TWI522883B - 座標檢測器之製造方法 - Google Patents

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TWI522883B
TWI522883B TW098116055A TW98116055A TWI522883B TW I522883 B TWI522883 B TW I522883B TW 098116055 A TW098116055 A TW 098116055A TW 98116055 A TW98116055 A TW 98116055A TW I522883 B TWI522883 B TW I522883B
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近藤幸一
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富士通電子零件有限公司
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Description

座標檢測器之製造方法
本發明一般係關於一座標檢測器之製造方法，且更特定言之，係關於一種經組態用以檢測一輸入位置之座標且輸出對應於該輸入位置之該等座標的一信號之一座標檢測器之製造方法。
用於電腦系統的輸入器件之範例包括觸控面板。觸控面板係安裝於一顯示器上，且能檢測該顯示器上的一座標位置且獲得對應於該座標位置的一檢測信號。觸控面板允許直接、簡單及直覺輸入。
建議將各種系統用於觸控面板，諸如使用電阻膜的系統、使用光學成像的系統以及使用電容耦合的系統。共同使用的係一電阻膜類型之觸控面板，其在結構上係簡單的且容易控制。存在取決於電阻膜上的電極之配置的數個類型之低電阻系統觸控面板，例如四線類型、五線類型以及八線類型。
在該等類型中，與四線或八線電阻膜觸控面板比較，五線觸控面板沒有係四線類型及八線類型中的一缺陷之邊緣滑動的問題，因為放置在操作表面側上的上基板之導電膜係僅用於讀取一電位。因此，五線觸控面板係用於粗略使用之環境或其中需要較長有效使用期的環境。
圖1係解說五線電阻膜觸控面板之一圖式。
參考圖1，五線電阻膜觸控面板1包括一上基板11及一下基板12。
下基板12包括一玻璃基板21及形成於玻璃基板21之整個表面上的一透明電阻膜22。用於檢測x軸之座標的x座標檢測電極23及24以及用於檢測y軸之座標的y座標檢測電極25及26係形成於透明電阻膜22上。
上基板11包括一膜基板31以及形成於膜基板31上的一透明電阻膜32。用於檢測座標的一座標檢測電極33係形成於透明電阻膜32上。
首先，施加電壓於x座標檢測電極23及24引起下基板12上的透明電阻膜22之x軸方向上的電位之分佈。在此時，能藉由檢測下基板12之透明電阻膜22中的電位來檢測其中上基板11接觸下基板12的一位置之x座標。
接著，施加電壓於y座標檢測電極25及26引起下基板12上的透明電阻膜22之y軸方向上的電位之分佈。在此時，能藉由檢測下基板12之透明電阻膜22中的電位來檢測其中上基板11接觸下基板12的該位置之y座標。
在此時，如何均勻地分佈電位於下基板12之透明電阻膜22中變為此類型之觸控面板中的一問題。專利文件1(以下列出)揭示在用於下基板12之透明電阻膜22中的電位之均勻分佈的多個級中提供周邊電位分佈校正圖案。
專利文件2(以下列出)揭示提供一共同電極以便環繞一輸入表面。專利文件3(以下列出)揭示形成一開口於設置於一透明電阻膜上的一絕緣膜中且透過該開口施加一電位。
[專利文件1]日本特許公開專利申請案第10-83251號
[專利文件2]日本特許公開專利申請案第2001-125724號
[專利文件3]日本特許公開專利申請案第2007-25904號
需要座標檢測器因為上面將安裝座標檢測器的裝置之大小中的減小而具有較窄圖框。然而，難以使在專利文件1中說明的座標檢測器之圖框較窄，因為在周邊中的多個級中提供電位分佈校正圖案。
依據專利文件2中說明的在輸入表面周圍提供一共同電極的方法，存在一問題在於該透明電阻膜中的電位之分佈受到干擾，除非該透明電阻膜之電阻與圖案電阻的比率係較高。
此外，依據專利文件3中說明的提供一開口於已經形成之絕緣膜中的方法，能解決以上說明的問題，但是製程會變為複雜。特定言之，材料電阻中的變化或在製造期間電阻中的變化可能引起產品製造之產量中的減少。
本發明之具體實施例可解決或減小以上說明的問題之一或多個。
依據本發明之一項具體實施例，提供一種一座標檢測器之製造方法，其能製造具有較高座標位置檢測準確度且具有高產量的窄圖框座標檢測器。
