KR850001945B1 - 반도체용 고순도 실리콘 본체 제조방법 - Google Patents

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Abstract

내용 없음.

Description

반도체용 고순도 실리콘 본체 제조방법
본 발명의 새로운 개선점을 이용되는 장치의 일부에 대한 개략적 단면도.
본 발명은 실리콘 캐리어(carrier)본체에 화학증착을 시켜 실리콘 본체를 성장시키기 위한 개선된 공정에 관한 것이다. 또한 본 발명은 뜨거운 실리콘 캐리어 본체와 접촉하게 되는 실리콘 할라이드-수소반응 기체에 제어된 양의 실란을 첨가하여, 실리콘 캐리어 본체에 증착되는 실리콘의 증착속도를 증가시키기 위한 공정에 관한 것이다. 또한 본 발명은 실리콘의 증착속도와 증착효율을 증가시키기 위해 화학적 증착상태의 실리콘 할라이드-수소 반응 기체로부터 증착되는 실리콘의 증착속도를 증가시키기 위한 공정에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 산업에 있어서는 여러가지 전자장치를 만들기 위해 기판상에 기체상태의 물질을 증착시킨다. 몇몇 경우에 있어서는 기체로 된 증착물질은 기판을 형성하는 물질과 동일한 물질일 수 있지만 다른 경우에 있어서는 기판을 형성하는 물질과 상이한 물질일 수 있다. 증착물질이 기판을 형성하는 물질과 동일한 경우를 예를들면, 증기증착 기술에 의한 실리콘 성장에 있어서는 일반적으로, 내부에 필라멘트가 위치해 있는 석영용기의 단부를 통하여 각각 연장되는 2개의 흑연전극 사이에 기다란 실리콘 필라멘트를 배치한다. 필라멘트를 통하여 전류가 흐르도록 흑연전극 양단에 전위가 가해진다. 전류흐름에 대한 필라멘트의 저항때문에 필라멘트의 온도가 일반적으로 대략 1100℃ 이상의 온도로 상승된다.
트리클로로실란과 수소의 혼합물을 포함하는 기체가 석영실 내부로 흘러들어가며, 필라멘트의 세로축을 따라 흐른후에 석영실로부터 배출된다. 기체가 실리콘 필라멘트의 뜨거운 표면과 접촉할때 기체는 필라멘상에 다결정 실리콘을 증착시키는 반응을 하여, 필라멘트의 직경을 증가시킨다. 트리클로로실란과 수소의 반응은 일반적으로 다음과 같이 간단히 된 공식으로 설명된다.
SiHCl3+H2→Si+3HCl
석영원통 즉 반응실을 통해 흐르는 기체는 일반적으로 몇시간동안 계속 흐르므로 증착이 시작될때 직경이 1/10 인치이던 필라멘트의 직경이 5인치 이상의 직경으로 된다. 실리콘봉의 직경이 필요한 만큼 커지면 기체의 흐름이 차단되고 반응실로부터 봉이 제거된다.
실리콘 필라멘트상에 증착된 물질이 다결정이므로 단결정 물질을 만들기 위해서는 영역별로 용융시켜야 한다. 다른 방법으로는 다결정봉이 도가니 내에서 용융상태로 되어 쪼크랄스키(Czochralski) 인상기(puller)와 같은 여러가지 장치에 의하여 용융물로부터 커다란 단결정봉이 인상될 수 있다.
전자산업용 단결정 실리콘을 제조하기 위한 2가지의 상업적 방법으로, 즉 부동영역 또는 쪼크랄스키 방법에 의하여 상기 2가지 경우에서 용융물로부터 추출되는 단결정봉은 회전하면서 용융물로부터 단결정봉 형태로 인상된다. 이러한 방법에서는 작동에너지가 필요한 다수의 가열로뿐만 아니라, 숙련된 기술자의 기계조정이 필요하다. 최량의 상태하에서도 제1단계 동안 결정이 자주 없어지며, 즉 인상되는 봉이 다결정 실리콘 성장영역으로 변화되어 봉의 성장과정이 중지된다. 재용융된 단결정 실리콘봉 물질을 제조하는 이러한 상업적 방법은 비용과 노력이 많이들고 종종 불규칙한 형태의 원통형봉이 제조되므로 전자산업에 이용하기 위해서는 봉을 자르거나 웨이퍼로 만들기전에 봉을 미리 기계로 가공해야만 한다.
