TWI522409B - Conductive particles, anisotropic conductive materials and connecting structures - Google Patents

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TWI522409B
TWI522409B TW098110269A TW98110269A TWI522409B TW I522409 B TWI522409 B TW I522409B TW 098110269 A TW098110269 A TW 098110269A TW 98110269 A TW98110269 A TW 98110269A TW I522409 B TWI522409 B TW I522409B
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Shinya Uenoyama
Hiroshi Yamauchi
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Sekisui Chemical Co Ltd
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Description

導電性粒子、異向性導電材料及連接構造體
本發明係關於一種藉由單體之聚合所形成之聚合物粒子，例如可用於用以將連接對象構件之電極間連接之導電性粒子中之聚合物粒子，以及使用該聚合物粒子之導電性粒子、異向性導電材料及連接構造體。
異向性導電膏、異向性導電油墨、異向性導電黏接著劑、異向性導電膜或異向性導電片材等之異向性導電材料已廣為人知。該等異向性導電材料係於膏、油墨或樹脂中分散有導電性粒子。上述異向性導電材料例如用於將玻璃基板或印刷基板等基板之電極間電性連接。
作為用於上述異向性導電材料中之導電性粒子之一例，於下述專利文獻1中揭示有具有基材粒子、及形成於該基材粒子之表面上之導電層之導電性粒子。為了形成基材粒子，將二乙烯苯-乙基乙烯苯混合物用作單體之一部分。該導電性粒子於粒子直徑位移10%時之壓縮彈性模數為2.5×109 N/m2 以下，壓縮變形恢復率為30%以上，且破裂應變為30%以上。於日本專利特開2003-313304號公報中揭示有，於使用上述導電性粒子將基板之電極間電性連接之情形時，連接電阻值變低，連接可靠性得到提高
先前，印刷基板係使用於聚醯亞胺膜之表面上經由環氧接著劑而貼合有銅箔之3層可撓性印刷基板。
近年來，伴隨電子設備之小型化，正在研究使設置有電極之可撓性印刷基板變薄之方法。例如，使用於聚醯亞胺膜上直接設置有電極之2層可撓性印刷基板。
若使用包含專利文獻1中所揭示之導電性粒子之異向性導電材料，將2層可撓性印刷基板與玻璃基板之電極連接，則存在電極間之連接電阻值變高之情形。於先前之3層可撓性印刷基板中，異向性導電材料貼合於環氧接著劑，故異向性導電材料之接著力較高。然而，於2層可撓性印刷基板中，異向性導電材料直接貼合於聚醯亞胺膜，故異向性導電材料之接著力容易變低。進而，若利用專利文獻1中所揭示之導電性粒子將2層可撓性印刷基板與玻璃基板之電極間連接，則存在如下情形，即，由於導電性粒子之壓縮變形恢復率較高，故會因導電性粒子之斥力而使異向性導電材料剝離。因此，存在無法充分降低電極間之連接電阻值之情形。
又，將2層可撓性印刷基板與玻璃基板之電極間連接時，於基板上配置異向性導電材料後，以電極彼此相對向之方式於該基板上重疊其他基板。繼而，藉由加壓而壓縮導電性粒子，從而連接電極間。
存在專利文獻1中所揭示之導電性粒子所接觸之電極上，於上述加壓時藉由施加壓力而產生之壓痕未充分形成之情形。又，存在於導電性粒子之周邊產生空隙之情形。因此，存在2層可撓性印刷基板與玻璃基板之電極間之導電可靠性低之情形。
本發明之目的在於提供如下聚合物粒子、以及使用該聚合物粒子之導電性粒子、異向性導電材料及連接構造體，上述聚合物粒子於利用表面形成有金屬層之導電性粒子或包含該導電性粒子之異向性導電材料，將連接對象構件電性連接之情形時，可提高導電可靠性。
本發明之限定性目的在於提供如下聚合物粒子、以及使用該聚合物粒子之導電性粒子、異向性導電材料及連接構造體，上述聚合物粒子於使用表面形成有金屬層之導電性粒子，將2層可撓性印刷基板等可撓性印刷基板與玻璃基板之電極間電性連接之情形時，可降低電極間之連接電阻，且導電性粒子可於所接觸之電極上形成壓痕。
又，本發明之其他限定性目的在於提供如下聚合物粒子、以及使用該聚合物粒子之導電性粒子、異向性導電材料及連接構造體，上述聚合物粒子於使用表面形成有低熔點金屬層之導電性粒子，將連接對象構件電性連接之情形時，即便因落下等而受到衝擊，亦難以於低熔點金屬層上產生龜裂。
根據本發明之較廣態樣，提供一種藉由使作為具有至少2個環結構之脂環式化合物的單體聚合所得之聚合物粒子。
於本發明之聚合物粒子之某特定態樣中，上述至少2個環結構為雙環結構或三環結構。
於本發明之聚合物粒子之其他特定態樣中，上述單體為丙烯酸系單體。
於本發明之聚合物粒子之其他特定態樣中，壓縮恢復率為50%以下，且經壓縮10%時之壓縮彈性模數為980~4,900N/mm2 之範圍內。
於本發明之聚合物粒子之進而其他之特定態樣中，壓縮恢復率為10~50%之範圍內。
本發明之聚合物粒子較好的是藉由使作為具有至少2個環結構之脂環式化合物的單官能單體與多官能單體聚合所得者，更好的是藉由使包含作為具有至少2個環結構之脂環式化合物的單官能單體20~90重量%與多官能單體10~80重量%之單體成分聚合所得者。
