TWI583959B - Contact terminals and probe cards - Google Patents

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TWI583959B
TWI583959B TW101137926A TW101137926A TWI583959B TW I583959 B TWI583959 B TW I583959B TW 101137926 A TW101137926 A TW 101137926A TW 101137926 A TW101137926 A TW 101137926A TW I583959 B TWI583959 B TW I583959B
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Jun Mochizuki
Kunihiro Furuya
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Tokyo Electron Ltd
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Description

接觸端子之支撐體及探針卡
本發明係關於接觸端子之支撐體及探針卡。
為了進行被形成在晶圓的各半導體裝置之檢查，使用針測機以作為檢查裝置。針測機具備載置晶圓的基台，和能夠與該基台相向的探針卡。探針卡具備板狀的基座，和被配置成在基座中與基台相向的相向面被配置成與晶圓之半導體裝置中之各電極墊相向的複數柱狀接觸端子的探針。
在針測機中，被載置於基台的晶圓和探針卡相向之時，探針卡之各探針與半導體裝置中之電極墊接觸，藉由使電氣從各探針流至連接於各電極墊的半導體裝置之電路，檢查該電路之導通狀態等。
近年來，從提升檢查效率之觀點來看，開發有同時檢查被形成在一個晶圓之多數半導體裝置的探針卡。在該探針卡，對應於多數半導體裝置之電極墊配置有數千，有時配置有數萬的探針，如此之探針卡具有擁有多數之探針孔的長方體之殼體，藉由各探針插嵌於各探針孔，殼體支撐各探針。就以殼體而言，眾知的有藉由疊層複數金屬薄板，並使該些金屬薄板擴散接合而形成者(例如，參照專利文獻1)。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
[專利文獻1]國際公開WO2009/104589號
但是，近年來，為了檢查，增大在流通探針之電流值，另外隨著半導體裝置之電路的微細化而朝向探針之小徑化發展，例如在直徑為數10μm之圓棒狀之探針流通1A~2A的大電流。在探針中，由於小徑化使得相對於電流的傳導下降而該探針之電阻值變大，故於朝探針流通大電流之時，該探針發熱很多而使溫度變得非常高，其結果有惡化之虞。
本發明之目的係提供可以防止接觸端子之惡化的接觸端子之支撐體及探針卡。
為了達成上述目的，申請專利範圍第1項所記載之接觸端子之支撐體，為檢查被形成在半導體基板上之半導體裝置的探針卡所具備的複數接觸端子之支撐體，其特徵為具備：疊層複數板狀構件所構成之本體；在厚度方向貫通該本體之複數接觸端子孔；及被內藏在上述本體的冷媒流路，上述複數之接觸端子被插嵌於上述複數接觸端子孔，上述接觸端子孔係藉由使被設置在上述複數板狀構件的貫通於各上述板狀構件之厚度方向的開口部互相相向而形 成，並且具有與上述被插嵌之接觸端子接觸的接觸部，上述板狀構件為金屬製。
申請專利範圍第2項所記載之接觸端子之支撐體係在申請專利範圍第1項所記載之接觸端子之支撐體中，上述冷媒流路係藉由除去上述複數板狀構件中之幾個板狀構件之各個的一部分，且重疊該一部分被除去的幾個板狀構件而形成。
申請專利範圍第3項所記載之接觸端子之支撐體係在申請專利範圍第1項所記載之接觸端子支撐體中，上述接觸部係藉由使上述複數板狀構件之至少一個的上述開口部之位置從其他上述板狀構件之上述開口部之位置偏移而形成。
申請專利範圍第4項所記載之接觸端子之支撐體係在申請專利範圍第1項所記載之接觸端子支撐體中，上述接觸部係藉由使上述複數板狀構件之至少一個的上述開口部之面積小於其他上述板狀構件之上述開口部之面積而形成。
為了達成上述目的，申請專利範圍第5項所記載之接觸端子的支撐體，為檢查被形成在半導體基板上之半導體裝置的探針卡所具備的複數接觸端子之支撐體，其特徵為具備：互相相向之一對板狀構件；被填充於該一對板狀構件之間的熱傳導體；及藉由使被設置在上述一對板狀構件的貫通於各上述板狀構件之厚度方向的複數開口部互相相向而形成之複數接觸端子孔，上述複數接觸端子被插嵌於上述複數接觸端子孔而與上述熱傳導體接觸，在上述熱傳 導體埋設冷媒流路，上述板狀構件為金屬製。
