JP7453738B2 - 基材粒子、導電性粒子、導電材料、接続材料及び接続構造体 - Google Patents

Description

本発明は、良好な圧縮特性を有する基材粒子に関する。また、本発明は、上記基材粒子を用いた導電性粒子、導電材料、接続材料及び接続構造体に関する。

異方性導電ペースト及び異方性導電フィルム等の異方性導電材料が広く知られている。上記異方性導電材料では、バインダー中に導電性粒子が分散されている。

上記異方性導電材料は、フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）、ガラス基板、ガラスエポキシ基板及び半導体チップ等の様々な接続対象部材の電極間を電気的に接続し、接続構造体を得るために用いられている。また、上記導電性粒子として、基材粒子と、該基材粒子の表面上に配置された導電層とを有する導電性粒子が用いられることがある。

上記導電性粒子に用いられる基材粒子の一例として、下記の特許文献１では、架橋（メタ）アクリル酸エステル系樹脂で構成される平均粒子径１～１００μｍの高復元性樹脂粒子が開示されている。上記高復元性樹脂粒子は、２２％以上の復元率を有する。上記高復元性樹脂粒子は、１．５～５．０ｋｇｆ／ｍｍ^２の３０％圧縮強度を有する。

下記の特許文献２には、荷重負荷速度０．２２７５ｇｆ／ｓｅｃで圧縮する圧縮試験において、重合体粒子全体が破壊する本破壊挙動を示す前に、予め重合体粒子の一部が破壊される予備的破壊挙動を示す重合体粒子が開示されている。また、特許文献２には、上記重合体粒子と導電性金属層とを有する導電性粒子も開示されている。

また、液晶表示素子は、２枚のガラス基板間に液晶が配置されて構成されている。該液晶表示素子では、２枚のガラス基板の間隔（ギャップ）を均一かつ一定に保つために、ギャップ制御材としてスペーサが用いられている。該スペーサとして、基材粒子が一般に用いられている。

上記導電性粒子又は上記液晶表示素子用スペーサに用いられる粒子の一例として、下記の特許文献３には、重合性不飽和基を有する多官能性シラン化合物を、界面活性剤の存在下で加水分解及び重縮合させることにより得られる有機質無機質複合体粒子（基材粒子）が開示されている。特許文献３では、上記多官能性シラン化合物が、特定の式で表される化合物及びその誘導体から選ばれた少なくとも１つのラジカル重合性基含有第１シリコン化合物である。

また、下記の特許文献４には、硬質粒子の表面を、軟質な高分子重合体層で被覆したコアシェル粒子が開示されている。上記硬質粒子の好適な例としては、ニッケル等の金属粒子、グラスファイバー、アルミナ、シリカ等の無機物粒子、硬化ベンゾグアナミン等の樹脂硬化物粒子が挙げられている。

ＷＯ２０１６／０３９３５７Ａ１ 特開２０１２－３６３３５号公報 特開２０００－２０４１１９号公報 特開平７－１４０４８１号公報

近年、導電性粒子を含む導電材料や接続材料を用いて電極間を電気的に接続する際に、比較的低い圧力であっても、電極間を電気的に確実に接続し、接続抵抗を低くすることが望まれている。例えば、液晶表示素子の製造方法において、ＣＯＧ工法における半導体素子の実装時には、ガラス基板上に異方性導電材料を配置し、半導体素子を積層し、熱圧着が行われている。近年、液晶パネルの狭額縁化やガラス基板の薄型化が進行している。この場合に、半導体素子の実装時に、高い圧力で熱圧着を行うと、半導体素子の実装に歪みが生じ、表示むらが発生することがある。従って、ＣＯＧ工法における半導体素子の実装時には、比較的低い圧力で熱圧着を行うことが望ましい。また、ＣＯＧ工法以外でも、熱圧着時の圧力を比較的低くすることが求められることがある。

特許文献１～４に記載のような従来の基材粒子を導電性粒子として用いる場合には、比較的低い圧力で電極間を電気的に接続すると、接続抵抗が高くなることがある。これは、導電性粒子が電極（被着体）に十分に接触せず、導電性粒子が押し込まれて形成される凹部である圧痕が形成され難いためである。また、従来の導電性粒子では、接続時の圧力だけでなく、電極（被着体）の硬さ（材質）によって、導電性粒子が電極（被着体）に十分に接触せず、接続抵抗が高くなることがある。また、上記圧痕とは異なる傷が電極（被着体）に形成され、接続抵抗が高くなることがある。

また、特許文献１～４に記載のような従来の基材粒子を液晶表示素子等に用いられるスペーサとして用いる場合には、液晶表示素子用部材等（被着体）を傷付けることがある。従来のスペーサでは、液晶表示素子用部材等（被着体）に十分に接触せず、十分なギャップ制御効果が得られないことがある。

本発明の目的は、被着体の傷付きを抑え、ギャップを高精度に制御でき、かつ、様々な被着体に対して、基材粒子を用いた粒子を被着体に良好に接触させることができる基材粒子を提供することである。また、本発明の目的は、上記基材粒子を用いた導電性粒子、導電材料、接続材料及び接続構造体を提供することである。

本発明の広い局面によれば、重合性化合物の重合体であり、１０％圧縮したときの圧縮弾性率が、２５００Ｎ／ｍｍ^２以上、４０００Ｎ／ｍｍ^２以下であり、３０％圧縮したときの圧縮弾性率が、１０００Ｎ／ｍｍ^２以上、２０００Ｎ／ｍｍ^２以下であり、１０％圧縮したときの圧縮弾性率の３０％圧縮したときの圧縮弾性率に対する比が、２．０以上である、基材粒子が提供される。

本発明に係る基材粒子のある特定の局面では、基材粒子の中心部と基材粒子の表面部とが同一の前記重合性化合物で構成されている。

本発明に係る基材粒子のある特定の局面では、前記１０％圧縮したときの圧縮弾性率が、２５００Ｎ／ｍｍ^２以上、３６００Ｎ／ｍｍ^２以下であり、前記３０％圧縮したときの圧縮弾性率が、１１００Ｎ／ｍｍ^２以上、１８００Ｎ／ｍｍ^２以下である。

本発明に係る基材粒子のある特定の局面では、前記重合体が、環状構造を２種以上有する。

本発明に係る基材粒子のある特定の局面では、前記重合体を構成する前記重合性化合物が、環状構造を有する第１の重合性化合物と、前記第１の重合性化合物における環状構造とは異なる環状構造を有する第２の重合性化合物とを含む。

本発明に係る基材粒子のある特定の局面では、前記重合体を構成する前記重合性化合物が、環状構造を有する重合性化合物を９５重量％以上含む。

本発明に係る基材粒子のある特定の局面では、前記基材粒子は、導電層を有する導電性粒子を得るために用いられるか、又はスペーサとして用いられる。

本発明に係る基材粒子のある特定の局面では、前記基材粒子は、導電層を有する導電性粒子を得るために用いられる。

本発明の広い局面によれば、上述した基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電層とを備える、導電性粒子が提供される。

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電層の外表面上に配置された絶縁性物質をさらに備える。

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電層の外表面に突起を有する。

本発明の広い局面によれば、導電性粒子と、バインダーとを含み、前記導電性粒子が、上述した基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電層とを備える、導電材料が提供される。

本発明の広い局面によれば、上述した基材粒子と、バインダー又は金属原子含有粒子とを含む接続材料が提供される。

本発明に係る接続材料のある特定の局面では、前記接続材料は、金属原子含有粒子を含む。

本発明に係る接続材料のある特定の局面では、前記接続材料は、バインダーを含む。

本発明に係る接続材料のある特定の局面では、前記基材粒子の熱分解温度が、前記金属原子含有粒子の融点よりも高い。

本発明に係る接続材料のある特定の局面では、前記接続材料は、２つの接続対象部材を接続する接続部を形成するために用いられ、前記接続材料は、前記金属原子含有粒子の焼結体によって、前記接続部を形成するために用いられる。

本発明の広い局面によれば、少なくとも１つの第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、少なくとも１つの第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材と、前記第１の接続対象部材と、前記第２の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、前記接続部の材料が、上述した基材粒子を含み、前記第１の電極と前記第２の電極とが、前記接続部により電気的に接続されている、接続構造体が提供される。

本発明に係る基材粒子は、重合性化合物の重合体である。本発明に係る基材粒子では、１０％圧縮したときの圧縮弾性率が、２５００Ｎ／ｍｍ^２以上、４０００Ｎ／ｍｍ^２以下であり、３０％圧縮したときの圧縮弾性率が、１０００Ｎ／ｍｍ^２以上、２０００Ｎ／ｍｍ^２以下であり、１０％圧縮したときの圧縮弾性率の３０％圧縮したときの圧縮弾性率に対する比が、２．０以上である。本発明に係る基材粒子では、上記の構成が備えられているので、被着体の傷付きを抑え、ギャップを高精度に制御でき、かつ、様々な被着体に対して、基材粒子を用いた粒子を被着体に良好に接触させることができる。

図１は、本発明の第１の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。 図２は、本発明の第２の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。 図３は、本発明の第３の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。 図４は、本発明の第１の実施形態に係る導電性粒子を用いた接続構造体の一例を示す断面図である。 図５は、本発明に係る基材粒子を用いた接続構造体の一例を示す断面図である。 図６は、本発明に係る基材粒子を液晶表示素子用スペーサとして用いた液晶表示素子の一例を示す断面図である。

以下、本発明を詳細に説明する。

（基材粒子）
本発明に係る基材粒子は、重合性化合物の重合体である。本発明に係る基材粒子では、１０％圧縮したときの圧縮弾性率（１０％Ｋ値）が、２５００Ｎ／ｍｍ^２以上、４０００Ｎ／ｍｍ^２以下であり、３０％圧縮したときの圧縮弾性率（３０％Ｋ値）が、１０００Ｎ／ｍｍ^２以上、２０００Ｎ／ｍｍ^２以下である。本発明に係る基材粒子では、１０％圧縮したときの圧縮弾性率（１０％Ｋ値）の３０％圧縮したときの圧縮弾性率（３０％Ｋ値）に対する比（１０％Ｋ値／３０％Ｋ値）が、２．０以上である。

