TWI515161B - 基板浮上搬送方法及基板浮上搬送裝置以及基板處理裝置 - Google Patents

基板浮上搬送方法及基板浮上搬送裝置以及基板處理裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI515161B
TWI515161B TW101107911A TW101107911A TWI515161B TW I515161 B TWI515161 B TW I515161B TW 101107911 A TW101107911 A TW 101107911A TW 101107911 A TW101107911 A TW 101107911A TW I515161 B TWI515161 B TW I515161B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
floating
substrate
pressure gas
discharge pressure
pressure
Prior art date
Application number
TW101107911A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201305034A (zh
Inventor
稻益壽史
宮崎文宏
Original Assignee
東京威力科創股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 東京威力科創股份有限公司 filed Critical 東京威力科創股份有限公司
Publication of TW201305034A publication Critical patent/TW201305034A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI515161B publication Critical patent/TWI515161B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
    • B65G49/00—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for
    • B65G49/05—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles
    • B65G49/06—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles for fragile sheets, e.g. glass
    • B65G49/061—Lifting, gripping, or carrying means, for one or more sheets forming independent means of transport, e.g. suction cups, transport frames
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
    • B65G49/00—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for
    • B65G49/05—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles
    • B65G49/06—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles for fragile sheets, e.g. glass
    • B65G49/063—Transporting devices for sheet glass
    • B65G49/064—Transporting devices for sheet glass in a horizontal position
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
    • B65G51/00—Conveying articles through pipes or tubes by fluid flow or pressure; Conveying articles over a flat surface, e.g. the base of a trough, by jets located in the surface
    • B65G51/02—Directly conveying the articles, e.g. slips, sheets, stockings, containers or workpieces, by flowing gases
    • B65G51/03—Directly conveying the articles, e.g. slips, sheets, stockings, containers or workpieces, by flowing gases over a flat surface or in troughs
    • B65G51/035—Directly conveying the articles, e.g. slips, sheets, stockings, containers or workpieces, by flowing gases over a flat surface or in troughs for suspended articles, e.g. bottles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes

Description

基板浮上搬送方法及基板浮上搬送裝置以及基板處理裝置
本發明是有關在平台上將基板浮上搬送的基板浮上搬送方法及裝置，以及在浮上搬送中對於基板實施所望的處理之基板處理裝置。
例如，在平面顯示器(FPD)製造的光微影技術工程中，一邊使被處理基板(例如玻璃基板)在平台上浮上搬送，一邊由設置在平台上方的長形的噴嘴來使阻劑液吐出，藉此從基板上的一端到另一端塗佈阻劑液之浮上搬送方式的阻劑塗佈裝置會被使用。
