TWI528013B - Burn the use of the framework - Google Patents

Description

燒冶用框架

本發明係主要有關於適合電子陶瓷元件之多段燒冶的燒冶用框架。

一般，電子陶瓷元件係對成為主原料之陶瓷的微粉體添加燒結助劑或成形助劑並混合後，利用成形作成未燒冶元件，將該未燒冶元件載置於稱為安裝器(setter)之陶瓷製的板並裝入燒冶爐，一面將爐內控制成既定溫度與環境氣體條件一面燒冶所製造。

安裝器一般堆疊複數段後使用，作為將各個空間形成於重疊複數段安裝器之間的構造，例如如第9圖所示，揭示將使平板狀安裝器與將突起部8形成於上面周邊的托盤嵌合者逐漸堆疊的構造(專利文獻1)。此外，亦已知將以確保可承受段堆疊之強度之方式所形成的周壁部形成於安裝器本身之上面周邊，作成盤狀，再將該盤狀安裝器疊層的構造(專利文獻2)。

可是，如第9圖所示，在將安裝器完全嵌入托盤的構造中，安裝器的外周側面被托盤所覆蓋。而且，在將安裝器逐漸進行段堆疊的情況，不僅爐內氣體的流動受到突起部8的阻礙，而且最下段之安裝器的下面整個面直接或經由托盤與爐體接觸，因為承受來自爐體之導熱的影響大，所以在各段之均熱化係困難，例如，在最下段之安裝器被實施熱處理的電子陶瓷元件與在上段被實施熱處理的電子陶瓷元件相比，具有製品良率差的問題。

又，在如專利文獻2所示將盤狀安裝器逐漸段堆疊於周圍的情況，具有不僅爐內氣體的流動受到周壁部的阻礙，而且以確保可承受段堆疊之強度之方式所形成的周壁部相對安裝器整體所佔的重量或體積妨礙能量效率或量產效率之高效率化的問題。

[專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2000-74571號公報

[專利文獻2]日本特開2009-227527號公報

因此，本發明之目的在於提供一種燒冶用框架，該燒冶用框架係解決上述之以往的問題點，在對電子陶瓷元件進行多段燒冶時在能量效率或量產效率優異，而且在多段燒冶之各段的均熱性優異。

為了解決上述之課題所開發之本發明的燒冶用框架，係利用安裝器保持手段在垂直方向多段地保持複數片平板狀安裝器，其特徵在於：該安裝器保持手段係由含有0.01~30wt%之Si的Si-SiC、再結晶SiC及Si₃N₄-SiC的任一種材質所構成，該安裝器保持手段係由突設在孔的周邊部的複數個段堆疊用突起以及比該些段堆疊用突起位置更低的定位用突起之框狀的平板構件所構成，在保持平板狀安裝器的狀態下多段地疊層，在使各平板狀安裝器露出其外周側面之70~100%之狀態下保持。

申請專利範圍第2項之發明的特徵在於：在申請專利範圍第1項之燒冶用框架，安裝器保持手段具有：複數支垂直支柱，係具備安裝器保持機構；下端支撐框，係支撐該垂直支柱的下端部；及上端支撐框，係支撐該垂直支柱的上端部；該安裝器保持機構由在垂直支柱之內側面所形成的複數個凹部或凸部、或者架在隔著平板狀安裝器相向之垂直支柱間之樑的至少任一個所構成，如申請專利範圍第3項之記載所示，亦可作成垂直支柱由構成其四角落之垂直邊的角部垂直支柱、及垂直配置於該角部垂直支柱間的中間垂直支柱所構成。

申請專利範圍第4項之發明的特徵在於：在申請專利範圍第1項之燒冶用框架，安裝器保持手段由具備複數個段堆疊用突起並相對向配置的一對直線構件、及架在各段堆疊用突起之上部凹面間的樑所構成，在將平板狀安裝器保持於這些樑之上的狀態多段地疊層。

此外，在構成安裝器保持手段的構件由含有0.01~30wt%之Si的Si-SiC所構成的情況，宜其化學成分係SiC：70~99wt%、Si：1~30wt%，將SiC+Si設為100wt%，進而含有Al：0.01~0.2wt%、Fe：0.01~0.2wt%、Ca：0.01~0.2wt%。如申請專利範圍第11項之記載所示，宜平板狀安裝器的材質亦是含有0.01~30wt%之Si的Si-SiC。

