TWI586509B - 製造多晶矽的方法 - Google Patents

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雷納 派屈
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Description

製造多晶矽的方法 【0001】
本發明提供一種製造多晶矽（polycrystalline silicon）的方法。
 【0002】
多晶矽（簡稱多矽（polysilicon））係在借助於坩堝提拉（柴可斯基法（Czochralski）或CZ法）或借助於區域熔融（浮區法或FZ法）製造單晶矽時充當初始材料。此單晶矽被分割成晶圓，並且在眾多機械、化學和化學機械加工操作後被用於半導體工業中來製造電子元件（晶片）。
【0003】
然而，更特別地，在更大程度上需要多晶矽來用於借助於提拉或澆鑄法製造單結晶-或多結晶矽，此單結晶-或多結晶矽係用於製造光伏打太陽能電池。
【0004】
多晶矽通常借助於西門子製程（Siemens process）製造。在此製程中，在鐘罩狀反應器（「西門子反應器（Siemens reactor）」）中，係藉由直接通電加熱矽的細絲棒（filament rod）（「細棒」）到900至1200°Ｃ的表面溫度，並且經由噴射噴嘴（injection nozzle）引入一包含含矽組分（尤其為鹵代矽烷（halosilane））和氫氣的反應氣體。在此過程中，鹵代矽烷在細棒表面上分解。這使元素矽從氣相沉積到細棒上。
【0005】
矽棒係藉由通常由高純度電石墨組成的特殊電極固持在反應器中。連接於電極固持器（holder）處具有不同極性的電壓的每兩根細棒係藉由細棒另一端的橋連接而形成閉合回路。借助於電極和其電極固持器供應電能來加熱細棒。
【0006】
在沉積期間，細棒的直徑變大。同時，電極從其尖梢開始成長為矽棒的棒底。
【0007】
用於電極的主要材料為石墨，因為石墨可以極高純度獲得，並且在沉積條件下是化學惰性的。此外，石墨具有極低的比電阻率（specific electrical resistivity）。
【0008】
在達到矽棒的所欲目標直徑後，沉積過程結束，將發熱的矽棒冷卻並卸載。
【0009】
隨後，通常在電極和橋末端處將所得U形棒對的多晶矽切割成一定長度並且粉碎成塊體（chunk）。粉碎係借助於破碎機實施，例如使用顎式破碎機（jaw crusher）。所述破碎機例如描述在EP 338 682 A2中。此操作之前視需要借助於錘子進行預粉碎。
【0010】
之前，通常要移去石墨電極。EP 2 479 142 A1揭露了從棒的電極末端移去至少70毫米（mm）。此操作據說會導致在所製造的矽塊內部的外來物質如鉻、鐵、鎳、銅和鈷的濃度較低。所述移去是借助於切割工具，例如借助於旋轉鋸（rotary saw）進行。然而，在此方法中會損失不容忽視的量的多晶矽。
【0011】
然而，也有如下已知方法，其中藉由使石墨脫離或轉化為可以容易地從多晶矽移去的粉末形式來對包含矽和石墨的棒的移去末端進行化學處理。此操作可得到已無石墨且可進一步加以加工的棒片。然而，該方法中有污染多晶矽的風險。此種方法在CN 101691222 B、CN 101974784 A、CN 102121106 A和CN 102211773 A中有描述。
【0012】
在CN202358922 U中，透過適當地構建電極和電極固持器來嘗試阻止電極變成棒底。此操作據說使多晶矽的產率提高。
【0013】
因此，問題為完全移去電極同時實現多晶矽的最小污染。此外，該方法將要確保多晶矽的高生產率和最大產率。
 【0014】
所述目的係藉由如下製造多晶矽的方法實現，其包括：
a) 借助於CVD，在至少一U形支撐體（U-shaped support body）上沉積多晶矽，所述U形支撐體係藉由直接通電加熱至一使多晶矽在所述支撐體上沉積的溫度，導致形成至少一U形對的多晶矽棒，所述支撐體的各個自由末端（free end）係連接於一石墨電極，並以此方式供應電力；
