JP2009265841A - 座標検出装置 - Google Patents

Abstract

【課題】正確な座標位置の検出が可能な座標検出装置を提供する。
【解決手段】抵抗膜と、前記抵抗膜に電圧を印加する共通電極と、前記共通電極に電圧を印加する電圧供給部とを有し、前記電圧供給部により前記共通電極を介し、前記抵抗膜に電位を供給することにより、前記抵抗膜に電位分布を発生させ、前記抵抗膜の接触位置の電位を検出することにより、前記抵抗膜の接触位置座標を検出する座標検出装置であって、前記抵抗膜は絶縁体からなる基板上に設けられており、前記抵抗膜の所定の領域を除去した抵抗膜除去領域上に前記共通電極が設けられていることを特徴とする座標検出装置を提供することにより上記課題を解決する。
【選択図】図２

Description

本発明は、座標検出装置に係り、特に、入力位置の座標を検出し、入力位置座標に応じた出力を行う座標検出装置に関する。

例えば、コンピュータシステムの入力デバイスとして、タッチパネルがある。タッチパネルは、ディスプレイ上に搭載されて、ディスプレイ上の座標位置を検出し、座標位置に応じた検出信号を取得できる。直接入力を可能として、簡単に、かつ、直感的な入力が可能となるタッチパネルがある。

タッチパネルには、抵抗膜方式、光学方式、容量結合方式など種々の方式が提案されている。タッチパネルとしては、構造がシンプルで、制御系も簡単な抵抗膜方式のものが一般的である。低抵抗方式のタッチパネルには、抵抗膜上への電極の配置の仕方により４線式、５線式、８線式等がある。

このうち、５線式のタッチパネルは、４線式や８線式の抵抗膜方式のタッチパネルと比較して、操作面側に配置される上部基板の導電膜は、単に電位読取専用となっているため、４線式や８線式の欠点であるエッジ摺動の課題がない。このため、厳しい使用環境や長期にわたる耐久年数が望まれる市場において使用されている。

図１０に５線式抵抗膜方式タッチパネルの構成図を示す。５線式抵抗膜方式タッチパネル１は、上部基板１１と下部基板１２から構成されている。下部基板１２には、ガラス基板２１上に透明抵抗膜２２が一面に形成されており、透明抵抗膜２２上にＸ軸座標検出用電極２３、２４及びＹ軸座標検出用電極２５、２６が形成されている。上部基板１１には、フィルム基板３１上に透明抵抗膜３２が形成されており、透明抵抗膜３２上に座標検出用電極３３が形成されている。

最初に、Ｘ軸座標検出用電極２３、２４に電圧を印加することにより、下部基板１２における透明抵抗膜２２のＸ軸方向に電位分布が発生する。このとき、下部基板１２の透明抵抗膜２２における電位を検出することにより、上部基板１１の下部基板１２への接触位置のＸ座標を検出することが可能となる。次に、Ｙ軸座標検出用電極２５、２６に電圧を印加することにより、下部基板１２における透明抵抗膜２２Ｙ軸方向に電位分布が発生する。このとき、下部基板１２の透明抵抗膜２２における電位を検出することにより、上部基板１１の下部基板１２への接触位置のＹ座標を検出することができる。

この際、この種のタッチパネルでは、下部基板１２の透明抵抗膜２２において、いかに均一に電位分布を発生させるかが課題となっている。下部基板１２の透明抵抗膜２２への電位分布を均一にするために、特許文献１では、電位分布補正パターンを周辺に複数段にわたって設ける方法が開示されている。

また、特許文献２では、入力面の周囲を囲むように共通電極を設ける方法が開示されており、特許文献３では、透明抵抗膜上に設けられた絶縁膜に開口部を形成し、その部分より電位を供給する方法が開示されている。
特開平１０−８３２５１号公報 特開２００１−１２５７２４号公報 特開２００７−２５９０４号公報

座標入力装置には、搭載装置などの小型化などから狭額化が求められている。しかるに、従来の座標入力装置は、電位分布パターンを周辺に複数段にわたって設ける必要があるため、狭額化が困難であった。

また、入力面の周囲を囲む用に共通電極を設ける方法では、透明抵抗膜とパターン抵抗との抵抗比を大きくとらないと透明抵抗膜の電位分布が乱れる等の問題点があった。

更に、形成された絶縁膜に開口部を設ける方法では、上記の２つの問題点を解決することができるものの、製造プロセスが複雑となり、特に、材料や製造上の抵抗値のバラツキにより、製品性能の歩留まりを低下させる要因となる場合があった。