依據本發明之一項具體實施例，提供一種具有一電阻膜及用於施加一電壓於該電阻膜的一共同電極之一座標檢測器之製造方法，該方法包括下列步驟：(a)施加一光阻至形成於由一絕緣體形成的一基板上之電阻膜上；(b)藉由透過一預定遮罩曝露該施加光阻於光且隨後顯影該施加光阻而於該電阻膜上形成一光阻圖案；(c)藉由移除沒有該光阻圖案的該電阻膜之一部分來形成一電阻膜移除區；(d)在步驟(c)之後移除該光阻圖案；以及(e)在步驟(d)之後形成該共同電極於該電阻膜移除區之上。
依據本發明之一項具體實施例，提供一種具有一電阻膜及用於施加一電壓於該電阻膜的一共同電極之一座標檢測器之製造方法，該方法包括下列步驟：(a)施加一光阻至形成於由一絕緣體形成的一基板上之電阻膜上；(b)藉由透過一預定遮罩曝露該施加光阻於光且隨後顯影該施加光阻而於該電阻膜上形成一光阻圖案；以及(c)藉由移除沒有該光阻圖案的該電阻膜之一部分來形成一電阻膜移除區，其中該共同電極係形成在該電阻膜之一周邊邊緣與該電阻膜移除區之間以致在該共同電極的鄰近側與該電阻膜移除區之間的距離係大於或等於0毫米且小於或等於5毫米。
依據本發明之一項具體實施例，提供一種具有一電阻膜及用於施加一電壓於該電阻膜的一共同電極之一座標檢測器之製造方法，該方法包括下列步驟：(a)印刷一蝕刻膏於形成於由一絕緣體形成之一基板上的電阻膜之一部分上，該部分待被移除以形成一電阻膜移除區；(b)採用該蝕刻膏藉由熱處理來移除該電阻膜之該部分；(c)在該熱處理之後移除剩餘蝕刻膏；以及(d)形成該共同電極於該電阻膜移除區之上。
依據本發明之一項具體實施例，提供一種具有一電阻膜及用於施加一電壓於該電阻膜的一共同電極之一座標檢測器之製造方法，該方法包括下列步驟：(a)印刷一蝕刻膏於形成於由一絕緣體形成之一基板上的電阻膜之一部分上，該部分待被移除以形成一電阻膜移除區；(b)採用該蝕刻膏藉由熱處理來移除該電阻膜之該部分；以及(c)在該熱處理之後移除剩餘蝕刻膏，其中該共同電極係形成在該電阻膜之一周邊邊緣與該電阻膜移除區之間以致在該共同電極的鄰近側與該電阻膜移除區之間的距離係大於或等於0毫米且小於或等於5毫米。
以下參考附圖說明本發明之具體實施例。
(a)第一具體實施例
說明本發明之一第一具體實施例。此具體實施例係關於一種一座標檢測器之製造方法。首先，說明依據此具體實施例製造的一座標檢測器。
[系統組態]
圖2係解說依據此具體實施例之一座標檢測器中的一系統組態之圖式。在此具體實施例中，說明作為一座標輸入系統100的一所謂五線類比電阻膜觸控面板。依據此具體實施例的座標輸入系統100包括一面板部分111及一介面板112。
面板部分111包括一下基板121、一上基板122、一間隔物123以及一撓性印刷電路(FPC)電纜124。下基板121及上基板122係透過間隔物123黏著。由絕緣雙面膠帶或類似物形成的間隔物123以在下基板121與上基板122之間的一預定間隙將下基板121與上基板122接合在一起。具有形成於一撓性印刷板(未圖形地解說)上的第一至第五接線(未圖形地解說)之FPC電纜124係藉由利用熱壓縮接合而接合一各向異性導電膜至下基板121來連接至該下基板。
[下基板121]
接著，參考圖3A至3E說明下基板121之一組態。
圖3A係下基板121之一平面圖。圖3B係沿圖3A之線A-A截取的下基板121之一斷面圖。圖3C係沿圖3A之線B-B截取的下基板121之一斷面圖。圖3D係沿圖3A之線C-C截取的下基板121之一斷面圖。圖3E係沿圖3A之線D-D截取的下基板121之一斷面圖。
下基板121包括一玻璃基板131、一透明電阻膜132、電阻膜移除區133、一共同電極134、一第一絕緣膜135、接線136-1、136-2、136-3及136-4以及一第二絕緣膜137。接線136-1至136-4亦可藉由參考數字136來共同指明。
透明電阻膜132係形成於玻璃基板131的實質整個表面之上。藉由沈積ITO(氧化銦錫)或類似物藉由諸如真空蒸發之方法所形成的透明電阻膜132係透射可見光且具有預定電阻的膜。依據此具體實施例，可以但是不必在電阻膜移除區133中移除透明電阻膜132之全部。即，可在電阻膜移除區133中部分移除透明電阻膜132。可藉由移除電阻膜移除區133之周邊中的透明電阻膜132之一部分來提供在餘留在電阻膜移除區133內部的透明電阻膜132與在電阻膜移除區133外部的透明電阻膜132之間的電絕緣。因此，電阻膜移除區133可由(例如)其中透明電阻膜132係缺乏的一線性區形成且透明電阻膜132可藉由該線性區環繞或在其內部。在圖3B至3E中，參考數字133基於圖形代表之方便而指明此線性區。
藉由如此提供在電阻膜移除區133內部的透明電阻膜132與在電阻膜移除區133外部的透明電阻膜132之間的電絕緣，能產生與在移除在電阻膜移除區133內部的整個透明電阻膜132之情況下相同的效應。與移除在電阻膜移除區133內部的整個透明電阻膜132之情況比較，處理量會增加，因為所移除的透明電阻膜132在數量上加以減小。
[電阻膜移除區133]
