SA516371537B1 - طريقة لإنتاج سيليكون عديد البلورات - Google Patents
طريقة لإنتاج سيليكون عديد البلورات Download PDFInfo
- Publication number
- SA516371537B1 SA516371537B1 SA516371537A SA516371537A SA516371537B1 SA 516371537 B1 SA516371537 B1 SA 516371537B1 SA 516371537 A SA516371537 A SA 516371537A SA 516371537 A SA516371537 A SA 516371537A SA 516371537 B1 SA516371537 B1 SA 516371537B1
- Authority
- SA
- Saudi Arabia
- Prior art keywords
- polycrystalline silicon
- silicon rods
- rods
- pair
- electrode
- Prior art date
Links
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 62
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 27
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 12
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 12
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 3
- 241000196324 Embryophyta Species 0.000 claims 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 239000010439 graphite Substances 0.000 abstract description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 19
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 17
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 8
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 8
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 5
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 210000003899 penis Anatomy 0.000 description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 4
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 4
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- INZDTEICWPZYJM-UHFFFAOYSA-N 1-(chloromethyl)-4-[4-(chloromethyl)phenyl]benzene Chemical compound C1=CC(CCl)=CC=C1C1=CC=C(CCl)C=C1 INZDTEICWPZYJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N tungsten carbide Chemical compound [W+]#[C-] UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 2
- UFGZSIPAQKLCGR-UHFFFAOYSA-N chromium carbide Chemical compound [Cr]#C[Cr]C#[Cr] UFGZSIPAQKLCGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 238000001095 inductively coupled plasma mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910003470 tongbaite Inorganic materials 0.000 description 2
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QIJNJJZPYXGIQM-UHFFFAOYSA-N 1lambda4,2lambda4-dimolybdacyclopropa-1,2,3-triene Chemical compound [Mo]=C=[Mo] QIJNJJZPYXGIQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010014405 Electrocution Diseases 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910039444 MoC Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 241000251131 Sphyrna Species 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229920006231 aramid fiber Polymers 0.000 description 1
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 1
- 230000033558 biomineral tissue development Effects 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical class 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N copper nickel Chemical compound [Ni].[Cu] YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 229920002457 flexible plastic Polymers 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 235000021190 leftovers Nutrition 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L terephthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=C(C([O-])=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/021—Preparation
- C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
- C01B33/035—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds in the presence of heated filaments of silicon, carbon or a refractory metal, e.g. tantalum or tungsten, or in the presence of heated silicon rods on which the formed silicon is deposited, a silicon rod being obtained, e.g. Siemens process
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/36—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method characterised by the seed, e.g. its crystallographic orientation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Disintegrating Or Milling (AREA)
Abstract
يوفر الاختراع عملية لإنتاج سيليكون عديد البلوراتpolycrystalline silicon ، تشتمل على: أ) ترسيب سيليكون عديد البلورات من خلال ترسيب كيميائي لبخار (CVD) على جسم ارتكاز في شكل حرف U يتم تسخينه عن طريق مرور مستمر لتيار إلى درجة حرارة يتم عندها ترسيب السيليكون عديد البلورات على جسم الارتكاز، مما ينتج عنه تكوين زوج في شكل حرف U من قضبان السيليكون عديد البلورات، يجري توصيل كل طرف حر من أجسام الارتكاز بقطب كهربائي جرافيتي graphite وإمداده بالطاقة الكهربائية بهذه الطريقة؛ ب) إزالة تثبيت زوج من قضبان السيليكون عديد البلورات من المفاعل؛ ج) إزالة بقايا الجرافيت من أطراف الأقطاب الكهربائية لاثنين من قضبان السيليكون عديد البلورات من زوج من قضبان السيليكون عديد البلورات؛ د) سحق اثنين من قضبان السيليكون عديد البلورات لتعطي قطع قضبان أو تعطي شذرات؛ والتي تشتمل على إسقاط بقايا الجرافيت من على أطراف الأقطاب الكهربائية لكلٍ من الاثنين من قضبان السيليكون عديد البلورات عن طريق دَفْعَة ميكانيكية mechanical impulse.
Description
— \ — طريقة لإنتاج سيليكون عديد البلورات Method for producing polycrystalline silicon الوصف الكامل
خلفية الاختراع
يوفر الاختراع عملية لإنتاج سيليكون عديد البلورات.
يعمل السيليكون عديد البلورات Polycrystalline silicon (للاختصار بولي سيليكون
(polysilicon كمادة أولية في إنتاج سيليكون أحادي البلورات monocrystalline silicon عن
© طريق جذب البوتقات (عملية Czochralski أو (CZ أو عن طريق انصهار نطاق (عملية نطاق
عائم أو (FZ يتم تقسيم السيليكون أحادي البلورات إلى رقائق wafers وبعد العديد من عمليات
المعالجة الميكانيكية؛ الكيميائية والكيميائية ميكانيكية؛ يُستخدم في صناعة اشباه الموصلات
.(chips لتصنيع المكونات الإلكترونية (الرقاقات semiconductor
أكثر تحديداً؛ مع ذلك؛ فإن السيليكون عديد البلورات مطلوب بدرجة متزايدة لإنتاج السيليكون ٠ أحادي البلورات - أو عديد البلورات عن طريق عمليات الجذب أو السباكة؛ يفيد السيليكون أحادي
البلووات - أو عديد البلورات في صناعة الخلايا الشمسية solar cells للطاقة الكهروضوئية
.photovoltaics
يتم عادة إنتاج السيليكون عديد البلورات عن طريق عملية سيمنز (Siemens) في هذه العملية؛
في مفاعل في شكل ناقوس a bell jar—-shaped (مفاعل سيمنز")؛ يتم تسخين قضبان سلكية ٠ رفيعة (قضبان (Hag) من السيليكون إلى درجات حرارة سطحية ١7٠0-00 درجة مئوية عن
طريق مرور مباشر لتيار وغاز تفاعل يشتمل على مكون يحتوي على (lin خصوصاًء؛ يتم
إدخال هالوسيلان halosilane ؛ وهيدروجين 1770109861١ من خلال فواني nozzles حقن. أثناء
ذلك؛ تتحلل مركبات الهالوسيلان على سطح القضبان الرفيعة. يعمل ذلك على ترسيب سيليكون
_ اذ
تم تثبيت قضبان السيليكون في المفاعل عن طريق أقطاب كهربائية مخصوصة تتكون عموماً من
جرافيت كهربائي electrographite عالي النقاء. يتم توصيل كل اثنين من القضبان الرفيعة
المتصلة بفولتية بقطبية مختلفة بمثبتات الأقطاب الكهربائية عن طريق جسر عند الأطراف الأخرى
للقضبان الرفيعة لتكوين دائرة مغلقة. من خلال الأقطاب الكهربائية ومثبتتات الأقطاب الكهربائية
© لهاء يتم dad طاقة كهربائية لتسخين القضبان الرفيعة.