本発明は上記点に鑑みてなされたものであり、狭額化が可能で、座標検出位置の検出精度を向上させることが可能な座標検出装置を提供することを目的とするものである。

本発明は、抵抗膜と、前記抵抗膜に電圧を印加する共通電極と、前記共通電極に電圧を印加する電圧供給部とを有し、前記電圧供給部により前記共通電極を介し、前記抵抗膜に電位を供給することにより、前記抵抗膜に電位分布を発生させ、前記抵抗膜の接触位置の電位を検出することにより、前記抵抗膜の接触位置座標を検出する座標検出装置であって、前記抵抗膜は絶縁体からなる基板上に設けられており、前記抵抗膜の所定の領域を除去した抵抗膜除去領域上に前記共通電極が設けられていることを特徴とする。

また、本発明は、抵抗膜と、前記抵抗膜に電圧を印加する共通電極と、前記共通電極に電圧を印加する電圧供給部とを有し、前記電圧供給部から前記共通電極に電圧を印加し、前記共通電極から前記抵抗膜に電位を供給することにより、前記抵抗膜に電位分布を発生させ、前記抵抗膜の接触位置の電位を検出することにより、前記抵抗膜の接触位置座標を検出する座標検出装置であって、前記抵抗膜の所定の領域を除去した抵抗膜除去領域が、前記共通電極に囲まれた領域の内側に、前記共通電極に沿って設けられており、前記共通電極の端と、前記抵抗膜除去領域の端の間隔が、０〔ｍｍ〕以上、５〔ｍｍ〕以下であることを特徴とする。

また、本発明は、前記抵抗膜の所定の領域を除去した第２の抵抗膜除去領域が、前記共通電極に囲まれた領域の内側に、前記共通電極に沿って設けられており、前記共通電極の端と、前記第２の抵抗膜除去領域の端との間隔が、０〔ｍｍ〕以上、５〔ｍｍ〕以下であることを特徴とする。

また、本発明は、前記共通電極上の所定の領域にコンタクトホールが設けられた絶縁膜が、前記共通電極上に形成されており、前記コンタクトホールに導電材料を埋め込むことにより、前記共通電極を介し前記抵抗膜に電圧を印加するための駆動電圧印加部が形成されていることを特徴とする。

また、本発明は、前記抵抗膜除去領域は、前記抵抗膜における電位分布が所定の電位分布となるように、数量、大きさ又は、形状が設定されていることを特徴とする。

また、本発明は、前記抵抗膜除去領域は、端部においては、前記共通電極と前記抵抗膜との接触面積が狭くなり、中央部においては、前記共通電極と前記抵抗膜との接触面積が広くなるように、数量、大きさ又は形状が設定されていることを特徴とする。

また、本発明は、前記抵抗膜除去領域は、端部においては、単位長さあたりに設けられる個数が少なく、中央部においては、単位長さあたりに設けられる個数が多くなるように、数量、大きさ又は形状が設定されていることを特徴とする。

また、本発明は、前記抵抗膜除去領域は複数設けられており、前記抵抗膜除去領域の形成される部分は、同一ピッチであり、前記抵抗膜除去領域の形状は、前記抵抗膜の電位分布が所定の分布となるように、設定されていることを特徴とする。

また、本発明は、前記抵抗膜除去領域は複数設けられており、隣接する前記抵抗膜除去領域間の間隔は一定であり、形成される前記抵抗膜除去領域の形成される部分のピッチは、前記抵抗膜の電位分布が所定の電位分布となるように、設定されていることを特徴とする。

また、本発明は、前記抵抗膜除去領域は同一形状であり、形成される前記抵抗膜除去領域の形成される部分のピッチは、前記抵抗膜の電位分布が所定の電位分布となるように、設定されていることを特徴とする。

また、本発明は、前記抵抗膜除去領域の配列形状は、湾曲に形成されていることを特徴とする。

また、本発明は、隣接する前記抵抗膜除去領域間の間隔が一定であり、前記抵抗膜除去領域の数は、前記抵抗膜の電位分布が所定の電位分布となるように、設定されていることを特徴とする。

また、本発明は、前記抵抗膜除去領域の形状は同一であり、前記抵抗膜除去領域の数は、前記抵抗膜の電位分布が所定の電位分布となるように、設定されていることを特徴とする。

また、本発明は、前記抵抗膜は、可視域において透明な材料により構成されており、前記抵抗膜除去領域は、前記抵抗膜に発光波長が赤外域または紫外域であるレーザー光を照射することにより形成されるものであることを特徴とする。

