TWI412988B - 座標偵測裝置 - Google Patents

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TWI412988B
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Koichi Kondoh
Shozo Furukawa
Mitsuhiro Sekizawa
Takashi Nakajima
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Fujitsu Component Ltd
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Description

座標偵測裝置
本文中所論述之具體實施例係關於一種用於偵測一輸入位置之座標之座標偵測設備。
一觸控面板在許多情況下用作一電腦系統之一輸入裝置。觸控面板係安裝於一顯示器上以在該顯示器上偵測一座標位置並獲取對應於該偵測座標位置的一偵測信號。該觸控面板准許一座標位置之一簡單且直觀直接輸入。
存在各種類型的觸控面板，諸如一電阻膜型、一光學型、一電容耦合型等。在該等類型中，在許多情況下使用一電阻膜觸控面板，因為該電阻膜觸控面板具有一簡單結構與一簡單控制系統。
該電阻膜觸控面板包括一低電阻型，其係分類成四導線系統、五導線系統、八導線系統等。不同於使用四導線系統或八導線系統之一電阻膜觸控面板，使用五導線系統之一電阻膜觸控面板(以下稱為「五導線電阻膜觸控面板」)具有配置於一操作面側上的一上部板之一導電膜，該導電膜係專用於讀取一電位。據此，五導線電阻膜觸控面板不具有一邊緣滑動的一問題，其係在其他系統(諸如四導線系統與八導線系統)中的一缺點。因而，該五導線電阻膜觸控面板可用於要求在一嚴苛環境與一長的使用壽命中的一應用內。
圖1解說五導線電阻膜觸控面板之一結構。五導線電阻膜觸控面板1包括一上部板11與一下部板12。一透明電阻膜22係形成於下部板12之一玻璃基板21之一整個表面上。X座標偵測電極23及24與Y座標偵測電極25及26係形成於透明電阻膜22上。另一方面，一透明電阻膜32係形成於上部板11之一膜基板31上，且一座標偵測電極33係形成於透明電阻膜32上。
首先，將一電壓施加至X座標偵測電極23及24，從而導致在下部板12之透明電阻膜22內在一X座標方向上產生一電位分佈。據此，其中上部板11之一部分接觸下部板12之一位置的X座標可藉由在下部板12之透明電阻膜22上偵測一電位來加以偵測。接著，將一電壓施加至Y座標偵測電極25及26，從而導致在下部板12之透明電阻膜22內在一Y座標方向上產生一電位分佈。據此，其中上部板11之部分接觸下部板12之位置的Y座標可藉由在下部板12之透明電阻膜22上偵測一電位來加以偵測。
關於如何在下部板12之透明電阻膜22內產生一均勻電位分佈對於上述觸控面板係一問題。為了使在下部板12之透明電阻膜22內的電位分佈均勻，提出配置於下部板12之一周邊上的複數個電位分佈校正圖案(例如，參考專利文件1)。此外，提出配置以環繞一輸入表面的一共同電極(例如，參考專利文件2)。另外，提出形成於一絕緣膜內的一開口部分，該絕緣膜係設於一透明電阻膜上以透過其中形成該等開口部分的一部分來施加一電位(例如，參考專利文件3)。
專利文件1：日本特許公開專利申請案第10-83251號
專利文件2：日本特許公開專利申請案第2001-125724號
專利文件3：日本特許公開專利申請案第2007-25904號
由於其內併入一座標輸入裝置的一設備之小型化要求一座標輸入裝置在一外部框架組態上更小。然而，因為必須在複數個座標輸入裝置之一周邊上配置複數個電位分佈圖案，故難以降低一習知座標輸入裝置之一外部框架大小。
提供配置以環繞一輸入表面之一共同電極之方法具有一問題在於：若在一透明電阻膜之一電阻與一圖案電阻器之一電阻的一電阻比率係不夠大時，一透明電阻膜之一電位分佈變得不均。
在一絕緣膜內提供一開口部分的方法可解決上述問題，但一製程變得複雜且尤其由於材料及製程變動所引起之電阻值變動可能會劣化產品效能，從而降低一良率。
一一般目的係提供一種其中排除上述問題的座標偵測設備。
