JP2009277046A - 座標検出装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】精度の高い座標検出装置の製造方法を提供する。
【解決手段】抵抗膜と、抵抗膜に電圧を印加する共通電極と、共通電極より前記抵抗膜に電位を供給することにより、抵抗膜に電位分布を発生させ、抵抗膜の接触位置の電位を検出することにより、抵抗膜の接触位置座標を検出する座標検出装置の製造方法において、絶縁体からなる基板上に形成されている抵抗膜上に、フォトレジストを塗布する工程と、所定のマスクを介して露光光を照射し、その後現像することによりレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンの形成されていない領域の抵抗膜を除去し、抵抗膜除去領域を形成する工程と、レジストパターンを除去する工程と、抵抗膜除去領域上に、前記共通電極を形成する工程と、からなることを特徴とする座標検出装置の製造方法を提供することにより上記課題を解決する。
【選択図】図７

Description

本発明は、座標検出装置の製造方法に係り、特に、入力位置の座標を検出し、入力位置座標に応じた出力を行う座標検出装置の製造方法に関する。

例えば、コンピュータシステムの入力デバイスとして、タッチパネルがある。タッチパネルは、ディスプレイ上に搭載されて、ディスプレイ上の座標位置を検出し、座標位置に応じた検出信号を取得できる。直接入力を可能として、簡単に、かつ、直感的な入力が可能となるものである。

タッチパネルには、抵抗膜方式、光学方式、容量結合方式など種々の方式が提案されている。タッチパネルとしては、構造がシンプルで、制御系も簡単な抵抗膜方式のものが一般的である。低抵抗方式のタッチパネルには、抵抗膜上への電極の配置の仕方により４線式、５線式、８線式等がある。

このうち、５線式のタッチパネルは、４線式や８線式の抵抗膜方式のタッチパネルと比較して、操作面側に配置される上部基板の導電膜は、単に電位読取専用となっているため、４線式や８線式の欠点であるエッジ摺動の課題がない。このため、厳しい使用環境や長期にわたる耐久年数が望まれる市場において使用されている。

図１５に５線式抵抗膜方式タッチパネルの構成図を示す。５線式抵抗膜方式タッチパネル１は、上部基板１１と下部基板１２から構成されている。下部基板１２には、ガラス基板２１上に透明抵抗膜２２が一面に形成されており、透明抵抗膜２２上にＸ軸座標検出用電極２３、２４及びＹ軸座標検出用電極２５、２６が形成されている。上部基板１１には、フィルム基板３１上に透明抵抗膜３２が形成されており、透明抵抗膜３２上に座標検出用電極３３が形成されている。

最初に、Ｘ軸座標検出用電極２３、２４に電圧を印加することにより、下部基板１２における透明抵抗膜２２のＸ軸方向に電位分布が発生する。このとき、下部基板１２の透明抵抗膜２２における電位を検出することにより、上部基板１１の下部基板１２への接触位置のＸ座標を検出することが可能となる。次に、Ｙ軸座標検出用電極２５、２６に電圧を印加することにより、下部基板１２における透明抵抗膜２２Ｙ軸方向に電位分布が発生する。このとき、下部基板１２の透明抵抗膜２２における電位を検出することにより、上部基板１１の下部基板１２への接触位置のＹ座標を検出することができる。

この際、この種のタッチパネルでは、下部基板１２の透明抵抗膜２２において、いかに均一に電位分布を発生させるかが課題となっている。下部基板１２の透明抵抗膜２２への電位分布を均一にするために、特許文献１では、電位分布補正パターンを周辺に複数段にわたって設ける方法が開示されている。

また、特許文献２では、入力面の周囲を囲むように共通電極を設ける方法が開示されており、特許文献３では、透明抵抗膜上に設けられた絶縁膜に開口部を形成し、その部分より電位を供給する方法が開示されている。
特開平１０−８３２５１号公報 特開２００１−１２５７２４号公報 特開２００７−２５９０４号公報

座標入力装置には、搭載装置などの小型化などから狭額化が求められている。しかしながら、特許文献１に記載されている座標入力装置は、電位分布パターンを周辺に複数段にわたって設ける必要があるため、狭額化が困難であった。

また、特許文献２に記載されている入力面の周囲を囲む用に共通電極を設ける方法では、透明抵抗膜とパターン抵抗との抵抗比を大きくとらないと透明抵抗膜の電位分布が乱れる等の問題点があった。

更に、特許文献３に記載されている形成された絶縁膜に開口部を設ける方法では、上記の２つの問題点を解決することができるものの、製造プロセスが複雑となり、特に、材料や製造上の抵抗値のバラツキにより、製品性能の歩留まりを低下させる要因となる場合があった。

本発明は上記点に鑑みてなされたものであり、狭額化され、座標位置の検出精度を向上させた座標検出装置を高い歩留まりで製造することが可能な製造方法を提供することを目的とするものである。

本発明は、抵抗膜と、前記抵抗膜に電圧を印加する共通電極と、前記共通電極より前記抵抗膜に電位を供給することにより、前記抵抗膜に電位分布を発生させ、前記抵抗膜の接触位置の電位を検出することにより、前記抵抗膜の接触位置座標を検出する座標検出装置の製造方法において、絶縁体からなる基板上に形成されている前記抵抗膜上に、フォトレジストを塗布する工程と、塗布されたレジストに対し、所定のマスクを介して露光光を照射し、その後現像することによりレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンの形成されていない領域の前記抵抗膜を除去し、抵抗膜除去領域を形成する工程と、前記抵抗膜除去領域を形成した後、レジストパターンを除去する工程と、前記レジストパターンを除去した後、抵抗膜除去領域上に、前記共通電極を形成する工程と、からなることを特徴とする。

