JP5660117B2

JP5660117B2 - デスミア処理方法

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Inventors: 廣瀬　賢一; 賢一廣瀬; 大輝堀部; 智行羽生
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Publication date: 2015-01-28
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Description

本発明は、粒状フィラーが含有された樹脂よりなる絶縁層と導電層とが積層されてなる配線基板材料のデスミア処理方法に関する。

例えば半導体集積回路素子等の半導体素子を搭載するための配線基板としては、絶縁層と導電層（配線層）とが交互に積層されてなる多層配線基板が知られている。このような多層配線基板においては、一の導電層と他の導電層とを電気的に接続するため、１つの若しくは複数の絶縁層を厚み方向に貫通して伸びるビアホールやスルーホールが形成されている。
多層配線基板の製造工程においては、絶縁層と導電層とが積層されてなる配線基板材料に、ドリル加工やレーザ加工を施すことによって絶縁層や導電層の一部を除去することにより、ビアホールやスルーホールが形成される。そして、ビアホールやスルーホールの形成においては、配線基板材料には絶縁層や導電層を構成する材料に起因するスミア（残渣）が生じる。このため、当該配線基板材料に対してスミアを除去するデスミア処理が行われる。

配線基板材料のデスミア処理方法としては、従来、湿式のデスミア処理方法および乾式のデスミア処理方法が知られている（特許文献１乃至特許文献３参照）。
湿式のデスミア処理方法は、配線基板材料を過マンガン酸カリウムや水酸化ナトリウムが溶解されてなるアルカリ溶液中に浸漬することにより、配線基板材料に残留するスミアを溶解若しくは剥離して除去する方法である。一方、乾式のデスミア処理方法は、配線基板材料に紫外線を照射することにより、当該紫外線のエネルギーおよび紫外線の照射に伴って生ずるオゾンによってスミアを分解して除去する方法である。

しかしながら、湿式のデスミア処理方法においては、スミアをアルカリ溶液に溶解させるのに長い時間を要すること、配線基板材料をアルカリ溶液に浸漬した後に洗浄処理および中和処理を行う必要があること、使用済みのアルカリ溶液について廃液処理が必要となることなどがら、デスミア処理のコストが相当に高くなる、という問題がある。
また、近年、配線基板における配線パターンの微細化の要請に伴って、径の小さいビアホールを形成することが求められている。そして、径の小さいビアホールを有する配線基板材料に対してデスミア処理を行う場合には、アルカリ溶液がビアホール内に十分に浸入しないため、所要のデスミア処理を確実に行うことが困難となる。

これに対して、乾式のデスミア処理方法によれば、短時間でデスミア処理を行うことができ、また、配線基板材料の洗浄・中和や廃液処理が不要であることから、デスミア処理についてコストの低減化を図ることが可能である。更に、径の小さいビアホールを有する配線基板材料についても対応可能である。

しかしながら、従来の乾式のデスミア処理においては、以下のような問題があることが判明した。
乾式のデスミア処理においては、絶縁層を構成する樹脂などの有機物質に起因するスミアは、紫外線およびオゾンの作用によって分解して除去される。然るに、絶縁層中に含有されたフィラーを構成するセラミックスや導電層を構成する金属などの無機物質に起因するスミアは、紫外線やオゾンの作用によっては分解されず、配線基板材料に残留する、という問題がある。

特開２００１−１２７４３６号公報特開２０１０−２０５８０１号公報特開平８−１８０７５７号公報

本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであって、その目的は、無機物質および有機物質のいずれに起因するスミアであっても確実に除去することができ、廃液処理が必要な薬品を用いることが不要なデスミア処理方法を提供することにある。

本発明のデスミア処理方法は、粒状フィラーが含有された樹脂よりなる絶縁層と導電層とが積層されてなり、前記絶縁層を貫通する貫通孔が形成された配線基板材料のデスミア処理方法において、
前記粒状フィラーはシリカまたはアルミナよりなり、
前記配線基板材料に対して、酸素を含むガス雰囲気下において波長２２０ｎｍ以下の紫外線を照射する紫外線照射処理工程と、
この紫外線照射処理工程を経由した配線基板材料に物理的振動を与える物理的振動処理工程と
を有することを特徴とする。

