CN106558484A - 化学机械抛光后清洁及设备 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种化学机械抛光后清洁及设备，其包含使用第一刷子对晶片执行第一化学机械抛光CMP后清洁。所述第一刷子旋转以清洁所述晶片。本发明的方法进一步包含使用第二刷子对所述晶片执行第二CMP后清洁。所述第二刷子旋转以清洁所述晶片。所述第一CMP后清洁与所述第二CMP后清洁是同时执行。

Description

化学机械抛光后清洁及设备
技术领域
本发明大体上涉及半导体领域，更具体地，涉及化学机械抛光后清洁及设备。
背景技术
化学机械抛光(CMP)工艺广泛用于制造集成电路。当集成电路是在半导体晶片的表面上逐层建立而成时，使用CMP工艺来使最高层平坦化以提供平坦表面以用于后续制造步骤。CMP工艺是通过抵靠抛光垫对晶片表面抛光来执行。将含有研磨粒子及反应性化学制品两者的研磨浆施加到抛光垫。与研磨浆中的反应性化学制品耦合的抛光垫及晶片表面的相对移动允许CMP工艺借助于物理力及化学力两者使晶片表面平坦化。
CMP工艺可用于制造集成电路的各种组件。举例来说，CMP工艺可用以使层级间介电层及金属间介电层平坦化。CMP工艺通常也用于形成互连集成电路的组件的铜线。
在CMP工艺之后，清洁执行CMP工艺所在的晶片的表面以去除残留物。残留物可包含有机物质及粒子。在最近的几代集成电路中，集成电路装置的大小已减小到极小尺度。与较老的几代集成电路相比较，此情形对CMP后清洁提出苛刻要求。举例来说，在CMP后清洁之后保留的金属粒子的大小不可以超过晶片上的晶体管的临界尺寸(栅极长度)的二分之一。显然，在减小集成电路装置的大小的情况下，此类要求加严。
在常规CMP后清洁中，使用刷子来去除晶片上的残留物。
发明内容
根据本发明一实施例的方法，其包括：使用第一刷子对晶片执行第一化学机械抛光CMP后清洁，其中第一刷子旋转以清洁晶片；及使用第二刷子对晶片执行第二CMP后清洁，其中第二刷子旋转以清洁晶片，且第一CMP后清洁与第二CMP后清洁是同时执行。
根据本发明的另一实施例的方法，其中第一刷子位于晶片的中心的第一侧上，且第二刷子位于晶片的中心的第二侧上，其中第二侧与第一侧对置；其中第一刷子的第一纵向方向及第二刷子的第二纵向方向均与晶片的直径对准；其中在第一CMP后清洁的全部期间，第一刷子具有与晶片的中心对准的第一末端，且晶片的全部与晶片的中心隔开；当第一刷子旋转以清洁晶片时，摆动第一刷子；其中当第一刷子处于摆动的摆动范围的末端时，第一刷子的末端与晶片的中心重叠；其中在摆动期间，第一刷子的全部保持在晶片的同一侧上；其中第一刷子在垂直于第一刷子的纵向方向的方向上摆动。
根据本发明的又一实施例的方法，其包括：使用第一刷子对晶片执行第一化学机械抛光CMP后清洁，其中第一刷子旋转以清洁晶片，且第一刷子的旋转轴线平行于晶片的表面；及当第一刷子旋转时，摆动第一刷子。
本发明的又一实施例还提供用于对晶片执行清洁的设备，其包括：夹盘，其经配置以固持晶片及使晶片旋转；第一刷子，其具有平行于晶片的表面的第一轴线；第一驱动机构，其用于使第一刷子旋转；第二刷子，其具有平行于晶片的表面的第二轴线；及第二驱动机构，其用于使第二刷子旋转。
附图说明
当结合附图阅读时，从以下实施方式最好地理解本发明的各方面。应注意，根据业界中的标准惯例，各种特征未按比例绘制。事实上，为了论述清楚起见，可能任意增加或减小各种特征的尺寸。
图1说明根据一些实施例的化学机械抛光(CMP)工艺。
图2A说明根据一些实施例的CMP后清洁工艺及CMP后清洁设备的一部分的俯视图，其中使用四个刷子。
图2B说明根据一些实施例的CMP后清洁工艺及CMP后清洁设备的一部分的俯视图，其中刷子中的一者的一末端与晶片的中心对准。
图3说明根据一些实施例的CMP后清洁工艺及CMP后清洁设备的一部分的横截面图。
图4说明根据一些实施例的CMP后清洁工艺及CMP后清洁设备的一部分的俯视图，其中两个刷子垂直于另外两个刷子。