また、本発明は、前記共通電極は、非直線状に配線されていることを特徴とする。

また、本発明は、抵抗膜除去領域は、前記抵抗膜除去領域の周囲の抵抗膜を除去した部分と、前記部分の内側に形成される抵抗膜残存部とにより形成されるものであって、前記抵抗膜残存部は、前記抵抗膜とは電気的に絶縁された構造であることを特徴とする。

また、本発明は、層間絶縁膜を介して前記共通電極に積層された配線を有していることを特徴とする。

また、本発明は、抵抗膜方式または静電容量方式の座標位置を検出する座標位置手段を備えたことを特徴とする。

本発明によれば、共通電極から接続される透明抵抗膜の一部を除去することにより、透明抵抗膜に電位を供給する電位供給部を部分的に形成することや、供給された電位の分布を変化させることが可能である。これにより、透明抵抗膜上における電位の分布が均一となるように設定することが可能となり、座標位置の検出精度を向上させることが可能となる。

次に、本発明を実施するための最良の形態について、以下に説明する。
〔第１の実施の形態〕
本発明に係る第１の実施の形態について説明する。
（システム構成）
図１は、本実施の形態における座標検出装置におけるシステムの構成を示す。本実施の形態では、座標入力システム１００として、いわゆる５線式アナログ抵抗膜方式のタッチパネルについて説明する。本実施の形態における座標入力システム１００は、パネル部１１１とインタフェースボード１１２から構成されている。

パネル部は、１１１は、下部基板１２１、上部基板１２２、スペーサ１２３、ＦＰＣケーブル１２４から構成されている。下部基板１２１と上部基板１２２とは、スペーサ１２３を介して接着されている。スペーサ１２３は、絶縁性の両面テープなどから構成され、下部基板１２１と上部基板１２２との間に所定の間隙を持たせつつ、下部基板１２１と上部基板１２２とを接着する。また、ＦＣＰケーブル１２４は、フレキシブルプリント基板上に第１〜第５の配線を形成した構成とされており、下部基板１２１に例えば、異方性導電膜等を熱圧着することにより接続されている。
（下部基板１２１）
次に、下部基板１２１の構成を図２に基づき説明する。図２（Ａ）は下部基板１２１の平面図であり、図２（Ｂ）は線Ａ−Ａにおいて切断した断面図であり、図２（Ｃ）は線Ｂ−Ｂにおいて切断した断面図であり、図２（Ｄ）は線Ｃ−Ｃにおいて切断した断面図であり、図２（Ｅ）は線Ｄ−Ｄにおいて切断した断面図である。

下部基板１２１は、ガラス基板１３１、透明抵抗膜１３２、抵抗膜除去領域１３３、共通電極１３４、第１絶縁膜１３５、配線１３６、第２絶縁膜１３７から構成されている。ガラス基板１３１には、透明抵抗膜１３２が略全面にわたって形成されている。透明抵抗膜１３２としては、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等を真空蒸着等の手法により形成したものであり、可視域における光を透過すると共に、所定の抵抗を有する膜である。尚、本実施の形態では、抵抗膜除去領域１３３における透明抵抗膜１３２のすべてを除去した構成ではなく、抵抗膜除去領域１３３の周囲の透明抵抗膜１３２を除去することにより、抵抗膜除去領域１３３に残存する抵抗膜と、抵抗膜除去領域１３３の外側にある透明抵抗膜１３２との電気的な絶縁を取った構成のものである。このように、抵抗膜除去領域１３３内の透明抵抗膜と、この抵抗膜除去領域１３３以外の透明抵抗膜１３２との絶縁を取ることにより、抵抗膜除去領域１３３内の透明抵抗膜をすべて除去した場合と同様の効果が得られるものであり、除去する透明抵抗膜１３２が少ないためスループットが向上する。
（抵抗膜除去領域１３３）
抵抗膜除去領域１３３は、ガラス基板１３１の周縁部であって、共通電極１３４が形成される領域に設けられている。具体的には、透明抵抗膜１３２において抵抗膜除去領域１３３が形成されたものの上に、共通電極１３４が形成される。これにより、隣接する抵抗膜除去領域１３３間の透明抵抗膜１３２と共通電極１３４が接続され、電位供給部１４１が形成される。本実施の形態では、図３（ａ）に示すように、相互に隣接する抵抗膜除去領域１３３間の間隔Ｗ、即ち、後述するように、この間に形成される電位供給部１４１の幅は同一幅で形成されており、パネル部１２１における第１の辺１７１−１、第２の辺１７１−２、第３の辺１７１−３、第４の辺１７１−４の両端周辺においては、形成される抵抗膜除去領域１３３のピッチは広く、中心部に近づくに従い狭くなるように形成されている。具体的には、両端より中心部に向けて、抵抗膜除去領域１３３のピッチＰ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４・・・が、（Ｐ１＞Ｐ２＞Ｐ３＞Ｐ４・・・）となるように形成されている。
（電位供給部１４１）
電位供給部１４１は、相互に隣接する抵抗膜除去領域１３３間における透明抵抗膜１３２と共通電極１３４との接触領域において形成される。本実施の形態において、具体的に、図３（ｂ）に基づき説明すると、パネル部１２１における第１の辺１７１−１、第２の辺１７１−２、第３の辺１７１−３、第４の辺１７１−４の両端周辺においては、電位供給部１４１は広いピッチで形成され、中央部では狭いピッチで形成されている。このような構成にすることにより、電位分布が大きく内部に歪みやすい部位である第１の辺１７１−１、第２の辺１７１−２、第３の辺１７１−３、第４の辺１７１−４における電位分布の歪みを低減し、透明抵抗膜１３２における電位分布を均一にすることができる。これによって、正確な座標位置検出を行うことが可能となる。