本發明之一更特定目的係提供一種具有一降低框架大小並能夠採用改良偵測準確度來偵測一座標位置的座標偵測設備。
依據本發明之一態樣，一種座標偵測設備包括：一電阻膜，其係形成於由一絕緣材料製成的一基板上；一共同電極，其係經配置為將一電壓施加至該電阻膜，該共同電極沿藉由移除該電阻膜之部分所形成之複數個電阻膜移除區域而延伸；及一電壓施加部分，其係經配置為將該電壓施加至該共同電極，其中該電壓係透過該共同電極從該電壓施加部分施加至該電阻膜以在該電阻膜內產生一電位分佈；且其中接觸該電阻膜所處之一接觸位置之一座標位置係藉由在該接觸位置處偵測該電阻膜之一電位來加以偵測。
依據上述發明，可使藉由施加一電壓在該電阻膜所產生之電位分佈均勻並由此可獲得一準確的座標偵測。
該具體實施例之目的及優點將係藉由隨附申請專利範圍中所特別指出之元件及組合來實現並達到。
應明白，如所主張，前述一般說明及下列詳細說明兩者僅係範例性解釋且不限制本發明。
將參考附圖來解釋本發明之較佳具體實施例。
<第一具體實施例>
將給予本發明之一第一具體實施例之一說明。圖2係依據本發明之一第一具體實施例之一座標偵測裝置的一分解透視圖。圖2中所解說之座標偵測裝置係具有一種五導線類比電阻膜型觸控面板的一座標輸入系統100。本具體實施例之座標輸入系統100包括一面板部分111與一介面板112。
面板部分111包括一下部板121、一上部板122、一間隔物123及一FPC電纜124。下部板121與上部板122係經由間隔物123來結合在一起。間隔物123係由(例如)一絕緣雙面 膠帶製成以結合下部板121與上部板122，其間具有一預定間隙。FPC電纜124具有一結構，其中第一至第五導線係形成於一撓性印刷電路板上。FPC電纜124係藉由將一各向異性導電膜熱壓縮接合至下部板121來連接至下部板121。
以下給予下部板121之一說明。圖3A係下部板121之一平面圖。圖3B係沿圖3A之線I至I所截取的一斷面圖。圖3C係沿圖3A之線II至II所截取的一斷面圖。圖3D係沿圖3A之線III至III所截取的一斷面圖。圖3E係沿圖3A之線IV至IV所截取的一斷面圖。
下部板121包括一玻璃基板131、一透明電阻膜132、一電阻膜移除區域133、一共同電極134、一第一絕緣膜135、一導線136及一第二絕緣膜137。透明電阻膜132係形成於玻璃基板131之一實質上整個表面之上。透明電阻膜132係藉由一真空氣相沈積方法由(例如)ITO(氧化銦錫)所形成。透明電阻膜32具有一預定電阻並在一可見光範圍內發射光。在本具體實施例中，未移除在電阻膜移除區域133內的透明電阻膜132之一整個部分。在餘留於電阻膜移除區域133內的透明電阻膜132之一部分與在電阻膜移除區域133外的透明電阻膜132之一部分之間形成一電絕緣。藉由電絕緣餘留於電阻膜移除區域133內的透明電阻膜132之一部分與在電阻膜移除區域133外的透明電阻膜132之一部分，可取得與在其中移除在電阻膜移除區域133內的透明電阻膜132之一整個部分的一情況下所取得之相同的效果，由此改良一輸出量，因為欲移除的透明電阻膜132之一數量係較小。
該等電阻膜移除區域133係設於玻璃基板131之一邊界區域內，在該邊界區域處形成共同電極134。明確而言，共同電極134係形成於其中形成該等電阻膜移除區域133的透明電阻膜132上。因而，在相鄰電阻膜移除區域133之間的透明電阻膜132與共同電極134係彼此連接，由此形成電位供應部分141。在本具體實施例中，在相鄰電阻膜移除區域133之間的間隔W係彼此相等，如圖4A中所解說。即，該等電位供應部分141具有相同寬度，如稍後所述。在一第一側171-1、一第二側171-2、一第三側171-3及一第四側171-4之每一者之相對末端附近的該等電阻膜移除區域133之間距係較大，且係朝第一側171-1、第二側171-2、第三側171-3及第四側171-4之每一者之中心而逐漸減小。明確而言，該等間距P1、P2、P3、P4...係從該等相對末端向每一側之中心逐漸減小(P1>P2>P3>P4...)。
