TWI412989B - 座標檢測裝置之製造設備及製造設備 - Google Patents

Description

座標檢測裝置之製造設備及製造設備

本發明係關於一種用於控制一座標檢測裝置之製造設備。

此申請案係基於並主張於2008年5月15日申請之先前日本專利申請案第2008-128140號的優先權之利益，該申請案的全部內容係以引用的方式併入本文中。

例如，已知一觸控面板，作為用於電腦系統的輸入裝置。一觸控面板可加以安裝於一顯示裝置上，且可以係如此以致：檢測在該顯示裝置上的一座標位置，並且可獲得依據該座標位置的一檢測信號。因此，該觸控面板使得直接輸入依據該座標位置的該檢測信號至該電腦系統可行，且因此該觸控面板使得實行容易且直覺輸入可行。

對於一觸控面板，建議各種類型，諸如一電阻膜類型、一光學類型、一電容耦合類型等等。在此類觸控面板當中，該電阻膜類型之一觸控面板係常見的，其具有一簡單配置且需要一簡單控制系統。該電阻膜類型觸控面板可以係用以佈置電極於一電阻膜上的四線類型、五線類型、八線類型或許多不同類型。

在此等類型當中，該五線類型觸控面板沒有關於邊緣滑動的問題，邊緣滑動可以係該四線類型觸控面板或八線類型觸控面板之問題。此係因為在五線類型觸控面板中，佈置於一操作表面側上的一上基板之一導電膜係僅用於讀取一電位。因此，該五線類型觸控面板係用於需要針對長期之艱難操作環境或耐用性的市場。

圖9繪示五線類型電阻膜類型觸控面板之一配置的一範例。圖9中繪示的五線類型電阻膜類型觸控面板1包括一上基板11及一下基板12。在下基板12中，一透明電阻膜22係形成於一玻璃基板21的整個區域上，且X軸檢測電極23、24及Y軸座標檢測電極25、26係形成於透明電阻膜22上。在上基板11中，一透明電阻膜32係形成於一膜基板31上，且一座標檢測電極33係形成於該透明電阻膜32上。

在五線類型電阻膜類型觸控面板1中，首先將一電壓施加在X軸座標檢測電極23與24之間。因此，一電位分佈沿下基板12之透明電阻膜22的一X軸方向X1-X2出現。接著，藉由檢測其中上基板11與下基板12接觸之一位置處的下基板12之透明電阻膜22的一電位，可以檢測其中上基板11與下基板12接觸之該位置的一X座標。接著，將一電壓施加在Y軸座標檢測電極25與26之間。因此，一電位分佈沿下基板12之透明電阻膜22的一Y軸方向Y1-Y2出現。接著，藉由檢測其中上基板11與下基板12接觸之一位置處的下基板12之透明電阻膜22的一電位，可以檢測其中上基板11與下基板12接觸之該位置的一Y座標。

此時，在此一類型的觸控面板中，如何能沿下基板12之透明電阻膜22的X軸方向X1-X2及Y軸方向Y1-Y2之每一者均勻地建立電位分佈可能係一問題。一種作為解決該問題的方法，日本特許公開專利申請案第10-83251號(稱為專利文件1)揭示一種在一電阻膜之周邊提供電位分佈校正圖案之複數個級的方法。

日本特許公開專利申請案第2001-125724號(稱為專利文件2)揭示一種提供環繞一輸入表面之周邊的一共同電極之方法。日本特許公開專利申請案第2007-25904號(稱為專利文件3)揭示形成設置於一透明電阻膜上之一絕緣膜中的開口部分，並且提供一種自該等開口部分的一電位之方法。

應注意，可能需要減小此一座標檢測裝置之大小，因為需要其中安裝該座標檢測裝置的一裝置之大小減小。依據專利文件1中揭示的一座標檢測裝置，可能難以減小該座標檢測裝置之大小，因為在該電阻膜之周邊中提供電位分佈校正圖案之該複數個級，如上所述。

在藉由專利文件2揭示的用以提供環繞如上所述的一輸入表面之周邊的一共同電極之方法中，一透明電阻膜之電位分佈可能會扭曲，除非增加該透明電阻膜與一圖案電阻的電阻比。

在藉由專利文件3揭示的用以形成設置於一透明電阻膜上之一絕緣膜中的開口部分之方法中，儘管可解決上述兩個問題，但是可能需要複雜製程。特別地，產品效能之產量可能會因為可在製造期間出現的一材料或一電阻值的可能變化而降級。

