TWI581868B - 罩體與基板處理裝置 - Google Patents

罩體與基板處理裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI581868B
TWI581868B TW101141198A TW101141198A TWI581868B TW I581868 B TWI581868 B TW I581868B TW 101141198 A TW101141198 A TW 101141198A TW 101141198 A TW101141198 A TW 101141198A TW I581868 B TWI581868 B TW I581868B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
cover
substrate
gap
treatment liquid
outer peripheral
Prior art date
Application number
TW101141198A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201328790A (zh
Inventor
杉山念
吉井弘至
森岡一夫
Original Assignee
斯克林半導體科技有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 斯克林半導體科技有限公司 filed Critical 斯克林半導體科技有限公司
Publication of TW201328790A publication Critical patent/TW201328790A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI581868B publication Critical patent/TWI581868B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00—Fluid handling
    • Y10T137/6851—With casing, support, protector or static constructional installations

Description

罩體與基板處理裝置
本發明係關於一種罩體及具備該罩體之基板處理裝置。
為對半導體晶圓、液晶顯示裝置用玻璃基板、光罩用玻璃基板或光碟用玻璃基板等基板進行使用了顯影液、清洗液、沖洗液或光阻液等處理液之處理，可使用旋轉式基板處理裝置。
於旋轉式基板處理裝置中，基板係藉由旋轉保持部而水平地支撐。藉由旋轉保持部而使基板旋轉，並且於該基板之上表面中央部滴下處理液。藉此，藉由處理液對基板進行處理。於此種基板處理裝置中，為防止處理液之一部分因基板旋轉時之離心力而向基板之周邊部飛散，以包圍旋轉保持部之周圍之方式設置罩體(例如參照日本專利特開平9-225376號公報、日本專利特開平11-40484號公報及日本專利特開2011-119597號公報)。
於日本專利特開平9-225376號公報、日本專利特開平11-40484號公報及日本專利特開2011-119597號公報之基板處理裝置中，根據處理之條件，存在藉由罩體之內面而反濺之液體狀或霧氣狀之處理液附著於基板上之可能性。由此，存在發生基板之處理缺陷之情形。
本發明之目的在於提供一種罩體及基板處理裝置，該罩體可充分地擋住自基板向外側飛散之處理液，並且可防止 被擋住之處理液反濺至基板上。
(1)根據本發明之一態樣之罩體係於對呈大致水平姿勢而保持之基板進行使用處理液之處理時以包圍基板之周圍之方式設置者，且包括：第1構件，其以包圍基板之周圍之方式配置且具有上表面；第2構件，其以包圍基板之周圍之方式配置於第1構件之上表面之上方且具有下表面；及第3構件，其以包圍第1及第2構件之周圍之方式設置；第1及第2構件係以如下方式構成，即，上表面與下表面之間隔自基板之外周部側朝向外側逐漸減少，並且於第1及第2構件之外周部在上表面與下表面之間形成間隙，第3構件具有以於間隙之外側與間隙相隔且包圍間隙之方式形成之內面。
於該罩體中，第1及第2構件係以包圍基板之周圍之方式配置。第2構件配置於第1構件之上表面之上方。又，第3構件以包圍第1及第2構件之周圍之方式設置。第1構件之上表面與第2構件之下表面之間隔自基板之外周部側朝向外側逐漸減少，並且於第1及第2構件之外周部在上表面與下表面之間形成間隙。第3構件之內面係以於間隙之外側與間隙相隔且包圍間隙之方式形成。
