TWI559063B - Liquid crystal display device - Google Patents

Description

液晶顯示裝置 【相關申請案】

本申請案係基於2013年3月14日申請之日本專利申請案第2013-052443號主張優先權之利益；該案之全部內容係以引用之方式併入本文中。

本發明之實施形態係關於一種液晶顯示裝置。

近年來，於對各像素組裝開關元件之主動矩陣型液晶顯示裝置中，利用IPS(In-Plane Switching：平面內切換)模式或FFS(Fringe Field Switching：邊緣場切換)模式等之橫向電場(亦包含邊緣電場)之構造已被實用化。此種橫向電場模式之液晶顯示裝置係具備形成於陣列基板之像素電極與對向電極，且以相對於陣列基板之主表面大致平行之橫向電場開關液晶分子。

針對此種橫向電場模式，亦提出有一種於形成於陣列基板之像素電極、與形成於對向基板之對向電極之間，形成橫向電場或傾斜電場，而開關液晶分子之技術。其中，亦提出有一種組合十字形狀之像素電極或I字形狀之像素電極、與源極配線上之共通電極，而形成橫向電場或傾斜電場之技術。

2‧‧‧驅動IC晶片

4‧‧‧背光源

10‧‧‧第1絕緣基板

10B‧‧‧外表面

11‧‧‧第1絕緣膜

12‧‧‧第2絕緣膜

13‧‧‧第3絕緣膜

14‧‧‧第4絕緣膜

20‧‧‧第2絕緣基板

20A‧‧‧內表面

20B‧‧‧外表面

ACT‧‧‧主動區域

AL1‧‧‧第1配向膜

AL2‧‧‧第2配向膜

AP‧‧‧開口部

AR‧‧‧陣列基板

AX1‧‧‧第1偏光軸

AX2‧‧‧第2偏光軸

BM‧‧‧黑色矩陣

C(C1~Cn)‧‧‧輔助電容線

CA1‧‧‧第1主共通電極

CA2‧‧‧第2主共通電極

CA3‧‧‧第3主共通電極

CAL1‧‧‧第1主共通電極

CAL2‧‧‧第2主共通電極

CAL3‧‧‧第3主共通電極

CAR1‧‧‧第1主共通電極

CAR2‧‧‧第2主共通電極

CAR3‧‧‧第3主共通電極

CB1‧‧‧第1副共通電極

CB2‧‧‧第2副共通電極

CB3‧‧‧第3副共通電極

CBB1‧‧‧第1副共通電極

CBB2‧‧‧第2副共通電極

CBB3‧‧‧第3副共通電極

CBU1‧‧‧第1副共通電極

CBU2‧‧‧第2副共通電極

CBU3‧‧‧第3副共通電極

CE‧‧‧共通電極

CE1‧‧‧第1共通電極

CE2‧‧‧第2共通電極

CE3‧‧‧第3共通電極

CF‧‧‧彩色濾光片

Cs‧‧‧保持電容

CT‧‧‧對向基板

G(G1~Gn)‧‧‧閘極配線

GD‧‧‧閘極驅動器

LPN‧‧‧液晶顯示面板

LQ‧‧‧液晶層

OC‧‧‧保護層

OD1‧‧‧第1光學元件

OD2‧‧‧第2光學元件

PA1‧‧‧第1主像素電極

PA2‧‧‧第2主像素電極

PB1‧‧‧第1副像素電極

PB2‧‧‧第2副像素電極

PD1‧‧‧第1配向處理方向

PD2‧‧‧第2配向處理方向

PE‧‧‧像素電極

PE1‧‧‧第1像素電極

PE2‧‧‧第2像素電極

PL1‧‧‧第1偏光板

PL2‧‧‧第2偏光板

PX‧‧‧像素

S(S1~Sm)‧‧‧源極配線

SD‧‧‧源極驅動器

SW‧‧‧開關元件

VCS‧‧‧電壓施加部

VS‧‧‧供電部

X‧‧‧第1方向

Y‧‧‧第2方向

圖1係概略性顯示本實施形態之液晶顯示裝置之構成及等效電路之圖。

圖2係概略性顯示自對向基板側觀察圖1所示之陣列基板AR時之一像素PX之構成例之俯視圖。

圖3係概略性顯示圖1所示之對向基板CT之一像素PX之構造例之俯視圖。

圖4係概略性顯示以圖3之A-B線切斷之液晶顯示面板LPN之剖面構造之剖面圖。

圖5係概略性顯示以圖3之C-D線切斷之液晶顯示面板LPN之剖面構造之剖面圖。

圖6A係概略性顯示自對向基板側觀察圖1所示之陣列基板AR時之一像素PX之另一構成例之俯視圖。

圖6B係概略性顯示以圖6A之A-B線切斷之液晶顯示面板LPN之剖面構造之剖面圖。

圖7係概略性顯示自對向基板側觀察圖1所示之陣列基板AR時之一像素PX之另一構成例之俯視圖。

圖8係概略性顯示以圖7之E-F線切斷之液晶顯示面板LPN之剖面構造之剖面圖。

圖9係概略性顯示自對向基板側觀察圖1所示之陣列基板AR時之一像素PX之另一構成例之俯視圖。

圖10係概略性顯示變化例之液晶顯示面板LPN之剖面構造之剖面圖。

根據本實施形態，提供一種液晶顯示裝置，其包含：第1基板，其具備：閘極配線，其於第1方向延伸；源極配線，其於與第1方向交叉之第2方向延伸；開關元件，其與上述閘極配線及上述源極配線電性連接；第1層間絕緣膜，其位於上述閘極配線及上述源極配線之上方；第1共通電極，其包含於上述第1層間絕緣膜上沿 著上述閘極配線延伸之第1副共通電極；第2層間絕緣膜，其覆蓋上述第1共通電極；像素電極，其包含於上述第2層間絕緣膜上於第2方向延伸之第1主像素電極，且與上述開關元件電性連接；及第2共通電極，其包含於上述第2層間絕緣膜上與上述第1副共通電極平行延伸之第2副共通電極，且與上述第1共通電極同電位；且上述第1副共通電極係較與上述閘極配線重疊之位置位於更靠近上述像素電極側，上述第2副共通電極與上述閘極配線對向；第2基板，其具備：第3共通電極，其包含於第2方向延伸之第3主共通電極及與上述第2副共通電極對向之第3副共通電極，且與上述第2共通電極同電位；及液晶層，其係保持於上述第1基板與上述第2基板之間。

