CN104049423A - 液晶显示装置 - Google Patents

Abstract

液晶显示装置的第1基板具有：栅极布线，沿第1方向延伸；源极布线，沿与第1方向交叉的第2方向延伸；开关元件；第1层间绝缘膜，位于栅极布线及源极布线上方；第1共用电极，包括沿源极布线延伸的第1副共用电极；第2层间绝缘膜，覆盖第1共用电极；像素电极，包括第1主像素电极，与开关元件电连接；第2共用电极，电位与第1共用电极相同，包括在第2层间绝缘膜上与第1副共用电极平行地延伸的第2副共用电极，第1副共用电极位于比与栅极布线重叠的位置靠像素电极侧，第2副共用电极与栅极布线对置，第2基板具有与第2共用电极同电位的第3共用电极，包括沿第2方向延伸的第3主共用电极和与第2副共用电极对置的第3副共用电极。

Description

液晶显示装置

对相关申请的交叉引用

本申请以在2013年3月14日提出申请的第2013－052443号日本专利申请为基础并对其主张优先权，并且该原专利申请的内容通过引用被包含于此。

技术领域

本发明的实施方式涉及液晶显示装置。

背景技术

近年来，关于对各像素装配开关元件的有源矩阵型液晶显示装置，采用IPS（In-Plane Switching，平面转换）模式或FFS（Fringe Field Switching，边缘场开关）模式等侧电场（也包括边缘电场（fringe field））的构造，已经得到实际应用。这种横电场模式的液晶显示装置具有形成于阵列基板的像素电极和对置电极，所述与阵列基板的主面大致平行的横电场使液晶分子开闭。

针对这种横电场模式也提出了这样的技术，在形成于阵列基板的像素电极和形成于对置基板的对置电极之间形成横电场或者斜电场，使液晶分子开闭。其中，提出了这样的技术，将十字形状的像素电极或I字形状的像素电极与源极布线上的共用电极进行组合，来形成横电场或者斜电场。

发明内容

根据本实施方式提供一种液晶显示装置，具有第1基板、第2基板、以及被保持在所述第1基板和所述第2基板之间的液晶层，

所述第1基板具有：栅极布线，沿第1方向延伸；源极布线，沿与第1方向交叉的第2方向延伸；开关元件，与所述栅极布线及所述源极布线电连接；第1层间绝缘膜，位于所述栅极布线及所述源极布线的上方；第1共用电极，包括在所述第1层间绝缘膜上沿着所述源极布线延伸的第1副共用电极；第2层间绝缘膜，覆盖所述第1共用电极；像素电极，包括在所述第2层间绝缘膜上沿第2方向延伸的第1主像素电极，并与所述开关元件电连接；以及第2共用电极，电位与所述第1共用电极相同，包括在所述第2层间绝缘膜上与所述第1副共用电极平行地延伸的第2副共用电极，所述第1副共用电极位于比与所述栅极布线重叠的位置靠所述像素电极侧的位置，所述第2副共用电极与所述栅极布线对置，

所述第2基板具有第3共用电极，其电位与所述第2共用电极相同，包括沿第2方向延伸的第3主共用电极和与所述第2副共用电极对置的第3副共用电极。

另外，根据本实施方式提供一种液晶显示装置，具有第1基板、第2基板、以及被保持在所述第1基板和所述第2基板之间的液晶层，

所述第1基板具有：第1栅极布线及第2栅极布线，分别沿第1方向延伸；第1源极布线及第2源极布线，分别沿与第1方向交叉的第2方向延伸；开关元件，与所述第1栅极布线及所述第1源极布线电连接；第1层间绝缘膜，位于所述第1栅极布线、所述第2栅极布线、所述第1源极布线以及所述第2源极布线的上方；网格状的第1共用电极，在所述第1层间绝缘膜上分别沿着所述第1栅极布线、所述第2栅极布线、所述第1源极布线以及所述第2源极布线延伸而形成；第2层间绝缘膜，覆盖所述第1共用电极；像素电极，包括在所述第2层间绝缘膜上沿第2方向延伸的第1主像素电极，并与所述开关元件电连接；以及第2共用电极，电位与所述第1共用电极相同，呈在所述第2层间绝缘膜上与所述第1共用电极平行地延伸的网格状，所述第1共用电极具有位于比与所述第1栅极布线重叠的位置靠所述像素电极侧的位置的第1区段、和位于比与所述第2栅极布线重叠的位置靠所述像素电极侧的位置的第2区段，所述第2共用电极具有与所述第1栅极布线对置的第3区段、和与所述第2栅极布线对置的第4区段，

所述第2基板具有第3共用电极，其电位与所述第2共用电极相同，呈与第2共用电极对置的网格状。

另外，根据本实施方式提供一种液晶显示装置，具有第1基板、与所述第1基板对置配置的第2基板、以及被保持在所述第1基板和所述第2基板之间的液晶层，

所述第1基板具有：第1栅极布线及第2栅极布线，分别沿第1方向延伸；第1源极布线及第2源极布线，分别沿与第1方向交叉的第2方向延伸；开关元件，与所述第1栅极布线及所述第1源极布线电连接；第1层间绝缘膜，位于所述第1栅极布线、所述第2栅极布线、所述第1源极布线以及所述第2源极布线的上方；网格状的第1共用电极，在所述第1层间绝缘膜上分别沿着所述第1栅极布线、所述第2栅极布线、所述第1源极布线以及所述第2源极布线延伸而形成；第2层间绝缘膜，覆盖所述第1共用电极；像素电极，包括在所述第2层间绝缘膜上沿第2方向延伸的第1主像素电极，并与所述开关元件电连接；以及第2共用电极，电位与所述第1共用电极相同，呈在所述第2层间绝缘膜上与所述第1共用电极平行地延伸的网格状，所述第1共用电极具有位于比与所述第1栅极布线重叠的位置靠所述像素电极侧的位置的第1区段、和位于比与所述第2栅极布线重叠的位置靠所述像素电极侧的位置的第2区段，所述第2共用电极具有与所述第1栅极布线对置的第3区段、和与所述第2栅极布线对置的第4区段。