本發明已考量上述幾點加以設計，且本發明之一目的係提供一製造設備以致可以製造具有減小大小並且具有帶有高生產力之改良座標位置檢測能力的一座標檢測裝置。

依據本發明，提供一種用於製造一座標檢測裝置的一座標檢測裝置之製造設備。該座標檢測裝置具有形成於一基板上的一電阻膜以及施加一電壓至該電阻膜的一共同電極。在該座標檢測裝置中，在該電阻膜中建立一電位分佈，檢測該電阻膜在一探針所接觸之一位置處之一電位，以及檢測該電阻膜之該位置的一座標。該製造設備包括：一雷射光源，其照射雷射光以移除該電阻膜之一部分來形成一電阻膜移除部分；一光學系統，其會聚該雷射光；複數個探針，其在一電壓經由該共同電極而施加於該電阻膜的狀態下，測量該電阻膜之一表面的電位；一X-Y台，其至少二維地移動該基板；以及一控制部分，其控制該X-Y台及該雷射光源。

本具體實施例之額外目的及優點係在下文說明中部份提出，且部份將自該說明變為明顯，或者可藉由本發明之實務加以習得。將藉由隨附的申請專利範圍中特定指出的元件及組合來實現並取得本發明之目的及優點。應瞭解，上述一般說明及下列實施方式兩者僅係範例性及解釋性的且未限制本發明，如申請專利範圍中所述。

依據一較佳具體實施例，提供一種用於製造一座標檢測裝置之製造設備。該座標檢測裝置包括形成於一基板上的一電阻膜以及施加一電壓至該電阻膜的一共同電極。在該座標檢測裝置中，在該電阻膜上建立一電位分佈，檢測其中一探針所接觸之一位置處的該電阻膜之一電位，且檢測該電阻膜上之該位置的一座標。該製造設備包括：一雷射光源，其照射雷射光以移除該電阻膜之一部分並且形成一電阻膜移除部分；一光學系統，其會聚該雷射光；複數個探針，其在該共同電極提供一電壓至該電阻膜的狀態中測量該電阻膜之一表面上的電位；一X-Y台，其至少二維地移動該基板；以及一控制部分，其實行該X-Y台及該雷射光源之控制。

在該較佳具體實施例中的該製造設備中，該座標檢測裝置之該基板可由透射該雷射光的一絕緣材料製成，且該雷射光可藉由自相對於上面形成該電阻膜的該座標檢測裝置之該基板之一表面的該座標檢測裝置之該基板之一表面的雷射光源來照射。

此外，在該較佳具體實施例中的該製造設備中，該複數個探針可加以設置於相對於上面提供該雷射光源的該座標檢測裝置之該基板之一側的該座標檢測裝置之該基板之一側上。

此外，在該較佳具體實施例中的該製造設備中，該座標檢測裝置之該電阻膜可由包括ITO(氧化銦錫)、或氧化銦、氧化錫或氧化鋅之一材料製成。

此外，在該較佳具體實施例中的該製造設備中，該座標檢測裝置之該基板及該電阻膜在一可見區中可以係透明的。

此外，在該較佳具體實施例中的該製造設備中，該雷射光之一波長可落在340[奈米]與420[奈米]之間的一範圍內。

此外，在該較佳具體實施例中的該製造設備中，該雷射光源可以係一準分子雷射。

在該較佳具體實施例中，可以提供該製造設備，藉由該製造設備可以製造具有一減小大小並且具有帶有高生產力之改良座標檢測能力的一座標檢測裝置。

現在參考圖1更明確說明在該較佳具體實施例中的該製造設備。

[製造設備]

該較佳具體實施例中的該製造設備包括：一X-Y台51，其具有二維地移動一座標檢測裝置之一玻璃基板131的功能；一雷射光源52；一光學系統，其用以會聚藉由雷射光源51發射的雷射光至由ITO或此類物製成的該座標檢測裝置之一透明電阻膜132或如此形成於該座標檢測裝置之玻璃基板131上；以及一控制電路54，其控制X-Y台51之移動以及雷射光源52之振盪之時序。控制電路54及X-Y台51係藉由用於一控制信號、電源供應等之通信的一電纜55而連接在一起，並且控制電路54及雷射光源52係藉由用於一控制信號、電源供應等之通信的一電纜56而連接在一起。此外，提供探針57以及用於測量透明電阻膜132上的電位之一電位測量單元58。在其中經由未繪示的稍後將加以說明的該座標檢測裝置之一共同電極134將一電壓施加於透明電阻膜132，並且在使用探針57的情況下測量透明電阻膜132上之電位的狀態中使探針57與透明電阻膜132上之一表面接觸。

如稍後將說明，移除該座標檢測裝置之透明電阻膜132的對應部分以基於在使用探針57的情況下如此測量之透明電阻膜132上的電位之資訊來形成電阻膜移除部分133。基於經由共同電極134施加一電壓於透明電阻膜132以用於測量透明電阻膜132上的電位之目的，如上所述，探針57包括用於施加一電壓於共同電極134的探針。當說明一製造方法時將稍後說明基於測量的電位之資訊來移除透明電阻膜132之對應部分以形成電阻膜移除部分133之一特定方法。