전자부품용 다결정 반도체를 제조하기 위한 상기 상업적 제조방법에 있어서, 실리콘씨 입자 또는 캐리어 본체의 베드(bed)를 상승된 온도에서 실리콘 할라이드 또는 할로실란과 같은 환원가능한 실리콘 화합물을 포함한 수소의 흐름과 접촉시키므로써 전자적으로 이용할수 있을 정도의 순도를 갖는 기본 실리콘을 얻을수 있다. 이러한 공정에서는 씨입자들이 유체화되고 또한 씨입자들의 온도가 대략 1000℃에서 1250℃ 범위로 유지되는 적합한 반응기내로 실리콘 씨입자가 채워진다. 예를들어, 트리클로로실란 또는 환원 가능한 다른 실리콘 화합물의 수소환원에 의해 추가적으로 기본실리콘이 증착되는 동안 수소와 트리클로로실란은 씨입자베드를 유체화 시키기에 충분한 비율로 베드를 통해 통과된다.
이러한 공정의 한가지 이점은 유체화된 베드를 재공급하도록 씨입자들을 동시에 첨가하는 공정의 산물로서 이 공정으로부터 큰 실리콘 입자를 연속적으로 또는 간헐적으로 제거하는 특성이다. 전자부품으로 사용할 수 있는 순도의 기본실리콘을 제조하기 위한 유사한 방법은 반응기벽들과 접촉하지 않는 반응기체를 갖는 반응영역에 높은 에너지가 접속되는 유체벽 반응기 공정에서 찾아볼 수 있다. 이러한 공정은 벽이 피복되는 문제때문에 여태까지 달성할 수 었없던 실리콘 할라이드-수소 반응공정의 열역학 및 운동론으로 실시될 수 있다.
종래의 씨봉공정이나, 최근의 유체화된 베드 또는 유체벽 반응기나 어떤것을 사용하건 간에 종래 기술의 공정은 실리콘 할라이드의 수소를 환원시킴으로써 순도가 높은 다결정 실리콘 반도체를 기술적으로 그리고 경제적으로 쉽게 제조할 수 있는데 역점을 두었다. 현재 화학적으로 증기 증착공정에 의하여 제조되는 모든 상업적인 다결정 반도체 실리콘은 트리클로로실란 또는 실리콘 테트라 클로라이드의 수소 환원을 이용하여 가열된 실리콘 캐리어 본체에 증착된 실리콘이다.
화학적 증기증착(CVD)에 의하여 에피택셜 성장된 단결정 실리콘은 1960년대 초반 이후부터 공지되었다.
실리콘의 성장공정동안 휘발성 억셉터(acceptor) 또는 도너(donor)불순물을 이용하여 전기적 활성영역이 형성되고 두께와 캐리어 농도가 변화하는 접합부에 의하여 경계가 이루어지는 것으로 알려져 있다. 증기식 기판 성장시스템은 아주 일반적인 것이며 이 시스템은 원리상 만족할만큼 균형잡힌 영구적인 운동 및 열역학적 상태를 제공하는 시스템에 적용할 수 있다.
예를들어, 단결정 실리콘의 성장은 몇개의 중요 매개변수들에 따라 좌우되며 이들 매개변수들 모두는 어느정도 서로 서로 상호 작용한다. 이들 매개변수들은 농도, 압력, 온도변화 및 적합한 운동 및 열역학 요소들과 같은 반응변수, 화학계 및 기판표면의 결정학적 방위로서 일부분이나마 설명할 수 있다. 여러가지 반응시스템이 연구되었지만 이들 모든 반응시스템은 뜨거운 단결정표면 또는 다결정표면이 열적으로 또는 화학적으로 분해될 수 있는 기체에 노출된다는 공통특성을 갖는다. 실리콘 형성반응의 과정은 기판의 온도의 함수이다.