又，根據本實施形態，提供一種液晶顯示裝置，其包含：第1基板，其具備：第1閘極配線及第2閘極配線，其分別於第1方向延伸；第1源極配線及第2源極配線，其分別於與第1方向交叉之第2方向延伸；開關元件，其與上述第1閘極配線及上述第1源極配線電性連接；第1層間絕緣膜，其位於上述第1閘極配線、上述第2閘極配線、上述第1源極配線、及上述第2源極配線之上方；格子狀之第1共通電極，其於上述第1層間絕緣膜上沿著上述第1閘極配線、上述第2閘極配線、上述第1源極配線、及上述第2源極配線之各者延伸；第2層間絕緣膜，其覆蓋上述第1共通電極；像素電極，其包含於上述第2層間絕緣膜上於第2方向延伸之第1主像素電極，且與上述開關元件電性連接；及第2共通電極，其於上述第2層間絕緣膜上與上述第1共通電極平行延伸之格子狀，且與上述第1共通電極同電位；且上述第1共通電極具有位於較與上述第1閘極配線重疊之位置更靠近上述像素電極側之第1區段及位於較與上述第2閘極配線重疊之位置更靠近上述像素電極側之第2區段，上述第2共通電極具有與上述第1閘極配線對向 之第3區段及與上述第2閘極配線對向之第4區段；第2基板，其係具備：第3共通電極，其係與上述第2共通電極對向之格子狀，且與上述第2共通電極同電位；及液晶層，其係保持於上述第1基板與上述第2基板之間。

又，根據本實施形態，提供一種液晶顯示裝置，其包含：第1基板，其具備：第1閘極配線及第2閘極配線，其分別於第1方向延伸；第1源極配線及第2源極配線，其分別於與第1方向交叉之第2方向延伸；開關元件，其與上述第1閘極配線及上述第1源極配線電性連接；第1層間絕緣膜，其位於上述第1閘極配線、上述第2閘極配線、上述第1源極配線、及上述第2源極配線之上方；格子狀之第1共通電極，其於上述第1層間絕緣膜上沿著上述第1閘極配線、上述第2閘極配線、上述第1源極配線、及上述第2源極配線之各者延伸；第2層間絕緣膜，其覆蓋上述第1共通電極；像素電極，其包含於上述第2層間絕緣膜上於第2方向延伸之第1主像素電極，且與上述開關元件電性連接；及第2共通電極，其係於上述第2層間絕緣膜上與上述第1共通電極平行延伸之格子狀，且與上述第1共通電極同電位；且上述第1共通電極具有位於較與上述第1閘極配線重疊之位置更靠近上述像素電極側之第1區段及位於較與上述第2閘極配線重疊之位置更靠近上述像素電極側之第2區段，上述第2共通電極具有與上述第1閘極配線對向之第3區段及與上述第2閘極配線對向之第4區段；第2基板，其與上述第1基板對向而配置；及液晶層，其保持於上述第1基板與上述第2基板之間。

以下，對本實施形態，一面參照圖式一面進行詳細說明。另，於各圖中，對發揮相同或類似功能之構成要件係附註相同之參照符號，且省略重複之說明。

圖1係概略性顯示本實施形態之液晶顯示裝置之構成及等效電路 之圖。

液晶顯示裝置具備主動矩陣型之液晶顯示面板LPN。液晶顯示面板LPN具備第1基板即陣列基板AR、與陣列基板AR對向配置之第2基板即對向基板CT、及保持於陣列基板AR與對向基板CT之間之液晶層LQ。液晶顯示面板LPN具備顯示圖像之主動區域ACT。主動區域ACT係藉由m×n個配置成矩陣狀之複數個像素PX而構成(其中，m及n為正整數)。

液晶顯示面板LPN係於主動區域ACT中，具備閘極配線G(G1~Gn)、輔助電容線C(C1~Cn)、源極配線S(S1~Sm)等。閘極配線G例如相當於沿著第1方向X大致直線延伸之信號配線。閘極配線G及輔助電容線C沿著與第1方向X交叉之第2方向Y空出間隔而鄰接，且交替並排配置。此處，第1方向X與第2方向Y彼此正交。源極配線S與閘極配線G及輔助電容線C交叉。源極配線S相當於沿著第2方向Y大致直線延伸之信號配線。另，閘極配線G、輔助電容線C、及源極配線S未必直線延伸，亦可使該等之一部分彎曲。

各閘極配線G係引出至主動區域ACT之外側，連接於閘極驅動器GD。各源極配線S係引出至主動區域ACT之外側，連接於源極驅動器SD。閘極驅動器GD及源極驅動器SD之至少一部分係例如形成於陣列基板AR。閘極驅動器GD及源極驅動器SD係與內置控制器之驅動IC晶片2連接。

各像素PX具備開關元件SW、像素電極PE、共通電極CE等。保持電容Cs形成於例如輔助電容線C與像素電極PE之間。輔助電容線C與施加輔助電容電壓之電壓施加部VCS電性連接。

另，於本實施形態中，液晶顯示面板LPN係像素電極PE形成於陣列基板AR，另一方面，共通電極CE之至少一部分形成於對向基板CT之構成，主要利用形成於該等像素電極PE與共通電極CE之間之電場 開關液晶層LQ之液晶分子。形成於像素電極PE與共通電極CE之間之電場係相對於由第1方向X與第2方向Y所規定之X-Y平面(或基板主表面)略微傾斜之傾斜電場(或與基板主表面大致平行之橫電場)。

開關元件SW係例如由n通道薄膜電晶體(TFT)構成。開關元件SW與閘極配線G及源極配線S電性連接。開關元件SW可為頂閘極型或底閘極型之任一者。又，開關元件SW之半導體層係例如由多晶矽形成，亦可由非晶矽等形成。

像素電極PE配置於各像素PX，電性連接於開關元件SW。共通電極CE係例如共通電位，介隔液晶層LQ對於複數個像素PX之像素電極PE而共通配置。像素電極PE及共通電極CE例如可由銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)等之透明之導電材料形成，亦可由鋁(Al)、鈦(Ti)、銀(Ag)、鉬(Mo)、鎢(W)、銅(Cu)、鉻(Cr)等之不透明配線材料形成。

陣列基板AR具備用以對共通電極CE施加電壓之供電部VS。該供電部VS係例如形成於主動區域ACT之外側。共通電極CE係引出至主動區域ACT之外側，經由未圖示之導電構件而與供電部VS電性連接。

接著，對配置於主動區域之一像素之構成例進行說明。

圖2係概略性顯示自對向基板側觀察圖1所示之陣列基板AR時之一像素PX之構成例之俯視圖。此處，顯示X-Y平面之俯視圖。

陣列基板AR具備閘極配線G1、閘極配線G2、輔助電容線C1、源極配線S1、源極配線S2、包含於像素電極PE之第1像素電極PE1、第1配向膜AL1等。於圖示之例中，陣列基板AR進而具備包含於共通電極CE之第1共通電極CE1及第2共通電極CE2。

閘極配線G1及閘極配線G2係沿著第2方向Y空出間隔而配置，且分別沿著第1方向X延伸。輔助電容線C1位於閘極配線G1與閘極配線 G2之間，且沿著第1方向X延伸。於圖示之例中，輔助電容線C1位於閘極配線G1與閘極配線G2之大致中間。即，閘極配線G1及輔助電容線C1之沿著第2方向Y之間隔係與閘極配線G2及輔助電容線C1之沿著第2方向Y之間隔大致同等。源極配線S1及源極配線S2係沿著第1方向X空出間隔而配置，且分別沿著第2方向Y延伸。像素電極PE係位於鄰接之源極配線S1與源極配線S2之間。又，像素電極PE係位於鄰接之閘極配線G1與閘極配線G2之間。