於該情形時，第1構件之上表面與第2構件之下表面之間之間隔於最接近基板之位置處最大。因此，自基板向外側飛散之處理液被捕獲於第1構件之上表面與第2構件之下表面之間。被捕獲之處理液沿第1構件之上表面及第2構件之下表面向外側導引，藉此集中於外周部之間隙處，並通過 間隙。通過間隙之處理液由第3構件之內面擋住。第3構件之內面與間隙相隔。因此，藉由第3構件之內面而反濺之處理液藉由朝向外側並通過間隙之處理液之流動而折回。藉此，防止暫時朝向外側並通過間隙之處理液再次通過間隙而返回至第1構件之上表面與第2構件之下表面間之空間內。
又，由第1構件之外周部側之上表面與第2構件之外周部側之下表面所形成之間隙較第1構件之內周部側之上表面與第2構件之內周部側之下表面之間之間隔窄。因此，更加確實地防止藉由第3構件之內面而反濺之處理液再次通過間隙而返回至第1構件之上表面與第2構件之下表面之間之空間內。
該等之結果為，可藉由罩體充分地擋住自基板向外側飛散之處理液，並且可防止由罩體擋住之處理液反濺至基板上。
(2)第3構件之內面亦可以自較間隙之下端更下方延伸至較間隙之上端更上方之方式形成。
於該情形時，即便於通過第1及第2構件之外周部之間隙之處理液擴散之情形時，亦可藉由第3構件之內面確實地擋住處理液。
(3)罩體亦可進而具備閉塞構件，該閉塞構件係於較間隙更上方處閉塞第2構件與第3構件之內面之間之間隙。
於該情形時，即便於通過第1及第2構件之外周部之間隙之處理液在第3構件之內面與第1及第2構件之外周部之間 上浮之情形時，亦可藉由閉塞構件擋住該處理液。藉此，可充分地防止於第3構件之內面與第1及第2構件之外周部之間上浮之處理液之霧氣(mist)通過第2構件與第3構件之內面之間之間隙而擴散至罩體之外部。
(4)亦可於第2構件之外周部與第3構件之內面之間形成可供下降流通過之間隙。
於該情形時，即便於通過第1及第2構件之外周部之間隙之處理液在第3構件之內面與第1及第2構件之外周部之間上浮之情形時，亦可藉由下降流使該處理液向下方折回。藉此，可充分地防止於第3構件之內面與第1及第2構件之外周部之間上浮之處理液之霧氣通過第2構件與第3構件之內面之間之間隙而擴散至罩體之外部。
(5)第1構件之上表面、第2構件之下表面、間隙及第3構件之內面亦可具有以共同之軸為中心之旋轉對稱之形狀。於該情形時，可將罩體設置於旋轉式基板處理裝置上。
於一面使基板旋轉一面於基板上進行使用處理液之處理之情形時，可藉由罩體確實地擋住自基板向四面八方飛散之處理液，並且可確實地防止由罩體擋住之處理液反濺至基板上。
(6)第2構件之下表面亦可以朝向外側相對於基板之上表面向斜下方傾斜之方式形成。
於該情形時，附著於第2構件之下表面上之處理液因重力順著下表面而向第1及第2構件之外周部之間隙導引。藉此，可使自基板向外側飛散之處理液易於通過第1構件之 上表面與第2構件之下表面之間之間隙。
(7)第2構件之下表面亦可以相對於基板之上表面成為5度以上20度以下之角度之方式形成。
於該情形時，可使自基板向外側飛散之處理液更加確實地通過第1構件之上表面與第2構件之下表面之間之間隙，並且可確實地防止碰到第2構件之下表面之處理液向基板反濺。
(8)第1構件之上表面之至少內周部側之區域亦可以朝向外側相對於基板之上表面向斜上方傾斜之方式形成。
於該情形時，可易於在第1構件之上表面與第2構件之下表面之間捕獲自基板向外側飛散之處理液。
(9)第1構件之上表面亦可以相對於基板之上表面成為5度以上20度以下之角度之方式形成。
於該情形時，可使自基板向外側飛散之處理液確實地通過第1構件之上表面與第2構件之下表面之間之間隙，並且可確實地防止碰到第1構件之上表面之處理液向基板反濺。
(10)根據本發明之另一態樣之基板處理裝置係對基板進行處理者；且包括：旋轉保持部，其將基板以大致水平姿勢保持並使其旋轉；處理液供給系統，其向藉由旋轉保持部保持之基板上供給處理液；及上述罩體，其係以包圍藉由旋轉保持部保持之基板之周圍之方式設置。
於該基板處理裝置中，基板係藉由旋轉保持部以水平姿勢保持並旋轉。又，藉由處理液供給系統向基板上供給處 理液。藉由基板之旋轉而自基板向外側飛散之處理液被捕獲於罩體之第1構件之上表面與第2構件之下表面之間。被捕獲之處理液沿第1構件之上表面及第2構件之下表面向外側導引，藉此集中於外周部之間隙處，並通過間隙。通過間隙之處理液由第3構件之內面擋住。第3構件之內面與間隙相隔。因此，藉由第3構件之內面而反濺之處理液藉由朝向外側並通過間隙之處理液之流動而折回。藉此，防止暫時朝向外側並通過間隙之處理液再次通過間隙而返回至第1構件之上表面與第2構件之下表面間之空間內。
