JP7128115B2 - 金属含有粒子、接続材料、接続構造体、接続構造体の製造方法、導通検査用部材及び導通検査装置 - Google Patents

Description

本発明は、基材粒子と、金属部とを備え、該金属部が外表面に突起を有する金属含有粒子に関する。また、本発明は、上記金属含有粒子を用いた接続材料、接続構造体、接続構造体の製造方法、導通検査用部材及び導通検査装置に関する。

電子部品等において、２つの接続対象部材を接続する接続部を形成するために、金属粒子を含む接続材料が用いられることがある。

金属粒子の粒径が１００ｎｍ以下のサイズまで小さくなり、構成原子数が少なくなると、粒子の体積に対する表面積比が急激に増大し、融点又は焼結温度がバルク状態に比較して大幅に低下することが知られている。この低温焼結機能を利用し、粒径が１００ｎｍ以下の金属粒子を接続材料として用い、加熱により金属粒子同士を焼結させることで接続を行う方法が知られている。この接続方法では、接続後の金属粒子がバルク金属へと変化するのと同時に、接続界面で金属結合による接続が得られるため、耐熱性と接続信頼性と放熱性とが非常に高くなる。

このような接続を行うための接続材料は、例えば、下記の特許文献１に開示されている。

特許文献１に記載の接続材料は、ナノサイズの複合銀粒子と、ナノサイズの銀粒子と、樹脂とを含む。上記複合銀粒子は、銀原子の集合体である銀核の周囲に、有機被覆層が形成された粒子である。上記有機被覆層は、炭素数１０又は１２のアルコール分子残基、アルコール分子誘導体（ここで、アルコール分子誘導体とは、カルボン酸及び／又はアルデヒドに限定される）及び／又はアルコール分子の一種以上のアルコール成分により形成されている。

また、下記の特許文献２には、ナノサイズの金属含有粒子と、導電性粒子とを含む接続材料が開示されている。

また、異方性導電ペースト及び異方性導電フィルム等の異方性導電材料が広く知られている。これらの異方性導電材料では、バインダー樹脂中に導電性粒子が分散されている。

上記異方性導電材料は、各種の接続構造体を得るために用いられている。上記接続構造体としては、例えば、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続（ＦＯＧ（Ｆｉｌｍ ｏｎ Ｇｌａｓｓ））、半導体チップとフレキシブルプリント基板との接続（ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｆｉｌｍ））、半導体チップとガラス基板との接続（ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｇｌａｓｓ））、並びにフレキシブルプリント基板とガラスエポキシ基板との接続（ＦＯＢ（Ｆｉｌｍ ｏｎ Ｂｏａｒｄ））等が挙げられる。

上記導電性粒子の一例として、下記の特許文献３には、錫、銀及び銅の三元系の合金被膜を有する導電性粒子が開示されている。特許文献３では、接続抵抗が低く接続時の電流容量が大きく、しかもマイグレーションが防止されることが記載されている。

下記の特許文献４には、金属又は合金の粒子が列状に複数個連結してなる粒子連結体から構成されている突起を有する導電性粒子が開示されている。

特許第５２５６２８１号公報 特開２０１３－５５０４６号公報 ＷＯ２００６／０８０２８９Ａ１ 特開２０１２－１１３８５０号公報

ナノサイズの銀粒子などの金属粒子は、接続時の加熱処理により溶融接合し、バルクが形成される。バルクが形成されると融点が高くなるため、加熱温度が高くなるという問題がある。また、形成されたバルクでは、ナノサイズの粒子間に隙間が生じる。結果として、接続信頼性が低くなる。

また、電子機器の小型化及び高密度配線化が進行している。このため、銀（Ａｇ）、鉛（Ｐｂ）、銅（Ｃｕ）、錫（Ｓｎ）及び亜鉛（Ａｎ）等の金属は、水分（湿度）が高い過酷な環境条件で電圧が印加される場合において、電極間をイオン化した金属が移動して短絡が生じるイオンマイグレーション現象が生じる場合があり、絶縁信頼性が悪化することがある。

また、近年、異方性導電材料を用いて接続構造体を得る際に、電極の接続工程において、従来よりも低圧力での接続、いわゆる低圧実装が行われている。例えば、柔軟なフレキシブルプリント基板上に、駆動用半導体チップを直接実装する場合には、フレキシブルプリント基板の変形を抑えるために、低圧での実装を行う必要がある。

しかし、低圧での実装においては、導電性粒子と電極との物理接触が不十分なために、十分な導通特性が得られない場合がある。また、実装後、高温高湿下の環境条件で、異方性導電材料中のバインダー樹脂の収縮により、所望の導通特性が得られない場合がある。

本発明の目的は、金属含有粒子の突起の先端を比較的低温で溶融させ、溶融後に固化させて、他の粒子又は他の部材に接合させることができ、接続信頼性を高めることができ、かつ、イオンマイグレーション現象を抑制し、絶縁信頼性を高めることができる金属含有粒子を提供することである。また、本発明の目的は、金属含有粒子の金属部の突起の成分を比較的低温で金属拡散又は溶融変形させて、他の粒子又は他の部材に接合させることができ、接続信頼性を高めることができる金属含有粒子を提供することである。また、本発明は、上記金属含有粒子を用いた接続材料、接続構造体、接続構造体の製造方法、導通検査用部材及び導通検査装置を提供することも目的とする。

本発明の広い局面によれば、外表面に複数の突起を有する金属含有粒子であり、基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置されており、かつ、外表面に複数の突起を有する金属部と、前記金属部の外表面を被覆する金属膜とを備え、前記金属含有粒子の前記突起の先端は、４００℃以下で溶融可能である、金属含有粒子が提供される。

本発明に係る金属含有粒子のある特定の局面では、前記金属膜が、前記金属部の前記突起の先端を被覆している。

本発明に係る金属含有粒子のある特定の局面では、前記金属膜の、前記金属部の前記突起の先端を被覆している部分が、４００℃以下で溶融可能である。

本発明に係る金属含有粒子のある特定の局面では、前記金属膜の厚みが、０．１ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。

本発明に係る金属含有粒子のある特定の局面では、前記金属膜の材料が、金、パラジウム、白金、ロジウム、ルテニウム又はイリジウムを含む。

本発明に係る金属含有粒子のある特定の局面では、前記金属含有粒子が、外表面に複数の凸部を有し、前記金属含有粒子が、前記凸部の外表面に前記突起を有する。

本発明に係る金属含有粒子のある特定の局面では、前記凸部の平均高さの、前記金属含有粒子における前記突起の平均高さに対する比が、５以上１０００以下である。

本発明に係る金属含有粒子のある特定の局面では、前記凸部の基部の平均径が、３ｎｍ以上５０００ｎｍ以下である。

本発明に係る金属含有粒子のある特定の局面では、前記金属含有粒子の外表面の表面積１００％中、前記凸部がある部分の表面積の割合が１０％以上である。

本発明に係る金属含有粒子のある特定の局面では、前記凸部の形状が、針状又は球体の一部の形状である。

本発明に係る金属含有粒子のある特定の局面では、前記金属含有粒子における前記突起の材料が、銀、銅、金、パラジウム、錫、インジウム又は亜鉛を含む。

本発明に係る金属含有粒子のある特定の局面では、前記金属部の材料が、はんだではない。

本発明の広い局面によれば、基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された金属部とを備え、前記金属部が外表面に複数の突起を有し、前記金属部の前記突起が、４００℃以下で金属拡散しうる成分を含むか又は前記金属部の前記突起が、４００℃以下で溶融変形可能であり、前記金属部の前記突起がない部分の融点が、４００℃を超える、金属含有粒子が提供される。

本発明に係る金属含有粒子のある特定の局面では、前記金属部の前記突起が、４００℃以下で金属拡散しうる成分を含む。

本発明に係る金属含有粒子のある特定の局面では、前記金属部の前記突起が、４００℃以下で溶融変形可能である。

本発明に係る金属含有粒子のある特定の局面では、前記金属部の前記突起が、はんだを含む。

本発明に係る金属含有粒子のある特定の局面では、前記金属部の前記突起におけるはんだの含有量が５０重量％以上である。

本発明に係る金属含有粒子のある特定の局面では、前記金属部の前記突起がない部分が、はんだを含まないか、又ははんだを４０重量％以下で含む。

本発明に係る金属含有粒子のある特定の局面では、前記金属部の外表面の表面積の全体１００％中、前記突起がある部分の表面積が１０％以上である。

本発明に係る金属含有粒子のある特定の局面では、前記金属含有粒子における前記突起の頂角の平均が１０°以上６０°以下である。

本発明に係る金属含有粒子のある特定の局面では、前記金属含有粒子における前記突起の平均高さが、３ｎｍ以上５０００ｎｍ以下である。

本発明に係る金属含有粒子のある特定の局面では、前記金属含有粒子における前記突起の基部の平均径が、３ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。

本発明に係る金属含有粒子のある特定の局面では、前記金属含有粒子における前記突起の平均高さの、前記金属含有粒子における前記突起の基部の平均径に対する比が、０．５以上１０以下である。

本発明に係る金属含有粒子のある特定の局面では、前記金属含有粒子における前記突起の形状が、針状又は球体の一部の形状である。

本発明に係る金属含有粒子のある特定の局面では、前記金属部の材料が、銀、銅、金、パラジウム、錫、インジウム、亜鉛、ニッケル、コバルト、鉄、タングステン、モリブデン、ルテニウム、白金、ロジウム、イリジウム、リン又はホウ素を含む。

本発明に係る金属含有粒子のある特定の局面では、１０％圧縮したときの圧縮弾性率が１００Ｎ／ｍｍ^２以上２５０００Ｎ／ｍｍ^２以下である。

本発明の広い局面によれば、上述した金属含有粒子と、樹脂とを含む、接続材料が提供される。

本発明の広い局面によれば、第１の接続対象部材と、第２の接続対象部材と、前記第１の接続対象部材と、前記第２の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、前記接続部の材料が、上述した金属含有粒子であるか、又は、前記金属含有粒子と樹脂とを含む接続材料である、接続構造体が提供される。

本発明の広い局面によれば、第１の接続対象部材と、第２の接続対象部材との間に、上述した金属含有粒子を配置するか、又は、前記金属含有粒子と樹脂とを含む接続材料を配置する工程と、前記金属含有粒子を加熱して、前記金属部の前記突起の先端を溶融させ、溶融後に固化させ、前記金属含有粒子又は前記接続材料によって、前記第１の接続対象部材と前記第２の接続対象部材とを接続している接続部を形成する工程、又は、前記金属含有粒子を加熱して、前記金属部の前記突起の成分を金属拡散又は溶融変形させ、前記金属含有粒子又は前記接続材料によって、前記第１の接続対象部材と前記第２の接続対象部材とを接続している接続部を形成する工程とを備える、接続構造体の製造方法が提供される。

本発明の広い局面によれば、貫通孔を有する基体と、導電部とを備え、前記貫通孔が、前記基体に複数配置されており、前記導電部が、前記貫通孔内に配置されており、前記導電部の材料が、上述した金属含有粒子を含む、導通検査用部材が提供される。

本発明の広い局面によれば、電流計と、上述した導通検査用部材とを備える、導通検査装置が提供される。

本発明に係る金属含有粒子は、外表面に複数の突起を有する金属含有粒子である。本発明に係る金属含有粒子は、基材粒子と、上記基材粒子の表面上に配置されており、かつ、外表面に複数の突起を有する金属部と、上記金属部の外表面を被覆する金属膜とを備える。本発明に係る金属含有粒子では、上記金属含有粒子の上記突起の先端は、４００℃以下で溶融可能である。本発明に係る金属含有粒子では、上記の構成が備えられているので、金属含有粒子の突起の先端を比較的低温で溶融させ、溶融後に固化させて、他の粒子又は他の部材に接合させることができ、接続信頼性を高めることができ、かつ、イオンマイグレーション現象を抑制し、絶縁信頼性を高めることができる。

本発明に係る金属含有粒子は、基材粒子と、上記基材粒子の表面上に配置された金属部とを備える。本発明に係る金属含有粒子では、上記金属部が外表面に複数の突起を有する。本発明に係る金属含有粒子では、上記金属部の上記突起が、４００℃以下で金属拡散しうる成分を含むか又は上記金属部の上記突起が、４００℃以下で溶融変形可能である。本発明に係る金属含有粒子では、上記金属部の上記突起がない部分の融点が、４００℃を超える。本発明に係る金属含有粒子では、上記の構成が備えられているので、金属含有粒子の金属部の突起の成分を比較的低温で金属拡散又は溶融変形させて、他の粒子又は他の部材に接合させることができ、接続信頼性を高めることができる。

図１は、本発明の第１の実施形態に係る金属含有粒子を模式的に示す断面図である。 図２は、本発明の第２の実施形態に係る金属含有粒子を模式的に示す断面図である。 図３は、本発明の第３の実施形態に係る金属含有粒子を模式的に示す断面図である。 図４は、本発明の第４の実施形態に係る金属含有粒子を模式的に示す断面図である。 図５は、本発明の第５の実施形態に係る金属含有粒子を模式的に示す断面図である。 図６は、本発明の第６の実施形態に係る金属含有粒子を模式的に示す断面図である。 図７は、本発明の第７の実施形態に係る金属含有粒子を模式的に示す断面図である。 図８は、本発明の第８の実施形態に係る金属含有粒子を模式的に示す断面図である。 図９は、本発明の第９の実施形態に係る金属含有粒子を模式的に示す断面図である。 図１０は、本発明の第１０の実施形態に係る金属含有粒子を模式的に示す断面図である。 図１１は、本発明の第１１の実施形態に係る金属含有粒子を模式的に示す断面図である。 図１２は、本発明の第１２の実施形態に係る金属含有粒子を模式的に示す断面図である。 図１３は、本発明の第１３の実施形態に係る金属含有粒子を模式的に示す断面図である。 図１４は、本発明の第１４の実施形態に係る金属含有粒子を模式的に示す断面図である。 図１５は、本発明の第１の実施形態に係る金属含有粒子を用いた接続構造体を模式的に示す断面図である。 図１６は、本発明の第１の実施形態に係る金属含有粒子を用いた接続構造体の変形例を模式的に示す断面図である。 図１７は、金属膜を形成する前の金属含有粒子の画像を示す図である。 図１８は、金属膜を形成する前の金属含有粒子の画像を示す図である。 図１９は、金属膜を形成する前の金属含有粒子の画像を示す図である。 図２０は、金属膜を形成する前の金属含有粒子の画像を示す図である。 図２１は、金属部における突起部分を説明するための図である。 図２２は、金属部における突起がある部分を説明するための図である。 図２３は、金属部における突起がない部分を説明するための図である。 図２４（ａ），（ｂ）は、導通検査用部材の一例を示す平面図及び断面図である。 図２５（ａ）～（ｃ）は、電子回路デバイスの電気特性を導通検査装置によって検査している様子を模式的に示す図である。

以下、本発明の詳細を説明する。

（金属含有粒子）
本発明に係る金属含有粒子は、外表面に複数の突起を有する金属含有粒子である。本発明に係る金属含有粒子は、基材粒子と、金属部と、金属膜とを備える。本発明に係る金属含有粒子では、上記金属部は、上記基材粒子の表面上に配置されており、かつ、外表面に複数の突起を有する。本発明に係る金属含有粒子では、上記金属膜は、上記金属部の外表面を被覆する。本発明に係る金属含有粒子では、上記金属含有粒子の上記突起の先端は、４００℃以下で溶融可能である。

本発明では、上記の構成が備えられているので、上記金属含有粒子における突起の先端を比較的低温で溶融させることができる。このため、上記金属含有粒子における上記突起の先端を比較的低温で溶融させ、溶融後に固化させて、他の粒子又は他の部材に接合させることができる。また、複数の金属含有粒子を溶融接合させることができる。また、金属含有粒子を接続対象部材に溶融接合させることができる。また更に、金属含有粒子を電極に溶融接合させることができる。加えて、本発明では、上記の構成が備えられているので、イオンマイグレーション現象を抑制し、絶縁信頼性を高めることができる。

金属粒子の粒径が１００ｎｍ以下のサイズまで小さくなり、構成原子数が少なくなると、粒子の体積に対する表面積比が急激に増大し、融点又は焼結温度がバルク状態に比較して大幅に低下することが知られている。本発明者らは、上記金属含有粒子における上記突起の先端径を小さくすることで、ナノサイズの金属粒子を用いた場合と同様に、上記金属含有粒子の上記突起の先端の溶融温度を低くすることができることを見出した。

上記金属含有粒子の上記突起は、金属により形成されていることが好ましく、金属突起であることが好ましい。この場合に、金属により形成されている突起の先端及び金属突起の先端は、４００℃以下で溶融可能である。上記金属含有粒子の上記突起の先端の溶融温度を低くするために、上記突起部の形状を先細りしている針状にしてもよい。上記金属含有粒子の上記突起の先端の溶融温度を低くするために、上記金属含有粒子の外表面に複数の小さな突起を形成してもよい。上記金属含有粒子の上記突起の先端の溶融温度を低くするために、本発明に係る金属含有粒子では、上記金属含有粒子が、外表面に複数の凸部（第１の突起）を有し、上記金属含有粒子が、上記凸部の外表面に上記突起（第２の突起）を有することが好ましい。上記凸部は、上記金属含有粒子における上記突起よりも大きいことが好ましい。上記金属含有粒子における上記突起とは別に、上記突起よりも大きい上記凸部が存在することで、接続信頼性がより一層高くなる。凸部と突起とは一体化していてもよく、凸部上に突起が付着していてもよい。上記金属含有粒子における上記突起は、粒子により構成されていてもよい。本明細書において、上記凸部と上記突起とが併存しているときに、上記金属含有粒子における上記突起と区別して、該突起が外表面上に形成されている突起部分を凸部と呼ぶ。上記凸部の先端は、４００℃以下で溶融可能でなくてもよい。上記金属含有粒子の上記凸部は、金属により形成されていることが好ましく、金属凸部であることが好ましい。

このように、突起の先端径を小さくすることで、溶融温度を低くすることができる。また、溶融温度を低くするために、金属部の材料を選択することができる。上記金属含有粒子の突起の先端の溶融温度を４００℃以下にするために、突起の形状と金属部の材料とを選択することが好ましい。

上記金属含有粒子の突起の先端の溶融温度は、以下のようにして評価される。

上記金属含有粒子の突起の先端の溶融温度は、示差走査熱量計（ヤマト科学社製「ＤＳＣ－６３００」）を用いて測定できる。上記測定は、金属含有粒子１５ｇを用いて、昇温範囲３０℃から５００℃、昇温速度５℃／ｍｉｎ．、窒素パージ量５ｍｌ／ｍｉｎ．の測定条件で行う。

次に、上記の測定で得られた溶融温度で上記金属含有粒子の上記突起の先端が溶融していることを確認する。金属含有粒子１ｇを容器に入れ、電気炉に入れる。電気炉にて上記測定で得られた溶融温度と同じ温度を設定し、窒素雰囲気で１０分間加熱する。その後、加熱した金属含有粒子を電気炉から取出し、走査型電子顕微鏡を用いて突起の先端の溶融状態（又は溶融後の固化状態）を確認する。

突起の先端の溶融温度を効果的に低くし、接続信頼性を効果的に高める観点からは、上記金属含有粒子における上記突起の形状が、先細りしている針状であることが好ましい。この金属含有粒子では、上記金属含有粒子の外表面の上記突起の形状が従来の形状とは異なり、突起の形状が先細りしている針状であることによる新たな効果が発揮される。

本発明に係る金属含有粒子は、上記金属含有粒子の上記の突起の先端を比較的低温で溶融接合させることができるので、２つの接続対象部材の接続に用いることができる。２つの接続対象部材間に、金属含有粒子における突起の先端において溶融接合させることで、強固な接続を発揮する接続部を形成することができ、接続信頼性を高めることができる。

また、本発明に係る金属含有粒子は、導電接続に用いてもよい。さらに、本発明に係る金属含有性粒子は、ギャップ制御材（スペーサ）としても用いることができる。

本発明に係る金属含有粒子は、上記金属部の外表面を被覆する金属膜を備える。上記金属含有粒子が上記金属膜を備えることで、上記金属含有粒子を導電接続に用いた場合に、イオンマイグレーション現象を抑制し、絶縁信頼性を高めることができる。また、上記金属含有粒子が上記金属膜を備えることで、上記金属部の酸化又は硫化を効果的に抑制することができる。結果として、接続信頼性を効果的に高めることができる。

上記金属膜は、上記金属部の外表面の少なくとも一部を被覆していればよく、全体を被覆していなくてもよい。イオンマイグレーション現象を抑制し、絶縁信頼性を高める観点、及び接続信頼性をより一層効果的に高める観点からは、上記金属膜は、上記金属部の上記突起の先端を被覆していることが好ましい。上記金属膜が上記金属部の上記突起の先端を被覆することで、イオンマイグレーション現象をより一層抑制し、絶縁信頼性をより一層高めることができる。また、上記突起の先端の酸化又は硫化を効果的に抑制することができ、突起の先端の溶融温度を効果的に低くすることができる。

イオンマイグレーション現象を抑制し、絶縁信頼性を高める観点、及び接続信頼性をより一層効果的に高める観点からは、上記金属膜の、上記金属部の上記突起の先端を被覆している部分が、４００℃以下で溶融可能であることが好ましい。上記金属膜の、上記金属部の上記突起の先端を被覆している部分の溶融温度を４００℃以下にするために、上記金属膜の厚みや上記金属膜の材料等を適宜選択することが好ましい。上記金属部の上記突起の先端が４００℃以下で溶融しているときに、上記金属膜と、上記金属部の上記突起の先端とが、合金化していることが好ましい。

上記金属膜の、上記金属部の上記突起の先端を被覆している部分の溶融温度は、上記の上記金属含有粒子の突起の先端の溶融温度と同様にして測定することができる。

本発明に係る金属含有粒子は、基材粒子と、金属部とを備える。上記金属部は、上記基材粒子の表面上に配置されている。本発明に係る金属含有粒子では、上記金属部が外表面に複数の突起を有する。本発明に係る金属含有粒子では、上記金属部の上記突起が、４００℃以下で金属拡散しうる成分を含むか、又は上記金属部の上記突起が、４００℃以下で溶融変形可能である。本発明に係る金属含有粒子では、上記金属部の上記突起が、４００℃以下で金属拡散しうる成分を含んでいてもよく、上記金属部の上記突起が、４００℃以下で溶融変形可能であってもよい。本発明に係る金属含有粒子では、上記金属部の上記突起が、４００℃以下で金属拡散しうる成分を含み、かつ、上記金属部の上記突起が、４００℃以下で溶融変形可能であってもよい。本発明に係る金属含有粒子では、上記金属部の上記突起がない部分の融点は、４００℃を超える。

なお、本発明において金属拡散とは、熱、圧力、変形などにより金属原子が金属部や接合部において拡散することをいう。

なお、本発明において溶融変形とは、その成分の一部または全部が溶融することにより、外部の圧力により容易に変形しやすくなる状態のことをいう。

本発明では、上記の構成が備えられているので、比較的低温で突起に含まれる上記成分が金属拡散又は溶融変形し、接合部分との間で金属結合を形成することができる。このため、溶融後に固化させて、他の粒子又は他の部材に接合させることができる。また、複数の金属含有粒子を溶融接合させることができる。また、金属含有粒子を接続対象部材に溶融接合させることができる。また更に、金属含有粒子を電極に溶融接合させることができる。特に電極と接合させた場合は、電極と導電粒子間に金属結合を形成することができるため、従来の物理接触よりも飛躍的に優れた導通特性を得ることができる。

また、本発明では、上記の構成が備えられているので、金属部の突起の金属拡散又は溶融変形可能な温度以上、金属部の突起がない部分の融点の温度以下に加熱することで、金属部の突起がない部分の過度な溶融変形を防ぐことができ、金属部の突起がない部分の厚みを確保できるので、接続信頼性を高めることができる。

上記金属部の上記突起の成分が金属拡散しうる温度及び上記金属部の上記突起の上記溶融変形温度は、上記突起の材料を選択することで、達成することができる。例えば、突起にはんだを含ませたり、はんだ合金を用いたりすることで、上記金属部の上記突起の成分が金属拡散しうる温度及び上記金属部の上記突起の溶融変形温度を４００℃以下にすることが容易である。

上記金属部の上記突起の溶融変形温度を効果的に低くするために、上記金属部は、上記突起の先端に、融点が４００℃以下である部分を有していてもよく、上記突起の表面に、融点が４００℃以下である部分を有していてもよく、上記突起の内部に、融点が４００℃以下である部分を有していてもよい。

導電接続時に、突出した形状を維持し、接続信頼性を効果的に高める観点からは、上記金属部は、上記突起の内部に、融点が４００℃以下である部分を有することが好ましく、上記突起の外表面の材料の融点は４００℃を超えていてもよい。上記金属部が、上記突起の内部に、融点が４００℃以下である部分を有する場合に、該融点が４００℃以下である部分の外側に、融点が４００℃を超える部分が存在し、かつ該融点が４００℃を超える部分の厚みは、２００ｎｍ以下（好ましくは１００ｎｍ以下）であることが好ましい。

突起による溶融接合性をより一層高め、接続信頼性を効果的に高める観点からは、上記金属部の上記突起が、はんだを含むことが好ましい。

突起による溶融接合性をより一層高め、接続信頼性を効果的に高める観点からは、上記金属部の上記突起におけるはんだの含有量が５０重量％以上であることが好ましい。

突起による溶融接合性をより一層高め、接続信頼性を効果的に高める観点からは、上記金属部の上記突起がない部分が、はんだを含まないか、又ははんだを４０重量％以下（好ましくは１０重量％以下）で含むことが好ましい。上記金属部の上記突起がない部分のはんだの含有量は少ない方が好ましい。

突起による溶融接合性をより一層高め、接続信頼性を効果的に高める観点からは、上記金属部の隆起している部分の内側の部分（突起がある部分のうち、突起を除く部分）が、はんだを含まないか、又ははんだを４０重量％以下（好ましくは１０重量％以下）で含むことが好ましい。上記金属部の上記突起がない部分のはんだの含有量は少ない方が好ましい。

なお、本明細書において、突起とは、金属部の隆起している部分を意味する（図９に対応する図２１の斜線部分）。

本明細書において、突起がある部分とは、金属部の隆起している部分と、金属部の隆起している部分の内側の部分とを意味する（図９に対応する図２２の斜線部分）。金属部の隆起している部分と金属部の隆起していない部分との境界点と導電性粒子の中心とを結ぶ直線が、突起がある部分と突起がない部分との境界線である。

本明細書において、突起がない部分とは、金属部の突起がない部分を除く部分である（図９に対応する図２３の斜線部分）。金属部の隆起している部分と金属部の隆起していない部分との境界点と導電性粒子の中心とを結ぶ直線が、突起がある部分と突起がない部分との境界線である。

４００℃の加熱時に、突起の体積の全体１００体積％中、５体積％以上が溶融可能であることが好ましく、１０体積％以上が溶融可能であることがより好ましく、２０体積％以上が溶融可能であることが更に好ましく、３０体積％以上が溶融可能であることが特に好ましく、５０体積％以上が溶融可能であることが最も好ましい。４００℃の加熱時に溶融可能な体積が、上記の好ましい範囲であると、突起による溶融接合性をより一層高めることができ、接続信頼性を効果的に高めることができる。４００℃の加熱時に溶融可能な体積が大きいほど、突起を効果的に溶融変形させることができる。

上記金属部の突起成分の金属拡散状態は、以下のようにして評価される。

金属含有粒子の含有量が１０重量％である導電ペーストを用意する。

銅電極を上面に有する透明ガラス基板を用意する。また、金電極を下面に有する半導体チップを用意する。

上記透明ガラス基板上に、導電ペーストを塗工し、導電ペースト層を形成する。次に、導電ペースト層上に上記半導体チップを、電極同士が対向するように積層する。その後、導電ペースト層の温度が２５０℃となるようにヘッドの温度を調整しながら、半導体チップの上面に加圧加熱ヘッドを載せ、０．５ＭＰａの圧力をかけて導電ペースト層を２５０℃で硬化させて、接続構造体を得る。

接続構造体の中心付近を通るように機械研磨し、イオンミリング装置を用いて、金属含有粒子の断面を切り出す。なお、接続構造体の機械研磨を容易にするために、接続構造体を樹脂中に埋め込み、樹脂中に埋め込まれた接続構造体を機械研磨してもよい。

次いで、透過型電子顕微鏡ＦＥ－ＴＥＭを用いて、エネルギー分散型Ｘ線分析装置（ＥＤＳ）により、金属含有粒子と銅電極及び金電極との接触部分を線分析、又は、元素マッピングすることにより、金属の拡散状態を観察する。

上記金属の拡散状態を観察することにより、金属含有粒子の外周が銅電極及び金電極に対して金属拡散していることを確認することができる。

また、上記金属の拡散状態のマッピングにより、金属含有粒子の外周と銅電極及び金電極との接触割合を算出することができ、これにより定量を行うこともできる。

上記金属部の突起の溶融変形温度は、以下のようにして評価される。

上記金属部の突起の溶融変形温度は、示差走査熱量計（ヤマト科学社製「ＤＳＣ－６３００」）を用いて測定できる。上記測定は、金属含有粒子１５ｇを用いて、昇温範囲３０℃から５００℃、昇温速度５℃／ｍｉｎ．、窒素パージ量５ｍｌ／ｍｉｎ．の測定条件で行う。

次に、上記の測定で得られた溶融温度で上記金属部の突起が溶融していることを確認する。金属含有粒子１ｇを容器に入れ、電気炉に入れる。電気炉にて上記測定で得られた溶融温度と同じ温度を設定し、窒素雰囲気で１０分間加熱する。その後、加熱した金属含有粒子を電気炉から取出し、走査型電子顕微鏡を用いて突起の溶融状態（又は溶融後の固化状態）を確認する。なお、突起の先端や、突起の表面や、突起の内部などの突起の一部の領域を溶融させることで、突起を溶融変形させてもよい。

本発明に係る金属含有粒子は、上記金属部の上記突起を比較的低温で溶融接合させることができるので、２つの接続対象部材の接続に用いることができる。２つの接続対象部材間に、金属含有粒子における上記金属部の上記突起において溶融接合させることで、強固な接続を発揮する接続部を形成することができ、接続信頼性を高めることができる。

上記金属含有粒子における複数の上記突起の頂角の平均（ａ）は好ましくは１０°以上、より好ましくは２０°以上であり、好ましくは６０°以下、より好ましくは４５°以下である。上記頂角の平均（ａ）が上記下限以上であると、突起が過度に折れにくくなる。上記頂角の平均（ａ）が上記上限以下であると、溶融温度又は溶融変形温度がより一層低くなる。なお、折れた突起は、導電接続時に電極間の接続抵抗を上昇させることがある。

上記突起の上記頂角の平均（ａ）は、金属含有粒子１個に含まれる突起のそれぞれの頂角を、平均することにより求められる。

上記金属含有粒子における複数の上記突起の平均高さ（ｂ）は、好ましくは３ｎｍ以上、より好ましくは５ｎｍ以上、更に好ましくは５０ｎｍ以上であり、好ましくは５０００ｎｍ以下、より好ましくは１０００ｎｍ以下、更に好ましくは８００ｎｍ以下である。上記突起の平均高さ（ｂ）が上記下限以上であると、溶融温度又は溶融変形温度がより一層低くなる。上記突起の平均高さ（ｂ）が上記上限以下であると、突起が過度に折れにくくなる。

上記突起の平均高さ（ｂ）は、金属含有粒子１個に含まれる突起の高さの平均である。上記金属含有粒子が上記凸部を有さずかつ上記突起を有する場合、上記突起の高さは、金属含有粒子の中心と突起の先端とを結ぶ線（図１に示す破線Ｌ１）上における、突起が無いと想定した場合の上記金属含有粒子の仮想線（図１に示す破線Ｌ２）上（突起が無いと想定した場合の球状の金属含有粒子の外表面上）から突起の先端までの距離を示す。上記金属含有粒子が上記凸部を有さずかつ上記突起を有する場合、上記突起の高さは、金属含有粒子の中心と突起の先端とを結ぶ線（図９に示す破線Ｌ１１）上における、突起が無いと想定した場合の上記金属含有粒子の仮想線（図９に示す破線Ｌ１２）上（突起が無いと想定した場合の球状の金属含有粒子の外表面上）から突起の先端までの距離を示す。すなわち、図１においては、破線Ｌ１と破線Ｌ２との交点から突起の先端までの距離を示す。図９においては、破線Ｌ１１と破線Ｌ１２との交点から突起の先端までの距離を示す。なお、上記金属含有粒子が上記凸部を有し、かつ上記突起を有する場合には、即ち上記金属含有粒子が上記凸部上に上記突起を有する場合には、上記突起の高さは、突起が無いと想定した場合の上記金属含有粒子（凸部）の仮想線から突起の先端までの距離を示す。突起は、複数の粒状物の集合体であってもよい。例えば、突起は、突起を構成する粒子が複数連なって形成されていてもよい。この場合に、突起の高さは、複数の粒状物の集合体又は連なった粒子を全体でみたときの突起の高さであってもよい。

図３においても、突起１Ｂａ，３Ｂａの高さは、突起が無いと想定した場合に金属含有粒子の仮想線上から突起の先端までの距離を示す。ただし、突起１Ｂａ，３Ｂａが、複数の粒子が積み重なって形成されている場合には、その複数の粒子１個分の平均高さを突起の高さとする。

上記金属含有粒子における複数の上記突起の基部の平均径（ｃ）は、好ましくは３ｎｍ以上、より好ましくは５ｎｍ以上、更に好ましくは５０ｎｍ以上であり、好ましくは１０００ｎｍ以下、より好ましくは８００ｎｍ以下である。上記平均径（ｃ）が上記下限以上であると、突起が過度に折れにくくなる。上記平均径（ｃ）が上記上限以下であると、接続信頼性がより一層高くなる。

上記突起の基部の平均径（ｃ）は、金属含有粒子１個に含まれる突起の基部の径の平均である。基部の径は、突起における基部のそれぞれの最大径である。上記金属含有粒子が上記凸部を有し、かつ上記突起を有する場合には、即ち上記金属含有粒子が上記凸部上に上記突起を有する場合には、金属含有粒子の中心と突起の先端とを結ぶ線上における、突起が無いと想定した場合の金属含有粒子の仮想線部分の端部が、上記突起の基部である。また、上記仮想線部分の端部間距離（端部を直線で結んだ距離）が基部の径である。

複数の上記突起の平均高さ（ｂ）の、複数の上記突起の基部の平均径（ｃ）に対する比（平均高さ（ｂ）／平均径（ｃ））は、好ましくは０．５以上、より好ましくは１．５以上であり、好ましくは１０以下、より好ましくは５以下である。上記比（平均高さ（ｂ）／平均径（ｃ））が上記下限以上であると、接続信頼性がより一層高くなる。上記比（平均高さ（ｂ）／平均径（ｃ））が上記上限以下であると、突起が過度に折れにくくなる。

複数の上記突起の高さの中央の位置における平均径（ｄ）の、複数の上記突起の基部の平均径（ｃ）に対する比（平均径（ｄ）／平均径（ｃ））は、好ましくは１／５以上、より好ましくは１／４以上、更に好ましくは１／３以上であり、好ましくは４／５以下、より好ましくは３／４以下、更に好ましくは２／３以下である。上記比（平均径（ｄ）／平均径（ｃ））が上記下限以上であると、突起が過度に折れにくくなる。上記比（平均径（ｄ）／平均径（ｃ））が上記上限以下であると、接続信頼性がより一層高くなる。

上記金属含有粒子における上記突起の高さの中央の位置における平均径（ｄ）は、金属含有粒子１個に含まれる突起の高さの中央の位置における径の平均である。突起の高さの中央の位置における径は、突起の高さの中央の位置のそれぞれの最大径である。

突起の過度の折れを抑え、突起による溶融接合性をより一層高め、接続信頼性を効果的に高める観点からは、上記金属含有粒子における複数の上記突起の形状は、針状又は球体の一部の形状であることが好ましい。針状の形状は、角錐状、円錐状又は回転放物面状であることが好ましく、円錐状又は回転放物面状であることがより好ましく、円錐状であることが更に好ましい。上記金属含有粒子における上記突起の形状は、角錐状であってもよく、円錐状であってもよく、回転放物面状であってもよい。本発明では、回転放物面状も、先細りしている針状に含まれる。回転放物面状の突起では、基部から先端にかけて先細りしている。

上記金属含有粒子１個あたりの外表面の突起は、好ましくは３個以上、より好ましくは５個以上である。上記突起の数の上限は特に限定されない。上記突起の数の上限は金属含有粒子の粒子径等を考慮して適宜選択できる。なお、上記金属含有粒子に含まれる突起は、先細りしている針状でなくてもよく、更に上記金属含有粒子に含まれる突起の全てが、先細りしている針状である必要はない。

上記金属含有粒子１個あたりに含まれる突起の数に占める先細りしている針状である突起の数の割合は、好ましくは３０％以上、より好ましくは５０％以上、更に好ましくは６０％以上、特に好ましくは７０％以上、最も好ましくは８０％以上である。針状の突起の数の割合が多いほど、針状の突起による効果がより一層効果的に得られる。

上記金属含有粒子の外表面の表面積１００％中、上記突起がある部分の表面積の割合（ｘ）は、好ましくは１０％以上、より好ましくは２０％以上、更に好ましくは３０％以上であり、好ましくは９０％以下、より好ましくは８０％以下、更に好ましくは７０％以下である。突起がある部分の表面積の割合が多いほど、突起による効果がより一層効果的に得られる。

接続信頼性を効果的に高める観点からは、上記金属含有粒子の外表面の表面積１００％中、針状の突起がある部分の表面積の割合は、好ましくは１０％以上、より好ましくは２０％以上、更に好ましくは３０％以上であり、好ましくは９０％以下、より好ましくは８０％以下、更に好ましくは７０％以下である。針状の突起がある部分の表面積の割合が多いほど、突起による効果がより一層効果的に得られる。

複数の上記凸部の頂角の平均（Ａ）は、好ましくは１０°以上、より好ましくは２０°以上であり、好ましくは６０°以下、より好ましくは４５°以下である。上記頂角の平均（Ａ）が上記下限以上であると、凸部が過度に折れにくくなる。上記頂角の平均（Ａ）が上記上限以下であると、溶融温度がより一層低くなる。なお、折れた凸部は、導電接続時に電極間の接続抵抗を上昇させることがある。

上記凸部の上記頂角の平均（Ａ）は、金属含有粒子１個に含まれる凸部のそれぞれの頂角を、平均することにより求められる。

複数の上記凸部の平均高さ（Ｂ）は、好ましくは５ｎｍ以上、より好ましくは５０ｎｍ以上であり、好ましくは５０００ｎｍ以下、より好ましくは１０００ｎｍ以下、更に好ましくは８００ｎｍ以下である。上記凸部の平均高さ（Ｂ）が上記下限以上であると、溶融温度がより一層低くなる。上記凸部の平均高さ（Ｂ）が上記上限以下であると、凸部が過度に折れにくくなる。

上記凸部の平均高さ（Ｂ）は、金属含有粒子１個に含まれる凸部の高さの平均である。上記凸部の高さは、金属含有粒子の中心と凸部の先端とを結ぶ線（図８に示す破線Ｌ１）上における、凸部が無いと想定した場合の金属部の仮想線（図８に示す破線Ｌ２）上（凸部が無いと想定した場合の球状の金属含有粒子の外表面上）から凸部の先端までの距離を示す。すなわち、図８においては、破線Ｌ１と破線Ｌ２との交点から凸部の先端までの距離を示す。

複数の上記凸部の基部の平均径（Ｃ）は、好ましくは３ｎｍ以上、より好ましくは５ｎｍ以上、更に好ましくは５０ｎｍ以上であり、好ましくは５０００ｎｍ以下、より好ましくは１０００ｎｍ以下、更に好ましくは８００ｎｍ以下である。上記平均径（Ｃ）が上記下限以上であると、凸部が過度に折れにくくなる。上記平均径（Ｃ）が上記上限以下であると、接続信頼性がより一層高くなる。

上記凸部の基部の平均径（Ｃ）は、金属含有粒子１個に含まれる凸部の基部の径の平均である。基部の径は、凸部における基部のそれぞれの最大径である。金属含有粒子の中心と凸部の先端とを結ぶ線（図８に示す破線Ｌ１）上における、凸部が無いと想定した場合の金属部の仮想線部分（図８に示す破線Ｌ２）の端部が、上記凸部の基部であり、上記仮想線部分の端部間距離（端部を直線で結んだ距離）が基部の径である。

複数の上記凸部の高さの中央の位置における平均径（Ｄ）の、複数の上記凸部の基部の平均径（Ｃ）に対する比（平均径（Ｄ）／平均径（Ｃ））は、好ましくは１／５以上、より好ましくは１／４以上、更に好ましくは１／３以上であり、好ましくは４／５以下、より好ましくは３／４以下、更に好ましくは２／３以下である。上記比（平均径（Ｄ）／平均径（Ｃ））が上記下限以上であると、凸部が過度に折れにくくなる。上記比（平均径（Ｄ）／平均径（Ｃ））が上記上限以下であると、接続信頼性がより一層高くなる。

上記凸部の高さの中央の位置における平均径（Ｄ）は、金属含有粒子１個に含まれる凸部の高さの中央の位置における径の平均である。凸部の高さの中央の位置における径は、凸部の高さの中央の位置のそれぞれの最大径である。

凸部の過度の折れを抑え、凸部による溶融接合性をより一層高め、接続信頼性を効果的に高める観点からは、複数の上記凸部の形状は針状又は球体の一部の形状であることが好ましい。針状の形状は、角錐状、円錐状又は回転放物面状であることが好ましく、円錐状又は回転放物面状であることがより好ましく、円錐状であることが更に好ましい。上記凸部の形状は、角錐状であってもよく、円錐状であってもよく、回転放物面状であってもよい。本発明では、回転放物面状も、先細りしている針状に含まれる。回転放物面状の凸部では、基部から先端にかけて先細りしている。

上記金属含有粒子１個あたりの外表面の凸部は、好ましくは３個以上、より好ましくは５個以上である。上記凸部の数の上限は特に限定されない。上記凸部の数の上限は金属含有粒子の粒子径等を考慮して適宜選択できる。なお、上記金属含有粒子に含まれる凸部は、先細りしている針状でなくてもよく、上記金属含有粒子に含まれる凸部の全てが、先細りしている針状である必要はない。

上記金属含有粒子１個あたりに含まれる凸部の数に占める先細りしている針状である凸部の数の割合は、好ましくは３０％以上、より好ましくは５０％以上、更に好ましくは６０％以上、特に好ましくは７０％以上、最も好ましくは８０％以上である。針状の凸部の数の割合が多いほど、針状の凸部による効果がより一層効果的に得られる。

上記金属含有粒子の表面積１００％中、上記凸部がある部分の表面積の割合（Ｘ）は、好ましくは１０％以上、より好ましくは２０％以上、更に好ましくは３０％以上であり、好ましくは９０％以下、より好ましくは８０％以下、更に好ましくは７０％以下である。凸部がある部分の表面積の割合が多いほど、凸部上の突起による効果がより一層効果的に得られる。

接続信頼性を効果的に高める観点からは、上記金属含有粒子の外表面の表面積１００％中、針状の凸部がある部分の表面積の割合は、好ましくは１０％以上、より好ましくは２０％以上、更に好ましくは３０％以上であり、好ましくは９０％以下、より好ましくは８０％以下、更に好ましくは７０％以下である。針状の凸部がある部分の表面積の割合が多いほど、凸部上の突起による効果がより一層効果的に得られる。

