TWI590319B - 化學機械研磨後清洗及設備 - Google Patents

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TWI590319B
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Description

化學機械研磨後清洗及設備
本發明係關於一種化學機械研磨後清洗及設備。
化學機械研磨(Chemical Mechanical Polish,CMP)製程廣泛用於製造積體電路。當積體電路是在半導體晶片的表面上逐層建立而成時，使用CMP製程使最高層平坦化以提供平坦表面以用於後續製造步驟。CMP製程係藉由抵靠研磨墊對晶片表面研磨而執行。將含有研磨粒子及反應性化學製品兩者的研磨漿施加到研磨墊。與研磨漿中的反應性化學製品耦合的研磨墊及晶片表面的相對移動，允許CMP製程借助於物理力及化學力兩者使晶片表面平坦化。
CMP製程可用於製造積體電路的各種元件。舉例而言，CMP製程可用以使層間介電層及金屬間介電層平坦化。CMP製程通常亦用於形成互連積體電路之組件的銅線。
在CMP製程之後，清洗執行CMP製程之晶片的表面以去除殘留物。殘留物可包含有機物質及粒子。在近來數代積體電路中，積體電路裝置的大小已減小到極小尺度。與較早數代積體電路相較，此情形對CMP後清洗提出較嚴格的要求。舉例而言，在CMP後清洗之後保留之金屬粒子的大小不可超過晶片上之電晶體的臨界尺寸(閘極長度)之二分之一。顯然，在減小積體電路裝置之大小的情況下，此類要求變得嚴格。
在一般CMP後清洗中，使用刷子去除晶片上的殘留物。
依本發明之一實施例，提供一種方法，包含：使用第一刷子對晶片執行第一化學機械研磨CMP(Chemical Mechanical Polish)後清洗，其中該第一刷子旋轉以清洗該晶片；及使用第二刷子對該晶片執行第二CMP後清洗，其中該第二刷子旋轉以清洗該晶片，且該第一CMP後清洗與該第二CMP後清洗係同時執行。
依本發明之另一實施例，提供一種方法，包含：使用第一刷子對晶片執行第一化學機械研磨CMP(Chemical Mechanical Polish)後清洗，其中該第一刷子旋轉以清洗該晶片，且該第一刷子之旋轉軸與該晶片之表面平行；及當該第一刷子旋轉時，擺動該第一刷子。
依本發明之更另一實施例，提供一種用於對晶片執行清洗之設備，該設備包含：夾盤，配置為固持該晶片及使該晶片旋轉；第一刷子，具有與該晶片之表面平行的第一軸線；第一驅動機構，用於使該第一刷子旋轉；第二刷子，具有與該晶片之該表面平行的第二軸線；及第二驅動機構，用於使該第二刷子旋轉。
10‧‧‧CMP系統
12‧‧‧研磨平台
14‧‧‧研磨墊
16‧‧‧研磨頭
18‧‧‧晶片
18A‧‧‧晶片中心
18B‧‧‧左邊緣
18C‧‧‧右邊緣
18D‧‧‧上部邊緣
18E‧‧‧下部邊緣
18CR‧‧‧中心區
20‧‧‧研磨漿施配器
22‧‧‧研磨漿
30‧‧‧清洗設備
32A、32B、32C、32D、32E、48‧‧‧刷子
35‧‧‧清洗溶液
36‧‧‧直徑
40‧‧‧連接元件
42‧‧‧驅動元件
34、44、44A、44B、44C、44D‧‧‧箭頭
45‧‧‧夾盤
46‧‧‧滑動引導件
50‧‧‧軸線
D1、D2‧‧‧距離
DIA‧‧‧晶片直徑
W1‧‧‧寬度
自後述詳述說明與附屬圖式，可最佳理解本申請案之各方面。須注意，依據產業之標準實施方式，各種構件並非依比例繪製。實際上，為了清楚討論，可任意增大或減小各種構件之尺寸。