أثناء الترسيب؛ ينمو القطر للقضبان الرفيعة. في نفس الوقت؛ ينمو القطب الكهربائي بدا من
طرفه إلى قاعدة القضيب من قضبان السيليكون.
المادة الرئيسية المستخدمة للأقطاب كهربائية من الجرافيت graphite حيث أن الجرافيت متوافر
بأقصى درجات النقاء ويعتبر مادة خاملة تحت ظروف الترسيب. علاوة على ذلك»؛ يتميز الجرافيت ٠ - بمقاومية كهربائية محددة منخفضة إلى حد بعيد.
بعد الوصول إلى القطر المستهدف المرغوب لقضبان السليكون؛ يتم الانتهاء من عملية الترسيب؛
ويتم تبريد قضبان السيليكون النامية وازالة تثبيتها.
بعد ذلك يتم Tale تقطيع أزوا z من القصبان في شكل حرف 8 من البولي سيليكون المتحصل إلى
أطوال عند أطراف القطب الكهربائي والجسر ويتم سحقها إلى شذرات 05100165. يتم تنفيذ السحق Vo عن طريق كسارات؛ على سبيل المثال بكسارة فكية crusher يتم وصف مثل تلك Hl على
سبيل JB في طلب البراءة الأوروبية FFA TAY YT يتم هذا اختيارياً بسحق مسبق من خلال hammer مطرقة
قديماً؛ يتم Sale إزالة القطب الكهربائي الجرافيتي. تكشف طلب البراءة الأوروبية١ ١ EVA VEY
عن إزالة ٠ مم على الأقل من طرف القطب الكهربائي للقضيب. يؤدي هذا القول إلى تركيزات ٠ منخفضة من مواد غريبة ie الكروم chromium « الحديد Iron ؛ النيكل nickel ؛ النحاس
copper والكوبالت cobalt في داخل شذرات السيليكون المنتجة. يتم تنفيذ الإزالة عن طريق أداة
قطع؛ على سبيل JB من خلال منشار دوار rotary saw مع ذلك؛ يُفقد مقدار كبير من
السيليكون عديد البلورات في هذه العملية.
تخا
_ _ على سيليكون وجرافيت؛ كيميائياً بإستخلاص الجرافيت أو تحويله إلى شكل مسحوق يمكن إزالته بسهولة من البولي سيليكون. يؤدي ذلك إلى قطعة قضيب خالية من الجرافيت يمكن معالجتها فيما بعد. مع ذلك هنالك مخاطرة بتلوث السيليكون عديد البلورات في العملية. Cad عمليات من هذا © القبيل في الوثائق الصينية ب avevas Toy av Tay yyy نت ٠١٠7 وأ . ٠١77 تم إجراء محاولة في الوثيقة الصينية 707709484977 _لمنع نمو القطب الكهربائي بداخل قاعدة القضيب من خلال بنية مناسبة للقطب كهربائي ومثبت القطب الكهربائي. يؤدي هذا القول إلى إنتاجية أعلى للسيليكون عديد البلورات. بالتالي؛ تتمثل المشكلة في الإزالة الكاملة للقطب كهربائي في حين يتم تحقيق أدنى تلوث للسيليكون عديد البلورات. بالإضافة إلى ذلك يجب أن تضمن العملية إنتاجية عالية وانتاج أقصى من السيليكون عديد البلورات. الوصف العام للاختراع يتم تحقيق الهدف من خلال عملية لإنتاج سيليكون عديد البلورات؛ تشتمل على:
Chemical vapor أ) ترسيب سيليكون عديد البلورات من خلال ترسيب كيميائي لبخار ١ على جسم ارتكاز في شكل حرف را يتم تسخينه عن طريق مرور مستثمر (CVD) deposition لتيار إلى درجة حرارة يتم عندها ترسيب السيليكون عديد البلورات على جسم الارتكاز؛ مما ينتج عنه تكوين زوج في شكل حرف لا من قضبان السيليكون عديد البلورات؛ يجري توصيل كل طرف حر من أجسام الارتكاز بقطب كهربائي جرافيتي وإمداده بالطاقة الكهربائية بهذه الطريقة؛ ٠ _ب) AY تثبيت زوج من قضبان السيليكون عديد البلورات من المفاعل؛ ج) إزالة بقايا الجرافيت من أطراف الأقطاب الكهربائية لاثنين من قضبان السيليكون عديد البلورات من زوج من قضبان السيليكون عديد البلورات؛ د) سحق اثنين من قضبان السيليكون عديد البلورات لتعطي قطع قضبان أو تعطي شذرات؛ تخا
El
والتي تشتمل على إسقاط بقايا الجرافيت من على أطراف الأقطاب الكهربائية لكلٍ من الاثنين من
قضبان السيليكون عديد البلورات عن طريق دَفْعَة ميكانيكية mechanical impulse واحدة.
