JP5496081B2

JP5496081B2 - 金属被覆された構成部分を製造するための方法、金属被覆された構成部分、並びに金属被覆の際に構成部分を支持するための支持体

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Publication number: JP5496081B2
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Description

本発明は、表面の少なくとも一部が金属被覆で被覆されたセラミック体を有する少なくとも１つの構成部分を製造するための方法、この方法に従って製造された構成部分、並びに金属被覆の際に前記構成部分を支持するための支持体に関する。

ドイツ連邦共和国特許公開第１０２００４０５６８７９号明細書によれば、両側が金属被覆されたプレート状の銅・セラミック基板を製造するための方法が公知である。"Direct Copper Bonding-Verfahren"（ダイレクト銅ボンディング法）においては、金属被覆しようとするセラミック体の金属層の少なくとも１つが、支持体（この支持体上に構成部分が積層される）のセラミックの分離層上に載せられる。

本発明の課題は、セラミックより成る構成部分の少なくとも１つの部材の、互いに逆向きの少なくとも２つの側に、かつ／または隣接し合う少なくとも２つの側に同時に金属被覆できるような方法を提供することである。

この課題を解決した本発明の方法の手段は請求項１の特徴部に、装置の手段は請求項３２の特徴部に、また構成部分については請求項４６の特徴部に記載されている。本発明の有利な実施態様は、従属請求項に記載されている。

互いに逆向きの少なくとも２つの側に、かつ／または隣接し合う少なくとも２つの側に金属被覆を施し、この際にセラミック体を立体的に構造化（パターン形成）するための、セラミック体を備えた少なくとも１つの構成部分を製造するための本発明の方法によれば、金属被覆するために設けられた金属を、ペースト状又はシート状又は金属薄板の形で、金属被覆するために設けられた、セラミック体の面に被着するようにした。

金属とセラミック材料とを結合する前に、構成部分が支持体上に載せられる。支持体の支持部材は、少なくとも１つの構成部分の、少なくとも金属被覆するために設けられた面に当接する面が分離層で被覆される。この方法によれば、立体的に構造化されたセラミック体において、互いに逆向きの及び／又は隣接し合う少なくとも２つの面に同時に金属被覆することができる。

構成部分と支持体とは、１つの積層体を形成している。複数のセラミック体に同時に金属被覆するために、複数の積層体を互いに積層して１つの積層構造を形成することができる。積層構造内で互いに上下に連続する複数のセラミック体の間に、両側で分離装置を備えた、分離プレートとして作用するそれぞれ１つの支持体が挿入され、それによって、支持体の複数の分離層と、セラミック体の、金属被覆される複数の面とが互いに重なり合って位置する。

積層体が互いに重ねられると、金属被覆のための熱による方法が実施される。有利な方法は、ダイレクト銅ボンディング法（ＤＣＢ法）又は"Active Metal Brazing-Verfahren"アクティブメタルろう付け法（ＡＭＢ法）である。金属被覆後に、構成部分は支持体から持ち上げられる。

構成部分を載設するために、支持体が使用され、この支持体の支持部材は、ムライト、ＺｒＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＡＩＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＣより製造されているか、又はムライト、ＺｒＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＡＩＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＣのうちの少なくとも２つの成分の混合物より製造される。支持体は、高い耐熱性を有しており、従って、多数の構成部分を有する積層体も可能である程度に頑丈である。

複数の構成部分を載設するために、合金鋼、モリブデン、チタン、タングステン等の耐熱性金属より製造された支持部材、又は合金鋼、モリブデン、チタン、タングステンのうちの少なくとも２つの成分の混合物より製造された支持部材を有する支持体が使用される。この場合も、支持体は互い耐熱性を有しており、多数の構成部分を有する積層体も可能である程度に頑丈である。

支持体上の分離層は、ムライト、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＣａＣｏ_３より成る多孔性の層として、又はムライト、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＣａＣｏ_３のうちの少なくとも２つの成分の混合物より成る多孔性の層として、又は製造時にムライト、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＣａＣｏ_３が使用される材料より成る多孔性の層として製造される。

厚さが≦２０ｍｍで、多孔性（固体体積に対する孔の体積の比）≧１０％を有する分離層が、支持部材上に施される。このような分離層は、金属被覆するために設けられた金属と良好に結合する。前記のような分離層の厚さ及び多孔性によって、熱的な負荷がかかった時に層が破壊され又は剥離することがないように保証されている。