また、本発明は、抵抗膜と、前記抵抗膜に電圧を印加する共通電極と、前記共通電極より前記抵抗膜に電位を供給することにより、前記抵抗膜に電位分布を発生させ、前記抵抗膜の接触位置の電位を検出することにより、前記抵抗膜の接触位置座標を検出する座標検出装置の製造方法において、絶縁体からなる基板上に形成されている前記抵抗膜上に、フォトレジストを塗布する工程と、塗布されたレジストに対し、所定のマスクを介して露光光を照射し、その後現像することによりレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンの形成されていない領域の前記抵抗膜を除去し、抵抗膜除去領域を形成する工程と、からなる座標検出装置の製造方法であって、前記抵抗膜除去領域の外側には前記共通電極が形成されており、前記共通電極の端と、前記抵抗膜除去領域の端の間隔が、０〔ｍｍ〕以上、５〔ｍｍ〕以下であることを特徴とする。

また、本発明は、前記抵抗膜を除去する工程は、酸を用いたウエットエッチングであることを特徴とする。

また、本発明は、前記抵抗膜を除去する工程は、ドライエッチングであることを特徴とする。

また、本発明は、抵抗膜と、前記抵抗膜に電圧を印加する共通電極と、前記共通電極より前記抵抗膜に電位を供給することにより、前記抵抗膜に電位分布を発生させ、前記抵抗膜の接触位置の電位を検出することにより、前記抵抗膜の接触位置座標を検出する座標検出装置の製造方法において、絶縁体からなる基板上に形成されている前記抵抗膜上における前記抵抗膜を除去する抵抗膜除去領域となる領域上にエッチングペーストを印刷する工程と、熱処理を行うことにより、前記エッチングペーストの形成された領域における抵抗膜を除去する工程と、前記熱処理を行った後、残存する前記エッチングペーストを除去する工程と、前記抵抗膜除去領域上に、前記共通電極を形成する工程と、からなることを特徴とする。

また、本発明は、抵抗膜と、前記抵抗膜に電圧を印加する共通電極と、前記共通電極より前記抵抗膜に電位を供給することにより、前記抵抗膜に電位分布を発生させ、前記抵抗膜の接触位置の電位を検出することにより、前記抵抗膜の接触位置座標を検出する座標検出装置の製造方法において、絶縁体からなる基板上に形成されている前記抵抗膜上における前記抵抗膜が除去される抵抗膜除去領域となる領域上にエッチングペーストを印刷する工程と、熱処理を行うことにより、前記エッチングペーストの形成された領域における抵抗膜を除去する工程と、前記熱処理を行った後、残存する前記エッチングペーストを除去する工程と、からなる座標検出装置の製造方法であって、前記抵抗膜除去領域の外側には前記共通電極が形成されており、前記共通電極の端と、前記抵抗膜除去領域の端の間隔が、０〔ｍｍ〕以上、５〔ｍｍ〕以下であることを特徴とする。

また、本発明は、抵抗膜除去領域は、前記抵抗膜除去領域の周囲の抵抗膜を除去した部分と、前記部分の内側に形成される抵抗膜残存部とにより形成されるものであって、前記抵抗膜残存部は、前記抵抗膜とは電気的に絶縁された構造であることを特徴とする。

本発明によれば、透明抵抗膜の一部を除去することにより、透明抵抗膜の電位分布を均一にすることが可能な座標検出装置を高い歩留まりで製造することが可能となる。

次に、本発明を実施するための最良の形態について、以下に説明する。

〔第１の実施の形態〕
本発明に係る第１の実施の形態について説明する。本実施の形態は、座標検出装置の製造方法に関するものである。最初に本実施の形態により製造される座標検出装置について説明する。

（システム構成）
図１は、本実施の形態における座標検出装置におけるシステムの構成を示す。本実施の形態では、座標入力システム１００として、いわゆる５線式アナログ抵抗膜方式のタッチパネルについて説明する。本実施の形態における座標入力システム１００は、パネル部１１１とインタフェースボード１１２から構成されている。

パネル部は、１１１は、下部基板１２１、上部基板１２２、スペーサ１２３、ＦＰＣケーブル１２４から構成されている。下部基板１２１と上部基板１２２とは、スペーサ１２３を介して接着されている。スペーサ１２３は、絶縁性の両面テープなどから構成され、下部基板１２１と上部基板１２２との間に所定の間隙を持たせつつ、下部基板１２１と上部基板１２２とを接着する。また、ＦＰＣケーブル１２４は、フレキシブルプリント基板上に第１〜第５の配線を形成した構成とされており、下部基板１２１に例えば、異方性導電膜等を熱圧着することにより接続されている。

（下部基板１２１）
次に、下部基板１２１の構成を図２に基づき説明する。図２（Ａ）は下部基板１２１の平面図であり、図２（Ｂ）は線Ａ−Ａにおいて切断した断面図であり、図２（Ｃ）は線Ｂ−Ｂにおいて切断した断面図であり、図２（Ｄ）は線Ｃ−Ｃにおいて切断した断面図であり、図２（Ｅ）は線Ｄ−Ｄにおいて切断した断面図である。