申請專利範圍第6項所記載之接觸端子之支撐體係在申請專利範圍第5項所記載之接觸端子之支撐體中，藉由使上述一對板狀構件之一方的上述開口部之位置，從上述一對板狀構件之另一方的上述開口部之位置偏移，使被插嵌於上述接觸端子孔之接觸端子接觸於上述一對板狀構件之至少一個。
為了達成上述目的，申請專利範圍第7項所記載之探針卡，為檢查被形成在半導體基板上之半導體裝置的探針卡，其特徵為：具備複數接觸端子的支撐體，上述支撐體具有疊層複數板狀構件而構成的本體，和在厚度方向貫通該本體的複數接觸端子孔，和被內藏在上述本體之冷媒流路，上述複數接觸端子被插嵌於上述複數接觸端子孔，上述接觸端子孔係藉由使被設置在上述複數板狀構件的貫通於各上述板狀構件之厚度方向的開口部互相相向而形成，並且具有與上述被插嵌之接觸端子接觸的接觸部，上述板狀構件為金屬製。
為了達成上述目的，申請專利範圍第8項所記載之探針卡，為檢查被形成在半導體基板上之半導體裝置的探針卡，其特徵為：具備複數接觸端子的支撐體，上述支撐體具有互相相向之一對板狀構件，和被填充於該一對板狀構件之間的熱傳導體，和藉由使被設置在上述一對板狀構件的貫通於各上述板狀構件之厚度方向的複數開口部互相相向而形成之複數接觸端子孔，上述複數接觸端子被插嵌於 上述複數接觸端子孔而與上述熱傳導體接觸，在上述熱傳導體埋設冷媒流路，上述板狀構件為金屬製。
若藉由本發明時，因被插嵌於貫通本體之接觸端子孔之接觸端子的熱被傳達至藉由冷媒流路被冷卻之本體，故可以防止接觸端子之溫度變得非常高，並且可以防止接觸端子之惡化。
再者，若藉由本發明時，因複數之接觸端子被插嵌於複數之接觸端子孔而與熱傳導體接觸，故接觸端子之熱被熱傳導體吸收而可以防止接觸端子之溫度變得非常高，並且可以防止接觸端子之惡化。
以下，針對本發明之實施型態，一面參照圖面一面予以說明。
首先，針對與本發明之第1實施型態有關之探針卡予以說明。
第1圖為概略性地表示與本實施型態有關之探針卡之構成的圖示，第1圖(A)為底視圖，第1圖(B)為側視圖。
在第1圖(A)及第1圖(B)中，探針卡10具備圓板狀之基座11、被配置在該基座11中與半導體晶圓(無圖示)相向之面(第1圖(B)中之下面)的多數圓棒狀之探針12(接觸端子)。各探針12對應於半導體晶圓中 之複數半導體裝置之各電極墊之位置而被配置。
探針卡10中，各探針12不直接安裝於基座11，安裝至屬於長方體狀之探針支撐體的殼體13，該殼體13透過ST(Space transformer)基板32而安裝於基座11。
第2圖為表示第1圖中之殼體之構成的放大部分剖面圖。在第2圖中，殼體13之厚度方向沿著圖中之上下方向，以下即使在第3圖~第8圖中也相同。
在第2圖中，殼體13具備：被疊層的複數板狀構件，例如由金屬薄板14所構成之本體15，和在厚度方向貫通該本體15之複數圓柱狀之探針孔16(接觸端子孔)，和被內藏於本體15之複數冷媒流路17。在各探針孔16之各個被插嵌一個探針12。並且，在第2圖中為了說明僅表示一個探針孔16，和該一個探針孔16之周圍的構成。
在殼體13中，各金屬薄板14互相被擴散接合，探針孔16之直徑被設定成較探針12之直徑大，例如被設定成兩直徑之差為1μm~800μm。即是，探針12和探針孔16之側面原則上不接觸。在各冷媒流路17，流通氣體或液體之冷媒，例如冷氣或Galden(註冊商標)，冷卻殼體13。各冷媒流路17被配置在探針孔16之附近。
探針12之直徑為數10μm，因電阻值大，故於半導體裝置之檢查時，當流通大電流時，在探針12產生焦耳熱，但是因殼體13被冷卻，故被插嵌於探針孔16之探針12之焦耳熱，被輻射至探針孔16之側面，再者藉由存在 於探針12及探針孔16之側面之間的氣體，例如大氣被傳達至探針孔16之側面，被各冷媒流路17冷卻的殼體13吸收。即是，殼體13冷卻各探針12。
第3圖為表示第2圖中之殼體之製造方法的工程圖。
首先，在複數之金屬薄板14之各個利用機械加工或蝕刻貫穿設置在厚度方向貫通之複數開口部18而形成複數第1薄板14a，並且在其他複數金屬薄板14之各個貫穿設置在厚度方向貫通的複數開口部18，並且藉由除去該其他複數金屬薄板14之各個的一部分而形成除去部19而形成複數之第2薄板14b。
接著，以特定之順序重疊複數第1薄板14a及複數第2薄板14b。此時，以鄰接之兩個薄板(第1薄板14a及/或第2薄板14b)中之各開口18相向之方式重疊複數之第1薄板14a及複數之第2薄板14b時，則形成各探針孔16。再者，以鄰接之兩個第2薄板14b中之各除去部19相向之方式，重疊各第2薄板14b時，則形成各冷媒流路17(第3圖(A))。
接著，藉由擴散接合或互相接合被重疊之各第1薄板14a及各第2薄板14b而形成本體15(第3圖(B))，結束本處理。