本発明のデスミア処理方法は、前記配線基板材料における前記絶縁層を貫通する前記貫通孔がレーザ加工によって形成されたものである場合に好適である。

本発明のデスミア処理方法においては、前記紫外線照射処理工程と前記物理的振動処理工程とを交互に繰り返すことが好ましい。
また、本発明のデスミア処理方法においては、前記物理的振動処理工程は、超音波振動処理によって行われることが好ましい。

本発明のデスミア処理方法においては、有機物質に起因するスミアは、紫外線照射処理工程において、波長２２０ｎｍ以下の紫外線を照射することにより、紫外線のエネルギーおよび紫外線の照射に伴って生ずるオゾンや活性酸素によって分解される。この紫外線照射処理工程においては、無機物質に起因するスミアは分解されず、配線基板材料に残留するが、当該無機物質に起因するスミア、具体的にはシリカやアルミナは、紫外線が照射されることによって脆いものとなる。このため、紫外線照射処理工程後の物理的振動処理工程において、配線基板材料に物理的振動を与えることにより、無機物質に起因するスミアが破壊されて当該配線基板材料から離脱する。或いは、無機物質に起因するスミアの収縮や、各スミアに紫外線を照射したときに発生する熱膨張の差などによって、スミア間にわずかな隙間が生じるため、無機物質に起因するスミアは、物理的振動処理を施すことにより当該配線基板材料から離脱する。
従って、本発明のデスミア処理方法によれば、無機物質および有機物質のいずれに起因するスミアであっても確実に除去することができる。
また、配線基板材料に対して紫外線照射処理および物理的振動処理を行えばよいので、廃液処理が必要となる薬品を用いることが不要である。

本発明のデスミア処理方法における処理対象となる配線基板材料の一例における要部の構成を示す説明用断面図である。図１に示す配線基板材料の製造工程を示す説明用断面図である。波長２２０ｎｍの紫外線の光源として用いられるエキシマランプの一例における構成の概略を示す説明用断面図であって、（ａ）放電容器の長手方向に沿った断面を示す横断面図、（ｂ）（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図である。本発明のデスミア処理方法の一例における工程を示す説明図である。

以下、本発明のデスミア処理方法の実施の形態について説明する。
図１は、本発明のデスミア処理方法における処理対象となる配線基板材料の一例における要部の構成を示す説明用断面図である。この配線基板材料１は、第１絶縁層２と、この第１絶縁層２の表面上に積層された、所要のパターンの導電層（配線層）３と、この導電層３を含む第１絶縁層２上に積層された第２絶縁層４とにより構成されている。第２絶縁層４には、その厚み方向に伸びる、例えばビアホールなどの貫通孔５が形成されており、この貫通孔５によって、導電層３の一部が露出した状態とされている。

第１絶縁層２および第２絶縁層４の各々は、無機物質よりなる粒状フィラーが含有された樹脂によって構成されている。
第１絶縁層２および第２絶縁層４を構成する樹脂としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂などを用いることができる。
第１絶縁層２中および第２絶縁層４中に含有される粒状フィラーを構成する材料としては、シリカ、アルミナ、マイカ、珪酸塩、硫酸バリウム、水酸化マグネシウム、酸化チタンなどを用いることができる。粒状フィラーの平均粒子径は、例えば０．１〜３μｍである。
第１絶縁層２および第２絶縁層４の各々における粒状フィラーの割合は、例えば２０〜６０質量％である。
導電層３を構成する材料としては、銅、ニッケル、金などを用いることができる。
第１絶縁層２の厚みは、例えば２０〜８００μｍ、第２絶縁層４の厚みは、例えば１０〜５０μｍである。導電層３の厚みは、例えば１０〜１００μｍである。また、貫通孔５の径は、例えば３０〜１００μｍである。

このような配線基板材料１は、例えば以下のようにして得られる。
先ず、図２（ａ）に示すように、第１絶縁層２の表面上に、所要のパターンの導電層３を形成する。次いで、図２（ｂ）に示すように、導電層３を含む第１絶縁層２の表面上に第２絶縁層４を形成する。そして、図２（ｃ）に示すように、第２絶縁層４における所要の箇所に、当該第２絶縁層４の厚み方向に貫通して伸びる貫通孔５を形成する。