在其中在玻璃基板131之周邊部分中形成共同電極134的區中提供電阻膜移除區133。共同電極134係形成於其中形成電阻膜移除區133的透明電阻膜132上。因此，在電阻膜移除區133之每一鄰近兩者之間的共同電極134及透明電阻膜132經連接用以形成電位施加部分141。
依據此具體實施例，如圖4A中所解說，電阻膜移除區133係以相等間隔W形成。即，如以下說明，各形成在電阻膜移除區133之對應鄰近兩者之間的電位施加部分141係以相同寬度形成。電阻膜移除區133係一相對較寬(較大)間距形成於下基板121之一第一側171-1、一第二側171-2、一第三側171-3及一第四側171-4之每一者的端部周圍，且該間距朝第一至第四側171-1至171-4之每一者的中心變為較窄(較小)。例如，電阻膜移除區133係以自每一端朝中心的自P1至P2至P3至P4...變化(變窄)(P1>P2>P3>P4...)的一間距而形成，如圖4A中解說。
[電位施加部分141]
每一電位施加部分141係形成於在電阻膜移除區133之對應鄰近兩者之間的透明電阻膜132及共同電極134之接觸區中。依據此具體實施例，參考圖4B，電位施加部分141係以一相對較寬(較大)間距形成於下基板121之第一側171-1、第二側171-2、第三側171-3及第四側171-4之每一者的端部周圍，且係以相對較窄(較小)間距形成於第一至第四側171-1至171-4之每一者的中心中。此組態會減小第一側171-1、第二側171-2、第三側171-3及第四側171-4中的電位之分佈的扭曲，其中電位之該分佈很可能會向內極大地扭曲，因此實現透明電阻膜132中的電位之均勻分佈。因此，可以採用更大準確度檢測座標位置。
電位施加部分141之形狀並不限於圖4B中解說的形狀。例如，可藉由移除透明電阻膜132之部分而改變透明電阻膜132及共同電極134之接觸區域以便朝下基板121之第一側171-1、第二側171-2、第三側171-3及第四側171-4之每一者的端部變窄(減少)且朝其中心加寬(增加)。
[共同電極]
由(例如)Ag-C形成的該共同電極係形成於電阻膜移除區133中以及於在電阻膜移除區133之每一鄰近兩者之間的透明電阻膜132上。
[第一絕緣膜135]
第一絕緣膜135係堆疊(形成)於電阻膜移除區133上以便覆蓋共同電極134。一第一通孔151-1、一第二通孔151-2、一第三通孔151-3以及一第四通孔151-4係在下基板121之對應(四個)邊角處形成於第一絕緣膜135中。第一至第四通孔151-1至151-4形成一驅動電壓施加部分。
[第一至第四接線136-1至136-4]
由諸如Ag之低電阻材料形成的第一接線136-1係沿下基板121之第一側171-1而形成於第一絕緣膜135上。第一接線136-1係形成以便填充形成於第一絕緣膜135中的第一通孔151-1。此外，第一接線136-1係連接至FPC電纜124(圖2)之第一接線。
由諸如Ag之低電阻材料形成的第二接線136-2係沿相對於下基板121之第一側171-1的第二側171-2而形成於第一絕緣膜135上。第二接線136-2係形成以便填充形成於第一絕緣膜135中的第二通孔151-2。此外，第二接線136-2係連接至FPC電纜124(圖2)之第二接線。
由諸如Ag之低電阻材料形成的第三接線136-3係沿垂直於下基板121之第一側171-1及第二側171-2的第三側171-3之一半而形成於第一絕緣膜135上，該一半係在第二側171-2之側上。第三接線136-3係形成以便填充形成於第一絕緣膜135中的第三通孔151-3。此外，第三接線136-3係連接至FPC電纜124(圖2)之第三接線。
由諸如Ag之低電阻材料形成的第四接線136-4係沿垂直於下基板121之第一側171-1及第二側171-2的第三側171-3之一半而形成於第一絕緣膜135上，該一半係在第一側171-1之側上。第四接線136-4係形成以便填充形成於第一絕緣膜135中的第四通孔151-4。此外，第四接線136-4係連接至FPC電纜124(圖2)之第四接線。
[第二絕緣膜137]
第二絕緣膜137係形成於第一絕緣膜135上以便覆蓋第一接線136-1、第二接線136-2、第三接線136-3以及第四接線136-4。此外，上基板122係透過間隔物123(圖2)接合至第二絕緣膜137(之上表面)。
[上基板122]
接著，參考圖5A及5B說明上基板122之一組態。
圖5A係上基板122之一平面圖。圖5B係上基板122之一斷面圖。
上基板122包括一膜基板211、一透明電阻膜212及一電極213。膜基板211係由(例如)諸如聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜之撓性樹脂膜形成。透明電阻膜212係在面朝下基板121之側上形成於膜基板211的整個表面之上。透明電阻膜212係由諸如ITO的透明導電材料形成。電極213係放置於在上基板122之透明電阻膜212上的X1端處。電極213係連接至FPC電纜124(圖2)之第五接線，其係透過一接點(未圖形地解說)連接至下基板121。藉由採用介面板112(圖2)而使用此上基板122作為一探測器而檢測下基板121之電位來檢測座標位置。
