TWI591677B - Substrate processing apparatus - Google Patents

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Norikazu Yamada
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Description

基板處理裝置
本發明關於一種使用電漿來對基板施予特定處理之基板處理方法。
使用電漿來對作為基板之半導體晶圓(以下簡稱作「晶圓」)施予特定電漿處理之基板處理裝置係具備有被減壓之處理室、配置在該處理室內之載置台、連接於該載置台來對作為載置台之晶座施加較高頻率的高頻電壓(以下稱為「HF(High Frequency)高頻電壓」)之HF高頻電源、以及連接於晶座來對晶座施加較低頻率的高頻電壓(以下稱為「LF(Low Frequency)高頻電壓」)之LF高頻電源。
HF高頻電壓會將被導入至處理室內之處理氣體激發而產生電漿。又，LF高頻電壓會在晶座產生偏壓。此時，由於晶座會產生自偏壓，而該晶座的電位以時間的平均來說為負的電位，因此離子便會因該電位差而朝向晶座被吸引。
然而，已知施加LF高頻電壓來使偏壓產生於晶座的情況，由於LF高頻電壓為正弦波，因此朝向晶座被吸引之離子的能量分佈便會如圖9所示般地具有較低能量的尖峰與較高能量的尖峰，並且擴展為某種程度的範圍(例如參照專利文獻1)。
專利文獻1：日本特開2009-187975號公報(圖14)
然而，由於較低能量之離子的蝕刻係等向性較強，而較高能量之離子的蝕刻係異向性較強，因此若施加LF高頻電壓來使偏壓產生於晶座，則在蝕刻中，即便是欲使等向性優先的情況，而蝕刻的異向性亦會變強；在蝕刻中，即便是欲使異向性優先的情況，而蝕刻的等向性亦會變強。其結果，便無法藉由蝕刻來形成期望形狀的孔洞或溝槽。亦即，若使用LF高頻電壓來使偏壓產生於晶座，便會有蝕刻的加工控制性不甚佳之問題。
本發明之目的為提供一種可提高蝕刻的加工控制性之基板處理裝置。
為達成上述目的，申請專利範圍第1項之基板處理裝置具備有：處理室，其內部係被減壓；載置台，係配置在該處理室內而載置基板；第1高頻電源，係施加較高頻率的高頻電壓；第2高頻電源，係對該載置台施加較低頻率的高頻電壓；以及直流電壓施加單元，係對該載置台施加矩形波狀的直流電壓。
申請專利範圍第2項之基板處理裝置係如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其另具備有可使該直流電壓施加單元自該第2高頻電源及該載置台連接或分離之連接切換開關。
申請專利範圍第3項之基板處理裝置係如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其另具備有阻隔來自該第 1高頻電源的該較高頻率的高頻電壓之低通濾波器；該第1高頻電源係連接於該載置台；該低通濾波器係介設於該第1高頻電源及該第2高頻電源之間，以及該第1高頻電源及該直流電壓施加單元之間。
申請專利範圍第4項之基板處理裝置係如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其另具備有配置在該處理室內且與該載置台呈對向之對向電極；該第1高頻電源係連接於該對向電極。
申請專利範圍第5項之基板處理裝置係如申請專利範圍第1至4項中任一項之基板處理裝置，其中該較高頻率為40MHz~300MHz，該較低頻率為380KHz~20MHz，該矩形波狀的直流電壓頻率為3MHz以下。
