TWI551909B - 安裝構件及光耦合器 - Google Patents

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TWI551909B
TWI551909B TW103120026A TW103120026A TWI551909B TW I551909 B TWI551909 B TW I551909B TW 103120026 A TW103120026 A TW 103120026A TW 103120026 A TW103120026 A TW 103120026A TW I551909 B TWI551909 B TW I551909B
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Description

安裝構件及光耦合器 有關申請的相互引用
本申請案係根據並請求於2013年9月12日申請之日本第2013-189400號專利申請案之優先權，透過引用，其全部的內容在此被併入。
在此所描述之實施例係大致關於安裝構件及光耦合器。
光耦合器(包括光繼電器)可使用發光元件將輸入的電信號轉換成光信號、使用光接收元件接收光信號，並接著輸出電信號。因此，光耦合器可在輸入側和輸出側被相互絕緣的狀態下發送電信號。
在工業設備、辦公設備以及家用電氣設備中，不同的電源系統，例如，直流電壓系統、交流供電系統、電話線路系統和控制系統被佈置在一個設備中。然而，若不同的供電系統被直接地連接，可能發生操作故障(operational malfunction)。
若使用光耦合器，絕緣被設置在兩個不同的電力來源之間，且因此可抑制操作故障。
舉例而言，大量的光耦合器，包括用於交流負載(AC load)的那些光耦合器，被使用在變頻空調等當中。在LSI測試器中信號切換的情況下，非常大量的光耦合器被使用。在這樣的情況下，由於對減少安裝到基板上的區域之需求，強烈地要求小型化。即使以小的尺寸，其仍要求維持高的抗潮性及可靠性。
本發明的實施例提供一種光耦合器，其具有高的抗潮性及可靠性。
大致上，根據一實施例，安裝構件包括：絕緣基板、第一晶粒焊墊單元、第一端子及第二端子。絕緣基板具有矩形的第一表面、在第一表面的相對側之第二表面、第一側表面、在第一側表面的相對側之第二表面、第三側表面以及在第三側表面的相對側之第四側表面。通孔係設置以從第一表面延伸到第二表面。第一晶粒焊墊單元係設置在第一表面上。第一端子具有導電區域，其係覆蓋第一側表面、第一表面及第二表面。第二端子具有覆蓋第二側表面及第二表面之導電區域，且被設置在通孔中或設置在通孔的側壁上之導電材料連接到第一晶粒焊墊單元，並與第一端子絕緣。當從上方觀之時，第一晶粒焊墊單元、第一端 子以及第二端子係在絕緣基板的第一表面上相互分離。
5‧‧‧安裝構件
10‧‧‧絕緣基板
10a‧‧‧矩形第一表面
10b‧‧‧第二表面
10c‧‧‧第一側表面
10d‧‧‧第二側表面
10e‧‧‧第三側表面
10f‧‧‧第四側表面
10g‧‧‧通孔
10h‧‧‧缺口
20‧‧‧第一端子
21,22‧‧‧導電區域
23‧‧‧表面保護層
30‧‧‧第二端子
31,32‧‧‧導電區域
31m,32m‧‧‧內壁導電區域
33‧‧‧表面保護層
40‧‧‧第一晶粒焊墊單元
41‧‧‧第二晶粒焊墊單元
50‧‧‧光接收元件
50a‧‧‧控制電路
50b‧‧‧光二極體陣列
52‧‧‧接合層
60‧‧‧發光元件
70‧‧‧金屬氧化物半導體場效應電晶體
89‧‧‧透明矽氧樹脂
90‧‧‧密封樹脂層
94‧‧‧分隔溝槽部
100‧‧‧發光側引線框架
111‧‧‧發光元件
121‧‧‧光接收元件
131,132‧‧‧金屬氧化物半導體場效應電晶體
160‧‧‧透明樹脂
170‧‧‧光遮蔽樹脂
200‧‧‧光接收側引線框架
AA‧‧‧第一導電區域