[檢測程序]
接著，說明用於檢測依據此具體實施例之一座標檢測器中的一座標位置之程序。
圖6係顯示藉由介面板112實行的處理之一流程圖。圖7A及7B係解說下基板121的電位分佈之圖式。圖7A係解說在檢測一x座標時的電位分佈之一圖式，且圖7B係解說在檢測一y座標時的電位分佈之一圖式。
在步驟S1-1中，介面板112施加一電壓Vx於第一接線136-1及第二接線136-2，且接地第三接線136-3及第四接線136-4。因此，能在透明電阻膜132中產生均勻電位分佈，如藉由圖7A中的虛線所指示。傳統電位分佈會扭曲，如藉由圖7A中的單點鏈線所指示。因此，依據此具體實施例，可以檢測一精確的x座標。
接著，在步驟S1-2中，介面板112檢測下基板121之電位。接著，在步驟S1-3中，介面板112檢測對應於下基板121之電位的一x座標。
接著，在步驟S1-4中，介面板112施加一電壓Vy於第一接線136-1及第四接線136-4，且接地第二接線136-2及第三接線136-3。因此，能在透明電阻膜132中產生均勻電位分佈，如藉由圖7B中的虛線所指示。傳統電位分佈會扭曲，如藉由圖7B中的單點鏈線所指示。因此，依據此具體實施例，可以檢測一精確的y座標。
接著，在步驟S1-5中，介面板112檢測下基板121之電位。接著，在步驟S1-6中，介面板112檢測對應於下基板121之電位的一y座標。
依據此具體實施例，接線136-1至136-4係堆疊於共同電極134之上。因此，可以減小面板部分111之圖框大小。此外，電位施加部分141致使能夠在檢測一x座標或一y座標時施加於下基板121之透明電阻膜132的電位均勻地分佈於檢測區中。因此，可以採用更大準確度來檢測座標。
[製造方法]
接著，說明依據此具體實施例的一座標檢測器之製造方法。明確言之，參考圖8A至8H說明下基板121之製造方法。
首先，如圖8A中所解說，藉由諸如濺鍍或真空蒸發之程序在玻璃基板131上形成ITO或類似物之透明電阻膜132。
接著，如圖8B中所解說，一光阻圖案138係形成於透明電阻膜132上。例如，光阻係採用旋塗布器或類似物而施加至透明電阻膜132上。然後，該光阻係預烘烤，採用一曝光單元而曝露於光，並且顯影。因此，形成光阻圖案138。此光阻圖案138在透明電阻膜132之區上具有開口，該等區待被移除以形成電阻膜移除區133。
接著，如圖8C中所解說，使用諸如鹽酸或磷酸溶液之酸溶液來實行化學蝕刻。此程序係亦稱為濕式蝕刻。藉由此程序，在光阻圖案138之開口以下移除透明電阻膜132。在此具體實施例中，亦能藉由諸如RIE(反應離子蝕刻)之乾式蝕刻以與藉由濕式蝕刻相同的方式來移除透明電阻膜132。
接著，如圖8D中所解說，採用有機溶劑或類似物來移除光阻圖案138。因此，在玻璃基板131上形成具有其中形成電阻膜移除區133之透明電阻膜132。
接著，如圖8E中所解說，Ag-C之共同電極134係形成於其中形成電阻膜移除區133的透明電阻膜132上。例如，藉由利用網版印刷來印刷包括Ag-C的膏之圖案且然後烘烤該膏而形成共同電極134。因此，在電阻膜移除區133之每一鄰近兩者之間的透明電阻膜132上形成電位施加部分141。
接著，如圖8F中所解說，形成具有第一至第四通孔151-1至151-4的第一絕緣膜135。例如，藉由利用網版印刷來印刷絕緣膏之圖案且然後烘烤該絕緣膏而形成第一絕緣膜135。
接著，如圖8G中所解說，在第一絕緣膜135上形成第一至第四Ag接線136-1至136-4。例如，藉由利用網版印刷來印刷包括Ag的導電膏之圖案且然後烘烤該導電膏而形成第一至第四Ag接線136-1至136-4。
接著，如圖8H中所解說，形成第二絕緣膜137。例如，藉由利用網版印刷來印刷絕緣膏之圖案且然後烘烤該絕緣膏而形成第二絕緣膜137。
因此，製造下基板121。
在此具體實施例中，說明五線電阻膜類比觸控面板。然而，此具體實施例並不限於此，且係亦適用於其他類型的觸控面板，例如四線電阻膜觸控面板或七線電阻膜觸控面板。
(b)第二具體實施例
說明本發明之一第二具體實施例。此具體實施例係關於一種一座標檢測器之製造方法，且明確言之，係關於一種使用蝕刻膏之以上說明的下基板121之製造方法。以下參考圖9A至9G說明此具體實施例。
首先，如圖9A中所解說，係藉由諸如濺鍍或真空蒸發之程序在玻璃基板231上形成ITO或類似物之透明電阻膜232。
接著，如圖9B中所解說，蝕刻膏238係形成於透明電阻膜232上。例如，藉由諸如網版印刷之印刷程序來形成此蝕刻膏238。蝕刻膏238係形成於以下說明的電阻膜移除區233上。