被使用於如此的浮上搬送方式的阻劑塗佈裝置的浮上平台是從其上面(浮上面)向垂直上方噴出高壓的氣體(通常是空氣)，藉由其高壓氣體的壓力來使基板以水平姿勢浮起。然後，被配置於浮上平台的左右兩側的直進運動型的搬送部會可裝卸地保持浮在浮上平台上的基板，在平台長度方向搬送基板。
通常，浮上平台的上面(浮上面)是沿著搬送方向來分割成搬入區域、塗佈區域及搬出區域的3個。塗佈區域是在此對基板上供給阻劑液的區域，長形阻劑噴嘴是被配置於塗佈區域的中心部的上方。塗佈區域的浮上高度是在於規定阻劑噴嘴的下端(吐出口)與基板上面(被處理面)之間的塗佈間隙。此塗佈間隙是左右阻劑塗佈膜的膜厚或阻劑 消耗量的重要參數，需要以高的精度來維持於一定。因此，在塗佈區域的浮上面也設有多數個以負壓來吸入周圍的氣體(空氣)的吸引口，使混於噴出高壓氣體的噴出口。然後，對於通過基板的塗佈區域的部分，從噴出口施加高壓空氣之垂直向上的力量的同時，藉由吸引口來施加負壓吸引力之垂直向下的力量，控制相對抗的雙向的力量的平衡，藉此使預定的浮上高度(通常30~60μm)以大的浮上剛性來安定地保持，若在基板有彎曲則予以矯正成水平。並且，在塗佈區域中，為了如此安定地保持精密的浮上高度，例如亦進行利用光學式的浮上高度感測器的反餽控制。
對於此，搬入區域是進行基板的搬入及浮上搬送的開始的區域，搬出區域是進行浮上搬送的終了及基板的搬出的區域。通常，搬入區域及搬出區域是無吸引口，只將噴出口設於一面，以利用開迴路控制之一定的噴出壓力來使高壓空氣從各噴出口噴出，而使浮上高度能夠通常被保持於200~2000μm的範圍內。
另外，所謂此種的浮上平台的浮上高度是基板的最下部與平台上面(浮上面)之間的距離間隔。因此，例如矩形的基板的周緣部為沿著下降的方向時，其基板周緣部的下端與平台上面(浮上面)之間的距離間隔會成為浮上高度。
[先行技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]特開2005-244155號公報
在以往的此種的阻劑塗佈裝置中，是以被處理對象之中假想最難浮起的基板或彎曲最大的基板為基準，提高設定高壓氣體的噴出壓力，而使浮上搬送中不會有基板摩擦到浮上平台(特別是搬入區域或搬出區域)的浮上面的情形。然而，因此，當容易浮上而彎曲少的基板被搬入浮上平台上時，高壓氣體的噴出壓力會過剩，必要以上消耗高壓氣體的情形會成問題。而且，一旦高壓氣體的噴出壓力過剩，則會有搬入區域及搬出區域的浮上高度超過最適範圍(200~2000μm)的情形。如此一來，塗佈區域側的負擔，亦即增強浮上剛性來保持精密浮上高度(30~60μm)的負擔會增大，即使在塗佈區域，高壓氣體及真空的使用消耗量也會增加。
本發明是解決上述那樣的以往技術的課題者，提供一種一面使浮上平台的基板的浮上高度或姿勢最適化，一面改善浮上用高壓氣體的消耗效率之基板浮上搬送方法及基板浮上搬送裝置。
又，本發明是在於提供一種改善塗佈處理的可靠度、再現性及效率的基板處理裝置。
本發明的基板浮上搬送方法，係藉由從浮上平台的浮上面噴出的氣體的壓力來使基板浮在空中，使浮在空中的 前述基板在前述浮上平台上搬送於水平方向之基板浮上搬送方法，將前述浮上平台的浮上面區劃成複數的浮上區域，按照前述基板的種類、屬性或彎曲狀態或前述基板的部位，使前述氣體的噴出壓力在每個的前述浮上區域可獨立改變或ON．OFF控制。
又，本發明的基板浮上搬送裝置係具有：浮上平台，其係具有被區劃成複數的浮上區域的浮上面，從前述浮上面噴出高壓的氣體來使基板浮在空中；高壓氣體供給源，其係送出高壓氣體；噴出壓力控制部，其係設在前述高壓氣體供給源與複數的前述浮上區域之間，按照前述基板的種類、屬性或彎曲狀態或前述基板的部位，使高壓氣體的噴出壓力在每個的前述浮上區域可獨立改變或ON．OFF控制；及基板搬送部，其係可裝卸地保持浮在空中的前述基板，而搬送於前述浮上平台上。
在本發明的基板浮上搬送方法或基板浮上搬送裝置中是將浮上平台的浮上面區劃成複數的浮上區域，可獨立改變各浮上區域的噴出壓力或ON．OFF控制，藉此可按照基板的種類、屬性或彎曲狀態來謀求基板的浮上高度乃至矯正的最適化，且使高壓氣體等使用的使用效率提升。
又，本發明的基板處理裝置是具有：本發明的基板浮上搬送裝置；噴嘴，其係於搬送方向的預定位置配置於前述浮上平 台的上方，朝通過其正下面的前述基板吐出處理液；處理液供給部，其係對前述噴嘴供給前述處理液。
本發明的基板處理裝置可藉由包括本發明的基板浮上搬送裝置的上述構成來改善浮上式塗佈處理的可靠度、再現性及效率。
若根據本發明的基板浮上搬送方法或基板浮上搬送裝置，則可藉由上述那樣的構成及作用來一面使浮上平台的基板的浮上高度或姿勢最適化，一面改善浮上用高壓氣體等的使用消耗效率。
又，若根據本發明的基板處理裝置，則可藉由上述那樣的構成及作用來改善塗佈處理的可靠度、再現性及效率。
以下，參照附圖來說明本發明的較佳的實施形態。
根據圖1~圖3來說明本發明之一實施形態的阻劑塗佈裝置的全體構成及作用。此阻劑塗佈裝置是例如以LCD(液晶顯示器)用的矩形的玻璃基板G作為被處理基板。
如圖1所示，在浮上平台10的上面或浮上面，噴出高壓的氣體(例如空氣)的多數個噴出口12會被形成於一面。在浮上平台10的左右兩側配置有直進運動型的第1( 左側)及第2(右側)的搬送部16L，16R。該等的搬送部16L，16R是分別單獨或兩者協力，將浮在平台10上的基板G予以可裝卸地保持而使基板G能夠搬送於平台長度方向(X方向)。在浮上平台10上，基板G是取其一對的邊與搬送方向(X方向)平行，其他一對的邊與搬送方向正交那樣的水平姿勢來浮上搬送。
如圖2所示，浮上平台10是沿著其長度方向(X方向)來分割成複數例如3個區域MIN，MCT，MOUT。一端的區域MIN是搬入區域，應接受阻劑塗佈處理的新的基板G是從例如在搬送方向上游側與浮上平台10鄰接的第1分類機單元(未圖示)使被處理基板G在水平的狀態下於X方向水平搬入至此搬入區域MIN。
搬入區域MIN亦為基板G的浮上搬送開始的區域，在此區域的浮上面，為了使基板G以適於搬入的浮上搬送的浮上高度Hβ浮起，而於一面設有多數的噴出口12。此搬入區域MIN的基板G的浮上高度Hβ不需要特別高的精度，例如只要保持於200~2000μm的範圍內即可。並且，在搬送方向(X方向)，搬入區域MIN的大小是超過基板G的大小為理想。而且，亦可在搬入區域MIN設置用以將基板G對位於平台10上的對準部(未圖示)。