應注意，採用將雷射光源52定位在相對於上面形成透明電阻膜132之一側的玻璃基板131之一側上的方式將上面形成透明電阻膜132的該座標檢測裝置之玻璃基板131設定至X-Y台51。此外，將探針57及電位測量單元58設定在相對於上面設置雷射光源52的玻璃基板131之一側的上面形成透明電阻膜132的玻璃基板131之一側上。應注意，基於解釋目的，採用誇大厚度繪示圖1中繪示的玻璃基板131及透明電阻膜132。

如上所述，在相對於上面設置雷射光源52之側的玻璃基板131之側上設置探針57及電位測量單元58。因此，可以藉由雷射光源52來照射雷射光而不考慮探針57及電位測量單元58之存在。因此，該製造設備中的一配置之一自由度會改良，且同樣，可以採用較少限制在該製造設備中實行工作。因此，可以改良工作效率。

在如以上參考圖1所說明而配置的製造設備中，在X-Y台51上放置在上面形成透明電阻膜132的該座標檢測裝置之玻璃基板131。在X-Y台51二維地移動玻璃基板131的此狀態中，雷射光源52採用雷射光照射透明電阻膜132之一預定區域以形成電阻膜移除部分133。雷射光源52在該具體實施例中係一準分子雷射，且藉由雷射光源52發射的雷射光之一波長係約355[nm]。玻璃基板131透射該波長之雷射光，但是射透明電阻膜132相對於該波長之雷射光具有低透射率。因此，在如此照射該波長之雷射光的預定區域中，玻璃基板131透射該雷射光，且如此具有低透射率的透明電阻膜132吸收該雷射光。因此，因如此照射的雷射光，藉由剝蝕自已如此照射該雷射光之預定區域中的玻璃基板131之表面移除透明電阻膜132。因此，每一電阻膜移除部分133係形成為在除透明電阻膜132中鑽製的一孔。

明確地說，如圖2中所繪示，玻璃基板131之透射率及透明電阻膜132之透射率相對於一光波長係不同的。特別地，在355[nm]波長周圍，存在此一波長區：在玻璃基板131的透射率與透明電阻膜132的透射率之間的差異係較大，其中玻璃基板131透射雷射光但是透明電阻膜132相對於該雷射光具有低透射率。儘管特定數值在透明電阻膜132之特定材料當中係稍微不同，但是落在340[nm]與420[nm]之間之一範圍內的一波長係藉由玻璃基板131透射，且能用以針對電阻膜移除部分133而移除透明電阻膜132。藉由本發明者自經驗觀察獲得此事實。在該具體實施例中，在基礎下，355[nm]之波長的雷射光係用以針對電阻膜移除部分133而移除透明電阻膜132。

因此，在該具體實施例中的該製造設備中，針對電阻膜移除部分133而移除形成於玻璃基板131上的透明電阻膜132之預定區域。其中如此移除透明電阻膜132的每一預定區域具有一形狀以致(如稍後所說明)使透明電阻膜132中的電位分佈能均勻。在該具體實施例中，使用ITO作為透明電阻膜132之材料。此外，相反地，包括氧化銦、氧化錫或氧化鋅且在可見區中係透明的此一材料可用作透明電阻膜132之一材料。同樣在此一情況下，能獲得與在其中將ITO用作該具體實施例中的透明電阻膜132之材料之情況下相同的效應。

[座標檢測裝置及座標檢測裝置之製造方法]

接著，將說明藉由該具體實施例中的該製造設備所製造的一座標檢測裝置。明確地說，藉由該具體實施例中的該製造設備來製造稍後所說明的一下基板121。

(系統配置)

圖3繪示一具體實施例中的該座標檢測裝置中的一系統之一配置。將說明五線類型電阻膜類型觸控面板，作為該具體實施例中的座標檢測裝置100。該具體實施例中的座標檢測裝置100包括一面板部分111及一介面板112。

面板部分111包括下基板121、一上基板122、一間隔物123及一FPC(撓性印刷電路)電纜124。下基板121及上基板122係經由間隔物123接合在一起。間隔物123係由一絕緣雙面膠帶或此類物製成。在將一預定間隔保持在下基板121與上基板122之間的此一狀態中，間隔物123將下基板121及上基板122接合在一起。FPC電纜124具有在一撓性印刷電路板上形成第一至第五線的此一配置。FPC電纜124係因(例如)在使用各向異性導電膜或此類物情況下所實行的熱壓縮接合而連接至下基板121。

(下基板121)

接著，將參考圖4A、4B、4C、4D及4E說明下基板121之一配置。圖4A繪示下基板121之一平面圖。圖4B繪示沿線4B-4B截取的下基板121之一斷面圖。圖4C繪示沿線4C-4C截取的下基板121之一斷面圖。圖4D繪示沿線4D-4D截取的下基板121之一斷面圖。圖4E繪示沿線4E-4E截取的下基板121之一斷面圖。

