TWI558289B - 電路板、導電膜形成方法及黏合性改善劑 - Google Patents

電路板、導電膜形成方法及黏合性改善劑 Download PDF

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Description

電路板、導電膜形成方法及黏合性改善劑
本發明有關一電路板,該電路板包括藉由將一由銅微粒組成之膜光燒結(photo sintering)而形成的導電膜;一導電膜形成方法,其中在一基材上形成導電膜;以及一黏合性改善劑,其改善了導電膜對基材的黏合性。
至今存在一電路板(印刷電路板),其中藉由光微影將一由銅箔組成之電路形成在基板上。光微影包括蝕刻銅箔的步驟,並且需要高成本來處理由蝕刻所產生的廢棄液體及其類似者。
已知一方法作為不需蝕刻的技術,其中使用包含散佈在分散媒介物中之銅微粒(銅奈米微粒)的銅微粒分散劑(銅墨水)在基板上形成導電膜(參照例如專利文獻1)。根據此方法,將銅微粒分散劑的液態膜形成在基板上,並使液態膜乾燥以形成一由銅微粒組成之膜。由於光燒結而使該膜進行結塊,並從而形成導電膜。基板係由如玻璃或聚亞胺之非熱塑性基材所製成,以使材料能耐受因銅微粒吸收光線能量所造成的熱產生。
此導電膜具有低電阻,並且具有達到使該膜不被膠帶剝離之如此程度的對於基材之黏合性。然而,當試圖增加導電膜的厚度以便進一步降低電阻時,導電膜可能會被剝離。
[先前技術文獻]
專利文獻1:美國專利申請案第2008/0286488號。
本發明係用以解決上述問題,且其目標為改善導電膜對於基材之導電膜黏合性,該導電膜係藉由將一由銅微粒組成之膜光燒結而形成。
本發明之電路板包括電路及基板,該電路包括導電膜,且其特徵在於更包括:一樹脂層,介於基板與導電膜之間,基板係由非熱塑性基材所製成,樹脂層包含熱塑性樹脂,以及導電膜係藉由將一由銅微粒組成之膜光燒結而形成。
在此電路板中,熱塑性樹脂較佳地係選自由熱塑性聚亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚伸苯基硫化物樹脂、聚氨基甲酸酯樹脂、聚乙烯基氯化物樹脂、及苯乙烯樹脂所組成的群組。
在此電路板中,較佳地將鍍層塗佈至導電膜。
在此電路板中,鍍層較佳地為電鍍或無電電鍍。
本發明之黏合性改善劑係用於形成上述電路板中的樹脂層,且其特徵在於藉由將熱塑性樹脂溶解在溶劑中而產生。
本發明之導電膜形成方法係其中在一基材上形成導電膜之方法,且其特徵在於包括下列步驟:使用包含熱塑性樹脂之黏合性改善劑在非熱塑性基材上形成樹脂層、使用銅微粒分散劑在該樹脂層上形成一由銅微粒組成之膜、以及使該膜進行光燒結。
在此導電膜形成方法中,熱塑性樹脂較佳地係選自由熱塑性聚亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚伸苯基硫化物樹脂、聚氨基甲酸酯樹脂、聚乙烯基氯化物樹脂、及苯乙烯樹脂所組成的群組。
在此導電膜形成方法中,較佳地更包括將鍍層塗佈至光燒結膜的步驟。
在此導電膜形成方法中,鍍層較佳地為電鍍或無電電鍍。
黏合性改善劑係用於上述導電膜形成方法中的黏合性改善劑,且可藉由將熱塑性樹脂溶解在溶劑中而產生。
根據本發明之電路板,其包括一包含熱塑性樹脂之樹脂層,且因此經由該樹脂層而改善導電膜對基材的黏合性。
1‧‧‧電路板
2‧‧‧導電膜
3‧‧‧基板
4‧‧‧樹脂層
5‧‧‧鍍層
21‧‧‧銅微粒