支持部材は、０．２ｍｍ〜３０ｍｍまでの厚さを有するものが製造されている。支持部材は、構成部分の大きさ及び質量に合わせて製造されるので、特に複数の構成部分を積層する際の形状安定性が保証されている。

理想的な平らな表面に対するずれが、支持体長さの０．４％及び／又は支持体幅の０．２％よりも小さい支持体を使用することによって、金属被覆の表面がでこぼこになるか又は金属被覆が歪むことは避けられる。

分離層を形成するために、支持体の支持部材の少なくとも１つの面に、液状又は水状のマトリックス内中に、粉末状の少なくとも１つの分離層材料を有する物質が被覆される。分離層を形成する層体を被着した後で、該層体は、結合剤を乾燥させるためにかつ／または抜くために、１００℃よりも高い温度に加熱される。

分離層を形成する層体、つまりこの層体を備えた支持体は、１５０℃よりも高く、しかも分離層の材料の焼結温度よりも低い温度に加熱される。

分離層は、≦７０μｍの大きさの粒子を備えた粉末材料より形成される。これによって、金属被覆の表面は相応に滑らかである。

支持体の材料の熱膨張率が、少なくとも１つの構成部分の熱膨張率と同じか、又はこの少なくとも１つの構成部分とは異なるように選定される。支持体の支持部材を形成する材料が、金属被覆を備えた構成部分の熱膨張率とは異なる熱膨張率を有し、載設した構成部分のセラミック材料の熱膨張率よりも約１０％大きいか又は小さい熱膨張率を有するようにする。

支持体の支持部材の材料は、約６．７×１０^-6／Ｋの熱膨張率を有する材料より製造される。

金属被覆は有利には、純粋な又は工業的な品質を有するタングステン、シルバー、ゴールド、銅、白金、パラジウム、ニッケル、アルミニウム又は鋼より成る金属で、又は少なくとも２種類の金属の混合物より成っている。また金属被覆は、例えば付加的に又は単独で、反応はんだ、軟はんだ又は硬はんだより成っていてもよい。

有利な形式で、金属被覆は、ＤＣＢ法に従って銅プレート又は銅シートによって行うことができる。

少なくも１つの積層体の上側に、前記支持体の材料より成る増量体が設置され、この際に、前記増量体の、金属被覆上に位置する表面に分離層が備えられる。これによって、特に、互いに上下に重ねられた複数の積層体より成る積層構造において、金属比被覆するために設けられた金属薄板又はシートに、この金属薄板又はシートがセラミック体の金属被覆しようとする面に完全に接触し、それによって金属被覆の際に欠陥箇所が生じることがないような圧力が作用するようになっている。

積層構造を形成するために、積層体はそれぞれ互いに上下に配置され、かつ支持体間にスペーサホルダが設置される。それによって任意の多数の積層体を互いに上下に設置することができる。

支持体の構造的な構成によって、積層体を種々異なって配置することができ、また積層体を積層構造内で互いに分離することも可能である。

種々異なる方法に従って、例えばＤＣＢ法及びＡＭＢ法に従って金属被覆を同時に実施するために、少なくとも２つの積層体をそれぞれ、少なくとも部分的に支持体によって画成された空間内に設けることができる。この空間は、それぞれ支持体上に設置されたプレート又はその他の支持体によって閉じられる。積層体を空間的に分離することによって、積層構造内で種々異なる方法を同時に実施することができる。

カップ状、バスタブ状又は排水溝状の支持体において、複数の積層を１つの積層構造に互いに積層することができ、この場合、支持体のそれぞれ下側が、下側の支持体の側壁上に載って、内部に単数又は複数の構成部分が収容されているカップ状、バスタブ状又は排水溝状の支持体を閉鎖する。これによって、支持体は有利な形式で同時に反応室を形成し、この反応室内で金属被覆が実施される。

積層体の配置及び／又は支持体の構造的な構成によって、及びその配置によって、熱的な処理及び不活性ガスによる負荷が、個別にそれぞれの積層体に合わせられる。

支持部材の表面及び／又は支持部材上の分離層は、全面的に又は部分面的に、又は全面的と部分面的との組合せで構造化若しくはパターン形成され得る。構造化は、互いに間隔を保って配置された溝又は畝溝より成っており、また格子状であってもよい。この格子状によって、分離層、載設面は、小さい面状の領域に分割される。これによって、載設面及びひいては、分離層との接触面も減少される。これによって、金属被覆のためのガス流入、並びに構成部分の加熱及び冷却が影響を受ける。