يمكن استنتاج تجسيمات مفضلة للعملية من عناصر الحماية التابعة لها.
يتم تنفيذ الترسيب كما هو مشروح في الوصف للمجال التقني السابق. يمكن إزالة تثبيت أزواج
© القضبان عن طريق ونش «crane كلابة grab أو ما شابه.
يتم سحق قضبان السيليكون إلى قطع قضبان أو شذرات.
الوصف التفصيلي:
في عملية السحق التي تعطي قطع قضبان» بعد إزالة بقايا الجرافيت من أطراف الأقطاب
الكهربائية للقضبان؛ يمكن AY واحد أو أكثر من قطع القضبان من أحد أو من كلا طرفي Ye القضبان.
يُفضل على وجه الخصوص سحق قضبان السيليكون إلى شذرات. يتم على نحو مفضل سحق
قضبان السيليكون إلى شذرات من خلال كسارة فكية jaw crusher أو كسارة بكرات roll
»©0005. يتم ذلك على نحو اختياري بعد عملية سحق مسبق من خلال أدوات تصادم مناسبة.
يتم على نحو مفضل إسقاط بقايا الجرافيت من خلال أداة تصادم؛ أكثر تفضيلاً بمطرقة. يشتمل Vo وجه التصادم لأداة التصادم؛ على سبيل المثال رأس المطرقة؛ على كربيد أسمنتي cemented
carbide منخفض التلوث أو سيراميك منخفض الانسحاج ceramic 351385101-/1017 مثل كربيد
التنجستين tungsten carbide ؛ كربيد تيتانيوم titanium carbide , ؛ كربيد كروم
chromium carbide « كربيد موليبدنوم molybdenum carbide « كربيد فاناديوم
silicon carbide أو كربيد سيليكون nickel carbide كربيد نيكل « vanadium carbide جول. أكثر ٠١ لا تزيد طاقة التصادم المستنفدة في ذَفْعَة ميكانيكية واحدة على نحو مفضل؛ عن ٠
تفضيلاً عن ٠١ جول. يتم على نحو مفضل تحديد طاقة التصادم من خلال حساسات ضغط
مناسبة. Jil يمكن حساب طاقة التصادم من سرعة وكتلة أداة التصادم؛ يجري تحديد السرعة
النهائية لأداة التصادم؛ على سبيل المثال» بواسطة كاميرا.
h —_ _ بعد إسقاط بقايا الجرافيت؛ يكون لدى قضبان السيليكون على نحو مفضل تلوث سطحي بالحديد Fe « كروم Cr « نيكل Ni « تنجستين//ا تيتانيوم Ti وكوبالت Co أقل من YOu جزء في الألف بالوزن في المجمل. يتم تحديد معادن السطح وفقاً للمعيار ASTM F ١774-47 من خلال تصفية كيميائية لسطح © السيليكون عن طريق الإذابة وتحليل تالي لمحلول التصفية بواسطة ICPMS (مطيافية الكتلة لبلازما مقترنة حثياً .(inductively coupled plasma mass spectrometry على نحو Junie يتم بذل A881 الميكانيكية بمسافة 5٠ مم من طرف القطب الكهربائي لقضيب السيليكون. يُفضل بصفة خاصة مسافة ٠١0 مم؛ أكثر تفضيلاً ٠١ مم. ينبغي ألا تقل المسافة عن مم. يتم على نحو مفضل إسقاط بقايا الجرافيت في غرفة نظيفة من الملوثات البيئية. أثناء عملية إسقاط بقايا الجرافيت؛ يتم تغطية القضيب المتبقي بكيس بلاستيك (المسافة من طرف القطب الكهربائي أكبر من ٠٠ مم إذا تم بذل الدَفْعَة الميكانيكية بمسافة أقل من 5٠ مم). بهذا الترتيب؛ يتم تحقيق نتائج جيدة خصوصاً بالنسبة إلى تلوث القضبان. لا تزيد درجة التلوث لقضبان السيليكون بالمعادن السطحية بالحديد؛ الكروم والنيكل عن Vo جزء في الألف بالوزن في المجمل؛ ١ أكثر تفضيلاً ٠١ جزء في الألف بالوزن في المجمل. على نحو مفضل؛ يتم إسقاط بقايا الجرافيت عن طريق إثنان من BE الميكانيكية. لا تزيد طاقة التصادم المستنفدة في الدَفْعَة الميكانيكية الأولى؛ على نحو مفضل؛ عن Yo جول ويتم إجراؤها بمسافة ٠١ مم من طرف القطب الكهربائي لقضيب السيليكون. لا تزيد طاقة التصادم المستنفدة في الدَفْعَة الميكانيكية All على نحو مفضل؛ عن ٠١ جول 9ص SUN als بمسافة Ye مم من طرف القطب الكهربائي لقتضيب السيليكون . على نحو بديل؛ بدلاً من الدَفْعَة الميكانيكية الأولى؛ يمكن إجراء دَفْعَات عديدة؛ JS منها بطاقة تصادم تساوي Y جول. تخا
على نحو Ya (day من الدَفْعَةِ الميكانيكية Aull يمكن إجراء دَفْعَات عديدة؛ JS منها بطاقة
تصادم تساوي ١ جول.