附图说明

图1是概略表示本实施方式的液晶显示装置的结构及等效电路的图。

图2是概略表示从对置基板侧观察图1所示的阵列基板AR时的一个像素PX的结构例的俯视图。

图3是概略表示图1所示的对置基板CT中的一个像素PX的结构例的俯视图。

图4是概略表示沿图3中的A-B线切断的液晶显示面板LPN的截面构造的剖面图。

图5是概略表示沿图3中的C-D线切断的液晶显示面板LPN的截面构造的剖面图。

图6A是概略表示从对置基板侧观察图1所示的阵列基板AR时的一个像素PX的另一种结构例的俯视图。

图6B是概略表示沿图6A中的A-B线切断的液晶显示面板LPN的截面构造的剖面图。

图7是概略表示从对置基板侧观察图1所示的阵列基板AR时的一个像素PX的另一种结构例的俯视图。

图8是概略表示沿图7中的E-F线切断的液晶显示面板LPN的截面构造的剖面图。

图9是概略表示从对置基板侧观察图1所示的阵列基板AR时的一个像素PX的另一种结构例的俯视图。

图10是概略表示变形例的液晶显示面板LPN的截面构造的剖面图。

具体实施方式

下面，参照附图详细说明本实施方式。另外，在各个附图中对发挥相同或者相似的作用的构成要素标注相同的参照标号，并省略重复说明。

图1是概略表示本实施方式的液晶显示装置的结构及等效电路的图。

液晶显示装置具有有源矩阵型的液晶显示面板LPN。液晶显示面板LPN具有作为第1基板的阵列基板AR、与阵列基板AR对置配置的作为第2基板的对置基板CT、以及被保持在阵列基板AR和对置基板CT之间的液晶层LQ。液晶显示面板LPN具有显示图像的有源区域ACT。有源区域ACT由被配置成m×n个矩阵状的多个像素PX构成（其中，m和n是正的整数）。

液晶显示面板LPN在有源区域ACT中具有栅极布线G（G1～Gn）、辅助电容线C（C1～Cn）、和源极布线S（S1～Sm）等。栅极布线G例如相当于沿着第1方向大致呈直线延伸的信号布线。栅极布线G和辅助电容线C沿着与第1方向X交叉的第2方向Y隔开间隔相邻且交替地排列配置。在此，第1方向X和第2方向Y相互正交。源极布线S与栅极布线G及辅助电容线C交叉。源极布线S相当于沿着第2方向Y大致呈直线延伸的信号布线。另外，栅极布线G、辅助电容线C及源极布线S不一定呈直线延伸，也可以是其中一部分是弯曲的。

各栅极布线G被引出到有源区域ACT的外侧，并与栅极驱动器GD连接。各源极布线S被引出到有源区域ACT的外侧，并与源极驱动器SD连接。栅极驱动器GD和源极驱动器SD至少一部分形成于例如阵列基板AR。栅极驱动器GD和源极驱动器SD与内置了控制器的驱动IC芯片2连接。

各像素PX具有开关元件SW、像素电极PE、共用电极CE等。保持电容Cs形成于例如辅助电容线C和像素电极PE之间。辅助电容线C与被施加了辅助电容电压的电压施加部VCS电连接。

另外，在本实施方式中，液晶显示面板LPN构成为像素电极PE形成于阵列基板AR，而共用电极CE至少一部分形成于对置基板CT，主要利用在这些像素电极PE和共用电极CE之间形成的电场使液晶层LQ的液晶分子进行开闭。在像素电极PE和共用电极CE之间形成的电场，是相对于利用第1方向X和第2方向Y规定的X-Y平面（或者基板主面）稍微倾斜的电场（或者与基板主面大致平行的横电场）。

开关元件SW例如由n沟道薄膜晶体管（TFT）构成。开关元件SW与栅极布线G及源极布线S电连接。开关元件SW可以是顶部栅极型或者底部栅极型中任何类型。并且，开关元件SW的半导体层例如利用多晶硅形成，但也可以利用非晶硅等形成。

像素电极PE配置于各像素PX，并与开关元件SW电连接。共用电极CE例如是公共电位，通过液晶层LQ共同配置于多个像素PX的像素电极PE。像素电极PE和共用电极CE例如可以利用氧化铟锡（Indium tin oxide：ITO）或氧化铟锌（Indium zinc oxide：IZO）等透明的导电材料形成，也可以利用铝（Al）、钛（Ti）、银（Ag）、钼（Mo）、钨（W）、铜（Cu）、铬（Cr）等不透明的布线材料形成。

阵列基板AR具有用于对共用电极CE施加电压的给电部VS。该给电部VS例如形成在有源区域ACT的外侧。共用电极CE被引出到有源区域ACT的外侧，通过未图示的导电部件与给电部VS电连接。

下面，说明在有源区域中配置的一个像素的结构例。

图2是概略表示从对置基板侧观察图1所示的阵列基板AR时的一个像素PX的结构例的俯视图。在此，示出了X-Y平面的俯视图。

阵列基板AR具有栅极布线G1、栅极布线G2、辅助电容线C1、源极布线S1、源极布线S2、像素电极PE中所包含的第1像素电极PE1、第1取向膜AL1等。在图示的例子中，阵列基板AR还具有共用电极CE中所包含的第1共用电极CE1和第2共用电极CE2。

栅极布线G1和栅极布线G2沿着第2方向Y隔开间隔配置，分别沿着第1方向X延伸。辅助电容线C1位于栅极布线G1和栅极布线G2之间，沿着第1方向X延伸。在图示的例子中，辅助电容线C1位于栅极布线G1和栅极布线G的大致中间。即，栅极布线G1与辅助电容线C1的沿着第2方向Y的间隔、和栅极布线G2与辅助电容线C1的沿着第2方向Y的间隔大致相同。源极布线S1和源极布线S2沿着第1方向X隔开间隔配置，分别沿着第2方向Y延伸。像素电极PE位于相邻的源极布线S1和源极布线S2之间。并且，像素电极PE位于相邻的栅极布线G1和栅极布线G2之间。

在图示的例子中，像素PX如图中的虚线所示相当于由栅极布线G1及栅极布线G2与源极布线S1及源极布线S2形成的网格区域，呈沿着第1方向X的长度比沿着第2方向Y的长度短的长方形状。像素PX的沿着第1方向X的长度相当于源极布线S1和源极布线S2的沿着第1方向X的节距，像素PX的沿着第2方向Y的长度相当于栅极布线G1和栅极布线G2的沿着第2方向Y的节距。

在图示的像素PX中，源极布线S1位于左侧端部，且跨越该像素PX和在其左侧相邻的像素的边界而配置，源极布线S2位于右侧端部，且跨越该像素PX和在其右侧相邻的像素的边界而配置，栅极布线G1位于上侧端部，且跨越该像素PX和在其上侧相邻的像素的边界而配置，栅极布线G2位于下侧端部，且跨越该像素PX和在其下侧相邻的像素的边界而配置。辅助电容线C1配置在像素PX的大致中央部。