被設定於浮上平台10的長度方向中心部的區域MCT是阻劑液供給區域或塗佈區域，基板G是在通過此塗佈區域MCT時從上方的阻劑噴嘴18接受阻劑液R的供給。在此塗佈區域MCT的浮上面，為了使基板G以浮上剛性 大的精密浮上高度Hα(標準值：30~60μm)安定地浮起，而使噴出高壓空氣的噴出口12及以負壓來吸入周圍的空氣的吸引口14以一定的密度或配置形式混在設置。
搬送方向(X方向)的塗佈區域MCT的大小是只要具有可在阻劑噴嘴18的正下面附近保持上述那樣的浮上剛性大的精密浮上高度Hα程度的空間即可，所以通常是比基板G的尺寸更小即可，例如1/3~1/10程度。
位於塗佈區域MCT的下游側的浮上平台10的另一端的區域MOUT是搬出區域。在阻劑塗佈裝置接受塗佈處理的基板G是從此搬出區域MOUT經由例如在搬送方向下游側與浮上平台10鄰接的第2分類機單元(未圖示)來往其次工程的基板處理裝置例如減壓乾燥裝置(未圖示)使被處理基板G在水平的狀態下於X方向水平移送。在此搬出區域MOUT的浮上面，為了使基板G以適於搬出的浮上搬送的浮上高度Hβ(例如200~2000μm)浮起，而於一面設置多數個噴出口12。
阻劑噴嘴18是在其長度方向(Y方向)具有可從一端到另一端涵蓋浮上平台10上的基板G之縫隙狀的吐出口18a，被安裝於門形或顛倒字形的框架(未圖示)，可例如以具有滾珠螺桿機構的噴嘴昇降部(未圖示)的驅動來昇降移動，連接至來自阻劑液供給部(未圖示)的阻劑液供給管20。
第1(左側)及第2(右側)的搬送部16L，16R是分別具有： 第1及第2導軌22L，22R，其係平行配置於浮上平台10的左右兩側；第1及第2滑塊24L，24R，其係於該等的導軌22L，22R上可移動地安裝於搬送方向(X方向)；第1及第2搬送驅動部(未圖示)，其係使兩滑塊24L，24L同時或個別地直進移動於兩導軌22L，22R上；第1及第2保持部26L，26R，其係為了可裝卸地保持基板G而被搭載於兩滑塊24L，24R。
各搬送驅動部是藉由直進型的驅動機構例如線性馬達所構成。
第1(左側)的保持部26L是具有：複數個的吸附墊28L，其係分別以真空吸附力來結合於基板G的左側二角落的背面(下面)；複數個的墊支撐部30L，其係於搬送方向(X方向)取一定的間隔的複數處限制鉛直方向的變位而來支撐各吸附墊28L；及複數個的墊促動器32L，其係使該等複數個的墊支撐部30L分別獨立昇降移動或昇降變位。
第2(右側)的保持部26R是具有：複數個的吸附墊28R，其係分別以真空吸附力來結合於基板G的左側二角落的背面(下面)；複數個的墊支撐部30R，其係於搬送方向(X方向)取一定的間隔的複數處限制鉛直方向的變位而來支撐各吸附墊28R；及 複數個的墊促動器32R，其係使該等複數個的墊支撐部30R分別獨立昇降移動或昇降變位。
左右兩側的各吸附墊28L，28R雖圖示省略，但實際在例如由不鏽鋼(SUS)所構成的長方體形狀的墊本體的上面設置複數個的吸引口。該等的吸引口是經由墊本體內的真空通路及外部的真空管來分別連通至墊吸附控制部的真空源(未圖示)。
在此阻劑塗佈裝置中，進行阻劑塗佈處理時，如圖3所示般，基板G藉由浮上搬送來從搬入區域MIN進入塗佈區域MCT時，基板G的浮上高度會逐漸地下降，從粗略大的浮上高度Hβ變化至精密小的浮上高度Hα。而且，在塗佈區域MCT內，特別是在阻劑噴嘴18的正下面附近，基板G的浮上高度(精密浮上高度)Hα會被保持於標準值(30~60μm)。一旦基板G超過塗佈區域MCT，則基板G的浮上高度會逐漸地增大至粗略浮上高度Hβ的標準值(200~2000μm)。
如此，基板G在塗佈區域MCT內不會跳動於上下來保持精密浮上高度Hα移動，藉此藉由阻劑噴嘴18來帶狀供給的阻劑液R會在基板G上被均一地塗佈，從基板G的前端往後端以一定的膜厚形成阻劑液R的塗佈膜RM。
此實施形態是藉由以下所述那樣的浮上平台10上的空間性且時間性的噴出壓力的可變控制乃至ON．OFF控制機能，一面使在浮上平台10上所浮上搬送的基板G的浮上高度或姿勢最適化，一面改善浮上用高壓氣體的消耗 效率進而真空消耗效率。
如圖4以點線所示般，此實施形態的浮上平台10是將搬入區域MIN及搬出區域MOUT的浮上面分別區劃成多數的浮上區域。更詳細，搬入區域MIN的浮上面是在搬送方向(X方向)被區劃成複數個(m個)的長方形區域E1，E2，．．，Em，且在各個的長方形區域Ei(i=1，2，．．，m)與搬送方向正交的水平方向(Y方向)區劃成左右兩端部的浮上區域ALi，ARi及中間部的浮上區域ASi。若全體來看，則左端浮上區域(AL1，AL2，．．，ALm)、中間浮上區域(AS1，AS2，．．，ASm)及右端浮上區域(AR1，AR2，．．，ARm)會在搬送方向(X方向)分別排列成一列而形成第1、第2及第3浮上區域群38(1)，38(2)，38(3)。
另一方面，搬出區域MOUT的浮上面是在搬送方向(X方向)被區劃成複數個(n個)的長方形區域F1，F2，．．，Fn，且在各個的長方形區域Fj(j=1，2，．．，n)與搬送方向正交的水平方向(Y方向)區劃成左右兩端部的浮上區域BLj，BRj及中間部的浮上區域BSj。若全體來看，則左端浮上區域(BL1，BL2，．．，BLm)、中間浮上區域(BS1，BS2，．．，BSm)及右端浮上區域(BR1，BR2，．．，BRm)會在搬送方向(X方向)分別排列成一列而形成第4、第5及第6浮上區域群38(4)，38(5)，38(6)。
上述那樣的第1~第6浮上區域群38(1)~38(6)的各浮上區域ALi，ARi，ASi，BLj，BRj，BSj內所分布的噴出口12的密度及/或配置形式，可為相同或相異，可分別 獨立選定。如圖2所示，此實施形態是在搬入區域MIN及搬出區域MOUT的左端浮上區域ALi，BLj及右端浮上區域ARi，BRj設定同一的噴出口密度及配置形式，在搬入區域MIN及搬出區域MOUT的中間浮上區域ASi，BSj設定同一的噴出口密度及配置形式。而且，為了提高面積小的兩端的浮上區域ALi，BLj，ARi，BRj的每單位面積的回應性，而將該等的噴出口密度形成比面積大的中間浮上區域ASi，BSj的噴出口密度更高。
在圖5A及圖5B中顯示用以控制浮上平台10的搬入區域MIN及搬出區域MOUT的高壓氣體的噴出壓力之噴出壓力控制部40的構成。
此實施形態的噴出壓力控制部40是例如構成設於由壓縮機所構成的高壓氣體供給源42與各浮上區域ALi，ASi，ARi，BLj，BSj，BRj之間，按照基板G的種類、屬性或彎曲狀態或基板G的部位，使高壓氣體的噴出壓力在每個的浮上區域ALi，ASi，ARi，BLj，BSj，BRj可獨立改變或ON．OFF控制。