以上において、導電層３を形成する方法としては、特に限定されず、サブトラクティブ法、セミアディティブ法などの種々の方法を利用することができる。
第２絶縁層４を形成する方法としては、液状の熱硬化性樹脂中に粒状フィラーが含有されてなる絶縁層形成材料を、導電層３を含む第１絶縁層２の表面上に塗布した後、当該絶縁層形成材料を硬化処理する方法や、導電層３を含む第１絶縁層２の表面上に、粒状フィラーが含有された絶縁シートを熱圧着等によって貼り合わせる方法を利用することができる。
第２絶縁層４に貫通孔５を形成する方法としては、ドリル加工による方法、レーザ加工による方法を利用することができる。レーザ加工によって貫通孔５を形成する場合には、炭酸ガスレーザ装置やＹＡＧレーザ装置などを用いることができる。
このようにして得られる配線基板材料１においては、第２絶縁層４における貫通孔５の内壁面、第２絶縁層４の表面における貫通孔５の周辺領域、および貫通孔５の底部すなわち導電層３における貫通孔５によって露出した部分などには、貫通孔５を形成する際に生じたスミア６が残留している。

本発明のデスミア処理方法においては、上記の配線基板材料１における被処理部分に対して紫外線を照射する紫外線照射処理工程と、この紫外線照射処理工程を経由した配線基板材料１に物理的振動を与える物理的振動処理工程とを行う。

紫外線照射処理工程は、例えば大気などの酸素を含む雰囲気下において行われる。
紫外線照射処理工程において、配線基板材料１に照射される紫外線は、波長２２０ｎｍ以下、好ましくは１９０ｎｍ以下とされる。紫外線の波長が２２０ｎｍを超える場合には、樹脂などの有機物質に起因するスミアを分解除去することが困難となる。
波長２２０ｎｍの紫外線の光源としては、キセノンエキシマランプ（ピーク波長１７２ｎｍ）、低圧水銀灯（１８５ｎｍ輝線）、希ガス蛍光ランプなどを用いることができる。配線基板材料１に照射される紫外線の照度は、例えば１０〜２００ｍＷ／ｃｍ²である。また、配線基板材料１に対する紫外線の照射時間は、紫外線の照度やスミアの残留状態などを考慮して適宜設定されるが、例えば３０〜１８０分間である。

図３は、波長２２０ｎｍの紫外線の光源として用いられるエキシマランプの一例における構成の概略を示す説明用断面図であって、（ａ）放電容器の長手方向に沿った断面を示す横断面図、（ｂ）（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図である。
このエキシマランプ１０は、両端が気密に封止されて内部に放電空間Ｓが形成された、断面矩形状の中空長尺状の放電容器１１を備えており、この放電容器１１の内部には、放電用ガスとして、例えばキセノンガスや、アルゴンと塩素とを混合したガスが封入されている。
放電容器１１は、真空紫外光を良好に透過するシリカガラス、例えば合成石英ガラスよりなり、誘電体としての機能を有する。

放電容器１１における長辺面の外表面には、一対の格子状の電極、すなわち、高電圧供給電極として機能する一方の電極１５および接地電極として機能する他方の電極１６が長尺な方向に伸びるよう対向して配置されており、これにより、一対の電極１５，１６間に誘電体として機能する放電容器１１が介在された状態とされている。
このような電極は、例えば、金属よりなる電極材料を放電容器１１にペースト塗布することにより、あるいは、プリント印刷や蒸着することによって形成することができる。

このエキシマランプ１０においては、一方の電極１５に点灯電力が供給されると、誘電体として機能する放電容器１１の壁を介して両電極１５，１６間に放電が生成され、これにより、エキシマ分子が形成されると共にこのエキシマ分子から真空紫外光が放射されるエキシマ放電が生ずるが、このエキシマ放電によって発生する真空紫外光を効率良く利用するために、放電容器１１の内表面に、シリカ粒子とアルミナ粒子とからなる紫外線反射膜２０が設けられている。ここに、放電用ガスとしてキセノンガスを用いた場合は、波長１７２ｎｍにピークを有する真空紫外線が放出され、放電用ガスとしてアルゴンと塩素とを混合したガスを用いた場合には、波長１７５ｎｍにピークを有する真空紫外線が放出される。

