KR101476313B1 - 금속화된 컴포넌트를 생성하기 위한 방법, 그에 대응하는 컴포넌트, 및 금속화 동안에 상기 컴포넌트를 지지하기 위한 기판 - Google Patents

금속화된 컴포넌트를 생성하기 위한 방법, 그에 대응하는 컴포넌트, 및 금속화 동안에 상기 컴포넌트를 지지하기 위한 기판 Download PDF

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Abstract

세라믹 베이스들을 갖는 컴포넌트들이 적어도 두 개의 마주보거나 그리고/또는 병치된 면들 상에서 동시에 금속화된 구조가 제공될 때에, 상기 기저들을 축적하는 것이 매우 어렵다. 본 발명에 따르면, 금속화를 위해 제공되는 페이스트들, 막들 또는 시트들의 형태인 금속이 금속화된 구조가 제공될 세라믹 기저의 표면들에 적용된다. 상기 금속이 세라믹 물질에 결합되기 이전에, 적어도 하나의 컴포넌트가 기판 상이 위치하여 스택이 형성되고, 상기 기판은 적어도 하나의 컴포넌트 상에서의 지지를 위해 의도된 표면상에서 상기 기판의 표면상에 분리 층이 사전에 제공된다. 상기 적어도 하나의 컴포넌트는 금속화 이후에 상기 기판으로부터 분리된다.

Description

금속화된 컴포넌트를 생성하기 위한 방법, 그에 대응하는 컴포넌트, 및 금속화 동안에 상기 컴포넌트를 지지하기 위한 기판{METHOD FOR PRODUCING A METALLIZED COMPONENT, CORRESPONDING COMPONENT, AND A SUBSTATE FOR SUPPORTING THE COMPONENT DURING METALIZATION}
본 발명은 표면의 적어도 하나의 영역이 금속 코팅으로 커버되는 세라믹 바디를 갖는 적어도 하나의 컴포넌트를 제조하기 위한 방법, 그 방법에 의해서 제조되는 컴포넌트, 및 금속화 동안에 상기 컴포넌트를 지지하는 지지체에 관한 것이다.
양 면들 상에서 금속화된 시트들의 형태인 구리/세라믹 기판들을 제조하기 위한 방법이 DE 10 2004 056 879 A1으로부터 알려진다. 직접 구리 본딩(direct copper bonding) 방법에서는, 금속화될 상기 세라믹 바디의 금속 층들 중 적어도 하나가 상기 컴포넌트들이 적층되는 지지체의 세라믹 분리 층(ceramics separation layer) 상에 놓인다.
본 발명의 목적은, 적어도 두 개의 마주보거나 그리고/또는 인접하는 면들 상에서 세라믹의 컴포넌트의 적어도 하나의 바디가 동시에 금속화될 수 있는 방법을 제공하는 것이다.
상기의 목적은, 청구항 제1항의 특징 지워진 특징들에 의한 방법에 따라, 청구항 제32항의 특징 지워진 특징들에 의한 장치에 따라, 그리고 청구항 제46항에 따른 컴포넌트에 따라 성취된다. 본 발명의 바람직한 실시예들은 종속항들에서 기술된다.
적어도 두 개의 마주보거나 그리고/또는 인접하는 면들 상에서 금속 코팅으로 커버될, 공간적으로 구성되는 세라믹 바디를 갖는 적어도 하나의 컴포넌트를 제조하기 위한 본 발명에 따른 방법에서, 금속화를 위해 제공되는 금속이 금속화될 세라믹 바디의 표면들에 페이스트(paste)들 또는 막(film)들 또는 시트(sheet)들의 형태로 적용된다.
상기 금속이 세라믹 물질에 결합되기 이전에, 상기 컴포넌트들이 지지체들 상에 위치한다. 상기 지지체들의 지지 바디들은, 금속화될 적어도 하나의 컴포넌트의 표면들 상에 놓이는 적어도 이러한 표면들 상에서 분리 층으로 커버된다. 이러한 방법은, 공간적으로 구성되는 세라믹 바디의 적어도 두 개의 마주보거나 그리고/또는 인접하는 표면들이 동시에 금속화되도록 한다.
상기 컴포넌트 및 상기 지지체는 스택(stack)을 형성한다. 다수의 세라믹 바디들의 동시 금속화를 위해서, 다수의 스택들이 서로 위에 위치할 수 있어 스택 배열을 형성한다. 스택 배열은 적어도 두 개의 스택들을 포함한다. 상기 지지체의 분리 층들과, 상기 금속 코팅으로 커버되는 상기 세라믹 바디들의 표면들이 서로 위에 놓이도록, 양 면들에 분리 층을 갖는 지지체가 상기 스택 배열에서의 연속적인 세라믹 바디들 사이에 분리 판으로서 삽입된다.
일단 스택들이 서로 위에 위치하면, 금속화의 열적 방법이 수행된다. 선호되는 방법들은 직접 구리 본딩 방법(DCB 방법) 또는 활성 금속 브레이징(brazing) 방법(AMB 방법)이다. 금속화 이후에, 상기 컴포넌트들이 상기 지지체들로부터 제거된다.