下部基板１２１は、ガラス基板１３１、透明抵抗膜１３２、抵抗膜除去領域１３３、共通電極１３４、第１絶縁膜１３５、配線１３６、第２絶縁膜１３７から構成されている。ガラス基板１３１には、透明抵抗膜１３２が略全面にわたって形成されている。透明抵抗膜１３２としては、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等を真空蒸着等の手法により形成したものであり、可視域における光を透過すると共に、所定の抵抗を有する膜である。尚、本実施の形態では、抵抗膜除去領域１３３における透明抵抗膜１３２のすべてを除去した構成ではなく、抵抗膜除去領域１３３の周囲の透明抵抗膜１３２を除去することにより、抵抗膜除去領域１３３に残存する抵抗膜と、抵抗膜除去領域１３３の外側にある透明抵抗膜１３２との電気的な絶縁を取った構成のものである。このように、抵抗膜除去領域１３３内の透明抵抗膜と、この抵抗膜除去領域１３３以外の透明抵抗膜１３２との絶縁を取ることにより、抵抗膜除去領域１３３内の透明抵抗膜をすべて除去した場合と同様の効果が得られるものであり、除去する透明抵抗膜１３２が少ないためスループットが向上する。

（抵抗膜除去領域１３３）
抵抗膜除去領域１３３は、ガラス基板１３１の周縁部であって、共通電極１３４が形成される領域に設けられている。具体的には、透明抵抗膜１３２において抵抗膜除去領域１３３が形成されたものの上に、共通電極１３４が形成される。これにより、隣接する抵抗膜除去領域１３３間の透明抵抗膜１３２と共通電極１３４が接続され、電位供給部１４１が形成される。本実施の形態では、図３（ａ）に示すように、相互に隣接する抵抗膜除去領域１３３間の間隔Ｗ、即ち、後述するように、この間に形成される電位供給部１４１の幅は同一幅で形成されており、パネル部１２１における第１の辺１７１−１、第２の辺１７１−２、第３の辺１７１−３、第４の辺１７１−４の両端周辺においては、形成される抵抗膜除去領域１３３のピッチは広く、中心部に近づくに従い狭くなるように形成されている。具体的には、両端より中心部に向けて、抵抗膜除去領域１３３のピッチＰ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４・・・が、（Ｐ１＞Ｐ２＞Ｐ３＞Ｐ４・・・）となるように形成されている。

（電位供給部１４１）
電位供給部１４１は、相互に隣接する抵抗膜除去領域１３３間における透明抵抗膜１３２と共通電極１３４との接触領域において形成される。本実施の形態において、具体的に、図３（ｂ）に基づき説明すると、パネル部１２１における第１の辺１７１−１、第２の辺１７１−２、第３の辺１７１−３、第４の辺１７１−４の両端周辺においては、電位供給部１４１は広いピッチで形成され、中央部では狭いピッチで形成されている。このような構成にすることにより、電位分布が大きく内部に歪みやすい部位である第１の辺１７１−１、第２の辺１７１−２、第３の辺１７１−３、第４の辺１７１−４における電位分布の歪みを低減し、透明抵抗膜１３２における電位分布を均一にすることができる。これによって、正確な座標位置検出を行うことが可能となる。

尚、電位供給部１４１における形状は、図３（ｂ）に示す形状に限定されるものではなく、透明抵抗膜１３２の一部を除去することにより、透明抵抗膜１３２と共通電極１３４との接触する面積がパネル部１２１の第１の辺１７１−１、第２の辺１７１−２、第３の辺１７１−３、第４の辺１７１−４の両端で狭くなり、中央部で広くなるような構成であってもよい。

（共通電極１３４）
共通電極１３４は、例えば、Ａｇ−Ｃから構成されており、抵抗膜除去領域１３３及び、抵抗膜除去領域１３３間における透明抵抗膜１３２上に形成される。

（第１の絶縁膜１３５）
第１の絶縁膜１３５は、抵抗膜除去領域１３３の上部に共通電極１３４を覆うように積層し形成する。第１の絶縁膜１３５には、下部基板１２１の４つの角部に第１から第４の貫通孔１５１−１から１５１−４が形成されている。第１から第４の貫通孔１５１−１から１５１−４は、駆動電圧印加部を構成している。

（第１から第４の配線１３６−１から１３６−４）
第１の配線１３６−１は、例えば、Ａｇ等の低抵抗材料から構成されており、第１の絶縁膜１３５の上部に、下部基板１２１の第１辺１７１−１に沿って形成されている。このとき、第１の配線１３６−１は、第１の絶縁膜１３５に形成された第１の貫通孔１５１−１を埋めるように形成されている。また、第１の配線１３６−１は、ＦＰＣケーブル１２４の第１の配線に接続されている。

第２の配線１３６−２は、例えば、Ａｇ等の低抵抗材料から構成されており、第１の絶縁膜１３５の上部に、下部基板１２１の第１辺１７１−１に対向する第２辺１７１−２に沿って形成される。このとき、第２の配線１３６−２は、第１の絶縁膜１３５に形成された第２の貫通孔１５１−２を埋めるように形成されている。第２の配線１３６−２は、ＦＰＣケーブル１２４の第２の配線に接続されている。