紫外線反射膜２０は、例えば、放電容器１１における長辺面の、高電圧供給電極として機能する一方の電極１５に対応する内表面領域とこの領域に連続する短辺面の内表面領域の一部にわたって形成されており、放電容器１１における長辺面の、接地電極として機能する他方の電極１６に対応する内表面領域において紫外線反射膜２０が形成されていないことによって光出射部（アパーチャ部）１８が構成されている。
紫外線反射膜２０の膜厚は、例えば１０〜１００μｍであることが好ましい。

紫外線反射膜２０は、シリカ粒子およびアルミナ粒子それ自体が高い屈折率を有する真空紫外光透過性を有するものであることから、シリカ粒子またはアルミナ粒子に到達した真空紫外光の一部が粒子の表面で反射されると共に他の一部が屈折して粒子の内部に入射され、さらに、粒子の内部に入射される光の多くが透過され（一部が吸収）、再び、出射されるに際して屈折される、このような反射、屈折が繰り返し起こる「拡散反射」させる機能を有する。
また、紫外線反射膜２０は、シリカ粒子およびアルミナ粒子、すなわちセラミックスにより構成されていることにより、不純ガスを発生させず、また、放電に耐えられる特性を有する。

紫外線反射膜２０を構成するシリカ粒子は、例えばシリカガラスを粉末状に細かい粒子としたものなどを用いることができる。
シリカ粒子は、以下のように定義される粒子径が例えば０．０１〜２０μｍの範囲内にあるものであって、中心粒径（数平均粒子径のピーク値）が、例えば０．１〜１０μｍであるものが好ましく、より好ましくは０．３〜３μｍであるものである。
また、中心粒径を有するシリカ粒子の割合が５０％以上であることが好ましい。

紫外線反射膜２０を構成するアルミナ粒子は、以下のように定義される粒子径が例えば０．１〜１０μｍの範囲内にあるものであって、中心粒径（数平均粒子径のピーク値）が、例えば０．１〜３μｍであるものが好ましく、より好ましくは０．３〜１μｍであるものである。
また、中心粒径を有するアルミナ粒子の割合が５０％以上であることが好ましい。

物理的振動処理工程は、例えば超音波振動処理によって行うことができる。超音波振動処理における超音波の周波数は、２０〜７０ｋＨｚであることが好ましい。この周波数が７０ｋＨｚを超える場合には、無機物質に起因するスミアを破壊して配線基板材料から離脱させることが困難となる。
このような超音波振動処理においては、超音波の振動媒体として、水などの液体および空気などの気体を用いることができる。

具体的に説明すると、振動媒体として水を用いる場合には、配線基板材料１を例えば水中に浸漬し、この状態で、当該水を超音波振動させることにより、超音波振動処理を行うことができる。超音波の振動媒体として液体を用いる場合には、超音波振動処理の処理時間は、例えば１０〜６００秒間である。

また、振動媒体として空気を用いる場合には、圧縮空気を超音波振動させながら配線基板材料１に吹きつけることにより、超音波振動処理を行うことができる。ここで、圧縮空気の圧力は０．２ＭＰａ以上であることが好ましい。また、圧縮空気による超音波振動処理の処理時間は、例えば５〜６０秒間である。

上記の紫外線照射処理工程および物理的振動処理工程は、この順でそれぞれ１回ずつ行ってもよいが、紫外線照射処理工程および物理的振動処理工程を交互に繰り返して行うことが好ましい。
紫外線照射処理工程および物理的振動処理工程の繰り返し回数は、各紫外線照射処理工程における紫外線の照射時間などを考慮して適宜設定されるが、例えば１〜５回である。

以下、本発明のデスミア処理方法について、紫外線照射処理工程および物理的振動処理工程をそれぞれ２回行う場合を例に挙げて説明する。
図４（ａ）に示すように、デスミア処理前の配線基板材料１においては、配線基板材料１における被処理部分例えば導電層３上にはスミア６が残留している。このスミア６は、樹脂などの有機物質に起因するスミア（以下、「有機物スミア」ともいう。）７と、この有機物スミア７中に含有された、粒状フィラーなどの無機物質に起因するスミア（以下、「無機物スミア」ともいう。）８とよりなるものである。