依據本發明，由於第2高頻電源係對載置台施加較低頻率的高頻電壓，而直流電壓施加單元係對載置台施加矩形波狀的直流電壓，因此對載置台施加較低頻率的高頻電壓來使偏壓產生於載置台的情況，便可獲得分佈擴展為某種程度的範圍且具有較低能量的尖峰及較高能量的尖峰之離子能量分佈，而對載置台施加矩形波狀的直流電壓來使偏壓產生於載置台的情況，便可獲得局部地存在且僅具有1個尖峰之離子能量分佈。又，蝕刻的異向性強度或等向性強度會依離子能量分佈中的尖峰位置或數量而改變。於是，藉由調整從第2高頻電源之輸出值以及從直流電壓施加單元之輸出值的比率，便可控制蝕刻的異向性強度或等向性強度，從而可提高蝕刻的加工控制性。
以下，參照圖式來加以說明本發明實施型態。
圖1係概略顯示本實施型態基板處理裝置的結構之剖面圖。本基板處理裝置係對作為基板之半導體元件用晶圓(以下簡稱為「晶圓」)施予電漿蝕刻處理。
圖1中，基板處理裝置10係具有能夠收容例如直徑300mm的晶圓W之腔室11，該腔室11內係配置有將晶圓W載置於上面之圓柱狀晶座12(載置台)。於基板處理裝置10中，藉由腔室11的內側壁與晶座12的側面而形成了側邊排氣路徑13。該側邊排氣路徑13的途中係配置有排氣板14。
排氣板14係具有多個貫穿孔之板狀組件，而具有將腔室11內部區隔成上部與下部之區隔板功能。藉由排氣板14所區隔之腔室11內部之上部(以下稱為「處理室」)15的內部空間會如後述般地產生電漿。又，腔室11內部的下部(以下稱為「排氣室(manifold)」)16係連接有將腔室11內氣體排出之排氣管17。排氣板14會捕集或反射產生於處理室15之電漿而防止溢漏至排氣室16。
排氣管17係連接有TMP(Turbo Molecular Pump)及DP(Dry Pump)(皆未圖示)，該等幫浦會將腔室11內真空抽氣而減壓。具體來說，DP係將腔室11內從大氣壓減壓至中真空狀態，而TMP則會與DP一起動作來將腔室11內減壓至較中真空狀態要低壓力之高真空狀態。此外，腔室11內的壓力係藉由APC閥(未圖示)而被控制。
腔室11內的晶座12係透過HF匹配器19而連接有HF高頻電源18(第1高頻電源)，HF高頻電源18會對晶座12施加較高頻率，例如40MHz~300MHz的高頻電壓(以下稱為「電漿生成用高頻電壓」)。又，晶座12係透過LF匹配器21及低通濾波器22而連接有LF高頻電源20(第2高頻電源)，LF高頻電源20會對晶座12施加較低頻率，例如380KHz~20MHz的高頻電壓(以下稱為「偏壓生成用高頻電壓」)。再者，晶座12係透過低通濾波器22而連接有直流電壓施加單元23，直流電壓施加單元23會對晶座12施加後述矩形波狀的直流電壓。被施加高頻電壓或直流電壓之晶座12便具有下部電極的功能。基板處理裝置10中，由於從HF高頻電源18到晶座12的配線與從低通濾波器22到晶座12的配線不會交錯，因此低通濾波器22在電氣迴路上便會介設在HF高頻電源18與LF高頻電源20之間，以及HF高頻電源18與直流電壓施加單元23之間。
HF匹配器19會匹配電漿與HF高頻電源18之間的阻抗來提高對晶座12之電漿生成用高頻電壓的施加效率，LF匹配器21則會匹配電漿與LF高頻電源20之間的阻抗來提高對晶座12之偏壓生成用高頻電壓的施加效率。低通濾波器22會阻隔電漿生成用高頻電壓來防止該電漿生成用高頻電壓流入至LF高頻電源20或直流電壓施加單元23。
施加在晶座12的電漿生成用高頻電壓會將後述處理氣體激發而在處理室15中產生電漿，施加在晶座12的偏壓生成用高頻電壓或矩形波狀的直流電壓則會在晶座12 產生偏壓。如上所述地，由於晶座12處的偏壓會在負的區域中變化，因此電漿中的離子便會因電位差而朝向晶座12被吸引。