第３の配線１３６−３は、例えば、Ａｇ等の低抵抗材料から構成されており、第１の絶縁膜１３５の上部に、下部基板１２１の第１の辺１７１−１、第２の辺１７１−２に直交する第３の辺１７１−３の第２の辺１７１−２側半分に沿って形成されている。第３の配線１３６−３は、第１の絶縁膜１３５に形成された第３の貫通孔１５１−３を埋めるように形成されている。また、第３の配線１３６−３は、ＦＰＣケーブル１２４の第３の配線に接続されている。

第４の配線１３６−４は、例えば、Ａｇ等の低抵抗材料から構成されており、第１の絶縁膜１３５の上部に、下部基板１２１の第１の辺１７１−１、第２の辺１７１−２に直交する第３の辺１７１−３の第２の辺１７１−１側半分に沿って形成されている。第４の配線１３６−４は、第１の絶縁膜１３５に形成された第３の貫通孔１５１−３を埋めるように形成されている。また、第４の配線１３６−４は、ＦＰＣケーブル１２４の第４の配線に接続されている。

第２の絶縁膜１３７は、第１の絶縁膜１３５の上部に第１の配線１３６−１、第２の配線１３６−２、第３の配線１３６−３、第４の配線１３６−４を覆うように形成されている。更に、第２の絶縁膜１３７の上部にスペーサ１２３を介し、上部基板１２２が接着される。

（上部基板１２２）
次に、上部基板１２２の構成について、図４に基づき説明する。図４（Ａ）は上部基板１２２の上面図であり、図４（Ｂ）は上部基板１２２の断面図である。上部基板１２２は、フィルム基板２１１、透明抵抗膜２１２、電極２１３により構成されている。フィルム基板２１１は、例えば、ＰＥＴ等の可撓性を有する樹脂フィルムから構成されている。フィルム基板２１１の下部基板１２１に対向する側の面には、その全面にわたって透明抵抗膜２１２が形成されている。透明抵抗膜２１２は、ＩＴＯなどの透明導電材料により構成されている。電極２１３は、上部基板１２２の透明抵抗膜２１２上、Ｘ１方向の端部に配置されており、不図示のコンタクトを介して下部基板１２１に接続されたＦＰＣケーブル１２４の第５の配線に接続されている。この上部基板１２２をプローブとして下部基板１２１の電位をインタフェースボード１１２により検出することにより座標位置が検出される。

（検出手順）
次に、本実施の形態の座標検出装置における座標位置検出の手順について説明する。図５はインタフェースボード１１２の処理フローチャート、図６は下部基板１２１の電位分布を示す図を示す。図６（ａ）はＸ座標検出時、図６（ｂ）はＹ座標検出時の電位分布を示す。

インタフェースボード１１２は、ステップＳ１−１で第１の配線１３６−１及び第２の配線１３６−２に電圧Ｖｘを印加し、第３の配線１３６−３、第４の配線１３６−４を接地する。これによって、透明抵抗膜１３２に、図６（ａ）に破線で示すような均等な電界分布を発生させることができる。なお、従来の電位分布は、図６（ａ）に一点鎖線で示すように歪んでいた。よって、本実施例によれば、正確なＸ座標検出が可能となる。

次に、インタフェースボード１１２は、ステップＳ１−２で下部基板１２１の電位を検出し、ステップＳ１−３で下部基板１２１の電位に応じてＸ座標を検出する。

次に、インタフェースボード１１２は、ステップＳ１−４で第１の配線１３６−１及び第４の配線１３６−４に電圧Ｖｙを印加し、第２の配線１３６−２、第３の配線１３６−３を接地する。これによって、透明抵抗膜１３２に、図６（ｂ）に破線で示すような均等な電界分布を発生させることができる。なお、従来の電位分布は、図６（ｂ）に一点鎖線で示すように歪んでいた。よって、本実施例によれば、正確なＹ座標検出が可能となる。

次に、インタフェースボード１１２はステップＳ１−５で下部基板１２１の電位を検出し、ステップＳ１−６で下部基板１２１の電位に応じてＹ座標を検出する。

本実施例によれば、共通電極１３４上に配線１３６−１〜１３６−４を積層した構成とされているため、パネル部１２１を狭額化することができる。また、電源供給部１４１により下部基板１２１の透明抵抗膜１３２に、Ｘ軸座標検出時又はＹ座標検出時に印加される電位分布を検出領域で均等にできるため、正確な座標検出可能となる。

（製造方法）
次に、本実施の形態に係る座標検出装置の製造方法について説明する。具体的には、本実施の形態は、上述した下部基板１２１の製造方法に関するものである。本実施の形態について、図７、図８に基づき説明する。

最初に、図７（ａ）に示すように、ガラス基板１３１上にＩＴＯ等からなる透明抵抗膜１３２をスパッタリング又は真空蒸着等によって形成する。

次に、図７（ｂ）に示すように、透明抵抗膜１３２上にレジストパターン１３８を形成する。具体的には、透明抵抗膜１３２上にスピンコーター等によりフォトレジストを塗布した後、プリベークを行い、露光装置による露光、現像を行うことによりレジストパターン１３８を形成する。このレジストパターン１３８は、透明抵抗膜１３２において、透明抵抗膜１３２が除去される領域に開口を有するものである。即ち、後述する抵抗膜除去領域１３３となる領域に開口を有するものである。