該等電位供應部分141係形成於在相鄰電阻膜移除區域133之間的透明電阻膜132與共同電極134之接觸區域內。在本具體實施例中，如圖4B中所解說，在第一側171-1、第二側171-2、第三側171-3及第四側171-4之每一者之相對末端附近配合較大間距並且在各側中間部分配合較小間距來形成該等電位供應部分141。依據該等電位供應部分141之上述結構，抑制在第一側171-1、第二側171-2、第三側171-3及第四側171-4之每一者處的一電位分佈扭曲，從而致使能夠使在透明電阻膜132內的電位分佈均勻。因而，可獲得準確的座標位置偵測。
該等電位供應部分141之組態不限於圖4B中所解說者，且可使用任一組態，其中移除透明電阻膜132之部分以使得在透明電阻膜132與共同電極134之間的接觸區域在第一側171-1、第二側171-2、第三側171-3及第四側171-4之每一者之相對末端附近較窄且在各側中間更寬。
共同電極134係由(例如)Ag-C製成並形成於該等電阻膜移除區域133內及該等電阻膜移除區域133之間。
第一絕緣膜135係形成於該等電阻膜移除區域133內以覆蓋共同電極134。四個穿透孔151-1至151-4係分別形成於下部板121之四個邊角處。該等穿透孔151-1至151-4構成一驅動電壓施加部分。
一第一導線136-1係由一低電阻材料(諸如Ag)製成且沿下部板121之第一側171-1而形成於第一絕緣膜135上。第一導線136-1係形成以填滿第一穿透孔151-1並連接至FPC電纜124之一第一導線。
一第二導線136-2係由一低電阻材料(諸如Ag)製成並沿與下部板121之第一側171-1相對的第二側171-2而形成於第一絕緣膜135上。第二導線136-2係形成以填滿第二穿透孔151-2並連接至FPC電纜124之一第二導線。
一第三導線136-3係由一低電阻材料(諸如Ag)製成並在第二側171-2之側上沿垂直於下部板121之第一及第二側171-1及171-2的第三側171-3之一半而形成於第一絕緣膜135上。第三導線136-3係形成以填滿第三穿透孔151-3並連接至FPC電纜124之一第三導線。
一第四導線136-4係由一低電阻材料(諸如Ag)製成並在第一側171-1之側上沿垂直於下部板121之第一及第二側171-1及171-2的第三側171-3之一半而形成於第一絕緣膜135上。第四導線136-4係形成以填滿第四穿透孔151-4並連接至FPC電纜124之一第四導線。
第二絕緣膜137係形成於第一絕緣膜135上以覆蓋第一導線136-1、第二導線136-2、第三導線136-3及第四導線136-4。上部板122係經由間隔物123來結合至第二絕緣膜137。
接下來，將參考圖5A及5B給予上部電極122之一組態之一說明。頂部板122包括：一膜板211、一透明電阻膜212及一電極213。膜板211係由一撓性樹酯膜(諸如一PET膜等)製成。透明電阻膜121係形成於面對下部板121之膜板211之一整個表面上。透明電阻膜212係由一透明導電材料(諸如ITO)製成。電極213係在透明電阻膜212上在X1方向上配置於上部板122之一末端部分處，且連接至FPC電纜124之一第五導線，該FPC電纜係透過一接點(圖中未解說)來連接至下部板121。一座標位置可藉由使用上部板122作為一探針由介面板112偵測下部板121之一電位來加以偵測。
以下將給予在依據本具體實施例之座標偵測設備中偵測一座標位置之一程序之一說明。
圖6係藉由介面板112所執行之一程序之一流程圖。圖7A及7B係指示下部板121中的一電位分佈的圖解。圖7A指示在X座標偵測中的一電位分佈。圖7B指示在Y座標偵測中的一電位分佈。
在步驟S1-1中，介面板112將一電壓Vx施加至第一導線136-1及第二導線136-2，並使第三導線136-3及第四導線136-4接地。由此，在透明電阻膜132內產生由圖7A中虛線所指示的一均勻電位分佈。應注意，在一習知設備內所產生的一電位分佈係扭曲，如圖7A中單劃鏈線所指示。比較在依據本具體實施例之座標偵測設備中所產生的電位分佈與在一習知設備中所產生的電位分佈，可瞭解，可在依據本具體實施例之座標偵測設備中獲得一準確的X座標偵測。
接著，在步驟S1-2中，介面板112偵測下部板121之一電位並在步驟S1-3中回應於下部板121之電位而偵測X座標。