22‧‧‧液態膜
23‧‧‧膜
24‧‧‧光燒結膜
31‧‧‧基材
圖1係根據本發明之實施例之電路板的橫剖面示意圖。
圖2(a)至2(f)係以時間先後順序顯示形成電路板之導電膜形成方法的橫剖面示意圖。
將參考圖1描述根據本發明之實施例的電路板。電路板1包括一電路及一基板3,該電路包括導電膜2。電路板1更包括介於基板3與導電膜2之間的樹脂層4。基板3係由非熱塑性基材31製成。樹脂層4包含熱塑性樹脂。導電膜2係藉由將一由銅微粒21組成之膜光燒結而形成。在本實施例中,將鍍層5塗佈至導電膜2。鍍層5為電鍍。鍍層5亦可為無電電鍍。在部份或全部的導電膜2中可省略鍍層5。
在樹脂層4的形成中,使用了黏合性改善劑。黏合性改善劑係藉由將熱塑性樹脂溶解在溶劑中而產生。
將更加詳細敘述電路板1。電路板1係印刷電路板。電路包括導電膜2。導電膜2構成例如在電路元件之間產生電性連接的導線。導電膜2可構成電路元件或其一部份,例如電容的電極或線圈、及其類似者。用於形成導電膜2之銅微粒21係具有1 nm或大於1 nm、且小於100 nm的中微粒直徑之奈米微粒。基板3係藉由將基材31形成為板狀而獲得。基材31係具有非熱塑性及高耐熱性之材料,且其範例包括但不限於玻璃、非熱塑性聚亞胺、陶瓷、熱固性樹脂、矽晶圓、及類似者。樹脂層4係一形成在基材31上作為導電膜2的底塗塗層之層。包含在樹脂層4中之熱塑性樹脂的例子包括但不限於熱塑性聚亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚伸苯基硫化物(polyphenylene sulfide)樹脂、聚氨基甲酸酯(polyurethane)樹脂、聚乙烯基氯化物樹脂、苯乙烯樹脂、及類似者。樹脂層4不限於單層,並且可由不同種類的樹脂所製成之複數層來形成薄層。
塗佈鍍層5以便增加導電膜2的厚度。當鍍層5為電鍍時,鍍層金屬的例子包括但不限於銅、鎳、錫、鉻、鈀、金、鉍、鈷、鐵、銀、鉛、鉑、銥、鋅、銦、釕、銠、及類似者。當鍍層5為無電電鍍時,鍍層金屬的例子包括但不限於銅、錫、銀、鎳、鈀、金、及類似者。鍍層亦可 為合金鍍層。
將參考圖2(a)至2(f)來描述形成如上述所配置之電路板1的導電膜形成方法。如圖2(a)及2(b)所示,以預定厚度將黏合性改善劑塗佈在由基材31所製成的基板3上,並隨後使黏合性改善劑的溶劑變乾以形成樹脂層4。
如圖2(c)所示,由銅微粒分散劑所製成之液態膜22係形成在樹脂層4上。銅微粒分散劑係包含散佈於其中之銅微粒21的液體。樹脂層4上的液態膜22係例如藉由印刷法來形成。在印刷法中,銅微粒分散劑作為印刷用的墨水,並且藉由印刷裝置將預定圖案印刷在樹脂層4上,以形成帶有圖案之液態膜22。接著,使液態膜22變乾。如圖2(d)所示,藉由使液態膜22變乾而將銅微粒21留在樹脂層4上,且因此在樹脂層4上形成由銅微粒21組成之膜23。
接著,以光線照射由銅微粒21組成之膜23,並且將此膜23進行光燒結。在光燒結中,移除了膜23中之銅微粒21的表面氧化膜,並且也將銅微粒21燒結。如圖2(e)所示,在燒結過程中,銅微粒21彼此熔化並熔接至樹脂層4。在大氣下、於室溫執行光燒結。光燒結中所使用的光源為例如氙燈。雷射裝置亦可用作光源。以光線照射而使光燒結膜24進行結塊並賦予導電性,並且也黏附至樹脂層4。