晶座12的上部周緣部係形成有該晶座12的中央部分朝向圖中上方突出般之段差。該晶座12的中央部分的前端係配置有內部具有靜電電極板24之介電體(例如陶瓷)所構成的圓板狀靜電夾具25。靜電電極板24係連接有直流電源(未圖示)，當對靜電電極板24施加正的直流電壓時，晶圓W之靜電夾具25側的面(以下稱為「內面」)便會產生負電位，而在靜電電極板24與晶圓W內面之間產生電位差。靜電電極板24與晶圓W內面之間的電位差會產生靜電力之庫倫力或強生-拉貝克力(Johnson-Rahbek)，而藉由靜電力來將晶圓W吸附保持在靜電夾具25。
又，晶座12係於內部具有冷媒流道所構成的冷卻機構(未圖示)，該冷卻機構係藉由吸收與電漿接觸而溫度上升之晶圓W的熱，來防止晶圓W的溫度成為所欲溫度以上。
晶座12雖係考慮了熱傳導效率或電極功能而由導電體(例如鋁)所構成，但為了防止導電體曝露在產生有電漿之處理室15內，便以介電體(例如石英(SiO2))所構成的側面保護組件26來覆蓋該晶座12的側面。
再者，於晶座12上部處，環狀聚焦環27係圍繞靜電夾具25所吸附保持的晶圓W般地載置於晶座12的段差或側面保護組件26，再者，遮蔽環28係圍繞聚焦環27般地載置於側面保護組件26。聚焦環27係由矽(Si)或碳化矽 (SiC)所構成，來使電漿的分佈區域不僅是在晶圓W上，而亦會擴大至該聚焦環27上。
腔室11的頂部係配置有與晶座12呈對向之淋氣頭29。淋氣頭29係具有表面受到絕緣膜覆蓋之導電體或單體的半導體(例如矽)構成的圓板狀上部電極板30(對向電極)、可拆裝地垂吊該上部電極板30之清潔板31、以及覆蓋該清潔板31之蓋體32。上部電極板30係由具有貫穿於厚度方向的多個氣體孔33之圓板狀組件所構成，由於為電性接地狀態，因此上部電極板30的電位便為接地電位。清潔板31內部係設置有暫存室34，而該暫存室34則連接有處理氣體導入管35。
基板處理裝置10另具備有控制部36，該控制部36係依據記憶在內建之記憶體等的程式來控制各構成要素的動作，以執行電漿蝕刻處理。具體來說，控制部36係控制各構成要素的動作，來將從處理氣體導入管35被供應至暫存室34之處理氣體導入至處理室15的內部空間，再藉由施加在HF高頻電源18之電漿生成用高頻電功率，來將該所導入的處理氣體激發而生成電漿，然後藉由LF高頻電源20或直流電壓施加單元23所產生於晶座12之偏壓來將電漿中的離子朝向晶圓W吸引，或是使電漿中的自由基到達晶圓W，來對該晶圓W施予電漿蝕刻處理。
圖2係概略顯示圖1中之直流電壓施加單元的電路結構之圖式。
圖2中，直流電壓施加單元23係具有從連接於低通濾波器22之配線37分歧的2條接地配線38、39。接地配線 38係在從與配線37的分歧點37a到接地40之間依序具有例如FET(Field Effect Transistor，場效電晶體)所構成的開關元件41及直流電源42，接地配線39則係在從分歧點37a到接地43之間具有例如FET所構成的開關元件44。
直流電壓施加單元23中，開關元件41、44會同步地重複開啟/關閉，具體來說，當開關元件41為開啟的期間則開關元件44會關閉，而當開關元件44開啟的期間則開關元件41會關閉。其結果，從直流電壓施加單元23所施加之直流電壓便會如圖3所示般地呈現矩形波。此處，由於直流電源42的陰極係連接於分歧點37a側的接地配線38，因此從直流電壓施加單元23所施加之直流電壓的矩形波便會成為特定的負電位，例如，呈現重複-500V及接地電位的矩形波。基板處理裝置10中，直流電壓施加單元23會控制開關元件41、44的開啟/關閉時間點來對晶座12施加頻率為3MHz以下的矩形波狀直流電壓。