尚、電位供給部１４１における形状は、図３（ｂ）に示す形状に限定されるものではなく、透明抵抗膜１３２の一部を除去することにより、透明抵抗膜１３２と共通電極１３４との接触する面積がパネル部１２１の第１の辺１７１−１、第２の辺１７１−２、第３の辺１７１−３、第４の辺１７１−４の両端で狭くなり、中央部で広くなるような構成であってもよい。
（共通電極１３４）
共通電極１３４は、例えば、Ａｇ−Ｃから構成されており、抵抗膜除去領域１３３及び、抵抗膜除去領域１３３間における透明抵抗膜１３２上に形成される。
（第１の絶縁膜１３５）
第１の絶縁膜１３５は、抵抗膜除去領域１３３の上部に共通電極１３４を覆うように積層し形成する。第１の絶縁膜１３５には、下部基板１２１の４つの角部に第１から第４の貫通孔１５１−１から１５１−４が形成されている。第１から第４の貫通孔１５１−１から１５１−４は、駆動電圧印加部を構成している。
（第１から第４の配線１３６−１から１３６−４）
第１の配線１３６−１は、例えば、Ａｇ等の低抵抗材料から構成されており、第１の絶縁膜１３５の上部に、下部基板１２１の第１辺１７１−１に沿って形成されている。このとき、第１の配線１３６−１は、第１の絶縁膜１３５に形成された第１の貫通孔１５１−１を埋めるように形成されている。また、第１の配線１３６−１は、ＦＰＣケーブル１２４の第１の配線に接続されている。

第２の配線１３６−２は、例えば、Ａｇ等の低抵抗材料から構成されており、第１の絶縁膜１３５の上部に、下部基板１２１の第１辺１７１−１に対向する第２辺１７１−２に沿って形成される。このとき、第２の配線１３６−２は、第１の絶縁膜１３５に形成された第２の貫通孔１５１−２を埋めるように形成されている。第２の配線１３６−２は、ＦＰＣケーブル１２４の第２の配線に接続されている。

第３の配線１３６−３は、例えば、Ａｇ等の低抵抗材料から構成されており、第１の絶縁膜１３５の上部に、下部基板１２１の第１の辺１７１−１、第２の辺１７１−２に直交する第３の辺１７１−３の第２の辺１７１−２側半分に沿って形成されている。第３の配線１３６−３は、第１の絶縁膜１３５に形成された第３の貫通孔１５１−３を埋めるように形成されている。また、第３の配線１３６−３は、ＦＰＣケーブル１２４の第３の配線に接続されている。

第４の配線１３６−４は、例えば、Ａｇ等の低抵抗材料から構成されており、第１の絶縁膜１３５の上部に、下部基板１２１の第１の辺１７１−１、第２の辺１７１−２に直交する第３の辺１７１−３の第２の辺１７１−１側半分に沿って形成されている。第４の配線１３６−４は、第１の絶縁膜１３５に形成された第３の貫通孔１５１−３を埋めるように形成されている。また、第４の配線１３６−４は、ＦＰＣケーブル１２４の第４の配線に接続されている。