又，由第1構件之外周部側之上表面與第2構件之外周部側之下表面所形成之間隙較第1構件之內周部側之上表面與第2構件之內周部側之下表面之間之間隔窄。因此，更加確實地防止藉由第3構件之內面而反濺之處理液再次通過間隙而返回至第1構件之上表面與第2構件之下表面之間之空間內。
該等之結果為，可藉由罩體充分地擋住自基板向外側飛散之處理液，並且可防止由罩體擋住之處理液反濺至基板上。
(11)處理液之黏度亦可為10 cP以下。於該情形時，處理液可確實地通過罩體之第1構件之上表面與第2構件之下表面之間之間隙。
[較佳實施例之說明]
[1]第1實施形態
(1)基板處理裝置
圖1係具備第1實施形態之罩體之旋轉式基板處理裝置之概略剖面圖。如圖1所示，基板處理裝置100具備以水平姿勢保持並旋轉基板W之旋轉保持部1。旋轉保持部1安裝於馬達3之旋轉軸2之前端，於鉛垂軸之四周受到旋轉驅動。
以包圍保持於旋轉保持部1上之基板W之周圍之方式設置有罩體支撐構件4及飛散防止用之罩體5。罩體支撐構件4及罩體5具有相對於旋轉軸2旋轉對稱之形狀。罩體5藉由罩體支撐構件4可上下活動地得到支撐。又，於罩體5上經由支撐框架11連接有氣缸10。藉由該氣缸10之動作罩體5於上下方向上移動。
罩體5包含罩體中部51、罩體下部52、罩體上部53、罩體底部54、側壁部55及支撐部56、57。罩體中部51、罩體下部52、罩體上部53、罩體底部54及支撐部56具有大致圓環形狀。罩體中部51係以包圍基板W之上部空間之周圍之方式配置。罩體上部53係以包圍基板W之上部空間之周圍且位於罩體中部51之上方之方式配置。於罩體中部51之中央部及罩體上部53之中央部分別形成圓形之開口部510、530。罩體下部52係以包圍基板W之下部空間之周圍之方式配置。罩體底部54係以包圍基板W之下部空間之周圍且位於罩體下部52之下方之方式配置。
側壁部55具有圓筒形狀，且係以包圍罩體中部51、罩體下部52、罩體上部53及罩體底部54之方式形成。罩體上部53之外周部一體地固定於側壁部55之上端。罩體底部54之 外周部一體地固定於側壁部55之下端。罩體中部51藉由支撐部56而一體地固定於側壁部55之內周面55a。罩體下部52之下端藉由複數個棒狀之支撐部57而一體地固定於側壁部55之內周面55a。
於本實施形態中，支撐部56係以遍及側壁部55之全周將側壁部55之內周面55a與罩體中部51之上表面之外周部附近連接之方式設置。藉此，支撐部56將罩體中部51之外周部與側壁部55之內周面55a之間之間隙於該間隙之上方處予以閉塞。另一方面，複數個支撐部57係以呈特定之間隔(例如90度之間隔)地將側壁部55之內周面55a與罩體下部52之下端連接之方式設置。藉此，於罩體下部52與側壁部55之內周面55a之間之一部分形成複數個開口部。
於罩體底部54設置有廢液口7及排氣口8。廢液口7與工廠內之廢液設備連接。排氣口8與工廠內之排氣設備連接。於旋轉保持部1之下方，以包圍旋轉軸2及馬達3之方式配置有整流板6。整流板6固定於罩體底部54之內周部。該整流板6具有朝向外周部而向斜下方傾斜之傾斜面。
將處理液噴出至基板W上之處理液噴嘴9設置成可上下活動且可於基板W之上方位置與罩體5外之待機位置之間移動。於本實施形態中，處理液例如為顯影液。處理液可為清洗液，亦可為沖洗液(例如純水)，還可為用以於基板W上形成抗反射膜之藥液，又可為低黏度之光阻液。處理液較佳為具有較低之黏度(例如10 cP以下)，但並不限定於此。
處理液噴嘴9經由處理液供給管T1而與處理液供給源P1連接。於處理液供給管T1中插入有閥V1。藉由開放閥V1，而自處理液供給源P1通過處理液供給管T1向處理液噴嘴9供給處理液。
基板W係於被處理面朝向上方之狀態下藉由旋轉保持部1而以水平姿勢得到保持。於該狀態下，藉由旋轉保持部1使基板W旋轉，並且自處理液噴嘴9向基板W之被處理面之中央部噴出處理液。藉此，噴出至基板W之被處理面之中央部之處理液藉由隨著基板W之旋轉所產生之離心力而擴散至基板W之整個被處理面。
基板處理裝置100具備控制部12。控制部12對馬達3之旋轉速度進行控制。藉此，使藉由旋轉保持部1保持之基板W之旋轉速度得到控制。又，控制部12對閥V1之開閉進行控制。藉此，使處理液之噴出時序得到控制。進而，控制部12對氣缸10進行控制。藉此，使罩體5之上下方向之位置得到控制。
(2)罩體之詳細之構成
圖2係基板W已停止之狀態下的圖1之罩體5之A部之放大剖面圖。
如圖2所示，罩體中部51具有以朝向外周部而向斜下方傾斜之方式形成之圓環狀之下表面51a。罩體中部51之下表面51a相對於水平面之傾斜角度為θ1。於本實施形態中，傾斜角度θ1例如為5度以上20度以下。於罩體中部51之內周部，形成有向下方突出之突出緣51b。