지지 바디들이 뮬라이트(mullite), ZrO2, Al2O3, AlN, Si3N4, SiC 또는 뮬라이트(mullite), ZrO2, Al2O3, AlN, Si3N4, SiC 중 적어도 두 개의 혼합물로 제조되는 지지체들을 이용하여, 상기 컴포넌트들이 지지된다. 상기 지지체들은 높은 내열성을 갖고 다수의 컴포넌트들을 갖는 평탄한 적층이 가능할 정도로 충분하게 안정적이다.
지지 바디들이 높은 온도 안정성을 갖는 금속, 예컨대 합금강, 몰리브덴, 티타늄, 텅스텐 또는 합금강, 몰리브덴, 티타늄, 텅스텐 중 적어도 두 개의 혼합물 또는 합금으로 제조되는 지지체들을 이용하여, 상기 컴포넌트들이 또한 지지될 수 있다. 이러한 경우 또한, 상기 지지체들이 높은 내열성을 갖고 다수의 컴포넌트들을 갖는 평탄한 적층이 가능할 정도로 충분하게 안정적이다.
상기 지지 바디들 상의 상기 분리 층은, 뮬라이트, Al2O3, TiO2, ZrO2, MgO, CaO, CaCO3 또는 뮬라이트, Al2O3, TiO2, ZrO2, MgO, CaO, CaCO3 중 적어도 두 개의 혼합물, 또는 이들이 제조 중에 이용되는 물질들의 다공성 층(porous layer)으로서 제조된다.
상기 분리 층은 20 mm 이하의 두께 및 10 % 이상의 다공율(공극(pore) 부피 대 실부피의 비율)을 갖는 지지 바디에 적용된다. 바람직하게, 상기 언급된 물질들은 금속화를 위해 제공되는 금속들에 접착되지 않는다. 상기 층의 두께와 다공율은 상기 층이 열에 노출되었을 때에 찢어지거나 벗겨지지 않음을 보장한다.
상기 지지 바디는 0.2 mm 내지 30 mm의 두께로 제조된다. 특히 다수의 컴포넌트들이 적층될 때에 안정성이 보장되도록, 상기 컴포넌트들의 크기 및 무게에 따라서 제조가 수행된다.
이상적인 평평한 표면과의 편차가 지지체 길이의 0.4% 미만이거나 그리고/또는 지지체 폭의 0.2% 미만인 지지체의 이용은, 상기 금속 코팅의 표면이 평평하지 않게 되거나 또는 상기 금속 코팅이 왜곡되는 것을 방지한다.
상기 분리 층을 형성하기 위해서, 상기 지지체의 상기 지지 바디의 적어도 하나의 면이, 액체 또는 수성(aqueous) 매트릭스에서 분말 형태로 상기 분리 층의 적어도 하나의 물질을 포함하는 혼합물로 코팅된다. 상기 분리 층을 형성하는 상기 코팅의 적용 이후에, 건조시키거나 그리고/또는 결합제를 제거하기 위해서 상기 코팅이 100℃ 이상의 온도로 가열된다.
상기 분리 층을 형성하는 상기 코팅, 즉 그 코팅이 제공되는 상기 지지체는 150℃ 보다는 높지만 상기 분리 층의 물질의 소결 온도(sintering temperature) 보다는 낮은 온도로 가열된다.
상기 분리 층은 70 μm 이하의 입자 크기를 갖는 분말 물질로부터 형성된다. 따라서, 상기 금속 코팅의 표면이 상응하게 매끄러운 것이 보장된다.
상기 지지 바디의 물질의 열 팽창 계수는, 상기 컴포넌트들의 열 팽창 계수와 동일하거나 또는 상이하도록 선택될 수 있다. 상기 지지 바디의 물질은 금속 코팅을 갖는 컴포넌트의 열 팽창 계수와는 상이한 열 팽창 계수를 가질 수 있고, 상기 지지된 컴포넌트의 세라믹 물질의 열 팽창 계수보다 약 10% 크거나 또는 작도록 선택될 수 있다.
상기 지지 바디의 물질은 약 6.7x10-6/K 정도의(the order of magnitude) 열 팽창 계수를 가져야 한다.
상기 금속 코팅은, 예컨대 순수한 또는 산업용 등급의 텅스텐, 은, 금, 구리, 백금, 팔라듐(palladium), 니켈, 알루미늄 또는 강철, 또는 적어도 두 개의 서로 다른 금속들의 혼합물로 구성될 수 있다. 또한, 추가적으로 또는 단독으로, 상기 금속 코팅은, 예컨대 반응성 납땜(reactive solder)들, 연질 납땜(soft solder)들 또는 경질 납땜(hard solder)들로 구성될 수 있다.
바람직하게, 상기 금속화는 공지의 DCB 방법에 의한 구리 시트들 또는 구리 막들로 수행된다.