次に、図７（ｃ）に示すように、塩酸又は燐酸等の酸により溶液により化学エッチングを行う。この方法は、ウエットエッチングとも呼ばれるものであり、これにより、レジストパターン１３８の開口領域における透明抵抗膜１３２を除去する。尚、本実施の形態では、ウエットエッチングについて説明したが、ＲＩＥ等のドライエッチングによっても同様の方法により透明抵抗膜１３２を除去することが可能である。

次に、図７（ｄ）に示すように、有機溶剤等によりフォトレジストを除去する。これにより、ガラス基板１３１上に、抵抗膜除去領域１３３の形成された透明抵抗膜１３２が形成される。

次に、図８（ａ）に示すように抵抗膜除去領域１３３の形成されている透明抵抗膜１３２上にＡｇ−Ｃからなる共通電極１３４を形成する。具体的には、Ａｇ−Ｃを含むペーストを用いスクリーン印刷により印刷した後、ベークをすることにより形成する。これにより、隣接する抵抗膜除去領域１３３間の透明抵抗膜１３２上に電位供給部１４１が形成される。

次に、図８（ｂ）に示すように第１から第４の貫通孔１５１−１〜１５１−４を有する第１の絶縁膜１３５を形成する。具体的には、絶縁ペーストを用いスクリーン印刷法によりパターン印刷したのち、ベークを行うことにより形成する。

次に、図８（ｃ）に示すように第１の絶縁膜１３５上にＡｇからなる第１から第４の配線１３６−１〜１３６−４を形成する。具体的には、Ａｇを含む導電ペーストをスクリーン印刷法によりパターン印刷した後、ベークを行うことにより形成する。

次に、図８（ｄ）に示すように第２の絶縁膜１３７を形成する。具体的には、絶縁ペーストを用いスクリーン印刷法によりパターン印刷したのち、ベークを行うことにより形成する。

以上により下部基板１２１を作製することができる。

尚、上記実施の形態では、５線式抵抗膜方式アナログタッチパネルについて説明したが、これに限定されるものではなく、４線式抵抗膜方式、７線式抵抗膜方式などの他のタッチパネルにも適用可能である。

〔第２の実施の形態〕
本発明に係る第２の実施の形態について説明する。本実施の形態は、座標検出装置の製造方法に関するものであり、具体的には、上述した下部基板１２１の製造方法に関するものであって、エッチングペーストを用いた方法である。本実施の形態について、図９、図１０に基づき説明する。

最初に、図９（ａ）に示すように、ガラス基板２３１上にＩＴＯ等からなる透明抵抗膜２３２をスパッタリング又は真空蒸着等によって形成する。

次に、図９（ｂ）に示すように、透明抵抗膜２３２上に、エッチングペースト２３８を形成する。具体的には、このエッチングペースト２３８は、スクリーン印刷法等の印刷法により形成されるものであり、後述する抵抗膜除去領域２３３上に形成される。

次に、図９（ｃ）に示すように、熱処理を行った後、エッチングペースト２３８を除去する。具体的には、熱処理を行うことにより、エッチングペースト２３８の形成されている領域の抵抗膜２３２を除去し、この後、洗浄により残存するエッチングペースト２３８を除去することにより、ガラス基板２３１上に、抵抗膜除去領域２３３の形成された透明抵抗膜２３２が形成される。

次に、図１０（ａ）に示すように抵抗膜除去領域２３３の形成されている透明抵抗膜２３２上にＡｇ−Ｃからなる共通電極２３４を形成する。具体的には、Ａｇ−Ｃを含むペーストを用いスクリーン印刷により印刷した後、ベークをすることにより形成する。これにより、隣接する抵抗膜除去領域２３３間の透明抵抗膜２３２上に電位供給部２４１が形成される。

次に、図１０（ｂ）に示すように第１から第４の貫通孔２５１−１〜２５１−４を有する第１の絶縁膜２３５を形成する。具体的には、絶縁ペーストを用いスクリーン印刷法によりパターン印刷したのち、ベークを行うことにより形成する。

次に、図１０（ｃ）に示すように第１の絶縁膜２３５上にＡｇからなる第１から第４の配線２３６−１〜２３６−４を形成する。具体的には、Ａｇを含む導電ペーストをスクリーン印刷法によりパターン印刷した後、ベークを行うことにより形成する。

次に、図１０（ｄ）に示すように第２の絶縁膜２３７を形成する。具体的には、絶縁ペーストを用いスクリーン印刷法によりパターン印刷したのち、ベークを行うことにより形成する。

以上により下部基板１２１を作製することができる。このようにして本実施の形態において作製された下部基板１２１は、第１の実施の形態の場合と同様、第１の実施の形態における座標検出装置の下部基板１２１として用いることができる。

〔第３の実施の形態〕
本発明に係る第３の実施の形態について説明する。本実施の形態は、座標検出装置の製造方法に関するものであり、具体的には、上述した下部基板１２１の製造方法に関するものである。本実施の形態について、図１１に基づき説明する。尚、図１１は、下部基板１２１の製造工程を示す上面図である。

最初に、図１１（ａ）に示すように、ガラス基板上にＩＴＯ等の透明抵抗膜３３２がスパッタリング又は真空蒸着等によって形成されたものの上に、共通電極３３４を形成する。具体的には、Ａｇ−Ｃを含むペーストを用いスクリーン印刷により印刷した後、ベークをすることにより形成する。

