TWI513389B - The formation method of resistance welding resistance - Google Patents

Description

抗焊光阻之形成方法

本發明係有關例於於電路基板上等形成之抗焊光阻之形成方法。

一般於電子機器等中使用之印刷配線板中，於將電子零件安裝於印刷配線板上時，為防止焊料附著於不必要之部分同時為防止電路導體露出並因氧化或濕度而腐蝕，係在電路基板上之除通孔以外之區域形成有抗焊光阻。

作為以往之抗焊光阻，係選擇感光性樹脂組成物，透過光罩使通孔形成部分以外予以曝光並進行交聯反應後，以鹼性水溶液等將未曝光部分顯像剝離，而進行通孔/圖型化。此時，經曝光部分係發揮作為永久保護膜(抗焊光阻)之角色。然而伴隨著印刷配線板之薄化/微細配線化/通孔之小直徑化，而會發生以感光性樹脂組成物無法充分對應圖型化之問題。因此，作為通孔之形成方法之一，揭示有於配線圖型上形成作為抗焊光阻之硬化性樹脂層並硬化後，藉由例如二氧化碳氣體雷射等之雷射光照射予以開口而形成之方法。

以該工法，以雷射照射使通孔開口後之孔底上會殘留硬化性樹脂塗膜之殘渣之膠渣。該膠渣若就此殘留而進行至表面整飾步驟之鍍敷步驟時會產生鍍敷未附著而引起焊接連接不良，故而有必要進行用以去除膠渣之去膠渣步驟。然而，由於藉由雷射光照射，於通孔附近會遭受雷射損傷，故會有於去膠渣處理時使抗焊光阻表層部被蝕刻，或有使通孔開口徑變大之問題。

於表層部之蝕刻(粗化)，若於內層，由於可提高與上層之密著性，雖為稍佳，但對於外層中作為永久保護膜之抗焊光組織損傷則會導致可靠性降低。因此，為抑制照射損傷，提出有於硬化性樹脂層上設有保護薄膜，並自其上照射雷射光(例如參考專利文獻1等)。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]特開2010-62478號公報

藉由設有此種保護薄膜雖可抑制雷射光之照射損傷，但於之後之去膠渣處理時，藉由使用KMnO₄ 等藥液，會有藥液浸透至保護薄膜與硬化塗膜之介面，而遭受損傷之問題。

本發明係鑒於該等情況而完成者，其目的係提供一種可抑制雷射光之照射或去膠渣處理之損傷、提高可靠性之抗焊光阻之形成方法。

本發明之一樣態之抗焊光阻之形成方法，其特徵在於：於電路基板上形成表面黏著有保護薄膜的半硬化狀態之硬化性樹脂層，自保護薄膜上照射雷射光，以於半硬化狀態之硬化性樹脂層形成通孔，將通孔內的膠渣(smear)藉由使用電漿的去膠渣(desmear)處理而去除，剝離保護薄膜，使半硬化狀態之硬化性樹脂層硬化。

藉由該種構成，可抑制雷射光之照射或去膠渣處理之損傷、提高可靠性。再者，由於以半硬化狀態進行雷射照射，故可藉低能量使所需直徑之通孔開口，同時可不需要為了在硬化前除去保護薄膜而進行保護薄膜之脫模處理。

本發明之一樣態之抗焊光阻之形成方法中，較佳為半硬化狀態之硬化性樹脂層係藉由在電路基板上層合硬化性樹脂的乾膜，或藉由在前述電路基板上將硬化性樹脂組成物塗佈乾燥，形成硬化性樹脂層而形成。藉由此種構成，可簡易地形成硬化性樹脂層。

於如此抗焊光阻之形成方法中，作為電漿較好使用氧電漿。藉由此種構成，可以更短時間進行膠渣之去除。

本發明之一樣態之抗焊光阻之形成方法，其特徵在於：使形成於電路基板上且表面黏著有保護薄膜的硬化性樹脂層硬化，且自前述保護薄膜上照射雷射光，以於前述硬化性樹脂層形成通孔，將前述通孔內的膠渣藉由使用氧電漿的去膠渣處理而去除，剝離前述保護薄膜。

