存储到控制部100的产品上的从切断线到焊锡球的距离(产品的标准值)进行比较,计算出焊锡球5的偏移量(参照图6B的步骤S11)。控制部100对计算出的偏移量是否在容许范围内进行判断(参照图6B的步骤S12)。只要在容许范围内,就沿着切断线将BGA基板1切断而使其单片化(参照图6B的步骤S15)。只要在容许范围外,就使用输送机构从切断用夹具11拿起BGA基板1,使BGA基板1移动基于偏移量的适当的量,再次载置于切断用夹具11上的目标位置(参照图6B的步骤S13~S14)。由此,能够在将形成于相邻的区域9中的各自的焊锡球5和焊锡球5之间的中间点连结的线上设定新的切断线。新的切断线被与切断用夹具11的切断槽的位置准确地对准。通过沿着这些切断线将BGA基板1切断而使其单片化,不会损伤焊锡球5,因此,能够防止次品的产生。
根据实施方式1,即使是焊锡球5从当初的切断线偏移了的情况,也使BGA基板1移动基于偏移量的适当的量,在将形成于相邻的区域9中的各自的焊锡球5和焊锡球5之间的中间点连结的线上设定新的切断线。由此,能够使新的切断线的位置与切断用夹具11的切断槽的位置对准。因而,设置于切断机构的旋转刀不会从切断槽的位置偏移,能够沿着新的切断线切断BGA基板1。不会损伤焊锡球5,因此,能够防止次品的产生。此外,能够防止切断用夹具11被旋转刀切削。因而,不会从切断用夹具11产生碎屑。旋转刀不会切削切断用夹具11,因此,切断用夹具11的寿命变长,能够降低切断装置的运用成本。
在实施方式1中,首先,对形成于BGA基板1的多个第2标记6的坐标位置进行测定,计算出切断用夹具11上的BGA基板1的偏移量。在BGA基板1的偏移量超出了容许值的情况下,通过对该偏移量进行校正,使设置于BGA基板1的多个切断线的位置与设置于切断用夹具11的多个切断槽的位置对准。接着,对形成于BGA基板1的焊锡球5的坐标位置进行测定,求出从切断线到焊锡球5的距离。在焊锡球5的偏移量超出了容许值的情况下,通过对该偏移量进行校正,在BGA基板1新设定多个切断线。使新设定好的多个切断线的位置与切断用夹具11的多个切断槽的位置对准,将BGA基板1切断而使其单片化。
[实施方式1的变形例]
作为实施方式1的变形例,能够如下这样对焊锡球5的偏移量进行校正。
作为第1变形例,对设置于切断用夹具11的第1标记19的坐标位置、载置到切断用夹具11的BGA基板1的第2标记6的坐标位置、焊锡球5的坐标位置分别进行测定。控制部100通过对测定出的各个坐标位置进行数据处理,计算出焊锡球5和切断槽之间的相对的偏移量。通过对焊锡球5的偏移量进行校正,能够在将形成于相邻的区域9中的各自的焊锡球5和焊锡球5之间的中间点连结的线上设定切断线来切断BGA基板1。
在该情况下,分别在不同的工序中对设置于切断用夹具11的第1标记19的坐标位置、载置到切断用夹具11的BGA基板1的第2标记6的坐标位置、焊锡球5的坐标位置进行了测定。但并不限于此,能够在BGA基板1载置到切断用夹具11的状态下,对第1标记19的坐标位置、第2标记6的坐标位置和焊锡球5的坐标位置同时进行测定,计算出焊锡球5和切断槽之间的相对的偏移量。
作为第2变形例,对设置于切断用夹具11的第1标记19的坐标位置和载置到切断用夹具11的BGA基板1的焊锡球5的坐标位置分别进行测定。控制部100通过对测定出的各个坐标位置进行比较,计算出焊锡球5和切断槽之间的偏移量。通过对焊锡球5的偏移量进行校正,能够在将形成于相邻的区域9中的各自的焊锡球5和焊锡球5之间的中间点连结的线上设定切断线来切断BGA基板1。在该情况下,也可以是,在将BGA基板1载置到切断用夹具11的状态下,对第1标记19的坐标位置和焊锡球5的坐标位置同时进行测定,计算出焊锡球5和切断槽之间的偏移量。
[实施方式2]
参照图7对本发明的实施方式2的切断装置进行说明。如图7所示,切断装置22是将被切断物单片化成多个产品的装置。切断装置22具有基板供给模块A、基板切断模块B和检查模块C分别作为结构要素。各结构要素(各模块A~C)分别相对于其他结构要素可装卸且可更换。
在基板供给模块A设有用于供给相当于被切断物的BGA基板1的基板供给机构23、用于交接BGA基板1的基板载置部24以及用于输送BGA基板1的输送机构25。BGA基板1以形成有焊锡球5(参照图2A以及2B)的基板2那一侧朝上的方式进行供给。输送机构25能够沿着X方向、Y方向以及Z方向移动、且能够沿着θ方向转动。BGA基板1在基板载置部24中被定位之后,由输送机构25向基板切断模块B输送。
图7所示的切断装置22是单切割台方式的切断装置。因而,在基板切断模块B设有一个切断用台10。切断用台10能够利用移动机构26沿着图7的Y方向移动且能够利用旋转机构27沿着θ方向转动。在切断用台10上安装有切断用夹具11(参照图3A以及3B),BGA基板1被载置并吸附于切断用夹具11之上。