على نحو (Junie يتم إسقاط بقايا الجرافيت بفصل مكاني من خطوات العملية AEN بصفة
خاصة من السحق للقضبان إلى شذرات. يمكن إنجاز ذلك أيضاً عن طريق Jie منضدة العمل
© التي يتم فيها إسقاط بقايا الجرافيت؛ على سبيل المثال» عن طريق عناصر أو ستائر جدارية wall
elements or curtains مناسبة.
على نحو مفضل؛ يتم SS sha) من الدَفْعّات الميكانيكية لإسقاط بقايا الجرافيت بزاوية 44,94
da مع محور القضيب؛ مع محور القضيب المرتب أفقياً. تم اكتشاف أن ذلك يعمل على إتاحة
إزالة يتم التحكم فيها بدرجة كبيرة لبقايا الجرافيت بدرجة تلوث منخفضة. بخصوص طاقم العاملين» ٠ يُعني ذلك؛ على نحو إضافي؛ زيادة الأمان إذا انكسر القضيب بطريقة محددة.
أكثر تفضيلاً ٠ يرقد القكضيب على مسند مناسب»؛ بنقطة ارتكاز بمسافة أقل من 5060 مم؛ أكثر
تفضيلاً أقل من You مم أكثر تفضيلاً للغاية أقل من Yeo مم من طرف القطب الكهربائي
على نحو مفضل؛ يتم إسقاط بقايا الجرافيت بينما يكون زوج قضيب السيليكون الواحد على الأقل V0 في مساعد إزالة التثبيت. يشتمل مساعد إزالة التثبيت على جسم بجدار خارجي وجدار داخلي يحيط
بالكامل بزوج القضبان»؛ حيث يتم إزالة الجسم مع زوج القضبان المُحاط بالجسم من المفاعل عن
طريق ونش؛ ونش بكبل أو كلابة.
تتمثل أبعاد الجسم على نحو مفضل في أن يناظر طوله ارتفاع زوج القضبان القائم على الأقل.
يساوي عرضه؛ على نحو مفضل» عرض زوج في شكل حرف لا من قضبان السيليكون على Yo ا لأقل (جسر السيليكون + قطر القضيب) . عرضه على نحو مفضل يساوي Yoo مم على الأقل 3
أكثر تفضيلاً يساوي Yeo مم على الأقل.
على نحو مفضل للجسم جد ار د اخلي مصنوع من الفولاذ .+ قد يتم طلاء الجدار الداخلي للجسم
ببوليمر polymer يتكون الجسم على نحو مفضل من فولاذ steel أي لديه قميص فولاذ.
z بصفة خاصة التصميم الذي يزود جسم بجدار فولذ داخلي غير مطلي ؛ يجري تغطية أزوا aad)
خخ ني
— A —
قضبان السيليكون بأكياس بلاستيك أثناء إزالة التثبيت. كبديل لجدار الفولاز غير المطلي بالاشتراك
مع كيس بلاستيك؛ يُفضل بصفة خاصة تجسيم للجسم مؤلف من كربيد أسمنتي منخفض التلوث low— أو سيراميك منخفض الانسحاج low—contamination cemented carbide
111801070 كربيد تيتانيوم tungsten carbide, كربيد تنجستين Si) .abrasion ceramic
carbide © ؛ كربيد كروم chromium carbide ؛ كربيد فاناديوم «vanadium carbide كربيد
.(silicon carbide أو كربيد سيليكون nickel carbide نيكل
يُفضل بصفة خاصة أيضاً استخدام جسم يشتمل على جدار NE داخلي؛ يجري طلاء الجدار
الداخلي للجسم ia أو بالكامل بكربيد اسمنتي منخفض التلوث أو بسيراميك منخفض الانسحاج.
بالمثتل» من المفضل أن يحتوي الجسم على بلاستيك مرن بشرط أن يكون ثابتاً. هنا يمكن أن تكون ٠ المواد البلاستيكية مواد بلاستيكية مركبة ليفية fiber composite plastics ؛ مركبة من بولي
أميد آروماتي aromatic polyamide (ألياف آراميد (aramid fibers أو بوليستر polyester
polyethylene وبولي إيثيلين تيريفثالات polycarbonate بولي كربونات Ji
terephthalate على نحو متساوي من الممكن أن تكون المواد مركبة من كربون أو مكونات
glass (GRP) أو مواد بلاستيكية مقواة بالياف زجاجية carbon constituents كربونية fiber-reinforced pla ٠
يمكن رفع أزواج قضبان السيليكون بمساعدة جهاز ونش؛ ونش بكبل أو أنظمة مماثلة.
على نحو مفضل؛ يشتمل كل جسم على قلاب قابل للإغلاق يدوياً أو بأي آلية ميكانيكية أو
كهربائية في واحد أو أكثر من فتحات الجسم. بعد رفع القضبان لخارج المفاعل؛ يمكن إسقاط بقايا
الجرافيت بينما تظل أزواج القضبان بداخل الجسم. لهذا الغرض» يتم رفع أزواج القضبان لخارج A) مساعد إزالة التثبيت 3 على سبيل المثال عن طريق كلابة بحيث تبرز كل قاعدة قضيب لخارج
فتحة مساعد إزالة التثبيت بأقل من cae 5٠٠0 أكثر تفضيلاً أقل من 300 مم وأكثر تفضيلاً للغاية
أقل من ٠٠١ مم. بهذا الترتيب؛ يتم حينذاك إسقاط بقايا الجرافيت من القضبان» مع أجزاء على
JAY) من قضبان غير بارزة لخارج مساعد إزالة التثبيت ومغطاة بكيس بلاستيك.