接著,將鍍層5塗佈在光燒結膜24。此鍍層5為電鍍或無電電鍍。在電鍍中,將光燒結膜24浸入電鍍液中,並作為其為晶種層之陰極。在無電電鍍中,光燒結膜24作為對於包含在電鍍液中之還原劑的氧化反應之催化活性晶種層。如圖2(f)所示,鍍層5使導電膜2的厚度增加(鍍層厚度增加)。
在此導電膜形成方法中,設定藉以照射由銅微粒21組成之膜23的光線能量,以免造成包含熱塑性樹脂之樹脂層4的損壞,從而導致光燒結膜24未充分結塊,造成高電阻(片電阻)。由於該膜24具有高電阻但又具導電性,故其可用作電鍍中的晶種層。在無電電鍍中,晶種層的電阻便從未是個問題。因此,可能將鍍層塗佈至光燒結膜24。導電膜2的電阻對應於鍍層5之結塊金屬的電阻值。
不同於本實施例,當由銅微粒21組成之膜直接形成在非熱 塑性基材31(如玻璃)上而不形成樹脂層4時,藉由光燒結所形成之膜對於基材31具有達到膜不被膠帶剝離的程度之令人滿意的黏合性,並且具有低電阻(片電阻)。這是因為膜熔接至基材31及結塊係充分執行(由於能增加光燒結中的光線之照射能量)。需要增加厚度以便進一步降低此膜的電阻。然而,本發明之發明人藉由測試已發現到當為了增加厚度而將鍍層塗佈至膜以形成導電膜2時,所鍍層之導電膜2變得容易自基材31剝離。
如此之導電膜2的剝離被認為是由於下列作用。若光燒結中之光線的照射能量夠大,則藉由將該由銅微粒21組成之膜23光燒結所形成的膜對於基材31具有達到膜不被膠帶剝離的程度之令人滿意的黏合性。然而,因為基材31的非熱塑性,所以銅微粒21並未充分熔接至基材31。因此,由於存留在導電膜2之鍍層內部的內應力,而使藉由塗佈鍍層至膜所形成之導電膜2變得容易自基材31剝離。上述作用係一說明測試結果的理論,且不限制本發明。
如同本實施例,本發明之發明人藉由測試已發現到當包含熱塑性樹脂的樹脂層4形成在基材31上、以及藉由光燒結將鍍層5塗佈至形成在樹脂層4上的膜24時,所形成之導電膜2變得難以剝離。
樹脂層4對於導電膜2之黏合性的如此改善被認為是由於下列作用。當由銅微粒21組成之膜23進行光燒結時,銅微粒21吸收光線的能量而產生熱量,而鄰接樹脂層4之銅微粒21牢固地熔接以便咬入樹脂層4。因為光燒結膜24未藉由光燒結而充分結塊,所以即使銅微粒21之間形成空間,而該空間被沈澱在鍍層中的金屬填滿,且因此該膜進行結塊。由於牢固熔接至樹脂層4的銅微粒21作為固定物,故藉由如此結塊作用防止所形成之導電膜2自樹脂層4剝離。上述作用係一說明測試結果的理論,且不限制本發明。
如同從本發明之發明人的測試中顯而易見,即使在基材31上形成不包含熱塑性樹脂的層,導電膜2的黏合性並不因該層而改善。
將詳細敘述在此導電膜形成方法中所使用之銅微粒分散劑。銅微粒分散劑包括銅微粒21、至少一種包含銅微粒21的分散媒介物、及至少一種分散劑。分散媒介物係例如質子分散媒介物、或具有30或更大的介電常數之非質子極性分散媒介物。分散劑允許銅微粒21散佈在分散媒 介物中,並且分散劑係例如具有至少一酸性官能基並具有200或更大且100000或更小的分子量之化合物,或其鹽類。
質子分散媒介物的例子包括但不限於3-甲氧基-3-甲基丁醇、三乙烯乙二醇單甲基醚(triethylene glycol monomethyl ether)、二乙烯乙二醇單丁基醚(diethylene glycol monobutyl ether)、二乙烯乙二醇單甲基醚、丙烯乙二醇單丁基醚、乙烯乙二醇單己基醚、乙烯乙二醇單第三丁基醚、2-辛醇、2-甲基戊烷-2,4-二醇、乙烯乙二醇、丙烯乙二醇、1,5-戊二醇(1,5-pentanediol)、二乙烯乙二醇、三乙烯乙二醇、乙二醇、山梨醇、及類似者。