又，本發明之聚合物粒子亦較好的是藉由使作為具有至少2個環結構之脂環式化合物的多官能單體聚合所得者。於該情形時，較好的是藉由使包含作為具有至少2個環結構之脂環式化合物之多官能單體20重量%以上之單體成分聚合所得者。
進而，本發明之聚合物粒子亦較好的是藉由使作為具有至少2個環結構之脂環式化合物的單官能單體與作為具有至少2個環結構之脂環式化合物的多官能單體聚合所得者。
本發明之導電性粒子具有根據本發明所構成之聚合物粒子、被覆該聚合物粒子之表面之金屬層。
於本發明之導電性粒子之某特定態樣中，壓縮恢復率為45%以下。
於本發明之導電性粒子之其他特定態樣中，上述金屬層之外表面為包含鎳之金屬層、包含鈀之金屬層或包含低熔點金屬之金屬層。
本發明之異向性導電材料包含導電性粒子與黏合劑樹脂。
本發明之連接構造體包含第1連接對象構件、第2連接對象構件、以及將第1與第2連接對象構件連接且根據本發明所構成之導電性粒子。
又，本發明之連接構造體包含第1連接對象構件、第2連接對象構件、以及將第1與第2連接對象構件連接之連接部，上述連接部係由根據本發明所構成之異向性導電材料所形成。
根據本發明，藉由使作為具有至少2個環結構之脂環式化合物的單體聚合而獲得聚合物粒子，故於利用在該聚合物粒子表面形成有金屬層之導電性粒子或包含該導電性粒子之異向性導電材料，將連接對象構件電性連接之情形時，可提高導電可靠性。
於利用使用本發明之聚合物粒子之上述導電性粒子，將印刷基板與玻璃基板之電極間連接之情形時，電極間之連接電阻值變低。進而，容易於印刷基板之電極或玻璃基板等之電極上形成導電性粒子接觸而成之壓痕。因此，可提高印刷基板與玻璃基板之電極間之導電可靠性。尤其於上述印刷基板為2層可撓性印刷基板之情形時，可提高電極間之導通可靠性。
進而，於使用在本發明之聚合物粒子之表面形成有低熔點金屬層之導電性粒子，將連接對象構件電性連接之情形時，即便受到落下等之衝擊，亦難以於低熔點金屬層上產生龜裂。
以下，對本發明加以詳細說明。
(聚合物粒子)
本發明之聚合物粒子係藉由使作為具有至少2個環結構之脂環式化合物的單體聚合所得。
上述具有至少2個環結構之脂環式化合物較好的是多環式化合物。
作為上述至少2個環結構，可列舉：雙環結構、三環結構、螺環結構或二螺環結構。其中，上述至少2個環結構較好的是雙環結構或三環結構。若上述至少2個環結構為雙環結構或三環結構，則可降低聚合物粒子之壓縮恢復率。因此，即便利用包含使用上述聚合物粒子之導電性粒子之異向性導電材料，將2層可撓性印刷基板等印刷基板與玻璃基板之電極間連接，亦會因導電性粒子之斥力而使異向性導電材料變得難以剝離。進而，於導電性粒子所接觸之電極上容易形成壓痕。再者，形成於電極上之壓痕係導電性粒子擠壓電極而成之電極之凹部。導電性粒子一般為球狀，故電極之凹部一般為半球狀。又，變得難以於導電性粒子之周邊產生空隙。再者，上述空隙係由於接著層等自基板或電極等之連接對象構件上界面剝離所產生。較好的是不產生上述空隙。但，亦可於不影響導電可靠性之程度下產生上述空隙。
上述單體若為具有至少2個環結構之脂環式化合物，則並無特別限定。作為上述單體，可列舉：丙烯酸系單體、乙烯醚化合物、環氧化合物或異氰酸酯化合物等。其中，由於可降低上述聚合物粒子之壓縮恢復率，故較好的是丙烯酸系單體。
作為上述丙烯酸系單體，具體可列舉：二羥甲基-三環癸烷二(甲基)丙烯酸酯、1,3-金剛烷二醇二(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸異酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯酯、(甲基)丙烯酸二環戊酯、(甲基)丙烯酸2-甲基-2-金剛烷酯、(甲基)丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯或(甲基)丙烯酸3-羥基-1-金剛烷酯等。再者，所謂(甲基)丙烯酸酯，係指甲基丙烯酸酯或丙烯酸酯。
作為上述乙烯醚化合物，具體可列舉：三環癸烷乙烯醚或三環癸烷單甲基乙烯醚等。
於本發明中，亦可與上述具有至少2個環結構之脂環式化合物的單體一併使用該單體以外之其他單體來作為單體成分。於單體成分100重量%中，作為具有至少2個環結構之脂環式化合物的單體之含量較好的是5重量%以上，更好的是20重量%以上。作為上述其他單體，例如可列舉苯乙烯或二乙烯苯等。進而，作為上述其他單體，可列舉：聚丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、乙二醇(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸三氟乙酯、(甲基)丙烯酸五氟丙酯或(甲基)丙烯酸環己酯等。
於使用作為具有至少2個環結構之脂環式化合物的單官能之丙烯酸系單體之情形時，於單體成分100重量%中，該單官能之丙烯酸系單體之含量較好的是40~60重量%之範圍內。作為單官能之丙烯酸系單體，適宜使用：(甲基)丙烯酸異酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯酯、(甲基)丙烯酸二環戊酯、(甲基)丙烯酸2-甲基-2-金剛烷酯、(甲基)丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯或(甲基)丙烯酸3-羥基-1-金剛烷酯。