本発明では、上記の構成が備えられているので、被着体の傷付きを抑え、ギャップを高精度に制御でき、かつ、様々な被着体に対して、基材粒子を用いた粒子を被着体に良好に接触させることができる。

さらに、本発明に係る基材粒子の表面上に導電層を形成した導電性粒子を用いて、電極間を電気的に接続する場合には、比較的低い圧力で熱圧着を行ったとしても、接続抵抗を十分に低減させることができる。本発明に係る基材粒子を導電性粒子として用いた場合には、様々な電極に対して、導電性粒子を電極に十分に接触させることができ、導電性粒子が押し込まれて形成される凹部である圧痕を形成することができるので、導通信頼性を十分に高めることができる。上記圧痕は、電極に意図せずに形成される傷には含まれない。

また、本発明に係る基材粒子を液晶表示素子用スペーサとして用いた場合には、液晶表示素子用部材等の傷付きを効果的に抑制することができる。さらに、液晶表示素子用部材等に十分に接触させることができ、十分なギャップ制御効果を得ることができる。

本発明に係る基材粒子では、上記１０％Ｋ値が、２５００Ｎ／ｍｍ^２以上、４０００Ｎ／ｍｍ^２以下である。上記１０％Ｋ値は、好ましくは２７５０Ｎ／ｍｍ^２以上、より好ましくは２８００Ｎ／ｍｍ^２以上、さらに好ましくは２８５０Ｎ／ｍｍ^２以上である。上記１０％Ｋ値は、好ましくは３８５０Ｎ／ｍｍ^２以下、より好ましくは３８００Ｎ／ｍｍ^２以下、より一層好ましくは３６００Ｎ／ｍｍ^２以下、さらに好ましくは３５００Ｎ／ｍｍ^２以下、更に一層好ましくは３４５０Ｎ／ｍｍ^２以下、特に好ましくは３３００Ｎ／ｍｍ^２以下、最も好ましくは３１００Ｎ／ｍｍ^２以下である。上記１０％Ｋ値が上記下限以上及び上記上限以下であると、被着体の傷付きをより一層抑制し、ギャップをより一層高精度に制御でき、かつ様々な被着体に対して、基材粒子及び基材粒子を用いた粒子の接触性をより一層高めることができる。

本発明に係る基材粒子では、上記３０％Ｋ値が、１０００Ｎ／ｍｍ^２以上、２０００Ｎ／ｍｍ^２以下である。上記３０％Ｋ値は、好ましくは１０５０Ｎ／ｍｍ^２以上、より好ましくは１１００Ｎ／ｍｍ^２以上、さらに好ましくは１１５０Ｎ／ｍｍ^２以上、特に好ましくは１２００Ｎ／ｍｍ^２以上である。上記３０％Ｋ値は、好ましくは１８５０Ｎ／ｍｍ^２以下、より好ましくは１８００Ｎ／ｍｍ^２以下、より一層好ましくは１７５０Ｎ／ｍｍ^２以下、さらに好ましくは１７００Ｎ／ｍｍ^２以下、さらに一層好ましくは１６５０Ｎ／ｍｍ^２以下、特に好ましくは１６００Ｎ／ｍｍ^２以下である。上記３０％Ｋ値が上記下限以上及び上記上限以下であると、被着体の傷付きをより一層抑制し、ギャップをより一層高精度に制御でき、かつ様々な被着体に対して、基材粒子及び基材粒子を用いた粒子の接触性をより一層高めることができる。

本発明に係る基材粒子では、上記比（１０％Ｋ値／３０％Ｋ値）が、２．０以上である。上記比（１０％Ｋ値／３０％Ｋ値）は、好ましくは２．１０以上、より好ましくは２．１２以上、さらに好ましくは２．２０以上、特に好ましくは２．４０以上である。上記比の上限は特に限定されない。上記比（１０％Ｋ値／３０％Ｋ値）が上記下限以上及び上記上限以下であると、被着体の傷付きをより一層抑制し、ギャップをより一層高精度に制御でき、かつ様々な被着体に対して、基材粒子及び基材粒子を用いた粒子の接触性をより一層高めることができる。

上記基材粒子における上記圧縮弾性率（１０％Ｋ値及び３０％Ｋ値）は、以下のようにして測定できる。

微小圧縮試験機を用いて、円柱（直径１００μｍ、ダイヤモンド製）の平滑圧子端面で、２５℃、圧縮速度０．３ｍＮ／秒、及び最大試験荷重２０ｍＮの条件下で基材粒子１個を圧縮する。このときの荷重値（Ｎ）及び圧縮変位（ｍｍ）を測定する。得られた測定値から、上記圧縮弾性率（１０％Ｋ値及び３０％Ｋ値）を下記式により求めることができる。上記微小圧縮試験機として、例えば、フィッシャー社製「フィッシャースコープＨ－１００」等が用いられる。上記基材粒子における上記圧縮弾性率（１０％Ｋ値及び３０％Ｋ値）は、任意に選択された５０個の基材粒子の上記圧縮弾性率（１０％Ｋ値及び３０％Ｋ値）を算術平均することにより、算出することが好ましい。

１０％Ｋ値又は３０％Ｋ値（Ｎ／ｍｍ^２）＝（３／２^１／２）・Ｆ・Ｓ^－３／２・Ｒ^－１／２
Ｆ：基材粒子が１０％又は３０％圧縮変形したときの荷重値（Ｎ）
Ｓ：基材粒子が１０％又は３０％圧縮変形したときの圧縮変位（ｍｍ）
Ｒ：基材粒子の半径（ｍｍ）

上記圧縮弾性率は、基材粒子の硬さを普遍的かつ定量的に表す。上記圧縮弾性率の使用により、基材粒子の硬さを定量的かつ一義的に表すことができる。

上記基材粒子の圧縮回復率は、好ましくは３％以上、より好ましくは５％以上であり、好ましくは１５％以下、より好ましくは１０％以下である。上記基材粒子の圧縮回復率が、上記下限以上及び上記上限以下であると、被着体の傷付きをより一層抑え、ギャップをより一層高精度に制御でき、かつ、様々な被着体に対して、基材粒子を用いた粒子を被着体により一層良好に接触させることができる。

上記基材粒子の圧縮回復率は、以下のようにして測定できる。

試料台上に基材粒子を散布する。散布された基材粒子１個について、微小圧縮試験機を用いて、円柱（直径１００μｍ、ダイヤモンド製）の平滑圧子端面で、２５℃で、基材粒子の中心方向に、基材粒子が３０％圧縮変形するまで負荷（反転荷重値）を与える。その後、原点用荷重値（０．４０ｍＮ）まで除荷を行う。この間の荷重－圧縮変位を測定し、下記式から圧縮回復率を求めることができる。なお、負荷速度は０．３３ｍＮ／秒とする。上記微小圧縮試験機として、例えば、フィッシャー社製「フィッシャースコープＨ－１００」等が用いられる。

圧縮回復率（％）＝［Ｌ２／Ｌ１］×１００
Ｌ１：負荷を与えるときの原点用荷重値から反転荷重値に至るまでの圧縮変位
Ｌ２：負荷を解放するときの反転荷重値から原点用荷重値に至るまでの除荷変位

上記基材粒子の用途は特に限定されない。上記基材粒子は、様々な用途に好適に用いられる。上記基材粒子は、導電層を有する導電性粒子を得るために用いられるか、又はスペーサとして用いられることが好ましい。上記導電性粒子において、上記導電層は、上記基材粒子の表面上に形成される。上記基材粒子は、導電層を有する導電性粒子を得るために用いられることが好ましい。上記基材粒子は、スペーサとして用いられることが好ましい。上記スペーサの使用方法としては、液晶表示素子用スペーサ、ギャップ制御用スペーサ、及び応力緩和用スペーサ等が挙げられる。上記ギャップ制御用スペーサは、スタンドオフ高さ及び平坦性を確保するための積層チップのギャップ制御、並びに、ガラス面の平滑性及び接着剤層の厚みを確保するための光学部品のギャップ制御等に用いることができる。上記応力緩和用スペーサは、センサチップ等の応力緩和、及び２つの接続対象部材を接続している接続部の応力緩和等に用いることができる。

上記基材粒子は、液晶表示素子用スペーサとして用いられることが好ましく、液晶表示素子用周辺シール剤に用いられることが好ましい。上記液晶表示素子用周辺シール剤において、上記基材粒子は、スペーサとして機能することが好ましい。上記基材粒子は、良好な圧縮変形特性及び良好な圧縮破壊特性を有するので、上記基材粒子をスペーサとして用いて基板間に配置したり、表面に導電層を形成して導電性粒子として用いて電極間を電気的に接続したりした場合に、スペーサ又は導電性粒子が、基板間又は電極間に効率的に配置される。さらに、上記基材粒子では、液晶表示素子用部材等の傷付きを抑えることができるので、上記液晶表示素子用スペーサを用いた液晶表示素子及び上記導電性粒子を用いた接続構造体において、接続不良及び表示不良が生じ難くなる。

さらに、上記基材粒子は、無機充填材、トナーの添加剤、衝撃吸収剤又は振動吸収剤としても好適に用いられる。例えば、ゴム又はバネ等の代替品として、上記基材粒子を用いることができる。

（基材粒子のその他の詳細）
良好な圧縮変形特性及び良好な圧縮破壊特性を容易に達成する観点からは、上記基材粒子は、無機酸化物を含まないことが好ましい。上記基材粒子は、上記無機酸化物を含んでいてもよい。上記無機酸化物としては、Ｓｉ酸化物、Ｔｉ酸化物、Ｚｒ酸化物、及びＡｌ酸化物等が挙げられる。良好な圧縮変形特性及び良好な圧縮破壊特性を容易に達成する観点からは、上記基材粒子１００重量％中、上記無機酸化物の含有量は、好ましくは５重量％以下、より好ましくは１重量％以下である。上記無機酸化物の含有量の下限は特に限定されない。上記無機酸化物の含有量は、０％以上であってもよい。上記無機酸化物の含有量は、０％（未含有）であってもよい。