藉由此種構成，可以更短時間進行膠渣之去除，同時可抑制雷射光之照射或去膠渣處理之損傷並提高可靠性。

本發明之抗焊光阻之形成方法中，較好於去膠渣處理後，進行超音波洗淨。藉由此種構成，可抑制殘渣的無機成分之殘留。

藉由本發明之一樣態之抗焊光阻之形成方法，可抑制雷射光之照射或去膠渣處理之損傷並提高可靠性。

本發明之發明人等針對上述課題進行積極檢討之結果，發現在抗焊光阻之形成方法中，藉由於電路基板上形成表面黏著有保護薄膜的半硬化狀態之硬化性樹脂層，且自保護薄膜上照射雷射光，以於半硬化狀態之硬化性樹脂層形成通孔，將通孔內的膠渣藉由使用電漿的去膠渣處理而去除，剝離保護薄膜，使半硬化狀態之硬化性樹脂層硬化，可抑制雷射光之照射或去膠渣處理之損傷並提高可靠性，因而完成本發明。

依據上述方法，由於對形成於基板上之半硬化狀態之硬化性樹脂層照射雷射光，故能夠比硬化狀態之樹脂層更降低照射能量，且該雷射光由於係透過保護薄膜照射於樹脂層，故可抑制通孔附近之照射損傷。再者，藉由將去膠渣處理設為電漿處理，可在不會產生藥液處理時浸透至保護薄膜與硬化性樹脂層之介面所致之損傷之下，來進行去膠渣處理。

因此，利用由本實施形態所形成之抗焊光阻，可提高作為印刷配線板等使用時之可靠性。

以下，基於本發明實施形態參考圖式加以詳細說明。

(實施形態1)

圖1為表示本實施形態之抗焊光阻之形成步驟圖。

如圖1(a)所示，針對於基材11a上形成有電路圖型等之導電層11b之電路基板11進行脫脂、軟蝕刻等之前處理。接著，使用真空層合機等層合硬化性樹脂之乾膜12a。乾膜係形成於載膜上，且依據需要層合上覆膜(cover film)者，以於表面上黏著有任何薄膜的保護薄膜13之狀態，使露出面側黏著於電路基板上。

此處關於層合條件並無特別限制，但例如可在溫度60~140℃、真空度20mmHg以下，壓力1~15kgf/cm² 進行。更好進行使層合後之硬化性樹脂層藉壓製而平滑化之步驟。平滑化步驟可於常壓下進行，加熱、加壓條件可使用與上述層合步驟相同條件。至於該等步驟中所用之真空層合機，可列舉有例如CVP-300(NICHIGO MORTON公司製)或MVLP-500(名機製作所公司製)等。

又，亦可於電路基板上塗佈乾燥硬化性樹脂組成物，形成硬化性樹脂層12a後，層合保護薄膜13，來代替於電路基板上層合乾膜。

此處，作為電路基板，並無特別限定，但可使用利用預浸片等之絕緣性芯材，設有銅等導電層之單面或雙面印刷基板、增層(build-up)基板等多層印刷配線板、或軟性印刷基板等之公知電路基板。

硬化性樹脂層之形成中所使用之硬化性樹脂組成物，可使用熱硬化性樹脂組成物、光硬化性樹脂組成物及感光性樹脂組成物。例如，可較好地使用含有環氧樹脂、無機填充劑及硬化劑之熱硬化性樹脂組成物。

作為環氧樹脂，可使用例如雙酚A型環氧樹脂、雙酚P型環氧樹脂、氫化雙酚A型環氧樹脂、溴化雙酚A型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、酚性酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、雙酚A之酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、萘酚型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、三苯基甲烷型環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、脂肪族鏈狀環氧樹脂、含磷環氧樹脂、蒽型環氧樹脂、降冰片烯型環氧樹脂、金剛烷型環氧樹脂、茀型環氧樹脂等。該等可單獨使用或組合兩種以上使用。