又，在構成安裝器保持手段的構件由再結晶SiC所構成的情況，宜其化學成分係SiC：99~100wt%，將SiC設為100wt%，進而含有Al：0.01~0.2wt%、Fe：0.01~0.2wt%、Ca：0.01~0.2wt%。

又，在構成安裝器保持手段的構件由Si₃N₄-SiC所構成的情況，宜其化學成分係SiC：70~80wt%、Si₃N₄：20~30wt%，將SiC+Si₃N₄設為100wt%，進而含有Al：0.1~0.5wt%、Fe：0.1~0.5wt%、Ca：0.01~0.2wt%。

本發明的燒冶用框架係利用由含有0.01~30wt%之Si的Si-SiC、再結晶SiC及Si₃N₄-SiC之任一種材質所構成的安裝器保持手段，在使複數片平板狀安裝器露出其外周側面之70~100%之狀態下保持。由這些材質所構成之安裝器 保持手段與一般所使用之氧化鋁等相比，因為熱輻射率大，而且使平板狀安裝器之外周側面的70~100%露出，所以可向平板狀安裝器上的電子陶瓷元件迅速地傳達爐內的環境氣體溫度。因此，在多段燒冶之各段的均熱性優異。

又，由這些材質所構成之安裝器保持手段與一般所使用之氧化鋁等相比，在高溫條件下的強度大，因強度增大的量而可小型輕量化。因此，在對電子陶瓷元件進行多段燒冶時，在能量效率或量產效率優異。

又，因為採用安裝器保持手段由在周邊部具備複數個段堆疊用突起之框狀的平板構件所構成，並在使其保持平板狀安裝器之狀態多段地疊層的構成，所以可使安裝器保持手段的熱容量變小，而在對電子陶瓷元件進行多段燒冶時可提高能量效率或量產效率。又，在與爐內氣體的接觸性優異，在多段燒冶之各段的均熱性優異。

又，雖然在以往一面以突起部將空間形成於各安裝器，一面將複數段安裝器逐漸進行段堆疊的情況，具有以確保可承受段堆疊之強度之方式所形成的突起部所佔的重量或體積妨礙能量效率或量產效率之高效率化的問題，但是申請專利範圍第2項之燒冶用框架係具備安裝器保持機構的構造，而該安裝器保持機構係具有：複數支垂直支柱、支撐該垂直支柱之下端部的下端支撐框、及支撐該垂直支柱之上端部的上端支撐框，並在垂直方向多段地保持於複數片平板狀安裝器，不需要確保可承受段堆疊之強度之方 式所形成的突起部，與以往相比，可使能量效率或量產效率高效率化。

又，雖然在以往一面以突起部將空間形成於各安裝器，一面將複數段安裝器逐漸進行段堆疊的情況，最下段之安裝器的下面整個面直接或經由托盤與爐體接觸，因為承受來自爐體之導熱的影響大，所以例如在最下段之安裝器被實施熱處理的電子陶瓷元件與在上段被實施熱處理的電子陶瓷元件相比，具有製品良率差等在各段之均熱化係困難的問題，但是若依據申請專利範圍第2項之發明的燒冶用框架，在最下段之安裝器的下部面與爐體之間亦形成空間，降低來自爐體之導熱的影響，而且該安裝器保持機構使各平板狀安裝器之外周側面的70~100%從各垂直支柱之間露出。因此，對燒結有害之黏合劑分解氣體的排出等爐內氣體的流動難受到阻礙，因為對構成各段之安裝器的導熱變得更均勻，所以可實現在各段的均熱化。

若依據申請專利範圍第3項之發明，可更穩定地保持安裝器。又，尤其若依據將樑架在中間垂直支柱間的構成，因為經由該樑對各段之安裝器的中央部進行導熱，所以可實現與受到來自角部垂直支柱之導熱的影響之安裝器的邊緣部之均熱化。

若依據申請專利範圍第4項之發明，因為採用安裝器保持手段由具備複數個段堆疊用突起並相對向配置的一對直線構件、及架在各段堆疊用突起之上部凹面間的樑所構成，並在將平板狀安裝器保持於這些樑之上的狀態多段地 疊層的構成，所以可得到與申請專利範圍第1項之發明一樣的效果。

(第1實施形態)

第1圖與第2圖係表示本發明之第1實施形態。本實施形態的燒冶用框架1係具有近似立方體形狀，安裝器保持手段係由以下之構件所構成，4支角部垂直支柱2，係構成四角落的垂直邊；近似口字形的下端支撐框4，係支撐該4支角部垂直支柱2(2a、2b、2c、2d)的下端部；及近似口字形的上端支撐框3，係支撐該4支角部垂直支柱2的上端部。如第1圖所示，該燒冶用框架1係插入平板狀安裝器7後使用。