b) 從反應器卸載至少一對多晶矽棒；
c) 從至少一對多晶矽棒的至少兩個多晶矽棒的電極末端除掉石墨殘餘物；
d) 粉碎至少兩個多晶矽棒，得到棒片或得到塊體；
其包括借助於至少一機械脈衝（mechanical impulse）從至少兩個多晶矽棒的每個的電極末端敲掉石墨殘餘物。
【0015】
所述方法的較佳實施態樣可以從以下演繹得出。
【0016】
在一較佳實施態樣中，在所述至少一機械脈衝中所消耗的衝擊能（impact energy）係不超過20焦耳（J）；所述至少一機械脈衝可在距所述多晶矽棒的電極末端的每個皆不超過50毫米（mm）的距離處施加。
【0017】
所述用於敲掉石墨殘餘物的機械脈衝可各自以相對於多晶矽棒的棒軸小於45°的角度施加，所述棒軸是水平佈置的。
【0018】
在另一較佳實施態樣中，係借助於二機械脈衝敲掉石墨殘餘物，其中在第一機械脈衝中所消耗的衝擊能係不超過20焦耳且是在距所述多晶矽棒的電極末端的每個皆不超過30毫米的距離處施加，以及其中在第二機械脈衝中所消耗的衝擊能係不超過10焦耳且是在距所述多晶矽棒的電極末端的每個皆不超過30毫米的距離處施加；或者，係施加數次衝擊而非該第一機械脈衝，每次使用約2焦耳的衝擊能，並且其中係施加數次衝擊而非該第二機械脈衝，每次使用約1焦耳的衝擊能。
【0019】
在另一較佳實施態樣中，借助於一本體（body）從所述反應器卸載至少一對多晶矽棒，所述本體具有一外壁和一內壁且完全包圍所述多晶矽棒對，其中借助於一升降設備（crane）、一電纜絞車（cable winch）或一抓具（grab）移去所述本體以及其所包圍的多晶矽棒對，其中所述多晶矽棒的電極末端與所述內壁不接觸；所述本體可具有一開口，所述至少一對多晶矽棒在從所述反應器移去後穿過所述開口從所述本體突出或伸出，以使得所述多晶矽棒對的各個多晶矽棒從所述本體的開口突出不超過其長度500毫米，然後其中從所述至少兩個多晶矽棒的電極末端除掉所述石墨殘餘物。
【0020】
在另一較佳實施態樣中，在從所述多晶矽棒的電極末端除掉所述石墨殘餘物期間，所述多晶矽棒係至少部分地被一塑膠袋覆蓋；所述多晶矽棒的每個可被塑膠袋覆蓋至距所述多晶矽棒的電極末端至少5毫米的距離處。
無。
無。
 【0021】
沉積係如現有技術的描述中所闡明般實施。棒對可以借助於升降設備（crane）、抓具（grab）等卸載。
【0022】
將矽棒粉碎成棒片或塊體。
【0023】
在粉碎得到棒片的過程中，在從棒的電極末端除掉石墨殘餘物後，可以從棒的一端或兩端移去一個或多個棒片。
【0024】
將矽棒粉碎成塊體是特別佳的。
【0025】
矽棒較佳係借助於顎式破碎機或輥式破碎機粉碎成塊體。此操作之前係視需要借助於適合的衝擊工具（impact tool）進行預粉碎。
【0026】
石墨殘餘物較佳係借助於衝擊工具、更佳用錘子敲掉。衝擊工具的衝擊面如錘頭係包括一低污染性燒結（cemented）碳化物或一低磨損性（low-abrasion）陶瓷，諸如碳化鎢、碳化鈦、碳化鉻、碳化鉬、碳化釩、碳化鎳或碳化矽。
【0027】
在至少一個機械脈衝中所消耗的衝擊能（impact energy）係較佳不大於20焦耳（J），更佳不大於10焦耳。衝擊能較佳係借助於適合的壓力感測器（preseure sensor）測定。也可以從衝擊工具的速度和質量計算衝擊能，衝擊工具的最終速度係例如借助於照相機測定。
【0028】
敲掉石墨殘餘物後，矽棒較佳具有總計少於250 pptw之Fe、Cr、Ni、W、Ti和Co表面污染物。
【0029】
根據ASTM F 1724-96藉由利用溶解浸出矽表面的化學物、接著借助於ICPMS（inductively coupled plasma mass spectrometry，電感耦合電漿質譜）分析浸出液來測定表面金屬。
【0030】
較佳地，機械脈衝是在距矽棒的電極末端不超過50毫米的距離處施加。尤佳不超過20毫米的距離，特別佳不超過10毫米的距離。所述距離應該為至少5毫米。
【0031】
較佳在一潔淨室中敲掉石墨殘餘物。
【0032】