罩體上部53具有以朝向外周部而向斜下方傾斜之方式形成之圓環狀之下表面53a。於罩體上部53之內周部，形成有向下方突出之突出緣53b。
罩體下部52具有：以於內周部側朝向外周部而向斜上方傾斜之方式形成之圓環狀之上表面52a，及於上表面52a之外側水平地延伸而形成之上表面52b。罩體下部52之上表面52a相對於水平面之傾斜角度為θ2。於本實施形態中，傾斜角度θ2例如為5度以上20度以下。
罩體中部51之下表面51a與罩體下部52之上表面52a、52b之間隔自基板W之外周部側朝向外側逐漸減少。又，於罩體中部51及罩體下部52之外周部，在罩體中部51之下表面51a與罩體下部52之上表面52b之間形成圓環狀之間隙S。罩體中部51與罩體下部52亦可構成為能夠分別獨立地於上下方向上移動。於該情形時，可調整間隙S之上下方向之長度。間隙S之上下方向之長度例如為1 mm~5 mm，於本實施形態中，為2 mm。
側壁部55具有以包圍罩體中部51及罩體下部52之外周部之方式形成之內周面55a。內周面55a係以與間隙S相隔且與間隙S對向之方式形成。
(3)效果
圖3係基板W旋轉之狀態下的圖1之罩體5之A部之放大剖面圖。如圖3所示，藉由使基板W旋轉，而使處理液自基板W之被處理面(上表面)朝上下方向具有幅度地，自基板W之外周部向外側飛散。罩體中部51之下表面51a與罩體 下部52之上表面52a之間隔於最接近基板W之位置處最大。藉此，自基板W之外周部向外側飛散之處理液於罩體中部51之下表面51a與罩體下部52之上表面52a、52b之間確實地得到捕獲。
被捕獲之處理液沿罩體中部51之下表面51a及罩體下部52之上表面52a、52b被朝向外側導引，藉此集中於外周部之間隙S處，並通過間隙S。通過間隙S之處理液由側壁部55之內周面55a擋住。藉由側壁部55之內周面55a而向間隙S之方向反濺之處理液藉由朝向外側並通過間隙S之處理液之流動而折回。藉此，防止暫時朝向外側並通過間隙S之處理液再次通過間隙S而返回至罩體中部51之下表面51a與罩體下部52之上表面52a、52b間之空間內。折回之處理液因重力下落至罩體底部54，並通過廢液口7而排出。
又，間隙S較罩體下部52之內周部側之上表面52a、52b與罩體中部51之內周部側之下表面51a之間之間隔窄。因此，更加確實地防止藉由側壁部55之內周面55a而反濺之處理液再次通過間隙S而返回至罩體下部52之上表面52a、52b與罩體中部51之下表面51a之間之空間內。
該等之結果為，可藉由罩體5充分地擋住自基板W向外側飛散之處理液，並且可防止由罩體5擋住之處理液反濺至基板W上。
又，附著於側壁部55之內周面55a上之處理液因重力下落至罩體底部54，並通過廢液口7而排出。
又，即便於處理液藉由側壁部55之內周面55a而向上方 擴散或上浮之情形時，該處理液亦會由支撐部56擋住。由支撐部56擋住之處理液因重力下落至罩體底部54，並通過廢液口7而排出。藉此，可確實地防止藉由側壁部55之內周面55a而向上方擴散或上浮之處理液之霧氣通過罩體中部51及罩體下部52之外周部與側壁部55之內周面55a之間之間隙以及罩體上部53之開口部530擴散至罩體5之外部。
因此，防止基板處理裝置100內被處理液之霧氣污染。又，即便於以與基板處理裝置100鄰接之方式配置其他基板處理裝置之情形時，亦可防止其他基板處理裝置中之基板因基板處理裝置100中所使用之處理液之霧氣而產生處理缺陷。
又，附著於罩體中部51之下表面51a上之處理液順著傾斜之下表面51a而向罩體5之外周部導引。就處理液而言，附著於罩體下部52之上表面52a上之處理液順著傾斜之上表面52a及上表面52b而向罩體5之外周部導引。
罩體中部51之下表面51a係以朝向外側相對於水平面向斜下方傾斜之方式形成。又，罩體下部52之上表面52a係以朝向外側相對於水平面向斜上方傾斜之方式形成。藉此，可容易地在罩體下部52之上表面52a、52b與罩體中部51之下表面51a之間捕獲自基板W向外側飛散之處理液。
於罩體中部51之下表面51a係以相對於水平面成為5度以上20度以下之角度之方式形成之情形時，可使自基板W向外側飛散之處理液更加確實地通過罩體中部51之下表面51a與罩體下部52之上表面52a、52b之間之間隙S，並且可 確實地防止碰到罩體中部51之下表面51a之處理液向基板W反濺。
於罩體下部52之上表面52a係以相對於水平面成為5度以上20度以下之角度之方式形成之情形時，可使自基板W向外側飛散之處理液確實地通過罩體中部51之下表面51a與罩體下部52之上表面52a、52b之間之間隙S，並且可確實地防止碰到罩體下部52之上表面52a之處理液向基板W反濺。
[2]第2實施形態