此噴出壓力控制部40是具有：高壓氣體流路網44，其係用以將來自高壓氣體供給源42的高壓氣體分配供給至各浮上區域ALi，ASi，ARi，BLj，BSj，BRj；複數(3個)的調壓閥46，48，50，其係於此高壓氣體流路網44中將來自高壓氣體供給源42的一次高壓氣體減壓，而分別輸出被調整成複數階段(例如強．中．弱的3階 段)的壓力之二次高壓氣體；切換閥52ALi，52ASi，52ARi，52BLj，52BSj，52BRj，其係用以對於各浮上區域ALi，ASi，ARi，BLj，BSj，BRj個別地選擇來自該等的調壓閥46，48，50的3種類的二次高壓氣體的其中任一個；開閉閥54ALi，54ASi，54ARi，54BLj，54BSj，54BRj，其係用以使各浮上區域ALi，ASi，ARi，BLj，BSj，BRj的高壓氣體的噴出個別地ON．OFF；及控制器55，其係個別地控制上述調壓閥、切換閥及開閉閥。
在此噴出壓力控制部40中，藉由上述的構成，可按各浮上區域使高壓氣體的噴出ON．OFF，且可將噴出壓力改變成「強」、「中」、「弱」的3種(3階段)。例如，針對浮上區域ALi是若使開閉閥54AL1形成ON，將切換閥52AL1切換至調壓閥46，則選擇「強」的噴出壓力，若將切換閥52AL1切換至調壓閥48，則選擇「中」的噴出壓力，若將切換閥52AL1切換成調壓閥50，則選擇「弱」的噴出壓力。若使開閉閥54AL1形成OFF，則不會從浮上區域ALi噴出高壓空氣。
另外，在高壓氣體流路網44的途中，例如在各開閉閥54ALi，54ASi，54ARi，54BLj，54BSj，54BRj與各浮上區域ALi，ASi，ARi，BLj，BSj，BRj之間是設有用以對分布於各浮上區域ALi，ASi，ARi，BLj，BSj，BRj內的多數個噴出口12以均一的壓力來分配高壓空氣之岐管 或緩衝室(未圖示)。
控制器55是例如由微電腦所構成，除了進行上述噴出壓力控制部40內的各部的控制以外，亦對於此阻劑塗佈裝置內的其他機構，例如阻劑液供給部、基板搬送部等進行控制，更在阻劑塗佈處理中控制裝置全體的順序。
控制器55是與總括控制裝入此阻劑塗佈處理裝置的上位系統(例如塗佈顯像處理裝置)的主電腦(未圖示)交換種種的資料及訊號。特別是有關被搬入至此阻劑塗佈處理裝置的處理對象的基板G，例如以批單位由主電腦來接收基板的種類或屬性(例如長度×寬度大小、厚度、材質、底層膜的層順位．種類等)的資訊。
控制器55可根據如此的屬性資訊，藉由預定的算法來針對處理對象的基板G推定其浮上特性或彎曲情形。例如，由基板的大小、厚度、材質等的資料來求取每單位面積的重量，為了使該基板浮起於所望的浮上高度，而可決定必要的噴出壓力。並且，基板的彎曲主要是因為至此層疊形成於基板上的複數層(特別是金屬配線層)間的雙金屬效應所引起。因此，彎曲的種類(型態)及程度會按照此次接受阻劑塗佈處理的底層膜的層順位或種類而改變。相反的，可根據有關底層膜的資訊來推定彎曲的種類(型態)及程度。
不過，有關基板的彎曲是如圖3所示般，例如在浮上平台10的入口附近可適合設置光學式的彎曲檢測部56。此彎曲檢測部56是在與搬送方向正交的水平方向(Y方向 )以一定間隔排列成一列配置複數個的光學式距離感測器58，從上述第1分類機單元使被處理基板G以水平的狀態在X方向水平地流動於浮上平台10上而搬入於浮上平台10上的基板G通過正下方時，經由該等複數的光學式距離感測器58來光學性地掃描監視基板G的2次元的平坦度，可正確地測定基板G的彎曲的種類(型態)及程度。彎曲檢測部56的訊號處理是可以專用的運算電路來進行，或控制器55兼用進行。
其次，根據圖6~圖11來說明此實施形態的噴出壓力控制部40的作用。另外，在以下的說明是敘述有關基板G移動於浮上平台10的搬入區域MIN上時的作用，但移動於搬出區域MOUT上時基本上是相同。
第1例，如圖6A及圖6B所示般，以均一的噴出壓力使浮上時4邊的周緣部比中心部還低垂那樣彎曲的基板G作為處理對象來搬入至浮上平台10上。此情況是基板G藉由浮上搬送來移動於搬入區域MIN上時，在噴出壓力控制部40中使搬入區域MIN內的各浮上區域的高壓氣體的噴出壓力配合基板G的移動來可依序改變或進行ON．OFF的控制，而使對於基板G的4邊的周緣部之高壓氣體的噴出壓力能夠形成比對於基板G的中心部之高壓氣體的噴出壓力更相對性地高。
因此，在浮上平台10上移動的基板G位於圖7的(a)所示的位置時，位在基板G的4邊的周緣部之下的浮上區域(AL2~AL9)、(AS2，AS3，AS8，AS9)、(AR2~AR9) 的高壓氣體的噴出壓力會例如被控制成「強」，位在基板G的中心部之下的浮上區域(AS4~AS7)的高壓氣體的噴出壓力會被控制較低的值例如「中」。而且，在其他的浮上區域(AL1，AL10~AL12)、(AS1，AS10~AS12)、(AR1，AR10~AR12)中，高壓氣體的噴出會被控制成OFF。
緊接著，當基板G位於圖7的(b)所示的位置時，此時點位在基板G的4邊的周緣部之下的浮上區域(AL3~AL10)、(AS3，AS4，AS9，AS10)、(AR3~AR10)的高壓氣體的噴出壓力會被控制成「強」，位在基板G的中心部之下的浮上區域(AS5~AS8)的高壓氣體的噴出壓力會被控制成「中」。而且，在其他的浮上區域(AL1，AL2，AL11，AL12)、(AS1，ASL2，AS11，AS12)、(AR1，AR2，AR11，AR12)中，高壓氣體的噴出會被控制成OFF。
而且緊接著，當基板G位於圖7的(c)所示的位置時，此時點位在基板G的4邊的周緣部之下的浮上區域(AL4~AL11)、(AS4，AS5，AS10，AS11)、(AR4~AR11)的高壓氣體的噴出壓力會被控制成「強」，位在基板G的中心部之下的浮上區域(AS6~AS9)的高壓氣體的噴出壓力會被控制成「中」。而且，在除此以外的浮上區域(AL1，AL2，AL3，AL12)、(AS1，AS2，AS3，AS12)、(AR1，AR2，AR3，AR12)中，高壓氣體的噴出會被控制成OFF。
另外，當基板G為輕薄時，亦可將位於基板G的中心部之下的各浮上區域的高壓氣體的噴出壓力控制成「弱」，將位於基板G的4邊的周緣部之下的各浮上區域的 高壓氣體的噴出壓力控制成「中」或「強」。