적어도 하나의 스택의 상부 면에는, 상기 지지체의 물질로 구성될 수 있고 상기 금속 코팅에 놓이는 표면상에서 분리 층이 제공되는 웨이팅 바디(weighting body)가 위치할 수 있다. 그 결과, 특히 다수의 중첩된 스택들을 포함하는 스택 배열에서는, 상기 금속화를 위해 제공되는 시트들 또는 막들 상에 그러한 압력이 가해지고, 여기서 상기 시트들 및 막들은 금속화될 상기 세라믹 바디들의 표면과 완전하게 접촉하며, 따라서 상기 금속화에 어떠한 결함도 발생하지 않는다.
스택 배열을 형성하기 위해서, 상기 스택들이 서로의 위에 층층이 위치할 수 있고 스페이서(spacer)들이 상기 지지체들 사이에 위치할 수 있다. 따라서, 임의의 원하는 개수의 스택들이 서로의 위에 층층이 위치할 수 있다.
상기 지지체들의 구조적 형태는 상기 스택들의 여러 배열들이 더 제공되도록 하고, 심지어 스택 배열 내의 스택들이 서로 분리되도록 한다.
서로 다른 방법들, 예컨대 DCB 및 AMB 방법에 의해서 동시에 금속화를 수행하기 위해서, 적어도 두 개의 스택들이 지지체에 의해 적어도 부분적으로 경계 지어지는 챔버(chamber)에 각각 수용될 수 있다. 상기 챔버는 해당 지지체 상에 위치하는 판에 의해서 또는 다른 지지체에 의해서 폐쇄된다. 상기 스택들의 공간적 분리는 하나의 스택 배열에서 동시에 서로 다른 방법들이 실시될 수 있게 한다.
컵 형태의, 트러프(trough) 형태의 또는 채널 형태의 지지체들의 경우에, 스택 배열을 형성하기 위해 다수의 스택들이 서로의 위에 층층이 적층될 수 있고, 일 지지체의 하부 면은 하부 지지체의 측벽들에 놓이고 거기에 위치한 컴포넌트 또는 컴포넌트들로 상기 컵, 트러프 또는 채널을 커버한다. 그 결과, 바람직하게 상기 지지체들은 금속화가 발생하는 반응 챔버를 동시에 형성한다.
상기 스택들의 배열 및/또는 상기 지지체 및 그들의 배열의 구조적 형태 때문에, 열 처리 및 불활성 기체로의 노출이 각각의 스택과 개별적으로 매칭될 수 있다.
상기 지지 바디의 표면 및/또는 상기 지지 바디상의 상기 분리 층은, 그것의 전체 표면에 걸쳐서 또는 그것의 표면의 일부에 걸쳐서 또는 이들의 조합으로 구성될 수 있다. 상기 구성은 또한 격자 형태를 갖는 이격된 홈(groove)들 또는 슬롯(slot)들 또는 채널들로 구성될 수 있고, 이것들에 의해서 상기 분리 층, 상기 지지체 표면이 작은 표면 영역의 지역들로 분할된다. 따라서, 그에 따라 상기 분리 층과 또한 접촉하는 상기 지지체 표면이 감소된다. 그 결과, 금속화를 위한 가스들의 접근 및 상기 컴포넌트들의 가열 및 냉각이 영향을 받을 수 있다.
상기 컴포넌트의 바디는, 그것의 혼합물의 관점에서 예컨대 절연, 부분 방전 저항 및 열 안정성과 같은 필요한 특성들과 매칭될 수 있는 세라믹 물질로 구성된다.
상기 세라믹 물질은 주성분으로서 50.1 wt.% 내지 100 wt.%의 ZrO2/HfO2 또는 50.1 wt.% 내지 100 wt.%의 Al2O3 또는 50.1 wt.% 내지 100 wt.%의 AlN 또는 50.1 wt.% 내지 100 wt.%의 Si3N4 또는 50.1 wt.% 내지 100 wt.%의 BeO, 50.1 wt.% 내지 100 wt.%의 SiC 또는 지시된 범위 이내에서 임의의 원하는 조합에서의 적어도 두 개의 주성분들의 조합을 포함하고, 보조 성분으로서 적어도 하나의 산화 단계에서의 Ca, Sr, Si, Mg, B, Y, Sc, Ce, Cu, Zn, Pb 원소들 및/또는 지시된 범위내에서 임의의 원하는 조합의 또는 개별적으로 49.9 wt.% 이하의 양의 혼합물을 포함한다. 3 wt.% 이하의 불순물의 양을 차감한 상기 주성분들 및 보조 성분들은 전체 100 wt.%의 조성을 제공하기 위해서 임의의 원하는 조합으로 서로 조합될 수 있다.
이러한 조성물의 물질들은 특히 컴포넌트들의 제조에 적합한데, 이는 이들이 성취가능한 열용량 및 좋은 금속화 능력을 갖기 때문이다.
상기 금속 코팅의 층들은 금속화 층의 기능에 따라 0.05 mm 내지 2 mm의 두께로 적용된다. 상기 컴포넌트의 높이에 대한 상기 금속 코팅의 층들의 두께의 비율은 2 미만일 수 있다.
상기 금속 코팅의 층들은 또한 서로 다른 두께로 적용될 수 있다. 예컨대, 상기 금속 코팅의 상기 층의 기능에 따라, 상기 컴포넌트의 상기 세라믹 바디의 일 면에 그 면과 마주보거나 그리고/또는 인접한 면의 두께와는 상이한 두께를 갖는 층을 적용시키는 것이 가능하다.