실리콘 할라이드-수소반응 기체로부터 실리콘을 증착시켜 다결정 실리콘이나 단결정 실리콘을 성장시키는데 있어서, 반응기체의 순도는 결정적으로 중요하며, 조심스러운 분별증류와 장치의 특별한 설계에 의해 순도결정이 이루어지는데, 상기의 장치는 장치구성에 이용된 물질이 매우 순도가 높아서 실리콘 할라이드-수소반응 기체의 오염이나 증착상태하에서의 실리콘의 증착을 방지할 수 있을정도로 되어 있다. 이러한 요구조건들에 의해서 석영, 흑연, 탄화실리콘, 은등에 반도체 실리콘을 제공하기 위한 장치를 구성하는데 사용될 수 있는 물질의 선택이 실제로 제한된다. 은이 화학반응을 하지않도록 은은 항상 완전히 물로 냉각된다. 높은 순도의 실리콘을 제조하는데 가장 많이 사용되는 실리콘 할라이드는 실리콘 테트라클로라이드 및 트리클로로실란이다. 이들 할라이드는 뜨거운 표면과 접촉할때 열분해되어 기본실리콘을 증착한다. 그러나 이상적이고 경제적인 제품을 얻기 위하여 과도한 양의 수소기체가 실리콘 할라이드 반응공급기체에 첨가된다. 트리클로로실란에 실리콘이 더 많이 함유되어 있기 때문에 트리클로로 실란이 실리콘 테트라 클로라이드보다 많은 양의 실리콘을 증착시키므로 트리클로로실란은 다결정 실리콘을 제조하기 위한 시멘스의 공정에 양호한 물질이다. 그러나 단결정 실리콘의 에피택셜 박막을 제공하는 데에는 실리콘 테트라클로라이드가 적합하다.
특히 SiH2Cl2및 SiH3Cl과 같이 분자에 3개이하의 염소원자를 갖는 실리콘 할라이드는 반응에 소모된 실리콘 할라이드의 몰당 실리콘보다 많은 실리콘을 증착시키지만 쉽게 이용할 수 없고 경제적으로 좋지 않기 때문에 실제로 사용되지 않는다.
트리클로로실란(SiHCl3) 또는 실리콘 테트라클로라이드가 씨봉 공정에 이용될때 그 전반적인 반응은 다음과 같이 생각할 수 있다.
1. SiHCl3+H2→Si+3HCl
2. SiCl4+2HCl→Si+4HCl
실리콘 할라이드 대수소의 몰비율이 0.05%인 경우, 대략 48%의 SiCl4몰 또는 24%의 SiCl4몰이 반응할 때 1150℃에서 열역학적 평형상태에 도달한다. 그러나 실제에 있어서, 반응역학에 의하여 실제의 정상상태 실리콘 산출이 평형상태의 값의 절반으로 제한되기 때문에 병류시스템이 평형상태로 되지 않으며 기판표면으로부터 수소할라이드의 탈착단계는 두개의 반응에 있어서 증착속도를 제어하는 단계이다.
표면으로부터 멀리 있는 수소할라이드의 탈착운동을 가속시킬 수 있는 기판표면상의 어떠한 현상으로 실리콘의 증착속도가 가속화되면 공정의 경제성을 향상시킨다. 이러한 결과를 얻을 수 있는 한가지 증명된 방법은 기판표면의 온도를 상승시켜 수소할라이드의 탈착속도를 가속시킴으로써 증착속도를 증가시키는 것이다. 이러한 방법은 반응기체내에 비교적 낮은 농도의 실리콘 할라이드가 함유되어 있을때에만 효과적이다. 이러한 낮은 몰비는 희박혼합물이며 높은 수율을 얻지만 낮은 무게이득을 유발한다. 부반응이 다음식 SiHCl3→(SiCl2)+HCl 및 SiCl4+Si→2(SiCl2)과 같기 때문에 짙은 혼합물은 필요한 방법으로 반응하지 않으며, 부반응은 기판 표면상의 흡착과 반응에 소요되는 반응실리콘 할라이드의 양을 감소시키며 반응온도 범위에서 안정한 기(radical)(SiCl2)를 발생시킨다. 결과적으로, HCl이 빨리 탈착됨에도 불구하고 트리클로로실란 시스템에 0.05 이상의 몰랄비와, 실리콘 테트라 클로라이드 시스템에 0.01 이상의 몰랄비가 사용될때, 기판표면 온도를 예를들어 1150℃에서 1250℃로 증가시켜도 증착되는 실리콘의 양이 증가하지 않는다. 사실상, 실리콘 테트라 클로라이드 시스템에서 몰랄비가 약 0.1일때 있을때(SiCl2)의 형성이 주반응이며 대략 1200℃에서 기판으로부터 실리콘이 제거된다.