如上述般，藉由使對於基板G的4邊的周緣部之高壓氣體的噴出壓力形成比對於基板G的中心部之高壓氣體的噴出壓力更相對性地高，如圖6A及圖6B所示般，亦可取得將基板G的4邊的彎曲矯正至某程度的效果。
第2例，如圖8A及圖8B所示般，以均一的噴出壓力使浮上時4邊的周緣部比中心部還升起那樣彎曲的基板G作為處理對象來搬入至浮上平台10上。此情況是基板G藉由浮上搬送來移動於搬入區域MIN上時，在噴出壓力控制部40中使搬入區域MIN內的各浮上區域的高壓氣體的噴出壓力配合基板G的移動來可依序改變或進行ON．OFF的控制，而使對於基板G的4邊的周緣部之高壓氣體的噴出壓力能夠形成比對於基板G的中心部之高壓氣體的噴出壓力更相對性地低。
例如圖9所示般，位於基板G的中心部之下的浮上區域(圖9的(a)的場面是將AS4~AS7)的高壓氣體的噴出壓力控制成「強」，將位於基板G的4邊的周緣部之下的浮上區域(AL2~AL9，AS2，AS3，AS8，AS9，AR2~AR9)的高壓氣體的噴出壓力控制成「中」(或「弱」)，在除此以外的浮上區域(AL1，AL10~AL12，AS1，AS10~AS12，AR1，AR10~AR12)中進行使高壓氣體的噴出形成OFF的控制。
或，當基板G為輕薄時，亦可將位於基板G的中心部之下的各浮上區域的高壓氣體的噴出壓力控制成「中」 ，將位於基板G的4邊的周緣部之下的各浮上區域的高壓氣體的噴出壓力控制成「弱」。
如上述般，藉由使對於基板G的4邊的周緣部之高壓氣體的噴出壓力形成比對於基板G的中心部之高壓氣體的噴出壓力更相對性地低，如圖8A及圖8B所示般，亦可取得將基板G的4邊的彎曲矯正至某程度的效果。
第3例，圖示省略，以均一的噴出壓力使浮上時搬送方向的左右2邊的周緣部比中心部還下垂那樣彎曲的基板G作為處理對象來搬入至浮上平台10上。此情況是基板G藉由浮上搬送來移動於搬入區域MIN上時，在噴出壓力控制部40中使搬入區域MIN內的各浮上區域的高壓氣體的噴出壓力配合基板G的移動來可依序改變或進行ON．OFF的控制，而使對於基板G的左右2邊的周緣部之高壓氣體的噴出壓力能夠形成比對於基板G的中間部之高壓氣體的噴出壓力更相對性地高。
例如圖10所示般，位於基板G的左右2邊的周緣部之下的各浮上區域(圖10的(a)的場面是將AL2~AL9，AR2~AR9)的高壓氣體的噴出壓力控制成「強」，將位於基板G的中間部之下的各浮上區域(AS2~AS9)的高壓空氣的噴出壓力控制成「中」(或「弱」)，在除此以外的浮上區域(AL1，AL10~AL12，AS1，AS10~AS12，AR1，AR10~AR12)中進行使高壓氣體的噴出形成OFF的控制。
第4例，圖示省略，以均一的噴出壓力使浮上時搬送方向的前後2邊的周緣部比中心部還下垂那樣彎曲的基板 G作為處理對象來搬入至浮上平台10上。此情況是基板G藉由浮上搬送來移動於搬入區域MIN上時，在噴出壓力控制部40中使搬入區域MIN內的各浮上區域的高壓氣體的噴出壓力配合基板G的移動來可依序改變或進行ON．OFF的控制，而使對於基板G的前後2邊的周緣部之高壓氣體的噴出壓力能夠形成比對於基板G的中間部之高壓氣體的噴出壓力更相對性地高。
例如圖11所示，位於基板G的前後2邊的周緣部之下的浮上區域(圖11的(a)的場面是將AL2，AL3，AL8，AL9，AS2，AS3，AS8，AS9，AR2，AR3，AR8，AR9)的高壓氣體的噴出壓力控制成「強」，將位於基板G的中間部之下的浮上區域(AL4~AL7，AS4~AS7，AR4~AR7)的高壓氣體的噴出壓力設為「中」(或「弱」)，在除此以外的浮上區域(AL1，AL10~AL12，AS1，AS10~AS12，AR1，AR10~AR12)中進行使高壓氣體的噴出形成OFF的控制。
如此，可按照基板G所被選擇的預定部位(例如周緣部/中心部)是否在正上方或其近旁，使各個浮上區域的高壓空氣的噴出壓力可變或ON．OFF控制，藉此可使對於浮上平台10上的基板G的浮上高度及其彎曲狀態的矯正力最適化，且可使利用於浮上搬送的高壓氣體的消耗效率提升。因此，可改善塗佈處理的可靠度、再現性及效率。
在圖12中顯示用以在塗佈區域MCT將基板G的浮上高度(精密浮上高度)Hα保持於設定值的浮上壓力控制機構 之一例。
在此浮上壓力控制機構中，高壓氣體供給源42是經由配管或高壓氣體供給管60來連接至浮上平台10的塗佈區域MCT專用的高壓氣體導入口62，在此高壓氣體供給管60的途中設有例如由電空比例閥所構成的比例控制閥64。另一方面，工廠使用的真空源66是經由配管或真空管68來連接至塗佈區域MCT專用的真空導入口70，在此真空管68的途中設有氣導閥72。
而且，在浮上平台10安裝有光學式的距離感測器74。此光學式距離感測器74是朝頭頂上的基板G照射光射束LB，接受來自基板G的下面的反射光，由該受光位置求取預定的測定基準高度位置與基板G的下面之間的距離進而基板G的浮上高度的測定值[Hα]。控制器55是以其測定值[Hα]能夠與精密浮上高度Hα的設定值一致的方式控制比例控制閥64及氣導閥72的開度。
此實施形態是如上述般在搬入區域MIN及搬出區域MOUT中基板G的浮上高度及姿勢會被最適化，因此在塗佈區域MCT中用以使基板G的浮上高度(精密浮上高度)Hα對上設定值之浮上壓力控制機構的負擔會被減輕。而且，在浮上壓力控制機構消耗的高壓氣體的消耗效率及真空消耗效率也會被改善。
[其他的實施形態或變形例]
以上，說明本發明的較佳的一實施形態，但本發明並 非限於上述實施形態，亦可在其技術思想的範圍內實施各種的變形。
例如，亦可將上述實施形態的噴出壓力控制部40變形成圖13所示那樣的構成。此變形例是對於浮上平台10的左右兩端部的浮上區域AL1~ALm，AR1~ARm(BL1~BLn，BR1~BRn)設置共通的比例控制閥76。比例控制閥76是例如由電空比例閥所構成，在控制器55的控制下連續性地輸出可變的二次高壓氣體。藉由此變形例，也可實現上述第1~第4噴出壓力控制法(圖7、圖9、圖10、圖11)。
亦可將噴出壓力控制部40形成圖14所示那樣的構成，作為別的實施例。此構成例是於浮上平台10的左右兩端部的浮上區域AL1~ALm，AR1~ARm(BL1~BLm，BR1~BRm)設置共通的比例控制閥76，且對於中間部的浮上區域AS1~ASm(BS1~BSn)也設置共通的比例控制閥78。此比例控制閥78也是例如由電空比例閥所構成，在控制器55的控制下可連續性地輸出可變的二次高壓氣體。
