TWI841520B - 含金屬之粒子、連接材料、連接結構體及連接結構體之製造方法 - Google Patents
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- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract description 901
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 813
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 812
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 101
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 77
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 196
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 56
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 55
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 152
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 152
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 125
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 117
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 112
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 112
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 56
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 55
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 46
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 44
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 44
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 claims description 32
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 28
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 22
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims description 18
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 16
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 10
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 8
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 7
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 6
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 5
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims description 4
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 169
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 154
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 124
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 74
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 67
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 56
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 53
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 52
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 52
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 47
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 description 42
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 39
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 38
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 36
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 34
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 34
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 33
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 32
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 29
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 29
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 27
- 229910001096 P alloy Inorganic materials 0.000 description 26
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 25
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 25
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 24
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 23
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 22
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 22
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 21
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 21
- LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L nickel sulfate Chemical compound [Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 20
- 229910000363 nickel(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 20
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 20
- 229910000521 B alloy Inorganic materials 0.000 description 18
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- IGLTYURFTAWDMX-UHFFFAOYSA-N boranylidynetungsten nickel Chemical compound [Ni].B#[W] IGLTYURFTAWDMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 18
- SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N silver(1+) nitrate Chemical compound [Ag+].[O-]N(=O)=O SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- RJTANRZEWTUVMA-UHFFFAOYSA-N boron;n-methylmethanamine Chemical compound [B].CNC RJTANRZEWTUVMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- IKDUDTNKRLTJSI-UHFFFAOYSA-N hydrazine hydrate Chemical compound O.NN IKDUDTNKRLTJSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 16
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 16
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 16
- FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N potassium nitrate Chemical compound [K+].[O-][N+]([O-])=O FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 16
- KZNICNPSHKQLFF-UHFFFAOYSA-N succinimide Chemical compound O=C1CCC(=O)N1 KZNICNPSHKQLFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 125000001165 hydrophobic group Chemical group 0.000 description 15
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 15
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 14
- NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N silver oxide Chemical compound [O-2].[Ag+].[Ag+] NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000001509 sodium citrate Substances 0.000 description 14
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 13
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 13
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 13
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 13
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- JUWOETZNAMLKMG-UHFFFAOYSA-N [P].[Ni].[Cu] Chemical compound [P].[Ni].[Cu] JUWOETZNAMLKMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 12
- 229940126062 Compound A Drugs 0.000 description 11
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N Heterophylliin A Natural products O1C2COC(=O)C3=CC(O)=C(O)C(O)=C3C3=C(O)C(O)=C(O)C=C3C(=O)OC2C(OC(=O)C=2C=C(O)C(O)=C(O)C=2)C(O)C1OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- RXPAJWPEYBDXOG-UHFFFAOYSA-N hydron;methyl 4-methoxypyridine-2-carboxylate;chloride Chemical compound Cl.COC(=O)C1=CC(OC)=CC=N1 RXPAJWPEYBDXOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 11
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 11
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 10
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 10
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N phosphanylidynenickel Chemical compound [P].[Ni] OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 5-[3-(trifluoromethyl)phenyl]-2h-tetrazole Chemical compound FC(F)(F)C1=CC=CC(C2=NNN=N2)=C1 KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 9
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 9
- 229910001961 silver nitrate Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 9
- 229910001379 sodium hypophosphite Inorganic materials 0.000 description 9
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 9
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 8
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 8
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 8
- 239000004323 potassium nitrate Substances 0.000 description 8
- 235000010333 potassium nitrate Nutrition 0.000 description 8
- 229960002317 succinimide Drugs 0.000 description 8
- UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N thiourea Chemical compound NC(N)=S UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- AEQDJSLRWYMAQI-UHFFFAOYSA-N 2,3,9,10-tetramethoxy-6,8,13,13a-tetrahydro-5H-isoquinolino[2,1-b]isoquinoline Chemical compound C1CN2CC(C(=C(OC)C=C3)OC)=C3CC2C2=C1C=C(OC)C(OC)=C2 AEQDJSLRWYMAQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 7
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 description 7
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 7
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 7
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 7
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L palladium(II) chloride Chemical compound Cl[Pd]Cl PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 7
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 7
- 229910001923 silver oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- NLJMYIDDQXHKNR-UHFFFAOYSA-K sodium citrate Chemical compound O.O.[Na+].[Na+].[Na+].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O NLJMYIDDQXHKNR-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 7
- 239000000176 sodium gluconate Substances 0.000 description 7
- 235000012207 sodium gluconate Nutrition 0.000 description 7
- 229940005574 sodium gluconate Drugs 0.000 description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 7
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 7
- 238000005987 sulfurization reaction Methods 0.000 description 7
- HRXKRNGNAMMEHJ-UHFFFAOYSA-K trisodium citrate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O HRXKRNGNAMMEHJ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 7
- 229940038773 trisodium citrate Drugs 0.000 description 7
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 7
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 description 6
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910021586 Nickel(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 6
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 6
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 6
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 6
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 6
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 6
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 6
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 6
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 6
- KEMQGTRYUADPNZ-UHFFFAOYSA-N heptadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O KEMQGTRYUADPNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 6
- QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L nickel dichloride Chemical compound Cl[Ni]Cl QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- ISYWECDDZWTKFF-UHFFFAOYSA-N nonadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O ISYWECDDZWTKFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 6
- 150000003014 phosphoric acid esters Chemical class 0.000 description 6
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 6
- 229920002503 polyoxyethylene-polyoxypropylene Polymers 0.000 description 6
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 6
- 239000007870 radical polymerization initiator Substances 0.000 description 6
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 6
- HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J tin(iv) chloride Chemical compound Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 6
- BWGNESOTFCXPMA-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen disulfide Chemical compound SS BWGNESOTFCXPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- VMHLLURERBWHNL-UHFFFAOYSA-M Sodium acetate Chemical compound [Na+].CC([O-])=O VMHLLURERBWHNL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 5
- 150000003927 aminopyridines Chemical class 0.000 description 5
- 150000001565 benzotriazoles Chemical class 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 238000007720 emulsion polymerization reaction Methods 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 5
- 150000001261 hydroxy acids Chemical class 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 description 5
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 description 5
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N malic acid Chemical compound OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 5
- 150000002762 monocarboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 5
- 150000002816 nickel compounds Chemical class 0.000 description 5
- WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N octanoic acid Chemical compound CCCCCCCC(O)=O WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 5
- HKSGQTYSSZOJOA-UHFFFAOYSA-N potassium argentocyanide Chemical compound [K+].[Ag+].N#[C-].N#[C-] HKSGQTYSSZOJOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- NNFCIKHAZHQZJG-UHFFFAOYSA-N potassium cyanide Chemical compound [K+].N#[C-] NNFCIKHAZHQZJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 5
- 239000001632 sodium acetate Substances 0.000 description 5
- 235000017281 sodium acetate Nutrition 0.000 description 5
- JXKPEJDQGNYQSM-UHFFFAOYSA-M sodium propionate Chemical compound [Na+].CCC([O-])=O JXKPEJDQGNYQSM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- 239000004324 sodium propionate Substances 0.000 description 5
- 235000010334 sodium propionate Nutrition 0.000 description 5
- 229960003212 sodium propionate Drugs 0.000 description 5
- ZDQYSKICYIVCPN-UHFFFAOYSA-L sodium succinate (anhydrous) Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C(=O)CCC([O-])=O ZDQYSKICYIVCPN-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 5
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 5
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 5
- 150000003627 tricarboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 5
- UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N tungsten carbide Chemical compound [W+]#[C-] UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- MYRTYDVEIRVNKP-UHFFFAOYSA-N 1,2-Divinylbenzene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1C=C MYRTYDVEIRVNKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N 1-Octanol Chemical compound CCCCCCCCO KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BBMCTIGTTCKYKF-UHFFFAOYSA-N 1-heptanol Chemical compound CCCCCCCO BBMCTIGTTCKYKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N Ascorbic acid Chemical compound OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)C(O)=C1O CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N 0.000 description 4
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Chemical compound CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N N-Pentanol Chemical compound CCCCCO AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Natural products NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IGOJDKCIHXGPTI-UHFFFAOYSA-N [P].[Co].[Ni] Chemical compound [P].[Co].[Ni] IGOJDKCIHXGPTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N acetic acid Substances CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 4
- 150000003973 alkyl amines Chemical class 0.000 description 4
- 150000001356 alkyl thiols Chemical class 0.000 description 4
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 4
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 4
- 235000010338 boric acid Nutrition 0.000 description 4
- HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N butan-1-amine Chemical compound CCCCN HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N butane-1,4-diol Chemical compound OCCCCO WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 4
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 4
- MWKFXSUHUHTGQN-UHFFFAOYSA-N decan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCCO MWKFXSUHUHTGQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- LQZZUXJYWNFBMV-UHFFFAOYSA-N dodecan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCCCCO LQZZUXJYWNFBMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- POULHZVOKOAJMA-UHFFFAOYSA-N dodecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCC(O)=O POULHZVOKOAJMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 238000000445 field-emission scanning electron microscopy Methods 0.000 description 4
- GOQYKNQRPGWPLP-UHFFFAOYSA-N heptadecan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCO GOQYKNQRPGWPLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-N hexadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N hexan-1-ol Chemical compound CCCCCCO ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BTFJIXJJCSYFAL-UHFFFAOYSA-N icosan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCO BTFJIXJJCSYFAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VKOBVWXKNCXXDE-UHFFFAOYSA-N icosanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O VKOBVWXKNCXXDE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 4
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 4
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 4
- 239000011817 metal compound particle Substances 0.000 description 4
- KERTUBUCQCSNJU-UHFFFAOYSA-L nickel(2+);disulfamate Chemical compound [Ni+2].NS([O-])(=O)=O.NS([O-])(=O)=O KERTUBUCQCSNJU-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 229910000008 nickel(II) carbonate Inorganic materials 0.000 description 4