图5说明根据一些实施例的CMP后清洁工艺及CMP后清洁设备的一部分的俯视图，其中使用两个刷子。
图6说明根据一些实施例的CMP后清洁工艺及CMP后清洁设备的一部分的俯视图，其中使用单个刷子。
图7说明根据一些实施例的CMP后清洁工艺及CMP后清洁设备的一部分的俯视图，其中长刷子在清洁期间摆动。
图8说明根据一些实施例的CMP后清洁工艺及CMP后清洁设备的一部分的俯视图，其中使用铅笔型刷子。
图9说明刷子及晶片的俯视图，其中刷子与晶片之间的接触区域具有接触宽度。
具体实施方式
以下揭示内容提供用于实施本发明的不同特征的许多不同实施例或实例。下文描述组件及布置的特定实例以简化本发明。当然，这些组件以及布置仅为实例且并不意欲为限制性的。举例来说，在以下描述中，第一特征在第二特征之上或上的形成可包含第一特征与第二特征直接接触地形成的实施例，并且还可包含额外特征可形成于第一特征与第二特征之间从而使得第一特征与第二特征可以不直接接触的实施例。另外，本发明可在各种实例中重复参考标号及/或字母。此重复是出于简化和清楚的目的且本身并不指示所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。
另外，本文中为易于描述可能使用例如“之下”、“下方”、“下部”、“上覆”、“上部”及其类似者等空间上相对术语来描述如各图中所说明的一个元件或特征与另一元件或特征(其它元件或特征)的关系。除各图中所描绘的定向之外，空间上相对术语意欲涵盖装置在使用或操作中的不同定向。设备可以其它方式定向(旋转90度或处于其它定向)，且本文中所使用的空间上相对描述词同样可相应地进行解释。
根据各种示范性实施例提供用于执行化学机械抛光(CMP)后清洁的设备及CMP后清洁工艺。论述一些实施例的一些变化。贯穿各视图及说明性实施例，相似参考标号用以指明相似元件。
图1示意性地说明根据本发明的一些实施例的晶片的CMP。CMP系统10包含抛光压板12、在抛光压板12之上的抛光垫14，及在抛光垫14之上的抛光头16。研磨浆施配器20在抛光垫14正上方具有出口以便将研磨浆施配到抛光垫14上。
在CMP期间，通过研磨浆施配器20将研磨浆22施配到抛光垫14上。研磨浆22包含与晶片18的表面层起反应的反应性化学制品。此外，研磨浆22包含用于将晶片18机械抛光的研磨粒子。
抛光垫14由足够硬从而允许研磨浆中的研磨粒子将在抛光头16下的晶片机械抛光的材料形成。另一方面，抛光垫14也足够软从而使得其实质上不会擦伤晶片。在CMP工艺期间，通过机构(未图示)使抛光压板12旋转，且因此固定于抛光压板上的抛光垫14也连同抛光压板12一起旋转。用于使抛光垫14旋转的机构(例如，电动机及/或齿轮)并未加以说明。
在CMP工艺期间，使抛光头16也旋转，且因此致使固定到抛光头16上的晶片18旋转。根据本发明的一些实施例，抛光头16与抛光垫14在相同方向上(顺时针或逆时针)旋转。根据替代实施例，如图1中所展示，抛光头16与抛光垫14在相反方向上旋转。用于使抛光头16旋转的机构并未加以说明。随着抛光垫14及抛光头16旋转，研磨浆22在晶片18与抛光垫14之间流动。通过研磨浆中的反应性化学制品与晶片18的表面层之间的化学反应，且进一步通过机械抛光，使得晶片18的表面层平坦化。
在CMP之后，通过CMP后清洁步骤清洁晶片18。CMP后清洁步骤可包含多个步骤，包含(且不限于)：使用酸性化学溶液清洁、使用碱性化学溶液清洁、使用中性化学溶液清洁，及用去离子水(DI水)冲洗。CMP后清洁也可包含多个循环，每一循环包含化学溶液清洁步骤及冲洗步骤。
图2说明根据一些实施例的CMP后清洁中的阶段及相应清洁设备30的俯视图。已进行CMP工艺的晶片18在晶片18的表面上仍留有残留物，且需要将残留物从晶片18去除。残留物可包含有机物质及粒子。清洁工艺被称作CMP后清洁工艺。