上記基材粒子中の無機酸化物の含有量は、示差熱－熱重量同時測定装置（ＴＧ－ＤＴＡ）を用いて、温度６００℃で１時間加熱した後の重量残量割合等により測定できる。

上記基材粒子は、重合性化合物の重合体である。良好な圧縮変形特性及び良好な圧縮破壊特性を容易に達成する観点からは、上記基材粒子では、基材粒子の中心部と基材粒子の表面部とが同一の上記重合性化合物で構成されていることが好ましい。上記基材粒子の中心部における重合性化合物の配合比と、上記基材粒子の表面部における重合性化合物の配合比とは、同一であってもよく、異なっていてもよい。上記基材粒子の中心部における構成成分の構成比と、上記基材粒子の表面部における構成成分の構成比とは、同一であってもよく、異なっていてもよい。

上記基材粒子では、基材粒子の中心部が中心部形成材料により形成されており、基材粒子の表面部が表面部形成材料により形成されていることが好ましい。良好な圧縮変形特性及び良好な圧縮破壊特性を容易に達成する観点からは、上記基材粒子では、上記中心部形成材料の成分と上記表面部形成材料の成分とは、同一であることが好ましい。上記基材粒子では、上記中心部形成材料の成分比と上記表面部形成材料の成分比とは、同一であってもよく、異なっていてもよい。また、上記基材粒子では、上記中心部形成材料と上記表面部形成材料との双方を含む領域が存在することが好ましい。上記基材粒子では、上記中心部形成材料を含み、かつ上記表面部形成材料を含まないか又は上記表面部形成材料を２５重量％未満で含む領域を、基材粒子が中心部に有することが好ましい。上記基材粒子では、上記表面部形成材料を含み、かつ上記中心部形成材料を含まないか又は上記中心部形成材料を２５重量％未満で含む領域を、基材粒子が表面部に有することが好ましい。

上記基材粒子は、コアと、該コアの表面上に配置されたシェルとを備えるコアシェル粒子ではないことが好ましく、基材粒子内で、コアとシェルとの界面を有さないことが好ましい。上記基材粒子は、基材粒子内で、界面を有さないことが好ましく、異なる面同士が接触している界面を有さないことがより好ましい。上記基材粒子は、表面が存在する不連続部分を有さないことが好ましく、構造表面が存在する不連続部分を有さないことが好ましい。

良好な圧縮変形特性及び良好な圧縮破壊特性を容易に達成する観点からは、上記重合体が、環状構造を２種以上有することが好ましい。上記環状構造とは、原子が環状に結合した構造を意味する。上記環状構造の具体例としては、ベンゼン環、ナフタレン環及びシクロヘキサン環等が挙げられる。

良好な圧縮変形特性及び良好な圧縮破壊特性を容易に達成する観点からは、上記環状構造を形成する原子数は、好ましくは６個以上である。上記環状構造を形成する原子は特に限定されず、炭素、窒素、及び酸素等が挙げられる。上記環状構造は、１種の原子から形成されていてもよく、２種以上の原子から形成されていてもよい。良好な圧縮変形特性及び良好な圧縮破壊特性を容易に達成する観点からは、上記環状構造を形成する原子は、炭素であることが好ましい。上記環状構造は、炭素のみで形成されていることが好ましい。

上記環状構造は、二重結合を有していてもよく、二重結合を有していなくてもよい。上記環状構造は、芳香族環であってもよく、二重結合を有しない飽和脂肪族環であってもよく、二重結合を有する不飽和脂肪族環であってもよい。良好な圧縮変形特性及び良好な圧縮破壊特性を容易に達成する観点からは、上記重合体は、芳香族環と脂肪族環とをそれぞれ１種以上有することが好ましい。上記脂肪族環は、二重結合を有しない飽和脂肪族環であることが好ましい。上記芳香族環及び上記脂肪族環では、６個以上の原子により環状構造が形成されていることが好ましく、環状構造を形成している原子は炭素であることが好ましい。上記芳香族環はベンゼン環であることが好ましく、上記脂肪族環はシクロヘキサン環であることが好ましい。

良好な圧縮変形特性及び良好な圧縮破壊特性を容易に達成する観点からは、上記芳香族環と上記脂肪族環とは、結合されていることが好ましい。上記芳香族環と上記脂肪族環とは、炭素鎖によって、結合されていることが好ましい。良好な圧縮変形特性及び良好な圧縮破壊特性を容易に達成する観点からは、上記炭素鎖の炭素数は、好ましくは８以下、より好ましくは６以下である。ここで、炭素鎖の間に酸素原子が２個以下で含まれていてもよく、この場合には、酸素原子は炭素数には含まれない。上記炭素鎖は、酸素原子を含む炭素鎖であってもよく、酸素原子と炭素原子とが連なった原子鎖であってもよい。また、上記炭素鎖の炭素数は、炭素鎖の直鎖部分の炭素数である。上記炭素鎖が側鎖を有する場合、側鎖部分の炭素数は、上記炭素鎖の炭素数には含まれない。

良好な圧縮変形特性及び良好な圧縮破壊特性を容易に達成する観点からは、上記重合体は、１個以上の上記芳香族環と１個以上の上記脂肪族環とが結合した構造を有することが好ましい。上記基材粒子は、１個以上の上記芳香族環と１個以上の上記脂肪族環とが、炭素鎖によって、結合した構造を有することが好ましい。上記芳香族環と上記脂肪族環とは、交互に結合した構造であってもよく、ランダムに結合した構造であってもよい。

良好な圧縮変形特性及び良好な圧縮破壊特性を容易に達成する観点からは、上記重合体を構成する上記重合性化合物は、環状構造を有する第１の重合性化合物と、上記第１の重合性化合物における環状構造とは異なる環状構造を有する第２の重合性化合物とを含むことが好ましい。上記第１の重合性化合物は、上記芳香族環を有する重合性化合物であるか、又は上記脂肪族環を有する重合性化合物であることが好ましい。上記第１の重合性化合物が上記芳香族環を有する重合性化合物である場合には、上記第２の重合性化合物は上記脂肪族環を有する重合性化合物であることが好ましい。上記第１の重合性化合物が上記脂肪族環を有する重合性化合物である場合には、上記第２の重合性化合物は上記芳香族環を有する重合性化合物であることが好ましい。

良好な圧縮変形特性及び良好な圧縮破壊特性を容易に達成する観点からは、上記重合体を構成する上記重合性化合物が、環状構造を有する重合性化合物を９５重量％以上含むことが好ましく、９７重量％以上含むことがより好ましい。良好な圧縮変形特性及び良好な圧縮破壊特性を容易に達成する観点からは、上記重合体を構成する上記重合性化合物が、環状構造を有しない重合性化合物を５重量％以下含むことが好ましく、３重量％以下含むことがより好ましい。上記重合体を構成する上記重合性化合物は、環状構造を有しない重合性化合物を含まなくてもよい。

良好な圧縮変形特性及び良好な圧縮破壊特性を容易に達成する観点からは、上記基材粒子及び上記重合体は、多官能モノマーと単管能モノマーとを重合させることで得られることが好ましい。上記基材粒子及び上記重合体は、多官能モノマーと単管能モノマーとの重合体であることが好ましい。上記重合体を構成する上記重合性化合物では、上記多官能モノマーと上記単管能モノマーとを用いることが好ましい。上記多官能モノマーとしては上記芳香族環を有するモノマーであることが好ましく、上記単管能モノマーとしては上記脂肪族環を有するモノマーであることが好ましい。

上記多官能モノマーとしては、ジビニルベンゼン、ジビニルナフタレン、ジビニルシクロヘキサン、トリビニルシクロヘキサン及びジメチロール－トリシクロデカンジアクリレート等が挙げられる。上記多官能モノマーは、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記単管能モノマーとしては、スチレン、メタクリル酸フェニル、アクリル酸フェニル、メタクリル酸シクロヘキシル、アクリル酸シクロヘキシル、イソボルニルメタクリレート及びイソボルニルアクリレート等が挙げられる。上記単管能モノマーは、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

良好な圧縮変形特性及び良好な圧縮破壊特性を容易に達成する観点からは、上記基材粒子及び上記重合体は、上記多官能モノマーと上記単官能モノマーとを重量比で、５：９５～５０：５０で重合させることで得られることが好ましい。良好な圧縮変形特性及び良好な圧縮破壊特性をより一層容易に達成する観点からは、上記基材粒子及び上記重合体は、上記多官能モノマーと上記単官能モノマーとを重量比で、７．５：９２．５～５０：５０で重合させることで得られることがより好ましく、１０：９０～５０：５０で重合させることで得られることがさらに好ましい。この場合に、上記多官能モノマー及び上記単管能モノマー以外の多官能モノマー（他の多官能モノマー）及び単管能モノマー（他の単管能モノマー）を用いてもよい。

上記基材粒子１００ｍｏｌ％中、上記芳香族環を有するモノマー、上記脂肪族環を有するモノマー、及び、１個以上の上記芳香族環を有するモノマーと１個以上の上記脂肪族環を有するモノマーとの重合体の合計の含有量は、好ましくは９０ｍｏｌ％以上、より好ましくは９５ｍｏｌ％以上である。この好ましい合計の含有量を満足すると、良好な圧縮変形特性及び良好な圧縮破壊特性を容易に達成することができる。

上記基材粒子の粒子径は、好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは１．０μｍ以上であり、好ましくは５００μｍ以下、より好ましくは４５０μｍ以下、より一層好ましくは１００μｍ以下、さらに好ましくは５０μｍ以下、特に好ましくは２０μｍ以下である。上記基材粒子の粒子径が、上記下限以上及び上記上限以下であると、良好な圧縮変形特性及び圧縮破壊特性を示すことが容易であり、基材粒子を導電性粒子及びスペーサの用途に好適に使用可能になる。