構成部分の本体は、セラミック材料よりなっており、このセラミック材料の組成は、要求された特性、例えば絶縁、部分負荷耐性、熱的な形状安定性に合わせることができる。

セラミック材料は、主成分として、５０．１重量％乃至１００重量％のＺｒＯ_２／ＨｆＯ_２、又は５０．１重量％乃至１００重量％のＡｌ_２Ｏ_３、又は５０．１重量％乃至１００重量％のＡｌＮ又は５０．１重量％乃至１００重量％のＳｉ_３Ｎ_４、又は５０．１重量％乃至１００重量％のＢｅＯ、５０．１重量％乃至１００重量％のＳｉＣを含有しているか、又は前記主成分の少なくとも２つを所定の含有量で任意に組み合わせたもの並びに元素Ｃａ，Ｓｒ，Ｓｉ，Ｍｇ，Ｂ，Ｙ，Ｓｃ，Ｃｅ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｐｂより成る少なくとも１つの副成分を、少なくとも１回の酸化段階で及び／又は≦４９．９重量％の含有量を有する化合物として単独で又は所定の含有量の任意の組合せを含有している。前記主成分と前記副成分とは、≦３重量％の不純物含有量を差し引いた任意の組合せで互いに１００重量％のものに組み合わせられる。

このような組成の材料は、可能な熱的な負荷可能性、及び良好な金属被覆可能性に基づいて、構成部分の製造のために特に適している。

金属被覆の層は、金属被覆層の機能に関連して、０．０５ｍｍ乃至２ｍｍの間の厚さで施される。この場合、構成部分の高さに対する金属被覆の層の厚さの比は、２よりも小さくなるように設定されている。

金属被覆の層は、種々異なる厚さで被着される。従って例えば、金属被覆の層の機能に関連して、構成部分のセラミック体の一方側に、他方側（逆向きの側）及び／又は隣接する側とは異なる厚さを有する層を施すことが可能である。

構成部分の最小寸法は、２次元投影図で見て少なくとも８０μｍ×８０μｍより大きく形成することができる。２次元投影図に投影されない最小の高さは、８０μｍよりも大きい。

有利な形式で、セラミックより成る、構成部分の本体はヒートシンクである。ヒートシンクとは、電気的な又は電子的な素子又は回路を支持し、かつ素子又は回路内に発生する熱を導出し、それによって素子又は回路を傷めるような熱の滞留が発生しないように、成形されている部材のことである。セラミック体は、電気をまったく又は殆ど伝導しないが、良好な熱伝導性を有する材料より成っている。

セラミック体は一体的であって、電子素子又は回路を保護するために、熱を導出又はガイドするエレメントを有している。有利な形式で、セラミック体は、プレート若しくは基板であって、前記エレメントは、加熱媒体又は冷却媒体によって負荷される、切欠及び／又はリブ、通路、孔である。媒体は、液状又はガス状であってよい。セラミック体はその冷却エレメントと共に、有利な形式で少なくとも１つのセラミック製の成分又は、種々異なるセラミック材料の複合材より成っている。

以下に図面に示した実施例を用いて本発明を具体的に説明する。

２つの積層体と１つの増量体とから成る積層構造の概略図である。プレート状の支持体を有する２つの積層体より成る積層構造の概略図である。排水溝状の支持体を有する２つの積層体より成る積層構造の概略図である。排水溝状の支持体と、種々異なる形状の構成部分を有する２つの積層体より成る積層構造の概略図である。

図１には本発明による積層構造が示されている。金属被覆を実施するための、詳しく示していない炉の保持装置１内に、まず支持体２が設置され、この支持体２は、その支持部材３の表面に分離層４を備えている。支持体２は、Ｌ字形若しくは山形であって、それによって山形構成部分５、つまり立体的に構造化されたセラミック体６が受容される。このセラミック体６の表側及び裏側に金属被覆７が施されるようになっている。金属被覆７は、各Ｌ字形のセラミック体６の各脚部の上側及び下側に、互いに向き合って対称的に、面状に配置されている。

支持体２と、この支持体２上に位置する山形構成部分５とは、１つの積層体８を形成している。

この構成部分５上に別の支持体２が設置され、この別の支持体２の支持部材３は、上側も下側も分離層４で被覆されている。この支持体２は、分離プレートの機能を有している。支持体２は分離プレートとして、互いに積層された２つの構成部分を分離している。その上に続く構成部分５は、前記構成部分５と同じ構造を有していて、その支持体２と共に１つの積層体８を形成している。