然而，從LF高頻電源20對晶座12施加偏壓生成用高頻電壓的情況，雖會在晶座12產生偏壓，但如上所述地，由於晶座12係帶負電，因此偏壓便會在負的區域中變化，導致電漿中的離子因與負的偏壓之電位差而朝向晶座12被吸引。此時，由於離子的加速度會對應於電位差而變化，因此朝向晶座12被吸引之離子的能量便亦會對應於與偏壓的電位差而變化。
此處，由於從LF高頻電源20所施加之偏壓生成用高頻電壓係呈現正弦波，因此偏壓亦會呈現正弦波。呈現正 弦波的電壓變化中，由於停留在電壓為最小電壓附近及最大電壓附近的時間較長，因此離子及偏壓的電位差成為最大之時間及該電位差成為最小之時間便會變長。其結果，朝向晶座12被吸引之離子的能量成為最大之時間以及成為最小之時間便會變長，而如圖4之圖表中的虛線所示般地，在該離子的能量分佈中產生最大值附近的尖峰與最小值附近的尖峰。又，由於偏壓會在正弦波的最大值及最小值之間慢慢地變化，因此離子及偏壓的電位差亦會慢慢地變化。其結果，由於離子的能量亦在最大值及最小值之間慢慢地變化，因此離子的能量便會如圖4之圖表中的虛線所示般地分佈在最大值及最小值所界定的範圍內。
另一方面，從直流電壓施加單元23對晶座12施加直流電壓的情況，雖然亦會在晶座12產生在負的區域中變化之偏壓，但由於該直流電壓係呈現矩形波，因此該偏壓亦會呈現矩形波。此時，由於偏壓係呈現矩形波，因此偏壓雖僅存在有最大值與最小值，但此處，若使偏壓中之最大值的電位與離子的電位相同，則離子便僅會有與偏壓最小值的電位差作用。其結果，朝向晶座12被吸引之離子的能量分佈中，便會如圖4之圖表中的實線所示般地僅存在有對應於與偏壓最小值的電位差之尖峰。亦即，若從直流電壓施加單元23對晶座12施加直流電壓，則朝向晶座12被吸引之離子的能量分佈便會僅具有1個尖峰，且不會擴展而是會局部地存在。
本實施型態中，係對應於電漿蝕刻處理的內容，來區分來自LF高頻電源20之偏壓生成用高頻電壓的施加，與 來自直流電壓施加單元23之直流電壓的施加。具體來說，係對應於電漿蝕刻處理的內容來調整從LF高頻電源20之輸出值以及從直流電壓施加單元23之輸出值的比率。例如，高頻電壓係相較於直流電壓而可容易地實現高電壓值，於是，由於可增加偏壓及離子的電位差來以高能量的離子進行蝕刻，因此當增加從LF高頻電源20之輸出值的比例之情況，便可藉由高能量離子的蝕刻來蝕刻難以被蝕刻的材料。
另一方面，當增加從直流電壓施加單元23之輸出值的比例之情況，由於離子的能量分佈會僅具有1個尖峰，且不會擴展，因此可防止混合有等向性蝕刻及異向性蝕刻，再者，由於可藉由改變偏壓的最小值來改變離子能量分佈中之尖峰的位置，因此可增強電漿蝕刻處理的異向性或等向性其中之一。
依據本實施型態之基板處理裝置10，LF高頻電源20會對晶座12施加正弦波狀的偏壓生成用高頻電壓，直流電壓施加單元23會對晶座12施加矩形波狀的直流電壓。對晶座12施加偏壓生成用高頻電壓來使偏壓產生於晶座12的情況，如圖4之圖表中的虛線所示，可獲得分佈在最大值及最小值所界定的範圍內且具有最小值附近的尖峰及最大值附近的尖峰之離子能量分佈，而對晶座12施加矩形波狀的直流電壓來使偏壓產生於晶座12的情況，則可獲得局部地存在且僅具有1個尖峰之離子能量分佈。又，蝕刻的異向性強度或等向性強度會依離子能量分佈中之尖峰的位 置或數量而改變。於是，藉由調整從LF高頻電源20之輸出值以及從直流電壓施加單元23之輸出值的比率，便可控制蝕刻的異向性強度或等向性強度，從而可提高蝕刻的加工控制性。