上記基材粒子の粒子径は、上記基材粒子が真球状である場合には直径を意味し、上記基材粒子が真球状以外の形状である場合には、その体積相当の真球と仮定した際の直径を意味する。また、基材粒子の粒子径は、基材粒子を任意の粒子径測定装置により測定した平均粒子径を意味する。例えば、レーザー光散乱、電気抵抗値変化、撮像後の画像解析等の原理を用いた粒度分布測定機が利用できる。さらに具体的には、複数の基材粒子の場合には、基材粒子の粒子径の測定方法としては、例えば、粒度分布測定装置（ベックマンコールター社製「Ｍｕｌｔｉｓｉｚｅｒ４」）を用いて、約１０００００個の粒子径を測定し、平均粒子径を測定する方法が挙げられる。上記平均粒子径は、数平均粒子径を示す。

上記基材粒子の変動係数（ＣＶ値）は、好ましくは１０％以下、より好ましくは７％以下、さらに好ましくは５％以下である。上記基材粒子のＣＶ値が、上記上限以下であると、ギャップをより一層高精度に制御でき、かつ、被着体の材質に関係なく、基材粒子を用いた粒子を被着体により一層良好に接触させることができ、基材粒子を導電性粒子及びスペーサの用途に好適に使用可能になる。

上記基材粒子のアスペクト比は、好ましくは１．１０以下、より好ましくは１．０５以下、さらに好ましくは１．０２以下である。上記アスペクト比は、長径／短径を示す。複数の基材粒子の場合には、上記アスペクト比は、任意の基材粒子１０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、最大径と最小径をそれぞれ長径、短径とし、各粒子の長径／短径の平均値を算出することにより求めることが好ましい。

（導電性粒子）
上記導電性粒子は、上述した基材粒子と、該基材粒子の表面上に配置された導電層とを備える。

図１は、本発明の第１の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。

図１に示す導電性粒子１は、基材粒子１１と、基材粒子１１の表面上に配置された導電層２とを有する。導電層２は、基材粒子１１の表面を被覆している。導電性粒子１は、基材粒子１１の表面が導電層２により被覆された被覆粒子である。

図２は、本発明の第２の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。

図２に示す導電性粒子２１は、基材粒子１１と、基材粒子１１の表面上に配置された導電層２２とを有する。図２に示す導電性粒子２１では、導電層２２のみが、図１に示す導電性粒子１と異なる。導電層２２は、内層である第１の導電層２２Ａと外層である第２の導電層２２Ｂとを有する。基材粒子１１の表面上に、第１の導電層２２Ａが配置されている。第１の導電層２２Ａの表面上に、第２の導電層２２Ｂが配置されている。

図３は、本発明の第３の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。

図３に示す導電性粒子３１は、基材粒子１１と、導電層３２と、複数の芯物質３３と、複数の絶縁性物質３４とを有する。

導電層３２は、基材粒子１１の表面上に配置されている。導電性粒子３１は導電性の表面に、複数の突起３１ａを有する。導電層３２は外表面に、複数の突起３２ａを有する。このように、上記導電性粒子は、導電性粒子の導電性の表面に突起を有していてもよく、導電層の外表面に突起を有していてもよい。複数の芯物質３３が、基材粒子１１の表面上に配置されている。複数の芯物質３３は導電層３２内に埋め込まれている。芯物質３３は、突起３１ａ，３２ａの内側に配置されている。導電層３２は、複数の芯物質３３を被覆している。複数の芯物質３３により導電層３２の外表面が隆起されており、突起３１ａ，３２ａが形成されている。

導電性粒子３１は、導電層３２の外表面上に配置された絶縁性物質３４を有する。導電層３２の外表面の少なくとも一部の領域が、絶縁性物質３４により被覆されている。絶縁性物質３４は絶縁性を有する材料により形成されており、絶縁性粒子である。このように、上記導電性粒子は、導電層の外表面上に配置された絶縁性物質を有していてもよい。

上記導電層を形成するための金属は特に限定されない。該金属としては、例えば、金、銀、パラジウム、銅、白金、亜鉛、鉄、錫、鉛、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、タリウム、ゲルマニウム、カドミウム、ケイ素、タングステン、モリブデン及びこれらの合金等が挙げられる。また、上記金属としては、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）及びはんだ等が挙げられる。なかでも、電極間の接続抵抗をより一層低くすることができるので、錫を含む合金、ニッケル、パラジウム、銅又は金が好ましく、ニッケル又はパラジウムが好ましい。

導電性粒子１，３１のように、上記導電層は、１つの層により形成されていてもよい。導電性粒子２１のように、導電層は、複数の層により形成されていてもよい。すなわち、導電層は、２層以上の積層構造を有していてもよい。導電層が複数の層により形成されている場合には、最外層は、金層、ニッケル層、パラジウム層、銅層又は錫と銀とを含む合金層であることが好ましく、金層であることがより好ましい。最外層がこれらの好ましい導電層である場合には、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。また、最外層が金層である場合には、耐腐食性がより一層高くなる。

上記基材粒子の表面上に導電層を形成する方法は特に限定されない。導電層を形成する方法としては、例えば、無電解めっきによる方法、電気めっきによる方法、物理的蒸着による方法、並びに金属粉末もしくは金属粉末とバインダーとを含むペーストを基材粒子の表面にコーティングする方法等が挙げられる。なかでも、導電層の形成が簡便であるので、無電解めっきによる方法が好ましい。上記物理的蒸着による方法としては、真空蒸着、イオンプレーティング及びイオンスパッタリング等の方法が挙げられる。

上記導電性粒子の粒子径は、好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは１．０μｍ以上であり、好ましくは５００μｍ以下、より好ましくは４５０μｍ以下、より一層好ましくは１００μｍ以下、さらに好ましくは５０μｍ以下、特に好ましくは２０μｍ以下である。導電性粒子の粒子径が、上記下限以上及び上記上限以下であると、導電性粒子を用いて電極間を接続した場合に、導電性粒子と電極との接触面積が十分に大きくなり、かつ導電層を形成する際に凝集した導電性粒子が形成され難くなる。また、導電性粒子を介して接続された電極間の間隔が大きくなりすぎず、かつ導電層が基材粒子の表面から剥離し難くなる。また、導電性粒子の粒子径が、上記下限以上及び上記上限以下であると、導電性粒子を導電材料の用途に好適に使用可能である。

上記導電性粒子の粒子径は、導電性粒子が真球状である場合には直径を意味し、導電性粒子が真球状以外の形状である場合には、その体積相当の真球と仮定した際の直径を意味する。

上記導電性粒子の粒子径は、数平均粒子径であることが好ましい。上記導電性粒子の粒子径は、任意の導電性粒子５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することや、レーザー回折式粒度分布測定を行うことにより求められる。

上記導電層の厚みは、好ましくは０．００５μｍ以上、より好ましくは０．０１μｍ以上であり、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは１μｍ以下、さらに好ましくは０．３μｍ以下である。上記導電層の厚みは、導電層が多層である場合には導電層全体の厚みである。導電層の厚みが、上記下限以上及び上記上限以下であると、十分な導電性が得られ、かつ導電性粒子が硬くなりすぎずに、電極間の接続の際に導電性粒子が十分に変形する。

上記導電層が複数の層により形成されている場合に、最外層の導電層の厚みは、好ましくは０．００１μｍ以上、より好ましくは０．０１μｍ以上であり、好ましくは０．５μｍ以下、より好ましくは０．１μｍ以下である。上記最外層の導電層の厚みが、上記下限以上及び上記上限以下であると、最外層の導電層による被覆が均一になり、耐腐食性が十分に高くなり、かつ電極間の接続抵抗がより一層低くなる。また、上記最外層が金層である場合に、金層の厚みが薄いほど、コストが低くなる。

上記導電層の厚みは、例えば透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて、導電性粒子の断面を観察することにより測定できる。上記導電層の厚みについては、任意の導電層の厚み５箇所の平均値を１個の粒子の導電層の厚みとして算出することが好ましく、導電層全体の厚みの平均値を１個の導電層の厚みとして算出することがより好ましい。複数の導電性粒子の場合には、上記導電層の厚みは、好ましくは、任意の導電性粒子１０個について、これらの平均値を算出して求められる。

上記導電性粒子は、導電性の表面に突起を有していてもよい。上記導電性粒子は、上記導電層の外表面に突起を有していてもよい。該突起は複数であることが好ましい。導電層の表面並びに導電性粒子により接続される電極の表面には、酸化被膜が形成されていることが多い。突起を有する導電性粒子を用いた場合には、電極間に導電性粒子を配置して圧着させることにより、突起により上記酸化被膜が効果的に排除される。このため、電極と導電性粒子の導電層とをより一層確実に接触させることができ、電極間の接続抵抗を低くすることができる。さらに、導電性粒子が表面に絶縁性物質を備える場合に、又は導電性粒子がバインダー中に分散されて導電材料として用いられる場合に、導電性粒子の突起によって、導電性粒子と電極との間の絶縁性物質又はバインダーを効果的に排除できる。このため、電極間の導通信頼性を高めることができる。

上記導電性粒子の表面に突起を形成する方法としては、例えば、以下の方法が挙げられる。基材粒子の表面に芯物質を付着させた後、無電解めっきにより導電層を形成する方法。基材粒子の表面に無電解めっきにより導電層を形成した後、芯物質を付着させ、さらに無電解めっきにより導電層を形成する方法。また、突起を形成するために、上記芯物質を用いなくてもよい。