未图示的开关元件例如与栅极布线G1及源极布线S1电连接。开关元件的半导体层在源极布线S1的下方位置通过而与栅极布线G1交叉，并延伸到辅助电容线C1的下方。开关元件的源极电极相当于源极布线S1中与半导体层接触的区域。开关元件的栅极电极相当于栅极布线G1中与半导体层交叉的区域。开关元件的漏极电极与延伸到辅助电容线C1的下方的半导体层接触。

第1像素电极PE1具有第1主像素电极PA1和第1副像素电极PB1。第1主像素电极PA1和第1副像素电极PB1是一体地或者连续地形成的，并且相互电连接。第1主像素电极PA1位于源极布线S1和源极布线S2的大致中间位置，沿着第2方向Y呈直线延伸到像素PX的上侧端部附近和下侧端部附近。即，源极布线S1和第1主像素电极PA1的沿着第1方向X的间隔、与源极布线S2和第1主像素电极PA1的沿着第1方向X的间隔大致相同。第1主像素电极PA1形成为沿着第1方向X具有大致相同的宽度的带状。第1副像素电极PB1位于栅极布线G1和栅极布线G2的大致中间，沿着第1方向X呈直线延伸到像素PX的左侧端部附近和右侧端部附近。即，第1副像素电极PB1位于像素PX的大致中央部，配置在与辅助电容线C1重叠的位置，并在第1主像素电极PA1的沿着第2方向Y的中间部交叉。换言之，在此示出的第1像素电极PE1形成为十字形状。第1副像素电极PB1形成为沿着第2方向Y具有大致相同的宽度的带状，但其形状不限于图示的例子。第1像素电极PE1在与辅助电容线C1重叠的位置的第1副像素电极PB1与开关元件电连接。

第1共用电极CE1具有第1主共用电极CA1和第1副共用电极CB1。第1主共用电极CA1和第1副共用电极CB1是一体地或者连续地形成的，并且相互电连接。第1主共用电极CA1沿着第2方向Y延伸，第1副共用电极CB1沿着第1方向X延伸。即，第1共用电极CE1由第1主共用电极CA1和第1副共用电极CB1构成为划分像素PX的网格状。

第1主共用电极CA1沿着源极布线S延伸。第1主共用电极CA1在X-Y平面内位于隔着第1主像素电极PA1的两侧。第1主共用电极CA1形成为沿着第1方向X具有大致相同的宽度的带状。第1主共用电极CA1的沿着第1方向X的电极宽度，例如大于源极布线S的沿着第1方向X的线宽。在图示的例子中，第1主共用电极CA1具有：第1主共用电极CAL1，位于像素PX的左侧端部，且跨越该像素PX和在其左侧相邻的像素的边界而配置；以及第1主共用电极CAR1，位于像素PX的右侧端部，且跨越该像素PX和在其右侧相邻的像素的边界而配置。第1主共用电极CAL1与源极布线S1对置，第1主共用电极CAR1与源极布线S2对置。第1主共用电极CAL1配置在与源极布线S1重叠的位置，而且延伸到第1像素电极PE1侧。第1主共用电极CAR1配置在与源极布线S2重叠的位置，而且延伸到第1像素电极PE1侧。

第1副共用电极CB1沿着栅极布线G延伸。第1副共用电极CB1形成为带状。第1副共用电极CB1配置在比与栅极布线G重叠的位置靠第1像素电极PE1侧的位置。在图示的例子中，第1副共用电极CB1具有：第1副共用电极（第1区段）CBU1，位于像素PX的上侧端部，沿着栅极布线G1延伸，而且位于比与栅极布线G1重叠的位置靠第1像素电极PE1侧的位置；以及第1副共用电极（第2区段）CBB1，位于像素PX的下侧端部，沿着栅极布线G2延伸，而且位于比与栅极布线G2重叠的位置靠第1像素电极PE1侧的位置。另外，第1副共用电极CBU1的一部分也可以延伸到与栅极布线G1重叠的位置，第2副共用电极CBB1的一部分也可以延伸到与栅极布线G2重叠的位置。

第2共用电极CE2具有第2主共用电极CA2和第2副共用电极CB2。第2主共用电极CA2和第2副共用电极CB2是一体地或者连续地形成的，并且相互电连接。第2主共用电极CA2沿着第2方向Y延伸，第2副共用电极CB2沿着第1方向X延伸。即，第2共用电极CE2由第2主共用电极CA2和第2副共用电极CB2构成为划分像素PX的网格状。第1共用电极CE1和第2共用电极CE2远离第1像素电极PE1且包围第1像素电极PE1。第1共用电极CE1和第2共用电极CE2相互电连接，且是相同电位，并在有源区域ACT的外侧与给电部VS电连接。

第2主共用电极CA2位于源极布线S的上方，与第1主共用电极CA1平行地延伸。第2主共用电极CA2在X-Y平面内位于隔着第1主像素电极PA1的两侧。第2主共用电极CA2形成为沿着第1方向X具有大致相同的宽度的带状。第2主共用电极CA2的沿着第1方向X的电极宽度，例如小于源极布线S的沿着第1方向X的线宽。在图示的例子中，第2主共用电极CA2具有：第2主共用电极CAL2，位于像素PX的左侧端部，且跨越该像素PX和在其左侧相邻的像素的边界而配置；以及第2主共用电极CAR2，位于像素PX的右侧端部，且跨越该像素PX和在其右侧相邻的像素的边界而配置。第2主共用电极CAL2与第1主共用电极CAL1对置，第2主共用电极CAR2与第1主共用电极CAR1对置。

第2副共用电极CB2与栅极布线G对置，与第1副共用电极CB1平行地延伸。第2副共用电极CB2形成为沿着第2方向Y具有大致相同的宽度的带状。第2副共用电极CB2的沿着第2方向Y的电极宽度，例如小于栅极布线G的沿着第2方向Y的线宽。在图示的例子中，第2副共用电极CB2具有：第2副共用电极（第3区段）CBU2，位于像素PX的上侧端部，沿着栅极布线G1延伸，而且与栅极布线G1对置；以及第2副共用电极（第4区段）CBB2，位于像素PX的下侧端部，沿着栅极布线G2延伸，而且与栅极布线G2对置。