互いに重なり合う積層体８は、積層構造９を形成している。

最上位にある積層体８上に増量体１０が載っており、この増量体１０の充填部材１１は、支持体の材料より成っている。充填部材１１は、この充填部材１１の下に位置する構成部分５の金属被覆７上に位置する表面に分離層４を備えている。増量体１０は、金属被覆のために設けられたシート又は金属薄板が、セラミック体６の金属被覆しようとする面に完全に接触するように作用する。

図２には、金属被覆するために形成された積層構造のための別の実施例が示されている。前記実施例と同じ特徴を有する部材には、同じ符号が記されている。金属被覆を実施するための、詳しく図示していない炉内に支持体２が位置している。この支持体２は図示の実施例ではプレート状である。支持部材３はその上側に分離層４を支持している。支持体２上に、ヒートシンクを形成するＥ字形のセラミック体６を備えた構成部分５が載っている。セラミック体６は、その平らな側が支持体上に位置している。この平らな側はその全面で以て金属被覆７を支持している。セラミック体６の所定の冷却リブ１２は、その端面側に同様に金属被覆７を支持している。

前記積層体８上に、同じ構造を有する別の積層体８が設置されている。下側の支持体２上に設置されたスペーサホルダ１３は上側の積層体を支持する。スペーサホルダ１３は、支持体２と同じセラミック材料より製作されている。上側の積層体はプレート１４によって被覆されている。互いに上下に位置する２つの積層体８は、１つの積層構造９を形成している。

図示されているように、上側の積層体８のセラミック体６が金属被覆される面は、下側の積層体の金属被覆される面とは異なっている。積層構造は、同じ形のセラミック体の異なる面を同時に金属被覆できるようになっている。

図３では、下側及び上側の積層体８の、積層構造９内で金属被覆しようとする構成部分５は、図２に示した実施例による対応する積層体と同じである。支持体２の形だけが、前記実施例による支持体２とは異なっている。支持体２は排水溝状である。つまりスペーサホルダの代わりに、支持体２がそれぞれの反応室自体を形成している。支持体の底部は分離層４によって被覆されている。

支持体２及びスペーサホルダ１３によって、又はカップ状、バスタブ状又は排水溝状の支持体によって、それぞれ、金属被覆が流れる空間が画成される。このような画成された空間によって、金属被覆のために必要とされる、各空間内での前記方法のパラメータを調節することができる。

積層構造によって、種々異なる形の構成部分を、１回の同じ作業段階で金属被覆することもできる。それについて、図４に示した実施例による積層構造９を用いて説明する。図３に示した実施例と同様に、ここでも支持体２は排水溝形である。下側の積層体８は、図３に示した下側の積層体８と比較可能であるが、図４の実施例では、分離層４は構造化若しくはパターン形成されている（strukturieren）。つまり、分離層４は、互いに間隔を保って形成された複数の溝１５によって中断されている。従って、金属被覆７の層は、分離層４上に全面的に載ってはいない。下側の積層体８の上に位置する上側の積層体８内の構成部分５はまったく異なる形を有している。２つの構成部分５が支持体２内に位置しており、これら２つの構成部分５のセラミック体６はＵ字形を有している。セラミック体６は、分離層４上にそれぞれ１つの脚を有し、これらの脚の外側にそれぞれ金属被覆７を備えている。