複数の上記凸部の平均高さ（Ｂ）の、上記金属含有粒子における複数の上記突起の平均高さ（ｂ）に対する比（平均高さ（Ｂ）／平均高さ（ｂ））は、好ましくは５以上、より好ましくは１０以上であり、好ましくは１０００以下、より好ましくは８００以下である。上記比（平均高さ（Ｂ）／平均高さ（ｂ））が上記下限以上であると、接続信頼性がより一層高くなる。上記比（平均高さ（Ｂ）／平均高さ（ｂ））が上記上限以下であると、凸部が過度に折れにくくなる。

複数の上記突起を有する上記金属部が、金属又は合金の結晶配向により形成されていることが好ましい。なお、後述する実施例では、金属部は、金属又は合金の結晶配向により形成されている。

接続信頼性を効果的に高める観点からは、上記金属含有粒子を１０％圧縮したときの圧縮弾性率（１０％Ｋ値）は、好ましくは１００Ｎ／ｍｍ^２以上、より好ましくは１０００Ｎ／ｍｍ^２以上であり、好ましくは２５０００Ｎ／ｍｍ^２以下、より好ましくは１００００Ｎ／ｍｍ^２以下、更に好ましくは８０００Ｎ／ｍｍ^２以下である。

上記金属含有粒子の上記圧縮弾性率（１０％Ｋ値）は、以下のようにして測定できる。

微小圧縮試験機を用いて、円柱（直径１００μｍ、ダイヤモンド製）の平滑圧子端面で、２５℃、圧縮速度０．３ｍＮ／秒、及び最大試験荷重２０ｍＮの条件下で金属含有粒子を圧縮する。このときの荷重値（Ｎ）及び圧縮変位（ｍｍ）を測定する。得られた測定値から、上記圧縮弾性率を下記式により求めることができる。上記微小圧縮試験機として、例えば、フィッシャー社製「フィッシャースコープＨ－１００」等が用いられる。

１０％Ｋ値（Ｎ／ｍｍ^２）＝（３／２^１／２）・Ｆ・Ｓ^－３／２・Ｒ^－１／２
Ｆ：金属含有粒子が１０％圧縮変形したときの荷重値（Ｎ）
Ｓ：金属含有粒子が１０％圧縮変形したときの圧縮変位（ｍｍ）
Ｒ：金属含有粒子の半径（ｍｍ）

上記突起のＸ線回折における（１１１）面の割合は、５０％以上であることが好ましい。上記突起のＸ線回折における（１１１）面の割合が、上記下限以上であると、接続信頼性をより一層効果的に高めることができる。

以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明する。

図１は、本発明の第１の実施形態に係る金属含有粒子を模式的に示す断面図である。

図１に示すように、金属含有粒子１は、基材粒子２と、金属部３と、金属膜５とを備える。

金属部３は、基材粒子２の表面上に配置されている。金属含有粒子１は、基材粒子２の表面が金属部３により被覆された被覆粒子である。金属部３は連続皮膜である。

金属膜５は、金属部３を被覆している。金属含有粒子１は、金属部３の外表面が金属膜５により被覆された被覆粒子である。上記金属膜は、上記金属部の表面を完全に被覆していてもよく、上記金属部の表面を完全に被覆していなくてもよい。上記金属含有粒子は、上記金属膜によって、上記金属部の表面が被覆されていない部分を有していてもよい。

金属含有粒子１は金属部３の外表面に、複数の突起１ａを有する。金属部３は外表面に、複数の突起３ａを有する。複数の突起１ａ，３ａの形状は、先細りしている針状であり、本実施形態では円錐状である。本実施形態では、突起１ａ，３ａの先端が、４００℃以下で溶融可能である。金属部３は、第１の部分と、該第１の部分よりも厚みが厚い第２の部分とを有する。複数の突起１ａ，３ａを除く部分が、金属部３の上記第１の部分である。複数の突起１ａ，３ａは、金属部３の厚みが厚い上記第２の部分である。本実施形態では、複数の突起１ａ，３ａの外表面が金属膜５により被覆されている。

図２は、本発明の第２の実施形態に係る金属含有粒子を模式的に示す断面図である。

図２に示すように、金属含有粒子１Ａは、基材粒子２と、金属部３Ａと、金属膜５Ａとを備える。

金属部３Ａは、基材粒子２の表面上に配置されている。金属含有粒子１Ａは金属部３Ａの外表面に、複数の突起１Ａａを有する。金属部３Ａは外表面に、複数の突起３Ａａを有する。複数の突起１Ａａ，３Ａａの形状は、先細りしている針状であり、本実施形態では回転放物面状である。本実施形態では、突起１Ａａ，３Ａａの先端が、４００℃以下で溶融可能である。

金属膜５Ａは、金属部３Ａを被覆している。金属含有粒子１Ａは、金属部３Ａの外表面が金属膜５Ａにより被覆された被覆粒子である。上記金属膜は、上記金属部の表面を完全に被覆していてもよく、上記金属部の表面を完全に被覆していなくてもよい。上記金属含有粒子は、上記金属膜によって、上記金属部の表面が被覆されていない部分を有していてもよい。本実施形態では、複数の突起１Ａａ，３Ａａの外表面が金属膜５Ａにより被覆されている。

金属含有粒子１，１Ａのように、上記金属含有粒子における複数の突起の形状は、先細りしている針状であることが好ましく、円錐状であってもよく、回転放物面状であってもよい。

図３は、本発明の第３の実施形態に係る金属含有粒子を模式的に示す断面図である。

図３に示すように、金属含有粒子１Ｂは、基材粒子２と、金属部３Ｂと、金属膜５Ｂとを備える。

金属部３Ｂは、基材粒子２の表面上に配置されている。金属含有粒子１Ｂは金属部３Ｂの外表面に、複数の突起１Ｂａを有する。金属部３Ｂは外表面に、複数の突起３Ｂａを有する。複数の突起１Ｂａ，３Ｂａの形状は、球体の一部の形状である。金属部３Ｂは、外表面上に一部が露出するように埋め込まれた金属粒子３ＢＸを有する。金属粒子３ＢＸの露出している部分が、突起１Ｂａ，３Ｂａを構成している。本実施形態では、突起１Ｂａ，３Ｂａの先端が、４００℃以下で溶融可能である。

金属膜５Ｂは、金属部３Ｂを被覆している。金属含有粒子１Ｂは、金属部３Ｂの外表面が金属膜５Ｂにより被覆された被覆粒子である。上記金属膜は、上記金属部の表面を完全に被覆していてもよく、上記金属部の表面を完全に被覆していなくてもよい。上記金属含有粒子は、上記金属膜によって、上記金属部の表面が被覆されていない部分を有していてもよい。本実施形態では、金属粒子３ＢＸの露出している部分が金属膜５Ｂにより被覆されており、複数の突起１Ｂａ，３Ｂａの外表面が金属膜５Ｂにより被覆されている。

金属含有粒子１Ｂのように、突起を小さくすることで、突起の形状は、先細りしている針状でなくてもよく、例えば球体の一部の形状であってもよい。

図４は、本発明の第４の実施形態に係る金属含有粒子を模式的に示す断面図である。

図４に示すように、金属含有粒子１Ｃは、基材粒子２と、金属部３Ｃと、金属膜５Ｃとを備える。

金属含有粒子１と金属含有粒子１Ｃとでは、金属部のみが異なっている。すなわち、金属含有粒子１では、１層構造の金属部３が形成されているのに対し、金属含有粒子１Ｃでは、２層構造の金属部３Ｃが形成されている。

金属部３Ｃは、第１の金属部３ＣＡ及び第２の金属部３ＣＢを有する。第１，第２の金属部３ＣＡ，３ＣＢは、基材粒子２の表面上に配置されている。基材粒子２と第２の金属部３ＣＢとの間に、第１の金属部３ＣＡが配置されている。従って、基材粒子２の表面上に第１の金属部３ＣＡが配置されており、第１の金属部３ＣＡの外表面上に第２の金属部３ＣＢが配置されている。第１の金属部３ＣＡの外形は球状である。金属含有粒子１Ｃは金属部３Ｃの外表面に、複数の突起１Ｃａを有する。金属部３Ｃは、外表面に複数の突起３Ｃａを有する。第２の金属部３ＣＢは外表面に、複数の突起を有する。複数の突起１Ｃａ，３Ｃａの形状は、先細りしている針状であり、本実施形態では円錐状である。本実施形態では、突起１Ｃａ，３Ｃａの先端が、４００℃以下で溶融可能である。内側の第１の金属部が外表面に、複数の突起を有していてもよい。

金属膜５Ｃは、金属部３Ｃを被覆している。金属含有粒子１Ｃは、金属部３Ｃの外表面が金属膜５Ｃにより被覆された被覆粒子である。上記金属膜は、上記金属部の表面を完全に被覆していてもよく、上記金属部の表面を完全に被覆していなくてもよい。上記金属含有粒子は、上記金属膜によって、上記金属部の表面が被覆されていない部分を有していてもよい。本実施形態では、複数の突起１Ｃａ，３Ｃａの外表面が金属膜５Ｃにより被覆されている。

図５は、本発明の第５の実施形態に係る金属含有粒子を模式的に示す断面図である。

図５に示すように、金属含有粒子１Ｄは、基材粒子２と、金属部３Ｄと、金属膜５Ｄとを備える。

金属部３Ｄは、基材粒子２の表面上に配置されている。金属含有粒子１Ｄは金属部３Ｄの外表面に、複数の突起１Ｄａを有する。金属含有粒子１Ｄは金属部３Ｄの外表面に、複数の凸部（第１の突起）３Ｄａを有する。金属部３Ｄは外表面に、複数の凸部（第１の突起）３Ｄａを有する。金属部３Ｄは、凸部（第１の突起）３Ｄａの外表面に、凸部（第１の突起）３Ｄａよりも小さい突起３Ｄｂ（第２の突起）を有する。凸部（第１の突起）３Ｄａと突起３Ｄｂ（第２の突起）とは一体化しており、連なっている。本実施形態では、突起３Ｄｂ（第２の突起）の先端径が小さく、突起３Ｄｂ（第２の突起）の先端が、４００℃以下で溶融可能である。

金属膜５Ｄは、金属部３Ｄを被覆している。金属含有粒子１Ｄは、金属部３Ｄの外表面が金属膜５Ｄにより被覆された被覆粒子である。上記金属膜は、上記金属部の表面を完全に被覆していてもよく、上記金属部の表面を完全に被覆していなくてもよい。上記金属含有粒子は、上記金属膜によって、上記金属部の表面が被覆されていない部分を有していてもよい。本実施形態では、複数の突起１Ｄａ、凸部（第１の突起）３Ｄａ及び突起３Ｄｂ（第２の突起）の外表面が金属膜５Ｄにより被覆されている。

図６は、本発明の第６の実施形態に係る金属含有粒子を模式的に示す断面図である。

図６に示すように、金属含有粒子１Ｅは、基材粒子２と、金属部３Ｅと、芯物質４Ｅと、金属膜５Ｅとを備える。

金属部３Ｅは、基材粒子２の表面上に配置されている。金属含有粒子１Ｅは金属部３Ｅの外表面に、複数の突起１Ｅａを有する。金属含有粒子１Ｅは金属部３Ｅの外表面に、複数の凸部（第１の突起）３Ｅａを有する。金属部３Ｅは外表面に、複数の凸部（第１の突起）３Ｅａを有する。金属部３Ｅは、凸部（第１の突起）３Ｅａの外表面に、凸部（第１の突起）３Ｅａよりも小さい突起３Ｅｂ（第２の突起）を有する。凸部（第１の突起）３Ｅａと突起３Ｅｂ（第２の突起）とは一体化しており、連なっている。本実施形態では、突起３Ｅｂ（第２の突起）の先端径が小さく、突起３Ｅｂ（第２の突起）の先端が、４００℃以下で溶融可能である。

金属膜５Ｅは、金属部３Ｅを被覆している。金属含有粒子１Ｅは、金属部３Ｅの外表面が金属膜５Ｅにより被覆された被覆粒子である。上記金属膜は、上記金属部の表面を完全に被覆していてもよく、上記金属部の表面を完全に被覆していなくてもよい。上記金属含有粒子は、上記金属膜によって、上記金属部の表面が被覆されていない部分を有していてもよい。本実施形態では、複数の突起１Ｅａ、凸部（第１の突起）３Ｅａ及び突起３Ｅｂ（第２の突起）の外表面が金属膜５Ｅにより被覆されている。

金属含有粒子１Ｅでは、複数の芯物質４Ｅが、基材粒子２の外表面上に配置されている。複数の芯物質４Ｅは、金属部３Ｅの内側に配置されている。複数の芯物質４Ｅは、金属部３Ｅの内側に埋め込まれている。芯物質４Ｅは、凸部３Ｅａの内側に配置されている。金属部３Ｅは、複数の芯物質４Ｅを被覆している。複数の芯物質４Ｅにより、金属部３Ｅの外表面が隆起されており、凸部３Ｅａが形成されている。

金属含有粒子１Ｅのように、金属含有粒子は、金属含有粒子又は金属部の外表面を隆起させている複数の芯物質を備えていてもよい。

図７は、本発明の第７の実施形態に係る金属含有粒子を模式的に示す断面図である。

図７に示すように、金属含有粒子１Ｆは、基材粒子２と、金属部３Ｆと、金属膜５Ｆとを備える。

金属部３Ｆは、基材粒子２の表面上に配置されている。金属含有粒子１Ｆは金属部３Ｆの外表面に、複数の突起１Ｆａを有する。金属含有粒子１Ｆは金属部３Ｆの外表面に、複数の凸部（第１の突起）３Ｆａを有する。金属部３Ｆは外表面に、複数の凸部（第１の突起）３Ｆａを有する。金属部３Ｆは、凸部（第１の突起）３Ｆａの外表面に、凸部（第１の突起）３Ｆａよりも小さい突起３Ｆｂ（第２の突起）を有する。凸部（第１の突起）３Ｆａと突起３Ｆｂ（第２の突起）とは一体化していない。本実施形態では、突起３Ｆｂ（第２の突起）の先端径が小さく、突起３Ｆｂ（第２の突起）の先端が、４００℃以下で溶融可能である。

金属膜５Ｆは、金属部３Ｆを被覆している。金属含有粒子１Ｆは、金属部３Ｆの外表面が金属膜５Ｆにより被覆された被覆粒子である。上記金属膜は、上記金属部の表面を完全に被覆していてもよく、上記金属部の表面を完全に被覆していなくてもよい。上記金属含有粒子は、上記金属膜によって、上記金属部の表面が被覆されていない部分を有していてもよい。本実施形態では、複数の突起１Ｆａ、凸部（第１の突起）３Ｆａ及び突起３Ｆｂ（第２の突起）の外表面が金属膜５Ｆにより被覆されている。

図８は、本発明の第８の実施形態に係る金属含有粒子を模式的に示す断面図である。

図８に示すように、金属含有粒子１Ｇは、基材粒子２と、金属部３Ｇと、金属膜５Ｇとを備える。

金属部３Ｇは、第１の金属部３ＧＡ及び第２の金属部３ＧＢを有する。第１，第２の金属部３ＧＡ，３ＧＢは、基材粒子２の表面上に配置されている。基材粒子２と第２の金属部３ＧＢとの間に、第１の金属部３ＧＡが配置されている。従って、基材粒子２の表面上に第１の金属部３ＧＡが配置されており、第１の金属部３ＧＡの外表面上に第２の金属部３ＧＢが配置されている。

金属部３Ｇは、基材粒子２の表面上に配置されている。金属含有粒子１Ｇは金属部３Ｇの外表面に、複数の突起１Ｇａを有する。金属含有粒子１Ｇは金属部３Ｇの外表面に、複数の凸部（第１の突起）３Ｇａを有する。金属部３Ｇは、凸部（第１の突起）３Ｇａの外表面に、凸部（第１の突起）３Ｇａよりも小さい突起３Ｇｂ（第２の突起）を有する。凸部（第１の突起）３Ｇａと突起３Ｇｂ（第２の突起）との間に、界面が存在する。本実施形態では、突起３Ｇｂ（第２の突起）の先端径が小さく、突起３Ｇｂ（第２の突起）の先端が、４００℃以下で溶融可能である。

金属膜５Ｇは、金属部３Ｇを被覆している。金属含有粒子１Ｇは、金属部３Ｇの外表面（第２の金属部３ＧＢ）が金属膜５Ｇにより被覆された被覆粒子である。上記金属膜は、上記金属部の表面を完全に被覆していてもよく、上記金属部の表面を完全に被覆していなくてもよい。上記金属含有粒子は、上記金属膜によって、上記金属部の表面が被覆されていない部分を有していてもよい。本実施形態では、複数の突起１Ｇａ、凸部（第１の突起）３Ｇａ及び突起３Ｇｂ（第２の突起）の外表面が金属膜５Ｇにより被覆されている。

また、図１７～２０に、実際に製造された金属含有粒子であって、金属膜を形成する前の金属含有粒子の画像を示す。図１７～２０に示す金属含有粒子は、外表面に突起を有する金属部を備える。上記金属部の複数の上記突起の先端は、４００℃以下で溶融可能である。図２０に示す金属含有粒子では、金属部が、外表面に複数の凸部を有し、該凸部の外表面上に上記凸部よりも小さい突起を有する。図１７～２０に示す金属含有粒子の金属部を金属膜で被覆することで、本発明に係る金属含有粒子が得られる。

図９は、本発明の第９の実施形態に係る金属含有粒子を模式的に示す断面図である。

図９に示すように、金属含有粒子１１は、基材粒子２と、金属部１３とを備える。

金属部１３は、基材粒子２の表面上に配置されている。金属含有粒子１１は、基材粒子２の表面が金属部１３により被覆された被覆粒子である。金属部１３は、基材粒子２の表面全体を覆う連続皮膜である。

金属含有粒子１１は金属部１３の外表面に、複数の突起１１ａを有する。金属部１３は外表面に、複数の突起１３ａを有する。複数の突起１１ａ，１３ａの形状は、先細りしている針状であり、本実施形態では回転放物面状である。

金属部１３は、第１の金属部１３Ｘと、第２の金属部１３Ｙとを有する。第２の金属部１３Ｙは、粒子であり、例えばはんだである。第１の金属部１３Ｘは、金属部１３の第２の金属部１３Ｙを除く部分である。第２の金属部１３Ｙは、４００℃以下で溶融変形可能である。第１の金属部１３Ｘの融点は、４００℃を超える。第１の金属部１３Ｘは、４００℃で溶融変形しない。

１つの突起１１ａ，１３ａの内部に、１つの第２の金属部１３Ｙが配置されている。本実施形態では、突起１１ａ，１３ａが、４００℃以下で金属拡散しうる第２の金属部１３Ｙを含んでいる。また、第２の金属部１３Ｙの存在によって、突起１１ａ，１３ａが、４００℃以下で第２の金属部１３Ｙと第１の金属部１３Ｘとの間で金属拡散が起こり、４００℃以下で溶融変形可能な突起を形成する。若しくは第２の金属部１３Ｙによって、突起１１ａ，１３ａが、４００℃以下で溶融変形可能である。金属部１３は、第１の部分と、該第１の部分よりも厚みが厚い第２の部分とを有する。複数の突起１１ａ，１３ａを除く部分が、金属部１３の上記第１の部分である。複数の突起１１ａ，１３ａは、金属部１３の厚みが厚い上記第２の部分である。第１の部分には、第２の金属部１３Ｙが存在しないため、実装時においても金属拡散に起因する溶融変形可能な部分は形成されず、その厚みを確保することができる。

図１０は、本発明の第１０の実施形態に係る金属含有粒子を模式的に示す断面図である。

図１０に示すように、金属含有粒子１１Ａは、基材粒子２と、金属部１３Ａとを備える。

金属含有粒子１１と金属含有粒子１１Ａとでは、金属部のみが異なっている。すなわち、金属含有粒子１１では、１層構造の金属部１３が形成されているのに対し、金属含有粒子１１Ａでは、２層構造の金属部１３Ａが形成されている。

金属部１３Ａは、第１の金属部１３ＡＸと、第２の金属部１３ＡＹと、第３の金属部１３ＡＺとを有する。第１，第２，第３の金属部１３ＡＸ，１３ＡＹ，１３ＡＺは、基材粒子２の表面上に配置されている。

第１の金属部１３ＡＸは、内層である。第２の金属部１３ＡＹは、外層である。基材粒子２と第２の金属部１３ＡＹとの間に、第１の金属部１３ＡＸが配置されている。従って、基材粒子２の表面上に第１の金属部１３ＡＸが配置されており、第１の金属部１３ＡＸの外表面上に第２の金属部１３ＡＹが配置されている。第１の金属部１３ＡＸの外形は球状である。金属含有粒子１１Ａは金属部１３Ａの外表面に、複数の突起１１Ａａを有する。金属部１３Ａは、外表面に複数の突起１３Ａａを有する。第２の金属部１３ＡＹは外表面に、複数の突起を有する。複数の突起１１Ａａ，１３Ａａの形状は、先細りしている針状であり、本実施形態では回転放物面状である。

第３の金属部１３ＡＺは、粒子であり、例えばはんだである。第３の金属部１３ＡＺは、４００℃以下で溶融変形可能である。第１，第２の金属部１３ＡＸ，１３ＡＹの融点は、４００℃を超える。第１，第２の金属部１３ＡＸ，１３ＡＹは、４００℃で溶融変形しない。

１つの突起１１Ａａ，１３Ａａの内部に、１つの第３の金属部１３ＡＺが配置されている。本実施形態では、突起１１Ａａ，１３Ａａが、４００℃以下で金属拡散しうる第３の金属部１３ＡＺを含んでいる。また、第３の金属部１３ＡＺの存在によって、突起１１Ａａ，１３Ａａが第２の金属部１３ＡＹと第３の金属部１３ＡＺとの間で金属拡散が起こり、４００℃以下で溶融変形可能な突起を形成する。若しくは第３の金属部１３ＡＺによって、突起１１Ａａ，１３Ａａが、４００℃以下で溶融変形可能である。

第３の金属部１３ＡＺは、第２の金属部１３ＡＹの内部に配置されている。第３の金属部１３ＡＺは、第１の金属部１３ＡＸの内部に配置されていない。第３の金属部１３ＡＺは、第１の金属部１３ＡＸの外表面上に配置されている。第３の金属部１３ＡＺは、第１の金属部１３ＡＸに接している。第３の金属部１３ＡＺは、第１の金属部１３ＡＸに接しなくてもよい。

図１１は、本発明の第１１の実施形態に係る金属含有粒子を模式的に示す断面図である。

図１１に示すように、金属含有粒子１１Ｂは、基材粒子２と、金属部１３Ｂとを備える。

金属含有粒子１１と金属含有粒子１１Ｂとでは、金属部のみが異なっている。

金属部１３Ｂは、第１の金属部１３ＢＸと、第２の金属部１３ＢＹと、第３の金属部１３ＢＺとを有する。第１，第２，第３の金属部１３ＢＸ，１３ＢＹ，１３ＢＺは、基材粒子２の表面上に配置されている。

第１の金属部１３ＢＸは、内層である。第２の金属部１３ＢＹは、外層である。基材粒子２と第２の金属部１３ＢＹとの間に、第１の金属部１３ＢＸが配置されている。従って、基材粒子２の表面上に第１の金属部１３ＢＸが配置されており、第１の金属部１３ＢＸの外表面上に第２の金属部１３ＢＹが配置されている。金属含有粒子１１Ｂは金属部１３Ｂの外表面に、複数の突起１１Ｂａを有する。金属部１３Ｂは、外表面に複数の突起１３Ｂａを有する。第１の金属部１３ＢＸは外表面に、複数の突起を有する。第２の金属部１３ＢＹは外表面に、複数の突起を有する。複数の突起１１Ｂａ，１３Ｂａの形状は、先細りしている針状であり、本実施形態では回転放物面状である。

第３の金属部１３ＢＺは、粒子であり、例えばはんだである。第３の金属部１３ＢＺは、４００℃以下で溶融変形可能である。第１，第２の金属部１３ＢＸ，１３ＢＹの融点は、４００℃を超える。第１，第２の金属部１３ＢＸ，１３ＢＹは、４００℃で溶融変形しない。

突起１１Ｂａ，１３Ｂａの内部に、第３の金属部１３ＢＺが配置されている。１つの突起１１Ｂａ，１３Ｂａの内部に、１つの第３の金属部１３ＢＺが配置されている。本実施形態では、突起１１Ｂａ，１３Ｂａが、４００℃以下で金属拡散しうる第３の金属部１３ＢＺを含んでいる。また、第３の金属部１３ＢＺの存在によって、突起１１Ｂａ，１３Ｂａが、第１の金属部１３ＢＸ及び第３の金属部１３ＢＺとの間で金属拡散が起こり、４００℃以下で溶融変形可能な突起を形成する。若しくは第３の金属部１３ＢＺによって、突起１１Ｂａ，１３Ｂａが、４００℃以下で溶融変形可能である。

第３の金属部１３ＢＺの一部の領域は、第１の金属部１３ＢＸの内部に配置されている。第３の金属部１３ＢＺの一部の領域は、第２の金属部１３ＢＹの内部に配置されている。第３の金属部１３ＢＺは、基材粒子２の表面上に配置されている。第３の金属部１３ＢＺは、基材粒子２に接している。第３の金属部１３ＢＺは、基材粒子２に接していなくてもよい。

図１２は、本発明の第１２の実施形態に係る金属含有粒子を模式的に示す断面図である。

図１２に示すように、金属含有粒子１１Ｃは、基材粒子２と、金属部１３Ｃとを備える。

金属含有粒子１１と金属含有粒子１１Ｃとでは、金属部のみが異なっている。

金属部１３Ｃは、第１の金属部１３ＣＸと、第２の金属部１３ＣＹとを有する。金属含有粒子１１Ｃは金属部１３Ｃの外表面に、複数の突起１１Ｃａを有する。金属部１３Ｃは、外表面に複数の突起１３Ｃａを有する。複数の突起１１Ｃａ，１３Ｃａの形状は、先細りしている針状であり、本実施形態では回転放物面状である。

第２の金属部１３ＣＹは、粒子であり、例えばはんだである。第１の金属部１３ＣＸは、金属部１３Ｃの第２の金属部１３ＣＹを除く部分である。第２の金属部１３ＣＹは、４００℃以下で溶融変形可能である。第１の金属部１３ＣＸの融点は、４００℃を超える。第１の金属部１３ＣＸは、４００℃で溶融変形しない。

１つの突起１１Ｃａ，１３Ｃａの内部に、複数の第２の金属部１３ＣＹが配置されている。本実施形態では、突起１１Ｃａ，１３Ｃａが、４００℃以下で金属拡散しうる第２の金属部１３ＣＹを含んでいる。また、第２の金属部１３ＣＹの存在によって、突起１１Ｃａ，１３Ｃａが、第２の金属部１３ＣＹと第１の金属部１３ＣＸとの間で金属拡散が起こり、４００℃以下で溶融変形可能な突起を形成する。若しくは第２の金属部１３ＣＹによって、突起１１Ｃａ，１３Ｃａが、４００℃以下で溶融変形可能である。

金属含有粒子１１Ｃのように、突起を溶融変形可能にするために、１つの突起に対して、４００℃以下で溶融変形可能な領域を複数形成してもよい。

図１３は、本発明の第１３の実施形態に係る金属含有粒子を模式的に示す断面図である。

図１３に示すように、金属含有粒子１１Ｄは、基材粒子２と、金属部１３Ｄとを備える。

金属含有粒子１１と金属含有粒子１１Ｄとでは、金属部のみが異なっている。

金属部１３Ｄは、第１の金属部１３ＤＸと、第２の金属部１３ＤＹとを有する。金属含有粒子１１Ｄは金属部１３Ｄの外表面に、複数の突起１１Ｄａを有する。金属部１３Ｄは、外表面に複数の突起１３Ｄａを有する。第２の金属部１３ＤＹは外表面に、複数の突起を有する。複数の突起１１Ｄａ，１３Ｄａの形状は、球体の一部の形状であり、本実施形態では半球状である。

第２の金属部１３ＤＹは、粒子であり、例えばはんだである。第１の金属部１３ＤＸは、金属部１３Ｄの第２の金属部１３ＤＹを除く部分である。第２の金属部１３ＤＹは、４００℃以下で溶融変形可能である。第１の金属部１３ＤＸの融点は、４００℃を超える。第１の金属部１３ＤＸは、４００℃で溶融変形しない。

突起１１Ｄａ，１３Ｄａの内部に、第２の金属部１３ＤＹが配置されている。１つの突起１１Ｄａ，１３Ｄａの内部に、１つの第２の金属部１３ＤＹが配置されている。本実施形態では、突起１１Ｄａ，１３Ｄａが、４００℃以下で金属拡散しうる第２の金属部１３ＤＹを含んでいる。また、第２の金属部１３ＤＹの存在によって、突起１１Ｄａ，１３Ｄａが、第２の金属部１３ＤＹと第１の金属部１３ＤＸとの間で金属拡散が起こり、４００℃以下で溶融変形可能な突起を形成する。若しくは第２の金属部１３ＤＹによって、突起１１Ｄａ，１３Ｄａが、４００℃以下で溶融変形可能である。

金属含有粒子１１，１１Ｄのように、突起の形状は適宜変更することができ、突起の先端は、尖っていなくてもよい。

図１４は、本発明の第１４の実施形態に係る金属含有粒子を模式的に示す断面図である。

図１４に示すように、金属含有粒子１１Ｅは、基材粒子２と、金属部１３Ｅとを備える。

金属含有粒子１１と金属含有粒子１１Ｅとでは、金属部のみが異なっている。

金属部１３Ｅは、第１の金属部１３ＥＸと、第２の金属部１３ＥＹとを有する。第１，第２の金属部１３ＥＸ，１３ＥＹは、基材粒子２の表面上に配置されている。

基材粒子２と第２の金属部１３ＥＹとの間に、第１の金属部１３ＥＸが配置されている。従って、基材粒子２の表面上に第１の金属部１３ＥＸが配置されており、第１の金属部１３ＥＸの外表面上に第２の金属部１３ＥＹが配置されている。第１の金属部１３ＥＸの外形は球状である。金属含有粒子１１Ｅは金属部１３Ｅの外表面に、複数の突起１１Ｅａを有する。金属部１３Ｅは、外表面に複数の突起１３Ｅａを有する。複数の第２の金属部１３ＥＹが、第１の金属部１３ＥＸの外表面上の一部の領域に配置されている。第２の金属部１３ＥＹ自体が突起である。複数の突起１１Ｅａ，１３Ｅａの形状は、先細りしている針状であり、本実施形態では回転放物面状である。

第２の金属部１３ＥＹは、回転放物面状の粒子であり、例えばはんだ又ははんだ合金である。第２の金属部１３ＥＹは、４００℃以下で溶融変形可能である。第１の金属部１３ＥＸの融点は、４００℃を超える。第１の金属部１３ＥＸは、４００℃で溶融変形しない。

本実施形態では、突起１１Ｅａ，１３Ｅａが、４００℃以下で金属拡散しうる第２の金属部１３ＥＹを含んでいる。または第２の金属部１３ＥＹによって、突起１１Ｅａ，１３Ｅａが、４００℃以下で溶融変形可能である。

金属含有粒子１１Ｅのように、突起を溶融変形可能にするために、４００℃以下で溶融可能な金属部が、金属部の外表面に位置していてもよい。

以下、金属含有粒子をより詳しく説明する。なお、以下の説明において、「（メタ）アクリル」は「アクリル」と「メタクリル」との一方又は双方を意味し、「（メタ）アクリロキシ」は「アクリロキシ」と「メタクリロキシ」との一方又は双方を意味する。また、「（メタ）アクリロ」は、「アクリロ」と「メタクリロ」との一方又は双方を意味し、「（メタ）アクリレート」は「アクリレート」と「メタクリレート」との一方又は双方を意味する。

［基材粒子］
上記基材粒子としては、樹脂粒子、金属粒子を除く無機粒子、有機無機ハイブリッド粒子及び金属粒子等が挙げられる。上記基材粒子は、コアと、該コアの表面上に配置されたシェルとを有していてもよく、コアシェル粒子であってもよい。上記基材粒子は、金属粒子を除く基材粒子であることが好ましく、樹脂粒子、金属粒子を除く無機粒子又は有機無機ハイブリッド粒子であることがより好ましい。

上記基材粒子は、樹脂粒子又は有機無機ハイブリッド粒子であることが更に好ましく、樹脂粒子であってもよく、有機無機ハイブリッド粒子であってもよい。これらの好ましい基材粒子の使用により、２つの接続対象部材の接続用途に好適な金属含有粒子が得られる。

上記基材粒子が樹脂粒子又は有機無機ハイブリッド粒子であると、上記金属含有粒子が変形しやすく、上記金属含有粒子の柔軟性が高くなる。このため、接続後に、衝撃吸収性が高くなる。

上記樹脂粒子を形成するための樹脂として、種々の有機物が好適に用いられる。上記樹脂粒子を形成するための樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリイソブチレン、ポリブタジエン等のポリオレフィン樹脂；ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート等のアクリル樹脂；ポリアルキレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリアミド、フェノールホルムアルデヒド樹脂、メラミンホルムアルデヒド樹脂、ベンゾグアナミンホルムアルデヒド樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、尿素樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、飽和ポリエステル樹脂、ポリスルホン、ポリフェニレンオキサイド、ポリアセタール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、及び、エチレン性不飽和基を有する種々の重合性単量体を１種もしくは２種以上重合させて得られる重合体等が挙げられる。２つの接続対象部材の接続用途に適した任意の圧縮時の物性を有する樹脂粒子を設計及び合成することができ、かつ基材粒子の硬度を好適な範囲に容易に制御できるので、上記樹脂粒子を形成するための樹脂は、エチレン性不飽和基を複数有する重合性単量体を１種又は２種以上重合させた重合体であることが好ましい。

上記樹脂粒子を、エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を重合させて得る場合には、上記エチレン性不飽和基を有する重合性単量体としては、非架橋性の単量体と架橋性の単量体とが挙げられる。

上記非架橋性の単量体としては、例えば、スチレン、α－メチルスチレン等のスチレン系単量体；（メタ）アクリル酸、マレイン酸、無水マレイン酸等のカルボキシル基含有単量体；メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、２－エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、セチル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート等のアルキル（メタ）アクリレート化合物；２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、グリセロール（メタ）アクリレート、ポリオキシエチレン（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート等の酸素原子含有（メタ）アクリレート化合物；（メタ）アクリロニトリル等のニトリル含有単量体；メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、プロピルビニルエーテル等のビニルエーテル化合物；酢酸ビニル、酪酸ビニル、ラウリン酸ビニル、ステアリン酸ビニル等の酸ビニルエステル化合物；エチレン、プロピレン、イソプレン、ブタジエン等の不飽和炭化水素；トリフルオロメチル（メタ）アクリレート、ペンタフルオロエチル（メタ）アクリレート、塩化ビニル、フッ化ビニル、クロルスチレン等のハロゲン含有単量体等が挙げられる。

上記架橋性の単量体としては、例えば、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、グリセロールトリ（メタ）アクリレート、グリセロールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）テトラメチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，４－ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等の多官能（メタ）アクリレート化合物；トリアリル（イソ）シアヌレート、トリアリルトリメリテート、ジビニルベンゼン、ジアリルフタレート、ジアリルアクリルアミド、ジアリルエーテル、γ－（メタ）アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、トリメトキシシリルスチレン、ビニルトリメトキシシラン等のシラン含有単量体等が挙げられる。

上記エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を、公知の方法により重合させることで、上記樹脂粒子を得ることができる。この方法としては、例えば、ラジカル重合開始剤の存在下で懸濁重合する方法、並びに非架橋の種粒子を用いてラジカル重合開始剤とともに単量体を膨潤させて重合する方法等が挙げられる。

上記基材粒子が金属粒子を除く無機粒子又は有機無機ハイブリッド粒子である場合に、上記基材粒子を形成するための無機物としては、シリカ、アルミナ、チタン酸バリウム、ジルコニア及びカーボンブラック等が挙げられる。上記無機物は金属ではないことが好ましい。上記シリカにより形成された粒子としては特に限定されないが、例えば、加水分解性のアルコキシシリル基を２つ以上持つケイ素化合物を加水分解して架橋重合体粒子を形成した後に、必要に応じて焼成を行うことにより得られる粒子が挙げられる。上記有機無機ハイブリッド粒子としては、例えば、架橋したアルコキシシリルポリマーとアクリル樹脂とにより形成された有機無機ハイブリッド粒子等が挙げられる。

上記有機無機ハイブリッド粒子は、コアと、該コアの表面上に配置されたシェルとを有するコアシェル型の有機無機ハイブリッド粒子であることが好ましい。上記コアが有機コアであることが好ましい。上記シェルが無機シェルであることが好ましい。接続信頼性を効果的に高める観点からは、上記基材粒子は、有機コアと上記有機コアの表面上に配置された無機シェルとを有する有機無機ハイブリッド粒子であることが好ましい。

上記無機シェルを形成するための材料としては、上述した基材粒子を形成するための無機物が挙げられる。上記無機シェルを形成するための材料は、シリカであることが好ましい。上記無機シェルは、上記コアの表面上で、金属アルコキシドをゾルゲル法によりシェル状物とした後、該シェル状物を焼成させることにより形成されていることが好ましい。上記金属アルコキシドはシランアルコキシドであることが好ましい。上記無機シェルはシランアルコキシドにより形成されていることが好ましい。

上記コアの粒径は、好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上であり、好ましくは５００μｍ以下、より好ましくは１００μｍ以下、更に好ましくは５０μｍ以下、特に好ましくは２０μｍ以下、最も好ましくは１０μｍ以下である。上記コアの粒径が上記下限以上及び上記上限以下であると、２つの接続対象部材の接続用途に好適に使用可能になる。例えば、上記コアの粒径が上記下限以上及び上記上限以下であると、上記金属含有粒子を用いて２つの接続対象部材を接続した場合に、金属含有粒子と接続対象部材との接触面積が充分に大きくなり、かつ金属部を形成する際に凝集した金属含有粒子が形成されにくくなる。また、金属含有粒子を介して接続された２つの接続対象部材の間隔が大きくなりすぎず、かつ金属部が基材粒子の表面から剥離し難くなる。

上記コアの粒径は、上記コアが真球状である場合には直径を意味し、上記コアが真球状以外の形状である場合には、最大径を意味する。また、コアの粒径は、コアを任意の粒径測定装置により測定した平均粒径を意味する。例えば、レーザー光散乱、電気抵抗値変化、撮像後の画像解析などの原理を用いた粒度分布測定機が利用できる。

上記シェルの厚みは、好ましくは１００ｎｍ以上、より好ましくは２００ｎｍ以上であり、好ましくは５μｍ以下、より好ましくは３μｍ以下である。上記シェルの厚みが上記下限以上及び上記上限以下であると２つの接続対象部材の接続用途に好適に使用可能になる。上記シェルの厚みは、基材粒子１個あたりの平均厚みである。ゾルゲル法の制御によって、上記シェルの厚みを制御可能である。

上記基材粒子が金属粒子である場合に、該金属粒子を形成するための金属としては、銀、銅、ニッケル、ケイ素、金及びチタン等が挙げられる。但し、上記基材粒子は金属粒子ではないことが好ましい。

上記基材粒子の粒子径は、好ましくは０．１μｍ以上、より好ましくは０．５μｍ以上、より一層好ましくは１μｍ以上、更に好ましくは１．５μｍ以上、特に好ましくは２μｍ以上である。上記基材粒子の粒子径は、好ましくは１０００μｍ以下、より好ましくは５００μｍ以下、より一層好ましくは４００μｍ以下、更に好ましくは１００μｍ以下、更に好ましくは５０μｍ以下、更に一層好ましくは３０μｍ以下、特に好ましくは５μｍ以下、最も好ましくは３μｍ以下である。上記基材粒子の粒子径が上記下限以上であると、接続信頼性がより一層高くなる。さらに、基材粒子の表面に金属部を無電解めっきにより形成する際に凝集し難くなり、凝集した金属含有粒子が形成されにくくなる。基材粒子の平均粒子径が上記上限以下であると、金属含有粒子が充分に圧縮されやすく、接続信頼性がより一層高くなる。

上記基材粒子の粒子径は、基材粒子が真球状である場合には、直径を示し、基材粒子が真球状ではない場合には、最大径を示す。

接続信頼性のヒートサイクル試験での接続部のクラック又は剥離の発生をより一層抑え、応力負荷時のクラックの発生をより一層抑える観点からは、上記基材粒子は、シリコーン樹脂を含む粒子（シリコーン粒子）であることが好ましい。上記基材粒子の材料は、シリコーン樹脂を含むことが好ましい。

上記シリコーン粒子の材料は、ラジカル重合性基を有するシラン化合物と炭素数５以上の疎水基を有するシラン化合物とであるか、ラジカル重合性基を有しかつ炭素数５以上の疎水基を有するシラン化合物であるか、もしくは、ラジカル重合性基を両末端に有するシラン化合物であることが好ましい。これらの材料を反応させた場合には、シロキサン結合が形成される。得られるシリコーン粒子において、ラジカル重合性基及び炭素数５以上の疎水基は一般に残存する。このような材料を用いることで、０．１μｍ以上５００μｍ以下の１次粒子径を有するシリコーン粒子を容易に得ることができ、しかもシリコーン粒子の耐薬品性を高くし、かつ透湿性を低くすることができる。

上記ラジカル重合性基を有するシラン化合物では、ラジカル重合性基はケイ素原子に直接結合していることが好ましい。上記ラジカル重合性基を有するシラン化合物は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記ラジカル重合性基を有するシラン化合物は、アルコキシシラン化合物であることが好ましい。上記ラジカル重合性基を有するシラン化合物としては、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ジメトキシメチルビニルシラン、ジエトキシメチルビニルシラン、ジビニルメトキシビニルシラン、ジビニルエトキシビニルシラン、ジビニルジメトキシシラン、ジビニルジエトキシシラン、及び１，３－ジビニルテトラメチルジシロキサン等が挙げられる。

上記炭素数５以上の疎水基を有するシラン化合物では、炭素数５以上の疎水基はケイ素原子に直接結合していることが好ましい。上記炭素数５以上の疎水基を有するシラン化合物は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記炭素数５以上の疎水基を有するシラン化合物は、アルコキシシラン化合物であることが好ましい。上記炭素数５以上の疎水基を有するシラン化合物としては、フェニルトリメトキシシラン、ジメトキシメチルフェニルシラン、ジエトキシメチルフェニルシラン、ジメチルメトキシフェニルシラン、ジメチルエトキシフェニルシラン、ヘキサフェニルジシロキサン、１，３，３，５－テトラメチル－１，１，５，５－テトラペニルトリシロキサン、１，１，３，５，５－ペンタフェニル－１，３，５－トリメチルトリシロキサン、ヘキサフェニルシクロトリシロキサン、フェニルトリス（トリメチルシロキシ）シラン、及びオクタフェニルシクロテトラシロキサン等が挙げられる。

上記ラジカル重合性基を有しかつ炭素数５以上の疎水基を有するシラン化合物では、ラジカル重合性基はケイ素原子に直接結合していることが好ましく、炭素数５以上の疎水基はケイ素原子に直接結合していることが好ましい。上記ラジカル重合性基を有しかつ炭素数５以上の疎水基を有するシラン化合物は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記ラジカル重合性基を有しかつ炭素数５以上の疎水基を有するシラン化合物としては、フェニルビニルジメトキシシラン、フェニルビニルジエトキシシラン、フェニルメチルビニルメトキシシラン、フェニルメチルビニルエトキシシラン、ジフェニルビニルメトキシシラン、ジフェニルビニルエトキシシラン、フェニルジビニルメトキシシラン、フェニルジビニルエトキシシラン、及び１，１，３，３－テトラフェニル－１，３－ジビニルジシロキサン等が挙げられる。