2차원 투영(projection)에서의 컴포넌트의 최소 치수들은 적어도 80 μm x 80 μm 보다는 크다. 상기 2차원 투영에 투영되지 않는 최소 높이는 80 μm 보다 크다.
세라믹으로 구성되는, 상기 컴포넌트의 바디는 바람직하게 히트 싱크(heat sink)이다. 상기 히트 싱크는, 전기 또는 전자 구조의 엘리먼트들 또는 회로들을 전달하고, 구조적인 엘리먼트들 또는 회로들을 손상시킬 수 있는 열의 축적이 없도록 상기 구조적인 엘리먼트들 또는 회로들에서 생성되는 열을 발산시킬 수 있도록 형성되는 바디로서 이해된다. 상기 세라믹 바디는, 전기적으로 비-전도적이거나 또는 실질적으로 비-전도적이고 좋은 열 전도성을 갖는 물질로 만들어진다.
상기 세라믹 바디는 하나의 피스(one piece)로 되어 있고, 상기 전자 구조의 엘리먼트들 또는 회로들을 보호하기 위해서 열을 발산시키거나 또는 공급하는 엘리먼트들을 갖는다. 바람직하게, 상기 세라믹 바디는 판이고, 상기 엘리먼트들은 가열 또는 냉각 수단이 적용될 수 있는 구멍(bore)들, 채널들, 리브(rib)들 및/또는 리세스(recess)들이다. 상기 수단은 액체 또는 가스 상태일 수 있다. 바람직하게, 그것의 냉각 엘리먼트들을 갖는 상기 세라믹 바디는 적어도 하나의 세라믹 컴포넌트 또는 서로 다른 세라믹 물질들의 복합물로 구성된다.
예시적인 실시예들에 의해서 본 발명이 보다 상세하게 기술된다.
도 1은 두 개의 스택들 및 웨이팅 바디의 스택 배열을 도시한다.
도 2는 판 형태의 지지체들을 갖는 두 개의 스택들의 스택 배열을 도시한다.
도 3은 채널 형태의 지지체들을 갖는 두 개의 스택들의 스택 배열을 도시한다.
도 4는 채널 형태의 지지체들 및 서로 다른 형태를 한 컴포넌트들을 갖는 두 개의 스택들의 스택 배열을 도시한다.
도 1은 본 발명에 따른 스택 배열을 도시한다. 금속화를 수행하기 위한 오븐(여기서 상세히 도시하지 않음)의 유지 장치(holding device)(1)에서, 그것의 지지 바디(3) 상에 분리 층(4)이 제공되는 지지체(2)가 우선 위치한다. 각진 컴포넌트(5), 즉 상부 및 하부 면 상에 금속 코팅들(7)이 제공될 공간적으로 구성된 세라믹 바디(6)를 수용할 수 있도록, 상기 지지체(2)는 각진 형태를 갖는다. 상기 금속 코팅들(7)은 상기 각진 세라믹 바디(6)의 각각의 가지(limb)의 상부 및 하부 면 상에서 평평하고 상호 간에 대칭적으로 배열된다.
상기 지지체(2) 및 상기 지지체(2) 위에 위치한 상기 컴포넌트(5)가 스택(8)을 형성한다.
상기 컴포넌트(5) 상에는, 지지체(2), 및 상부 면 및 하부 면 모두에서 분리 층(4)으로 커버되는 지지 바디(3)가 더 위치한다. 이 지지체는 분리 판으로서의 역할을 한다. 분리 판으로서, 그것은 서로 적층된 두 개의 컴포넌트들을 분리시킨다. 이후의 컴포넌트(5)는 이전의 컴포넌트(5)와 동일한 구조를 갖고, 그것의 지지체(2)와 함께 마찬가지로 스택(8)을 형성한다.
서로 위에 놓이는 두 개의 스택들(8)은 스택 배열(9)을 형성한다.
최상위의 스택(8) 상에는, 웨이팅 바디(10), 및 상기 지지체의 물질로 구성될 수 있는 바디(11)가 놓인다. 상기 바디는, 상기 컴포넌트(5)의 위에 위치한 금속 코팅(7) 상에 놓인 상기 표면상의 분리 층(4)이 제공된다. 상기 웨이팅 바디(10)의 효과는, 상기 금속화를 위해 제공되는 막들 또는 시트들이 금속화될 상기 세라믹 바디들(6)의 표면들에 완전하게 접촉한다는 것이다.
도 2는 금속화를 위해 제공되는 스택 배열의 추가적인 실시예를 도시한다. 이전의 실시예에 대응하는 특징들은 동일한 참조 번호들로 주어진다. 상기 금속화를 수행하기 위한 오븐(여기서 상세히 도시하지 않음)에서, 이 경우에 판의 형태를 갖는 지지체(2)가 위치한다. 상기 지지 바디(3)는 그것의 상부 면 상에서 분리 층(4)을 지탱한다. 히트 싱크를 나타내는, E-형태의 세라믹 바디(6)를 갖는 컴포넌트(5)는 상기 지지체(2) 상에 놓인다. 상기 세라믹 바디(6)는 평평한 측면을 갖는 상기 지지체 상에 놓인다. 그 측면은 그것의 전체 표면에 걸쳐서 금속 코팅(7)을 지탱한다. 상기 세라믹 바디(6)의 특정한 냉각 리브들(12)은 또한 그들의 단부면 상에서 금속 코팅(7)을 지탱한다.