증착속도를 증가시키기 위한 또다른 방법은 실리콘 할라이드의 혼합물을 이용하여 전반적인 실리콘 클로라인비를 증가시키는 것이다. 예를들어, 유용한 희석제로서 제공되며 분자상태의 염소를 갖지않는 실란(SiH4)은 실리콘 할라이드 반응기체 혼합물의 실리콘 대염소의 비를 증가시킨다. 이러한 실란은 시멘스의 공정에서의 개시반응 물질로 쉽게 사용될 수 없다. 실란은 안정되지 않아서 400℃에서 분해되면서 실리콘과 수소를 발생시킨다. 실리콘은 제어되어 씨봉상에 증착되는 공정보다는 오히려 다음 공정에 더 적합하지 않은 먼지를 형성한다. 수소할라이드가 있는 상태에서 수소, 헬륨 또는 이와 유사한 것이 이용되는 희석된 반응기체 흐름에 있어서 실란은 실리콘을 결정상태로 만드는데 사용된다 .그러므로 이러한 특정경우는 느린 증착속도 공정에만 국한되며 이 공정은 박막을 형성하는데만 사용된다.
상술된 결점을 극복하기 위하여, 본 발명에 따른 개선된 공정은 뜨거운 실리콘 캐리어 본체에 실리콘을 증착시켜 전자부품용 반도체를 제조하는 것에 비해 증착속도와 효율을 개선한 것이다. 본 발명에 따른 방법은 전자적인 반도체 용융을 위해 높은 순도의 기본실리콘을 제공하며 이점이 종래 기술에 비해 크게 진보된 점이다.
본 발명을 설명하였지만 화학 증착기법을 이용하는 개선된 실리콘 증착공정에 연관되어 설명된 공정들과 발명개념은 모든 실리콘 할라이드-수소증착 시스템을 향상시킬 것이다.
본 발명은 종래의 장치와 신규장치의 정제, 열역학 및 반응운동론을 근거로 한 것이며, 여기서 결정실리콘의 캐리어 본체는 열분해 온도에서 실리콘 할라이드 반응기체 혼합물에 노출되어, 반응기체가 실리콘 할라이드 수소공급 흐름뿐만 아니라, 중량비로 0.2% 내지 10%의 실란을 포함하게 되는 장점을 갖고 있다. 예를들어, 트리클로로실란 또는 실리콘 테트라 클로라이드와 같은 실리콘 할라이드 수소 반응기체에 더 작은 무게비의 실란을 첨가하면 반응기체 공급흐름에 첨가된 이론적인 실리콘양에 무관하게 증착속도가 증가된다. 실란을 이용하면 증착속도가 크게 증가하므로, 본 발명에 따른 방법은 전자부품용 실리콘을 제조하는데 적합하며 이 방법은 실리콘 할라이드-수소 반응기체를 열분해하여 뜨거운 실리콘 캐리어 본체에 실리콘을 증착 성장시키는 것이다.
본 발명은 다결정 실리콘증착, 어떤 경우에는 단결정 실리콘 증착을 촉진하는 상태하에서 가열된 실리콘 본체상에 실리콘을 열증착시킬수 있는 실리콘 할라이드-수소 기체시스템으로부터의 실리콘 증착속도를 증가시키기 위한 공정을 제공한다. 실리콘 할라이드-수소반응 기체로 부터의 실리콘 증착속도를 증가시키기 위한 공정에 있어서 예를들어, 트리클로로실란 또는 실리콘 테트라클로라이드와 같은 실리콘 할라이드-수소반응 기체에 무게로 더 작은 무게비 실란을 첨가하는 단계를 이용함으로써 전자부품용 실리콘 본체가 얻어진다. 실리콘 할라이드-수소반응 기체와 제어된 양의 실란을 이용함으로써 증착속도가 크게 증가한다.
실리콘 할라이드-수소 기체시스템의 열역학은 일반적으로 이해가 되며 평형조성물들은 완전히 정량적이나 실리콘 증기증착(CVD)의 운동론은 완전하게 이해될 수는 없으며 복합반응에 있게된다. 정량적으로, 실리콘의 증착속도는 온도에 비례하여 급상승하고 이후에 고온에서의 온도에 덜 민감하게 되며, 상한내에서의 온도증가에 따라 감소하기도 한다. 방사열을 활용하는 실리콘 CVD 시스템 내에서의 물질전달 및 열전달은 아직 잘 알려져 있지않아서, 정확한 정량분석이 어렵다. CVD 공정의 복잡성으로 인하여, 2특정 목표는 본 발명에 의해 실리콘의 직접 증착속도를 증가시킴으로써 벽증착이나 실리콘 오염없이 해결된다.