圖1說明根據一些實施例的化學機械研磨(CMP)製程。
圖2A說明根據一些實施例的CMP後清洗製程及CMP後清洗設備之一部分的俯視圖，其中使用四個刷子。
圖2B說明根據一些實施例的CMP後清洗製程及CMP後清洗設備之一部分的俯視圖，其中刷子中的一者之一末端與晶片的中心對準。
圖3說明根據一些實施例的CMP後清洗製程及CMP後清洗設備之一部分的橫剖面圖。
圖4說明根據一些實施例的CMP後清洗製程及CMP後清洗設備之一 部分的俯視圖，其中兩個刷子垂直於另外兩個刷子。
圖5說明根據一些實施例的CMP後清洗製程及CMP後清洗設備之一部分的俯視圖，其中使用兩個刷子。
圖6說明根據一些實施例的CMP後清洗製程及CMP後清洗設備之一部分的俯視圖，其中使用單一刷子。
圖7說明根據一些實施例的CMP後清洗製程及CMP後清洗設備之一部分的俯視圖，其中長刷子在清洗期間擺動。
圖8說明根據一些實施例的CMP後清洗製程及CMP後清洗設備之一部分的俯視圖，其中使用鉛筆型刷子。
圖9說明刷子及晶片的俯視圖，其中刷子與晶片之間的接觸區域具有接觸寬度。
以下揭露之內容提供許多不同的實施例或範例，用於實施本案所提供之主題的不同特徵。元件與配置的特定範例之描述如下，以簡化本揭露。自然，此等僅為範例，並非用於限制本揭露。例如，元件之尺寸並未限制於所揭露之範圍或數值，但可取決於製程條件及/或期望之裝置性能。此外，以下在第二構件上或上方形成第一構件的敘述，可包含形成直接接觸之第一與第二構件的實施例，亦可包含在該第一與第二構件之間形成其他構件，因而該第一與第二構件並未直接接觸的實施例。此外，本申請案可在不同範例中重複元件符號及/或字母。此一重複之目的係為了簡化與清晰化，而非支配所討論的各實施例及/或架構之間的關係。
另，為了易於描述，可使用空間對應語詞，例如「之下」、「低於」、「較低」、「高於」、「較高」等類似語詞之簡單說明，以描述圖式中一元件或構件與另一元件或構件的關係。空間對應詞語係用以包括除了圖式中描述的位向之外，裝置於使用或操作中之不同位向。裝置可被定位(旋轉90度或是其他位向)，並可相應之解釋本申請案使用的空間對應描述。
根據各種例示性實施例提供用於執行化學機械研磨(CMP)後清洗之設備及CMP後清洗製程。論述一些實施例的一些變化。貫穿各視圖及說明性實施例，相似元件符號用以指明相似元件。
圖1示意性地說明根據本發明的一些實施例之晶片的CMP。CMP系統10包含研磨平台12、在研磨平台12之上的研磨墊14、及在研磨墊14之上的研磨頭16。研磨漿施配器20在研磨墊14正上方具有出口以便將研磨漿施配至研磨墊14上。
在CMP期間，藉由研磨漿施配器20將研磨漿22施配至研磨墊14上。研磨漿22包含與晶片18之表面層反應的反應性化學製品。此外，研磨漿22包含用於將晶片18機械研磨的研磨粒子。
研磨墊14係由足夠硬以允許研磨漿中之研磨粒子將研磨頭16下的晶片機械研磨之材料形成。另一方面，研磨墊14亦足夠軟以使其實質上不擦傷晶片。在CMP製程期間，藉由機構(未圖示)使研磨平台12旋轉，且因此固定於研磨平台上的研磨墊14亦連同研磨平台12一起旋轉。用於使研磨墊14旋轉的機構(例如，電動機及/或齒輪)並未說明。
在CMP製程期間，使研磨頭16亦旋轉，且因此使固定至研磨頭16上的晶片18旋轉。根據本發明的一些實施例，研磨頭16與研磨墊14往相同方向(順時針或逆時針)旋轉。根據替代實施例，如圖1中所展示，研磨頭16與研磨墊14往相反方向旋轉。用於使研磨頭16旋轉的機構並未加以說明。隨著研磨墊14及研磨頭16的旋轉，研磨漿22在晶片18與研磨墊14之間流動。藉由研磨漿中的反應性化學製品與晶片18的表面層之間的化學反應，且進一步藉由機械研磨，以使晶片18的表面層平坦化。