於使用作為具有至少2個環結構之脂環式化合物的二官能之丙烯酸系單體之情形時，於單體成分100重量%中，該二官能之丙烯酸系單體之含量較好的是20~80重量%之範圍內。作為二官能之丙烯酸系單體，適宜使用：二羥甲基-三環癸烷二(甲基)丙烯酸酯或1,3-金剛烷二醇二(甲基)丙烯酸酯。
本發明之聚合物粒子較好的是藉由使作為具有至少2個環結構之脂環式化合物的單官能單體(以下，有時略記為單官能單體A)與多官能單體聚合所得者。上述單體成分較好的是包含上述單官能單體A與多官能單體。作為上述多官能單體，可列舉具有至少2個乙烯基之芳香族化合物或多官能丙烯酸系單體等。作為上述芳香族化合物，可列舉：1,2-二乙烯苯、1,3-二乙烯苯或1,4-二乙烯苯等。作為上述芳香族化合物，市售有新日鐵化學公司製造之「DVB960」等。上述多官能丙烯酸系單體較好的是具有-(R-O)n-單元者，可列舉：聚丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、三乙二醇二(甲基)丙烯酸酯或二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等。再者，上述R係碳數為1~9之伸烷基，上述n為1以上之整數。
若使上述單官能單體A與多官能單體聚合，則與僅使上述單官能單體A聚合之情形相比，可使10% K值變得較高，從而可將10% K值控制於較佳範圍，且可提高壓縮恢復率。即，藉由將作為交聯劑之多官能單體與上述單官能單體A一併使用，可控制10% K值及壓縮恢復率。
上述單體成分較好的是包含上述單官能單體A 20~90重量%、多官能單體10~80重量%。於該情形時，可容易地獲得10% K值及壓縮恢復率顯示較佳值之聚合物粒子。上述單體成分較好的是包含上述單官能單體A 20~80重量%、多官能單體20~80重量%，更好的是包含上述單官能單體A 40~60重量%、多官能單體40~60重量%。
本發明之聚合物粒子較好的是由作為具有至少2個環結構之脂環式化合物的多官能單體(以下，有時略記為多官能單體B)所得者。上述單體成分較好的是包含上述多官能單體B。即便僅使上述多官能單體B聚合，亦可使10% K值變得較高，從而將10% K值控制於較佳範圍，且可使壓縮恢復率變得較高。其中，亦可將其他單體與上述多官能單體B一併使用。
上述單體成分較好的是包含上述多官能單體B20重量%以上。若上述多官能單體B之含量為20重量%以上，則聚合物粒子不會變得過於柔軟，可提高10% K值，從而將10% K值控制於較佳範圍。又，於將上述多官能單體B與具有2個官能基之聚丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等之丙烯酸系單體併用之情形時，可將10% K值控制於較佳範圍。又，於將上述多官能單體B與芳香族環及具有至少2個官能基之二乙烯苯等之乙烯基單體併用之情形時，可提高10% K值與壓縮恢復率。上述單體成分100重量%中之上述多官能單體B之含量之更好下限為20重量%，較好上限為80重量%，更好上限為60重量%。上述單體成分100重量%中之上述多官能單體B之含量亦可為100重量%。
與上述多官能單體B併用之其他單體亦可為作為具有至少2個環結構之脂環式化合物的單官能單體A。藉由併用上述單官能單體A與上述多官能單體B，可將10% K值及壓縮恢復率控制於較佳範圍。
聚合方法並無特別限定。作為聚合方法，具體可列舉：懸浮聚合法、乳化聚合法、種子聚合法或分散聚合法等之先前公知之聚合方法。
由於粒度分布較廣，可獲得多分散之聚合物粒子，故上述懸浮聚合法及乳化聚合法對製造多品種之粒徑之微粒子之目的而言較好。於使用懸浮聚合法及乳化聚合法之情形時，較好的是對藉由聚合所得之聚合物粒子進行分級，分別選出具有所需粒徑或粒度分布之聚合物粒子。
又，由於無需進行分級，可獲得單分散之聚合物粒子，故種子聚合法對於大量製造特定粒徑之聚合物粒子之目的而言較好。所謂上述種子聚合法，係指利用作為具有至少2個環結構之脂環式化合物的單體，使苯乙烯聚合物粒子等之種子粒子進行膨潤、聚合之方法。因此，於使用種子聚合法來製造本發明之聚合物粒子之情形時，本發明之聚合物粒子亦可含有構成種子粒子之成分。例如，若使用苯乙烯聚合物粒子作為種子粒子，則存在所得之聚合物粒子中含有苯乙烯聚合物之情形。
用於上述聚合之溶劑並無特別限定。溶劑可根據上述單體成分而適當選擇。作為上述溶劑，例如可列舉水、醇、溶纖劑、酮或乙酸酯等。亦可使用該等溶劑以外之其他溶劑。作為上述醇之具體例，可列舉甲醇、乙醇或丙醇等。作為上述溶纖劑之具體例，可列舉甲基溶纖劑或乙基溶纖劑等。作為上述酮之具體例，可列舉丙酮、甲基乙基酮、甲基丁基酮或2-丁酮等。作為上述乙酸酯之具體例，可列舉乙酸乙酯或乙酸丁酯等。作為上述其他溶劑之具體例，可列舉乙腈、N,N-二甲基甲醯胺或二甲基亞碸等。該等溶劑可僅使用1種，亦可併用2種以上。
聚合物粒子之平均粒徑較好的是0.1~1,000μm之範圍內。聚合物粒子之平均粒徑之更好下限為1μm，進而好之下限為1.5μm，尤其好之下限為2μm。聚合物粒子之平均粒徑之更好上限為500μm，進而好之上限為300μm，尤其好之上限為30μm。若平均粒徑過小，則導電性粒子與電極之接觸面積變小，故存在連接電阻值變高之情形。進而，藉由非電解鍍敷而於聚合物粒子之表面形成金屬層時，容易產生凝集，從而容易形成凝集之導電性粒子。若平均粒徑過大，則導電性粒子變得難以充分壓縮，故存在電極間之連接電阻值變高之情形。
上述平均粒徑表示數量平均粒徑。平均粒徑例如可使用庫爾特計數器(貝克曼庫爾特(Beckman Coulter)公司製造)而測定。
聚合物粒子之CV值(粒度分布之變異係數)較好的是10%以下，更好的是3%以下。若CV值超過10%，則存在由導電性粒子連接之電極間之間隔產生不均之情形。