상기한 스택(8) 상에서, 동일한 구조의 추가적인 스택(8)이 위치한다. 상기 하부 지지체(2) 상에 위치한 스페이서들(13)은 상부 스택을 지탱한다. 상기 스페이서들(13)은 상기 지지체들(2)과 동일한 세라믹 물질로부터 제조될 수 있다. 상부 스택은 판(14)에 의해 커버된다. 두 개의 중첩된 스택들(8)은 스택 배열(9)을 형성한다.
살펴볼 바와 같이, 상기 상부 스택(8)의 상기 세라믹 바디(6)가 금속화되는 표면들은 상기 하부 세라믹 바디의 상기 금속 코팅의 표면들과 일치하지 않는다. 상기 스택 배열은 동일한 형태의 세라믹 바디들이 다른 표면들 상에서 동시에 금속화되는 것을 가능하게 한다.
도 3에서, 금속화될 스택 배열(9)에서의 하부 및 상부 스택(8)의 상기 컴포넌트들(5)은 도 2의 실시예에 따른 대응하는 스택의 컴포넌트들과 동일하다. 상기 지지체(2)의 형태만이 이전의 실시예와 상이하다. 상기 지지체(2)는 채널 형태를 갖고, 즉 스페이서들을 대신하여, 측벽들 및 그 위에 배열된 상기 지지체의 베이스를 갖는 상기 지지체 자체가 상기 반응 챔버를 형성한다. 상기 지지체의 베이스는 상기 분리 층(4)으로 커버된다.
상기 지지체들(2) 및 스페이서들(13), 또는 예컨대, 컵, 트러프(trough) 또는 채널 형태의 지지체들은 상기 금속화가 발생하는 챔버들을 경계 짓는다. 이렇게 경계가 지어진 챔버들은, 상기 금속화를 위해 필수적인 방법의 파라미터들이 각각의 챔버에서 별도로 조정되도록 하는 것을 가능하게 한다.
스택 배열들은 서로 다른 형태들의 컴포넌트들이 한 번의 동일한 동작으로 금속화되도록 한다. 이것은 도 4에 따른 실시예의 스택 배열(9)에 의해서 도시된다. 여기에서도 또한, 도 3의 실시예와 같이, 상기 지지체들은 채널들의 형태를 갖는다. 하부 스택(8)은 도 3에 따른 하부 스택(8)과 유사하다. 하지만, 도 3과는 달리, 이 경우에는 분리 층(4)이 구조화(15)되고, 즉 분리 층은 이격된 슬롯들에 의해서 단절된다(interrupted). 그 결과, 상기 금속 코팅(7)의 층은 그것의 전체 표면에 걸쳐 상기 분리 층(4)과 접촉하지는 않는다. 위에 위치한 스택(8)에서, 상기 컴포넌트들(5)은 완전하게 다른 형태를 갖는다. 상기 지지체(2)에는 두 개의 컴포넌트들(5), U-형태의 세라믹 바디들(6)이 존재한다. 각 경우에 상기 세라믹 바디들(6)은 상기 분리 층(4) 상에서 하나의 가지(limb)를 갖도록 위치하고, 각 경우에 상기 가지들의 바깥면 상에 금속 코팅(7)이 제공된다.