- ZULUUIKRFGGGTL-UHFFFAOYSA-L nickel(ii) carbonate Chemical compound [Ni+2].[O-]C([O-])=O ZULUUIKRFGGGTL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- KBJMLQFLOWQJNF-UHFFFAOYSA-N nickel(ii) nitrate Chemical compound [Ni+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O KBJMLQFLOWQJNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZWRUINPWMLAQRD-UHFFFAOYSA-N nonan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCO ZWRUINPWMLAQRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FBUKVWPVBMHYJY-UHFFFAOYSA-N nonanoic acid Chemical compound CCCCCCCCC(O)=O FBUKVWPVBMHYJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GLDOVTGHNKAZLK-UHFFFAOYSA-N octadecan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCO GLDOVTGHNKAZLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 4
- MUJIDPITZJWBSW-UHFFFAOYSA-N palladium(2+) Chemical compound [Pd+2] MUJIDPITZJWBSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- REIUXOLGHVXAEO-UHFFFAOYSA-N pentadecan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCO REIUXOLGHVXAEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- DPBLXKKOBLCELK-UHFFFAOYSA-N pentan-1-amine Chemical compound CCCCCN DPBLXKKOBLCELK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 4
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 4
- ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N phosphinic acid Chemical class O[PH2]=O ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OJMIONKXNSYLSR-UHFFFAOYSA-N phosphorous acid Chemical compound OP(O)O OJMIONKXNSYLSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 229940113116 polyethylene glycol 1000 Drugs 0.000 description 4
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 4
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 4
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 4
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 4
- 229910000033 sodium borohydride Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012279 sodium borohydride Substances 0.000 description 4
- PRWXGRGLHYDWPS-UHFFFAOYSA-L sodium malonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C(=O)CC([O-])=O PRWXGRGLHYDWPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 238000010557 suspension polymerization reaction Methods 0.000 description 4
- HLZKNKRTKFSKGZ-UHFFFAOYSA-N tetradecan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCO HLZKNKRTKFSKGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- SZHOJFHSIKHZHA-UHFFFAOYSA-N tridecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCC(O)=O SZHOJFHSIKHZHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZDPHROOEEOARMN-UHFFFAOYSA-N undecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCC(O)=O ZDPHROOEEOARMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KJIOQYGWTQBHNH-UHFFFAOYSA-N undecanol Chemical compound CCCCCCCCCCCO KJIOQYGWTQBHNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N valeric acid Chemical compound CCCCC(O)=O NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FUSNOPLQVRUIIM-UHFFFAOYSA-N 4-amino-2-(4,4-dimethyl-2-oxoimidazolidin-1-yl)-n-[3-(trifluoromethyl)phenyl]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C1NC(C)(C)CN1C(N=C1N)=NC=C1C(=O)NC1=CC=CC(C(F)(F)F)=C1 FUSNOPLQVRUIIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N Glucose Natural products OC[C@H]1OC(O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N 0.000 description 3
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 3
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LSDPWZHWYPCBBB-UHFFFAOYSA-N Methanethiol Chemical class SC LSDPWZHWYPCBBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 3
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 3
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 3
- BIVUUOPIAYRCAP-UHFFFAOYSA-N aminoazanium;chloride Chemical compound Cl.NN BIVUUOPIAYRCAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000013556 antirust agent Substances 0.000 description 3
- WQZGKKKJIJFFOK-VFUOTHLCSA-N beta-D-glucose Chemical compound OC[C@H]1O[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-VFUOTHLCSA-N 0.000 description 3
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 3
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 3
- 239000008103 glucose Substances 0.000 description 3
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012493 hydrazine sulfate Substances 0.000 description 3
- 229910000377 hydrazine sulfate Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N pentaerythritol Chemical compound OCC(CO)(CO)CO WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 3
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N phosphoric acid Substances OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 3
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 3
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 3
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 3
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 3
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 3
- 229920003048 styrene butadiene rubber Polymers 0.000 description 3
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 3
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 3
- IFGAFLQUAVLERP-UHFFFAOYSA-N 1-(heptyldisulfanyl)heptane Chemical compound CCCCCCCSSCCCCCCC IFGAFLQUAVLERP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FJLUATLTXUNBOT-UHFFFAOYSA-N 1-Hexadecylamine Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCN FJLUATLTXUNBOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PMBXCGGQNSVESQ-UHFFFAOYSA-N 1-Hexanethiol Chemical compound CCCCCCS PMBXCGGQNSVESQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XFRVVPUIAFSTFO-UHFFFAOYSA-N 1-Tridecanol Chemical compound CCCCCCCCCCCCCO XFRVVPUIAFSTFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JPZYXGPCHFZBHO-UHFFFAOYSA-N 1-aminopentadecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCN JPZYXGPCHFZBHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYSCBCSGKXNZRH-UHFFFAOYSA-N 1-benzothiophene-2-carboxamide Chemical compound C1=CC=C2SC(C(=O)N)=CC2=C1 GYSCBCSGKXNZRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BMVXCPBXGZKUPN-UHFFFAOYSA-N 1-hexanamine Chemical compound CCCCCCN BMVXCPBXGZKUPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TUCSLJFYSQXGEV-UHFFFAOYSA-N 2-Butylbenzothiazole Chemical compound C1=CC=C2SC(CCCC)=NC2=C1 TUCSLJFYSQXGEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 2-[[3-hydroxy-2,2-bis(hydroxymethyl)propoxy]methyl]-2-(hydroxymethyl)propane-1,3-diol Chemical compound OCC(CO)(CO)COCC(CO)(CO)CO TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LTHNHFOGQMKPOV-UHFFFAOYSA-N 2-ethylhexan-1-amine Chemical compound CCCCC(CC)CN LTHNHFOGQMKPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XBHOUXSGHYZCNH-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1,3-benzothiazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NC2=CC=CC=C2S1 XBHOUXSGHYZCNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AWQSAIIDOMEEOD-UHFFFAOYSA-N 5,5-Dimethyl-4-(3-oxobutyl)dihydro-2(3H)-furanone Chemical compound CC(=O)CCC1CC(=O)OC1(C)C AWQSAIIDOMEEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 2
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical compound C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005749 Copper compound Substances 0.000 description 2
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 2
- GHVNFZFCNZKVNT-UHFFFAOYSA-N Decanoic acid Natural products CCCCCCCCCC(O)=O GHVNFZFCNZKVNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHZGKXUYDGKKIU-UHFFFAOYSA-N Decylamine Chemical compound CCCCCCCCCCN MHZGKXUYDGKKIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WJYIASZWHGOTOU-UHFFFAOYSA-N Heptylamine Chemical compound CCCCCCCN WJYIASZWHGOTOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TUNFSRHWOTWDNC-UHFFFAOYSA-N Myristic acid Natural products CCCCCCCCCCCCCC(O)=O TUNFSRHWOTWDNC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- REYJJPSVUYRZGE-UHFFFAOYSA-N Octadecylamine Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCN REYJJPSVUYRZGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000021314 Palmitic acid Nutrition 0.000 description 2
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 2
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M Sodium bicarbonate Chemical compound [Na+].OC([O-])=O UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PLZVEHJLHYMBBY-UHFFFAOYSA-N Tetradecylamine Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCN PLZVEHJLHYMBBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 2
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 2
- 239000005456 alcohol based solvent Substances 0.000 description 2
- 125000003158 alcohol group Chemical group 0.000 description 2
- 230000001476 alcoholic effect Effects 0.000 description 2
- 125000003172 aldehyde group Chemical group 0.000 description 2
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 2
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 2
- 125000005370 alkoxysilyl group Chemical group 0.000 description 2
- 150000001346 alkyl aryl ethers Chemical class 0.000 description 2
- 150000005215 alkyl ethers Chemical class 0.000 description 2
- 125000005233 alkylalcohol group Chemical group 0.000 description 2
- OBETXYAYXDNJHR-UHFFFAOYSA-N alpha-ethylcaproic acid Natural products CCCCC(CC)C(O)=O OBETXYAYXDNJHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- BFNBIHQBYMNNAN-UHFFFAOYSA-N ammonium sulfate Chemical compound N.N.OS(O)(=O)=O BFNBIHQBYMNNAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052921 ammonium sulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000011130 ammonium sulphate Nutrition 0.000 description 2
- 239000002280 amphoteric surfactant Substances 0.000 description 2
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 2
- 239000003849 aromatic solvent Substances 0.000 description 2
- 235000010323 ascorbic acid Nutrition 0.000 description 2
- 239000011668 ascorbic acid Substances 0.000 description 2
- 229960005070 ascorbic acid Drugs 0.000 description 2
- VKJLWXGJGDEGSO-UHFFFAOYSA-N barium(2+);oxygen(2-);titanium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Ba+2] VKJLWXGJGDEGSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001622 bismuth compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000006172 buffering agent Substances 0.000 description 2
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 2
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 description 2
- 239000003093 cationic surfactant Substances 0.000 description 2
- 150000001869 cobalt compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910000361 cobalt sulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- 229940044175 cobalt sulfate Drugs 0.000 description 2
- KTVIXTQDYHMGHF-UHFFFAOYSA-L cobalt(2+) sulfate Chemical compound [Co+2].[O-]S([O-])(=O)=O KTVIXTQDYHMGHF-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 150000001880 copper compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 2
- 150000001991 dicarboxylic acids Chemical class 0.000 description 2
- CVQVSVBUMVSJES-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-methyl-phenylsilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)C1=CC=CC=C1 CVQVSVBUMVSJES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012674 dispersion polymerization Methods 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- JRBPAEWTRLWTQC-UHFFFAOYSA-N dodecylamine Chemical compound CCCCCCCCCCCCN JRBPAEWTRLWTQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003759 ester based solvent Substances 0.000 description 2
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 description 2
- FJKIXWOMBXYWOQ-UHFFFAOYSA-N ethenoxyethane Chemical compound CCOC=C FJKIXWOMBXYWOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BITPLIXHRASDQB-UHFFFAOYSA-N ethenyl-[ethenyl(dimethyl)silyl]oxy-dimethylsilane Chemical compound C=C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C=C BITPLIXHRASDQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- IIEWJVIFRVWJOD-UHFFFAOYSA-N ethylcyclohexane Chemical compound CCC1CCCCC1 IIEWJVIFRVWJOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 2
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 2
- BXWNKGSJHAJOGX-UHFFFAOYSA-N hexadecan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCO BXWNKGSJHAJOGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BUHXFUSLEBPCEB-UHFFFAOYSA-N icosan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCN BUHXFUSLEBPCEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 description 2
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 2
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 2
- YAQXGBBDJYBXKL-UHFFFAOYSA-N iron(2+);1,10-phenanthroline;dicyanide Chemical compound [Fe+2].N#[C-].N#[C-].C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1.C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 YAQXGBBDJYBXKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 2
- 125000000468 ketone group Chemical group 0.000 description 2
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 2
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 description 2
- UAEPNZWRGJTJPN-UHFFFAOYSA-N methylcyclohexane Chemical compound CC1CCCCC1 UAEPNZWRGJTJPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WQEPLUUGTLDZJY-UHFFFAOYSA-N n-Pentadecanoic acid Natural products CCCCCCCCCCCCCCC(O)=O WQEPLUUGTLDZJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XGFDHKJUZCCPKQ-UHFFFAOYSA-N n-nonadecyl alcohol Natural products CCCCCCCCCCCCCCCCCCCO XGFDHKJUZCCPKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SLCVBVWXLSEKPL-UHFFFAOYSA-N neopentyl glycol Chemical compound OCC(C)(C)CO SLCVBVWXLSEKPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 2
- FJDUDHYHRVPMJZ-UHFFFAOYSA-N nonan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCCN FJDUDHYHRVPMJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IOQPZZOEVPZRBK-UHFFFAOYSA-N octan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCN IOQPZZOEVPZRBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QNIVIMYXGGFTAK-UHFFFAOYSA-N octodrine Chemical compound CC(C)CCCC(C)N QNIVIMYXGGFTAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WRKCIHRWQZQBOL-UHFFFAOYSA-N octyl dihydrogen phosphate Chemical compound CCCCCCCCOP(O)(O)=O WRKCIHRWQZQBOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 2
- 229940100684 pentylamine Drugs 0.000 description 2
- 239000003208 petroleum Substances 0.000 description 2
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 2
- AQSJGOWTSHOLKH-UHFFFAOYSA-N phosphite(3-) Chemical class [O-]P([O-])[O-] AQSJGOWTSHOLKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003016 phosphoric acids Chemical class 0.000 description 2
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 2
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 2
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 2
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 2
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 2
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 2
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 2
- 229920000259 polyoxyethylene lauryl ether Polymers 0.000 description 2
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 229920000346 polystyrene-polyisoprene block-polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 159000000001 potassium salts Chemical class 0.000 description 2
- LJCNRYVRMXRIQR-OLXYHTOASA-L potassium sodium L-tartrate Chemical compound [Na+].[K+].[O-]C(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O LJCNRYVRMXRIQR-OLXYHTOASA-L 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000005288 shirasu porous glass Substances 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 235000011083 sodium citrates Nutrition 0.000 description 2
- 235000011006 sodium potassium tartrate Nutrition 0.000 description 2
- XMVONEAAOPAGAO-UHFFFAOYSA-N sodium tungstate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][W]([O-])(=O)=O XMVONEAAOPAGAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 2
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 2
- 229920000468 styrene butadiene styrene block copolymer Polymers 0.000 description 2
- 125000000542 sulfonic acid group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000472 sulfonyl group Chemical group *S(*)(=O)=O 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 150000003557 thiazoles Chemical class 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ABVVEAHYODGCLZ-UHFFFAOYSA-N tridecan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCCCCCCN ABVVEAHYODGCLZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940087291 tridecyl alcohol Drugs 0.000 description 2
- ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol Chemical group OCCOCCOCCO ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QFKMMXYLAPZKIB-UHFFFAOYSA-N undecan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCCCCN QFKMMXYLAPZKIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940057402 undecyl alcohol Drugs 0.000 description 2