若藉由與本實施型態有關之支撐體的殼體13時，因嵌插在貫通本體15之各探針孔16的探針12之熱被傳達至藉由冷媒流路17被冷卻之本體15，故可以防止探針12之溫度變得非常高，而且可以防止探針12之惡化。
再者，在殼體13中，因藉由重疊一部分被除去而形成有除去部19之第2薄板14b而形成冷媒流路17，故可以容易形成冷媒流路17。並且，藉由使在第1薄板14a或第2薄板14b之厚度方向貫通之開口部18互相相向而形成探針孔16，故可以容易地形成探針孔16。
在上述殼體13中，雖然在本體15中疊層各金屬薄板14，但是板狀構件並非金屬即使由陶瓷所構成亦可。冷媒流路17也不限定於第2圖所示之比較小者，即使配置如第4圖所示般之大者，涵蓋本體15之厚度方向之大部分的冷媒流路17亦可。
再者，在上述殼體13中，探針12和探針孔16之側面原則上不接觸，但是即使在探針孔16內使至少一個金屬薄板14之一部分突出而形成接觸部20，且該接觸部20與被插嵌於探針孔16之探針12接觸亦可(第5圖(A)、第5圖(B))。依此，經接觸部20可以將探針12之熱確實地傳達至被冷卻之本體15。
接觸部20係例如第5圖(A)所示般，藉由使形成本體15之複數之第1薄板14a及第2薄板14b中之至少一個(在圖中為一個第1薄板14a)之開口部18之位置，從其他第1薄板14a或第2薄板14b之開口部18之位置偏移而形成，或是如第5圖(B)所示般，藉由使形成本體15之複數之第1薄板14a及第2薄板14b中之至少一個(在圖中為一個第1薄板14a)之開口部18之直徑，小於其他第1薄板14a或第2薄板14b之開口部18之直徑而 形成。依此，可以容易地形成接觸部20。
再者，探針12因藉由接觸部20被推壓至探針孔16之側面(第5圖(A))，或在側面全周與第1薄板14a(或第2薄板14b)接觸，故容易決定探針孔16進而容易決定探針12對殼體13之位置，再者可以防止探針12相對於殼體13的移動。
並且，接觸部20及接觸於該接觸部20之探針12之側面的至少一個被絕緣膜覆蓋，第1薄板14a、第2薄板14b及探針12不會互相電性導通。
接著，針對與本發明之第2實施型態有關之接觸端子之支撐體予以說明。
第6圖為概略性表示作為與本實施型態有關之接觸端子之支撐體的殼體之構成的放大部分剖面圖。第6圖之殼體也適用於第1圖之探針卡10。
在第6圖中，殼體21具備互相相向之一對板狀構件，例如一對薄板22、23，和被填充於該一對薄板22、23之間的熱傳導體24，和被內藏於該熱傳導體24之冷媒流路25。
薄板22、23各具有在厚度方向貫通的複數開口部26、27，以各開口部26和各開口部27相向之方式配置一對薄板22、23，並且藉由部分性地除去存在於各開口部26及各開口部27之間的熱傳導體24，形成複數之圓柱狀之探針孔28。
在殼體21中，探針孔28之直徑被設定成與探針12 之直徑幾乎相同。尤其，在探針孔28中藉由熱傳導體24所構成之部分的直徑被設定成較探針12之直徑稍微小，例如兩直徑之差為1μm~800μm。在本實施型態中，因如後述般，熱傳導體24藉由變形容許材料而構成，故即使探針孔28中藉由熱傳導體24構成之部分的直徑小於探針12之直徑一些，亦可將探針12插嵌於探針孔28，被插嵌於探針孔28之探針12與熱傳導體24接觸。在各冷媒流路25流通氣體或液體之冷媒而冷卻殼體21。各冷媒流路25被配置在探針孔28之附近。
藉由於探針12流通大電流之時產生之焦耳熱被傳達至熱傳導體24，被各冷媒流路25冷卻之殼體21吸收。即是，殼體21因冷卻各探針12，故可以防止探針12之溫度變得非常高，並且可以防止探針12之惡化。
就以構成熱傳導體24之材料而言，從變形容許及流出防止之觀點來看，以膠狀之傳熱材料為佳，雖然並不特別限制，但以未硬化物、縱使為硬化物也以彈性少者為佳。具體而言，為對應於1~500Pa．s之黏度、0.1~10W/m．K之熱傳導率及1~70°(JIS K 6249)之硬度的材料，例如混合油(信越化學工業株式會社製造)、縮合型RTV橡膠(信越化學工業株式會社製造)、硬化型矽氧橡膠(混煉型、液狀)或未硬化矽氧橡膠(膏狀、凝膠狀)，更具體而言，以附加型液狀矽氧橡膠(信越化學工業株式會社製造)或是膏狀熱傳導凝膠(λ GEL(註冊商標))(株式會社TAICA製造)當作構成熱傳導體24之 材料而使用。
如上述般，本實施型態中，探針並非直線狀，為了使探針持有彈簧性以進行與電極墊的接觸改善，即使探針構成曲線狀亦可。因熱傳導體24藉由變形容許材料而被構成，故可以將曲線狀之探針12a插嵌於探針孔28(第7圖)。此時，因探針12a和熱傳導體24之接觸面積增加，故可以效率佳地冷卻各探針12a。