上述CV值係以下述式所表示。
CV值(%)=(ρ/Dn)×100
ρ：聚合物粒子之直徑之標準偏差
Dn：平均粒徑
聚合物粒子之壓縮恢復率較好的是50%以下，更好的是40%以下。若壓縮恢復率超過50%，則存在因用於電極間之連接的導電性粒子之斥力而使得異向性導電材料自基板等上剝離之情形。其結果，存在電極間之連接電阻值變高之情形。聚合物粒子之壓縮恢復率較好的是5%以上，更好的是10%以上，進而更好的是20%以上。
上述壓縮恢復率可以如下方式而測定。
於試料台上散布聚合物粒子。針對所散布之1個聚合物粒子，使用微小壓縮試驗機，於聚合物粒子之中心方向施加負荷，直至達到反向荷重值(5.00mN)。其後，解除負荷，直至達到原點用荷重值(0.40mN)。對該期間之荷重-壓縮位移進行測定，可由下述式求出壓縮恢復率。再者，將負荷速度設為0.33mN/秒。上述微小壓縮試驗機例如可使用Fischer公司製造之「Fischerscope H-100」等。
壓縮恢復率(%)=[(L1 -L2 )/L1 ]×100
L1 ：施加負荷時，自原點用荷重值至反向荷重值為止之壓縮位移
L2 ：解除負荷時，自反向荷重值至原點用荷重值為止之壓縮位移
聚合物粒子之直徑位移10%時之壓縮彈性模數(10% K值)較好的是196~6,860N/mm2 之範圍內。10% K值之更好之下限為980N/mm2 ，更好之上限為4,900N/mm2 。聚合物粒子之直徑位移20%時之壓縮彈性模數(20% K值)較好的是196~6,860N/mm2 之範圍內。20% K值之更好之下限為600N/mm2 ，進而好之下限為980N/mm2 ，更好之上限為4,900N/mm2 ，進而好之上限為3,900N/mm2 。聚合物粒子之直徑位移30%時之壓縮彈性模數(30% K值)較好的是196~6,860N/mm2 之範圍內。30% K值之更好之下限為600N/mm2 ，進而好之下限為980N/mm2 ，更好之上限為4,900N/mm2 。
若壓縮彈性模數(10% K值、20% K值及30% K值)過低，則存在經壓縮時，聚合物粒子受到破壞之情形。若壓縮彈性模數(10% K值、20% K值及30% K值)過高，則存在電極間之連接電阻值變高之情形。
上述壓縮彈性模數(10% K值、20% K值及30% K值)可以如下方式而測定。
使用微小壓縮試驗機，於直徑為50μm之金剛石製圓柱之平滑壓頭端面，於壓縮速度為2.6mN/秒及最大試驗荷重為10g之條件下，對聚合物粒子進行壓縮。測定此時之荷重值(N)及壓縮位移(mm)。可藉由下述式，由所得之測定值求出上述壓縮彈性模數。上述微小壓縮試驗機例如可使用Fischer公司製造之「Fischerscope H-100」等。
K值(N/mm2 )=(3/21/2 )‧F‧S-3/2 ‧R-1/2
F：聚合物粒子壓縮變形10%、20%或30%時之荷重值(N)
S：聚合物粒子壓縮變形10%、20%或30%時之壓縮位移(mm)
R：聚合物粒子之半徑(mm)
上述壓縮彈性模數普遍且定量地表示聚合物粒子之硬度。藉由使用上述壓縮彈性模數，可定量且唯一地表示聚合物粒子之硬度。
(導電性粒子)
本發明之導電性粒子具有上述聚合物粒子與被覆該聚合物粒子表面之金屬層。
構成上述金屬層之金屬並無特別限定。作為金屬，例如可列舉：金、銀、銅、鉑、鋅、鐵、鉛、錫、鋁、鈷、銦、鎳、鉻、鈦、銻、鉍、鍺、鎘、鈀、錫-鉛合金、錫-銅合金、錫-銀合金或錫-鉛-銀合金等。其中，構成上述金屬層之金屬較好的是鎳、銅、鈀或金。
於聚合物粒子表面形成上述金屬層之方法並無特別限定。作為形成上述金屬層之方法，例如可列舉非電解鍍敷、電鍍或濺鍍等方法。其中，於聚合物粒子表面形成上述金屬層之方法較好的是藉由非電解鍍敷而形成之方法。
導電性粒子之上述金屬層之外表面較好的是金層、鎳層或鈀層，較好的是鎳層或鈀層。進而，上述金屬層較好的是由鎳層與積層於該鎳層表面之鈀層所形成。藉由形成該等較好之金屬層，由導電性粒子所連接之電極間之連接電阻值變低。又，於金屬層之外表面為鎳層或鈀層之情形時，使導電性粒子與電極接觸時，可容易地去除覆蓋電極表面之金屬之氧化物。因此，金屬層之外表面與電極表面之金屬變得容易接觸，連接電阻值變低。
又，金屬層之外表面亦較好的是包含鎳之金屬層、包含鈀之金屬層或包含低熔點金屬之金屬層。於金屬層之外表面為包含鎳之金屬層或包含鈀之金屬層之情形時，可容易地去除覆蓋電極表面之金屬之氧化物，金屬層之外表面與電極表面之金屬變得容易接觸，故連接電阻值變低。於金屬層之外表面為包含低熔點金屬之金屬層之情形時，藉由回流焊而使包含低熔點金屬之金屬層與電極並非為點接觸而為面接觸，故連接電阻值變低。進而，於使用在聚合物粒子之表面形成有低熔點金屬層之導電性粒子，將連接對象構件電性連接之情形時，即便受到落下等之衝擊，亦難以於低熔點金屬層上產生龜裂。
上述金屬層可為單層，亦可具有2層以上之積層結構。作為上述金屬層具有2層積層結構之情形時之金屬層，內層/外層可列舉：鎳層/金層、鎳層/鈀層、或銅層/低熔點金屬層。
作為低熔點金屬層即包含低熔點金屬之金屬層，可列舉：包含錫之金屬層，包含錫與銀之金屬層，包含錫與銅之金屬層，包含錫、銀及銅之金屬層，或包含錫、銀及鎳之金屬層等。所謂低熔點金屬，表示熔點為300℃以下之金屬。又，於上述包含低熔點金屬之金屬層中所含之金屬100重量%中，錫之含量較好的是50重量%以上，更好的是70重量%以上，進而好的是90重量%以上。
被覆聚合物粒子表面之金屬層之外表面為低熔點金屬層之情形時，可緩和施加於導電性粒子之應力，故可容易地連接電極間。