又，上述基板處理裝置10中，由於低通濾波器22係介設於HF高頻電源18與LF高頻電源20之間，以及HF高頻電源18與直流電壓施加單元23之間，因此可防止電漿生成用高頻電壓從HF高頻電源18流入至LF高頻電源20或直流電壓施加單元23，從而可防止LF高頻電源20或直流電壓施加單元23因電漿生成用高頻電壓而受到破壞。再者，LF高頻電源20及直流電壓施加單元23可共用低通濾波器22，於是便可簡化基板處理裝置10中的電路結構。
圖5係概略顯示圖1之基板處理裝置的變形例結構之剖面圖。
圖5之基板處理裝置45中，HF高頻電源18係透過HF匹配器19而連接於上部電極板30，並非晶座12。又，晶座12係僅透過LF匹配器21而連接有LF高頻電源20，另外係直接連接有直流電壓施加單元23。其他結構則與基板處理裝置10相同，圖5中，與基板處理裝置10相對應的要素及部分則賦予相同符號。
基板處理裝置45中，由於HF高頻電源18並未連接於晶座12，故來自HF高頻電源18的電漿生成用高頻電壓便不會透過晶座12而流入至LF高頻電源20或直流電壓施 加單元23。於是，基板處理裝置45中，便不須在晶座12及LF高頻電源20之間，以及晶座12及直流電壓施加單元23之間設置低通濾波器22，從而可簡化基板處理裝置45中的電路結構。
接著，說明本發明第2實施型態之基板處理裝置。
圖6係概略顯示本實施型態之基板處理裝置的結構之剖面圖。
本實施型態之基板處理裝置46除了以下所說明之連接切換開關47以外的結構皆與圖1的基板處理裝置10相同，圖6中，與基板處理裝置10相對應的要素及部分則賦予相同符號。
上述圖1的基板處理裝置10中，直流電壓施加單元23雖係連接於晶座12，但直流電壓施加單元23中，由於連接於低通濾波器22之配線37係藉由2條接地配線38、39而接地，因此若直流電壓施加單元23經常地連接於晶座12之情況，則隨著晶座12的電位愈接近接地電位，則電性地浮遊之晶圓W及晶座12的電位差便會變大，而有在晶圓W及晶座12之間發生異常放電之虞。
又，基板處理裝置10中，由於直流電壓施加單元23係透過LF匹配器21而連接於LF高頻電源20，因此來自LF高頻電源20的偏壓生成用高頻電壓便會流入至直流電壓施加單元23，而有直流電壓施加單元23內的開關元件41、44因偏壓生成用高頻電壓的高負荷而受到破壞之虞。
相對於此，圖6的基板處理裝置46係具備有介設於連接低通濾波器22及LF匹配器21的配線48與直流電壓施 加單元23之間之連接切換開關47。連接切換開關47為一種具有可自由開閉的開關元件之開關，可使直流電壓施加單元23自LF高頻電源20或晶座12連接或分離，在不需從直流電壓施加單元23施加直流電壓之電漿蝕刻處理(例如高能量離子之蝕刻處理)的期間，使直流電壓施加單元23自LF高頻電源20或晶座12分離。又，在僅增強異向性或等向性其中一者之電漿蝕刻處理的期間，將LF高頻電源20或晶座12連接於直流電壓施加單元23。
亦即，在基板處理裝置46中，藉由依需要來使直流電壓施加單元23自晶座12分離，便可防止晶座12透過直流電壓施加單元23而接近接地電位，從而可防止因晶座12及晶圓W之電位差的擴大而導致異常放電的發生，且藉由依需要來使直流電壓施加單元23自LF高頻電源20分離，便可防止偏壓生成用高頻電壓從LF高頻電源20流入至直流電壓施加單元23，從而可防止該直流電壓施加單元23內的開關元件41、44受到破壞。