具有30或更大的介電常數之非質子極性分散媒介物的例子包括但不限於丙烯碳酸酯(propylene carbonate)、1,3-二甲基-2-四氫咪唑酮(1,3-dimethyl-2-imidazolidinone)、六甲基磷醯胺(hexamethylphosphoramide)、N-甲基吡咯啶酮(N-methylpyrrolidone)、N-乙基吡咯啶酮、硝基苯、N,N-二乙基甲醯胺(N,N-diethylformamide)、N,N-二甲基乙醯胺(N,N-dimethylacetamide)、糠醛(furfural)、γ-丁內酯(γ-butyrolactone)、乙烯亞硫酸鹽、四氫噻吩(sulfolane)、二甲基亞碸(dimethyl sulfoxide)、丁二腈(succinonitrile)、乙烯碳酸酯、及類似者。
分散劑具有例如磷酸基(phosphoric acid group)、膦酸基(phosphonic acid group)、磺酸基(sulfonic acid group)、硫酸基(sulfuric acid group)、或羧基(carboxyl group)作為酸性官能基。
如以上所述,由於本實施例之電路板1包括含有熱塑性樹脂之樹脂層4,因此在光燒結時導電膜2熔接至樹脂層4,且經由樹脂層4從而改善對基材31的黏合性。
即使鍍層5塗佈至導電膜2,黏合性的改善防了止導電膜2剝離。將鍍層5塗佈至導電膜2,使導電膜2能進行結塊及增加膜厚度,且因此使導電膜2的電阻降低,從而導致電流容量增加。
根據本實施例之導電膜形成方法,由於使用了藉由將熱塑性樹脂溶解在溶劑中所產生之黏合性改善劑,故可輕易形成樹脂層4。由於使用了銅微粒分散劑,故可藉由印刷方法及其類似方法而輕易形成由銅微粒21組成之膜23,且因此可藉由將膜23光燒結而輕易形成導電膜2。
利用本實施例之導電膜形成方法,如以下範例在基材31上形成導電膜2,並且測試及評估如此形成之導電膜2。
[範例1]
使用具有耐熱性之聚亞胺膜(由Du Pont-Toray Co.,Ltd.製造,商品名稱為「Kapton(註冊商標)200EN」)作為基材31。包含聚亞胺樹脂(熱塑性樹脂)之聚亞胺墨水係用作黏合性改善劑,該聚亞胺樹脂包含嵌段共聚合聚亞胺作為主要材料。此黏合性改善劑係藉由旋塗法塗佈在基材31上,並隨後在大氣下、於100℃至250℃乾燥30分鐘,以便使溶劑變乾而形成0.5 μm厚的樹脂層4。藉由旋塗法將銅微粒分散劑(由ISHIHARA CHEMICAL CO.,LTD.製造,商品名稱為「CJ-0104」)塗佈在此樹脂層4上,並隨後在大氣下、於100℃乾燥30分鐘,後接使用具有氙燈的閃光照射裝置之光燒結以產生樣本基板。以0.5 J/cm2或更大與30 J/cm2或更小的範圍內之照射能量每次執行光燒結0.1 ms至10 ms,並且執行一或多次照射直到獲得具有片電阻約1000 mΩ/□或更小的導電膜為止。
接著,執行電解銅鍍層液之電解池的初始製備。電解銅鍍層係電鍍,其中鍍層金屬為銅。此鍍層液的成份如下:120 g/L的五水合硫酸銅(copper sulfate pentahydrate)作為二價銅離子的供應源、180 g/L的硫酸、25 ppm的氫氯酸、及純水(平衡)。