在CMP之後，藉由CMP後清洗步驟清洗晶片18。CMP後清洗步驟可包含複數個步驟，包含但不限於)：使用酸性化學溶液清洗、使用鹼性化學溶液清洗、使用中性化學溶液清洗、及使用去離子水(DI水)沖洗。CMP後清洗亦可包含複數個循環，每一循環包含化學溶液清洗步驟及沖洗步驟。
圖2說明根據一些實施例的CMP後清洗中之階段及對應之清洗設備30的俯視圖。已進行CMP製程之晶片18在晶片18的表面上仍留有殘留物，且需將殘留物從晶片18去除。殘留物可包含有機物質及粒子。清洗製程被稱作CMP後清洗製程。
清洗設備30包含複數個刷子(有時亦因其圓形橫截面形狀而被稱作刷輥)32(包含32A、32B、32C及32D)。根據本發明的一些實施例，刷子32A、32B、32C及32D可由聚乙烯醇(PVA)形成，或可由其他材料形成。此外，可將刷子32A、32B、32C及32D製造成具有海綿的形式。在CMP後清洗製程期間，使晶片18旋轉，例如，如藉由箭頭34所說明。同時，刷子32A、32B、32C及32D亦分別隨其自身的軸線旋轉。刷子32A、32B、32C及32D的軸線位於對應之刷子的縱向方向上，且平行於晶片18的表面。刷子32A、32B、32C及32D具有圓柱形形狀。且，當如圖2中所展示從右側觀察時，刷子32A、32B、32C及32D中之每一者的橫剖面圖為圓形，如圖9中所展示(在圖9中標記為32)，且因此當刷子旋轉時，將殘留物從晶片18的表面去除。根據此等實施例，刷子32A中之每一者的長度可小於晶片18的直徑DIA，且可等於、大於或小於晶片18的半徑DIA/2。
將刷子32A、32B、32C及32D中的每一者裝配至對應之連接元件40的末端部分，該末端部分配置為支撐對應之刷子32A、32B、32C及32D。當連接元件40旋轉時，刷子32A、32B、32C及32D亦旋轉。根據一些實施例，連接元件40中空，其中具有空間，且DI水及/或化學溶液可穿過該空間進入刷子32A、32B、32C及32D中，並被施配至刷子32A、32B、32C及32D上。另外，刷子32A、32B、32C及32D中之每一者連接到驅動元件42中之一者，該驅動元件配置為使對應之連接元件40及對應之刷子旋轉及/或移動/擺動。因此，藉由驅動機構42的操作，可使刷子32A、32B、32C及32D旋轉及/或搖動，如在後續論述中將詳細論述。驅動元件42可包含例如電動機、滑動引導件、機械臂、齒輪(未圖示)等。
在清洗期間，將化學溶液(在下文被稱作清洗溶液)35噴灑至晶片18的表面上。清洗溶液35可包含各種類型，且不同類型的清洗溶液35可用以清洗晶片上的不同殘留物。根據一些實施例，清洗溶液35包含酸性化學溶液，其可包含例如檸檬酸等有機酸、例如HNO3等無機酸，或其類似者。根據一些實施例，清洗溶液35包含鹼性化學溶液，其可包含例如NR3(其中R為烷基)等有機鹼、例如NH4OH等無機鹼，或其類似者。可將例如十二烷基硫酸鈉等介面活性劑添加至清洗溶液35以減小清洗溶液35的表面張力。清洗溶液35可包含水作為溶劑。清洗溶液35亦可使用例如甲醇等有機溶劑。清洗溶液35亦可為包含過氧化氫的水性溶液。舉例而言，清洗溶液35可包含H2O2水溶液。藉由晶片18的旋轉，將清洗溶液35輥壓至刷子32A、32B、32C及32D中，當刷子旋轉時，刷子使用清洗溶液35清洗晶片18的表面。