在关注于第1像素电极PE1和第1共用电极CE1的位置关系时，在X-Y平面内，第1主像素电极PA1和第1主共用电极CA1相互大致平行，且沿着第1方向X交替配置。第1像素电极PE1具有一条第1主像素电极PA1，其位于沿着第1方向X隔开间隔相邻的第1主共用电极CAL1和第1主共用电极CAR1之间（或者相邻的源极布线之间）。

在阵列基板AR中，第1像素电极PE1和第2共用电极CE2被第1取向膜AL1覆盖。对第1取向膜AL1，沿着第1取向处理方向PD1进行取向处理，以便对液晶层LQ的液晶分子进行初期取向。第1取向处理方向PD1与第2方向Y大致平行。

图3是概略表示图1所示的对置基板CT中的一个像素PX的结构例的俯视图。在此示出了X-Y平面的俯视图。另外，在此仅图示了进行说明所需要的结构，并且用虚线仅示出了阵列基板的第1像素电极PE1和第2共用电极CE2。

对置基板CT具有作为共用电极CE的一部分的第3共用电极CE3。第3共用电极CE3具有第3主共用电极CA3和第3副共用电极CB3。第3主共用电极CA3和第3副共用电极CB3是一体地或者连续地形成的，并且相互电连接。第3主共用电极CA3沿着第2方向Y延伸，第3副共用电极CB3沿着第1方向X延伸。即，第3共用电极CE3由第3主共用电极CA3和第3副共用电极CB3构成为划分像素PX的网格状。并且，第3共用电极CE3例如在有源区域的外侧等与第1共用电极CE1和第2共用电极CE2电连接，而且是与第1共用电极CE1和第2共用电极CE2相同的电位。

第3主共用电极CA3与第2主共用电极CA2对置，并与第2主共用电极CA2平行地延伸。第3主共用电极CA3形成为沿着第1方向X具有大致相同的宽度的带状。第3主共用电极CA3的宽度与第2主共用电极CA2的宽度相同，例如小于源极布线S的宽度。在图示的例子中，第3主共用电极CA3具有：第3主共用电极CAL3，位于像素PX的左侧端部，且跨越该像素PX和在其左侧相邻的像素的边界而配置；以及第3主共用电极CAR3，位于像素PX的右侧端部，且跨越该像素PX和在其右侧相邻的像素的边界而配置。第3主共用电极CAL3与第2主共用电极CAL2对置，第3主共用电极CAR3与第2主共用电极CAR2对置。

第3副共用电极CB3与第2副共用电极CB2对置，与第2副共用电极CB2平行地延伸。第3副共用电极CB3形成为沿着第2方向Y具有大致相同的宽度的带状。第3副共用电极CB3的宽度与第2副共用电极CB2的宽度相同，例如小于栅极布线G的宽度。在图示的例子中，第3副共用电极CB3具有：第3副共用电极CBU3，位于像素PX的上侧端部，且跨越该像素PX和在其上侧相邻的像素的边界而配置；以及第3副共用电极CBB3，位于像素PX的下侧端部，且跨越该像素PX和在其下侧相邻的像素的边界而配置。第3副共用电极CBU3与第1副共用电极CBU1对置，第3副共用电极CBB3与第1副共用电极CBB1对置。

在对置基板CT中，第3共用电极CE3被第2取向膜AL2覆盖。对第2取向膜AL2，沿着第2取向处理方向PD2进行取向处理，以便对液晶层LQ的液晶分子进行初期取向。第2取向处理方向PD2与第1取向处理方向PD1平行。在图示的例子中，第2取向处理方向PD2是与第1取向处理方向PD1相同的方向。另外，第1取向处理方向PD1和第2取向处理方向PD2也可以是彼此朝向相反的方向，也可以是都是相同方向但是朝向与图示的例子相反、即从栅极布线G2朝向栅极布线G1的一侧。

图4是概略表示沿图3中的A-B线切断的液晶显示面板LPN的截面构造的剖面图。图5是概略表示沿图3中的C-D线切断的液晶显示面板LPN的截面构造的剖面图。另外，在此仅图示了进行说明所需要的部位。

在构成液晶显示面板LPN的阵列基板AR的背面侧配置有背照灯4。关于背照灯4能够适用各种形式，对于具体构造省略说明。

阵列基板AR使用具有透光性的第1绝缘基板10形成。阵列基板AR在第1绝缘基板10的内侧即与对置基板CT对置的一侧具有栅极布线G1、栅极布线G2、辅助电容线C1、源极布线S1、源极布线S2、第1像素电极PE1、第1共用电极CE1、第2共用电极CE2、第1绝缘膜11、第2绝缘膜12、第3绝缘膜13、第4绝缘膜14、第1取向膜AL1等。

未图示的开关元件的半导体层形成于第1绝缘基板10和第1绝缘膜11之间。辅助电容线C1、栅极布线G1及栅极布线G2形成于第1绝缘膜11上，并被第2绝缘膜12覆盖。源极布线S1和源极布线S2形成于第2绝缘膜12上，并被第3绝缘膜13覆盖。第3绝缘膜13相当于位于栅极布线G1及栅极布线G2、和源极布线S1及源极布线S2的上方的第1层间绝缘膜。

第1共用电极CE1的第1主共用电极CAL1、第1主共用电极CAR1、第1副共用电极CBU1及第1副共用电极CBB1形成于第3绝缘膜13上，并被第4绝缘膜14覆盖。第4绝缘膜14相当于覆盖第1共用电极CE1的第2层间绝缘膜。第3绝缘膜13及第4绝缘膜14利用例如透明的树脂材料或氮化硅等无机类材料形成。第1主共用电极CAL1隔着第3绝缘膜13与源极布线S1对置，第1主共用电极CAR1隔着第3绝缘膜13与源极布线S2对置。第1副共用电极CBU1形成于偏离栅极布线G1的正上方位置的位置，第1副共用电极CBB1形成于偏离栅极布线G2的正上方位置的位置。