シリコーン粒子を得るために、上記ラジカル重合性基を有するシラン化合物と上記炭素数５以上の疎水基を有するシラン化合物とを用いる場合に、上記ラジカル重合性基を有するシラン化合物と上記炭素数５以上の疎水基を有するシラン化合物とは重量比で、１：１～１：２０で用いることが好ましく、１：５～１：１５で用いることがより好ましい。

シリコーン粒子を得るためのシラン化合物の全体において、ラジカル重合性基の数と炭素数５以上の疎水基の数とは、１：０．５～１：２０であることが好ましく、１：１～１：１５であることがより好ましい。

耐薬品性を効果的に高くし、透湿性を効果的に低くし、１０％Ｋ値を好適な範囲に制御する観点からは、上記シリコーン粒子は、１つのケイ素原子に２つのメチル基が結合したジメチルシロキサン骨格を有することが好ましく、上記シリコーン粒子の材料は、１つのケイ素原子に２つのメチル基が結合したシラン化合物を含むことが好ましい。

耐薬品性を効果的に高くし、透湿性を効果的に低くし、１０％Ｋ値を好適な範囲に制御する観点からは、上記シリコーン粒子は、上述したシラン化合物を、ラジカル重合開始剤により反応させて、シロキサン結合を形成させることが好ましい。一般に、ラジカル重合開始剤を用いて、０．１μｍ以上５００μｍ以下の１次粒子径を有するシリコーン粒子を得ることは困難であり、１００μｍ以下の１次粒子径を有するシリコーン粒子を得ることが特に困難である。これに対して、ラジカル重合開始剤を用いる場合でも、上記シラン化合物を用いることで、０．１μｍ以上５００μｍ以下の１次粒子径を有するシリコーン粒子を得ることができ、１００μｍ以下の１次粒子径を有するシリコーン粒子を得ることもできる。

上記シリコーン粒子を得るために、ケイ素原子に結合した水素原子を有するシラン化合物を用いなくてもよい。この場合には、金属触媒を用いずに、ラジカル重合開始剤を用いて、シラン化合物を重合させることができる。結果として、シリコーン粒子に金属触媒が含まれないようにすることができ、シリコーン粒子における金属触媒の含有量を少なくすることができ、更に耐薬品性を効果的に高くし、透湿性を効果的に低くし、１０％Ｋ値を好適な範囲に制御することができる。

上記シリコーン粒子の具体的な製造方法としては、懸濁重合法、分散重合法、ミニエマルション重合法、又は乳化重合法等でシラン化合物の重合反応を行い、シリコーン粒子を作製する方法等がある。シラン化合物の重合を進行させてオリゴマーを得た後、懸濁重合法、分散重合法、ミニエマルション重合法、又は乳化重合法等で重合体（オリゴマーなど）であるシラン化合物の重合反応を行い、シリコーン粒子を作製してもよい。例えば、ビニル基を有するシラン化合物を重合させて、末端においてケイ素原子に結合したビニル基を有するシラン化合物を得てもよい。フェニル基を有するシラン化合物を重合させて、重合体（オリゴマーなど）として、側鎖においてケイ素原子に結合したフェニル基を有するシラン化合物を得てもよい。ビニル基を有するシラン化合物とフェニル基を有するシラン化合物とを重合させて、重合体（オリゴマーなど）として、末端においてケイ素原子に結合したビニル基を有しかつ側鎖においてケイ素原子に結合したフェニル基を有するシラン化合物を得てもよい。

シリコーン粒子は、複数の粒子を外表面に有していてもよい。この場合に、シリコーン粒子は、シリコーン粒子本体と、シリコーン粒子本体の表面上に配置された複数の粒子とを備えていてもよい。上記複数の粒子としては、シリコーン粒子及び球状シリカ等が挙げられる。上記複数の粒子の存在によって、シリコーン粒子の凝集を抑えることができる。

［金属部］
上記金属含有粒子における上記突起の先端は、４００℃以下で溶融可能である。上記金属含有粒子における上記突起の先端は、３５０℃以下で溶融可能であることがより好ましく、３００℃以下で溶融可能であることがより好ましく、２５０℃以下で溶融可能であることが更に好ましく、２００℃以下で溶融可能であることが特に好ましい。上記金属部の上記突起の先端は、４００℃以下で溶融可能であることが好ましい。上記金属部の上記突起の先端は、３５０℃以下で溶融可能であることが好ましく、３００℃以下で溶融可能であることがより好ましく、２５０℃以下で溶融可能であることが更に好ましく、２００℃以下で溶融可能であることが特に好ましい。上記金属部の上記突起の先端が、上記の好ましい態様を満足することで、加熱時のエネルギーの消費量を抑制することができ、更に接続対象部材等の熱劣化を抑制することができる。上記突起の先端の溶融温度は、突起の先端の金属の種類及び突起の先端の形状により制御することができる。上記凸部の基部、上記金属含有粒子における上記突起の高さの中央の位置、上記金属含有粒子における上記突起の基部、及び上記金属含有粒子における上記突起の高さの中央の位置の融点は、２００℃を超えていてもよい。該融点は、２５０℃を超えていてもよく、３００℃を超えていてもよく、３５０℃を超えていてもよく、４００℃を超えていてもよい。上記金属部、上記凸部及び上記突起は、２００℃を超える部分を有していてもよく、２５０℃を超える部分を有していてもよく、３００℃を超える部分を有していてもよく、３５０℃を超える部分を有していてもよく、４００℃を超える部分を有していてもよい。

上記金属部の上記突起は、４００℃以下で金属拡散しうる成分を含むか、又は、上記金属部の上記突起が、４００℃以下で溶融変形可能である。金属拡散しうる温度を低くすることで、接合部分との間で金属結合を形成することができる。このため、上記金属拡散しうる温度は、３５０℃以下が好ましく、３００℃以下がより好ましく、２５０℃以下が更に好ましく、２００℃以下が特に好ましい。上記金属拡散しうる温度は、金属の種類により制御することができる。

または、上記金属部の上記突起は、４００℃以下で溶融変形可能であることが好ましい。

上記金属部の上記突起は、３５０℃以下で溶融変形可能であることが好ましく、３００℃以下で溶融変形可能であることがより好ましく、２５０℃以下で溶融変形可能であることが更に好ましく、２００℃以下で溶融変形可能であることが特に好ましい。上記金属部における上記突起の溶融変形温度が、上記の好ましい範囲であると、溶融変形温度を低くするができ、加熱時のエネルギーの消費量を抑えることができ、更に接続対象部材等の熱劣化を抑えることができる。上記突起の溶融変形温度は、突起の金属の種類により制御することができる。上記金属部及び上記突起は、２００℃を超える部分を有していてもよく、２５０℃を超える部分を有していてもよく、３００℃を超える部分を有していてもよく、３５０℃を超える部分を有していてもよく、４００℃を超える部分を有していてもよい。

上記金属部の材料は特に限定されない。上記金属部の材料は金属を含むことが好ましい。該金属としては、例えば、金、銀、パラジウム、ロジウム、イリジウム、リチウム、銅、白金、亜鉛、鉄、錫、鉛、ルテニウム、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、タリウム、ゲルマニウム、カドミウム、ケイ素及びこれらの合金等が挙げられる。また、上記金属としては、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）等が挙げられる。

本発明では、上記金属含有粒子の突起の先端が４００℃以下で溶融可能であるように、金属部の材料が選ばれる。

本発明では、上記金属部の突起が４００℃以下で溶融変形可能であるように、金属部の材料が選ばれるのが好ましい。上記金属部は、はんだを含むことが好ましい。

接続信頼性を効果的に高める観点からは、上記金属含有粒子における上記突起の材料は、銀、銅、金、パラジウム、錫、インジウム又は亜鉛を含むことが好ましい。該突起の材料は、上記金属部の上記突起に含まれることが好ましい。上記金属含有粒子における上記突起の材料は、錫を含んでいなくてもよい。

上記金属部の材料は、はんだではないことが好ましい。上記金属部の材料がはんだではないことで、金属部全体が過度に溶融するのを抑えることができる。上記金属部の材料は、錫を含んでいなくてもよい。

上記金属部の材料は、銀、銅、金、パラジウム、錫、インジウム、亜鉛、ニッケル、コバルト、鉄、タングステン、モリブデン、ルテニウム、白金、ロジウム、イリジウム、リン又はホウ素を含むことが好ましく、銀、銅、金、パラジウム、錫、インジウム又は亜鉛を含むことがより好ましく、銀を含むことが更に好ましい。上記金属部の材料が、上記の好ましい材料であると、接続信頼性をより一層効果的に高めることができる。上記金属部の材料は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。接続信頼性を効果的に高める観点からは、上記銀は、銀単体又は酸化銀として含まれていてもよい。酸化銀としては、Ａｇ_２Ｏ及びＡｇＯが挙げられる。

銀を含む金属部１００重量％中、銀の含有量は、好ましくは０．１重量％以上、より好ましくは１重量％以上であり、好ましくは１００重量％以下、より好ましくは９０重量％以下、８０重量％以下であってもよく、６０重量％以下であってもよく、４０重量％以下であってもよく、２０重量％以下であってもよく、１０重量％以下であってもよい。銀の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、接合強度が高くなり、接続信頼性がより一層高くなる。

上記銅は、銅単体又は酸化銅として含まれていてもよい。

銅を含む金属部１００重量％中、銅の含有量は、好ましくは０．１重量％以上、より好ましくは１重量％以上であり、好ましくは１００重量％以下、より好ましくは９０重量％以下、８０重量％以下であってもよく、６０重量％以下であってもよく、４０重量％以下であってもよく、２０重量％以下であってもよく、１０重量％以下であってもよい。銅の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、接合強度が高くなり、接続信頼性がより一層高くなる。

上記ニッケルは、ニッケル単体又酸化ニッケルとして含まれていてもよい。

ニッケルを含む金属部１００重量％中、ニッケルの含有量は、好ましくは０．１重量％以上、より好ましくは１重量％以上である。ニッケルを含む金属部１００重量％中、ニッケルの含有量は、好ましくは１００重量％以下、より好ましくは９０重量％以下、８０重量％以下であってもよく、６０重量％以下であってもよく、４０重量％以下であってもよく、２０重量％以下であってもよく、１０重量％以下であってもよい。ニッケルの含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、接合強度が高くなり、接続信頼性がより一層高くなる。

上記はんだは、融点が４５０℃以下である金属（低融点金属）であることが好ましい。該低融点金属とは、融点が４５０℃以下の金属を示す。低融点金属の融点は好ましくは３００℃以下、より好ましくは１６０℃以下である。また、上記はんだは錫を含む。上記はんだに含まれる金属１００重量％中、錫の含有量は好ましくは３０重量％以上、より好ましくは４０重量％以上、更に好ましくは７０重量％以上、特に好ましくは９０重量％以上である。上記はんだにおける錫の含有量が上記下限以上であると、接続信頼性がより一層高くなる。

なお、上記錫の含有量は、高周波誘導結合プラズマ発光分光分析装置（堀場製作所社製「ＩＣＰ－ＡＥＳ」）、又は蛍光Ｘ線分析装置（島津製作所社製「ＥＤＸ－８００ＨＳ」）等を用いて測定可能である。

上記はんだを用いることで、はんだが溶融して電極に接合し、はんだが電極間を導通させる。例えば、はんだと電極とが点接触ではなく面接触しやすいため、接続抵抗が低くなる。また、はんだの使用により、はんだと電極との接合強度が高くなる結果、はんだと電極との剥離がより一層生じ難くなり、導通信頼性及び接続信頼性が効果的に高くなる。

上記はんだを構成する低融点金属は特に限定されない。該低融点金属は、錫、又は錫を含む合金であることが好ましい。該合金は、錫－銀合金、錫－銅合金、錫－銀－銅合金、錫－ビスマス合金、錫－亜鉛合金、錫－インジウム合金等が挙げられる。電極に対する濡れ性に優れることから、上記低融点金属は、錫、錫－銀合金、錫－銀－銅合金、錫－ビスマス合金、錫－インジウム合金であることが好ましい。錫－ビスマス合金、錫－インジウム合金であることがより好ましい。

上記はんだは、ＪＩＳ Ｚ３００１：溶接用語に基づき、液相線が４５０℃以下である溶加材であることが好ましい。上記はんだの組成としては、例えば亜鉛、金、銀、鉛、銅、錫、ビスマス、インジウムなどを含む金属組成が挙げられる。低融点で鉛フリーである錫－インジウム系（１１７℃共晶）、又は錫－ビスマス系（１３９℃共晶）が好ましい。すなわち、上記はんだは、鉛を含まないことが好ましく、錫とインジウムとを含むか、又は錫とビスマスとを含むことが好ましい。

接続強度をより一層高めるために、上記はんだは、ニッケル、銅、アンチモン、アルミニウム、亜鉛、鉄、金、チタン、リン、ゲルマニウム、テルル、コバルト、ビスマス、マンガン、クロム、モリブデン、パラジウム等の金属を含んでいてもよい。また、接続強度をさらに一層高める観点からは、上記はんだは、ニッケル、銅、アンチモン、アルミニウム又は亜鉛を含むことが好ましい。接続強度をより一層高める観点からは、接合強度を高めるためのこれらの金属の含有量は、はんだ１００重量％中、好ましくは０．０００１重量％以上、好ましくは１重量％以下である。

上記金属部は、１つの層により形成されていてもよい。上記金属部は、複数の層により形成されていてもよい。

上記金属部の外表面は防錆処理されていてもよい。上記金属含有粒子は、上記金属部の外表面に防錆膜を有していてもよい。防錆処理としては、金属部の外表面に防錆剤を配置する方法、金属部の外表面を合金化し耐食性を向上する方法、金属部の外表面に高耐食金属膜をコーティングする方法等が挙げられる。上記防錆剤としては、ベンゾトリアゾール化合物、イミダゾール化合物等の含窒素ヘテロ環化合物；メルカプタン化合物、チアゾール化合物、有機ジスルフィド化合物のような含硫黄化合物；有機リン酸化合物等の含リン化合物等が挙げられる。

［金属膜］
上記金属膜は、上記金属部の外表面を被覆している。上記金属膜の、上記金属部の上記突起の先端を被覆している部分は、４００℃以下で溶融可能であることが好ましく、３５０℃以下で溶融可能であることが好ましく、３００℃以下で溶融可能であることがより好ましく、２５０℃以下で溶融可能であることが更に好ましく、２００℃以下で溶融可能であることが特に好ましい。上記金属膜の、上記金属部の上記突起の先端を被覆している部分が、上記の好ましい態様を満足することで、加熱時のエネルギーの消費量を抑制することができ、更に接続対象部材等の熱劣化を抑制することができる。上記金属膜の、上記金属部の上記突起の先端を被覆している部分の溶融温度は、上記金属膜の原料や厚み等により制御することができる。上記金属膜の、上記金属部の上記突起の先端を被覆している部分以外の部分の融点は、２００℃を超えていてもよく、２５０℃を超えていてもよく、３００℃を超えていてもよく、３５０℃を超えていてもよく、４００℃を超えていてもよい。上記金属膜は、２００℃を超える部分を有していてもよく、２５０℃を超える部分を有していてもよく、３００℃を超える部分を有していてもよく、３５０℃を超える部分を有していてもよく、４００℃を超える部分を有していてもよい。

上記金属膜の材料は特に限定されない。上記金属膜の材料は金属を含むことが好ましい。該金属としては、例えば、金、銀、パラジウム、ロジウム、イリジウム、リチウム、銅、白金、亜鉛、鉄、錫、鉛、ルテニウム、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、タリウム、ゲルマニウム、カドミウム、ケイ素及びこれらの合金等が挙げられる。また、上記金属としては、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）等が挙げられる。

上記金属膜の材料は、本発明の効果を効果的に発揮できるように、適宜選択される。

接続信頼性を効果的に高める観点からは、上記金属膜の材料は、金、パラジウム、白金、ロジウム、ルテニウム又はイリジウムを含むことが好ましく、金を含むことがより好ましい。上記金属膜の材料が、上記の好ましい材料であると、上記金属部の酸化又は硫化を効果的に抑制することができる。結果として、接続信頼性を効果的に高めることができる。また、水分（湿度）が多い環境条件下で接続部材に電圧印加した場合には、電極間をイオン化した金属が移動し短絡が生じるイオンマイグレーション現象が生じることがあり、絶縁信頼性を悪化させる原因となる。上記金属膜の材料が、上記の好ましい材料であると、上記イオンマイグレーション現象を抑制することができ、絶縁信頼性を高めることができる。上記金属膜の材料は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

金を含む金属膜１００重量％中、金の含有量は、好ましくは０．１重量％以上、より好ましくは０．５重量％以上であり、好ましくは１００重量％以下、より好ましくは９０重量％以下、８０重量％以下であってもよく、６０重量％以下であってもよく、４０重量％以下であってもよく、２０重量％以下であってもよく、１０重量％以下であってもよい。金の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、接合強度が高くなり、接続信頼性がより一層高くなる。また、金の含有量が、上記下限以上及び上記上限以下であると、イオンマイグレーション現象を抑制することができ、絶縁信頼性を高めることができる。

上記金属膜は、１つの層により形成されていてもよい。上記金属膜は、複数の層により形成されていてもよい。

上記金属膜の外表面は防錆処理されていてもよい。上記金属含有粒子は、上記金属膜の外表面に防錆膜を有していてもよい。防錆処理としては、金属膜の外表面に防錆剤を配置する方法、金属膜の外表面を合金化し耐食性を向上する方法、金属膜の外表面に高耐食金属膜をコーティングする方法等が挙げられる。上記防錆剤としては、ベンゾトリアゾール化合物、イミダゾール化合物等の含窒素ヘテロ環化合物；メルカプタン化合物、チアゾール化合物、有機ジスルフィド化合物のような含硫黄化合物；有機リン酸化合物等の含リン化合物等が挙げられる。

［防錆処理］
金属含有粒子の腐食を抑え、電極間の接続抵抗を低くするために、上記金属部又は上記金属膜の外表面は、防錆処理又は耐硫化処理されていることが好ましい。

耐硫化剤、防錆剤や変色防止剤としては、ベンゾトリアゾール化合物、イミダゾール化合物等の含窒素ヘテロ環化合物；メルカプタン化合物、チアゾール化合物、有機ジスルフィド化合物のような含硫黄化合物；有機リン酸化合物等の含リン化合物等が挙げられる。

導通信頼性をより一層高める観点からは、上記金属部又は上記金属膜の外表面は、炭素数６～２２のアルキル基を有する化合物により、防錆処理されていることが好ましい。上記金属部又は上記金属膜の表面は、リンを含まない化合物により防錆処理されていてもよく、炭素数６～２２のアルキル基を有しかつリンを含まない化合物により防錆処理されていてもよい。導通信頼性をより一層高める観点からは、上記金属部又は上記金属膜の外表面は、アルキルリン酸化合物又はアルキルチオールにより、防錆処理されていることが好ましい。防錆処理により、上記金属部又は上記金属膜の外表面に、防錆膜を形成できる。

上記防錆膜は、炭素数６～２２のアルキル基を有する化合物（以下、化合物Ａともいう）により形成されていることが好ましい。上記金属部又は上記金属膜の外表面は、上記化合物Ａにより表面処理されていることが好ましい。上記アルキル基の炭素数が６以上であると、金属部全体又は金属膜全体で錆がより一層生じ難くなる。上記アルキル基の炭素数が２２以下であると、金属含有粒子の導電性が高くなる。金属含有粒子の導電性をより一層高める観点からは、上記化合物Ａにおける上記アルキル基の炭素数は１６以下であることが好ましい。上記アルキル基は直鎖構造を有していてもよく、分岐構造を有していてもよい。上記アルキル基は、直鎖構造を有することが好ましい。

上記化合物Ａは、炭素数６～２２のアルキル基を有していれば特に限定されない。上記化合物Ａは、炭素数６～２２のアルキル基を有するリン酸エステル又はその塩、炭素数６～２２のアルキル基を有する亜リン酸エステル又はその塩、炭素数６～２２のアルキル基を有するアルコキシシラン、炭素数６～２２のアルキル基を有するアルキルチオールであることが好ましい。上記化合物Ａは、炭素数６～２２のアルキル基を有するジアルキルジスルフィドであることも好ましい。すなわち、上記炭素数６～２２のアルキル基を有する化合物Ａは、リン酸エステル又はその塩、亜リン酸エステル又はその塩、アルコキシシラン、アルキルチオール、又は、ジアルキルジスルフィドであることが好ましい。これらの好ましい化合物Ａの使用により、金属部又は金属膜に錆をより一層生じ難くすることができる。錆をより一層生じ難くする観点からは、上記化合物Ａは、上記リン酸エステルもしくはその塩、亜リン酸エステルもしくはその塩、又は、アルキルチオールであることが好ましく、上記リン酸エステルもしくはその塩、又は、亜リン酸エステルもしくはその塩であることがより好ましい。上記化合物Ａは、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記化合物Ａは、上記金属部又は上記金属膜の外表面と反応可能な反応性官能基を有することが好ましい。上記金属部がニッケルを含む場合には金属部のニッケルの外表面と反応可能な反応性官能基を有することが好ましく、上記金属膜が金を含む場合には金属膜の金の外表面と反応可能な反応性官能基を有することが好ましい。上記金属含有粒子が上記金属部又は上記金属膜の外表面上に配置された絶縁性物質を備える場合に、上記化合物Ａは、上記絶縁性物質と反応可能な反応性官能基を有することが好ましい。上記防錆膜は、上記金属部又は上記金属膜と化学結合していることが好ましい。上記防錆膜は、上記絶縁性物質と化学結合していることが好ましい。上記防錆膜は、上記金属部又は上記金属膜と上記絶縁性物質と化学結合していることがより好ましい。上記反応性官能基の存在により、及び上記化学結合により、上記防錆膜の剥離が生じ難くなり、この結果、金属部又は金属膜に錆がより一層生じ難くなり、かつ金属含有粒子の表面から絶縁性物質が意図せずにより一層脱離し難くなる。

上記炭素数６～２２のアルキル基を有するリン酸エステル又はその塩としては、例えば、リン酸ヘキシルエステル、リン酸ヘプチルエステル、リン酸モノオクチルエステル、リン酸モノノニルエステル、リン酸モノデシルエステル、リン酸モノウンデシルエステル、リン酸モノドデシルエステル、リン酸モノトリデシルエステル、リン酸モノテトラデシルエステル、リン酸モノペンタデシルエステル、リン酸モノヘキシルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノヘプチルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノオクチルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノノニルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノデシルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノウンデシルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノドデシルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノトリデシルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノテトラデシルエステルモノナトリウム塩及びリン酸モノペンタデシルエステルモノナトリウム塩等が挙げられる。上記リン酸エステルのカリウム塩を用いてもよい。

上記炭素数６～２２のアルキル基を有する亜リン酸エステル又はその塩としては、例えば、亜リン酸ヘキシルエステル、亜リン酸ヘプチルエステル、亜リン酸モノオクチルエステル、亜リン酸モノノニルエステル、亜リン酸モノデシルエステル、亜リン酸モノウンデシルエステル、亜リン酸モノドデシルエステル、亜リン酸モノトリデシルエステル、亜リン酸モノテトラデシルエステル、亜リン酸モノペンタデシルエステル、亜リン酸モノヘキシルエステルモノナトリウム塩、亜リン酸モノヘプチルエステルモノナトリウム塩、亜リン酸モノオクチルエステルモノナトリウム塩、亜リン酸モノノニルエステルモノナトリウム塩、亜リン酸モノデシルエステルモノナトリウム塩、亜リン酸モノウンデシルエステルモノナトリウム塩、亜リン酸モノドデシルエステルモノナトリウム塩、亜リン酸モノトリデシルエステルモノナトリウム塩、亜リン酸モノテトラデシルエステルモノナトリウム塩及び亜リン酸モノペンタデシルエステルモノナトリウム塩等が挙げられる。上記亜リン酸エステルのカリウム塩を用いてもよい。

上記炭素数６～２２のアルキル基を有するアルコキシシランとしては、例えば、ヘキシルトリメトキシシラン、ヘキシルトリエトキシシラン、ヘプチルトリメトキシシラン、ヘプチルトリエトキシシラン、オクチルトリメトキシシラン、オクチルトリエトキシシラン、ノニルトリメトキシシラン、ノニルトリエトキシシラン、デシルトリメトキシシラン、デシルトリエトキシシラン、ウンデシルトリメトキシシラン、ウンデシルトリエトキシシラン、ドデシルトリメトキシシラン、ドデシルトリエトキシシラン、トリデシルトリメトキシシラン、トリデシルトリエトキシシラン、テトラデシルトリメトキシシラン、テトラデシルトリエトキシシラン、ペンタデシルトリメトキシシラン及びペンタデシルトリエトキシシラン等が挙げられる。

上記炭素数６～２２のアルキル基を有するアルキルチオールとしては、例えば、ヘキシルチオール、ヘプチルチオール、オクチルチオール、ノニルチオール、デシルチオール、ウンデシルチオール、ドデシルチオール、トリデシルチオール、テトラデシルチオール、ペンタデシルチオール及びヘキサデシルチオール等が挙げられる。上記アルキルチオールは、アルキル鎖の末端にチオール基を有することが好ましい。

上記炭素数６～２２のアルキル基を有するジアルキルジスルフィドとしては、例えば、ジヘキシルジスルフィド、ジヘプチルジスルフィド、ジオクチルジスルフィド、ジノニルジスルフィド、ジデシルジスルフィド、ジウンデシルジスルフィド、ジドデシルジスルフィド、ジトリデシルジスルフィド、ジテトラデシルジスルフィド、ジペンタデシルジスルフィド及びジヘキサデシルジスルフィド等が挙げられる。

導通信頼性をより一層高める観点からは、上記金属部又は上記金属膜の外表面は、スルフィド化合物若しくはチオール化合物を主成分とする硫黄含有化合物、ベンゾトリアゾール化合物又はポリオキシエチレンエーテル界面活性剤のいずれかを用いて形成された層により、耐硫化処理されていることが好ましい。耐硫化処理により、上記金属部又は上記金属膜の外表面に、防錆膜を形成できる。

上記スルフィド化合物としては、ジヘキシルスルフィド、ジヘプチルスルフィド、ジオクチルスルフィド、ジデシルスルフィド、ジドデシルスルフィド、ジテトラデシルスルフィド、ジヘキサデシルスルフィド、ジオクタデシルスルフィド等の炭素数６～４０程度（好ましくは炭素数１０～４０程度）の直鎖状又は分岐鎖状のジアルキルスルフィド（アルキルスルフィド）；ジフェニルスルフィド、フェニル－ｐ－トリルスルフィド、４，４－チオビスベンゼンチオール等の炭素数１２～３０程度の芳香族スルフィド；３，３’－チオジプロピオン酸、４，４’－チオジブタン酸等のチオジカルボン酸等が挙げられる。上記スルフィド化合物は、ジアルキルスルフィドであることが特に好ましい。

上記チオール化合物としては、２－メルカプトベンゾチアゾール、２－メルカプトベンゾオキサゾール、２－メルカプトベンゾイミダゾール、２－メチル－２－プロパンチオールやオクタデシルチオール等の炭素数４～４０程度（より好ましくは６～２０程度）の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルチオール等が挙げられる。また、これらの化合物の炭素基に結合している水素原子がフッ素に置換された化合物等が挙げられる。

上記ベンゾトリアゾール化合物としては、ベンゾトリアゾール、ベンゾトリアゾール塩、メチルベンゾトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール及びベンゾトリアゾール誘導体等が挙げられる。

また、上記変色防止剤（銀変色防止剤）としては、北池産業社製の商品名「ＡＣ－２０」、「ＡＣ－７０」、「ＡＣ－８０」、メルテックス社製の商品名「エンテックＣＵ－５６」、大和化成社製の商品名「ニューダインシルバー」、「ニューダインシルバーＳ－１」、千代田ケミカル社製の商品名「Ｂ－１０５７」、及び千代田ケミカル社製の商品名「Ｂ－１００９ＮＳ」等が挙げられる。

上記基材粒子の表面上に上記金属部及び上記金属膜を形成する方法は特に限定されない。上記金属部及び上記金属膜を形成する方法としては、例えば、無電解めっきによる方法、電気めっきによる方法、物理的蒸着による方法、並びに金属粉末もしくは金属粉末とバインダーとを含むペーストを基材粒子の表面にコーティングする方法等が挙げられる。上記金属部及び上記金属膜の形成が簡便であるので、無電解めっきによる方法が好ましい。上記物理的蒸着による方法としては、真空蒸着、イオンプレーティング及びイオンスパッタリング等の方法が挙げられる。

金属部の外表面に先細りしている針状の形状を有する突起を形成する方法としては、下記の方法が挙げられる。

還元剤としてヒドラジンを用いた無電解高純度ニッケルめっきによる方法。還元剤としてヒドラジンを用いた無電解パラジウム－ニッケル合金による方法。還元剤として次亜リン酸化合物を用いた無電解ＣｏＮｉＰ合金めっき方法。還元剤としてヒドラジンを用いた無電解銀めっきによる方法。還元剤として次亜リン酸化合物を用いた無電解銅－ニッケル－リン合金めっきによる方法。

無電解めっきにより形成する方法では、一般的に、触媒化工程と、無電解めっき工程とが行われる。以下、無電解めっきにより、樹脂粒子の表面に、銅及びニッケルを含む合金めっき層及び金属部の外表面に先細りしている針状の形状を有する突起を形成する方法の例を説明する。

上記触媒化工程では、無電解めっきによりめっき層を形成するための起点となる触媒を、樹脂粒子の表面に形成させる。

上記触媒を樹脂粒子の表面に形成させる方法としては、下記の方法が挙げられる。

塩化パラジウムと塩化スズとを含む溶液に、樹脂粒子を添加した後、酸溶液又はアルカリ溶液により樹脂粒子の表面を活性化させて、樹脂粒子の表面にパラジウムを析出させる方法。硫酸パラジウムとアミノピリジンとを含有する溶液に、樹脂粒子を添加した後、還元剤を含む溶液により樹脂粒子の表面を活性化させて、樹脂粒子の表面にパラジウムを析出させる方法。

上記還元剤として、リン含有還元剤が用いられる。また、上記還元剤として、リン含有還元剤を用いることで、リンを含む金属部を形成できる。

上記無電解めっき工程では、銅含有化合物、錯化剤及び還元剤を含有するめっき液を用いる無電解銅－ニッケル－リン合金めっき方法において、還元剤として次亜リン酸化合物を含み、還元剤の反応開始金属触媒としてニッケル含有化合物を含み、かつノニオン界面活性剤を含む銅－ニッケル－リン合金めっき液を用いることが好ましい。

銅－ニッケル－リン合金めっき浴中に樹脂粒子を浸漬することにより、触媒が表面に形成された樹脂粒子の表面に、銅－ニッケル－リン合金を析出させることができ、銅、ニッケル及びリンを含む金属部を形成できる。

上記銅含有化合物としては、硫酸銅、塩化第二銅、及び硝酸銅等が挙げられる。上記銅含有化合物は、硫酸銅であることが好ましい。

上記ニッケル含有化合物としては、硫酸ニッケル、塩化ニッケル、炭酸ニッケル、スルファミン酸ニッケル、及び硝酸ニッケル等が挙げられる。上記ニッケル含有化合物は、硫酸ニッケルであることが好ましい。

上記リン含有還元剤としては、次亜リン酸、及び次亜リン酸ナトリウム等が挙げられる。上記リン含有還元剤に加えて、ボロン含有還元剤を用いてもよい。上記ボロン含有還元剤としては、ジメチルアミンボラン、水素化ホウ素ナトリウム及び水素化ホウ素カリウム等が挙げられる。

上記錯化剤としては、酢酸ナトリウム、及びプロピオン酸ナトリウム等のモノカルボン酸錯化剤、マロン酸ニナトリウム等のジカルボン酸錯化剤、コハク酸ニナトリウム等のトリカルボン酸錯化剤、乳酸、ＤＬ－リンゴ酸、ロシェル塩、クエン酸ナトリウム、及びグルコン酸ナトリウム等のヒドロキシ酸錯化剤、グリシン、及びＥＤＴＡ等のアミノ酸錯化剤、エチレンジアミン等のアミン錯化剤、マレイン酸等の有機酸錯化剤、並びに、これらの塩等が挙げられる。上記錯化剤は、上記のモノカルボン酸錯化剤、ジカルボン酸錯化剤、トリカルボン酸錯化剤、ヒドロキシ酸錯化剤、アミノ酸錯化剤、アミン錯化剤、有機酸錯化剤、及び、これらの塩であることが好ましい。これらの好ましい錯化剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記界面活性剤としては、アニオン界面活性剤、カチオン界面活性剤、ノニオン界面活性剤又は両性界面活性剤が挙げられ、特にノニオン界面活性剤が好適である。好ましいノニオン界面活性剤は、エーテル酸素原子を含むポリエーテルである。好ましいノニオン界面活性剤としては、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレングリコール、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンアルキルアミン、及びエチレンジアミンのポリオキシアルキレン付加物等が挙げられる。上記界面活性剤は、ポリオキシエチレンモノブチルエーテル、ポリオキシプロピレンモノブチルエーテル、及びポリオキシエチレンポリオキシプロピレングリコールモノブチルエーテル等のポリオキシエチレンモノアルキルエーテル、ポリエチレングリコール、又はフェノールエトキシレートであることが好ましい。上記界面活性剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。分子量１０００程度（例えば、５００以上２０００以下）のポリエチレングリコールが特に好ましい。

金属部の外表面に先細りしている針状の形状を有する突起を形成するためには、銅化合物とニッケル化合物とのモル比を制御することが望ましい。上記の銅化合物の使用量は、ニッケル化合物に対するモル比で２倍から１００倍であることが好ましい。

また、上記のノニオン界面活性剤等を用いなくても、針状の形状を有する突起が得られる。より頂角が鋭利に先細りしている形状の突起を形成するためには、ノニオン界面活性剤を用いることが好ましく、分子量１０００程度（例えば、５００以上２０００以下）のポリエチレングリコールを用いることが特に好ましい。

複数の突起の平均高さ（ｂ）の、複数の上記突起の基部の平均径（ｃ）に対する比（平均高さ（ｂ）／平均径（ｃ））は、金属部の厚みに依存し、めっき浴への浸漬時間で制御することができる。めっき温度は好ましくは３０℃以上、好ましくは１００℃以下であり、まためっき浴への浸漬時間は好ましくは５分以上である。

次に、無電解めっきにより、樹脂粒子の表面に、銀めっき層及び金属部の外表面に先細りしている針状の形状を有する突起を形成する方法の例を説明する。

上記触媒化工程では、無電解めっきによりめっき層を形成するための起点となる触媒を、樹脂粒子の表面に形成させる。

上記触媒を樹脂粒子の表面に形成させる方法としては、下記の方法が挙げられる。

塩化パラジウムと塩化スズとを含む溶液に、樹脂粒子を添加した後、酸溶液又はアルカリ溶液により樹脂粒子の表面を活性化させて、樹脂粒子の表面にパラジウムを析出させる方法。硫酸パラジウムとアミノピリジンとを含有する溶液に、樹脂粒子を添加した後、還元剤を含む溶液により樹脂粒子の表面を活性化させて、樹脂粒子の表面にパラジウムを析出させる方法。

上記還元剤として、リン含有還元剤が用いられる。また、上記還元剤として、リン含有還元剤を用いることで、リンを含む金属部を形成できる。

上記無電解めっき工程では、銀含有化合物、錯化剤及び還元剤を含有するめっき液を用いる無電解銀めっき方法において、還元剤としてヒドラジン、ノニオン界面活性剤及び硫黄含有有機化合物を含む銀めっき液を用いることが好ましい。

銀めっき浴中に樹脂粒子を浸漬することにより、触媒が表面に形成された樹脂粒子の表面に、銀を析出させることができ、銀を含む金属部を形成できる。

上記銀含有化合物としては、シアン化銀カリウム、硝酸銀、チオ硫酸銀ナトリウム、グルコン酸銀、銀－システイン錯体、メタンスルホン酸銀が好ましい。

上記還元剤としては、ヒドラジン、次亜リン酸ナトリウム、ジメチルアミンボラン、水素化ホウ素ナトリウム及び水素化ホウ素カリウム、ホルマリン、ブドウ糖等が挙げられる。

針状の形状を有する突起を形成する為の還元剤としては、ヒドラジン一水和物、塩酸ヒドラジン、及び硫酸ヒドラジンが好ましい。

上記錯化剤としては、酢酸ナトリウム、及びプロピオン酸ナトリウム等のモノカルボン酸系錯化剤、マロン酸ニナトリウム等のジカルボン酸系錯化剤、コハク酸ニナトリウム等のトリカルボン酸系錯化剤、乳酸、ＤＬ－リンゴ酸、ロシェル塩、クエン酸ナトリウム、及びグルコン酸ナトリウム等のヒドロキシ酸系錯化剤、グリシン、及びＥＤＴＡ等のアミノ酸系錯化剤、エチレンジアミン等のアミン系錯化剤、マレイン酸等の有機酸系錯化剤、又は、これらの塩等が挙げられる。上記錯化剤は、モノカルボン酸系錯化剤、ジカルボン酸系錯化剤、トリカルボン酸系錯化剤、ヒドロキシ酸系錯化剤、アミノ酸系錯化剤、アミン系錯化剤、有機酸系錯化剤、又は、これらの塩であることが好ましい。これらの好ましい錯化剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記界面活性剤としては、アニオン界面活性剤、カチオン界面活性剤、ノニオン界面活性剤又は両性界面活性剤が挙げられ、特にノニオン界面活性剤が好適である。好ましいノニオン界面活性剤は、エーテル酸素原子を含むポリエーテルである。好ましいノニオン界面活性剤としては、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレングリコール、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンアルキルアミン、及びエチレンジアミンのポリオキシアルキレン付加物等が挙げられる。上記界面活性剤は、ポリオキシエチレンモノブチルエーテル、ポリオキシプロピレンモノブチルエーテル、及びポリオキシエチレンポリオキシプロピレングリコールモノブチルエーテル等のポリオキシエチレンモノアルキルエーテル、ポリエチレングリコール、又はフェノールエトキシレートであることが好ましい。上記界面活性剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。分子量１０００程度（例えば、５００以上２０００以下）のポリエチレングリコールが特に好ましい。

また、上記のノニオン界面活性剤等を用いなくても、針状の形状を有する突起が得られる。より頂角が鋭利に先細りしている形状の突起を形成するためには、ノニオン界面活性剤を用いることが好ましく、分子量１０００程度（例えば、５００以上２０００以下）のポリエチレングリコールを用いることが特に好ましい。

上記硫黄含有有機化合物としては、スルフィド又はスルホン酸基を有する有機化合物、チオ尿素化合物、及びベンゾチアゾール化合物等が挙げられる。上記スルフィド又はスルホン酸基を有する有機化合物としては、Ｎ，Ｎ－ジメチル－ジチオカルバミン酸－（３－スルホプロピル）エステル、３－メルカプト－プロピルスルホン酸－（３－スルホプロピル）エステル、３－メルカプト－プロピルスルホン酸ナトリウム塩、３－メルカプト－１－プロパンスルホン酸カリウム塩、炭酸－ジチオ－ｏ－エチルエステル、ビススルホプロピルジスルフィド、ビス－（３－スルホプロピル）－ジスルフィド・ジナトリウム塩、３－（ベンゾチアゾリル－ｓ－チオ）プロピルスルホン酸ナトリウム塩、ピリジニウムプロピルスルホベタイン、１－ナトリウム－３－メルカプトプロパン－１－スルホネート、Ｎ，Ｎ－ジメチル－ジチオカルバミン酸－（３－スルホエチル）エステル、３－メルカプト－エチルプロピルスルホン酸－（３－スルホエチル）エステル、３－メルカプト－エチルスルホン酸ナトリウム塩、３－メルカプト－１－エタンスルホン酸カリウム塩、炭酸－ジチオ－ｏ－エチルエステル－ｓ－エステル、ビススルホエチルジスルフィド、３－（ベンゾチアゾリル－ｓ－チオ）エチルスルホン酸ナトリウム塩、ピリジニウムエチルスルホベタイン、１－ナトリウム－３－メルカプトエタン－１－スルホネート、及びチオ尿素化合物等が挙げられる。上記チオ尿素化合物としては、チオ尿素、１，３－ジメチルチオ尿素、トリメチルチオ尿素、ジエチルチオ尿素、及びアリルチオ尿素等が挙げられる。

また、上記の硫黄含有有機化合物等を用いなくても、針状の形状を有する突起が得られる。より頂角が鋭利に先細りしている形状の突起を形成するためには、硫黄含有有機化合物を用いることが好ましく、チオ尿素を用いることが特に好ましい。

複数の突起の平均高さ（ｂ）の、複数の上記突起の基部の平均径（ｃ）に対する比（平均高さ（ｂ）／平均径（ｃ））は、金属部の厚みに依存し、めっき浴への浸漬時間で制御することができる。めっき温度は好ましくは３０℃以上、好ましくは１００℃以下であり、まためっき浴への浸漬時間は好ましくは５分以上である。

次に、無電解めっきにより、樹脂粒子の表面に、高純度ニッケルめっき層及び金属部の外表面に先細りしている針状の形状を有する突起を形成する方法の例を説明する。

上記触媒化工程では、無電解めっきによりめっき層を形成するための起点となる触媒を、樹脂粒子の表面に形成させる。

上記触媒を樹脂粒子の表面に形成させる方法としては、下記の方法が挙げられる。

塩化パラジウムと塩化スズとを含む溶液に、樹脂粒子を添加した後、酸溶液又はアルカリ溶液により樹脂粒子の表面を活性化させて、樹脂粒子の表面にパラジウムを析出させる方法。硫酸パラジウムとアミノピリジンとを含有する溶液に、樹脂粒子を添加した後、還元剤を含む溶液により樹脂粒子の表面を活性化させて、樹脂粒子の表面にパラジウムを析出させる方法

上記還元剤として、リン含有還元剤が用いられる。また、上記還元剤として、リン含有還元剤を用いることで、リンを含む金属部を形成できる。

上記無電解めっき工程では、ニッケル含有化合物、錯化剤及び還元剤を含有するめっき液を用いる無電解高純度ニッケルめっき方法において、還元剤としてヒドラジンを含む高純度ニッケルめっき液が好適に用いられる。

高純度ニッケルめっき浴中に樹脂粒子を浸漬することにより、触媒が表面に形成された樹脂粒子の表面に、高純度ニッケルめっきを析出させることができ、高純度ニッケルの金属部を形成できる。

上記ニッケル含有化合物としては、硫酸ニッケル、塩化ニッケル、炭酸ニッケル、スルファミン酸ニッケル、及び硝酸ニッケル等が挙げられる。上記ニッケル含有化合物は、塩化ニッケルであることが好ましい。

上記の還元剤としては、ヒドラジン一水和物、塩酸ヒドラジン、及び硫酸ヒドラジンが挙げられる。上記の還元剤は、ヒドラジン一水和物であることが好ましい。

上記錯化剤としては、酢酸ナトリウム、及びプロピオン酸ナトリウム等のモノカルボン酸系錯化剤、マロン酸ニナトリウム等のジカルボン酸系錯化剤、コハク酸ニナトリウム等のトリカルボン酸系錯化剤、乳酸、ＤＬ－リンゴ酸、ロシェル塩、クエン酸ナトリウム、及びグルコン酸ナトリウム等のヒドロキシ酸系錯化剤、グリシン、及びＥＤＴＡ等のアミノ酸系錯化剤、エチレンジアミン等のアミン系錯化剤、並びにマレイン酸等の有機酸系錯化剤等が挙げられる。上記錯化剤は、アミノ酸系錯化剤であるグリシンであることが好ましい。