次に、図１１（ｂ）に示すように、透明抵抗膜３３２上にレジストパターン３３８を形成する。具体的には、透明抵抗膜３３２上にスピンコーター等によりフォトレジストを塗布した後、プリベークを行い、露光装置による露光、現像を行うことによりレジストパターン３３８を形成する。このレジストパターン３３８は、透明抵抗膜３３２において、透明抵抗膜３３２が除去される領域に開口を有するものである。即ち、後述する抵抗膜除去領域３３３となる領域に開口を有するものである。尚、後述する抵抗膜除去領域３３３は、形成されている共通電極３３４の内側の領域に形成され、共通電極３３４の端と抵抗膜除去領域３３３との端が０〔ｍｍ〕以上、５〔ｍｍ〕以下となるように形成される。

次に、図１１（ｃ）に示すように、塩酸又は燐酸等の酸により溶液により化学エッチングを行う。この方法は、ウエットエッチングとも呼ばれるものであり、これにより、レジストパターン３３８の開口領域における透明抵抗膜３３２を除去し、抵抗膜除去領域３３３を形成する。尚、本実施の形態では、ウエットエッチングについて説明したが、ＲＩＥ等のドライエッチングによっても同様の方法により透明抵抗膜３３２を除去することが可能である。

次に、図１１（ｄ）に示すように、有機溶剤等によりフォトレジストを除去する。これにより、ガラス基板３３１上に、抵抗膜除去領域３３３の形成された透明抵抗膜３３２が形成される。

この後、第１の実施の形態と同様の方法により、第１の絶縁膜、第１から第４の配線、第２の絶縁膜等を形成することにより、下部基板１２１を作製することができる。このようにして本実施の形態において作製された下部基板１２１は、第１の実施の形態の場合と同様、第１の実施の形態における座標検出装置の下部基板１２１として用いることができる。本実施の形態により作製された下部基板１２１は、抵抗膜除去領域３３３上に共通電極３３４が形成されてはいないが、共通電極３３４の内側に抵抗膜除去領域３３３を形成することにより、第１の実施の形態と同様に、抵抗膜３３２における電位の分布を均一なものとすることができる。このような効果を得るために、共通電極３３４の端と抵抗膜除去領域３３３の端との幅Ｓは、０〔ｍｍ〕以上、５〔ｍｍ〕以下となるように形成される。

〔第４の実施の形態〕
本発明に係る第４の実施の形態について説明する。本実施の形態は、座標検出装置の製造方法に関するものであり、具体的には、上述した下部基板１２１の製造方法に関するものである。本実施の形態について、図１２に基づき説明する。尚、図１２は、下部基板１２１の製造工程を示す上面図である。

最初に、図１２（ａ）に示すように、ガラス基板上にスパッタリング又は真空蒸着等によって形成されたＩＴＯ等からなる透明抵抗膜４３２上にレジストパターン３３８を形成する。具体的には、透明抵抗膜４３２上にスピンコーター等によりフォトレジストを塗布した後、プリベークを行い、露光装置による露光、現像を行うことによりレジストパターン４３８を形成する。このレジストパターン４３８は、透明抵抗膜４３２において、透明抵抗膜４３２が除去される領域に開口を有するものである。即ち、後述する抵抗膜除去領域４３３となる領域に開口を有するものである。尚、後述する抵抗膜除去領域４３３は、後述する共通電極４３４の内側の領域に形成され、共通電極４３４の端と抵抗膜除去領域４３３との端が０〔ｍｍ〕以上、５〔ｍｍ〕以下となるように形成される。

次に、図１２（ｂ）に示すように、塩酸又は燐酸等の酸により溶液により化学エッチングを行う。この方法は、ウエットエッチングとも呼ばれるものであり、これにより、レジストパターン４３８の開口領域における透明抵抗膜４３２を除去し、抵抗膜除去領域４３３を形成する。尚、本実施の形態では、ウエットエッチングについて説明したが、ＲＩＥ等のドライエッチングによっても同様の方法により透明抵抗膜４３２を除去することが可能である。

次に、図１２（ｃ）に示すように、有機溶剤等によりフォトレジストを除去した後、共通電極４３４を形成する。具体的には、Ａｇ−Ｃを含むペーストを用いスクリーン印刷により印刷した後、ベークをすることにより形成する。これにより、ガラス基板４３１上に、抵抗膜除去領域４３３の形成された透明抵抗膜４３２が形成される。

この後、第１の実施の形態と同様の方法により、第１の絶縁膜、第１から第４の配線、第２の絶縁膜等を形成することにより、下部基板１２１を作製することができる。このようにして本実施の形態において作製された下部基板１２１は、第１の実施の形態の場合と同様、第１の実施の形態における座標検出装置の下部基板１２１として用いることができる。本実施の形態により作製された下部基板１２１は、抵抗膜除去領域４３３上に共通電極４３４が形成されてはいないが、共通電極４３４の内側に抵抗膜除去領域４３３を形成することにより、第１の実施の形態と同様に、抵抗膜４３２における電位の分布を均一なものとすることができる。このような効果を得るために、共通電極４３４の端と抵抗膜除去領域４３３の端との幅Ｓは、０〔ｍｍ〕以上、５〔ｍｍ〕以下となるように形成される。