第２の絶縁膜１３７は、第１の絶縁膜１３５の上部に第１の配線１３６−１、第２の配線１３６−２、第３の配線１３６−３、第４の配線１３６−４を覆うように形成されている。更に、第２の絶縁膜１３７の上部にスペーサ１２３を介し、上部基板１２２が接着される。
（上部基板１２２）
次に、上部電極１２２の構成について、図４に基づき説明する。上部基板１２２は、フィルム基板２１１、透明抵抗膜２１２、電極２１３により構成されている。フィルム基板２１１は、例えば、ＰＥＴ等の可撓性を有する樹脂フィルムから構成されている。フィルム基板２１１の下部基板１２１に対向する側の面には、その全面にわたって透明抵抗膜２１２が形成されている。透明抵抗膜２１２は、ＩＴＯなどの透明導電材料により構成されている。電極２１３は、上部基板１２２の透明抵抗膜２１２上、Ｘ１方向の端部に配置されており、不図示のコンタクトを介して下部基板１２１に接続されたＦＰＣケーブル１２４の第５の配線に接続されている。この上部基板１２２をプローブとして下部基板１２１の電位をインタフェースボード１１２により検出することにより座標位置が検出される。
（検出手順）
次に、本実施の形態の座標検出装置における座標位置検出の手順について説明する。

図５はインタフェースボード１１２の処理フローチャート、図６は下部基板１２１の電位分布を示す図を示す。図６（Ａ）はＸ座標検出時、図６（Ｂ）はＹ座標検出時の電位分布を示す。

インタフェースボード１１２は、ステップＳ１−１で第１の配線１３６−１及び第２の配線１３６−２に電圧Ｖｘを印加し、第３の配線１３６−３、第４の配線１３６−４を接地する。これによって、透明抵抗膜１３２に、図６（Ａ）に破線で示すような均等な電界分布を発生させることができる。なお、従来の電位分布は、図６（Ａ）に一点鎖線で示すように歪んでいた。よって、本実施例によれば、正確なＸ座標検出が可能となる。

次に、インタフェースボード１１２は、ステップＳ１−２で下部基板１２１の電位を検出し、ステップＳ１−３で下部基板１２１の電位に応じてＸ座標を検出する。

次に、インタフェースボード１１２は、ステップＳ１−４で第１の配線１３６−１及び第４の配線１３６−４に電圧Ｖｙを印加し、第２の配線１３６−２、第３の配線１３６−３を接地する。これによって、透明抵抗膜１３２に、図６（Ｂ）に破線で示すような均等な電界分布を発生させることができる。なお、従来の電位分布は、図６（Ｂ）に一点鎖線で示すように歪んでいた。よって、本実施例によれば、正確なＹ座標検出が可能となる。

次に、インタフェースボード１１２はステップＳ１−５で下部基板１２１の電位を検出し、ステップＳ１−６で下部基板１２１の電位に応じてＹ座標を検出する。

本実施例によれば、共通電極１３４上に配線１３６−１〜１３６−４を積層した構成とされているため、パネル部１２１を狭額化することができる。

また、電源供給部１４１により下部基板１２１の透明抵抗膜１３２に、Ｘ軸座標検出時又はＹ座標検出時に印加される電位分布を検出領域で均等にできるため、正確な座標検出可能となる。