金属部の外表面に先細りしている針状の形状を有する突起を形成するためには、めっき液のｐＨを８．０以上に調整することが好ましい。還元剤としてヒドラジンを用いる無電解めっき液では、ヒドラジンの酸化反応によりニッケルを還元する際にｐＨの急激な低下をともなう。上記のｐＨの急激な低下を抑制するために、リン酸、ホウ酸、炭酸等の緩衝剤を用いることが好ましい。上記緩衝剤は、ｐＨ８．０以上の緩衝作用の効果があるホウ酸であることが好ましい。

複数の突起の平均高さ（ｂ）の、複数の上記突起の基部の平均径（ｃ）に対する比（平均高さ（ｂ）／平均径（ｃ））は、金属部の厚みに依存し、めっき浴への浸漬時間で制御することができる。めっき温度は、好ましくは３０℃以上、好ましくは１００℃以下であり、まためっき浴への浸漬時間は好ましくは５分以上である。

次に、無電解めっきにより、樹脂粒子の表面に、パラジウム－ニッケル合金めっき層及び金属部の外表面に先細りしている針状の形状を有する突起を形成する方法の例を説明する。

上記触媒化工程では、無電解めっきによりめっき層を形成するための起点となる触媒を、樹脂粒子の表面に形成させる。

上記触媒を樹脂粒子の表面に形成させる方法としては、下記の方法が挙げられる。

塩化パラジウムと塩化スズとを含む溶液に、樹脂粒子を添加した後、酸溶液又はアルカリ溶液により樹脂粒子の表面を活性化させて、樹脂粒子の表面にパラジウムを析出させる方法。硫酸パラジウムとアミノピリジンとを含有する溶液に、樹脂粒子を添加した後、還元剤を含む溶液により樹脂粒子の表面を活性化させて、樹脂粒子の表面にパラジウムを析出させる方法。

上記還元剤として、リン含有還元剤が用いられる。また、上記還元剤として、リン含有還元剤を用いることで、リンを含む金属部を形成できる。

上記無電解めっき工程では、ニッケル含有化合物、パラジウム化合物、安定剤、錯化剤及び還元剤を含有するめっき液を用いる無電解パラジウム－ニッケルめっき方法において、還元剤としてヒドラジンを含むパラジウム－ニッケル合金めっき液が好適に用いられる。

パラジウム－ニッケル合金めっき浴中に樹脂粒子を浸漬することにより、触媒が表面に形成された樹脂粒子の表面に、パラジウム－ニッケル合金めっきを析出させることができ、パラジウム－ニッケルの金属部を形成できる。

上記ニッケル含有化合物としては、硫酸ニッケル、塩化ニッケル、炭酸ニッケル、スルファミン酸ニッケル、及び硝酸ニッケル等が挙げられる。上記ニッケル含有化合物は、硫酸ニッケルであることが好ましい。

上記パラジウム含有化合物としては、ジクロロエチレンジアミンパラジウム（ＩＩ）、塩化パラジウム、ジクロロジアンミンパラジウム（ＩＩ）、ジニトロジアンミンパラジウム（ＩＩ）、テトラアンミンパラジウム（ＩＩ）硝酸塩、テトラアンミンパラジウム（ＩＩ）硫酸塩、オキザラトジアンミンパラジウム（ＩＩ）、テトラアンミンパラジウム（ＩＩ）シュウ酸塩、及びテトラアンミンパラジウム（ＩＩ）クロライド等が挙げられる。上記パラジウム含有化合物は、塩化パラジウムであることが好ましい。

上記安定剤としては、鉛化合物、ビスマス化合物、及びタリウム化合物等が挙げられる。これらの化合物としては、具体的には、化合物を構成する金属（鉛、ビスマス、タリウム）の硫酸塩、炭酸塩、酢酸塩、硝酸塩、及び塩酸塩等が挙げられる。環境への影響を考慮すると、ビスマス化合物又はタリウム化合物が好ましい。これらの好ましい安定剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記還元剤としては、ヒドラジン一水和物、塩酸ヒドラジン、及び硫酸ヒドラジンが挙げられる。上記還元剤は、ヒドラジン一水和物であることが好ましい。

上記錯化剤としては、酢酸ナトリウム、及びプロピオン酸ナトリウム等のモノカルボン酸系錯化剤、マロン酸ニナトリウム等のジカルボン酸系錯化剤、コハク酸ニナトリウム等のトリカルボン酸系錯化剤、乳酸、ＤＬ－リンゴ酸、ロシェル塩、クエン酸ナトリウム、及びグルコン酸ナトリウム等のヒドロキシ酸系錯化剤、グリシン、及びＥＤＴＡ等のアミノ酸系錯化剤、エチレンジアミン等のアミン系錯化剤、並びにマレイン酸等の有機酸系錯化剤等が挙げられる。上記錯化剤は、アミノ酸系錯化剤であるエチレンジアミンであることが好ましい。

金属部の外表面に先細りしている針状の形状を有する突起を形成するためには、めっき液のｐＨを８．０から１０．０に調整することが好ましい。ｐＨ７．５以下では、めっき液の安定性が低下し、浴分解を引き起こすため、ｐＨ８．０以上にすることが好ましい。

複数の突起の平均高さ（ｂ）の、複数の上記突起の基部の平均径（ｃ）に対する比（平均高さ（ｂ）／平均径（ｃ））は、金属部の厚みに依存し、めっき浴への浸漬時間で制御することができる。めっき温度は好ましくは３０℃以上、好ましくは１００℃以下であり、まためっき浴への浸漬時間は好ましくは５分以上である。

次に、無電解めっきにより、樹脂粒子の表面に、コバルトとニッケルを含む合金めっき層及び金属部の外表面に先細りしている針状の形状を有する突起を形成する方法の一例を説明する。

上記触媒化工程では、無電解めっきによりめっき層を形成するための起点となる触媒を、樹脂粒子の表面に形成させる。

上記触媒を樹脂粒子の表面に形成させる方法としては、下記の方法が挙げられる。

塩化パラジウムと塩化スズとを含む溶液に、樹脂粒子を添加した後、酸溶液又はアルカリ溶液により樹脂粒子の表面を活性化させて、樹脂粒子の表面にパラジウムを析出させる方法。硫酸パラジウムとアミノピリジンとを含有する溶液に、樹脂粒子を添加した後、還元剤を含む溶液により樹脂粒子の表面を活性化させて、樹脂粒子の表面にパラジウムを析出させる方法。

上記還元剤として、リン含有還元剤が用いられる。また、上記還元剤として、リン含有還元剤を用いることで、リンを含む金属部を形成できる。

上記無電解めっき工程では、コバルト含有化合物、無機添加剤、錯化剤及び還元剤を含有するめっき液を用いる無電解コバルト－ニッケル－リン合金めっき方法において、還元剤として次亜リン酸化合物を含み、還元剤の反応開始金属触媒としてコバルト含有化合物を含むコバルト－ニッケル－リン合金めっき液が好適に用いられる。

コバルト－ニッケル－リン合金めっき浴中に樹脂粒子を浸漬することにより、触媒が表面に形成された樹脂粒子の表面に、コバルト－ニッケル－リン合金を析出させることができ、コバルト、ニッケル、及びリンを含む金属部を形成できる。

上記コバルト含有化合物は、硫酸コバルト、塩化コバルト、硝酸コバルト、酢酸コバルト、又は炭酸コバルトであることが好ましい。上記コバルト含有化合物は、硫酸コバルトであることがより好ましい。

上記ニッケル含有化合物としては、硫酸ニッケル、塩化ニッケル、炭酸ニッケル、スルファミン酸ニッケル、及び硝酸ニッケル等が挙げられる。上記ニッケル含有化合物は、硫酸ニッケルであることが好ましい。

上記リン含有還元剤としては、次亜リン酸、及び次亜リン酸ナトリウム等が挙げられる。上記リン含有還元剤に加えて、ボロン含有還元剤を用いてもよい。上記ボロン含有還元剤としては、ジメチルアミンボラン、水素化ホウ素ナトリウム及び水素化ホウ素カリウム等が挙げられる。

上記錯化剤としては、酢酸ナトリウム、及びプロピオン酸ナトリウム等のモノカルボン酸系錯化剤、マロン酸ニナトリウム等のジカルボン酸系錯化剤、コハク酸ニナトリウム等のトリカルボン酸系錯化剤、乳酸、ＤＬ－リンゴ酸、ロシェル塩、クエン酸ナトリウム、及びグルコン酸ナトリウム等のヒドロキシ酸系錯化剤、グリシン、及びＥＤＴＡ等のアミノ酸系錯化剤、エチレンジアミン等のアミン系錯化剤、マレイン酸等の有機酸系錯化剤、又は、これらの塩等が挙げられる。上記錯化剤は、上記のモノカルボン酸系錯化剤、ジカルボン酸系錯化剤、トリカルボン酸系錯化剤、ヒドロキシ酸系錯化剤、アミノ酸系錯化剤、アミン系錯化剤、有機酸系錯化剤、又は、これらの塩であることが好ましい。これらの好ましい錯化剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記無機添加剤は、硫酸アンモニウム、塩化アンモニウム、又はホウ酸であることが好ましい。これらの好ましい無機添加剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。上記無機添加剤は、無電解コバルトめっき層の析出を促進させる作用をするものと考えられる。

金属部の外表面に先細りしている針状の形状を有する突起を形成するためには、コバルト化合物とニッケル化合物とのモル比を制御することが望ましい。上記コバルト化合物の使用量は、ニッケル化合物に対するモル比で２倍から１００倍であることが好ましい。

また、上記無機添加剤を用いなくても、針状の形状を有する突起が得られる。より頂角が小さく、鋭利に先細りしている形状の突起を形成するためには無機添加剤を用いることが好ましく、硫酸アンモニウムを用いることが特に好ましい。

複数の突起の平均高さ（ｂ）の、複数の上記突起の基部の平均径（ｃ）に対する比（平均高さ（ｂ）／平均径（ｃ））は、金属部の厚みに依存し、めっき浴への浸漬時間で制御することができる。めっき温度は好ましくは３０℃以上、好ましくは１００℃以下であり、まためっき浴への浸漬時間は好ましくは５分以上である。

上記のようにして、無電解めっきにより、樹脂粒子の表面に、外表面に先細りしている針状の形状の突起を有する金属部を形成することができる。さらに、無電解めっき等により上記突起を有する上記金属部の外表面を被覆する金属膜を形成することで、金属含有粒子を得ることができる。

上記金属部の外表面を被覆する上記金属膜を形成させる方法としては、無電解金めっきにより、上記金属部の外表面に、金めっき層を形成する方法等が挙げられる。

上記無電解金めっき工程では、金含有化合物、錯化剤を含有するめっき液を用いる無電解金めっき方法において、金と金属素地との置換反応によって金が析出する無電解金めっき液が好適に用いられる。

無電解金めっき浴中に金属部が形成された金属含有粒子を浸漬することにより、貴な電極電位を持つ（イオン化傾向の小さい）金イオンが、卑な（イオン化傾向の大きい）金属素地を溶解し、その際に放出される電子によって溶液中の金イオンが還元されてめっき皮膜として析出し（置換反応）、金属部の外表面に金の金属膜を形成できる。

上記錯化剤としては、酢酸ナトリウム、及びプロピオン酸ナトリウム等のモノカルボン酸系錯化剤、マロン酸ニナトリウム等のジカルボン酸系錯化剤、コハク酸ニナトリウム等のトリカルボン酸系錯化剤、乳酸、ＤＬ－リンゴ酸、ロシェル塩、クエン酸ナトリウム、及びグルコン酸ナトリウム等のヒドロキシ酸系錯化剤、グリシン、及びＥＤＴＡ等のアミノ酸系錯化剤、エチレンジアミン等のアミン系錯化剤、マレイン酸等の有機酸系錯化剤、シアン化合物、亜硫酸ナトリウム、亜硫酸カリウム、並びに、これらの塩等が挙げられる。上記錯化剤は、上記のモノカルボン酸系錯化剤、ジカルボン酸系錯化剤、トリカルボン酸系錯化剤、ヒドロキシ酸系錯化剤、アミノ酸系錯化剤、アミン系錯化剤、有機酸系錯化剤、シアン化合物、亜硫酸ナトリウム、亜硫酸カリウム、又は、これらの塩であることが好ましい。これらの好ましい錯化剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

金属部の外表面に４００℃以下で溶融変形可能である凹凸形状を有する突起を形成する方法としては、以下の方法等が挙げられる。錫ナノ粒子を金めっきで被覆し複合化させ熱処理することにより金－錫合金半田を形成する方法。錫ナノ粒子を銀めっきで被覆し複合化させ熱処理することにより銀－錫合金半田を形成する方法。錫ナノ粒子を銅めっきで被覆し複合化させ熱処理することにより錫－銅合金半田を形成する方法。錫ナノ粒子をビスマスめっきで被覆し複合化させ熱処理することにより錫－ビスマス合金半田を形成する方法。亜鉛ナノ粒子を錫めっきで被覆し複合化させ熱処理することにより錫－亜鉛合金半田を形成する方法。インジウムナノ粒子を錫めっきで被覆し複合化させ熱処理することにより錫－インジウム合金半田を形成する方法。錫めっきを突起凹凸部に析出させ純錫半田を形成する方法。

無電解めっきにより形成する方法では、一般的に、触媒化工程と、無電解めっき工程とが行われる。以下、無電解めっきにより、樹脂粒子の表面に、銅及びニッケルを含む合金めっき層及び金属部の外表面に４００℃以下で溶融変形可能である凹凸形状を有する突起を形成する方法の例を説明する。

上記触媒化工程では、無電解めっきによりめっき層を形成するための起点となる触媒を、樹脂粒子の表面に形成させる。

上記触媒を樹脂粒子の表面に形成させる方法としては、例えば、以下の方法等が挙げられる。塩化パラジウムと塩化スズとを含む溶液に、樹脂粒子を添加した後、酸溶液又はアルカリ溶液により樹脂粒子の表面を活性化させて、樹脂粒子の表面にパラジウムを析出させる方法。硫酸パラジウムとアミノピリジンとを含有する溶液に、樹脂粒子を添加した後、還元剤を含む溶液により樹脂粒子の表面を活性化させて、樹脂粒子の表面にパラジウムを析出させる方法。上記還元剤として、リン含有還元剤が用いられる。また、上記還元剤として、リン含有還元剤を用いることで、リンを含む金属部を形成できる。

上記無電解めっき工程では、ニッケル含有化合物、錯化剤及び還元剤を含有するめっき液を用いる無電解ニッケル－リン合金めっき方法において、還元剤として次亜リン酸化合物を含み、還元剤の反応開始金属触媒としてニッケル含有化合物を含み、かつ非イオン性界面活性剤を含むニッケル－リン合金めっき液を用いることが好ましい。

ニッケル－リン合金めっき浴中に樹脂粒子を浸漬することにより、触媒が表面に形成された樹脂粒子の表面に、ニッケル－リン合金を析出させることができ、ニッケル及びリンを含む金属部を形成できる。

上記ニッケル含有化合物としては、硫酸ニッケル、塩化ニッケル、炭酸ニッケル、スルファミン酸ニッケル、及び硝酸ニッケル等が挙げられる。上記ニッケル含有化合物は、硫酸ニッケルであることが好ましい。

上記リン含有還元剤としては、次亜リン酸、及び次亜リン酸ナトリウム等が挙げられる。上記リン含有還元剤に加えて、ボロン含有還元剤を用いてもよい。上記ボロン含有還元剤としては、ジメチルアミンボラン、水素化ホウ素ナトリウム及び水素化ホウ素カリウム等が挙げられる。

上記錯化剤としては、酢酸ナトリウム、プロピオン酸ナトリウム等のモノカルボン酸系錯化剤、マロン酸ニナトリウム等のジカルボン酸系錯化剤、コハク酸ニナトリウム等のトリカルボン酸系錯化剤、乳酸、ＤＬ－リンゴ酸、ロシェル塩、クエン酸ナトリウム、グルコン酸ナトリウム等のヒドロキシ酸系錯化剤、グリシン、ＥＤＴＡ等のアミノ酸系錯化剤、エチレンジアミン等のアミン系錯化剤、及びマレイン酸等の有機酸系錯化剤等が挙げられる。上記錯化剤としては、これら有機酸系錯化剤の塩からなる群より選択される少なくとも１種の錯化剤を含有する錯化剤等も挙げられる。

上記界面活性剤としては、アニオン系、カチオン系、ノニオン系又は両性の界面活性剤が挙げられ、特に非イオン性界面活性剤が好適である。好ましい非イオン性界面活性剤は、エーテル酸素原子を含むポリエーテルである。好ましい非イオン性界面活性剤としては、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレングリコール、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンアルキルアミン、及びエチレンジアミンのポリオキシアルキレン付加物等が挙げられる。好ましくは、ポリオキシエチレンモノブチルエーテル、ポリオキシプロピレンモノブチルエーテル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレングリコールモノブチルエーテルなどのポリオキシエチレンモノアルキルエーテル、ポリエチレングリコール又はフェノールエトキシレートである。上記界面活性剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。分子量１０００程度（例えば、５００以上２０００以下）のポリエチレングリコールが特に好ましい。

次に、錫ナノ粒子スラリーをニッケル及びリンを含む金属部の表面上に吸着させ、錫ナノ粒子表面に無電解銀めっきを形成する。

上記無電解めっき工程では、銀含有化合物、錯化剤及び還元剤を含有するめっき液を用いる無電解銀めっき方法において、還元剤としてヒドラジン、非イオン性界面活性剤及び硫黄含有有機化合物を含む銀めっき液を用いることが好ましい。

銀めっき浴中に樹脂粒子を浸漬することにより、触媒が表面に形成された樹脂粒子の表面に、銀を析出させることができ、銀を含む金属部を形成できる。

上記銀含有化合物としては、シアン化銀カリウム、硝酸銀、チオ硫酸銀ナトリウム、グルコン酸銀、銀－システイン錯体、メタンスルホン酸銀が好ましい。

上記還元剤としては、ヒドラジン、次亜リン酸ナトリウム、ジメチルアミンボラン、水素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素カリウム、ホルマリン、及びブドウ糖である。

４００℃以下で溶融変形可能である凹凸形状を有する突起を形成するための還元剤としては、ヒドラジン一水和物、塩酸ヒドラジン、及び硫酸ヒドラジンが好ましい。

上記錯化剤としては、酢酸ナトリウム、プロピオン酸ナトリウム等のモノカルボン酸系錯化剤、マロン酸ニナトリウム等のジカルボン酸系錯化剤、コハク酸ニナトリウム等のトリカルボン酸系錯化剤、乳酸、ＤＬ－リンゴ酸、ロシェル塩、クエン酸ナトリウム、グルコン酸ナトリウム等のヒドロキシ酸系錯化剤、グリシン、ＥＤＴＡ等のアミノ酸系錯化剤、エチレンジアミン等のアミン系錯化剤、及びマレイン酸等の有機酸系錯化剤等が挙げられる。上記錯化剤としては、これら有機酸系錯化剤の塩からなる群より選択される少なくとも１種の錯化剤を含有する錯化剤等も挙げられる。

上記界面活性剤としては、アニオン系、カチオン系、ノニオン系又は両性の界面活性剤が挙げられ、特に非イオン性界面活性剤が好適である。好ましい非イオン性界面活性剤は、エーテル酸素原子を含むポリエーテルである。好ましい非イオン性界面活性剤としては、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレングリコール、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンアルキルアミン、及びエチレンジアミンのポリオキシアルキレン付加物等が挙げられる。好ましくは、ポリオキシエチレンモノブチルエーテル、ポリオキシプロピレンモノブチルエーテル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレングリコールモノブチルエーテルなどのポリオキシエチレンモノアルキルエーテル、ポリエチレングリコール又はフェノールエトキシレートである。上記界面活性剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。分子量１０００程度（例えば、５００以上２０００以下）のポリエチレングリコールが特に好ましい。

また、上記の非イオン性界面活性剤等を用いなくても、４００℃以下で溶融変形可能である凹凸形状を有する突起が得られる。より低温で溶融変形可能である凹凸形状を有する突起を形成するためには、非イオン性界面活性剤を用いることが好ましく、分子量１０００程度（例えば、５００以上２０００以下）のポリエチレングリコールを用いることが特に好ましい。

上記硫黄含有有機化合物としては、スルフィド又はスルホン酸基を有する有機化合物、チオ尿素化合物、及びベンゾチアゾール化合物等が挙げられる。上記スルフィド又はスルホン酸基を有する有機化合物としては、Ｎ，Ｎ－ジメチル－ジチオカルバミン酸－（３－スルホプロピル）エステル、３－メルカプト－プロピルスルホン酸－（３－スルホプロピル）エステル、３－メルカプト－プロピルスルホン酸ナトリウム塩、３－メルカプト－１－プロパンスルホン酸カリウム塩、炭酸－ジチオ－ｏ－エチルエステル、ビススルホプロピルジスルフィド、ビス－（３－スルホプロピル）－ジスルフィド・ジナトリウム塩、３－（ベンゾチアゾリル－ｓ－チオ）プロピルスルホン酸ナトリウム塩、ピリジニウムプロピルスルホベタイン、１－ナトリウム－３－メルカプトプロパン－１－スルホネート、Ｎ，Ｎ－ジメチル－ジチオカルバミン酸－（３－スルホエチル）エステル、３－メルカプト－エチルプロピルスルホン酸－（３－スルホエチル）エステル、３－メルカプト－エチルスルホン酸ナトリウム塩、３－メルカプト－１－エタンスルホン酸カリウム塩、炭酸－ジチオ－ｏ－エチルエステル－ｓ－エステル、ビススルホエチルジスルフィド、３－（ベンゾチアゾリル－ｓ－チオ）エチルスルホン酸ナトリウム塩、ピリジニウムエチルスルホベタイン、１－ナトリウム－３－メルカプトエタン－１－スルホネート、及びチオ尿素化合物等が挙げられる。上記チオ尿素化合物としては、チオ尿素、１，３－ジメチルチオ尿素、トリメチルチオ尿素、ジエチルチオ尿素、及びアリルチオ尿素等が挙げられる。

また、上記の硫黄含有有機化合物等を用いなくても、針状の形状を有する突起が得られる。より頂角が鋭利に先細りしている形状の突起を形成するためには、硫黄含有有機化合物を用いることが好ましく、チオ尿素を用いることが特に好ましい。

複数の突起の平均高さ（ｂ）の、複数の上記突起の基部の平均径（ｃ）に対する比（平均高さ（ｂ）／平均径（ｃ））は、金属部の厚みに依存し、めっき浴への浸漬時間で制御することができる。めっき温度は好ましくは３０℃以上、好ましくは１００℃以下であり、まためっき浴への浸漬時間は好ましくは５分以上である。

次に、錫ナノ粒子スラリーをニッケル及びリンを含む金属部の表面上に吸着させ、錫ナノ粒子表面に無電解銀めっきを形成し、窒素雰囲気で熱処理する事で突起心材の錫と錫突起部分に接した銀めっきが相互拡散し、銀－錫合金半田が形成される。半田合金化の窒素雰囲気下での熱処理温度は好ましくは１００℃以上、好ましくは２００℃以下であり、また熱処理時間は好ましくは３分以上である。

上記突起が無い部分における上記金属部全体の厚みは、好ましくは５ｎｍ以上、より好ましくは１０ｎｍ以上、更に好ましくは２０ｎｍ以上、特に好ましくは５０ｎｍ以上であり、好ましくは１０００ｎｍ以下、より好ましくは８００ｎｍ以下、更に好ましくは５００ｎｍ以下、特に好ましくは４００ｎｍ以下である。上記凸部が無い部分における上記金属部全体の厚みは、好ましくは５ｎｍ以上、より好ましくは１０ｎｍ以上、更に好ましくは２０ｎｍ以上、特に好ましくは５０ｎｍ以上であり、好ましくは１０００ｎｍ以下、より好ましくは８００ｎｍ以下、更に好ましくは５００ｎｍ以下、特に好ましくは４００ｎｍ以下である。上記金属部全体の厚みが上記下限以上であると、金属部の剥離が抑えられる。上記金属部全体の厚みが、上記上限以下であると、基材粒子と金属部との熱膨張率の差が小さくなり、基材粒子から金属部が剥離し難くなる。上記金属部の厚みは、金属部が複数の金属部（第１の金属部と第２の金属部）を有する場合には、金属部全体の厚み（第１，第２の金属部の合計の厚み）を示す。

上記金属部が複数の金属部を有する場合に、最外層の上記突起が無い部分における上記金属部の厚みは、好ましくは１ｎｍ以上、より好ましくは１０ｎｍ以上であり、好ましくは５００ｎｍ以下、より好ましくは２００ｎｍ以下である。上記金属部が複数の金属部を有する場合に、最外層の上記凸部が無い部分における上記金属部の厚みは、好ましくは１ｎｍ以上、より好ましくは１０ｎｍ以上であり、好ましくは５００ｎｍ以下、より好ましくは２００ｎｍ以下である。上記最外層の金属部の厚みが、上記下限以上及び上記上限以下であると、最外層の金属部による被覆を均一にでき、耐腐食性が充分に高くなり、かつ電極間の接続抵抗が充分に低くなる。また、上記最外層が内層の金属部よりも高価である場合に、最外層の厚みが薄いほど、コストが低くなる。

上記金属部の厚みは、例えば透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて、金属含有粒子の断面を観察することにより測定可能である。

接続信頼性をより一層効果的に高める観点からは、上記金属膜の厚みは、好ましくは０．１ｎｍ以上、より好ましくは１ｎｍ以上、更に好ましくは１０ｎｍ以上であり、好ましくは５００ｎｍ以下、より好ましくは２００ｎｍ以下、より一層好ましくは１００ｎｍ以下、更に好ましくは５０ｎｍ以下、最も好ましくは３０ｎｍ以下である。上記金属膜の厚みが、上記下限以上及び上記上限以下であると、上記金属部の酸化又は硫化を効果的に抑制することができる。結果として、接続信頼性を効果的に高めることができる。また、上記金属膜の厚みが、上記下限以上及び上記上限以下であると、イオンマイグレーション現象を抑制し、絶縁信頼性を高めることができる。上記金属膜は、１つの層により形成されていてもよい。上記金属膜は、複数の層により形成されていてもよい。上記金属膜の厚みは、金属膜が複数の層を有する場合には、金属膜全体の厚みを示す。

上記金属膜の、上記金属部の上記突起の先端を被覆している部分の厚みは、好ましくは０．１ｎｍ以上、より好ましくは１ｎｍ以上であり、好ましくは５０ｎｍ以下、より好ましくは３０ｎｍ以下である。上記金属部の上記突起の先端を被覆している部分の厚みが、上記下限以上及び上記上限以下であると、上記金属含有粒子の突起の先端を効果的に溶融させることができる。

上記金属膜が複数の層を有する場合に、最外層の金属膜の厚みは、好ましくは０．１ｎｍ以上、より好ましくは１ｎｍ以上であり、好ましくは５０ｎｍ以下、より好ましくは３０ｎｍ以下である。上記最外層の金属膜の厚みが、上記下限以上及び上記上限以下であると、上記金属部の酸化又は硫化を効果的に抑制することができる。結果として、接続信頼性を効果的に高めることができる。また、上記金属膜の厚みが、上記下限以上及び上記上限以下であると、イオンマイグレーション現象を抑制し、絶縁信頼性を高めることができる。

上記金属膜の厚みは、例えば透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて、金属含有粒子の断面を観察することにより測定可能である。

［芯物質］
上記金属含有粒子は、上記金属部の表面を隆起させている複数の芯物質を備えることが好ましく、上記金属部内において、複数の上記凸部又は複数の上記突起を形成するように、上記金属部の表面を隆起させている複数の芯物質を備えることがより好ましい。上記芯物質が上記金属部中に埋め込まれていることによって、上記金属部が外表面に複数の上記凸部又は複数の突起を有するようにすることが容易である。但し、金属含有粒子及び金属部の外表面に凸部又は突起を形成するために、芯物質を必ずしも用いなくてもよい。例えば、無電解めっきにより芯物質を用いずに凸部又は突起を形成する方法として、無電解めっきにより金属核を発生させ、基材粒子又は金属部の表面に金属核を付着させ、更に無電解めっきにより金属部を形成する方法等が挙げられる。

上記凸部又は突起を形成する方法としては、下記の方法が挙げられる。

基材粒子の表面に芯物質を付着させた後、無電解めっきにより金属部を形成する方法。基材粒子の表面に無電解めっきにより金属部を形成した後、芯物質を付着させ、更に無電解めっきにより金属部を形成する方法。基材粒子の表面に無電解めっきにより金属部を形成する途中段階で芯物質を添加する方法。

上記基材粒子の表面上に芯物質を配置する方法としては、基材粒子の分散液中に、芯物質を添加し、基材粒子の表面に芯物質を、例えば、ファンデルワールス力により集積させ、付着させる方法、並びに基材粒子を入れた容器に、芯物質を添加し、容器の回転等による機械的な作用により基材粒子の表面に芯物質を付着させる方法等が挙げられる。なかでも、付着させる芯物質の量を制御しやすいため、分散液中の基材粒子の表面に芯物質を集積させ、付着させる方法が好ましい。

上記芯物質の材料としては、導電性物質及び非導電性物質が挙げられる。上記導電性物質としては、例えば、金属、金属の酸化物、黒鉛等の導電性非金属及び導電性ポリマー等が挙げられる。上記導電性ポリマーとしては、ポリアセチレン等が挙げられる。上記非導電性物質としては、シリカ、アルミナ、チタン酸バリウム及びジルコニア等が挙げられる。なかでも、導電性を高めることができ、更に接続抵抗を効果的に低くすることができるので、金属が好ましい。上記芯物質は金属粒子であることが好ましい。上記芯物質の材料である金属としては、上記金属部の材料又は上記金属膜の材料として挙げた金属を適宜使用可能である。

上記芯物質の材料の具体例としては、チタン酸バリウム（モース硬度４．５）、ニッケル（モース硬度５）、シリカ（二酸化ケイ素、モース硬度６～７）、酸化チタン（モース硬度７）、ジルコニア（モース硬度８～９）、アルミナ（モース硬度９）、炭化タングステン（モース硬度９）及びダイヤモンド（モース硬度１０）等が挙げられる。上記芯物質の材料は、ニッケル、シリカ、酸化チタン、ジルコニア、アルミナ、炭化タングステン又はダイヤモンドであることが好ましく、シリカ、酸化チタン、ジルコニア、アルミナ、炭化タングステン又はダイヤモンドであることがより好ましい。上記芯物質の材料は、酸化チタン、ジルコニア、アルミナ、炭化タングステン又はダイヤモンドであることが更に好ましく、ジルコニア、アルミナ、炭化タングステン又はダイヤモンドであることが特に好ましい。上記芯物質の材料のモース硬度は好ましくは５以上、より好ましくは６以上、更に好ましくは７以上、特に好ましくは７．５以上である。

上記芯物質の形状は特に限定されない。芯物質の形状は塊状であることが好ましい。芯物質としては、例えば、粒子状の塊、複数の微小粒子が凝集した凝集塊、及び不定形の塊等が挙げられる。

上記芯物質の平均径（平均粒子径）は、好ましくは０．００１μｍ以上、より好ましくは０．０５μｍ以上であり、好ましくは０．９μｍ以下、より好ましくは０．２μｍ以下である。上記芯物質の平均径が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の接続抵抗が効果的に低くなる。

上記芯物質の「平均径（平均粒子径）」は、数平均径（数平均粒子径）を示す。芯物質の平均径は、任意の芯物質５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することにより求められる。

［絶縁性物質］
本発明に係る金属含有粒子は、上記金属部又は上記金属膜の外表面上に配置された絶縁性物質を備えることが好ましい。本発明に係る金属含有粒子は、絶縁性物質付き金属含有粒子であってもよい。この場合には、金属含有粒子を電極間の接続に用いると、隣接する電極間の短絡を防止できる。具体的には、複数の金属含有粒子が接触したときに、複数の電極間に絶縁性物質が存在するので、上下の電極間ではなく横方向に隣り合う電極間の短絡を防止できる。なお、電極間の接続の際に、２つの電極で金属含有粒子を加圧することにより、金属含有粒子の金属部又は金属膜と電極との間の絶縁性物質を容易に排除できる。金属部が外表面に複数の突起を有するので、金属含有粒子の金属部又は金属膜と電極との間の絶縁性物質を容易に排除できる。また、金属部が外表面に複数の凸部を有する場合には、金属含有粒子の金属部又は金属膜と電極との間の絶縁性物質を容易に排除できる。

電極間の圧着時に上記絶縁性物質をより一層容易に排除できることから、上記絶縁性物質は、絶縁性粒子であることが好ましい。

上記絶縁性物質の材料である絶縁性樹脂の具体例としては、ポリオレフィン化合物、（メタ）アクリレート重合体、（メタ）アクリレート共重合体、ブロックポリマー、熱可塑性樹脂、熱可塑性樹脂の架橋物、熱硬化性樹脂及び水溶性樹脂等が挙げられる。

上記ポリオレフィン化合物としては、ポリエチレン、エチレン－酢酸ビニル共重合体及びエチレン－アクリル酸エステル共重合体等が挙げられる。上記（メタ）アクリレート重合体としては、ポリメチル（メタ）アクリレート、ポリエチル（メタ）アクリレート及びポリブチル（メタ）アクリレート等が挙げられる。上記ブロックポリマーとしては、ポリスチレン、スチレン－アクリル酸エステル共重合体、ＳＢ型スチレン－ブタジエンブロック共重合体、及びＳＢＳ型スチレン－ブタジエンブロック共重合体、並びにこれらの水素添加物等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂としては、ビニル重合体及びビニル共重合体等が挙げられる。上記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びメラミン樹脂等が挙げられる。上記水溶性樹脂としては、ポリビニルアルコール、ポリアクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリビニルピロリドン、ポリエチレンオキシド及びメチルセルロース等が挙げられる。なかでも、水溶性樹脂が好ましく、ポリビニルアルコールがより好ましい。

上記金属部又は上記金属膜の表面上に絶縁性物質を配置する方法としては、化学的方法、及び物理的もしくは機械的方法等が挙げられる。上記化学的方法としては、例えば、界面重合法、粒子存在下での懸濁重合法及び乳化重合法等が挙げられる。上記物理的もしくは機械的方法としては、スプレードライ、ハイブリダイゼーション、静電付着法、噴霧法、ディッピング及び真空蒸着による方法等が挙げられる。なかでも、絶縁性物質が脱離し難いことから、上記金属部又は上記金属膜の表面に、化学結合を介して上記絶縁性物質を配置する方法が好ましい。

上記金属部又は上記金属膜の外表面、及び絶縁性物質（絶縁性粒子等）の表面はそれぞれ、反応性官能基を有する化合物によって被覆されていてもよい。金属部又は金属膜の外表面と絶縁性物質の表面とは、直接化学結合していなくてもよく、反応性官能基を有する化合物によって間接的に化学結合していてもよい。金属部又は金属膜の外表面にカルボキシル基を導入した後、該カルボキシル基がポリエチレンイミンなどの高分子電解質を介して絶縁性物質の表面の官能基と化学結合していても構わない。

上記絶縁性物質の平均径（平均粒子径）は、金属含有粒子の粒子径及び金属含有粒子の用途等によって適宜選択できる。上記絶縁性物質の平均径（平均粒子径）は、好ましくは０．００５μｍ以上、より好ましくは０．０１μｍ以上であり、好ましくは１μｍ以下、より好ましくは０．５μｍ以下である。絶縁性物質の平均径が、上記下限以上であると、金属含有粒子がバインダー樹脂中に分散されたときに、複数の金属含有粒子における金属部又は金属膜同士が接触し難くなる。絶縁性物質の平均径が、上記上限以下であると、電極間の接続の際に、電極と金属含有粒子との間の絶縁性物質を排除するために、圧力を高くしすぎる必要がなくなり、高温に加熱する必要もなくなる。

上記絶縁性物質の「平均径（平均粒子径）」は、数平均径（数平均粒子径）を示す。絶縁性物質の平均径は、粒度分布測定装置等を用いて求められる。

（粒子連結体）
本発明に係る金属含有粒子は前述の通り、金属含有粒子同士を溶融接合させることができる。上記金属含有粒子の突起を溶融させた後固化させることにより、２個以上の金属含有粒子が連結された粒子連結体を形成することができる。このような粒子連結体は、従来の金属含有粒子よりも高い接続信頼性を高めることができる新規材料として有用である。即ち、本発明者らは、新規な接続材料として、さらに下記の発明を見出した。

１）複数の金属含有粒子（本発明に係る金属含有粒子と区別して、金属含有粒子本体ともいう）が金属を含む柱状連結部を介して連結している粒子連結体。

２）上記柱状連結部が、上記金属含有粒子に含まれる金属と同種の金属を含む上記１）の粒子連結体。

３）上記粒子連結体を構成する上記金属含有粒子が、本発明に係る金属含有粒子に由来する上記１）又は２）の粒子連結体。

４）上記粒子連結体を構成する上記金属含有粒子及び上記柱状連結部が、本発明に係る金属含有粒子の上記突起が溶融固化することで形成されている上記１）～３）のいずれかの粒子連結体。

５）上記柱状連結部が本発明に係る金属含有粒子の突起に由来する上記１）～４）のいずれかの粒子連結体。

上記粒子連結体は、前述した方法により製造することができるが、製造方法は前述した方法に限定されない。例えば金属含有粒子と柱状体を別々に製造して、金属含有粒子を柱状体により連結させて、柱状連結部を形成してもよい。

上記柱状連結部は円柱状連結部又は多角柱状連結部であってもよく、柱の中央部分が太くなっていてもよく、細くなっていてもよい。

上記柱状連結部において、上記金属含有粒子との接続面の外接円の直径（ｄ）は、好ましくは３ｎｍ以上、より好ましくは１００ｎｍ以上であり、好ましくは１００００ｎｍ以下、より好ましくは１０００ｎｍ以下である。

上記柱状連結部において、柱状連結部の長さ（ｌ）は、好ましくは３ｎｍ以上、より好ましくは１００ｎｍ以上であり、好ましくは１００００ｎｍ以下、より好ましくは１０００ｎｍ以下である。

上記柱状連結部において、上記金属含有粒子との接続面の外接円の直径（ｄ）の、柱状連結部の長さ（ｌ）に対する比（（ｄ）／（ｌ））は、好ましくは０．００１以上、より好ましくは０．１以上であり、好ましくは１００以下、より好ましくは１０以下である。

上記粒子連結体は、２個の金属含有粒子の連結体であってもよく、３個以上の金属含有粒子の連結体であってもよい。

（接続材料）
本発明に係る接続材料は、２つの接続対象部材を接続する接続部を形成するために好適に用いられる。上記接続材料は、上述した金属含有粒子と、樹脂とを含む。上記接続材料は、複数の金属含有粒子の突起の先端を溶融させた後に固化させることで、上記接続部を形成するために用いられることが好ましい。上記接続材料は、複数の金属含有粒子の金属部の突起を金属拡散又は溶融変形させた後に固化させることで、上記接続部を形成するために用いられることが好ましい。

上記樹脂は特に限定されない。上記樹脂は、上記金属含有粒子を分散させるバインダーである。上記樹脂は、熱可塑性樹脂又は硬化性樹脂を含むことが好ましく、硬化性樹脂を含むことがより好ましい。上記硬化性樹脂としては、光硬化性樹脂及び熱硬化性樹脂が挙げられる。上記光硬化性樹脂は、光硬化性樹脂及び光重合開始剤を含むことが好ましい。上記熱硬化性樹脂は、熱硬化性樹脂及び熱硬化剤を含むことが好ましい。上記樹脂としては、例えば、ビニル樹脂、熱可塑性樹脂、硬化性樹脂、熱可塑性ブロック共重合体及びエラストマー等が挙げられる。上記樹脂は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記ビニル樹脂としては、例えば、酢酸ビニル樹脂、アクリル樹脂及びスチレン樹脂等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリオレフィン樹脂、エチレン－酢酸ビニル共重合体及びポリアミド樹脂等が挙げられる。上記硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂及び不飽和ポリエステル樹脂等が挙げられる。なお、上記硬化性樹脂は、常温硬化型樹脂、熱硬化型樹脂、光硬化型樹脂又は湿気硬化型樹脂であってもよい。上記熱可塑性ブロック共重合体としては、例えば、スチレン－ブタジエン－スチレンブロック共重合体、スチレン－イソプレン－スチレンブロック共重合体、スチレン－ブタジエン－スチレンブロック共重合体の水素添加物、及びスチレン－イソプレン－スチレンブロック共重合体の水素添加物等が挙げられる。上記エラストマーとしては、例えば、スチレン－ブタジエン共重合ゴム、及びアクリロニトリル－スチレンブロック共重合ゴム等が挙げられる。

上記金属含有粒子の突起が金属酸化物を含む場合に、還元剤が用いられることが好ましい。上記還元剤としては、アルコール化合物（アルコール性水酸基を有する化合物）、カルボン酸化合物（カルボキシ基を有する化合物）及びアミン化合物（アミノ基を有する化合物）等が挙げられる。上記還元剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記アルコール化合物としては、アルキルアルコールが挙げられる。上記アルコール化合物の具体例としては、例えば、エタノール、プロパノール、ブチルアルコール、ペンチルアルコール、ヘキシルアルコール、ヘプチルアルコール、オクチルアルコール、ノニルアルコール、デシルアルコール、ウンデシルアルコール、ドデシルアルコール、トリデシルアルコール、テトラデシルアルコール、ペンタデシルアルコール、ヘキサデシルアルコール、ヘプタデシルアルコール、オクタデシルアルコール、ノナデシルアルコール及びイコシルアルコール等が挙げられる。また、上記アルコール化合物としては、１級アルコール型化合物に限られず、２級アルコール型化合物、３級アルコール型化合物、アルカンジオール及び環状構造を有するアルコール化合物等も使用可能である。さらに、上記アルコール化合物として、エチレングリコール及びトリエチレングリコール等の多数のアルコール基を有する化合物を用いてもよい。また、上記アルコール化合物として、クエン酸、アスコルビン酸及びグルコース等の化合物を用いてもよい。

上記カルボン酸化合物としては、アルキルカルボン酸等が挙げられる。上記カルボン酸化合物の具体例としては、ブタン酸、ペンタン酸、ヘキサン酸、ヘプタン酸、オクタン酸、ノナン酸、デカン酸、ウンデカン酸、ドデカン酸、トリデカン酸、テトラデカン酸、ペンタデカン酸、ヘキサデカン酸、ヘプタデカン酸、オクタデカン酸、ノナデカン酸及びイコサン酸等が挙げられる。また、上記カルボン酸化合物は、１級カルボン酸型化合物に限られず、２級カルボン酸型化合物、３級カルボン酸型化合物、ジカルボン酸及び環状構造を有するカルボキシル化合物等も使用可能である。

上記アミン化合物としては、アルキルアミン等が挙げられる。上記アミン化合物の具体例としては、ブチルアミン、ペンチルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ウンデシルアミン、ドデシルアミン、トリデシルアミン、テトラデシルアミン、ペンタデシルアミン、ヘキサデシルアミン、ヘプタデシルアミン、オクタデシルアミン、ノナデシルアミン及びイコデシルアミン等が挙げられる。また、上記アミン化合物は分岐構造を有していてもよい。分岐構造を有するアミン化合物としては、２－エチルヘキシルアミン及び１，５－ジメチルヘキシルアミン等が挙げられる。上記アミン化合物は、１級アミン型化合物に限られず、２級アミン型化合物、３級アミン型化合物及び環状構造を有するアミン化合物等も使用可能である。

上記還元剤は、アルデヒド基、エステル基、スルホニル基又はケトン基などを有する有機物であってもよく、カルボン酸金属塩などの有機物であってもよい。カルボン酸金属塩は金属粒子の前駆体としても用いられる一方で、有機物を含有しているために、金属酸化物粒子の還元剤としても用いられる。