根據本發明的一些實施例，刷子32A、32B、32C及32D之位置固定，但刷子32A、32B、32C及32D本身亦滾動。刷子32A的縱向方向可與晶片18的直徑36對準。此外，刷子32A配置於晶片中心18A的左側上。刷子32A的右邊緣亦在晶片中心18A的左側上，且與晶片18的晶片中心18A隔開距離D1。根據一些例示性實施例，距離D1等於刷子32A與晶片18之間的接觸寬度的二分之一。舉例而言，圖9說明圖2中所展示的結構之一部分的橫剖面圖，其中橫剖面圖係從圖2中的與線9-9交叉的平面獲得。如圖9中所展示，刷子32接觸晶片18且具有接觸區域，且接觸區域具有寬度W1。根據一些實施例，距離D1等於W1/2。根據本發明的替代實施例，距離D1大於或小於W1/2。
再次參考圖2，刷子32B亦可配置於晶片18上。刷子32B的縱向方向亦可與晶片18的直徑36對準。此外，刷子32B配置於晶片18的右側上，且因此與刷子32A隔開。刷子32B的左邊緣在晶片中心18A的右側上，且與晶片中心18A隔開距離D2。根據一些例示性實施例，距離D2等於 W1/2，其中W1為刷子32B與晶片18之間的接觸寬度，如圖9中所展示。距離D2亦可等於、大於或小於距離D1。且，距離D2可大於或小於W1/2。
根據一些實施例，刷子32A可涵蓋頭尾至晶片18的左邊緣18B，且可略微地延伸超出(朝左)晶片18的左邊緣18B。應注意，由於晶片18旋轉，因此當貫穿描述提及「上部邊緣」、「底部邊緣」、「左邊緣」及「右邊緣」時，此等用語係指觀察晶片18時晶片18上的地理位置，而非隨著晶片18旋轉的固定點。藉由晶片18與刷子32A兩者的旋轉，以使刷子32A可擦刷除了中心區18CR以外的晶片18全面，其中中心區18CR具有等於距離D1的半徑。根據一些實施例，刷子32A的左邊緣在左邊緣18B的右側上。因此，根據一些實施例，刷子32A的長度小於晶片18的半徑DIA/2。
類似地，刷子32B可涵蓋頭尾至晶片18的右邊緣18C，且可略微地延伸超出(朝右)晶片18的右邊緣18C。因此，藉由晶片18與刷子32B兩者的旋轉，以使刷子32B可擦刷除了中心區18CR以外的晶片18全面，其中中心區具有等於距離D2的半徑。根據一些實施例，刷子32B的右邊緣在右邊緣18C的左側上。因此，刷子32B的長度小於晶片18的半徑DIA/2。
根據一些實施例，如圖2B中所展示，刷子32A使右邊緣與中心18A隔開距離D1，該距離D1可等於、小於或大於接觸寬度的二分之一(W1/2，圖9)。另一方面，刷子32B的左邊緣延伸至與晶片中心18A對準。因此，刷子32B可清洗實質上晶片18的全面。
在一般CMP後製程中，使用單一長刷子，該刷子從一邊緣延伸至經研磨之晶片的對向邊緣。因此，當晶片18旋轉時，晶片18的邊緣部分在該晶片位於對應之刷子正下方且與對應之刷子接觸而旋轉時進行清洗，且在該晶片遠離刷子旋轉時未進行清洗。然而，晶片具有中心部分，該中心部分具有等於接觸寬度的直徑(如圖9中所展示)。不管晶片的哪些邊緣部分被擦刷，中心部分始終與刷子接觸，且始終被擦刷。此一情況可能致使晶片的中心部 分被過度擦刷。中心部分可能因剪切力施加至中心部分的持續時間較施加至邊緣部分的持續時間更長而受到損壞或降級。另外，由於可使用水(以清洗溶液或DI水的形式)，且水具有低電導率，因此可能因刷子與此等區域之較長時間接觸而使電荷累積於晶片的一些部分中，造成包含晶片之中心部分的此等部分之腐蝕。
在本發明的實施例中，藉由使用兩個刷子，其中至少一個刷子且有可能為兩個刷子未延伸至晶片18的中心區18CR，可減少由於刷子對晶片的過度磨損而造成之損壞/腐蝕。舉例而言，在圖2B中所展示的實施例中，對晶片18的中心區之擦刷減少二分之一。在圖2A中的實施例中，晶片18的中心區並未被擦刷及清洗。替代地，中心區18CR可在藉由使用鉛筆型刷子執行之另一清洗製程中清洗。