본 발명에 따라 개선된 방법은 다양한 화학적 열분해 시스템에 활용될 수 있으며, 여기서 실리콘은 분해되어 뜨거운 캐리어 본체에 증착된다. 그러나, 이런 간단한 설명의 배후에는, 다수의 복잡한 현상들이 대부분 해결되지 않은채로 남아있다. 화학적 열역학은 온도 및 초기몰 비율에 따라 변하는 최대로 획득할 수 있는 산출물을 형성한다. 여러가지 형상 및 기체고형체 반응은 온도, 기체조성물, 결정방향성에 의거한 운동학에 연루된다. 최종반응 생성물의 결정표면상의 흡착, 탈착은 온도에 의존하므로 결정성장 핵화의 비율이 된다. 결국 결정표면에서의 기체조성물 및 온도는 물질전송전달을 결정하는 반응기내의 흐름유형에 의해서 영향을 받게 된다.
본 발명에 의해서 제안된 개선에 적합한 수개의 방법론중의 하나만을 보이기 위해 도시된 장치를 논의 하기에 앞서, 본 발명의 중요한 특징은 특정증착 속도를 최적값으로 선정하고 전 증착공정동안 이 값을 유지하는 것으로 주지된다. 이러한 관점에서, 증착속도는 가능한 한 크게, 그러나 그렇게 함으로써 공급기체형상의 실리콘의 균질핵형성 또는 반응기 내부벽에 실리콘의 증착이 발생하지 않도록 선택하는 것이 바람직하다. 또한, 적절히 준비된 실리콘 캐리어 본체를 활용하여 단결정 생성을 위한 최상의 가능한 단결정 증착표면 또는 다결정 실리콘 본체를 생성한다. 본 발명에 따른 공정의 수행에 활용될 수 있는 장치가 도면에 구조적으로 도시되었으나, 본 장치는 본 발명공정의 수행에 유용한 많은 다른 형태의 장치중의 하나를 도시한 것이다.
도면에 있어서, 환원캐리어 기체로 작용하는 수소가 수소탱크(1)로부터 나와 차단밸브(2)를 통하여 여러단의 압력저감밸브(3)내로 들어가며 또한 기체개량기(4)를 통하여 실리콘 테트라클로라이드 또는 트리클로로실란 및 실란과 같은 증발반응기체와 수소가 혼합되는 기체증발기(5)내로 들어간다. 탱크(6)에 저장된 실란은 차단밸브(7), 압력저감밸브(8) 및 기체개량기(9)를 통해 흐른다. 혼합물은 기체공급관(10)과 와류를 발생시키는 노즐(11)을 통해 처리공간내로 들어간다. 기체혼합물은 전기적으로 직렬 접속되고 처리하는 동안 대략 1000℃ 내지 1300℃, 특히 양호하게는 대략 1100℃ 내지 1250℃로 봉들을 가열하기 위한 단자(12)의 교류선으로부터 제공된 교류가 흐르는 실리콘 캐리어봉(13)을 따라 지나간다. 캐리어봉(13)은 흑연으로 된 동축홀더(15)에 고착되어 있으며 석영원통(14)에 의하여 외부와 차단되어 있다. 캐리어봉(13)의 상단부는 봉 사이에 전류를 도전시키는 실리콘 브리지(16)에 의하여 서로 접속되어 있다. 전류기체는 열이 차단된 출구관(17)을 통하여 처리공간을 떠나 들어오는 기체혼합물의 방향과 반대방향으로 기체 입구관을 따라 흐른다.
다음의 예들에 있어서 본 발명에서는 먼지가 형성되지 않으면서 증착속도가 크게 증가하도록 하는 방법으로 실란을 첨가함으로써 실리콘 할라이드-수소처리 기체로부터 증착되는 실리콘의 증착속도가 증가된다는 것을 실험데이타로부터 알수 있다. 다음의 실리예 1과 실리예 2에 있어서, 상업적인 에피택셜 반응기를 이용하여 실리콘 기판 웨이퍼를 대략 1200℃ 또는 그 이상으로 가열할 수 있으며, 제어된 양의 실리콘 할라이드 증기 및 실란과 수소기체를 반응실내로 들어가게 할수 있다.