於圖示之例中，像素PX係如圖中之虛線所示，相當於閘極配線G1及閘極配線G2與源極配線S1及源極配線S2所成之方格之區域，且沿著第1方向X之長度較沿著第2方向Y之長度短之長方形狀。像素PX之沿著第1方向X之長度相當於源極配線S1與源極配線S2之沿著第1方向X之間距，像素PX之沿著第2方向Y之長度相當於閘極配線G1與閘極配線G2之沿著第2方向Y之間距。

於圖示之像素PX中，源極配線S1係位於左側端部且跨及該像素PX與鄰接於其左側之像素之邊界而配置，源極配線S2係位於右側端部且跨及該像素PX與鄰接於其右側之像素之邊界而配置，閘極配線G1係位於上側端部且跨及該像素PX與鄰接於其上側之像素之邊界而配置，閘極配線G2係位於下側端部且跨及該像素PX與鄰接於其下側之像素之邊界而配置。輔助電容線C1係配置於像素PX之大致中央部。

雖未圖示，但開關元件係例如電性連接於閘極配線G1及源極配線S1。開關元件之半導體層係通過源極配線S1之下方之位置，與閘極配線G1交叉，而延伸至輔助電容線C1之下方。開關元件之源極電極相當於源極配線S1中與半導體層接觸之區域。開關元件之閘極電極相當於閘極配線G1中與半導體層交叉之區域。開關元件之汲極電極係與延伸至輔助電容線C1之下方之半導體層接觸。

第1像素電極PE1具備第1主像素電極PA1及第1副像素電極PB1。第1主像素電極PA1及第1副像素電極PB1係一體或連續地形成，且彼此電性連接。第1主像素電極PA1係位於源極配線S1與源極配線S2之大致中間，且沿著第2方向Y直線延伸至像素PX之上側端部附近及下側端部附近。即，源極配線S1及第1主像素電極PA1之沿著第1方向X之間隔係與源極配線S2及第1主像素電極PA1之沿著第1方向X之間隔大致同等。第1主像素電極PA1係形成為沿著第1方向X具有大致相同寬度之帶狀。第1副像素電極PB1係位於閘極配線G1與閘極配線G2之大致中間，且沿著第1方向X直線延伸至像素PX之左側端部附近及右側端部附近。即，第1副像素電極PB1係位於像素PX之大致中央部，且配置於與輔助電容線C1重疊之位置，並於第1主像素電極PA1之沿著第2方向Y之中間部交叉。換言之，此處所示之第1像素電極PE1係形成為十字形狀。第1副像素電極PB1雖形成為沿著第2方向Y具有大致相同寬度之帶狀，但其形狀並不限於圖示之例。第1像素電極PE1係藉由與輔助電容線C1重疊之位置之第1副像素電極PB1與開關元件電性連接。

第1共通電極CE1具備第1主共通電極CA1及第1副共通電極CB1。第1主共通電極CA1及第1副共通電極CB1係一體或連續地形成，且彼此電性連接。第1主共通電極CA1係沿著第2方向Y延伸，第1副共通電極CB1係沿著第1方向X延伸。即，第1共通電極CE1係藉由第1主共通電極CA1及第1副共通電極CB1，形成為區劃像素PX之格子狀。

第1主共通電極CA1係沿著源極配線S延伸。第1主共通電極CA1係於X-Y平面內，位於夾著第1主像素電極PA1之兩側。第1主共通電極CA1係形成為沿著第1方向X具有大致相同寬度之帶狀。第1主共通電極CA1之沿著第1方向X之電極寬度例如大於源極配線S之沿著第1方向X之線寬。於圖示之例中，第1主共通電極CA1具有位於像素PX之 左側端部且跨及該像素PX與鄰接於其左側之像素之邊界而配置之第1主共通電極CAL1、及位於像素PX之右側端部且跨及該像素PX與鄰接於其右側之像素之邊界而配置之第1主共通電極CAR1。第1主共通電極CAL1係與源極配線S1對向，第1主共通電極CAR1係與源極配線S2對向。第1主共通電極CAL1係配置於與源極配線S1重疊之位置且於第1像素電極PE1側延伸。第1主共通電極CAR1係配置於與源極配線S2重疊之位置且於第1像素電極PE1側延伸。

第1副共通電極CB1係沿著閘極配線G延伸。第1副共通電極CB1係形成為帶狀。第1副共通電極CB1係較與閘極配線G重疊之位置配置於更靠近第1像素電極PE1之側。於圖示之例中，第1副共通電極CB1具有位於像素PX之上側端部沿著閘極配線G1延伸且較與閘極配線G1重疊之位置位於更靠近第1像素電極PE1之側之第1副共通電極(第1區段)CBU1、及位於像素PX之下側端部沿著閘極配線G2延伸且較與閘極配線G2重疊之位置位於更靠近第1像素電極PE1之側之第1副共通電極(第2區段)CBB1。另，第1副共通電極CBU1之一部分亦可於與閘極配線G1重疊之位置延伸，第1副共通電極CBB1之一部分亦可於與閘極配線G2重疊之位置延伸。

第2共通電極CE2具備第2主共通電極CA2及第2副共通電極CB2。第2主共通電極CA2及第2副共通電極CB2係一體或連續地形成，且彼此電性連接。第2主共通電極CA2係沿著第2方向Y延伸，第2副共通電極CB2係沿著第1方向X延伸。即，第2共通電極CE2係藉由第2主共通電極CA2及第2副共通電極CB2，形成為區劃像素PX之格子狀。第1共通電極CE1及第2共通電極CE2與第1像素電極PE1隔開，包圍第1像素電極PE1。第1共通電極CE1及第2共通電極CE2係彼此電性連接，且同電位，於主動區域ACT之外側連接於供電部VS。

第2主共通電極CA2係位於源極配線S之上方，且與第1主共通電 極CA1平行而延伸。第2主共通電極CA2係於X-Y平面內，位於夾著第1主像素電極PA1之兩側。第2主共通電極CA2係形成為沿著第1方向X具有大致相同寬度之帶狀。第2主共通電極CA2之沿著第1方向X之電極寬度例如小於源極配線S之沿著第1方向X之線寬。於圖示之例中，第2主共通電極CA2具有位於像素PX之左側端部且跨及該像素PX與鄰接於其左側之像素之邊界而配置之第2主共通電極CAL2、及位於像素PX之右側端部且跨及該像素PX與鄰接於其右側之像素之邊界而配置之第2主共通電極CAR2。第2主共通電極CAL2係與第1主共通電極CAL1對向，第2主共通電極CAR2係與第1主共通電極CAR1對向。