關於第2實施形態之罩體，針對其與第1實施形態之罩體5不同之點進行說明。圖4係具備第2實施形態之罩體之旋轉式基板處理裝置之概略剖面圖。
如圖4所示，本實施形態之罩體5具有複數個支撐部58而取代圖1之支撐部56。複數個支撐部58係以按照特定之間隔(例如90度之間隔)將側壁部55之內周面55a與罩體中部51之外周部連接之方式設置。藉此，於罩體中部51與側壁部55之內周面55a之間形成可供下降流(down flow)通過之複數個間隙。
於本實施形態中，亦可將圖4之罩體中部51之外周部與側壁部55之內周面55a之間之間隔設定為大於圖1之罩體中部51之外周部與側壁部55之內周面55a之間之間隔。同樣地，亦可將圖4之罩體下部52之外周部與側壁部55之內周面55a之間之間隔設定為大於圖1之罩體下部52之外周部與側壁部55之內周面55a之間之間隔。藉此，下降流可充分 地通過罩體中部51之外周部與側壁部55之內周面55a之間。
於本實施形態中，如圖4中箭頭所示，自罩體上部53之上部之開口部530流入之空氣依序通過罩體上部53與罩體中部51之間、罩體中部51與側壁部55之間、及罩體下部52與側壁部55之間而自罩體底部54之排氣口8流出。
圖5係基板W旋轉之狀態下的圖4之罩體5之B部之放大剖面圖。與第1實施形態之基板處理裝置100同樣地，藉由使基板W旋轉，而使處理液自基板W之被處理面(上表面)朝上下方向具有幅度地，自基板W之外周部向外側飛散。自基板W之外周部向外側飛散之處理液於罩體中部51之下表面51a與罩體下部52之上表面52a、52b之間確實地得到捕獲。
被捕獲之處理液沿罩體中部51之下表面51a及罩體下部52之上表面52a、52b向外側導引，藉此集中於外周部之間隙S處，並通過間隙S。通過間隙S之處理液由側壁部55之內周面55a擋住。藉此，於本實施形態中，亦與第1實施形態同樣地，可藉由罩體5充分地擋住自基板W向外側飛散之處理液，並且可防止由罩體5擋住之處理液反濺至基板W上。
於本實施形態中，如圖5中箭頭所示，下降流通過罩體中部51與側壁部55之間及罩體下部52與側壁部55之間。因此，即便於處理液藉由側壁部55之內周面55a而向上方擴散或上浮之情形時，該處理液亦會藉由下降流而向下方折 回。藉由下降流而向下方折回之處理液與下降流一併因重力而落下，並通過廢液口7而排出。藉此，可確實地防止藉由側壁部55之內周面55a而向上方擴散或上浮之處理液之霧氣通過罩體中部51及罩體下部52之外周部與側壁部55之內周面55a之間之間隙以及罩體上部53之開口部530擴散至罩體5之外部。
[3]其他實施形態
(1)於上述實施形態中，罩體中部51之下表面51a係朝向外周部而向斜下方直線狀地傾斜，但並不限定於此。罩體中部51之下表面51a亦可為朝向外周部而向斜下方曲線狀地傾斜。又，罩體下部52之上表面52a係朝向外周部而向斜上方直線狀地傾斜，但並不限定於此。罩體下部52之上表面52a亦可為朝向外周部而向斜上方曲線狀地傾斜。
(2)於上述實施形態中，罩體下部52之上表面52b為水平，但並不限定於此。罩體下部52之上表面52b亦可為朝向外周部而向斜上方直線狀或曲線狀地傾斜。
(3)於上述實施形態中，罩體中部51、罩體下部52、罩體上部53、罩體底部54及支撐部56具有大致圓環形狀，但並不限定於此。罩體中部51、罩體下部52、罩體上部53、罩體底部54及支撐部56亦可具有多邊形狀或橢圓狀等其他形狀。
(4)於上述實施形態中，在罩體5中設置有罩體上部53，但並不限定於此。於罩體5中亦可不設置罩體上部53。又，於罩體中部51上設置有突出緣51b，但並不限定於 此。於罩體中部51上亦可不設置突出緣51b。
[4]技術方案之各構成要素與實施形態之各部分之對應關係
以下，對技術方案之各構成要素與實施形態之各部分之對應之例進行說明，但本發明並不限定於下述之例。
於上述實施形態中，基板W為基板之例，罩體5為罩體之例，罩體下部52為第1構件之例，上表面52a、52b為上表面之例。罩體中部51為第2構件之例，下表面51a為下表面之例，側壁部55為第3構件之例，內周面55a為內面之例，間隙S為間隙之例，支撐部56為閉塞構件之例。基板處理裝置100為基板處理裝置之例，旋轉保持部1為旋轉保持部之例，處理液噴嘴9為處理液供給系統之例。
亦可使用具有技術方案中所記載之構成或功能之其他各種要素，作為技術方案之各構成要素。
1‧‧‧旋轉保持部
2‧‧‧旋轉軸
3‧‧‧馬達
4‧‧‧罩體支撐構件
5‧‧‧罩體
6‧‧‧整流板
7‧‧‧廢液口
8‧‧‧排氣口
9‧‧‧處理液噴嘴
10‧‧‧氣缸
11‧‧‧支撐框架
12‧‧‧控制部
51‧‧‧罩體中部
51a‧‧‧罩體中部之下表面