再者，在殼體21中，藉由使薄板22之各開口部26之位置從薄板23之各開口部27之位置偏移，使被插嵌於探針孔28之探針12積極地接觸於薄板22及/或薄板23亦可(第8圖)。依此，可以將在探針12產生之焦耳熱傳達至薄板22或薄板23，並且可以更改善各探針12之冷卻效率。再者，容易決定探針12相對於探針孔28、進而相對於殼體21的位置，再者，可以防止探針12相對於殼體21的移動。
以上，針對本發明，雖然使用上述各實施型態予以說明，但是本發明並不限定於上述各實施型態。
例如，在上述各實施型態中，探針卡10具備與半導體晶圓中之複數的半導體裝置之電極墊之數量對應的數量之探針12，但是如第9圖所示般，即使探針卡29僅具備與半導體晶圓中之一個半導體裝置之電極墊之數量對應的數量的探針12亦可，此時，各探針12被支撐於適用本發明之殼體30，該殼體30被安裝於探針卡29之基座31。
再者，理想為將上述各實施型態中之殼體13、21之 面積設定成與以往之探針卡中之殼體(以下，稱為「以往之殼體」)的面積相同，構成能夠殼體13、21與以往之殼體交換。依此，即使在以往之探針卡中，僅交換殼體，亦可以防止探針之惡化。
並且，於以往之殼體藉由薄板構成，並且內部由空洞之框體所構成之時，即使在該內部填充熱傳導體24，對該被填充之熱傳導體24施予機械加工或蝕刻等之追加工而形成複數之探針孔28亦可，或是於填充熱傳導體24之時，即使插入貫通各開口部26、27之治具之後，對內部填充熱傳導體24，接著藉由拉拔各治具，形成複數之探針孔28亦可。依此，可以藉由對以往之殼體施予追加工而形成殼體21。
10、29‧‧‧探針卡
12、12a‧‧‧探針
13、21、30‧‧‧殼體
14‧‧‧金屬薄板
14a‧‧‧第1薄板
14b‧‧‧第2薄板
15‧‧‧本體
16、28‧‧‧探針孔
17、25‧‧‧冷媒流路
18、26、27‧‧‧開口部
19‧‧‧除去部
20‧‧‧接觸部
22、23‧‧‧薄板
24‧‧‧熱傳導體
第1圖為概略性表示與本發明之第1實施型態有關之探針卡之構成的圖示。
第2圖為表示第1圖中之殼體之構成的放大部分剖面圖。
第3圖為表示第2圖中之殼體之製造方法的工程圖。
第4圖為表示第2圖之殼體之第1變形例之構成的放大部分剖面圖。
第5圖為表示第2圖之殼體之變形例之構成的放大部分剖面圖，第5圖(A)係表示第2變形例，第5圖(B)係表示第3變形例。
第6圖為概略性表示作為與本發明之第2實施型態有關之接觸端子之支撐體的殼體之構成的放大部分剖面圖。
第7圖為表示第6圖之殼體之第1變形例之構成的放大部分剖面圖。
第8圖為表示第6圖之殼體之第2變形例之構成的放大部分剖面圖。
第9圖為概略性地表示適用本發明之探針卡之變形例之構成的斜視圖。
12‧‧‧探針
13‧‧‧殼體
14‧‧‧金屬薄板
15‧‧‧本體
16‧‧‧探針孔
17‧‧‧冷媒流路

Claims (8)

  1. 一種接觸端子之支撐體，為檢查被形成在半導體基板上之半導體裝置的探針卡所具備的複數接觸端子之支撐體，其特徵為具備：疊層複數板狀構件所構成之本體；在厚度方向貫通該本體之複數接觸端子孔；及被內藏在上述本體之冷媒流路，上述複數接觸端子被插嵌於上述複數接觸端子孔，上述接觸端子孔係藉由使被設置在上述複數板狀構件的貫通於各上述板狀構件之厚度方向的開口部互相相向而形成，並且具有與上述被插嵌之接觸端子接觸的接觸部，上述板狀構件為金屬製。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之接觸端子之支撐體，其中上述冷媒流路係藉由除去上述複數板狀構件中之幾個板狀構件之各個的一部分，且重疊該一部分被除去的幾個板狀構件而形成。
  3. 如申請專利範圍第1項所記載之接觸端子之支撐體，其中上述接觸部係藉由使上述複數板狀構件之至少一個的上述開口部之位置從其他上述板狀構件之上述開口部之位置偏移而形成。
  4. 如申請專利範圍第1項所記載之接觸端子之支撐體，其中 上述接觸部係藉由將上述複數板狀構件之至少一個的上述開口部之面積形成比其他上述板狀構件之上述開口部之面積小而形成。
  5. 一種接觸端子之支撐體，為檢查被形成在半導體基板上之半導體裝置的探針卡所具備的複數接觸端子之支撐體，其特徵為具備：互相相向之一對板狀構件；被填充於該一對板狀構件之間的熱傳導體；及藉由使被設置在上述一對板狀構件的貫通於各上述板狀構件之厚度方向的複數開口部互相相向而形成之複數接觸端子孔，上述複數接觸端子被插嵌於上述複數接觸端子孔而與上述熱傳導體接觸，在上述熱傳導體埋設有冷媒流路，上述板狀構件為金屬製。
  6. 如申請專利範圍第5項所記載之接觸端子之支撐體，其中藉由使上述一對板狀構件之一方的上述開口部之位置，從上述一對板狀構件之另一方的上述開口部之位置偏移，使被插嵌於上述接觸端子孔之接觸端子接觸於上述一對板狀構件之至少一個。