〔第５の実施の形態〕
本発明に係る第５の実施の形態について説明する。本実施の形態は、座標検出装置の製造方法に関するものであり、具体的には、上述した下部基板１２１の製造方法に関するものである。本実施の形態について、図１３に基づき説明する。尚、図１３は、下部基板１２１の製造工程を示す上面図である。

最初に、図１３（ａ）に示すように、ガラス基板上にＩＴＯ等からなる透明抵抗膜５３２をスパッタリング又は真空蒸着等により形成されたものの上に、共通電極５３４を形成する。具体的には、Ａｇ−Ｃを含むペーストを用いスクリーン印刷により印刷した後、ベークをすることにより形成する。

次に、図１３（ｂ）に示すように、透明抵抗膜５３２上に、エッチングペースト５３８を形成する。具体的には、このエッチングペースト５３８は、スクリーン印刷法等の印刷法により形成されるものであり、後述する抵抗膜除去領域５３３上に形成される。尚、このエッチングペースト５３８は、形成されている共通電極５３４の内側の領域に形成され、共通電極５３４の端と抵抗膜除去領域５３３との端が０〔ｍｍ〕以上、５〔ｍｍ〕以下となるように形成される。

次に、図１３（ｃ）に示すように、熱処理を行うことにより、エッチングペースト５３８の形成されている領域の抵抗膜５３２を除去する。この後、洗浄により残存するエッチングペースト５３８を除去することにより、ガラス基板５３１上に、抵抗膜除去領域５３３の形成された透明抵抗膜５３２が形成される。

この後、第１の実施の形態と同様の方法により、第１の絶縁膜、第１から第４の配線、第２の絶縁膜等を形成することにより、下部基板１２１を作製することができる。このようにして本実施の形態において作製された下部基板１２１は、第１の実施の形態の場合と同様、第１の実施の形態における座標検出装置の下部基板１２１として用いることができる。本実施の形態により作製された下部基板１２１は、抵抗膜除去領域５３３上に共通電極５３４が形成されてはいないが、共通電極５３４の内側に抵抗膜除去領域３３３を形成することにより、第１の実施の形態と同様に、抵抗膜５３２における電位の分布を均一なものとすることができる。このような効果を得るために、共通電極５３４の端と抵抗膜除去領域５３３の端との幅Ｓは、０〔ｍｍ〕以上、５〔ｍｍ〕以下となるように形成される。

〔第６の実施の形態〕
本発明に係る第６の実施の形態について説明する。本実施の形態は、座標検出装置の製造方法に関するものであり、具体的には、上述した下部基板１２１の製造方法に関するものである。本実施の形態について、図１４に基づき説明する。尚、図１４は、下部基板１２１の製造工程を示す上面図である。

最初に、図１４（ａ）に示すように、ガラス基板上にＩＴＯ等からなる透明抵抗膜６３２をスパッタリング又は真空蒸着等により形成されたものの上に、エッチングペースト６３８を形成する。具体的には、このエッチングペースト６３８は、スクリーン印刷法等の印刷法により形成されるものであり、後述する抵抗膜除去領域６３３上に形成される。尚、このエッチングペースト６３８は、後述する共通電極６３４の内側の領域に形成され、共通電極６３４の端と抵抗膜除去領域６３３との端が０〔ｍｍ〕以上、５〔ｍｍ〕以下となるように形成される。

次に、図１４（ｂ）に示すように、熱処理を行うことにより、エッチングペースト６３８の形成されている領域の抵抗膜６３２を除去する。この後、洗浄により残存するエッチングペースト６３８を除去することにより、ガラス基板上に、抵抗膜除去領域６３３の形成された透明抵抗膜６３２が形成される。

次に、図１４（ｃ）に示すように、有機溶剤等によりフォトレジストを除去した後、共通電極６３４を形成する。具体的には、Ａｇ−Ｃを含むペーストを用いスクリーン印刷により印刷した後、ベークをすることにより形成する。これにより、ガラス基板上に、抵抗膜除去領域６３３の形成された透明抵抗膜６３２が形成される。

この後、第１の実施の形態と同様の方法により、第１の絶縁膜、第１から第４の配線、第２の絶縁膜等を形成することにより、下部基板１２１を作製することができる。このようにして本実施の形態において作製された下部基板１２１は、第１の実施の形態の場合と同様、第１の実施の形態における座標検出装置の下部基板１２１として用いることができる。本実施の形態により作製された下部基板１２１は、抵抗膜除去領域６３３上に共通電極６３４が形成されてはいないが、共通電極６３４の内側に抵抗膜除去領域６３３を形成することにより、第１の実施の形態と同様に、抵抗膜６３２における電位の分布を均一なものとすることができる。このような効果を得るために、共通電極６３４の端と抵抗膜除去領域６３３の端との幅Ｓは、０〔ｍｍ〕以上、５〔ｍｍ〕以下となるように形成される。

以上、本発明の実施に係る形態について説明したが、上記内容は、発明の内容を限定するものではない。

本実施の形態により製造される座標検出装置のシステム構成図 パネル部１１１の構成図 電源供給部１４１の要部平面図 上部基板１２２の構成図 インタフェースボード１１２の処理フローチャート 下部基板１２１の電位分布の状態図 第１の実施の形態における下部基板１２１の製造工程図（１） 第１の実施の形態における下部基板１２１の製造工程図（２） 第２の実施の形態における下部基板１２１の製造工程図（１） 第２の実施の形態における下部基板１２１の製造工程図（２） 第３の実施の形態における下部基板１２１の製造工程図 第４の実施の形態における下部基板１２１の製造工程図 第５の実施の形態における下部基板１２１の製造工程図 第６の実施の形態における下部基板１２１の製造工程図 ５線式抵抗膜方式タッチパネルの構成図