기판은 회전하는 흑연 서셉터내에 배치된다. 서셉터의 밑에 배치된 RF 코일에 의하여 가열되며, 기체는 노즐장치에 의해 주입되어, 초당 15m의 속도로 기판표면에 충돌한다. 실리예 1과 실시예 2에서, 실리콘 테트라클로라이드 또는 트리클로로실란, 수소처리기체 혼합물에 실란을 첨가하므로써 증착속도가 증가하게 된다. 증착속도의 증가는 실란만을 첨가했을때 계산한 것보다 크다. 이 관계는 각각의 반응에 대한 활성화 에너지를 계산하는데 사용했다. 실리콘 할라이드 처리반응 기체에 실란을 첨가함으로써 실리콘 전달반응의 활성화 에너지가 감소된다. 기본물질의 온도가 낮으면 낮을수록 효과가 커진다. 다음의 실리예의 결과는 실리콘의 어떤 처리 상태에서 실리콘 할라이드-수소반응 기체에 첨가될때가 기체상태로 있을때 보다도 기판표면상의 실리콘-염소비를 더 많이 변화시킨다는 결론을 뒷받침해 주고 있다.
정확한 표면반응 메카니즘은 공지되지 않았지만 활성화 에너지를 낮추는 것으로 보아 촉매작용으로 생각되며 이 효과는 열적인 실리콘 분해 증착공정의 경제성을 향상시키는데 사용될 수 있다.
[실시예 1]
22.6ℓ의 수소와 1.3ℓ의 SiCl4로 구성된 처리기체에 분당 50ml의 실란이 첨가되어 기체의 실리콘 함유량을 3.8중량%만큼 증가시켰다. 실리콘의 증착속도는 실란을 첨가하여 분당 1.87㎛에서 2.47㎛까지 또는, 32%증가시키도록 결정되었다. 온도는 1125℃였다. 기판 표면온도가 1150℃까지 상승될때, 실란이 반응기체 혼합물에 첨가됨으로써 증착속도가 23% 증가하는 것에 대해 분당 3.33㎛에서 4.1㎛까지 증착속도가 증가하였다. 이 속도는 실리콘 평면(110)상에서 측정되었다.
[실시예 2]
(112)방위를 갖는 실리콘 기판은 실시예 1에서 설명된 상태와 동일한 반응기 상태에서 이용되었으며, 1125℃에서의 증착속도는 증가되었다. 실리콘 할라이드-수소 반응기체를 공급하여 흐르게 할때의 증착속도가 분당 1.74㎛이지만 실란을 이용하는 반응기체를 공급하여 흐르게 할때는 증착속도가 분당 2.41m이므로 증착속도가 39%증가하였다. 1200℃에서 실험을 반복하면 증착속도가 분당 4.55㎛에서 5.26㎛로 증가하므로 실리콘 할라이드-수소 반응기체 시스템과 실란을 함께 사용함으로써 증착속도가 16% 증가하였다.
실시예 1과 실시예 2에서 설명된 실험결과는 실란을 첨가함으로써 증착속도가 크게 증가되므로 실리콘 할라이드-수소 반응기체 혼합물로부터 기본실리콘을 증착시키는데는 실란을 첨가하는 것이 유익하다는 것을 입증하고 있다.

Claims (1)

  1. 약 1000℃에서 약 1300℃ 까지의 온도로 가열된 실리콘 캐리어 본체가 반응기내에서 실리콘 할라이드와 수소와의 기체혼합물과 접촉되어 상기 기체혼합물을 열분해 시키고, 열분해된 기체혼합물로 부터의 실리콘을 상기 가열된 캐리어 본체에 증착시키는 반도체용 고순도 실리콘 본체 제조방법으로서, 추가로 첨가된 실란과 실리콘과의 추가접촉에 의하여, 상기 가열된 캐리어 본체상에서의 실리콘의 증착량이 시스템의 열역학적 평형상태에서 예기된 정도 이상으로 증가될 정도로 충분히, 그리고 반응기 벽에 실리콘 자유입자 또는 실리콘 할라이드 중합체가 증착되기에 불충분한 정도로, 상기 기체 혼합물에 실란을 첨가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체용 고순도 본체 제조방법.
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