q —_ _ يضمن ذلك؛ على نحو (dine ألا يوجد اتصال بين الكيس البلاستيك وبقايا الجرافيت. لذلك ينتهي الكيس البلاستيك على نحو مفضل بمسافة © مم على الأقل من بقايا الجرافيت. بالتالي؛ من الممكن تجنب تلوث الكيس البلاستيك ببقايا الجرافيت. يُفضل على وجه الخصوص استخدام عربة يمكن تحريكها إلى مساعد إزالة التثبيت. يتم على نحو © مفضل تنظيم العربة بحيث يمكن وضعها تحت طرف القطب الكهربائي للقضبان؛ بينما تظل القضبان بداخل مساعد إزالة التثبيت. يتم على نحو مفضل تبطين العربة بمادة منخفضة التلوث مثل السيليكون أو البلاستيك. على نحو مفضل تشتمل العربة على صندوق تجميع للمادة الساقطة. على نحو مفضل للغاية؛ تشتمل العربة على لوحة فصل؛ على سبيل المثال شبكة grid أو Jue «sieve تحت طرف القطب الكهربائي لقضبان السيليكون. يتم تجميع الكتل الأكبر بواسطة dag ٠ الفصل؛ بينما تتساقط BS الأصغر من خلال لوحة الفصل وتستقر في صندوق التجميع. يتيح ذلك تصنيف مرئي للكتل الأكبر بالنسبة إلى بقايا الجرافيت الموجودة. على نحو مفضل؛ بعد إزالة تثبيت قضبان السيليكون عديد البلورات من المفاعل؛ وقبل سحق قضبان السيليكون عديد البلورات المزال تثبيتها إلى شذرات؛ يتم تصنيف السيليكون عديد البلورات في شكل قضبان إلى اثنين من رتب الجودة على الأقل على أساس سمة واحدة على الأقل؛ مع Vo إرسال تلك القضبان بالاثنين من رتب الجودة على الأقل إلى خطوات معالجة أخرى منفصلة. بالتالي يتوخى الاختراع القيام بتصنيف قضبان السيليكون المزال تثبيتها إلى اثنين من رتب الجودة على الأقل. يسبق هذا التصنيف سحق القضبان إلى شذرات. على نحو مفضل يتبع عملية الإسقاط على القطب الكهربائي الجرافيتي. مع ذلك؛ فمن المفضل أيضاً القيام بالتصنيف بعد سحق القضبان إلى شذرات. ٠ .قد تكون سمة التصنيف سمة "تلوث السطح أو الحجم”. بهذا السياق؛ من الممكن التصنيف من حيث تلوث سطح القضبان أو الشذرات بالمعادن؛ بمواد غير معدنية أو بتوليفات؛ من حيث تلوث حجم القضبان أو الشذرات بالمعادن؛ بمواد غير معدنية أو بتوليفات؛ ومن حيث تلوث سطح القضبان أو الشذرات بالتراب (مثلاً تراب سيليكوني silicon Sf (dust بتوليفات من هذه السمات. تخا
=« \ _ قد تكون daw التصنيف سمة ملموسة بالمشاهدة. يفضل على وجه الخصوص التصنيف بالنسبة إلى وجود بقايا جرافيت على القضبان. يتم على نحو مفضل تقل القضبان ببقايا الجرافيت لمعالجة أخرى في وحدة نقل مختلفة عن القضبان بدون بقايا جرافيت. يعمل ذلك على تقليل مخاطر السحب بالنسبة إلى بقايا الجرافيت. 5 .من المفضل أيضاً القيام بالتصنيف بعد سحق القضبان إلى شذرات. على نحو مفضل بصفة خاصة التصنيف من ناحية سمة "المسافة من طرف القطب الكهربائي للقضيب". يُفضل بصفة خاصة تصنيف الشذرات إلى اثنين على الأقل من الأجزاء القابلة للتمييز بتلك السمة. من الناحية dled يمكن إنجاز ذلك عن طريق إنتاج قطعتين لقضيب على الأقل من أحد القضبان؛ لأحد تلك القطع من أحد القضبان سمة 'مسافة من قطب ٠٠٠١ < Ale مم" ولقطعة القضيب ٠ الأخرى سمة 'مسافة من قطب كهربائي . > ٠٠٠١ مم". يتم سحق قطعتي القضيب على نحو منفصل؛ وكذلك يتم بالمتل تصنيف الشذرات المنتجة من ناحية هذه السمة. قد تكون قطعتا القضيب على الأقل والجزءان على الأقل من الشذرات المنتجة منها مختلفة من حيث التلوث بمواد غريبة؛ ويمكن إرسالها إلى خطوات معالجة أخرى. OEY 1467 ١أ في المثال المقارن» تم تنفيذ العملية الموصوفة في مستند طلب البراءة الأوربية Vo تم نشر 70 مم من طرف القطب الكهربائي للقضيب. على أساس زوج القضيب الكامل؛ تم النيكل؛ cas SN التلوث للسطح المنشور بالحديد؛ء Mea) كان GLA اكتشاف إنتاج حوالي جزء في المليون. يستلزم ذلك تنظيف سطح القضيب قبل إمكانية ٠,7 التنجستين والكوبالت يساوي سحق القضيب إلى شذرات. Jie ٠
G3 في المثال؛ تم إسقاط بقايا الجرافيت بمساعد العملية وفقاً للاختراع. في كل حالة؛ تم إجراء
Yo جول Y « ميكانيكية بمطرقة؛ مع تراوح طاقة التصادم المستتنفدة ) أ جول :25 جول 7 جول مم في كل حالة. Ou جول) وكانت المسافة من طرف القطب الكهربائي للقضيب تساوي خخ ني
-١١-
التلوث بالحديد؛ الكروم؛ النيكل؛ والتنجستين على السطح أقل كثيراً منها في المثال المقارن؛ زيادة في الإنتاج؛ ولا يستلزم الأمر تنظيف القضبان. يبين جدول ١ ملخص النتائج جدول ١
الناتج | التلوث بالسطح وجود جرافيت في هل التنظيف 3280 ميكانيكية | > 785 | Yoo جزء في الألف بالوزن | منخفض اختياري dad) ميكانيكية | > 790 | Veo جزء في الألف بالوزن | منخفض لا دَفْعَة ميكانيكية | > 795 | AY جزء في الألف بالوزن | منخفض؛ مع لوحة فصل: | لا دَفْعَة ميكانيكية | > 798 | 57 جزء في الألف بالوزن | منخفض fas لا دَفْعَة ميكانيكية | > 744 | Ye جزء في الألف بالوزن | صفر لا o خخ ني