第1像素电极PE1的第1主像素电极PA1及第1副像素电极PB1、和/或第2共用电极CE2的第2主共用电极CAL2、第2主共用电极CAR2、第2副共用电极CBU2及第2副共用电极CBB2形成于第4绝缘膜14上，并被第1取向膜AL1覆盖。第1主像素电极PA1位于第2主共用电极CAL2和第2主共用电极CAR2之间。第1副像素电极PB1位于第2副共用电极CBU2和第2副共用电极CBB2之间，并隔着第2绝缘膜12、第3绝缘膜13、和第4绝缘膜14与辅助电容线C1对置。第2主共用电极CAL2位于源极布线S1的上方，隔着第4绝缘膜14与第1主共用电极CAL1对置。第2主共用电极CAR2位于源极布线S2的上方，隔着第4绝缘膜14与第1主共用电极CAR1对置。第2副共用电极CBU2隔着第2绝缘膜12、第3绝缘膜13、和第4绝缘膜14与栅极布线G1对置。第2副共用电极CBB2隔着第2绝缘膜12、第3绝缘膜13、和第4绝缘膜14与栅极布线G2对置。

第1取向膜AL1配置在阵列基板AR的与对置基板CT对置的面上，遍及有源区域ACT大致整体地延伸。第1取向膜AL1覆盖第1像素电极PE1和第2共用电极CE2，也配置在第4绝缘膜14上。第1取向膜AL1利用表示水平取向性的材料形成。

对置基板CT使用具有透光性的第2绝缘基板20形成。对置基板CT在第2绝缘基板20的内侧即与阵列基板AR对置的一侧，具有黑矩阵BM、滤色片CF、涂覆层OC、第3共用电极CE3、第2取向膜AL2等。

黑矩阵BM形成于第2绝缘基板20的与阵列基板AR对置的内表面20A，划分各像素PX，形成与第1像素电极PE1对置的开口部AP。即，黑矩阵BM以与源极布线S、栅极布线G、开关元件SW等的布线部对置的方式配置。在此示出的例子中，黑矩阵BM具有位于源极布线S1和源极布线S2的上方且沿着第2方向Y延伸的部分、和位于栅极布线G1和栅极布线G2的上方且沿着第1方向X延伸的部分，且形成为网格状。

滤色片CF与各像素PX对应配置。即，滤色片CF配置于在第2绝缘基板20的内表面20A中被黑矩阵BM划分的内侧（开口部AP），并且其一部分爬升到黑矩阵BM。对与第1方向X相邻的像素PX分别配置的滤色片CF的颜色彼此不同。例如，滤色片CF利用分别被着色为红色、蓝色、绿色这三原色的树脂材料形成。由被着色为红色的树脂材料构成的红色滤色片对应红色像素而配置。由被着色为蓝色的树脂材料构成的蓝色滤色片对应蓝色像素而配置。由被着色为绿色的树脂材料构成的绿色滤色片对应绿色像素而配置。滤色片CF彼此的边界位于与黑矩阵BM重叠的位置。

涂覆层OC覆盖滤色片CF。涂覆层OC缓解滤色片CF的表面的凹凸的影响。涂覆层OC利用例如透明的树脂材料形成。

第3共用电极CE3的第3主共用电极CAL3、第3主共用电极CAR3、第3副共用电极CBU3及第3副共用电极CBB3形成于涂覆层OC的与阵列基板AR对置的一侧，且都位于黑矩阵BM的下方。第3主共用电极CAL3位于源极布线S1的上方，与第2主共用电极CAL2对置。第3主共用电极CAR3位于源极布线S2的上方，与第2主共用电极CAR2对置。第3副共用电极CBU3位于栅极布线G1的上方，与第2副共用电极CBU2对置。第3副共用电极CBB3位于栅极布线G2的上方，与第2副共用电极CBB2对置。在开口部AP中，第1像素电极PE1、第1共用电极CE1、第2共用电极CE2及第3共用电极CE3之间的区域，都相当于背照灯光能够透射的透射区域。

第2取向膜AL2配置在对置基板CT的与阵列基板AR对置的面上，遍及有源区域ACT大致整体地延伸。第2取向膜AL2覆盖第3共用电极CE3和涂覆层OC。第2取向膜AL2利用表示水平取向性的材料形成。

如上所述的阵列基板AR和对置基板CT以使各自的第1取向膜AL1及第2取向膜AL2对置的方式配置。此时，在阵列基板AR的第1取向膜AL1与对置基板CT的第2取向膜AL2之间，例如借助利用树脂材料在一方基板上一体形成的柱状垫片形成规定的单元间隙、例如2～7μm的单元间隙。阵列基板AR和对置基板CT在形成有规定的单元间隙的状态下利用有源区域ACT的外侧的密封部件被贴合在一起。单元间隙小于第1主像素电极PA1与第1主共用电极CA1的间隔。液晶层LQ被保持在形成于阵列基板AR和对置基板CT之间的单元间隙中，并配置在第1取向膜AL1和第2取向膜AL2之间。液晶层LQ包括液晶分子LM，例如利用介质常数各向异性为正（正型）的液晶材料构成。

在阵列基板AR的外表面即第1绝缘基板10的外表面10B粘贴有第1光学元件OD1。第1光学元件OD1位于液晶显示面板LPN的与背照灯4对置的一侧，控制从背照灯4入射到液晶显示面板LPN的入射光的偏光状态。第1光学元件OD1包括具有第1偏光轴AX1的第1偏光板PL1。另外，也可以是，在第1偏光板PL1和第1绝缘基板10之间配置有相位差板等其它光学元件。

在对置基板CT的外表面即第2绝缘基板20的外表面20B粘贴有第2光学元件OD2。第2光学元件OD2位于液晶显示面板LPN的显示面侧，控制从液晶显示面板LPN射出的射出光的偏光状态。第2光学元件OD2包括具有第2偏光轴AX2的第2偏光板PL2。另外，也可以是，在第2偏光板PL2和第2绝缘基板20之间配置有相位差板等其它光学元件。

第1偏光板PL1的第1偏光轴AX1和第2偏光板PL2的第2偏光轴AX2处于大致正交的位置关系（正交尼科尔）。在图3（a）所示的例子中，第1偏光板PL1以其第1偏光轴AX1与第1方向X平行的方式配置，第2偏光板PL2以其第2偏光轴AX2与第2方向Y平行的方式配置。在图3（b）所示的例子中，第2偏光板PL2以其第2偏光轴AX2与第1方向X平行的方式配置，第1偏光板PL1以其第1偏光轴AX1与第2方向Y平行的方式配置。

下面，说明上述结构的液晶显示面板LPN的动作。

即，在液晶层LQ没有被施加电压的状态下、即在像素电极PE（第1像素电极PE1）与共用电极CE（第1共用电极CE1和第2共用电极CE2）之间没有形成电场的状态下（OFF时），液晶层LQ的液晶分子LM以其长轴朝向第1取向膜AL1的第1取向处理方向PD1和第2取向膜AL2的第2取向处理方向PD2的方式进行取向。这种OFF时相当于初期取向状态，OFF时的液晶分子LM的取向方向相当于初期取向方向。