在基板切断模块B设有对准用的照相机28。照相机28能够独立地沿着X方向移动。在基板切断模块B设有主轴29作为切断机构。切断装置22是设有一个主轴29的单主轴结构的切断装置。主轴29能够独立地沿着X方向和Z方向移动。在主轴29安装有旋转刀30。在主轴29设有为了抑制由高速旋转的旋转刀30产生的摩擦热而喷射切削水的切削水用喷嘴(未图示)。通过使切断用台10和主轴29相对移动来切断BGA基板1。旋转刀30通过在包括Y方向和Z方向的面内旋转来切断BGA基板1。
在检查模块C设有检查用台31。在检查用台31载置有由将BGA基板1切断而使其单片化而成的多个产品P构成的集合体、即、切断完毕BGA基板32。多个产品P由检查用的照相机(未图示)进行检查,被分选为合格品和次品。合格品被收容于托盘33。
在主轴29设有切口检查用的照相机34。照相机34在即将要切断BGA基板1之前对焊锡球5进行拍摄。通过使照相机28或照相机34沿着X方向移动、且使切断用台10沿着Y方向移动,对形成于BGA基板1的第2标记6(参照图2A)进行拍摄。控制部CTL基于通过拍摄而获得的图像数据对第2标记6的坐标位置进行测定。控制部CTL通过对第2标记6的坐标位置和形成于切断用夹具11且预先测定而存储的第1标记19(参照图3A)的坐标位置进行比较,进行切断用夹具11和BGA基板1之间的对位(切断槽和切断线之间的对位)。接下来,利用照相机28或照相机34对焊锡球5进行拍摄。控制部CTL基于通过拍摄而获得的图像数据对焊锡球5的坐标位置进行测定。在焊锡球5存在无法容许的偏移的情况下,在对切断线的位置进行了校正之后,利用旋转刀30将BGA基板1切断。
此外,在实施方式2中,将进行切断装置22的动作、BGA基板1的输送、BGA基板1的对位、焊锡球的偏移量校正、BGA基板1的切断、产品P的检查等的控制部CTL设置到基板供给模块A内。但并不限于此,也可以将控制部CTL设置于其他模块内。
在实施方式2中,对单切割台方式且单主轴结构的切断装置22进行了说明。但并不限于此,在单切割台方式且双主轴结构的切断装置、双切割台方式且双主轴结构的切断装置等中,也能够应用本发明的BGA基板1的对位、切断等。
根据实施方式2,在切断装置22中,能够使输送机构25沿着X方向、Y方向以及Z方向移动、且能够沿着θ方向转动。由此,即使是在BGA基板从切断用夹具11的预定位置偏移了的情况下或者是在焊锡球5从切断线偏移了的情况下,也能够利用输送机构25对这些偏移量进行校正。在BGA基板1保持偏移了状态下或焊锡球5保持偏移了的状态下,利用输送机构25抬起BGA基板1。从该状态起使输送机构25移动基于BGA基板的偏移量的适当的量、或基于焊锡球5的偏移量的适当的量,使输送机构25停止在切断用夹具11的预定位置的上方。之后,将BGA基板1再次载置于切断用夹具11之上。能够将BGA基板1载置于切断用夹具11的预定位置,因此,能够使应该切断的切断线的位置与切断用夹具11的切断槽的位置正确地对准。不对现有的切断装置22追加新的结构要素、新的功能就能够准确地进行BGA基板1的对位。不改造切断装置22、且不产生费用就能够进行BGA基板1的对位。因而,不产生切断装置22的改造费用就能够提高切断的品质、产品的成品率。
根据实施方式2,能够在使BGA基板1的切断线的位置与切断用夹具11的切断槽的位置正确地对准的状态下切断BGA基板1。因而,不会损伤焊锡球5,因此,能够防止次品的产生。此外,能够防止树脂片13被旋转刀切削。能够防止从切断用夹具11产生碎屑。旋转刀不会切削树脂片13,因此,切断用夹具11的寿命变长,能够降低切断装置22的运用成本。
此外,在实施方式2中,输送机构25对BGA基板1的X方向、Y方向以及θ方向的偏移量进行校正并使BGA基板1移动并载置到切断用夹具11的预定位置的上方。但并不限于此,输送机构25对BGA基板1的X方向的偏移量进行校正,切断用台10对Y方向以及θ方向的偏移量进行校正,能够使BGA基板1载置于切断用夹具11的预定位置。只要是该情况,就也可以是使输送机构仅能够沿着X方向移动的结构。
[其他实施方式]
在上述的各实施方式中,作为被切断物,示出了包括具有长度方向和宽度方向的长方形的平面形状的BGA基板。但并不限于此,也能够将本发明应用于具有正方形的平面形状的BGA基板是被切断物的情况。而且,能够将本发明应用于制造PBGA(Plastic Ball GridArray)、P-FBGA(Plastic Fine pitch Ball Grid Array)、FC-BGA(Flip Chip-BallGrid Array)、C-BGA(Ceramic Ball Grid Array)等广义BGA产品的情况。