Claims (1)
- yy عناصر الحماية.١ عملية لإنتاج سيليكون عديد البلورات polycrystalline silicon تشتمل على: أ) ترسيب سيليكون عديد البلورات من خلال ترسيب كيميائي لبخار (CVD) على جسم ارتكاز في شكل حرف لا يتم تسخينه عن طريق مرور مستمر لتيار إلى درجة حرارة يتم عندها ترسيب السيليكون عديد البلورات polycrystalline silicon على جسم الارتكاز؛ مما ينتج عنه تكوين 0 زوج في شكل حرف لا من قضبان السيليكون عديد البلورات» يجري توصيل كل طرف حر من أجسام الارتكاز بقطب كهربائي وإمداده بالطاقة الكهربائية بهذه الطريقة؛ ب) إزالة تثبيت زوج من قضبان السيليكون عديد البلورات من المفاعل؛ ج) إزالة بقايا الجرافيت graphite من أطراف الأقطاب الكهربائية لاثنين من قضبان السيليكون عديد البلورات من زوج من قضبان السيليكون عديد البلورات؛ ٠ د) سحق اثنين من قضبان السيليكون عديد البلورات لتعطي قطع قضبان أو تعطي شذرات؛ تتصف كما في ج) بأن يتم إسقاط بقايا الجرافيت من على أطراف الأقطاب الكهربائية لكل من الاثنين من قضبان السيليكون عديد البلورات عن Ale BE Goh بحيث لا تزيد Bla التصادم المستنفدة في 4285 ميكانيكية mechanical impulse عن ٠١ جول. ٠ . العملية كما هي مذكورة في عنصر الحماية ١ ؛ حيث يتم بذل 4280 ميكانيكية بمسافة ٠ 5 مم من JS من أطراف الأقطاب الكهربائية لقضبان السيليكون عديد البلورات. LY العملية كما هي مذكورة في أي من عناصر الحماية ١ أو 7؛ حيث يتم إسقاط بقايا الجرافيت عن طريق اثنين من lA الميكانيكية؛. بحيث أن طاقة التصادم المستنفدة في A الميكانيكية ٠ الأولى Ye جول ويتم إجراؤها بمسافة Vo مم من JS من أطراف الأقطاب الكهربائية لقضبان السيليكون عديد البلورات؛ وبحيث أن طاقة التصادم المستنفدة في AAA الميكانيكية الثانية ٠١ جول ويتم إجراؤها بمسافة To مم من كلٍ من أطراف الأقطاب الكهربائية لقضبان السيليكون عديد البلورات. تخا— \ _؛. العملية كما هي مذكورة في أي من عناصر الحماية ١ إلى oF حيث يتم إجراء SUS من CREA الميكانيكية لإسقاط بقايا الجرافيت graphite بزاوية £4,499 درجة مع محور القضيب لقضبان السيليكون عديد البلورات؛ مع محور القضيب المرتب أفقياً. 0 ©*. العملية كما هي مذكورة في أي من عناصر الحماية ١ إلى ؛؛ حيث يتم AY تثبيت زوج من قضبان السيليكون عديد البلورات polycrystalline silicon من المفاعل عن طريق جسم له جدار خارجي وجدار داخلي ويحيط بالكامل بزوج قضبان السيليكون عديد البلورات» حيث يتم إزالة الجسم مع زوج قضبان السيليكون عديد البلورات المُحاط بالجسم عن طريق ونش crane ونش بكبل أو ARIS بحيث لا تتصل أطراف الأقطاب الكهربائية لقضبان السيليكون عديد البلورات مع ٠ الجدار الداخلي. . العملية كما هي مذكورة في عنصر الحماية 0 حيث يكون للجسم فتحة يبرز من خلالها الزوج من قضبان السيليكون عديد البلورات oe أو يتم رفعه لخارج؛ الجسم بعد الإزالة من المفاعل؛ بحيث يبرز كل قضيب سيليكون عديد البلورات لزوج قضيب السيليكون عديد البلورات لخارج فتحة 0 الجسم وبمقدار 00٠0 مم من طوله؛ حيث يتم A) بقايا الجرافيت graphite من أطراف الأقطاب الكهربائية للاثنين من قضبان السيليكون عديد البلورات. LY العملية كما هي مذكورة في أي من عناصر الحماية ١ إلى 1 حيث يتم تغطية قضبان السيليكون عديد البلورات Wis بكيس بلاستيك أثناء إزالة بقايا الجرافيت من طرفي القطب ٠ الكهربائي لأعمدة السيليكون عديد البلورات. LA العملية كما هي مذكورة في عنصر الحماية oF حيث يتم تغطية IS من قضبان السيليكون عديد البلورات بكيس بلاستيك وحتى مسافة © مم من طرفي القطب الكهربائي لأعمدة السيليكون عديد البلورات. تخامدة سريان هذه البراءة عشرون سنة من تاريخ إيداع الطلب وذلك بشرط تسديد المقابل المالي السنوي للبراءة وعدم بطلانها أو سقوطها لمخالفتها لأي من أحكام نظام براءات الاختراع والتصميمات التخطيطية للدارات المتكاملة والأصناف النباتية والنماذج الصناعية أو لائحته التنفيذية صادرة عن مدينة الملك عبدالعزيز للعلوم والتقنية ؛ مكتب البراءات السعودي ص ب TAT الرياض 57؟؟١١ ¢ المملكة العربية السعودية بريد الكتروني: patents @kacst.edu.sa
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102014201096.9A DE102014201096A1 (de) | 2014-01-22 | 2014-01-22 | Verfahren zur Herstellung von polykristallinem Silicium |