上記突起を形成する方法としては、例えば、以下の方法も挙げられる。基材粒子の表面に芯物質を付着させた後、無電解めっきにより導電層を形成する方法。基材粒子の表面に無電解めっきにより導電層を形成した後、芯物質を付着させ、さらに無電解めっきにより導電層を形成する方法。基材粒子の表面に無電解めっきにより導電層を形成する途中段階で芯物質を添加する方法。例えば、無電解めっきにより芯物質を用いずに突起を形成する方法として、無電解めっきにより金属核を発生させ、基材粒子又は導電層の表面に金属核を付着させ、さらに無電解めっきにより導電層を形成する方法等が挙げられる。

上記導電性粒子は、上記導電層の外表面上に配置された絶縁性物質を備えていてもよい。この場合には、導電性粒子を電極間の接続に用いると、隣接する電極間の短絡を防止できる。具体的には、複数の導電性粒子が接触したときに、複数の電極間に絶縁性物質が存在するので、上下の電極間ではなく横方向に隣り合う電極間の短絡を防止できる。なお、電極間の接続の際に、２つの電極で導電性粒子を加圧することにより、導電性粒子の導電層と電極との間の絶縁性物質を容易に排除できる。導電性粒子が上記導電層の表面に突起を有する場合には、導電性粒子の導電層と電極との間の絶縁性物質をより一層容易に排除できる。上記絶縁性物質は、絶縁性樹脂層又は絶縁性粒子であることが好ましく、絶縁性粒子であることがより好ましい。上記絶縁性粒子は、絶縁性樹脂粒子であることが好ましい。

上記導電層の外表面、及び絶縁性粒子の表面はそれぞれ、反応性官能基を有する化合物によって被覆されていてもよい。導電層の外表面と絶縁性粒子の表面とは、直接化学結合していなくてもよく、反応性官能基を有する化合物によって間接的に化学結合していてもよい。導電層の外表面にカルボキシル基を導入した後、該カルボキシル基がポリエチレンイミン等の高分子電解質を介して絶縁性粒子の表面の官能基と化学結合していても構わない。

（導電材料）
上記導電材料は、上述した導電性粒子と、バインダーとを含む。上記導電性粒子は、バインダー中に分散され、導電材料として用いられることが好ましい。上記導電材料は、異方性導電材料であることが好ましい。上記導電材料は、電極の電気的な接続に好適に用いられる。上記導電材料は、回路接続材料であることが好ましい。

上記バインダーは特に限定されない。上記バインダーとして、公知の絶縁性の樹脂が用いられる。上記バインダーは、熱可塑性成分（熱可塑性化合物）又は硬化性成分を含むことが好ましく、硬化性成分を含むことがより好ましい。上記硬化性成分としては、光硬化性成分及び熱硬化性成分が挙げられる。上記光硬化性成分は、光硬化性化合物及び光重合開始剤を含むことが好ましい。上記熱硬化性成分は、熱硬化性化合物及び熱硬化剤を含むことが好ましい。上記バインダーとしては、例えば、ビニル樹脂、熱可塑性樹脂、硬化性樹脂、熱可塑性ブロック共重合体及びエラストマー等が挙げられる。上記バインダーは、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記ビニル樹脂としては、例えば、酢酸ビニル樹脂、アクリル樹脂及びスチレン樹脂等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリオレフィン樹脂、エチレン－酢酸ビニル共重合体及びポリアミド樹脂等が挙げられる。上記硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂及び不飽和ポリエステル樹脂等が挙げられる。なお、上記硬化性樹脂は、常温硬化型樹脂、熱硬化型樹脂、光硬化型樹脂又は湿気硬化型樹脂であってもよい。上記硬化性樹脂は、硬化剤と併用されてもよい。上記熱可塑性ブロック共重合体としては、例えば、スチレン－ブタジエン－スチレンブロック共重合体、スチレン－イソプレン－スチレンブロック共重合体、スチレン－ブタジエン－スチレンブロック共重合体の水素添加物、及びスチレン－イソプレン－スチレンブロック共重合体の水素添加物等が挙げられる。上記エラストマーとしては、例えば、スチレン－ブタジエン共重合ゴム、及びアクリロニトリル－スチレンブロック共重合ゴム等が挙げられる。

上記導電材料は、上記導電性粒子及び上記バインダーの他に、例えば、充填剤、増量剤、軟化剤、可塑剤、重合触媒、硬化触媒、着色剤、酸化防止剤、熱安定剤、光安定剤、紫外線吸収剤、滑剤、帯電防止剤及び難燃剤等の各種添加剤を含んでいてもよい。

上記バインダー中に上記導電性粒子を分散させる方法は、従来公知の分散方法を用いることができ特に限定されない。上記バインダー中に上記導電性粒子を分散させる方法としては、例えば、以下の方法が挙げられる。上記バインダー中に上記導電性粒子を添加した後、プラネタリーミキサー等で混練して分散させる方法。上記導電性粒子を水又は有機溶剤中にホモジナイザー等を用いて均一に分散させた後、上記バインダー中に添加し、プラネタリーミキサー等で混練して分散させる方法。上記バインダーを水又は有機溶剤等で希釈した後、上記導電性粒子を添加し、プラネタリーミキサー等で混練して分散させる方法。

上記導電材料は、導電ペースト及び導電フィルム等として使用され得る。本発明に係る導電材料が、導電フィルムである場合には、導電性粒子を含む導電フィルムに、導電性粒子を含まないフィルムが積層されていてもよい。上記導電ペーストは異方性導電ペーストであることが好ましい。上記導電フィルムは異方性導電フィルムであることが好ましい。

上記導電材料１００重量％中、上記バインダーの含有量は、好ましくは１０重量％以上、より好ましくは３０重量％以上、さらに好ましくは５０重量％以上、特に好ましくは７０重量％以上であり、好ましくは９９．９９重量％以下、より好ましくは９９．９重量％以下である。上記バインダーの含有量が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間に導電性粒子が効率的に配置され、導電材料により接続された接続対象部材の接続信頼性がより一層高くなる。

上記導電材料１００重量％中、上記導電性粒子の含有量は、好ましくは０．０１重量％以上、より好ましくは０．１重量％以上であり、好ましくは８０重量％以下、より好ましくは６０重量％以下、より一層好ましくは４０重量％以下、さらに好ましくは２０重量％以下、特に好ましくは１０重量％以下である。上記導電性粒子の含有量が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の導通信頼性がより一層高くなる。

（接続材料）
上記接続材料は、２つの接続対象部材を接続する接続部を形成するために用いられる。上記接続材料は、上述した基材粒子と、バインダー又は金属原子含有粒子とを含む。上記接続材料は、金属原子含有粒子の焼結体によって、上記接続部を形成するために用いられることが好ましい。上記バインダーには、本発明に係る基材粒子は含まれない。上記金属原子含有粒子には、本発明に係る基材粒子は含まれない。

上記基材粒子の熱分解温度が、上記金属原子含有粒子の融点よりも高いことが好ましい。上記基材粒子の熱分解温度が、上記金属原子含有粒子の融点よりも、１０℃以上高いことが好ましく、３０℃以上高いことがより好ましく、５０℃以上高いことが最も好ましい。

上記金属原子含有粒子としては、金属粒子及び金属化合物粒子等が挙げられる。上記金属化合物粒子は、金属原子と、該金属原子以外の原子とを含む。上記金属化合物粒子の具体例としては、金属酸化物粒子、金属の炭酸塩粒子、金属のカルボン酸塩粒子及び金属の錯体粒子等が挙げられる。上記金属化合物粒子は、金属酸化物粒子であることが好ましい。例えば、上記金属酸化物粒子は、還元剤の存在下で接続時の加熱で金属粒子となった後に焼結する。上記金属酸化物粒子は、金属粒子の前駆体である。上記金属のカルボン酸塩粒子としては、金属の酢酸塩粒子等が挙げられる。

上記金属粒子及び上記金属酸化物粒子を構成する金属としては、銀、銅及び金等が挙げられる。銀又は銅が好ましく、銀が特に好ましい。従って、上記金属粒子は、好ましくは銀粒子又は銅粒子であり、より好ましくは銀粒子である。上記金属酸化物粒子は、好ましくは酸化銀粒子又は酸化銅粒子であり、より好ましくは酸化銀粒子である。銀粒子及び酸化銀粒子を用いた場合には、接続後に残渣が少なく、体積減少率も非常に小さい。上記酸化銀粒子における酸化銀としては、Ａｇ_２Ｏ及びＡｇＯが挙げられる。

上記金属原子含有粒子は、４００℃未満の加熱で焼結することが好ましい。上記金属原子含有粒子が焼結する温度（焼結温度）は、より好ましくは３５０℃以下、好ましくは３００℃以上である。上記金属原子含有粒子が焼結する温度が、上記上限以下又は上記上限未満であると、焼結を効率的に行うことができ、さらに焼結に必要なエネルギーを低減し、かつ環境負荷を小さくすることができる。

上記金属原子含有粒子が金属酸化物粒子である場合に、還元剤が用いられることが好ましい。上記還元剤としては、アルコール化合物（アルコール性水酸基を有する化合物）、カルボン酸化合物（カルボキシ基を有する化合物）及びアミン化合物（アミノ基を有する化合物）等が挙げられる。上記還元剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記アルコール化合物としては、アルキルアルコールが挙げられる。上記アルコール化合物の具体例としては、例えば、エタノール、プロパノール、ブチルアルコール、ペンチルアルコール、ヘキシルアルコール、ヘプチルアルコール、オクチルアルコール、ノニルアルコール、デシルアルコール、ウンデシルアルコール、ドデシルアルコール、トリデシルアルコール、テトラデシルアルコール、ペンタデシルアルコール、ヘキサデシルアルコール、ヘプタデシルアルコール、オクタデシルアルコール、ノナデシルアルコール及びイコシルアルコール等が挙げられる。また、上記アルコール化合物としては、１級アルコール型化合物に限られず、２級アルコール型化合物、３級アルコール型化合物、アルカンジオール及び環状構造を有するアルコール化合物も使用可能である。さらに、上記アルコール化合物として、エチレングリコール及びトリエチレングリコール等多数のアルコール基を有する化合物を用いてもよい。また、上記アルコール化合物として、クエン酸、アスコルビン酸及びグルコース等の化合物を用いてもよい。