在敲掉石墨殘餘物的過程期間，用塑膠袋覆蓋殘餘棒（如果機械脈衝是在小於50毫米的距離處施加，那麼在距電極末端的距離大於50毫米處）。在此配置中，關於棒污染物實現了特別優良的結果。矽棒的表面金屬Fe、Cr和Ni污染物較佳總計不超過30 pptw，更佳不超過10 pptw。
【0033】
較佳地，借助於兩個機械脈衝敲掉石墨殘餘物。
【0034】
在第一機械脈衝中所消耗的衝擊能較佳不超過20焦耳，並且所述衝擊是在距矽棒電極末端不超過30毫米的距離處施加。
【0035】
在第二機械脈衝中所消耗的衝擊能較佳不超過10焦耳，並且所述衝擊是在距矽棒電極末端不超過30毫米的距離處施加。
【0036】
或者，可施加數次衝擊而非第一機械脈衝，各自用約2焦耳的衝擊能。
【0037】
或者，可施加數次衝擊而非第二機械脈衝，各自用約1焦耳的衝擊能。
【0038】
較佳地，使敲掉石墨殘餘物與後續方法步驟（尤其將棒粉碎成塊體）在空間上分離。空間分離也可以藉由例如借助於適合的壁元件或幕簾（curtain）隔離敲掉石墨殘餘物所處的工作臺（workbench）來進行。
【0039】
較佳地，敲掉石墨殘餘物的機械脈衝係各自以相對於棒軸小於45°的角度施加，其中棒軸被水平佈置。已發現此操作可以更受控地伴隨低污染物移去石墨殘餘物。對於操作人員而言，在棒以指定方式斷裂時，其另外意謂著安全性增加。
【0040】
更佳地，棒依靠在一適合的支架（rest）上，其中支撐點距棒的電極末端小於500毫米、更佳小於300毫米、最佳小於100毫米的距離。
【0041】
較佳地，在至少一個矽棒對在一卸載輔件（deinstallation aid）中時敲掉石墨殘餘物。卸載輔件包括一作為外壁和內壁並完全包圍棒對的本體（body），其中借助於升降設備、電纜絞車（cable winch）或抓具從反應器移去該本體以及其所包圍的棒對。
【0042】
所述本體的尺寸較佳使得其長度至少對應於豎立的棒對的高度。其寬度較佳至少為U形對的矽棒的寬度（矽橋+棒直徑）。其寬度較佳為至少200毫米，更佳為至少300毫米。
【0043】
所述本體較佳具有一由鋼製成的內壁。本體的內壁可以用一聚合物塗布。本體較佳由鋼組成，即具有一鋼套（steel jacket）。提供具有未經塗布的內部鋼壁的本體的設計是特別佳的，其中在卸載期間矽棒對係用塑膠袋覆蓋。作為未塗布的鋼壁與塑膠袋的組合的替代，由低污染性的燒結碳化物或低磨損性陶瓷（例如碳化鎢、碳化鈦、碳化鉻、碳化釩和碳化鎳、碳化矽）構成的本體的實施態樣也是尤佳的。
【0044】
使用包含一內部鋼壁的本體也是較佳的，其中所述本體的內壁部分或完全地用一低污染性燒結碳化物或用一低磨損性陶瓷塗布。
【0045】
本體由一可撓但穩定的塑膠組成是同樣較佳的。此處可能的塑膠為由芳族聚醯胺（芳族聚醯胺纖維（aramid fiber））或聚酯（諸如聚碳酸酯和聚對苯二甲酸乙二醇酯（polyethylene terephthalate））組成的纖維複合塑膠（fiber composite plastic）。同等可能的是由碳或碳組分或玻璃纖維增強塑膠（glass fiber-reinforced plastic，GRP）組成的材料。
【0046】
矽棒對自身可以借助於升降裝置、電纜絞車或類似系統的輔助件而抬升。
【0047】
各本體較佳包含可手動閉合的翼片（flap）或借助於在本體的一個或多個開口中的機械或電學機構而可閉合的翼片。棒從反應器提升出後，可以在棒對仍在所述本體內時敲掉石墨殘餘物。出於此目的，例如借助於抓具將棒對從卸載輔件提升出，以使各棒底從卸載輔件的開口突出小於500毫米，更佳小於300毫米，並且最佳小於100毫米。在此配置中，接下來從棒敲掉石墨殘餘物，至少未從卸載輔件突出來的棒的部分係用塑膠袋覆蓋。
【0048】
此操作較佳確保塑膠袋與石墨殘餘物之間不接觸。因此，塑膠袋的盡頭較佳在距石墨殘餘物至少5毫米的距離處。由此就可以避免塑膠袋被石墨殘餘物污染。
【0049】