作為無機填充劑，可使用例如硫酸鋇、硫酸鉀、二氧化矽、黏土、滑石、氫氧化鋁等。該等由於在後述之二氧化碳氣體波長帶的波數900~1300cm^-1 之範圍內具有吸收峰而於雷射加工時昇華或分解，故可抑制雷射加工後之殘渣。該等可單獨使用或組合兩種以上使用。

作為硬化劑，可使用例如咪唑類、咪唑之嗪化合物、咪唑之異三聚氰酸鹽、咪唑羥基甲基體、二氰化二醯胺及其衍生物、三聚氰胺及其衍生物、二胺基順丁烯二腈及其衍生物、二伸乙三胺、三伸乙四胺、四伸乙五胺、雙(六亞甲基)三胺、三乙醇胺、二胺基二苯基甲烷、有機酸二醯肼等胺類、1,8-二氮雜雙環[5.4.0]十一碳烯-7、3,9-雙(3-胺基丙基)-2,4,8,10-四氧雜螺[5,5]十一碳烷、三苯基膦、三環己基膦、三丁基膦、甲基二苯基膦等之有機膦化合物等。該等可單獨使用或組合兩種以上使用。

此外，為提高硬化樹脂之造膜性、提高硬化塗膜之機械強度，可單獨或組合兩種以上添加苯氧樹脂、聚乙烯縮醛樹脂、聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺等，為調整濃度、提高塗佈性，亦可含有溶劑等。

保護薄膜13係為了抑制通孔周邊之雷射照射損傷使其不會到達硬化性樹脂層所設。具體而言，可較好地使用聚對苯二甲酸乙二酯(PET)，此外，可使用聚萘二甲酸乙二酯等之聚酯、聚丙烯(PP)、聚乙烯(PE)、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、環狀聚烯烴、三乙醯基纖維素、聚醚硫化物、聚醚酮、聚醯亞胺等。

保護薄膜13較好其厚度為8-60μm。雖然越薄越能提高後述雷射加工性，但厚度若未達8μm，則難以抑制通孔周邊之雷射照射損傷。另一方面，超過60μm時，雷射光之透射率降低，使開口徑變小。更好為10-50μm，再更好為12-38μm。

如此，藉由將乾膜層合於電路基板上，或於電路基板上塗佈硬化性樹脂組成物並使其揮發乾燥，於電路基板上會形成半硬化狀態之硬化性樹脂層。

所謂半硬化狀態意指未完全硬化之狀態，較好為硬化率為20-80%左右。硬化率若未達20%，則容易於室溫引起熔著使作業性惡化。另一方面若超過80%，則雷射加工性降低、損及層合時對電路之埋入性、平坦性。較好硬化率為30-75%，更好硬化率為40-70%。

此處，硬化率係以硬化性樹脂組成物之溶液(乾膜製作前，塗佈於電路基板上之前的溶液狀態)之凝膠化時間設為(GT1)、以及乾膜及於電路基板上塗佈、乾燥後狀態之凝膠化時間設為(GT2)時，由下述式算出：

(GT1-GT2)/GT1×100

凝膠化時間(硬化時間)係依據JIS C 6521「多層印刷配線板用預浸片試驗方法」之項目5.7「硬化時間試驗」，分別針對硬化性樹脂組成物之溶液、乾膜，於電路基板上塗佈、乾燥後之狀態，取樣約0.3g(溶液約0.3ml)，於170℃之熱盤上測定之值。

接著，如圖1(b)所示，在所得半硬化狀態之硬化性樹脂層12a之特定位置上，透過保護薄膜13，照射二氧化碳氣體雷射等之雷射光，形成例如上端直徑Φ 40-200μm之通孔14。又，作為雷射光，除了二氧化碳氣體雷射以外，可使用UV-YAG雷射(第三高次諧波=355nm，第四高次諧波=266nm)、準分子雷射等。就通孔之加工處理速度、成本面而言，較好為二氧化碳氣體雷射。

接著，如圖1(c)所示，進行為了去除殘留於通孔14底部之硬化性樹脂殘渣之膠渣15的去膠渣處理。此時，並非使用KMnO₄ 等之藥液處理，而係使用電漿處理。

於如此去膠渣處理中，可使用例如真空電漿裝置或常壓電漿裝置等。而且，作為電漿，可使用利用氧電漿等之反應性氣體之電漿、使用氬電漿、氦電漿等之惰性氣體之電漿、該等之混合氣體之電漿等之公知電漿。