根據本發明的一些實施例，刷子32C進一步配置於晶片18上，且用以清洗晶片18。刷子32C具有與刷子32A及32B的縱向方向平行的縱向方向，且因此刷子32C的縱向方向平行於直徑36。刷子32C與直徑36未對準，而刷子32A及32B與直徑36對準。刷子32C的中心可與介於晶片18的中心18A與上部邊緣18D之間的點對準。
根據本發明的一些實施例，刷子32D配置於晶片18上，且亦用以清洗晶片18。刷子32D亦具有與刷子32A及32B的縱向方向平行的縱向方向，且縱向方向平行於直徑36。刷子32D與直徑36未對準，而刷子32A及32B與直徑36對準。刷子32C的中心可與介於晶片18的中心18A與下部邊緣18E之間的點對準。
刷子32C與32D可具有相同長度或可具有不同長度。另外，從刷子32C到晶片中心18A的距離可等於或不同於從刷子32D到晶片中心18A的距離。
清洗製程期間之晶片的損壞/腐蝕包含中心模式、中間模式及邊緣模式，其對應於晶片的中心區、中間區及邊緣區的損壞/腐蝕。藉由調整刷子 32A、32B、32C及32D的長度及位置，對晶片18的擦刷可能更均勻，且遭受損壞/腐蝕之晶片的部分可受到較少擦刷，以便減少損壞/腐蝕，而不會犧牲清洗製程的品質。
再次返回參考圖2A，根據本發明的一些實施例，刷子32A、32B、32C及32D中的每一者可配置為在旋轉時擺動(或可固定於位置)。雙箭頭44(亦包含44A及44B)示意性地說明刷子的擺動方向及擺動範圍。舉例而言，刷子32A可向左及向右擺動，如藉由箭頭44B展示。擺動範圍的最右邊界為晶片中心18A。當刷子32A的右邊緣到達晶片中心18A時，刷子32A開始返回向左擺動，直至其到達其擺動範圍的左末端為止。擺動範圍的右邊界亦可為在晶片中心18A之左側的任何點。當刷子32A的右邊緣具有等於接觸寬度W1的二分之一的距離D1(圖9)時，或當距離D1大於或小於W1/2時，刷子32A可開始返回向右擺動。
刷子32A亦可向上(或向下)擺動，如藉由箭頭44A展示。應注意，當使用用語「向上」及「向下」時，此等用語係指在晶片18之俯視圖中可見的位置。若在晶片18的橫剖面圖中觀察，則當刷子「向上」或「向下」擺動時，其仍處於相同層，且刷子與晶片18之間的接觸區域保持不變。根據本發明的一些實施例，擺動範圍的第一末端如圖2A中所展示，其中刷子32A的中心軸線與直徑36對準。刷子32A的中心軸線之延伸方向亦為其縱向方向。在此位置，刷子32A與晶片18具有第一接觸區域。擺動範圍可等於或大於接觸寬度W1(圖9)。因此，當刷子32A到達擺動範圍的第二末端時，刷子32A與晶片18具有第二接觸區域，該第二接觸區域與第一接觸區域並不重疊。
類似於刷子32A，刷子32B可向左及向右及/或向上及向下擺動，如藉由箭頭44A及44B展示。類似地，刷子32B可向左擺動，直至其左邊緣到達晶片中心18A為止，在到達的該時間，刷子32B將開始返回向右擺動。刷子32B亦可向左擺動，且在其左邊緣到達晶片中心18A之前，接著向右 擺動。且，刷子32B可類似於刷子32A而向上及向下擺動。刷子32A及32B可以同步模式擺動，例如，同時向右擺動，且接著同時向左擺動；或同時向上擺動，且接著同時向下擺動。
刷子32C及32D亦可向上及向下擺動以補償晶片18之不同區域擦刷的不均勻性。刷子32A、32B、32C及32D的最佳位置及擺動範圍可藉由以下操作來確定：檢查先前清洗的晶片，並對應地調整位置及擺動範圍，以較少地擦刷過度擦刷的區域，並較多地擦刷擦刷不足的區域。