なお、上記実施例では、５線式抵抗膜方式アナログタッチパネルについて説明したが、これに限定されるものではなく、４線式抵抗膜方式、７線式抵抗膜方式などの他のタッチパネルにも適用可能である。
〔第２の実施の形態〕
本実施の形態は、本発明に係る座標検出装置における抵抗膜除去領域１３３のパターン、及び、隣接する抵抗膜除去領域１３３間に形成される電源供給部１４１のパターンが異なる構成、並びに、抵抗膜除去領域１３３と共通電極１３４とが重ならない構成の座標検出装置に関するものである。具体的に、本発明に係る抵抗膜除去領域１３３と電源供給部１４１の構成について説明する。
（第２の実施の形態１）
図７（ａ）は、抵抗膜除去領域１３３の形状は同一形状であり、同一幅ＷＨで、パネル部１２１の第１辺１７１−１、第２辺１７１−２、第３辺１７１−３、第４辺１７１−４の両端では、細かいピッチＰＨ１、中心部では、広いピッチＰＨ２により形成されている。このように抵抗膜除去領域１３３を形成したものの上に、共通電極１４１を形成することにより、パネル部１２１の上記辺の両端においては、透明抵抗膜１３２と共通電極１３４との接触する面積が狭くなり、中央部では広くなるような電位供給部１４１が形成される。これにより、パネル部１２１の第１辺１７１−１、第２辺１７１−２、第３辺１７１−３、第４辺１７１−４の両端部の電位分布の歪みを低減して、透明抵抗膜１３２における電位分布を均一にすることができ、正確な座標検出が可能となる。
（第２の実施形態２）
次に、図７（ｂ）に示すように、電位供給部１４１の幅Ｅが同一となるように、抵抗膜除去領域１３３を形成するものであって、パネル部１２１の第１辺１７１−１、第２辺１７１−２、第３辺１７１−３、第４辺１７１−４の両端では、広いピッチＰＨ１、中心部では、細かいピッチＰＨ２により形成するものである。このように抵抗膜除去領域１３３を形成したものの上に、共通電極１３４を形成することにより、透明抵抗膜１３２と共通電極１３４とにより形成される電位供給部１４１の面積は一定であるが、パネル部１２１の上記辺の両端においては、電位供給部１４１が疎に形成され、中央部では密になるように形成される。これにより、パネル部１２１の第１辺１７１−１、第２辺１７１−２、第３辺１７１−３、第４辺１７１−４の両端部の電位分布の歪みを低減して、透明抵抗膜１３２における電位分布を均一にすることができ、正確な座標検出が可能となる。
（第２の実施形態３）
次に、図７（ｃ）に示すように、抵抗膜除去領域１３３の形成されるピッチＰＴを一定とし、パネル部１２１の第１辺１７１−１、第２辺１７１−２、第３辺１７１−３、第４辺１７１−４の両端では、抵抗膜除去領域１３３の幅ＷＨ１が広くなるよう形成し、中心部では、抵抗膜除去領域１３３の幅ＷＨ２が狭くなるように形成したものである。このように抵抗膜除去領域１３３の形成された透明抵抗層１３２上に共通電極１３４を形成することにより、パネル部１２１の上記辺の両端における透明抵抗膜１３２と共通電極１３４とにより形成される電位供給部１４１の幅Ｅ１は狭く形成され、中央部における電位供給部１４１の幅Ｅ２は広く形成される。従って、電位供給部１４１の面積は、パネル部１２１の上記辺の両端においては狭く形成され、中央部では広く形成される。これにより、パネル部１２１の第１辺１７１−１、第２辺１７１−２、第３辺１７１−３、第４辺１７１−４の両端部の電位分布の歪みを低減して、透明抵抗膜１３２における電位分布を均一にすることができ、正確な座標検出が可能となる。
（第２の実施形態４）
次に、図８（ａ）に示すように、パネル部１２１の第１辺１７１−１、第２辺１７１−２、第３辺１７１−３、第４辺１７１−４において、抵抗膜除去領域１３３及び共通電極１３４を内側方向に湾曲させた形状としたものである。具体的には、抵抗膜除去領域１３３及び共通電極１３４は、各々の辺の両端部近傍では、パネル部１２１の中心から離れた位置に形成され、中心部では、パネル部１２１の中心から近い位置に形成されたものである。これにより、パネル部１２１の第１辺１７１−１、第２辺１７１−２、第３辺１７１−３、第４辺１７１−４の両端部の電位分布の歪みを低減して、透明抵抗膜１３２における電位分布を均一にすることができ、正確な座標検出が可能となる。
（第２の実施形態５）
次に、図８（ｂ）に示すように、透明抵抗膜１３２上の抵抗膜除去領域１３３が形成されている外側の領域に共通電極１３４が形成されている構成のものである。即ち、この場合では、抵抗膜除去領域１３３と共通電極１３４とは重なることはない。尚、形成される抵抗膜除去領域１３３のパターンは、第２の実施の形態１から３のいずれの形態であってもよい。このような抵抗膜除去領域１３３を形成することにより、パネル部１２１の第１辺１７１−１、第２辺１７１−２、第３辺１７１−３、第４辺１７１−４の両端では、共通電極１３４から供給される電位の影響を受けにくくなり、中心部においては、共通電極１３４から供給される電位の影響を受けやすくなる。これにより、パネル部１２１の第１辺１７１−１、第２辺１７１−２、第３辺１７１−３、第４辺１７１−４の両端部の電位分布の歪みを低減して、透明抵抗膜１３２における電位分布を均一にすることができ、正確な座標検出が可能となる。尚、共通電極１３４と抵抗膜除去領域１３３とが重ならないように形成する場合においては、共通電極１３４と抵抗膜除去領域１３３との間隔Ｓは、上述の効果を得るためには、０〔ｍｍ〕以上、５〔ｍｍ〕以下で形成する必要がある。
（第２の実施形態６）
次に、図８（ｃ）に示すように、抵抗膜除去領域１３３上に共通電極１３４が形成されたものにおいて、更に、共通電極１３４の形成された領域の内側に、第２の抵抗膜除去領域２３３が形成された構成のものである。具体的には、第２の実施の形態１、２又は３と第５の実施の形態を組み合わせた構成のものである。これにより、パネル部１２１の第１辺１７１−１、第２辺１７１−２、第３辺１７１−３、第４辺１７１−４の両端部の電位分布の歪みをより一層低減し、透明抵抗膜１３２における電位分布を均一にすることができ、より正確な座標検出が可能となる。以上、本実施の形態では一列の場合を示したが、更に内側に複数段設けた構成であってもよい。
〔第３の実施の形態〕
本実施の形態は、座標検出装置の製造方法に関するものであり、具体的には、下部基板１２１の製造プロセスに関するものである。図９は下部基板１２１をするための製造工程図である。