接著，如圖9C中所解說，在熱處理之後移除蝕刻膏238。例如，藉由熱處理來移除透明電阻膜232，其中形成蝕刻膏238。然後，藉由清理移除剩餘蝕刻膏238。因此，在玻璃基板231上形成具有其中形成電阻膜移除區233之透明電阻膜232。
接著，如圖9D中所解說，Ag-C之共同電極234係形成於其中形成電阻膜移除區233的透明電阻膜232上。例如，藉由利用網版印刷來印刷包括Ag-C的膏之圖案且然後烘烤該膏而形成共同電極234。因此，在電阻膜移除區233之每一鄰近兩者之間的透明電阻膜232上形成電位施加部分241。
接著，如圖9E中所解說，形成具有第一至第四通孔251-1、251-2、251-3及251-4的一第一絕緣膜235。例如，藉由利用網版印刷來印刷絕緣膏之圖案且然後烘烤該絕緣膏而形成第一絕緣膜235。
接著，如圖9F中所解說，在第一絕緣膜235上形成第一至第四Ag接線236-1、236-2、236-3及236-4。例如，藉由利用網版印刷來印刷包括Ag的導電膏之圖案且然後烘烤該導電膏而形成第一至第四接線236-1至236-4。
接著，如圖9G中所解說，形成一第二絕緣膜237。例如，藉由利用網版印刷來印刷絕緣膏之圖案且然後烘烤該絕緣膏而形成第二絕緣膜237。
因此，能製造下基板121。依據此具體實施例如此製造的下基板121能亦用作如在該第一具體實施例之情況下的該第一具體實施例之座標檢測器的下基板121。
(c)第三具體實施例
說明一第三具體實施例。本具體實施例係關於一種一座標檢測器之製造方法，且明確言之，係關於以上說明的下基板121之製造方法。以下參考圖10A至10D說明此具體實施例。圖10A至10D係下基板121之平面圖，其解說依據此具體實施例的該下基板之製程。
首先，如圖10A中所解說，在ITO或類似物之一透明電阻膜332上形成一共同電極334，藉由諸如濺鍍或真空蒸發之程序在一玻璃基板(未圖形地解說)上形成該透明電阻膜。例如，藉由利用網版印刷來印刷包括Ag-C的膏之圖案且然後烘烤該膏而形成共同電極334。
接著，如圖10B中所解說，一光阻圖案338係形成於透明電阻膜332上。例如，光阻係採用旋塗布器或類似物而施加至透明電阻膜332上。然後，該光阻係預烘烤，採用一曝光單元而曝露於光，並且顯影。因此，形成光阻圖案338。此光阻圖案338在透明電阻膜332之區上具有開口，該等區待被移除以形成以下說明的電阻膜移除區333。電阻膜移除區333將形成於共同電極334內，該共同電極係提供以沿透明電阻膜332(或玻璃基板)之周邊邊緣延伸，以致在共同電極334的鄰近側與每一電阻膜移除區333之間(即，在共同電極334的內側與面朝共同電極334之內側的每一電阻膜移除區333的一側之間)的一距離S(圖10D)係大於或等於0毫米且小於或等於5毫米(0毫米毫米)。
接著，如圖10C中所解說，使用諸如鹽酸或磷酸溶液之酸溶液來實行化學蝕刻。此程序係亦稱為濕式蝕刻。藉由此程序，在光阻圖案338之開口以下移除透明電阻膜332，以致形成電阻膜移除區333。在此具體實施例中，亦能藉由諸如RIE之乾式蝕刻以與藉由濕式蝕刻相同的方式來移除透明電阻膜332。
接著，如圖10D中所解說，採用有機溶劑或類似物移除光阻圖案338。因此，在該玻璃基板上形成具有其中形成電阻膜移除區333之透明電阻膜332。
能藉由隨後形成第一絕緣膜135、第一至第四接線136-1至136-4、第二絕緣膜137等以與該第一具體實施例中的相同方式來製造下基板121。依據此具體實施例如此製造的下基板121亦能用作如在該第一具體實施例之情況下的該第一具體實施例之座標檢測器的下基板121。在依據此具體實施例製造的下基板121中，共同電極334並非形成於電阻膜移除區333之上。然而，該電位能如在該第一具體實施例中藉由形成電阻膜移除區333於共同電極334內而加以均勻地分佈於透明電阻膜332中。在共同電極334的鄰近側與電阻膜移除區333之間的距離S係大於或等於0毫米且小於或等於5毫米()，以致產生此效應。
(d)第四具體實施例
說明本發明之一第四具體實施例。本發明係關於一種一座標檢測器之製造方法，且明確言之，係關於以上說明的下基板121之製造方法。以下參考圖11A至11C說明此具體實施例。圖11A至11C係下基板121之平面圖，其解說依據此具體實施例的該下基板之製程。
首先，如圖11A中所解說，在ITO或類似物之一透明電阻膜432上形成一光阻圖案438，藉由諸如濺鍍或真空蒸發之程序在一玻璃基板(未圖形地解說)上形成該透明電阻膜。例如，光阻係採用旋塗布器或類似物而施加至透明電阻膜432上。然後，該光阻係預烘烤，採用一曝光單元而曝露於光，並且顯影。因此，形成光阻圖案438。光阻圖案438在透明電阻膜432之區上具有開口，該等區待被移除以形成以下說明的電阻膜移除區433。電阻膜移除區433將形成於以下說明的共同電極434內，該共同電極係提供以沿透明電阻膜432(或玻璃基板)之周邊邊緣延伸，以致在共同電極434的鄰近側與每一電阻膜移除區433之間(即，在共同電極434的內側與面朝共同電極434之內側的每一電阻膜移除區433的一側之間)的一距離S(圖11C)係大於或等於0毫米且小於或等於5毫米(0毫米毫米)。