清洁设备30包含多个刷子(有时也被称作毛刷辊，这归因于其圆形横截面形状)32(包含32A、32B、32C及32D)。根据本发明的一些实施例，刷子32A、32B、32C及32D可由聚乙烯醇(PVA)形成，或可由其它材料形成。此外，可将刷子32A、32B、32C及32D制造成具有海绵形式。在CMP后清洁工艺期间，使晶片18旋转，例如，如通过箭头34说明。同时，刷子32A、32B、32C及32D也随其自身的轴线旋转。刷子32A、32B、32C及32D的轴线在相应刷子的纵向方向上，且平行于晶片18的表面。刷子32A、32B、32C及32D具有圆柱形形状。并且，当如图2中所展示从右侧查看时，刷子32A、32B、32C及32D中的每一者的横截面图为圆形，如图9中所展示(在图9中标记为32)，且因此当刷子旋转时，将残留物从晶片18的表面去除。根据这些实施例，刷子32A中的每一者的长度可小于晶片18的直径DIA，且可等于、大于或小于晶片18的半径DIA/2。
刷子32A、32B、32C及32D中的每一者装配到相应连接组件40的末端部分，所述末端部分经配置以支撑相应刷子32A、32B、32C及32D。当连接组件40旋转时，刷子32A、32B、32C及32D也旋转。根据一些实施例，连接组件40为中空的，其中具有空间，且DI水及/或化学溶液可穿过所述空间进入刷子32A、32B、32C及32D中，且被施配到刷子32A、32B、32C及32D上。另外，刷子32A、32B、32C及32D中的每一者连接到驱动组件42中的一者，所述驱动组件经配置以使相应连接组件40及相应刷子旋转及/或移动/摆动。因此，通过驱动机构42的操作，可使刷子32A、32B、32C及32D旋转及/或摇动，如在后续论述中将详细论述。驱动组件42可包含(例如)电动机、滑动引导件、机器手臂、齿轮(未图示)，及其类似者。
在清洁期间，将化学溶液(在下文被称作清洁溶液)35喷洒到晶片18的表面上。清洁溶液35可包含各种类型，且不同类型的清洁溶液35可用以清洁晶片上的不同残留物。根据一些实施例，清洁溶液35包含酸性化学溶液，其可包含例如柠檬酸等有机酸、例如HNO3等无机酸，或其类似者。根据一些实施例，清洁溶液35包含碱性化学溶液，其可包含例如NR3(其中R为烷基)等有机碱、例如NH4OH等无机碱，或其类似者。可将例如十二烷基硫酸钠等界面活性剂添加到清洁溶液35以减小清洁溶液35的表面张力。清洁溶液35可包含水作为溶剂。清洁溶液35还可使用例如甲醇等有机溶剂。清洁溶液35还可为包含过氧化氢的水性溶液。举例来说，清洁溶液35可包含H2O2水溶液。通过晶片18的旋转，将清洁溶液35辊压到刷子32A、32B、32C及32D中，当刷子旋转时，刷子使用清洁溶液35来清洁晶片18的表面。
根据本发明的一些实施例，刷子32A、32B、32C及32D的位置为固定的，但刷子32A、32B、32C及32D本身也滚动。刷子32A的纵向方向可与晶片18的直径36对准。此外，刷子32A安置在晶片中心18A的左侧上。刷子32A的右边缘也在晶片中心18A的左侧上，且与晶片18的晶片中心18A隔开距离D1。根据一些示范性实施例，距离D1等于刷子32A与晶片18之间的接触宽度的二分之一。举例来说，图9说明图2中所展示的结构的一部分的横截面图，其中横截面图是从图2中的与线9-9交叉的平面获得。如图9中所展示，刷子32接触晶片18且具有接触区域，且接触区域具有宽度W1。根据一些实施例，距离D1等于W1/2。根据本发明的替代实施例，距离D1大于或小于W1/2。
再次参看图2，刷子32B还可安置在晶片18上。刷子32B的纵向方向还可与晶片18的直径36对准。此外，刷子32B安置在晶片18的右侧上，且因此与刷子32A隔开。刷子32B的左边缘在晶片中心18A的右侧上，且与晶片中心18A隔开距离D2。根据一些示范性实施例，距离D2等于W1/2，其中W1为刷子32B与晶片18之间的接触宽度，如图9中所展示。距离D2还可等于、大于或小于距离D1。并且，距离D2可大于或小于W1/2。