符号の説明

１００ 座標入力システム
１１１ パネル部
１１２ インタフェースボード
１２１ 下部基板
１２２ 上部基板
１２３ スペーサ
１２４ ＦＰＣケーブル
１３１ ガラス基板
１３２ 透明抵抗膜
１３３ 抵抗膜除去領域
１３４ 共通電極
１３５ 第１の絶縁膜
１３６−１〜１３６−４ 配線
１３７ 第２の絶縁膜
１４１ 電位供給部

Claims (7)

1. 抵抗膜と、前記抵抗膜に電圧を印加する共通電極と、前記共通電極より前記抵抗膜に電位を供給することにより、前記抵抗膜に電位分布を発生させ、前記抵抗膜の接触位置の電位を検出することにより、前記抵抗膜の接触位置座標を検出する座標検出装置の製造方法において、
   絶縁体からなる基板上に形成されている前記抵抗膜上に、フォトレジストを塗布する工程と、
   塗布されたレジストに対し、所定のマスクを介して露光光を照射し、その後現像することによりレジストパターンを形成する工程と、
   レジストパターンの形成されていない領域の前記抵抗膜を除去し、抵抗膜除去領域を形成する工程と、
   前記抵抗膜除去領域を形成した後、レジストパターンを除去する工程と、
   前記レジストパターンを除去した後、抵抗膜除去領域上に、前記共通電極を形成する工程と、
   からなることを特徴とする座標検出装置の製造方法。
2. 抵抗膜と、前記抵抗膜に電圧を印加する共通電極と、前記共通電極より前記抵抗膜に電位を供給することにより、前記抵抗膜に電位分布を発生させ、前記抵抗膜の接触位置の電位を検出することにより、前記抵抗膜の接触位置座標を検出する座標検出装置の製造方法において、
   絶縁体からなる基板上に形成されている前記抵抗膜上に、フォトレジストを塗布する工程と、
   塗布されたレジストに対し、所定のマスクを介して露光光を照射し、その後現像することによりレジストパターンを形成する工程と、
   レジストパターンの形成されていない領域の前記抵抗膜を除去し、抵抗膜除去領域を形成する工程と、
   からなる座標検出装置の製造方法であって、
   前記抵抗膜除去領域の外側には前記共通電極が形成されており、前記共通電極の端と、前記抵抗膜除去領域の端の間隔が、０〔ｍｍ〕以上、５〔ｍｍ〕以下であることを特徴とする座標検出装置の製造方法。
3. 前記抵抗膜を除去する工程は、酸を用いたウエットエッチングであることを特徴とする請求項1又は2に記載の座標検出装置の製造方法。
4. 前記抵抗膜を除去する工程は、ドライエッチングであることを特徴とする請求項1又は2に記載の座標検出装置の製造方法。
5. 抵抗膜と、前記抵抗膜に電圧を印加する共通電極と、前記共通電極より前記抵抗膜に電位を供給することにより、前記抵抗膜に電位分布を発生させ、前記抵抗膜の接触位置の電位を検出することにより、前記抵抗膜の接触位置座標を検出する座標検出装置の製造方法において、
   絶縁体からなる基板上に形成されている前記抵抗膜上における前記抵抗膜を除去する抵抗膜除去領域となる領域上にエッチングペーストを印刷する工程と、
   熱処理を行うことにより、前記エッチングペーストの形成された領域における抵抗膜を除去する工程と、
   前記熱処理を行った後、残存する前記エッチングペーストを除去する工程と、
   前記抵抗膜除去領域上に、前記共通電極を形成する工程と、
   からなることを特徴とする座標検出装置の製造方法。
6. 抵抗膜と、前記抵抗膜に電圧を印加する共通電極と、前記共通電極より前記抵抗膜に電位を供給することにより、前記抵抗膜に電位分布を発生させ、前記抵抗膜の接触位置の電位を検出することにより、前記抵抗膜の接触位置座標を検出する座標検出装置の製造方法において、
   絶縁体からなる基板上に形成されている前記抵抗膜上における前記抵抗膜が除去される抵抗膜除去領域となる領域上にエッチングペーストを印刷する工程と、
   熱処理を行うことにより、前記エッチングペーストの形成された領域における抵抗膜を除去する工程と、
   前記熱処理を行った後、残存する前記エッチングペーストを除去する工程と、
   からなる座標検出装置の製造方法であって、
   前記抵抗膜除去領域の外側には前記共通電極が形成されており、前記共通電極の端と、前記抵抗膜除去領域の端の間隔が、０〔ｍｍ〕以上、５〔ｍｍ〕以下であることを特徴とする座標検出装置の製造方法。
7. 抵抗膜除去領域は、前記抵抗膜除去領域の周囲の抵抗膜を除去した部分と、前記部分の内側に形成される抵抗膜残存部とにより形成されるものであって、前記抵抗膜残存部は、前記抵抗膜とは電気的に絶縁された構造であることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の座標検出装置の製造方法。

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