51b‧‧‧突出緣
52‧‧‧罩體下部
52a‧‧‧罩體下部之上表面
52b‧‧‧罩體下部之上表面
53‧‧‧罩體上部
53a‧‧‧罩體上部之下表面
53b‧‧‧突出緣
54‧‧‧罩體底部
55‧‧‧側壁部
55a‧‧‧側壁部之內周面
56‧‧‧支撐部
57‧‧‧支撐部
58‧‧‧支撐部
100‧‧‧基板處理裝置
510‧‧‧開口部
530‧‧‧開口部
P1‧‧‧處理液供給源
S‧‧‧間隙
T1‧‧‧處理液供給管
V1‧‧‧閥
W‧‧‧基板
θ1‧‧‧傾斜角度
θ2‧‧‧傾斜角度
圖1係具備第1實施形態之罩體之旋轉式基板處理裝置之概略剖面圖。
圖2係基板已停止之狀態下的圖1之罩體之A部之放大剖面圖。
圖3係基板旋轉之狀態下的圖1之罩體之A部之放大剖面圖。
圖4係具備第2實施形態之罩體之旋轉式基板處理裝置之概略剖面圖。
圖5係基板旋轉之狀態下的圖4之罩體之B部之放大剖面 圖。
5‧‧‧罩體
6‧‧‧整流板
7‧‧‧廢液口
8‧‧‧排氣口
51‧‧‧罩體中部
51a‧‧‧罩體中部之下表面
51b‧‧‧突出緣
52‧‧‧罩體下部
52a‧‧‧罩體下部之上表面
52b‧‧‧罩體下部之上表面
53‧‧‧罩體上部
53a‧‧‧罩體上部之下表面
53b‧‧‧突出緣
54‧‧‧罩體底部
55‧‧‧側壁部
55a‧‧‧側壁部之內周面
56‧‧‧支撐部
510‧‧‧開口部
530‧‧‧開口部
S‧‧‧間隙
W‧‧‧基板

Claims (11)

  1. 一種罩體，其係於對呈大致水平姿勢而保持之基板進行使用處理液之處理時以包圍基板之周圍之方式設置者，且包括：第1構件，其以包圍上述基板之周圍之方式配置且具有上表面；第2構件，其以包圍上述基板之周圍之方式配置於上述第1構件之上述上表面之上方且具有下表面；第3構件，其以包圍上述第1及第2構件之周圍之方式設置；及罩體支撐構件，其將上述第1、第2及第3構件不旋轉地予以支撐；上述第1及第2構件係以如下方式構成，即，上述上表面與上述下表面之間隔自上述基板之外周部側朝向外側逐漸減少，並且於上述第1及第2構件之外周部在上述上表面與上述下表面之間形成間隙，上述第3構件具有以於上述間隙之外側與上述間隙分離且包圍上述間隙之方式形成之內面；上述第1構件之上述上表面之內緣部係位在相較於上述第2構件之上述下表面之內緣部為外方之位置。
  2. 如請求項1之罩體，其中上述第3構件之上述內面係以自較上述間隙之下端更下方延伸至較上述間隙之上端更上方之方式形成。
  3. 如請求項1之罩體，其進而具備閉塞構件，該閉塞構件 於較上述間隙更上方處閉塞上述第2構件與上述第3構件之上述內面之間之間隙。
  4. 如請求項1之罩體，其中於上述第2構件之外周部與上述第3構件之上述內面之間形成可供下降流通過之間隙。
  5. 如請求項1之罩體，其中上述第1構件之上述上表面、上述第2構件之上述下表面、上述間隙及上述第3構件之上述內面具有以共同之軸為中心之旋轉對稱之形狀。
  6. 如請求項1之罩體，其中上述第2構件之上述下表面係以朝向外側相對於上述基板之上表面向斜下方傾斜之方式形成。
  7. 如請求項6之罩體，其中上述第2構件之上述下表面係以相對於上述基板之上表面成5度以上20度以下之角度之方式形成。
  8. 如請求項1之罩體，其中上述第1構件之上述上表面之至少內周部側之區域係以朝向外側相對於上述基板之上表面向斜上方傾斜之方式形成。
  9. 如請求項8之罩體，其中上述第1構件之上述上表面係以相對於上述基板之上表面成5度以上20度以下之角度之方式形成。
  10. 一種基板處理裝置，其係對基板進行處理者，且包括：旋轉保持部，其將基板以大致水平姿勢保持並使其旋轉；處理液供給系統，其向藉由上述旋轉保持部保持之基板上供給處理液；及 如請求項1之罩體，其係以包圍藉由上述旋轉保持部保持之基板之周圍之方式設置。
  11. 如請求項10之基板處理裝置，其中上述處理液之黏度為10cP以下。
TW101141198A 2011-11-30 2012-11-06 罩體與基板處理裝置 TWI581868B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011262718A JP5913937B2 (ja) 2011-11-30 2011-11-30 カップおよび基板処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201328790A TW201328790A (zh) 2013-07-16
TWI581868B true TWI581868B (zh) 2017-05-11

Family