上記カルボン酸化合物としては、アルキルカルボン酸等が挙げられる。上記カルボン酸化合物の具体例としては、ブタン酸、ペンタン酸、ヘキサン酸、ヘプタン酸、オクタン酸、ノナン酸、デカン酸、ウンデカン酸、ドデカン酸、トリデカン酸、テトラデカン酸、ペンタデカン酸、ヘキサデカン酸、ヘプタデカン酸、オクタデカン酸、ノナデカン酸及びイコサン酸等が挙げられる。また、上記カルボン酸化合物は、１級カルボン酸型化合物に限られず、２級カルボン酸型化合物、３級カルボン酸型化合物、ジカルボン酸及び環状構造を有するカルボキシル化合物も使用可能である。

上記アミン化合物としては、アルキルアミン等が挙げられる。上記アミン化合物の具体例としては、ブチルアミン、ペンチルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ウンデシルアミン、ドデシルアミン、トリデシルアミン、テトラデシルアミン、ペンタデシルアミン、ヘキサデシルアミン、ヘプタデシルアミン、オクタデシルアミン、ノナデシルアミン及びイコデシルアミン等が挙げられる。また、上記アミン化合物は分岐構造を有していてもよい。分岐構造を有するアミン化合物としては、２－エチルヘキシルアミン及び１，５－ジメチルヘキシルアミン等が挙げられる。上記アミン化合物は、１級アミン型化合物に限られず、２級アミン型化合物、３級アミン型化合物及び環状構造を有するアミン化合物も使用可能である。

上記還元剤は、アルデヒド基、エステル基、スルホニル基又はケトン基等を有する有機物であってもよく、カルボン酸金属塩等の有機物であってもよい。カルボン酸金属塩は金属粒子の前駆体としても用いられる一方で、有機物を含有しているために、金属酸化物粒子の還元剤としても用いられる。

上記金属酸化物粒子１００重量部に対して、上記還元剤の含有量は、好ましくは１重量部以上、より好ましくは１０重量部以上であり、好ましくは１０００重量部以下、より好ましくは５００重量部以下、さらに好ましくは１００重量部以下である。上記還元剤の含有量が、上記下限以上であると、上記金属原子含有粒子をより一層緻密に焼結させることができる。この結果、上記金属原子含有粒子の焼結体によって形成された接続部における放熱性及び耐熱性も高くなる。

上記金属原子含有粒子の焼結温度（接続温度）よりも低い融点を有する還元剤を用いると、接続時に凝集し、接続部にボイドが生じやすくなる傾向がある。カルボン酸金属塩の使用により、該カルボン酸金属塩は接続時の加熱により融解しないため、ボイドの発生を抑制できる。なお、カルボン酸金属塩以外にも有機物を含有する金属化合物を還元剤として用いてもよい。

被着体への傷付きをより一層抑制する観点、及び基材粒子及び基材粒子を用いた粒子の接触性をより一層高める観点からは、上記接続材料は、バインダーを含むことが好ましい。上記バインダーは特に限定されない。上記バインダーの具体例としては、上述した導電材料に用いられるバインダー等が挙げられる。上記接続材料は、エポキシ樹脂を含むことが好ましい。

本発明の基材粒子による効果が効果的に発揮されるので、上記接続材料が上記金属原子含有粒子を含む場合に、上記接続材料において、上記金属原子含有粒子の含有量は、上記基材粒子の含有量よりも多いことが好ましく、１０重量％以上多いことが好ましく、２０重量％以上多いことが好ましい。

上記接続材料１００重量％中、上記基材粒子の含有量は、好ましくは０．１重量％以上、より好ましくは１重量％以上であり、好ましくは５０重量％以下、より好ましくは３０重量％以下である。上記基材粒子の含有量が、上記下限以上及び上記上限以下であると、被着体への傷付きをより一層抑え、ギャップをより一層高精度に制御でき、かつ、被着体の材質に関係なく、基材粒子を用いた粒子を被着体により一層良好に接触させることができる。

上記接続材料が上記金属原子含有粒子を含む場合に、上記接続材料１００重量％中、上記金属原子含有粒子の含有量は、好ましくは０．３重量％以上、より好ましくは３重量％以上であり、好ましくは５０重量％以下、より好ましくは４０重量％以下である。上記金属原子含有粒子の含有量が、上記下限以上及び上記上限以下であると、接続抵抗がより一層低くなる。

上記接続材料がバインダーを含む場合に、上記接続材料１００体積％中、上記バインダーの含有量は、好ましくは５体積％以上、より好ましくは１０体積％以上であり、好ましくは４０体積％以下、より好ましくは２０体積％以下である。上記バインダーの含有量が、上記下限以上及び上記上限以下であると、被着体への傷付きをより一層抑えることができ、かつ、被着体の材質に関係なく、基材粒子を用いた粒子を被着体により一層良好に接触させることができる。

（接続構造体）
上述した導電性粒子、上述した導電性粒子とバインダーとを含む導電材料、又は、上述した基材粒子とバインダー又は金属原子含有粒子とを含む接続材料を用いて、接続対象部材を接続することにより、接続構造体を得ることができる。

上記接続構造体は、少なくとも１つの第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、少なくとも１つの第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材と、第１の接続対象部材と第２の接続対象部材とを接続している接続部とを備える。上記接続部の材料が、上述した基材粒子を含む。上記接続部の材料が、上述した導電性粒子であるか、上述した導電材料であるか、又は、上述した接続材料であることが好ましい。上記接続部が、上述した導電性粒子により形成されているか、上述した導電材料により形成されているか、又は、上述した接続材料により形成されている接続構造体であることが好ましい。

上記導電性粒子が単独で用いられた場合には、接続部自体が導電性粒子である。すなわち、第１，第２の接続対象部材が上記導電性粒子により接続される。上記接続構造体を得るために用いられる上記導電材料は、異方性導電材料であることが好ましい。上記第１の電極と上記第２の電極とが、上記接続部により電気的に接続されていることが好ましい。

図４は、図１に示す導電性粒子１を用いた接続構造体の一例を示す断面図である。

図４に示す接続構造体４１は、第１の接続対象部材４２と、第２の接続対象部材４３と、第１の接続対象部材４２と第２の接続対象部材４３とを接続している接続部４４とを備える。接続部４４は、導電性粒子１とバインダーとを含む導電材料により形成されている。図４では、図示の便宜上、導電性粒子１は略図的に示されている。導電性粒子１にかえて、導電性粒子２１，３１等の他の導電性粒子を用いてもよい。

第１の接続対象部材４２は表面（上面）に、複数の第１の電極４２ａを有する。第２の接続対象部材４３は表面（下面）に、複数の第２の電極４３ａを有する。第１の電極４２ａと第２の電極４３ａとが、１つ又は複数の導電性粒子１により電気的に接続されている。従って、第１，第２の接続対象部材４２，４３が導電性粒子１により電気的に接続されている。

図５は、本発明に係る基材粒子を用いた接続構造体の一例を示す断面図である。

図５に示す接続構造体５１は、第１の接続対象部材５２と、第２の接続対象部材５３と、第１の接続対象部材５２と第２の接続対象部材５３とを接続している接続部５４とを備える。

接続部５４は、上述した基材粒子１１を含む。基材粒子１１は、第１，第２の接続対象部材５２，５３の双方に接していない。

接続部５４は、ギャップ制御粒子６１と、金属接続部６２とを含む。接続部５４では、ギャップ制御粒子６１が、第１，第２の接続対象部材５２，５３の双方に接している。ギャップ制御粒子６１は導電性粒子であってもよく、導電性を有さない粒子であってもよい。上記ギャップ制御粒子は、上述した基材粒子であってもよい。金属接続部６２は、金属原子含有粒子の焼結体である。金属接続部６２は、金属原子含有粒子を焼結させることにより形成されている。金属接続部６２は、金属原子含有粒子を溶融させた後に固化させることにより形成されている。金属接続部６２は、金属原子含有粒子の溶融固化物である。

上記第１の接続対象部材は、第１の電極を表面に有していてもよい。上記第２の接続対象部材は、第２の電極を表面に有していてもよい。

上記接続構造体の製造方法は特に限定されない。接続構造体の製造方法の一例として、第１の接続対象部材と第２の接続対象部材との間に上記導電材料又は上記接続材料を配置し、積層体を得た後、該積層体を加熱及び加圧する方法等が挙げられる。上記加圧の圧力は９．８×１０^４～４．９×１０^６Ｐａ程度である。上記加熱の温度は、１２０～２２０℃程度である。フレキシブルプリント基板の電極、樹脂フィルム上に配置された電極及びタッチパネルの電極を接続するための上記加圧の圧力は９．８×１０^４～１．０×１０^６Ｐａ程度である。

上記接続対象部材としては、具体的には、半導体チップ、コンデンサ及びダイオード等の電子部品、並びにプリント基板、フレキシブルプリント基板、ガラスエポキシ基板及びガラス基板等の回路基板等の電子部品等が挙げられる。上記接続対象部材は電子部品であることが好ましい。上記第１の接続対象部材及び上記第２の接続対象部材の内の少なくとも一方は、半導体ウェハ又は半導体チップであることが好ましい。上記接続構造体は、半導体装置であることが好ましい。

上記導電材料は、電子部品を接続するための導電材料であることが好ましい。上記導電ペーストはペースト状の導電材料であり、ペースト状の状態で接続対象部材上に塗工されることが好ましい。

上記導電性粒子、上記導電材料及び上記接続材料は、タッチパネルにも好適に用いられる。従って、上記接続対象部材は、フレキシブル基板であるか、又は樹脂フィルムの表面上に電極が配置された接続対象部材であることも好ましい。上記接続対象部材は、フレキシブル基板であることが好ましく、樹脂フィルムの表面上に電極が配置された接続対象部材であることが好ましい。上記フレキシブル基板がフレキシブルプリント基板等である場合に、フレキシブル基板は一般に電極を表面に有する。