於利用在使用本發明之聚合物粒子的導電性粒子之金屬層之外表面形成有低熔點金屬層之導電性粒子，將連接對象構件電性連接之情形時，即便因落下等受到衝擊，亦難以於低熔點金屬層上產生龜裂。因此，可提高導電可靠性。
上述金屬層之厚度較好的是5~70,000nm之範圍內。上述金屬層之厚度之更好之下限為10nm，進而好之下限為20nm，更好之上限為40,000nm，更好之上限為500nm，進而好之上限為200nm。若上述金屬層之厚度過薄，則存在無法充分獲得導電性之情形。若上述金屬層之厚度過厚，則存在聚合物粒子與金屬層之熱膨脹係數之差變大，金屬層變得容易自聚合物粒子上剝離之情形。於上述金屬層具有積層結構之情形時，上述金屬層之厚度表示各金屬層之厚度之總計。
導電性粒子之壓縮恢復率較好的是50%以下，較好的是45%以下，更好的是40%以下。若壓縮恢復率超過50%，則存在因用於電極間之連接的導電性粒子之斥力而使得異向性導電材料自基板等上剝離之情形。其結果，存在電極間之連接電阻值變高之情形。若導電性粒子之壓縮恢復率為45%以下，則可進一步降低電極間之連接電阻值。導電性粒子之壓縮恢復率較好的是5%以上，更好的是10%以上，進而更好的是20%以上。
(異向性導電材料)
本發明之異向性導電材料包含上述導電性粒子與黏合劑樹脂。
上述黏合劑樹脂並無特別限定。例如使用絕緣性樹脂作為上述黏合劑樹脂。作為上述黏合劑樹脂，例如可列舉：乙烯樹脂、熱塑性樹脂、硬化性樹脂、熱塑性嵌段共聚物或彈性體等。上述黏合劑樹脂可僅使用1種，亦可併用。
作為上述乙烯樹脂之具體例，可列舉：乙酸乙烯酯樹脂、丙烯酸系樹脂或苯乙烯樹脂等。作為上述熱塑性樹脂之具體例，可列舉：聚烯烴樹脂、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物或聚醯胺樹脂等。作為上述硬化性樹脂之具體例，可列舉：環氧樹脂、胺酯樹脂、聚醯亞胺樹脂或不飽和聚酯樹脂等。再者，上述硬化性樹脂亦可為常溫硬化型樹脂、熱硬化型樹脂、光硬化型樹脂或濕氣硬化型樹脂。上述硬化性樹脂可與硬化劑併用。作為上述熱塑性嵌段共聚物之具體例，可列舉：苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物之氫化物或苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物之氫化物等。作為上述彈性體之具體例，可列舉：苯乙烯-丁二烯共聚橡膠或丙烯腈-苯乙烯嵌段共聚橡膠等。
異向性導電材料除了導電性粒子及黏合劑樹脂之外，例如亦可含有填充劑、增量劑、軟化劑、塑化劑、聚合觸媒、硬化觸媒、著色劑、抗氧化劑、熱穩定劑、光穩定劑、紫外線吸收劑、潤滑劑、抗靜電劑或阻燃劑等各種添加劑。
作為於上述黏合劑樹脂中分散導電性粒子之方法，可使用先前公知之分散方法，並無特別限定。作為於上述黏合劑樹脂中分散導電性粒子之方法，例如可列舉：於黏合劑樹脂中添加導電性粒子後，利用行星式混合機等進行混練而使其分散之方法；使用均質器等，將導電性粒子均勻地分散於水或有機溶劑中，然後添加至黏合劑樹脂中，利用行星式混合機等進行混練而使其分散之方法；或將黏合劑樹脂利用水或有機溶劑等進行稀釋後，添加導電性粒子，利用行星式混合機等進行混練而使其分散之方法等。
本發明之異向性導電材料可用作異向性導電膏、異向性導電油墨、異向性導電黏接著劑、異向性導電膜或異向性導電片材等。於包含本發明之導電性粒子之異向性導電材料用作異向性導電膜或異向性導電片材等膜狀接著劑之情形時，亦可於包含該導電性粒子之膜狀接著劑上積層不含導電性粒子之膜狀接著劑。
(連接構造體)
可藉由使用本發明之導電性粒子或包含該導電性粒子與黏合劑樹脂之異向性導電材料，將連接對象構件連接而獲得連接構造體。
上述連接構造體較好的是包含第1連接對象構件、第2連接對象構件以及將第1與第2連接對象構件電性連接之連接部，並且該連接部由本發明之導電性粒子或包含該導電性粒子與黏合劑樹脂之異向性導電材料所形成。於使用導電性粒子之情形時，連接部自身為導電性粒子。即，第1、第2連接對象構件係由導電性粒子連接。
上述連接對象構件具體可列舉：半導體晶片、電容器及二極體等之電子零件，以及印刷基板、可撓性印刷基板及玻璃基板等之電路基板等。
作為設置於上述連接對象構件上之電極，可列舉：金電極、鎳電極、錫電極、鋁電極、銅電極、鉬電極或鎢電極等之金屬電極。於上述連接對象構件為可撓性印刷基板之情形時，上述電極較好的是金電極、鎳電極、錫電極或銅電極。於上述連接對象構件為玻璃基板之情形時，上述電極較好的是鋁電極、銅電極、鉬電極或鎢電極。再者，於上述電極為鋁電極之情形時，可為僅由鋁所形成之電極，亦可為於金屬氧化物層表面積層有鋁層之電極。作為上述金屬氧化物，可列舉：摻雜有三價金屬元素之氧化銦或摻雜有三價金屬元素之氧化鋅等。作為上述三價金屬元素，可列舉Sn、Al或Ga等。
若使用本發明之導電性粒子或包含該導電性粒子與黏合劑樹脂之異向性導電材料，將形成有上述金屬電極之連接對象構件電性連接，則連接電阻值變低。其中，較好的是鋁電極或銅電極。
於圖1中，示意性地以正面剖面圖表示使用本發明之一實施形態之導電性粒子的連接構造體之一例。
圖1所示之連接構造體1具有於玻璃基板2之上面，經由包含複數個導電性粒子5之異向性導電膜3而連接印刷基板4之結構。於玻璃基板2之上面設置有複數個電極2a。於印刷基板4之下面設置有複數個電極4a。電極2a與電極4a係由複數個導電性粒子5而連接。於本實施形態中，使用2層可撓性印刷基板作為印刷基板4。其中，亦可使用2層可撓性印刷基板以外之連接對象構件。再者，於圖1中，印刷基板4及導電性粒子5係以簡圖表示。