接著，在步驟S1-4中，介面板112將一電壓Vy施加至第一導線136-1及第四導線136-4，並使第二導線136-2及第三導線136-3接地。由此，在透明電阻膜132內產生由圖7B中虛線所指示的一均勻電位分佈。應注意，在一習知設備內所產生的一電位分佈係扭曲，如圖7B中單劃鏈線所指示。比較在依據本具體實施例之座標偵測設備中所產生的電位分佈與在一習知設備中所產生的電位分佈，可瞭解，可在依據本具體實施例之座標偵測設備中獲得一準確的Y座標偵測。
接著，在步驟S1-5中，介面板112偵測下部板121之一電位並在步驟S1-6中回應於下部板121之電位而偵測X座標。
依據本具體實施例，因為第一至第四導線136-1、136-2、136-3及136-4係層積於共同電極134上，故降低面板部分121之外部大小，從而導致該座標偵測設備之小型化。此外，因為可在偵測區域內使藉由該等電位施加部分141施加電壓在下部板121之透明電阻膜132內所產生的電位分佈均勻，故可獲得一準確的座標偵測。
儘管在上述具體實施例中解釋五導線電阻膜類比觸控面板，但本發明不限於該五導線電阻膜類比觸控面板並可應用於其他觸控面板，諸如一種四導線電阻膜觸控面板、一種七導線電阻膜觸控面板等。
<第二具體實施例>
以下將給予依據本發明之一第二具體實施例之一座標偵測設備之一說明。在該第二具體實施例中，該等電阻膜移除區域133之圖案與該等電位供應部分141之圖案係不同於該第一具體實施例者。此外，在該第二具體實施例中，該等電阻膜移除區域133與共同電極134係不彼此重疊。
圖8A係該等電阻膜移除區域133與共同電極134之一第一範例之一平面圖。在圖8A中，該等電阻膜移除區域133係採取相同形狀，並具有相同寬度WH。在第一側171-1、第二側171-2、第三側171-3及第四側171-4之每一者之相對末端附近配合一較小間距PE1並且在每一側之中間部分配合一較大間距PE2來形成該等電阻膜移除區域133。因而，藉由在其中形成該等電阻膜移除區域133之透明電阻膜132上形成共同電極134，可形成該等電位供應部分141使得透明電阻膜132接觸共同電極134之區域在每一側之相對末端附近較小且在每一側之中間部分較大。據此，可抑制在面板部分121之第一側171-1、第二側171-2、第三側171-3及第四側171-4之每一者之相對末端附近的一電位分佈扭曲，從而使在透明電阻膜132內的電位分佈均勻。因而，可獲得一準確的座標位置偵測。
圖8B係該等電阻膜移除區域133與共同電極134之一第二範例之一平面圖。在圖8B中，該等電阻膜移除區域133係形成使得該等電位施加部分141具有相同寬度E。為了形成具有相同寬度E之電位供應部分141，在第一側171-1、第二側171-2、第三側171-3及第四側171-4之每一者之相對末端附近配合一較大間距PH1並且在每一側之中間部分配合一較小間距PH2來形成該等電阻膜移除區域133。因而，藉由在其中形成該等電阻膜移除區域133之透明電阻膜132上形成共同電極134，可形成該等電位供應部分141使得藉由透明電阻膜132與共同電極134所形成之該等電位供應部分141之區域係相同，但該等電位供應部分141係在每一側之相對末端附近稀疏配置並在每一側之中間部分密集配置。據此，可抑制在面板部分121之第一側171-1、第二側171-2、第三側171-3及第四側171-4之每一者之相對末端附近的一電位分佈扭曲，從而使在透明電阻膜132內的電位分佈均勻。因而，可獲得一準確的座標偵測。
圖8C係該等電阻膜移除區域133與共同電極134之一第三範例之一平面圖。在圖8C中，配合相同間距PT來形成該等電阻膜移除區域133，且在面板部分121之第一側171-1、第二側171-2、第三側171-3及第四側171-4之每一者之相對末端附近配合一較大寬度WH1並且在每一側之中間部分配合一較小寬度WH2來形成該等電阻膜移除區域133。因而，藉由在其中如此形成該等電阻膜移除區域133之透明電阻膜132上形成共同電極134，在面板部分121之每一側之相對末端附近藉由透明電阻膜132與共同電極134所形成之該等電位供應部分141之寬度E2係較小，且在每一側之中間部分該等電位供應部分141之一寬度E2係較大。據此，在面板部分121之每一側之相對末端附近該等電位供應部分141之區域係較小，且在每一側之中間部分該等電位供應部分141之區域係較大。據此，可抑制在面板部分121之第一側171-1、第二側171-2、第三側171-3及第四側171-4之每一者之相對末端附近的一電位分佈扭曲，從而使在透明電阻膜132內的電位分佈均勻。因而，可獲得一準確的座標偵測。