| PCT/EP2015/050769 WO2015110358A1 (de) | 2014-01-22 | 2015-01-16 | Verfahren zur herstellung von polykristallinem silicium |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SA516371537B1 true SA516371537B1 (ar) | 2018-10-31 |
Family
ID=52350128
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SA516371537A SA516371537B1 (ar) | 2014-01-22 | 2016-07-22 | طريقة لإنتاج سيليكون عديد البلورات |
Country Status (12)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10077192B2 (ar) |
| EP (1) | EP3097053B1 (ar) |
| JP (1) | JP6411524B2 (ar) |
| KR (2) | KR20160102058A (ar) |
| CN (1) | CN106163986B (ar) |
| CA (1) | CA2935316C (ar) |
| DE (1) | DE102014201096A1 (ar) |
| ES (1) | ES2656109T3 (ar) |
| MY (1) | MY189069A (ar) |
| SA (1) | SA516371537B1 (ar) |
| TW (1) | TWI586509B (ar) |
| WO (1) | WO2015110358A1 (ar) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102014222883A1 (de) * | 2014-11-10 | 2016-05-12 | Wacker Chemie Ag | Polykristallines Siliciumstabpaar und Verfahren zur Herstellung von polykristallinem Silicium |
| KR102361373B1 (ko) * | 2017-03-08 | 2022-02-10 | 가부시키가이샤 도쿠야마 | 다결정 실리콘 가공품의 제조방법 |
| JP7047688B2 (ja) * | 2018-09-19 | 2022-04-05 | 三菱マテリアル株式会社 | 多結晶シリコンロッドの製造方法 |
| EP4021849B1 (de) * | 2019-08-29 | 2024-01-03 | Wacker Chemie AG | Verfahren zur herstellung von siliciumbruchstücken |
Family Cites Families (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR850001945B1 (ko) * | 1980-07-28 | 1985-12-31 | 몬산토 캄파니 | 반도체용 고순도 실리콘 본체 제조방법 |
| JPS6077115A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-05-01 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 高純度シリコンの製造方法およびその装置 |
| KR940007093B1 (ko) * | 1988-02-18 | 1994-08-05 | 어드밴스드 실리콘 머티리얼스, 인코포레이션 | 실리콘막대로부터 소정 크기의 입자를 형성하는 방법 |
| JPH01242762A (ja) | 1988-03-23 | 1989-09-27 | O C C:Kk | 強靭な構造用金属材料の製造法 |
| US6033974A (en) * | 1997-05-12 | 2000-03-07 | Silicon Genesis Corporation | Method for controlled cleaving process |
| DE19847098A1 (de) | 1998-10-13 | 2000-04-20 | Wacker Chemie Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Bearbeitung von Halbleitermaterial |
| DE10101040A1 (de) * | 2001-01-11 | 2002-07-25 | Wacker Chemie Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines polykristallinen Siliciumstabes |
| US8021483B2 (en) | 2002-02-20 | 2011-09-20 | Hemlock Semiconductor Corporation | Flowable chips and methods for the preparation and use of same, and apparatus for use in the methods |
| DE102006037020A1 (de) | 2006-08-08 | 2008-02-14 | Wacker Chemie Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von hochreinem polykristallinem Silicium mit reduziertem Dotierstoffgehalt |
| JP5339945B2 (ja) * | 2009-02-04 | 2013-11-13 | 株式会社トクヤマ | 多結晶シリコンの製法 |
| WO2010098319A1 (ja) | 2009-02-27 | 2010-09-02 | 株式会社トクヤマ | 多結晶シリコンロッド及びその製造装置 |
| JP5431074B2 (ja) * | 2009-09-02 | 2014-03-05 | 東洋炭素株式会社 | シード保持部材及びそのシード保持部材を用いた多結晶シリコン製造方法 |
| JP5751748B2 (ja) * | 2009-09-16 | 2015-07-22 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコン塊群および多結晶シリコン塊群の製造方法 |
| TW201131008A (en) | 2009-10-09 | 2011-09-16 | Hemlock Semiconductor Corp | Manufacturing apparatus for depositing a material and an electrode for use therein |
| CN101691222B (zh) | 2009-10-19 | 2011-04-13 | 隋聚勇 | 多晶硅碳头料的硅碳分离方法 |
| DE102010003069A1 (de) * | 2010-03-19 | 2011-09-22 | Wacker Chemie Ag | Kegelförmige Graphitelektrode mit hochgezogenem Rand |
| DE102010003064A1 (de) | 2010-03-19 | 2011-09-22 | Wacker Chemie Ag | Graphitelektrode |
| CN103080387A (zh) | 2010-06-16 | 2013-05-01 | 山特森西特股份有限公司 | 用于制造多晶硅锭的工艺和设备 |
| DE102010024010B4 (de) | 2010-06-16 | 2012-03-22 | Centrotherm Sitec Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von polykristallinen Siliziumblöcken |
| CN101974784A (zh) | 2010-09-03 | 2011-02-16 | 浙江开化同力电子科技有限公司 | 一种碳头多晶料的清洗方法 |
| CN102121106A (zh) | 2010-11-26 | 2011-07-13 | 亚洲硅业（青海）有限公司 | 一种多晶硅碳头料分离腐蚀液及分离方法 |