上記接続材料は、上記金属含有粒子及び上記樹脂の他に、例えば、充填剤、増量剤、軟化剤、可塑剤、重合触媒、硬化触媒、着色剤、酸化防止剤、熱安定剤、光安定剤、紫外線吸収剤、滑剤、帯電防止剤及び難燃剤等の各種添加剤を含んでいてもよい。

上記接続材料は、導電接続に用いられることが好ましく、導電接続材料であることが好ましい。上記接続材料は、異方導電接続に用いられることが好ましく、異方導電接続材料であることが好ましい。上記接続材料は、ペースト及びフィルム等として使用され得る。上記接続材料がフィルムである場合には、金属含有粒子を含むフィルムに、金属含有粒子を含まないフィルムが積層されていてもよい。上記ペーストは、導電ペーストであることが好ましく、異方性導電ペーストであることがより好ましい。上記フィルムは、導電フィルムであることが好ましく、異方性導電フィルムであることがより好ましい。

上記接続材料１００重量％中、上記樹脂の含有量は、好ましくは１重量％以上、より好ましくは５重量％以上、１０重量％以上であってもよく、３０重量％以上であってもよく、５０重量％以上であってもよく、７０重量％以上であってもよく、好ましくは９９．９９重量％以下、より好ましくは９９．９重量％以下である。上記樹脂の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、接続信頼性がより一層高くなる。

上記接続材料１００重量％中、上記金属含有粒子の含有量は、好ましくは０．０１重量％以上、より好ましくは０．１重量％以上である。上記接続材料１００重量％中、上記金属含有粒子の含有量は、好ましくは９９重量％以下、より好ましくは９５重量％以下、８０重量％以下であってもよく、６０重量％以下であってもよく、４０重量％以下であってもよく、２０重量％以下であってもよく、１０重量％以下であってもよい。上記金属含有粒子の含有量が、上記下限以上及び上記上限以下であると、接続信頼性がより一層高くなる。また、上記金属含有粒子の含有量が、上記下限以上及び上記上限以下であると、第１，第２の接続対象部材間に、金属含有粒子を十分に存在させることができ、金属含有粒子によって、第１，第２の接続対象部材間の間隔が部分的に狭くなるのをより一層抑制できる。このため、接続部の放熱性が部分的に低くなるのを抑制することもできる。

上記接続材料は、金属含有粒子とは別に、基材粒子を有さない金属原子含有粒子を含んでいてもよい。

上記金属原子含有粒子としては、金属粒子及び金属化合物粒子等が挙げられる。上記金属化合物粒子は、金属原子と、該金属原子以外の原子とを含む。上記金属化合物粒子の具体例としては、金属酸化物粒子、金属の炭酸塩粒子、金属のカルボン酸塩粒子及び金属の錯体粒子等が挙げられる。上記金属化合物粒子は、金属酸化物粒子であることが好ましい。例えば、上記金属酸化物粒子は、還元剤の存在下で接続時の加熱で金属粒子となった後に焼結する。上記金属酸化物粒子は、金属粒子の前駆体である。上記金属のカルボン酸塩粒子としては、金属の酢酸塩粒子等が挙げられる。

上記金属粒子及び上記金属酸化物粒子を構成する金属としては、銀、銅、ニッケル及び金等が挙げられる。銀又は銅が好ましく、銀が特に好ましい。従って、上記金属粒子は、好ましくは銀粒子又は銅粒子であり、より好ましくは銀粒子である。上記金属酸化物粒子は、好ましくは酸化銀粒子又は酸化銅粒子であり、より好ましくは酸化銀粒子である。銀粒子及び酸化銀粒子を用いた場合には、接続後に残渣が少なく、体積減少率も非常に小さい。該酸化銀粒子における酸化銀としては、Ａｇ_２Ｏ及びＡｇＯが挙げられる。

上記金属原子含有粒子は、４００℃未満の加熱で焼結することが好ましい。上記金属原子含有粒子が焼結する温度（焼結温度）は、より好ましくは３５０℃以下、好ましくは３００℃以上である。上記金属原子含有粒子が焼結する温度が、上記上限以下又は上記上限未満であると、焼結を効率的に行うことができ、更に焼結に必要なエネルギーを低減し、かつ環境負荷を小さくすることができる。

上記金属原子含有粒子を含む接続材料は、平均粒子径が１ｎｍ以上１００ｎｍ以下である金属粒子を含む接続材料であるか、又は平均粒子径が１ｎｍ以上５０μｍ以下である金属酸化物粒子と還元剤とを含む接続材料であることが好ましい。このような接続材料を用いると、接続時の加熱で、上記金属原子含有粒子同士を良好に焼結させることができる。上記金属酸化物粒子の平均粒子径は、好ましくは５μｍ以下である。上記金属原子含有粒子の粒子径は、金属原子含有粒子が真球状である場合には、直径を示し、金属原子含有粒子が真球状ではない場合には、最大径を示す。

上記接続材料１００重量％中、上記金属原子含有粒子の含有量は、好ましく１０重量％以上、より好ましくは３０重量％以上、更に好ましくは５０重量％以上であり、好ましくは１００重量％以下、より好ましくは９９重量％以下、更に好ましくは９０重量％以下である。上記接続材料の全量が、上記金属原子含有粒子であってもよい。上記金属原子含有粒子の含有量が、上記下限以上であると、上記金属原子含有粒子をより一層緻密に焼結させることができる。この結果、接続部における放熱性及び耐熱性も高くなる。

上記金属原子含有粒子が金属酸化物粒子である場合に、還元剤が用いられることが好ましい。上記還元剤としては、アルコール化合物（アルコール性水酸基を有する化合物）、カルボン酸化合物（カルボキシ基を有する化合物）及びアミン化合物（アミノ基を有する化合物）等が挙げられる。上記還元剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記アルコール化合物としては、アルキルアルコールが挙げられる。上記アルコール化合物の具体例としては、例えば、エタノール、プロパノール、ブチルアルコール、ペンチルアルコール、ヘキシルアルコール、ヘプチルアルコール、オクチルアルコール、ノニルアルコール、デシルアルコール、ウンデシルアルコール、ドデシルアルコール、トリデシルアルコール、テトラデシルアルコール、ペンタデシルアルコール、ヘキサデシルアルコール、ヘプタデシルアルコール、オクタデシルアルコール、ノナデシルアルコール及びイコシルアルコール等が挙げられる。また、上記アルコール化合物としては、１級アルコール型化合物に限られず、２級アルコール型化合物、３級アルコール型化合物、アルカンジオール及び環状構造を有するアルコール化合物等も使用可能である。さらに、上記アルコール化合物として、エチレングリコール及びトリエチレングリコール等の多数のアルコール基を有する化合物を用いてもよい。また、上記アルコール化合物として、クエン酸、アスコルビン酸及びグルコース等の化合物を用いてもよい。

上記カルボン酸化合物としては、アルキルカルボン酸等が挙げられる。上記カルボン酸化合物の具体例としては、ブタン酸、ペンタン酸、ヘキサン酸、ヘプタン酸、オクタン酸、ノナン酸、デカン酸、ウンデカン酸、ドデカン酸、トリデカン酸、テトラデカン酸、ペンタデカン酸、ヘキサデカン酸、ヘプタデカン酸、オクタデカン酸、ノナデカン酸及びイコサン酸等が挙げられる。また、上記カルボン酸化合物は、１級カルボン酸型化合物に限られず、２級カルボン酸型化合物、３級カルボン酸型化合物、ジカルボン酸及び環状構造を有するカルボキシル化合物等も使用可能である。

上記アミン化合物としては、アルキルアミン等が挙げられる。上記アミン化合物の具体例としては、ブチルアミン、ペンチルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ウンデシルアミン、ドデシルアミン、トリデシルアミン、テトラデシルアミン、ペンタデシルアミン、ヘキサデシルアミン、ヘプタデシルアミン、オクタデシルアミン、ノナデシルアミン及びイコデシルアミン等が挙げられる。また、上記アミン化合物は分岐構造を有していてもよい。分岐構造を有するアミン化合物としては、２－エチルヘキシルアミン及び１，５－ジメチルヘキシルアミン等が挙げられる。上記アミン化合物は、１級アミン型化合物に限られず、２級アミン型化合物、３級アミン型化合物及び環状構造を有するアミン化合物等も使用可能である。

さらに、上記還元剤は、アルデヒド基、エステル基、スルホニル基又はケトン基などを有する有機物であってもよく、カルボン酸金属塩などの有機物であってもよい。カルボン酸金属塩は金属粒子の前駆体としても用いられる一方で、有機物を含有しているために、金属酸化物粒子の還元剤としても用いられる。

上記金属原子含有粒子の焼結温度（接合温度）よりも低い融点を有する還元剤を用いると、接合時に凝集し、接合部にボイドが生じやすくなる傾向がある。カルボン酸金属塩の使用により、該カルボン酸金属塩は接合時の加熱により融解しないため、ボイドが生じるのを抑制できる。なお、カルボン酸金属塩以外にも有機物を含有する金属化合物を還元剤として用いてもよい。

上記還元剤が用いられる場合には、上記接続材料１００重量％中、上記還元剤の含有量は、好ましくは１重量％以上、より好ましくは１０重量％以上であり、好ましくは９０重量％以下、より好ましくは７０重量％以下、更に好ましくは５０重量％以下である。上記還元剤の含有量が、上記下限以上であると、上記金属原子含有粒子をより一層緻密に焼結させることができる。この結果、接合部における放熱性及び耐熱性も高くなる。

上記還元剤が用いられる場合には、上記接続材料１００重量％中、上記金属酸化物粒子の含有量は、好ましくは１０重量％以上、より好ましくは３０重量％以上、更に好ましくは６０重量％以上である。上記接続材料１００重量％中、上記金属酸化物粒子の含有量は、好ましくは９９．９９重量％以下、より好ましくは９９．９重量％以下、より一層好ましくは９９．５重量％以下、更に好ましくは９９重量％以下、特に好ましくは９０重量％以下、最も好ましくは８０重量％以下である。上記金属酸化物粒子の含有量が、上記下限以上及び上記上限以下であると、上記金属酸化物粒子をより一層緻密に焼結させることができる。この結果、接合部における放熱性及び耐熱性も高くなる。

上記接続材料が金属原子含有粒子を含むペーストである場合に、該ペーストには、金属原子含有粒子とともにバインダーが用いられてもよい。上記ペーストに用いられるバインダーは特に限定されない。上記バインダーは、上記金属原子含有粒子が焼結する際に、消失することが好ましい。上記バインダーは、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記バインダーの具体例としては、溶媒等が挙げられる。上記溶媒としては、脂肪族系溶媒、ケトン系溶媒、芳香族系溶媒、エステル系溶媒、エーテル系溶媒、アルコール系溶媒、パラフィン系溶媒及び石油系溶媒等が挙げられる。

上記脂肪族系溶媒としては、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン及びエチルシクロヘキサン等が挙げられる。上記ケトン系溶媒としては、アセトン及びメチルエチルケトン等が挙げられる。上記芳香族系溶媒としては、トルエン及びキシレン等が挙げられる。上記エステル系溶媒としては、酢酸エチル、酢酸ブチル及び酢酸イソプロピル等が挙げられる。上記エーテル系溶媒としては、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、及びジオキサン等が挙げられる。上記アルコール系溶媒としては、エタノール及びブタノール等が挙げられる。上記パラフィン系溶媒としては、パラフィン油及びナフテン油等が挙げられる。上記石油系溶媒としては、ミネラルターペン及びナフサ等が挙げられる。

（接続構造体）
本発明に係る接続構造体は、第１の接続対象部材と、第２の接続対象部材と、第１，第２の接続対象部材を接続している接続部とを備える。本発明に係る接続構造体では、上記接続部が、上記金属含有粒子又は上記接続材料により形成されている。上記接続部の材料が、上記金属含有粒子又は上記接続材料である。

本発明に係る接続構造体の製造方法は、第１の接続対象部材と、第２の接続対象部材との間に、上記金属含有粒子を配置するか、又は、上記接続材料を配置する工程を備える。本発明に係る接続構造体の製造方法は、上記金属含有粒子を加熱して、上記金属部の上記突起の先端を溶融させ、溶融後に固化させ、上記金属含有粒子又は上記接続材料によって、上記第１の接続対象部材と上記第２の接続対象部材とを接続している接続部を形成する工程を備える。本発明に係る接続構造体の製造方法は、上記金属含有粒子を加熱して、上記金属部の上記突起の成分を金属拡散又は溶融変形させ、上記金属含有粒子又は上記接続材料によって、上記第１の接続対象部材と上記第２の接続対象部材とを接続している接続部を形成する工程を備える。

図１５は、本発明の第１の実施形態に係る金属含有粒子を用いた接続構造体を模式的に示す断面図である。

図１５に示す接続構造体５１は、第１の接続対象部材５２と、第２の接続対象部材５３と、第１，第２の接続対象部材５２，５３を接続している接続部５４とを備える。接続部５４は、金属含有粒子１と樹脂（硬化した樹脂など）とを含む。接続部５４は、金属含有粒子１を含む接続材料により形成されている。接続部５４の材料は、上記接続材料である。接続部５４は、接続材料を硬化させることにより形成されていることが好ましい。なお、図１５では、金属含有粒子１の金属部３の突起３ａの先端は、溶融した後固化している。接続部５４では、複数の金属含有粒子１の接合体を含む。接続構造体５１では、金属含有粒子１と第１の接続対象部材５１とが接合しており、金属含有粒子１と第２の接続対象部材５３とが接合している。

金属含有粒子１にかえて、金属含有粒子１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，１Ｅ，１Ｆ，１Ｇ，１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ，１１Ｄ，１１Ｅなどの他の金属含有粒子を用いてもよい。

第１の接続対象部材５２は表面（上面）に、複数の第１の電極５２ａを有する。第２の接続対象部材５３は表面（下面）に、複数の第２の電極５３ａを有する。第１の電極５２ａと第２の電極５３ａとが、１つ又は複数の金属含有粒子１により電気的に接続されている。従って、第１，第２の接続対象部材５２，５３が金属含有粒子１により電気的に接続されている。接続構造体５１では、金属含有粒子１と第１の電極５２ａとが接合しており、金属含有粒子１と第２の電極５３ａとが接合している。

上記接続構造体の製造方法は特に限定されない。接続構造体の製造方法の一例としては、第１の接続対象部材と第２の接続対象部材との間に上記接続材料を配置し、積層体を得た後、該積層体を加熱及び加圧する方法等が挙げられる。上記加圧の圧力は９．８×１０^４Ｐａ～４．９×１０^６Ｐａ程度である。上記加熱の温度は、１２０℃～２２０℃程度である。

上記接続対象部材としては、具体的には、半導体チップ、コンデンサ及びダイオード等の電子部品、並びにプリント基板、フレキシブルプリント基板、ガラスエポキシ基板及びガラス基板等の回路基板である電子部品等が挙げられる。上記接続対象部材は電子部品であることが好ましい。上記金属含有粒子は、電子部品における電極の電気的な接続に用いられることが好ましい。

上記接続対象部材に設けられている電極としては、金電極、ニッケル電極、錫電極、アルミニウム電極、銅電極、銀電極、ＳＵＳ電極、モリブデン電極及びタングステン電極等の金属電極が挙げられる。上記接続対象部材がフレキシブルプリント基板である場合には、上記電極は金電極、ニッケル電極、錫電極又は銅電極であることが好ましい。上記接続対象部材がガラス基板である場合には、上記電極はアルミニウム電極、銅電極、モリブデン電極又はタングステン電極であることが好ましい。なお、上記電極がアルミニウム電極である場合には、アルミニウムのみで形成された電極であってもよく、金属酸化物層の表面にアルミニウム層が積層された電極であってもよい。上記金属酸化物層の材料としては、３価の金属元素がドープされた酸化インジウム及び３価の金属元素がドープされた酸化亜鉛等が挙げられる。上記３価の金属元素としては、Ｓｎ、Ａｌ及びＧａ等が挙げられる。

図１６は、本発明の第１の実施形態に係る金属含有粒子を用いた接続構造体の変形例を模式的に示す断面図である。

図１６に示す接続構造体６１は、第１の接続対象部材６２と、第２の接続対象部材６３，６４と、第１の接続対象部材６２と第２の接続対象部材６３，６４とを接続している接続部６５，６６とを備える。接続部６５，６６は、金属含有粒子１と、他の金属含有粒子６７とを含む接続材料を用いて形成されている。接続部６５，６６の材料は、上記接続材料である。上記接続材料は、金属原子含有粒子を含む。

第１の接続対象部材６２の第１の表面（一方の表面）側に接続部６５及び第２の接続対象部材６３が配置されている。接続部６５は、第１の接続対象部材６２と第２の接続対象部材６３とを接続している。

第１の接続対象部材６２の第１の表面とは反対の第２の表面（他方の表面）側に接続部６６及び第２の接続対象部材６４が配置されている。接続部６６は、第１の接続対象部材６２と第２の接続対象部材６４とを接続している。

第１の接続対象部材６２と第２の接続対象部材６３，６４との間にそれぞれ、金属含有粒子１と、他の金属含有粒子６７とが配置されている。本実施形態では、接続部６５，６６において、金属原子含有粒子は焼結した焼結物の状態である。第１の接続対象部材６２と第２の接続対象部材６３，６４間に、金属含有粒子１が配置されている。金属含有粒子１によって、第１の接続対象部材６２と第２の接続対象部材６３，６４とが接続されている。

第２の接続対象部材６３の接続部６５側とは反対の表面に、ヒートシンク６８が配置されている。第２の接続対象部材６４の接続部６６側とは反対側の表面に、ヒートシンク６９が配置されている。従って、接続構造体６１は、ヒートシンク６８、第２の接続対象部材６３、接続部６５、第１の接続対象部材６２、接続部６６、第２の接続対象部材６４及びヒートシンク６９がこの順で積層された部分を有する。

第１の接続対象部材６２としては、整流ダイオード、パワートランジスタ（パワーＭＯＳＦＥＴ、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）、サイリスタ、ゲートターンオフサイリスタ及びトライアック等に用いられるＳｉ，ＳｉＣ，ＧａＮなどが材料であるパワー半導体素子等が挙げられる。このような第１の接続対象部材６２を備える接続構造体６１では、接続構造体６１の使用時に、第１の接続対象部材６２において大きな熱量が発生しやすい。従って、第１の接続対象部材６２から発生した熱量を、ヒートシンク６８，６９などに効率的に放散させる必要がある。このため、第１の接続対象部材６２とヒートシンク６８，６９との間に配置されている接続部６５，６６には、高い放熱性と高い信頼性が求められる。

第２の接続対象部材６３，６４としては、セラミック、プラスチックなどが材料である基板等が挙げられる。

接続部６５，６６は、上記接続材料を加熱して、上記金属含有粒子の先端を溶融させた後に固化させることにより形成されている。

（導通検査用部材及び導通検査装置）
上記金属含有粒子、上記粒子連結体、及び接続材料は、導通検査用部材及び導通検査装置に適用することも可能である。以下、導通検査用部材及び導通検査装置の一態様を記す。なお、導通検査用部材及び導通検査装置は下記態様に限定されない。上記導通検査用部材は導通用部材であってもよい。上記導通検査用部材及び上記導通用部材は、シート状導通用部材であってもよい。

本発明に係る導通検査用部材は、貫通孔を有する基体と、導電部とを備える。本発明に係る導通検査用部材では、上記貫通孔が、上記基体に複数配置されており、上記導電部が、上記貫通孔内に配置されている。本発明に係る導通検査用部材では、上記導電部の材料が、上述した金属含有粒子を含む。

本発明に係る導通検査装置は、電流計と、上記の導通検査用部材とを備える。

図２４（ａ），（ｂ）は、導通検査用部材の一例を示す平面図及び断面図である。図２４（ｂ）は、図２４（ａ）中のＡ－Ａ線に沿う断面図である。

図２４（ａ），（ｂ）に示す導通検査用部材２１は、貫通孔２２ａを有する基体２２と、基体２２の貫通孔２２ａ内に配置された導電部２３とを備える。導電部２３の材料が、上記金属含有粒子を含む。導通検査用部材２１は、導通用部材であってもよい。

上記基体は、上記導通検査用部材の基板となる部材である。上記基体は、絶縁性を有することが好ましく、上記基体は絶縁性の材料によって形成されていることが好ましい。絶縁性の材料としては、例えば、絶縁性樹脂が挙げられる。

上記基体を構成する絶縁性樹脂は、例えば、熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂のいずれであってもよい。熱可塑性樹脂としては、ポリエステル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリアミド樹脂、ＡＢＳ樹脂、及びポリカーボネート樹脂等が挙げられる。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド系樹脂、シリコーン樹脂、及びフェノール樹脂等が挙げられる。シリコーン樹脂としては、シリコーンゴム等が挙げられる。

上記基体が絶縁性樹脂で形成される場合は、上記基体を構成する絶縁性樹脂は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記基体は、例えば、板状、シート状等である。シート状には、フィルム状が含まれる。上記基体の厚みは、導通検査用部材の種類に応じて適宜設定することができ、例えば、０．００５ｍｍ以上５０ｍｍ以下の厚みであってもよい。上記基体の平面視における大きさも目的の検査装置に応じて適宜設定することができる。

上記基体は、例えば、上記の絶縁性樹脂等の絶縁性材料を原料として、所望の形状に成形することで得ることができる。

上記基体の上記貫通孔は、上記基体に複数配置される。上記貫通孔は、上記基体の厚み方向に貫通していることが好ましい。

上記基体の上記貫通孔は、円柱状に形成され得るが、円柱状に限らず、その他の形状、例えば、多角柱状に形成されていてもよい。また、上記貫通孔は、一方の方向に先細りしているテーパー状に形成されていてもよいし、その他、歪んだ形状に形成されていてもよい。

上記貫通孔の大きさ、例えば、平面視における上記貫通孔の見かけ面積も適宜の大きさに形成することができ、例えば、導電部を収容でき、かつ、保持できる程度の大きさに形成されていればよい。上記貫通孔が例えば円柱状であれば、上記貫通孔の直径は好ましくは０．０１ｍｍ以上、好ましくは１０ｍｍ以下である。

なお、上記基体の上記貫通孔の全てが同じ形状、同じ大きさであってもよいし、上記基体の上記貫通孔の一部の形状又は大きさが、他の貫通孔と異なっていてもよい。

上記基体の上記貫通孔の個数も適宜の範囲で設定することができ、導通検査が可能な程度の個数を有していればよく、目的の検査装置に応じて適宜設定することができる。また、上記基体の上記貫通孔の配置場所も目的の検査装置に応じて適宜設定することができる。

上記基体の上記貫通孔を形成する方法は特に限定されず、公知の方法（例えば、レーザー加工）で貫通孔を形成することが可能である。

上記基体の上記貫通孔内の導電部は導電性を有する。

具体的に導電部は、上記金属含有粒子に由来する粒子を含む。例えば、導電部は、複数の金属含有粒子が貫通孔内に収容されて形成される。上記導電部は、金属含有粒子に由来する粒子の集合体（粒子群）を含む。

上記導電部の材料は、上記金属含有粒子以外の材料を含んでいてもよい。例えば、上記導電部の材料は、上記金属含有粒子以外にバインダー樹脂を含むことができる。上記導電部の材料がバインダー樹脂を含むことで、上記金属含有粒子がより強固に集合し、これにより上記金属含有粒子に由来する粒子が上記貫通孔内に保持されやすくなる。

上記バインダー樹脂は特に限定されない。上記バインダー樹脂としては、例えば、光硬化性樹脂、及び熱硬化性樹脂等が挙げられる。上記光硬化性樹脂は、光硬化性樹脂及び光重合開始剤を含むことが好ましい。上記熱硬化性樹脂は、熱硬化性樹脂及び熱硬化剤を含むことが好ましい。上記バインダー樹脂は、例えば、シリコーン系共重合体、ビニル樹脂、熱可塑性樹脂、硬化性樹脂、熱可塑性ブロック共重合体及びエラストマー等であってもよい。上記バインダー樹脂は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記金属含有粒子に由来する粒子は、上記貫通孔内に密に充填されていることが好ましく、この場合、上記導通検査用部材よってより確実な導通検査を行うことができる。上記導電部は、導通検査用部材又は導通用部材の表裏にわたって導通可能であるように上記貫通孔内に収容されていることが好ましい。

上記導電部において、上記金属含有粒子に由来する粒子は、導電部の表面から裏面にわたって連続して上記金属含有粒子に由来する粒子が互いに接触しながら存在していることが好ましい。この場合、上記導電部の導通性が向上する。

上記導電部を、上記貫通孔内に収容する方法は特に限定されない。例えば、上記金属含有粒子とバインダー樹脂を含む材料を基体に塗工する方法で上記金属含有粒子を貫通孔内に充填し、適宜の条件で硬化させることで、導電部を貫通孔内に形成することができる。これにより、導電部が貫通孔に収容される。上記金属含有粒子とバインダー樹脂とを含む材料には必要に応じて溶剤が含まれていてもよい。

上記金属含有粒子とバインダー樹脂とを含む材料は、上記金属含有粒子１００重量部に対して、バインダーの含有量は固形分換算で、好ましくは５重量部以上、より好ましくは１０重量部以上であり、好ましくは７０重量部以下、より好ましくは５０重量部以下である。

上記導通検査用部材は、プローブカード又はプローブシートとして用いることができる。なお、上記導通検査用部材は、本発明の効果が阻害されない程度であれば、その他の構成要素を備えていてもよい。

図２５（ａ）～（ｃ）は、電子回路デバイスの電気特性を導通検査装置によって検査している様子を模式的に示す図である。

図２５（ａ）～（ｃ）では、電子回路デバイスは、ＢＧＡ基板３１（ボールグリッドアレイ基板）である。ＢＧＡ基板３１は、接続パッドが格子状に多層基板３１Ａに配列され、各パッドにはんだボール３１Ｂが配設された構造を有する基板である。また、図２５（ａ）～（ｃ）では、導通検査用部材４１は、プローブカードである。導通検査用部材４１は、基体４２に複数の貫通孔４２ａが形成されており、貫通孔４２ａ内には導電部４３が配置されている。導電部４３は、上記金属含有粒子を含み、導電性を有している。図２５（ａ）のように、ＢＧＡ基板３１と、導通検査用部材４１とを準備し、図２５（ｂ）のように、ＢＧＡ基板３１を導通検査用部材４１に接触させて圧縮させる。このとき、半田ボール３１Ｂは、貫通孔４２ａ内の導電部４３と接触する。この状態において図２５（ｃ）のように、電流計３２を接続して導通検査を実施し、ＢＧＡ基板３１の合否を判定することができる。

以下、実施例及び比較例を挙げて、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。

（実施例１）
基材粒子Ａとして、粒子径が３．０μｍであるジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子（積水化学工業社製「ミクロパールＳＰ－２０３」）を用意した。

パラジウム触媒液５重量％を含むアルカリ溶液１００重量部に、基材粒子Ａ１０重量部を、超音波分散器を用いて分散させた後、溶液をろ過することにより、基材粒子Ａを取り出した。次いで、基材粒子Ａをジメチルアミンボラン１重量％溶液１００重量部に添加し、基材粒子Ａの表面を活性化させた。表面が活性化された基材粒子Ａを十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液（Ａ）を得た。

次に、金属ニッケル粒子スラリー（三井金属社製「２０２０ＳＵＳ」、平均粒子径１５０ｎｍ）１重量部を３分間かけて上記懸濁液（Ａ）に添加し、芯物質が付着された基材粒子Ａを含む懸濁液（Ｂ）を得た。

懸濁液（Ｂ）を、硫酸銅２０ｇ／Ｌ、及びエチレンジアミン四酢酸３０ｇ／Ｌを含む溶液中に入れ、粒子混合液（Ｃ）を得た。

また、無電解銅めっき液として、硫酸銅２５０ｇ／Ｌ、エチレンジアミン四酢酸１５０ｇ／Ｌ、グルコン酸ナトリウム１００ｇ／Ｌ、及びホルムアルデヒド５０ｇ／Ｌを含む混合液を、アンモニアにてｐＨ１０．５に調整した銅めっき液（Ｄ）を用意した。

また、無電解銀めっき液として、硝酸銀３０ｇ／Ｌ、コハク酸イミド１００ｇ／Ｌ、及びホルムアルデヒド２０ｇ／Ｌを含む混合液を、アンモニア水にてｐＨ８．０に調整した銀めっき液（Ｅ）を用意した。

また、ジメチルアミンボラン１００ｇ／Ｌ、及び水酸化ナトリウム０．５ｇ／Ｌを含む突起形成用めっき液（Ｆ）（ｐＨ１０．０）を用意した。

また、無電解金めっき液として、シアン化金カリウム２ｇ／Ｌ、クエン酸ナトリウム２０ｇ／Ｌ、エチレンジアミン四酢酸３．０ｇ／Ｌ、及び水酸化ナトリウム２０ｇ／Ｌを含む電解置換金めっき液（Ｇ）（ｐＨ６．５）を用意した。

５５℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｃ）に上記銅めっき液（Ｄ）を徐々に滴下し、無電解銅めっきを行った。銅めっき液（Ｄ）の滴下速度は３０ｍＬ／分、滴下時間は３０分間で、無電解銅めっきを行った。このようにして、樹脂粒子の表面に銅金属部が配置されており、表面に凸部を有する金属部を備える粒子を含む粒子混合液（Ｈ）を得た。

その後、粒子混合液（Ｈ）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗することにより、上記基材粒子Ａの表面上に銅金属部が配置されており、表面に凸部を有する金属部を備える粒子を得た。この粒子を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、粒子混合液（Ｉ）を得た。

次に、６０℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｉ）に上記銀めっき液（Ｅ）を徐々に滴下し、無電解銀めっきを行った。銀めっき液（Ｅ）の滴下速度は１０ｍＬ／分、滴下時間は３０分間で、無電解銀めっきを行った。その後、上記突起形成用めっき液（Ｆ）を徐々に滴下し、突起形成を行った。突起形成用めっき液（Ｆ）の滴下速度は１ｍＬ／分、滴下時間は１０分間で、突起形成を行った。突起形成用めっき液（Ｆ）の滴下中は、発生した銀突起核を超音波攪拌により分散しながら銀めっきを行った（突起形成工程）。この粒子を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、粒子混合液（Ｊ）を得た。次に、粒子が分散している６０℃の粒子混合液（Ｊ）に上記無電解置換金めっき液（Ｇ）を徐々に滴下し、無電解置換金めっきを行った。無電解置換金めっき液（Ｇ）の滴下速度は２ｍＬ／分、滴下時間は４５分間で、無電解置換金めっきを行った。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、基材粒子Ａの表面上に銅及び銀金属部、並びに金金属膜（凸部が無い部分における金属部全体及び金属膜全体の厚み：０．１０５μｍ）が配置されている金属含有粒子を得た。該金属含有粒子は、外表面に凸部を有し、凸部の表面上に複数の突起を有する。

（実施例２）
金属ニッケル粒子スラリーをアルミナ粒子スラリー（平均粒子径１５０ｎｍ）に変更したこと以外は実施例１と同様にして、金属含有粒子を得た。

（実施例３）
実施例１で得られた懸濁液（Ａ）を、硫酸ニッケル４０ｐｐｍ、クエン酸３ナトリウム２ｇ／Ｌ、及びアンモニア水１０ｇ／Ｌを含む溶液中に入れ、粒子混合液（Ｂ）を得た。

針状突起形成用めっき液として、硫酸銅１００ｇ／Ｌ、硫酸ニッケル１０ｇ／Ｌ、次亜リン酸ナトリウム１００ｇ／Ｌ、クエン酸３ナトリウム７０ｇ／Ｌ、ホウ酸１０ｇ／Ｌ、及びノニオン界面活性剤としてポリエチレングリコール１０００（分子量：１０００）５ｍｇ／Ｌを含む混合液を用意した。次に、上記混合液をアンモニア水にてｐＨ１０．０に調整した無電解銅－ニッケル－リン合金めっき液である針状突起形成用めっき液（Ｃ）を用意した。

また、無電解銀めっき液として、硝酸銀３０ｇ／Ｌ、コハク酸イミド１００ｇ／Ｌ、及びホルムアルデヒド２０ｇ／Ｌの混合液を、アンモニア水にてｐＨ８．０に調整した銀めっき液（Ｄ）を用意した。

また、ジメチルアミンボラン１００ｇ／Ｌ、及び水酸化ナトリウム０．５ｇ／Ｌを含む突起形成用めっき液（Ｅ）（ｐＨ１０．０）を用意した。

また、無電解金めっき液として、シアン化金カリウム２ｇ／Ｌ、クエン酸ナトリウム２０ｇ／Ｌ、エチレンジアミン四酢酸３．０ｇ／Ｌ、及び水酸化ナトリウム２０ｇ／Ｌを含む電解置換金めっき液（Ｆ）（ｐＨ６．５）を用意した。

７０℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｂ）に上記針状突起形成用めっき液（Ｃ）を徐々に滴下し、針状突起を形成した。針状突起形成用めっき液（Ｃ）の滴下速度は４０ｍＬ／分、滴下時間は６０分間で、無電解銅－ニッケル－リン合金めっきを行った（針状突起形成及び銅－ニッケル－リン合金めっき工程）。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、基材粒子Ａの表面上に銅－ニッケル－リン合金金属部が配置されており、表面に凸部を有する金属部を備える粒子（Ｇ）を得た。粒子（Ｇ）を蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液（Ｈ）を得た。

その後、懸濁液（Ｈ）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗することにより、上記基材粒子Ａの表面上に銅－ニッケル－リン合金金属部が配置されており、表面に針状凸部を有する金属部を備える粒子を得た。この粒子を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、粒子混合液（Ｉ）を得た。

次に、６０℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｉ）に上記銀めっき液（Ｄ）を徐々に滴下し、無電解銀めっきを行った。銀めっき液（Ｄ）の滴下速度は１０ｍＬ／分、滴下時間は３０分間で、無電解銀めっきを行った。その後、上記突起形成用めっき液（Ｅ）を徐々に滴下し、突起形成を行った。突起形成用めっき液（Ｅ）の滴下速度は１ｍＬ／分、滴下時間は１０分間で、突起形成を行った。突起形成用めっき液（Ｅ）の滴下中は、発生した銀突起核を超音波攪拌により分散しながら銀めっきを行った（突起形成工程）。この粒子を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、粒子混合液（Ｊ）を得た。次に、粒子が分散している６０℃の粒子混合液（Ｊ）に上記無電解置換金めっき液（Ｆ）を徐々に滴下し、無電解置換金めっきを行った。無電解置換金めっき液（Ｆ）の滴下速度は２ｍＬ／分、滴下時間は４５分間で、無電解置換金めっきを行った。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、基材粒子Ａの表面上に銅－ニッケル－リン合金及び銀金属部、並びに金金属膜（凸部が無い部分における金属部全体及び金属膜全体の厚み：０．１０５μｍ）が配置されている金属含有粒子を得た。該金属含有粒子は、外表面に複数の針状凸部を有し、凸部の表面上に複数の突起を有する。

（実施例４）
実施例１で得られた懸濁液（Ａ）を、硫酸ニッケル８０ｇ／Ｌ、硝酸タリウム１０ｐｐｍ及び硝酸ビスマス５ｐｐｍを含む溶液中に入れ、粒子混合液（Ｂ）を得た。

針状突起形成用めっき液として、塩化ニッケル１００ｇ／Ｌ、ヒドラジン一水和物１００ｇ／Ｌ、クエン酸３ナトリウム５０ｇ／Ｌ、及びポリエチレングリコール１０００（分子量：１０００）２０ｍｇ／Ｌを含む混合液を、水酸化ナトリウムにてｐＨ９．０に調整した無電解高純度ニッケルめっき液である針状突起形成用めっき液（Ｃ）を用意した。

また、無電解銀めっき液として、硝酸銀３０ｇ／Ｌ、コハク酸イミド１００ｇ／Ｌ、及びホルムアルデヒド２０ｇ／Ｌを含む混合液を、アンモニア水にてｐＨ８．０に調整した銀めっき液（Ｄ）を用意した。

また、ジメチルアミンボラン１００ｇ／Ｌ、及び水酸化ナトリウム０．５ｇ／Ｌを含む突起形成用めっき液（Ｅ）（ｐＨ１０．０）を用意した。

また、無電解置換金めっき液として、シアン化金カリウム２ｇ／Ｌ、クエン酸ナトリウム２０ｇ／Ｌ、エチレンジアミン四酢酸３．０ｇ／Ｌ、及び水酸化ナトリウム２０ｇ／Ｌを含む電解置換金めっき液（Ｆ）（ｐＨ６．５）を用意した。

６０℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｂ）に上記針状突起形成用めっき液（Ｃ）を徐々に滴下し、針状突起を形成した。針状突起形成用めっき液（Ｃ）の滴下速度は２０ｍＬ／分、滴下時間は５０分間で、無電解高純度ニッケルめっきを行った（針状突起形成及び高純度ニッケルめっき工程）。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、基材粒子Ａの表面上に高純度ニッケル金属部が配置されており、表面に凸部を有する金属部を備える粒子（Ｇ）を得た。粒子（Ｇ）を蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液（Ｈ）を得た。

その後、懸濁液（Ｈ）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗することにより、上記基材粒子Ａの表面上に高純度ニッケル金属部を配置して、表面に針状凸部を有する金属部を備える粒子を得た。この粒子を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、粒子混合液（Ｉ）を得た。

次に、６０℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｉ）に上記銀めっき液（Ｄ）を徐々に滴下し、無電解銀めっきを行った。銀めっき液（Ｄ）の滴下速度は１０ｍＬ／分、滴下時間は３０分間で、無電解銀めっきを行った。その後、上記突起形成用めっき液（Ｅ）を徐々に滴下し、突起形成を行った。突起形成用めっき液（Ｅ）の滴下速度は１ｍＬ／分、滴下時間は１０分間で、突起形成を行った。突起形成用めっき液（Ｅ）の滴下中は、発生した銀突起核を超音波攪拌により分散しながら銀めっきを行った（突起形成工程）。この粒子を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、粒子混合液（Ｊ）を得た。次に、粒子が分散している６０℃の粒子混合液（Ｊ）に上記無電解置換金めっき液（Ｆ）を徐々に滴下し、無電解置換金めっきを行った。無電解置換金めっき液（Ｆ）の滴下速度は２ｍＬ／分、滴下時間は４５分間で、無電解置換金めっきを行った。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、基材粒子Ａの表面上に高純度ニッケル及び銀金属部、並びに金金属膜（凸部が無い部分における金属部全体及び金属膜全体の厚み：０．１０５μｍ）が配置されている金属含有粒子を得た。該金属含有粒子は、外表面に複数の針状凸部を有し、凸部の表面上に複数の突起を有する。

（実施例５）
実施例１で得られた懸濁液（Ａ）を、硝酸銀５００ｐｐｍ、コハク酸イミド１０ｇ／Ｌ、アンモニア水１０ｇ／Ｌ、を含む溶液中に入れ、粒子混合液（Ｂ）を得た。

無電解銀めっき液として、硝酸銀３０ｇ／Ｌ、コハク酸イミド１００ｇ／Ｌ、及びホルムアルデヒド２０ｇ／Ｌを含む混合液を、アンモニア水にてｐＨ８に調整した銀めっき液（Ｃ）を用意した。

また、ジメチルアミンボラン１００ｇ／Ｌ、及び水酸化ナトリウム０．５ｇ／Ｌを含む突起形成用めっき液（Ｄ）（ｐＨ１０．０）を用意した。

また、無電解置換金めっき液として、シアン化金カリウム２ｇ／Ｌ、クエン酸ナトリウム２０ｇ／Ｌ、エチレンジアミン四酢酸３．０ｇ／Ｌ、及び水酸化ナトリウム２０ｇ／Ｌを含む電解置換金めっき液（Ｅ）（ｐＨ６．５）を用意した。

６０℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｂ）に上記無電解銀めっき液（Ｃ）を徐々に滴下し、針状突起を形成した。無電解銀めっき液（Ｃ）の滴下速度は１０ｍＬ／分、滴下時間は３０分間で、無電解銀めっきを行った（銀めっき工程）。その後、上記突起形成用めっき液（Ｄ）を徐々に滴下し、突起形成を行った。突起形成用めっき液（Ｄ）の滴下速度は１ｍＬ／分、滴下時間は１０分間で、突起形成を行った。突起形成用めっき液（Ｄ）の滴下中は、発生した銀突起核を超音波攪拌により分散しながら銀めっきを行った（突起形成工程）。この粒子を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、粒子混合液（Ｆ）を得た。次に、粒子が分散している６０℃の粒子混合液（Ｆ）に上記無電解置換金めっき液（Ｅ）を徐々に滴下し、無電解置換金めっきを行った。無電解置換金めっき液（Ｅ）の滴下速度は２ｍＬ／分、滴下時間は４５分間で、無電解置換金めっきを行った。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、基材粒子Ａの表面上に銀金属部、及び金金属膜（突起が無い部分における金属部全体及び金属膜全体の厚み：０．１０５μｍ）が配置されている金属含有粒子を得た。該金属含有粒子は、外表面上に複数の突起を有する。

（実施例６）
実施例１で得られた懸濁液（Ａ）を、シアン化銀カリウム５００ｐｐｍ、シアン化カリウム１０ｇ／Ｌ、及び水酸化カリウム１０ｇ／Ｌを含む溶液中に入れ、粒子混合液（Ｂ）を得た。

針状突起形成用めっき液として、シアン化銀カリウム８０ｇ／Ｌ、シアン化カリウム１０ｇ／Ｌ、ポリエチレングリコール１０００（分子量：１０００）２０ｍｇ／Ｌ、チオ尿素５０ｐｐｍ、及びヒドラジン一水和物１００ｇ／Ｌを含む混合液を、水酸化カリウムにてｐＨ７．５に調整した銀めっき液（Ｃ）を用意した。

また、無電解置換金めっき液として、シアン化金カリウム２ｇ／Ｌ、クエン酸ナトリウム２０ｇ／Ｌ、エチレンジアミン四酢酸３．０ｇ／Ｌ、及び水酸化ナトリウム２０ｇ／Ｌを含む電解置換金めっき液（Ｄ）（ｐＨ６．５）を用意した。

８０℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｂ）に上記無電解銀めっき液（Ｃ）を徐々に滴下し、針状突起を形成した。無電解銀めっき液（Ｃ）の滴下速度は１０ｍＬ／分、滴下時間は６０分間で、無電解銀めっきを行った（針状突起形成及び銀めっき工程）。この粒子を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、粒子混合液（Ｅ）を得た。次に、粒子が分散している６０℃の粒子混合液（Ｅ）に上記無電解置換金めっき液（Ｄ）を徐々に滴下し、無電解置換金めっきを行った。無電解置換金めっき液（Ｄ）の滴下速度は２ｍＬ／分、滴下時間は４５分間で、無電解置換金めっきを行った。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、樹脂粒子の表面に銀金属部、及び金金属膜（突起が無い部分における金属部全体及び金属膜全体の厚み：０．１０５μｍ）が配置されている金属含有粒子を得た。該金属含有粒子では、外表面に複数の針状突起が形成されている。

（実施例７）
実施例１で得られた懸濁液（Ａ）を、シアン化銀カリウム５００ｐｐｍ、シアン化カリウム１０ｇ／Ｌ、及び水酸化カリウム１０ｇ／Ｌを含む溶液中に入れ、粒子混合液（Ｂ）を得た。

針状突起形成用めっき液として、シアン化銀カリウム８０ｇ／Ｌ、シアン化カリウム１０ｇ／Ｌ、ポリエチレングリコール１０００（分子量：１０００）２０ｍｇ／Ｌ、チオ尿素５０ｐｐｍ、及びヒドラジン一水和物１００ｇ／Ｌを含む混合液を、水酸化カリウムにてｐＨ７．５に調整した銀めっき液（Ｃ）を用意した。