其中，最好使用氧電漿。通常，於抗焊光阻中形成通孔之際，由於於內層通孔之形成時使用之反應性高之氧電漿會使表面粗糙化故而無法使用。然而，由於設有保護薄膜，故而不會產生表面粗化，可更有效地去除通孔內之膠渣。

又，於如此去膠渣處理中之氧電漿處理，於黏著有保護薄膜之硬化性樹脂硬化後，進行雷射照射時亦有效。此時，較好預先對保護薄膜施以脫模處理。

如此進行藉由電漿之去膠渣處理後，較好進而進行超音波洗淨。藉由電漿處理，雖可去除有機成分，但對於填充劑等之無機成分，無法獲得充分反應性，故有殘存之虞，但藉由進行超音波洗淨，可去除無機成分。

如此進行去膠渣處理、依據需要之超音波洗淨後，剝離保護薄膜13，如圖1(d)所示，藉由例如於130~180℃加熱15~90分鐘，使半硬化狀態之硬化性樹脂硬化，形成抗焊光阻12b。

至於硬化方法，可使用利用熱風循環式乾燥爐、IR爐、加熱板、對流式烘箱等、具備利用蒸氣之空氣加熱方式之熱源者，使乾燥機內之熱風逆向對流接觸之方法以及利用噴嘴對支撐體吹附之方法。

如此，形成於電路基板上具有通孔之抗焊光阻。

[實施例]

以下顯示實施例及比較例加以具體說明，但本發明不限定於該等實施例者。且以下中引用「份」及「%」，若未特別限定，則均為質量基準。

(硬化性樹脂組成物之調製)

以成為表1所示之組成、調配比予以調配，以攪拌機預先混合後，使用3輥研磨機予以混練，調製處方之熱硬化性樹脂組成物作為硬化性樹脂組成物。

*1：環氧當量184-194雙酚A型液狀環氧樹脂(三菱化學公司製)

*2：環氧當量135-165之萘酚型環氧樹脂(DIC公司製)

*3：環氧當量200-230甲酚酚醛清漆型環氧樹脂(DIC公司製)之固體成分60%之環己酮溶液

*4：苯氧基樹脂(三菱化學公司製)之固體成分30%之環己酮溶液

*5：環氧當量105之酚型酚醛清漆型環氧樹脂(環氧基：OH≒1：0.5)(住友電木粉公司製)之固體成分60%之環己酮溶液

*6：球狀二氧化矽(ADMATECHS公司製)

*7：硫酸鋇(堺化學公司製)

*8：咪唑(四國化成公司製)

*9：溶劑

(評價基板之製作1：電路基板+乾膜)

使用塗佈機，於經脫模劑(醇酸系)處理之厚度38μm之PET薄膜(AL-5，LINTEC公司製)上，以乾燥後膜厚於電路上成為20μm之方式以逆轉輥均勻塗佈所得之熱硬化性樹脂組成物。

接著，於設定溫度為115℃之乾燥爐中，乾燥5分鐘，形成半硬化狀態之硬化性樹脂層。所得硬化性樹脂層之殘留溶劑量為1%，於170℃之膠凝化時間為60秒。

接著，邊貼合厚度15μm之聚丙烯薄膜，邊捲取成輥狀。進而進行寬度400mm之細縫加工，製作3層構造之乾膜。

接著使用形成有銅厚18μm之導電層之400mm×300mm×0.8mm厚之雙面貼銅層合板(MCL-E-679FGR，日立化成工業公司製)作為電路基板，藉由前處理(CZ-8100+CL-8300，MEC公司製)，形成相當於銅蝕刻量1μm之輪廓。