根据一些实施例，刷子32A可始终涵盖晶片18的左边缘18B，且可略微地延伸超出(朝左)晶片18的左边缘18B。应注意，由于晶片18旋转，因此当贯穿描述提及“上部边缘”、“底部边缘”、“左边缘”及“右边缘”时，这些术语是指在查看晶片18时晶片18上的地理位置，而不是随着晶片18旋转的固定点。通过晶片18与刷子32A两者的旋转，使得刷子32A能够擦刷除了中心区18CR以外的所有晶片18，其中中心区18CR具有等于距离D1的半径。根据一些实施例，刷子32A的左边缘在左边缘18B的右侧上。因此，根据一些实施例，刷子32A的长度小于晶片18的半径DIA/2。
类似地，刷子32B可始终涵盖晶片18的右边缘18C，且可略微地延伸超出(朝右)晶片18的右边缘18C。因此，通过晶片18与刷子32B两者的旋转，使得刷子32B能够擦刷除了中心区18CR以外的所有晶片18，其中中心区具有等于距离D2的半径。根据一些实施例，刷子32B的右边缘在右边缘18C的左侧上。因此，刷子32B的长度小于晶片18的半径DIA/2。
根据一些实施例，如图2B中所展示，刷子32A使右边缘与中心18A隔开距离D1，所述距离D1可等于、小于或大于接触宽度的二分之一(W1/2，图9)。另一方面，刷子32B的左边缘延伸到与晶片中心18A对准。因此，刷子32B能够清洁实质上晶片18的全部。
在常规CMP后工艺中，使用单个长刷子，所述刷子从一个边缘延伸到经抛光的晶片的对置边缘。因此，当晶片18旋转时，晶片18的边缘部分在所述晶片在相应刷子正下方且与相应刷子接触而旋转时进行清洁，且在所述晶片远离刷子旋转时未进行清洁。然而，晶片具有中心部分，所述中心部分具有等于接触宽度的直径(如图9中所展示)。不管晶片的哪些边缘部分被擦刷，中心部分始终与刷子接触，且始终被擦刷。此可致使晶片的中心部分被过度擦刷。中心部分可归因于剪切力施加到中心部分的持续时间比施加到边缘部分的持续时间长而受损坏或降级。另外，由于可使用水(在清洁溶液中或呈DI水的形式)，且水具有低电导率，因此可归因于刷子与这些区的较长时间接触而使得电荷累积于晶片的一些部分中，从而造成包含晶片的中心部分的这些部分的腐蚀。
在本发明的实施例中，通过使用两个刷子，其中至少一个刷子且有可能两个刷子并不延伸到晶片18的中心区18CR，由于刷子对晶片的过度磨损造成的损坏/腐蚀得以减少。举例来说，在图2B中所展示的实施例中，对晶片18的中心区的擦刷减少二分之一。在图2A中的实施例中，晶片18的中心区并未被擦刷及清洁。替代地，在可使用铅笔型刷子执行的另一清洁工艺中清洁中心区18CR。
根据本发明的一些实施例，刷子32C进一步安置在晶片18上，且用以清洁晶片18。刷子32C具有平行于刷子32A及32B的纵向方向的纵向方向，且因此刷子32C的纵向方向平行于直径36。刷子32C与直径36未对准，而刷子32A及32B与直径36对准。可使刷子32C的中心与介于晶片18的中心18A与上部边缘18D之间的点对准。
根据本发明的一些实施例，刷子32D安置在晶片18上，且也用以清洁晶片18。刷子32D也具有平行于刷子32A及32B的纵向方向的纵向方向，且纵向方向平行于直径36。刷子32D与直径36E未对准，而刷子32A及32B与直径36E对准。可使刷子32C的中心与介于晶片18的中心18A与下部边缘18E之间的点对准。
刷子32C与32D可具有相同长度或可具有不同长度。另外，从刷子32C到晶片中心18A的距离可等于或不同于从刷子32D到晶片中心18A的距离。
清洁工艺期间的晶片的损坏/腐蚀包含中心模式、中间模式及边缘模式，其对应于晶片的中心区、中间区及边缘区的损坏/腐蚀。通过调整刷子32A、32B、32C及32D的长度及位置，对晶片18的擦刷可能更均匀，且遭受损坏/腐蚀的晶片的部分可受到较少擦刷，以便减少损坏/腐蚀，而不会牺牲清洁工艺的品质。
再次返回参看图2A，根据本发明的一些实施例，刷子32A、32B、32C及32D中的每一者可经配置以在旋转时摆动(或可固定在位置中)。双箭头44(也包含44A及44B)示意性地说明刷子的摆动方向及摆动范围。举例来说，刷子32A可向左及向右摆动，如通过箭头44B展示。摆动范围的最右边界为晶片中心18A。当刷子32A的右边缘到达晶片中心18A时，刷子32A开始返回向左摆动，直到其到达其摆动范围的左末端为止。摆动范围的右边界还可为在晶片中心18A的左侧的任何点。当刷子32A的右边缘具有等于接触宽度W1的二分之一的距离D1(图9)时，或当距离D1大于或小于W1/2时，刷子32A可开始返回向右摆动。