BB‧‧‧第二導電區域
BW1,BW2‧‧‧接合導線
CC‧‧‧第二導電區域
DD,EE,FF,GG‧‧‧距離
D‧‧‧汲極
圖1A為根據第一實施例的安裝構件之示意俯視圖，且圖1B為沿線A-A所截切之示意剖視圖；圖2A為使用根據第一實施例的安裝構件之光耦合器的示意俯視圖，且圖2B為沿線A-A所截切之示意剖視圖；圖3A為根據第二實施例的安裝構件之示意俯視圖，圖3B為沿線A-A所截切之示意剖視圖，且圖3C為修改範例沿線A-A所截切之示意剖視圖；圖4A為使用根據第二實施例的安裝構件之光耦合器的示意俯視圖，且圖4B為沿線A-A所截切之示意剖視圖；圖5A為使用根據第三實施例的安裝構件之光耦合器的示意立體圖，圖5B為沿線A-A所截切之示意剖視圖，且圖5C為密封前的示意立體圖；圖6A到圖6H為示意圖，顯示根據比較範例之相對型的光耦合器之製造過程；圖7A為第三實施例的安裝構件之修改範例在切割前的示意俯視圖，且圖7B為沿線B-B所截切之示意剖視圖；圖8為圖5所顯示之光耦合器的配置圖；以及圖9為使用根據第二實施例的修改範例之安裝構件的 光耦合器之示意立體圖。
以下，本發明的實施例係參照圖式來加以描述。
圖1A為根據第一實施例的安裝構件之示意俯視圖，且圖1B為沿線A-A所截切之示意剖視圖。
安裝構件包括絕緣基板10、第一晶粒焊墊單元40、第一端子20及第二端子30。
絕緣基板10具有矩形的第一表面10a、在第一表面10a的相對側上之第二表面10b、第一側表面10c、在第一側表面10c的相對側上之第二側表面10d、第三側表面10e及在第三側表面10e的相對側上之第四側表面10f；且設置有從第一表面10a延伸到第二表面10b的通孔10g。絕緣基板10可由玻璃纖維等材料所製成，且可具有0.1到0.5毫米等的厚度。
缺口10h可設置於絕緣基板10的第一側表面10c及第二側表面10d上。導電材料可設置於缺口10h的內壁上。
舉例來說，第一端子20具有兩導電區域21及22。在每一導電區域21及22中，設置在第一表面10a上之導電區域和設置在第二表面10b上的導電區域係經由第一側表面10c的導電區域來連接。當第一側表面10c的導電區域及像是電路板的互連單元被焊錫圓角(solder fillet)等接合時，焊接材料的接合狀態之檢查為簡單的。如圖1所 示，亦能夠將缺口10h設置於第一側表面10c上，且在缺口10h的表面上設置導電區域。
舉例來說，第二端子30同樣地具有兩導電區域31及32。在每一導電區域31及32中，設置在第一表面10a上之導電區域和設置在第二表面10b上的導電區域係經由設置於缺口10h上的導電區域來連接。
第一晶粒焊墊單元40設置在第一表面10a上。第二端子30藉由導電材料連接到第一晶粒焊墊單元40。導電材料包括設置在通孔10g中的漿料層或電鍍層，或設置在通孔10g的側壁上之導電金屬化區域。第二端子30係與第一端子20絕緣。
第一晶粒焊墊單元40、第一端子20及第二端子30的導電區域可由設置在絕緣基板10的第一表面10a上的銅箔、堆疊在銅箔上的鎳或金等電鍍層等所製成。當從上方觀之時，第一晶粒焊墊單元40、第一端子20及第二端子30係在絕緣基板10的第一表面10a上相互分離。
圖2A為使用根據第一實施例的安裝構件之光耦合器的示意俯視圖，且圖2B為沿線A-A所截切之示意剖視圖。
光耦合器包括圖1的安裝構件5、光接收元件50、發光元件60及密封樹脂層90。光接收元件50被接合到第一晶粒焊墊單元40且於其上表面上具有光接收表面。發光元件60從其背表面朝向光接收元件50的上表面發射光。接合層52具有光透射比及絕緣特性，且將發光元件 60接合到光接收元件50的上表面。接合層52可由含有聚醯亞胺樹脂、環氧樹脂、矽氧樹脂或類似物的絕緣膏等所製成，且密封樹脂層90可由環氧樹脂、矽氧樹脂或類似物所製成。