電極2a、4a間之連接通常係藉由於玻璃基板2之電極2a上配置導電性粒子5後，以電極2a、4a彼此相對向之方式於該玻璃基板2上重疊印刷基板4，並進行加壓而進行。藉由加壓，導電性粒子5經壓縮。
然而，如上述專利文獻1中所揭示之先前之於聚合物粒子表面形成有金屬層之導電性粒子，其壓縮恢復率較高。
如圖3所示，於使用先前之導電性粒子101將電極2a、4a間連接之情形時，於導電性粒子101與電極2a、4a之周邊，因被壓縮之導電性粒子101恢復形狀而容易產生空隙A。進而，於電極2a、4a之與導電性粒子101相接觸之部分難以形成壓痕。因此，無法充分降低電極2a、4a間之連接電阻值。
與此相對，如圖2中將圖1所示之連接構造體之導電性粒子與電極之接觸部分放大而表示般，使用本實施形態之導電性粒子5之情形時，於電極2a、4a之與導電性粒子5相接觸之部分容易形成壓痕。因此，可充分降低電極2a、4a間之連接電阻值。進而，難以產生上述空隙A。
以下，列舉實施例及比較例，對本發明加以具體說明。本發明並非僅限定於以下實施例。
準備以下材料作為用以獲得聚合物粒子之單體成分。
(作為具有至少2個環結構之脂環式化合物的單體)
二羥甲基-三環癸烷二丙烯酸酯
1,3-金剛烷二醇二丙烯酸酯
丙烯酸異酯
甲基丙烯酸異酯
丙烯酸二環戊烯酯
丙烯酸二環戊酯
三環癸烷乙烯醚
三環癸烷單甲基乙烯醚
(具有至少2個環結構之脂環式化合物的單體以外之其他單體)
二乙烯苯(新日鐵化學公司製造，「DVB960」)
苯乙烯
聚丁二醇二丙烯酸酯(共榮社化學公司製造，「Light Acrylate PTMGA-250」)
丙烯酸環己酯
三乙二醇二丙烯酸酯
三羥甲基丙烷三丙烯酸酯
季戊四醇四丙烯酸酯
(實施例1)
(聚合物種子粒子分散液之製作)
於可分離式燒瓶中添加離子交換水2500g、苯乙烯250g、辛硫醇50g及氯化鈉0.5g，於氮氣環境下進行攪拌。其後，加熱至70℃，添加過氧化鉀2.5g，反應24小時，藉此獲得聚合物種子粒子。
將所得之聚合物種子粒子5g、離子交換水500g、聚乙烯醇5重量%水溶液100g加以混合，藉由超音波使其分散後，添加至分離式燒瓶中，進行攪拌而獲得聚合物種子粒子分散液。
(聚合物粒子之製作)
將二羥甲基-三環癸烷二丙烯酸酯38g、二乙烯苯152g、過氧化苯甲醯2.6g、十二烷基硫酸三乙醇胺10g、乙醇130g添加於離子交換水1000g中，進行攪拌而獲得乳化液。將所得之乳化液分數次添加至聚合物種子粒子分散液中，攪拌12小時。其後，添加聚乙烯醇5重量%之水溶液500g，於85℃之氮氣環境下反應9小時，從而獲得聚合物粒子。
(導電性粒子之製作)
將所得之聚合物粒子清洗、乾燥後，藉由非電解鍍敷法，於聚合物粒子表面形成具有鎳層與積層於該鎳層表面之金層之二層結構的金屬層，從而製作導電性粒子。再者，鎳層之厚度為0.07μm，金層之厚度為0.02μm。
(異向性導電膜之製作)
將雙酚A型環氧樹脂(Japan Epoxy Resins公司製造之「Epikote 1009」)10重量份、丙烯酸系橡膠(重量平均分子量約為80萬)40重量份、甲基乙基酮200重量份、微膠囊型硬化劑(旭化成化學公司製造之「HX 3941HP」)50重量份、矽烷偶合劑(Dow Corning Toray Silicone公司製造之「SH 6040」)2重量份加以混合，添加導電性粒子以使含量成為3體積%，使其分散，從而獲得樹脂組合物。
將所得之樹脂組合物塗佈於單面經過脫模處理之厚度為50μm之PET(聚對苯二甲酸乙二酯)膜上，以70℃之熱風乾燥5分鐘，從而製作異向性導電膜。所得之異向性導電膜之厚度為12μm。
(連接構造體之製作)
將所得之異向性導電膜切割成5mm×5mm之大小。將所切割之異向性導電膜，貼附於一側設置有具有電阻測定用導引線之鋁電極(高度為0.2μm，L/S=20μm/20μm)之玻璃基板(寬度為3cm，長度為3cm)的鋁電極側之大致中央。繼而，使設置有相同鋁電極之2層可撓性印刷基板(寬度為2cm，長度為1cm)以電極彼此重疊之方式對準後貼合。於10N、180℃、及20秒之壓接條件下，將該玻璃基板與2層可撓性印刷基板之積層體進行熱壓接，從而獲得連接構造體。再者，使用在聚醯亞胺膜上直接形成有鋁電極之2層可撓性印刷基板。
(實施例2～16及比較例1～4)
除了將製作聚合物粒子時所使用之單體成分之種類及其調配量變更為如下述表1、2所示以外，以與實施例1相同之方式製作聚合物種子粒子分散液、聚合物粒子、導電性粒子、異向性導電膜及連接構造體。
(實施例17)
使用實施例1中所得之聚合物粒子，進行以下非電解鍍鎳步驟。
非電解鍍鎳步驟：將所得之聚合物粒子利用離子吸附劑之10重量%溶液處理5分鐘，繼而，添加至硫酸鈀0.01重量%水溶液中。其後，添加二甲基胺硼烷，進行還原處理、過濾、清洗，藉此獲得附著有鈀之聚合物粒子。
繼而，製備於離子交換水500mL中溶解有琥珀酸鈉之琥珀酸鈉1重量%溶液。於該溶液中添加附著有鈀之聚合物粒子10g，進行混合而製備漿料。於漿料中添加硫酸，將漿料之pH值調整為5。
作為鍍鎳液，製備包含硫酸鎳10重量%、次磷酸鈉10重量%、氫氧化鈉4重量%及琥珀酸鈉20重量%之前期鍍鎳溶液。將pH值經調整為5之上述漿料加溫至80℃後，於漿料中連續滴加前期鍍鎳溶液，攪拌20分鐘，藉此進行鍍敷反應。確認未產生氫，結束鍍敷反應。
繼而，製備包含硫酸鎳20重量%、二甲基胺硼烷5重量%及氫氧化鈉5重量%之後期鍍鎳溶液。於結束利用前期鍍鎳溶液之鍍敷反應之溶液中，連續滴加後期鍍鎳液，攪拌1小時，藉此進行鍍敷反應。如此般，於聚合物粒子表面形成鎳層，從而獲得導電性粒子。再者，鎳層之厚度為0.1μm。