使用一可以移動到卸載輔件的手推車（cart）為較佳的。手推車較佳經配置以使得其可以位於棒的電極末端下方，而棒仍然在卸載輔件內。手推車較佳襯有一低污染性材料，諸如矽或塑膠。手推車較佳包含一用於被敲掉的材料的收集盒。手推車最佳在矽棒的電極末端下方包含一分離板（例如網格（grid）或篩子（sieve））。借助於分離板收集較大的團塊（lump），而較小的團塊穿過分離板落下並到達收集盒中。此操作使得能夠將較大團塊相對於所存在的石墨殘餘物進行肉眼分類。
【0050】
較佳地，從反應器卸載多晶矽棒後並且在將所卸載的多晶矽棒粉碎成塊體前，根據至少一個特徵將棒狀的多晶矽分成至少兩個品質類別，其中該等至少兩個品質類別被送至分開的進一步的加工步驟。
【0051】
因此，本發明設想將所卸載的矽棒分成至少兩個品質類別。此分類在將棒粉碎成塊體之前進行。其後較佳為對石墨電極的敲掉操作。然而，在將棒粉碎成塊體後進行分類也是較佳的。
【0052】
分類特徵可以是「表面或體積的污染物」的特徵。
【0053】
在本發明的情形下，可以借助於棒或塊體的金屬、非金屬或組合物的表面污染，棒或塊體的金屬、非金屬或組合物的體積污染和棒或塊體的碎屑（例如矽屑）的表面污染或這些特徵的組合來進行分類。
【0054】
分類特徵可以是肉眼可察覺的特徵（visually perceptible feature）。
【0055】
針對棒上石墨殘餘物是否存在進行分類是較佳的。具有石墨殘餘物的棒係較佳輸送至與無石墨殘餘物的棒不同的輸送單元中以進行進一步加工。此操作降低夾帶石墨殘餘物的風險。
【0056】
在將棒粉碎成塊體後進行分類也是較佳的。借助於「距棒的電極末端的距離」的特徵進行分類是尤佳的。將塊體分成至少兩個可借助於所述特徵進行區分的部分是特別佳的。在實踐中，這可以藉由從一個棒製造至少兩個棒片來完成，其中一個棒片具有「距電極的距離＜ 1000毫米」的特徵，而另一個棒片具有「距電極的距離＞ 1000毫米」的特徵。將兩個棒片分別粉碎，因此分別產生的塊體係同樣借助於此特徵分類。至少兩個棒片和從這些棒片製造的塊體的至少兩個部分可以具有不同外來物質的污染。其可以送至不同的進一步的加工步驟。
【0057】
比較實施例
【0058】
在比較實施例中，實施EP 2 479 142 A1中所描述的方法。從棒的電極末端鋸掉70毫米。基於整個棒對，發現產率為約80%。鋸開表面的Fe、Cr、Ni、W和Co污染物總計1.3 ppm。在將棒粉碎成塊體之前，需要清潔棒表面。
【0059】
實施例
【0060】
在實施例中，借助於根據本發明的方法敲掉石墨殘餘物。在各情況下，用錘子產生機械脈衝，其中變化所消耗的衝擊能（10焦耳、5焦耳、3焦耳、2焦耳、1焦耳），並且在各情況下距棒的電極末端的距離為50毫米。
【0061】
表面的Fe、Cr、Ni、W和Co污染較比較實施例中低得多。產率提高。無需棒的清潔。
【0062】
表1示出其結果的概述。
【0063】
表1
<TABLE style="WIDTH: 556px; HEIGHT: 276px" border="1" borderColor="#000000" width="556"><TBODY><TR><TD><br/><br/></TD><TD>產率<br/></TD><TD>表面上的污染<br/></TD><TD>粉碎時石墨的存在<br/></TD><TD>是否需要清潔？<br/></TD></TR><TR><TD>比較實施例<br/></TD><TD>&lt;85%<br/></TD><TD>1.3 ppm<br/></TD><TD>低<br/></TD><TD>是<br/></TD></TR><TR><TD>10焦耳機械脈衝<br/></TD><TD>&gt;85%<br/></TD><TD>200 pptw<br/></TD><TD>低<br/></TD><TD>可任選進行<br/></TD></TR><TR><TD>5焦耳機械脈衝<br/></TD><TD>&gt;90%<br/></TD><TD>105 pptw<br/></TD><TD>低<br/></TD><TD>否<br/></TD></TR><TR><TD>3焦耳機械脈衝<br/></TD><TD>&gt;95%<br/></TD><TD>81 