在各角部垂直支柱2的內側面，相對該平板狀安裝器7的插入方向平行地形成水平槽部21，而構成安裝器保持機構。平板狀安裝器7被插入該水平槽部21位置並保持。該水平槽部21形成複數個，藉由使各水平槽部21保持於複數個平板狀安裝器7，而可構成如第2圖所示之多段燒冶用燒冶治具。依此方式，將平板狀安裝器插入框架，構成多段燒冶用燒冶治具，藉此，與以往之一面以突起部將空間形成於各安裝器間一面逐漸堆疊多段安裝器的構成相比，可使能量效率或量產效率高效率化。安裝器保持機構的形態未限定為該水平槽部21，此外，亦可採用形成於角部垂直支柱2之內側面的複數個凹部或凸部，或者架在隔 著平板狀安裝器相向的角部垂直支柱2間之樑等的形狀。

本實施形態的燒冶用框架1係在隔著平板狀安裝器7的相向位置成對具備垂直地配置於相鄰之角部垂直支柱間(2a與2b之間及2c與2d之間)的中間垂直支柱5(5a與5b)。該一對中間垂直支柱5(5a與5b)係在各個內側面具有複數個水平孔部51，而並在隔著平板狀安裝器7相向的位置成對之水平孔部51間架樑6。該樑6的高度係配置成從下面支撐各水平槽部21所保持之平板狀安裝器7的中央部。因此，因為可更穩定地保持安裝器，所以可使安裝器變薄。又，因為經由該樑對各段之安裝器的中央進行導熱，所以可使其與受到來自角部垂直支柱2之導熱的影響之安裝器的邊緣部均熱化。其中，例如如第3圖所示，亦可作成未具備中間垂直支柱5的燒冶用框架1。

例如如第2圖所示，將在各角部垂直支柱2的內側面所形成之水平槽部21所保持之平板狀安裝器7的外周側面長度設定成(L1+L2)×2時，在本實施形態，角部垂直支柱2的寬度s、與由中間垂直支柱5的寬度t所被覆之外周側面的比成為{(s+t)×4}/{(L1+L2)×2}×100=5~30%，平板狀安裝器7之外周側面的70~95%具有在燒冶爐內露出的構造。因此，在各段之安裝器整個面可確保良好之爐內氣體流動。

又，如第9圖之習知例所示，在一面以突起部8將空間形成於各安裝器間，一面逐漸堆疊複數段安裝器的情況，因為最下段之安裝器的下面整個面直接或經由托盤與 燒冶爐的爐體接觸，而受到來自爐體之導熱的影響大，所以具有例如在最下段之安裝器被實施熱處理的電子陶瓷元件係製品的良率比在上段被實施熱處理的電子陶瓷元件差等在各段之均熱化係困難之問題，而在本發明，具有複數支角部垂直支柱2及中間垂直支柱5(以下稱為垂直支柱)、支撐該垂直支柱之下端部的下端支撐框4、以及支撐該垂直支柱之上端部的上端支撐框3，該安裝器保持機構採用由在該垂直支柱之內側面所形成之複數個水平槽部21所構成的構成，藉此，在最下段之安裝器的下部面與爐體之間亦形成空間，而可降低來自爐體之導熱的影響。

此外，從在燒冶用框架本身傾斜時亦預先穩定保持安裝器的觀點，垂直支柱2、5的下端部及上端部各自與形成於下端支撐框4及上端支撐框3的嵌合部嵌合並固定，而在使燒冶用框架整體相對水平的地面傾斜30度時，宜垂直支柱相對下端支撐框的傾斜角度是2°以下。在傾斜角度是2°以上的情況，使用時的振動變大，具有因在燒冶時爐內搬運所伴隨之振動而發生被燒冶物受損之問題的危險性，而若依據本發明的該構成，可有效地避免該問題。

如上述所示，若依據本發明的構成，因為來自燒冶爐之爐體之導熱的影響降低，而且確保良好的空氣流動，所以對構成各段之安裝器的導熱變成更均勻，而可使在各段均熱化。

[安裝器保持手段的材質]

本發明之燒冶用框架係一般在惰性氣體環境氣體下， 在約1300~1450℃的高溫條件下使用。因此，在本發明，安裝器保持手段由含有0.01~30wt%之Si的Si-SiC、再結晶SiC及Si₃N₄-SiC的任一種材質所構成。