下基板121包括玻璃基板131、透明電阻膜132、電阻膜移除部分133、一共同電極134、一第一絕緣膜135、第一至第四線136-1、136-2、136-3及136-4以及一第二絕緣膜137。在玻璃基板131上，透明電阻膜132係近似全部形成於玻璃基板131的區域之上。透明電阻膜132可因(例如)由藉由真空沈積方法或類似方法形成的ITO或此類物製成的一膜透射可見區之光並且具有一預定電阻而形成。

(電阻膜移除部分133)

電阻膜移除部分133係形成於玻璃基板131之周邊中的透明電阻膜132之位置處，至其中形成共同電極134的一區域之內部中。如圖5中所繪示，在電阻膜移除部分133之每一鄰近者之間的一間隔W係彼此相等的。如稍後將說明，在電阻膜移除部分133之每一鄰近者之間的間隔W對應於稍後說明的電位提供部分141。在電阻膜移除部分133之每一鄰近者之間的一間距在面板部分121之一矩形形狀的一第一側171-1、一第二側171-2、一第三側171-3及一第四側171-4之每一者的兩端之每一者周圍係較長，且隨著接近在第一至第四側171-1、171-2、171-3及171-4之每一者的兩端之間的中心而變為較短，如圖4A及5中所繪示。明確地說，自兩端之每一者至第一至第四側171-1、171-2、171-3及171-4之每一者的中心，電阻膜移除部分133之間距P1、P2、P3、P4、...係如此以致P1>P2>P3>P4、...，如圖5中所繪示。

(電位提供部分141)

上述電位提供部分141之每一者係留在電阻膜移除部分133之每一鄰近者之間的透明電阻膜132之一部分，其中移除透明電阻膜132，如上所述。透過電位提供部分141，自共同電極134提供電位至透明電阻膜132的整個區域。在該具體實施例中，明確地說，參考圖4A、4B、4C、4D、4E及5，在電位提供部分141之每一鄰近者之間的一間距在面板部分121之第一至第四側171-1、171-2、171-3及171-4之每一者的兩端之每一者周圍係較長，且隨著接近在第一至第四側171-1、171-2、171-3及171-4之每一者的兩端之間的中心而變為較短。藉由如此配置電位提供部分141，可以減小其中電位分佈很可能會顯著扭曲之第一至第四側171-1、171-2、171-3及171-4周圍的電位分佈之扭曲(若有)。因此，可以藉由配置電位提供部分141來使建立於透明電阻膜132上的電位分佈均勻，如上所述。因此，可以精確地檢測座標檢測裝置100中的一座標位置。

應注意，電阻膜移除部分133之特定形狀並不限於圖4A、4B、4C、4D、4E及5中所繪示的形狀。因此只要藉由電阻膜移除部分133或電位提供部分141之功能而使建立於透明電極膜132上的電位分佈均勻，電阻膜移除部分133就可具有任一形狀。

(共同電極134)

共同電極134係由(例如)Ag-C製成，且係形成於在電阻膜移除部分133外面的透明電阻膜132上。

如圖4A中所繪示，共同電極134沿下基板121之矩形形狀的四個側171-1、171-2、171-3及171-4延伸。

(第一絕緣膜135)

第一絕緣膜135係以第一絕緣膜135係設置於電阻膜移除部分133之上並且覆蓋共同電極134的此一方式來形成。第一絕緣膜135具有形成於其中的在下基板121之矩形形狀的各別四個邊角中的四個通孔151-1、151-2、151-3及151-4。第一至第四通孔151-1、151-2、151-3及151-4用作驅動電壓施加部分。

(第一至第四線136-1至136-4)

第一線136-1係由諸如Ag之低電阻材料製成，且係連同下基板121之第一側171-1而形成於第一絕緣膜135上。第一線136-1進一步延伸以嵌入在形成於第一絕緣膜135中的第一通孔151-1中以在其中提供第一通孔151-1之一第一邊角處與共同電極134連接，如圖4C中所繪示。此外，第一線136-1係連接至在圖3中繪示之FPC電纜124中包括的對應第一線。

同樣地，第二線136-2係由諸如Ag之低電阻材料製成，且係連同相對於下基板121之第一側171-1的第二側171-2而形成於第一絕緣膜135上。第二線136-2進一步延伸以嵌入在形成於第一絕緣膜135中的第二通孔151-2中以在其中提供第二通孔151-2之一第二邊角處與共同電極134連接。此外，第二線136-2係連接至圖3中繪示之FPC電纜124中包括的對應第二線。