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- VZXTWGWHSMCWGA-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-triazine-2,4-diamine Chemical compound NC1=NC=NC(N)=N1 VZXTWGWHSMCWGA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IDJPKRIELSFBPE-UHFFFAOYSA-N 1-(decyldisulfanyl)decane Chemical compound CCCCCCCCCCSSCCCCCCCCCC IDJPKRIELSFBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GAYUSSOCODCSNF-UHFFFAOYSA-N 1-(dodecyldisulfanyl)dodecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCSSCCCCCCCCCCCC GAYUSSOCODCSNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GUBWMRCVCQFLOJ-UHFFFAOYSA-N 1-(hexadecyldisulfanyl)hexadecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCSSCCCCCCCCCCCCCCCC GUBWMRCVCQFLOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GJPDBURPGLWRPW-UHFFFAOYSA-N 1-(hexyldisulfanyl)hexane Chemical compound CCCCCCSSCCCCCC GJPDBURPGLWRPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AVWMIWJCGFMMNP-UHFFFAOYSA-N 1-(nonyldisulfanyl)nonane Chemical compound CCCCCCCCCSSCCCCCCCCC AVWMIWJCGFMMNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AROCLDYPZXMJPW-UHFFFAOYSA-N 1-(octyldisulfanyl)octane Chemical compound CCCCCCCCSSCCCCCCCC AROCLDYPZXMJPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ULLWKWAZWYSPDY-UHFFFAOYSA-N 1-(pentadecyldisulfanyl)pentadecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCSSCCCCCCCCCCCCCCC ULLWKWAZWYSPDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PVHFXVCJLSWJAO-UHFFFAOYSA-N 1-(tetradecyldisulfanyl)tetradecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCSSCCCCCCCCCCCCCC PVHFXVCJLSWJAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QYVIBJKOSSAQLE-UHFFFAOYSA-N 1-(tridecyldisulfanyl)tridecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCSSCCCCCCCCCCCCC QYVIBJKOSSAQLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BMMUJKMHJWGHJA-UHFFFAOYSA-N 1-(undecyldisulfanyl)undecane Chemical compound CCCCCCCCCCCSSCCCCCCCCCCC BMMUJKMHJWGHJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RKYMVQJWYYOIJB-UHFFFAOYSA-N 1-decylsulfanyldecane Chemical compound CCCCCCCCCCSCCCCCCCCCC RKYMVQJWYYOIJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OVGRCEFMXPHEBL-UHFFFAOYSA-N 1-ethenoxypropane Chemical compound CCCOC=C OVGRCEFMXPHEBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEMIDOZYVQXGLI-UHFFFAOYSA-N 1-heptylsulfanylheptane Chemical compound CCCCCCCSCCCCCCC LEMIDOZYVQXGLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LHNRHYOMDUJLLM-UHFFFAOYSA-N 1-hexylsulfanylhexane Chemical compound CCCCCCSCCCCCC LHNRHYOMDUJLLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPZFPNKPHBCUOB-UHFFFAOYSA-N 1-methyl-4-phenylsulfanylbenzene Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1SC1=CC=CC=C1 CPZFPNKPHBCUOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LOXRGHGHQYWXJK-UHFFFAOYSA-N 1-octylsulfanyloctane Chemical compound CCCCCCCCSCCCCCCCC LOXRGHGHQYWXJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VSIKJPJINIDELZ-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6,8,8-octakis-phenyl-1,3,5,7,2,4,6,8-tetraoxatetrasilocane Chemical compound O1[Si](C=2C=CC=CC=2)(C=2C=CC=CC=2)O[Si](C=2C=CC=CC=2)(C=2C=CC=CC=2)O[Si](C=2C=CC=CC=2)(C=2C=CC=CC=2)O[Si]1(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 VSIKJPJINIDELZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VCYDUTCMKSROID-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexakis-phenyl-1,3,5,2,4,6-trioxatrisilinane Chemical compound O1[Si](C=2C=CC=CC=2)(C=2C=CC=CC=2)O[Si](C=2C=CC=CC=2)(C=2C=CC=CC=2)O[Si]1(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 VCYDUTCMKSROID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JJLJEONZQSKVAT-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethenylbut-3-enoxy)ethenylsilane Chemical compound C(=C)C(COC=C[SiH3])C=C JJLJEONZQSKVAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GEHIXSKXGCIKJJ-UHFFFAOYSA-N 2-(chloromethyl)-5-(4-methoxyphenyl)-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1C1=NN=C(CCl)O1 GEHIXSKXGCIKJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBYMUDUGTIKLCR-UHFFFAOYSA-N 2-chloroethenylbenzene Chemical compound ClC=CC1=CC=CC=C1 SBYMUDUGTIKLCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YUIHWQLJJCHIGC-UHFFFAOYSA-N 2-ethenylbut-3-enoxy(phenyl)silane Chemical compound C1(=CC=CC=C1)[SiH2]OCC(C=C)C=C YUIHWQLJJCHIGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VSKJLJHPAFKHBX-UHFFFAOYSA-N 2-methylbuta-1,3-diene;styrene Chemical class CC(=C)C=C.C=CC1=CC=CC=C1.C=CC1=CC=CC=C1 VSKJLJHPAFKHBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZJCZFAAXZODMQT-UHFFFAOYSA-N 2-methylpentadecane-2-thiol Chemical compound CCCCCCCCCCCCCC(C)(C)S ZJCZFAAXZODMQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYTUNQXRWZGYCK-UHFFFAOYSA-N 2-penta-1,4-dien-3-yloxyethenylsilane Chemical compound C(=C)C(OC=C[SiH3])C=C MYTUNQXRWZGYCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DWYHDSLIWMUSOO-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1h-benzimidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NC2=CC=CC=C2N1 DWYHDSLIWMUSOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KFJDQPJLANOOOB-UHFFFAOYSA-N 2h-benzotriazole-4-carboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC2=NNN=C12 KFJDQPJLANOOOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODJQKYXPKWQWNK-UHFFFAOYSA-N 3,3'-Thiobispropanoic acid Chemical compound OC(=O)CCSCCC(O)=O ODJQKYXPKWQWNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SSKLSASVMYKNHK-UHFFFAOYSA-N 3,3-diphenylprop-2-enoxysilane Chemical compound C1(=CC=CC=C1)C(=CCO[SiH3])C1=CC=CC=C1 SSKLSASVMYKNHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WRBSVISDQAINGQ-UHFFFAOYSA-N 3-(dimethylcarbamothioylsulfanyl)propane-1-sulfonic acid Chemical compound CN(C)C(=S)SCCCS(O)(=O)=O WRBSVISDQAINGQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WTLBLIGPXACYET-UHFFFAOYSA-N 3-fluoro-5-[2-[2-(fluoromethyl)-1,3-thiazol-4-yl]ethynyl]benzonitrile Chemical compound S1C(CF)=NC(C#CC=2C=C(C=C(F)C=2)C#N)=C1 WTLBLIGPXACYET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYKLZUPYJFFNRR-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxypiperidin-2-one Chemical compound OC1CCCNC1=O RYKLZUPYJFFNRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATVJXMYDOSMEPO-UHFFFAOYSA-N 3-prop-2-enoxyprop-1-ene Chemical compound C=CCOCC=C ATVJXMYDOSMEPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- REEBJQTUIJTGAL-UHFFFAOYSA-N 3-pyridin-1-ium-1-ylpropane-1-sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)CCC[N+]1=CC=CC=C1 REEBJQTUIJTGAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSZJHTYADIERFI-UHFFFAOYSA-N 4-(3-carboxypropylsulfanyl)butanoic acid Chemical compound OC(=O)CCCSCCCC(O)=O XSZJHTYADIERFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CMGDVUCDZOBDNL-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-2h-benzotriazole Chemical compound CC1=CC=CC2=NNN=C12 CMGDVUCDZOBDNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZPMJVWFBGOTMMO-UHFFFAOYSA-N 4-phenylbut-2-enoxysilane Chemical compound C1(=CC=CC=C1)CC=CCO[SiH3] ZPMJVWFBGOTMMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCJJZFLLJFASJU-UHFFFAOYSA-N 5-phenylpent-3-enoxysilane Chemical compound C1(=CC=CC=C1)CC=CCCO[SiH3] MCJJZFLLJFASJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LIFHMKCDDVTICL-UHFFFAOYSA-N 6-(chloromethyl)phenanthridine Chemical compound C1=CC=C2C(CCl)=NC3=CC=CC=C3C2=C1 LIFHMKCDDVTICL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZVHEAJQGPRDLQ-UHFFFAOYSA-N 6-phenyl-1,3,5-triazine-2,4-diamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(C=2C=CC=CC=2)=N1 GZVHEAJQGPRDLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLLMOYPIVVKFHY-UHFFFAOYSA-N Benzenethiol, 4,4'-thiobis- Chemical compound C1=CC(S)=CC=C1SC1=CC=C(S)C=C1 JLLMOYPIVVKFHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M Bromide Chemical compound [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004641 Diallyl-phthalate Substances 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N Ethenol Chemical compound OC=C IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004606 Fillers/Extenders Substances 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VPIAKHNXCOTPAY-UHFFFAOYSA-N Heptane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCS VPIAKHNXCOTPAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004566 IR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 238000012695 Interfacial polymerization Methods 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002319 Poly(methyl acrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229930182556 Polyacetal Natural products 0.000 description 1
- 229920001283 Polyalkylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229920002367 Polyisobutene Polymers 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 1
- GTTSNKDQDACYLV-UHFFFAOYSA-N Trihydroxybutane Chemical compound CCCC(O)(O)O GTTSNKDQDACYLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N Vinyl ether Chemical class C=COC=C QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LXEKPEMOWBOYRF-UHFFFAOYSA-N [2-[(1-azaniumyl-1-imino-2-methylpropan-2-yl)diazenyl]-2-methylpropanimidoyl]azanium;dichloride Chemical compound Cl.Cl.NC(=N)C(C)(C)N=NC(C)(C)C(N)=N LXEKPEMOWBOYRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BBDKJGWLFTVQKX-UHFFFAOYSA-N [Na+].C(CCCCC)OP([O-])O Chemical compound [Na+].C(CCCCC)OP([O-])O BBDKJGWLFTVQKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCNHRERMIXAWNV-UHFFFAOYSA-M [Na+].C(CCCCCC)OP([O-])(O)=O Chemical compound [Na+].C(CCCCCC)OP([O-])(O)=O LCNHRERMIXAWNV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- WHHOHNGQKKDACV-UHFFFAOYSA-N [Na+].C(CCCCCC)OP([O-])O Chemical compound [Na+].C(CCCCCC)OP([O-])O WHHOHNGQKKDACV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VCMXXDUQYNKLFF-UHFFFAOYSA-N [Na+].C(CCCCCCC)OP([O-])O Chemical compound [Na+].C(CCCCCCC)OP([O-])O VCMXXDUQYNKLFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JABSVCXFRSABJI-UHFFFAOYSA-N [Na+].C(CCCCCCCC)OP([O-])O Chemical compound [Na+].C(CCCCCCCC)OP([O-])O JABSVCXFRSABJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PGWYVIMJNKKREP-UHFFFAOYSA-N [Na+].C(CCCCCCCCC)OP([O-])O Chemical compound [Na+].C(CCCCCCCCC)OP([O-])O PGWYVIMJNKKREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QOCQFJJKZMSAFS-UHFFFAOYSA-N [Na+].C(CCCCCCCCCC)OP([O-])O Chemical compound [Na+].C(CCCCCCCCCC)OP([O-])O QOCQFJJKZMSAFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NHSGQYWFMROMEM-UHFFFAOYSA-N [Na+].C(CCCCCCCCCCC)OP([O-])O Chemical compound [Na+].C(CCCCCCCCCCC)OP([O-])O NHSGQYWFMROMEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBVBTOJORQAHGC-UHFFFAOYSA-M [Na+].C(CCCCCCCCCCCC)OP([O-])(O)=O Chemical compound [Na+].C(CCCCCCCCCCCC)OP([O-])(O)=O JBVBTOJORQAHGC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- HUVLDTLWPRCHAO-UHFFFAOYSA-N [Na+].C(CCCCCCCCCCCC)OP([O-])O Chemical compound [Na+].C(CCCCCCCCCCCC)OP([O-])O HUVLDTLWPRCHAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PGMJMJQDQANQDW-UHFFFAOYSA-N [Na+].C(CCCCCCCCCCCCC)OP([O-])O Chemical compound [Na+].C(CCCCCCCCCCCCC)OP([O-])O PGMJMJQDQANQDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- USDJMUUIAHZNRQ-UHFFFAOYSA-M [Na+].C(CCCCCCCCCCCCCC)OP([O-])(O)=O Chemical compound [Na+].C(CCCCCCCCCCCCCC)OP([O-])(O)=O USDJMUUIAHZNRQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- UEYXBKWWHVDYQY-UHFFFAOYSA-N [Na+].C(CCCCCCCCCCCCCC)OP([O-])O Chemical compound [Na+].C(CCCCCCCCCCCCCC)OP([O-])O UEYXBKWWHVDYQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RMKZLFMHXZAGTM-UHFFFAOYSA-N [dimethoxy(propyl)silyl]oxymethyl prop-2-enoate Chemical compound CCC[Si](OC)(OC)OCOC(=O)C=C RMKZLFMHXZAGTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001242 acetic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 1
- 229920001893 acrylonitrile styrene Polymers 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 description 1
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 150000001299 aldehydes Chemical class 0.000 description 1
- GZCGUPFRVQAUEE-SLPGGIOYSA-N aldehydo-D-glucose Chemical compound OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C=O GZCGUPFRVQAUEE-SLPGGIOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- XYLMUPLGERFSHI-UHFFFAOYSA-N alpha-Methylstyrene Chemical compound CC(=C)C1=CC=CC=C1 XYLMUPLGERFSHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O ammonium group Chemical group [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 235000006708 antioxidants Nutrition 0.000 description 1
- 239000002216 antistatic agent Substances 0.000 description 1
- AQBOUNVXZQRXNP-UHFFFAOYSA-L azane;dichloropalladium Chemical compound N.N.N.N.Cl[Pd]Cl AQBOUNVXZQRXNP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- WIDMMNCAAAYGKW-UHFFFAOYSA-N azane;palladium(2+);dinitrate Chemical compound N.N.N.N.[Pd+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O WIDMMNCAAAYGKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSPHQZJZSJENIO-UHFFFAOYSA-L azane;palladium(2+);sulfate Chemical compound N.N.N.N.[Pd+2].[O-]S([O-])(=O)=O WSPHQZJZSJENIO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 1
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical class C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GONOPSZTUGRENK-UHFFFAOYSA-N benzyl(trichloro)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)CC1=CC=CC=C1 GONOPSZTUGRENK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 1
- CSXPRVTYIFRYPR-UHFFFAOYSA-N bis(ethenyl)-diethoxysilane Chemical compound CCO[Si](C=C)(C=C)OCC CSXPRVTYIFRYPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZPECUSGQPIKHLT-UHFFFAOYSA-N bis(ethenyl)-dimethoxysilane Chemical compound CO[Si](OC)(C=C)C=C ZPECUSGQPIKHLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QUDWYFHPNIMBFC-UHFFFAOYSA-N bis(prop-2-enyl) benzene-1,2-dicarboxylate Chemical compound C=CCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC=C QUDWYFHPNIMBFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005619 boric acid group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001649 bromium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- FACXGONDLDSNOE-UHFFFAOYSA-N buta-1,3-diene;styrene Chemical class C=CC=C.C=CC1=CC=CC=C1.C=CC1=CC=CC=C1 FACXGONDLDSNOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N butyl prop-2-enoate;methyl 2-methylprop-2-enoate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.COC(=O)C(C)=C.CCCCOC(=O)C=C QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical compound OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000002415 cerumenolytic agent Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229920006026 co-polymeric resin Polymers 0.000 description 1
- 229940011182 cobalt acetate Drugs 0.000 description 1
- 229910021446 cobalt carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- GVPFVAHMJGGAJG-UHFFFAOYSA-L cobalt dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Co+2] GVPFVAHMJGGAJG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- UFMZWBIQTDUYBN-UHFFFAOYSA-N cobalt dinitrate Chemical compound [Co+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O UFMZWBIQTDUYBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001981 cobalt nitrate Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOTKGJBKKKVBJZ-UHFFFAOYSA-L cobalt(2+);carbonate Chemical compound [Co+2].[O-]C([O-])=O ZOTKGJBKKKVBJZ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- QAHREYKOYSIQPH-UHFFFAOYSA-L cobalt(II) acetate Chemical compound [Co+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O QAHREYKOYSIQPH-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N copper(II) nitrate Chemical compound [Cu+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 1
- 229920006037 cross link polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000001924 cycloalkanes Chemical class 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- VTXVGVNLYGSIAR-UHFFFAOYSA-N decane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCCCS VTXVGVNLYGSIAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- SCIGVHCNNXTQDB-UHFFFAOYSA-N decyl dihydrogen phosphate Chemical compound CCCCCCCCCCOP(O)(O)=O SCIGVHCNNXTQDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PYFRLDVYGBCYLI-UHFFFAOYSA-N decyl dihydrogen phosphite Chemical compound CCCCCCCCCCOP(O)O PYFRLDVYGBCYLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BAAAEEDPKUHLID-UHFFFAOYSA-N decyl(triethoxy)silane Chemical compound CCCCCCCCCC[Si](OCC)(OCC)OCC BAAAEEDPKUHLID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KQAHMVLQCSALSX-UHFFFAOYSA-N decyl(trimethoxy)silane Chemical compound CCCCCCCCCC[Si](OC)(OC)OC KQAHMVLQCSALSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- MNFGEHQPOWJJBH-UHFFFAOYSA-N diethoxy-methyl-phenylsilane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)C1=CC=CC=C1 MNFGEHQPOWJJBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(dimethyl)silane Chemical compound CO[Si](C)(C)OC JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 1
- YFCVAZGXPLMNDG-UHFFFAOYSA-N dimethyl-bis[[methyl(diphenyl)silyl]oxy]silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](C)(C=1C=CC=CC=1)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 YFCVAZGXPLMNDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZGNSEAPZQGJRB-UHFFFAOYSA-N dimethyldithiocarbamic acid Chemical compound CN(C)C(S)=S MZGNSEAPZQGJRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LTYMSROWYAPPGB-UHFFFAOYSA-N diphenyl sulfide Chemical compound C=1C=CC=CC=1SC1=CC=CC=C1 LTYMSROWYAPPGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 1
- 238000011038 discontinuous diafiltration by volume reduction Methods 0.000 description 1