ID=48465701

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101141198A TWI581868B (zh) 2011-11-30 2012-11-06 罩體與基板處理裝置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10160012B2 (zh)
JP (1) JP5913937B2 (zh)
KR (1) KR101764935B1 (zh)
TW (1) TWI581868B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10944669B1 (en) 2018-02-09 2021-03-09 GoTenna, Inc. System and method for efficient network-wide broadcast in a multi-hop wireless network using packet echos
JP7212767B2 (ja) * 2019-09-12 2023-01-25 キオクシア株式会社 基板処理装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5778636A (en) * 1980-10-31 1982-05-17 Fujitsu Ltd Spin coater
JPS63229168A (ja) * 1987-03-18 1988-09-26 Hitachi Ltd 塗布装置
US5762709A (en) * 1995-07-27 1998-06-09 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate spin coating apparatus
JP2000082647A (ja) * 1998-09-04 2000-03-21 Nec Corp レジスト膜の塗布方法及び塗布装置
US20070240824A1 (en) * 2006-04-18 2007-10-18 Tokyo Electron Limited Liquid processing apparatus

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01308026A (ja) * 1988-06-07 1989-12-12 Toshiba Corp 薬液塗布装置
JP2908224B2 (ja) 1993-12-20 1999-06-21 大日本スクリーン製造株式会社 回転式塗布装置
JPH0945750A (ja) 1995-07-26 1997-02-14 Hitachi Ltd 板状物保持部材およびそれを用いた回転処理装置
JPH09225376A (ja) 1996-02-26 1997-09-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 回転式基板処理装置用カップ
JPH1140484A (ja) 1997-07-22 1999-02-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd ノズルキャップ、基板処理装置用カップおよび排液配管
JP3636605B2 (ja) 1998-12-25 2005-04-06 大日本スクリーン製造株式会社 回転式塗布装置
JP3281328B2 (ja) 1999-04-15 2002-05-13 大日本スクリーン製造株式会社 回転塗布装置
JP4426036B2 (ja) * 1999-12-02 2010-03-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP2001319849A (ja) 2000-05-08 2001-11-16 Tokyo Electron Ltd 液処理装置及び液処理方法
US6827814B2 (en) 2000-05-08 2004-12-07 Tokyo Electron Limited Processing apparatus, processing system and processing method
JP2003047903A (ja) * 2001-08-08 2003-02-18 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置及びその整流板