また、無電解銀めっき液として、硝酸銀３０ｇ／Ｌ、コハク酸イミド１００ｇ／Ｌ、及びホルムアルデヒド２０ｇ／Ｌを含む混合液を、アンモニア水にてｐＨ８．０に調整した銀めっき液（Ｄ）を用意した。

また、ジメチルアミンボラン１００ｇ／Ｌ、及び水酸化ナトリウム０．５ｇ／Ｌを含む突起形成用めっき液（Ｅ）（ｐＨ１０．０）を用意した。

また、無電解置換金めっき液として、シアン化金カリウム２ｇ／Ｌ、クエン酸ナトリウム２０ｇ／Ｌ、エチレンジアミン四酢酸３．０ｇ／Ｌ、及び水酸化ナトリウム２０ｇ／Ｌを含む電解置換金めっき液（Ｆ）（ｐＨ６．５）を用意した。

８０℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｂ）に上記無電解銀めっき液（Ｃ）を徐々に滴下し、針状突起を形成した。無電解銀めっき液（Ｃ）の滴下速度は１０ｍＬ／分、滴下時間は４５分間で、無電解銀めっきを行った（針状突起形成及び銀めっき工程）。

その後、ろ過することにより粒子を取り出し、基材粒子Ａの表面上に銀金属部が配置されており、表面に針状凸部を有する金属部を備える粒子（Ｇ）を得た。粒子（Ｇ）を蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、粒子混合液（Ｈ）を得た。

次に、６０℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｈ）に上記銀めっき液（Ｄ）を徐々に滴下し、無電解銀めっきを行った。銀めっき液（Ｄ）の滴下速度は１０ｍＬ／分、滴下時間は３０分間で、無電解銀めっきを行った。その後、上記突起形成用めっき液（Ｅ）を徐々に滴下し、突起形成を行った。突起形成用めっき液（Ｅ）の滴下速度は１ｍＬ／分、滴下時間は１０分間で、突起形成を行った。突起形成用めっき液（Ｅ）の滴下中は、発生した銀突起核を超音波攪拌により分散しながら銀めっきを行った（突起形成工程）。この粒子を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、粒子混合液（Ｉ）を得た。次に、粒子が分散している６０℃の粒子混合液（Ｉ）に上記無電解置換金めっき液（Ｆ）を徐々に滴下し、無電解置換金めっきを行った。無電解置換金めっき液（Ｆ）の滴下速度は２ｍＬ／分、滴下時間は４５分間で、無電解置換金めっきを行った。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、基材粒子Ａの表面上に銀及び金金属部、並びに金金属膜（凸部が無い部分における金属部全体及び金属膜全体の厚み：０．１０５μｍ）が配置されている金属含有粒子を得た。該金属含有粒子は、外表面に複数の針状凸部を有し、凸部の表面上に複数の突起を有する。

（実施例８）
実施例１で得られた懸濁液（Ｂ）を、硫酸ニッケル５０ｇ／Ｌ、硝酸タリウム３０ｐｐｍ及び硝酸ビスマス２０ｐｐｍを含む溶液中に入れ、粒子混合液（Ｃ）を得た。

無電解ニッケル－タングステン－ボロン合金めっき液として、硫酸ニッケル１００ｇ／Ｌ、タングステン酸ナトリウム５ｇ／Ｌ、ジメチルアミンボラン３０ｇ／Ｌ、硝酸ビスマス１０ｐｐｍ、及びクエン酸３ナトリウム３０ｇ／Ｌを含む混合液を用意した。次に、上記混合液を水酸化ナトリウムにてｐＨ６に調整した無電解ニッケル－タングステン－ボロン合金めっき液（Ｄ）を用意した。

また、無電解銀めっき液として、硝酸銀３０ｇ／Ｌ、コハク酸イミド１００ｇ／Ｌ、及びホルムアルデヒド２０ｇ／Ｌの混合液を、アンモニア水にてｐＨ８．０に調整した銀めっき液（Ｅ）を用意した。

また、ジメチルアミンボラン１００ｇ／Ｌ、及び水酸化ナトリウム０．５ｇ／Ｌを含む突起形成用めっき液（Ｆ）（ｐＨ１０．０）を用意した。

また、無電解置換金めっき液として、シアン化金カリウム２ｇ／Ｌ、クエン酸ナトリウム２０ｇ／Ｌ、エチレンジアミン四酢酸３．０ｇ／Ｌ、及び水酸化ナトリウム２０ｇ／Ｌを含む電解置換金めっき液（Ｇ）（ｐＨ６．５）を用意した。

６０℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｃ）に上記無電解ニッケル－タングステン－ボロン合金めっき液（Ｄ）を徐々に滴下し、無電解ニッケル－タングステン－ボロン合金めっきを行った。無電解ニッケル－タングステン－ボロン合金めっき液（Ｄ）の滴下速度は１５ｍＬ／分、滴下時間は６０分間で、無電解ニッケル－タングステン－ボロン合金めっきを行った。このようにして、基材粒子Ａの表面上にニッケル－タングステン－ボロン合金金属部が配置されており、表面に凸部を有する金属部を備える粒子を含む粒子混合液（Ｈ）を得た。

その後、粒子混合液（Ｈ）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗することにより、上記基材粒子Ａの表面上にニッケル－タングステン－ボロン合金金属層が配置されており、表面に凸部を有する金属部を備える粒子を得た。この粒子を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、粒子混合液（Ｉ）を得た。

次に、６０℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｉ）に上記銀めっき液（Ｅ）を徐々に滴下し、無電解銀めっきを行った。銀めっき液（Ｅ）の滴下速度は１０ｍＬ／分、滴下時間は３０分間で、無電解銀めっきを行った。その後、上記突起形成用めっき液（Ｆ）を徐々に滴下し、突起形成を行った。突起形成用めっき液（Ｆ）の滴下速度は１ｍＬ／分、滴下時間は１０分間で、突起形成を行った。突起形成用めっき液（Ｆ）の滴下中は、発生した銀突起核を超音波攪拌により分散しながら銀めっきを行った（突起形成工程）。この粒子を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、粒子混合液（Ｊ）を得た。次に、粒子が分散している６０℃の粒子混合液（Ｊ）に上記無電解置換金めっき液（Ｇ）を徐々に滴下し、無電解置換金めっきを行った。無電解置換金めっき液（Ｇ）の滴下速度は２ｍＬ／分、滴下時間は４５分間で、無電解置換金めっきを行った。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、基材粒子Ａの表面上にニッケル－タングステン－ボロン合金及び銀金属部、並びに金金属膜（凸部が無い部分における金属部全体及び金属膜全体の厚み：０．１０５μｍ）が配置されている金属含有粒子を得た。該金属含有粒子は、外表面に複数の凸部を有し、凸部の表面上に複数の突起を有する。

（実施例９）
実施例１で得られた懸濁液（Ｂ）を、硫酸ニッケル５０ｇ／Ｌ、硝酸タリウム３０ｐｐｍ及び硝酸ビスマス２０ｐｐｍを含む溶液中に入れ、粒子混合液（Ｃ）を得た。

無電解ニッケル－タングステン－ボロン合金めっき液として、硫酸ニッケル１００ｇ／Ｌ、タングステン酸ナトリウム２ｇ／Ｌ、ジメチルアミンボラン３０ｇ／Ｌ、硝酸ビスマス１０ｐｐｍ、及びクエン酸３ナトリウム３０ｇ／Ｌを含む混合液を用意した。次に、上記混合液を水酸化ナトリウムにてｐＨ６に調整した無電解ニッケル－タングステン－ボロン合金めっき液（Ｄ）を用意した。

また、無電解銀めっき液として、硝酸銀３０ｇ／Ｌ、コハク酸イミド１００ｇ／Ｌ、ホルムアルデヒド２０ｇ／Ｌとの混合液を、アンモニア水にてｐＨ８．０に調整した銀めっき液（Ｅ）を用意した。

また、水素化ホウ素ナトリウム３０ｇ／Ｌ、及び水酸化ナトリウム０．５ｇ／Ｌを含む突起形成用めっき液（Ｆ）（ｐＨ１０．０）を用意した。

また、無電解パラジウムめっき液として、硫酸パラジウム２．５ｇ／Ｌ、エチレンジアミン３０ｍｌ／Ｌ、ギ酸ナトリウム８０ｇ／Ｌ、及びサッカリン酸ナトリウム５ｍｇ／Ｌとの混合液を、アンモニアにてｐＨ８に調整した無電解パラジウムめっき液（Ｇ）を用意した。

６０℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｃ）に上記無電解ニッケル－タングステン－ボロン合金めっき液（Ｄ）を徐々に滴下し、無電解ニッケル－タングステン－ボロン合金めっきを行った。無電解ニッケル－タングステン－ボロン合金めっき液（Ｄ）の滴下速度は１５ｍＬ／分、滴下時間は６０分間で、無電解ニッケル－タングステン－ボロン合金めっきを行った。このようにして、基材粒子Ａの表面上にニッケル－タングステン－ボロン合金金属部が配置されており、表面に凸部を有する金属部を備える粒子（Ｈ）を得た。

その後、懸濁液（Ｈ）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗することにより、上記基材粒子Ａの表面上にニッケル－タングステン－ボロン合金金属部が配置されており、表面に凸部を有する金属部を備える粒子を得た。この粒子を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、粒子混合液（Ｉ）を得た。

次に、６０℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｉ）に上記無電解銀めっき液（Ｅ）を徐々に滴下し、無電解銀めっきを行った。無電解銀めっき液（Ｅ）の滴下速度は１０ｍＬ／分、滴下時間は３０分間で、無電解銀めっきを行った。その後、上記突起形成用めっき液（Ｆ）を徐々に滴下し、突起形成を行った。突起形成用めっき液（Ｆ）の滴下速度は１ｍＬ／分、滴下時間は５分間で、突起形成を行った。突起形成用めっき液（Ｆ）の滴下中は、発生した銀突起核を超音波攪拌により分散しながら銀めっきを行った（突起形成工程）。この粒子を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、粒子混合液（Ｊ）を得た。次に、粒子が分散している５５℃の粒子混合液（Ｊ）に上記無電解パラジウムめっき液（Ｇ）を徐々に滴下し、無電解パラジウムめっきを行った。無電解パラジウムめっき液（Ｇ）の滴下速度は２ｍＬ／分、滴下時間は４５分間で、無電解パラジウムめっきを行った。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、基材粒子Ａの表面上にニッケル－タングステン－ボロン合金及び銀金属部、並びにパラジウム金属膜（凸部が無い部分における金属部全体及び金属膜全体の厚み：０．１０５μｍ）が配置されている金属含有粒子を得た。該金属含有粒子は、外表面に複数の凸部を有し、凸部の表面上に複数の突起を有する。

（実施例１０）
実施例１で得られた懸濁液（Ｂ）を、硫酸銅２０ｇ／Ｌ、及びエチレンジアミン四酢酸３０ｇ／Ｌを含む溶液中に入れ、粒子混合液（Ｃ）を得た。

また、無電解銅めっき液として、硫酸銅２５０ｇ／Ｌ、エチレンジアミン四酢酸１５０ｇ／Ｌ、グルコン酸ナトリウム１００ｇ／Ｌ、及びホルムアルデヒド５０ｇ／Ｌを含む混合液を、アンモニアにてｐＨ１０．５に調整した銅めっき液（Ｄ）を用意した。

また、無電解銀めっき液として、硝酸銀３０ｇ／Ｌ、コハク酸イミド１００ｇ／Ｌ、ホルムアルデヒド２０ｇ／Ｌとの混合液を、アンモニア水にてｐＨ８．０に調整した銀めっき液（Ｅ）を用意した。

また、ジメチルアミンボラン１００ｇ／Ｌを含む突起形成用めっき液（Ｆ）（ｐＨ７．０）を用意した。

また、無電解パラジウムめっき液として、硫酸パラジウム２．５ｇ／Ｌ、エチレンジアミン３０ｍｌ／Ｌ、ギ酸ナトリウム８０ｇ／Ｌ、及びサッカリン酸ナトリウム５ｍｇ／Ｌとの混合液を、アンモニアにてｐＨ８に調整した無電解パラジウムめっき液（Ｇ）を用意した。

５５℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｃ）に上記銅めっき液（Ｄ）を徐々に滴下し、無電解銅めっきを行った。銅めっき液（Ｄ）の滴下速度は３０ｍＬ／分、滴下時間は３０分間で、無電解銅めっきを行った。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、このようにして、基材粒子Ａの表面上に銅金属部が配置されており、表面に凸部を有する金属部を備える粒子を含む粒子混合液（Ｈ）を得た。

その後、粒子混合液（Ｈ）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗することにより、上記基材粒子Ａの表面上に銅金属部を配置して、表面に凸部を有する金属部を備える粒子を得た。この粒子を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、粒子混合液（Ｉ）を得た。

次に、６０℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｉ）に上記銀めっき液（Ｅ）を徐々に滴下し、無電解銀めっきを行った。銀めっき液（Ｅ）の滴下速度は１０ｍＬ／分、滴下時間は３０分間で、無電解銀めっきを行った。その後、上記突起形成用めっき液（Ｆ）を徐々に滴下し、突起形成を行った。突起形成用めっき液（Ｆ）の滴下速度は１ｍＬ／分、滴下時間は１０分間で、突起形成を行った。突起形成用めっき液（Ｆ）の滴下中は、発生した銀突起核を超音波攪拌により分散しながら銀めっきを行った（突起形成工程）。この粒子を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、粒子混合液（Ｊ）を得た。次に、粒子が分散している５５℃の粒子混合液（Ｊ）に上記無電解パラジウムめっき液（Ｇ）を徐々に滴下し、無電解パラジウムめっきを行った。無電解パラジウムめっき液（Ｇ）の滴下速度は２ｍＬ／分、滴下時間は４５分間で、無電解パラジウムめっきを行った。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、基材粒子Ａの表面上に銅及び銀金属部、並びにパラジウム金属膜（凸部が無い部分における金属部全体及び金属膜全体の厚み：０．１０５μｍ）が配置されている金属含有粒子を得た。該金属含有粒子は、外表面に複数の凸部を有し、凸部の表面上に複数の突起を有する。

（実施例１１）
（１）シリコーンオリゴマーの作製
温浴槽内に設置した１００ｍｌのセパラブルフラスコに、１，３－ジビニルテトラメチルジシロキサン１重量部と、０．５重量％ｐ－トルエンスルホン酸水溶液２０重量部とを入れた。４０℃で１時間撹拌した後、炭酸水素ナトリウム０．０５重量部を添加した。その後、ジメトキシメチルフェニルシラン１０重量部、ジメチルジメトキシシラン４９重量部、トリメチルメトキシシラン０．６重量部、及びメチルトリメトキシシラン３．６重量部を添加し、１時間撹拌を行った。その後、１０重量％水酸化カリウム水溶液１．９重量部を添加して、８５℃まで昇温してアスピレーターで減圧しながら、１０時間撹拌、反応を行った。反応終了後、常圧に戻し４０℃まで冷却して、酢酸０．２重量部を添加し、１２時間以上分液漏斗内で静置した。二層分離後の下層を取り出して、エバポレーターにて精製することでシリコーンオリゴマーを得た。

（２）シリコーン粒子材料（有機ポリマーを含む）の作製
得られたシリコーンオリゴマー３０重量部に、ｔｅｒｔ－ブチル－２－エチルペルオキシヘキサノアート（重合開始剤、日油社製「パーブチルＯ」）０．５重量部を溶解させた溶解液Ａを用意した。また、イオン交換水１５０重量部に、ラウリル硫酸トリエタノールアミン塩４０重量％水溶液（乳化剤）０．８重量部とポリビニルアルコール（重合度：約２０００、けん化度：８６．５～８９モル％、日本合成化学社製「ゴーセノールＧＨ－２０」）の５重量％水溶液８０重量部とを混合して、水溶液Ｂを用意した。温浴槽中に設置したセパラブルフラスコに、上記溶解液Ａを入れた後、上記水溶液Ｂを添加した。その後、Ｓｈｉｒａｓｕ Ｐｏｒｏｕｓ Ｇｌａｓｓ（ＳＰＧ）膜（細孔平均径約１μｍ）を用いることで、乳化を行った。その後、８５℃に昇温して、９時間重合を行った。重合後の粒子の全量を遠心分離により水洗浄し、凍結乾燥を行った。乾燥後、粒子の凝集体が目的の比（平均２次粒子径／平均１次粒子径）になるまでボールミルにて粉砕して、粒子径が３．０μｍのシリコーン粒子（基材粒子Ｂ）を得た。

上記基材粒子Ａを上記基材粒子Ｂに変更し、実施例１と同様にして金属部及び金属膜を形成して、金属含有粒子を得た。

（実施例１２）
シリコーンオリゴマーの代わりに両末端アクリルシリコーンオイル（信越化学工業社製「Ｘ－２２－２４４５」）を用いて粒子径が３．０μｍのシリコーン粒子（基材粒子Ｃ）を得た。

上記基材粒子Ａを上記基材粒子Ｃに変更し、実施例１と同様にして金属部及び金属膜を形成して、金属含有粒子を得た。

（実施例１３）
純銅粒子（日本アトマイズ加工社製「ＨＸＲ－Ｃｕ」、粒子径２．５μｍ）を基材粒子Ｄとして用意した。

上記基材粒子Ａを上記基材粒子Ｄに変更し、実施例１と同様にして金属部及び金属膜を形成して、金属含有粒子を得た。

（実施例１４）
純銀粒子（粒子径２．５μｍ）を基材粒子Ｅとして用意した。

上記基材粒子Ａを上記基材粒子Ｅに変更し、実施例１と同様にして金属部及び金属膜を形成して、金属含有粒子を得た。

（実施例１５）
基材粒子Ａと粒子径のみが異なり、粒子径が２．０μｍである基材粒子Ｆを用意した。

上記基材粒子Ａを上記基材粒子Ｆに変更し、実施例１と同様にして金属部及び金属膜を形成して、金属含有粒子を得た。

（実施例１６）
基材粒子Ａと粒子径のみが異なり、粒子径が１０．０μｍである基材粒子Ｇを用意した。

上記基材粒子Ａを上記基材粒子Ｇに変更し、実施例１と同様にして金属部及び金属膜を形成して、金属含有粒子を得た。

（実施例１７）
基材粒子Ａと粒子径のみが異なり、粒子径が５０．０μｍである基材粒子Ｈを用意した。

上記基材粒子Ａを上記基材粒子Ｈに変更し、実施例１と同様にして金属部及び金属膜を形成して、金属含有粒子を得た。

（実施例１８）
メタクリル酸メチル１００ｍｍｏｌと、Ｎ，Ｎ，Ｎ－トリメチル－Ｎ－２－メタクリロイルオキシエチルアンモニウムクロライド１ｍｍｏｌと、２，２’－アゾビス（２－アミジノプロパン）二塩酸塩１ｍｍｏｌとを含むモノマー組成物を固形分率が５重量％となるようにイオン交換水に秤取した。４ツ口セパラブルカバー、攪拌翼、三方コック、冷却管及び温度プローブが取り付けられた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、上記モノマー組成物を入れて、２００ｒｐｍで攪拌し、窒素雰囲気下７０℃で２４時間重合を行った。反応終了後、凍結乾燥して、表面にアンモニウム基を有し、平均粒子径２２０ｎｍ及びＣＶ値１０％の絶縁性粒子を得た。

絶縁性粒子を超音波照射下でイオン交換水に分散させ、絶縁性粒子の１０重量％水分散液を得た。

実施例１で得られた金属含有粒子１０ｇをイオン交換水５００ｍＬに分散させ、絶縁性粒子の水分散液４ｇを添加し、室温で６時間攪拌した。３μｍのメッシュフィルターでろ過した後、更にメタノールで洗浄し、乾燥し、絶縁性粒子が付着した金属含有粒子を得た。

走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察したところ、金属含有粒子の表面に絶縁性粒子による被覆層が１層のみ形成されていた。画像解析により金属含有粒子の中心より２．５μｍの面積に対する絶縁性粒子の被覆面積（即ち絶縁性粒子の粒子径の投影面積）を算出したところ、被覆率は３０％であった。

（実施例１９）
実施例１で得られた懸濁液（Ｂ）を、硫酸ニッケル５０ｇ／Ｌ、硝酸タリウム３０ｐｐｍ及び硝酸ビスマス２０ｐｐｍを含む溶液中に入れ、粒子混合液（Ｃ）を得た。

無電解ニッケル－リン合金めっき液として、硫酸ニッケル１００ｇ／Ｌ、次亜リン酸ナトリウム３０ｇ／Ｌ、硝酸ビスマス１０ｐｐｍ、及びクエン酸３ナトリウム３０ｇ／Ｌを含む混合液を、水酸化ナトリウムにてｐＨ６に調整した無電解ニッケル－リン合金めっき液（Ｄ）を用意した。

また、無電解銀めっき液として、硝酸銀３０ｇ／Ｌ、コハク酸イミド１００ｇ／Ｌ、及びホルムアルデヒド２０ｇ／Ｌの混合液を、アンモニア水にてｐＨ８．０に調整した銀めっき液（Ｅ）を用意した。

また、次亜リン酸ナトリウム１３０ｇ／Ｌ、及び水酸化ナトリウム０．５ｇ／Ｌを含む突起形成用めっき液（Ｆ）（ｐＨ１２．０）を用意した。

また、無電解置換金めっき液として、シアン化金カリウム２ｇ／Ｌ、クエン酸ナトリウム２０ｇ／Ｌ、エチレンジアミン四酢酸３．０ｇ／Ｌ、及び水酸化ナトリウム２０ｇ／Ｌを含む電解置換金めっき液（Ｇ）（ｐＨ６．５）を用意した。

６５℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｃ）に上記無電解ニッケル－リン合金めっき液（Ｄ）を徐々に滴下し、無電解ニッケル－リン合金めっきを行った。無電解ニッケル－リン合金めっき液（Ｄ）の滴下速度は１５ｍＬ／分、滴下時間は６０分間で、無電解ニッケル－リン合金めっきを行った。このようにして、基材粒子Ａの表面上にニッケル－リン合金金属部が配置されており、表面に凸部を有する金属部を備える粒子を含む粒子混合液（Ｈ）を得た。

その後、粒子混合液（Ｈ）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗することにより、上記基材粒子Ａの表面上にニッケル－リン合金金属層が配置されており、表面に凸部を有する金属部を備える粒子を得た。この粒子を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、粒子混合液（Ｉ）を得た。

次に、６０℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｉ）に上記銀めっき液（Ｅ）を徐々に滴下し、無電解銀めっきを行った。銀めっき液（Ｅ）の滴下速度は１０ｍＬ／分、滴下時間は３０分間で、無電解銀めっきを行った。その後、上記突起形成用めっき液（Ｆ）を徐々に滴下し、突起形成を行った。突起形成用めっき液（Ｆ）の滴下速度は１ｍＬ／分、滴下時間は１０分間で、突起形成を行った。突起形成用めっき液（Ｆ）の滴下中は、発生した銀突起核を超音波攪拌により分散しながら銀めっきを行った（突起形成工程）。この粒子を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、粒子混合液（Ｊ）を得た。次に、粒子が分散している６０℃の粒子混合液（Ｊ）に上記無電解置換金めっき液（Ｇ）を徐々に滴下し、無電解置換金めっきを行った。無電解置換金めっき液（Ｇ）の滴下速度は２ｍＬ／分、滴下時間は４５分間で、無電解置換金めっきを行った。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、基材粒子Ａの表面上にニッケル－リン合金及び銀金属部、並びに金金属膜（凸部が無い部分における金属部全体及び金属膜全体の厚み：０．１０５μｍ）が配置されている金属含有粒子を得た。該金属含有粒子は、外表面に複数の凸部を有し、凸部の表面上に複数の突起を有する。

（実施例２０）
実施例１で得られた金属含有粒子について、銀変色防止剤として大和化成社製「ニューダインシルバー」を用いて硫化防止処理を行った。

ニューダインシルバー１０重量％を含むイソプロピルアルコール溶液１００重量部に、実施例１で得られた金属含有粒子１０重量部を、超音波分散器を用いて分散させた後、溶液をろ過することにより、硫化防止膜が形成された金属含有粒子を得た。

（実施例２１）
実施例１で得られた金属含有粒子について、銀硫化防止剤として２－メルカプトベンゾチアゾール溶液を用いて硫化防止処理を行った。

２－メルカプトベンゾチアゾール０．５重量％を含むイソプロピルアルコール溶液１００重量部に、実施例１で得られた金属含有粒子１０重量部を、超音波分散器を用いて分散させた後、溶液をろ過することにより、硫化防止膜が形成された金属含有粒子を得た。

（実施例２２）
実施例１で得られた懸濁液（Ｂ）を、硫酸銅２０ｇ／Ｌ、及びエチレンジアミン四酢酸３０ｇ／Ｌを含む溶液中に入れ、粒子混合液（Ｃ）を得た。

また、無電解銅めっき液として、硫酸銅２５０ｇ／Ｌ、エチレンジアミン四酢酸１５０ｇ／Ｌ、グルコン酸ナトリウム１００ｇ／Ｌ、及びホルムアルデヒド５０ｇ／Ｌを含む混合液を、アンモニアにてｐＨ１０．５に調整した銅めっき液（Ｄ）を用意した。

また、無電解銀めっき液として、硝酸銀３０ｇ／Ｌ、コハク酸イミド１００ｇ／Ｌ、及びホルムアルデヒド２０ｇ／Ｌを含む混合液を、アンモニア水にてｐＨ８．０に調整した銀めっき液（Ｅ）を用意した。

また、ジメチルアミンボラン１００ｇ／Ｌ、及び水酸化ナトリウム０．５ｇ／Ｌを含む突起形成用めっき液（Ｆ）（ｐＨ１０．０）を用意した。

５５℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｃ）に上記銅めっき液（Ｄ）を徐々に滴下し、無電解銅めっきを行った。銅めっき液（Ｄ）の滴下速度は３０ｍＬ／分、滴下時間は３０分間で、無電解銅めっきを行った。このようにして、樹脂粒子の表面に銅金属部が配置されており、表面に凸部を有する金属部を備える粒子を含む粒子混合液（Ｇ）を得た。

その後、粒子混合液（Ｇ）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗することにより、上記基材粒子Ａの表面上に銅金属部が配置されており、表面に凸部を有する金属部を備える粒子を得た。この粒子を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、粒子混合液（Ｈ）を得た。

次に、６０℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｈ）に上記銀めっき液（Ｅ）を徐々に滴下し、無電解銀めっきを行った。銀めっき液（Ｅ）の滴下速度は１０ｍＬ／分、滴下時間は３０分間で、無電解銀めっきを行った。その後、上記突起形成用めっき液（Ｆ）を徐々に滴下し、突起形成を行った。突起形成用めっき液（Ｆ）の滴下速度は１ｍＬ／分、滴下時間は１０分間で、突起形成を行った。突起形成用めっき液（Ｆ）の滴下中は、発生した銀突起核を超音波攪拌により分散しながら銀めっきを行った（突起形成工程）。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、基材粒子Ａの表面上に銅及び銀金属部並びに銀金属膜（凸部が無い部分における金属部全体及び金属膜全体の厚み：０．１０５μｍ）が配置されている金属含有粒子を得た。該金属含有粒子は、外表面に複数の凸部を有し、凸部の表面上に複数の突起を有する。

（実施例２３）
金属ニッケル粒子スラリーをアルミナ粒子スラリー（平均粒子径１５０ｎｍ）に変更したこと以外は実施例２２と同様にして、金属含有粒子を得た。

（実施例２４）
実施例１で得られた懸濁液（Ａ）を、硫酸ニッケル４０ｐｐｍ、クエン酸３ナトリウム２ｇ／Ｌ、及びアンモニア水１０ｇ／Ｌを含む溶液中に入れ、粒子混合液（Ｂ）を得た。

針状突起形成用めっき液として、硫酸銅１００ｇ／Ｌ、硫酸ニッケル１０ｇ／Ｌ、次亜リン酸ナトリウム１００ｇ／Ｌ、クエン酸３ナトリウム７０ｇ／Ｌ、ホウ酸１０ｇ／Ｌ、及び非イオン系界面活性剤としてポリエチレングリコール１０００（分子量：１０００）５ｍｇ／Ｌを含む混合液を用意した。次に、上記混合液をアンモニア水にてｐＨ１０．０に調整した無電解銅－ニッケル－リン合金めっき液である針状突起形成用めっき液（Ｃ）を用意した。

また、無電解銀めっき液として、硝酸銀３０ｇ／Ｌ、コハク酸イミド１００ｇ／Ｌ、及びホルムアルデヒド２０ｇ／Ｌの混合液を、アンモニア水にてｐＨ８．０に調整した銀めっき液（Ｄ）を用意した。

また、ジメチルアミンボラン１００ｇ／Ｌ、及び水酸化ナトリウム０．５ｇ／Ｌを含む突起形成用めっき液（Ｅ）（ｐＨ１０．０）を用意した。

７０℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｂ）に上記針状突起形成用めっき液（Ｃ）を徐々に滴下し、針状突起を形成した。針状突起形成用めっき液（Ｃ）の滴下速度は４０ｍＬ／分、滴下時間は６０分間で、無電解銅－ニッケル－リン合金めっきを行った（針状突起形成及び銅－ニッケル－リン合金めっき工程）。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、基材粒子Ａの表面上に銅－ニッケル－リン合金金属部が配置されており、表面に凸部を有する金属部を備える粒子（Ｆ）を得た。粒子（Ｆ）を蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液（Ｇ）を得た。

その後、懸濁液（Ｇ）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗することにより、上記基材粒子Ａの表面上に銅－ニッケル－リン合金金属部が配置されており、表面に針状凸部を有する金属部を備える粒子を得た。この粒子を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、粒子混合液（Ｈ）を得た。

次に、６０℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｈ）に上記銀めっき液（Ｄ）を徐々に滴下し、無電解銀めっきを行った。銀めっき液（Ｄ）の滴下速度は１０ｍＬ／分、滴下時間は３０分間で、無電解銀めっきを行った。その後、上記突起形成用めっき液（Ｅ）を徐々に滴下し、突起形成を行った。突起形成用めっき液（Ｅ）の滴下速度は１ｍＬ／分、滴下時間は１０分間で、突起形成を行った。突起形成用めっき液（Ｅ）の滴下中は、発生した銀突起核を超音波攪拌により分散しながら銀めっきを行った（突起形成工程）。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、基材粒子Ａの表面上に銅－ニッケル－リン合金及び銀金属部並びに銀金属膜（凸部が無い部分における金属部全体及び金属膜全体の厚み：０．１０５μｍ）（凸部が無い部分における金属部全体の厚み：０．１μｍ）が配置されている金属含有粒子を得た。該金属含有粒子は、外表面に複数の針状凸部を有し、凸部の表面上に複数の突起を有する。

（実施例２５）
実施例１で得られた懸濁液（Ａ）を、硫酸ニッケル８０ｇ／Ｌ、硝酸タリウム１０ｐｐｍ及び硝酸ビスマス５ｐｐｍを含む溶液中に入れ、粒子混合液（Ｂ）を得た。

針状突起形成用めっき液として、塩化ニッケル１００ｇ／Ｌ、ヒドラジン一水和物１００ｇ／Ｌ、クエン酸３ナトリウム５０ｇ／Ｌ、及びポリエチレングリコール１０００（分子量：１０００）２０ｍｇ／Ｌを含む混合液を、水酸化ナトリウムにてｐＨ９．０に調整した無電解高純度ニッケルめっき液である針状突起形成用めっき液（Ｃ）を用意した。

また、無電解銀めっき液として、硝酸銀３０ｇ／Ｌ、コハク酸イミド１００ｇ／Ｌ、及びホルムアルデヒド２０ｇ／Ｌを含む混合液を、アンモニア水にてｐＨ８．０に調整した銀めっき液（Ｄ）を用意した。

また、ジメチルアミンボラン１００ｇ／Ｌ、及び水酸化ナトリウム０．５ｇ／Ｌを含む突起形成用めっき液（Ｅ）（ｐＨ１０．０）を用意した。

６０℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｂ）に上記針状突起形成用めっき液（Ｃ）を徐々に滴下し、針状突起を形成した。針状突起形成用めっき液（Ｃ）の滴下速度は２０ｍＬ／分、滴下時間は５０分間で、無電解高純度ニッケルめっきを行った（針状突起形成及び高純度ニッケルめっき工程）。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、基材粒子Ａの表面上に高純度ニッケル金属部が配置されており、表面に凸部を有する金属部を備える粒子（Ｆ）を得た。粒子（Ｆ）を蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液（Ｇ）を得た。

その後、懸濁液（Ｇ）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗することにより、上記基材粒子Ａの表面上に高純度ニッケル金属部を配置して、表面に針状凸部を有する金属部を備える粒子を得た。この粒子を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、粒子混合液（Ｈ）を得た。

次に、６０℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｈ）に上記銀めっき液（Ｄ）を徐々に滴下し、無電解銀めっきを行った。銀めっき液（Ｄ）の滴下速度は１０ｍＬ／分、滴下時間は３０分間で、無電解銀めっきを行った。その後、上記突起形成用めっき液（Ｅ）を徐々に滴下し、突起形成を行った。突起形成用めっき液（Ｅ）の滴下速度は１ｍＬ／分、滴下時間は１０分間で、突起形成を行った。突起形成用めっき液（Ｅ）の滴下中は、発生した銀突起核を超音波攪拌により分散しながら銀めっきを行った（突起形成工程）。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、基材粒子Ａの表面上に高純度ニッケル及び銀金属部が配置されており、表面に針状凸部を有し、凸部の表面上に複数の突起を有する金属部を備える粒子混合液（Ｉ）を得た。その後、粒子混合液（Ｉ）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、基材粒子Ａの表面上に高純度ニッケル及び銀金属部並びに銀金属膜（凸部が無い部分における金属部全体及び金属膜全体の厚み：０．１０５μｍ）が配置されている金属含有粒子を得た。該金属含有粒子は、外表面に複数の針状凸部を有し、凸部の表面上に複数の突起を有する。

（実施例２６）
実施例１で得られた懸濁液（Ａ）を、硝酸銀５００ｐｐｍ、コハク酸イミド１０ｇ／Ｌ、アンモニア水１０ｇ／Ｌ、を含む溶液中に入れ、粒子混合液（Ｂ）を得た。

無電解銀めっき液として、硝酸銀３０ｇ／Ｌ、コハク酸イミド１００ｇ／Ｌ、及びホルムアルデヒド２０ｇ／Ｌを含む混合液を、アンモニア水にてｐＨ８に調整した銀めっき液（Ｃ）を用意した。

また、ジメチルアミンボラン１００ｇ／Ｌ、及び水酸化ナトリウム０．５ｇ／Ｌを含む突起形成用めっき液（Ｄ）（ｐＨ１０．０）を用意した。

６０℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｂ）に上記無電解銀めっき液（Ｃ）を徐々に滴下し、針状突起を形成した。無電解銀めっき液（Ｃ）の滴下速度は１０ｍＬ／分、滴下時間は３０分間で、無電解銀めっきを行った（銀めっき工程）。その後、上記突起形成用めっき液（Ｄ）を徐々に滴下し、突起形成を行った。突起形成用めっき液（Ｄ）の滴下速度は１ｍＬ／分、滴下時間は１０分間で、突起形成を行った。突起形成用めっき液（Ｄ）の滴下中は、発生した銀突起核を超音波攪拌により分散しながら銀めっきを行った（突起形成工程）。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、基材粒子Ａの表面上に銀金属部並びに銀金属膜（凸部が無い部分における金属部全体及び金属膜全体の厚み：０．１０５μｍ）が配置されている金属含有粒子を得た。該金属含有粒子は外表面上に複数の突起を有する。

（実施例２７）
実施例１で得られた懸濁液（Ａ）を、シアン化銀カリウム５００ｐｐｍ、シアン化カリウム１０ｇ／Ｌ、及び水酸化カリウム１０ｇ／Ｌを含む溶液中に入れ、粒子混合液（Ｂ）を得た。

針状突起形成用めっき液として、シアン化銀カリウム８０ｇ／Ｌ、シアン化カリウム１０ｇ／Ｌ、ポリエチレングリコール１０００（分子量：１０００）２０ｍｇ／Ｌ、チオ尿素５０ｐｐｍ、及びヒドラジン一水和物１００ｇ／Ｌを含む混合液を、水酸化カリウムにてｐＨ７．５に調整した銀めっき液（Ｃ）を用意した。

８０℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｂ）に上記無電解銀めっき液（Ｃ）を徐々に滴下し、針状突起を形成した。無電解銀めっき液（Ｃ）の滴下速度は１０ｍＬ／分、滴下時間は６０分間で、無電解銀めっきを行った（針状突起形成及び銀めっき工程）。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、樹脂粒子の表面に銀金属部並びに銀金属膜（凸部が無い部分における金属部全体及び金属膜全体の厚み：０．１０５μｍ）が配置されている金属含有粒子を得た。該金属含有粒子は、外表面に複数の針状突起が形成されている。

（実施例２８）
実施例１で得られた懸濁液（Ａ）を、シアン化銀カリウム５００ｐｐｍ、シアン化カリウム１０ｇ／Ｌ、及び水酸化カリウム１０ｇ／Ｌを含む溶液中に入れ、粒子混合液（Ｂ）を得た。

針状突起形成用めっき液として、シアン化銀カリウム８０ｇ／Ｌ、シアン化カリウム１０ｇ／Ｌ、ポリエチレングリコール１０００（分子量：１０００）２０ｍｇ／Ｌ、チオ尿素５０ｐｐｍ、及びヒドラジン一水和物１００ｇ／Ｌを含む混合液を、水酸化カリウムにてｐＨ７．５に調整した銀めっき液（Ｃ）を用意した。

また、無電解銀めっき液として、硝酸銀３０ｇ／Ｌ、コハク酸イミド１００ｇ／Ｌ、及びホルムアルデヒド２０ｇ／Ｌを含む混合液を、アンモニア水にてｐＨ８．０に調整した銀めっき液（Ｄ）を用意した。

また、ジメチルアミンボラン１００ｇ／Ｌ、及び水酸化ナトリウム０．５ｇ／Ｌを含む突起形成用めっき液（Ｅ）（ｐＨ１０．０）を用意した。

８０℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｂ）に上記無電解銀めっき液（Ｃ）を徐々に滴下し、針状突起を形成した。無電解銀めっき液（Ｃ）の滴下速度は１０ｍＬ／分、滴下時間は４５分間で、無電解銀めっきを行った（針状突起形成及び銀めっき工程）。

その後、ろ過することにより粒子を取り出し、基材粒子Ａの表面上に銀金属部が配置されており、表面に針状凸部を有する金属部を備える粒子（Ｆ）を得た。粒子（Ｆ）を蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、粒子混合液（Ｇ）を得た。

次に、６０℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｇ）に上記銀めっき液（Ｄ）を徐々に滴下し、無電解銀めっきを行った。銀めっき液（Ｄ）の滴下速度は１０ｍＬ／分、滴下時間は３０分間で、無電解銀めっきを行った。その後、上記突起形成用めっき液（Ｅ）を徐々に滴下し、突起形成を行った。突起形成用めっき液（Ｅ）の滴下速度は１ｍＬ／分、滴下時間は１０分間で、突起形成を行った。突起形成用めっき液（Ｅ）の滴下中は、発生した銀突起核を超音波攪拌により分散しながら銀めっきを行った（突起形成工程）。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、基材粒子Ａの表面上に銀金属部並びに銀金属膜（凸部が無い部分における金属部全体及び金属膜全体の厚み：０．１０５μｍ）が配置されている金属含有粒子を得た。該金属含有粒子は、外表面に複数の針状凸部を有し、凸部の表面上に複数の突起を有する。

（実施例２９）
実施例１で得られた懸濁液（Ｂ）を、硫酸ニッケル５０ｇ／Ｌ、硝酸タリウム３０ｐｐｍ及び硝酸ビスマス２０ｐｐｍを含む溶液中に入れ、粒子混合液（Ｃ）を得た。

無電解ニッケル－タングステン－ボロン合金めっき液として、硫酸ニッケル１００ｇ／Ｌ、タングステン酸ナトリウム５ｇ／Ｌ、ジメチルアミンボラン３０ｇ／Ｌ、硝酸ビスマス１０ｐｐｍ、及びクエン酸３ナトリウム３０ｇ／Ｌを含む混合液を用意した。次に、上記混合液を水酸化ナトリウムにてｐＨ６に調整した無電解ニッケル－タングステン－ボロン合金めっき液（Ｄ）を用意した。

また、無電解銀めっき液として、硝酸銀３０ｇ／Ｌ、コハク酸イミド１００ｇ／Ｌ、ホルムアルデヒド２０ｇ／Ｌとの混合液を、アンモニア水にてｐＨ８．０に調整した銀めっき液（Ｅ）を用意した。

また、ジメチルアミンボラン１００ｇ／Ｌ、及び水酸化ナトリウム０．５ｇ／Ｌを含む突起形成用めっき液（Ｆ）（ｐＨ１０．０）を用意した。

６０℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｃ）に上記無電解ニッケル－タングステン－ボロン合金めっき液（Ｄ）を徐々に滴下し、無電解ニッケル－タングステン－ボロン合金めっきを行った。無電解ニッケル－タングステン－ボロン合金めっき液（Ｄ）の滴下速度は１５ｍＬ／分、滴下時間は６０分間で、無電解ニッケル－タングステン－ボロン合金めっきを行った。このようにして、基材粒子Ａの表面上にニッケル－タングステン－ボロン合金金属部が配置されており、表面に凸部を有する金属部を備える粒子を含む粒子混合液（Ｇ）を得た。

その後、粒子混合液（Ｇ）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗することにより、上記基材粒子Ａの表面上にニッケル－タングステン－ボロン合金金属層が配置されており、表面に凸部を有する金属部を備える粒子を得た。この粒子を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、粒子混合液（Ｈ）を得た。

次に、６０℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｈ）に上記銀めっき液（Ｅ）を徐々に滴下し、無電解銀めっきを行った。銀めっき液（Ｅ）の滴下速度は１０ｍＬ／分、滴下時間は３０分間で、無電解銀めっきを行った。その後、上記突起形成用めっき液（Ｆ）を徐々に滴下し、突起形成を行った。突起形成用めっき液（Ｆ）の滴下速度は１ｍＬ／分、滴下時間は１０分間で、突起形成を行った。突起形成用めっき液（Ｆ）の滴下中は、発生した銀突起核を超音波攪拌により分散しながら銀めっきを行った（突起形成工程）。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、基材粒子Ａの表面上にニッケル－タングステン－ボロン合金及び銀金属部並びに銀金属膜（凸部が無い部分における金属部全体及び金属膜全体の厚み：０．１０５μｍ）が配置されている金属含有粒子を得た。該金属含有粒子は、外表面に複数の凸部を有し、凸部の表面上に複数の突起を有する。

（実施例３０）
実施例１で得られた懸濁液（Ｂ）を、硫酸銅２０ｇ／Ｌ、及びエチレンジアミン四酢酸３０ｇ／Ｌを含む溶液中に入れ、粒子混合液（Ｃ）を得た。

また、無電解銅めっき液として、硫酸銅２５０ｇ／Ｌ、エチレンジアミン四酢酸１５０ｇ／Ｌ、グルコン酸ナトリウム１００ｇ／Ｌ、及びホルムアルデヒド５０ｇ／Ｌを含む混合液を、アンモニアにてｐＨ１０．５に調整した銅めっき液（Ｄ）を用意した。

また、無電解錫めっき液として、塩化錫２０ｇ／Ｌ、ニトリロ三酢酸５０ｇ／Ｌ、チオ尿素２ｇ／Ｌ、チオリンゴ酸１ｇ／Ｌ、エチレンジアミン四酢酸７．５ｇ／Ｌ、及び三塩化チタン１５ｇ／Ｌを含む混合液を、硫酸にてｐＨ７．０に調整した錫めっき液（Ｅ）を用意した。