此外,也能够将本发明应用于制造LGA(Land Grid Array)、PoP(Package on aPackage)、PiP(Package in a Package)等的情况。在这些情况下,作为拍摄对象的第3标记,使用从封装树脂暴露的引线(外部电极)等。根据本发明,也包括被切断物是BGA基板的情况在内,能够对因基板的收缩等产生的焊锡球、引线等的错位进行校正后切断被切断物。
在上述的各实施方式中,将具有金属板12和固定于金属板之上的树脂片13的切断用夹具11安装到切断用台10。但并不限于此,能够使用由1种或多种金属形成的切断用夹具11、换言之金属制的切断用夹具11。能够使用由1种或多种树脂形成的切断用夹具11、换言之树脂制的切断用夹具11。也可以不使用切断用台10,就利用移动机构26和旋转机构27使切断用夹具11主体直接移动。
在上述的各实施方式中,作为切断机构,使用了旋转刀。但并不限于此,也可以使用线锯、带锯、激光、水喷射切割、喷刃(日文:ブラスト)等。在使用线锯以及带锯的情况下,作为有助于切断的部件即刀(线锯、带锯)所通过的空间的贯通孔设置于切断用夹具。在使用激光、水喷射切割、喷刃的情况下,作为有助于切断的这些部件所通过的空间的贯通孔设置于切断用夹具。根据内容,本发明中的“切断槽”包括贯通“切断用夹具”的狭缝状的贯通孔。切断机构所包括的有助于切断的部件(旋转刀、线锯、带锯等)的至少一部分通过“切断槽”。从切断机构供给的有助于切断的部件(激光、高压的喷射水、磨粒等)的至少一部分通过“切断槽”。
本发明并不限定于上述的各实施方式,在不脱离本发明的主旨的范围内能够根据需要任意且适当地组合、变更、或选择地采用。
对本发明的实施方式进行了说明,但应该认为此次公开的实施方式在所有方面都是例示而非限制性的内容。本发明的范围由权利要求书示出,意在包括与权利要求书同等的意思以及范围内的所有变更。

Claims (10)

1.一种切断装置,其在通过将被切断物切断来制造多个产品时使用,其中,
该切断装置包括:
切断用夹具,其具有多个第1标记和多个切断槽,用于载置具有多个第2标记和由多个外部电极构成的多个第3标记的被切断物;
切断机构,其用于沿着多个切断线将载置到所述切断用夹具之上的所述被切断物切断;
输送机构,其用于输送所述被切断物;
移动机构,其用于使所述切断用夹具和所述切断机构相对移动;
拍摄部件,其用于通过至少对所述多个第1标记和所述多个第3标记进行拍摄而生成第1次图像数据;
控制部件,其用于对由所述输送机构载置到所述切断用夹具之上的所述被切断物和所述切断用夹具进行对位,
所述控制部件通过对第1位置信息和第3位置信息进行比较,计算出表示所述多个切断槽和所述多个第3标记之间的相对的错位的第1次偏移量,该第1位置信息由所存储的特定的第1标记的位置信息构成或由对所述第1次图像数据进行图像处理而获得的特定的第1标记的位置信息构成,该第3位置信息由基于所述第1次图像数据测定出的特定的第3标记的位置信息构成,
所述输送机构从所述切断用夹具抬起所述被切断物,基于所述第1次偏移量使所述输送机构和所述切断用夹具相对移动,从而使所述被切断物移动到与所述第1次偏移量相对应的第1次目标位置,之后,所述输送机构将所述被切断物再次载置于所述切断用夹具,
所述切断机构沿着所述多个切断线将再次载置的所述被切断物切断。
2.根据权利要求1所述的切断装置,其中,
在生成所述第1次图像数据之前,所述拍摄部件至少通过对所述多个第2标记进行拍摄而生成第0次图像数据,
在生成所述第1次图像数据之前,所述控制部件通过对所述第1位置信息和由基于所述第0次图像数据测定出的特定的第2标记的位置信息构成的第2位置信息进行比较,计算出表示所述多个切断槽和所述多个第2标记之间的相对的错位的第0次偏移量,
在生成所述第1次图像数据之前,所述输送机构从所述切断用夹具抬起所述被切断物,基于所述第0次偏移量使所述输送机构和所述切断用夹具相对移动,从而使所述被切断物移动到与所述第0次偏移量相对应的第0次目标位置,之后,所述输送机构将所述被切断物再次载置于所述切断用夹具。
3.根据权利要求2所述的切断装置,其中,
通过使所述输送机构和所述切断用夹具相对移动,沿着X方向、Y方向、以及旋转方向中的至少一个方向使所述被切断物移动到所述第0次目标位置或所述第1次目标位置,之后,所述输送机构将所述被切断物再次载置于所述切断用夹具。
4.根据权利要求2所述的切断装置,其中,
所述特定的第1标记俯视看来沿着第1方向以及与所述第1方向正交的第2方向分别至少设定有两个,