上記接続対象部材に設けられている電極としては、金電極、ニッケル電極、錫電極、アルミニウム電極、銅電極、銀電極、モリブデン電極及びタングステン電極等の金属電極が挙げられる。上記接続対象部材がフレキシブル基板である場合には、上記電極は金電極、ニッケル電極、錫電極又は銅電極であることが好ましい。上記接続対象部材がガラス基板である場合には、上記電極はアルミニウム電極、銅電極、モリブデン電極又はタングステン電極であることが好ましい。なお、上記電極がアルミニウム電極である場合には、アルミニウムのみで形成された電極であってもよく、金属酸化物層の表面にアルミニウム層が積層された電極であってもよい。上記金属酸化物層の材料としては、３価の金属元素がドープされた酸化インジウム及び３価の金属元素がドープされた酸化亜鉛等が挙げられる。上記３価の金属元素としては、Ｓｎ、Ａｌ及びＧａ等が挙げられる。

また、上記基材粒子は、液晶表示素子用スペーサとして好適に用いることができる。上記第１の接続対象部材は、第１の液晶表示素子用部材であってもよい。上記第２の接続対象部材は、第２の液晶表示素子用部材であってもよい。上記接続部は、上記第１の液晶表示素子用部材と上記第２の液晶表示素子用部材とが対向した状態で、上記第１の液晶表示素子用部材と上記第２の液晶表示素子用部材との外周をシールしているシール部であってもよい。

上記基材粒子は、液晶表示素子用周辺シール剤に用いることもできる。液晶表示素子は、第１の液晶表示素子用部材と、第２の液晶表示素子用部材とを備える。液晶表示素子は、上記第１の液晶表示素子用部材と上記第２の液晶表示素子用部材とが対向した状態で、上記第１の液晶表示素子用部材と上記第２の液晶表示素子用部材との外周をシールしているシール部と、上記シール部の内側で、上記第１の液晶表示素子用部材と上記第２の液晶表示素子用部材との間に配置されている液晶とをさらに備える。この液晶表示素子では、液晶滴下工法が適用され、かつ上記シール部が、液晶滴下工法用シール剤を熱硬化させることにより形成されている。

図６は、本発明に係る基材粒子を液晶表示素子用スペーサとして用いた液晶表示素子の一例を示す断面図である。

図６に示す液晶表示素子８１は、一対の透明ガラス基板８２を有する。透明ガラス基板８２は、対向する面に絶縁膜（図示せず）を有する。絶縁膜の材料としては、例えば、ＳｉＯ_２等が挙げられる。透明ガラス基板８２における絶縁膜上に透明電極８３が形成されている。透明電極８３の材料としては、ＩＴＯ等が挙げられる。透明電極８３は、例えば、フォトリソグラフィーによりパターニングして形成可能である。透明ガラス基板８２の表面上の透明電極８３上に、配向膜８４が形成されている。配向膜８４の材料としては、ポリイミド等が挙げられている。

一対の透明ガラス基板８２間には、液晶８５が封入されている。一対の透明ガラス基板８２間には、複数の基材粒子１１が配置されている。基材粒子１１は、液晶表示素子用スペーサとして用いられている。複数の基材粒子１１により、一対の透明ガラス基板８２の間隔が規制されている。一対の透明ガラス基板８２の縁部間には、シール剤８６が配置されている。シール剤８６によって、液晶８５の外部への流出が防がれている。シール剤８６には、基材粒子１１と粒径のみが異なる基材粒子１１Ａが含まれている。

上記液晶表示素子において１ｍｍ^２あたりの液晶表示素子用スペーサの配置密度は、好ましくは１０個／ｍｍ^２以上であり、好ましくは１０００個／ｍｍ^２以下である。上記配置密度が１０個／ｍｍ^２以上であると、セルギャップがより一層均一になる。上記配置密度が１０００個／ｍｍ^２以下であると、液晶表示素子のコントラストがより一層良好になる。

以下、実施例及び比較例を挙げて、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。

（実施例１）
（１）基材粒子の作製
種粒子として平均粒子径０．８０μｍのポリスチレン粒子を用意した。上記ポリスチレン粒子３．９重量部と、イオン交換水５００重量部と、ポリビニルアルコールの５重量％水溶液１２０重量部とを混合し、混合液を調製した。上記混合液を超音波により分散させた後、セパラブルフラスコに入れて、均一に撹拌した。

また、芳香族多官能モノマーとしてジビニルベンゼン３０重量部と、脂肪族環状単官能モノマーとしてメタクリル酸シクロヘキシル１２０重量部とを混合した。この混合物に、２，２’－アゾビス（イソ酪酸メチル）（和光純薬工業社製「Ｖ－６０１」）２．０重量部と、過酸化ベンゾイル（日油社製「ナイパーＢＷ」）２．０重量部とを添加し、ラウリル硫酸トリエタノールアミン８．０重量部と、エタノール１００重量部と、イオン交換水１０００重量部とをさらに添加し、乳化液を調製した。

セパラブルフラスコ中の上記混合液に、上記乳化液をさらに添加し、４時間撹拌し、種粒子にモノマーを吸収させて、モノマーが膨潤した種粒子を含む懸濁液を得た。

その後、ポリビニルアルコールの５重量％水溶液４９０重量部を添加し、加熱を開始して８５℃で１０時間反応させ、粒子径３．０８μｍの基材粒子を得た。

（２）導電性粒子の作製
得られた基材粒子を洗浄し、乾燥した。その後、無電解めっき法により、得られた基材粒子の表面に、ニッケル層を形成し、導電性粒子を作製した。なお、ニッケル層の厚さは、０．１μｍであった。

（実施例２～６、参考例７及び比較例１～３）
基材粒子の作製時に用いたモノマーの種類及び配合量、並びに基材粒子の粒子径を下記の表１，２に示すように設定したこと以外は実施例１と同様にして、基材粒子を得た。得られた基材粒子を用いたこと以外は実施例１と同様にして、導電性粒子を得た。

（実施例８）
（１）パラジウム付着工程
実施例１で得られた基材粒子を用意した。得られた基材粒子をエッチングし、水洗した。次に、パラジウム触媒を８重量％含むパラジウム触媒化液１００ｍＬ中に基材粒子を添加し、攪拌した。その後、ろ過し、洗浄した。ｐＨ６の０．５重量％ジメチルアミンボラン液に基材粒子を添加し、パラジウムが付着された基材粒子を得た。

（２）芯物質付着工程
パラジウムが付着された基材粒子をイオン交換水３００ｍＬ中で３分間攪拌し、分散させ、分散液を得た。次に、金属ニッケル粒子スラリー（平均粒径１００ｎｍ）１ｇを３分間かけて上記分散液に添加し、芯物質が付着された基材粒子を得た。

（３）無電解ニッケルめっき工程
実施例１と同様にして、基材粒子の表面上に、ニッケル層を形成し、導電性粒子を作製した。なお、ニッケル層の厚さは０．１μｍであった。

（実施例９）
（１）絶縁性粒子の作製
４つ口セパラブルカバー、攪拌翼、三方コック、冷却管及び温度プローブが取り付けられた１０００ｍＬのセパラブルフラスコを用意した。このセパラブルフラスコに、メタクリル酸メチル１００ｍｍｏｌと、Ｎ，Ｎ，Ｎ－トリメチル－Ｎ－２－メタクリロイルオキシエチルアンモニウムクロライド１ｍｍｏｌと、２，２’－アゾビス（２－アミジノプロパン）二塩酸塩１ｍｍｏｌとを含むモノマー組成物を固形分率が５重量％となるように秤取し、イオン交換水とともに入れた。その後、２００ｒｐｍで攪拌し、窒素雰囲気下７０℃で２４時間重合を行った。反応終了後、凍結乾燥して、表面にアンモニウム基を有し、平均粒径２２０ｎｍ及びＣＶ値１０％の絶縁性粒子を得た。

絶縁性粒子を超音波照射下でイオン交換水に分散させ、絶縁性粒子の１０重量％水分散液を得た。

実施例１で得られた導電性粒子１０重量部をイオン交換水５００ｍＬに分散させ、絶縁性粒子の水分散液４重量部を添加し、室温で６時間攪拌した。３μｍのメッシュフィルターでろ過した後、さらにメタノールで洗浄し、乾燥し、絶縁性粒子が付着した導電性粒子を得た。

走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察したところ、導電性粒子の表面に絶縁性粒子による被覆層が１層のみ形成されていた。画像解析により導電性粒子の中心より２．５μｍの面積に対する絶縁性粒子の被覆面積（即ち絶縁性粒子の粒径の投影面積）を算出したところ、被覆率は３０％であった。

（実施例１０）
実施例１で得られた基材粒子を用いて、ニッケル粒子スラリーを使用せずに、めっき浴内に反応によりニッケル芯物質を生成し、生成した芯物質と共に無電解ニッケルめっきを共析出させることで、ニッケル層の外表面に複数の突起を有する導電性粒子を得た。

（実施例１１）
基材粒子の作製時に用いたモノマーの種類及び配合量、並びに基材粒子の粒子径を下記の表１，２に示すように設定したこと以外は実施例１と同様にして、基材粒子を得た。得られた基材粒子を用いたこと以外は実施例１と同様にして、絶縁性粒子を付着させるための導電性粒子を得た。

得られた導電性粒子を用いたこと以外は実施例９と同様にして、絶縁性粒子が付着した導電性粒子を得た。

走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察したところ、導電性粒子の表面に絶縁性粒子による被覆層が１層のみ形成されていた。画像解析により導電性粒子の中心より２．５μｍの面積に対する絶縁性粒子の被覆面積（即ち絶縁性粒子の粒径の投影面積）を算出したところ、被覆率は３０％であった。

（評価）
（１）基材粒子の粒子径
得られた基材粒子について、粒度分布測定装置（ベックマンコールター社製「Ｍｕｌｔｉｓｉｚｅｒ４」）を用いて、約１０００００個の粒子径を測定し、平均値を算出した。