- WIYCQLLGDNXIBA-UHFFFAOYSA-L disodium;3-(3-sulfonatopropyldisulfanyl)propane-1-sulfonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S(=O)(=O)CCCSSCCCS([O-])(=O)=O WIYCQLLGDNXIBA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- WNAHIZMDSQCWRP-UHFFFAOYSA-N dodecane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCCCCCS WNAHIZMDSQCWRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVACALAUIQMRDF-UHFFFAOYSA-N dodecyl dihydrogen phosphate Chemical compound CCCCCCCCCCCCOP(O)(O)=O TVACALAUIQMRDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RSNDQTNQQQNXRN-UHFFFAOYSA-N dodecyl dihydrogen phosphite Chemical compound CCCCCCCCCCCCOP(O)O RSNDQTNQQQNXRN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003438 dodecyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- YGUFXEJWPRRAEK-UHFFFAOYSA-N dodecyl(triethoxy)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCC[Si](OCC)(OCC)OCC YGUFXEJWPRRAEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SCPWMSBAGXEGPW-UHFFFAOYSA-N dodecyl(trimethoxy)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCC[Si](OC)(OC)OC SCPWMSBAGXEGPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000004945 emulsification Methods 0.000 description 1
- 239000003995 emulsifying agent Substances 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- CCIVGXIOQKPBKL-UHFFFAOYSA-M ethanesulfonate Chemical compound CCS([O-])(=O)=O CCIVGXIOQKPBKL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- MEGHWIAOTJPCHQ-UHFFFAOYSA-N ethenyl butanoate Chemical compound CCCC(=O)OC=C MEGHWIAOTJPCHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GLVVKKSPKXTQRB-UHFFFAOYSA-N ethenyl dodecanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCC(=O)OC=C GLVVKKSPKXTQRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AFSIMBWBBOJPJG-UHFFFAOYSA-N ethenyl octadecanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OC=C AFSIMBWBBOJPJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C=C FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HOMYFVKFSFMSFF-UHFFFAOYSA-N ethenyl-[ethenyl(diphenyl)silyl]oxy-diphenylsilane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](C=1C=CC=CC=1)(C=C)O[Si](C=C)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 HOMYFVKFSFMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MBGQQKKTDDNCSG-UHFFFAOYSA-N ethenyl-diethoxy-methylsilane Chemical compound CCO[Si](C)(C=C)OCC MBGQQKKTDDNCSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- URZLRFGTFVPFDW-UHFFFAOYSA-N ethenyl-diethoxy-phenylsilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(C=C)C1=CC=CC=C1 URZLRFGTFVPFDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLNAFSPCNATQPQ-UHFFFAOYSA-N ethenyl-dimethoxy-methylsilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)C=C ZLNAFSPCNATQPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJNRGJJYCUCFHY-UHFFFAOYSA-N ethenyl-dimethoxy-phenylsilane Chemical compound CO[Si](OC)(C=C)C1=CC=CC=C1 IJNRGJJYCUCFHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GGJQEMXRDJPGAH-UHFFFAOYSA-N ethenyl-ethoxy-diphenylsilane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](C=C)(OCC)C1=CC=CC=C1 GGJQEMXRDJPGAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FIHCECZPYHVEJO-UHFFFAOYSA-N ethoxy-dimethyl-phenylsilane Chemical compound CCO[Si](C)(C)C1=CC=CC=C1 FIHCECZPYHVEJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOOODBUHSVUZEM-UHFFFAOYSA-N ethoxymethanedithioic acid Chemical compound CCOC(S)=S ZOOODBUHSVUZEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006228 ethylene acrylate copolymer Polymers 0.000 description 1
- 125000003916 ethylene diamine group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- XUCNUKMRBVNAPB-UHFFFAOYSA-N fluoroethene Chemical compound FC=C XUCNUKMRBVNAPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004108 freeze drying Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003976 glyceryl group Chemical group [H]C([*])([H])C(O[H])([H])C(O[H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 description 1
- 125000003630 glycyl group Chemical group [H]N([H])C([H])([H])C(*)=O 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- 239000012760 heat stabilizer Substances 0.000 description 1
- KAJZYANLDWUIES-UHFFFAOYSA-N heptadecan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCN KAJZYANLDWUIES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AJHVMIKRCDKKFP-UHFFFAOYSA-N heptyl dihydrogen phosphite Chemical compound CCCCCCCOP(O)O AJHVMIKRCDKKFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GGKJPMAIXBETTD-UHFFFAOYSA-L heptyl phosphate Chemical compound CCCCCCCOP([O-])([O-])=O GGKJPMAIXBETTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- VRINOTYEGADLMW-UHFFFAOYSA-N heptyl(trimethoxy)silane Chemical compound CCCCCCC[Si](OC)(OC)OC VRINOTYEGADLMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QXLBKTGZGPVJOO-UHFFFAOYSA-N hexyl dihydrogen phosphite Chemical compound CCCCCCOP(O)O QXLBKTGZGPVJOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PHNWGDTYCJFUGZ-UHFFFAOYSA-L hexyl phosphate Chemical compound CCCCCCOP([O-])([O-])=O PHNWGDTYCJFUGZ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- CZWLNMOIEMTDJY-UHFFFAOYSA-N hexyl(trimethoxy)silane Chemical compound CCCCCC[Si](OC)(OC)OC CZWLNMOIEMTDJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009396 hybridization Methods 0.000 description 1
- 150000003840 hydrochlorides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N isocyanate group Chemical group [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N isocyanuric acid Chemical compound OC1=NC(O)=NC(O)=N1 ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMMWKPVZQRWMSS-UHFFFAOYSA-N isopropanol acetate Natural products CC(C)OC(C)=O JMMWKPVZQRWMSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940011051 isopropyl acetate Drugs 0.000 description 1
- GWYFCOCPABKNJV-UHFFFAOYSA-M isovalerate Chemical compound CC(C)CC([O-])=O GWYFCOCPABKNJV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000002356 laser light scattering Methods 0.000 description 1
- 150000002611 lead compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004611 light stabiliser Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009766 low-temperature sintering Methods 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- POPACFLNWGUDSR-UHFFFAOYSA-N methoxy(trimethyl)silane Chemical compound CO[Si](C)(C)C POPACFLNWGUDSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- REQXNMOSXYEQLM-UHFFFAOYSA-N methoxy-dimethyl-phenylsilane Chemical compound CO[Si](C)(C)C1=CC=CC=C1 REQXNMOSXYEQLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000609 methyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- XJRBAMWJDBPFIM-UHFFFAOYSA-N methyl vinyl ether Chemical compound COC=C XJRBAMWJDBPFIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PHLASVAENYNAOW-UHFFFAOYSA-N methyl-bis[[methyl(diphenyl)silyl]oxy]-phenylsilane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](C)(C=1C=CC=CC=1)O[Si](C=1C=CC=CC=1)(C)O[Si](C)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 PHLASVAENYNAOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYNNXHKOJHMOHS-UHFFFAOYSA-N methyl-cycloheptane Natural products CC1CCCCCC1 GYNNXHKOJHMOHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001923 methylcellulose Substances 0.000 description 1
- 235000010981 methylcellulose Nutrition 0.000 description 1
- BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N methyltrimethoxysilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)OC BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013008 moisture curing Methods 0.000 description 1
- SGNSAMGUMVFALJ-UHFFFAOYSA-N n,n'-dichloroethane-1,2-diamine Chemical compound ClNCCNCl SGNSAMGUMVFALJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- MGFYIUFZLHCRTH-UHFFFAOYSA-N nitrilotriacetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CC(O)=O MGFYIUFZLHCRTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- INAMEDPXUAWNKL-UHFFFAOYSA-N nonadecan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCN INAMEDPXUAWNKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVEZMVFBMOOHAT-UHFFFAOYSA-N nonane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCCS ZVEZMVFBMOOHAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002843 nonmetals Chemical class 0.000 description 1
- WYAKJXQRALMWPB-UHFFFAOYSA-N nonyl dihydrogen phosphate Chemical compound CCCCCCCCCOP(O)(O)=O WYAKJXQRALMWPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFRMEUNBMFELSC-UHFFFAOYSA-N nonyl dihydrogen phosphite Chemical compound CCCCCCCCCOP(O)O CFRMEUNBMFELSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZCOBXFFBQJQHH-UHFFFAOYSA-N octane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCS KZCOBXFFBQJQHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KCRLWVVFAVLSAP-UHFFFAOYSA-N octyl dihydrogen phosphite Chemical compound CCCCCCCCOP(O)O KCRLWVVFAVLSAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MSRJTTSHWYDFIU-UHFFFAOYSA-N octyltriethoxysilane Chemical compound CCCCCCCC[Si](OCC)(OCC)OCC MSRJTTSHWYDFIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960003493 octyltriethoxysilane Drugs 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- PZKNFJIOIKQCPA-UHFFFAOYSA-N oxalic acid palladium Chemical compound [Pd].OC(=O)C(O)=O PZKNFJIOIKQCPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 150000002941 palladium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000000913 palmityl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- UJAPCTHXIXTQCC-UHFFFAOYSA-N penta-1,4-dien-3-yloxy(phenyl)silane Chemical compound C1(=CC=CC=C1)[SiH2]OC(C=C)C=C UJAPCTHXIXTQCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IGMQODZGDORXEN-UHFFFAOYSA-N pentadecane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCS IGMQODZGDORXEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HIEAVKFYHNFZNR-UHFFFAOYSA-N pentadecyl dihydrogen phosphate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCOP(O)(O)=O HIEAVKFYHNFZNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFVPXDTVTJASRN-UHFFFAOYSA-N pentadecyl dihydrogen phosphite Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCOP(O)O CFVPXDTVTJASRN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006340 pentafluoro ethyl group Chemical group FC(F)(F)C(F)(F)* 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229920001490 poly(butyl methacrylate) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 1
- 229920001483 poly(ethyl methacrylate) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002401 polyacrylamide Polymers 0.000 description 1
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920013716 polyethylene resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005518 polymer electrolyte Substances 0.000 description 1
- 239000002685 polymerization catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920000056 polyoxyethylene ether Polymers 0.000 description 1
- 229940051841 polyoxyethylene ether Drugs 0.000 description 1
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001955 polyphenylene ether Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 1
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 1
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 1
- 150000003112 potassium compounds Chemical class 0.000 description 1
- XTFKWYDMKGAZKK-UHFFFAOYSA-N potassium;gold(1+);dicyanide Chemical compound [K+].[Au+].N#[C-].N#[C-] XTFKWYDMKGAZKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTWPJWDHYYUHSZ-UHFFFAOYSA-M potassium;heptane-1-sulfonate Chemical compound [K+].CCCCCCCS([O-])(=O)=O CTWPJWDHYYUHSZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- SCUZVMOVTVSBLE-UHFFFAOYSA-N prop-2-enenitrile;styrene Chemical compound C=CC#N.C=CC1=CC=CC=C1 SCUZVMOVTVSBLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SXJCWCGNPYHALZ-UHFFFAOYSA-N propanedioic acid;sodium Chemical compound [Na].[Na].OC(=O)CC(O)=O SXJCWCGNPYHALZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000007127 saponification reaction Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- YPDPYLJJBBKICP-JIZZDEOASA-M silver;(2r)-2-amino-3-hydroxy-3-oxopropane-1-thiolate;nitric acid Chemical compound [Ag+].O[N+]([O-])=O.[S-]C[C@H](N)C(O)=O YPDPYLJJBBKICP-JIZZDEOASA-M 0.000 description 1
- NEMJXQHXQWLYDM-JJKGCWMISA-M silver;(2r,3s,4r,5r)-2,3,4,5,6-pentahydroxyhexanoate Chemical compound [Ag+].OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O NEMJXQHXQWLYDM-JJKGCWMISA-M 0.000 description 1
- XXAQKQFXTTXLEW-UHFFFAOYSA-J silver;trisodium;dioxido-oxo-sulfanylidene-$l^{6}-sulfane Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[Ag+].[O-]S([O-])(=O)=S.[O-]S([O-])(=O)=S XXAQKQFXTTXLEW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000002893 slag Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 235000017557 sodium bicarbonate Nutrition 0.000 description 1
- 229910000030 sodium bicarbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- KLEHMHBLPUXXPU-UHFFFAOYSA-M sodium;decyl hydrogen phosphate Chemical compound [Na+].CCCCCCCCCCOP(O)([O-])=O KLEHMHBLPUXXPU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- JDSVWTAJRNTSSL-UHFFFAOYSA-M sodium;dodecyl hydrogen phosphate Chemical compound [Na+].CCCCCCCCCCCCOP(O)([O-])=O JDSVWTAJRNTSSL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- REFMEZARFCPESH-UHFFFAOYSA-M sodium;heptane-1-sulfonate Chemical compound [Na+].CCCCCCCS([O-])(=O)=O REFMEZARFCPESH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- QDZFJQPFGZWVHR-UHFFFAOYSA-M sodium;hexyl hydrogen phosphate Chemical compound [Na+].CCCCCCOP(O)([O-])=O QDZFJQPFGZWVHR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- DZNVQXUZTZXYPW-UHFFFAOYSA-M sodium;nonyl hydrogen phosphate Chemical compound [Na+].CCCCCCCCCOP(O)([O-])=O DZNVQXUZTZXYPW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- KOJSOGZMZDBNPG-UHFFFAOYSA-M sodium;octyl hydrogen phosphate Chemical compound [Na+].CCCCCCCCOP(O)([O-])=O KOJSOGZMZDBNPG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- NPAWNPCNZAPTKA-UHFFFAOYSA-M sodium;propane-1-sulfonate Chemical compound [Na+].CCCS([O-])(=O)=O NPAWNPCNZAPTKA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- DOSBBBHSAFMUKV-UHFFFAOYSA-M sodium;tetradecyl hydrogen phosphate Chemical compound [Na+].CCCCCCCCCCCCCCOP(O)([O-])=O DOSBBBHSAFMUKV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ZGMLVUQCSRECAE-UHFFFAOYSA-M sodium;undecyl hydrogen phosphate Chemical compound [Na+].CCCCCCCCCCCOP(O)([O-])=O ZGMLVUQCSRECAE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000001694 spray drying Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 125000004079 stearyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000005486 sulfidation Methods 0.000 description 1
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- WYKYCHHWIJXDAO-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 2-ethylhexaneperoxoate Chemical compound CCCCC(CC)C(=O)OOC(C)(C)C WYKYCHHWIJXDAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WMXCDAVJEZZYLT-UHFFFAOYSA-N tert-butylthiol Chemical compound CC(C)(C)S WMXCDAVJEZZYLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GEKDEMKPCKTKEC-UHFFFAOYSA-N tetradecane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCS GEKDEMKPCKTKEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRIXEEBVZRZHOS-UHFFFAOYSA-N tetradecyl dihydrogen phosphate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCOP(O)(O)=O KRIXEEBVZRZHOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ALKGSOOKRJKXMF-UHFFFAOYSA-N tetradecyl dihydrogen phosphite Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCOP(O)O ALKGSOOKRJKXMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 description 1
- 150000003585 thioureas Chemical class 0.000 description 1
- YONPGGFAJWQGJC-UHFFFAOYSA-K titanium(iii) chloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)Cl YONPGGFAJWQGJC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IPBROXKVGHZHJV-UHFFFAOYSA-N tridecane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCCCCCCS IPBROXKVGHZHJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GAJQCIFYLSXSEZ-UHFFFAOYSA-N tridecyl dihydrogen phosphate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCOP(O)(O)=O GAJQCIFYLSXSEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BWPNIANVWARHPR-UHFFFAOYSA-N tridecyl dihydrogen phosphite Chemical compound CCCCCCCCCCCCCOP(O)O BWPNIANVWARHPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SAWDTKLQESXBDN-UHFFFAOYSA-N triethoxy(heptyl)silane Chemical compound CCCCCCC[Si](OCC)(OCC)OCC SAWDTKLQESXBDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUMSTCDLAYQDNO-UHFFFAOYSA-N triethoxy(hexyl)silane Chemical compound CCCCCC[Si](OCC)(OCC)OCC WUMSTCDLAYQDNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FZXOVEZAKDRQJC-UHFFFAOYSA-N triethoxy(nonyl)silane Chemical compound CCCCCCCCC[Si](OCC)(OCC)OCC FZXOVEZAKDRQJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZJLGWINGXOQWDC-UHFFFAOYSA-N triethoxy(pentadecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCC[Si](OCC)(OCC)OCC ZJLGWINGXOQWDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVKDNKCAGJVMMY-UHFFFAOYSA-N triethoxy(tetradecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCC[Si](OCC)(OCC)OCC SVKDNKCAGJVMMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMAMKGXMSYGEGR-UHFFFAOYSA-N triethoxy(tridecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCC[Si](OCC)(OCC)OCC IMAMKGXMSYGEGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BBWMWJONYVGXGQ-UHFFFAOYSA-N triethoxy(undecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCC[Si](OCC)(OCC)OCC BBWMWJONYVGXGQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 description 1