Si-SiC係使Si浸漬於SiC之粒子間之稱為Si浸漬SiC的材質。作為其化學成分，宜含有70~99wt%的SiC、1~30wt%的Si，進而作為微量成分，另外配製(將SiC+Si設為100wt%，另外)含有0.01~0.2wt%的Al、0.01~0.2wt%的Fe、0.01~0.2wt%的Ca。若Si的含有率超過30wt%，因為引起強度降低或熱輻射率降低，所以不佳。

又，根據算術平均的表面粗糙度為Ra=0.1~30μm、彈性係數為200~400GPa、強度為100~400MPa、在室溫的導熱係數為150~240W/m‧K、氣孔率為1%以下較佳。藉由採用具有這種化學成分及物性的材質，而可使燒冶用框架1輕量化且高強度化及長壽命化。

該由Si-SiC所構成之安裝器保持手段的熱輻射率係如第4圖之圖形中的實線所示，在波長8μm為80~100%，在波長12μm為20~40%，在波長19μm為60~80%較佳。熱輻射率係可根據化學成分與表面粗糙度規定，在本發明，如上述所示，作為化學成分，採用含有70~99wt%的SiC、1~30wt%的Si，進而作為微量成分，另外配製含有0.01~0.2wt%的Al、0.01~0.2wt%的Fe、0.01~0.2wt%的Ca的構成，並採用表面粗糙度為Ra=0.1~30μm，Ra=10~30μm的構成尤佳，藉此，實現該熱輻射率。此外，第4圖的虛線是作為化學成分，採用作為以往之安裝器的主成分一 般所使用之氧化鋁的情況的熱輻射率。如第4圖所示，藉由替代作為以往之安裝器的主成分一般所使用之氧化鋁，使用Si-SiC，而提高各構成構件(2、5、3、4)的熱輻射率，使可有效率地利用來自在爐內之各構成構件(2、5、3、4)的輻射熱，而可實現能量效率高的燒冶。

在構成安裝器保持手段之各構成構件(2、5、3、4)的表層，具備作為化學成分含有90wt%以上的SiO₂之厚度1~10μm的覆膜較佳。利用該覆膜，抑制環境氣體所造成之各構成構件(2、5、3、4)的反應劣化，而可使燒冶用框架長壽命化。

除了上述的Si-SiC化外，亦可使用再結晶SiC或Si₃N₄-SiC。再結晶SiC係利用再結晶操作使SiC粒子間熔接而緻密化，其化學成分是99~100wt%的SiC。可是，是將SiC設為100wt%，另外作為微量成分，含有0.01~0.2wt%的Al、0.01~0.2wt%的Fe、0.01~0.2wt%的Ca。

又，Si₃N₄-SiC是將Si₃N₄作為黏合劑的SiC，適合在比Si-SiC更高溫的區域使用。其化學成分係70~80wt%的SiC、20~30wt%的Si₃N₄，將SiC+Si₃N₄設為100wt%，另外含有0.1~0.5wt%的Al、0.1~0.5wt%的Fe、0.01~0.2wt%的Ca。此外，這3種材質係在以下說明之第2、第3實施形態亦一樣地採用。

此外，雖然平板狀安裝器7的材質係無特別限定，但是為了可承受使用溫度，是與安裝器保持手段一樣的材質較佳，尤其是含有0.01~30wt%Si的Si-SiC較佳。這是由於該材質的高溫強度大，而可使安裝器變薄。平板狀安裝器7的形狀未必要作成平坦的板，例如亦可作成蜂巢狀或網狀。若採用這些形狀，因為爐內氣體以貫穿平板狀安裝器7的方式流動，所以可更均熱化。此外，在燒冶溫度是比較低溫的情況，亦可採用鈦等之耐熱金屬製網。

(第2實施形態)

第5圖與第6圖係表示本發明之第2實施形態。本實施形態的燒冶用框架1係安裝器保持手段由在周邊部具備複數個段堆疊用突起11之框狀的平板構件10所構成。在第5圖的實施形態，長方形的平板構件10在左右兩側具備四角形的孔12，並將平板狀安裝器7載置於該部分。段堆疊用突起11突設於與平板構件10之一邊的左右兩端相對向之邊的中央部，而比段堆疊用突起11更低的定位用突起13突設於包圍孔12的位置。