若根據此構成例，則如圖17所示，基板G藉由浮上搬送來移動於搬入區域MIN(及搬出區域MOUT)上時，可在噴出壓力控制部40中使搬入區域MIN(及搬出區域MOUT)內的各浮上區域的高壓氣體的噴出壓力配合基板G的移動來可依序改變或進行ON．OFF的控制，而使對於基板G的左右2邊的周緣部之高壓氣體的噴出壓力能夠形成比對於基板G的中間部之高壓氣體的噴出壓力更相對性地 高。藉此，對於在搬送方向的左右兩端部與中間部之間彎曲的基板G可謀求浮上高度及矯正力的最適化，且可使高壓氣體的消耗效率提升。
亦可使浮上平台10的搬入區域MIN(搬出區域MOUT)的浮上面如圖18所示般只在搬送方向(X方向)區劃成複數的浮上區域AP1~APm，作為別的實施例。此情況，可將噴出壓力控制部40構成例如圖15所示般。此構成是相當於在上述實施形態的構成(圖5A)中對於中間部的浮上區域AS1~ASm(BS1~BSn)的構成部分。
若根據此構成例，則如圖18所示，基板G藉由浮上搬送來移動於搬入區域MIN(及搬出區域MOUT)上時，可在噴出壓力控制部40中使搬入區域MIN(及搬出區域MOUT)內的各浮上區域的高壓氣體的噴出壓力配合基板G的移動來可依序改變或進行ON．OFF的控制，而使對於基板G的前後2邊的周緣部之高壓氣體的噴出壓力能夠形成比對於基板G的中間部之高壓氣體的噴出壓力更相對性地高。藉此，對於在搬送方向的前後兩端部與中間部之間彎曲的基板G可謀求浮上高度及矯正力的最適化，且可使高壓氣體的消耗效率提升。
亦可使浮上平台10的搬入區域MIN(搬出區域MOUT)的浮上面如圖19所示般只在與搬送方向正交的水平方向(Y方向)中區劃成複數的浮上區域AL，AS，AR，作為別的實施例。此情況，可將噴出壓力控制部40構成例如圖16所示般。此構成是在圖14的實施例中，將對於左右兩 端的浮上區域AL1~ALm，AR1~ARm(BL1~BLm，BR1~BRm)的開閉閥54AL1~54ALm，54AR1~54ARm(54BL1~54BLm，54BR1~54BRm)匯集於比例控制閥76的上游側而置換成1個的開閉閥80，且將對於中間部的浮上區域AS1~ASm(BS1~BSn)的開閉閥54AS1~54ASm(54BS1~54BSn)匯集於比例控制閥78的上游側而置換成1個的開閉閥82者。
若根據此構成例，則如圖19所示，基板G藉由浮上搬送來移動於搬入區域MIN(及搬出區域MOUT)上時，可在噴出壓力控制部40中進行使搬入區域MIN(及搬出區域MOUT)內的各浮上區域的高壓氣體的噴出壓力可變的控制，而使對於基板G的左右2邊的周緣部之高壓氣體的噴出壓力能夠形成比對於基板G的中間部之高壓氣體的噴出壓力更相對性地高。藉此，對於在搬送方向的左右兩端部與中間部之間彎曲的基板G可謀求浮上高度及矯正力的最適化。
在上述的實施形態中，在塗佈區域MCT的浮上面是使噴出口12及吸引口14混在於一面。但，雖圖示省略，實際亦可將塗佈區域MCT的左右兩端部設為只配置噴出口12的1個或複數的浮上區域，與搬入區域MIN及搬出區域MOUT的左右兩端部的浮上區域同樣或同列控制。
上述實施形態是有關LCD製造用的阻劑塗佈裝置，但本發明亦可適用於在被處理基板上塗佈處理液之任意的基板處理裝置。因此，本發明的處理液，除了阻劑液以外 ，亦可例如為層間絕緣材料、介電質材料、配線材料等的塗佈液，或顯像液或洗滌液等。又，本發明亦可適用於使用浮上平台的檢查裝置。該情況，上述實施形態的塗佈區域是置換成檢查區域，阻劑噴嘴是置換成例如光學式檢查計或攝影機等。
本發明的被處理基板並非限於LCD基板，亦可為其他的平面顯示器用基板、半導體晶圓、CD基板、玻璃基板、光罩、印刷基板等。
10‧‧‧浮上平台
12‧‧‧噴出口
14‧‧‧吸引口
16L，16R‧‧‧搬送部
18‧‧‧阻劑噴嘴
40‧‧‧噴出壓力控制部
42‧‧‧高壓氣體供給源
44‧‧‧高壓氣體流路網
46，48，50‧‧‧調壓閥
ALi，ASi，ARi，BLj，BSj，BRj‧‧‧浮上區域
52ALi，52ASi，52ARi，52BLj，52BSj，52BRj‧‧‧切換閥
54ALi，54ASi，54ARi，54BLj，54BSj，54BRj‧‧‧開閉閥
55‧‧‧控制器
56‧‧‧彎曲檢測部
76，78‧‧‧比例控制閥
80，82‧‧‧開閉閥
圖1是表示本發明之一實施形態的阻劑塗佈裝置的全體構成的立體圖。
圖2是表示上述阻劑塗佈裝置的浮上平台的浮上面的平面圖。
圖3是表示在上述阻劑塗佈裝置中在基板上形成有阻劑塗佈膜的情況的側面圖。
圖4是表示實施形態的浮上面區分的形式的圖。
圖5A是表示實施形態的噴出壓力控制部的構成例圖。
圖5B是表示實施形態的噴出壓力控制部的構成例圖。
圖6A是表示4邊的周緣部比中心部還垂下那樣彎曲的基板移動於浮上平台(搬入區域)上時的作用的側面圖。
圖6B是表示4邊的周緣部比中心部還垂下那樣彎曲 的基板移動於浮上平台上時的作用的正面圖。
圖7是用以說明對於具有圖6A及圖6B所示類型的彎曲的基板之噴出壓力控制部的作用的圖。
圖8A是表示4邊的周緣部比中心部還升起那樣彎曲的基板移動於浮上平台(搬入區域)上時的作用的側面圖。
圖8B是表示4邊的周緣部比中心部還升起那樣彎曲的基板移動於浮上平台(搬入區域)上時的作用的側面圖。
圖9是用以說明對於具有圖8A及圖8B所示類型的彎曲的基板之噴出壓力控制部的作用的圖。
圖10是用以說明對於左右2邊的周緣部比中間部還垂下那樣彎曲的基板之噴出壓力控制部的作用的圖。
圖11是用以說明對於前後2邊的周緣部比中間部還垂下那樣彎曲的基板之噴出壓力控制部的作用的圖。
圖12是表示用以在浮上平台的塗佈區域中將基板的浮上高度控制成按設定的精密浮上高度之浮上壓力控制機構的一例圖。
圖13是表示一變形例的噴出壓力控制部的構成圖。
圖14是表示別的實施例的噴出壓力控制部的構成圖。
圖15是表示別的實施例的噴出壓力控制部的構成圖。
圖16是表示別的實施例的噴出壓力控制部的構成圖。
圖17是表示圖14的實施例的噴出壓力控制部的作用 的圖。
圖18是表示圖15的實施例的噴出壓力控制部的作用的圖。
圖19是表示圖16的實施例的噴出壓力控制部的作用的圖。
10‧‧‧浮上平台
12‧‧‧噴出口
14‧‧‧吸引口
MCT‧‧‧塗佈區域
MIN‧‧‧搬入區域
MOUT‧‧‧搬出區域

Claims (8)