樣本基板經過在10 wt%硫酸中的預處理,且接著立即用純水清洗。隨後將樣本基板浸入上述電解銅鍍層液中,並且在25℃的液體溫度及4.0 A/dm2的陰極電流密度之條件下,使電解銅鍍層塗佈至樣本基板。用純水清洗樣本基板並加以乾燥。樣本基板中之導電膜2的鍍層厚度為10 μm。
藉由橫切膠帶方法(JIS K5600)來測試導電膜2的黏合性。在此測試中,藉由在表面中切割而使導電膜2的測試表面上形成25個方塊的格子圖案,並將黏性膠帶施加在切割方塊上,然後剝下壓感黏性膠帶,並接著觀察測試表面。在25個方塊中,保留下來而沒被剝離的方塊數目為25。
[範例2]
除了將樹脂層4的厚度設定至1 μm以外,用如同範例1 中的相同方法產生測試基板。藉由橫切膠帶方法來測試導電膜2的黏合性。在25個方塊中,保留下來而沒被剝離的方塊數目為25。
[範例3]
除了將樹脂層4的厚度設定至2 μm以外,用如同範例2中的相同方法產生測試基板。藉由橫切膠帶方法來測試導電膜2的黏合性。在25個方塊中,保留下來而沒被剝離的方塊數目為25。
[範例4]
除了使用包含聚醯胺醯亞胺樹脂(熱塑性樹脂)的樹脂溶液作為黏合性改善劑、將樹脂層4的厚度設定至0.3 μm、以及將導電膜2的鍍層厚度設定至5 μm以外,用如同範例3中的相同方法產生測試基板。藉由橫切膠帶方法來測試導電膜2的黏合性。在25個方塊中,保留下來而沒被剝離的方塊數目為25。
[範例5]
除了使用包含聚亞胺漆(熱塑性樹脂)的另一樹脂溶液作為黏合性改善劑以外,用如同範例4中的相同方法產生測試基板。藉由橫切膠帶方法來測試導電膜2的黏合性。在25個方塊中,保留下來而沒被剝離的方塊數目為25。
[範例6]
除了使用包含聚酯(熱塑性樹脂)的另一樹脂溶液作為黏合性改善劑、以及將樹脂層4的厚度設定至1 μm以外,用如同範例5中的相同方法產生測試基板。藉由橫切膠帶方法來測試導電膜2的黏合性。在25個方塊中,保留下來而沒被剝離的方塊數目為25。
[範例7]
除了使用無鹼性玻璃(由康寧公司(Corning Incorporated)製造,商品名稱為「EAGLE XG」)作為基材31以外,用如同範例6中的相同方法產生測試基板。藉由橫切膠帶方法來測試導電膜2的黏合性。在25個方塊中,保留下來而沒被剝離的方塊數目為25。
[範例8]
除了使用包含聚伸苯基硫化物樹脂(熱塑性樹脂)的樹脂溶液作為黏合性改善劑、以及將樹脂層4的厚度設定至0.3 μm以外,用如同 範例7中的相同方法產生測試基板。藉由橫切膠帶方法來測試導電膜2的黏合性。在25個方塊中,保留下來而沒被剝離的方塊數目為23。
[範例9]
除了使用鈉玻璃作為基材31、使用包含聚氨基甲酸酯樹脂(熱塑性樹脂)的樹脂溶液(其包含聚氨基甲酸酯/氧化矽混合樹脂作為主要成份)作為黏合性改善劑、以及將樹脂層4的厚度設定至1 μm以外,用如同範例8中的相同方法產生測試基板。藉由橫切膠帶方法來測試導電膜2的黏合性。在25個方塊中,保留下來而沒被剝離的方塊數目為5。
[範例10]
除了使用包含聚氨基甲酸酯樹脂(熱塑性樹脂)的另一樹脂溶液作為黏合性改善劑以外,用如同範例9中的相同方法產生測試基板。藉由橫切膠帶方法來測試導電膜2的黏合性。在25個方塊中,保留下來而沒被剝離的方塊數目為5。
[範例11]
除了使用包含聚氨基甲酸酯樹脂(熱塑性樹脂)的另一樹脂溶液作為黏合性改善劑以外,用如同範例9中的相同方法產生測試基板。藉由橫切膠帶方法來測試導電膜2的黏合性。在25個方塊中,保留下來而沒被剝離的方塊數目為5。
[範例12]