また、ジメチルアミンボラン１００ｇ／Ｌを含む突起形成用めっき液（Ｆ）（ｐＨ７．０）を用意した。

５５℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｃ）に上記銅めっき液（Ｄ）を徐々に滴下し、無電解銅めっきを行った。銅めっき液（Ｄ）の滴下速度は３０ｍＬ／分、滴下時間は３０分間で、無電解銅めっきを行った。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、このようにして、基材粒子Ａの表面上に銅金属部が配置されており、表面に凸部を有する金属部を備える粒子を含む粒子混合液（Ｇ）を得た。

その後、粒子混合液（Ｇ）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗することにより、上記基材粒子Ａの表面上に銅金属部を配置して、表面に凸部を有する金属部を備える粒子を得た。この粒子を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、粒子混合液（Ｈ）を得た。

次に、６０℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｈ）に上記錫めっき液（Ｅ）を徐々に滴下し、無電解錫めっきを行った。錫めっき液（Ｅ）の滴下速度は１０ｍＬ／分、滴下時間は３０分間で、無電解錫めっきを行った。その後、上記突起形成用めっき液（Ｆ）を徐々に滴下し、突起形成を行った。突起形成用めっき液（Ｆ）の滴下速度は１ｍＬ／分、滴下時間は１０分間で、突起形成を行った。突起形成用めっき液（Ｆ）の滴下中は、発生した錫突起核を超音波攪拌により分散しながら錫めっきを行った（突起形成工程）。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、基材粒子Ａの表面上に銅及び錫金属部並びにすず金属膜（凸部が無い部分における金属部全体及び金属膜全体の厚み：０．１０５μｍ）が配置されている金属含有粒子を得た。該金属含有粒子は、外表面に複数の凸部を有し、凸部の表面上に複数の突起を有する。

（実施例３１）
（１）シリコーンオリゴマーの作製
温浴槽内に設置した１００ｍｌのセパラブルフラスコに、１，３－ジビニルテトラメチルジシロキサン１重量部と、０．５重量％ｐ－トルエンスルホン酸水溶液２０重量部とを入れた。４０℃で１時間撹拌した後、炭酸水素ナトリウム０．０５重量部を添加した。その後、ジメトキシメチルフェニルシラン１０重量部、ジメチルジメトキシシラン４９重量部、トリメチルメトキシシラン０．６重量部、及びメチルトリメトキシシラン３．６重量部を添加し、１時間撹拌を行った。その後、１０重量％水酸化カリウム水溶液１．９重量部を添加して、８５℃まで昇温してアスピレーターで減圧しながら、１０時間撹拌、反応を行った。反応終了後、常圧に戻し４０℃まで冷却して、酢酸０．２重量部を添加し、１２時間以上分液漏斗内で静置した。二層分離後の下層を取り出して、エバポレーターにて精製することでシリコーンオリゴマーを得た。

（２）シリコーン粒子材料（有機ポリマーを含む）の作製
得られたシリコーンオリゴマー３０重量部に、ｔｅｒｔ－ブチル－２－エチルペルオキシヘキサノアート（重合開始剤、日油社製「パーブチルＯ」）０．５重量部を溶解させた溶解液Ａを用意した。また、イオン交換水１５０重量部に、ラウリル硫酸トリエタノールアミン塩４０重量％水溶液（乳化剤）０．８重量部とポリビニルアルコール（重合度：約２０００、けん化度：８６．５～８９モル％、日本合成化学社製「ゴーセノールＧＨ－２０」）の５重量％水溶液８０重量部とを混合して、水溶液Ｂを用意した。温浴槽中に設置したセパラブルフラスコに、上記溶解液Ａを入れた後、上記水溶液Ｂを添加した。その後、Ｓｈｉｒａｓｕ Ｐｏｒｏｕｓ Ｇｌａｓｓ（ＳＰＧ）膜（細孔平均径約１μｍ）を用いることで、乳化を行った。その後、８５℃に昇温して、９時間重合を行った。重合後の粒子の全量を遠心分離により水洗浄し、凍結乾燥を行った。乾燥後、粒子の凝集体が目的の比（平均２次粒子径／平均１次粒子径）になるまでボールミルにて粉砕して、粒子径が３．０μｍのシリコーン粒子（基材粒子Ｂ）を得た。

上記基材粒子Ａを上記基材粒子Ｂに変更し、実施例２２と同様にして金属部及び金属膜を形成して、金属含有粒子を得た。

（実施例３２）
シリコーンオリゴマーの代わりに両末端アクリルシリコーンオイル（信越化学工業社製「Ｘ－２２－２４４５」）を用いて粒子径が３．０μｍのシリコーン粒子（基材粒子Ｃ）を得た。

上記基材粒子Ａを上記基材粒子Ｃに変更し、実施例２２と同様にして金属部及び金属膜を形成して、金属含有粒子を得た。

（実施例３３）
純銅粒子（日本アトマイズ加工社製「ＨＸＲ－Ｃｕ」、粒子径２．５μｍ）を基材粒子Ｄとして用意した。

上記基材粒子Ａを上記基材粒子Ｄに変更し、実施例２２と同様にして金属部及び金属膜を形成して、金属含有粒子を得た。

（実施例３４）
純銀粒子（粒子径２．５μｍ）を基材粒子Ｅとして用意した。

上記基材粒子Ａを上記基材粒子Ｅに変更し、実施例２２と同様にして金属部及び金属膜を形成して、金属含有粒子を得た。

（実施例３５）
基材粒子Ａと粒子径のみが異なり、粒子径が２．０μｍである基材粒子Ｆを用意した。

上記基材粒子Ａを上記基材粒子Ｆに変更し、実施例２２と同様にして金属部及び金属膜を形成して、金属含有粒子を得た。
（実施例３６）
基材粒子Ａと粒子径のみが異なり、粒子径が１０．０μｍである基材粒子Ｇを用意した。

上記基材粒子Ａを上記基材粒子Ｇに変更し、実施例２２と同様にして金属部及び金属膜を形成して、金属含有粒子を得た。

（実施例３７）
基材粒子Ａと粒子径のみが異なり、粒子径が５０．０μｍである基材粒子Ｈを用意した。

上記基材粒子Ａを上記基材粒子Ｈに変更し、実施例２２と同様にして金属部及び金属膜を形成して、金属含有粒子を得た。

（実施例３８）
メタクリル酸メチル１００ｍｍｏｌと、Ｎ，Ｎ，Ｎ－トリメチル－Ｎ－２－メタクリロイルオキシエチルアンモニウムクロライド１ｍｍｏｌと、２，２’－アゾビス（２－アミジノプロパン）二塩酸塩１ｍｍｏｌとを含むモノマー組成物を固形分率が５重量％となるようにイオン交換水に秤取した。４ツ口セパラブルカバー、攪拌翼、三方コック、冷却管及び温度プローブが取り付けられた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、上記モノマー組成物を入れて、２００ｒｐｍで攪拌し、窒素雰囲気下７０℃で２４時間重合を行った。反応終了後、凍結乾燥して、表面にアンモニウム基を有し、平均粒子径２２０ｎｍ及びＣＶ値１０％の絶縁性粒子を得た。

絶縁性粒子を超音波照射下でイオン交換水に分散させ、絶縁性粒子の１０重量％水分散液を得た。

実施例２２で得られた金属含有粒子１０ｇをイオン交換水５００ｍＬに分散させ、絶縁性粒子の水分散液４ｇを添加し、室温で６時間攪拌した。３μｍのメッシュフィルターでろ過した後、更にメタノールで洗浄し、乾燥し、絶縁性粒子が付着した金属含有粒子を得た。

走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察したところ、金属含有粒子の表面に絶縁性粒子による被覆層が１層のみ形成されていた。画像解析により金属含有粒子の中心より２．５μｍの面積に対する絶縁性粒子の被覆面積（即ち絶縁性粒子の粒子径の投影面積）を算出したところ、被覆率は３０％であった。

（実施例３９）
実施例１で得られた懸濁液（Ｂ）を、硫酸ニッケル５０ｇ／Ｌ、硝酸タリウム３０ｐｐｍ及び硝酸ビスマス２０ｐｐｍを含む溶液中に入れ、粒子混合液（Ｃ）を得た。

無電解ニッケル－リン合金めっき液として、硫酸ニッケル１００ｇ／Ｌ、次亜リン酸ナトリウム３０ｇ／Ｌ、硝酸ビスマス１０ｐｐｍ、及びクエン酸３ナトリウム３０ｇ／Ｌを含む混合液を、水酸化ナトリウムにてｐＨ６に調整した無電解ニッケル－リン合金めっき液（Ｄ）を用意した。

また、無電解銀めっき液として、硝酸銀３０ｇ／Ｌ、コハク酸イミド１００ｇ／Ｌ、ホルムアルデヒド２０ｇ／Ｌとの混合液を、アンモニア水にてｐＨ８．０に調整した銀めっき液（Ｅ）を用意した。

また、次亜リン酸ナトリウム１３０ｇ／Ｌ、及び水酸化ナトリウム０．５ｇ／Ｌを含む突起形成用めっき液（Ｆ）（ｐＨ１２．０）を用意した。

６５℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｃ）に上記無電解ニッケル－リン合金めっき液（Ｄ）を徐々に滴下し、無電解ニッケル－リン合金めっきを行った。無電解ニッケル－リン合金めっき液（Ｄ）の滴下速度は１５ｍＬ／分、滴下時間は６０分間で、無電解ニッケル－リン合金めっきを行った。このようにして、基材粒子Ａの表面上にニッケル－リン合金金属部が配置されており、表面に凸部を有する金属部を備える粒子を含む粒子混合液（Ｇ）を得た。

その後、粒子混合液（Ｇ）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗することにより、上記基材粒子Ａの表面上にニッケル－リン合金金属層が配置されており、表面に凸部を有する金属部を備える粒子を得た。この粒子を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、粒子混合液（Ｈ）を得た。

次に、６０℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｈ）に上記銀めっき液（Ｅ）を徐々に滴下し、無電解銀めっきを行った。銀めっき液（Ｅ）の滴下速度は１０ｍＬ／分、滴下時間は３０分間で、無電解銀めっきを行った。その後、上記突起形成用めっき液（Ｆ）を徐々に滴下し、突起形成を行った。突起形成用めっき液（Ｆ）の滴下速度は１ｍＬ／分、滴下時間は１０分間で、突起形成を行った。突起形成用めっき液（Ｆ）の滴下中は、発生した銀突起核を超音波攪拌により分散しながら銀めっきを行った（突起形成工程）。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、基材粒子Ａの表面上にニッケル－リン合金及び銀金属部並びに銀金属膜（凸部が無い部分における金属部全体及び金属膜全体の厚み：０．１０５μｍ）が配置されている金属含有粒子を得た。該金属含有粒子は、外表面に複数の凸部を有し、凸部の表面上に複数の突起を有する。

（実施例４０）
実施例２２で得られた金属含有粒子１０ｇに銀変色防止剤として、大和化成株式会社の商品名「ニューダインシルバー」で硫化防止処理を行った。

ニューダインシルバー１０重量％を含むイソプロピルアルコール溶液１００重量部に、実施例２２で得られた金属含有粒子１０ｇを、超音波分散器を用いて分散させた後、溶液をろ過することにより、硫化防止膜が形成された金属含有粒子を得た。

（実施例４１）
実施例１で得られた金属含有粒子１０ｇに銀硫化防止剤として、２－メルカプトベンゾチアゾール溶液で硫化防止処理を行った。

２－メルカプトベンゾチアゾール０．５重量％を含むイソプロピルアルコール溶液１００重量部に、実施例１で得られた金属含有粒子１０ｇを、超音波分散器を用いて分散させた後、溶液をろ過することにより、硫化防止膜が形成された金属含有粒子を得た。

（比較例１）
パラジウム触媒液５重量％を含むアルカリ溶液１００重量部に、上記基材粒子Ａ１０重量部を、超音波分散器を用いて分散させた後、溶液をろ過することにより、基材粒子Ａを取り出した。次いで、基材粒子Ａをジメチルアミンボラン１重量％溶液１００重量部に添加し、基材粒子Ａの表面を活性化させた。表面が活性化された基材粒子Ａを十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、分散液（Ａ）を得た。

次に、金属ニッケル粒子スラリー（三井金属社製「２０２０ＳＵＳ」、平均粒子径１５０ｎｍ）１ｇを３分間かけて上記分散液（Ａ）に添加し、芯物質が付着された基材粒子Ａを含む懸濁液（Ｂ）を得た。

懸濁液（Ｂ）を、硫酸ニッケル５０ｇ／Ｌ、硝酸タリウム３０ｐｐｍ及び硝酸ビスマス２０ｐｐｍを含む溶液中に入れ、粒子混合液（Ｃ）を得た。

また、硫酸ニッケル２００ｇ／Ｌ、次亜リン酸ナトリウム８５ｇ／Ｌ、クエン酸ナトリウム３０ｇ／Ｌ、硝酸タリウム５０ｐｐｍ、及び硝酸ビスマス２０ｐｐｍを含むニッケルめっき液（Ｄ）（ｐＨ６．５）を用意した。

また、無電解銀めっき液として、硝酸銀３０ｇ／Ｌ、コハク酸イミド１００ｇ／Ｌ、イミダゾール１０ｇ/L及びホルムアルデヒド２０ｇ／Ｌを含む混合液を、アンモニア水にてｐＨ７．０に調整した銀めっき液（Ｅ）を用意した。

５０℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｃ）に上記ニッケルめっき液（Ｄ）を徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行った。ニッケルめっき液（Ｄ）の滴下速度は２５ｍＬ／分、滴下時間は６０分間で、無電解ニッケルめっきを行った（Ｎｉめっき工程）。このようにして、分散状態の粒子混合液（Ｆ）を得た。次に、６０℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｆ）に上記銀めっき液（Ｅ）を徐々に滴下し、無電解銀めっきを行った。銀めっき液（Ｅ）の滴下速度は１０ｍＬ／分、滴下時間は３０分間で、無電解銀めっきを行った。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、基材粒子Ａの表面上にニッケル－リン合金及び銀金属部並びに銀金属膜（凸部が無い部分における金属部全体及び金属膜全体の厚み：０．１０５μｍ）が配置されている金属含有粒子を得た。該金属含有粒子は、外表面に複数の針状凸部を有し、凸部の表面上に突起を有していない。

（比較例２）
パラジウム触媒液５重量％を含むアルカリ溶液１００重量部に、基材粒子Ａ１０重量部を、超音波分散器を用いて分散させた後、溶液をろ過することにより、基材粒子Ａを取り出した。次いで、基材粒子Ａをジメチルアミンボラン１重量％溶液１００重量部に添加し、基材粒子Ａの表面を活性化させた。表面が活性化された基材粒子Ａを十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液（Ａ）を得た。

懸濁液（Ａ）を、硫酸ニッケル５０ｇ／Ｌ、硝酸タリウム３０ｐｐｍ及び硝酸ビスマス２０ｐｐｍを含む溶液中に入れ、粒子混合液（Ｂ）を得た。

また、次亜リン酸ナトリウム３００ｇ／Ｌ、及び水酸化ナトリウム１０ｇ／Ｌを含む突起形成用めっき液（Ｃ）（ｐＨ１１．０）を用意した。

また、硫酸ニッケル２００ｇ／Ｌ、次亜リン酸ナトリウム８５ｇ／Ｌ、クエン酸ナトリウム３０ｇ／Ｌ、硝酸タリウム５０ｐｐｍ、及び硝酸ビスマス２０ｐｐｍを含むニッケルめっき液（Ｄ）（ｐＨ６．５）を用意した。

５０℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｂ）に上記突起形成用めっき液（Ｃ）を徐々に滴下し、突起形成を行った。突起形成用めっき液（Ｃ）の滴下速度は２０ｍＬ／分、滴下時間は５分間で、突起形成を行った。突起形成用めっき液（Ｃ）の滴下中は、発生したＮｉ突起核を超音波攪拌により分散しながらニッケルめっきを行った（突起形成工程）。このようにして、分散状態の粒子混合液（Ｅ）を得た。

その後、分散状態の粒子混合液（Ｅ）に上記ニッケルめっき液（Ｄ）を徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行った。ニッケルめっき液（Ｄ）の滴下速度は２５ｍＬ／分、滴下時間は６０分間で、無電解ニッケルめっきを行った。ニッケルめっき液（Ｄ）の滴下中は、発生したＮｉ突起核を超音波攪拌により分散しながらニッケルめっきを行った（Ｎｉめっき工程）。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、基材粒子Ａの表面上にニッケル－リン合金金属部並びに銀金属膜（凸部が無い部分における金属部全体及び金属膜全体の厚み：０．１０５μｍ）が配置された金属含有粒子を得た。該金属含有粒子は、外表面に複数の凸部を有し、凸部の表面上に複数の突起を有する。

（評価）
実施例１－４１及び比較例１，２については、以下の評価を実施した。
（１）凸部及び突起の高さの測定
得られた金属含有粒子を含有量が３０重量％となるように、Ｋｕｌｚｅｒ社製「テクノビット４０００」に添加し、分散させて、金属含有粒子検査用埋め込み樹脂を作製した。その検査用埋め込み樹脂中に分散した金属含有粒子の中心付近を通るようにイオンミリング装置（日立ハイテクノロジーズ社製「ＩＭ４０００」）を用いて、金属含有粒子の断面を切り出した。

そして、電界放射型透過電子顕微鏡（ＦＥ－ＴＥＭ）（日本電子社製「ＪＥＭ－ＡＲＭ２００Ｆ」）を用いて、画像倍率５万倍に設定し、２０個の金属含有粒子を無作為に選択し、それぞれの金属含有粒子の凸部及び突起を観察した。得られた金属含有粒子における凸部及び突起の高さを計測し、それを算術平均して凸部及び突起の平均高さとした。

（２）突起の基部の平均径の測定
得られた金属含有粒子を含有量が３０重量％となるように、Ｋｕｌｚｅｒ社製「テクノビット４０００」に添加し、分散させて、金属含有粒子検査用埋め込み樹脂を作製した。その検査用埋め込み樹脂中に分散した金属含有粒子の中心付近を通るようにイオンミリング装置（日立ハイテクノロジーズ社製「ＩＭ４０００」）を用いて、金属含有粒子の断面を切り出した。

そして、電界放射型透過電子顕微鏡（ＦＥ－ＴＥＭ）（日本電子社製「ＪＥＭ－ＡＲＭ２００Ｆ」）を用いて、画像倍率５万倍に設定し、２０個の金属含有粒子を無作為に選択し、それぞれの金属含有粒子の凸部及び突起を観察した。得られた金属含有粒子における凸部及び突起の基部径を計測し、それを算術平均して凸部及び突起の平均基部径とした。

（３）凸部及び突起の形状の観察
走査型電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）を用いて、画像倍率を２５０００倍に設定し、２０個の金属含有粒子を無作為に選択し、それぞれの金属含有粒子の凸部及び突起を観察し、全ての凸部及び突起の属する形状の種類を調査した。

（４）凸部及び突起の頂角の平均の測定
得られた金属含有粒子を含有量が３０重量％となるように、Ｋｕｌｚｅｒ社製「テクノビット４０００」に添加し、分散させて、金属含有粒子検査用埋め込み樹脂を作製した。その検査用埋め込み樹脂中に分散した金属含有粒子の中心付近を通るようにイオンミリング装置（日立ハイテクノロジーズ社製「ＩＭ４０００」）を用いて、金属含有粒子の断面を切り出した。

そして、電界放射型透過電子顕微鏡（ＦＥ－ＴＥＭ）（日本電子社製「ＪＥＭ－ＡＲＭ２００Ｆ」）を用いて、画像倍率１００万倍に設定し、２０個の金属含有粒子を無作為に選択し、それぞれの金属含有粒子の突起部を観察した。得られた金属含有粒子における凸部及び突起の頂角を計測し、それを算術平均して凸部及び突起の頂角の平均とした。

（５）凸部及び突起の高さの中央の位置における平均径の測定
得られた金属含有粒子を含有量が３０重量％となるように、Ｋｕｌｚｅｒ社製「テクノビット４０００」に添加し、分散させて、金属含有粒子検査用埋め込み樹脂を作製した。その検査用埋め込み樹脂中に分散した金属含有粒子の中心付近を通るようにイオンミリング装置（日立ハイテクノロジーズ社製「ＩＭ４０００」）を用いて、金属含有粒子の断面を切り出した。

そして、電界放射型透過電子顕微鏡（ＦＥ－ＴＥＭ）（日本電子社製「ＪＥＭ－ＡＲＭ２００Ｆ」）を用いて、画像倍率５万倍に設定し、２０個の金属含有粒子を無作為に選択し、それぞれの金属含有粒子の突起部を観察した。得られた金属含有粒子における凸部及び突起の基部径を計測し、それを算術平均して凸部及び突起の高さの中央の位置における平均径を求めた。

（６）針状である凸部及び突起の数の割合の測定
走査型電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）を用いて、画像倍率を２５０００倍に設定し、２０個の金属含有粒子を無作為に選択し、それぞれの金属含有粒子の凸部及び突起を観察した。全ての凸部及び突起は、凸部形状及び突起形状が、先細りしている針状か否かを評価して、凸部形状及び突起形状が先細りしている針状により形成されている凸部及び突起と、凸部形状及び突起形状が、先細りしている針状により形成されていない凸部及び突起とに分別した。このようにして、１つの金属含有粒子あたりの１）先細りしている針状により形成されている凸部及び突起の個数と、２）先細りしている針状形状により形成されていない凸部及び突起の個数とを計測した。１）と２）の突起部の全個数１００％中の１）針状である凸部及び突起の数の割合Ｘを算出した。

（７）凸部及び突起が無い部分における金属部全体の厚みの測定
得られた金属含有粒子を含有量が３０重量％となるように、Ｋｕｌｚｅｒ社製「テクノビット４０００」に添加し、分散させて、金属含有粒子検査用埋め込み樹脂を作製した。その検査用埋め込み樹脂中に分散した金属含有粒子の中心付近を通るようにイオンミリング装置（日立ハイテクノロジーズ社製「ＩＭ４０００」）を用いて、金属含有粒子の断面を切り出した。

そして、電界放射型透過電子顕微鏡（ＦＥ－ＴＥＭ）（日本電子社製「ＪＥＭ－ＡＲＭ２００Ｆ」）を用いて、画像倍率５万倍に設定し、２０個の金属含有粒子を無作為に選択し、それぞれの金属含有粒子の突起が無い部分における金属部を観察した。得られた金属含有粒子における突起が無い部分における金属部全体の厚みを計測し、それを算術平均して厚み（平均厚み）（上記実施例及び比較例中に記載）とした。

（８）金属含有粒子の圧縮弾性率（１０％Ｋ値）
得られた金属含有粒子の上記圧縮弾性率（１０％Ｋ値）を、２３℃の条件で、上述した方法により、微小圧縮試験機（フィッシャー社製「フィッシャースコープＨ－１００」）を用いて測定した。１０％Ｋ値を求めた。

（９）金属部の面格子の評価
Ｘ線回折装置（理学電機社製「ＲＩＮＴ２５００ＶＨＦ」）を用いて、回折角に依存する装置固有の回折線のピーク強度比を算出した。金層の回折線全体の回折ピーク強度に占める（１１１）方位の回折ピーク強度の割合（（１１１）面の割合）を求めた。

（１０）接続構造体Ａでの金属含有粒子の突起の先端の溶融及び固化状態
得られた金属含有粒子を含有量が１０重量％となるように、三井化学社製「ストラクトボンドＸＮ－５Ａ」に添加し、分散させて、異方性導電ペーストを作製した。

Ｌ／Ｓが３０μｍ／３０μｍである銅電極パターンを上面に有する透明ガラス基板を用意した。また、Ｌ／Ｓが３０μｍ／３０μｍである金電極パターンを下面に有する半導体チップを用意した。

上記透明ガラス基板上に、作製直後の異方性導電ペーストを厚さ３０μｍとなるように塗工し、異方性導電ペースト層を形成した。次に、異方性導電ペースト層上に上記半導体チップを、電極同士が対向するように積層した。その後、異方性導電ペースト層の温度が２５０℃となるようにヘッドの温度を調整しながら、半導体チップの上面に加圧加熱ヘッドを載せ、０．５ＭＰａの圧力をかけて異方性導電ペースト層を２５０℃で硬化させて、接続構造体Ａを得た。接続構造体Ａを得るために、電極間を０．５ＭＰａの低圧で接続した。

得られた接続構造体を、Ｋｕｌｚｅｒ社製「テクノビット４０００」に入れて硬化させ、接続構造体検査用埋め込み樹脂を作製した。その検査用樹脂中の接続構造体の中心付近を通るようにイオンミリング装置（日立ハイテクノロジーズ社製「ＩＭ４０００」）を用いて、金属含有粒子の断面を切り出した。

そして、走査型電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）を用いて、得られた接続構造体Ａを断面観察することで、金属含有粒子の突起の先端が溶融した後固化しているか否かを判定した。

［金属含有粒子の突起の先端の溶融及び固化状態の判定基準］
Ａ：金属含有粒子の突起の先端が溶融した後固化している
Ｂ：金属含有粒子の突起の先端が溶融した後固化していない

（１１）接続構造体Ａでの金属含有粒子の突起の接合状態
上記（１０）の評価で得られた接続構造体Ａにおいて、接続構造体Ａを断面観察することで、金属含有粒子の突起の接合状態を判定した。

［金属含有粒子の突起の接合状態の判定基準］
Ａ：接続部中で、金属含有粒子の突起の先端が溶融した後固化し、電極及び他の金属含有粒子と接合している
Ｂ：接続部中で、金属含有粒子の突起の先端が溶融した後固化し、電極及び他の金属含有粒子と接合していない

（１２）接続構造体Ａにおける接続信頼性
上記（１０）の評価で得られた接続構造体Ａ１５個の上下の電極間の接続抵抗を、４端子法により測定した。接続抵抗の平均値を算出した。なお、電圧＝電流×抵抗の関係から、一定の電流を流した時の電圧を測定することにより接続抵抗を求めることができる。接続信頼性を下記の基準で判定した。

［接続信頼性の判定基準］
○○○：接続抵抗が１．０Ω以下
○○：接続抵抗が１．０Ωを超え２．０Ω以下
○：接続抵抗が２．０Ωを超え３．０Ω以下
△：接続抵抗が３．０Ωを超え５Ω以下
×：接続抵抗が５Ωを超える

（１３）接続構造体Ａにおける絶縁信頼性
上記（１０）の評価で得られた接続構造体Ａ１５個のチップ電極間の絶縁抵抗として、マイグレーション試験（温度６０℃、湿度９０％、２０Ｖ印加の条件で２０００時間放置）後の絶縁抵抗の値を測定した。絶縁信頼性を下記の基準で判定した。

［接続構造体Ａにおける絶縁信頼性の判定基準］
〇：絶縁抵抗値が１０^９Ω以上
×：絶縁抵抗値が１０^９Ω未満

（１４）接続構造体Ｂでの金属含有粒子の突起の先端の溶融及び固化状態
得られた金属含有粒子を含有量が５重量％となるように、日本スペリア社製「ＡＮＰ－１」（金属原子含有粒子を含む）に添加し、分散させて、焼結銀ペーストを作製した。

第１の接続対象部材として、接続面にＮｉ／Ａｕめっきが施されたパワー半導体素子を用意した。第２の接続対象部材として、接続面にＣｕめっきが施された窒化アルミニウム基板を用意した。

第２の接続対象部材上に、上記焼結銀ペーストを、約７０μｍの厚みとなるように塗布し、接続用銀ペースト層を形成した。その後、接続用銀ペースト層上に、上記第１の接続対象部材を積層して、積層体を得た。

得られた積層体を１３０℃のホットプレートで６０秒間プレヒートし、その後、積層体を１０ＭＰａの圧力をかけて３００℃で３分加熱することにより、焼結銀ペーストに含まれている上記金属原子含有粒子を焼結させて、焼結物と金属含有粒子とを含む接続部を形成し、該焼結物により上記第１，第２の接続対象部材を接合して、接続構造体Ｂを得た。

得られた接続構造体を、Ｋｕｌｚｅｒ社製「テクノビット４０００」に入れて硬化させ、接続構造体検査用埋め込み樹脂を作製した。その検査用埋め込み樹脂中の接続構造体の中心付近を通るようにイオンミリング装置（日立ハイテクノロジーズ社製「ＩＭ４０００」）を用いて、金属含有粒子の断面を切り出した。

そして、走査型電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）を用いて、得られた接続構造体Ｂを断面観察することで、金属含有粒子の突起の先端が溶融した後固化しているか否かを判定した。

［金属含有粒子の突起の先端の溶融及び固化状態の判定基準］
Ａ：金属含有粒子の突起の先端が溶融した後固化している
Ｂ：金属含有粒子の突起の先端が溶融した後固化していない

（１５）接続構造体Ｂでの金属含有粒子の突起の接合状態
上記（１４）の評価で得られた接続構造体Ｂにおいて、接続構造体Ｂを断面観察することで、金属含有粒子の突起の接合状態を判定した。

［金属含有粒子の突起の接合状態の判定基準］
Ａ：接続部中で、金属含有粒子の突起の先端が溶融した後固化し、電極及び他の金属含有粒子と接合している
Ｂ：接続部中で、金属含有粒子の突起の先端が溶融した後固化し、電極及び他の金属含有粒子と接合していない

（１６）接続構造体Ｂにおける接続信頼性
上記（１４）の評価で得られた接続構造体Ｂを、冷熱衝撃試験機（エスペック社製：ＴＳＡ－１０１Ｓ－Ｗ）に投入し、最低温度－４０℃で保持時間３０分、最高温度２００℃で保持時間３０分の処理条件を１サイクルとして３０００サイクル後にせん断強度試験機（レスカ社製：ＳＴＲ－１０００）で接合強度を測定した。接続信頼性を下記の基準で判定した。

［接続信頼性の判定基準］
○○○：接合強度が５０ＭＰａ以上
○○：接合強度が４０ＭＰａを超え５０ＭＰａ以下
○：接合強度が３０ＭＰａを超え４０ＭＰａ以下
△：接合強度が２０ＭＰａを超え３０ＭＰａ以下
×：接合強度が２０ＭＰａ以下

（１７）導通検査用部材の接触抵抗値
シリコーン系共重合体１０重量部、得られた金属含有粒子９０重量部、エポキシシランカップリング剤（信越化学工業社製、「ＫＢＥ－３０３」）１重量部及びイソプロピルアルコール３６重量部を配合した。次に、ホモディスパーを用いて１０００ｒｐｍで２０分撹拌させた後、シンキー社製「練太郎ＡＲＥ２５０」を用いて脱泡することで、金属含有粒子とバインダーとを含む導電材料を調製した。

上記のシリコーン系共重合体は、次の方法で重合した。内容量２Ｌの金属混練機内に４，４’－ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート（デグサ社製）１６２ｇ（６２８ｍｍｏｌ）、片末端アミノ基変性ポリジメチルシロキサン（モメンティブ社製「ＴＳＦ４７０９」）（分子量１００００）９００ｇ（９０ｍｍｏｌ）を入れ、７０～９０℃で溶解後、撹拌を２時間行った。その後、ネオペンチルグリコール（三菱ガス化学社製）６５ｇ（６２５ｍｍｏｌ）をゆっくり加え、３０分混練し、続けて未反応のネオペンチルグリコールを減圧除去した。得られたシリコーン系共重合体は２０重量％になるようにイソプロピルアルコールに溶解させて使用した。なお、イソシアネート基の消失はＩＲスペクトルにて確認した。得られたシリコーン系共重合体において、シリコーン含有量は８０重量％、重量平均分子量は２５０００であり、ＳＰ値は７．８、極性基を有する構造（ポリウレタン）の繰り返し単位のＳＰ値は１０であった。

次に、導通検査用部材の基材（絶縁材料により形成されたシート状の基材）として、シリコーンゴムを準備した。シリコーンゴムのサイズは、横幅２５ｍｍ、縦幅２５ｍｍ及び厚み１ｍｍである。シリコーンゴムには、レーザー加工で形成した直径０．５ｍｍの円柱状の貫通孔が縦２０個及び横２０個で総数４００個形成されている。

上記導電材料を、貫通孔を有するシリコーンゴム上にナイフコーターを用いて塗工し、貫通孔に導電材料を充填した。次に、導電材料が貫通孔に充填されたシリコーンゴムをオーブンにて５０℃で１０分間乾燥した後、更に続けて１００℃で２０分間乾燥し、厚さ１ｍｍの導通検査用部材を得た。

得られた導通検査用部材の接触抵抗値は、接触抵抗測定システム（ファクトケイ社製「ＭＳ７５００」）を用いて測定した。接触抵抗測定は、直径０．５ｍｍの白金プローブにて荷重１５ｇｆで得られた導通検査用部材の導電部に垂直方向から加圧した。その際に、低抵抗計（鶴賀電機社製「ＭＯＤＥＬ３５６６」）で５Ｖを印加し、接触抵抗値を測定した。５か所の導電部を測定した接触接続抵抗値の平均値を算出した。接触抵抗値を下記の基準で判定した。

［接触抵抗値の判定基準］
○○：接続抵抗の平均値が５０．０ｍΩ以下
○：接続抵抗の平均値が５０．０ｍΩを超え１００．０ｍΩ以下
△：接続抵抗の平均値が１００．０ｍΩを超え５００．０ｍΩ以下
×：接続抵抗の平均値が５００．０ｍΩを超える

（１８）導通検査用部材の繰り返し信頼性試験
上記（１７）導通検査用部材の接触抵抗値の評価の導通検査用部材を用意した。

得られた導通検査用部材の繰り返し信頼性試験及び接触抵抗値は、接触抵抗測定システム（ファクトケイ社製「ＭＳ７５００」）を用いて測定した。繰り返し信頼性試験は、直径０．５ｍｍの白金プローブにて荷重１５ｇｆで得られたプローブシートの導電部に垂直方向から１０００回繰り返し加圧した。１０００回繰り返し加圧した後に、低抵抗計（鶴賀電機社製「ＭＯＤＥＬ３５６６」）で５Ｖを印加し、接触抵抗値を測定した。５か所の導電部を同様に測定した接触抵抗値の平均値を算出した。接触抵抗値を下記の基準で判定した。

［繰り返し加圧後の接触抵抗値の判定基準］
○○：接続抵抗の平均値が１００．０ｍΩ以下
○：接続抵抗の平均値が１００．０ｍΩを超え５００．０ｍΩ以下
△：接続抵抗の平均値が５００．０ｍΩを超え１０００．０ｍΩ以下
×：接続抵抗の平均値が１０００．０ｍΩを超える

組成及び結果を表１～１０に示す。

なお、凸部及び突起における球状は、球の一部の形状を含む。なお、比較例１，２では、４００℃まで加熱しても、突起の先端が溶融しないことを確認した。

（実施例４２）
基材粒子Ｓ１として、粒子径が３．０μｍであるジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子（積水化学工業社製「ミクロパールＳＰ－２０３」）を用意した。

パラジウム触媒液５重量％を含むアルカリ溶液１００重量部に、１０重量部の基材粒子Ｓ１を超音波分散器により分散させた後、溶液をろ過することにより、基材粒子Ｓ１を取り出した。次いで、基材粒子Ｓ１をジメチルアミンボラン１重量％溶液１００重量部に添加し、基材粒子Ｓ１の表面を活性化させた。表面が活性化された基材粒子Ｓ１を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液（Ａ１）を得た。

懸濁液（Ａ１）を、硫酸ニッケル２５ｇ／Ｌ、硝酸タリウム１５ｐｐｍ及び硝酸ビスマス１０ｐｐｍを含む溶液中に入れ、粒子混合液（Ｂ１）を得た。

また、硫酸ニッケル１００ｇ／Ｌ、次亜リン酸ナトリウム４０ｇ／Ｌ、クエン酸ナトリウム１５ｇ／Ｌ、硝酸タリウム２５ｐｐｍ、及び硝酸ビスマス１０ｐｐｍを含むニッケルめっき液（Ｃ１）（ｐＨ５．５）を用意した。

また、無電解金めっき液として、シアン化金カリウム１０ｇ／Ｌ、クエン酸ナトリウム２０ｇ／Ｌ、硝酸タリウム５ｐｐｍ、エチレンジアミン四酢酸３．０ｇ／Ｌ、水酸化ナトリウム２０ｇ／Ｌ、及びジメチルアミンボラン１０ｇ／Ｌを含む金めっき液（Ｄ１）（ｐＨ８．０）を用意した。

粒子が分散している５０℃の粒子混合液（Ｂ１）に、上記ニッケルめっき液（Ｃ１）を徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行った。ニッケルめっき液（Ｃ１）の滴下速度は１２．５ｍＬ／分、滴下時間は３０分間で、無電解ニッケルめっきを行った（Ｎｉめっき工程）。このようにして、樹脂粒子の表面に第１の金属部としてニッケル－リン合金金属部を備える粒子を含む粒子混合液（Ｅ１）を得た。

その後、粒子混合液（Ｅ１）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗することにより、上記基材粒子Ｓ１の表面上にニッケル－リン合金金属部が配置されている粒子を得た。この粒子を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、粒子混合液（Ｆ１）を得た。

次に、金属錫粒子スラリー（平均粒子径１５０ｎｍ）１重量部を３分間かけて粒子混合液（Ｆ１）に添加し、ニッケル－リン合金金属部上に芯物質が付着された粒子を含む粒子混合液（Ｇ１）を得た。

次に、粒子が分散している６０℃の粒子混合液（Ｇ１）に上記金めっき液（Ｄ１）を徐々に滴下し、無電解金めっきを行った。金めっき液（Ｄ１）の滴下速度は２ｍＬ／分、滴下時間は４５分間で、無電解金めっきを行った。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、基材粒子Ｓ１の表面上にニッケル－リン合金金属部及び金金属部（突起が無い部分における金属部全体の厚み：０．１μｍ）及び突起を備える金属含有粒子を得た。

（実施例４３）
実施例４２の懸濁液（Ａ１）を用意した。

上記懸濁液（Ａ１）を、シアン化金カリウム２ｇ／Ｌ、クエン酸ナトリウム１０ｇ／Ｌ、エチレンジアミン四酢酸０．５ｇ／Ｌ、及び水酸化ナトリウム５ｇ／Ｌを含む溶液中に入れ、粒子混合液（Ｃ２）を得た。

また、無電解金めっき液として、シアン化金カリウム１０ｇ／Ｌ、クエン酸ナトリウム２０ｇ／Ｌ、硝酸タリウム５ｐｐｍ、エチレンジアミン四酢酸３．０ｇ／Ｌ、水酸化ナトリウム２０ｇ／Ｌ、及びジメチルアミンボラン１０ｇ／Ｌを含む金めっき液（Ｄ２）（ｐＨ８．０）を用意した。

また、錫溶液として、塩化錫２０ｇ／Ｌ、ニトリロ三酢酸５０ｇ／Ｌ、チオ尿素２ｇ／Ｌ、及びエチレンジアミン四酢酸７．５ｇ／Ｌを含む混合液を、硫酸にてｐＨ７．０に調整した錫めっき液（Ｅ２）を用意した。

また、錫突起形成用還元液として、水素化ホウ素ナトリウム１０ｇ／Ｌ、及び水酸化ナトリウム５ｇ／Ｌを含む混合液を、ｐＨ１０．０に調整した還元液（Ｆ２）を用意した。

粒子が分散している６０℃の粒子混合液（Ｃ２）に、上記金めっき液（Ｄ２）を徐々に滴下し、無電解金めっきを行った。金めっき液（Ｄ２）の滴下速度は２ｍＬ／分、滴下時間は４５分間で、無電解金めっきを行った。このようにして、基材粒子Ｓ１の表面上に金金属部が配置されている粒子を含む粒子混合液（Ｇ２）を得た。

その後、粒子混合液（Ｇ２）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗することにより、上記基材粒子Ｓ１の表面上に金金属部を配置されている粒子を得た。この粒子を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、粒子混合液（Ｈ２）を得た。

次に、粒子が分散している６０℃の粒子混合液（Ｈ２）に上記錫めっき液（Ｅ２）を徐々に入れた。その後、還元液（Ｆ２）を徐々に滴下することで錫突起核を形成し、金金属部上に錫突起核が付着された粒子を含む粒子混合液（Ｉ２）を得た。

その後、粒子混合液（Ｉ２）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗することにより、上記基材粒子Ｓ１の表面上に金金属部を配置し、錫突起が形成されている粒子を得た。この粒子を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、粒子混合液（Ｊ２）を得た。

次に、粒子が分散している６０℃の粒子混合液（Ｊ２）に上記金めっき液（Ｄ２）を徐々に滴下し、無電解金めっきを行った。金めっき液（Ｄ２）の滴下速度は１ｍＬ／分、滴下時間は１０分間で、無電解金めっきを行った。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、基材粒子Ｓ１の表面上に金金属部（突起が無い部分における金属部全体の厚み：０．１μｍ）及び突起を備える金属含有粒子を得た。

（実施例４４）
実施例４２の懸濁液（Ａ１）を用意した。

金属錫粒子スラリー（平均粒子径１５０ｎｍ）１重量部を３分間かけて上記懸濁液（Ａ１）に添加し、芯物質が付着された基材粒子Ｓ１を含む粒子混合液（Ｂ３）を得た。

粒子混合液（Ｂ３）を、シアン化金カリウム２ｇ／Ｌ、クエン酸ナトリウム１０ｇ／Ｌ、エチレンジアミン四酢酸０．５ｇ／Ｌ、及び水酸化ナトリウム５ｇ／Ｌを含む溶液中に入れ、粒子混合液（Ｃ３）を得た。

また、無電解金めっき液として、シアン化金カリウム２０ｇ／Ｌ、クエン酸ナトリウム２０ｇ／Ｌ、硝酸タリウム５ｐｐｍ、エチレンジアミン四酢酸７．０ｇ／Ｌ、水酸化ナトリウム２０ｇ／Ｌ、及びジメチルアミンボラン１０ｇ／Ｌを含む金めっき液（Ｄ３）（ｐＨ８．０）を用意した。

次に、粒子が分散している６０℃の粒子混合液（Ｂ３）に上記金めっき液（Ｄ３）を徐々に滴下し、無電解金めっきを行った。金めっき液（Ｄ３）の滴下速度は２ｍＬ／分、滴下時間は４５分間で、無電解金めっきを行った。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、基材粒子Ｓ１の表面上に金金属部（突起が無い部分における金属部全体の厚み：０．１μｍ）及び突起を備える金属含有粒子を得た。

（実施例４５）
実施例４２の懸濁液（Ａ１）を用意した。

金属錫粒子スラリー（平均粒子径１５０ｎｍ）１重量部を３分間かけて上記懸濁液（Ａ１）に添加し、芯物質が付着された基材粒子Ｓ１を含む粒子混合液（Ｂ４）を得た。

粒子混合液（Ｂ４）を、シアン化金カリウム２ｇ／Ｌ、クエン酸ナトリウム１０ｇ／Ｌ、エチレンジアミン四酢酸０．５ｇ／Ｌ、及び水酸化ナトリウム５ｇ／Ｌを含む溶液中に入れ、粒子混合液（Ｃ４）を得た。

また、無電解金めっき液として、シアン化金カリウム１０ｇ／Ｌ、クエン酸ナトリウム２０ｇ／Ｌ、硝酸タリウム５ｐｐｍ、エチレンジアミン四酢酸３．０ｇ／Ｌ、水酸化ナトリウム２０ｇ／Ｌ、及びジメチルアミンボラン１０ｇ／Ｌを含む金めっき液（Ｄ４）（ｐＨ８．０）を用意した。