  1. 一種基板浮上搬送裝置，係具有：浮上平台，其係具有被區劃成複數的浮上區域的浮上面，從前述浮上面噴出高壓的氣體來使基板浮在空中；高壓氣體供給源，其係送出高壓氣體；噴出壓力控制部，其係設在前述高壓氣體供給源與複數的前述浮上區域之間，按照前述基板的種類、屬性或彎曲狀態或前述基板的部位，使高壓氣體的噴出壓力在每個的前述浮上區域可獨立改變或ON．OFF控制；及基板搬送部，其係可裝卸地保持浮在空中的前述基板，而搬送於前述浮上平台上，前述噴出壓力控制部係具有在氣體流路網中對使噴出壓力形成共通的一群的前述浮上區域分配高壓氣體的第1流路所設的比例控制閥，為了可改變供給至前述一群的浮上區域的高壓氣體的噴出壓力，而調節前述比例控制閥的開度。
  2. 一種基板浮上搬送裝置，係具有：浮上平台，其係具有被區劃成複數的浮上區域的浮上面，從前述浮上面噴出高壓的氣體來使基板浮在空中；高壓氣體供給源，其係送出高壓氣體；噴出壓力控制部，其係設在前述高壓氣體供給源與複數的前述浮上區域之間，按照前述基板的種類、屬性或彎曲狀態或前述基板的部位，使高壓氣體的噴出壓力在每個的前述浮上區域可獨立改變或ON．OFF控制；及 基板搬送部，其係可裝卸地保持浮在空中的前述基板，而搬送於前述浮上平台上，前述噴出壓力控制部係具有在氣體流路網中對使噴出壓力形成共通的一群的前述浮上區域分配高壓氣體的第1流路所並列設置的複數個調壓閥，為了可改變供給至前述一群的浮上區域的高壓氣體的噴出壓力，而使前述複數個調壓閥的任一個選擇性地作動。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之基板浮上搬送裝置，其中，前述浮上平台的浮上面係於搬送方向區劃成複數的前述浮上區域。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之基板浮上搬送裝置，其中，前述浮上平台的浮上面係於與搬送方向交叉的水平方向區劃成複數的前述浮上區域。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之基板浮上搬送裝置，其中，前述浮上平台的浮上面係於搬送方向及與搬送方向交叉的水平方向區劃成複數的前述浮上區域。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之基板浮上搬送裝置，其中，前述噴出壓力控制部係具有在前述氣體流路網中對各個前述浮上區域分配高壓氣體的第2流路所設的開閉閥，按照前述基板所被選擇的預定的部位或任意的部位是否在該浮上區域的正上方或其近旁，對前述開閉閥進行ON．OFF控制。
  7. 如申請專利範圍第1或2項之基板浮上搬送裝置，其中，在各個前述浮上區域中，噴出高壓氣體的多數個噴 出口係以一定的密度設置。
  8. 一種基板處理裝置，係用以在基板上塗佈處理液之基板處理裝置，具有：基板浮上搬送裝置，其係如申請專利範圍第1~7項中的任一項所記載者；噴嘴，其係於搬送方向的預定位置配置於前述浮上平台的上方，朝通過其正下面的前述基板吐出處理液；處理液供給部，其係對前述噴嘴供給前述處理液。
TW101107911A 2011-03-09 2012-03-08 基板浮上搬送方法及基板浮上搬送裝置以及基板處理裝置 TWI515161B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011051340A JP5485928B2 (ja) 2011-03-09 2011-03-09 基板浮上搬送装置及び基板処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201305034A TW201305034A (zh) 2013-02-01
TWI515161B true TWI515161B (zh) 2016-01-01

Family

ID=46806683

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101107911A TWI515161B (zh) 2011-03-09 2012-03-08 基板浮上搬送方法及基板浮上搬送裝置以及基板處理裝置

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP5485928B2 (zh)
KR (1) KR101845567B1 (zh)
CN (1) CN102674004B (zh)
TW (1) TWI515161B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI741426B (zh) * 2019-02-08 2021-10-01 日商斯庫林集團股份有限公司 塗布裝置及塗布方法

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5924018B2 (ja) * 2012-02-14 2016-05-25 株式会社Ihi 搬送装置および搬送方法
JP6086476B2 (ja) * 2012-12-13 2017-03-01 東レエンジニアリング株式会社 基板浮上装置
KR20140127922A (ko) 2013-01-29 2014-11-05 삼성디스플레이 주식회사 스테이지 유닛 및 이를 포함하는 레이저 어닐링 장치
JP6219038B2 (ja) * 2013-02-22 2017-10-25 オイレス工業株式会社 非接触支持装置及び非接触支持方法
CN103381965B (zh) * 2013-07-02 2016-02-03 深圳市华星光电技术有限公司 一种液晶面板的气浮式导向轮传送装置
JP6368508B2 (ja) * 2014-03-17 2018-08-01 東レエンジニアリング株式会社 基材浮上装置
US9776809B1 (en) * 2016-03-31 2017-10-03 Core Flow Ltd. Conveying system with vacuum wheel
CN106185325A (zh) * 2016-08-25 2016-12-07 芜湖东旭光电科技有限公司 一种气浮装置、气浮控制方法及玻璃基板传送装置
KR20180023413A (ko) * 2016-08-26 2018-03-07 세메스 주식회사 기판 이송 장치
CN108249159B (zh) * 2016-12-28 2020-02-14 芝浦机械电子株式会社 浮起搬运装置以及基板处理装置