於施以前處理之貼銅層合板上，將剝離聚丙烯之乾膜利用2腔室式真空層合機(CVP-300，NICHIGO MORTON公司製)，於層合溫度：100℃，真空度：5mmHg以下，壓力：5kg/cm² 之條件予以層合。再者，於壓製溫度：100℃，壓力：5kg/cm² 藉由壓製成型，而於貼銅層合板之兩面上，於各表面上形成黏著有PET薄膜(保護薄膜)之硬化性樹脂層(於電路上約20μm厚)之評價基板。

(評價基板之製作2：電路基板上之塗佈+保護薄膜)

將所得熱硬化性樹脂組成物(溶液於170℃之膠凝化時間120秒)，以使乾燥後膜厚在電路上為20μm之方式，使用輥塗佈器(FURNAX公司製)，均一地塗佈在藉由相同之前處理(CZ-8100+CL-8300，MEC公司製)之形成有相當於電路基板的銅蝕刻量1μm之輪廓之銅厚18μm之400mm×300mm×0.8mm厚的兩面貼銅層合板(MCL-E-679FGR，日立化成工業公司製)上。此外亦可使用其他網版印刷法、模嘴塗佈法等進行塗佈。

接著，於設定溫度為115℃之乾燥爐中，乾燥5分鐘，形成半硬化狀態之硬化性樹脂層。所得硬化性樹脂層之殘留溶劑量為1%，於170℃之膠凝化時間為60秒。

隨後，於半硬化狀態之硬化樹脂層表面上，藉由輥層合機，層合作為保護薄膜之PET薄膜(AL-5，LINTEC公司製)。此時，可使用上述之2腔室式真空層合機，可利用壓製步驟進行平坦基板之製作。

(硬化性樹脂層之雷射加工(通孔形成))

不剝離保護薄膜(PET薄膜)，自保護薄膜上，使用二氧化碳氣體雷射(LC-2K2，Hitachi Via Mechanics公司製)，照射波長9.3μm之雷射光，於硬化性樹脂層上形成通孔。照射條件，設為於無保護膜之狀態之基板使上部開口徑成為65μm時之條件，穿孔：1.9mm，輸出：1.5W，脈衝寬：20微秒，衝撞模式：3次衝撞。

作為比較例，則剝離保護膜而進行相同加工。

(硬化性樹脂層之硬化)

於雷射加工(通孔形成)之前或去膠渣之後，以熱風循環式乾燥爐(DF610，YAMATO科學公司製)，於170℃加熱60分鐘，使硬化性樹脂層硬化。

(去膠渣處理1：電漿處理(乾式))

針對通孔形成後之評價基板，不剝離保護薄膜，使用電漿處理裝置(AP-1000，MARCH公司製)，進行電漿處理。電漿處理條件，設為電漿氣體：氧氣、氬氣，真空度：200 mtorr，輸出：500W，處理時間：5分鐘。

作為比較例，則剝離保護薄膜而進行相同處理。

(去膠渣處理2：KMnO₄ 處理(濕式))

作為比較例，於通孔形成後之評價基板，針對設有保護膜者與剝離者，進行使用KMnO₄ 水溶液之藥液處理。處理條件設為膨潤(藥液：MLB-211，80℃/10分鐘)→ 粗化(藥液：MLB-213，80℃/15分鐘)→ 還原(MLB-216，50℃/5分鐘)。

(超音波洗淨)

對於去膠渣處理後之評價基板，使用超音波洗淨管線(IUS24，石井表記公司製)，以速度1.6m/分鐘、輸出約800W之條件進行超音波洗淨。

表2中顯示各實施例、比較例之處理內容。且，比較例1表示一般之內層通孔形成步驟。

針對進行如此處理之實施例1-6、比較例1-6之評價基板進行如下評價。

(利用掃描型電子顯微鏡之觀察)

利用掃描型電子顯微鏡(SEM：JSM-6610V日本電子公司製)觀察評價基板表面狀態、通孔內狀態，利用SEI(二次電子圖像)，進行通孔形狀之確認，同時評價表層部之損傷有無。評價結果示於表3。又，評價基準如下。

○：未見到表層部損傷。

×：表層部受到損傷。

××：通孔周邊部顯著受到損傷。

又，利用BEC圖像(反射電子圖像)，評價通孔底部殘渣之有無。又，通孔底部殘渣，於BEC像中，由於原子序號越大之原子越可獲得有光澤的圖像，故由通孔底部之Cu露出程度加以判斷。評價結果示於表3。且評價基準如下。