圖9A係該等電阻膜移除區域133與共同電極134之一第四範例之一平面圖。在圖9A中，沿其配置該等電阻膜移除區域133與該等電位供應部分141的一線係在面板部分121之第一側171-1、第二側171-2、第三側171-3及第四側171-4之每一者處向內彎曲。即，在每一側之相對末端附近的該等電阻膜移除區域133與該等電位供應部分141係遠離面板部分12之中心而分開，且在每一側之中間部分的該等電阻膜移除區域133與該等電位供應部分141係更靠近面板部分12之中心。據此，可抑制在面板部分121之第一側171-1、第二側171-2、第三側171-3及第四側171-4之每一者之相對末端附近的一電位分佈扭曲，從而使在透明電阻膜132內的電位分佈均勻。因而，可獲得一準確的座標偵測。
圖9B係該等電阻膜移除區域133與共同電極134之一第五範例之一平面圖。在圖9B中，該等電阻膜移除區域133係不與共同電極134重疊。該等電阻膜移除區域133之圖案可以係第一範例至第三範例之該等圖案之任一者。藉由形成上述電阻膜移除區域133，該等電阻膜移除區域133在面板部分121之第一側171-1、第二側171-2、第三側171-3及第四側171-4之每一者之相對末端附近幾乎不受到供應自共同電極134之一電位的影響。該等電阻膜移除區域133在每一側之中間部分傾向於受到供應自共同電極134之一電位的影響。據此，可抑制在面板部分121之第一側171-1、第二側171-2、第三側171-3及第四側171-4之每一者之相對末端附近的一電位分佈扭曲，從而使在透明電阻膜132內的電位分佈均勻。因而，可獲得一準確的座標偵測。在其中該等電阻膜移除區域133與共同電極134係不彼此重疊之情況下，在該等電阻膜移除區域133與共同電極134之間的一間隔S必須等於或大於0毫米且等於或小於5毫米以便取得上述效果。
圖9C係該等電阻膜移除區域133與共同電極134之一第六範例之一平面圖。在圖9C中，另一組之電阻膜移除區域233(第二電阻膜移除區域)係形成於共同電極14之一內側上。即，該第六範例係上述的第一至第三範例與第五範例之一組合。據此，可進一步抑制在面板部分121之第一側171-1、第二側171-2、第三側171-3及第四側171-4之每一者之相對末端附近的一電位分佈扭曲，從而使在透明電阻膜132內的電位分佈均勻。因而，可獲得一更準確的座標偵測。儘管在圖9C中提供第二電阻膜移除區域233之一單一行，但可在共同電極134之內側上進一步提供複數個行第二電阻膜移除區域233。
以下將給予下部板121之一製程之一說明。圖10A至10F係用於解釋下部板121之一製程的圖解。
首先，如圖10A中所解說，該等透明電阻膜132係藉由噴濺或一真空氣相沈積來沈積一材料(諸如ITO)而形成於玻璃基板131上。
接著，如圖10B中所解說，該等電阻膜移除區域133係形成於透明電阻膜132內。明確而言，一紫外線(UV)雷射光或一紅外線雷射光係照射至其中欲移除透明電阻膜132的透明電阻膜132之部分上以便藉由剝蝕或熱來移除透明電阻膜132。該等電阻膜移除區域133可在除對應於該等電阻膜移除區域133之區域外的一區域內形成一光阻圖案之後藉由化學蝕刻移除透明電阻膜132來加以形成。
接著，如圖10C中所解說，共同電極134係使用Ag-C來形成於透明電阻膜133上。明確而言，一含有Ag-C膏係藉由網版印刷來印刷於透明電阻膜132上且其後烘烤該膏。由此，該等電位供應部分141係形成於在相鄰電阻膜移除區域133之間的透明電阻膜132上。
接著，如圖10D中所解說，形成具有第一至第四穿透孔151-1至151-4之第一絕緣膜135。明確而言，一絕緣膏係依據一網版印刷方法藉由圖案印刷來加以印刷且其後烘烤該絕緣膏。
接著，如圖10E中所解說，由Ag製成的第一至第四導線136-1至136-4係形成於第一絕緣膜135上。明確而言，一導電膏係依據一網版印刷方法藉由圖案印刷來加以印刷且其後烘烤該導電膏。