Claims

表面の少なくとも一部が金属被覆によって被覆されたセラミック体を有する少なくとも１つの積層構造を製造するための方法において、
前記セラミック体を立体的に構造化し、金属被覆のために設けられた金属を、ペースト状又はシート状又は金属薄板状の形で、前記セラミック体の金属被覆のために設けられた面上に施し、金属をセラミック材料と結合させる前に、少なくとも１つの構成部分を支持体上に載せ、それによって積層体を形成し、少なくとも前記支持体の支持部材の、少なくとも１つの前記構成部分に当接させるために設けられた面に、前もって分離層を設け、金属被覆後に少なくとも１つの前記構成部分を前記支持体から持ち上げて取り外し、
前記セラミック体に冷却リブが一体的に設けられており、前記冷却リブの端面側に金属被覆がなされており、
前記セラミック体のうち、前記冷却リブと反対側の面の少なくとも一部に金属被覆がなされていることを特徴とする、金属被覆された積層構造を製造するための方法。
複数の前記構成部分を金属被覆する際に、各構成部分をそれぞれ１つの支持体上に載設し、それによってそれぞれ積層体を形成し、このようにして形成した複数の積層体を互いに上下に設置して、少なくとも２つの積層体を有する積層構造を形成し、次いで該積層構造の複数の構成部分に金属被覆を施す、請求項１記載の方法。
複数の前記構成部分を載せるために、ムライト、ＺｒＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＡｌＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＣより製造された支持部材、又はムライト、ＺｒＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＡｌＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＣのうちの少なくとも２つの成分の混合物より製造された支持部材を有する支持体を使用する、請求項１又は２記載の方法。
複数の前記構成部分を載せるために、合金鋼、モリブデン、チタン、タングステン等の耐熱性金属より製造された支持部材、又は合金鋼、モリブデン、チタン、タングステンのうちの少なくとも２つの成分の混合物又は合金より製造された支持部材を有する支持体を使用する、請求項１又は２記載の方法。
前記支持体上に設ける分離層を、ムライト、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＣａＣＯ_３より成る多孔性の層として、又はムライト、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＣａＣＯ_３のうちの少なくとも２つの成分の混合物より成る多孔性の層として、又は製造時に前記成分としてのムライト、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＣａＣＯ_３が使用される材料より成る多孔性の層として製造する、請求項１から４までのいずれか１項記載の方法。
厚さが≦２０ｍｍである前記分離層を施す、請求項１から５までのいずれか１項記載の方法。
気孔率（固体体積に対する孔の体積の比）≧１０％を有する分離層を製造する、請求項１から６までのいずれか１項記載の方法。
０．２ｍｍ〜３０ｍｍの厚さを有する支持体の支持部材を製造する、請求項１から７までのいずれか１項記載の方法。
理想的な平らな表面に対するずれが、支持体長さの０．４％及び／又は支持体幅の０．２％よりも小さい支持体を使用する、請求項１から８までのいずれか１項記載の方法。
前記支持体の表面上に分離層を形成するために、少なくとも１つの構成部材に当接するために設けられた、支持部材の面を、液状又は水性のマトリックス中に粉末状の少なくとも１つの分離層材料を有する物質で被覆する、請求項１から９までのいずれか１項記載の方法。
前記分離層を形成する層体を被着した後で、結合剤を抜くためにかつ／または乾燥させるために、前記層体を、１００℃よりも高い温度に加熱する、請求項１から１０までのいずれか１項記載の方法。
前記分離層を形成する層体、若しくはこの層体を備えた支持体を、１５０℃よりも高く、分離層の材料の焼結温度よりも低い温度に加熱する、請求項１から１１までのいずれか１項記載の方法。
前記分離層を、≦７０μｍの粒子サイズを備えた粉末材料より形成する、請求項１から１２までのいずれか１項記載の方法。
少なくとも１つの支持体の材料の熱膨張率を、少なくとも１つの構成部分の熱膨張率と同じか、又はこの少なくとも１つの構成部分とは異なるように選定する、請求項１から１３までのいずれか１項記載の方法。
金属被覆を備えた構成部分の熱膨張率とは異なる熱膨張率を有し、載設した構成部分のセラミック材料の熱膨張率よりも約１０％大きいか又は小さい熱膨張率を有する、支持体の支持部材を形成する材料を製造する、請求項１から１４までのいずれか１項記載の方法。