一第三線136-3係由諸如Ag之低電阻材料製成，且係連同第二側171-2之側上的第三側171-3之一半而形成於第一絕緣膜135上，第三側171-3係垂直於下基板121之第一側171-1及第二側171-2。第三線136-3進一步延伸以嵌入在形成於第一絕緣膜135中的第三通孔151-3中以在其中提供第三通孔151-3之一第三邊角處與共同電極134連接。此外，第三線136-3係連接至圖3中繪示之FPC電纜124中包括的對應第三線。

一第四線136-4係由諸如Ag之低電阻材料製成，且係連同第一側171-1之側上的下基板121之第三側171-3之一半而形成於第一絕緣膜135上。第四線136-4進一步延伸以嵌入在形成於第一絕緣膜135中的第四通孔151-4中以在其中提供第四通孔151-4之一第四邊角處與共同電極134連接。此外，第四線136-4係連接至圖3中繪示之FPC電纜124中包括的對應第四線。

第二絕緣膜137係形成於第一絕緣膜135上以覆蓋第一至第四線136-1、136-2、136-3及136-4。此外，上基板122係經由圖3中繪示的間隔物123接合於第二絕緣膜137之上。

(上基板122)

接著，將參考圖6A及6B說明上基板122之一配置。圖6A繪示上基板122之俯視圖，且圖6B繪示上基板122之斷面圖。應注意圖6B中繪示的上基板122係在於解說目的而採用誇大厚度來繪示。上基板122包括一膜基板211、一透明電阻膜212及一電極213。膜基板211係由(例如)具有諸如PET(聚對苯二甲酸乙二酯)的材料之撓性的樹脂膜製成。

在相對於下基板121的膜基板211之一側上，在膜211的整個區域中形成透明電阻膜212。透明電阻膜212係由諸如ITO的透明導電材料製成。

電極213係在如圖6A及6B中繪示的X1方向之一端處佈置於上基板122之透明電阻膜212上。電極213係經由一接點(未繪示)連接至FPC電路124之第五線。應注意FPC電纜124係亦與如圖3中繪示的下基板121連接。將上基板122用作探針，且藉由介面板112檢測設置於其中上基板122所接觸之下基板121上的透明電阻膜132上的電位。因此，在座標檢測裝置100中檢測一座標位置。

(檢測程序)

接著，將說明檢測該具體實施例中的座標檢測裝置100中的一座標位置之一程序。圖7繪示藉由介面板112實行的一操作之流程圖。圖8A及8B繪示在設置於下基板121上之透明電阻膜132上建立的電位分佈。圖8A繪示當檢測一X座標時沿X方向X1-X2建立的電位分佈。圖8B繪示當檢測一Y座標時沿Y方向Y1-Y2建立的電位分佈。

應注意，在座標檢測裝置100中，如圖3中繪示，間隔物123係插入在下基板121與上基板122之間，並且因此，上基板122係採用如上所述的預定間隔自形成於下基板121上的透明電阻膜132分開。在該狀態中，當向下(在方向Z2上)按壓上基板122上的某一位置時，上基板122在某位置處與透明電阻膜132接觸。

在步驟S1-1中，介面板112施加一電壓Vx於第一線136-1及第二線136-2，且接地第三線136-3及第四線136-4。因此，將電壓Vx施加於共同電極134之第一邊角及第二邊角(對應於第一通孔151-1及第二通孔151-2)，且接地共同電極134之第三邊角及第四邊角(對應於第三通孔151-3及第四通孔151-4)。因此，沿共同電極134之四個側建立電位分佈。接著，自如此建立電位分佈所沿的共同電極134之四個側，經由電位提供部分141之各別者提供電位至透明電阻膜132之內部。因此，在透明電阻膜132上建立沿如藉由圖8A中的虛線繪示之方向X1-X2係均勻的電位分佈。應注意，在先前技術中，一電位分佈可能會扭曲，如藉由圖8A中的點劃線所繪示。依據該具體實施例中的座標檢測裝置，藉由電阻膜移除部分133或電位提供部分141之功能來避免此扭曲，且能實行一X座標之精確檢測。

接著，在步驟S1-2中，介面板112經由上基板122及FPC電纜124之第五線檢測其中上基板122與透明電阻膜132接觸之上述某位置處的透明電阻膜132上之電位。接著，在步驟S1-3中，介面板112基於形成於下基板121上之透明電阻膜132上的如此檢測電位來獲得一對應X座標。