- 125000005591 trimellitate group Chemical group 0.000 description 1
- JRSJRHKJPOJTMS-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(2-phenylethenyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=CC1=CC=CC=C1 JRSJRHKJPOJTMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JEPXSTGVAHHRBD-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(nonyl)silane Chemical compound CCCCCCCCC[Si](OC)(OC)OC JEPXSTGVAHHRBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NMEPHPOFYLLFTK-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(octyl)silane Chemical compound CCCCCCCC[Si](OC)(OC)OC NMEPHPOFYLLFTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCXXOYOABWDYBF-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(pentadecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCC[Si](OC)(OC)OC LCXXOYOABWDYBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(phenyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXNJHBYHBDPTQF-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(tetradecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCC[Si](OC)(OC)OC AXNJHBYHBDPTQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSYYSIXGDAAPNN-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(tridecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCC[Si](OC)(OC)OC QSYYSIXGDAAPNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LIJFLHYUSJKHKV-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(undecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCC[Si](OC)(OC)OC LIJFLHYUSJKHKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RRHXZLALVWBDKH-UHFFFAOYSA-M trimethyl-[2-(2-methylprop-2-enoyloxy)ethyl]azanium;chloride Chemical compound [Cl-].CC(=C)C(=O)OCC[N+](C)(C)C RRHXZLALVWBDKH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- LINXHFKHZLOLEI-UHFFFAOYSA-N trimethyl-[phenyl-bis(trimethylsilyloxy)silyl]oxysilane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](O[Si](C)(C)C)(O[Si](C)(C)C)C1=CC=CC=C1 LINXHFKHZLOLEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IVZTVZJLMIHPEY-UHFFFAOYSA-N triphenyl(triphenylsilyloxy)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)O[Si](C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 IVZTVZJLMIHPEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CCIDWXHLGNEQSL-UHFFFAOYSA-N undecane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCCCCS CCIDWXHLGNEQSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VAIOGRPEROWKJX-UHFFFAOYSA-N undecyl dihydrogen phosphate Chemical compound CCCCCCCCCCCOP(O)(O)=O VAIOGRPEROWKJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MVLKOUSZNPHMIY-UHFFFAOYSA-N undecyl dihydrogen phosphite Chemical compound CCCCCCCCCCCOP(O)O MVLKOUSZNPHMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930195735 unsaturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 229920006163 vinyl copolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Abstract
本發明提供一種含金屬之粒子,其能夠以相對低溫使含金屬之粒子之金屬部之突起之前端熔融,於熔融後固化而接合於其他粒子或其他構件,可提高連接可靠性。 本發明之含金屬之粒子包含基材粒子、及配置於上述基材粒子之表面上之金屬部,上述金屬部於外表面具有複數個突起,且上述金屬部之上述突起之前端能夠以400℃以下熔融。
Description
本發明係關於一種具備基材粒子與配置於該基材粒子之表面上之金屬部、且該金屬部於外表面具有突起之含金屬之粒子。又,本發明係關於一種使用上述含金屬之粒子之連接材料、連接結構體及連接結構體之製造方法。
於電子零件等中,為了形成連接2個連接對象構件之連接部,而存在使用含有金屬粒子之連接材料之情況。 已知若金屬粒子之粒徑小至100 nm以下之尺寸,構成原子數變少,則粒子之相對於體積之表面積比急遽增大,與塊體狀態相比熔點或燒結溫度大幅降低。已知有如下方法:利用該低溫燒結機能,使用粒徑為100 nm以下之金屬粒子作為連接材料,利用加熱使金屬粒子彼此燒結,藉此進行連接。於該連接方法中,連接後之金屬粒子變化為塊體金屬,同時於連接界面可獲得利用金屬結合之連接,因此耐熱性、連接可靠性及散熱性變得非常高。 用以進行此種連接之連接材料例如揭示於下述之專利文獻1。 專利文獻1所記載之連接材料包含奈米尺寸之複合銀粒子、奈米尺寸之銀粒子、及樹脂。上述複合銀粒子係於作為銀原子之集合體之銀核之周圍形成有有機被覆層的粒子。上述有機被覆層係藉由碳數10或12之醇分子殘基、醇分子衍生物(此處所謂醇分子衍生物係限定於羧酸及/或醛)及/或醇分子之一種以上之醇成分所形成。 又,下述之專利文獻2中揭示有包含奈米尺寸之含金屬之粒子與導電性粒子之連接材料。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利第5256281號公報 [專利文獻2]日本專利特開2013-55046號公報
[發明所欲解決之問題] 奈米尺寸之銀粒子等金屬粒子藉由連接時之加熱處理而熔融接合,形成塊體。若形成塊體,則熔點變高,故而存在加熱溫度變高之問題。又,於所形成之塊體中,奈米尺寸之粒子間產生間隙。結果連接可靠性變低。 又,於專利文獻1中,由於上述複合銀粒子於表面具有醇成分,故而該醇成分導致連接部分容易產生孔隙。結果連接可靠性變低。 本發明之目的在於提供一種能夠以相對低溫使含金屬之粒子之金屬部之突起的前端熔融,於熔融後固化而接合於其他粒子或其他構件,可提高連接可靠性之含金屬之粒子。又,本發明之目的亦在於提供一種使用上述含金屬之粒子之連接材料、連接結構體及連接結構體之製造方法。 [解決問題之技術手段] 根據本發明之較廣態樣,而提供一種含金屬之粒子,其具備基材粒子、及配置於上述基材粒子之表面上之金屬部,上述金屬部於外表面具有複數個突起,上述金屬部之上述突起之前端能夠以400℃以下熔融。 於本發明之含金屬之粒子之某個特定之態樣中,上述金屬部於外表面具有複數個凸部,上述金屬部於上述凸部之外表面具有上述突起。 於本發明之含金屬之粒子之某個特定之態樣中,上述凸部之平均高度相對於上述突起之平均高度之比為5以上且1000以下。 於本發明之含金屬之粒子之某個特定之態樣中,上述凸部之基部之平均徑為3 nm以上且5000 nm以下。 於本發明之含金屬之粒子之某個特定之態樣中,上述金屬部之外表面之總表面積100%中,存在上述凸部之部分之表面積為10%以上。 於本發明之含金屬之粒子之某個特定之態樣中,上述凸部之形狀為針狀或球體之一部分之形狀。 於本發明之含金屬之粒子之某個特定之態樣中,上述突起之頂角之平均值為10°以上且60°以下。 於本發明之含金屬之粒子之某個特定之態樣中,上述突起之平均高度為3 nm以上且5000 nm以下。 於本發明之含金屬之粒子之某個特定之態樣中,上述突起之基部之平均徑為3 nm以上且1000 nm以下。 於本發明之含金屬之粒子之某個特定之態樣中,上述突起之平均高度相對於上述突起之基部之平均徑的比為0.5以上且10以下。 於本發明之含金屬之粒子之某個特定之態樣中,上述突起之形狀為針狀或球體之一部分之形狀。 於本發明之含金屬之粒子之某個特定之態樣中,上述突起之材料含有銀、銅、金、鈀、錫、銦或鋅。 於本發明之含金屬之粒子之某個特定之態樣中,上述金屬部之材料並非焊料。 於本發明之含金屬之粒子之某個特定之態樣中,上述金屬部之材料含有銀、銅、金、鈀、錫、銦、鋅、鎳、鈷、鐵、鎢、鉬、釕、鉑、銠、銥、磷或硼。 於本發明之含金屬之粒子之某個特定之態樣中,上述金屬部之上述突起之前端較佳為能夠以350℃以下熔融,更佳為能夠以300℃以下熔融,進而較佳為能夠以250℃以下熔融,尤佳為能夠以200℃以下熔融。 於本發明之含金屬之粒子之某個特定之態樣中,壓縮10%時之壓縮彈性模數為100 N/mm2
以上且25000 N/mm2
以下。 於本發明之含金屬之粒子之某個特定之態樣中,上述基材粒子為聚矽氧粒子。 根據本發明之較廣態樣,而提供一種連接材料,其包含上述之含金屬之粒子、及樹脂。 根據本發明之較廣態樣,而提供一種連接結構體,其具備第1連接對象構件、第2連接對象構件、及將上述第1連接對象構件與上述第2連接對象構件連接之連接部,且上述連接部之材料為上述之含金屬之粒子,或為包含上述含金屬之粒子與樹脂之連接材料。 根據本發明之較廣態樣,而提供一種連接結構體之製造方法,其包括:於第1連接對象構件與第2連接對象構件之間配置上述之含金屬之粒子,或配置包含上述含金屬之粒子與樹脂之連接材料之步驟;及對上述含金屬之粒子進行加熱,使上述金屬部之上述突起之前端熔融,於熔融後固化,而藉由上述含金屬之粒子或上述連接材料形成將上述第1連接對象構件與上述第2連接對象構件連接之連接部之步驟。 [發明之效果] 由於本發明之含金屬之粒子具備基材粒子與配置於該基材粒子之表面上之金屬部,且上述金屬部於外表面具有複數個突起,上述金屬部之上述突起之前端能夠以400℃以下熔融,因此能夠以相對低溫使含金屬之粒子之金屬部之突起的前端熔融,於熔融後固化而接合於其他粒子或其他構件,可提高連接可靠性。
以下,對本發明之詳細內容進行說明。 (含金屬之粒子) 本發明之含金屬之粒子具備基材粒子、及金屬部。上述金屬部係配置於上述基材粒子之表面上。於本發明之含金屬之粒子中,上述金屬部於外表面具有複數個突起。於本發明之含金屬之粒子中,上述金屬部之上述突起之前端能夠以400℃以下熔融。 於本發明中,由於具備上述構成,故而能夠以相對低溫使金屬部之突起之前端熔融。因此,能夠以相對低溫使上述含金屬之粒子中之上述金屬部突起之前端熔融,於熔融後固化而接合於其他粒子或其他構件。又,可使複數個含金屬之粒子熔融接合。又,可將含金屬之粒子熔融接合於連接對象構件。又,進而可將含金屬之粒子熔融接合於電極。 已知若金屬粒子之粒徑小至100 nm以下之尺寸,構成原子數變少,則粒子之相對於體積之表面積比急遽增大,與塊體狀態相比熔點或燒結溫度大幅降低。本發明者等人發現,藉由減小上述金屬部之突起之前端徑,而與使用奈米尺寸之金屬粒子之情形同樣地,可降低上述金屬部之上述突起之前端之熔融溫度。 為了降低上述金屬部之上述突起之前端之熔融溫度,亦可將上述突起部之形狀設為前端變細之針狀。為了降低上述金屬部之上述突起之前端之熔融溫度,亦可於上述金屬部之外表面形成複數個較小之突起。為了降低上述金屬部之上述突起之前端之熔融溫度,於本發明之含金屬之粒子中,較佳為上述金屬部於外表面具有複數個凸部(第1突起),且上述金屬部於上述凸部之外表面具有上述突起(第2突起)。較佳為上述凸部大於上述突起。藉由不同於上述突起而另行存在大於上述突起之上述凸部,連接可靠性進一步提高。可將凸部與突起一體化,可將突起附著於凸部上。上述突起亦可包含粒子。於本說明書中,與上述突起區別而將於外表面上形成有該突起之突起部分稱為凸部。上述凸部之前端亦可無法以400℃以下熔融。 如上所述,藉由減小突起之前端徑,可降低熔融溫度。又,為了降低熔融溫度,可對金屬部之材料加以選擇。為了使上述金屬部之突起之前端之熔融溫度成為400℃以下,較佳為對突起之形狀與金屬部之材料加以選擇。 上述金屬部之突起之前端之熔融溫度係以如下方式進行評價。 上述金屬部之突起之前端之熔融溫度可使用示差掃描熱量計(Yamato Scientific公司製造之「DSC-6300」)進行測定。上述測定係使用含金屬之粒子15 g,於升溫範圍30℃至500℃、升溫速度5℃/min.、氮氣吹拂量5 ml/min.之測定條件下進行。 繼而,確認上述金屬部之突起之前端以上述之測定所獲得之熔融溫度熔融。將含金屬之粒子1 g放入至容器中,並放入至電爐中。於電爐中設定與上述測定所獲得之熔融溫度相同之溫度,於氮氣環境下加熱10分鐘。其後,將經加熱之含金屬之粒子自電爐取出,使用掃描式電子顯微鏡確認突起之前端之熔融狀態(或熔融後之固化狀態)。 就有效地降低突起之前端之熔融溫度,有效地提高連接可靠性之觀點而言,上述突起之形狀較佳為前端變細之針狀。於該含金屬之粒子中,上述金屬部之外表面之上述突起之形狀與先前之形狀不同,而發揮出藉由突起之形狀為前端變細之針狀所獲得之新效果。 本發明之含金屬之粒子由於能夠以相對低溫使上述金屬部之上述突起之前端熔融接合,故而可用於2個連接對象構件之連接。藉由在2個連接對象構件間,於含金屬之粒子之上述金屬部之突起之前端熔融接合,可形成發揮出牢固之連接之連接部,而可提高連接可靠性。 又,本發明之含金屬之粒子亦可用於導電連接。進而,本發明之含金屬性粒子亦可用作間隙控制材(間隔件)。 複數個上述突起之頂角之平均值(a)較佳為10°以上,更佳為20°以上,且較佳為60°以下,更佳為45°以下。若上述頂角之平均值(a)為上述下限以上,則突起變得不易過度彎折。若上述頂角之平均值(a)為上述上限以下,則熔融溫度進一步降低。再者,存在彎折之突起於導電連接時使電極間之連接電阻上升之情況。 上述突起之上述頂角之平均值(a)可藉由將1個含金屬之粒子所含之突起之各頂角進行平均而求出。 複數個上述突起之平均高度(b)較佳為3 nm以上,更佳為5 nm以上,進而較佳為50 nm以上,且較佳為5000 nm以下,更佳為1000 nm以下,進而較佳為800 nm以下。若上述突起之平均高度(b)為上述下限以上,則熔融溫度進一步降低。若上述突起之平均高度(b)為上述上限以下,則突起變得不易過度彎折。 上述突起之平均高度(b)係1個含金屬之粒子所含之突起之高度的平均值。於金屬部不具有上述凸部、且具有上述突起之情形時,上述突起之高度表示連結含金屬之粒子之中心與突起之前端之線(圖1所示之虛線L1)上自假定無突起之情形時之金屬部之假想線(圖1所示之虛線L2)上(假定無突起之情形時球狀之含金屬之粒子之外表面上)起至突起之前端為止之距離。即,於圖1中,表示自虛線L1與虛線L2之交點起至突起之前端為止之距離。再者,於上述金屬部具有上述凸部、且具有上述突起之情形,即於上述金屬部於上述凸部上具有上述突起之情形時,上述突起之高度表示自假定無突起之情形時之金屬部(凸部)之假想線起至突起之前端為止之距離。突起亦可為複數個粒狀物之集合體。例如,突起可由構成突起之複數個粒子相連而形成。於該情形時,突起之高度係將複數個粒狀物之集合體或相連之粒子視為整體時之突起之高度。於圖3中,突起1Ba、3Ba之高度亦表示自假定無突起之情形時之金屬部之假想線上起至突起之前端為止之距離。 複數個上述突起之基部之平均徑(c)較佳為3 nm以上,更佳為5 nm以上,進而較佳為50 nm以上,且較佳為1000 nm以下,更佳為800 nm以下。若上述平均徑(c)為上述下限以上,則突起變得不易過度彎折。若上述平均徑(c)為上述上限以下,則連接可靠性進一步提高。 上述突起之基部之平均徑(c)係1個含金屬之粒子所含之突起之基部之徑之平均值。基部之徑係突起之各基部之最大徑。於上述金屬部具有上述凸部、且具有上述突起之情形,即於上述金屬部於上述凸部上具有上述突起之情形時,連結含金屬之粒子之中心與突起之前端之線上的假定無突起之情形時之金屬部之假想線部分之端部為上述突起之基部,上述假想線部分之端部間距離(以直線連結端部之距離)為基部之徑。 複數個上述突起之平均高度(b)相對於複數個上述突起之基部之平均徑(c)之比(平均高度(b)/平均徑(c))較佳為0.5以上,更佳為1.5以上,且較佳為10以下,更佳為5以下。若上述比(平均高度(b)/平均徑(c))為上述下限以上,則連接可靠性進一步提高。若上述比(平均高度(b)/平均徑(c))為上述上限以下,則突起變得不易過度彎折。 複數個上述突起之高度之中央位置之平均徑(d)相對於複數個上述突起之基部之平均徑(c)之比(平均徑(d)/平均徑(c))較佳為1/5以上,更佳為1/4以上,進而較佳為1/3以上,且較佳為4/5以下,更佳為3/4以下,進而較佳為2/3以下。若上述比(平均徑(d)/平均徑(c))為上述下限以上,則突起變得不易過度彎折。若上述比(平均徑(d)/平均徑(c))為上述上限以下,則連接可靠性進一步提高。 上述突起之高度之中央位置之平均徑(d)係1個含金屬之粒子所含之突起之高度之中央位置的徑之平均值。突起之高度之中央位置之徑係突起之高度之各中央位置之最大徑。 就抑制突起之過度彎折,進一步提高利用突起之熔融接合性,有效地提高連接可靠性之觀點而言,複數個上述突起之形狀較佳為針狀或球體之一部分之形狀。針狀之形狀較佳為角錐狀、圓錐狀或旋轉抛物面狀,更佳為圓錐狀或旋轉抛物面狀,進而較佳為圓錐狀。上述突起之形狀可為角錐狀,亦可為圓錐狀,亦可為旋轉抛物面狀。於本發明中,旋轉抛物面狀亦包含於前端變細之針狀中。於旋轉抛物面狀之突起中,自基部至前端逐漸變細。 每個上述含金屬之粒子之上述金屬部的外表面之突起較佳為3個以上,更佳為5個以上。上述突起個數之上限並無特別限定。突起個數之上限可考慮含金屬之粒子之粒徑等而適當選擇。再者,上述含金屬之粒子所含之突起亦可不為前端變細之針狀,進而上述含金屬之粒子所含之突起無需全部為前端變細之針狀。 每個上述含金屬之粒子所含之突起個數中前端變細之針狀之突起個數所占之比率較佳為30%以上,更佳為50%以上,進而較佳為60%以上,尤佳為70%以上,最佳為80%以上。針狀之突起個數之比率越多,越可更有效地獲得利用針狀之突起之效果。 金屬部之外表面之表面積整體100%中具有突起之部分之表面積之比率(x)較佳為10%以上,更佳為20%以上,進而較佳為30%以上,且較佳為90%以下,更佳為80%以下,進而較佳為70%以下。具有突起之部分之表面積之比率越多,越可更有效地獲得利用突起之效果。 就有效地提高連接可靠性之觀點而言,金屬部之外表面之表面積整體100%中具有針狀突起之部分之表面積之比率較佳為10%以上,更佳為20%以上,進而較佳為30%以上,且較佳為90%以下,更佳為80%以下,進而較佳為70%以下。具有針狀突起之部分之表面積之比率越多,越可更有效地獲得利用突起之效果。 複數個上述凸部之頂角之平均值(A)較佳為10°以上,更佳為20°以上,且較佳為60°以下,更佳為45°以下。若上述頂角之平均值(A)為上述下限以上,則凸部變得不易過度彎折。若上述頂角之平均值(A)為上述上限以下,則熔融溫度進一步降低。再者,存在彎折之凸部於導電連接時使電極間之連接電阻上升之情況。 上述凸部之上述頂角之平均值(A)可藉由將1個含金屬之粒子所含之凸部之各頂角進行平均而求出。 複數個上述凸部之平均高度(B)較佳為5 nm以上,更佳為50 nm以上,且較佳為5000 nm以下,更佳為1000 nm以下,進而較佳為800 nm以下。若上述凸部之平均高度(B)為上述下限以上,則熔融溫度進一步降低。若上述凸部之平均高度(B)為上述上限以下,則凸部變得不易過度彎折。 上述凸部之平均高度(B)係1個含金屬之粒子所含之凸部高度之平均值。上述凸部之高度表示連結含金屬之粒子之中心與凸部之前端之線(圖8所示之虛線L1)上自假定無凸部之情形時之金屬部之假想線(圖8所示之虛線L2)上(假定無凸部之情形時球狀之含金屬之粒子之外表面上)起至凸部之前端為止之距離。即,於圖8中,表示自虛線L1與虛線L2之交點起至凸部之前端為止之距離。 複數個上述凸部之基部之平均徑(C)較佳為3 nm以上,更佳為5 nm以上,進而較佳為50 nm以上,且較佳為5000 nm以下,更佳為1000 nm以下,進而較佳為800 nm以下。若上述平均徑(C)為上述下限以上,則凸部變得不易過度彎折。若上述平均徑(C)為上述上限以下,則連接可靠性進一步提高。 上述凸部之基部之平均徑(C)係1個含金屬之粒子所含之凸部之基部徑之平均值。基部之徑係凸部中之各基部之最大徑。連結含金屬之粒子之中心與凸部之前端之線(圖8所示之虛線L1)上的假定無凸部之情形時之金屬部之假想線部分(圖8所示之虛線L2)之端部為上述凸部之基部,上述假想線部分之端部間距離(以直線連結端部之距離)為基部之徑。 複數個上述凸部之高度之中央位置之平均徑(D)相對於複數個上述凸部之基部之平均徑(C)之比(平均徑(D)/平均徑(C))較佳為1/5以上,更佳為1/4以上,進而較佳為1/3以上,且較佳為4/5以下,更佳為3/4以下,進而較佳為2/3以下。若上述比(平均徑(D)/平均徑(C))為上述下限以上,則凸部變得不易過度彎折。若上述比(平均徑(D)/平均徑(C))為上述上限以下,則連接可靠性進一步提高。 上述凸部之高度之中央位置之平均徑(D)係1個含金屬之粒子所含之凸部之高度的中央位置之徑之平均值。凸部之高度之中央位置之徑係凸部之高度之各中央位置之最大徑。 就抑制凸部之過度彎折,進一步提高利用凸部之熔融接合性,有效地提高連接可靠性之觀點而言,複數個上述凸部之形狀較佳為針狀或球體之一部分之形狀。針狀之形狀較佳為角錐狀、圓錐狀或旋轉抛物面狀,更佳為圓錐狀或旋轉抛物面狀,進而較佳為圓錐狀。上述凸部之形狀可為角錐狀,亦可為圓錐狀,亦可為旋轉抛物面狀。於本發明中,旋轉抛物面狀亦包含於前端變細之針狀中。於旋轉抛物面狀之凸部中,自基部至前端逐漸變細。 每個上述含金屬之粒子之上述金屬部之外表面之凸部較佳為3個以上,更佳為5個以上。上述凸部個數之上限並無特別限定。凸部個數之上限可考慮含金屬之粒子之粒徑等而適當選擇。再者,上述含金屬之粒子所含之凸部亦可不為前端變細之針狀,上述含金屬之粒子所含之凸部無需全部為前端變細之針狀。 每個上述含金屬之粒子所含之凸部個數中前端變細之針狀之凸部個數所占之比率較佳為30%以上,更佳為50%以上,進而較佳為60%以上,尤佳為70%以上,最佳為80%以上。針狀之凸部個數之比率越多,越可更有效地獲得利用針狀之凸部之效果。 金屬部之外表面之表面積整體100%中具有凸部之部分之表面積之比率(X)較佳為10%以上,更佳為20%以上,進而較佳為30%以上,且較佳為90%以下,更佳為80%以下,進而較佳為70%以下。具有凸部之部分之表面積之比率越多,越可更有效地獲得利用凸部上之突起之效果。 就有效地提高連接可靠性之觀點而言,金屬部之外表面之表面積整體100%中具有針狀凸部之部分之表面積之比率較佳為10%以上,更佳為20%以上,進而較佳為30%以上,且較佳為90%以下,更佳為80%以下,進而較佳為70%以下。具有針狀凸部之部分之表面積之比率越多,越可更有效地獲得利用凸部上之突起之效果。 複數個上述凸部之平均高度(B)相對於複數個上述突起之平均高度(b)之比(平均高度(B)/平均高度(b))較佳為5以上,更佳為10以上,且較佳為1000以下,更佳為800以下。若上述比(平均高度(B)/平均高度(b))為上述下限以上,則連接可靠性進一步提高。若上述比(平均高度(B)/平均高度(b))為上述上限以下,則凸部變得不易過度彎折。 較佳為具有複數個上述突起之上述金屬部係藉由金屬或合金之結晶配向所形成。再者,於下述之實施例中,金屬部係藉由金屬或合金之結晶配向所形成。 就有效地提高連接可靠性之觀點而言,將上述含金屬之粒子壓縮10%時之壓縮彈性模數(10%K值)較佳為100 N/mm2
以上,更佳為1000 N/mm2
以上,且較佳為25000 N/mm2
以下,更佳為10000 N/mm2
以下,更佳為8000 N/mm2
以下。 上述含金屬之粒子之上述壓縮彈性模數(10%K值)可以如下方式進行測定。 使用微小壓縮試驗機,於25℃、壓縮速度0.3 mN/秒、及最大試驗荷重20 mN之條件下,以圓柱(直徑100 μm,鑽石製)之平滑壓頭端面壓縮含金屬之粒子。測定此時之荷重值(N)及壓縮位移(mm)。根據所獲得之測定值,藉由下述式可求出上述壓縮彈性模數。作為上述微小壓縮試驗機,例如可使用Fischer公司製造之「Fischerscope H-100」等。 10%K值(N/mm2
)=(3/21/2
)・F・S-3/2
・R-1/2
F:含金屬之粒子壓縮10%而變形時之荷重值(N) S:含金屬之粒子壓縮10%而變形時之壓縮位移(mm) R:含金屬之粒子之半徑(mm) 較佳為上述突起之X射線繞射中之(111)面之比率為50%以上。 以下,一邊參照圖式,一邊對本發明之具體之實施形態進行說明。 圖1係模式性地表示本發明之第1實施形態之含金屬之粒子的剖視圖。 如圖1所示,含金屬之粒子1具備基材粒子2與金屬部3。 金屬部3係配置於基材粒子2之表面上。含金屬之粒子1係基材粒子2之表面被金屬部3所被覆之被覆粒子。金屬部3係連續皮膜。 含金屬之粒子1於金屬部3之外表面具有複數個突起1a。金屬部3於外表面具有複數個突起3a。複數個突起1a、3a之形狀係前端變細之針狀,於本實施形態中為圓錐狀。於本實施形態中,突起1a、3a之前端能夠以400℃以下熔融。金屬部3具有第1部分、與厚度厚於該第1部分之第2部分。除複數個突起1a、3a以外之部分為金屬部3之上述第1部分。複數個突起1a、3a為金屬部3之厚度較厚之上述第2部分。 圖2係模式性地表示本發明之第2之實施形態之含金屬之粒子的剖視圖。 如圖2所示,含金屬之粒子1A具備基材粒子2與金屬部3A。 金屬部3A係配置於基材粒子2之表面上。含金屬之粒子1A於金屬部3A之外表面具有複數個突起1Aa。金屬部3A於外表面具有複數個突起3Aa。複數個突起1Aa、3Aa之形狀為前端變細之針狀,於本實施形態中為旋轉抛物面狀。於本實施形態中,突起1Aa、3Aa之前端能夠以400℃以下熔融。 如含金屬之粒子1、1A般,上述金屬部中之複數個突起之形狀較佳為前端變細之針狀,可為圓錐狀,亦可為旋轉抛物面狀。 圖3係模式性地表示本發明之第3之實施形態之含金屬之粒子的剖視圖。 如圖3所示,含金屬之粒子1B具備基材粒子2與金屬部3B。 金屬部3B係配置於基材粒子2之表面上。含金屬之粒子1B於金屬部3B之外表面具有複數個突起1Ba。金屬部3B於外表面具有複數個突起3Ba。複數個突起1Ba、3Ba之形狀為球體之一部分之形狀。金屬部3B於外表面上具有以露出一部分之方式嵌埋之金屬粒子3BX。金屬粒子3BX之露出之部分構成突起1Ba、3Ba。於本實施形態中,突起1Ba、3Ba之前端能夠以400℃以下熔融。 如含金屬之粒子1B般,藉由減小突起,突起之形狀亦可不為前端變細之針狀,例如亦可為球體之一部分之形狀。 圖4係模式性地表示本發明之第4之實施形態之含金屬之粒子的剖視圖。 如圖4所示,含金屬之粒子1C具備基材粒子2與金屬部3C。 含金屬之粒子1與含金屬之粒子1C僅金屬部有所不同。即,於含金屬之粒子1中,形成有1層結構之金屬部3,與此相對,於含金屬之粒子1C中,形成有2層結構之金屬部3C。 金屬部3C具有第1金屬部3CA及第2金屬部3CB。第1、第2金屬部3CA、3CB係配置於基材粒子2之表面上。於基材粒子2與第2金屬部3CB之間配置有第1金屬部3CA。因此,於基材粒子2之表面上配置有第1金屬部3CA,於第1金屬部3CA之外表面上配置有第2金屬部3CB。第1金屬部3CA之外形為球狀。含金屬之粒子1C於金屬部3C之外表面具有複數個突起1Ca。金屬部3C於外表面具有複數個突起3Ca。第2金屬部3CB於外表面具有複數個突起。複數個突起1Ca、3Ca之形狀為前端變細之針狀,於本實施形態中為圓錐狀。於本實施形態中,突起1Ca、3Ca之前端能夠以400℃以下熔融。內側之第1金屬部亦可於外表面具有複數個突起。 圖5係模式性地表示本發明之第5之實施形態之含金屬之粒子的剖視圖。 如圖5所示,含金屬之粒子1D具備基材粒子2與金屬部3D。 金屬部3D係配置於基材粒子2之表面上。含金屬之粒子1D於金屬部3D之外表面具有複數個突起1Da。含金屬之粒子1D於金屬部3D之外表面具有複數個凸部(第1突起)3Da。金屬部3D於外表面具有複數個凸部(第1突起)3Da。金屬部3D於凸部(第1突起)3Da之外表面具有小於凸部(第1突起)3Da之突起3Db(第2突起)。凸部(第1突起)3Da與突起3Db(第2突起)係一體化而相連。於本實施形態中,突起3Db(第2突起)之前端徑較小,突起3Db(第2突起)之前端能夠以400℃以下熔融。 圖6係模式性地表示本發明之第6之實施形態之含金屬之粒子的剖視圖。 如圖6所示,含金屬之粒子1E具備基材粒子2、金屬部3E及芯物質4E。 金屬部3E係配置於基材粒子2之表面上。含金屬之粒子1E於金屬部3E之外表面具有複數個突起1Ea。含金屬之粒子1E於金屬部3E之外表面具有複數個凸部(第1突起)3Ea。金屬部3E於外表面具有複數個凸部(第1突起)3Ea。金屬部3E於凸部(第1突起)3Ea之外表面具有小於凸部(第1突起)3Ea之突起3Eb(第2突起)。凸部(第1突起)3Ea與突起3Eb(第2突起)係一體化而相連。於本實施形態中,突起3Eb(第2突起)之前端徑較小,突起3Eb(第2突起)之前端能夠以400℃以下熔融。 複數個芯物質4E係配置於基材粒子2之外表面上。複數個芯物質4E係配置於金屬部3E之內側。複數個芯物質4E係被嵌埋於金屬部3E之內側。芯物質4E係配置於凸部3Ea之內側。金屬部3E被覆複數個芯物質4E。藉由複數個芯物質4E,金屬部3E之外表面鼓起,而形成凸部3Ea。 如含金屬原子之粒子1E般,含金屬之粒子亦可具備使金屬部之外表面鼓起之複數個芯物質。 圖7係模式性地表示本發明之第7之實施形態之含金屬之粒子的剖視圖。 如圖7所示,含金屬之粒子1F具備基材粒子2與金屬部3F。 金屬部3F係配置於基材粒子2之表面上。含金屬之粒子1F於金屬部3F之外表面具有複數個突起1Fa。金屬部3F於凸部(第1突起)3Fa之外表面具有小於凸部(第1突起)3Fa之突起3Fb(第2突起)。凸部(第1突起)3Fa與突起3Fb(第2突起)並未一體化。於本實施形態中,突起3Fb(第2突起)之前端徑較小,突起3Fb(第2突起)之前端能夠以400℃以下熔融。 圖8係模式性地表示本發明之第8之實施形態之含金屬之粒子的剖視圖。 如圖8所示,含金屬之粒子1G具備基材粒子2與金屬部3G。 金屬部3G具有第1金屬部3GA及第2金屬部3GB。第1、第2金屬部3GA、3GB係配置於基材粒子2之表面上。於基材粒子2與第2金屬部3GB之間配置有第1金屬部3GA。因此,於基材粒子2之表面上配置有第1金屬部3GA,於第1金屬部3GA之外表面上配置有第2金屬部3GB。 金屬部3G係配置於基材粒子2之表面上。含金屬之粒子1G於金屬部3G之外表面具有複數個突起1Ga。含金屬之粒子1G於金屬部3G之外表面具有複數個凸部(第1突起)3Ga。金屬部3G於凸部(第1突起)3Ga之外表面具有小於凸部(第1突起)3Ga之突起3Gb(第2突起)。於凸部(第1突起)3Ga與突起3Gb(第2突起)之間存在界面。於本實施形態中,突起3Gb(第2突起)之前端徑較小,突起3Gb(第2突起)之前端能夠以400℃以下熔融。 又,於圖11~14中示出實際所製造之含金屬之粒子之圖像。圖11~14所示之含金屬之粒子於金屬部之外表面具有複數個突起,複數個該突起之前端能夠以400℃以下熔融。於圖14所示之含金屬之粒子中,金屬部於外表面具有複數個凸部,於該凸部之外表面上具有小於上述凸部之突起。 又,於圖15~18中示出使所製造之含金屬之粒子之金屬部之突起熔融後加以固化而成之粒子之圖像。圖18係使圖14所示之含金屬之粒子之金屬部突起之前端熔融後加以固化而成之粒子。 以下,進一步詳細地說明含金屬之粒子。再者,於以下之說明中,「(甲基)丙烯酸」意指「丙烯酸」與「甲基丙烯酸」之一者或兩者,「(甲基)丙烯酸酯」意指「丙烯酸酯」與「甲基丙烯酸酯」之一者或兩者。 [基材粒子] 作為上述基材粒子,可列舉:樹脂粒子、除金屬粒子以外之無機粒子、有機無機混合粒子及金屬粒子等。上述基材粒子可具有核、與配置於該核之表面上之殼,可為核殼粒子。上述基材粒子較佳為除金屬粒子以外之基材粒子,更佳為樹脂粒子、除金屬粒子以外之無機粒子或有機無機混合粒子。 上述基材粒子進而較佳為樹脂粒子或有機無機混合粒子,可為樹脂粒子,亦可為有機無機混合粒子。藉由使用該等較佳之基材粒子,可獲得對於2個連接對象構件之連接用途而言適宜之含金屬之粒子。 若上述基材粒子為樹脂粒子或有機無機混合粒子,則上述含金屬之粒子容易變形,上述含金屬之粒子之柔軟性變高。因此,連接後衝擊吸收性變高。 作為用以形成上述樹脂粒子之樹脂,可適宜地使用各種有機物。作為用以形成上述樹脂粒子之樹脂,例如可列舉:聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚異丁烯、聚丁二烯等聚烯烴樹脂;聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸甲酯等丙烯酸系樹脂;聚對苯二甲酸烷二酯、聚碳酸酯、聚醯胺、苯酚甲醛樹脂、三聚氰胺甲醛樹脂、苯并胍胺甲醛樹脂、脲甲醛樹脂、酚樹脂、三聚氰胺樹脂、苯并胍胺樹脂、脲樹脂、環氧樹脂、不飽和聚酯樹脂、飽和聚酯樹脂、聚碸、聚苯醚、聚縮醛、聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚醚醚酮、聚醚碸、及使1種或2種以上具有乙烯性不飽和基之各種聚合性單體聚合而獲得之聚合物等。由於可設計及合成適於2個連接對象構件之連接用途之任意具有壓縮時之物性的樹脂粒子,且可容易地將基材粒子之硬度控制於適宜之範圍,因此用以形成上述樹脂粒子之樹脂較佳為使1種或2種以上具有複數個乙烯性不飽和基之聚合性單體聚合而成之聚合物。 於使具有乙烯性不飽和基之聚合性單體聚合而獲得上述樹脂粒子之情形時,作為上述具有乙烯性不飽和基之聚合性單體,可列舉非交聯性之單體及交聯性之單體。 作為上述非交聯性之單體,例如可列舉:苯乙烯、α-甲基苯乙烯等苯乙烯系單體;(甲基)丙烯酸、順丁烯二酸、順丁烯二酸酐等含羧基之單體;(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸鯨蠟酯、(甲基)丙烯酸硬脂酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸異𦯉酯等(甲基)丙烯酸烷基酯化合物;(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸甘油酯、聚氧乙烯(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸縮水甘油酯等含氧原子之(甲基)丙烯酸酯化合物;(甲基)丙烯腈等含有腈之單體;甲基乙烯醚、乙基乙烯醚、丙基乙烯醚等乙烯醚化合物;乙酸乙烯酯、丁酸乙烯酯、月桂酸乙烯酯、硬脂酸乙烯酯等酸乙烯酯化合物;乙烯、丙烯、異戊二烯、丁二烯等不飽和烴;(甲基)丙烯酸三氟甲酯、(甲基)丙烯酸五氟乙酯、氯乙烯、氟乙烯、氯苯乙烯等含有鹵素之單體等。 作為上述交聯性之單體,例如可列舉:四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、甘油三(甲基)丙烯酸酯、甘油二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)四亞甲基二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等多官能(甲基)丙烯酸酯化合物;(異)氰尿酸三烯丙酯、偏苯三酸三烯丙酯、二乙烯苯、鄰苯二甲酸二烯丙酯、二烯丙基丙烯醯胺、二烯丙醚、γ-(甲基)丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、三甲氧基矽烷基苯乙烯、乙烯基三甲氧基矽烷等含矽烷之單體等。 藉由利用公知之方法使上述具有乙烯性不飽和基之聚合性單體聚合,可獲得上述樹脂粒子。