第2副共通電極CB2係與閘極配線G對向，且與第1副共通電極CB1平行而延伸。第2副共通電極CB2係形成為沿著第2方向Y具有大致相同寬度之帶狀。第2副共通電極CB2之沿著第2方向Y之電極寬度例如小於閘極配線G之沿著第2方向Y之線寬。於圖示之例中，第2副共通電極CB2具有位於像素PX之上側端部，沿著閘極配線G1延伸且與閘極配線G1對向之第2副共通電極(第3區段)CBU2、及位於像素PX之下側端部，沿著閘極配線G2延伸且與閘極配線G2對向之第2副共通電極(第4區段)CBB2。

若著眼於第1像素電極PE1與第1共通電極CE1之位置關係，則於X-Y平面內，第1主像素電極PA1與第1主共通電極CA1係彼此大致平行，且沿著第1方向X交替配置。第1像素電極PE1具有位於沿著第1方向X空出間隔而鄰接之第1主共通電極CAL1及第1主共通電極CAR1之間(或鄰接之源極配線間)之1條第1主像素電極PA1。

於陣列基板AR中，第1像素電極PE1及第2共通電極CE2係由第1配向膜AL1覆蓋。於第1配向膜AL1，為使液晶層LQ之液晶分子初始配向，而沿著第1配向處理方向PD1進行配向處理。第1配向處理方向PD1係與第2方向Y大致平行。

圖3係概略性顯示圖1所示之對向基板CT之一像素PX之構造例之俯視圖。此處顯示X-Y平面之俯視圖。另，此處僅圖示說明所需之構成，又，以虛線僅顯示陣列基板之第1像素電極PE1及第2共通電極CE2。

對向基板CT具備共通電極CE之一部分即第3共通電極CE3。第3共通電極CE3具備第3主共通電極CA3及第3副共通電極CB3。第3主共通電極CA3及第3副共通電極CB3係一體或連續地形成，且彼此電性連接。第3主共通電極CA3係沿著第2方向Y延伸，第3副共通電極CB3係沿著第1方向X延伸。即，第3共通電極CE3係由第3主共通電極CA3及第3副共通電極CB3，形成為區劃像素PX之格子狀。又，第3共通電極CE3係例如於主動區域之外側等，與第1共通電極CE1及第2共通電極CE2電性連接，且與第1共通電極CE1及第2共通電極CE2同電位。

第3主共通電極CA3係與第2主共通電極CA2對向，且與第2主共通電極CA2平行延伸。第3主共通電極CA3係形成為沿著第1方向X具有大致相同寬度之帶狀。第3主共通電極CA3之寬度係與第2主共通電極CA2之寬度同等，例如小於源極配線S之寬度。於圖示之例中，第3主共通電極CA3係具有位於像素PX之左側端部且跨及該像素PX與鄰接於其左側之像素之邊界而配置之第3主共通電極CAL3、及位於像素PX之右側端部且跨及該像素PX與鄰接於其右側之像素之邊界而配置之第3主共通電極CAR3。第3主共通電極CAL3係與第2主共通電極CAL2對向，第3主共通電極CAR3係與第2主共通電極CAR2對向。

第3副共通電極CB3係與第2副共通電極CB2對向，且與第2副共通電極CB2平行延伸。第3副共通電極CB3係形成為沿著第2方向Y具有大致相同寬度之帶狀。第3副共通電極CB3之寬度與第2副共通電極CB2之寬度同等，例如小於閘極配線G之寬度。於圖示之例中，第3副共通電極CB3具有位於像素PX之上側端部且跨及該像素PX與鄰接於 其上側之像素之邊界而配置之第3副共通電極CBU3、及位於像素PX之下側端部且跨及該像素PX與鄰接於其下側之像素之邊界而配置之第3副共通電極CBB3。第3副共通電極CBU3係與第1副共通電極CBU1對向，第3副共通電極CBB3係與第1副共通電極CBB1對向。

於對向基板CT中，第3共通電極CE3係由第2配向膜AL2覆蓋。於第2配向膜AL2，為使液晶層LQ之液晶分子初始配向，而沿著第2配向處理方向PD2進行配向處理。第2配向處理方向PD2係與第1配向處理方向PD1平行。於圖示之例中，第2配向處理方向PD2與第1配向處理方向PD1為相同方向。另，第1配向處理方向PD1及第2配向處理方向PD2可為彼此反向之方向，亦可均為相同方向但與圖示之例反向即為自閘極配線G2朝向閘極配線G1之側。

圖4係概略性顯示以圖3之A-B線切斷之液晶顯示面板LPN之剖面構造之剖面圖。圖5係概略性顯示以圖3之C-D線切斷之液晶顯示面板LPN之剖面構造之剖面圖。另，此處僅圖示說明所需之部位。

於構成液晶顯示面板LPN之陣列基板AR之背面側，配置背光源4。作為背光源4，可應用各種形態，對詳細之構造省略說明。

陣列基板AR係使用具有光透射性之第1絕緣基板10而形成。陣列基板AR係於第1絕緣基板10之內側、即於與對向基板CT對向之側，具備閘極配線G1、閘極配線G2、輔助電容線C1、源極配線S1、源極配線S2、第1像素電極PE1、第1共通電極CE1、第2共通電極CE2、第1絕緣膜11、第2絕緣膜12、第3絕緣膜13、第4絕緣膜14、第1配向膜AL1等。

未圖示之開關元件之半導體層係形成於第1絕緣基板10與第1絕緣膜11之間。輔助電容線C1、閘極配線G1及閘極配線G2係形成於第1絕緣膜11上，且由第2絕緣膜12覆蓋。源極配線S1及源極配線S2係形成於第2絕緣膜12上，且由第3絕緣膜13覆蓋。第3絕緣膜13係相當於 位於閘極配線G1及閘極配線G2、源極配線S1及源極配線S2之上方之第1層間絕緣膜。

第1共通電極CE1之第1主共通電極CAL1、第1主共通電極CAR1、第1副共通電極CBU1、及第1副共通電極CBB1係形成於第3絕緣膜13之上，且由第4絕緣膜14覆蓋。第4絕緣膜14係相當於覆蓋第1共通電極CE1之第2層間絕緣膜。第3絕緣膜13及第4絕緣膜14係例如由透明之樹脂材料或矽氮化物等之無機系材料形成。第1主共通電極CAL1係介隔第3絕緣膜13而與源極配線S1對向，第1主共通電極CAR1係介隔第3絕緣膜13而與源極配線S2對向。第1副共通電極CBU1係形成於自閘極配線G1之正上方之位置偏移之位置，第1副共通電極CBB1係形成於自閘極配線G2之正上方之位置偏移之位置。