接著，在步驟S1-4中，介面板112施加一電壓Vy於第一線136-1及第四線136-4，且接地第二線136-2及第三線136-3。因此，將電壓Vy施加於共同電極134之第一邊角及第四邊角(對應於第一通孔151-1及第四通孔及151-4)，且接地共同電極134之第二邊角及第三邊角(對應於第二通孔151-2及第三通孔及151-3)。因此，沿共同電極134之四個側建立電位分佈。接著，自如此建立電位分佈所沿的共同電極134之四個側，經由電位提供部分141之各別者提供電位至透明電阻膜132之內部。因此，在透明電阻膜132上建立沿如藉由圖8B中的虛線繪示之方向Y1-Y2係均勻的電位分佈。應注意，在先前技術中，一電位分佈可能會扭曲，如藉由圖8B中的點劃線所繪示。依據該具體實施例中的座標檢測裝置，藉由電阻膜移除部分133或電位提供部分141之功能來避免此扭曲，且能實行一X座標之精確檢測。

接著，在步驟S1-5中，介面板112經由上基板122及FPC電纜124之第五線檢測其中上基板122與透明電阻膜132接觸之上述某位置處的透明電阻膜132上之電位。接著，在步驟S1-6中，介面板112基於形成於下基板121上之透明電阻膜132上的如此檢測電位來獲得一對應Y座標。

因此，在依據該具體實施例的座標檢測裝置中，第一至第四線136-1、136-2、136-3及136-4係層壓於共同電極134之上，如圖4B、4C及4E中所繪示，並且因此可以減小面板部分111之大小。此外，藉由形成電阻膜移除部分133，能沿方向X1-X2或方向Y1-Y2使當檢測一X座標或一Y座標時在下基板121上的透明電阻膜132上建立的電位分佈均勻，如以上參考圖8A及8B所述。因此，可以實行精確的座標檢測。

(製造方法)

接著，將說明藉由在用於製造以上說明的該座標檢測裝置之具體實施例中的製造設備加以實行的一製造方法。明確地說，將參考圖4A、4B、4C、4D及4E說明用於製造上述下基板121之一製造方法。

首先，在玻璃基板131上，以濺鍍方法、真空沈積方法或類似方法形成由ITO或此類物製成的透明電阻膜132。

接著，在透明電阻膜132上形成由Ag-C或此類物製成的共同電極134。明確地說，使用包括Ag-C或此類物的膏，實行網版印刷以形成一對應圖案，並且接著實行烘烤。因此，形成共同電極134。

接著，在透明電阻膜132上形成電阻膜移除部分133。明確地說，在使用參考圖1說明的製造設備情況下，透過玻璃基板131，照射雷射光至其中將移除透明電阻膜132之透明電阻膜132上的對應位置。因此，藉由剝蝕，在用於電阻膜移除部分133之上述對應位置處移除透明電阻膜132。此時，藉由X-Y台51移除玻璃基板131之一位置，藉由雷射光源52基於控制電路54之一信號來照射雷射光，並且因此在用於電阻膜移除部分133之上述對應位置處移除透明電阻膜132。

如以上參考圖1所述，基於藉由探針57及電位測量單元58測量的電位之資訊來實行用以形成電阻膜移除部分133的透明電阻膜132之對應部分的移除。明確地說，存在兩種方法。一第一方法係如此以致：首先在使用探針57及電位測量單元58的情況下經由共同電極134將一電壓施加於透明電阻膜132。因此，藉由探針57及電位測量單元58來測量如此顯現於透明電阻膜132上的電位。依據如此獲得的電位，能獲得針對方向X1-X2及方向Y1-Y2之每一者(如圖8A或8B中繪示的方向)在透明電阻膜132上建立的一電位分佈。基於如此獲得的電位分佈，以當在如此獲得的電位分佈中包括扭曲時，將取消扭曲之此一方式來決定電阻膜移除部分133之實際配置。接著，依據電阻膜移除部分133之如此決定的實際配置，在使用雷射光源52及X-Y台51的情況下形成電阻膜移除部分133。

一第二方法係如此以致：在實行上述第一方法之後，在使用探針57及電位測量單元58的情況下經由共同電極134將一電壓再次施加於透明電阻膜132。接著，藉由探針57及電位測量單元58再次測量如此顯現於透明電阻膜132上的電位，且依據如此獲得的電位，能獲得針對方向X1-X2及方向Y1-Y2之每一者在透明電阻膜132上建立的電位分佈。基於如此獲得的電位分佈，若扭曲仍保留於電位分佈中，則以將取消其餘扭曲之此一方式來修改在該第一方法中已經決定的電阻膜移除部分133之上述實際配置。接著，依據如此修改的配置，在使用雷射光源52及X-Y台51的情況下校正在該第一方法中已經形成的電阻膜移除部分133。

接著，形成具有第一至第四通孔151-1、151-2、151-3及151-4之第一絕緣膜135。明確地說，使用一絕緣膏，實行網版印刷以形成一對應圖案，並且接著實行烘烤。因此，形成第一絕緣膜135。

接著，在第一絕緣膜135上形成由Ag或此類物製成的第一至第四線136-1、136-2、136-3及136-4。明確地說，使用包括Ag之導電膏，實行網版印刷以形成一對應圖案，並且接著實行烘烤。因此，形成第一至第四線136-1、136-2、136-3及136-4。