除了使用如範例7中的相同無鹼性玻璃作為基材31、使用包含聚乙烯基氯化物樹脂(熱塑性樹脂)的乙烯基氯化物樹脂基黏著劑作為黏合性改善劑以外,用如同範例11中的相同方法產生測試基板。藉由橫切膠帶方法來測試導電膜2的黏合性。在25個方塊中,保留下來而沒被剝離的方塊數目為5。
[範例13]
除了使用包含苯乙烯樹脂(熱塑性樹脂)的苯乙烯樹脂基黏著劑作為黏合性改善劑以外,用如同範例12中的相同方法產生測試基板。藉由橫切膠帶方法來測試導電膜2的黏合性。在25個方塊中,保留下來而沒被剝離的方塊數目為5。
[範例14]
執行電解銅鍍層液之電解池的初始製備。此鍍層液的成份如下:2.0 g/L的五水合硫酸銅作為二價銅離子的供應源、5.0 g/L的甲醛作為還原劑、30.0 g/L的乙二胺四乙酸(EDTA,ethylenediaminetetraacetic)作為螯合劑、9.6 g/L的氫氧化鈉作為pH值調節劑、及純水(平衡)。將鍍層液的pH值調節至12.8。
用如同範例4中的相同方法產生塗佈鍍層前的測試基板。用純水清洗樣本基板,並隨後浸入上述無電銅鍍層液中,並且在50℃的液體溫度之條件下,使無電銅鍍層塗佈至樣本基板。用純水清洗樣本基板並加以乾燥。導電膜2的鍍層厚度為5 μm。藉由橫切膠帶方法來測試此導電膜2的黏合性。在25個方塊中,保留下來而沒被剝離的方塊數目為25。
[範例15]
除了使用如範例5中的相同樹脂溶液作為黏合性改善劑以外,用如同範例14中的相同方法產生測試基板。藉由橫切膠帶方法來測試導電膜2的黏合性。在25個方塊中,保留下來而沒被剝離的方塊數目為25。
[範例16]
除了使用如範例8中的相同無鹼性玻璃作為基材31、使用如範例8中的相同樹脂溶液作為黏合性改善劑、以及將導電膜2的鍍層厚度設定至1 μm以外,用如同範例15中的相同方法產生測試基板。藉由橫切膠帶方法來測試導電膜2的黏合性。在25個方塊中,保留下來而沒被剝離的方塊數目為3。
上述之範例1至13揭露了使用包含熱塑性樹脂的黏合性改善劑使電鍍層能塗佈在光燒結膜上、以及使導電膜2的厚度增加。範例14至16揭露了使用包含熱塑性樹脂的黏合性改善劑使無電鍍層能塗佈在光燒結膜上、以及使導電膜2的厚度增加。
(比較範例1)
除了將包含環氧基樹脂混合物(熱固性樹脂)作為主要成份的樹脂溶液用作不包含熱塑性樹脂的底塗來代替黏合性改善劑、將乾燥後之底塗的膜設定至1 μm、以及將導電膜2的塗層厚度設定至5 μm以外,用如同範例1中的相同方法產生測試基板。導電膜2於鍍層期間剝離。
(比較範例2)
除了將包含環氧基樹脂混合物(熱固性樹脂)作為主要成份的另一樹脂溶液用作底塗以外,用如同比較範例1中的相同方法產生測試基板。導電膜2於鍍層期間剝離。
(比較範例3)
除了將包含氧化鈦作為主要成份的無機溶液用作底塗以外,用如同比較範例2中的相同方法產生測試基板。導電膜2於鍍層期間剝離。
(比較範例4)
除了將如範例7中的相同無鹼性玻璃用作基材31以外,用如同比較範例1中的相同方法產生測試基板。導電膜2於鍍層期間剝離。
(比較範例5)
除了將如比較範例2中的相同樹脂溶液用作底塗以外,用如同比較範例4中的相同方法產生測試基板。導電膜2於鍍層期間剝離。
(比較範例6)
除了將如比較範例3中的相同無機溶液用作底塗以外,用如同比較範例5中的相同方法產生測試基板。導電膜2於鍍層期間剝離。
(比較範例7)
除了將具有胺基的矽烷耦合劑用作底塗、以及將底塗的厚度設定至0.1 μm以外,用如同比較範例6中的相同方法產生測試基板。導電膜2於鍍層期間剝離。