JP6860356B2 (ja) * 2017-01-20 2021-04-14 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 塗布装置および塗布方法
JP6890438B2 (ja) * 2017-03-03 2021-06-18 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 浮上量算出装置、塗布装置および塗布方法
KR102170943B1 (ko) * 2018-08-09 2020-10-29 주식회사 포스코 테이블롤 교체장치
KR102218357B1 (ko) * 2019-07-08 2021-02-22 세메스 주식회사 기판 처리 장치
JP7395950B2 (ja) 2019-10-23 2023-12-12 オムロン株式会社 外観検査装置及び外観検査方法
KR20230092423A (ko) 2021-12-17 2023-06-26 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR102630373B1 (ko) * 2022-05-02 2024-01-30 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판의 부상량 측정 방법

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2581066B2 (ja) * 1987-03-31 1997-02-12 富士通株式会社 ウエ−ハ搬送方法及び装置
JPH07228342A (ja) * 1994-02-17 1995-08-29 Hitachi Ltd 気流搬送装置およびその制御方法
JP3995617B2 (ja) * 2003-03-03 2007-10-24 オルボテック リミテッド 空気浮上装置
JP4305918B2 (ja) * 2004-01-30 2009-07-29 東京エレクトロン株式会社 浮上式基板搬送処理装置
JP4869612B2 (ja) * 2005-03-25 2012-02-08 東京エレクトロン株式会社 基板搬送システムおよび基板搬送方法
CN101489893B (zh) * 2006-10-10 2012-05-23 株式会社日本设计工业 薄板状材料输送装置
JP4652351B2 (ja) * 2007-02-02 2011-03-16 大日本印刷株式会社 基板支持装置、基板支持方法
JP2008260591A (ja) * 2007-04-10 2008-10-30 Nippon Sekkei Kogyo:Kk 薄板状材料搬送装置及び方法
EP2053663A1 (en) * 2007-10-25 2009-04-29 Applied Materials, Inc. Hover cushion transport for webs in a web coating process

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI741426B (zh) * 2019-02-08 2021-10-01 日商斯庫林集團股份有限公司 塗布裝置及塗布方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR101845567B1 (ko) 2018-04-04
KR20120103487A (ko) 2012-09-19
CN102674004B (zh) 2016-04-27
JP2012190890A (ja) 2012-10-04
TW201305034A (zh) 2013-02-01
CN102674004A (zh) 2012-09-19
JP5485928B2 (ja) 2014-05-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI515161B (zh) 基板浮上搬送方法及基板浮上搬送裝置以及基板處理裝置
JP2007088201A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP4884871B2 (ja) 塗布方法及び塗布装置
JP5658858B2 (ja) 塗布装置及び塗布方法
JP5150949B2 (ja) 近接スキャン露光装置及びその制御方法
KR101351155B1 (ko) 기판 처리 장치 및 도포 장치 및 도포 방법
JP4634265B2 (ja) 塗布方法及び塗布装置
JP2006253373A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法及び基板処理プログラム
KR101931814B1 (ko) 부상식 도포 장치
JP2007105623A (ja) 塗布装置及び塗布方法
JP5108909B2 (ja) 裏面異物検出方法及び裏面異物検出装置及び塗布装置
JP2006261394A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法及び基板処理プログラム
TWI723059B (zh) 被處理體搬送裝置、半導體製造裝置及被處理體搬送方法
JP2006237482A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法及び基板処理プログラム
KR101845090B1 (ko) 도포막 형성 장치 및 도포막 형성 방법
JP5486030B2 (ja) 塗布装置
JP5221508B2 (ja) 基板処理装置
TWI505390B (zh) Floating on the coating device
TWI741426B (zh) 塗布裝置及塗布方法
KR20130017443A (ko) 기판 도포 장치, 부상식 기판 반송 장치 및 부상식 기판 반송 방법
TWI548465B (zh) 浮上式塗佈裝置
JP4365404B2 (ja) レジスト液供給装置及び基板処理システム
JP6860357B2 (ja) 塗布装置および塗布方法
KR101270989B1 (ko) 온도차에 의한 기판 얼룩을 방지하는 부상식 기판 코터 장치
JP2020152480A (ja) 基板処理装置および基板処理方法