圖3說明圖2中之結構的橫剖面圖，其中橫剖面圖係在含有直徑36的平面中獲得。晶片18放置在夾盤45上且藉由夾盤45來緊固，夾盤旋轉，且因此上覆晶片18亦旋轉。根據本發明的一些例示性實施例，驅動元件42包含滑動引導件46，連接元件40附接至該滑動引導件。藉由使驅動連接元件40沿著滑動引導件46滑動，刷子32A及32B可來回擺動。根據替代實施例，可使用例如機械臂等其他機構實現刷子的擺動。
圖4說明根據一些實施例的設備及清洗製程。除了刷子32B及32C具有與刷子32A及32B的縱向方向垂直的縱向方向以外，此等實施例類似於圖2A中所展示的實施例。藉由應用刷子32B及32C，增加CMP後清洗的量。此外，刷子32C及32D中的每一者可在藉由箭頭44C及/或44D表示的方向上擺動。
圖5說明根據一些實施例的設備及CMP後清洗製程。除了未使用圖2A中的刷子32C及32D以外，此等實施例與圖2A中所展示的實施例類似。刷子32A及32B的結構及操作可基本上與針對圖2A中的刷子32A及32B描述的結構及操作相同，且因此本文不再重複。
圖6說明根據一些實施例的設備及CMP後清洗製程。除了未使用圖2A中的刷子32B、32C及32D而使用單一刷子32A以外，此等實施例與圖2A中所展示的實施例類似。刷子32A的結構及操作可基本上與針對圖2A中的刷子32A描述的結構及操作相同，且因此本文不再重複。
圖7說明根據一些實施例的設備及CMP後清洗製程。在此等實施例中，刷子32E具有等於或大於晶片18之直徑DIA的長度。因此，在任何給定時間，經擦刷的區域與晶片18的整個直徑交叉。刷子32E配置為上下擺動，如藉由雙箭頭44所展示，以使中心區不會被過度擦刷。擺動的第一末端可如圖7中所展示，其中刷子32E的中心軸線與晶片18的直徑對準。根據一些實施例，擺動範圍(距離)可等於或大於接觸寬度W1，如圖9中所展示。擺動範圍(距離)亦可小於接觸寬度W1。
圖8說明鉛筆型擦刷的俯視圖，其中鉛筆型刷子48用以進一步清洗晶片18。鉛筆型刷子48可圍繞其軸線50旋轉。鉛筆型擦刷不同於使用刷輥進行的擦刷(如圖2A到7中所展示)係在於：圖2A到7中，刷子32的旋轉軸平行於晶片18的表面，而在圖8中，刷子48的旋轉軸垂直於晶片18的表面。另，鉛筆型刷子48可在晶片18的中心與邊緣之間擺動，且覆蓋晶片18的中心及邊緣，其中擺動範圍係如雙箭頭44所說明。因此，根據一些實施例未被擦刷的晶片中心區18CR可被擦刷。
在CMP後清洗步驟之後，例如使用異丙醇及氮氣使晶片乾燥。
本發明的實施例具有一些有利特徵。藉由重新設計刷子的大小及位置，及修改刷子的操作，可減少一般CMP後清洗製程中所觀察到的損壞/腐蝕。
根據本發明之一些實施例，一種方法包含使用第一刷子對晶片執行第一CMP後清洗。第一刷子旋轉以清洗晶片。該方法進一步包含使用第二刷子對晶片執行第二CMP後清洗。第二刷子旋轉以清洗晶片。第一CMP後清洗與第二CMP後清洗係同時執行。
根據本發明之一些實施例，一種方法包含使用刷子對晶片執行CMP後清洗。刷子旋轉以清洗晶片，且刷子之旋轉軸與晶片之表面平行。當刷子旋轉時，擺動刷子。
根據本發明之一些實施例，一種用於對晶片執行清洗之設備包含：夾盤，配置為固持晶片及使晶片旋轉；第一刷子，具有與晶片之表面平行的第 一軸線；第一驅動機構，用於使第一刷子旋轉；第二刷子，具有與晶片之表面平行的第二軸線；及第二驅動機構，用於使第二刷子旋轉。