作為該方法,例如可列舉:於自由基聚合起始劑之存在下進行懸浮聚合之方法;以及使用非交聯之種粒子使單體與自由基聚合起始劑一併膨潤而聚合之方法等。 於上述基材粒子為除金屬粒子以外之無機粒子或有機無機混合粒子之情形時,作為用以形成上述基材粒子之無機物,可列舉:二氧化矽、氧化鋁、鈦酸鋇、氧化鋯及碳黑等。上述無機物較佳為不為金屬。作為上述由二氧化矽形成之粒子,並無特別限定,例如可列舉藉由將具有2個以上水解性之烷氧基矽烷基之矽化合物進行水解而形成交聯聚合物粒子後,視需要進行煅燒而獲得之粒子。作為上述有機無機混合粒子,例如可列舉由經交聯之烷氧基矽烷基聚合物與丙烯酸系樹脂所形成之有機無機混合粒子等。 上述有機無機混合粒子較佳為具有核、與配置於該核之表面上之殼的核殼型之有機無機混合粒子。上述核較佳為有機核。上述殼較佳為無機殼。就有效地提高連接可靠性之觀點而言,上述基材粒子較佳為具有有機核與配置於上述有機核之表面上之無機殼之有機無機混合粒子。 作為用以形成上述無機殼之材料,可列舉用以形成上述之基材粒子之無機物。用以形成上述無機殼之材料較佳為二氧化矽。上述無機殼較佳為藉由在上述核之表面上,利用溶膠凝膠法將金屬烷氧化物製成殼狀物後,將該殼狀物煅燒而形成。上述金屬烷氧化物較佳為矽烷烷氧化物。上述無機殼較佳為由矽烷烷氧化物所形成。 上述核之粒徑較佳為0.5 μm以上,更佳為1 μm以上,且較佳為500 μm以下,更佳為100 μm以下,進而較佳為50 μm以下,尤佳為20 μm以下,最佳為10 μm以下。若上述核之粒徑為上述下限以上及上述上限以下,則可適宜地用於2個連接對象構件之連接用途。例如,若上述核之粒徑為上述下限以上及上述上限以下,則於使用上述含金屬之粒子連接2個連接對象構件之情形時,含金屬之粒子與連接對象構件之接觸面積變得充分地大,且於形成金屬部時變得不易形成凝聚之含金屬之粒子。又,經由含金屬之粒子所連接之2個連接對象構件之間隔不會變得過大,且金屬部不易自基材粒子之表面剝離。 上述核之粒徑於上述核為真球狀之情形時意指直徑,於上述核為真球狀以外之形狀之情形時,意指最大徑。又,核之粒徑意指藉由任意粒徑測定裝置測定核而獲得之平均粒徑。例如,可利用使用雷射光散射、電阻值變化、拍攝後之圖像解析等原理之粒度分佈測定機。 上述殼之厚度較佳為100 nm以上,更佳為200 nm以上,且較佳為5 μm以下,更佳為3 μm以下。若上述殼之厚度為上述下限以上及上述上限以下,則可適宜地用於2個連接對象構件之連接用途。上述殼之厚度係每個基材粒子之平均厚度。藉由溶膠凝膠法之控制,可控制上述殼之厚度。 於上述基材粒子為金屬粒子之情形時,作為用以形成該金屬粒子之金屬,可列舉:銀、銅、鎳、矽、金及鈦等。但是,上述基材粒子較佳為不為金屬粒子。 上述基材粒子之粒徑較佳為0.1 μm以上,更佳為0.5 μm以上,進而較佳為1 μm以上,進而較佳為1.5 μm以上,尤佳為2 μm以上,且較佳為1000 μm以下,更佳為500 μm以下,進而較佳為400 μm以下,進而較佳為100 μm以下,進而較佳為50 μm以下,進而更佳為30 μm以下,尤佳為5 μm以下,最佳為3 μm以下。若上述基材粒子之粒徑為上述下限以上,則連接可靠性進一步提高。進而,於藉由無電解鍍覆於基材粒子之表面形成金屬部時不易凝聚,而不易形成凝聚之含金屬之粒子。若基材粒子之平均粒徑為上述上限以下,則容易將含金屬之粒子充分地壓縮,連接可靠性進一步提高。 上述基材粒子之粒徑於基材粒子為真球狀之情形時表示直徑,於基材粒子不為真球狀之情形時表示最大徑。 就進一步抑制於連接可靠性之熱循環試驗中連接部之龜裂或剝離之產生,進一步抑制應力負荷時之龜裂之產生的觀點而言,上述基材粒子較佳為含有聚矽氧樹脂之粒子(聚矽氧粒子)。上述基材粒子之材料較佳為含有聚矽氧樹脂。 上述聚矽氧粒子之材料較佳為具有自由基聚合性基之矽烷化合物與具有碳數5以上之疏水基之矽烷化合物,或具有自由基聚合性基且具有碳數5以上之疏水基之矽烷化合物,或兩末端具有自由基聚合性基之矽烷化合物。於使該等材料進行反應之情形時,形成矽氧烷鍵。於所獲得之聚矽氧粒子中,通常殘存自由基聚合性基及碳數5以上之疏水基。藉由使用此種材料,能夠容易地獲得具有0.1 μm以上且500 μm以下之1次粒徑之聚矽氧粒子,並且能夠提高聚矽氧粒子之耐化學品性,且降低透濕性。 於上述具有自由基聚合性基之矽烷化合物中,較佳為自由基聚合性基直接鍵結於矽原子上。上述具有自由基聚合性基之矽烷化合物可僅使用1種,亦可併用2種以上。 上述具有自由基聚合性基之矽烷化合物較佳為烷氧基矽烷化合物。作為上述具有自由基聚合性基之矽烷化合物,可列舉:乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、二甲氧基甲基乙烯基矽烷、二乙氧基甲基乙烯基矽烷、二乙烯基甲氧基乙烯基矽烷、二乙烯基乙氧基乙烯基矽烷、二乙烯基二甲氧基矽烷、二乙烯基二乙氧基矽烷、及1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷等。 於上述具有碳數5以上之疏水基之矽烷化合物中,較佳為碳數5以上之疏水基直接鍵結於矽原子上。上述具有碳數5以上之疏水基之矽烷化合物可僅使用1種,亦可併用2種以上。 上述具有碳數5以上之疏水基之矽烷化合物較佳為烷氧基矽烷化合物。作為上述具有碳數5以上之疏水基之矽烷化合物,可列舉:苯基三甲氧基矽烷、二甲氧基甲基苯基矽烷、二乙氧基甲基苯基矽烷、二甲基甲氧基苯基矽烷、二甲基乙氧基苯基矽烷、六苯基二矽氧烷、1,3,3,5-四甲基-1,1,5,5-四苯基三矽氧烷、1,1,3,5,5-五苯基-1,3,5-三甲基三矽氧烷、六苯基環三矽氧烷、苯基三(三甲基矽烷氧基)矽烷、及八苯基環四矽氧烷等。 於上述具有自由基聚合性基且具有碳數5以上之疏水基之矽烷化合物中,較佳為自由基聚合性基直接鍵結於矽原子上,且較佳為碳數5以上之疏水基直接鍵結於矽原子上。上述具有自由基聚合性基且具有碳數5以上之疏水基之矽烷化合物可僅使用1種,亦可併用2種以上。 作為上述具有自由基聚合性基且具有碳數5以上之疏水基之矽烷化合物,可列舉:苯基乙烯基二甲氧基矽烷、苯基乙烯基二乙氧基矽烷、苯基甲基乙烯基甲氧基矽烷、苯基甲基乙烯基乙氧基矽烷、二苯基乙烯基甲氧基矽烷、二苯基乙烯基乙氧基矽烷、苯基二乙烯基甲氧基矽烷、苯基二乙烯基乙氧基矽烷、及1,1,3,3-四苯基-1,3-二乙烯基二矽氧烷等。 於為了獲得聚矽氧粒子而使用上述具有自由基聚合性基之矽烷化合物、與上述具有碳數5以上之疏水基之矽烷化合物之情形時,上述具有自由基聚合性基之矽烷化合物、與上述具有碳數5以上之疏水基之矽烷化合物較佳為以重量比1:1~1:20使用,更佳為以1:5~1:15使用。 於用以獲得聚矽氧粒子之矽烷化合物之整體中,自由基聚合性基之個數與碳數5以上之疏水基之個數較佳為1:0.5~1:20,更佳為1:1~1:15。 就有效地提高耐化學品性,有效地降低透濕性,將10%K值控制於適宜之範圍之觀點而言,上述聚矽氧粒子較佳為具有於1個矽原子上鍵結有2個甲基之二甲基矽氧烷骨架,上述聚矽氧粒子之材料較佳為含有於1個矽原子上鍵結有2個甲基之矽烷化合物。 就有效地提高耐化學品性,有效地降低透濕性,將10%K值控制於適宜之範圍之觀點而言,上述聚矽氧粒子較佳為藉由自由基聚合起始劑使上述之矽烷化合物進行反應而使其形成矽氧烷鍵。一般而言,使用自由基聚合起始劑難以獲得具有0.1 μm以上且500 μm以下之1次粒徑之聚矽氧粒子,尤其難以獲得具有100 μm以下之1次粒徑之聚矽氧粒子。與此相對,即使於使用自由基聚合起始劑之情形時,藉由使用上述矽烷化合物,亦能夠獲得具有0.1 μm以上且500 μm以下之1次粒徑之聚矽氧粒子,且亦能夠獲得具有100 μm以下之1次粒徑之聚矽氧粒子。 為了獲得上述聚矽氧粒子,亦可不使用具有鍵結於矽原子上之氫原子之矽烷化合物。於該情形時,可不使用金屬觸媒,使用自由基聚合起始劑而使矽烷化合物聚合。結果能夠避免於聚矽氧粒子中含有金屬觸媒,能夠減少聚矽氧粒子中之金屬觸媒之含量,進而能夠有效地提高耐化學品性,有效地降低透濕性,將10%K值控制於適宜之範圍。 作為上述聚矽氧粒子之具體之製造方法,有藉由懸浮聚合法、分散聚合法、迷你乳化聚合法、或乳化聚合法等進行矽烷化合物之聚合反應而製作聚矽氧粒子之方法等。進行矽烷化合物之聚合而獲得低聚物後,亦可藉由懸浮聚合法、分散聚合法、迷你乳化聚合法、或乳化聚合法等進行作為聚合物(低聚物等)之矽烷化合物之聚合反應而製作聚矽氧粒子。例如,亦可使具有乙烯基之矽烷化合物聚合,而獲得末端具有鍵結於矽原子上之乙烯基之矽烷化合物。亦可使具有苯基之矽烷化合物聚合,從而作為聚合物(低聚物等)而獲得側鏈具有鍵結於矽原子上之苯基之矽烷化合物。亦可使具有乙烯基之矽烷化合物與具有苯基之矽烷化合物聚合,從而作為聚合物(低聚物等)而獲得末端具有鍵結於矽原子上之乙烯基且側鏈具有鍵結於矽原子上之苯基之矽烷化合物。 聚矽氧粒子亦可於外表面具有複數個粒子。於該情形時,聚矽氧粒子可具備聚矽氧粒子本體、與配置於聚矽氧粒子本體之表面上之複數個粒子。作為上述複數個粒子,可列舉聚矽氧粒子及球狀二氧化矽等。藉由存在上述複數個粒子,而能夠抑制聚矽氧粒子之凝聚。 [金屬部] 上述金屬部之上述突起之前端能夠以400℃以下熔融。就藉由降低熔融溫度,而抑制加熱時之能量之消耗量,進而抑制連接對象構件等之熱劣化之觀點而言,上述金屬部之上述突起之前端較佳為能夠以350℃以下熔融,更佳為能夠以300℃以下熔融,進而較佳為能夠以250℃以下熔融,尤佳為能夠以200℃以下熔融。上述突起之前端之熔融溫度可藉由突起之前端之金屬種類及突起之前端之形狀進行控制。上述凸部之基部、上述突起之高度之中央位置、上述突起之基部、及上述突起之高度之中央位置之熔點亦可超過200℃,亦可超過250℃,亦可超過300℃,亦可超過350℃,亦可超過400℃。上述金屬部、上述凸部及上述突起可具有超過200℃之部分,亦可具有超過250℃之部分,亦可具有超過300℃之部分,亦可具有超過350℃之部分,亦可具有超過400℃之部分。 上述金屬部之材料並無特別限定。上述金屬部之材料較佳為含有金屬。作為該金屬,例如可列舉:金、銀、鈀、銠、銥、鋰、銅、鉑、鋅、鐵、錫、鉛、釕、鋁、鈷、銦、鎳、鉻、鈦、銻、鉍、鉈、鍺、鎘、矽及該等之合金等。又,作為上述金屬,可列舉摻錫氧化銦(ITO)等。 於本發明中,以上述金屬部之突起之前端於400℃以下可熔融之方式選擇金屬部之材料。 就有效地提高連接可靠性之觀點而言,上述突起之材料較佳為含有銀、銅、金、鈀、錫、銦或鋅。上述突起之材料亦可不含錫。 較佳為上述金屬部之材料不為焊料。藉由上述金屬部之材料不為焊料,能夠抑制金屬部整體過度熔融。上述金屬部之材料亦可不含錫。 就有效地提高連接可靠性之觀點而言,上述金屬部之材料較佳為含有銀、銅、金、鈀、錫、銦、鋅、鎳、鈷、鐵、鎢、鉬、釕、鉑、銠、銥、磷或硼,更佳為含有銀、銅、金、鈀、錫、銦或鋅,進而較佳為含有銀。該等較佳之材料可僅使用1種,亦可併用2種以上。就有效地提高連接可靠性之觀點而言,上述銀可以銀單質或氧化銀之形式而含有。作為氧化銀,可列舉Ag2
O及AgO。 含有銀之金屬部100重量%中,銀之含量較佳為0.1重量%以上,更佳為1重量%以上,且較佳為100重量%以下,更佳為90重量%以下,亦可為80重量%以下,亦可為60重量%以下,亦可為40重量%以下,亦可為20重量%以下,亦可為10重量%以下。若銀之含量為上述下限以上及上述上限以下,則接合強度變高,連接可靠性進一步提高。 上述銅可以銅單質或氧化銅之形式而含有。 含有銅之金屬部100重量%中,銅之含量較佳為0.1重量%以上,更佳為1重量%以上,且較佳為100重量%以下,更佳為90重量%以下,亦可為80重量%以下,亦可為60重量%以下,亦可為40重量%以下,亦可為20重量%以下,亦可為10重量%以下。若銅之含量為上述下限以上及上述上限以下,則接合強度變高,連接可靠性進一步提高。 上述金屬部可由一層所形成。上述金屬部亦可由複數層所形成。 亦可對上述金屬部之外表面進行防銹處理。上述含金屬之粒子可於上述金屬部之外表面具有防銹膜。作為防銹處理,可列舉:於金屬部之外表面配置防銹劑之方法、將金屬部之外表面進行合金化而提高耐腐蝕性之方法、於金屬部之外表面塗佈高耐腐蝕金屬膜之方法等。作為上述防銹劑,可列舉:苯并三唑化合物、咪唑化合物等含氮雜環化合物;如硫醇(mercaptan)化合物、噻唑化合物、有機二硫醚化合物之含硫化合物;有機磷酸化合物等含磷化合物。 [防銹處理] 為了抑制含金屬之粒子之腐蝕,降低電極間之連接電阻,較佳為對上述金屬部之外表面進行防銹處理、或耐硫化處理。 作為耐硫化劑、防銹劑或防變色劑,可列舉:苯并三唑化合物、咪唑化合物等含氮雜環化合物;如硫醇(mercaptan)化合物、噻唑化合物、有機二硫醚化合物之含硫化合物;有機磷酸化合物等含磷化合物。 就進一步提高導通可靠性之觀點而言,較佳為藉由具有碳數6~22之烷基之化合物對上述金屬部之外表面進行防銹處理。亦可藉由不含磷之化合物對上述金屬部之表面進行防銹處理,亦可藉由具有碳數6~22之烷基且不含磷之化合物進行防銹處理。就進一步提高導通可靠性之觀點而言,較佳為藉由烷基磷酸化合物或烷基硫醇對上述金屬部之外表面進行防銹處理。藉由防銹處理,可於上述金屬部之外表面形成防銹膜。 上述防銹膜較佳為由具有碳數6~22之烷基之化合物(以下亦稱為化合物A)所形成。較佳為藉由上述化合物A對上述金屬部之外表面進行表面處理。若上述烷基之碳數為6以上,則金屬部整體更不易生銹。若上述烷基之碳數為22以下,則含金屬之粒子之導電性變高。就進一步提高含金屬之粒子之導電性的觀點而言,上述化合物A中之上述烷基之碳數較佳為16以下。上述烷基可具有直鏈結構,亦可具有分支結構。上述烷基較佳為具有直鏈結構。 上述化合物A只要具有碳數6~22之烷基,則無特別限定。上述化合物A較佳為具有碳數6~22之烷基之磷酸酯或其鹽、具有碳數6~22之烷基之亞磷酸酯或其鹽、具有碳數6~22之烷基之烷氧基矽烷、具有碳數6~22之烷基之烷基硫醇、或者具有碳數6~22之烷基之二烷基二硫醚。即,上述具有碳數6~22之烷基之化合物A較佳為磷酸酯或其鹽、亞磷酸酯或其鹽、烷氧基矽烷、烷基硫醇、或者二烷基二硫醚。藉由使用該等較佳之化合物A,能夠使金屬部變得更不易生銹。就使其更不易生銹之觀點而言,上述化合物A較佳為上述磷酸酯或其鹽、亞磷酸酯或其鹽、或者烷基硫醇,更佳為上述磷酸酯或其鹽、或者亞磷酸酯或其鹽。上述化合物A可僅使用1種,亦可併用2種以上。 上述化合物A較佳為具有能夠與上述金屬部之外表面反應之反應性官能基。於上述含金屬之粒子具備配置於上述金屬部之外表面上之絕緣性物質之情形時,較佳為上述化合物A具有能夠與上述絕緣性物質反應之反應性官能基。較佳為上述防銹膜與上述金屬部進行化學結合。較佳為上述防銹膜與上述絕緣性物質進行化學結合。更佳為上述防銹膜與上述金屬部及上述絕緣性物質之兩者進行化學結合。藉由上述反應性官能基之存在,以及藉由上述化學結合,變得不易產生上述防銹膜之剝離,其結果為,金屬部更不易生銹,且絕緣性物質更不易無意識地自含金屬之粒子之表面脫離。 作為上述具有碳數6~22之烷基之磷酸酯或其鹽,例如可列舉:磷酸己酯、磷酸庚酯、磷酸單辛酯、磷酸單壬酯、磷酸單癸酯、磷酸單十一烷基酯、磷酸單十二烷基酯、磷酸單十三烷基酯、磷酸單十四烷基酯、磷酸單十五烷基酯、磷酸單己酯單鈉鹽、磷酸單庚酯單鈉鹽、磷酸單辛酯單鈉鹽、磷酸單壬酯單鈉鹽、磷酸單癸酯單鈉鹽、磷酸單十一烷基酯單鈉鹽、磷酸單十二烷基酯單鈉鹽、磷酸單十三烷基酯單鈉鹽、磷酸單十四烷基酯單鈉鹽及磷酸單十五烷基酯單鈉鹽等。亦可使用上述磷酸酯之鉀鹽。 作為上述具有碳數6~22之烷基之亞磷酸酯或其鹽,例如可列舉:亞磷酸己酯、亞磷酸庚酯、亞磷酸單辛酯、亞磷酸單壬酯、亞磷酸單癸酯、亞磷酸單十一烷基酯、亞磷酸單十二烷基酯、亞磷酸單十三烷基酯、亞磷酸單十四烷基酯、亞磷酸單十五烷基酯、亞磷酸單己酯單鈉鹽、亞磷酸單庚酯單鈉鹽、亞磷酸單辛酯單鈉鹽、亞磷酸單壬酯單鈉鹽、亞磷酸單癸酯單鈉鹽、亞磷酸單十一烷基酯單鈉鹽、亞磷酸單十二烷基酯單鈉鹽、亞磷酸單十三烷基酯單鈉鹽、亞磷酸單十四烷基酯單鈉鹽及亞磷酸單十五烷基酯單鈉鹽等。亦可使用上述亞磷酸酯之鉀鹽。 作為上述具有碳數6~22之烷基之烷氧基矽烷,例如可列舉:己基三甲氧基矽烷、己基三乙氧基矽烷、庚基三甲氧基矽烷、庚基三乙氧基矽烷、辛基三甲氧基矽烷、辛基三乙氧基矽烷、壬基三甲氧基矽烷、壬基三乙氧基矽烷、癸基三甲氧基矽烷、癸基三乙氧基矽烷、十一烷基三甲氧基矽烷、十一烷基三乙氧基矽烷、十二烷基三甲氧基矽烷、十二烷基三乙氧基矽烷、十三烷基三甲氧基矽烷、十三烷基三乙氧基矽烷、十四烷基三甲氧基矽烷、十四烷基三乙氧基矽烷、十五烷基三甲氧基矽烷及十五烷基三乙氧基矽烷等。 作為上述具有碳數6~22之烷基之烷基硫醇,例如可列舉:己基硫醇、庚基硫醇、辛基硫醇、壬基硫醇、癸基硫醇、十一烷基硫醇、十二烷基硫醇、十三烷基硫醇、十四烷基硫醇、十五烷基硫醇及十六烷基硫醇等。上述烷基硫醇較佳為於烷基鏈之末端具有硫醇基。 作為上述具有碳數6~22之烷基之二烷基二硫醚,例如可列舉:二己基二硫醚、二庚基二硫醚、二辛基二硫醚、二壬基二硫醚、二癸基二硫醚、二(十一烷基)二硫醚、二(十二烷基)二硫醚、二(十三烷基)二硫醚、二(十四烷基)二硫醚、二(十五烷基)二硫醚及二(十六烷基)二硫醚等。 就進一步提高導通可靠性之觀點而言,較佳為藉由以硫醚化合物或硫醇化合物作為主成分之含硫化合物、苯并三唑化合物或聚氧乙烯醚界面活性劑之任一者之層對上述金屬部之外表面進行耐硫化處理。藉由耐硫化處理,可於上述金屬部之外表面形成防銹膜。 作為上述硫醚化合物,可列舉:二己基硫醚、二庚基硫醚、二辛基硫醚、二癸基硫醚、二(十二烷基)硫醚、二(十四烷基)硫醚、二(十六烷基)硫醚、二(十八烷基)硫醚等碳數6~40左右(較佳為碳數10~40左右)之直鏈狀或支鏈狀之二烷基硫醚(烷基硫醚);二苯基硫醚、苯基對甲苯基硫醚、4,4-硫代雙苯硫醇等碳數12~30左右之芳香族硫醚;3,3'-硫代二丙酸、4,4'-硫代二丁酸等硫代二羧酸等。上述硫醚化合物尤佳為二烷基硫醚。 作為上述硫醇化合物,可列舉:2-巰基苯并噻唑、2-巰基苯并㗁唑、2-巰基苯并咪唑、2-甲基-2-丙硫醇或十八烷基硫醇等碳數4~40左右(更佳為6~20左右)之直鏈狀或支鏈狀之烷基硫醇等。又,可列舉鍵結於該等化合物之碳基上之氫原子被取代為氟之化合物等。 作為上述苯并三唑化合物,可列舉:苯并三唑、苯并三唑鹽、甲基苯并三唑、羧基苯并三唑及苯并三唑衍生物等。 又,作為上述防變色劑,可列舉:北池產業公司製造之商品名「AC-20」、「AC-70」、「AC-80」、Meltex公司製造之商品名「ENTEK CU-56」、大和化成公司製造之商品名「New Dain Silver」、「New Dain Silver S-1」、Chiyoda Chemical公司製造之商品名「B-1057」、及Chiyoda Chemical公司製造之商品名「B-1009NS」等。 於上述基材粒子之表面上形成金屬部之方法並無特別限定。作為形成金屬部之方法,例如可列舉:利用無電解鍍覆之方法、利用電鍍之方法、利用物理蒸鍍之方法、以及將含有金屬粉末或金屬粉末與黏合劑之糊劑塗佈於基材粒子之表面之方法等。由於金屬部之形成簡便,因此較佳為利用無電解鍍覆之方法。作為上述利用物理蒸鍍之方法,可列舉真空蒸鍍、離子鍍覆及離子濺鍍等方法。 作為於金屬部之外表面形成具有前端變細之針狀之形狀的突起之方法,可列舉下述之方法。 可列舉:使用肼作為還原劑之利用無電解鍍高純度鎳之方法、使用肼作為還原劑之利用無電解鈀-鎳合金之方法、使用次磷酸化合物作為還原劑之無電解鍍CoNiP合金之方法、使用肼作為還原劑之利用無電解鍍銀之方法、以及使用次磷酸化合物作為還原劑之利用無電解鍍銅-鎳-磷合金之方法等。 於藉由無電解鍍覆形成之方法中,通常進行觸媒化步驟、與無電解鍍覆步驟。以下,對藉由無電解鍍覆而於樹脂粒子之表面形成包含銅及鎳之合金鍍覆層以及於金屬部之外表面形成具有前端變細之針狀之形狀的突起之方法之例進行說明。 於上述觸媒化步驟中,於樹脂粒子之表面形成成為用以藉由無電解鍍覆形成鍍覆層之起點之觸媒。 作為於樹脂粒子之表面形成上述觸媒之方法,例如可列舉:於含有氯化鈀與氯化錫之溶液中添加樹脂粒子後,藉由酸溶液或鹼溶液將樹脂粒子之表面活化,而使鈀析出至樹脂粒子之表面之方法;以及於含有硫酸鈀與胺基吡啶之溶液中添加樹脂粒子後,藉由含有還原劑之溶液將樹脂粒子之表面活化,而使鈀析出至樹脂粒子之表面之方法等。作為上述還原劑,可使用含磷還原劑。又,藉由使用含磷還原劑作為上述還原劑,可形成含有磷之金屬部。 於上述無電解鍍覆步驟中,於使用含有含銅化合物、錯合劑及還原劑之鍍覆液之無電解鍍銅-鎳-磷合金方法中,較佳為使用含有次磷酸化合物作為還原劑,含有含鎳化合物作為還原劑之反應起始金屬觸媒,且含有非離子界面活性劑之銅-鎳-磷合金鍍覆液。 藉由將樹脂粒子浸漬於銅-鎳-磷合金鍍浴中,可使銅-鎳-磷合金析出至表面形成有觸媒之樹脂粒子之表面,而可形成含有銅、鎳及磷之金屬部。 作為上述含銅化合物,可列舉:硫酸銅、氯化銅、及硝酸銅等。上述含銅化合物較佳為硫酸銅。 作為上述含鎳化合物,可列舉:硫酸鎳、氯化鎳、碳酸鎳、胺基磺酸鎳、及硝酸鎳等。上述含鎳化合物較佳為硫酸鎳。 作為上述含磷還原劑,可列舉:次磷酸、及次磷酸鈉等。除了上述含磷還原劑以外,亦可使用含硼還原劑。作為上述含硼還原劑,可列舉:二甲胺硼烷、硼氫化鈉及硼氫化鉀等。 上述錯合劑較佳為:乙酸鈉、丙酸鈉等單羧酸錯合劑;丙二酸二鈉等二羧酸錯合劑;丁二酸二鈉等三羧酸錯合劑;乳酸、DL-蘋果酸、羅謝耳鹽(Rochelle salt)、檸檬酸鈉、葡萄糖酸鈉等羥酸錯合劑;甘胺酸、EDTA(ethylenediamine tetraacetic acid,四乙酸乙二胺)等胺基酸錯合劑;乙二胺等胺錯合劑;順丁烯二酸等有機酸錯合劑;或該等之鹽。該等較佳之錯合劑可僅使用1種,亦可併用2種以上。 作為上述界面活性劑,可列舉:陰離子界面活性劑、陽離子界面活性劑、非離子界面活性劑或兩性界面活性劑,尤其是非離子界面活性劑較為適宜。較佳之非離子界面活性劑係含有醚氧原子之聚醚。作為較佳之非離子界面活性劑,可列舉:聚氧乙烯月桂醚、聚乙二醇、聚丙二醇、聚氧乙烯烷基醚、聚氧乙烯聚氧丙二醇、聚氧乙烯壬基苯醚、聚氧乙烯聚氧丙烯烷基胺、及乙二胺之聚氧伸烷基加成物等。較佳為聚氧乙烯單丁醚、聚氧丙烯單丁醚、聚氧乙烯聚氧丙二醇單丁醚等聚氧乙烯單烷基醚、聚乙二醇或酚乙氧化物。上述界面活性劑可僅使用1種,亦可併用2種以上。尤佳為分子量1000左右(例如500以上且2000以下)之聚乙二醇。 為了於金屬部之外表面形成具有前端變細之針狀之形狀的突起,較理想為控制銅化合物與鎳化合物之莫耳比。上述銅化合物之使用量以相對於鎳化合物之莫耳比計較佳為2倍至100倍。 又,即使不使用上述非離子界面活性劑等,亦可獲得具有針狀之形狀之突起。為了形成以頂角更銳利之方式前端變細之形狀之突起,較佳為使用非離子界面活性劑,尤佳為使用分子量1000左右(例如500以上且2000以下)之聚乙二醇。 複數個突起之平均高度(b)相對於複數個上述突起之基部之平均徑(c)之比(平均高度(b)/平均徑(c))取決於金屬部之厚度,可藉由在鍍浴中之浸漬時間加以控制。鍍覆溫度較佳為30℃以上,且較佳為100℃以下,又,於鍍浴中之浸漬時間較佳為5分鐘以上。 繼而,對藉由無電解鍍覆而於樹脂粒子之表面形成鍍銀層及於金屬部之外表面形成具有前端變細之針狀之形狀的突起之方法之例進行說明。 於上述觸媒化步驟中,於樹脂粒子之表面形成成為用以藉由無電解鍍覆形成鍍覆層之起點之觸媒。 作為於樹脂粒子之表面形成上述觸媒之方法,例如可列舉:於含有氯化鈀與氯化錫之溶液中添加樹脂粒子後,藉由酸溶液或鹼溶液將樹脂粒子之表面活化,而使鈀析出至樹脂粒子之表面之方法;以及於含有硫酸鈀與胺基吡啶之溶液中添加樹脂粒子後,藉由含有還原劑之溶液將樹脂粒子之表面活化,而使鈀析出至樹脂粒子之表面之方法等。作為上述還原劑,可使用含磷還原劑。又,藉由使用含磷還原劑作為上述還原劑,可形成含有磷之金屬部。 於上述無電解鍍覆步驟中,於使用含有含銀化合物、錯合劑及還原劑之鍍覆液之無電解鍍銀方法中,較佳為使用含有作為還原劑之肼、非離子界面活性劑及含硫有機化合物之鍍銀液。 藉由將樹脂粒子浸漬於銀鍍浴中,可使銀析出至表面形成有觸媒之樹脂粒子之表面,而可形成含有銀之金屬部。 作為上述含銀化合物,較佳為氰化銀鉀、硝酸銀、硫代硫酸銀鈉、葡萄糖酸銀、銀-半胱胺酸錯合物、甲磺酸銀。 作為上述還原劑,可列舉:肼、次磷酸鈉、二甲胺硼烷、硼氫化鈉及硼氫化鉀、福馬林、葡萄糖等。 作為用以形成具有針狀之形狀之突起的還原劑,較佳為肼一水合物、鹽酸肼、及硫酸肼。 上述錯合劑較佳為:乙酸鈉、丙酸鈉等單羧酸系錯合劑;丙二酸二鈉等二羧酸系錯合劑;丁二酸二鈉等三羧酸系錯合劑;乳酸、DL-蘋果酸、羅謝耳鹽、檸檬酸鈉、葡萄糖酸鈉等羥酸系錯合劑;甘胺酸、EDTA等胺基酸系錯合劑;乙二胺等胺系錯合劑;順丁烯二酸等有機酸系錯合劑;或該等之鹽。該等較佳之錯合劑可僅使用1種,亦可併用2種以上。 作為上述界面活性劑,可列舉:陰離子界面活性劑、陽離子界面活性劑、非離子界面活性劑或兩性界面活性劑,尤其是非離子界面活性劑較為適宜。較佳之非離子界面活性劑係含有醚氧原子之聚醚。作為較佳之非離子界面活性劑,可列舉:聚氧乙烯月桂醚、聚乙二醇、聚丙二醇、聚氧乙烯烷基醚、聚氧乙烯聚氧丙二醇、聚氧乙烯壬基苯醚、聚氧乙烯聚氧丙烯烷基胺、及乙二胺之聚氧伸烷基加成物等。較佳為聚氧乙烯單丁醚、聚氧丙烯單丁醚、聚氧乙烯聚氧丙二醇單丁醚等聚氧乙烯單烷基醚、聚乙二醇或酚乙氧化物。上述界面活性劑可僅使用1種,亦可併用2種以上。尤佳為分子量1000左右(例如500以上且2000以下)之聚乙二醇。 又,即使不使用上述非離子界面活性劑等,亦可獲得具有針狀之形狀之突起。為了形成以頂角更銳利之方式前端變細之形狀之突起,較佳為使用非離子界面活性劑,尤佳為使用分子量1000左右(例如500以上且2000以下)之聚乙二醇。 作為上述含硫有機化合物,可列舉:具有硫醚或磺酸基之有機化合物、硫脲化合物、及苯并噻唑化合物等。作為上述具有硫醚或磺酸基之有機化合物,可列舉:N,N-二甲基二硫代胺基甲酸3-磺基丙酯、3-巰基丙磺酸3-磺基丙酯、3-巰基丙磺酸鈉鹽、3-巰基-1-丙磺酸鉀鹽、二硫代碳酸-o-乙酯、雙磺丙基二硫醚、雙(3-磺丙基)-二硫醚-二鈉鹽、3-(苯并噻唑基-s-硫代)丙磺酸鈉鹽、吡啶鎓丙基磺基甜菜鹼、1-鈉-3-巰基丙烷-1-磺酸鹽、N,N-二甲基二硫代胺基甲酸3-磺基乙酯、3-巰基乙基丙磺酸3-磺基乙酯、3-巰基乙基磺酸鈉鹽、3-巰基-1-乙磺酸鉀鹽、二硫代碳酸-o-乙酯-s-酯、雙磺基乙基二硫醚、3-(苯并噻唑基-s-硫代)乙基磺酸鈉鹽、吡啶鎓乙基磺基甜菜鹼、1-鈉-3-巰基乙烷-1-磺酸鹽、及硫脲化合物等。作為上述硫脲化合物,可列舉:硫脲、1,3-二甲基硫脲、三甲基硫脲、二乙基硫脲、及烯丙基硫脲等。 又,即使不使用上述含硫有機化合物等,亦可獲得具有針狀之形狀之突起。為了形成以頂角更銳利之方式前端變細之形狀之突起,較佳為使用含硫有機化合物,尤佳為使用硫脲。 複數個突起之平均高度(b)相對於複數個上述突起之基部之平均徑(c)之比(平均高度(b)/平均徑(c))取決於金屬部之厚度,可藉由在鍍浴中之浸漬時間加以控制。鍍覆溫度較佳為30℃以上,且較佳為100℃以下,又,於鍍浴中之浸漬時間較佳為5分鐘以上。 繼而,對藉由無電解鍍覆而於樹脂粒子之表面形成高純度鎳鍍覆層及於金屬部之外表面形成具有前端變細之針狀之形狀的突起之方法之例進行說明。 於上述觸媒化步驟中,於樹脂粒子之表面形成成為用以藉由無電解鍍覆形成鍍覆層之起點之觸媒。 作為於樹脂粒子之表面形成上述觸媒之方法,例如可列舉:於含有氯化鈀與氯化錫之溶液中添加樹脂粒子後,藉由酸溶液或鹼溶液將樹脂粒子之表面活化,而使鈀析出至樹脂粒子之表面之方法;以及於含有硫酸鈀與胺基吡啶之溶液中添加樹脂粒子後,藉由含有還原劑之溶液將樹脂粒子之表面活化,而使鈀析出至樹脂粒子之表面之方法等。作為上述還原劑,可使用含磷還原劑。又,藉由使用含磷還原劑作為上述還原劑,可形成含有磷之金屬部。 於上述無電解鍍覆步驟中,於使用含有含鎳化合物、錯合劑及還原劑之鍍覆液之無電解鍍高純度鎳方法中,可適宜地使用含有肼作為還原劑之高純度鎳鍍覆液。 藉由將樹脂粒子浸漬於高純度鎳鍍浴中,可使高純度鎳鍍覆析出至表面形成有觸媒之樹脂粒子之表面,而可形成高純度鎳之金屬部。 作為上述含鎳化合物,可列舉:硫酸鎳、氯化鎳、碳酸鎳、胺基磺酸鎳、及硝酸鎳等。上述含鎳化合物較佳為氯化鎳。 作為上述之還原劑,可列舉:肼一水合物、鹽酸肼、及硫酸肼。上述之還原劑較佳為肼一水合物。 作為上述錯合劑,可列舉:乙酸鈉、丙酸鈉等單羧酸系錯合劑;丙二酸二鈉等二羧酸系錯合劑;丁二酸二鈉等三羧酸系錯合劑;乳酸、DL-蘋果酸、羅謝耳鹽、檸檬酸鈉、葡萄糖酸鈉等羥酸系錯合劑;甘胺酸、EDTA等胺基酸系錯合劑;乙二胺等胺系錯合劑;順丁烯二酸等有機酸系錯合劑等。上述錯合劑較佳為作為胺基酸系錯合劑之甘胺酸。 為了於金屬部之外表面形成具有前端變細之針狀之形狀的突起,較佳為將鍍覆液之pH值調整為8.0以上。於使用肼作為還原劑之無電解鍍覆液中,於藉由肼之氧化反應將鎳還原時伴隨著pH值之急遽降低。為了抑制上述之pH值之急遽降低,較佳為使用磷酸、硼酸、碳酸等緩衝劑。上述緩衝劑較佳為具有pH值為8.0以上之緩衝作用之效果的硼酸。 複數個突起之平均高度(b)相對於複數個上述突起之基部之平均徑(c)之比(平均高度(b)/平均徑(c))取決於金屬部之厚度,可藉由在鍍浴中之浸漬時間加以控制。鍍覆溫度較佳為30℃以上,且較佳為100℃以下,又,於鍍浴中之浸漬時間較佳為5分鐘以上。 繼而,對藉由無電解鍍覆而於樹脂粒子之表面形成鈀-鎳合金鍍覆層及於金屬部之外表面形成具有前端變細之針狀之形狀的突起之方法之例進行說明。 於上述觸媒化步驟中,於樹脂粒子之表面形成成為用以藉由無電解鍍覆形成鍍覆層之起點之觸媒。 作為於樹脂粒子之表面形成上述觸媒之方法,例如可列舉:於含有氯化鈀與氯化錫之溶液中添加樹脂粒子後,藉由酸溶液或鹼溶液將樹脂粒子之表面活化,而使鈀析出至樹脂粒子之表面之方法;以及於含有硫酸鈀與胺基吡啶之溶液中添加樹脂粒子後,藉由含有還原劑之溶液將樹脂粒子之表面活化,而使鈀析出至樹脂粒子之表面之方法等。作為上述還原劑,可使用含磷還原劑。又,藉由使用含磷還原劑作為上述還原劑,可形成含有磷之金屬部。 於上述無電解鍍覆步驟中,於使用含有含鎳化合物、鈀化合物、穩定劑、錯合劑及還原劑之鍍覆液之無電解鍍鈀-鎳方法中,可適宜地使用含有肼作為還原劑之鈀-鎳合金鍍覆液。 藉由將樹脂粒子浸漬於鈀-鎳合金鍍浴中,可使鈀-鎳合金鍍覆析出至表面形成有觸媒之樹脂粒子之表面,而可形成鈀-鎳之金屬部。 作為上述含鎳化合物,可列舉:硫酸鎳、氯化鎳、碳酸鎳、胺基磺酸鎳、及硝酸鎳等。上述含鎳化合物較佳為硫酸鎳。 作為上述含鈀化合物,可列舉:二氯乙二胺鈀(II)、氯化鈀、二氯二氨合鈀(II)、二硝基二氨合鈀(II)、四氨合鈀(II)硝酸鹽、四氨合鈀(II)硫酸鹽、草酸基二氨合鈀(II)、四氨合鈀(II)草酸鹽、及四氨合氯化鈀(II)等。上述含鈀化合物較佳為氯化鈀。 作為上述穩定劑,可列舉:鉛化合物、鉍化合物、及鉈化合物等。作為該等化合物,具體而言,可列舉:構成化合物之金屬(鉛、鉍、鉈)之硫酸鹽、碳酸鹽、乙酸鹽、硝酸鹽、及鹽酸鹽等。若考慮對環境之影響,則較佳為鉍化合物或鉈化合物。該等較佳之穩定劑可僅使用1種,亦可併用2種以上。 作為上述之還原劑,可列舉:肼一水合物、鹽酸肼、及硫酸肼。上述之還原劑較佳為肼一水合物。 作為上述錯合劑,可列舉:乙酸鈉、丙酸鈉等單羧酸系錯合劑;丙二酸二鈉等二羧酸系錯合劑;丁二酸二鈉等三羧酸系錯合劑;乳酸、DL-蘋果酸、羅謝耳鹽、檸檬酸鈉、葡萄糖酸鈉等羥酸系錯合劑;甘胺酸、EDTA等胺基酸系錯合劑;乙二胺等胺系錯合劑;順丁烯二酸等有機酸系錯合劑等。上述錯合劑較佳為作為胺基酸系錯合劑之乙二胺。 為了於金屬部之外表面形成具有前端變細之針狀之形狀的突起,較佳為將鍍覆液之pH值調整為8.0至10.0。若pH值為7.5以下,則鍍覆液之穩定性降低,而引起浴分解,因此較佳為將pH值設為8.0以上。 複數個突起之平均高度(b)相對於複數個上述突起之基部之平均徑(c)之比(平均高度(b)/平均徑(c))取決於金屬部之厚度,可藉由在鍍浴中之浸漬時間加以控制。鍍覆溫度較佳為30℃以上,且較佳為100℃以下,又,於鍍浴中之浸漬時間較佳為5分鐘以上。 繼而,對藉由無電解鍍覆而於樹脂粒子之表面形成含有鈷與鎳之合金鍍覆層及於金屬部之外表面形成具有前端變細之針狀之形狀的突起之方法之一例進行說明。 於上述觸媒化步驟中,於樹脂粒子之表面形成成為用以藉由無電解鍍覆形成鍍覆層之起點之觸媒。 作為於樹脂粒子之表面形成上述觸媒之方法,例如可列舉:於含有氯化鈀與氯化錫之溶液中添加樹脂粒子後,藉由酸溶液或鹼溶液將樹脂粒子之表面活化,而使鈀析出至樹脂粒子之表面之方法;以及於含有硫酸鈀與胺基吡啶之溶液中添加樹脂粒子後,藉由含有還原劑之溶液將樹脂粒子之表面活化,而使鈀析出至樹脂粒子之表面之方法等。作為上述還原劑,可使用含磷還原劑。又,藉由使用含磷還原劑作為上述還原劑,可形成含有磷之金屬部。 於上述無電解鍍覆步驟中,於使用含有含鈷化合物、無機添加劑、錯合劑及還原劑之鍍覆液之無電解鈷-鎳-磷合金鍍覆方法中,可適宜地使用含有次磷酸化合物作為還原劑,且含有含鈷化合物作為還原劑之反應起始金屬觸媒之鈷-鎳-磷合金鍍覆液。 藉由將樹脂粒子浸漬於鈷-鎳-磷合金鍍浴中,可使鈷-鎳-磷合金析出至表面形成有觸媒之樹脂粒子之表面,而可形成含有鈷、鎳、及磷之金屬部。 上述含鈷化合物較佳為硫酸鈷、氯化鈷、硝酸鈷、乙酸鈷、或碳酸鈷。上述含鈷化合物更佳為硫酸鈷。 作為上述含鎳化合物,可列舉:硫酸鎳、氯化鎳、碳酸鎳、胺基磺酸鎳、及硝酸鎳等。上述含鎳化合物較佳為硫酸鎳。 作為上述含磷還原劑,可列舉:次磷酸、及次磷酸鈉等。除了上述含磷還原劑以外,亦可使用含硼還原劑。作為上述含硼還原劑,可列舉:二甲胺硼烷、硼氫化鈉及硼氫化鉀等。 上述錯合劑較佳為:乙酸鈉、丙酸鈉等單羧酸系錯合劑;丙二酸二鈉等二羧酸系錯合劑;丁二酸二鈉等三羧酸系錯合劑;乳酸、DL-蘋果酸、羅謝耳鹽、檸檬酸鈉、葡萄糖酸鈉等羥酸系錯合劑;甘胺酸、EDTA等胺基酸系錯合劑;乙二胺等胺系錯合劑;順丁烯二酸等有機酸系錯合劑;或該等之鹽。該等較佳之錯合劑可僅使用1種,亦可併用2種以上。 上述無機添加劑較佳為硫酸銨、氯化銨、或硼酸。該等較佳之無機添加劑可僅使用1種,亦可併用2種以上。認為上述無機添加劑發揮促進無電解鈷鍍覆層之析出之作用。 為了於金屬部之外表面形成具有前端變細之針狀之形狀的突起,較理想為控制鈷化合物與鎳化合物之莫耳比。上述之鈷化合物之使用量以相對於鎳化合物之莫耳比計較佳為2倍至100倍。 又,即使不使用上述之無機添加劑,亦可獲得具有針狀之形狀之突起。為了形成頂角更小、前端銳利地變細之形狀之突起,較佳為使用無機添加劑,尤佳為使用硫酸銨。 複數個突起之平均高度(b)相對於複數個上述突起之基部之平均徑(c)之比(平均高度(b)/平均徑(c))取決於金屬部之厚度,可藉由在鍍浴中之浸漬時間加以控制。鍍覆溫度較佳為30℃以上,且較佳為100℃以下,又,於鍍浴中之浸漬時間較佳為5分鐘以上。 上述無突起之部分中之金屬部整體之厚度較佳為5 nm以上,更佳為10 nm以上,進而較佳為20 nm以上,尤佳為50 nm以上,且較佳為1000 nm以下,更佳為800 nm以下,進而較佳為500 nm以下,尤佳為400 nm以下。上述無凸部之部分中之金屬部整體之厚度較佳為5 nm以上,更佳為10 nm以上,進而較佳為20 nm以上,尤佳為50 nm以上,且較佳為1000 nm以下,更佳為800 nm以下,進而較佳為500 nm以下,尤佳為400 nm以下。若金屬部整體之厚度為上述下限以上,則可抑制金屬部之剝離。若金屬部整體之厚度為上述上限以下,則基材粒子與金屬部之熱膨脹率之差變小,金屬部變得不易自基材粒子剝離。上述金屬部之厚度於金屬部具有複數個金屬部(第1金屬部與第2金屬部)之情形時,表示金屬部整體之厚度(第1、第2金屬部之合計之厚度)。 於上述金屬部具有複數個金屬部之情形時,最外層之上述無突起之部分中之金屬部之厚度較佳為1 nm以上,更佳為10 nm以上,且較佳為500 nm以下,更佳為100 nm以下。於上述金屬部具有複數個金屬部之情形時,最外層之上述無凸部之部分中之金屬部之厚度較佳為1 nm以上,更佳為10 nm以上,且較佳為500 nm以下,更佳為100 nm以下。若上述最外層之金屬部之厚度為上述下限以上及上述上限以下,則可使利用最外層之金屬部之被覆變得均勻,耐腐蝕性變得充分高,且電極間之連接電阻變得充分低。又,於上述最外層較內層之金屬部更昂貴之情形時,最外層之厚度越薄,成本越低。 上述金屬部之厚度可藉由例如使用穿透式電子顯微鏡(transmission electron microscope,TEM)觀察含金屬之粒子之剖面而測定。 [芯物質] 上述含金屬之粒子較佳為具備複數個使上述金屬部之表面鼓起之芯物質,更佳為於上述金屬部內具備複數個使上述金屬部之表面鼓起之芯物質,以形成複數個上述凸部或複數個上述突起。藉由將上述芯物質嵌埋於上述金屬部中,而容易使上述金屬部於外表面具有複數個上述凸部或複數個突起。但是,為了於含金屬之粒子及金屬部之外表面形成凸部或突起,亦可未必使用芯物質。例如,作為不使用芯物質,藉由無電解鍍覆形成凸部或突起之方法,可列舉藉由無電解鍍覆產生金屬核,使金屬核附著於基材粒子或金屬部之表面,進而藉由無電解鍍覆形成金屬部之方法等。 作為形成上述凸部或突起之方法,可列舉:使芯物質附著於基材粒子之表面後,藉由無電解鍍覆形成金屬部之方法;以及藉由無電解鍍覆而於基材粒子之表面形成金屬部後,使芯物質附著,進而藉由無電解鍍覆形成金屬部之方法等。 作為將芯物質配置於上述基材粒子之表面上之方法,例如可列舉:於基材粒子之分散液中添加芯物質,藉由例如凡得瓦爾力使芯物質集成並附著於基材粒子之表面之方法;以及於裝有基材粒子之容器中添加芯物質,藉由利用容器之旋轉等之機械作用使芯物質附著於基材粒子之表面之方法等。其中,由於容易控制所附著之芯物質之量,故而較佳為使芯物質集成並附著於分散液中之基材粒子之表面之方法。 藉由將上述芯物質嵌埋於上述金屬部中,而容易使上述金屬部於外表面具有複數個上述凸部或複數個突起。但是,為了於含金屬之粒子之導電性之表面及金屬部之表面形成凸部或突起,亦可未必使用芯物質。 作為形成上述凸部或突起之方法,可列舉:使芯物質附著於基材粒子之表面後,藉由無電解鍍覆形成金屬部之方法;藉由無電解鍍覆而於基材粒子之表面形成金屬部後,使芯物質附著,進而藉由無電解鍍覆形成金屬部之方法;以及於藉由無電解鍍覆在基材粒子之表面形成金屬部之途中階段性地添加芯物質之方法等。 作為上述芯物質之材料,可列舉導電性物質及非導電性物質。作為上述導電性物質,例如可列舉:金屬、金屬之氧化物、石墨等導電性非金屬及導電性聚合物等。作為上述導電性聚合物,可列舉聚乙炔等。作為上述非導電性物質,可列舉:二氧化矽、氧化鋁、鈦酸鋇及氧化鋯等。其中,由於能夠提高導電性,進而能夠有效地降低連接電阻,故而較佳為金屬。上述芯物質較佳為金屬粒子。作為上述芯物質之材料之金屬可適當地使用作為上述導電材料之材料所列舉之金屬。 作為上述芯物質之材料之具體例,可列舉:鈦酸鋇(莫氏硬度4.5)、鎳(莫氏硬度5)、二氧化矽(silica,莫氏硬度6~7)、氧化鈦(莫氏硬度7)、氧化鋯(莫氏硬度8~9)、氧化鋁(莫氏硬度9)、碳化鎢(莫氏硬度9)及鑽石(莫氏硬度10)等。上述無機粒子較佳為鎳、二氧化矽、氧化鈦、氧化鋯、氧化鋁、碳化鎢或鑽石,更佳為二氧化矽、氧化鈦、氧化鋯、氧化鋁、碳化鎢或鑽石,進而較佳為氧化鈦、氧化鋯、氧化鋁、碳化鎢或鑽石,尤佳為氧化鋯、氧化鋁、碳化鎢或鑽石。上述芯物質之材料之莫氏硬度較佳為5以上,更佳為6以上,進而較佳為7以上,尤佳為7.5以上。 上述芯物質之形狀並無特別限定。芯物質之形狀較佳為塊狀。作為芯物質,例如可列舉:粒子狀之塊、複數個微小粒子凝聚而成之凝聚塊、及不定形之塊等。 上述芯物質之平均徑(平均粒徑)較佳為0.001 μm以上,更佳為0.05 μm以上,且較佳為0.9 μm以下,更佳為0.2 μm以下。若上述芯物質之平均徑為上述下限以上及上述上限以下,則電極間之連接電阻有效地降低。 