所述特定的第2标记俯视看来沿着所述第1方向以及所述第2方向分别至少设定有两个,
所述特定的第3标记俯视看来沿着所述第1方向以及所述第2方向分别至少设定有两个。
5.根据权利要求1或2所述的切断装置,其中,
所述被切断物是在制造BGA时所使用的封装完毕基板,
所述外部电极是突起状电极。
6.一种切断方法,其中,
该切断方法包括如下工序:
准备具有多个切断槽和多个第1标记的切断用夹具的工序;
准备具有多个切断线、多个第2标记和由多个外部电极构成的多个第3标记的被切断物的工序;
由输送机构将所述被切断物载置到所述切断用夹具之上的工序;
利用拍摄部件对所述多个第1标记和所述多个第3标记进行拍摄而生成第1次图像数据的工序;
获取由所存储的特定的第1标记的位置信息构成的第1位置信息或者获取由对所述第1次图像数据进行图像处理而获得的特定的第1标记的位置信息构成的第1位置信息的工序;
获取由对所述第1次图像数据进行图像处理而获得的特定的第3标记的位置信息构成的第3位置信息的工序;
通过对所述第1位置信息和所述第3位置信息进行比较而计算出表示所述多个切断槽和所述多个第3标记之间的相对的错位的第1次偏移量的工序;
从所述切断用夹具抬起所述被切断物、使所述被切断物移动到与所述第1次偏移量相对应的第1次目标位置的工序;
将所述被切断物再次载置于所述切断用夹具的工序;以及
通过使所述切断用夹具和切断机构相对移动并使用所述切断机构而沿着所述多个切断线将再次载置的所述被切断物切断的工序。
7.根据权利要求6所述的切断方法,其中,
该切断方法还包括如下工序:
在获取所述第1次图像数据的工序之前通过至少对所述多个第2标记进行拍摄而生成第0次图像数据的工序;
在获取所述第1次图像数据的工序之前、通过对所述第1位置信息和由基于所述第0次图像数据测定出的特定的第2标记的位置信息构成的第2位置信息进行比较从而计算出表示所述多个切断槽和所述多个第2标记之间的相对的错位的第0次偏移量的工序;
在获取所述第1次图像数据的工序之前、从所述切断用夹具抬起所述被切断物、使所述被切断物移动到与所述第0次偏移量相对应的第0次目标位置的工序;以及
在获取所述第1次图像数据的工序之前、将移动到所述第0次目标位置的所述被切断物再次载置的工序。
8.根据权利要求7所述的切断方法,其中,
使所述被切断物移动的工序包括如下工序:通过使所述输送机构和所述切断用夹具相对移动,沿着X方向、Y方向、以及旋转方向中的至少一个方向使所述被切断物移动到所述第0次目标位置或所述第1次目标位置。
9.根据权利要求7所述的切断方法,其中,
该切断方法还包括如下工序:俯视看来沿着第1方向以及与所述第1方向正交的第2方向设定所述多个第1标记中的分别至少由两个构成的所述特定的第1标记的工序;
俯视看来沿着所述第1方向以及所述第2方向设定所述多个第2标记中的分别至少由两个构成的所述特定的第2标记的工序;以及
俯视看来沿着所述第1方向以及所述第2方向设定所述多个第3标记中的分别至少由两个构成的所述特定的第3标记的工序。
10.根据权利要求6或7所述的切断方法,其中,
所述被切断物是在制造BGA时所使用的封装完毕基板,
所述外部电极是突起状电极。
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Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6656752B2 (ja) * 2016-01-22 2020-03-04 株式会社ディスコ パッケージウェーハの加工方法
KR20180028265A (ko) 2016-09-08 2018-03-16 현대자동차주식회사 알루미늄 판재 및 이를 이용한 이지알쿨러
JP6896326B2 (ja) * 2017-03-06 2021-06-30 株式会社ディスコ 加工装置
JP7032050B2 (ja) * 2017-03-14 2022-03-08 株式会社ディスコ レーザー加工装置
CN206662561U (zh) * 2017-04-25 2017-11-24 京东方科技集团股份有限公司 激光切割基台和激光切割装置
JP2019016700A (ja) * 2017-07-07 2019-01-31 Towa株式会社 保持部材、保持部材の製造方法、保持装置、搬送装置及び電子部品の製造装置
JP7007052B2 (ja) * 2017-09-19 2022-01-24 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7020673B2 (ja) * 2018-02-21 2022-02-16 三星ダイヤモンド工業株式会社 ブレーク装置、ブレーク方法、およびブレークプレート