發光元件60的陽極電極和陰極電極分別被接合導線或類似物連接到第一端子21及22。設置在光接收元件50的第一表面上的一電極被接合導線或類似物連接到第二端子32。光接收元件50的另一電極(例如，設置在背表面上的另一電極)被接合到第一晶粒焊墊單元40，且經由通孔10g被連接到第二端子31。
密封樹脂層90覆蓋光接收元件50、發光元件60及絕緣基板10的第一表面10a，並保護發光元件60、光接收元件50、接合導線等等。當從上方觀之時，第一晶粒焊墊單元40、第一端子20及第二端子30在絕緣基板10的第一表面10a上相互分離。因此，密封樹脂層90牢固地黏合到絕緣基板10的第一表面10a，且可維持高的抗潮性及可靠性。
圖3A為根據第二實施例的安裝構件之示意俯視圖，圖3B為沿線A-A所截切之示意剖視圖，且圖3C為修改範例沿線A-A所截切之示意剖視圖。
安裝構件5包括絕緣基板10、第一端子20及第二端子30。
絕緣基板10具有矩形的第一表面10a、在第一表面10a的相對側上之第二表面10b、第一側表面10c、在第一 側表面10c的相對側上之第二側表面10d、第三側表面10e及在第三側表面10e的相對側上之第四側表面10f。
缺口10h可設置於絕緣基板10的第一側表面10c及第二側表面10d上。導電區域可設置於缺口10h的側表面上。
第一端子20具有兩導電區域21及22。在每一導電區域21及22中，設置在第一表面10a上之導電區域和設置在第二表面10b上的導電區域係經由設置於缺口10h上的導電區域來連接。
第二端子30具有兩導電區域31及32。在每一導電區域31及32中，設置在第一表面10a上之導電區域和設置在第二表面10b上的導電區域係經由設置於缺口10h上的導電區域來連接。第二端子30及第一端子20被絕緣。
在圖3B中，第一端子20及第二端子30具有第一導電區域AA以及第二導電區域BB，第一導電區域AA包括含有金或銀的表面保護層，第二導電區域BB具有由銅等所製成的不同於第一導電區域AA的表面保護層之表面。當從上方觀之時，第一端子20及第二端子30在絕緣基板10的第一表面10a上相互分離。
銅形成主要電流路徑。第一導電區域AA含有銅以及設置於其上的金或銀，且第一導電區域係設置以為了可靠地使半導體元件及打線(wire bonding)接合。
然而，在第一導電區域AA中，金或銀對密封樹脂層90不具有足夠的黏性，且不具有足夠的抗潮性及可靠 性。因此，在銅被形成之後，第二導電區域BB將被形成之區域係以遮罩等來覆蓋，而不在區域上形成金或銀。以此方式，密封樹脂層90及第二端子31的具有由銅所製成之表面層的第二導電區域BB之間的黏性可被增強。
另外，如圖3C所示，第一及第二端子20及30係分別設置有在銅上含有金或銀等的表面保護層23及33，且遮罩等被設置在第一及第二端子20及30上的第一導電區域AA，以形成第二導電區域CC。第二導電區域CC係配置成在其表面中含有銅、鎳、鈀等，其在對於密封樹脂層90的黏性方面為佳的，或者配置成在其表面中包括至少約數奈米的氧化膜等。當與第一導電區域AA的表面相比較時，第二導電區域BB的表面之氧化物的厚度較佳係為厚的。
圖4A為使用根據第二實施例的安裝構件之光耦合器的示意俯視圖，且圖4B為沿線A-A所截切之示意剖視圖。
光耦合器包括圖3的安裝構件5、接合到第二端子31且於其上表面上具有光接收表面的光接收元件50、對光接收表面發射光的發光元件60、具有光透射比及絕緣特性且將發光元件60接合到光接收元件50的上表面的接合層52、及密封樹脂層90。
發光元件60的陽極電極和陰極電極分別被接合導線或類似物連接到第一端子21及22的第一導電區域AA。設置在光接收元件50的第一表面10a上的一電極被接合 導線或類似物連接到第二端子32的第一導電區域AA。光接收元件50的另一電極被設置在其下表面上且被接合到第二端子31。