JP3853699B2 (ja) 2001-08-20 2006-12-06 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
US6596082B2 (en) * 2001-11-30 2003-07-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Dual cup spin coating system
JP5485672B2 (ja) 2009-12-07 2014-05-07 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置および基板処理方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5778636A (en) * 1980-10-31 1982-05-17 Fujitsu Ltd Spin coater
JPS63229168A (ja) * 1987-03-18 1988-09-26 Hitachi Ltd 塗布装置
US5762709A (en) * 1995-07-27 1998-06-09 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate spin coating apparatus
JP2000082647A (ja) * 1998-09-04 2000-03-21 Nec Corp レジスト膜の塗布方法及び塗布装置
US20070240824A1 (en) * 2006-04-18 2007-10-18 Tokyo Electron Limited Liquid processing apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
JP2013111561A (ja) 2013-06-10
KR20130061087A (ko) 2013-06-10
KR101764935B1 (ko) 2017-08-03
TW201328790A (zh) 2013-07-16
US20130133708A1 (en) 2013-05-30
JP5913937B2 (ja) 2016-05-11
US10160012B2 (en) 2018-12-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI574301B (zh) Liquid handling device
KR101947193B1 (ko) 처리 컵 및 기판 처리 장치
TWI540001B (zh) Substrate processing device
TWI757316B (zh) 液體處理裝置及液體處理方法
TW200807540A (en) Liquid processing apparatus and method
TWI631640B (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
TWI656913B (zh) 基板處理裝置
TWI581868B (zh) 罩體與基板處理裝置
JP4933945B2 (ja) 液処理装置
JP5036415B2 (ja) 液処理装置および液処理方法
JP6482402B2 (ja) 枚葉式ウェーハ洗浄処理装置及びウェーハ洗浄方法
JP4912020B2 (ja) 液処理装置
JP4805051B2 (ja) 液処理装置
JP2004235216A (ja) 基板処理装置及び方法
TWI525681B (zh) 基板處理裝置
TWI388377B (zh) 旋轉杯式塗佈裝置
JPH10309509A (ja) 回転式基板処理装置および基板処理方法
JP2018056151A (ja) 基板処理装置
JP2010003816A (ja) ウェーハ洗浄装置
TWI748279B (zh) 基板處理裝置
JP7339150B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法
JP2019079999A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2007134367A (ja) 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
JP2006326536A (ja) 回転式ウェハ処理装置
KR20160127539A (ko) 기판 처리 장치