| US8906453B2 (en) * | 2011-03-18 | 2014-12-09 | MEMC Electronics Materials, S.p.A. | Tool for harvesting polycrystalline silicon-coated rods from a chemical vapor deposition reactor |
| CN102211773A (zh) | 2011-05-11 | 2011-10-12 | 浙江明峰电子科技有限公司 | 一种碳头多晶的分离方法 |
| JP5689382B2 (ja) | 2011-07-25 | 2015-03-25 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコンロッドの破砕方法 |
| CN202358922U (zh) | 2011-11-09 | 2012-08-01 | 马德义 | 两瓣式石墨卡瓣结构的方硅芯夹持装置 |
| CN103145130A (zh) * | 2011-12-07 | 2013-06-12 | 刘雅铭 | 一种增加多晶硅还原炉里硅芯根数的方法及装置 |
| DE102011089449A1 (de) | 2011-12-21 | 2013-06-27 | Wacker Chemie Ag | Polykristalliner Siliciumstab und Verfahren zur Herstellung von Polysilicium |
| JP5696063B2 (ja) | 2012-02-02 | 2015-04-08 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコン棒搬出冶具および多結晶シリコン棒の刈取方法 |
-
2014
- 2014-01-22 DE DE102014201096.9A patent/DE102014201096A1/de not_active Withdrawn
-
2015
- 2015-01-16 MY MYPI2016001306A patent/MY189069A/en unknown
- 2015-01-16 US US15/113,332 patent/US10077192B2/en active Active
- 2015-01-16 KR KR1020167020145A patent/KR20160102058A/ko active Application Filing
- 2015-01-16 KR KR1020197002821A patent/KR102090983B1/ko active IP Right Grant
- 2015-01-16 CN CN201580005684.7A patent/CN106163986B/zh active Active
- 2015-01-16 CA CA2935316A patent/CA2935316C/en not_active Expired - Fee Related
- 2015-01-16 JP JP2016547863A patent/JP6411524B2/ja active Active
- 2015-01-16 WO PCT/EP2015/050769 patent/WO2015110358A1/de active Application Filing
- 2015-01-16 EP EP15700394.8A patent/EP3097053B1/de active Active
- 2015-01-16 ES ES15700394.8T patent/ES2656109T3/es active Active
- 2015-01-22 TW TW104102043A patent/TWI586509B/zh active
-
2016
- 2016-07-22 SA SA516371537A patent/SA516371537B1/ar unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| ES2656109T3 (es) | 2018-02-23 |
| US20170001868A1 (en) | 2017-01-05 |
| CN106163986B (zh) | 2019-05-14 |
| EP3097053B1 (de) | 2017-12-06 |
| WO2015110358A1 (de) | 2015-07-30 |
| KR20190011841A (ko) | 2019-02-07 |
| EP3097053A1 (de) | 2016-11-30 |
| TW201529268A (zh) | 2015-08-01 |
| KR102090983B1 (ko) | 2020-03-20 |
| KR20160102058A (ko) | 2016-08-26 |
| DE102014201096A1 (de) | 2015-07-23 |
| TWI586509B (zh) | 2017-06-11 |
| CN106163986A (zh) | 2016-11-23 |
| JP2017503747A (ja) | 2017-02-02 |
| CA2935316C (en) | 2017-11-28 |
| JP6411524B2 (ja) | 2018-10-24 |
| US10077192B2 (en) | 2018-09-18 |
| CA2935316A1 (en) | 2015-07-30 |
| MY189069A (en) | 2022-01-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Dias et al. | Recycling WEEE: Extraction and concentration of silver from waste crystalline silicon photovoltaic modules | |
| SA516371537B1 (ar) | طريقة لإنتاج سيليكون عديد البلورات | |
| CA2657007C (en) | Method and device for producing classified high-purity polycrystalline silicon fragments | |
| Huang et al. | A metallurgical route to upgrade silicon kerf derived from diamond-wire slicing process | |
| JP6567501B2 (ja) | 多結晶質シリコンの製造方法 | |
| Yu et al. | Si purification by enrichment of primary Si in Al-Si melt | |
| JP4842701B2 (ja) | 炭化珪素とシリコンとの分離方法およびそれに用いる装置 | |
| Chen et al. | Application of pressure-less sintering and dynamic-slag treatment to recover diamond wire saw silicon powder | |
| Fiandra et al. | Photovoltaic waste as source of valuable materials: A new recovery mechanical approach | |
| JP2014140792A (ja) | 多結晶シリコン中の粒状石英ガラスの除去方法 | |
| JP4094599B2 (ja) | 多結晶シリコンおよびその製造方法 | |
| CA2947114C (en) | Polycrystalline silicon rod pair and method for producing polycrystalline silicon | |
| JP6154074B2 (ja) | 多結晶質シリコン断片及び多結晶質シリコンロッドの粉砕方法 | |
| Maronchuk et al. | Purification of metallurgical silicon up to “solar” mark silicon | |
| Ksiazek et al. | Challenges in Transporting the Off-Gases from the Silicon Process | |
| Hendrickx | Cristobalite formation on quartz crucibles inner surface for CZ solar cell ingot production | |
| Wiedenbeck | Smashing Up Stones |