密封樹脂層90覆蓋光接收元件50、發光元件60、絕緣基板10的第一表面10a及在各個第一及第二端子20、30上的各個第一導電區域AA及第二導電區域BB，並保護內部。因此，密封樹脂層90牢固地黏合到安裝構件5，且可維持高的抗潮性及可靠性。
圖5A為使用根據第三實施例的安裝構件之光耦合器的示意立體圖，圖5B為沿線A-A所截切之示意剖視圖，且圖5C為密封前的示意立體圖。
安裝構件5進一步包括第二晶粒焊墊單元41，其係設置在第一表面10a的一區域上位於第二端子30及第一晶粒焊墊單元40之間。
在根據第三實施例的安裝構件5中，當從上方觀之時，第一晶粒焊墊單元40、第二晶粒焊墊單元41、第一端子20及第二端子30在絕緣基板10的第一表面10a上相互分離。
光耦合器包括安裝構件5、接合到第二晶粒焊墊單元41的MOSFET 70、接合到第一晶粒焊墊單元40且於其上表面上具有光接收表面的光接收元件50、對光接收表面發射光的發光元件60、具有光透射比及絕緣特性且將發光元件60接合到光接收元件50的上表面的接合層52、及密封樹脂層90。於其上表面上具有光接收表面的光接 收元件50及對光接收表面發射光的發光元件60可被透明的矽氧樹脂89(以虛線來顯示)或類似物所覆蓋。
MOSFET 70的數量可為一個，但在圖式中，被連接成共源極連接的兩個元件係被包括在內。當假定每一MOSFET 70的晶片背面為汲極，複數個第二端子31及32形成複數個MOSFET的汲極。
密封樹脂層90覆蓋光接收元件50、發光元件60、絕緣基板10的第一表面10a、導電區域21、22、31及32、以及複數個MOSFET 70，並保護內部。在光接收元件50及發光元件60被透明的矽氧樹脂89或類似物覆蓋的情況下，當安裝構件5係配置成使得MOSFET 70的安裝底座之外邊緣與密封樹脂層90的外邊緣之間的距離DD為40μm或類似值，且光接收元件50的安裝底座之外邊緣與密封樹脂層90的外邊緣之間的距離EE為70μm或類似值時，密封樹脂層90牢固地黏合到絕緣基板10的第一表面10a，且可維持高的抗潮性及可靠性。
表1顯示有關於密封樹脂層的外邊緣和安裝底座的外邊緣之間的距離之總洩漏測試(gross leak test)的失敗率。
如表1所示，相較於MOSFET 70的安裝底座之外邊緣與密封樹脂層90的外邊緣之間的距離DD，光接收元件50的安裝底座之外邊緣與密封樹脂層90的外邊緣之間的距離EE需要被設置成較長的。此外，當距離DD為最小值時，距離EE較佳地為較距離DD長至少15μm。另外，當距離EE為最小值時，距離DD較佳地為較距離EE減去15μm來得長。因此，即使在高溫及高濕度的環境下，MOSFET 70、發光元件60、光接收元件50及連接這些的接合導線可維持高的長時間可靠性。
光耦合器包括安裝構件5、接合到第二晶粒焊墊單元41的MOSFET 70、接合到第一晶粒焊墊單元40且於其上表面上具有光接收表面的光接收元件50、對光接收表面發射光的發光元件60、及第一和第二端子20和30，且被以最小配置面積來設計。舉例而言，安裝構件5的面積可為約3.6mm2。MOSFET 70在此時可被作成為0.28mm2，且光接收元件50可被作成為0.58mm2等等；且各元件對安裝構件5的面積比可被作成為約32%，且第一晶粒焊墊單元40和第二晶粒焊墊單元41對安裝構件5的面積比可 被作成為約61%。因此，相較於傳統的光耦合器，尺寸可被顯著地減少。此外，第一表面10a和密封樹脂層90之間的黏性可被保證為39%，且即使在高溫及高濕度的環境下，高的長時間可靠性可被維持。在被降低到低於此黏合面積的情況下，由於從密封樹脂層90之外邊緣等等的剝離，長時間可靠性無法被維持。