圖6的基板處理裝置46中，連接切換開關47雖係介設於配線48及直流電壓施加單元23之間，但連接切換開關的型態不限於此。例如，基板處理裝置46可如圖7(A)所示般地，具備有配置在低通濾波器22與LF匹配器21及直流電壓施加單元23之間，且可只選擇低通濾波器22與介隔有LF匹配器21之LF高頻電源20的連接，以及低通濾波器22與直流電壓施加單元23的連接當中的其中一者之連接切換開關49，亦可如圖7(B)所示般地，具備有配 置在低通濾波器22及LF匹配器21之間且可控制低通濾波器22與介隔有LF匹配器21之LF高頻電源20的連接或分離之連接切換開關50a，以及，配置在低通濾波器22及直流電壓施加單元23之間且可控制低通濾波器22與直流電壓施加單元23的連接或分離之連接切換開關50b。
又，亦可如圖8所示，HF高頻電源18係透過HF匹配器19而連接於上部電極板30，並非晶座12，且晶座12係僅透過LF匹配器21而連接有LF高頻電源20，又，僅透過連接切換開關47而連接有直流電壓施加單元23。藉此，便與圖5之基板處理裝置45同樣地，可不需設置低通濾波器22，從而可簡化基板處理裝置46中的電路結構。
以上，雖已利用上述各實施型態來加以說明本發明，但本發明未限定於上述各實施型態。
本發明之目的亦可藉由將記憶媒體(其係記錄有能夠實現上述實施型態的功能之軟體的程式)供應至電腦等，且電腦的CPU會讀取並執行收容在記憶媒體之程式來達成。
此情況下，從記憶媒體所讀取之程式本身便能夠實現上述實施型態之功能，而程式與記憶有該程式之記憶媒體則構成了本發明。
又，用以供應程式之記憶媒體只要是例如RAM、NV-RAM、軟碟(floppy，註冊商標)、硬碟、磁光碟、CD-ROM、CD-R、CD-RW、DVD(DVD-ROM、DVD-RAM、DVD-RW、DVD+RW)等之光碟、磁帶、非揮發性記憶卡、其他ROM等能夠記憶上述程式者即可。或者，上述程式亦 可藉由從連接於網際網路、商用網路或區域網路等未圖示的其他電腦或程式庫等下載來供應至電腦。
又，藉由執行電腦的CPU所讀取之程式，則不僅能夠實現上述各實施型態之功能，且亦包含在CPU上稼動之OS(操作系統)等會依據該程式的指示來進行實際處理的一部分或全部，而藉由該處理來實現上述實施型態的功能之情況。
再者，亦包含從記憶媒體所讀取之程式被寫入至插入於電腦之功能擴張卡或連接於電腦之功能擴張單元所具備的記憶體後，該功能擴張卡或功能擴張單元所具備的CPU等會依據該程式的指示來進行實際處理的一部分或全部，而藉由該處理來實現上述實施型態的功能之情況。
上述程式的型態亦可由藉由目的碼(object code)、解譯器(interpreter)而執行之程式、供應至OS之腳本資料(script data)等型態來構成。
W‧‧‧晶圓
10、45、46‧‧‧基板處理裝置
11‧‧‧腔室
12‧‧‧晶座
13‧‧‧側邊排氣路徑
14‧‧‧排氣板
15‧‧‧處理室
16‧‧‧排氣室
17‧‧‧排氣管
18‧‧‧HF高頻電源
19‧‧‧HF匹配器
20‧‧‧LF高頻電源
21‧‧‧LF匹配器
22‧‧‧低通濾波器
23‧‧‧直流電壓施加單元
24‧‧‧靜電電極板
25‧‧‧靜電夾具
26‧‧‧側面保護組件
27‧‧‧聚焦環
28‧‧‧遮蔽環
29‧‧‧淋氣頭
30‧‧‧上部電極板
31‧‧‧清潔板
32‧‧‧蓋體
33‧‧‧氣體孔
34‧‧‧暫存室
35‧‧‧處理氣體導入管
36‧‧‧控制部
37‧‧‧配線
38、39‧‧‧接地配線
37a‧‧‧分歧點
40、43‧‧‧接地
41、44‧‧‧開關元件
42‧‧‧直流電源
47、49、50a、50b‧‧‧連接切換開關
圖1係概略顯示本發明第1實施型態之基板處理裝置的結構之剖面圖。