  7. 一種探針卡，為檢查被形成在半導體基板上之半導體裝置的探針卡，其特徵為：具備複數接觸端子的支撐體， 上述支撐體具有疊層複數板狀構件而構成的本體，和在厚度方向貫通該本體的複數接觸端子孔，和被內藏在上述本體之冷媒流路，上述複數接觸端子被插嵌於上述複數接觸端子孔，上述接觸端子孔係藉由使被設置在上述複數板狀構件的貫通於各上述板狀構件之厚度方向的開口部互相相向而形成，並且具有與上述被插嵌之接觸端子接觸的接觸部，上述板狀構件為金屬製。
  8. 一種探針卡，為檢查被形成在半導體基板上之半導體裝置的探針卡，其特徵為：具備複數接觸端子的支撐體，上述支撐體具有互相相向之一對板狀構件，和被填充於該一對板狀構件之間的熱傳導體，和藉由使被設置在上述一對板狀構件的貫通於各上述板狀構件之厚度方向的複數開口部互相相向而形成之複數接觸端子孔，上述複數接觸端子被插嵌於上述複數接觸端子孔而與上述熱傳導體接觸，在上述熱傳導體埋設有冷媒流路，上述板狀構件為金屬製。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6590141B2 (ja) * 2015-05-19 2019-10-16 日本電子材料株式会社 プローブカード
JP6890921B2 (ja) * 2015-10-21 2021-06-18 株式会社日本マイクロニクス プローブカード及び接触検査装置
US10545174B2 (en) 2017-09-05 2020-01-28 Natali TAN Kelvin contact finger for high current testing
US11532461B2 (en) * 2018-10-23 2022-12-20 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3059385U (ja) * 1998-11-26 1999-07-09 株式会社精研 検査用プローブ
US20090015281A1 (en) * 2007-07-11 2009-01-15 Jsr Corporation Method of positioning an anisotropic conductive connector, method of positioning the anisotropic conductive connector and a circuit board for inspection, anisotropic conductive connector, and probe card
TWM350811U (en) * 2008-08-06 2009-02-11 Star Techn Inc Probe station, probe socket, probe card and the combination thereof
US20090212798A1 (en) * 2008-02-27 2009-08-27 Susumu Kasukabe Probe card, manufacturing method of probe card, semiconductor inspection apparatus and manufacturing method of semiconductor device
TW200951448A (en) * 2008-03-07 2009-12-16 Yamaichi Electronics Co Ltd Probe card provided with contact units, and method of exchanging contact units
CN101910847A (zh) * 2008-02-21 2010-12-08 东京毅力科创株式会社 探针支撑板的制造方法、计算机存储介质以及探针支撑板

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH086065Y2 (ja) * 1989-10-09 1996-02-21 ユニチカ株式会社 特殊両面パイル編地
JP2972595B2 (ja) * 1996-09-25 1999-11-08 日本電気ファクトリエンジニアリング株式会社 プローブカード
JP2000241454A (ja) * 1999-02-23 2000-09-08 Mitsubishi Electric Corp 高温テスト用プローブカード及びテスト装置
US6891385B2 (en) * 2001-12-27 2005-05-10 Formfactor, Inc. Probe card cooling assembly with direct cooling of active electronic components