除了使用所得之導電性粒子以外，以與實施例1相同之方式製作異向性導電膜及連接構造體。
(實施例18)
除了以鎳層之厚度成為0.07μm之方式進行製備以外，使用實施例17中所得之導電性粒子，進行以下之非電解鍍鈀步驟。
非電解鍍鈀步驟：將所得之導電性粒子10g添加至離子交換水500mL中，藉由超音波處理機使其分散充分，從而獲得粒子懸浮液。一面將該懸浮液於50℃下進行攪拌，一面緩緩添加包含硫酸鈀0.02mol/L、作為錯合劑之乙二胺0.04mol/L、作為還原劑之甲酸鈉0.06mol/L及結晶調整劑之pH值為10.0之非電解鍍敷液，進行非電解鍍鈀。於鈀層之厚度達到0.03μm之時點結束非電解鍍鈀。繼而，藉由清洗、真空乾燥而獲得於鎳層表面積層有鈀層之導電性粒子。
除了使用所得之導電性粒子以外，以與實施例1相同之方式製作異向性導電膜及連接構造體。再者，鎳層之厚度為0.07μm，鈀層之厚度為0.03μm。
(實施例19)
除了將實施例1中所得之聚合物粒子變更為實施例5中所得之聚合物粒子以外，以與實施例17相同之方式進行非電解鍍鎳步驟，於聚合物粒子表面形成鎳層，從而獲得導電性粒子。
除了使用所得之導電性粒子以外，以與實施例1相同之方式製作異向性導電膜及連接構造體。
(實施例20)
除了以鎳層之厚度成為0.07μm之方式進行製備，切將實施例17中所得之導電性粒子變更為實施例19中所得之導電性粒子以外，以與實施例18相同之方式進行非電解鍍鈀步驟，從而獲得於鎳層表面積層有鈀層之導電性粒子。
除了使用所得之導電性粒子以外，以與實施例1相同之方式製作異向性導電膜及連接構造體。
(實施例21~46及比較例5~8)
除了將製作聚合物粒子時所使用之單體成分之種類及其調配量變更為如下述表3、4所示以外，以與實施例1相同之方式製作聚合物種子粒子分散液、聚合物粒子、導電性粒子、異向性導電膜及連接構造體。
(實施例47)
於均勻分散有離子交換水1252g、聚乙烯醇之5.5重量%水溶液2135g之分散液中，添加二羥甲基-三環癸烷二丙烯酸酯38g、二乙烯苯152g、作為聚合起始劑之Perbutyl O(日本油脂公司製造)5.9g，進行混合而獲得混合液。
於氮氣環境下，以70℃使所得之混合液聚合5小時後，藉由抽氣過濾而取出粒子。使用離子交換水與丙酮對粒子進行清洗，藉此去除分散介質，繼而進行乾燥而獲得聚合物粒子。
所得之聚合物粒子之平均粒徑為240μm，CV值為0.42%。對聚合物粒子進行非電解鍍鎳，於聚合物粒子表面形成厚度為0.3μm之底層鍍鎳層。繼而，對形成有底層鍍鎳層之聚合物粒子實施電解鍍銅，形成厚度為10μm之銅層。進而，使用含有錫及銀之電解電鍍液進行電解電鍍，形成厚度為25μm之低熔點金屬層。如此般，製作於聚合物粒子表面依序形成有銅層、低熔點金屬層(錫：銀=96.5重量%：3.5重量%)之導電性粒子。再者，導電性粒子之平均粒徑為310μm，CV值為1.05%。再者，上述聚合物粒子表面之金屬層之錫及銀之含量係藉由使用螢光X射線分析裝置(島津製作所公司製造之「EDX-800HS」)之分析而求出。
(實施例48~50及比較例9)
除了將製作聚合物粒子時所使用之單體成分之種類及其調配量變更為如下述表5所示以外，以與實施例47相同之方式製作聚合物粒子及導電性粒子。
(實施例51~90)
除了將製作聚合物粒子時所使用之單體成分之種類及其調配量變更為如下述表6~8所示以外，以與實施例1相同之方式獲得聚合物粒子。
使用所得之聚合物粒子，以與實施例17相同之方式進行非電解鍍鎳步驟，於聚合物粒子表面形成鎳層，從而獲得導電性粒子。
除了使用所得之導電性粒子以外，以與實施例1相同之方式製作異向性導電膜及連接構造體。
(實施例91~130)
除了將製作聚合物粒子時所使用之單體成分之種類及其調配量變更為如下述表8~10所示以外，以與實施例1相同之方式獲得聚合物粒子。
除了使用所得之聚合物粒子，以鎳層之厚度成為0.07μm之方式進行製備以外，以與實施例17、18相同之方式進行非電解鍍鎳步驟及非電解鍍鈀步驟，從而獲得於鎳層表面積層有鈀層之導電性粒子。
除了使用所得之導電性粒子以外，以與實施例1相同之方式製作異向性導電膜及連接構造體。
(評價)
(1)聚合物粒子之平均粒徑
使用庫爾特計數器(貝克曼庫爾特公司製造)來測定所得聚合物粒子之平均粒徑。
(2)聚合物粒子之CV值
使用庫爾特計數器(貝克曼庫爾特公司製造)來測定所得聚合物粒子之CV值。
(3)聚合物粒子之壓縮彈性模數
使用微小壓縮試驗機(Fischer公司製造之「Fischerscope H-100」)來測定所得聚合物粒子之壓縮彈性模數(10% K值、20% K值及30% K值)。
(4)聚合物粒子及導電性粒子之壓縮恢復率
使用微小壓縮試驗機(Fischer公司製造之「Fischerscope H-100」)來測定所得聚合物粒子及導電性粒子之壓縮恢復率。
(5)連接電阻值
利用4端子法來測定所得連接構造體之相對向之電極間之連接電阻值。又，以下述評價基準對連接電阻值進行評價。
[連接電阻值之評價基準]
◎：連接電阻值為2.0Ω以下
○：連接電阻值超過2.0Ω且為3.0Ω以下
△：連接電阻值超過3.0Ω且為5.0Ω以下
×：連接電阻值超過5.0Ω
(6)電極之觀察
使用微分干涉顯微鏡，自所得之連接構造體之玻璃基板側觀察設置於玻璃基板之電極，以下述評價基準來評價導電性粒子所接觸之電極之壓痕形成之有無。又，使用金屬顯微鏡，觀察導電性粒子所接觸之電極部分中之空隙產生之有無。再者，關於電極之壓痕形成之有無，係以電極面積成為0.02mm2 之方式，利用微分干涉顯微鏡進行觀察，算出每電極0.02mm2 之壓痕個數。利用微分干涉顯微鏡來觀察任意10個部位，算出每電極0.02mm2 之壓痕個數之平均值。