CN112074357B (zh) * 2018-05-14 2022-08-26 株式会社富士 引线切断单元以及具备该引线切断单元的安装机
JP7150401B2 (ja) * 2018-11-20 2022-10-11 株式会社ディスコ 被加工物の加工方法
CN110587835A (zh) * 2019-09-24 2019-12-20 上海集成电路研发中心有限公司 一种光栅硅片的切割方法
WO2021059937A1 (ja) * 2019-09-27 2021-04-01 株式会社東京精密 ダイシング装置及び方法
JP6912745B1 (ja) * 2019-09-27 2021-08-04 株式会社東京精密 ダイシング装置及び方法
US20220063135A1 (en) * 2020-09-03 2022-03-03 Dia&Co Inc. Method and apparatus for manufacturing high-hardness diamond simulant by cutting a gemstone into 100-sided body
JP2022152993A (ja) * 2021-03-29 2022-10-12 Towa株式会社 加工装置、及び加工品の製造方法
WO2023107988A1 (en) * 2021-12-07 2023-06-15 Jabil Inc. Self correcting router technology
CN114497276B (zh) * 2021-12-31 2024-02-06 中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司 光伏组件生产线
CN114783865B (zh) * 2022-04-13 2023-02-10 苏州优力科瑞半导体科技有限公司 一种划片切割方法及系统
CN117549411B (zh) * 2023-11-11 2024-04-30 肇庆市宏华电子科技有限公司 多层片式陶瓷电容片的切边方法、装置、设备和介质
CN117532760A (zh) * 2023-12-18 2024-02-09 肇庆市宏华电子科技有限公司 Mlcc生产用的多相机切换定位方法、装置、设备及介质

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200512060A (en) * 2003-09-24 2005-04-01 Aurotek Corp System and method for automatically generating cutting path
CN104425369A (zh) * 2013-09-02 2015-03-18 东和株式会社 切断装置及切断方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001060566A (ja) 1999-08-19 2001-03-06 Nec Corp 半導体パッケージの切断方法および装置
JP2003211354A (ja) * 2002-01-18 2003-07-29 Disco Abrasive Syst Ltd 切削装置
JP3991872B2 (ja) * 2003-01-23 2007-10-17 松下電器産業株式会社 半導体装置の製造方法
JP2009170501A (ja) * 2008-01-11 2009-07-30 Disco Abrasive Syst Ltd 切削装置
JP5906103B2 (ja) * 2012-03-02 2016-04-20 株式会社ディスコ パッケージ基板の加工方法および位置関係検出装置
JP5960532B2 (ja) * 2012-07-25 2016-08-02 株式会社ディスコ パッケージ基板の加工方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200512060A (en) * 2003-09-24 2005-04-01 Aurotek Corp System and method for automatically generating cutting path
CN104425369A (zh) * 2013-09-02 2015-03-18 东和株式会社 切断装置及切断方法

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