在圖5B所顯示之沿線A-A所截切的示意性剖視圖中，由安裝構件5、接合到第二晶粒焊墊單元41的MOSFET 70、接合到第一晶粒焊墊單元40且於其上表面上具有光接收表面的光接收元件50、對光接收表面發射光的發光元件60、以及接合發光元件60的電極與第一端子20之接合導線BW1及BW2所構成的垂直高度可被作成為約0.94mm；且即使其公差被假定為最大0.11mm，高度為1.05mm。因此，接合導線BW1及BW2的上表面不會從密封樹脂層90突出，且設計可被作成使得安裝構件5及密封樹脂層90的總厚度為1.3mm，此係為可維持長時間可靠性的最小值。此外，包括透明的矽氧樹脂89之接合導線BW1及BW2與密封樹脂層90的外邊緣之間的距離FF可被作成為0.11mm，且當距離FF落在達到1.16mm的範圍內時，同樣地能夠獲得可靠性。距離FF可藉由一般金屬模具被作成為70μm，至少類似於當從上表面觀之時密封樹脂層90的外邊緣和光接收元件50之間的距離EE。高精確度金屬模具可被使用來得到大約30μm。如圖5C所示，由電鍍等所形成的內壁導電區域(31m、 32m等等)可被設置在設置於絕緣基板10的側表面之缺口的內壁表面上，且可被連接到各個導電區域21、22、31及32。
圖6A到圖6H為示意圖，顯示根據比較範例之相對型的光耦合器之製造過程。亦即，圖6A為發光側引線框架的示意部分側視圖，圖6B為其示意部分俯視圖，圖6C為光接收側引線框架的示意部分側視圖，圖6D為其示意部分俯視圖，圖6E為兩引線框架相對之示意側視圖，圖6F為晶片被透明樹脂所覆蓋的結構之示意剖視圖，圖6G為透明樹脂和引線框架以光遮蔽樹脂(light shielding resin)來模製的結構之示意剖視圖，且圖6H為引線切割之後的示意剖視圖。
如圖6A及6B所示，發光元件111被接合到發光側引線框架100。圖6A為沿線C-C所截切的示意部分剖視圖。如圖6C及6D所示，光接收元件121及兩MOSFET 131和132被接合到光接收側引線框架200。圖6C為沿線D-D所截切的示意部分剖視圖。
發光側引線框架100及光接收側引線框架200係彼此相對，如圖6E所示。發光元件110、光接收元件120及兩MOSDET 131和132被透明樹脂160所覆蓋。透明樹脂160的形狀係由表面張力等等來決定，且形成光的傳播路徑(1ight propagation path)。
如圖6G所示，透明樹脂160、發光側引線框架100及光接收側引線框架200被以光遮蔽樹脂170密封。如圖 6H所示，發光側引線框架100及光接收側引線框架200藉由成形來切割及加工；因此，形成光耦合器。
在比較範例中，必須要將引線框架與光遮蔽樹脂170的端表面之間的厚度和透明樹脂160與光遮蔽樹脂170之間的厚度被設定為，例如，0.5mm或更大，以抑制藉由熱應力(thermal stress)的光遮蔽樹脂170之破裂的發生。因此，光耦合器的小型化和薄型化為困難的。此外，在比較範例的結構中所得到的裝置之數目係小於使用第一實施例的安裝構件之基板結構所得到的裝置之數目，且其係難以去增加大量生產率的。
圖7A為第三實施例的安裝構件之修改範例在切割前的示意俯視圖，且圖7B為沿線B-B所截切之示意剖視圖。
在絕緣基板10的修改範例中，設置有用於連接第二晶粒焊墊單元41及第二端子30通孔10g、用於第一及第二端子20及30的缺口10h之複數個通孔以及分離溝槽部94。在將發光元件及光接收元件與打線的接合被執行後，密封樹脂層90被提供。在此情形下，密封樹脂層90被放置於分離溝槽部94內，且接著被固化。
在圖7B中，係假定MOSFET 70被接合到第二晶粒焊墊單元41。在分離過程之後，第三側表面10e及第四側表面10f係以放置在分離溝槽部94中的密封樹脂層90來覆蓋。因此，對於絕緣基板10的黏性可被進一步地增強；故，MOSFET 70的外邊緣和密封樹脂層90的外邊緣 之間的距離GG可被作成為短的，相較於在未設置分離溝槽部94的情況下MOSFET 70的外邊緣和密封樹脂層90的外邊緣之間的距離。分離溝槽部94可為長且窄的通孔、或長且窄的凹槽等等。
圖8為圖5所顯示之光耦合器的配置圖。