接著，如圖11B中所解說，使用諸如鹽酸或磷酸溶液之酸溶液來實行化學蝕刻。此程序係亦稱為濕式蝕刻。藉由此程序，在光阻圖案438之開口以下移除透明電阻膜432，以致形成電阻膜移除區433。在此具體實施例中，亦能藉由諸如RIE之乾式蝕刻以與藉由濕式蝕刻相同的方式來移除透明電阻膜432。
接著，如圖11C中所解說，採用有機溶劑或類似物移除光阻圖案438，且然後形成共同電極434。例如，藉由利用網版印刷而印刷包括Ag-C的膏之一圖案且然後烘烤該膏來形成共同電極434。因此，在該玻璃基板上形成具有其中形成電阻膜移除區433之透明電阻膜432。
能藉由隨後形成第一絕緣膜135、第一至第四接線136-1至136-4、第二絕緣膜137等以與該第一具體實施例中的相同方式來製造下基板121。依據此具體實施例如此製造的下基板121亦能用作如在該第一具體實施例之情況下的該第一具體實施例之座標檢測器的下基板121。在依據此具體實施例製造的下基板121中，共同電極434並非形成於電阻膜移除區433之上。然而，該電位能如在該第一具體實施例中藉由形成電阻膜移除區433於共同電極434內而加以均勻地分佈於透明電阻膜432中。在共同電極434的鄰近側與電阻膜移除區433之間的距離S係大於或等於0毫米且小於或等於5毫米(0毫米毫米)，以致產生此效應。
(e)第五具體實施例
說明本發明之一第五具體實施例。此具體實施例係關於一種一座標檢測器之製造方法，且明確言之，係關於以上說明的下基板121之製造方法。以下參考圖12A至12C說明此具體實施例。圖12A至12C係下基板121之俯視平面圖，其解說依據此具體實施例的該下基板之製程。
首先，如圖12A中所解說，在ITO或類似物之一透明電阻膜532上形成一共同電極534，藉由諸如濺鍍或真空蒸發之程序在一玻璃基板(未圖形地解說)上形成該透明電阻膜。例如，係藉由利用網版印刷而印刷包括Ag-C的膏之一圖案且然後烘烤該膏來形成共同電極534。
接著，如圖12B中所解說，蝕刻膏538係形成於透明電阻膜532上。例如，藉由諸如網版印刷之印刷程序來形成此蝕刻膏538。蝕刻膏538係形成於以下說明的電阻膜移除區533上。蝕刻膏538係形成於共同電極534內，該共同電極係提供以沿透明電阻膜532(或玻璃基板)之周邊邊緣延伸，以致在共同電極534的鄰近側與每一電阻膜移除區533之間(即，在共同電極534的內側與面朝共同電極534之內側的每一電阻膜移除區533的一側之間)的一距離S(圖12C)係大於或等於0毫米且小於或等於5毫米(0毫米毫米)。
接著，如圖12C中所解說，藉由熱處理移除透明電阻膜532，其中形成蝕刻膏538。然後，藉由清理移除剩餘蝕刻膏538。因此，在該玻璃基板上形成具有其中形成電阻膜移除區533之透明電阻膜532。
能藉由隨後形成第一絕緣膜135、第一至第四接線136-1至136-4、第二絕緣膜137等以與該第一具體實施例中的相同方式來製造下基板121。依據此具體實施例如此製造的下基板121亦能用作如在該第一具體實施例之情況下的該第一具體實施例之座標檢測器的下基板121。在依據此具體實施例製造的下基板121中，共同電極534並非形成於電阻膜移除區533之上。然而，該電位能如在該第一具體實施例中藉由形成電阻膜移除區533於共同電極534內而加以均勻地分佈於透明電阻膜532中。在共同電極534的鄰近側與電阻膜移除區533之間的距離S係大於或等於0毫米且小於或等於5毫米(0毫米毫米)，以致產生此效應。
(f)第六具體實施例
說明本發明之一第六具體實施例。此具體實施例係關於一種一座標檢測器之製造方法，且明確言之，係關於以上說明的下基板121之製造方法。以下參考圖13A至13C說明此具體實施例。圖13A至13C係下基板121之平面圖，其解說依據此具體實施例的該下基板之製程。
首先，如圖13A中所解說，在ITO或類似物之一透明電阻膜632上形成蝕刻膏638，藉由諸如濺鍍或真空蒸發之程序在一玻璃基板(未圖形地解說)上形成該透明電阻膜。例如，藉由諸如網版印刷之印刷程序來形成此蝕刻膏638。蝕刻膏638係形成於以下說明的電阻膜移除區633上。蝕刻膏638係形成於以下說明的共同電極634內，該共同電極係提供以沿透明電阻膜632(或玻璃基板)之周邊邊緣延伸，以致在共同電極634的鄰近側與每一電阻膜移除區633之間(即，在共同電極634的內側與面朝共同電極634之內側的每一電阻膜移除區633的一側之間)的一距離S(圖13C)係大於或等於0毫米且小於或等於5毫米(0毫米毫米)。