接著，形成第二絕緣膜137。明確地說，使用一絕緣膏，實行網版印刷以形成一對應圖案，並且接著實行烘烤。因此，形成第二絕緣膜137。

因此，製造下基板121。

(製造設備之控制電路)

圖54中繪示的控制電路54可包括一電腦，其控制該控制電路54之操作以致控制電路54能自動地實行上述第一方法或第二方法以致在使用探針57及電位測量單元58的情況下測量透明電阻膜132上的電位，決定電阻膜移除部分133的配置並且在使用雷射光源52及X-Y台51的情況下形成電阻膜移除部分133。

圖10繪示可應用為控制電路54可包括的上述電腦之一電腦的一方塊圖。如圖10中所繪示，該電腦包括：一CPU 1110，其用於藉由執行寫入於程式中的指令來實行各種操作；一輸入部分1130(例如一鍵盤、一滑鼠等等)，其供一操作者用以輸入操作內容或資料；一顯示部分1140(例如一CRT、一液晶顯示裝置或此類物)，其用於向該操作者顯示CPU 1110之一處理程序、一處理結果或此類物；一記憶體1120(例如一ROM、一RAM等等)，其用於儲存待藉由CPU 1110執行的程式，或用作CPU 1110之一工作區域；一硬碟機1150，其用於儲存程式、資料等等；一CD-ROM光碟機1160，其用於在使用一CD-ROM 1161作為一資訊記錄媒體的情況下自外面載入程式或資料；以及一數據機1170，其用於經由一通信網路1180(例如網際網路、LAN或類似物)自一外部伺服器下載程式或此類物。

圖10中繪示的電腦載入或下載具有指令的程式，該等指令用於使CPU 1110實行上述第一方法或第二方法以在使用探針57及電位測量單元58的情況下測量透明電阻膜132上的電位，決定電阻膜移除部分133的配置並且依據寫入於該程式中的指令在使用雷射光源52及X-Y台51的情況下形成電阻移除部分133。CD-ROM 1161可用作用於載入該程式的一資訊記錄媒體。同樣，通信網路1180可用於下載該程式。該程式係接著安裝於硬碟機1150中，載入於記憶體1120上，且係藉由CPU 1110來執行。因此，該電腦實行上述第一方法或第二方法以在使用探針57及電位測量單元58的情況下測量透明電阻膜132上的電位，決定電阻膜移除部分133的配置並且在使用雷射光源52及X-Y台51的情況下形成電阻膜移除部分133。

本文中敘述的所有範例及條件語句係旨在用於教導目的以幫助讀者理解本發明及藉由發明者為促進技術所貢獻的概念，並且視為不限於此類明確敍述的範例及條件，該說明書中的此類範例之組織亦與本發明的優劣性之一顯示無關。儘管已詳細說明本發明之具體實施例，但是應瞭解能對本發明進行各種變更、替換及改變而不脫離本發明之精神及範疇。