◎：未見到通孔底部殘渣。

○：見到極少許通孔底部殘渣。

△：見到些許通孔底部殘渣。

×：硬化性樹脂溶出，去膠渣液之浸透亦激烈。

(利用光學顯微鏡之觀察)

利用光學顯微鏡(ECLIPSE LV-100，NIKON公司製)評價基板之表面狀態，評價通孔形狀及通孔周邊部之損傷有無，同時測量雷射加工後及去膠渣後之通孔上部直徑。接著，比較雷射加工後及去膠渣後之上部直徑之值，藉由有無變化，評價通孔形狀。評價結果示於表3。

關於實施例1，分別於圖2中顯示雷射加工後之(a)SEI、(b)(a)之□部部分放大圖像、(c)BEC圖像，於圖3中顯示去膠渣處理+超音波洗淨後之(a)SEI、(b)(a)之□部部分放大圖像、(c)BEC圖像。且關於比較例2，分別於圖4中顯示雷射加工後之(a)SEI、(b)(a)之□部部分放大圖像、(c)BEC圖像，於圖5中顯示去膠渣處理+超音波洗淨後之(a)SEI、(b)(a)之□部部分放大圖像、(c)BEC圖像。

如圖2-圖4所示，利用KMnO₄ 進行去膠渣處理者，見到通孔周邊之較大損傷，表面亦粗糙。再者，通孔徑變大。另一方面，利用氧電漿進行去膠渣處理者，未見到通孔周邊之損傷，通孔直徑亦未變化。

再者，關於實施例1，分別於圖6中顯示雷射加工後之(a)BEC圖像、(b)光學顯微鏡照片，於圖7中顯示電漿處理後之(a)BEC圖像、(b)光學顯微鏡照片，於圖8中顯示超音波洗淨後之BEC圖像。且，關於比較例5，分別於圖9中顯示雷射加工後之(a)BEC圖像、(b)光學顯微鏡照片，於圖10中顯示電漿處理後之(a)BEC圖像、(b)光學顯微鏡照片，於圖11中顯示超音波洗淨後之BEC圖像。又，電漿處理時間為相同。

如圖6-11所示，均未見到電漿處理後之通孔直徑擴大，但於進行氬氣電漿處理者，於光學顯微鏡照片中雖見到金屬光澤，但於BEC圖像中，未見到金屬光澤(Cu)，可知於與氧電漿處理相同之處理時間，殘留有膠渣。如此，藉由使用氧電漿，可有效地進行去膠渣處理。

且，關於進行去膠渣者，藉由進一步進行超音波洗淨，更增加金屬光澤。如此，可知利用超音波洗淨，可去除電漿處理所殘留之無機成分等殘渣。

又，關於實施例1，於圖12顯示雷射加工後之保護薄膜上之光學顯微鏡照片，於圖13顯示去膠渣後之保護薄膜上之光學顯微鏡照片。另外圖14顯示比較例2之去膠渣後之保護薄膜上之光學顯微鏡照片。再者比較例2之雷射加工後之狀態與實施例1相同。

如圖12-14所示，於實施例1中，未見到孔穴周邊部之損傷，表層為良好狀態。另一方面，比較例2中，作為保護薄膜之PET薄膜本身雖具有去膠渣液抗性，但由於對水壓之抗性不足，故保護薄膜上產生缺口。且，可知於保護薄膜與硬化性樹脂層之介面，由於有藥液浸透，故於通孔周邊產生較大損傷。

再者，實施例3中，圖15顯示雷射加工後之保護薄膜上之光學顯微鏡照片，圖16顯示去膠渣後之保護薄膜上之光學顯微鏡照片。另外圖17顯示實施例6之去膠渣後保護薄膜上之光學顯微鏡照片。又，實施例4、實施例6之雷射加工後之狀態與實施例1相同，實施例4之去膠渣後之狀態與圖3相同。