刷子32A还可向上(或向下)摆动，如通过箭头44A展示。应注意，当使用术语“向上”及“向下”时，这些术语是指在晶片18的俯视图中可见的位置。如果在晶片18的横截面图中查看，那么当刷子“向上”或“向下”摆动时，其仍处于相同层级，且刷子与晶片18之间的接触区域保持不变。根据本发明的一些实施例，摆动范围的第一末端如图2A中所展示，其中刷子32A的中心轴线与直径36对准。刷子32A的中心轴线的延伸方向也为其纵向方向。在此位置，刷子32A具有与晶片18的第一接触区域。摆动范围可等于或大于接触宽度W1(图9)。因此，当刷子32A到达摆动范围的第二末端时，刷子32A与晶片18具有第二接触区域，所述第二接触区域与第一接触区域并不重叠。
类似于刷子32A，刷子32B可向左及向右及/或向上及向下摆动，如通过箭头44A及44B展示。类似地，刷子32B可向左摆动，直到其左边缘到达晶片中心18A为止，在到达的所述时间，刷子32B将开始返回向右摆动。刷子32B还可向左摆动，且在其左边缘到达晶片中心18A之前，接着向右摆动。并且，刷子32B可类似于刷子32A而向上及向下摆动。刷子32A及32B可以同步模式摆动，例如，同时向右摆动，且接着同时向左摆动；或同时向上摆动，且接着同时向下摆动。
刷子32C及32D还可向上及向下摆动以补偿晶片18的不同区域的擦刷的非均匀性。刷子32A、32B、32C及32D的最优位置及摆动范围可通过以下操作来确定：检查先前经清洁的晶片，及相应地调整位置及摆动范围，以使得较少地擦刷经过度擦刷的区，且较多地擦刷擦刷不足的区。
图3说明图2中的结构的横截面图，其中横截面图是在含有直径36的平面中获得。晶片18放置在夹盘45上且通过夹盘45来紧固，夹盘旋转，且因此上覆晶片18也旋转。根据本发明的一些示范性实施例，驱动组件42包含滑动引导件46，连接组件40附接到所述滑动引导件。通过驱动连接组件40沿着滑动引导件46滑动，刷子32A及32B可来回摆动。根据替代实施例，可使用例如机器手臂等其他机构实现刷子的摆动。
图4说明根据一些实施例的设备及清洁工艺。除了刷子32B及32C具有其垂直于刷子32A及32B的纵向方向的纵向方向以外，这些实施例类似于图2A中所展示的实施例。通过应用刷子32B及32C，增加CMP后清洁的输送量。此外，刷子32C及32D中的每一者可在通过箭头44C及/或44D表示的方向上摆动。
图5说明根据一些实施例的设备及CMP后清洁工艺。除了不使用图2A中的刷子32C及32D以外，这些实施例类似于图2A中所展示的实施例。刷子32A及32B的结构及操作可基本上与针对图2A中的刷子32A及32B描述的结构及操作相同，且因此本文不再重复。
图6说明根据一些实施例的设备及CMP后清洁工艺。除了不使用图2A中的刷子32B、32C及32D而使用单个刷子32A以外，这些实施例类似于图2A中所展示的实施例。刷子32A的结构及操作可基本上与针对图2A中的刷子32A描述的结构及操作相同，且因此本文不再重复。
图7说明根据一些实施例的设备及CMP后清洁工艺。在这些实施例中，刷子32E具有等于或大于晶片18的直径DIA的长度。因此，在任何给定时间，经擦刷的区与晶片18的整个直径交叉。刷子32E经配置以上下摆动，如通过双箭头44展示，以使得中心区不会被过度擦刷。摆动的第一末端可如图7中所展示，其中刷子32E的中心轴线与晶片18的直径对准。根据一些实施例，摆动范围(距离)可等于或大于接触宽度W1，如图9中所展示。摆动范围(距离)还可小于接触宽度W1。