pptw<br/></TD><TD>低；<br/>用分離板時：極低<br/></TD><TD>否<br/></TD></TR><TR><TD>2焦耳機械脈衝<br/></TD><TD>&gt;98%<br/></TD><TD>56 pptw<br/></TD><TD>極低；<br/>用分離板時：0<br/></TD><TD>否<br/></TD></TR><TR><TD>1焦耳機械脈衝<br/></TD><TD>&gt;99%<br/></TD><TD>20 pptw<br/></TD><TD>0<br/></TD><TD>否<br/></TD></TR></TBODY></TABLE>
無。

Claims (10)

  1. 【第1項】
    一種製造多晶矽的方法，其包括：
    　　a) 借助於CVD，在至少一U形支撐體（U-shaped support body）上沉積多晶矽，所述U形支撐體係藉由直接通電加熱至一使多晶矽在所述支撐體上沉積的溫度，導致形成至少一U形對的多晶矽棒，所述支撐體的各個自由末端（free end）係連接於一石墨電極，並以此方式供應電力；
    　　b) 從反應器卸載至少一對多晶矽棒；
    　　c) 從所述至少一對多晶矽棒的至少兩個多晶矽棒的電極末端除掉石墨殘餘物；
    　　d) 粉碎所述至少兩個多晶矽棒，得到棒片或得到塊體（chunk）；
    其中，係借助於至少一機械脈衝（mechanical impulse），從所述至少兩個多晶矽棒的每個的電極末端敲掉所述石墨殘餘物。
  2. 【第2項】
    如請求項1所述的方法，其中在所述至少一機械脈衝中所消耗的衝擊能（impact energy）係不超過20焦耳（J）。
  3. 【第3項】
    如請求項1或2所述的方法，其中所述至少一機械脈衝是在距所述多晶矽棒的電極末端的每個皆不超過50毫米（mm）的距離處施加的。
  4. 【第4項】
    如請求項1或2所述的方法，其中係借助於二機械脈衝敲掉石墨殘餘物，其中在第一機械脈衝中所消耗的衝擊能係不超過20焦耳且是在距所述多晶矽棒的電極末端的每個皆不超過30毫米的距離處施加，以及其中在第二機械脈衝中所消耗的衝擊能係不超過10焦耳且是在距所述多晶矽棒的電極末端的每個皆不超過30毫米的距離處施加。
  5. 【第5項】
    如請求項4所述的方法，其中係施加數次衝擊而非該第一機械脈衝，每次使用約2焦耳的衝擊能，並且其中係施加數次衝擊而非該第二機械脈衝，每次使用約1焦耳的衝擊能。
  6. 【第6項】
    如請求項1或2所述的方法，其中用於敲掉石墨殘餘物的機械脈衝係各自以相對於多晶矽棒的棒軸小於45°的角度施加，所述棒軸是水平佈置的。
  7. 【第7項】
    如請求項1或2所述的方法，其中借助於一本體（body）從所述反應器卸載至少一對多晶矽棒，所述本體具有一外壁和一內壁且完全包圍所述多晶矽棒對，其中借助於一升降設備（crane）、一電纜絞車（cable winch）或一抓具（grab）移去所述本體以及其所包圍的多晶矽棒對，其中所述多晶矽棒的電極末端與所述內壁不接觸。
  8. 【第8項】
    如請求項7所述的方法，其中所述本體具有一開口，所述至少一對多晶矽棒在從所述反應器移去後穿過所述開口從所述本體突出或伸出，以使得所述多晶矽棒對的各個多晶矽棒從所述本體的開口突出不超過其長度500毫米，然後其中從所述至少兩個多晶矽棒的電極末端除掉所述石墨殘餘物。
  9. 【第9項】
    如請求項1或2所述的方法，其中在從所述多晶矽棒的電極末端除掉所述石墨殘餘物期間，所述多晶矽棒係至少部分地被一塑膠袋覆蓋。
  10. 【第10項】
    如請求項9所述的方法，其中所述多晶矽棒的每個係被塑膠袋覆蓋至距所述多晶矽棒的電極末端至少5毫米的距離處。
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