Claims (47)

  1. 세라믹 바디를 갖는 적어도 하나의 컴포넌트를 제조하기 위한 방법으로서,
    상기 세라믹 바디는 상기 세라믹 바디의 표면의 적어도 하나의 영역이 금속 코팅으로 커버되고,
    상기 세라믹 바디는 공간적으로 구조화되고,
    금속화를 위해 제공되는 금속은 금속화되는 상기 세라믹 바디의 표면들에 페이스트들 또는 막들 또는 시트들의 형태로 적용되며,
    상기 금속이 상기 세라믹 바디의 물질에 결합되기 전에, 상기 적어도 하나의 컴포넌트가 지지체 상에 위치되고 이에 따라 스택이 형성되고,
    상기 지지체의 지지 바디(support body)에는, 적어도, 상기 적어도 하나의 컴포넌트 상에 놓이는 표면들 상에서 분리 층이 사전에 제공되며, 그리고
    상기 금속화 이후에, 상기 적어도 하나의 컴포넌트가 상기 지지체로부터 제거되는,
    세라믹 바디를 갖는 적어도 하나의 컴포넌트를 제조하기 위한 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    복수의 컴포넌트들의 금속화에서, 상기 컴포넌트들은 지지체 상에 각각 위치되며 그에 의해 스택들이 각각의 경우에 형성되고,
    적어도 두 개의 스택들을 갖는 스택 배열(arrangement)이 형성되는 방식으로 상기 스택들이 서로의 위에 위치되며, 그리고
    상기 스택 배열의 상기 컴포넌트들의 상기 금속화가 그 후 수행되는,
    세라믹 바디를 갖는 적어도 하나의 컴포넌트를 제조하기 위한 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 컴포넌트들이, 뮬라이트(mullite), ZrO2, Al2O3, AlN, Si3N4, SiC로부터 또는 뮬라이트, ZrO2, Al2O3, AlN, Si3N4, SiC 중 적어도 두 개의 혼합물로부터 제조된 지지 바디를 갖는 지지체들을 이용하여 지지되는,
    세라믹 바디를 갖는 적어도 하나의 컴포넌트를 제조하기 위한 방법.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 컴포넌트들은, 합금강, 몰디브덴, 티타늄, 텅스텐을 포함하는 내열성을 갖는 금속으로부터, 또는 합금강, 몰디브덴, 티타늄, 텅스텐 중 적어도 두 개의 혼합물 또는 합금으로부터 제조된 지지 바디를 갖는 지지체들을 이용하여 지지되는,
    세라믹 바디를 갖는 적어도 하나의 컴포넌트를 제조하기 위한 방법.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 분리 층은, 뮬라이트, Al2O3, TiO2, ZrO2, MgO, CaO, CaCO3 또는 뮬라이트, Al2O3, TiO2, ZrO2, MgO, CaO, CaCO3 중 적어도 두 개의 혼합물, 또는 이들 성분들이 제조 중에 이용되는 물질들의 다공성 층(porous layer)으로서 상기 지지체들 상에서 제조되는,
    세라믹 바디를 갖는 적어도 하나의 컴포넌트를 제조하기 위한 방법.
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 분리 층은 20 mm 이하의 두께로 도포되는,
    세라믹 바디를 갖는 적어도 하나의 컴포넌트를 제조하기 위한 방법.
  7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 분리 층은 10 % 이상의 다공율(공극 부피 대 실부피의 비율)을 갖도록 제조되는,
    세라믹 바디를 갖는 적어도 하나의 컴포넌트를 제조하기 위한 방법.
  8. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 지지체의 지지 바디는 0.2 mm 내지 30 mm의 두께로 제조되는,
    세라믹 바디를 갖는 적어도 하나의 컴포넌트를 제조하기 위한 방법.
  9. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    평평한 표면으로부터의 편차들이 지지체 길이의 0.4% 미만 및 지지체 폭의 0.2% 미만 중 적어도 하나인 지지체를 이용하는,
    세라믹 바디를 갖는 적어도 하나의 컴포넌트를 제조하기 위한 방법.
  10. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 지지체의 표면상에서 상기 분리 층을 형성하기 위해서, 컴포넌트 상에 놓이는 상기 지지 바디의 표면들은 적어도, 액체 또는 수성(aqueous) 매트릭스의 분말 형태인 적어도 하나의 분리 층 물질을 포함하는 조성물로 코팅되는,
    세라믹 바디를 갖는 적어도 하나의 컴포넌트를 제조하기 위한 방법.
  11. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 분리 층을 형성하는 코팅의 도포(application) 후에, 상기 코팅은 건조 및 결합제(binder) 제거(expel) 중 적어도 하나를 위해 100℃ 보다 높은 온도로 가열되는,
    세라믹 바디를 갖는 적어도 하나의 컴포넌트를 제조하기 위한 방법.
  12. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 분리 층을 형성하는 코팅, 또는 상기 코팅이 제공되는 상기 지지체가 150℃ 보다는 높지만 상기 분리 층의 물질의 소결 온도(sintering temperature) 보다는 낮은 온도로 가열되는,
    세라믹 바디를 갖는 적어도 하나의 컴포넌트를 제조하기 위한 방법.
  13. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 분리 층은 70 μm 이하의 입자 크기를 갖는 분말형 물질로 형성되는,
    세라믹 바디를 갖는 적어도 하나의 컴포넌트를 제조하기 위한 방법.
  14. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    적어도 하나의 지지체의 물질의 열 팽창 계수는, 적어도 하나의 컴포넌트의 열 팽창 계수와 동일하거나 또는 상이하도록 선택되는,
    세라믹 바디를 갖는 적어도 하나의 컴포넌트를 제조하기 위한 방법.
  15. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 지지체의 지지 바디를 형성하는 물질은, 금속 코팅을 갖는 상기 컴포넌트의 열 팽창 계수와는 상이하고 지지된 컴포넌트의 상기 세라믹 바디의 물질의 열 팽창 계수보다 10% 크거나 작도록 선택되는 열 팽창 계수를 갖도록 제조되는,
    세라믹 바디를 갖는 적어도 하나의 컴포넌트를 제조하기 위한 방법.
  16. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 지지체의 지지 바디의 물질은 6.7x10-6/K의 열 팽창 계수를 갖도록 제조되는,
    세라믹 바디를 갖는 적어도 하나의 컴포넌트를 제조하기 위한 방법.