光接收元件50可進一步包括控制電路50a。控制電路50a係連接到光二極體陣列50b之第一電極及第二電極。藉由這樣的配置，電壓可被供應到連接成共源極連接之各個MOSFET 70的閘極。
舉例來說，MOSFET 70可為n通道增強型。MOSFET 70被連接到光二極體陣列50b的第二電極。各閘極被連接到第一電極，且各汲極D作為輸出端子。
當光信號為ON時，MOSFET 70兩者均成為ON，且經由第二端子(輸出端子)30而被連接到包括電源及負載的外部電路。另一方面，當光信號為OFF時，MOSFET 70兩者均成為OFF，且從外部電路被切斷。在共源極連接的情況下，線性輸出(linear output)被啟用，且類比信號(analog signal)及交流信號(AC signal)的切換變得簡單。
圖9為使用根據第二實施例的修改範例之安裝構件的光耦合器之示意立體圖。
安裝構件5還包括第二晶粒焊墊單元41，其係在第一端子20及第二端子30之間設置於第一表面10a的一區域上。
當從上方觀之時，第二晶粒焊墊單元41、第一端子20及第二端子30係在絕緣基板10的第一表面10a上相互分離。複數個MOSFET 70連接到選擇性地設置在第二端子30的兩導電區域31及32中的第一導電區域AA。
光耦合器包括安裝構件5、接合到第二端子31及32的複數個MOSFET 70、接合到晶粒焊墊單元40且在其上表面具有光接收表面的光接收元件50、發射光到光接收表面的發光元件60、具有光透射比及絕緣特性且將發光元件60接合到光接收元件50的上表面之接合層52、以及密封樹脂層90。
MOSFET 70的數量可為一個，但在圖8及圖9中係包括被連接成共源極連接的兩個元件。當假定每一MOSFET 70的晶片背面為汲極，複數個第二端子31及32形成複數個MOSFET的汲極。
密封樹脂層90覆蓋光接收元件50、發光元件60、絕緣基板10的第一表面10a以及第二端子30的第二導電區域BB，並保護內部。即使在高溫及高濕度的環境下，MOSFET 70、發光元件60以及光接收元件50仍可維持高的長時間可靠度。
圖5及圖9中所顯示的光耦合器係易於小型化及薄型化，且係富於大量生產的。此外，密封樹脂層90及安裝構件5之間的黏合被強化，且可增進抗潮性。因此，即使在高溫及高濕度的環境下，仍可維持高的可靠性。
這些光耦合器可被廣泛地使用在工業設備、辦公室設 備、家用電氣設備等等。因此，可在包括不同的電源之裝置中保持操作的正常及穩定。
雖然已描述特定的實施例，但這些實施例僅以範例的方式被提出，且並非意圖限制本發明的範圍。事實上，在此所描述之新穎的實施例可以多種其他形式被實施；此外，在不偏離本發明的精神之下，在此所描述之實施例的形式中之各種省略、替代及改變可被作成。隨附的申請專利範圍及其均等物係意圖用於涵蓋將落入本發明的精神及範圍內之這樣的形式或修改。
10‧‧‧絕緣基板
10g‧‧‧通孔
21,22‧‧‧導電區域
31,32‧‧‧導電區域
31m,32m‧‧‧內壁導電區域
40‧‧‧第一晶粒焊墊單元
41‧‧‧第二晶粒焊墊單元
50‧‧‧光接收元件
52‧‧‧接合層
60‧‧‧發光元件
70‧‧‧金屬氧化物半導體場效應電晶體
89‧‧‧透明矽氧樹脂
90‧‧‧密封樹脂層
BW1,BW2‧‧‧接合導線
DD,EE‧‧‧距離

Claims (14)

  1. 一種安裝構件，包括：絕緣基板，其具有矩形的第一表面、在該第一表面的相對側上之第二表面、第一側表面、在該第一側表面的相對側上的第二側表面、第三側表面及在該第三側表面的相對側上的第四側表面，通孔係從該第一表面到該第二表面設置；第一晶粒焊墊單元，設置在該第一表面上；第一端子，具有覆蓋該第一側表面、該第一表面及該第二表面的導電區域；以及第二端子，具有導電區域，該導電區域覆蓋該第二側表面及該第二表面、且藉由設置在該通孔中或設置在該通孔的側壁上的導電材料連接到該第一晶粒焊墊單元、並與該第一端子絕緣，當從上方觀之時，該第一晶粒焊墊單元、該第一端子及該第二端子係在該絕緣基板的該第一表面上相互分離。