約６．７×１０^-6／Ｋの熱膨張率を有する支持体の支持部材の材料を製造する、請求項１から１５までのいずれか１項記載の方法。
金属被覆を有利には、純粋品質又は工業品質を有するタングステン、シルバー、ゴールド、銅、白金、パラジウム、ニッケル、アルミニウム又は鋼より成る金属で、又はこれらの金属のうちの少なくとも２種類の金属の混合物によって、及び／又は付加的に又は単独で反応はんだ、軟はんだ又は硬はんだによって行う、請求項１から１６までのいずれか１項記載の方法。
金属被覆を、ＤＣＢ法に従って銅プレート又は銅シートによって行う、請求項１７記載の方法。
積層構造内で互いに上下に連続するセラミック体間に、それぞれ分離プレートとして働く、両側に分離層を有する１つの支持体を挿入し、それによって、支持体の分離層と、金属被覆のために設けられた、金属被覆されたセラミック体の面とが互いに上下に位置する、請求項１から１８までのいずれか１項記載の方法。
互いに上下に位置する積層体の積層構造を形成するために、支持体間にスペーサを設置する、請求項１から１９までのいずれか１項記載の方法。
少なくとも１つの積層体を、少なくとも部分的に支持体によって画成された空間内に設け、該空間を、積層構造上に載設したプレートによって閉鎖する、請求項１から２０までのいずれか１項記載の方法。
複数の積層体において、カップ状、バスタブ状又は排水溝状の支持体を１つの積層構造となるように互いに上下に重ね、この際に、下側の支持体の側壁上に位置する支持体のそれぞれ下側が、前記構成部分を有するカップ状、バスタブ状又は排水溝状の支持体をカバーする、請求項１から２１までのいずれか１項記載の方法。
少なくとも１つの積層体の上側に、前記支持体の材料より成るボディ部材を有する増量体を設置し、前記ボディ部材は、金属被覆上に位置する表面に分離層を備える、請求項１から２２までのいずれか１項記載の方法。
種々異なる方法に従って金属被覆を実施するために、少なくとも２つの積層体を同時にそれぞれ少なくとも部分的に支持体によって画成された空間内に設置し、前記空間を、各積層体上に載せたプレートによって又はその他の支持体によって閉鎖する、請求項１から２３までのいずれか１項記載の方法。
支持部材の表面及び／又は支持部材の分離層を全面的に又は部分面的に、或いは全面的及び部分面的の組合せで構造化する、請求項１から２４までのいずれか１項記載の方法。
セラミック材料を、５０．１重量％乃至１００重量％のＺｒＯ_２／ＨｆＯ_２、又は５０．１重量％乃至１００重量％のＡｌ_２Ｏ_３、又は５０．１重量％乃至１００重量％のＡｌＮ又は５０．１重量％乃至１００重量％のＳｉ_３Ｎ_４、又は５０．１重量％乃至１００重量％のＢｅＯ、５０．１重量％乃至１００重量％のＳｉＣの主成分より構成するか、又は前記主成分の少なくとも２つを前記含有量で任意に組み合わせたもの並びに元素Ｃａ，Ｓｒ，Ｓｉ，Ｍｇ，Ｂ，Ｙ，Ｓｃ，Ｃｅ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｐｂより成る少なくとも１つの副成分を、少なくとも１回の酸化段階で及び／又は≦４９．９重量％の含有量を有する化合物として単独で又は前記含有量の任意の組合せで構成し、前記主成分と前記副成分とを、≦３重量％の不純物含有量を差し引いた任意の組合せで互いに１００重量％のものに組み合わせる、請求項１から２５までのいずれか１項記載の方法。
１つの構成部分の最小寸法を、２次元投影図で見て少なくとも８０μｍ×８０μｍより大きく形成する、請求項１から２６までのいずれか１項記載の方法。
２次元投影図に投影されない最小の高さを、８０μｍよりも大きくする、請求項１から２７までのいずれか１項記載の方法。
少なくとも１つの積層体において、金属被覆の層を０．０５ｍｍ乃至２ｍｍの厚さで被着する、請求項１から２８までのいずれか１項記載の方法。
少なくとも１つの積層体において、構成部分の高さに対する金属被覆の層の厚さの比を、２よりも小さくする、請求項１から２９までのいずれか１項記載の方法。
少なくとも１つの積層体の金属被覆の層を種々異なる厚さで被着する、請求項１から３０までのいずれか１項記載の方法。
少なくとも２つの互いに逆向きの側が金属被覆（７）によって被覆されているセラミック体（６）を有する少なくとも１つの積層構造を製造する際に使用する支持体において、
前記支持体（２）の支持部材（３）の少なくとも一方側の面が分離層（４）で覆われており、該分離層（４）が、少なくとも１つの構成部分（５）の、前記金属被覆（７）のために設けられた面に当接し、前記構成部分（５）が立体的に構造化されており、
前記セラミック体に冷却リブが一体的に設けられており、前記冷却リブの端面側に金属被覆がなされており、
前記セラミック体のうち、前記冷却リブと反対側の面の少なくとも一部に金属被覆がなされていることを特徴とする、支持体。