最初に、図９（ａ）に示すように、ガラス基板１３１上にＩＴＯなどの透明抵抗膜１３２をスパッタリング又は真空蒸着等によって形成する。

次に、図９（ｂ）に示すように、透明抵抗膜１３２に抵抗膜除去領域１３３を形成する。具体的には、透明抵抗膜１３２において、透明抵抗膜１３２を除去する領域に、紫外線（ＵＶ）レーザー光や赤外線レーザー光を照射することにより、アブレーションや、熱により蒸発させて除去する。また、透明抵抗膜１３２の抵抗膜除去領域１３３以外の領域にレジストパターンを形成した後、塩酸やリン酸といったケミカルエッチングによりエッチングすることによっても形成可能である。

次に、図９（ｃ）に示すように透明抵抗膜１３２上にＡｇ−Ｃからなる共通電極１３４を形成する。具体的には、Ａｇ−Ｃを含むペーストを用いスクリーン印刷により印刷した後、ベークをすることにより形成する。これにより、隣接する抵抗膜除去領域１３３間の透明抵抗膜１３２上に電位供給部１４１が形成される。

次に、図９（ｄ）に示すように第１から第４の貫通孔１５１−１〜１５１−４を有する第１の絶縁膜１３５を形成する。具体的には、絶縁ペーストを用いスクリーン印刷法によりパターン印刷したのち、ベークを行うことにより形成する。

次に、図９（ｅ）に示すように第１の絶縁膜１３５上にＡｇからなる第１から第４の配線１３６−１〜１３６−４を形成する。具体的には、Ａｇを含む導電ペーストをスクリーン印刷法によりパターン印刷した後、ベークを行うことにより形成する。

次に、図８（ｆ）に示すように第２の絶縁膜１３７を形成する。具体的には、絶縁ペーストを用いスクリーン印刷法によりパターン印刷したのち、ベークを行うことにより形成する。

以上により下部基板１２１を作製することができる。

以上、本発明の実施に係る形態について説明したが、上記内容は、発明の内容を限定するものではない。

本発明の一実施例のシステム構成図 パネル部１１１の構成図 電源供給部１４１の要部平面図 上部基板１２２の構成図 インタフェースボード１１２の処理フローチャート 下部基板１２１の電位分布の状態図 第２の実施の形態における電源供給部１４１の要部平面図（１） 第２の実施の形態における電源供給部１４１の要部平面図（２） 下部基板１２１の製造プロセスの工程図 ５線式抵抗膜方式タッチパネルの構成図

符号の説明

１００ 座標入力システム
１１１ パネル部
１１２ インタフェースボード
１２１ 下部基板
１２２ 上部基板
１２３ スペーサ
１２４ ＦＰＣケーブル
１３１ ガラス基板
１３２ 透明抵抗膜
１３３ 抵抗膜除去領域
１３４ 共通電極
１３５ 第１の絶縁膜
１３６−１〜１３６−４ 配線
１３７ 第２の絶縁膜
１４１ 電位供給部

Claims (18)