[壓痕形成之有無之評價基準]
◎：每電極0.02mm2 之壓痕為25個以上
○：每電極0.02mm2 之壓痕為20個以上且未滿25個
△：每電極0.02mm2 之壓痕為5個以上且未滿20個
×：每電極0.02mm2 之壓痕未滿5個
(7)落下強度試驗
準備以0.5mm之間隔設置有112個電極(直徑為280μm)之矽晶片(縱6mm×橫6mm)。於該矽晶片之電極上塗佈助焊劑(Cookson Electronics公司製造之「WS-9160-M7」)。於所有電極上配置所得之導電性粒子，於加熱溫度為250℃及30秒之條件下進行回流焊，將導電性粒子安裝於電極上。
繼而，準備設置有銅電極(直徑為305μm)之印刷基板。於該印刷基板上塗佈焊錫膏(千住金屬工業公司製造之「M705-GRN360-K2-V」)。將15個於電極上安裝有導電性粒子之矽晶片安裝於塗佈有焊錫膏之印刷基板上，從而獲得連接構造體。
根據JEDEC規格JESD22-B111，進行所得之連接構造體之落下強度試驗，以下述評價基準進行評價。
所得之連接構造體形成菊鍊電路，故即便於1處產生電極之斷線，亦可檢測出斷線。再者，電極係面向外表面而依序形成有銅層、鎳-磷層及金層者。
[落下衝擊試驗之評價基準]
○：於所有15個矽晶片中，電極斷線之落下次數為100次以上
△：於所有15個矽晶片中，電極斷線之落下次數為50次以上且未滿100次
×：於所有15個矽晶片中，電極斷線之落下次數未滿50次
將結果示於下述表1~10中。再者，於下述表1~10中，「-」表示未作評價。
於表示實施例1~46、51~130之評價結果之表1~4、6~10中顯示，於使用2層可撓性印刷基板之情形時，可獲得良好之結果。並確認，即便使用3層可撓性印刷基板來替代2層可撓性印刷基板，亦可藉由使用實施例1~46、51~130之聚合物粒子及導電性粒子而獲得良好之結果。又，由表示實施例47~50之評價結果之表5可瞭解，即便受到落下之衝擊，亦可抑制電極之斷線。
又，於表示實施例1~46、51~130之評價結果之表1~4、6~10中顯示，於鋁電極之情形時獲得良好之結果。並確認，即便將設置於玻璃基板上之鋁電極變更為銅電極，亦可藉由使用實施例1~46、51~130之聚合物粒子及導電性粒子而獲得良好之結果。
1．．．連接構造體
2．．．玻璃基板
2a．．．電極
3．．．異向性導電膜
4．．．印刷基板
4a．．．電極
5．．．導電性粒子
11．．．壓痕
圖1係示意性地表示使用本發明之一實施形態之導電性粒子的連接構造體之正面剖面圖；
圖2係將圖1所示之連接構造體之導電性粒子與電極之接觸部分放大表示之正面剖面圖；及
圖3係示意性地表示於使用先前之導電性粒子之連接構造體中產生空隙之狀態的部分切口正面剖面圖。
1‧‧‧連接構造體
2‧‧‧玻璃基板
2a‧‧‧電極
3‧‧‧異向性導電膜
4‧‧‧印刷基板
4a‧‧‧電極
5‧‧‧導電性粒子

Claims (15)

  1. 一種導電性粒子，其包含藉由使具有至少2個環結構之脂環式化合物單體聚合而得之聚合物粒子與被覆該聚合物粒子之表面之金屬層，上述聚合物粒子之壓縮恢復率為50%以下，且經壓縮10%時之壓縮彈性模數為196~6,860N/mm2之範圍內。
  2. 如請求項1之導電性粒子，其中上述至少2個環結構為雙環結構或三環結構。
  3. 如請求項1或2之導電性粒子，其中上述單體為丙烯酸系單體。
  4. 如請求項1至3中任一項之導電性粒子，其中上述聚合物粒子之壓縮恢復率為50%以下，且經壓縮10%時之壓縮彈性模數為980~4,900N/mm2之範圍內。
  5. 如請求項4之導電性粒子，其中上述聚合物粒子之壓縮恢復率為10~50%之範圍內。
  6. 如請求項1或2之導電性粒子，其中上述聚合物粒子係藉由使具有至少2個環結構之脂環式化合物單官能單體與多官能單體聚合而得之聚合物粒子。
  7. 如請求項6之導電性粒子，其中上述聚合物粒子係藉由使包含20~90重量%之具有至少2個環結構之脂環式化合物單官能單體與10~80重量%之多官能單體的單體成分聚合而得之聚合物粒子。
  8. 如請求項1或2之導電性粒子，其中上述聚合物粒子係藉由使具有至少2個環結構之脂環式化合物多官能單體聚 合而得之聚合物粒子。
  9. 如請求項8之導電性粒子，其中上述聚合物粒子係藉由使包含20重量%以上之具有至少2個環結構之脂環式化合物多官能單體的單體成分聚合而得之聚合物粒子。
  10. 如請求項1或2之導電性粒子，其中上述聚合物粒子係藉由使具有至少2個環結構之脂環式化合物單官能單體與具有至少2個環結構之脂環式化合物多官能單體聚合而得之聚合物粒子。
  11. 如請求項1或2之導電性粒子，其中壓縮恢復率為45%以下。
  12. 如請求項1或2之導電性粒子，其中上述金屬層之外表面為包含鎳之金屬層、包含鈀之金屬層或包含低熔點金屬之金屬層。
  13. 一種異向性導電材料，其包含如請求項1或2之導電性粒子與黏合劑樹脂。
  14. 一種連接構造體，其包含第1連接對象構件、第2連接對象構件、以及將第1與第2連接對象構件連接之如請求項1或2之導電性粒子。
  15. 一種連接構造體，其包含第1連接對象構件、第2連接對象構件以及將第1與第2連接對象構件連接之連接部，上述連接部係由如請求項13之異向性導電材料所形成。
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