CN1261993C (zh) * 2003-04-03 2006-06-28 思达科技股份有限公司 一种半导体测试用的检测卡
JP2006258687A (ja) * 2005-03-18 2006-09-28 Koyo Technos:Kk 検査装置
KR20070005786A (ko) * 2005-07-06 2007-01-10 삼성전자주식회사 프로브 카드 홀더를 냉각하는 장치를 구비한 검사 장비
JP4497103B2 (ja) * 2006-02-21 2010-07-07 住友電気工業株式会社 ウェハ保持体およびそれを搭載したヒータユニット、ウェハプローバ
TWI321820B (en) * 2006-08-25 2010-03-11 Star Techn Inc Integrated circuits probing apparatus having a temperature-adjusting mechanism
DE202007016398U1 (de) * 2006-11-27 2008-02-21 Feinmetall Gmbh Kontaktiervorrichtung zum Kontaktieren eines zu prüfenden elektrischen Prüflings
CN101629971B (zh) * 2008-07-17 2013-07-24 思达科技股份有限公司 探针台、探针插座、探针卡及其组合
JP2011043377A (ja) * 2009-08-20 2011-03-03 Tokyo Electron Ltd 検査用接触構造体
JP5427536B2 (ja) * 2009-10-01 2014-02-26 東京エレクトロン株式会社 プローブカード
JP5185310B2 (ja) * 2010-03-11 2013-04-17 日本碍子株式会社 電気的接続体及びその製法
KR20120104812A (ko) * 2011-03-14 2012-09-24 삼성전자주식회사 반도체 디바이스 테스트 장치 및 방법

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3059385U (ja) * 1998-11-26 1999-07-09 株式会社精研 検査用プローブ
US20090015281A1 (en) * 2007-07-11 2009-01-15 Jsr Corporation Method of positioning an anisotropic conductive connector, method of positioning the anisotropic conductive connector and a circuit board for inspection, anisotropic conductive connector, and probe card
CN101910847A (zh) * 2008-02-21 2010-12-08 东京毅力科创株式会社 探针支撑板的制造方法、计算机存储介质以及探针支撑板
US20090212798A1 (en) * 2008-02-27 2009-08-27 Susumu Kasukabe Probe card, manufacturing method of probe card, semiconductor inspection apparatus and manufacturing method of semiconductor device
TW200951448A (en) * 2008-03-07 2009-12-16 Yamaichi Electronics Co Ltd Probe card provided with contact units, and method of exchanging contact units
TWM350811U (en) * 2008-08-06 2009-02-11 Star Techn Inc Probe station, probe socket, probe card and the combination thereof

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Publication number Publication date
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