1. 抵抗膜と、前記抵抗膜に電圧を印加する共通電極と、前記共通電極に電圧を印加する電圧供給部とを有し、前記電圧供給部により前記共通電極を介し、前記抵抗膜に電位を供給することにより、前記抵抗膜に電位分布を発生させ、前記抵抗膜の接触位置の電位を検出することにより、前記抵抗膜の接触位置座標を検出する座標検出装置であって、
   前記抵抗膜は絶縁体からなる基板上に設けられており、前記抵抗膜の所定の領域を除去した抵抗膜除去領域上に前記共通電極が設けられていることを特徴とする座標検出装置。
2. 抵抗膜と、前記抵抗膜に電圧を印加する共通電極と、前記共通電極に電圧を印加する電圧供給部とを有し、前記電圧供給部から前記共通電極に電圧を印加し、前記共通電極から前記抵抗膜に電位を供給することにより、前記抵抗膜に電位分布を発生させ、前記抵抗膜の接触位置の電位を検出することにより、前記抵抗膜の接触位置座標を検出する座標検出装置であって、
   前記抵抗膜の所定の領域を除去した抵抗膜除去領域が、前記共通電極に囲まれた領域の内側に、前記共通電極に沿って設けられており、
   前記共通電極の端と、前記抵抗膜除去領域の端の間隔が、０〔ｍｍ〕以上、５〔ｍｍ〕以下であることを特徴とする座標検出装置。
3. 前記抵抗膜の所定の領域を除去した第２の抵抗膜除去領域が、前記共通電極に囲まれた領域の内側に、前記共通電極に沿って設けられており、
   前記共通電極の端と、前記第２の抵抗膜除去領域の端との間隔が、０〔ｍｍ〕以上、５〔ｍｍ〕以下であることを特徴とする請求項１に記載の座標検出装置。
4. 前記共通電極上の所定の領域にコンタクトホールが設けられた絶縁膜が、前記共通電極上に形成されており、前記コンタクトホールに導電材料を埋め込むことにより、前記共通電極を介し前記抵抗膜に電圧を印加するための駆動電圧印加部が形成されていることを特徴とする請求項1から３のいずれかに記載の座標検出装置。
5. 前記抵抗膜除去領域は、前記抵抗膜における電位分布が所定の電位分布となるように、数量、大きさ又は、形状が設定されていることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の座標検出装置。
6. 前記抵抗膜除去領域は、端部においては、前記共通電極と前記抵抗膜との接触面積が狭くなり、中央部においては、前記共通電極と前記抵抗膜との接触面積が広くなるように、数量、大きさ又は形状が設定されていることを特徴とする請求項５に記載の座標検出装置。
7. 前記抵抗膜除去領域は、端部においては、単位長さあたりに設けられる個数が少なく、中央部においては、単位長さあたりに設けられる個数が多くなるように、数量、大きさ又は形状が設定されていることを特徴とする請求項５に記載の座標検出装置。
8. 前記抵抗膜除去領域は複数設けられており、前記抵抗膜除去領域の形成される部分は、同一ピッチであり、前記抵抗膜除去領域の形状は、前記抵抗膜の電位分布が所定の分布となるように、設定されていることを特徴とする請求項５から７のいずれかに記載の座標検出装置。
9. 前記抵抗膜除去領域は複数設けられており、隣接する前記抵抗膜除去領域間の間隔は一定であり、形成される前記抵抗膜除去領域の形成される部分のピッチは、前記抵抗膜の電位分布が所定の電位分布となるように、設定されていることを特徴とする請求項５から７のいずれかに記載の座標検出装置。
10. 前記抵抗膜除去領域は複数設けられており、前記抵抗膜除去領域は同一形状であり、形成される前記抵抗膜除去領域の形成される部分のピッチは、前記抵抗膜の電位分布が所定の電位分布となるように、設定されていることを特徴とする請求項５から７のいずれかに座標検出装置。
11. 前記抵抗膜除去領域の配列形状は、湾曲に形成されていることを特徴とする請求項５から７のいずれかに記載の座標検出装置。
12. 隣接する前記抵抗膜除去領域間の間隔が一定であり、前記抵抗膜除去領域の数は、前記抵抗膜の電位分布が所定の電位分布となるように、設定されていることを特徴とする請求項５から７のいずれかに記載の座標検出装置。
13. 前記抵抗膜除去領域の形状は同一であり、前記抵抗膜除去領域の数は、前記抵抗膜の電位分布が所定の電位分布となるように、設定されていることを特徴とする請求項５から７のいずれかに記載の座標検出装置。
14. 前記抵抗膜は、可視域において透明な材料により構成されており、前記抵抗膜除去領域は、前記抵抗膜に発光波長が赤外域または紫外域であるレーザー光を照射することにより形成されるものであることを特徴とする請求項１から１３のいずれかに記載の座標検出装置。
15. 前記共通電極は、非直線状に配線されていることを特徴とする請求項１から１４のいずれかに記載の座標検出装置。
16. 抵抗膜除去領域は、前記抵抗膜除去領域の周囲の抵抗膜を除去した部分と、前記部分の内側に形成される抵抗膜残存部とにより形成されるものであって、前記抵抗膜残存部は、前記抵抗膜とは電気的に絶縁された構造であることを特徴とする請求項１から１５のいずれかに記載の座標検出装置。
17. 層間絶縁膜を介して前記共通電極に積層された配線を有していることを特徴とする請求項請求項1から１６のいずれかに記載の座標検出装置。
18. 抵抗膜方式または静電容量方式の座標位置を検出する座標位置手段を備えたことを特徴とする請求項１から１７のいずれかに記載の座標検出装置。

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