第6圖係使該安裝器保持手段保持平板狀安裝器7，並多段地疊層之狀態的側視圖，並以點線表示平板狀安裝器7。依此方式，在本實施形態，亦平板狀安裝器7之外周側面的70%以上係在燒冶爐內露出。又，因為其材質係熱輻射率高的Si-SiC、再結晶SiC、Si₃N₄-SiC的任一種，所以與第1實施形態一樣可確保優異的均熱性。又，因為可在使安裝器保持手段保持平板狀安裝器7後進行多段堆疊，所以與第1實施形態相比，具有在處理性優異的優點。

(第3實施形態)

第7圖與第8圖係表示本發明之第3實施形態。本實施形態的燒冶用框架1係安裝器保持手段由具備複數個段堆疊用突起15之相對向配置的一對直線構件16、與架在各段堆疊用突起15之上部凹面17間的樑18所構成。段堆疊用突起15是山形的突起，凹部19形成於其下側。樑18是截面角形的棒狀體，其兩端嵌入段堆疊用突起15的上部凹面17，並將平板狀安裝器7載置於其上。

第8圖係將平板狀安裝器7保持於這些樑18之上，並多段地疊層之狀態的側視圖，平板狀安裝器7係以點線表示。如第8圖所示，下側的凹部19嵌入樑18的上側，而使疊層狀態穩定。

如第8圖所示，在本實施形態，可使平板狀安裝器7之外周側面的約10%在燒冶爐內露出。又，因為其材質係熱輻射率高的Si-SiC、再結晶SiC、Si₃N₄-SiC的任一種，所以與第1實施形態一樣可確保優異的均熱性。第3實施形態亦因為可在使安裝器保持手段保持平板狀安裝器7後進行多段堆疊，所以與第1實施形態相比，具有在處理性優異的優點。

[實施例]

在本發明的燒冶用框架，使用插入150mm×150mm×2mm的平板狀安裝器，而構成15段之段堆疊構造的燒冶治具(第1實施例)，及以150mm×150mm×5mm的安裝器堆疊15段在上面周邊具有15mm之突起部而構成者(第1比較例)，在相同的燒冶條件下，進行陶瓷電容器的燒冶(1300℃、10小時)。在第1表分別表示調查在各段之製品良率的結果(「製品良率(%)」)、測量構成各段之安裝器之端部與中央部的溫差的結果(「安裝器溫差(℃)」)、最上段之安裝器中央部的溫度與構成各段之安裝器中央部的溫差(「安裝器中央溫差(℃)」)。

如第1表所示，藉由使用本發明的燒冶用框架，可使在各段均熱化，而提高製品良率。

為了調查材質的影響，根據第2表所示的各成分比，構成本發明之申請專利範圍第1項的燒冶用框架(第2~第6實施例、第2~第4比較例)，並插入150mm×150mm×2mm的平板狀安裝器，而構成15段之段堆疊構造的燒冶治具。使用該燒冶用框架，在相同的燒冶條件下，進行陶瓷電容器的燒冶(1300℃、10小時)。在第2表分別表示測量第2~第6實施例、第2~第4比較例之燒冶用框架之物性(彈性係數、彎曲強度、導熱係數、氣孔率、輻射率)的結果、中段之製品良率的調查結果、燒冶用框架本身的壽命(「多段棚架組的壽命」(次))。

第2表所示之第2、3、4實施例係含有0.01~30wt%之Si的Si-SiC，第5實施例係再結晶SiC，第6實施例係Si₃N₄-SiC，第2比較例係Si含有率過剩的Si-SiC，第3比較例係氧化鋁，第4比較例係矽氧化鋁。如第2表所示， 藉由以含有0.01~30wt%之Si的Si-SiC、再結晶SiC及Si₃N₄-SiC的任一種材質構成申請專利範圍第1項之燒冶用框架，而可使製品良率提高及使燒冶用框架長壽命化。另一方面，在以具有第2~第4比較例之化學成分的材質構成申請專利範圍第1項之燒冶用框架的情況，觀察到製品良率惡化，而且尤其棚架組壽合顯著地降低。