第1像素電極PE1之第1主像素電極PA1及第1副像素電極PB1、或第2共通電極CE2之第2主共通電極CAL2、第2主共通電極CAR2、第2副共通電極CBU2、及第2副共通電極CBB2係形成於第4絕緣膜14之上，且由第1配向膜AL1覆蓋。第1主像素電極PA1係位於第2主共通電極CAL2與第2主共通電極CAR2之間。第1副像素電極PB1係位於第2副共通電極CBU2與第2副共通電極CBB2之間，且介隔第2絕緣膜12、第3絕緣膜13、及第4絕緣膜14而與輔助電容線C1對向。第2主共通電極CAL2係位於源極配線S1之上方，且介隔第4絕緣膜14而與第1主共通電極CAL1對向。第2主共通電極CAR2係位於源極配線S2之上方，且介隔第4絕緣膜14而與第1主共通電極CAR1對向。第2副共通電極CBU2係介隔第2絕緣膜12、第3絕緣膜13、及第4絕緣膜14而與閘極配線G1對向。第2副共通電極CBB2係介隔第2絕緣膜12、第3絕緣膜13、及第4絕緣膜14而與閘極配線G2對向。

第1配向膜AL1係配置於陣列基板AR之與對向基板CT對向之面，且跨及主動區域ACT之大致整體而延伸。第1配向膜AL1係覆蓋第1像 素電極PE1及第2共通電極CE2，亦配置於第4絕緣膜14之上。第1配向膜AL1係由顯示水平配向性之材料而形成。

對向基板CT係使用具有光透射性之第2絕緣基板20而形成。對向基板CT係於第2絕緣基板20之內側、即與陣列基板AR對向之側，具備黑色矩陣BM、彩色濾光片CF、保護層OC、第3共通電極CE3、第2配向膜AL2等。

黑色矩陣BM係形成於第2絕緣基板20之與陣列基板AR對向之內表面20A，且區劃各像素PX，並形成與第1像素電極PE1對向之開口部AP。即，黑色矩陣BM係以與源極配線S、閘極配線G、開關元件SW等之配線部對向之方式配置。於此處所示之例中，黑色矩陣BM具備位於源極配線S1及源極配線S2之上方且沿著第2方向Y延伸之部分、及位於閘極配線G1及閘極配線G2之上方且沿著第1方向X延伸之部分，形成為格子狀。

彩色濾光片CF係與各像素PX對應而配置。即，彩色濾光片CF係於第2絕緣基板20之內表面20A配置於由黑色矩陣BM所區劃之內側(開口部AP)，且其一部分覆蓋住黑色矩陣BM。分別配置於沿第1方向X鄰接之像素PX之彩色濾光片CF係彼此顏色不同。例如，彩色濾光片CF係藉由分別著色成紅色、藍色、綠色之3原色之樹脂材料而形成。包含著色成紅色之樹脂材料之紅色彩色濾光片係與紅色像素對應而配置。包含著色成藍色之樹脂材料之藍色彩色濾光片係與藍色像素對應而配置。包含著色成綠色之樹脂材料之綠色彩色濾光片係與綠色像素對應而配置。彩色濾光片CF彼此之邊界係位於與黑色矩陣BM重疊之位置。

保護層OC係覆蓋彩色濾光片CF。保護層OC係緩和彩色濾光片CF之表面凹凸之影響。保護層OC係例如由透明之樹脂材料而形成。

第3共通電極CE3之第3主共通電極CAL3、第3主共通電極 CAR3、第3副共通電極CBU3及第3副共通電極CBB3係形成於保護層OC之與陣列基板AR對向之側，且均位於黑色矩陣BM之下方。第3主共通電極CAL3係位於源極配線S1之上方，且與第2主共通電極CAL2對向。第3主共通電極CAR3係位於源極配線S2之上方，且與第2主共通電極CAR2對向。第3副共通電極CBU3係位於閘極配線G1之上方，且與第2副共通電極CBU2對向。第3副共通電極CBB3係位於閘極配線G2之上方，且與第2副共通電極CBB2對向。於開口部AP中，第1像素電極PE1、第1共通電極CE1、第2共通電極CE2、及第3共通電極CE3之間之區域均相當於可透射背光源光之透射區域。

第2配向膜AL2係配置於對向基板CT之與陣列基板AR對向之面，且跨及主動區域ACT之大致整體而延伸。第2配向膜AL2係覆蓋第3共通電極CE3或保護層OC。第2配向膜AL2係由顯示水平配向性之材料而形成。

如上述之陣列基板AR與對向基板CT係以使各者之第1配向膜AL1及第2配向膜AL2對向之方式配置。此時，於陣列基板AR之第1配向膜AL1與對向基板CT之第2配向膜AL2之間，例如藉由由樹脂材料一體形成於一側之基板之柱狀間隔件，形成特定之胞間隙、例如2~7μm之胞間隙。陣列基板AR與對向基板CT係以形成有特定之胞間隙之狀態，藉由主動區域ACT之外側之密封材料而貼合。胞間隙係小於第1主像素電極PA1與第1主共通電極CA1之間隔。液晶層LQ係保持於形成於陣列基板AR與對向基板CT之間之胞間隙，且配置於第1配向膜AL1與第2配向膜AL2之間。液晶層LQ係包含液晶分子LM，藉由例如介電常數各向異性為正(正型)之液晶材料而構成。

於陣列基板AR之外表面即第1絕緣基板10之外表面10B，貼附有第1光學元件OD1。第1光學元件OD1係位於液晶顯示面板LPN之與背光源4對向之側，且控制自背光源4入射至液晶顯示面板LPN之入射光 之偏光狀態。第1光學元件OD1包含具有第1偏光軸AX1之第1偏光板PL1。另，亦可於第1偏光板PL1與第1絕緣基板10之間配置相位差板等之其他光學元件。

於對向基板CT之外表面即第2絕緣基板20之外表面20B，貼附有第2光學元件OD2。第2光學元件OD2係位於液晶顯示面板LPN之顯示面側，且控制自液晶顯示面板LPN出射之出射光之偏光狀態。第2光學元件OD2包含具有第2偏光軸AX2之第2偏光板PL2。另，亦可於第2偏光板PL2與第2絕緣基板20之間配置相位差板等其他光學元件。

第1偏光板PL1之第1偏光軸AX1、與第2偏光板PL2之第2偏光軸AX2係處於大致正交之位置關係(正交尼科爾稜鏡)。於圖3之(a)所示之例中，第1偏光板PL1係以使其第1偏光軸AX1成為與第1方向X平行之方式配置，第2偏光板PL2係以使其第2偏光軸AX2成為與第2方向Y平行之方式配置。於圖3之(b)所示之例中，第2偏光板PL2係以使其第2偏光軸AX2成為與第1方向X平行之方式配置，第1偏光板PL1係以使其第1偏光軸AX1成為與第2方向Y平行之方式配置。

接著，對上述構成之液晶顯示面板LPN之動作進行說明。

即，於未對液晶層LQ施加電壓之狀態、即於像素電極PE(第1像素電極PE1)與共通電極CE(第1共通電極CE1及第2共通電極CE2)之間未形成電場之狀態(關(OFF)時)，液晶層LQ之液晶分子LM係以使其長軸朝向第1配向膜AL1之第1配向處理方向PD1及第2配向膜AL2之第2配向處理方向PD2之方式配向。如此之關(OFF)時相當於初始配向狀態，關(OFF)時之液晶分子LM之配向方向相當於初始配向方向。