（２）基材粒子の圧縮弾性率
得られた基材粒子について、上記圧縮弾性率（１０％Ｋ値及び３０％Ｋ値）を、上述した方法により、微小圧縮試験機（フィッシャー社製「フィッシャースコープＨ－１００」）を用いて測定した。測定結果から、１０％Ｋ値、３０％Ｋ値及び１０％Ｋ値／３０％Ｋ値を算出した。

（３）接続抵抗
接続構造体の作製：
以下の材料を用意した。
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（三菱化学社製「エピコート１００９」）
マイクロカプセル型硬化剤（旭化成イーマテリアルズ社製「ＨＸ３９４１ＨＰ」）
シランカップリング剤（東レダウコーニングシリコーン社製「ＳＨ６０４０」）

ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂１０重量部と、アクリルゴム（重量平均分子量約８０万）４０重量部と、メチルエチルケトン２００重量部と、マイクロカプセル型硬化剤５０重量部と、シランカップリング剤２重量部とを混合した。この混合物に、得られた導電性粒子を含有量が３重量％となるように添加し、分散させ、樹脂組成物を得た。

得られた樹脂組成物を、片面が離型処理された厚さ５０μｍのＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムに塗布し、７０℃の熱風で５分間乾燥し、異方性導電フィルムを作製した。得られた異方性導電フィルムの厚さは１２μｍであった。

得られた異方性導電フィルムを５ｍｍ×５ｍｍの大きさに切断した。切断された異方性導電フィルムを、一方に抵抗測定用の引き回し線を有するアルミニウム電極（高さ０．２μｍ、Ｌ／Ｓ＝２０μｍ／２０μｍ）が設けられたガラス基板（幅３ｃｍ、長さ３ｃｍ）のアルミニウム電極のほぼ中央部へ貼り付けた。次いで同じアルミニウム電極が設けられた２層フレキシブルプリント基板（幅２ｃｍ、長さ１ｃｍ）を電極同士が重なるように、位置合わせをしてから貼り合わせた。このガラス基板と２層フレキシブルプリント基板との積層体を、３０Ｎ、１８５℃、及び１５秒間の圧着条件で熱圧着し、接続構造体を得た。

接続抵抗の測定：
得られた接続構造体の対向する電極間の接続抵抗を４端子法により測定した。接続構造体の接続抵抗を下記の基準で判定した。

［接続抵抗の評価基準］
○○：接続抵抗が３．０Ω以下
○：接続抵抗が３．０Ωを超え、４．０Ω以下
△：接続抵抗が４．０Ωを超え、５．０Ω以下
×：接続抵抗が５．０Ωを超える

基材粒子及び導電性粒子の詳細及び結果を下記の表１，２に示す。

なお、実施例５と実施例１１との接続抵抗の結果はいずれも「○」であるが、実施例５の接続抵抗の値は、実施例１１の接続抵抗の値よりも低かった。実施例１と実施例８と実施例１０との接続抵抗の結果はいずれも「○○」であるが、実施例８と実施例１０では突起が形成されているため、実施例８と実施例１０との接続抵抗の値は、実施例１の接続抵抗の値よりも低かった。また、実施例９，１１では、絶縁性粒子が用いられているため、実施例１と比べて接続抵抗がやや低くなったものの、複数の導電性粒子が接触したとしても、複数の導電性粒子における導電層間の絶縁性粒子によって絶縁信頼性を高めることができる。

（４）液晶表示素子用スペーサとしての使用例
ＳＴＮ型液晶表示素子の作製：
イソプロピルアルコール７０重量部と水３０重量部とを含む分散媒に、得られるスペーサ分散液１００重量％中で実施例１～６及び参考例７の加熱前の液晶表示素子用スペーサ（基材粒子）を固形分濃度が２重量％となるように添加し、撹拌し、液晶表示素子用スペーサ分散液を得た。

一対の透明ガラス板（縦５０ｍｍ、横５０ｍｍ、厚さ０．４ｍｍ）の一面に、ＣＶＤ法によりＳｉＯ_２膜を蒸着した後、ＳｉＯ_２膜の表面全体にスパッタリングによりＩＴＯ膜を形成した。得られたＩＴＯ膜付きガラス基板に、スピンコート法によりポリイミド配向膜組成物（日産化学社製、ＳＥ３５１０）を塗工し、２８０℃で９０分間焼成することによりポリイミド配向膜を形成した。配向膜にラビング処理を施した後、一方の基板の配向膜側に、液晶表示素子用スペーサを１ｍｍ^２当たり１００個となるように湿式散布した。他方の基板の周辺にシール剤を形成した後、この基板とスペーサを散布した基板とをラビング方向が９０°になるように対向配置させ、両者を貼り合わせた。その後、１６０℃で９０分間処理してシール剤を硬化させて、空セル（液晶の入ってない画面）を得た。得られた空セルに、カイラル剤入りのＳＴＮ型液晶（ＤＩＣ社製）を注入し、次に注入口を封止剤で塞いだ後、１２０℃で３０分間熱処理してＳＴＮ型液晶表示素子を得た。

得られた液晶表示素子では、実施例１～６及び参考例７の加熱前の液晶表示素子用スペーサにより基板間の間隔が良好に規制されていた。また、液晶表示素子は、良好な表示品質を示した。なお、液晶表示素子の周辺シール剤に、実施例１～６及び参考例７の基材粒子を液晶表示素子用スペーサとして用いた場合でも、得られた液晶表示素子の表示品質は良好であった。

１…導電性粒子
２…導電層
１１…基材粒子
１１Ａ…基材粒子
２１…導電性粒子
２２…導電層
２２Ａ…第１の導電層
２２Ｂ…第２の導電層
３１…導電性粒子
３１ａ…突起
３２…導電層
３２ａ…突起
３３…芯物質
３４…絶縁性物質
４１…接続構造体
４２…第１の接続対象部材
４２ａ…第１の電極
４３…第２の接続対象部材
４３ａ…第２の電極
４４…接続部
５１…接続構造体
５２…第１の接続対象部材
５３…第２の接続対象部材
５４…接続部
６１…ギャップ制御粒子
６２…金属接続部
８１…液晶表示素子
８２…透明ガラス基板
８３…透明電極
８４…配向膜
８５…液晶
８６…シール剤

Claims (16)

1. 重合性化合物の重合体であり、
   前記重合体が、芳香族環と脂肪族環とを有し、
   前記芳香族環がベンゼン環であり、前記脂肪族環がシクロヘキサン環であり、
   前記重合体を構成する前記重合性化合物が、多官能モノマーと、単官能モノマーとを含み、
   前記重合性化合物における前記多官能モノマーの含有量と前記単官能モノマーの含有量との重量比が、５：９５～５０：５０であり、
   ２５℃、圧縮速度０．３ｍＮ／秒、及び最大試験荷重２０ｍＮの条件下で１０％圧縮したときの圧縮弾性率が、２５００Ｎ／ｍｍ^２以上、４０００Ｎ／ｍｍ^２以下であり、
   ２５℃、圧縮速度０．３ｍＮ／秒、及び最大試験荷重２０ｍＮの条件下で３０％圧縮したときの圧縮弾性率が、１０００Ｎ／ｍｍ^２以上、２０００Ｎ／ｍｍ^２以下であり、
   前記１０％圧縮したときの圧縮弾性率の、前記３０％圧縮したときの圧縮弾性率に対する比が、２．０以上である、基材粒子。
2. 基材粒子の中心部と基材粒子の表面部とが同一の前記重合性化合物で構成されている、請求項１に記載の基材粒子。
3. 前記１０％圧縮したときの圧縮弾性率が、２５００Ｎ／ｍｍ^２以上、３６００Ｎ／ｍｍ^２以下であり、
   前記３０％圧縮したときの圧縮弾性率が、１１００Ｎ／ｍｍ^２以上、１８００Ｎ／ｍｍ^２以下である、請求項１又は２に記載の基材粒子。
4. 前記重合体を構成する前記重合性化合物が、環状構造を有する重合性化合物を９５重量％以上含む、請求項１～３のいずれか１項に記載の基材粒子。
5. 導電層を有する導電性粒子を得るために用いられるか、又はスペーサとして用いられ、
   前記多官能モノマーがジビニルベンゼンを含み、前記単官能モノマーがメタクリル酸シクロヘキシルを含む、請求項１～４のいずれか１項に記載の基材粒子。
6. 導電層を有する導電性粒子を得るために用いられる、請求項５に記載の基材粒子。
7. 請求項１～６のいずれか１項に記載の基材粒子と、
   前記基材粒子の表面上に配置された導電層とを備える、導電性粒子。
8. 前記導電層の外表面上に配置された絶縁性物質をさらに備える、請求項７に記載の導電性粒子。
9. 前記導電層の外表面に突起を有する、請求項７又は８に記載の導電性粒子。
10. 導電性粒子と、バインダーとを含み、
    前記導電性粒子が、請求項１～６のいずれか１項に記載の基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電層とを備える、導電材料。
11. 請求項１～６のいずれか１項に記載の基材粒子と、
    バインダー又は金属原子含有粒子とを含む接続材料。
12. 金属原子含有粒子を含む、請求項１１に記載の接続材料。
13. バインダーを含む、請求項１１又は１２に記載の接続材料。
14. 前記基材粒子の熱分解温度が、前記金属原子含有粒子の融点よりも高い、請求項１２に記載の接続材料。
15. ２つの接続対象部材を接続する接続部を形成するために用いられ、
    前記金属原子含有粒子の焼結体によって、前記接続部を形成するために用いられる、請求項１２又は１４に記載の接続材料。
16. 少なくとも１つの第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、
    少なくとも１つの第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材と、
    前記第１の接続対象部材と、前記第２の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、
    前記接続部の材料が、請求項１～６のいずれか１項に記載の基材粒子を含み、
    前記第１の電極と前記第２の電極とが、前記接続部により電気的に接続されている、接続構造体。
    

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