接著，如圖13B中所解說，藉由熱處理移除透明電阻膜632，其中形成蝕刻膏638。然後，藉由清理移除剩餘蝕刻膏638。因此，在該玻璃基板上形成具有其中形成電阻膜移除區633之透明電阻膜632。
接著，如圖13C中所解說，在其中形成具有電阻膜移除區633之透明電阻膜632上形成共同電極634。例如，藉由利用網版印刷而印刷包括Ag-C的膏之一圖案且然後烘烤該膏來形成共同電極634。
能藉由隨後形成第一絕緣膜135、第一至第四接線136-1至136-4、第二絕緣膜137等以與該第一具體實施例中的相同方式來製造下基板121。依據此具體實施例如此製造的下基板121亦能用作如在該第一具體實施例之情況下的該第一具體實施例之座標檢測器的下基板121。在依據此具體實施例製造的下基板121中，共同電極634並非形成於電阻膜移除區633之上。然而，該電位能如在該第一具體實施例中藉由形成電阻膜移除區633於共同電極634內而加以均勻地分佈於透明電阻膜632中。在共同電極634的鄰近側與電阻膜移除區633之間的距離S係大於或等於0毫米且小於或等於5毫米(0毫米毫米)，以致產生此效應。
依據本發明之一項具體實施例，藉由範例，提供具有一電阻膜及用於施加一電壓於該電阻膜的一共同電極之一座標檢測器之製造方法，其中自該共同電極施加一電位於該電阻膜以使該電位分佈於該電阻膜中且藉由檢測該電阻膜之一接觸位置的電位來檢測該電阻膜之該接觸位置的座標。該方法包括下列步驟：(a)施加一光阻至形成於由一絕緣體形成之一基板上的該電阻膜上；(b)藉由透過一預定遮罩曝露該施加光阻於光且隨後顯影該施加光阻來形成一光阻圖案於該電阻膜上；(c)藉由移除沒有該光阻圖案的該電阻膜之一部分來形成一電阻膜移除區；(d)在步驟(c)之後移除該光阻圖案；以及(e)在步驟(d)之後形成該共同電極於該電阻膜移除區之上。
因此，依據本發明之一態樣，能以高產量藉由移除透明電阻膜之部分來製造能夠均勻地分佈該透明電阻膜之電位的座標檢測器。
本發明並不限於明確揭示的具體實施例，且可進行改變及修改而不脫離本發明之範疇。
本申請案係基於2008年5月8日申請之日本優先權專利申請案第2008-128139號，其全部內容係以引用的方式併入本文中。
1．．．五線電阻膜觸控面板
11．．．上基板
12．．．下基板
21．．．玻璃基板
22．．．透明電阻膜
23．．．x座標檢測電極
24．．．x座標檢測電極
25．．．y座標檢測電極
26．．．y座標檢測電極
31．．．膜基板
32．．．透明電阻膜
33．．．座標檢測電極
100．．．座標輸入系統
111．．．面板部分
112．．．介面板
121．．．下基板
122．．．上基板
123．．．間隔物
124．．．FPC電纜
131．．．玻璃基板
132．．．透明電阻膜
133．．．電阻膜移除區
134．．．共同電極
135．．．第一絕緣膜
136-1．．．第一接線
136-2．．．第二接線
136-3．．．第三接線
136-4．．．第四接線
137．．．第二絕緣膜
138．．．光阻圖案
141．．．電位施加部分
151-1．．．第一通孔
151-2．．．第二通孔
151-3．．．第三通孔
151-4．．．第四通孔
171-1．．．第一側
171-2．．．第二側
171-3．．．第三側
171-4．．．第四側
211．．．膜基板
212．．．透明電阻膜
213．．．電極
231．．．玻璃基板
232．．．透明電阻膜
233．．．電阻膜移除區
234．．．共同電極
235．．．第一絕緣膜
236-1．．．第一接線
236-2．．．第二接線
236-3．．．第三接線
236-4．．．第四接線
237．．．第二絕緣膜
238．．．蝕刻膏
241．．．電位施加部分
251-1．．．第一通孔
251-2．．．第二通孔
251-3．．．第三通孔
251-4．．．第四通孔
332．．．透明電阻膜
333．．．電阻膜移除區
334．．．共同電極
338．．．光阻圖案
432．．．透明電阻膜
433．．．電阻膜移除區
434．．．共同電極
438．．．光阻圖案
532．．．透明電阻膜
533．．．電阻膜移除區
534．．．共同電極
538．．．蝕刻膏
632．．．透明電阻膜
633．．．電阻膜移除區
634．．．共同電極
638．．．蝕刻膏
A-A．．．線
B-B．．．線
C-C．．．線
D-D．．．線
S．．．距離
Vx．．．電壓
W．．．間隔
當結合附圖閱讀時自以上實施方式將明白本發明之其他目的、特徵及優點，在該等圖式中：
圖1係解說五線電阻膜觸控面板的一圖式；
圖2係解說依據本發明之一第一具體實施例製造的一座標檢測器之一系統組態的一圖式；
圖3A至3E係解說依據本發明之該第一具體實施例的一面板部分之一下基板的圖式；
圖4A及4B係依據本發明之該第一具體實施例的電位施加部分之部分的平面圖；