另外，此时所谓液晶分子LM的初期取向方向是指将OFF时的液晶分子LM的长轴正投影于X-Y平面的方向。在此，第1取向处理方向PD1和第2取向处理方向PD2都是与第2方向Y大致平行而且朝向相同的方向。OFF时的液晶分子LM如图3中的虚线所示，其长轴沿与第2方向Y大致平行的方向进行初期取向。即，液晶分子LM的初期取向方向与第2方向Y平行。

这样在OFF时，来自背照灯4的背照灯光的一部分透射第1偏光板PL1并入射到液晶显示面板LPN。入射到液晶显示面板LPN的光是与第1偏光板PL1的第1偏光轴AX1正交的直线偏光。直线偏光的偏光状态在通过OFF时的液晶层LQ时几乎不变。因此，透射了液晶显示面板LPN的直线偏光被相对于第1偏光板PL1呈正交尼科尔的位置关系的第2偏光板PL2吸收（黑显示）。

另一方面，在液晶层LQ被施加电压的状态下、即在像素电极PE与共用电极CE之间形成有电场的状态下（ON时），在像素电极PE与共用电极CE之间形成有与基板大致平行的侧电场（或者斜电场）。液晶分子LM受到像素电极PE与共用电极CE之间的电场的影响，其取向状态变化。在图3所示的例子中，第1像素电极PE1与第3主共用电极CAL3之间的区域中、下半部分的区域内的液晶分子LM以相对于第2方向Y呈顺时针旋转并朝向图中的左下方的方式进行取向，上半部分的区域内的液晶分子LM以相对于第2方向Y呈逆时针旋转并朝向图中的左上方的方式进行取向。第1像素电极PE1与第3主共用电极CAR3之间的区域中、下半部分的区域内的液晶分子LM以相对于第2方向Y呈逆时针旋转并朝向图中的右下方的方式进行取向，上半部分的区域内的液晶分子LM以相对于第2方向Y呈顺时针旋转并朝向图中的右上方的方式进行取向。

这样，在各像素PX中，在像素电极PE与共用电极CE之间形成有电场的状态下，液晶分子LM的取向方向以与第2像素电极PE2重叠的位置为边界被划分为多个方向，并在各个取向方向形成磁畴。即，在一个像素PX形成有多个磁畴。由此，在像素PX中，像素电极PE与共用电极CE之间形成有背照灯光能够透射的透射区域。

这样在ON时，入射到液晶显示面板LPN的直线偏光的偏光状态根据在通过液晶层LQ时液晶分子LM的取向状态而变化。因此，在ON时，通过液晶层LQ的至少一部分光透射第2偏光板PL2（白显示）。但是，在与像素电极PE及共用电极CE重叠的位置，液晶分子被保持为初期取向状态，因而与OFF时相同成为黑显示。

根据这种实施方式，阵列基板AR在比各栅极布线G靠液晶层LQ侧具有相同电位（例如公共电位）的两层的副共用电极（第1副共用电极CB1和第2副共用电极CB2）。位于下层的第1副共用电极CB1位于比栅极布线G靠像素电极PE侧的位置，并且，位于上层的第2副共用电极CB2位于栅极布线G的正上方。第1副共用电极CB1和第2副共用电极CB2是相同电位，因而在第1副共用电极CB1和第2副共用电极CB2之间形成有等电位面。这种等电位面将从位于下层的栅极布线G朝向液晶层LQ的不希望的泄漏电场屏蔽。因此，透射区域中接近栅极布线G的区域内的不希望的电场的影响得到缓解，能够抑制显示质量的恶化。

另外，第1主共用电极CA1或者第2主共用电极CA2与源极布线S对置，因而也能够屏蔽来自源极布线S的不希望的泄漏电场。

另外，接近栅极布线G侧的第1副共用电极CB1配置在偏离栅极布线G的正上方位置的位置。因此，能够抑制在栅极布线G和第1副共用电极CB1之间形成不希望的电容，能够降低栅极布线G的负荷。因此，能够抑制起因于栅极布线G的负荷的显示质量的问题（闪烁率的面内偏差或像素电位的写入时间不足）。另外，与栅极布线G对置的第2副共用电极CB2相比第1副共用电极CB1远离栅极布线G，因而能够降低有可能在栅极布线G与第2副共用电极CB2之间形成的电容对显示造成的影响。

另外，第3共用电极CE3呈与第2共用电极CE2对置的网格状，与第2共用电极CE2是相同电位，因而在第2共用电极CE2和第3共用电极CE3之间形成有公共电位的等电位面。这种等电位面即使是在例如阵列基板AR与对置基板CT之间产生错位时，也能够在ON时及OFF时将液晶分子LM维持为初期取向状态，因而能够抑制混色的发生。

图6A是概略表示从对置基板侧观察图1所示的阵列基板AR时的一个像素PX的另一种结构例的俯视图。图6B是概略表示沿图6A中的A-B线切断的液晶显示面板LPN的截面构造的剖面图。

在此示出的结构例与图2所示的结构例相比，不同之处在于，除像素电极PE位于上层的第1像素电极PE1外，还具有位于第1像素电极PE1的下层的第2像素电极PE2。在图6A中，为了明确第1像素电极PE1和第2像素电极PE2，而改变各自的尺寸进行了图示，然而第2像素电极PE2形成为与第1像素电极PE1大致相同的形状，而且第2像素电极PE2配置在与第1像素电极PE1基本重叠的位置。即，第2像素电极PE2具有沿着第2方向Y延伸的带状的第2主像素电极PA2、和沿着第1方向X延伸的带状的第2副像素电极PB2。第2副像素电极PB2与辅助电容线C1对置。第1像素电极PE1具有沿着第2方向Y延伸且与第2主像素电极PA2对置的带状的第1主像素电极PA1、和沿着第1方向X延伸且与第2副像素电极PB2对置的带状的第1副像素电极PB1。第2像素电极PE2例如在第2副像素电极PB2的与辅助电容线C1重叠的位置与开关元件SW电连接。第1像素电极PE1与第2像素电极PE2电连接。包括第2主像素电极PA2的第2像素电极PE2与第1共用电极CE1相同地形成于第3绝缘膜13上，并被第4绝缘膜14覆盖。