以上內容概述若干實施例的特徵，因而所屬技術領域中具有通常知識者可更為理解本申請案揭示內容之各方面。所屬技術領域中具有通常知識者應理解可輕易使用本申請案揭示內容作為基礎，用於設計或修改其他製程及結構而與本申請案該之實施例具有相同目的及/或達到相同優點。所屬技術領域中具有通常知識者亦應理解此均等架構並未脫離本申請案揭示內容的精神與範圍，且在不脫離本申請案揭示內容之精神及範圍的情況下，所屬技術領域中具有通常知識者可進行各種變化、取代、與替換。
18‧‧‧晶片
18A‧‧‧晶片中心
18B‧‧‧左邊緣
18C‧‧‧右邊緣
18D‧‧‧上部邊緣
18E‧‧‧下部邊緣
18CR‧‧‧中心區
30‧‧‧清洗設備
32A、32B、32C、32D‧‧‧刷子
35‧‧‧清洗溶液
36‧‧‧直徑
40‧‧‧連接元件
42‧‧‧驅動元件
42‧‧‧驅動機構
34、44、44A、44B‧‧‧箭頭
D1、D2‧‧‧距離
DIA‧‧‧晶片直徑

Claims (10)

  1. 一種清洗晶片的方法，其包括：使用第一刷子對晶片執行第一化學機械研磨CMP(Chemical Mechanical Polish)後清洗，其中該第一刷子旋轉以清洗該晶片；及使用第二刷子對該晶片執行第二CMP後清洗，其中該第二刷子旋轉以清洗該晶片，且該第一CMP後清洗與該第二CMP後清洗係同時執行；其中，該第一刷子或第二刷子隨其自身的旋轉軸旋轉，該旋轉軸位於對應之刷子的縱向方向上，且平行於該晶片之表面。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該第一刷子位於該晶片之中心的第一側上，且該第二刷子位於該晶片之該中心的第二側上，其中該第二側與該第一側相對向。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之方法，其中該第一刷子之第一縱向方向及該第二刷子之第二縱向方向均與該晶片的直徑對準。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中在該第一CMP後清洗的全部期間，該第一刷子具有與該晶片之中心對準的第一末端，且該第一刷子全體與該晶片的該中心隔開。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其進一步包括，當該第一刷子旋轉以清洗該晶片時，擺動該第一刷子。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之方法，其中當該第一刷子位於該擺動之擺動範圍的末端時，該第一刷子的末端與該晶片的中心重疊。
  7. 如申請專利範圍第5項所述之方法，其中該第一刷子與該第一刷子的縱向方向平行的方向上擺動。
  8. 如申請專利範圍第5項所述之方法，其中該第一刷子在與該第一刷子的縱向方向垂直的方向上擺動。
  9. 一種清洗晶片的方法，其包括：使用第一刷子對晶片執行第一化學機械研磨CMP(Chemical Mechanical Polish)後清洗，其中該第一刷子旋轉以清洗該晶片，且該第一刷子之旋轉軸與該晶片之表面平行；及當該第一刷子旋轉時，擺動該第一刷子。
  10. 一種用於對晶片執行清洗之設備，該設備包括：夾盤，配置為固持該晶片及使該晶片旋轉；第一刷子，具有與該晶片之表面平行的第一軸線；第一驅動機構，用於使該第一刷子旋轉；第二刷子，具有與該晶片之該表面平行的第二軸線；及第二驅動機構，用於使該第二刷子旋轉。
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