接著，如圖10F中所解說，形成第二絕緣膜137。明確而言，一絕緣膏係依據一網版印刷方法藉由圖案印刷來加以印刷且其後烘烤該絕緣膏。
下部板121可藉由執行上述程序來加以製造。
1．．．五導線電阻膜觸控面板
11．．．上部板
12．．．下部板
21．．．玻璃基板
22．．．透明電阻膜
23．．．X座標偵測電極
24．．．X座標偵測電極
25．．．Y座標偵測電極
26．．．Y座標偵測電極
31．．．膜基板
32．．．透明電阻膜
33．．．座標偵測電極
100．．．座標輸入系統
111．．．面板部分
112．．．介面板
121．．．下部板
122．．．上部板
123．．．間隔物
124．．．FPC電纜
131．．．玻璃基板
132．．．透明電阻膜
133．．．電阻膜移除區域
134．．．共同電極
135．．．第一絕緣膜
136．．．導線
136-1．．．第一導線
136-2．．．第二導線
136-3．．．第三導線
136-4．．．第四導線
137．．．第二絕緣膜
141．．．電位供應部分
151-1．．．第一穿透孔
151-2．．．第二穿透孔
151-3．．．第三穿透孔
151-4．．．第四穿透孔
171-1．．．下部板121之第一側
171-2．．．下部板121之第二側
171-3．．．下部板121之第三側
171-4．．．下部板121之第四側
211．．．膜板
212．．．透明電阻膜
213．．．電極
233．．．電阻膜移除區域
圖1係五導線電阻膜觸控面板之一分解透視圖；
圖2係依據本發明之一第一具體實施例之一座標偵測裝置的一分解透視圖；
圖3A係圖2中所解說之一下部板之一平面圖；
圖3B係沿圖3A之線I至1所截取的一斷面圖；
圖3C係沿圖3A之線II至11所截取的一斷面圖；
圖3D係沿圖3A之線III至111所截取的一斷面圖；
圖3E係沿圖3A之線IV至IV所截取的一斷面圖；
圖4A係用於解釋電阻膜移除區域之間距的一圖解；
圖4B係用於解釋電阻膜移除區域之間距的一圖解；
圖5A係圖2中所解說之一上部板之一平面圖；
圖5B係圖2中所解說之上部板之一側視圖；
圖6係圖2中所解說之一介面板所執行之一程序之一流程圖；
圖7A係指示在圖2中所解說之一下部板中在X座標偵測中的一電位分佈的一圖解；
圖7B係指示在圖2中所解說之下部板中在Y座標偵測中的一電位分佈的一圖解；
圖8A係電阻膜移除區域與共同電極之一第一範例之一平面圖；
圖8B係該等電阻膜移除區域與該共同電極之一第二範例之一平面圖；
圖8C係該等電阻膜移除區域與該共同電極之一第三範例之一平面圖；
圖9A係該等電阻膜移除區域與該共同電極之一第四範例之一平面圖；
圖9B係該等電阻膜移除區域與該共同電極之一第五範例之一平面圖；
圖9C係該等電阻膜移除區域與該共同電極之一第六範例之一平面圖；及
圖10A至10F係用於解釋圖2中所解說之一下部板之一製程的圖解。
100．．．座標輸入系統
111．．．面板部分
112．．．介面板
121．．．下部板
122．．．上部板
123．．．間隔物
124．．．FPC電纜

Claims (28)

  1. 一種座標偵測設備，其包含：一電阻膜，其係形成於由一絕緣材料製成的一基板上；一共同電極，其係經配置為將一電壓施加至該電阻膜，該共同電極沿藉由移除該電阻膜之部分而形成的複數個電阻膜移除區域而延伸；及一電壓施加部分，其係經配置為將該電壓施加至該共同電極；其中該電壓係透過該共同電極從該電壓施加部分施加至該電阻膜以在該電阻膜內產生一電位分佈；接觸該電阻膜所處之一接觸位置之一座標位置係藉由在該接觸位置處偵測該電阻膜之一電位來加以偵測；且電阻膜移除區域係由將該等電阻膜移除區域之周圍的電阻膜除去後之部分與形成於該部分之內側之電阻膜餘留部所形成，該電阻膜餘留部係與上述電阻膜為電絕緣之構造。
  2. 如請求項1之座標偵測設備，其中該共同電極在該電阻膜移除區域內延伸。
  3. 如請求項1之座標偵測設備，其中該共同電極在該電阻膜移除區域附近延伸，且在該共同電極與該電阻膜移除區域之間的一距離係等於或大於0毫米且等於或小於5毫米。