1．．．燒冶用框架

2(2a、2b、2c、2d)．．．角部垂直支柱

21．．．水平槽部

3．．．上端支撐框

4．．．下端支撐框

5(5a、5b)．．．中間垂直支柱

51．．．水平孔部

6．．．樑

7．．．平板狀安裝器

8．．．突起部

10．．．平板構件

11．．．段堆疊用突起

12．．．四角形的孔

13．．．定位用突起

15．．．段堆疊用突起

16．．．直線構件

17．．．上部凹面

18．．．樑

19．．．凹部

第1圖係表示第1實施形態之燒冶用框架的整體立體圖。

第2圖係表示將平板狀安裝器插入燒冶用框架之狀態的立體圖。

第3圖係表示第1實施形態之變形例的整體立體圖。

第4圖係構成本發明之安裝器保持手段之Si-SiC之熱輻射率的圖形。

第5圖係表示第2實施形態之燒冶用框架的整體立體圖。

第6圖係表示將平板狀安裝器插入燒冶用框架之狀態的側視圖。

第7圖係表示第3實施形態之燒冶用框架的整體立體圖。

第8圖係表示將平板狀安裝器插入燒冶用框架之狀態的側視圖。

第9圖係堆疊複數段之以往的安裝器之狀態的說明

L1、L2．．．外周側面長度

s．．．角部垂直支柱的寬度

t．．．中間垂直支柱的寬度

Claims (11)

1. 一種燒冶用框架，利用安裝器保持手段在垂直方向多段地保持複數片平板狀安裝器，其特徵在於：該安裝器保持手段係由含有0.01~30wt%之Si的Si-SiC、再結晶SiC及Si₃N₄-SiC的任一種材質所構成，該安裝器保持手段係由突設在孔的周邊部的複數個段堆疊用突起以及比該些段堆疊用突起位置更低的定位用突起之框狀的平板構件所構成，在保持平板狀安裝器的狀態下多段地疊層，在使各平板狀安裝器露出其外周側面之70~100%之狀態下保持。
2. 如申請專利範圍第1項之燒冶用框架，其中安裝器保持手段具有：複數支垂直支柱，係具備安裝器保持機構；下端支撐框，係支撐該垂直支柱的下端部；及上端支撐框，係支撐該垂直支柱的上端部；該安裝器保持機構由在垂直支柱之內側面所形成的複數個凹部或凸部、或者架在隔著平板狀安裝器相向之垂直支柱間之樑的至少任一個所構成。
3. 如申請專利範圍第2項之燒冶用框架，其中垂直支柱由構成其四角落之垂直邊的角部垂直支柱、及垂直配置於該角部垂直支柱間的中間垂直支柱所構成。
4. 如申請專利範圍第1項之燒冶用框架，其中安裝器保持手段由具備複數個段堆疊用突起並相對向配置的一對直線構件、及架在各段堆疊用突起之上部凹面間的樑所構 成，在將平板狀安裝器保持於這些樑之上的狀態多段地疊層。
5. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之燒冶用框架，其中構成安裝器保持手段的構件由Si-SiC所構成，其化學成分係SiC：70~99wt%、Si：1~30wt%，將SiC+Si設為100wt%，進而含有Al：0.01~0.2wt%、Fe：0.01~0.2wt%、Ca：0.01~0.2wt%。
6. 如申請專利範圍第5項之燒冶用框架，其中構成安裝器保持手段之構件的熱輻射率是在波長8μm為80~100%，在波長12μm為20~40%，在波長19μm為60~80%。
7. 如申請專利範圍第5項之燒冶用框架，其中構成安裝器保持手段的構件之根據算術平均的表面粗糙度為Ra=0.1~30μm、彈性係數為200~400GPa、強度為100~400MPa、在室溫的導熱係數為150~240W/m‧K、氣孔率為1%以下。
8. 如申請專利範圍第6項之燒冶用框架，其中構成安裝器保持手段的構件之根據算術平均的表面粗糙度為Ra=0.1~30μm、彈性係數為200~400GPa、強度為100~400MPa、在室溫的導熱係數為150~240W/m‧K、氣孔率為1%以下。
9. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之燒冶用框架，其中構成安裝器保持手段的構件由再結晶SiC所構成，其化學成分係SiC：99~100wt%，將SiC設為100wt%，進而含有Al：0.01~0.2wt%、Fe：0.01~0.2wt%、Ca： 0.01~0.2wt%。
10. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之燒冶用框架，其中構成安裝器保持手段的構件由Si₃N₄-SiC所構成，其化學成分係SiC：70~80wt%、Si₃N₄：20~30wt%，將SiC+Si₃N₄設為100wt%，進而含有Al：0.1~0.5wt%、Fe：0.1~0.5wt%、Ca：0.01~0.2wt%。
11. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之燒冶用框架，其中平板狀安裝器的材質是含有0.01~30wt%之Si的Si-SiC。