また、硫酸ニッケル１００ｇ／Ｌ、次亜リン酸ナトリウム４０ｇ／Ｌ、クエン酸ナトリウム１５ｇ／Ｌ、硝酸タリウム２５ｐｐｍ、及び硝酸ビスマス１０ｐｐｍを含むニッケルめっき液（Ｅ４）（ｐＨ５．５）を用意した。

次に、粒子が分散している６０℃の粒子混合液（Ｂ４）に上記金めっき液（Ｄ４）を徐々に滴下し、無電解金めっきを行った。金めっき液（Ｄ４）の滴下速度は２ｍＬ／分、滴下時間は４５分間で、無電解金めっきを行った。このようにして、基材粒子Ｓ１の表面上に金金属部が配置されている粒子を含む粒子混合液（Ｆ４）を得た。

その後、粒子混合液（Ｆ４）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗することにより、上記基材粒子Ｓ１の表面上に金金属部を配置されている粒子を得た。この粒子を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、粒子混合液（Ｇ４）を得た。

次に、粒子が分散している５０℃の粒子混合液（Ｇ４）に上記ニッケルめっき液（Ｅ４）を徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行った。ニッケルめっき液（Ｅ４）の滴下速度は２．５ｍＬ／分、滴下時間は１０分間で、無電解ニッケルめっきを行った（Ｎｉめっき工程）。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、基材粒子Ｓ１の表面上に金金属部及びニッケル－リン合金金属部（突起が無い部分における金属部全体の厚み：０．１μｍ）及び突起を備える金属含有粒子を得た。

（実施例４６）
実施例４２の懸濁液（Ａ１）を用意した。

金属錫粒子スラリー（平均粒子径１５０ｎｍ）１重量部を３分間かけて上記懸濁液（Ａ１）に添加し、芯物質が付着された基材粒子Ｓ１を含む粒子混合液（Ｂ５）を得た。

粒子混合液（Ｂ５）を、硝酸銀５ｇ／Ｌ、コハク酸イミド１０ｇ／Ｌ、エチレンジアミン四酢酸０．１ｇ／Ｌ、及び水酸化ナトリウム５ｇ／Ｌを含む溶液中に入れ、粒子混合液（Ｃ５）を得た。

また、無電解銀めっき液として、硝酸銀３０ｇ／Ｌ、コハク酸イミド１００ｇ／Ｌ、及びホルムアルデヒド２０ｇ／Ｌを含む銀めっき液（Ｄ５）（ｐＨ７．０）を用意した。

次に、粒子が分散している５５℃の粒子混合液（Ｂ５）に上記銀めっき液（Ｄ５）を徐々に滴下し、無電解銀めっきを行った。銀めっき液（Ｄ５）の滴下速度は２ｍＬ／分、滴下時間は４５分間で、無電解銀めっきを行った。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、基材粒子Ｓ１の表面上に銀金属部（突起が無い部分における金属部全体の厚み：０．１μｍ）及び突起を備える金属含有粒子を得た。

（実施例４７）
実施例４２の懸濁液（Ａ１）を用意した。

懸濁液（Ａ１）を、硫酸ニッケル２５ｇ／Ｌ、硝酸タリウム１５ｐｐｍ及び硝酸ビスマス１０ｐｐｍを含む溶液中に入れ、粒子混合液（Ｂ６）を得た。

また、硫酸ニッケル１００ｇ／Ｌ、次亜リン酸ナトリウム４０ｇ／Ｌ、クエン酸ナトリウム１５ｇ／Ｌ、硝酸タリウム２５ｐｐｍ、及び硝酸ビスマス１０ｐｐｍを含むニッケルめっき液（Ｃ６）（ｐＨ５．５）を用意した。

また、無電解銀めっき液として、硝酸銀３０ｇ／Ｌ、コハク酸イミド１００ｇ／Ｌ、及びホルムアルデヒド２０ｇ／Ｌを含む銀めっき液（Ｄ６）（ｐＨ７．０）を用意した。

粒子が分散している５０℃の粒子混合液（Ｂ６）に上記ニッケルめっき液（Ｃ６）を徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行った。ニッケルめっき液（Ｃ６）の滴下速度は１２．５ｍＬ／分、滴下時間は３０分間で、無電解ニッケルめっきを行った（Ｎｉめっき工程）。このようにして、樹脂粒子の表面に第１の金属部としてニッケル－リン合金金属部を備える粒子を含む粒子混合液（Ｅ６）を得た。

その後、粒子混合液（Ｅ６）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗することにより、上記基材粒子Ｓ１の表面上にニッケル－リン合金金属部が配置されている粒子を得た。この粒子を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、粒子混合液（Ｆ６）を得た。

次に、金属錫粒子スラリー（平均粒子径１５０ｎｍ）１重量部を３分間かけて粒子混合液（Ｆ６）に添加し、ニッケル－リン合金金属部上に芯物質が付着された粒子を含む粒子混合液（Ｇ６）を得た。

次に、粒子が分散している５５℃の粒子混合液（Ｇ６）に上記銀めっき液（Ｄ６）を徐々に滴下し、無電解銀めっきを行った。銀めっき液（Ｄ６）の滴下速度は２ｍＬ／分、滴下時間は４５分間で、無電解銀めっきを行った。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、基材粒子Ｓ１の表面上にニッケル－リン合金金属部及び銀金属部（突起が無い部分における金属部全体の厚み：０．１μｍ）及び突起を備える金属含有粒子を得た。

（実施例４８）
実施例４２の懸濁液（Ａ１）を用意した。

金属錫粒子スラリー（平均粒子径１５０ｎｍ）１重量部を３分間かけて上記懸濁液（Ａ１）に添加し、芯物質が付着された基材粒子Ｓ１を含む粒子混合液（Ｂ７）を得た。

粒子混合液（Ｂ７）を、硫酸銅２０ｇ／Ｌ、及びエチレンジアミン四酢酸３０ｇ／Ｌを含む溶液中に入れ、粒子混合液（Ｃ７）を得た。

また、無電解銅めっき液として、硫酸銅２３０ｇ／Ｌ、エチレンジアミン四酢酸１５０ｇ／Ｌ、グルコン酸ナトリウム１００ｇ／Ｌ、及びホルムアルデヒド３５ｇ／Ｌを含む混合液を、アンモニアにてｐＨ１０．５に調整した銅めっき液（Ｄ７）を用意した。

次に、粒子が分散している５５℃の粒子混合液（Ｂ７）に上記銅めっき液（Ｄ７）を徐々に滴下し、無電解銅めっきを行った。銅めっき液（Ｄ７）の滴下速度は３０ｍＬ／分、滴下時間は３０分間で、無電解銅めっきを行った。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、基材粒子Ｓ１の表面上に銅金属部（突起が無い部分における金属部全体の厚み：０．１μｍ）及び突起を備える金属含有粒子を得た。

（実施例４９）
実施例４２の懸濁液（Ａ１）を用意した。

懸濁液（Ａ１）を、硫酸ニッケル２５ｇ／Ｌ、硝酸タリウム１５ｐｐｍ及び硝酸ビスマス１０ｐｐｍを含む溶液中に入れ、粒子混合液（Ｂ８）を得た。

また、硫酸ニッケル１００ｇ／Ｌ、次亜リン酸ナトリウム４０ｇ／Ｌ、クエン酸ナトリウム１５ｇ／Ｌ、硝酸タリウム２５ｐｐｍ、及び硝酸ビスマス１０ｐｐｍを含むニッケルめっき液（Ｃ８）（ｐＨ５．５）を用意した。

また、無電解銅めっき液として、硫酸銅１３０ｇ／Ｌ、エチレンジアミン四酢酸１００ｇ／Ｌ、グルコン酸ナトリウム８０ｇ／Ｌ、及びホルムアルデヒド３０ｇ／Ｌを含む混合液を、アンモニアにてｐＨ１０．５に調整した銅めっき液（Ｄ８）を用意した。

粒子が分散している５０℃の粒子混合液（Ｂ８）に上記ニッケルめっき液（Ｃ８）を徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行った。ニッケルめっき液（Ｃ８）の滴下速度は１２．５ｍＬ／分、滴下時間は３０分間で、無電解ニッケルめっきを行った（Ｎｉめっき工程）。このようにして、樹脂粒子の表面に第１の金属部としてニッケル－リン合金金属部を備える粒子を含む粒子混合液（Ｅ８）を得た。

その後、粒子混合液（Ｅ８）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗することにより、上記基材粒子Ｓ１の表面上にニッケル－リン合金金属部が配置されている粒子を得た。この粒子を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、粒子混合液（Ｆ８）を得た。

次に、金属錫粒子スラリー（平均粒子径１５０ｎｍ）１重量部を３分間かけて粒子混合液（Ｆ８）に添加し、ニッケル－リン合金金属部上に芯物質が付着された粒子を含む粒子混合液（Ｇ８）を得た。

次に、粒子が分散している５５℃の粒子混合液（Ｇ８）に上記銅めっき液（Ｄ８）を徐々に滴下し、無電解銅めっきを行った。銅めっき液（Ｄ８）の滴下速度は２５ｍＬ／分、滴下時間は１５分間で、無電解銅めっきを行った。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、基材粒子Ｓ１の表面上にニッケル－リン合金金属部及び銅金属部（突起が無い部分における金属部全体の厚み：０．１μｍ）及び突起を備える金属含有粒子を得た。

（実施例５０）
実施例４２の懸濁液（Ａ１）を用意した。

懸濁液（Ａ１）を、硫酸ニッケル２５ｇ／Ｌ、硝酸タリウム１５ｐｐｍ及び硝酸ビスマス１０ｐｐｍを含む溶液中に入れ、粒子混合液（Ｂ９）を得た。

また、硫酸ニッケル１００ｇ／Ｌ、次亜リン酸ナトリウム４０ｇ／Ｌ、クエン酸ナトリウム１５ｇ／Ｌ、硝酸タリウム２５ｐｐｍ、及び硝酸ビスマス１０ｐｐｍを含むニッケルめっき液（Ｃ９）（ｐＨ５．５）を用意した。

また、無電解錫めっき液として、塩化錫２０ｇ／Ｌ、ニトリロ三酢酸５０ｇ／Ｌ、チオ尿素２ｇ／Ｌ、チオリンゴ酸１ｇ／Ｌ、エチレンジアミン四酢酸７．５ｇ／Ｌ、及び三塩化チタン１５ｇ／Ｌを含む混合液を、硫酸にてｐＨ７．０に調整した錫めっき液（Ｄ９）を用意した。

粒子が分散している５０℃の粒子混合液（Ｂ９）に上記ニッケルめっき液（Ｃ９）を徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行った。ニッケルめっき液（Ｃ９）の滴下速度は１２．５ｍＬ／分、滴下時間は３０分間で、無電解ニッケルめっきを行った（Ｎｉめっき工程）。このようにして、樹脂粒子の表面に第１の金属部としてニッケル－リン合金金属部を備える粒子を含む粒子混合液（Ｅ９）を得た。

その後、粒子混合液（Ｅ９）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗することにより、上記基材粒子Ｓ１の表面上にニッケル－リン合金金属部が配置されている粒子を得た。この粒子を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、粒子混合液（Ｆ９）を得た。

次に、金属錫粒子スラリー（平均粒子径１５０ｎｍ）１重量部を３分間かけて粒子混合液（Ｆ９）に添加し、ニッケル－リン合金金属部上に芯物質が付着された粒子を含む粒子混合液（Ｇ９）を得た。

次に、粒子が分散している７０℃の粒子混合液（Ｇ９）に上記錫めっき液（Ｄ９）を徐々に滴下し、無電解錫めっきを行った。錫めっき液（Ｄ９）の滴下速度は３０ｍＬ／分、滴下時間は２５分間で、無電解錫めっきを行った。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、基材粒子Ｓ１の表面上にニッケル－リン合金金属部及び錫金属部（突起が無い部分における金属部全体の厚み：０．１μｍ）及び突起を備える金属含有粒子を得た。

（実施例５１）
１．シリコーンオリゴマーの作製
温浴槽内に設置した１００ｍｌのセパラブルフラスコに、１，３－ジビニルテトラメチルジシロキサン１重量部と、０．５重量％ｐ－トルエンスルホン酸水溶液２０重量部とを入れた。４０℃で１時間撹拌した後、炭酸水素ナトリウム０．０５重量部を添加した。その後、ジメトキシメチルフェニルシラン１０重量部、ジメチルジメトキシシラン４９重量部、トリメチルメトキシシラン０．６重量部、及びメチルトリメトキシシラン３．６重量部を添加し、１時間撹拌を行った。その後、１０重量％水酸化カリウム水溶液１．９重量部を添加して、８５℃まで昇温してアスピレーターで減圧しながら、１０時間撹拌、反応を行った。反応終了後、常圧に戻し４０℃まで冷却して、酢酸０．２重量部を添加し、１２時間以上分液漏斗内で静置した。二層分離後の下層を取り出して、エバポレーターにて精製することでシリコーンオリゴマーを得た。

２．シリコーン粒子材料（有機ポリマーを含む）の作製
得られたシリコーンオリゴマー３０重量部に、ｔｅｒｔ－ブチル－２－エチルペルオキシヘキサノアート（重合開始剤、日油社製「パーブチルＯ」）０．５重量部を溶解させた溶解液Ａを用意した。また、イオン交換水１５０重量部に、ラウリル硫酸トリエタノールアミン塩４０重量％水溶液（乳化剤）０．８重量部とポリビニルアルコール（重合度：約２０００、けん化度：８６．５～８９モル％、日本合成化学社製「ゴーセノールＧＨ－２０」）の５重量％水溶液８０重量部とを混合して、水溶液Ｂを用意した。温浴槽中に設置したセパラブルフラスコに、上記溶解液Ａを入れた後、上記水溶液Ｂを添加した。その後、Ｓｈｉｒａｓｕ Ｐｏｒｏｕｓ Ｇｌａｓｓ（ＳＰＧ）膜（細孔平均径約１μｍ）を用いることで、乳化を行った。その後、８５℃に昇温して、９時間重合を行った。重合後の粒子の全量を遠心分離により水洗浄し、凍結乾燥を行った。乾燥後、粒子の凝集体が目的の比（平均２次粒子径／平均１次粒子径）になるまでボールミルにて粉砕して、粒子径が３．０μｍのシリコーン粒子（基材粒子Ｓ２）を得た。

上記基材粒子Ｓ１を上記基材粒子Ｓ２に変更したこと以外は実施例４２と同様にして金属部を形成して、金属含有粒子を得た。

（実施例５２）
シリコーンオリゴマーの代わりに両末端アクリルシリコーンオイル（信越化学工業社製「Ｘ－２２－２４４５」）を用いたこと以外は、実施例５１と同様の方法で粒子径が３．０μｍのシリコーン粒子（基材粒子Ｓ３）を得た。

上記基材粒子Ｓ１を上記基材粒子Ｓ３に変更したこと以外は実施例４２と同様にして金属部を形成して、金属含有粒子を得た。

（実施例５３）
基材粒子Ｓ１と粒子径のみが異なり、粒子径が２．０μｍである基材粒子Ｓ４を用意した。

上記基材粒子Ｓ１を上記基材粒子Ｓ４に変更したこと以外は実施例４２と同様にして金属部を形成して、金属含有粒子を得た。

（実施例５４）
基材粒子Ｓ１と粒子径のみが異なり、粒子径が１０．０μｍである基材粒子Ｓ５を用意した。

上記基材粒子Ｓ１を上記基材粒子Ｓ５に変更したこと以外は実施例４２と同様にして金属部を形成して、金属含有粒子を得た。

（実施例５５）
基材粒子Ｓ１と粒子径のみが異なり、粒子径が３５．０μｍである基材粒子Ｓ６を用意した。

上記基材粒子Ｓ１を上記基材粒子Ｓ６に変更したこと以外は実施例４２と同様にして金属部を形成して、金属含有粒子を得た。

（実施例５６）
エチレングリコールジメタクリレート１００ｇと、イソボルニルアクリレート８００ｇと、シクロヘキシルメタクリレート１００ｇと、過酸化ベンゾイル３５ｇとを混合し、均一に溶解させて、モノマー混合液を得た。５ｋｇのポリビニルアルコール１重量％水溶液を作製し、反応釜にて入れた。この中に前述したモノマー混合液を入れ、２～４時間攪拌することで、モノマーの液滴が所定の粒子径になるように、粒子径を調整した。この後９０℃の窒素雰囲気下で９時間反応を行い、粒子を得た。得られた粒子を熱水にて数回洗浄した後、分級操作を行い、粒子径が３５．０μｍの基材粒子Ｓ７を得た。

上記基材粒子Ｓ１を上記基材粒子Ｓ７に変更したこと以外は実施例４２と同様にして金属部を形成して、金属含有粒子を得た。

（実施例５７）
実施例５６の基材粒子Ｓ７と粒子径のみが異なり、粒子径が５０．０μｍである基材粒子Ｓ８を用意した。上記基材粒子Ｓ７を上記基材粒子Ｓ８に変更したこと以外は、実施例４２と同様にして金属部を形成して、金属含有粒子を得た。

（実施例５８）
実施例４２の懸濁液（Ａ１）を用意した。

金属インジウム粒子スラリー（平均粒子径１５０ｎｍ）１重量部を３分間かけて上記懸濁液（Ａ１）に添加し、芯物質が付着された基材粒子Ｓ１を含む粒子混合液（Ｂ１７）を得た。

粒子混合液（Ｂ１７）を、シアン化金カリウム２ｇ／Ｌ、クエン酸ナトリウム１０ｇ／Ｌ、エチレンジアミン四酢酸０．５ｇ／Ｌ、及び水酸化ナトリウム５ｇ／Ｌを含む溶液中に入れ、粒子混合液（Ｃ１７）を得た。

また、無電解金めっき液として、シアン化金カリウム２０ｇ／Ｌ、クエン酸ナトリウム２０ｇ／Ｌ、硝酸タリウム５ｐｐｍ、エチレンジアミン四酢酸７．０ｇ／Ｌ、水酸化ナトリウム２０ｇ／Ｌ、及びジメチルアミンボラン１０ｇ／Ｌを含む金めっき液（Ｄ１７）（ｐＨ８．０）を用意した。

次に、粒子が分散している６０℃の粒子混合液（Ｂ１７）に上記金めっき液（Ｄ１７）を徐々に滴下し、無電解金めっきを行った。金めっき液（Ｄ１７）の滴下速度は２ｍＬ／分、滴下時間は４５分間で、無電解金めっきを行った。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、基材粒子Ｓ１の表面上に金金属部（突起が無い部分における金属部全体の厚み：０．１μｍ）及び突起を備える金属含有粒子を得た。

（実施例５９）
実施例４２の懸濁液（Ａ１）を用意した。

アルミナ粒子スラリー（平均粒子径１５０ｎｍ）１重量部を３分間かけて上記懸濁液（Ａ１）に添加し、芯物質が付着された基材粒子Ｓ１を含む粒子混合液（Ｂ１８）を得た。

粒子混合液（Ｂ１８）を、シアン化金カリウム２ｇ／Ｌ、クエン酸ナトリウム１０ｇ／Ｌ、エチレンジアミン四酢酸０．５ｇ／Ｌ、及び水酸化ナトリウム５ｇ／Ｌを含む溶液中に入れ、粒子混合液（Ｃ１８）を得た。

また、無電解金めっき液として、シアン化金カリウム１０ｇ／Ｌ、クエン酸ナトリウム２０ｇ／Ｌ、硝酸タリウム５ｐｐｍ、エチレンジアミン四酢酸３．０ｇ／Ｌ、水酸化ナトリウム２０ｇ／Ｌ、及びジメチルアミンボラン１０ｇ／Ｌを含む金めっき液（Ｄ１８）（ｐＨ８．０）を用意した。

また、錫溶液として、塩化錫２０ｇ／Ｌ、ニトリロ三酢酸５０ｇ／Ｌ、チオ尿素２ｇ／Ｌ、及びエチレンジアミン四酢酸７．５ｇ／Ｌを含む混合液を、硫酸にてｐＨ７．０に調整した錫めっき液（Ｅ１８）を用意した。

また、錫突起形成用還元液として、水素化ホウ素ナトリウム１０ｇ／Ｌ、及び水酸化ナトリウム５ｇ／Ｌを含む混合液を、ｐＨ１０．０に調整した還元液（Ｆ１８）を用意した。

粒子が分散している６０℃の粒子混合液（Ｃ１８）に、上記金めっき液（Ｄ１８）を徐々に滴下し、無電解金めっきを行った。金めっき液（Ｄ１８）の滴下速度は２ｍＬ／分、滴下時間は４５分間で、無電解金めっきを行った。このようにして、基材粒子Ｓ１の表面上に金金属部が配置されている粒子を含む粒子混合液（Ｇ１８）を得た。

その後、粒子混合液（Ｇ１８）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗することにより、上記基材粒子Ｓ１の表面上に金金属部を配置されている粒子を得た。この粒子を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、粒子混合液（Ｈ１８）を得た。

次に、粒子が分散している６０℃の粒子混合液（Ｈ１８）に上記錫めっき液（Ｅ１８）を徐々に入れた。その後、還元液（Ｆ１８）を徐々に滴下することで錫突起核を形成し、金金属部上に錫突起核が付着された粒子を含む粒子混合液（Ｉ１８）を得た。

その後、粒子混合液（Ｉ１８）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗することにより、上記基材粒子Ｓ１の表面上に金金属部を配置し、錫突起が形成されている粒子を得た。この粒子を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、粒子混合液（Ｊ１８）を得た。

次に、粒子が分散している６０℃の粒子混合液（Ｊ１８）に上記金めっき液（Ｄ１８）を徐々に滴下し、無電解金めっきを行った。金めっき液（Ｄ１８）の滴下速度は１ｍＬ／分、滴下時間は１０分間で、無電解金めっきを行った。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、基材粒子Ｓ１の表面上に金金属部（突起が無い部分における金属部全体の厚み：０．１μｍ）及び突起を備える金属含有粒子を得た。

（実施例６０）
酸化チタン粒子スラリー（平均粒子径１５０ｎｍ）を用意した。

アルミナ粒子スラリーを酸化チタン粒子スラリーに変更したこと以外は実施例５９と同様にして金属部を形成して、金属含有粒子を得た。

（実施例６１）
金属ニッケル粒子スラリー（平均粒子径１５０ｎｍ）を用意した。

アルミナ粒子スラリーを金属ニッケル粒子スラリーに変更したこと以外は実施例５９と同様にして金属部を形成して、金属含有粒子を得た。

（実施例６２）
４ツ口セパラブルカバー、攪拌翼、三方コック、冷却管及び温度プローブが取り付けられた１０００ｍＬのセパラブルフラスコを用意した。上記セパラブルフラスコに、メタクリル酸メチル１００ｍｍｏｌと、Ｎ，Ｎ，Ｎ－トリメチル－Ｎ－２－メタクリロイルオキシエチルアンモニウムクロライド１ｍｍｏｌと、２，２’－アゾビス（２－アミジノプロパン）二塩酸塩１ｍｍｏｌとを含むモノマー組成物を固形分率が５重量％となるようにイオン交換水に秤取した。その後、２００ｒｐｍで攪拌し、窒素雰囲気下７０℃で２４時間重合を行った。反応終了後、凍結乾燥して、表面にアンモニウム基を有し、平均粒子径２２０ｎｍ及びＣＶ値１０％の絶縁性粒子を得た。

絶縁性粒子を超音波照射下でイオン交換水に分散させ、絶縁性粒子の１０重量％水分散液を得た。

実施例４２で得られた導電性粒子１０ｇをイオン交換水５００ｍＬに分散させ、絶縁性粒子の水分散液４ｇを添加し、室温で６時間攪拌した。３μｍのメッシュフィルターでろ過した後、更にメタノールで洗浄し、乾燥し、絶縁性粒子が付着した導電性粒子を得た。

走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察したところ、導電性粒子の表面に絶縁性粒子による被覆層が１層のみ形成されていた。画像解析により導電性粒子の中心より２．５μｍの面積に対する絶縁性粒子の被覆面積（即ち絶縁性粒子の粒子径の投影面積）を算出したところ、被覆率は３０％であった。

（比較例３）
実施例４２の基材粒子Ｓ１を用意した。

パラジウム触媒液５重量％を含むアルカリ溶液１００重量部に、１０重量部の上記基材粒子Ｓ１を、超音波分散器により分散させた後、溶液をろ過することにより、基材粒子Ｓ１を取り出した。次いで、基材粒子Ｓ１をジメチルアミンボラン１重量％溶液１００重量部に添加し、基材粒子Ｓ１の表面を活性化させた。表面が活性化された基材粒子Ｓ１を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液（ａ１）を得た。

懸濁液（ａ１）を、硫酸ニッケル５０ｇ／Ｌ、硝酸タリウム３０ｐｐｍ及び硝酸ビスマス２０ｐｐｍを含む溶液中に入れ、粒子混合液（ｂ１）を得た。

また、硫酸ニッケル２００ｇ／Ｌ、次亜リン酸ナトリウム８５ｇ／Ｌ、クエン酸ナトリウム３０ｇ／Ｌ、硝酸タリウム５０ｐｐｍ、及び硝酸ビスマス２０ｐｐｍを含むニッケルめっき液（ｃ１）（ｐＨ６．５）を用意した。

粒子が分散している５０℃の粒子混合液（ｂ１）に上記ニッケルめっき液（ｃ１）を徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行った。ニッケルめっき液（ｃ１）の滴下速度は２５ｍＬ／分、滴下時間は６０分間で、無電解ニッケルめっきを行った（Ｎｉめっき工程）。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、基材粒子Ｓ１の表面上にニッケル－リン合金金属部が配置されており、金属部を備える金属含有粒子（金属部全体の厚み：０．１μｍ）を得た。

（比較例４）
金属ニッケル粒子スラリー（三井金属社製「２０２０ＳＵＳ」、平均粒子径１５０ｎｍ）１ｇを３分間かけて比較例１と同様の懸濁液（ａ１）に添加し、芯物質が付着された基材粒子Ｓ１を含む粒子混合液（ｂ２）を得た。

粒子混合液（ｂ２）を、硫酸ニッケル５０ｇ／Ｌ、硝酸タリウム３０ｐｐｍ及び硝酸ビスマス２０ｐｐｍを含む溶液中に入れ、粒子混合液（ｃ２）を得た。

また、硫酸ニッケル２００ｇ／Ｌ、次亜リン酸ナトリウム８５ｇ／Ｌ、クエン酸ナトリウム３０ｇ／Ｌ、硝酸タリウム５０ｐｐｍ、及び硝酸ビスマス２０ｐｐｍを含むニッケルめっき液（ｄ２）（ｐＨ６．５）を用意した。

粒子が分散している５０℃の粒子混合液（ｃ２）に上記ニッケルめっき液（ｄ２）を徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行った。ニッケルめっき液（ｄ２）の滴下速度は２５ｍＬ／分、滴下時間は６０分間で、無電解ニッケルめっきを行った（Ｎｉめっき工程）。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、基材粒子Ｓ１の表面上にニッケル－リン合金金属部が配置されており、表面に突起を有する金属部を備える金属含有粒子（突起が無い部分における金属部全体の厚み：０．１μｍ）を得た。

（評価）
実施例４２－６２及び比較例３，４については、以下の評価を実施した。
（１）突起の平均高さの測定
得られた金属含有粒子を含有量が３０重量％となるように、Ｋｕｌｚｅｒ社製「テクノビット４０００」に添加し、分散させて、金属含有粒子検査用埋め込み樹脂を作製した。その検査用埋め込み樹脂中に分散した金属含有粒子の中心付近を通るようにイオンミリング装置（日立ハイテクノロジーズ社製「ＩＭ４０００」）を用いて、金属含有粒子の断面を切り出した。

そして、電界放射型透過電子顕微鏡（ＦＥ－ＴＥＭ）（日本電子社製「ＪＥＭ－ＡＲＭ２００Ｆ」）を用いて、画像倍率５万倍に設定し、２０個の金属含有粒子を無作為に選択し、それぞれの金属含有粒子の突起を観察した。得られた金属含有粒子における突起の高さを計測し、それを算術平均して突起の平均高さ（ａ）とした。

（２）突起の基部の平均径の測定
得られた金属含有粒子を含有量が３０重量％となるように、Ｋｕｌｚｅｒ社製「テクノビット４０００」に添加し、分散させて、金属含有粒子検査用埋め込み樹脂を作製した。その検査用埋め込み樹脂中に分散した金属含有粒子の中心付近を通るようにイオンミリング装置（日立ハイテクノロジーズ社製「ＩＭ４０００」）を用いて、金属含有粒子の断面を切り出した。

そして、電界放射型透過電子顕微鏡（ＦＥ－ＴＥＭ）（日本電子社製「ＪＥＭ－ＡＲＭ２００Ｆ」）を用いて、画像倍率５万倍に設定し、２０個の金属含有粒子を無作為に選択し、それぞれの金属含有粒子の突起を観察した。得られた金属含有粒子における突起の基部径を計測し、それを算術平均して突起の基部の平均径（ｂ）とした。

（３）金属含有粒子の面積に対する突起部分の占有面積割合（突起がある部分の表面積の割合）の測定
走査型電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）を用いて、画像倍率を６０００倍に設定し、２０個の金属含有粒子を無作為に選択し、それぞれの金属含有粒子を撮影した。その後、ＦＥ－ＳＥＭ写真を市販の画像解析ソフトにより解析した。

平坦化等の画像処理を施した後、突起部分の面積を求め、金属部の外表面の表面積の全体１００％中の突起がある部分の表面積の割合を求めた。２０個の金属含有粒子について金属部の外表面に対する突起の占有面積を求めて、平均値を採用した。

（４）金属部全体の厚みの測定
得られた金属含有粒子を含有量が３０重量％となるように、Ｋｕｌｚｅｒ社製「テクノビット４０００」に添加し、分散させて、金属含有粒子検査用埋め込み樹脂を作製した。その検査用埋め込み樹脂中に分散した金属含有粒子の中心付近を通るようにイオンミリング装置（日立ハイテクノロジーズ社製「ＩＭ４０００」）を用いて、金属含有粒子の断面を切り出した。

そして、電界放射型透過電子顕微鏡（ＦＥ－ＴＥＭ）（日本電子社製「ＪＥＭ－ＡＲＭ２００Ｆ」）を用いて、画像倍率５万倍に設定し、２０個の金属含有粒子を無作為に選択し、それぞれの金属含有粒子の金属部を観察した。得られた金属含有粒子における金属部全体の厚みを計測し、それを算術平均して金属部の厚みとした。

（５）金属含有粒子の圧縮弾性率（１０％Ｋ値）
得られた金属含有粒子の上記圧縮弾性率（１０％Ｋ値）を、２３℃の条件で、上述した方法により、微小圧縮試験機（フィッシャー社製「フィッシャースコープＨ－１００」）を用いて測定した。１０％Ｋ値を求めた。

（６）接続構造体Ａでの金属部の突起の溶融変形及び固化状態
得られた金属含有粒子を含有量が１０重量％となるように、三井化学社製「ストラクトボンドＸＮ－５Ａ」に添加し、分散させて、異方性導電ペーストを作製した。

Ｌ／Ｓが３０μｍ／３０μｍである銅電極パターンを上面に有する透明ガラス基板を用意した。また、Ｌ／Ｓが３０μｍ／３０μｍである金電極パターンを下面に有する半導体チップを用意した。

上記透明ガラス基板上に、作製直後の異方性導電ペーストを厚さ３０μｍとなるように塗工し、異方性導電ペースト層を形成した。次に、異方性導電ペースト層上に上記半導体チップを、電極同士が対向するように積層した。その後、異方性導電ペースト層の温度が２５０℃となるようにヘッドの温度を調整しながら、半導体チップの上面に加圧加熱ヘッドを載せ、０．５ＭＰａの圧力をかけて異方性導電ペースト層を２５０℃で硬化させて、接続構造体Ａを得た。接続構造体Ａを得るために、電極間を０．５ＭＰａの低圧で接続した。

得られた接続構造体Ａを、Ｋｕｌｚｅｒ社製「テクノビット４０００」に入れて硬化させ、接続構造体検査用埋め込み樹脂を作製した。その検査用埋め込み樹脂中の接続構造体の中心付近を通るようにイオンミリング装置（日立ハイテクノロジーズ社製「ＩＭ４０００」）を用いて、金属含有粒子の断面を切り出した。

そして、走査型電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）を用いて、得られた接続構造体Ａを断面観察することで、金属含有粒子の金属部の突起が溶融変形した後固化しているか否かを判定した。

［金属部の突起の溶融変形及び固化状態の判定基準］
Ａ：金属部の突起が溶融変形した後固化している
Ｂ：金属部の突起が溶融変形した後固化していない

（７）接続構造体Ａでの金属部の突起の接合状態
上記（６）の評価で得られた接続構造体Ａにおいて、接続構造体Ａを断面観察することで、金属部の突起の接合状態を判定した。

［金属部の突起の接合状態の判定基準］
Ａ：接続部中で、金属含有粒子における金属部の突起が溶融変形した後固化し、電極及び他の金属含有粒子と接合している
Ｂ：接続部中で、金属含有粒子における金属部の突起が溶融変形した後固化し、電極及び他の金属含有粒子と接合していない

（８）接続構造体Ａでの金属部の突起の金属拡散状態
上記（６）の評価で得られた接続構造体Ａにおいて、接続構造体Ａを断面観察することで、金属部の突起の金属拡散状態を判定した。

透過型電子顕微鏡ＦＥ－ＴＥＭ（日本電子社製「ＪＥＭ－２０１０ＦＥＦ」）を用いて、エネルギー分散型Ｘ線分析装置（ＥＤＳ）により、金属含有粒子と銅電極パターン及び金電極パターンとの接触部分を線分析または、元素マッピングすることにより、金属部の突起の拡散状態を観察した。

［金属部の突起の拡散状態の判定基準］
Ａ：接続部中で、金属含有粒子における金属部の突起が銅電極パターン及び金電極パターンと金属拡散している
Ｂ：接続部中で、金属含有粒子における金属部の突起が銅電極パターン及び金電極パターンと金属拡散していない

（９）接続構造体Ａにおける接続信頼性
上記（６）の評価で得られた接続構造体Ａ１５個の上下の電極間の接続抵抗を、４端子法により測定した。接続抵抗の平均値を算出した。なお、電圧＝電流×抵抗の関係から、一定の電流を流した時の電圧を測定することにより接続抵抗を求めることができる。接続信頼性を下記の基準で判定した。

［接続信頼性の判定基準］
○○○：接続抵抗が１．０Ω以下
○○：接続抵抗が１．０Ωを超え２．０Ω以下
○：接続抵抗が２．０Ωを超え３．０Ω以下
△：接続抵抗が３．０Ωを超え５．０Ω以下
×：接続抵抗が５．０Ωを超える

（１０）接続構造体Ｂでの金属部の突起の溶融変形及び固化状態
得られた金属含有粒子を含有量が５重量％となるように、日本スペリア社製「ＡＮＰ－１」（金属原子含有粒子を含む）に添加し、分散させて、焼結銀ペーストを作製した。

第１の接続対象部材として、接続面にＮｉ／Ａｕめっきが施されたパワー半導体素子を用意した。第２の接続対象部材として、接続面にＣｕめっきが施された窒化アルミニウム基板を用意した。

第２の接続対象部材上に、上記焼結銀ペーストを、約７０μｍの厚みとなるように塗布し、接続用銀ペースト層を形成した。その後、接続用銀ペースト層上に、上記第１の接続対象部材を積層して、積層体を得た。

得られた積層体を１３０℃のホットプレートで６０秒間プレヒートした。その後、積層体を１０ＭＰａの圧力をかけて３００℃で３分加熱することにより、焼結銀ペーストに含まれている上記金属原子含有粒子を焼結させて、焼結物と金属原子含有粒子とを含む接続部を形成し、該焼結物により上記第１，第２の接続対象部材を接合して、接続構造体Ｂを得た。

得られた接続構造体Ｂを、Ｋｕｌｚｅｒ社製「テクノビット４０００」に入れて硬化させ、接続構造体検査用埋め込み樹脂を作製した。その検査用埋め込み樹脂中の接続構造体の中心付近を通るようにイオンミリング装置（日立ハイテクノロジーズ社製「ＩＭ４０００」）を用いて、金属含有粒子の断面を切り出した。

そして、走査型電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）を用いて、得られた接続構造体Ｂを断面観察することで、金属含有粒子の金属部の突起が溶融変形した後固化しているか否かを判定した。

［金属部の突起の溶融変形及び固化状態の判定基準］
Ａ：金属部の突起が溶融変形した後固化している
Ｂ：金属部の突起が溶融変形した後固化していない

（１１）接接続構造体Ｂでの金属部の突起の接合状態
上記（１０）の評価で得られた接続構造体Ｂにおいて、接続構造体Ｂを断面観察することで、金属部の突起の接合状態を判定した。

［金属部の突起の接合状態の判定基準］
Ａ：接続部中で、金属含有粒子における金属部の突起が溶融変形した後固化し、電極及び他の金属含有粒子と接合している
Ｂ：接続部中で、金属含有粒子における金属部の突起が溶融変形した後固化し、電極及び他の金属含有粒子と接合していない

（１２）接続構造体Ｂにおける接続信頼性
上記（１０）の評価で得られた接続構造体Ｂを、冷熱衝撃試験機（エスペック社製：ＴＳＡ－１０１Ｓ－Ｗ）に入れ、最低温度－４０℃で保持時間３０分、最高温度２００℃で保持時間３０分の処理条件を１サイクルとして３０００サイクル後にせん断強度試験機（レスカ社製「ＳＴＲ－１０００」）で接合強度の測定を行った。

［接続信頼性の判定基準］
○○○：接合強度が５０ＭＰａ以上
○○：接合強度が４０ＭＰａを超え５０ＭＰａ以下
○：接合強度が３０ＭＰａを超え４０ＭＰａ以下
△：接合強度が２０ＭＰａを超え３０ＭＰａ以下
×：接合強度が２０ＭＰａ以下

（１３）接続構造体Ｂにおけるパワー半導体素子の平坦度
上記（１０）の評価で得られた接続構造体Ｂのパワー半導体素子の平坦度を高精度レーザー変位計（キーエンス社製「ＬＫ－Ｇ５０００」）にて、最大変位量と最低変位量を測定した。得られた測定値から、上記平坦度を下記式により求めた。

平坦度（μｍ）＝最大変位量（μｍ）－最低変位量（μｍ）

［平坦度の判定基準］
○○○：平坦度が０．５μｍ以下
○○：平坦度が０．５μｍを超え１μｍ以下
○：平坦度が１μｍを超え５μｍ以下
△：平坦度が５μｍを超え１０μｍ以下
×：平坦度が１０μｍを超える

詳細及び結果を表１１～１３に示す。

なお、突起における球状は、球の一部の形状を含む。なお、比較例４では、４００℃まで加熱しても、突起の成分が金属拡散せず、突起が溶融変形しないことを確認した。

なお、はんだを含む金属部を形成した実施例４２－６２の金属含有粒子では、接続構造体において、はんだと電極の材料とが合金化し、金属原子含有粒子の電極に接する部分が、はんだ合金を含んでいた。

１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，１Ｅ，１Ｆ，１Ｇ…金属含有粒子
１ａ，１Ａａ，１Ｂａ，１Ｃａ，１Ｄａ，１Ｅａ，１Ｆａ，１Ｇａ…突起
２…基材粒子
３，３Ａ，３Ｂ，３Ｃ，３Ｄ，３Ｅ，３Ｆ，３Ｇ…金属部（金属層）
３ａ，３Ａａ，３Ｂａ，３Ｃａ，３Ｄａ，３Ｅａ，３Ｆａ，３Ｇａ…突起
３ＢＸ…金属粒子
３ＣＡ，３ＧＡ…第１の金属部
３ＣＢ，３ＧＢ…第２の金属部
３Ｄａ，３Ｅａ，３Ｆａ，３Ｇａ…凸部
３Ｄｂ，３Ｅｂ，３Ｆｂ，３Ｇｂ…突起
４Ｅ…芯物質
５，５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５Ｄ，５Ｅ，５Ｆ，５Ｇ…金属膜
１１，１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ，１１Ｄ，１１Ｅ…金属含有粒子
１１ａ，１１Ａａ，１１Ｂａ，１１Ｃａ，１１Ｄａ，１１Ｅａ…突起
１３，１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄ，１３Ｅ…金属部（金属層）
１３ａ，１３Ａａ，１３Ｂａ，１３Ｃａ，１３Ｄａ，１３Ｅａ…突起
１３Ｘ，１３ＡＸ，１３ＢＸ，１３ＣＸ，１３ＤＸ，１３ＥＸ…第１の金属部
１３Ｙ，１３ＡＹ，１３ＢＹ，１３ＣＹ，１３ＤＹ，１３ＥＹ…第２の金属部
１３ＡＺ，１３ＢＺ…第３の金属部
２１…導通検査用部材
２２…基体
２２ａ…貫通孔
２３…導電部
３１…ＢＧＡ基板
３１Ａ…多層基板
３１Ｂ…はんだボール
３２…電流計
４１…導通検査用部材
４２…基体
４２ａ…貫通孔
４３…導電部
５１…接続構造体
５２…第１の接続対象部材
５２ａ…第１の電極
５３…第２の接続対象部材
５３ａ…第２の電極
５４…接続部
６１…接続構造体
６２…第１の接続対象部材
６３，６４…第２の接続対象部材
６５，６６…接続部
６７…他の金属含有粒子
６８，６９…ヒートシンク

Claims (14)

1. 外表面に複数の突起を有する金属含有粒子であり、
   基材粒子と、
   前記基材粒子の表面上に配置されており、かつ、外表面に複数の突起を有する金属部と、
   前記金属部の外表面を被覆する金属膜とを備え、
   前記金属含有粒子の前記突起の先端は、４００℃以下で溶融可能である、金属含有粒子。
2. 前記金属膜が、前記金属部の前記突起の先端を被覆している、請求項１に記載の金属含有粒子。
3. 前記金属膜の、前記金属部の前記突起の先端を被覆している部分が、４００℃以下で溶融可能である、請求項１又は２に記載の金属含有粒子。
4. 前記金属膜の厚みが、０．１ｎｍ以上５０ｎｍ以下である、請求項１～３のいずれか１項に記載の金属含有粒子。
5. 前記金属膜の材料が、金、パラジウム、白金、ロジウム、ルテニウム又はイリジウムを含む、請求項１～４のいずれか１項に記載の金属含有粒子。
6. 前記金属含有粒子が、外表面に複数の凸部を有し、
   前記金属含有粒子が、前記凸部の外表面に前記突起を有する、請求項１～５のいずれか１項に記載の金属含有粒子。
7. 前記凸部の平均高さの、前記金属含有粒子における前記突起の平均高さに対する比が、５以上１０００以下である、請求項６に記載の金属含有粒子。
8. 前記凸部の基部の平均径が、３ｎｍ以上５０００ｎｍ以下である、請求項６又は７に記載の金属含有粒子。
9. 前記金属含有粒子の外表面の表面積１００％中、前記凸部がある部分の表面積の割合が１０％以上である、請求項６～８のいずれか１項に記載の金属含有粒子。
10. 前記凸部の形状が、針状又は球体の一部の形状である、請求項６～９のいずれか１項に記載の金属含有粒子。
11. 前記金属含有粒子における前記突起の材料が、銀、銅、金、パラジウム、錫、インジウム又は亜鉛を含む、請求項１～１０のいずれか１項に記載の金属含有粒子。
12. 前記金属部の材料が、はんだではない、請求項１～１１のいずれか１項に記載の金属含有粒子。
13. 貫通孔を有する基体と、導電部とを備え、
    前記貫通孔が、前記基体に複数配置されており、
    前記導電部が、前記貫通孔内に配置されており、
    前記導電部の材料が、請求項１～１２のいずれか１項に記載の金属含有粒子を含む、導通検査用部材。
14. 電流計と、
    請求項１３に記載の導通検査用部材とを備える、導通検査装置。

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