  4. 如請求項1至3中任一項之座標偵測設備，其中複數個第 二電阻膜移除區域係在由該共同電極所環繞之一區域之一內側上沿該共同電極而形成，且在該共同電極與該等第二電阻膜移除區域之間的一距離係等於或大於0毫米且等於或小於5毫米。
  5. 如請求項1至3中任一項之座標偵測設備，其進一步包含形成於該共同電極上的一絕緣膜，該絕緣膜在該共同電極之一預定位置處具有一穿透孔，使得藉由在該穿透孔內填充一導電材料來形成一驅動電壓施加部分，且該電壓係透過該驅動電壓施加部分而施加至該電阻膜。
  6. 如請求項1至3中任一項之座標偵測設備，其中該等電阻膜移除區域係經配置並設為使得在藉由該電壓施加部分將該電壓施加至該電阻膜時在該電阻膜內產生一均勻電位分佈。
  7. 如請求項6之座標偵測設備，其中該等電阻膜移除區域係經配置並設為使得在該共同電極與該電阻膜之間的一接觸區域係從該基板之每一側之一中間部分朝該側之相對末端逐漸減小。
  8. 如請求項6之座標偵測設備，其中該等電阻膜移除區域係經配置並設為使得在一單位長度內的該等電阻膜移除區域之數量係從該基板之每一側之一中間部分朝該側之相對末端減少。
  9. 如請求項6之座標偵測設備，其中分別形成有該等電阻膜移除區域之部分之間距係彼此相等，且該等電阻膜移除區域係經配置並設為使得在該電阻膜內產生一均勻電 位分佈。
  10. 如請求項6之座標偵測設備，其中在相鄰之該等電阻膜移除區域之間的間隔係彼此相等，且其中分別形成有該等電阻膜移除區域之部分之間距係設為使得在該電阻膜內產生一均勻電位分佈。
  11. 如請求項6之座標偵測設備，其中該等電阻膜移除區域具有相同形狀，且其中分別形成有該等電阻膜移除區域之部分之間距係設為使得在該電阻膜內產生一均勻電位分佈。
  12. 如請求項6之座標偵測設備，其中經設置之該等電阻膜移除區域所沿循之一線係彎曲者。
  13. 如請求項6之座標偵測設備，其中在相鄰之該等電阻膜移除區域之間的間隔係彼此相等，且該等電阻膜移除區域之一數量設為使得在該電阻膜內產生一均勻電位分佈。
  14. 如請求項6之座標偵測設備，其中該等電阻膜移除區域具有相同形狀，且其中該等電阻膜移除區域之一數量係設為使得在該電阻膜內產生一均勻電位分佈。
  15. 如請求項1至3中任一項之座標偵測設備，其中該電阻膜係由在一可見光區內的一透明材料製成，且該等電阻膜移除區域係藉由照射一紫外線雷射或一紅外線雷射而移除該電阻膜之部分來加以形成。
  16. 如請求項1至3中任一項之座標偵測設備，其中該共同電極沿一曲線而延伸。
  17. 如請求項1至3中任一項之座標偵測設備，其進一步包含經由一絕緣膜而層積於該共同電極上的一導線。
  18. 如請求項1至3中任一項之座標偵測設備，其進一步包含一電阻膜型座標偵測部分，其係經配置並設為偵測該座標位置。
  19. 一種座標偵測設備，其包含：一電阻膜，其係形成於由一絕緣材料製成的一基板上；一共同電極，其係經配置為將一電壓施加至該電阻膜，該共同電極沿藉由移除該電阻膜之部分而形成的複數個電阻膜移除區域而延伸；及一電壓施加部分，其係經配置為將該電壓施加至該共同電極；其中該電壓係透過該共同電極從該電壓施加部分施加至該電阻膜以在該電阻膜內產生一電位分佈；接觸該電阻膜所處之一接觸位置之一座標位置係藉由在該接觸位置處偵測該電阻膜之一電位來加以偵測；且該等電阻膜移除區域係經配置並設為使得在該共同電極與該電阻膜之間的一接觸區域係從該基板之每一側之一中間部分朝該側之相對末端逐漸減小。
  20. 一種座標偵測設備，其包含：一電阻膜，其係形成於由一絕緣材料製成的一基板上；一共同電極，其係經配置為將一電壓施加至該電阻膜，該共同電極沿藉由移除該電阻膜之部分而形成的複 數個電阻膜移除區域而延伸；及一電壓施加部分，其係經配置為將該電壓施加至該共同電極；其中該電壓係透過該共同電極從該電壓施加部分施加至該電阻膜以在該電阻膜內產生一電位分佈；接觸該電阻膜所處之一接觸位置之一座標位置係藉由在該接觸位置處偵測該電阻膜之一電位來加以偵測；且該等電阻膜移除區域係經配置並設為使得在一單位長度內的該等電阻膜移除區域之數量係從該基板之每一側之一中間部分朝該側之相對末端減少。