前記支持部材（３）の材料が、ムライト、ＺｒＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＡｌＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＣ、又は、ムライト、ＺｒＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＡｌＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＣのうちの少なくとも２つの成分の混合物より成っている、請求項３２記載の支持体。
前記支持部材（３）上に設けられる分離層（４）が、ムライト、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＣａＣＯ_３より成っているか、又はムライト、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＣａＣＯ_３の少なくとも２つの異なる成分の混合物、又は製造時に前記成分としてのムライト、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＣａＣＯ_３が使用される材料より成っている、請求項３２又は３３記載の支持体。
前記支持体（２）の支持部材（３）が、０．２ｍｍ乃至３０ｍｍの厚さを有している、請求項３２から３４までのいずれか１項記載の支持体。
前記支持体（２）の理想的な平らな表面に対するずれが、支持体長さの０．４％よりも小さく、かつ／または支持体幅の０．２％よりも小さい、請求項３２から３５までのいずれか１項記載の支持体。
前記分離層（４）の厚さが≦２０ｍｍである、請求項３２から３６までのいずれか１項記載の支持体。
前記分離層（４）を形成する粒子が、≦７０μｍの大きさを有している、請求項３２から３７までのいずれか１項記載の支持体。
前記分離層（４）が、その厚さ全体に亘って、多孔性（固体体積に対する孔体積の比）≧１０％を有している、請求項３２から３８までのいずれか１項記載の支持体。
前記分離層（４）が、同じ厚さ又は異なる厚さを有する少なくとも２つの領域を有している、請求項３２から３９までのいずれか１項記載の支持体。
カップ状、バスタブ状又は排水溝状の形を有する支持部材（３）において、該支持部材（３）の少なくとも底部内側に分離層（４）が設けられている、請求項３２から４０までのいずれか１項記載の支持体。
カップ状、バスタブ状又は排水溝状の形を有する支持部材（３）において、該支持部材（３）の側面内側に及び／又は前記支持部材（３）の底部内側に及び／又は前記支持部材（３）外側に分離層（４）が設けられている、請求項３２から４１までのいずれか１項記載の支持体。
前記支持部材（３）の表面及び／又は前記支持部材（３）上の前記分離層（４）が、全面的に又は部分面的に、或いは全面的と部分面的の組み合わせて構造化（１５）されている、請求項３２から４２までのいずれか１項記載の支持体。
前記支持部材（３）を形成する材料が、金属被覆（７）を有する前記構成部分（５）の熱膨張率とは異なっていて、前記構成部分（５）のセラミック材料の熱膨張率よりも約１０％だけ大きいか又は小さい熱膨張率を有している、請求項３２から４３までのいずれか１項記載の支持体。
前記支持部材（３）の材料が、約６．７×１０^-6／Ｋの値の熱膨張率を有している、請求項３２から４４までのいずれか１項記載の支持体。
表面の少なくとも一部が金属被覆（７）で被覆されているセラミック体（６）を有する積層構造において、
前記セラミック材料（６）が立体的に構造化されており、前記セラミック体に冷却リブ（１２）が一体的に設けられており、前記冷却リブの端面側に金属被覆がなされており、
前記セラミック体のうち、前記冷却リブと反対側の面の少なくとも一部に金属被覆がなされており、
前記セラミック材料が、５０．１重量％乃至１００重量％のＺｒＯ_２／ＨｆＯ_２、又は５０．１重量％乃至１００重量％のＡｌ_２Ｏ_３、又は５０．１重量％乃至１００重量％のＡｌＮ又は５０．１重量％乃至１００重量％のＳｉ_３Ｎ_４、又は５０．１重量％乃至１００重量％のＢｅＯ、５０．１重量％乃至１００重量％のＳｉＣの主成分を有しているか、又は前記主成分の２つを前記含有量で任意に組み合わせたものを有し、並びに副成分としての元素Ｃａ，Ｓｒ，Ｓｉ，Ｍｇ，Ｂ，Ｙ，Ｓｃ，Ｃｅ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｐｂが少なくとも１回の酸化段階で酸化されたもの及び／又は≦４９．９重量％の含有量を有する単独の又は前記含有量の任意の組合せの化合物を有しており、前記主成分と前記副成分とが、≦３重量％の不純物含有量を差し引いた任意の組合せで互いに１００重量％に組み合わせられていることを特徴とする、表面の少なくとも一部が金属被覆（７）で被覆されているセラミック体（６）を有する構成部分。
前記セラミック体（６）が、ヒートシンクとして構成された冷却リブ（１２）を備えている、請求項４６記載の構成部分。