圖5A及5B係解說依據本發明之該第一具體實施例的面板部分之一上基板的圖式；
圖6係依據本發明之該第一具體實施例的一介面板之處理流程圖；
圖7A及7B係解說依據本發明之該第一具體實施例的該下基板之電位分佈的圖式；
圖8A至8H係解說依據本發明之該第一具體實施例的用於製造該下基板之一程序的圖式；
圖9A至9G係解說依據本發明之一第二具體實施例的用於製造該下基板之一程序的圖式；
圖10A至10D係解說依據本發明之一第三具體實施例的用於製造該下基板之一程序的圖式；
圖11A至11C係解說依據本發明之一第四具體實施例的用於製造該下基板之一程序的圖式；
圖12A至12C係解說依據本發明之一第五具體實施例的用於製造該下基板之一程序的圖式；及
圖13A至13C係解說依據本發明之一第六具體實施例的用於製造該下基板之一程序的圖式。
131．．．玻璃基板
132．．．透明電阻膜
133．．．電阻膜移除區
134．．．共同電極
135．．．第一絕緣膜
136-1．．．第一接線
136-2．．．第二接線
136-3．．．第三接線
136-4．．．第四接線
137．．．第二絕緣膜
138．．．光阻圖案
141．．．電位施加部分
151-1．．．第一通孔
151-2．．．第二通孔
151-3．．．第三通孔
151-4．．．第四通孔

Claims (10)

  1. 一種一座標檢測器之製造方法，該座標檢測器具有一電阻膜及用於施加一電壓於該電阻膜的一單一共同電極，該方法包含下列步驟：(a)施加一光阻至形成於由一絕緣體形成之一基板上的該電阻膜上；(b)藉由透過一預定遮罩對施加之該光阻進行曝光且隨後對施加之該光阻進行顯影而於該電阻膜上形成一光阻圖案；(c)藉由移除沒有該光阻圖案的該電阻膜之一部分來形成複數個電阻膜移除區；(d)在該步驟(c)之後移除該光阻圖案；以及(e)在該步驟(d)之後形成該單一共同電極於該複數個電阻膜移除區之上。
  2. 如請求項1之方法，其中該步驟(c)藉由使用一酸溶液的濕式蝕刻以及乾式蝕刻之一者來移除該電阻膜之該部分。
  3. 如請求項1之方法，其中該電阻膜移除區包括藉由移除沒有該光阻圖案的該電阻膜之該部分而形成的其一周邊中的一第一部分，以及由餘留在該第一部分內部的該電阻膜形成的一第二部分，且該第一部分及該第二部分係電絕緣。
  4. 一種一座標檢測器之製造方法，該座標檢測器具有一電阻膜及用於施加一電壓於該電阻膜的一共同電極，該方 法包含下列步驟：(a)施加一光阻至形成於由一絕緣體形成之一基板上的該電阻膜上；(b)藉由透過一預定遮罩對施加之該光阻進行曝光且隨後對施加之該光阻進行顯影而於該電阻膜上形成一光阻圖案；以及(c)藉由移除沒有該光阻圖案的該電阻膜之一部分來形成一電阻膜移除區，其中該共同電極係形成在該電阻膜的一周邊邊緣與該電阻膜移除區之間，以致在該共同電極的鄰近側與該電阻膜移除區之間的一距離係大於或等於0毫米且小於或等於5毫米。
  5. 如請求項4之方法，其中該步驟(c)藉由使用一酸溶液的濕式蝕刻以及乾式蝕刻之一者來移除該電阻膜之該部分。
  6. 如請求項4之方法，其中該電阻膜移除區包括藉由移除沒有該光阻圖案的該電阻膜之該部分而形成的其一周邊中的一第一部分，以及由餘留在該第一部分內部的該電阻膜形成的一第二部分，且該第一部分及該第二部分係電絕緣。
  7. 一種一座標檢測器之製造方法，該座標檢測器具有一電阻膜及用於施加一電壓於該電阻膜的一共同電極，該方法包含下列步驟：(a)印刷一蝕刻膏於形成於由一絕緣體形成之一基板 上的該電阻膜之一部分上，該部分待被移除以形成一電阻膜移除區；(b)採用該蝕刻膏藉由熱處理來移除該電阻膜之該部分；(c)在該熱處理之後移除剩餘蝕刻膏；以及(d)形成該共同電極於該電阻膜移除區之上。
  8. 如請求項7之方法，其中該電阻膜移除區包括藉由移除該電阻膜之該部分而形成的其一周邊中的一第一部分，以及由餘留在該第一部分內部的該電阻膜形成的一第二部分，且該第一部分及該第二部分係電絕緣。
  9. 一種一座標檢測器之製造方法，該座標檢測器具有一電阻膜及用於施加一電壓於該電阻膜的一共同電極，該方法包含下列步驟：(a)印刷一蝕刻膏於形成於由一絕緣體形成之一基板上的該電阻膜之一部分上，該部分待被移除以形成一電阻膜移除區；(b)採用該蝕刻膏藉由熱處理來移除該電阻膜之該部分；以及(c)在該熱處理之後移除該剩餘蝕刻膏，其中該共同電極係形成在該電阻膜的一周邊邊緣與該電阻膜移除區之間以致在該共同電極的鄰近側與該電阻膜移除區之間的一距離係大於或等於0毫米且小於或等於5毫米。
  10. 如請求項9之方法，其中該電阻膜移除區包括藉由移除該電阻膜之該部分而形成的其一周邊中的一第一部分，以及由餘留在該第一部分內部的該電阻膜形成的一第二部分，且該第一部分及該第二部分係電絕緣。
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