上述芯物質之「平均徑(平均粒徑)」表示數量平均徑(數量平均粒徑)。芯物質之平均徑可藉由利用電子顯微鏡或光學顯微鏡觀察任意之芯物質50個並算出平均值而求出。 [絕緣性物質] 本發明之含金屬之粒子較佳為具備配置於上述金屬部之外表面上之絕緣性物質。於該情形時,若將含金屬之粒子用於電極間之連接,則能夠防止鄰接之電極間之短路。具體而言,於複數個含金屬之粒子接觸時,由於在複數個電極間存在絕緣性物質,故而能夠防止橫向相鄰之電極間而非上下之電極間之短路。再者,於將電極間連接時,藉由利用2個電極對含金屬之粒子加壓,而能夠容易地排除含金屬之粒子之金屬部與電極之間的絕緣性物質。由於金屬部於外表面具有複數個突起,故而能夠容易地排除含金屬之粒子之金屬部與電極之間的絕緣性物質。又,於金屬部於外表面具有複數個凸部之情形時,能夠容易地排除含金屬之粒子之金屬部與電極之間的絕緣性物質。 就於電極間之壓接時能夠更容易地排除上述絕緣性物質之方面而言,上述絕緣性物質較佳為絕緣性粒子。 作為上述絕緣性物質之材料之絕緣性樹脂的具體例可列舉:聚烯烴化合物、(甲基)丙烯酸酯聚合物、(甲基)丙烯酸酯共聚物、嵌段聚合物、熱塑性樹脂、熱塑性樹脂之交聯物、熱硬化性樹脂及水溶性樹脂等。 作為上述聚烯烴化合物,可列舉聚乙烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物及乙烯-丙烯酸酯共聚物等。作為上述(甲基)丙烯酸酯聚合物,可列舉聚(甲基)丙烯酸甲酯、聚(甲基)丙烯酸乙酯及聚(甲基)丙烯酸丁酯等。作為上述嵌段聚合物,可列舉聚苯乙烯、苯乙烯-丙烯酸酯共聚物、SB型苯乙烯-丁二烯嵌段共聚物、及SBS型苯乙烯-丁二烯嵌段共聚物、以及該等之氫化物等。作為上述熱塑性樹脂,可列舉乙烯基聚合物及乙烯基共聚物等。作為上述熱硬化性樹脂,可列舉環氧樹脂、酚樹脂及三聚氰胺樹脂等。作為上述水溶性樹脂,可列舉聚乙烯醇、聚丙烯酸、聚丙烯醯胺、聚乙烯基吡咯啶酮、聚環氧乙烷及甲基纖維素等。其中,較佳為水溶性樹脂,更佳為聚乙烯醇。 作為於上述金屬部之表面上配置絕緣性物質之方法,可列舉化學方法、及物理或機械方法等。作為上述化學方法,例如可列舉:界面聚合法、粒子存在下之懸浮聚合法及乳化聚合法等。作為上述物理或機械方法,可列舉利用噴霧乾燥、混成(hybridization)、靜電附著法、噴霧法、浸漬及真空蒸鍍之方法等。其中,就絕緣性物質不易脫離之方面而言,較佳為經由化學結合於上述金屬部之表面配置上述絕緣性物質之方法。 上述金屬部之外表面、及絕緣性物質(絕緣性粒子等)之表面可分別經具有反應性官能基之化合物所被覆。金屬部之外表面與絕緣性物質之表面可並非直接進行化學結合,亦可藉由具有反應性官能基之化合物而間接進行化學結合。亦可將羧基導入金屬部之外表面後,該羧基經由聚伸乙基亞胺等高分子電解質而與絕緣性物質之表面之官能基進行化學結合。 上述絕緣性物質之平均徑(平均粒徑)可根據含金屬之粒子之粒徑及含金屬之粒子之用途等而適當選擇。上述絕緣性物質之平均徑(平均粒徑)較佳為0.005 μm以上,更佳為0.01 μm以上,且較佳為1 μm以下,更佳為0.5 μm以下。若絕緣性物質之平均徑為上述下限以上,則於含金屬之粒子分散於黏合劑樹脂中時,複數個含金屬之粒子中之金屬部彼此變得不易接觸。若絕緣性物質之平均徑為上述上限以下,則於電極間之連接時,無需為了排除電極與含金屬之粒子之間的絕緣性物質而過度提高壓力,亦無須加熱至高溫。 上述絕緣性物質之「平均徑(平均粒徑)」表示數量平均徑(數量平均粒徑)。絕緣性物質之平均徑可使用粒度分佈測定裝置等而求出。 (粒子連結體) 本發明之含金屬之粒子如上文所述,藉由使金屬部之突起熔融後使其固化,可形成如圖15所示之粒子連結體。此種粒子連結體作為能夠提高較先前之含金屬之粒子更高之連接可靠性之新穎材料而有用。即,作為新穎之連接材料,本發明者等人進一步發現下述之發明。 1)一種粒子連結體,其係複數個含金屬之粒子(與本發明之含金屬之粒子相區別而亦稱為含金屬之粒子本體)經由含有金屬之柱狀連結部而連結。 2)如上述1)之粒子連結體,其中上述柱狀連結部含有與上述含金屬之粒子所含之金屬同種之金屬。 3)如上述1)或2)之粒子連結體,其中構成上述粒子連結體之上述含金屬之粒子係源自本發明之含金屬之粒子。 4)如上述1)至3)中任一項之粒子連結體,其中構成上述粒子連結體之上述含金屬之粒子及上述柱狀連結部係藉由本發明之含金屬之粒子之上述突起熔融固化所形成。 5)如上述1)至4)中任一項之粒子連結體,其中上述柱狀連結部係源自本發明之含金屬之粒子之突起。 本發明之粒子連結體可藉由上文所述之方法而製造,但製造方法並不限定於上文所述之方法。例如亦可分開製造含金屬之粒子與柱狀體,藉由柱狀體使含金屬之粒子連結,而形成柱狀連結部。 上述柱狀連結部可為圓柱狀連結部或多角柱狀連結部,柱之中央部分可粗亦可細。 上述柱狀連結部中與上述含金屬之粒子之連接面之外接圓的直徑(d)較佳為3 nm以上,更佳為100 nm以上,且較佳為10000 nm以下,更佳為1000 nm以下。 上述柱狀連結部中,柱狀連結部之長度(l)較佳為3 nm以上,更佳為100 nm以上,且較佳為10000 nm以下,更佳為1000 nm以下。 上述柱狀連結部中柱狀連結部之長度(l)相對於與上述含金屬之粒子之連接面之外接圓的直徑(d)之比((d)/(l))較佳為0.001以上,更佳為0.1以上,且較佳為100以下,更佳為10以下。 本發明之粒子連結體可為如圖15所示之2個之含金屬之粒子之連結體,亦可為3個以上之含金屬之粒子之連結體。 (連接材料) 本發明之連接材料可適宜地用以形成連接2個連接對象構件之連接部。上述連接材料包含上述之含金屬之粒子、及樹脂。上述連接材料較佳為藉由使複數個含金屬之粒子之金屬部突起之前端熔融後使其固化而用以形成上述連接部。 上述樹脂並無特別限定。上述樹脂係使上述含金屬之粒子分散之黏合劑。上述樹脂較佳為含有熱塑性樹脂或硬化性樹脂,更佳為含有硬化性樹脂。作為上述硬化性樹脂,可列舉光硬化性樹脂及熱硬化性樹脂。上述光硬化性樹脂較佳為含有光硬化性樹脂及光聚合起始劑。上述熱硬化性樹脂較佳為含有熱硬化性樹脂及熱硬化劑。作為上述樹脂,例如可列舉:乙烯基樹脂、熱塑性樹脂、硬化性樹脂、熱塑性嵌段共聚物及彈性體等。上述樹脂可僅使用1種,亦可併用2種以上。 作為上述乙烯基樹脂,例如可列舉:乙酸乙烯酯樹脂、丙烯酸系樹脂及苯乙烯樹脂等。作為上述熱塑性樹脂,例如可列舉:聚烯烴樹脂、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物及聚醯胺樹脂等。作為上述硬化性樹脂,例如可列舉:環氧樹脂、胺基甲酸酯樹脂、聚醯亞胺樹脂及不飽和聚酯樹脂等。再者,上述硬化性樹脂可為常溫硬化型樹脂、熱硬化型樹脂、光硬化型樹脂或濕氣硬化型樹脂。作為上述熱塑性嵌段共聚物,例如可列舉:苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物之氫化物、及苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物之氫化物等。作為上述彈性體,例如可列舉:苯乙烯-丁二烯共聚合橡膠、及丙烯腈-苯乙烯嵌段共聚合橡膠等。 於上述金屬部之突起含有金屬氧化物之情形時,較佳為使用還原劑。作為上述還原劑,可列舉:醇化合物(具有醇性羥基之化合物)、羧酸化合物(具有羧基之化合物)及胺化合物(具有胺基之化合物)等。上述還原劑可僅使用1種,亦可併用2種以上。 作為上述醇化合物,可列舉烷基醇。作為上述醇化合物之具體例,例如可列舉:乙醇、丙醇、丁醇、戊醇、己醇、庚醇、辛醇、壬醇、癸醇、十一烷基醇、十二烷基醇、十三烷基醇、十四烷基醇、十五烷基醇、十六烷基醇、十七烷基醇、十八烷基醇、十九烷基醇及二十烷基醇等。又,作為上述醇化合物,並不限於1級醇型化合物,亦可使用2級醇型化合物、3級醇型化合物、烷二醇及具有環狀結構之醇化合物。進而,作為上述醇化合物,亦可使用乙二醇及三乙二醇等具有多數之醇基之化合物。又,作為上述醇化合物,亦可使用檸檬酸、抗壞血酸及葡萄糖等化合物。 作為上述羧酸化合物,可列舉烷基羧酸等。作為上述羧酸化合物之具體例,可列舉:丁酸、戊酸、己酸、庚酸、辛酸、壬酸、癸酸、十一酸、十二酸、十三酸、十四酸、十五酸、十六酸、十七酸、十八酸、十九酸及二十酸等。又,上述羧酸化合物並不限於1級羧酸型化合物,亦可使用2級羧酸型化合物、3級羧酸型化合物、二羧酸及具有環狀結構之羧基化合物。 作為上述胺化合物,可列舉烷基胺等。作為上述胺化合物之具體例,可列舉:丁基胺、戊基胺、己基胺、庚基胺、辛基胺、壬基胺、癸基胺、十一烷基胺、十二烷基胺、十三烷基胺、十四烷基胺、十五烷基胺、十六烷基胺、十七烷基胺、十八烷基胺、十九烷基胺及二十烷基胺等。又,上述胺化合物亦可具有分支結構。作為具有分支結構之胺化合物,可列舉:2-乙基己基胺及1,5-二甲基己基胺等。上述胺化合物並不限於1級胺型化合物,亦可使用2級胺型化合物、3級胺型化合物及具有環狀結構之胺化合物。 上述還原劑可為具有醛基、酯基、磺醯基或酮基等之有機物,亦可為羧酸金屬鹽等有機物。羧酸金屬鹽亦可用作金屬粒子之前驅物,另一方面,由於含有有機物,因此亦可用作金屬氧化物粒子之還原劑。 上述連接材料除了上述含金屬之粒子及上述樹脂以外,亦可含有例如填充劑、增量劑、軟化劑、塑化劑、聚合觸媒、硬化觸媒、著色劑、抗氧化劑、熱穩定劑、光穩定劑、紫外線吸收劑、滑劑、抗靜電劑及阻燃劑等各種添加劑。 上述連接材料較佳為用於導電連接,較佳為導電連接材料。上述連接材料較佳為用於各向異性導電連接,較佳為各向異性導電連接材料。上述連接材料可以糊劑及膜等形式使用。於上述連接材料為膜之情形時,亦可對含有含金屬之粒子之膜積層不含含金屬之粒子之膜。上述糊劑較佳為導電糊劑,更佳為各向異性導電糊劑。上述膜較佳為導電膜,更佳為各向異性導電膜。 上述連接材料100重量%中,上述樹脂之含量較佳為1重量%以上,更佳為5重量%以上,亦可為10重量%以上,亦可為30重量%以上,亦可為50重量%以上,亦可為70重量%以上,且較佳為99.99重量%以下,更佳為99.9重量%以下。若上述樹脂之含量為上述下限以上及上述上限以下,則連接可靠性進一步提高。 上述連接材料100重量%中,上述含金屬之粒子之含量較佳為0.01重量%以上,更佳為0.1重量%以上,且較佳為99重量%以下,更佳為95重量%以下,亦可為80重量%以下,亦可為60重量%以下,亦可為40重量%以下,亦可為20重量%以下,亦可為10重量%以下。若上述含金屬之粒子之含量為上述下限以上及上述上限以下,則連接可靠性進一步提高。又,若上述含金屬之粒子之含量為上述下限以上及上述上限以下,則可使含金屬之粒子充分存在於第1、第2連接對象構件間,藉由含金屬之粒子,能夠進一步抑制第1、第2連接對象構件間之間隔局部變狹之情況。因此,亦可抑制連接部之散熱性局部降低之情況。 上述連接材料亦可除了含金屬之粒子以外另行含有不具有基材粒子之含金屬原子之粒子。 作為上述含金屬原子之粒子,可列舉金屬粒子及金屬化合物粒子等。上述金屬化合物粒子包含金屬原子、與該金屬原子以外之原子。作為上述金屬化合物粒子之具體例,可列舉:金屬氧化物粒子、金屬之碳酸鹽粒子、金屬之羧酸鹽粒子及金屬之錯合物粒子等。上述金屬化合物粒子較佳為金屬氧化物粒子。例如,上述金屬氧化物粒子係於還原劑之存在下,藉由連接時之加熱成為金屬粒子後進行燒結。上述金屬氧化物粒子係金屬粒子之前驅物。作為上述金屬之羧酸鹽粒子,可列舉金屬之乙酸鹽粒子等。 作為構成上述金屬粒子及上述金屬氧化物粒子之金屬,可列舉:銀、銅、鎳及金等。較佳為銀或銅,尤佳為銀。因此,上述金屬粒子較佳為銀粒子或銅粒子,更佳為銀粒子。上述金屬氧化物粒子較佳為氧化銀粒子或氧化銅粒子,更佳為氧化銀粒子。於使用銀粒子及氧化銀粒子之情形時,連接後殘渣較少,體積減少率亦非常小。作為該氧化銀粒子中之氧化銀,可列舉Ag2
O及AgO。 上述含金屬原子之粒子較佳為於未達400℃之加熱下燒結。上述含金屬原子之粒子燒結之溫度(燒結溫度)更佳為350℃以下,且較佳為300℃以上。若上述含金屬原子之粒子燒結之溫度為上述上限以下或未達上述上限,則能夠有效率地進行燒結,進而能夠減小燒結所需之能量,且減小環境負荷。 含有上述含金屬原子之粒子之連接材料較佳為含有平均粒徑為1 nm以上且100 nm以下之金屬粒子之連接材料,或含有平均粒徑為1 nm以上且50 μm以下之金屬氧化物粒子與還原劑之連接材料。若使用此種連接材料,則藉由連接時之加熱而可使上述含金屬原子之粒子彼此良好地燒結。上述金屬氧化物粒子之平均粒徑較佳為5 μm以下。上述含金屬原子之粒子之粒徑於含金屬原子之粒子為真球狀之情形時表示直徑,於含金屬原子之粒子不為真球狀之情形時表示最大徑。 上述連接材料100重量%中,上述含金屬原子之粒子之含量較佳為10重量%以上,更佳為30重量%以上,進而較佳為50重量%以上,且為100重量%以下,較佳為99重量%以下,更佳為90重量%以下。亦可為上述連接材料之全部量為上述含金屬原子之粒子。若上述含金屬原子之粒子之含量為上述下限以上,則能夠使上述含金屬原子之粒子更緻密地燒結。其結果為,連接部之散熱性及耐熱性亦變高。 於上述含金屬原子之粒子為金屬氧化物粒子之情形時,較佳為使用還原劑。作為上述還原劑,可列舉:醇化合物(具有醇性羥基之化合物)、羧酸化合物(具有羧基之化合物)及胺化合物(具有胺基之化合物)等。上述還原劑可僅使用1種,亦可併用2種以上。 作為上述醇化合物,可列舉烷基醇。作為上述醇化合物之具體例,例如可列舉:乙醇、丙醇、丁醇、戊醇、己醇、庚醇、辛醇、壬醇、癸醇、十一烷基醇、十二烷基醇、十三烷基醇、十四烷基醇、十五烷基醇、十六烷基醇、十七烷基醇、十八烷基醇、十九烷基醇及二十烷基醇等。又,作為上述醇化合物,並不限於1級醇型化合物,亦可使用2級醇型化合物、3級醇型化合物、烷二醇及具有環狀結構之醇化合物。進而,作為上述醇化合物,亦可使用乙二醇及三乙二醇等具有多數之醇基之化合物。又,作為上述醇化合物,亦可使用檸檬酸、抗壞血酸及葡萄糖等化合物。 作為上述羧酸化合物,可列舉烷基羧酸等。作為上述羧酸化合物之具體例,可列舉:丁酸、戊酸、己酸、庚酸、辛酸、壬酸、癸酸、十一酸、十二酸、十三酸、十四酸、十五酸、十六酸、十七酸、十八酸、十九酸及二十酸等。又,上述羧酸化合物並不限於1級羧酸型化合物,亦可使用2級羧酸型化合物、3級羧酸型化合物、二羧酸及具有環狀結構之羧基化合物。 作為上述胺化合物,可列舉烷基胺等。作為上述胺化合物之具體例,可列舉:丁基胺、戊基胺、己基胺、庚基胺、辛基胺、壬基胺、癸基胺、十一烷基胺、十二烷基胺、十三烷基胺、十四烷基胺、十五烷基胺、十六烷基胺、十七烷基胺、十八烷基胺、十九烷基胺及二十烷基胺等。又,上述胺化合物亦可具有分支結構。作為具有分支結構之胺化合物,可列舉:2-乙基己基胺及1,5-二甲基己基胺等。上述胺化合物並不限於1級胺型化合物,亦可使用2級胺型化合物、3級胺型化合物及具有環狀結構之胺化合物。 進而,上述還原劑可為具有醛基、酯基、磺醯基或酮基等之有機物,亦可為羧酸金屬鹽等有機物。羧酸金屬鹽亦可用作金屬粒子之前驅物,另一方面,由於含有有機物,因此亦可用作金屬氧化物粒子之還原劑。 若使用具有較上述含金屬原子之粒子之燒結溫度(接合溫度)更低之熔點之還原劑,則有接合時凝聚而接合部容易產生孔隙之傾向。藉由使用羧酸金屬鹽,由於該羧酸金屬鹽不會因接合時之加熱而熔解,因此能夠抑制產生孔隙之情況。再者,亦可使用除了羧酸金屬鹽以外亦含有有機物之金屬化合物作為還原劑。 於使用上述還原劑之情形時,上述連接材料100重量%中,上述還原劑之含量較佳為1重量%以上,更佳為10重量%以上,且較佳為90重量%以下,更佳為70重量%以下,進而較佳為50重量%以下。若上述還原劑之含量為上述下限以上,則能夠使上述含金屬原子之粒子更緻密地燒結。其結果為,接合部之散熱性及耐熱性亦變高。 上述連接材料100重量%中,上述金屬氧化物粒子之含量較佳為10重量%以上,更佳為30重量%以上,進而較佳為60重量%以上,且較佳為99.99重量%以下,更佳為99.9重量%以下,進而較佳為99.5重量%以下,進而較佳為99重量%以下,尤佳為90重量%以下,最佳為80重量%以下。 於上述連接材料為糊劑之情形時,用於該糊劑之黏合劑並無特別限定。上述黏合劑較佳為於上述含金屬原子之粒子燒結時消失。上述黏合劑可僅使用1種,亦可併用2種以上。 作為上述黏合劑之具體例,作為溶劑而可列舉:脂肪族系溶劑、酮系溶劑、芳香族系溶劑、酯系溶劑、醚系溶劑、醇系溶劑、石蠟系溶劑及石油系溶劑等。 作為上述脂肪族系溶劑,可列舉:環己烷、甲基環己烷及乙基環己烷等。作為上述酮系溶劑,可列舉:丙酮及甲基乙基酮等。作為上述芳香族系溶劑,可列舉:甲苯及二甲苯等。作為上述酯系溶劑,可列舉:乙酸乙酯、乙酸丁酯及乙酸異丙酯等。作為上述醚系溶劑,可列舉:四氫呋喃(THF)、及二㗁烷等。作為上述醇系溶劑,可列舉:乙醇及丁醇等。作為上述石蠟系溶劑,可列舉:石蠟油及環烷油等。作為上述石油系溶劑,可列舉:松脂油及石腦油等。 (連接結構體) 本發明之連接結構體具備第1連接對象構件、第2連接對象構件、及連接第1、第2連接對象構件之連接部。於本發明之連接結構體中,上述連接部係由上述含金屬之粒子或上述連接材料所形成。上述連接部之材料係上述含金屬之粒子或上述連接材料。 本發明之連接結構體之製造方法包括:於第1連接對象構件與第2連接對象構件之間配置上述含金屬之粒子,或配置上述連接材料之步驟;及對上述含金屬之粒子進行加熱,使上述金屬部之上述突起之前端熔融,於熔融後固化,而藉由上述含金屬之粒子或上述連接材料形成將上述第1連接對象構件與上述第2連接對象構件連接之連接部之步驟。 圖9係模式性地表示使用本發明之第1實施形態之含金屬之粒子的連接結構體之剖視圖。 圖9所示之連接結構體51包括第1連接對象構件52、第2連接對象構件53、及連接第1、第2連接對象構件52、53之連接部54。連接部54包含含金屬之粒子1與樹脂(經硬化之樹脂等)。連接部54係由含有含金屬之粒子1之連接材料所形成。連接部54之材料係上述連接材料。連接部54較佳為藉由使連接材料硬化而形成。再者,於圖9中,含金屬之粒子1之金屬部3之突起3a的前端於熔融後固化。於連接部54中包含複數個含金屬之粒子1之接合體。於連接結構體51中,含金屬之粒子1與第1連接對象構件51接合,含金屬之粒子1與第2連接對象構件53接合。 亦可使用含金屬之粒子1A、1B、1C、1D、1E、1F、1G等其他含金屬之粒子代替含金屬之粒子1。 第1連接對象構件52於表面(上表面)具有複數個第1電極52a。第2連接對象構件53於表面(下表面)具有複數個第2電極53a。第1電極52a與第2電極53a藉由1個或複數個含金屬之粒子1而電性連接。因此,第1、第2連接對象構件52、53藉由含金屬之粒子1而電性連接。於連接結構體51中,含金屬之粒子1與第1電極52a接合,含金屬之粒子1與第2電極53a接合。 上述連接結構體之製造方法並無特別限定。作為連接結構體之製造方法之一例,可列舉於第1連接對象構件與第2連接對象構件之間配置上述連接材料,獲得積層體之後,對該積層體進行加熱及加壓之方法等。上述加壓之壓力為9.8×104
~4.9×106
Pa左右。上述加熱之溫度為120~220℃左右。 作為上述連接對象構件,具體而言,可列舉:半導體晶片、電容器及二極體等電子零件;以及作為印刷基板、軟性印刷基板、玻璃環氧基板及玻璃基板等電路基板之電子零件等。上述連接對象構件較佳為電子零件。上述含金屬之粒子較佳為用於電子零件中之電極之電性連接。 作為設置於上述連接對象構件之電極,可列舉:金電極、鎳電極、錫電極、鋁電極、銅電極、銀電極、SUS電極、鉬電極及鎢電極等金屬電極。於上述連接對象構件為軟性印刷基板之情形時,上述電極較佳為金電極、鎳電極、錫電極或銅電極。於上述連接對象構件為玻璃基板之情形時,上述電極較佳為鋁電極、銅電極、鉬電極或鎢電極。再者,於上述電極為鋁電極之情形時,可為僅由鋁形成之電極,亦可為於金屬氧化物層之表面積層鋁層而成之電極。作為上述金屬氧化物層之材料,可列舉摻雜有三價金屬元素之氧化銦及摻雜有三價金屬元素之氧化鋅等。作為上述三價金屬元素,可列舉:Sn、Al及Ga等。 圖10係模式性地表示使用本發明之第1實施形態之含金屬之粒子的連接結構體之變化例之剖視圖。 圖10所示之連接結構體61具備第1連接對象構件62、第2連接對象構件63及64、以及連接第1連接對象構件62與第2連接對象構件63及64之連接部65、66。連接部65、66係使用含有含金屬之粒子1與其他含金屬之粒子67之連接材料所形成。連接部65、66之材料係上述連接材料。 於第1連接對象構件62之第1表面(一側之表面)側配置有連接部65及第2連接對象構件63。連接部65連接第1連接對象構件62與第2連接對象構件63。 於與第1連接對象構件62之第1表面相反之第2表面(另一側之表面)側配置有連接部66及第2連接對象構件64。連接部66連接第1連接對象構件62與第2連接對象構件64。 於第1連接對象構件62與第2連接對象構件63、64之間分別配置有含金屬之粒子1、與含金屬之粒子67。於本實施形態中,於連接部65、66中,含金屬原子之粒子及含金屬之粒子1為經燒結之燒結物之狀態。於第1連接對象構件62與第2連接對象構件63、64間配置有含金屬之粒子1。藉由含金屬之粒子1而將第1連接對象構件62與第2連接對象構件63、64連接。 於第2連接對象構件63之與連接部65側相反之表面配置有散熱片68。於第2連接對象構件64之與連接部66側為相反側之表面配置有散熱片69。因此,連接結構體61具有依序積層有散熱片68、第2連接對象構件63、連接部65、第1連接對象構件62、連接部66、第2連接對象構件64及散熱片69之部分。 作為第1連接對象構件62,可列舉:整流二極體、功率電晶體(功率MOSFET,絕緣閘極雙極電晶體)、閘流體、閘極截止閘流體及三端雙向可控矽開關等所使用之Si、SiC、GaN等為材料之功率半導體元件等。於具備此種第1連接對象構件62之連接結構體61中,在使用連接結構體61時,第1連接對象構件62中容易產生較大之熱量。因此,必須使由第1連接對象構件62產生之熱量有效率地發散至散熱片68、69等。因此,對於配置於第1連接對象構件62與散熱片68、69之間之連接部65、66,要求較高之散熱性與較高之可靠性。 作為第2連接對象構件63、64,可列舉:陶瓷、塑膠等為材料之基板等。 連接部65、66係藉由對上述連接材料進行加熱,使上述含金屬之粒子之前端熔融後固化所形成。 (導通檢查用構件或導通用構件) 本發明之粒子連結體、及連接材料亦可應用於導通檢查用構件或導通用構件。以下,記載導通檢查用構件之一態樣。再者,導通檢查用構件並不限定於下述態樣。上述導通檢查用構件及上述導通用構件亦可為片狀導通用構件。 圖19(a)、(b)係表示導通檢查用構件之一例之俯視圖及剖視圖。圖19(b)係沿圖19(a)中之A-A線之剖視圖。 圖19(a)、(b)所示之導通檢查用構件11具備具有貫通孔12a之基體12、及配置於基體12之貫通孔12a內之導電部13。導電部13之材料含有上述含金屬之粒子。導通檢查用構件11亦可為導通用構件。 上述基體係成為上述導通檢查用構件之基板之構件。上述基體較佳為具有絕緣性,上述基體較佳為由絕緣性之材料所形成。作為絕緣性之材料,例如可列舉絕緣性樹脂。 構成上述基體之絕緣性樹脂例如可為熱塑性樹脂及熱硬化性樹脂之任一者。作為熱塑性樹脂,可列舉:聚酯樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚乙烯樹脂、聚醯胺樹脂、ABS樹脂、及聚碳酸酯樹脂等。作為熱硬化性樹脂,可列舉:環氧樹脂、胺基甲酸酯樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醚醚酮樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚醚醯亞胺系樹脂、聚矽氧樹脂、及酚樹脂等。作為聚矽氧樹脂,可列舉聚矽氧橡膠等。 於上述基體係由絕緣性樹脂所形成之情形時,構成上述基體之絕緣性樹脂可僅使用1種,亦可併用2種以上。 上述基體例如為板狀、片狀等。片狀中包括膜狀。上述基體之厚度可根據導通檢查用構件之種類而適當設定,例如可為0.005 mm以上且50 mm以下之厚度。上述基體之俯視下之大小亦可根據目標檢查裝置而適當設定。 上述基體例如可藉由以上述之絕緣性樹脂等絕緣性材料作為原料,成形為所需之形狀而獲得。 於上述基體配置有複數個上述基體之上述貫通孔。上述貫通孔較佳為沿上述基體之厚度方向貫通。 上述基體之上述貫通孔可形成為圓柱狀,但並不限於圓柱狀,亦可形成為其他形狀,例如亦可形成為多角柱狀。又,上述貫通孔可形成為沿一方向前端變細之錐形,除此以外,亦可形成為變形之形狀。 亦可將上述貫通孔之大小、例如俯視下之上述貫通孔之視面積形成為合適之大小,例如形成為可收容導電部且可保持之程度之大小即可。若上述貫通孔為例如圓柱狀,則上述貫通孔之直徑較佳為0.01 mm以上,且較佳為10 mm以下。 再者,上述基體之上述貫通孔可全部為相同之形狀、相同之大小,上述基體之上述貫通孔之一部分之形狀或大小亦可與其他貫通孔不同。 上述基體之上述貫通孔之個數亦可於合適之範圍內進行設定,具有可進行導通檢查之程度之個數即可,可根據目標檢查裝置而適當設定。又,上述基體之上述貫通孔之配置部位亦可根據目標檢查裝置而適當設定。 形成上述基體之上述貫通孔之方法並無特別限定,可藉由公知之方法(例如雷射加工)形成貫通孔。 上述基體之上述貫通孔內之導電部具有導電性。 具體而言,導電部含有源自上述含金屬之粒子之粒子。例如,導電部係將複數個含金屬之粒子收容至貫通孔內而形成。上述導電部包含源自含金屬之粒子之粒子之集合體(粒子群)。 上述導電部之材料亦可含有上述含金屬之粒子以外之材料。例如,上述導電部之材料可除了上述含金屬之粒子以外亦含有黏合劑。藉由上述導電部之材料含有黏合劑,上述含金屬之粒子更牢固地集合,藉此容易將源自上述含金屬之粒子之粒子保持於上述貫通孔內。 作為上述黏合劑,並無特別限定,例如可列舉:光硬化性樹脂、熱硬化性樹脂。上述光硬化性樹脂較佳為包含光硬化性樹脂及光聚合起始劑。上述熱硬化性樹脂較佳為包含熱硬化性樹脂及熱硬化劑。作為上述樹脂,例如可列舉:聚矽氧系共聚物、乙烯基樹脂、熱塑性樹脂、硬化性樹脂、熱塑性嵌段共聚物及彈性體等。上述樹脂可僅使用1種,亦可併用2種以上。 較佳為將源自上述含金屬之粒子之粒子緊密地填充至上述貫通孔內,於該情形時,可藉由上述導通檢查用構件進行更確實之導通檢查。較佳為將上述導電部以可將導通檢查用構件或導通用構件之正面及背面導通之方式收容至上述貫通孔內。 於上述導電部中,源自上述含金屬之粒子之粒子較佳為自導電部之正面連續至背面,源自上述含金屬之粒子之粒子以互相接觸之方式存在。於該情形時,上述導電部之導通性提高。 將上述導電部收容至上述貫通孔內之方法並無特別限定。例如,藉由利用將包含上述含金屬之粒子與黏合劑之材料塗佈於基體之方法將上述含金屬之粒子填充至貫通孔內並於合適之條件下使其硬化,可於貫通孔內形成導電部。藉此,將導電部收容至貫通孔內。於包含上述含金屬之粒子與黏合劑之材料中亦可視需要而含有溶劑。 包含上述含金屬之粒子與黏合劑之材料中,相對於上述含金屬之粒子100重量份,黏合劑之含量以固形物成分換算計,較佳為5重量份以上,更佳為10重量份以上,且較佳為70重量份以下,更佳為50重量份以下。 上述導通檢查用構件可用作探針卡。再者,上述導通檢查用構件只要為不阻礙本發明之效果之程度,則亦可具備其他構成要素。 圖20(a)~(c)係模式性地表示藉由導通檢查用構件檢查電子電路設備之電特性之情況的圖。 於圖20(a)~(c)中,電子電路設備為BGA基板31(球柵陣列基板)。BGA基板31係具有將連接墊以格子狀排列於多層基板31A,且於各墊上配設有焊料球31B之結構之基板。又,於圖20(a)~(c)中,導通檢查用構件21為探針卡。導通檢查用構件21於基體22上形成有複數個貫通孔22a,於貫通孔22a內收容有導電部23。如圖20(a)般準備BGA基板31與導通檢查用構件21,如圖20(b)般使BGA基板31與導通檢查用構件21接觸並將其壓縮。此時,焊料球31B與貫通孔22a內之導電部23接觸。於該狀態下,如圖20(c)般連接電流計32而實施導通檢查,從而可判定BGA基板31之合格與否。 以下,列舉實施例及比較例,對本發明進行具體說明。本發明並不僅限定於以下之實施例。 (實施例1) 作為基材粒子A,準備粒徑為3.0 μm之二乙烯苯共聚物樹脂粒子(積水化學工業公司製造之「Micropearl SP-203」)。 使用超音波分散器使10重量份之基材粒子A分散於含有鈀觸媒液5重量%之鹼溶液100重量份中後,藉由將溶液進行過濾而取出基材粒子A。繼而,將基材粒子A添加至二甲胺硼烷1重量%溶液100重量份中,將基材粒子A之表面活化。將表面經活化之基材粒子A充分水洗後,添加至蒸餾水500重量份中,使其分散,藉此獲得懸浮液(A)。 繼而,花費3分鐘將金屬鎳粒子漿料(三井金屬公司製造之「2020SUS」,平均粒徑150 nm)1重量份添加至上述懸浮液(A)中,而獲得含有附著有芯物質之基材粒子A之懸浮液(B)。 將懸浮液(B)加入至含有硫酸銅20 g/L、及乙二胺四乙酸30 g/L之溶液中,而獲得粒子混合液(C)。 又,作為無電解鍍銅液,準備藉由氨將含有硫酸銅250 g/L、乙二胺四乙酸150 g/L、葡萄糖酸鈉100 g/L、及甲醛50 g/L之混合液之pH值調整為10.5而成之鍍銅液(D)。 又,作為無電解鍍銀液,準備藉由氨水將含有硝酸銀30 g/L、丁二醯亞胺100 g/L、及甲醛20 g/L之混合液之pH值調整為8.0而成之鍍銀液(E)。 又,準備含有二甲胺硼烷100 g/L、及氫氧化鈉0.5 g/L之突起形成用鍍覆液(F)(pH值10.0)。 於調整為55℃之分散狀態之粒子混合液(C)中緩慢滴加上述鍍銅液(D),進行無電解鍍銅。於鍍銅液(D)之滴加速度為30 mL/分鐘、滴加時間為30分鐘之條件下進行無電解鍍銅。以此方式獲得含有於樹脂粒子之表面配置有銅金屬部,具備表面具有凸部之金屬部之粒子的粒子混合液(G)。 其後,藉由過濾粒子混合液(G)而取出粒子,並進行水洗,藉此獲得於上述基材粒子A之表面上配置有銅金屬部,具備表面具有凸部之金屬部之粒子。將該粒子充分水洗後,加入至蒸餾水500重量份中,使其分散,藉此獲得粒子混合液(H)。 繼而,於調整為60℃之分散狀態之粒子混合液(H)中緩慢滴加上述鍍銀液(E),進行無電解鍍銀。於鍍銀液(E)之滴加速度為10 mL/分鐘、滴加時間為30分鐘之條件下進行無電解鍍銀。其後,緩慢滴加上述突起形成用鍍覆液(F)而進行突起形成。於突起形成用鍍覆液(F)之滴加速度為1 mL/分鐘、滴加時間為10分鐘之條件下進行突起形成。於突起形成用鍍覆液(F)之滴加中,一邊藉由超音波攪拌將所產生之銀突起核分散一邊進行鍍銀(突起形成步驟)。其後,藉由進行過濾而取出粒子,並進行水洗、乾燥,藉此獲得於基材粒子A之表面上配置有銅及銀金屬部(無凸部之部分之金屬部整體之厚度:0.1 μm),具備表面具有凸部且於凸部之表面上具有複數個突起之金屬部的含金屬之粒子。 (實施例2) 將金屬鎳粒子漿料變更為氧化鋁粒子漿料(平均粒徑150 nm),除此以外,以與實施例1同樣之方式獲得含金屬之粒子。 (實施例3) 將實施例1中獲得之懸浮液(A)加入至含有硫酸鎳40 ppm、檸檬酸三鈉2 g/L、及氨水10 g/L之溶液中,而獲得粒子混合液(B)。 作為針狀突起形成用鍍覆液,而準備藉由氨水將含有硫酸銅100 g/L、硫酸鎳10 g/L、次磷酸鈉100 g/L、檸檬酸三鈉70 g/L、硼酸10 g/L、及作為非離子界面活性劑之聚乙二醇1000(分子量:1000)5 mg/L之混合液的pH值調整為10.0而成之作為無電解鍍銅-鎳-磷合金液之針狀突起形成用鍍覆液(C)。 又,作為無電解鍍銀液,而準備藉由氨水將硝酸銀30 g/L、丁二醯亞胺100 g/L、及甲醛20 g/L之混合液之pH值調整為8.0而成之鍍銀液(D)。 又,準備含有二甲胺硼烷100 g/L、及氫氧化鈉0.5 g/L之突起形成用鍍覆液(E)(pH值10.0)。 於調整為70℃之分散狀態之粒子混合液(B)中緩慢滴加上述針狀突起形成用鍍覆液(C),而形成針狀突起。於針狀突起形成用鍍覆液(C)之滴加速度為40 mL/分鐘、滴加時間為60分鐘之條件下進行無電解鍍銅-鎳-磷合金(針狀突起形成及銅-鎳-磷合金鍍覆步驟)。其後,藉由進行過濾取出粒子,而獲得於基材粒子A之表面上配置有銅-鎳-磷合金金屬部,而具備表面具有凸部之金屬部之粒子(F)。將粒子(F)添加至蒸餾水500重量份中,使其分散,藉此獲得懸浮液(G)。 其後,藉由過濾懸浮液(G)而取出粒子,並進行水洗,藉此獲得於上述基材粒子A之表面上配置有銅-鎳-磷合金金屬部,而具備表面具有針狀凸部之金屬部之粒子。將該粒子充分水洗後,加入至蒸餾水500重量份中,使其分散,藉此獲得粒子混合液(H)。 繼而,於調整為60℃之分散狀態之粒子混合液(H)中緩慢滴加上述鍍銀液(D),進行無電解鍍銀。於鍍銀液(D)之滴加速度為10 mL/分鐘、滴加時間為30分鐘之條件下進行無電解鍍銀。其後,緩慢滴加上述突起形成用鍍覆液(E),而進行突起形成。於突起形成用鍍覆液(E)之滴加速度為1 mL/分鐘、滴加時間為10分鐘之條件下進行突起形成。於突起形成用鍍覆液(E)之滴加中,一邊藉由超音波攪拌將所產生之銀突起核分散一邊進行鍍銀(突起形成步驟)。其後,藉由進行過濾取出粒子,並進行水洗、乾燥,藉此獲得於基材粒子A之表面上配置有銅-鎳-磷合金及銀金屬部(無凸部之部分中之金屬部整體之厚度:0.1 μm),而具備表面具有複數個針狀凸部,且於凸部之表面上具有複數個突起之金屬部之含金屬之粒子。 (實施例4) 將實施例1中獲得之懸浮液(A)加入至含有硫酸鎳80 g/L、硝酸鉈10 ppm及硝酸鉍5 ppm之溶液中,而獲得粒子混合液(B)。 作為針狀突起形成用鍍覆液,而準備藉由氫氧化鈉將含有氯化鎳100 g/L、肼一水合物100 g/L、檸檬酸三鈉50 g/L、及聚乙二醇1000(分子量:1000)20 mg/L之混合液之pH值調整為9.0而成之作為無電解鍍高純度鎳液之針狀突起形成用鍍覆液(C)。 又,作為無電解鍍銀液,而準備藉由氨水將含有硝酸銀30 g/L、丁二醯亞胺100 g/L、及甲醛20 g/L之混合液之pH值調整為8.0而成之鍍銀液(D)。 又,準備含有二甲胺硼烷100 g/L、及氫氧化鈉0.5 g/L之突起形成用鍍覆液(E)(pH值10.0)。 於調整為60℃之分散狀態之粒子混合液(B)中緩慢滴加上述針狀突起形成用鍍覆液(C),而形成針狀突起。於針狀突起形成用鍍覆液(C)之滴加速度為20 mL/分鐘、滴加時間為50分鐘之條件下進行無電解鍍高純度鎳(針狀突起形成及銅-鎳-磷合金鍍覆步驟)。其後,藉由過濾取出粒子,而獲得於基材粒子A之表面上配置有高純度鎳金屬部,而具備表面具有凸部之金屬部之粒子(F)。將粒子(F)添加至蒸餾水500重量份中,使其分散,藉此獲得懸浮液(G)。 其後,藉由過濾懸浮液(G)而取出粒子,並進行水洗,藉此獲得於上述基材粒子A之表面上配置高純度鎳金屬部,而具備表面具有針狀凸部之金屬部之粒子。將該粒子充分水洗後,加入至蒸餾水500重量份中,使其分散,藉此獲得粒子混合液(H)。 繼而,於調整為60℃之分散狀態之粒子混合液(H)中緩慢滴加上述鍍銀液(D),進行無電解鍍銀。於鍍銀液(D)之滴加速度為10 mL/分鐘、滴加時間為30分鐘之條件下進行無電解鍍銀。其後,緩慢滴加上述突起形成用鍍覆液(E),而進行突起形成。於突起形成用鍍覆液(E)之滴加速度為1 mL/分鐘、滴加時間為10分鐘之條件下進行突起形成。於突起形成用鍍覆液(E)之滴加中,一邊藉由超音波攪拌將所產生之銀突起核分散一邊進行鍍銀(突起形成步驟)。其後,藉由進行過濾取出粒子,而獲得於基材粒子A之表面上配置有高純度鎳及銀金屬部,而具備表面具有針狀凸部,且於凸部之表面上具有複數個突起之金屬部之粒子混合液(I)。 其後,藉由將粒子混合液(I)進行過濾而取出粒子,並進行水洗、乾燥,藉此獲得於基材粒子A之表面上配置有高純度鎳及銀金屬部(無凸部之部分中之金屬部整體之厚度:0.1 μm),而具備表面具有複數個針狀凸部,且於凸部之表面上具有複數個突起之金屬部之含金屬之粒子。 (實施例5) 將實施例1中獲得之懸浮液(A)加入至含有硝酸銀500 ppm、丁二醯亞胺10 g/L、氨水10 g/L之溶液中,而獲得粒子混合液(B)。 作為無電解鍍銀液,而準備藉由氨水將含有硝酸銀30 g/L、丁二醯亞胺100 g/L、及甲醛20 g/L之混合液之pH值調整為8而成之鍍銀液(C)。 又,準備含有二甲胺硼烷100 g/L、及氫氧化鈉0.5 g/L之突起形成用鍍覆液(D)(pH值10.0)。 於調整為60℃之分散狀態之粒子混合液(B)中緩慢滴加上述無電解鍍銀液(C),而形成針狀突起。於無電解鍍銀液(C)之滴加速度為10 mL/分鐘、滴加時間為30分鐘之條件下進行無電解鍍銀(鍍銀步驟)。其後,緩慢滴加上述突起形成用鍍覆液(D),而進行突起形成。於突起形成用鍍覆液(D)之滴加速度為1 mL/分鐘、滴加時間為10分鐘之條件下進行突起形成。於突起形成用鍍覆液(D)之滴加中,一邊藉由超音波攪拌將所產生之銀突起核分散一邊進行鍍銀(突起形成步驟)。其後,藉由進行過濾取出粒子,並進行水洗、乾燥,藉此獲得於基材粒子A之表面上配置有銀金屬部(無突起之部分中之金屬部整體之厚度:0.1 μm),而具備表面上具有複數個突起之金屬部之含金屬之粒子。 (實施例6) 將實施例1中獲得之懸浮液(A)加入至含有氰化銀鉀500 ppm、氰化鉀10 g/L、及氫氧化鉀10 g/L之溶液中,而獲得粒子混合液(B)。 作為針狀突起形成用鍍覆液,而準備藉由氫氧化鉀將含有氰化銀鉀80 g/L、氰化鉀10 g/L、聚乙二醇1000(分子量:1000)20 mg/L、硫脲50 ppm、及肼一水合物100 g/L之混合液之pH值調整為7.5而成之鍍銀液(C)。 於調整為80℃之分散狀態之粒子混合液(B)中緩慢滴加上述無電解鍍銀液(C),而形成針狀突起。於無電解鍍銀液(C)之滴加速度為10 mL/分鐘、滴加時間為60分鐘之條件下進行無電解鍍銀(針狀突起形成及鍍銀步驟)。其後,藉由進行過濾取出粒子,並進行水洗、乾燥,藉此獲得於樹脂粒子之表面配置有銀金屬部(無突起之部分中之金屬部整體之厚度:0.1 μm),而具備表面形成有複數個針狀突起之銀金屬部之含金屬之粒子。 (實施例7) 將實施例1中獲得之懸浮液(A)加入至含有氰化銀鉀500 ppm、氰化鉀10 g/L、及氫氧化鉀10 g/L之溶液中,而獲得粒子混合液(B)。 作為針狀突起形成用鍍覆液,而準備藉由氫氧化鉀將含有氰化銀鉀80 g/L、氰化鉀10 g/L、聚乙二醇1000(分子量:1000)20 mg/L、硫脲50 ppm、及肼一水合物100 g/L之混合液之pH值調整為7.5而成之鍍銀液(C)。 又,作為無電解鍍銀液,而準備藉由氨水將含有硝酸銀30 g/L、丁二醯亞胺100 g/L、及甲醛20 g/L之混合液之pH值調整為8.0而成之鍍銀液(D)。 又,準備含有二甲胺硼烷100 g/L、及氫氧化鈉0.5 g/L之突起形成用鍍覆液(E)(pH值10.0)。 於調整為80℃之分散狀態之粒子混合液(B)中緩慢滴加上述無電解鍍銀液(C),而形成針狀突起。於無電解鍍銀液(C)之滴加速度為10 mL/分鐘、滴加時間為45分鐘之條件下進行無電解鍍銀(針狀突起形成及鍍銀步驟)。 其後,藉由進行過濾取出粒子,而獲得於基材粒子A之表面上配置有銀金屬部,而具備表面具有針狀凸部之金屬部之粒子(F)。將粒子(F)加入至蒸餾水500重量份中,使其分散,藉此獲得粒子混合液(G)。 繼而,於調整為60℃之分散狀態之粒子混合液(G)中緩慢滴加上述鍍銀液(D),進行無電解鍍銀。於鍍銀液(D)之滴加速度為10 mL/分鐘、滴加時間為30分鐘之條件下進行無電解鍍銀。其後,緩慢滴加上述突起形成用鍍覆液(E),而進行突起形成。於突起形成用鍍覆液(E)之滴加速度為1 mL/分鐘、滴加時間為10分鐘之條件下進行突起形成。於突起形成用鍍覆液(E)之滴加中,一邊藉由超音波攪拌將所產生之銀突起核分散一邊進行鍍銀(突起形成步驟)。