针对这种结构例的阵列基板AR，能够适用具有图3所示的第3共用电极CE3的对置基板CT。由此，能够得到与上述的结构例相同的效果。此外，像素电极PE具有第1像素电极PE1和第2像素电极PE2，因而在ON时，在第1像素电极PE1与第2像素电极PE2及第3共用电极CE3之间形成有控制液晶分子的取向所需要的电场，并且在第2像素电极PE2与第1共用电极CE1之间形成有屏蔽电场。这种屏蔽电场将由于源极布线S及栅极布线G与第1像素电极PE1之间的电位差而形成的来自源极布线S的不希望的泄漏电场屏蔽。因此，能够进一步抑制来自源极布线S及栅极布线的不希望的电场的形成，能够抑制显示质量的恶化。

图7是概略表示从对置基板侧观察图1所示的阵列基板AR时的一个像素PX的另一种结构例的俯视图。

在此示出的结构例与图2所示的结构例相比，不同之处在于，辅助电容线C1相比栅极布线G1更接近栅极布线G2，第1像素电极PE1形成为T字形状。即，辅助电容线C1与栅极布线G2的沿着第2方向Y的间隔小于辅助电容线C1与栅极布线G1的沿着第2方向Y的间隔。第1像素电极PE1的第1副像素电极PB1与辅助电容线C1对置，并与第1主像素电极PA1的沿着第2方向Y的栅极布线G2侧的一端部连接。

针对这种结构例的阵列基板AR，能够适用具有图3所示的第3共用电极CE3的对置基板CT。

图8是概略表示沿图7中的E-F线切断的液晶显示面板LPN的截面构造的剖面图。另外，沿图7中的A-B线切断的液晶显示面板LPN的截面构造如图4所示。

在此，主要说明阵列基板AR中的第1像素电极PE1和辅助电容线C1的位置关系，关于其它结构标注与图5所示的结构例相同的参照标号，并省略详细说明。

辅助电容线C1形成于第1绝缘膜11上，并被第2绝缘膜12覆盖。辅助电容线C1相比栅极布线G1偏向栅极布线G2侧，但远离栅极布线G2。第1副像素电极PB1形成于第4绝缘膜14上，并被第1取向膜AL1覆盖。第1副像素电极PB1远离第2副共用电极CBB2，并隔着第2绝缘膜12、第3绝缘膜13及第4绝缘膜14与辅助电容线C1对置。第1副共用电极CBB1位于辅助电容线C1与栅极布线G2之间、或者第1副像素电极PB1与第2副共用电极CBB2之间。

在参照图7和图8说明的结构例中，能够得到与上述的结构例相同的效果。

图9是概略表示从对置基板侧观察图1所示的阵列基板AR时的一个像素PX的另一种结构例的俯视图。

在此示出的结构例与图7所示的结构例相比，不同之处在于，除像素电极PE位于上层的第1像素电极PE1外，还具有位于第1像素电极PE1的下层的第2像素电极PE2。在图9中，为了明确第1像素电极PE1和第2像素电极PE2，而改变各自的尺寸进行了图示，然而第2像素电极PE2形成为与第1像素电极PE1大致相同的形状，而且第2像素电极PE2配置在与第1像素电极PE1基本重叠的位置。即，第2像素电极PE2具有沿着第2方向Y延伸的带状的第2主像素电极PA2、和沿着第1方向X延伸的带状的第2副像素电极PB2。第2副像素电极PB2与辅助电容线C1对置。第1像素电极PE1具有沿着第2方向Y延伸且与第2主像素电极PA2对置的带状的第1主像素电极PA1、和沿着第1方向X延伸且与第2副像素电极PB2对置的带状的第1副像素电极PB1。第2像素电极PE2与第1共用电极CE1相同地形成于第3绝缘膜13上，并被第4绝缘膜14覆盖。此时，第2副像素电极PB2远离第1副共用电极CBB1。像素电极PE是具有第1像素电极PE1和第2像素电极PE2的双层构造，而且都是相同的T字形状，在这种情况下，第1副像素电极PB1接近第2副共用电极CBB2，第2副像素电极PB2接近第1副共用电极CBB1。尤其是第1副共用电极CBB1位于比栅极布线G靠像素电极PE侧的位置，并接近第2副像素电极PB2。在通过高精细化来缩小像素尺寸、使布线间距离或者电极间距离缩短的情况下，也可以省略第2副像素电极PB2，以避免像素电极PE与共用电极CE的短路，也可以适用如图6所示的十字形状的像素电极PE，还可以适用省略了第2像素电极PE2的如图7和图8所示的结构例。

针对这种结构例的阵列基板AR，能够适用具有图3所示的第3共用电极CE3的对置基板CT。由此，能够得到与上述的结构例相同的效果。

下面，对变形例进行说明。

在上述的图2、图6A、图7和图9分别示出的阵列基板AR，也可以与不具有第3共用电极CE3的对置基板CT进行组合。

图10是概略表示变形例的液晶显示面板LPN的截面构造的剖面图。

在此示出的变形例与图4所示的结构例相比，不同之处在于，省略了对置基板CT的第3共用电极。在对置基板CT中，涂覆层OC的阵列基板AR侧整面被第2取向膜AL2覆盖。在该结构例中，在ON时主要在第1像素电极PE1的第1主像素电极PA1与第2共用电极CE2的第2主共用电极CA2之间形成有控制液晶分子的取向所需要的电场。另一方面，与上述的结构例相同地，第1共用电极CE1和第2共用电极CE2将来自栅极布线和源极布线的不希望的泄漏电场屏蔽。因此，能够抑制显示质量的恶化。

如以上说明的那样，根据本实施方式，能够提供可以抑制显示质量的恶化的液晶显示装置。

上面所描述的实施方式仅是示例，并不限定本发明。实际上，所描述的各个实施方式在不脱离本发明主旨的范围内可以进行各种变形及组合。所附权利请求及其等同物旨在覆盖这些落入本发明的范围和精神之内的变形或组合。

Claims (16)