如圖15-17所示，由於係未硬化狀態之硬化性樹脂層經雷射加工者，故通孔直徑與未設有保護薄膜而進行雷射加工者相近。且，可知通孔周邊雖極少許地見到損傷，但相較於比較例2可獲得遠為良好之狀態。且，由於圖16及圖17未見到有意義差別，故可知超音波洗淨於硬化樹脂層硬化前或硬化後進行均可。

又，關於比較例3，圖18顯示雷射加工後之光學顯微鏡照片，圖19顯示利用藥液去膠渣處理後之光學顯微鏡照片。如該等圖所示，可知以半硬化狀態利用藥液進行去膠渣處理，硬化性樹脂層會全部溶出。

11．．．電路基板

11a．．．基材

11b．．．導電層

12a．．．硬化性樹脂層

12b．．．抗焊光阻

13．．．保護薄膜

14．．．通孔

15．．．膠渣

圖1為本發明一樣態之抗焊光阻之形成步驟圖。

圖2為本發明一樣態之雷射加工後之SEI影像及BEC影像。

圖3為本發明一樣態之去膠渣處理+超音波洗淨後之SEI影像及BEC影像。

圖4為比較例之雷射加工後之SEI影像及BEC影像。

圖5為比較例之去膠渣處理後之SEI影像及BEC影像。

圖6為本發明一樣態之雷射加工後之BEC影像及光學顯微鏡照片。

圖7為本發明一樣態之去膠渣處理後之BEC影像及光學顯微鏡照片。

圖8為本發明一樣態之超音波洗淨後之BEC影像。

圖9為本發明一樣態之雷射加工後之BEC影像及光學顯微鏡照片。

圖10為本發明一樣態之去膠渣處理後之BEC影像及光學顯微鏡照片。

圖11為本發明一樣態之超音波洗淨後之BEC影像。

圖12為本發明一樣態之雷射加工後之光學顯微鏡照片。

圖13為本發明一樣態之去膠渣處理後之光學顯微鏡照片。

圖14為比較例之去膠渣處理後之光學顯微鏡照片。

圖15為本發明一樣態之雷射加工後之光學顯微鏡照片。

圖16為本發明一樣態之去膠渣處理後之光學顯微鏡照片。

圖17為本發明一樣態之去膠渣處理後之光學顯微鏡照片。

圖18為比較例之雷射加工後之光學顯微鏡照片。

圖19為比較例之去膠渣處理後之光學顯微鏡照片。

11．．．電路基板

11a．．．基材

11b．．．導電層

12a．．．硬化性樹脂層

12b．．．抗焊光阻

13．．．保護薄膜

14．．．通孔

15．．．膠渣

Claims (5)

1. 一種抗焊光阻之形成方法，其特徵在於：於電路基板上形成表面黏著有保護薄膜的半硬化狀態之硬化性樹脂層，自前述保護薄膜上照射雷射光，以於前述半硬化狀態之硬化性樹脂層形成通孔，將前述通孔內的膠渣(smear)藉由使用電漿的去膠渣(desmear)處理而去除，剝離前述保護薄膜，硬化前述半硬化狀態之硬化性樹脂層。
2. 如申請專利範圍第1項之抗焊光阻之形成方法，其中前述半硬化狀態之硬化性樹脂層係藉由在電路基板上層合硬化性樹脂的乾膜，或藉由在前述電路基板上將硬化性樹脂組成物塗佈乾燥，形成前述硬化性樹脂層而形成。
3. 如申請專利範圍第1或2項之抗焊光阻之形成方法，其中前述電漿為氧電漿。
4. 一種抗焊光阻之形成方法，其特徵在於：硬化形成於電路基板上，且表面黏著有保護薄膜的硬化性樹脂層，自前述保護薄膜上照射雷射光，以於前述硬化性樹脂層形成通孔，將前述通孔內的膠渣藉由使用氧電漿的去膠渣處理而去除，剝離前述保護薄膜，於前述去膠渣處理後，進行超音 波洗淨。
5. 如申請專利範圍第1或2項之抗焊光阻之形成方法，其中於前述去膠渣處理後，進行超音波洗淨。