图8说明铅笔型擦刷的俯视图，其中铅笔型刷子48用以进一步清洁晶片18。铅笔型刷子48可围绕其轴线50旋转。铅笔型擦刷不同于使用毛刷辊进行的擦刷(如图2A到7中所展示)在于：在图2A到7中，刷子32的旋转轴线平行于晶片18的表面，而在图8中，刷子48的旋转轴线垂直于晶片18的表面。另外，铅笔型刷子48可在晶片18的中心与边缘之间摆动，且覆盖晶片18的中心及边缘，其中摆动范围经说明为双箭头44。因此，根据一些实施例并未被擦刷的晶片中心区18CR可被擦刷。
在CMP后清洁步骤之后，例如使用异丙醇及氮气使晶片干燥。
本发明的实施例具有一些有利特征。通过重新设计刷子的大小及位置，及修改刷子的操作，可减少常规CMP后清洁工艺中所观测到的损坏/腐蚀。
根据本发明的一些实施例，一种方法包含使用第一刷子对晶片执行第一CMP后清洁。第一刷子旋转以清洁晶片。所述方法进一步包含使用第二刷子对晶片执行第二CMP后清洁。第二刷子旋转以清洁晶片。第一CMP后清洁与第二CMP后清洁是同时执行。
根据本发明的一些实施例，一种方法包含使用刷子对晶片执行CMP后清洁。刷子旋转以清洁晶片，且刷子的旋转轴线平行于晶片的表面。当刷子旋转时，第一刷子摆动。
根据本发明的一些实施例，一种用于对晶片执行清洁的设备包含：夹盘，其经配置以固持晶片及使晶片旋转；第一刷子，其具有平行于晶片的表面的第一轴线；第一驱动机构，其用于使第一刷子旋转；第二刷子，其具有平行于晶片的表面的第二轴线；及第二驱动机构，其用于使第二刷子旋转。
前文概述若干实施例的特征，使得所属领域的技术人员可更好地理解本发明的各方面。所属领域的技术人员应了解，其可容易地使用本发明作为设计或修改用于执行本文所介绍的实施例的相同目的及/或实现相同优点的其它工艺及结构的基础。所属领域的技术人员也应认识到，此类等效构造并不脱离本发明的精神及范围，且其可在不脱离本发明的精神及范围的情况下在本文中进行各种改变、取代及更改。

Claims (10)

1.一种方法，其包括：
使用第一刷子对晶片执行第一化学机械抛光CMP后清洁，其中所述第一刷子旋转以清洁所述晶片；及
使用第二刷子对所述晶片执行第二CMP后清洁，其中所述第二刷子旋转以清洁所述晶片，且所述第一CMP后清洁与所述第二CMP后清洁是同时执行。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一刷子位于所述晶片的中心的第一侧上，且所述第二刷子位于所述晶片的所述中心的第二侧上，其中所述第二侧与所述第一侧对置。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一刷子的第一纵向方向及所述第二刷子的第二纵向方向均与所述晶片的直径对准。
4.根据权利要求1所述的方法，其中在所述第一CMP后清洁的全部期间，所述第一刷子具有与所述晶片的中心对准的第一末端，且所述晶片的全部与所述晶片的所述中心隔开。
5.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括，当所述第一刷子旋转以清洁所述晶片时，摆动所述第一刷子。
6.根据权利要求5所述的方法，其中当所述第一刷子处于所述摆动的摆动范围的末端时，所述第一刷子的末端与所述晶片的中心重叠。
7.根据权利要求5所述的方法，其中在所述摆动期间，所述第一刷子的全部保持在所述晶片的同一侧上。
8.根据权利要求5所述的方法，其中所述第一刷子在垂直于所述第一刷子的纵向方向的方向上摆动。
9.一种方法，其包括：
使用第一刷子对晶片执行第一化学机械抛光CMP后清洁，其中所述第一刷子旋转以清洁所述晶片，且所述第一刷子的旋转轴线平行于所述晶片的表面；及
当所述第一刷子旋转时，摆动所述第一刷子。
10.一种用于对晶片执行清洁的设备，所述设备包括：
夹盘，其经配置以固持所述晶片及使所述晶片旋转；
第一刷子，其具有平行于所述晶片的表面的第一轴线；
第一驱动机构，其用于使所述第一刷子旋转；
第二刷子，其具有平行于所述晶片的所述表面的第二轴线；及
第二驱动机构，其用于使所述第二刷子旋转。
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