圖2係概略顯示圖1中之直流電壓施加單元的電路結構之圖式。
圖3係用以說明圖1中之直流電壓施加單元所施加的矩形波狀直流電壓之圖式。
圖4係顯示朝向圖1中的晶座被吸引之離子的能量分 佈之圖表。
圖5係概略顯示圖1之基板處理裝置的變形例結構之剖面圖。
圖6係概略顯示本發明第2實施型態之基板處理裝置的結構之剖面圖。
圖7係顯示圖6中之連接切換開關的變形例之圖式，圖7(A)係顯示第1變形例，圖7(B)係顯示第2變形例。
圖8係概略顯示圖6之基板處理裝置的變形例結構之剖面圖。
圖9係顯示習知基板處理裝置中朝向晶座被吸引之離子的能量分佈之圖表。
W‧‧‧晶圓
10‧‧‧基板處理裝置
11‧‧‧腔室
12‧‧‧晶座
13‧‧‧側邊排氣路徑
14‧‧‧排氣板
15‧‧‧處理室
16‧‧‧排氣室
17‧‧‧排氣管
18‧‧‧HF高頻電源
19‧‧‧HF匹配器
20‧‧‧LF高頻電源
21‧‧‧LF匹配器
22‧‧‧低通濾波器
23‧‧‧直流電壓施加單元
24‧‧‧靜電電極板
25‧‧‧靜電夾具
26‧‧‧側面保護組件
27‧‧‧聚焦環
28‧‧‧遮蔽環
29‧‧‧淋氣頭
30‧‧‧上部電極板
31‧‧‧清潔板
32‧‧‧蓋體
33‧‧‧氣體孔
34‧‧‧暫存室
35‧‧‧處理氣體導入管
36‧‧‧控制部

Claims (7)

  1. 一種基板處理裝置，其具備有：處理室，其內部係被減壓；載置台，係配置在該處理室內而載置基板；第1高頻電源，係施加第1高頻電壓；第2高頻電源，係對該載置台施加較該第1高頻電壓來得低頻率的第2高頻電壓；直流電壓施加單元，係對該載置台施加矩形波狀的直流電壓；以及控制部，係至少控制該第2高頻電壓以及該直流電壓施加單元；該控制部於該處理室內產生電漿之際，係調整來自該第2高頻電源之輸出值以及來自該直流電壓施加單元之輸出值的比率。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其另具備有可使該直流電壓施加單元自該第2高頻電源及該載置台連接或分離之連接切換開關。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其另具備有阻隔來自該第1高頻電源之該第1高頻電壓之低通濾波器；該第1高頻電源係連接於該載置台；該低通濾波器係介設於該第1高頻電源及該第2高頻電源之間，以及該第1高頻電源及該直流電壓施加單元之間。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其另具備有配置在該處理室內且與該載置台呈對向之對向電極；該第1高頻電源係連接於該對向電極。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中該第1高頻電壓之頻率為40MHz~300MHz，該第2高頻電壓之頻率為380KHz~20MHz，該矩形波狀的直流電壓頻率為3MHz以下。
  6. 如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，其中該第1高頻電壓之頻率為40MHz~300MHz，該第2高頻電壓之頻率為380KHz~20MHz，該矩形波狀的直流電壓頻率為3MHz以下。
  7. 如申請專利範圍第4項之基板處理裝置，其中該第1高頻電壓之頻率為40MHz~300MHz，該第2高頻電壓之頻率為380KHz~20MHz，該矩形波狀的直流電壓頻率為3MHz以下。
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