  21. 一種座標偵測設備，其包含：一電阻膜，其係形成於由一絕緣材料製成的一基板上；一共同電極，其係經配置為將一電壓施加至該電阻膜，該共同電極沿藉由移除該電阻膜之部分而形成的複數個電阻膜移除區域而延伸；及一電壓施加部分，其係經配置為將該電壓施加至該共同電極；其中該電壓係透過該共同電極從該電壓施加部分施加至該電阻膜以在該電阻膜內產生一電位分佈；接觸該電阻膜所處之一接觸位置之一座標位置係藉由在該接觸位置處偵測該電阻膜之一電位來加以偵測；且分別形成有該等電阻膜移除區域之部分之間距係彼此相等，且該等電阻膜移除區域係經配置並設為使得在該 電阻膜內產生一均勻電位分佈。
  22. 一種座標偵測設備，其包含：一電阻膜，其係形成於由一絕緣材料製成的一基板上；一共同電極，其係經配置為將一電壓施加至該電阻膜，該共同電極沿藉由移除該電阻膜之部分而形成的複數個電阻膜移除區域而延伸；及一電壓施加部分，其係經配置為將該電壓施加至該共同電極；其中該電壓係透過該共同電極從該電壓施加部分施加至該電阻膜以在該電阻膜內產生一電位分佈；接觸該電阻膜所處之一接觸位置之一座標位置係藉由在該接觸位置處偵測該電阻膜之一電位來加以偵測；且在相鄰之該等電阻膜移除區域之間的間隔係彼此相等，且其中分別形成有該等電阻膜移除區域之部分之間距係設為使得在該電阻膜內產生一均勻電位分佈。
  23. 一種座標偵測設備，其包含：一電阻膜，其係形成於由一絕緣材料製成的一基板上；一共同電極，其係經配置為將一電壓施加至該電阻膜，該共同電極沿藉由移除該電阻膜之部分而形成的複數個電阻膜移除區域而延伸；及一電壓施加部分，其係經配置為將該電壓施加至該共同電極； 其中該電壓係透過該共同電極從該電壓施加部分施加至該電阻膜以在該電阻膜內產生一電位分佈；接觸該電阻膜所處之一接觸位置之一座標位置係藉由在該接觸位置處偵測該電阻膜之一電位來加以偵測；且該等電阻膜移除區域具有相同形狀，且其中分別形成有該等電阻膜移除區域之部分之間距係設為使得在該電阻膜內產生一均勻電位分佈。
  24. 一種座標偵測設備，其包含：一電阻膜，其係形成於由一絕緣材料製成的一基板上；一共同電極，其係經配置為將一電壓施加至該電阻膜，該共同電極沿藉由移除該電阻膜之部分而形成的複數個電阻膜移除區域而延伸；及一電壓施加部分，其係經配置為將該電壓施加至該共同電極；其中該電壓係透過該共同電極從該電壓施加部分施加至該電阻膜以在該電阻膜內產生一電位分佈；接觸該電阻膜所處之一接觸位置之一座標位置係藉由在該接觸位置處偵測該電阻膜之一電位來加以偵測；及經設置之該等電阻膜移除區域所沿循之一線係彎曲者。
  25. 一種座標偵測設備，其包含：一電阻膜，其係形成於由一絕緣材料製成的一基板上； 一共同電極，其係經配置為將一電壓施加至該電阻膜，該共同電極沿藉由移除該電阻膜之部分而形成的複數個電阻膜移除區域而延伸；及一電壓施加部分，其係經配置為將該電壓施加至該共同電極；其中該電壓係透過該共同電極從該電壓施加部分施加至該電阻膜以在該電阻膜內產生一電位分佈；接觸該電阻膜所處之一接觸位置之一座標位置係藉由在該接觸位置處偵測該電阻膜之一電位來加以偵測；且在相鄰之該等電阻膜移除區域之間的間隔係彼此相等，且該等電阻膜移除區域之一數量設為使得在該電阻膜內產生一均勻電位分佈。
  26. 一種座標偵測設備，其包含：一電阻膜，其係形成於由一絕緣材料製成的一基板上；一共同電極，其係經配置為將一電壓施加至該電阻膜，該共同電極沿藉由移除該電阻膜之部分而形成的複數個電阻膜移除區域而延伸；及一電壓施加部分，其係經配置為將該電壓施加至該共同電極；其中該電壓係透過該共同電極從該電壓施加部分施加至該電阻膜以在該電阻膜內產生一電位分佈；接觸該電阻膜所處之一接觸位置之一座標位置係藉由在該接觸位置處偵測該電阻膜之一電位來加以偵測；且 該等電阻膜移除區域具有相同形狀，且其中該等電阻膜移除區域之一數量係設為使得在該電阻膜內產生一均勻電位分佈。
  27. 如請求項19至26中任一項之座標偵測設備，其中該共同電極在該電阻膜移除區域內延伸。
  28. 如請求項19至26中任一項之座標偵測設備，其中該共同電極在該電阻膜移除區域附近延伸，且在該共同電極與該電阻膜移除區域之間的一距離係等於或大於0毫米且等於或小於5毫米。
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