另，此處之液晶分子LM之初始配向方向係指將關(OFF)時之液晶分子LM之長軸正投影至X-Y平面之方向。此處，第1配向處理方向PD1及第2配向處理方向PD2均為與第2方向Y大致平行且同向之方向。關(OFF)時之液晶分子LM係如圖3中虛線所示，其長軸初始配向 成與第2方向Y大致平行之方向。即，液晶分子LM之初始配向方向係與第2方向Y平行。

於如此之關(OFF)時，來自背光源4之背光源光之一部分係透射第1偏光板PL1，且入射至液晶顯示面板LPN。入射至液晶顯示面板LPN之光係與第1偏光板PL1之第1偏光軸AX1正交之直線偏光。直線偏光之偏光狀態於通過關(OFF)時之液晶層LQ時幾乎沒有變化。因此，已透射液晶顯示面板LPN之直線偏光係藉由相對於第1偏光板PL1處於正交尼科爾稜鏡之位置關係之第2偏光板PL2所吸收(黑顯示)。

另一方面，於對液晶層LQ施加電壓之狀態、即於像素電極PE與共通電極CE之間形成電場之狀態(開(ON)時)，於像素電極PE與共通電極CE之間形成與基板大致平行之橫電場(或傾斜電場)。液晶分子LM係受像素電極PE與共通電極CE之間之電場之影響，使其配向狀態發生變化。於圖3所示之例中，第1像素電極PE1與第3主共通電極CAL3之間之區域中，下半側之區域內之液晶分子LM係以相對於第2方向Y順時針旋轉而朝向圖中之左下之方式配向，上半側之區域內之液晶分子LM係以相對於第2方向Y逆時針旋轉而朝向圖中之左上之方式配向。第1像素電極PE1與第3主共通電極CAR3之間之區域中，下半側之區域內之液晶分子LM係以相對於第2方向Y逆時針旋轉而朝向圖中之右下之方式配向，上半側之區域內之液晶分子LM係相對於第2方向Y順時針旋轉而朝向圖中之右上之方式配向。

如此，於各像素PX中，於在像素電極PE與共通電極CE之間形成電場之狀態時，液晶分子LM之配向方向係以與第2像素電極PE2重疊之位置為邊界而劃分成複數個方向，且以各個配向方向形成域。即，於一像素PX形成複數個域。藉此，於像素PX中，於像素電極PE與共通電極CE之間形成可透射背光源光之透射區域。

於此之開(ON)時，入射至液晶顯示面板LPN之直線偏光係其偏光 狀態於通過液晶層LQ時根據液晶分子LM之配向狀態而變化。因此，於開(ON)時，通過液晶層LQ之至少一部分之光係透射第2偏光板PL2(白顯示)。但，於與像素電極PE及共通電極CE重疊之位置，由於液晶分子保持成初始配向狀態，故與關(OFF)時同樣為黑顯示。

根據如此之本實施形態，陣列基板AR係於較各閘極配線G更靠近液晶層LQ側具備同電位(例如共通電位)之2層之副共通電極(第1副共通電極CB1及第2副共通電極CB2)。位於下層之第1副共通電極CB1係較閘極配線G位於更靠近像素電極PE之側，又，位於上層之第2副共通電極CB2係位於閘極配線G之正上方。由於第1副共通電極CB1及第2副共通電極CB2為同電位，故於第1副共通電極CB1及第2副共通電極CB2之間形成等電位面。此種等電位面係屏蔽自位於下層之閘極配線G向液晶層LQ之非期望之洩漏電場。因此，可緩和透射區域中之接近於閘極配線G之區域之非期望之電場之影響，從而抑制顯示品質之劣化。

又，由於第1主共通電極CA1或第2主共通電極CA2與源極配線S對向，故亦可屏蔽來自源極配線S之非期望之洩漏電場。

又，接近閘極配線G之側之第1副共通電極CB1係配置於較閘極配線G之正上方之位置偏移之位置。因此，可抑制於閘極配線G與第1副共通電極CB1之間形成非期望之電容，從而可降低閘極配線G之負載。因此，可抑制由閘極配線G之負載所引起之顯示品質不佳之狀況(閃爍率之面內不均或像素電位之寫入時間之不足)。再者，由於與閘極配線G對向之第2副共通電極CB2與第1副共通電極CB1相比更遠離閘極配線G，故可降低可形成於閘極配線G與第2副共通電極CB2之間之電容對顯示造成之影響。

又，第3共通電極CE3係與第2共通電極CE2對向之格子狀，由於與第2共通電極CE2同電位，故於第2共通電極CE2與第3共通電極CE3 之間形成共通電位之等電位面。此種等電位面即便於例如陣列基板AR與對向基板CT之間產生對準偏移，仍可於開(ON)時及關(OFF)時將液晶分子LM維持於初始配向狀態，因此可抑制混色之產生。

圖6A係概略性顯示自對向基板側觀察圖1所示之陣列基板AR時之一像素PX之另一構成例之俯視圖。圖6B係概略性顯示以圖6A之A-B線切斷之液晶顯示面板LPN之剖面構造之剖面圖。

此處所示之構成例與圖2所示之構成例相比，不同點在於，像素電極PE除位於上層之第1像素電極PE1外，還具備位於第1像素電極PE1之下層之第2像素電極PE2。於圖6A中，為明確表示第1像素電極PE1及第2像素電極PE2，而改變各者之大小予以圖示，但第2像素電極PE2係形成為與第1像素電極PE1大致相同形狀，且，第2像素電極PE2係配置於與第1像素電極PE1大致重疊之位置。即，第2像素電極PE2具備沿著第2方向Y延伸之帶狀之第2主像素電極PA2、及沿著第1方向X延伸之帶狀之第2副像素電極PB2。第2副像素電極PB2係與輔助電容線C1對向。第1像素電極PE1具備沿著第2方向Y延伸且與第2主像素電極PA2對向之帶狀之第1主像素電極PA1、及沿著第1方向X延伸且與第2副像素電極PB2對向之帶狀之第1副像素電極PB1。第2像素電極PE2係例如於第2副像素電極PB2之與輔助電容線C1重疊之位置與開關元件SW電性連接。第1像素電極PE1與第2像素電極PE2電性連接。包含第2主像素電極PA2之第2像素電極PE2與第1共通電極CE1同樣，形成於第3絕緣膜13之上，且由第4絕緣膜14所覆蓋。