  17. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 금속화가, 순수한 또는 상업적으로 이용가능한 텅스텐, 은, 금, 구리, 백금, 팔라듐, 니켈, 알루미늄 또는 강철로부터의 금속들로, 또는 적어도 두 개의 서로 다른 금속들의 혼합물 및 반응성 납땜(reactive solder)들, 연질 납땜(soft solder)들 또는 경질 납땜(hard solder)들 중 적어도 하나로 수행되는,
    세라믹 바디를 갖는 적어도 하나의 컴포넌트를 제조하기 위한 방법.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 금속화가 DCB 방법에 따라 구리 시트들 또는 구리 막들로 수행되는,
    세라믹 바디를 갖는 적어도 하나의 컴포넌트를 제조하기 위한 방법.
  19. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 지지체의 분리 층들 및 도포된 금속을 갖는 세라믹 바디들의 금속화되는 표면들이 서로의 위에 놓이도록, 분리 판으로서 역할을 하고 양 면들상에 분리 층을 갖는 지지체가 스택 배열에서의 연속하는 세라믹 바디들 사이에 삽입되는,
    세라믹 바디를 갖는 적어도 하나의 컴포넌트를 제조하기 위한 방법.
  20. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    중첩된 스택들의 스택 배열을 형성하기 위해서, 스페이서들이 지지체들 사이에 위치하는,
    세라믹 바디를 갖는 적어도 하나의 컴포넌트를 제조하기 위한 방법.
  21. 제 20 항에 있어서,
    상기 지지체에 의해 적어도 부분적으로 경계가 지어지고 상기 스택 배열 상에 위치하는 판에 의해서 폐쇄되는 챔버에, 적어도 하나의 스택이 수용되는,
    세라믹 바디를 갖는 적어도 하나의 컴포넌트를 제조하기 위한 방법.
  22. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    스택 배열을 형성하기 위해서, 복수의 스택들의 컵 형태, 트러프(trough) 형태 또는 채널 형태의 지지체들이 서로의 위에 적층되고, 하부 지지체의 측벽들 상에 놓이는 하나의 지지체의 하부 면이 상기 컴포넌트로 컵, 트러프 또는 채널을 커버하는,
    세라믹 바디를 갖는 적어도 하나의 컴포넌트를 제조하기 위한 방법.
  23. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    웨이팅 바디(weighting body)가 적어도 하나의 스택의 상부 면 상에 위치하고, 상기 웨이팅 바디의 바디는 상기 지지체의 물질로 구성될 수 있고, 상기 바디에는 금속 코팅 상에 놓이는 표면상의 분리 층이 제공되는,
    세라믹 바디를 갖는 적어도 하나의 컴포넌트를 제조하기 위한 방법.
  24. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    둘 이상의 상이한 방법들에 의해 상기 금속화를 동시에 수행하기 위해서, 지지체에 의해 적어도 부분적으로 경계가 지어지는 챔버에 적어도 두 개의 스택들이 각각 수용되고, 상기 챔버는 해당 상기 스택 상에 위치되는 판에 의해서 또는 다른 지지체에 의해서 폐쇄되는,
    세라믹 바디를 갖는 적어도 하나의 컴포넌트를 제조하기 위한 방법.
  25. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 지지 바디의 표면 및 상기 지지 바디 상의 상기 분리 층 중 적어도 하나가 자신의 전체 표면에 걸쳐서 또는 자신의 표면의 일부에 걸쳐서 또는 이들의 조합들로 구조화되는,
    세라믹 바디를 갖는 적어도 하나의 컴포넌트를 제조하기 위한 방법.
  26. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 세라믹 바디의 물질은, 주성분으로서 ZrO2/HfO2, Al2O3, AlN, Si3N4, BeO 또는 SiC, 또는 상기 성분들 중 적어도 두 개의 원하는 조합의 50.1 중량% 내지 100 중량%의 주성분, 그리고 적어도 하나의 보조 성분으로서 적어도 하나의 산화 단계에서의 원소들 Ca, Sr, Si, Mg, B, Y, Sc, Ce, Cu, Zn, Pb, 및 상기 원소들로부터 개별적인 또는 원하는 조합의 화합물 중 적어도 하나의 49.9 중량% 이하인 적어도 하나의 보조 성분을 포함하고,
    3 중량% 이하의 불순물의 양을 차감한 상기 주성분들 및 보조 성분들은 전체 100 중량%의 조성을 제공하기 위해서 원하는 조합으로 서로 조합되는,
    세라믹 바디를 갖는 적어도 하나의 컴포넌트를 제조하기 위한 방법.
  27. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    2차원 투영(projection)에서 컴포넌트의 최소 치수들(dimensions)은 적어도 80 μm x 80 μm 보다는 큰,
    세라믹 바디를 갖는 적어도 하나의 컴포넌트를 제조하기 위한 방법.
  28. 제 27 항에 있어서,
    상기 2차원 투영에서 투영되지 않는 최소 높이는 80 μm 보다 큰,
    세라믹 바디를 갖는 적어도 하나의 컴포넌트를 제조하기 위한 방법.
  29. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    적어도 하나의 스택에서 금속 코팅의 층들은 0.05 mm 내지 2 mm의 두께로 도포되는,
    세라믹 바디를 갖는 적어도 하나의 컴포넌트를 제조하기 위한 방법.