1.一种液晶显示装置，具有：

第1基板，具有：栅极布线，沿第1方向延伸；源极布线，沿与第1方向交叉的第2方向延伸；开关元件，与所述栅极布线及所述源极布线电连接；第1层间绝缘膜，位于所述栅极布线及所述源极布线的上方；第1共用电极，包括在所述第1层间绝缘膜上沿着所述源极布线延伸的第1副共用电极；第2层间绝缘膜，覆盖所述第1共用电极；像素电极，包括在所述第2层间绝缘膜上沿第2方向延伸的第1主像素电极，并与所述开关元件电连接；以及第2共用电极，电位与所述第1共用电极相同，包括在所述第2层间绝缘膜上与所述第1副共用电极平行地延伸的第2副共用电极，所述第1副共用电极位于比与所述栅极布线重叠的位置靠所述像素电极侧的位置，所述第2副共用电极与所述栅极布线对置；

第2基板，具有第3共用电极，其电位与所述第2共用电极相同，包括沿第2方向延伸的第3主共用电极和与所述第2副共用电极对置的第3副共用电极；以及

液晶层，被保持在所述第1基板和所述第2基板之间。

2.根据权利要求1所述的液晶显示装置，所述像素电极还包括第2主像素电极，该第2主像素电极与在所述第1层间绝缘膜上沿第2方向延伸的所述第1主像素电极对置，并被所述第2层间绝缘膜覆盖。

3.根据权利要求1所述的液晶显示装置，所述像素电极形成为还包括第1副像素电极的十字形状或者T字形状，该第1副像素电极与所述第1主像素电极连接，并沿第1方向延伸。

4.根据权利要求1所述的液晶显示装置，所述第1共用电极还包括沿着所述源极布线延伸的第1主共用电极，

所述第2共用电极还包括第2主共用电极，该第2主共用电极与所述第1主像素电极平行地延伸，且与所述第3主像素电极对置。

5.一种液晶显示装置，具有：

第1基板，具有：第1栅极布线及第2栅极布线，分别沿第1方向延伸；第1源极布线及第2源极布线，分别沿与第1方向交叉的第2方向延伸；开关元件，与所述第1栅极布线及所述第1源极布线电连接；第1层间绝缘膜，位于所述第1栅极布线、所述第2栅极布线、所述第1源极布线以及所述第2源极布线的上方；网格状的第1共用电极，在所述第1层间绝缘膜上分别沿着所述第1栅极布线、所述第2栅极布线、所述第1源极布线以及所述第2源极布线延伸而形成；第2层间绝缘膜，覆盖所述第1共用电极；像素电极，包括在所述第2层间绝缘膜上沿第2方向延伸的第1主像素电极，并与所述开关元件电连接；以及第2共用电极，电位与所述第1共用电极相同，呈在所述第2层间绝缘膜上与所述第1共用电极平行地延伸的网格状，所述第1共用电极具有位于比与所述第1栅极布线重叠的位置靠所述像素电极侧的位置的第1区段、和位于比与所述第2栅极布线重叠的位置靠所述像素电极侧的位置的第2区段，所述第2共用电极具有与所述第1栅极布线对置的第3区段、和与所述第2栅极布线对置的第4区段；

第2基板，具有第3共用电极，其电位与所述第2共用电极相同，呈与所述第2共用电极对置的网格状；以及

液晶层，被保持在所述第1基板和所述第2基板之间。

6.根据权利要求5所述的液晶显示装置，所述第1基板还具有辅助电容线，该辅助电容线沿第1方向延伸，且位于所述第1栅极布线和所述第2栅极布线的中间。

7.根据权利要求6所述的液晶显示装置，所述像素电极形成为还包括副像素电极的十字形状，该副像素电极与所述辅助电容线对置，与所述第1主像素电极的中间部连接，并沿第1方向延伸。

8.根据权利要求5所述的液晶显示装置，所述第1基板还具有辅助电容线，该辅助电容线沿第1方向延伸，且相比所述第1栅极布线更接近所述第2栅极布线。

9.根据权利要求8所述的液晶显示装置，所述像素电极形成为还包括副像素电极的T字形状，该副像素电极与所述辅助电容线对置，与所述第1主像素电极的一端部连接，并沿第1方向延伸。

10.根据权利要求5所述的液晶显示装置，所述第1主像素电极位于所述第1源极布线和所述第2源极布线的中间。

11.根据权利要求5所述的液晶显示装置，所述像素电极还包括第2主像素电极，该第2主像素电极在所述第1层间绝缘膜上沿第2方向延伸，与所述第1主像素电极对置，并被所述第2层间绝缘膜覆盖。

12.一种液晶显示装置，具有：

第1基板，具有：第1栅极布线及第2栅极布线，分别沿第1方向延伸；第1源极布线及第2源极布线，分别沿与第1方向交叉的第2方向延伸；开关元件，与所述第1栅极布线及所述第1源极布线电连接；第1层间绝缘膜，位于所述第1栅极布线、所述第2栅极布线、所述第1源极布线以及所述第2源极布线的上方；网格状的第1共用电极，在所述第1层间绝缘膜上分别沿着所述第1栅极布线、所述第2栅极布线、所述第1源极布线以及所述第2源极布线延伸而形成；第2层间绝缘膜，覆盖所述第1共用电极；像素电极，包括在所述第2层间绝缘膜上沿第2方向延伸的第1主像素电极，并与所述开关元件电连接；以及第2共用电极，电位与所述第1共用电极相同，呈在所述第2层间绝缘膜上与所述第1共用电极平行地延伸的网格状，所述第1共用电极具有位于比与所述第1栅极布线重叠的位置靠所述像素电极侧的位置的第1区段、和位于比与所述第2栅极布线重叠的位置靠所述像素电极侧的位置的第2区段，所述第2共用电极具有与所述第1栅极布线对置的第3区段、和与所述第2栅极布线对置的第4区段；

第2基板，与所述第1基板对置配置；以及

液晶层，被保持在所述第1基板和所述第2基板之间。

13.根据权利要求12所述的液晶显示装置，所述第1基板还具有辅助电容线，该辅助电容线沿第1方向延伸，且位于所述第1栅极布线和所述第2栅极布线的中间。

14.根据权利要求13所述的液晶显示装置，所述像素电极形成为还包括副像素电极的十字形状，该副像素电极与所述辅助电容线对置，与所述第1主像素电极的中间部连接，并沿第1方向延伸。

15.根据权利要求12所述的液晶显示装置，所述第1基板还具有辅助电容线，该辅助电容线沿第1方向延伸，且相比所述第1栅极布线更接近所述第2栅极布线,。

16.根据权利要求15所述的液晶显示装置，所述像素电极形成为还包括副像素电极的T字形状，该副像素电极与所述辅助电容线对置，与所述第1主像素电极的一端部连接，并沿第1方向延伸。