可對此種構成例之陣列基板AR，應用圖3所示之具備第3共通電極CE3之對向基板CT。藉此，可獲得與上述構成例相同之效果。此外，由於像素電極PE具備第1像素電極PE1及第2像素電極PE2，故於開(ON)時，於第1像素電極PE1與第2共通電極CE2及第3共通電極CE3之間形成控制液晶分子之配向所需之電場，且於第2像素電極PE2與 第1共通電極CE1之間形成屏蔽電場。此種屏蔽電場係屏蔽由源極配線S及閘極配線G與第1像素電極PE1之間之電位差所引起之來自源極配線S之非期望之洩漏電場。因此，可進一步抑制來自源極配線S及閘極配線之非期望之電場之形成，且可抑制顯示品質之劣化。

圖7係概略性顯示自對向基板側觀察圖1所示之陣列基板AR時之一像素PX之另一構成例之俯視圖。

此處所示之構成例與圖2所示之構成例相比，不同點在於，輔助電容線C1較閘極配線G1更接近於閘極配線G2，且第1像素電極PE1形成為T字形狀。即，輔助電容線C1與閘極配線G2之沿著第2方向Y之間隔係小於輔助電容線C1與閘極配線G1之沿著第2方向Y之間隔。第1像素電極PE1之第1副像素電極PB1係與輔助電容線C1對向，且連接於第1主像素電極PA1之沿著第2方向Y之閘極配線G2側之一端部。

可對此種構成例之陣列基板AR，應用圖3所示之具備第3共通電極CE3之對向基板CT。

圖8係概略性顯示以圖7之E-F線切斷之液晶顯示面板LPN之剖面構造之剖面圖。另，以圖7之A-B線切斷之液晶顯示面板LPN之剖面構造係如圖4所示。

此處，主要說明陣列基板AR之第1像素電極PE1及輔助電容線C1之位置關係，關於其他構成係附註與圖5所示之構成例相同之參照符號，且省略詳細之說明。

輔助電容線C1係形成於第1絕緣膜11之上，由第2絕緣膜12覆蓋。輔助電容線C1係存在於較閘極配線G1更偏閘極配線G2之側，但與閘極配線G2隔開。第1副像素電極PB1係形成於第4絕緣膜14之上，由第1配向膜AL1覆蓋。第1副像素電極PB1與第2副共通電極CBB2隔開，介隔第2絕緣膜12、第3絕緣膜13、及第4絕緣膜14而與輔助電容線C1對向。第1副共通電極CBB1係位於輔助電容線C1與閘極配線G2 之間、或第1副像素電極PB1與第2副共通電極CBB2之間。

於參照圖7及圖8說明之構成例中，亦可獲得與上述構成例相同之效果。

圖9係概略性顯示自對向基板側觀察圖1所示之陣列基板AR時之一像素PX之另一構成例之俯視圖。

此處所示之構成例與圖7所示之構成例相比，不同點在於，像素電極PE除位於上層之第1像素電極PE1外，亦具備位於第1像素電極PE1之下層之第2像素電極PE2。於圖9中，為明確表示第1像素電極PE1及第2像素電極PE2，而改變各者之大小予以圖示，但第2像素電極PE2係形成為與第1像素電極PE1大致相同形狀，且，第2像素電極PE2係配置於與第1像素電極PE1大致重疊之位置。即，第2像素電極PE2具備沿著第2方向Y延伸之帶狀之第2主像素電極PA2及沿著第1方向X延伸之帶狀之第2副像素電極PB2。第2副像素電極PB2與輔助電容線C1對向。第1像素電極PE1具備沿著第2方向Y延伸且與第2主像素電極PA2對向之帶狀之第1主像素電極PA1、及沿著第1方向X延伸且與第2副像素電極PB2對向之帶狀之第1副像素電極PB1。第2像素電極PE2係與第1共通電極CE1同樣，形成於第3絕緣膜13之上，由第4絕緣膜14覆蓋。此時，第2副像素電極PB2與第1副共通電極CBB1隔開。像素電極PE為具有第1像素電極PE1及第2像素電極PE2之2層構造，且，均為相同之T字形狀之情形時，第1副像素電極PB1接近於第2副共通電極CBB2，第2副像素電極PB2接近於第1副共通電極CBB1。尤其第1副共通電極CBB1係位於較閘極配線G更靠近於像素電極PE之側，且接近第2副像素電極PB2。於藉由高精細化縮小像素尺寸，而縮短配線間距離或電極間距離之情形時，為避免像素電極PE與共通電極CE之短路，可省略第2副像素電極PB2，亦可應用如圖6所示之十字形狀之像素電極PE，又可應用如省略了第2像素電極PE2之圖7及圖8所示 之構成例。

可對此種構成例之陣列基板AR，應用圖3所示之具備第3共通電極CE3之對向基板CT。藉此，可獲得與上述構成例相同之效果。

接著，對變化例進行說明。

上述圖2、圖6A、圖7、及圖9所分別顯示之陣列基板AR亦可與不具備第3共通電極CE3之對向基板CT組合。

圖10係概略性顯示變化例之液晶顯示面板LPN之剖面構造之剖面圖。

此處所示之變化例與圖4所示之構成例相比，不同點在於，省略了對向基板CT之第3共通電極。於對向基板CT中，保護層OC之陣列基板AR側之整面係由第2配向膜AL2覆蓋。於該構成例中，於開(ON)時，主要於第1像素電極PE1之第1主像素電極PA1、與第2共通電極CE2之第2主共通電極CA2之間形成控制液晶分子之配向所需之電場。 另一方面，與上述構成例同樣，第1共通電極CE1及第2共通電極CE2係屏蔽來自閘極配線及源極配線之非期望之洩漏電場。因此，可抑制顯示品質之劣化。

如以上所說明般，根據本實施形態，可提供一種可抑制顯示品質劣化之液晶顯示裝置。

雖然已描述特定實施例，但是此等實施例僅係舉例而提出，並非意欲限制本發明之範疇。實際上，本文中描述的新穎實施例可以多種其他形式具體化；此外，在不脫離本發明之精神下，可在本文中描述之實施例的形式上作出多種省略、替代及改變。隨附申請專利範圍及其之等效物意欲涵蓋落入本發明之範疇及精神內之該等形式或修改。

AL1‧‧‧第1配向膜

AR‧‧‧陣列基板

C(C1~Cn)‧‧‧輔助電容線

CA1‧‧‧第1主共通電極

CA2‧‧‧第2主共通電極

CAL1‧‧‧第1主共通電極

CAL2‧‧‧第2主共通電極

CAR1‧‧‧第1主共通電極

CAR2‧‧‧第2主共通電極

CB1‧‧‧第1副共通電極

CB2‧‧‧第2副共通電極

CBB1‧‧‧第1副共通電極

CBB2‧‧‧第2副共通電極

CBU1‧‧‧第1副共通電極

CBU2‧‧‧第2副共通電極

CE‧‧‧共通電極

CE1‧‧‧第1共通電極

CE2‧‧‧第2共通電極

G(G1~Gn)‧‧‧閘極配線

PA1‧‧‧第1主像素電極

PB1‧‧‧第1副像素電極

PD1‧‧‧第1配向處理方向

PE1‧‧‧第1像素電極

PX‧‧‧像素

S(S1~Sm)‧‧‧源極配線

X‧‧‧第1方向

Y‧‧‧第2方向

Claims (16)