1．．．五線類型電阻膜類型觸控面板

4B-4B．．．線

4C-4C．．．線

4D-4D．．．線

4E-4E．．．線

11．．．上基板

12．．．下基板

21．．．玻璃基板

22．．．透明電阻膜

23．．．X軸檢測電極

24．．．X軸檢測電極

25．．．Y軸座標檢測電極

26．．．Y軸座標檢測電極

31．．．膜基板

32．．．透明電阻膜

51．．．X-Y台

52．．．雷射光源

54．．．控制電路

55．．．電纜

56．．．電纜

57．．．探針

58．．．電位測量單元

100．．．座標檢測裝置

111．．．面板部分

112．．．介面板

121．．．下基板

122．．．上基板

123．．．間隔物

124．．．電纜

131．．．玻璃基板

132．．．透明電阻膜

133．．．電阻膜移除部分

134．．．共同電極

135．．．第一絕緣膜

136-1．．．第一線

136-2．．．第二線

136-3．．．第三線

136-4．．．第四線

137．．．第二絕緣膜

141．．．電位提供部分

151-1．．．第一通孔

151-2．．．第二通孔

151-3．．．第三通孔

151-4．．．第四通孔

171-1．．．第一側

171-2．．．第二側

171-3．．．第三側

171-4．．．第四側

211．．．第一基板

212．．．透明電阻膜

213．．．電極

1110．．．CPU

1120．．．記憶體

1130．．．輸入部分

1140．．．顯示部分

1150．．．硬碟機

1160．．．CD-ROM光碟機

1161．．．CD-ROM

1170．．．數據機

1180．．．通信網路

P1．．．間距

P2．．．間距

P3．．．間距

P4．．．間距

Vx．．．電壓

Vy．．．電壓

W．．．間隔

X1．．．方向

X1-X2．．．X軸方向

Y1-Y2．．．Y軸方向

Z2．．．方向

圖1繪示一具體實施例中的一製造設備之一配置；圖2繪示在一玻璃基板與一透明電阻膜之波長與透射率之間的一關係；圖3繪示藉由該具體實施例中的該製造設備所製造的一座標檢測裝置之一配置；圖4A、4B、4C、4D及4E繪示圖1中繪示的該座標檢測裝置之一面板部分的一配置；圖5繪示圖4A、4B、4C、4D及4E中繪示的該座標檢測裝置之電阻膜移除部分的一部分平面圖；圖6A及6B繪示圖1中繪示的該座標檢測裝置之一上基板的一配置；圖7繪示藉由圖1中繪示的該座標檢測裝置之一介面板所實行的操作之一流程圖；圖8A及8B繪示圖1中繪示的該座標檢測裝置之一下基板中的電位分佈之狀態；圖9繪示先前技術中的五線類型電阻膜類型觸控面板之一配置；以及圖10繪示圖1中繪示的一控制電路可包括的一電腦之一方塊圖。

51．．．X-Y台

52．．．雷射光源

54．．．控制電路

55．．．電纜

56．．．電纜

57．．．探針

58．．．電位測量單元

131．．．玻璃基板

132．．．透明電阻膜

133．．．電阻膜移除部分

Claims (8)

1. 一種座標檢測裝置之製造設備，其包含：複數個探針，其用來接觸一電阻膜之一表面以測量經由該座標檢測裝置之一共同電極而被施加電壓的該電阻膜之該表面的電位，該電阻膜在一可見區中係透明的，並且形成於該座標檢測裝置之一透明玻璃基板之一個表面上；一雷射光源，其自該透明玻璃基板之與上述一個表面相反之表面朝向該電阻膜並透過該透明玻璃基板地照射雷射光，以基於該複數個探針所測量的上述電位移除該電阻膜的一部分並且形成一電阻膜移除部分；一光學系統，其會聚該雷射光；一X-Y台，其至少二維地移動該座標檢測裝置之該基板；及一控制部分，其控制該X-Y台及該雷射光源。
2. 如請求項1之座標檢測裝置之製造設備，其中：該電阻膜係由包括ITO、或氧化銦、氧化錫或氧化鋅的一材料製成。
3. 如請求項1之座標檢測裝置之製造設備，其中：該雷射光之一波長落在340[nm]與420[nm]之間的範圍內。
4. 如請求項1之座標檢測裝置之製造設備，其中：該控制部分經配置為控制該X-Y台及該雷射光源以在沿該共同電極的一位置處形成該電阻膜移除部分，而控 制經由該共同電極提供至該電阻膜的電位以使建立於該電阻膜上的一電位分佈均勻。
5. 一種座標檢測裝置之製造設備，該座標檢測裝置包含一透明玻璃基板，該透明玻璃基板包括形成於其一個表面上的一電阻膜，該製造設備包含：複數個探針，其用來接觸該電阻膜之一表面以測量經由該座標檢測裝置之一共同電極而被施加電壓的該電阻膜之該表面的電位，該電阻膜形成於該透明玻璃基板之上述一個表面上；一雷射光源，其自該透明玻璃基板之與上述一個表面相反之表面朝向該電阻膜並透過該透明玻璃基板地照射雷射光，以自該透明玻璃基板移除該電阻膜的一部分，其中該雷射光之一波長落在340[nm]與420[nm]之間的範圍內；一光學系統，其朝向該電阻膜會聚該雷射光；一X-Y台，其在X-Y平面移動該透明玻璃基板；及一控制部分，其控制該X-Y台及該雷射光源，其中該控制部分基於該複數個探針所測量的上述電位控制該雷射光源照射該雷射光。
6. 如請求項5之座標檢測裝置之製造設備，其中：該電阻膜係透明電阻膜。
7. 一種製造設備，其自一透明玻璃基板移除一電阻膜，該製造設備包含：複數個探針，其每一者配置於一位置，用來接觸該電 阻膜之一表面以測量經由一共同電極而被施加電壓的該電阻膜之該表面的電位，該電阻膜形成於該透明玻璃基板之一個表面上；一雷射光源，其配置於與該透明玻璃基板之與上述一個表面相反之另一表面相面對之位置，並且透過該透明玻璃基板而朝向該電阻膜照射雷射光，以自該透明玻璃基板之上述一個表面移除該電阻膜的一部分一光學系統，其朝向該電阻膜會聚該雷射光；及一控制部分，其基於該複數個探針所測量的上述電位控制來自該雷射光源之該雷射光的照射。
8. 如請求項7之製造設備，其中：該雷射光之一波長落在340[nm]與420[nm]之間的範圍內。