(比較範例8)
除了將具有另一環氧基的另一矽烷耦合劑用作底塗以外,用如同比較範例7中的相同方法產生測試基板。導電膜2於鍍層期間剝離。
(比較範例9)
除了將鈉玻璃用作基材31、將包含雙酚A類環氧基樹脂(熱固性樹脂)作為主要成份的樹脂溶液用作底塗以外,用如同比較範例6中的相同方法產生測試基板。導電膜2於鍍層期間剝離。
(比較範例10)
除了將包含雙酚A類環氧基樹脂(熱固性樹脂)和烷氧基矽烷作為主要成份的二液體反應類型之另一樹脂溶液用作底塗以外,用如 同比較範例9中的相同方法產生測試基板。導電膜2於鍍層期間剝離。
(比較範例11)
除了將包含環氧基樹脂混合物(熱固性樹脂)和烷氧基矽烷作為主要成份的另一樹脂溶液用作底塗以外,用如同比較範例10中的相同方法產生測試基板。導電膜2於鍍層期間剝離。
(比較範例12)
除了將包含熱固性樹脂作為主要成份的二液體反應類型之另一樹脂溶液用作底塗以外,用如同比較範例11中的相同方法產生測試基板。導電膜2於鍍層期間剝離。
上述之比較範例1至12揭露了使用不包含熱塑性樹脂的底塗來代替黏合性改善劑無法使導電膜2對底塗達到足夠的黏合性,而且無法將塗層塗佈至底塗。
本發明不限於以上所述實施例之配置,並且在不離開本發明的精神或範圍的情況下,可實施各種修改。例如,基材31的形狀不限於板狀,並且可為任何三維形狀。
1‧‧‧電路板
2‧‧‧導電膜
3‧‧‧基板
4‧‧‧樹脂層
5‧‧‧鍍層
21‧‧‧銅微粒
31‧‧‧基材

Claims (8)

  1. 一種包含電路及基板之電路板,該電路包括導電膜,該電路板更包含:一樹脂層,介於該基板與該導電膜之間,其中該基板係由非熱塑性基材所製成,該樹脂層包含熱塑性樹脂,該導電膜係藉由將一由銅微粒組成之膜光燒結而形成,以及將鍍層塗佈至該導電膜。
  2. 如申請專利範圍第1項之包含電路及基板之電路板,其中該熱塑性樹脂係選自由熱塑性聚亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚伸苯基硫化物樹脂、聚氨基甲酸酯樹脂、聚乙烯基氯化物樹脂、及苯乙烯樹脂所組成的群組。
  3. 如申請專利範圍第1項之包含電路及基板之電路板,其中該鍍層為電鍍或無電電鍍。
  4. 一種黏合性改善劑,該黏合性改善劑係用於形成根據申請專利範圍第1至3項其中任一項之該電路板中的該樹脂層,該黏合性改善劑係藉由將該熱塑性樹脂溶解在溶劑中而產生。
  5. 一種形成導電膜之方法,其中在一基材上形成導電膜,該方法包含下列步驟:使用包含熱塑性樹脂之黏合性改善劑在非熱塑性基材上形成樹脂層,使用銅微粒分散劑在該樹脂層上形成由銅微粒組成之膜,使該膜進行光燒結,以及將鍍層塗佈至該光燒結膜。
  6. 如申請專利範圍第5項之形成導電膜之方法,其中該熱塑性樹脂係選自由熱塑性聚亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚伸苯基硫化物樹脂、聚氨基甲酸酯樹脂、聚乙烯基氯化物樹脂、及苯乙烯樹脂所組成的群組。
  7. 如申請專利範圍第5項之形成導電膜之方法,其中該鍍層為電鍍或無電電鍍。
  8. 一種黏合性改善劑,該黏合性改善劑係用於形成根據申請專利範圍第5至7項其中任一項之該形成導電膜之方法,該黏合性改善劑係藉由將該熱塑性樹脂溶解在溶劑中而產生。
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