1. 一種液晶顯示裝置，其包含：第1基板，其具備：閘極配線，其係於第1方向延伸；源極配線，其係於與第1方向交叉之第2方向延伸；開關元件，其係與上述閘極配線及上述源極配線電性連接；第1層間絕緣膜，其係位於上述閘極配線及上述源極配線之上方；第1共通電極，其包含於上述第1層間絕緣膜上沿著上述閘極配線延伸之第1副共通電極；第2層間絕緣膜，其係覆蓋上述第1共通電極；像素電極，其包含於上述第2層間絕緣膜上於第2方向延伸之第1主像素電極，且與上述開關元件電性連接；及第2共通電極，其包含於上述第2層間絕緣膜上與上述第1副共通電極平行延伸之第2副共通電極，且與上述第1共通電極同電位；且上述第1副共通電極較與上述閘極配線重疊之位置位於更靠近上述像素電極側，上述第2副共通電極與上述閘極配線對向；第2基板，其具備：第3共通電極，其包含於第2方向延伸之第3主共通電極及與上述第2副共通電極對向之第3副共通電極，且與上述第2共通電極同電位；及液晶層，其係保持於上述第1基板與上述第2基板之間。
2. 如請求項1之液晶顯示裝置，其中上述像素電極進而包含第2主像素電極，其係於上述第1層間絕緣膜上於第2方向延伸而與上述第1主像素電極對向且以上述第2層間絕緣膜覆蓋。
3. 如請求項1之液晶顯示裝置，其中上述像素電極形成為進而包含連接於上述第1主像素電極且於第1方向延伸之第1副像素電極的十字形狀或T字形狀。
4. 如請求項1之液晶顯示裝置，其中上述第1共通電極進而包含第1 主共通電極，其係沿著上述源極配線延伸；且上述第2共通電極進而包含第2主共通電極，其係與上述第1主共通電極平行延伸且與上述第3主共通電極對向。
5. 一種液晶顯示裝置，其包含：第1基板，其具備：第1閘極配線及第2閘極配線，其分別於第1方向延伸；第1源極配線及第2源極配線，其分別於與第1方向交叉之第2方向延伸；開關元件，其與上述第1閘極配線及上述第1源極配線電性連接；第1層間絕緣膜，其位於上述第1閘極配線、上述第2閘極配線、上述第1源極配線、及上述第2源極配線之上方；格子狀之第1共通電極，其於上述第1層間絕緣膜上沿著上述第1閘極配線、上述第2閘極配線、上述第1源極配線、及上述第2源極配線之各者延伸；第2層間絕緣膜，其覆蓋上述第1共通電極；像素電極，其包含於上述第2層間絕緣膜上於第2方向延伸之第1主像素電極且與上述開關元件電性連接；及第2共通電極，其係於上述第2層間絕緣膜上與上述第1共通電極平行延伸之格子狀且與上述第1共通電極同電位；且上述第1共通電極具有位於較與上述第1閘極配線重疊之位置更靠近上述像素電極側之第1區段及位於較與上述第2閘極配線重疊之位置更靠近上述像素電極側之第2區段，上述第2共通電極具有與上述第1閘極配線對向之第3區段及與上述第2閘極配線對向之第4區段；第2基板，其係具備：第3共通電極，其係與上述第2共通電極對向之格子狀，且與上述第2共通電極同電位；及液晶層，其係保持於上述第1基板與上述第2基板之間。
6. 如請求項5之液晶顯示裝置，其中上述第1基板進而包含：輔助電容線，其係於第1方向延伸且位於上述第1閘極配線與上述第2閘極配線之中間。
7. 如請求項6之液晶顯示裝置，其中上述像素電極形成為進而包含與上述輔助電容線對向而連接於上述第1主像素電極之中間部且於第1方向延伸之副像素電極的十字形狀。
8. 如請求項5之液晶顯示裝置，其中上述第1基板進而包含輔助電容線，其係於第1方向延伸且較上述第1閘極配線更接近於上述第2閘極配線。
9. 如請求項8之液晶顯示裝置，其中上述像素電極形成為進而包含與上述輔助電容線對向而連接於上述第1主像素電極之一端部且於第1方向延伸之副像素電極的T字形狀。
10. 如請求項5之液晶顯示裝置，其中上述第1主像素電極係位於上述第1源極配線與上述第2源極配線之中間。
11. 如請求項5之液晶顯示裝置，其中上述像素電極進而包含第2主像素電極，其係於上述第1層間絕緣膜上於第2方向延伸而與上述第1主像素電極對向且以上述第2層間絕緣膜覆蓋。
12. 一種液晶顯示裝置，其包含：第1基板，其具備：第1閘極配線及第2閘極配線，其分別於第1方向延伸；第1源極配線及第2源極配線，其分別於與第1方向交叉之第2方向延伸；開關元件，其與上述第1閘極配線及上述第1源極配線電性連接；第1層間絕緣膜，其位於上述第1閘極配線、上述第2閘極配線、上述第1源極配線、及上述第2源極配線之上方；格子狀之第1共通電極，其於上述第1層間絕緣膜上沿著上述第1閘極配線、上述第2閘極配線、上述第1源極配線、及上述第2源極配線之各者延伸；第2層間絕緣膜，其覆蓋上述第1共通電極；像素電極，其包含於上述第2層間絕緣膜上於第2方向延伸之第1主像素電極且與上述開關元件電性連接；及第2共通電極，其係於上述第2層間絕緣膜上與上述第1共通電極平行 延伸之格子狀且與上述第1共通電極同電位；且上述第1共通電極具有位於較與上述第1閘極配線重疊之位置更靠近上述像素電極側之第1區段及位於較與上述第2閘極配線重疊之位置更靠近上述像素電極側之第2區段，上述第2共通電極具有與上述第1閘極配線對向之第3區段及與上述第2閘極配線對向之第4區段；第2基板，其係與上述第1基板對向而配置；及液晶層，其係保持於上述第1基板與上述第2基板之間。
13. 如請求項12之液晶顯示裝置，其中上述第1基板進而包含輔助電容線，其係於第1方向延伸且位於上述第1閘極配線與上述第2閘極配線之中間。
14. 如請求項13之液晶顯示裝置，其中上述像素電極形成為進而包含與上述輔助電容線對向而連接於上述第1主像素電極之中間部且於第1方向延伸之副像素電極的十字形狀。
15. 如請求項12之液晶顯示裝置，其中上述第1基板進而包含輔助電容線，其係於第1方向延伸且較上述第1閘極配線更接近於上述第2閘極配線。
16. 如請求項15之液晶顯示裝置，其中上述像素電極形成為進而包含與上述輔助電容線對向而連接於上述第1主像素電極之一端部且於第1方向延伸之副像素電極的T字形狀。