  2. 如申請專利範圍第1項之安裝構件，其中，第一缺口係設置在該第一側表面上，且第二缺口係設置在該第二側表面上。
  3. 如申請專利範圍第1項之安裝構件，還包括：第二晶粒焊墊單元，在該第二端子及該第一晶粒焊墊單元之間設置在該第一表面上，當從上方觀之時，該第一晶粒焊墊單元、該第二晶粒焊墊單元、該第一端子及該第二端子係在該絕緣基板的該 第一表面上相互分離。
  4. 一種安裝構件，包括：絕緣基板，其具有第一表面、在該第一表面的相對側上之第二表面、第一側表面、在該第一側表面的相對側上的第二側表面、第三側表面、以及在該第三側表面的相對側上的第四側表面；第一端子，其係設置在該第一表面上，該第一端子包括第一導電區域以及第二導電區域，該第一導電區域包括金或銀，該第二導電區域包括銅、鎳和鈀中的至少一者；以及第二端子，其係設置在該第一表面上，該第二端子包括第三導電區域以及第四導電區域，該第三導電區域包括金或銀，該第四導電區域包括銅、鎳和鈀中的至少一者，該第一端子及該第二端子相互絕緣。
  5. 如申請專利範圍第4項之安裝構件，其中，第一缺口係設置在該第一側表面上，且第二缺口係設置在該第二側表面上。
  6. 如申請專利範圍第4項之安裝構件，其中，該第一導電區域係設置在該第二導電區域的上表面上。
  7. 如申請專利範圍第4項之安裝構件，其中，該第二導電區域係設置在該第一導電區域的上表面上。
  8. 如申請專利範圍第4項之安裝構件，還包括：晶粒焊墊單元，設置在該第一端子及該第二端子之間的該第一表面的區域上， 該第一端子、該第二端子及該晶粒焊墊單元相互絕緣。
  9. 一種光耦合器，包括：如申請專利範圍第3項之安裝構件；金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)，其係接合到該第二晶粒焊墊單元；光接收元件，其係接合到該第一晶粒焊墊單元，該光接收元件的上表面為光接收表面；發光元件，配置來發射光到該光接收表面；接合層，具有光透射比及絕緣特性，並將該發光元件接合到該光接收元件的該上表面；以及密封樹脂層，覆蓋該光接收元件、該發光元件、該MOSFET及該絕緣基板的該第一表面。
  10. 如申請專利範圍第9項之光耦合器，其中，該MOSFET包括接合到該第二晶粒焊墊單元的第一區域之第一MOSFET，以及接合到與該第一區域相互分離的該第二晶粒焊墊單元的第二區域之第二MOSFET，且該第一MOSFET及該第二MOSFET被連接成共源極連接(common-source connection)。
  11. 如申請專利範圍第9項之光耦合器，其中，該密封樹脂層還覆蓋該絕緣基板的該第三側表面及該第四側表面。
  12. 一種光耦合器，包括：如申請專利範圍第8項之安裝構件； 光接收元件，其係接合到該第二端子，該光接收元件的上表面為光接收表面；發光元件，配置來發射光到該光接收表面；接合層，具有光透射比及絕緣特性，並將該發光元件接合到該光接收元件的該上表面；MOSFET，其係接合到該晶粒焊墊單元；以及密封樹脂層，覆蓋該光接收元件、該發光元件、該MOSFET、該絕緣基板的該第一表面及該第二端子的該第二導電區域。
  13. .如申請專利範圍第12項之光耦合器，其中，該MOSFET包括接合到該晶粒焊墊單元的第一區域之第一MOSFET，以及接合到與該第一區域相互分離的該晶粒焊墊單元的第二區域之第二MOSFET，且該第一MOSFET及該第二MOSFET被連接成共源極連接。
  14. 如申請專利範圍第12項之光耦合器，其中，該密封樹脂層還覆蓋該第三側表面及該第四側表面。
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