  30. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    적어도 하나의 스택에서 상기 컴포넌트의 높이에 대한 금속 코팅의 층들의 두께의 비율은 2 미만인,
    세라믹 바디를 갖는 적어도 하나의 컴포넌트를 제조하기 위한 방법.
  31. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    적어도 하나의 스택의 금속 코팅의 층들이 서로 다른 두께들로 도포되는,
    세라믹 바디를 갖는 적어도 하나의 컴포넌트를 제조하기 위한 방법.
  32. 세라믹 바디를 갖는 적어도 하나의 컴포넌트의 금속화에 이용하기 위한 지지체로서, 상기 지지체는,
    내열성 물질을 포함하는 지지 바디, 및
    상기 지지 바디의 적어도 하나의 면상에 있는 분리 층 ― 상기 분리 층은 홈(groove)들 사이에 형성된 돌출된(raised) 영역들을 포함함 ―
    을 포함하는,
    지지체.
  33. 제 32 항에 있어서,
    상기 내열성 물질은 뮬라이트, ZrO2, Al2O3, AlN, Si3N4 및 SiC로 구성된 그룹으로부터 선택되는 적어도 하나의 요소를 포함하는,
    지지체.
  34. 제 32 항에 있어서,
    상기 분리 층은 뮬라이트, Al2O3, TiO2, ZrO2, MgO, CaO 및 CaCO3로 구성된 그룹으로부터 선택되는 적어도 하나의 요소를 포함하는,
    지지체.
  35. 제 32 항에 있어서,
    상기 지지 바디는 0.2 mm 내지 30 mm의 두께를 갖는,
    지지체.
  36. 제 32 항에 있어서,
    상기 지지 바디의 표면은 편차가 지지체 길이의 0.4% 미만 및 지지체 폭의 0.2% 미만 중 적어도 하나인,
    지지체.
  37. 제 32 항에 있어서,
    상기 분리 층은 20 mm 이하의 두께를 갖는,
    지지체.
  38. 제 32 항에 있어서,
    상기 분리 층을 형성하는 입자들은 70 μm 이하의 크기를 갖는,
    지지체.
  39. 제 32 항에 있어서,
    상기 분리 층은 자신의 전체 두께에 걸쳐 10 % 이상의 다공율(공극 부피 대 실부피의 비율)을 갖는,
    지지체.
  40. 제 32 항에 있어서,
    상기 분리 층은 동일하거나 상이한 두께들을 갖는 적어도 두 개의 영역들을 갖는,
    지지체.
  41. 제 32 항에 있어서,
    상기 지지 바디는 컵 형태, 트러프 형태 또는 채널 형태이고, 적어도 베이스는 내부에 분리 층을 갖는,
    지지체.
  42. 제 41 항에 있어서,
    상기 지지 바디는 컵 형태, 트러프 형태 또는 채널 형태이고, 측벽들의 내부, 상기 베이스의 내부 및 상기 베이스의 외부 중 적어도 하나는 분리 층을 갖는,
    지지체.
  43. 제 32 항 또는 제 33 항에 있어서,
    상기 지지 바디의 표면 및 상기 지지 바디 상의 상기 분리 층 중 적어도 하나가 자신의 전체 표면에 걸쳐서 또는 자신의 표면의 일부에 걸쳐서 또는 이들의 조합들로 구조화되는,
    지지체.
  44. 제 32 항에 있어서,
    상기 지지 바디를 형성하는 물질은, 금속 코팅을 갖는 상기 컴포넌트의 열 팽창 계수와는 상이하고 상기 내열성 물질의 열 팽창 계수보다 10% 크거나 작은 열 팽창 계수를 갖는,
    지지체.
  45. 제 32 항에 있어서,
    베이스 기판의 물질은 6.7x10-6/K의 열 팽창 계수를 갖는,
    지지체.
  46. 세라믹 바디를 갖는 컴포넌트로서,
    상기 세라믹 바디는 상기 세라믹 바디의 표면의 적어도 하나의 영역에서 금속 코팅으로 커버되고,
    상기 세라믹 바디는 공간적으로 구조화되고,
    상기 세라믹 바디의 물질은, 주성분으로서 ZrO2/HfO2, Al2O3, AlN, Si3N4, BeO 또는 SiC, 또는 상기 성분들 중 적어도 두 개의 원하는 조합의 50.1 중량% 내지 100 중량%의 주성분, 그리고 보조 성분으로서 적어도 하나의 산화 단계에서의 원소들 Ca, Sr, Si, Mg, B, Y, Sc, Ce, Cu, Zn, Pb, 및 상기 원소들로부터 개별적인 또는 원하는 조합의 화합물 중 적어도 하나의 49.9 중량% 이하인 보조 성분을 포함하고,
    3 중량% 이하의 불순물의 양을 차감한 상기 주성분들 및 보조 성분들은 전체 100 중량%의 조성을 제공하기 위해서 원하는 조합으로 서로 조합되는,
    세라믹 바디를 갖는 컴포넌트.
  47. 제 46 항에 있어서,
    냉각 리브(rib)들이 제공되는 상기 세라믹 바디는 히트 싱크의 형태인,
    세라믹 바디를 갖는 컴포넌트.
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