其後,藉由進行過濾取出粒子,並進行水洗、乾燥,藉此獲得於基材粒子A之表面上配置有銀金屬部(無凸部之部分中之金屬部整體之厚度:0.1 μm),而具備表面具有複數個針狀凸部,且於凸部之表面上具有複數個突起之金屬部之含金屬之粒子。 (實施例8) 將實施例1中獲得之懸浮液(B)加入至含有硫酸鎳50 g/L、硝酸鉈30 ppm及硝酸鉍20 ppm之溶液中,而獲得粒子混合液(C)。 作為無電解鎳-鎢-硼合金鍍覆液,而準備藉由氫氧化鈉將含有硫酸鎳100 g/L、鎢酸鈉5 g/L、二甲胺硼烷30 g/L、硝酸鉍10 ppm、及檸檬酸三鈉30 g/L之混合液之pH值調整為6而成之無電解鎳-鎢-硼合金鍍覆液(D)。 又,作為無電解鍍銀液,而準備藉由氨水將硝酸銀30 g/L、丁二醯亞胺100 g/L、及甲醛20 g/L之混合液之pH值調整為8.0而成之鍍銀液(E)。 又,準備含有二甲胺硼烷100 g/L、及氫氧化鈉0.5 g/L之突起形成用鍍覆液(F)(pH值10.0)。 於調整為60℃之分散狀態之粒子混合液(C)中緩慢滴加上述無電解鎳-鎢-硼合金鍍覆液(D),進行無電解鎳-鎢-硼合金鍍覆。於無電解鎳-鎢-硼合金鍍覆液(D)之滴加速度為15 mL/分鐘、滴加時間為60分鐘之條件下進行無電解鎳-鎢-硼合金鍍覆。由此獲得含有於基材粒子A之表面上配置有鎳-鎢-硼合金金屬部,而具備表面具有凸部之金屬部之粒子的粒子混合液(G)。 其後,藉由過濾粒子混合液(G)而取出粒子,並進行水洗,藉此獲得於上述基材粒子A之表面上配置有鎳-鎢-硼合金金屬層,而具備表面具有凸部之金屬部之粒子。將該粒子充分水洗後,加入至蒸餾水500重量份中,使其分散,藉此獲得粒子混合液(H)。 繼而,於調整為60℃之分散狀態之粒子混合液(H)中緩慢滴加上述鍍銀液(E),進行無電解鍍銀。於鍍銀液(E)之滴加速度為10 mL/分鐘、滴加時間為30分鐘之條件下進行無電解鍍銀。其後,緩慢滴加上述突起形成用鍍覆液(F)而進行突起形成。於突起形成用鍍覆液(F)之滴加速度為1 mL/分鐘、滴加時間為10分鐘之條件下進行突起形成。於突起形成用鍍覆液(F)之滴加中,一邊藉由超音波攪拌將所產生之銀突起核分散一邊進行鍍銀(突起形成步驟)。其後,藉由進行過濾取出粒子,並進行水洗、乾燥,藉此獲得於基材粒子A之表面上配置有鎳-鎢-硼合金及銀金屬部(無凸部之部分中之金屬部整體之厚度:0.1 μm),而具備表面具有複數個凸部,且於凸部之表面上具有複數個突起之金屬部之含金屬之粒子。 (實施例9) 將實施例1中獲得之懸浮液(B)加入至含有硫酸鎳50 g/L、硝酸鉈30 ppm及硝酸鉍20 ppm之溶液中,而獲得粒子混合液(C)。 作為無電解鎳-鎢-硼合金鍍覆液,而準備藉由氫氧化鈉將含有硫酸鎳100 g/L、鎢酸鈉2 g/L、二甲胺硼烷30 g/L、硝酸鉍10 ppm、及檸檬酸三鈉30 g/L之混合液之pH值調整為6而成之無電解鎳-鎢-硼合金鍍覆液(D)。 又,作為無電解鍍金液,而準備藉由氫氧化鉀將含有氰化金鉀30 g/L、氰化鉀2 g/L、檸檬酸三鈉30 g/L、乙二胺四乙酸15 g/L、氫氧化鉀10 g/L、及二甲胺硼烷20 g/L之混合液之pH值調整為8.0而成之鍍金液(E)。 又,準備含有硼氫化鈉30 g/L、及氫氧化鈉0.5 g/L之突起形成用鍍覆液(F)(pH值10.0)。 於調整為60℃之分散狀態之粒子混合液(C)中緩慢滴加上述無電解鎳-鎢-硼合金鍍覆液(D),進行無電解鎳-鎢-硼合金鍍覆。於無電解鎳-鎢-硼合金鍍覆液(D)之滴加速度為15 mL/分鐘、滴加時間為60分鐘之條件下進行無電解鎳-鎢-硼合金鍍覆。由此獲得於基材粒子A之表面上配置有鎳-鎢-硼合金金屬部,而具備表面具有凸部之金屬部之粒子(G)。 其後,藉由過濾懸浮液(G)而取出粒子,並進行水洗,藉此獲得於上述基材粒子A之表面上配置有鎳-鎢-硼合金金屬部,而具備表面具有凸部之金屬部之粒子。將該粒子充分水洗後,加入至蒸餾水500重量份中,使其分散,藉此獲得粒子混合液(H)。 繼而,於調整為60℃之分散狀態之粒子混合液(H)中緩慢滴加上述無電解鍍金液(E),而進行無電解鍍金。於無電解鍍金液(E)之滴加速度為10 mL/分鐘、滴加時間為30分鐘之條件下進行無電解鍍金。其後,緩慢滴加上述突起形成用鍍覆液(F)而進行突起形成。於突起形成用鍍覆液(F)之滴加速度為1 mL/分鐘、滴加時間為5分鐘之條件下進行突起形成。於突起形成用鍍覆液(F)之滴加中,一邊藉由超音波攪拌將所產生之金突起核分散一邊進行鍍金(突起形成步驟)。其後,藉由進行過濾取出粒子,並進行水洗、乾燥,藉此獲得於基材粒子A之表面上配置有鎳-鎢-硼合金及金金屬部(無凸部之部分中之金屬部整體之厚度:0.1 μm),而具備表面具有複數個凸部,且於凸部之表面上具有複數個突起之金屬部之含金屬之粒子。 (實施例10) 將實施例1中獲得之懸浮液(B)加入至含有硫酸銅20 g/L、及乙二胺四乙酸30 g/L之溶液中,而獲得粒子混合液(C)。 又,作為無電解鍍銅液,而準備藉由氨將含有硫酸銅250 g/L、乙二胺四乙酸150 g/L、葡萄糖酸鈉100 g/L、及甲醛50 g/L之混合液之pH值調整為10.5而成之鍍銅液(D)。 又,作為無電解鍍錫液,而準備藉由硫酸將含有氯化錫20 g/L、氮基三乙酸50 g/L、硫脲2 g/L、硫代蘋果酸1 g/L、乙二胺四乙酸7.5 g/L、及三氯化鈦15 g/L之混合液之pH值調整為7.0而成之鍍錫液(E)。 又,準備含有二甲胺硼烷100 g/L之突起形成用鍍覆液(F)(pH值7.0)。 於調整為55℃之分散狀態之粒子混合液(C)中緩慢滴加上述鍍銅液(D),進行無電解鍍銅。於鍍銅液(D)之滴加速度為30 mL/分鐘、滴加時間為30分鐘之條件下進行無電解鍍銅。其後,藉由進行過濾取出粒子,由此獲得含有於基材粒子A之表面上配置有銅金屬部,而具備表面具有凸部之金屬部之粒子的粒子混合液(G)。 其後,藉由過濾粒子混合液(G)而取出粒子,並進行水洗,藉此獲得於上述基材粒子A之表面上配置銅金屬部,而具備表面具有凸部之金屬部之粒子。將該粒子充分水洗後,加入至蒸餾水500重量份中,使其分散,藉此獲得粒子混合液(H)。 繼而,於調整為60℃之分散狀態之粒子混合液(H)中緩慢滴加上述鍍錫液(E),而進行無電解鍍錫。於鍍錫液(E)之滴加速度為10 mL/分鐘、滴加時間為30分鐘之條件下進行無電解鍍錫。其後,緩慢滴加上述突起形成用鍍覆液(F)而進行突起形成。於突起形成用鍍覆液(F)之滴加速度為1 mL/分鐘、滴加時間為10分鐘之條件下進行突起形成。於突起形成用鍍覆液(F)之滴加中,一邊藉由超音波攪拌將所產生之錫突起核分散一邊進行鍍錫(突起形成步驟)。其後,藉由進行過濾取出粒子,並進行水洗、乾燥,藉此獲得於基材粒子A之表面上配置有銅及錫金屬部(無凸部之部分中之金屬部整體之厚度:0.1 μm),而具備表面具有複數個凸部,且於凸部之表面上具有複數個突起之金屬部之含金屬之粒子。 (實施例11) (1)聚矽氧低聚物之製作 於設置於溫浴槽內之100 ml之可分離式燒瓶中加入1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷1重量份、與0.5重量%對甲苯磺酸水溶液20重量份。於40℃下攪拌1小時後,添加碳酸氫鈉0.05重量份。其後,添加二甲氧基甲基苯基矽烷10重量份、二甲基二甲氧基矽烷49重量份、三甲基甲氧基矽烷0.6重量份、及甲基三甲氧基矽烷3.6重量份,進行1小時之攪拌。其後,添加10重量%氫氧化鉀水溶液1.9重量份,一邊升溫至85℃並藉由吸出器減壓,一邊攪拌10小時,而進行反應。反應結束後,恢復至常壓並冷卻至40℃,添加乙酸0.2重量份,於分液漏斗內靜置12小時以上。取出二層分離後之下層,利用蒸發器進行精製,藉此獲得聚矽氧低聚物。 (2)聚矽氧粒子材料(含有有機聚合物)之製作 準備於所獲得之聚矽氧低聚物30重量份中溶解2-乙基過氧己酸第三丁酯(聚合起始劑,日油公司製造之「Perbutyl O」)0.5重量份而成之溶解液A。又,於離子交換水150重量份中混合月桂基硫酸三乙醇胺鹽40重量%水溶液(乳化劑)0.8重量份與聚乙烯醇(聚合度:約2000,皂化度:86.5~89莫耳%,日本合成化學公司製造之「Gohsenol GH-20」)之5重量%水溶液80重量份,而準備水溶液B。將上述溶解液A加入設置於溫浴槽中之可分離式燒瓶中後,添加上述水溶液B。其後,藉由使用Shirasu Porous Glass(SPG)膜(細孔平均徑約1 μm)進行乳化。其後,升溫至85℃,進行9小時之聚合。藉由離心分離將聚合後之粒子之全部量進行水洗淨,並進行冷凍乾燥。乾燥後,藉由球磨機進行粉碎直至粒子之凝聚體成為目標比(平均2次粒徑/平均1次粒徑)為止,而獲得粒徑為3.0 μm之聚矽氧粒子(基材粒子B)。 將上述基材粒子A變更為上述基材粒子B,以與實施例1同樣之方式形成金屬部,而獲得含金屬之粒子。 (實施例12) 使用兩封端丙烯酸聚矽氧油(信越化學工業公司製造之「X-22-2445」)代替聚矽氧低聚物而獲得粒徑為3.0 μm之聚矽氧粒子(基材粒子C)。 將上述基材粒子A變更為上述基材粒子C,以與實施例1同樣之方式形成金屬部,而獲得含金屬之粒子。 (實施例13) 準備純銅粒子(Nippon Atomized Metal Powders Corporation製造之「HXR-Cu」,粒徑2.5 μm)作為基材粒子D。 將上述基材粒子A變更為上述基材粒子D,以與實施例1同樣之方式形成金屬部,而獲得含金屬之粒子。 (實施例14) 準備純銀粒子(粒徑2.5 μm)作為基材粒子E。 將上述基材粒子A變更為上述基材粒子E,以與實施例1同樣之方式形成金屬部,而獲得含金屬之粒子。 (實施例15) 準備僅粒徑與基材粒子A不同、粒徑為2.0 μm之基材粒子F。 將上述基材粒子A變更為上述基材粒子F,以與實施例1同樣之方式形成金屬部,而獲得含金屬之粒子。 (實施例16) 準備僅粒徑與基材粒子A不同、粒徑為10.0 μm之基材粒子G。 將上述基材粒子A變更為上述基材粒子G,以與實施例1同樣之方式形成金屬部,而獲得含金屬之粒子。 (實施例17) 準備僅粒徑與基材粒子A不同、粒徑為50.0 μm之基材粒子H。 將上述基材粒子A變更為上述基材粒子H,以與實施例1同樣之方式形成金屬部,而獲得含金屬之粒子。 (實施例18) 於安裝有四口可分離式蓋、攪拌翼、三向旋塞、冷卻管及溫度探針之1000 mL之可分離式燒瓶中,以固形物成分率成為5重量%之方式稱取包含甲基丙烯酸甲酯100 mmol、N,N,N-三甲基-N-2-甲基丙烯醯氧基乙基氯化銨1 mmol、及2,2'-偶氮雙(2-脒基丙烷)二鹽酸鹽1 mmol之單體組合物加入離子交換水中後,以200 rpm加以攪拌,於氮氣環境、70℃下進行24小時之聚合。反應結束後,進行冷凍乾燥,而獲得表面具有銨基、且平均粒徑為220 nm及CV值為10%之絕緣性粒子。 於超音波照射下使絕緣性粒子分散於離子交換水中,而獲得絕緣性粒子之10重量%水分散液。 將實施例1中獲得之含金屬之粒子10 g分散於離子交換水500 mL中,並添加絕緣性粒子之水分散液4 g,於室溫下攪拌6小時。利用3 μm之篩網過濾器進行過濾後,進而利用甲醇進行洗淨,並加以乾燥,而獲得附著有絕緣性粒子之含金屬之粒子。 藉由掃描式電子顯微鏡(SEM)進行觀察,結果於含金屬之粒子之表面僅形成1層由絕緣性粒子形成之被覆層。藉由圖像解析算出相對於距含金屬之粒子之中心2.5 μm之面積的絕緣性粒子之被覆面積(即絕緣性粒子之粒徑之投影面積),結果被覆率為30%。 (實施例19) 將實施例1中獲得之懸浮液(B)加入至含有硫酸鎳50 g/L、硝酸鉈30 ppm及硝酸鉍20 ppm之溶液中,而獲得粒子混合液(C)。 作為無電解鎳-磷合金鍍覆液,而準備藉由氫氧化鈉將含有硫酸鎳100 g/L、次磷酸鈉30 g/L、硝酸鉍10 ppm、及檸檬酸三鈉30 g/L之混合液之pH值調整為6而成之無電解鎳-磷合金鍍覆液(D)。 又,作為無電解鍍銀液,而準備藉由氨水將硝酸銀30 g/L、丁二醯亞胺100 g/L、及甲醛20 g/L之混合液之pH值調整為8.0而成之鍍銀液(E)。 又,準備含有次磷酸鈉130 g/L、及氫氧化鈉0.5 g/L之突起形成用鍍覆液(F)(pH值12.0)。 於調整為65℃之分散狀態之粒子混合液(C)中緩慢滴加上述無電解鎳-磷合金鍍覆液(D),進行無電解鎳-磷合金鍍覆。於無電解鎳-磷合金鍍覆液(D)之滴加速度為15 mL/分鐘、滴加時間為60分鐘之條件下進行無電解鎳-磷合金鍍覆。由此獲得含有於基材粒子A之表面上配置有鎳-磷合金金屬部,而具備表面具有凸部之金屬部之粒子的粒子混合液(G)。 其後,藉由過濾粒子混合液(G)而取出粒子,並進行水洗,藉此獲得於上述基材粒子A之表面上配置有鎳-磷合金金屬層,而具備表面具有凸部之金屬部之粒子。將該粒子充分水洗後,加入至蒸餾水500重量份中,使其分散,藉此獲得粒子混合液(H)。 繼而,於調整為60℃之分散狀態之粒子混合液(H)中緩慢滴加上述鍍銀液(E),進行無電解鍍銀。於鍍銀液(E)之滴加速度為10 mL/分鐘、滴加時間為30分鐘之條件下進行無電解鍍銀。其後,緩慢滴加上述突起形成用鍍覆液(F)而進行突起形成。於突起形成用鍍覆液(F)之滴加速度為1 mL/分鐘、滴加時間為10分鐘之條件下進行突起形成。於突起形成用鍍覆液(F)之滴加中,一邊藉由超音波攪拌將所產生之銀突起核分散一邊進行鍍銀(突起形成步驟)。其後,藉由進行過濾取出粒子,並進行水洗、乾燥,藉此獲得於基材粒子A之表面上配置有鎳-磷合金及銀金屬部(無凸部之部分中之金屬部整體之厚度:0.1 μm),而具備表面具有複數個凸部,且於凸部之表面上具有複數個突起之金屬部之含金屬之粒子。 (實施例20) 針對實施例1中獲得之含金屬之粒子,使用大和化成公司製造之「New Dain Silver」作為銀變色防止劑而進行防硫化處理。 使用超音波分散器使實施例1中獲得之含金屬之粒子10重量份分散於含有10重量%之New Dain Silver之異丙醇溶液100重量份中後,將溶液進行過濾,藉此獲得形成有防硫化膜之含金屬之粒子。 (實施例21) 針對實施例1中獲得之含金屬之粒子,使用2-巰基苯并噻唑溶液作為銀硫化防止劑而進行防硫化處理。 使用超音波分散器使實施例1中獲得之含金屬之粒子10重量份分散於含有2-巰基苯并噻唑0.5重量%之異丙醇溶液100重量份中後,將溶液進行過濾,藉此獲得形成有防硫化膜之含金屬之粒子。 (比較例1) 使用超音波分散器使上述10重量份之基材粒子A分散於含有鈀觸媒液5重量%之鹼溶液100重量份中後,藉由將溶液進行過濾而取出基材粒子A。繼而,將基材粒子A添加至二甲胺硼烷1重量%溶液100重量份中,將基材粒子A之表面活化。將表面經活化之基材粒子A充分水洗後,加入至蒸餾水500重量份中,使其分散,藉此獲得分散液(A)。 繼而,花費3分鐘將金屬鎳粒子漿料(三井金屬公司製造之「2020SUS」,平均粒徑150 nm)1 g添加至上述分散液(A)中,而獲得含有附著有芯物質之基材粒子A之懸浮液(B)。 將懸浮液(B)加入至含有硫酸鎳50 g/L、硝酸鉈30 ppm及硝酸鉍20 ppm之溶液中,而獲得粒子混合液(C)。 又,準備含有硫酸鎳200 g/L、次磷酸鈉85 g/L、檸檬酸鈉30 g/L、硝酸鉈50 ppm、及硝酸鉍20 ppm之鍍鎳液(D)(pH值6.5)。 於調整為50℃之分散狀態之粒子混合液(C)中緩慢滴加上述鍍鎳液(D),而進行無電解鍍鎳。於鍍鎳液(D)之滴加速度為25 mL/分鐘、滴加時間為60分鐘之條件下進行無電解鍍鎳(鍍Ni步驟)。其後,藉由進行過濾取出粒子,並進行水洗、乾燥,藉此獲得於基材粒子A之表面上配置有鎳-磷合金金屬部,而具備表面具有突起之金屬部之含金屬之粒子合金(無突起之部分中之金屬部整體之厚度:0.1 μm)。 (比較例2) 使用超音波分散器使10重量份之基材粒子A分散於含有鈀觸媒液5重量%之鹼溶液100重量份中後,藉由將溶液進行過濾而取出基材粒子A。繼而,將基材粒子A添加至二甲胺硼烷1重量%溶液100重量份中,將基材粒子A之表面活化。將表面經活化之基材粒子A充分水洗後,添加至蒸餾水500重量份中,使其分散,藉此獲得懸浮液(A)。 將懸浮液(A)加入至含有硫酸鎳50 g/L、硝酸鉈30 ppm及硝酸鉍20 ppm之溶液中,而獲得粒子混合液(B)。 又,準備含有次磷酸鈉300 g/L、及氫氧化鈉10 g/L之突起形成用鍍覆液(C)(pH值11.0)。 又,準備含有硫酸鎳200 g/L、次磷酸鈉85 g/L、檸檬酸鈉30 g/L、硝酸鉈50 ppm、及硝酸鉍20 ppm之鍍鎳液(D)(pH值6.5)。 於調整為50℃之分散狀態之粒子混合液(B)中緩慢滴加上述突起形成用鍍覆液(C),而進行突起形成。於突起形成用鍍覆液(C)之滴加速度為20 mL/分鐘、滴加時間為5分鐘之條件下進行突起形成。於突起形成用鍍覆液(C)之滴加中,一邊藉由超音波攪拌將所產生之Ni突起核分散一邊進行鍍鎳(突起形成步驟)。由此獲得分散狀態之Ni突起核及粒子混合液(E)。 其後,於分散狀態之Ni突起核及粒子混合液(E)中緩慢滴加上述鍍鎳液(D),而進行無電解鍍鎳。於鍍鎳液(D)之滴加速度為25 mL/分鐘、滴加時間為60分鐘之條件下進行無電解鍍鎳。於鍍鎳液(D)之滴加中,一邊藉由超音波攪拌將所產生之Ni突起核分散一邊進行鍍鎳(鍍Ni步驟)。其後,藉由進行過濾取出粒子,並進行水洗、乾燥,藉此獲得於基材粒子A之表面上配置有鎳-磷合金金屬部,而具備表面具有突起之金屬部之含金屬之粒子(無突起之部分中之金屬部整體之厚度:0.1 μm)。 (評價) (1)凸部及突起之高度之測定 以含量成為30重量%之方式將所獲得之含金屬之粒子添加至Kulzer公司製造之「Technovit 4000」中,使其分散,而製作含金屬之粒子檢查用嵌埋樹脂。使用離子研磨裝置(Hitachi High-Technologies公司製造之「IM4000」),以通過分散於該檢查用嵌埋樹脂中之含金屬之粒子之中心附近的方式切出含金屬之粒子之剖面。 然後,使用場發射型穿透式電子顯微鏡(FE-TEM)(日本電子公司製造之「JEM-ARM200F」),將圖像倍率設定為5萬倍,隨機選擇20個含金屬之粒子,觀察各含金屬之粒子之凸部及突起。計測所獲得之含金屬之粒子中之凸部及突起之高度,對其進行算術平均而作為凸部及突起之平均高度。 (2)突起之基部之平均徑之測定 以含量成為30重量%之方式將所獲得之含金屬之粒子添加至Kulzer公司製造之「Technovit 4000」中,使其分散,而製作含金屬之粒子檢查用嵌埋樹脂。使用離子研磨裝置(Hitachi High-Technologies公司製造之「IM4000」),以通過分散於該檢查用嵌埋樹脂中之含金屬之粒子之中心附近的方式切出含金屬之粒子之剖面。 然後,使用場發射型穿透式電子顯微鏡(FE-TEM)(日本電子公司製造之「JEM-ARM200F」),將圖像倍率設定為5萬倍,隨機選擇20個含金屬之粒子,觀察各含金屬之粒子之凸部及突起。計測所獲得之含金屬之粒子中之凸部及突起之基部徑,對其進行算術平均而作為凸部及突起之平均基部徑。 (3)凸部及突起之形狀之觀察 使用掃描式電子顯微鏡(FE-SEM),將圖像倍率設定為25000倍,隨機選擇20個含金屬之粒子,觀察各含金屬之粒子之凸部及突起,對全部凸部及突起所屬之形狀之種類進行調查。 (4)凸部及突起之頂角之平均值之測定 以含量成為30重量%之方式將所獲得之含金屬之粒子添加至Kulzer公司製造之「Technovit 4000」中,使其分散,而製作含金屬之粒子檢查用嵌埋樹脂。使用離子研磨裝置(Hitachi High-Technologies公司製造之「IM4000」),以通過分散於該檢查用嵌埋樹脂中之含金屬之粒子之中心附近的方式切出含金屬之粒子之剖面。 然後,使用場發射型穿透式電子顯微鏡(FE-TEM)(日本電子公司製造之「JEM-ARM200F」),將圖像倍率設定為100萬倍,隨機選擇20個含金屬之粒子,觀察各含金屬之粒子之突起部。計測所獲得之含金屬之粒子中之凸部及突起之頂角,對其進行算術平均而作為凸部及突起之頂角之平均值。 (5)凸部及突起之高度之中央位置的平均徑之測定 以含量成為30重量%之方式將所獲得之含金屬之粒子添加至Kulzer公司製造之「Technovit 4000」中,使其分散,而製作含金屬之粒子檢查用嵌埋樹脂。使用離子研磨裝置(Hitachi High-Technologies公司製造之「IM4000」),以通過分散於該檢查用嵌埋樹脂中之含金屬之粒子之中心附近的方式切出含金屬之粒子之剖面。 然後,使用場發射型穿透式電子顯微鏡(FE-TEM)(日本電子公司製造之「JEM-ARM200F」),將圖像倍率設定為5萬倍,隨機選擇20個含金屬之粒子,觀察各含金屬之粒子之突起部。計測所獲得之含金屬之粒子中之凸部及突起之基部徑,對其進行算術平均而求出凸部及突起之高度之中央位置之平均徑。 (6)為針狀之凸部及突起個數之比率之測定 使用掃描式電子顯微鏡(FE-SEM),將圖像倍率設定為25000倍,隨機選擇20個含金屬之粒子,觀察各含金屬之粒子之凸部及突起。對於全部凸部及突起,評價凸部形狀及突起形狀是否為前端變細之針狀,而分為凸部形狀及突起形狀由前端變細之針狀所形成之凸部及突起,以及凸部形狀及突起形狀未由前端變細之針狀所形成之凸部及突起。由此計測每個含金屬之粒子之:1)由前端變細之針狀所形成之凸部及突起之個數、及2)未由前端變細之針狀形狀所形成之凸部及突起之個數。算出1)與2)之突起部之總個數100%中為1)針狀之凸部及突起個數之比率X。 (7)無凸部及突起之部分中之金屬部整體之厚度之測定 以含量成為30重量%之方式將所獲得之含金屬之粒子添加至Kulzer公司製造之「Technovit 4000」中,使其分散,而製作含金屬之粒子檢查用嵌埋樹脂。使用離子研磨裝置(Hitachi High-Technologies公司製造之「IM4000」),以通過分散於該檢查用嵌埋樹脂中之含金屬之粒子之中心附近的方式切出含金屬之粒子之剖面。 然後,使用場發射型穿透式電子顯微鏡(FE-TEM)(日本電子公司製造之「JEM-ARM200F」),將圖像倍率設定為5萬倍,隨機選擇20個含金屬之粒子,觀察各含金屬之粒子之無突起之部分中的金屬部。計測所獲得之含金屬之粒子中之無突起之部分中的金屬部整體之厚度,對其進行算術平均而作為厚度(平均厚度)(記載於上述實施例及比較例中)。 (8)含金屬之粒子之壓縮彈性模數(10%K值) 於23℃之條件下,藉由上述之方法,使用微小壓縮試驗機(Fischer公司製造之「Fischerscope H-100」)測定所獲得之含金屬之粒子之上述壓縮彈性模數(10%K值)。求出10%K值。 (9)金屬部之面格子之評價 使用X射線繞射裝置(理學電機公司製造之「RINT2500VHF」),算出依存於繞射角之裝置固有之繞射線的峰強度比。求出(111)方位之繞射峰強度於金層之繞射線整體之繞射峰強度中所占之比率((111)面之比率)。 (10)連接結構體A中之金屬部突起之前端之熔融及固化狀態 以含量成為10重量%之方式將所獲得之含金屬之粒子添加至三井化學公司製造之「Struct Bond XN-5A」中,使其分散,而製作各向異性導電糊劑。 準備上表面具有L/S為30 μm/30 μm之銅電極圖案之透明玻璃基板。又,準備下表面具有L/S為30 μm/30 μm之金電極圖案之半導體晶片。 以厚度成為30 μm之方式將剛製作後之各向異性導電糊劑塗佈於上述透明玻璃基板上,從而形成各向異性導電糊劑層。其次,以電極彼此相對向之方式將上述半導體晶片積層於各向異性導電糊劑層上。其後,一邊以各向異性導電糊劑層之溫度成為250℃之方式調整頭之溫度,一邊於半導體晶片之上表面載置加壓加熱頭,施加0.5 MPa之壓力,於250℃下使各向異性導電糊劑層硬化,而獲得連接結構體A。為了獲得連接結構體A,而於0.5 MPa之低壓下將電極間連接。 將所獲得之連接結構體裝入至Kulzer公司製造之「Technovit 4000」中使其硬化,而製作連接結構體檢查用嵌埋樹脂。使用離子研磨裝置(Hitachi High-Technologies公司製造之「IM4000」),以通過該檢查用樹脂中之連接結構體之中心附近之方式切出含金屬之粒子之剖面。 然後,使用掃描式電子顯微鏡(FE-SEM),對所獲得之連接結構體A進行剖面觀察,藉此判定含金屬之粒子之金屬部突起之前端熔融後是否固化。 [金屬部突起之前端之熔融及固化狀態之判定基準] A:金屬部之突起之前端熔融後固化 B:金屬部之突起之前端熔融後未固化 (11)連接結構體A中之金屬部之突起之接合狀態 於上述(10)之評價中所獲得之連接結構體A中,對連接結構體A進行剖面觀察,藉此判定金屬部之突起之接合狀態。 [金屬部突起之接合狀態之判定基準] A:於連接部中,含金屬之粒子中之金屬部突起之前端熔融後固化,與電極及其他含金屬之粒子接合 B:於連接部中,含金屬之粒子中之金屬部突起之前端熔融後固化,未與電極及其他含金屬之粒子接合 (12)連接結構體A之連接可靠性 藉由4端子法測定15個上述(10)之評價中所獲得之連接結構體A之上下電極間之連接電阻。算出連接電阻之平均值。再者,根據電壓=電流×電阻之關係,可藉由測定流通恆定之電流時之電壓而求出連接電阻。按照下述之基準判定連接可靠性。 [連接可靠性之判定基準] ○○○:連接電阻為1.0 Ω以下 ○○:連接電阻超過1.0 Ω,且為2.0 Ω以下 ○:連接電阻超過2.0 Ω,且為3.0 Ω以下 △:連接電阻超過3.0 Ω,且為5 Ω以下 ×:連接電阻超過5 Ω (13)連接結構體B中之金屬部突起之前端之熔融及固化狀態 以含量成為5重量%之方式,將所獲得之含金屬之粒子添加至Nihon Superior公司製造之「ANP-1」(含有含金屬原子之粒子)中,使其分散,而製作燒結銀糊劑。 作為第1連接對象構件,而準備對連接面實施有鍍Ni/Au之功率半導體元件。作為第2連接對象構件,而準備對連接面實施有鍍Cu之氮化鋁基板。 以成為約70 μm之厚度之方式將上述燒結銀糊劑塗佈於第2連接對象構件上,而形成連接用銀糊劑層。其後,將上述第1連接對象構件積層於連接用銀糊劑層上,而獲得積層體。 藉由130℃之加熱板將所獲得之積層體預熱60秒,其後,對積層體施加10 MPa之壓力,並且於300℃下將其加熱3分鐘,藉此將燒結銀糊劑所含之上述含金屬原子之粒子燒結,而形成包含燒結物與含金屬之粒子之連接部,藉由該燒結物將上述第1、第2連接對象構件接合,而獲得連接結構體B。 將所獲得之連接結構體裝入至Kulzer公司製造之「Technovit 4000」中,使其硬化,而製作連接結構體檢查用嵌埋樹脂。使用離子研磨裝置(Hitachi High-Technologies公司製造之「IM4000」),以通過該檢查用嵌埋樹脂中之連接結構體之中心附近之方式切出含金屬之粒子之剖面。 然後,使用掃描式電子顯微鏡(FE-SEM),對所獲得之連接結構體B進行剖面觀察,藉此判定含金屬之粒子之金屬部突起之前端熔融後是否固化。 [金屬部之突起之前端之熔融及固化狀態之判定基準] A:金屬部之突起之前端熔融後固化 B:金屬部之突起之前端熔融後未固化 (14)連接結構體B中之金屬部之突起之接合狀態 於上述(13)之評價中所獲得之連接結構體B中,對連接結構體B進行剖面觀察,藉此判定金屬部之突起之接合狀態。 [金屬部之突起之接合狀態之判定基準] A:於連接部中,含金屬之粒子中之金屬部突起之前端熔融後固化,與電極及其他含金屬之粒子接合 B:於連接部中,含金屬之粒子中之金屬部突起之前端熔融後固化,未與電極及其他含金屬之粒子接合 (15)連接結構體B之連接可靠性 將上述(13)之評價中所獲得之連接結構體B投入至冷熱衝擊試驗機(ESPEC公司製造:TSA-101S-W)中,以最低溫度-40℃下保持時間30分鐘、最高溫度200℃下保持時間30分鐘之處理條件作為1個週期,3000個週期後藉由剪切強度試驗機(Rhesca公司製造:STR-1000)測定接合強度。按照下述之基準判定連接可靠性。 [連接可靠性之判定基準] ○○○:接合強度為50 MPa以上 ○○:接合強度超過40 MPa,且為50 MPa以下 ○:接合強度超過30 MPa,且為40 MPa以下 △:接合強度超過20 MPa,且為30 MPa以下 ×:接合強度為20 MPa以下 (16)導通檢查用構件之接觸電阻值 調配聚矽氧系共聚物10重量份、所獲得之含金屬之粒子90重量份、環氧矽烷偶合劑(信越化學工業公司製造,「KBE-303」)1重量份及異丙醇36重量份,使用勻相分散機,於1000 rpm下攪拌20分鐘後,使用Thinky公司製造之「練太郎ARE250」進行脫泡,藉此製備含有含金屬之粒子與黏合劑之導電材料。 上述之聚矽氧系共聚物係藉由以下方法進行聚合。於內容量2 L之金屬混練機內裝入4,4'-二環己基甲烷二異氰酸酯(Degussa公司製造)162 g(628 mmol)、單封端胺基改性聚二甲基矽氧烷(Momentive公司製造之「TSF4709」)(分子量10000)900 g(90 mmol),於70~90℃下溶解後,進行2小時之攪拌。其後,緩慢添加新戊二醇(Mitsubishi Gas Chemical公司製造)65 g(625 mmol),混練30分鐘,繼而將未反應之新戊二醇減壓除去。所獲得之聚矽氧系共聚物係以成為20重量%之方式使其溶解於異丙醇中而使用。再者,異氰酸酯基之消失係藉由IR光譜進行確認。於所獲得之聚矽氧系共聚物中,聚矽氧含量為80重量%,重量平均分子量為25000,SP值為7.8,具有極性基之結構(聚胺基甲酸酯)之重複單元之SP值為10。 繼而,作為導通檢查用構件之基材(由絕緣材料形成之片狀之基材),而準備聚矽氧橡膠。聚矽氧橡膠之尺寸為橫寬25 mm、縱寬25 mm及厚度1 mm。於聚矽氧橡膠中形成有縱20個及橫20個、總數400個之藉由雷射加工所形成之直徑0.5 mm之圓柱狀之貫通孔。 使用刮刀塗佈機,將上述導電材料塗佈於具有貫通孔之聚矽氧橡膠上,於貫通孔中填充導電材料。繼而,於烘箱中將貫通孔中填充有導電材料之聚矽氧橡膠在50℃下乾燥10分鐘後,進而繼續於100℃下乾燥20分鐘,而獲得厚度1 mm之導通檢查用構件。 所獲得之導通檢查用構件之接觸電阻值係使用接觸電阻測定系統(FACTK公司製造之「MS7500」)進行測定。接觸電阻測定係藉由直徑0.5 mm之鉑探針,以荷重15 gf自垂直於所獲得之導通檢查用構件之導電部之方向進行加壓。此時,藉由低電阻計(鶴賀電機公司製造之「MODEL3566」)施加5 V之電壓,測定接觸電阻值。算出測定5處導電部而獲得之接觸連接電阻值之平均值。按照下述之基準判定接觸電阻值。 [接觸電阻值之判定基準] ○○:連接電阻之平均值為50.0 mΩ以下 ○:連接電阻之平均值超過50.0 mΩ,且為100.0 mΩ以下 △:連接電阻之平均值超過100.0 mΩ,且為500.0 mΩ以下 ×:連接電阻之平均值超過500.0 mΩ (17)導通檢查用構件之反覆可靠性試驗 準備上述(16)導通檢查用構件之接觸電阻值之評價的導通檢查用構件。 所獲得之導通檢查用構件之反覆可靠性試驗及接觸電阻值係使用接觸電阻測定系統(FACTK公司製造之「MS7500」)進行測定。反覆可靠性試驗係藉由直徑0.5 mm之鉑探針,以荷重15 gf自垂直於所獲得之探針片之導電部之方向反覆加壓1000次。反覆加壓1000次後,藉由低電阻計(鶴賀電機公司製造之「MODEL3566」)施加5 V之電壓,測定接觸電阻值。算出同樣地測定5處導電部而獲得之接觸電阻值之平均值。按照下述之基準判定接觸電阻值。 [反覆加壓後之接觸電阻值之判定基準] ○○:連接電阻之平均值為100.0 mΩ以下 ○:連接電阻之平均值超過100.0 mΩ,且為500.0 mΩ以下 △:連接電阻之平均值超過500.0 mΩ,且為1000.0 mΩ以下 ×:連接電阻之平均值超過1000.0 mΩ 將組成及結果示於表1~5。 [表1]
[表2]
[表3]
[表4]
[表5]
再者,凸部及突起中之球狀包括球之一部分之形狀。再者,於比較例1、2中,確認到即使加熱至400℃,突起之前端亦不熔融。
1、1A、1B、1C、1D、1E、1F、1G‧‧‧含金屬之粒子1a、1Aa、1Ba、1Ca、1Da、1Ea、1Fa、1Ga‧‧‧突起2‧‧‧基材粒子3、3A、3B、3C、3D、3E、3F、3G‧‧‧金屬部(金屬層)3a、3Aa、3Ba、3Ca、3Da、3Ea、3Fa、3Ga‧‧‧突起3BX‧‧‧金屬粒子3CA、3GA‧‧‧第1金屬部3CB、3GB‧‧‧第2金屬部3Da、3Ea、3Fa、3Ga‧‧‧凸部3Db、3Eb、3Fb、3Gb‧‧‧突起4E‧‧‧芯物質11‧‧‧導通檢查用構件12‧‧‧基體12a‧‧‧貫通孔13‧‧‧導電部21‧‧‧導通檢查用構件22‧‧‧基體22a‧‧‧貫通孔23‧‧‧導電部31‧‧‧BGA基板31A‧‧‧多層基板31B‧‧‧焊料球32‧‧‧電流計51‧‧‧連接結構體52‧‧‧第1連接對象構件52a‧‧‧第1電極53‧‧‧第2連接對象構件53a‧‧‧第2電極54‧‧‧連接部61‧‧‧連接結構體62‧‧‧第1連接對象構件63、64‧‧‧第2連接對象構件65、66‧‧‧連接部67‧‧‧其他含金屬之粒子68、69‧‧‧散熱片L1‧‧‧虛線L2‧‧‧虛線
圖1係模式性地表示本發明之第1實施形態之含金屬之粒子的剖視圖。 圖2係模式性地表示本發明之第2之實施形態之含金屬之粒子的剖視圖。 圖3係模式性地表示本發明之第3之實施形態之含金屬之粒子的剖視圖。 圖4係模式性地表示本發明之第4之實施形態之含金屬之粒子的剖視圖。 圖5係模式性地表示本發明之第5之實施形態之含金屬之粒子的剖視圖。 圖6係模式性地表示本發明之第6之實施形態之含金屬之粒子的剖視圖。 圖7係模式性地表示本發明之第7之實施形態之含金屬之粒子的剖視圖。 圖8係模式性地表示本發明之第8之實施形態之含金屬之粒子的剖視圖。 圖9係模式性地表示使用本發明之第1實施形態之含金屬之粒子的連接結構體之剖視圖。 圖10係模式性地表示使用本發明之第1實施形態之含金屬之粒子的連接結構體之變化例之剖視圖。 圖11係表示所製造之含金屬之粒子之圖像的圖。 圖12係表示所製造之含金屬之粒子之圖像的圖。 圖13係表示所製造之含金屬之粒子之圖像的圖。 圖14係表示所製造之含金屬之粒子之圖像的圖。 圖15係表示使所製造之含金屬之粒子之金屬部突起之前端熔融後加以固化而成之粒子之圖像的圖。 圖16係表示使所製造之含金屬之粒子之金屬部突起之前端熔融後加以固化而成之粒子之圖像的圖。 圖17係表示使所製造之含金屬之粒子之金屬部突起之前端熔融後加以固化而成之粒子之圖像的圖。 圖18係表示使所製造之含金屬之粒子之金屬部突起之前端熔融後加以固化而成之粒子之圖像的圖。 圖19(a)、(b)係表示導通檢查用構件之一例之俯視圖及剖視圖。 圖20(a)~(c)係模式性地表示藉由導通檢查用構件檢查電子電路設備之電特性之情況的圖。
1‧‧‧含金屬之粒子
1a‧‧‧突起
2‧‧‧基材粒子
3‧‧‧金屬部
3a‧‧‧突起
L1‧‧‧虛線
L2‧‧‧虛線
Claims (21)
- 一種含金屬之粒子,其包含:基材粒子、及配置於上述基材粒子之表面上之金屬部;上述基材粒子為除金屬粒子以外之基材粒子,上述基材粒子為除於外表面具有突起之基材粒子以外之基材粒子,上述金屬部於外表面具有複數個突起,上述金屬部之上述突起之前端能夠以400℃以下熔融,上述金屬部於外表面具有複數個凸部,上述金屬部於上述凸部之外表面具有上述突起,且上述凸部之平均高度相對於上述突起之平均高度之比為5以上且1000以下。
- 如請求項1之含金屬之粒子,其中上述凸部之基部之平均徑為3nm以上且5000nm以下。
- 如請求項1之含金屬之粒子,其中上述金屬部之外表面之總表面積100%中,存在上述凸部之部分之表面積為10%以上。
- 如請求項1之含金屬之粒子,其中上述凸部之形狀為針狀或球體之一部分之形狀。
- 如請求項1至4中任一項之含金屬之粒子,其中上述突起之頂角之平均值為10°以上且60°以下。
- 如請求項1至4中任一項之含金屬之粒子,其中上述突起之平均高度為3nm以上且5000nm以下。
- 如請求項1至4中任一項之含金屬之粒子,其中上述突起之基部之平均徑為3nm以上且1000nm以下。
- 如請求項1至4中任一項之含金屬之粒子,其中上述突起之平均高度相對於上述突起之基部之平均徑的比為0.5以上且10以下。
- 如請求項1至4中任一項之含金屬之粒子,其中上述突起之形狀為針狀或球體之一部分之形狀。
- 如請求項1至4中任一項之含金屬之粒子,其中上述突起之材料含有銀、銅、金、鈀、錫、銦或鋅。
- 如請求項1至4中任一項之含金屬之粒子,其中上述金屬部之材料並非焊料。
- 如請求項1至4中任一項之含金屬之粒子,其中上述金屬部之材料含有銀、銅、金、鈀、錫、銦、鋅、鎳、鈷、鐵、鎢、鉬、釕、鉑、銠、 銥、磷或硼。
- 如請求項1至4中任一項之含金屬之粒子,其中上述金屬部之上述突起之前端能夠以350℃以下熔融。
- 如請求項13之含金屬之粒子,其中上述金屬部之上述突起之前端能夠以300℃以下熔融。
- 如請求項14之含金屬之粒子,其中上述金屬部之上述突起之前端能夠以250℃以下熔融。
- 如請求項15之含金屬之粒子,其中上述金屬部之上述突起之前端能夠以200℃以下熔融。
- 如請求項1至4中任一項之含金屬之粒子,其中壓縮10%時之壓縮彈性模數為100N/mm2以上且25000N/mm2以下。
- 如請求項1至4中任一項之含金屬之粒子,其中上述基材粒子為聚矽氧粒子。
- 一種連接材料,其包含:如請求項1至18中任一項之含金屬之粒子、及樹脂。
- 一種連接結構體,其包含:第1連接對象構件、第2連接對象構件、及將上述第1連接對象構件與上述第2連接對象構件連接之連接部;且上述連接部之材料為如請求項1至18中任一項之含金屬之粒子,或為包含上述含金屬之粒子與樹脂之連接材料。
- 一種連接結構體之製造方法,其包括如下步驟:於第1連接對象構件與第2連接對象構件之間配置如請求項1至18中任一項之含金屬之粒子,或配置包含上述含金屬之粒子與樹脂之連接材料;及對上述含金屬之粒子進行加熱,使上述金屬部之上述突起之前端熔融,於熔融後固化,而藉由上述含金屬之粒子或上述連接材料形成將上述第1連接對象構件與上述第2連接對象構件連接之連接部。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2016051521 | 2016-03-15 | ||
JP??2016-051521 | 2016-03-15 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201800223A TW201800223A (zh) | 2018-01-01 |
TWI841520B true TWI841520B (zh) | 2024-05-11 |
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Citations (1)
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---|---|---|---|---|
JP2007250465A (ja) | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Sekisui Chem Co Ltd | 異方性導電材料の製造方法、及び、異方性導電材料 |
Patent Citations (1)
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JP2007250465A (ja) | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Sekisui Chem Co Ltd | 異方性導電材料の製造方法、及び、異方性導電材料 |
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