このような配線基板材料１に対して、その被処理部分に波長２２０ｎｍ以下の紫外線を照射することにより、有機物スミア７の一部は、紫外線のエネルギーおよび紫外線の照射に伴って生ずるオゾンや活性酸素によって分解されてガス化される。その結果、図４（ｂ）に示すように、配線基板材料１から有機物スミア７の一部が除去される。このとき、無機物スミア８の一部は、有機物スミア７の一部が除去されることによって露出される。また、露出した無機物スミア８、例えばシリカやアルミナなどの無機物スミア８は、紫外線が照射されることによって脆いものとなる。これは、無機物スミア８が紫外線を受けることによって収縮することにより、当該無機物スミア８に歪みが生じるためと考えられる。次いで、配線基板材料１に対して物理的振動処理を施すことにより、露出した無機物スミア８は、振動による機械的作用によって破壊されて当該配線基板材料１から離脱する。また、無機物スミア８の収縮や、各スミアに紫外線を照射したときに発生する熱膨張の差などによって、有機物スミア７と無機物スミア８との間にわずかな隙間が生じることも考えられ、無機物スミア８は、物理的振動処理を施すことにより当該配線基板材料１から離脱する。
それらの結果、図４（ｃ）に示すように、配線基板材料１から無機物スミア８の一部が除去される。

その後、配線基板材料１に対して、その被処理部分に波長２２０ｎｍ以下の紫外線を照射することにより、有機物スミア７の残部の大部分は、紫外線のエネルギーおよび紫外線の照射に伴って生ずるオゾンや活性酸素によって分解されてガス化される。その結果、図４（ｄ）に示すように、配線基板材料１から有機物スミア７の残部の大部分が除去される。このとき、無機物スミア８の残部は、有機物スミア７の残部の大部分が除去されることによって露出される。また、露出した無機物スミア８は、紫外線が照射されることによって脆いものとなる。
次いで、配線基板材料１に対して物理的振動処理を施すことにより、露出した無機物スミア８や有機物スミア７の残部は、振動による機械的作用によって破壊されて当該配線基板材料１から離脱する。また、無機物スミア８の収縮や、各スミアに紫外線を照射したときに発生する熱膨張の差などによって、配線基板材料１と無機物スミア８との間にわずかな隙間が生じることも考えられ、物理的振動処理を施すことにより当該配線基板材料１から離脱する。それらの結果、図４（ｅ）に示すように、配線基板材料１から無機物スミア８の残部および有機物スミア７の残部が除去され、これにより、例えば導電層３の表面が露出した状態となる。

このように、紫外線照射処理工程および物理的振動処理工程を交互に繰り返して行うデスミア処理方法によれば、各紫外線照射処理工程の紫外線照射時間の合計を、１回の紫外線照射処理工程によるデスミア処理方法における紫外線照射時間よりも短くすることができる。これは、有機物スミア７が紫外線の照射によって分解されず残留しても、当該有機物スミア７は劣化するため、物理的振動処理によって配線基板材料１から離脱して除去されるためと考えられる。

以上のように、本発明のデスミア処理方法においては、有機物スミア７は、紫外線照射処理工程において、波長２２０ｎｍ以下の紫外線を照射することにより、紫外線のエネルギーおよび紫外線の照射に伴って生ずるオゾンや活性酸素によって分解される。この紫外線照射処理工程においては、無機物スミア８は分解されず、配線基板材料１に残留するが、当該無機物スミア８は、紫外線が照射されることによって脆いものとなる。このため、紫外線照射処理工程後の物理的振動処理工程において、配線基板材料１に物理的振動を与えることにより、無機物スミア８が破壊し、或いは無機物スミア８と有機物スミア７とのわずかな隙間から剥離して当該配線基板材料１から離脱する。
従って、本発明のデスミア処理方法によれば、無機物スミア８および有機物スミア７のいずれであっても確実に配線基板材料１から除去することができる。
また、配線基板材料１に対して紫外線照射処理および物理的振動処理を行えばよいので、廃液処理が必要となる薬品を用いることが不要である。

以下、本発明の具体的な実施例について説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

［試験用配線基板材料の作製］
厚みが１００μｍの銅箔上に厚みが１００μｍの絶縁層が形成されてなる積層体を用意した。ここで、絶縁層は、エポキシ樹脂中に、平均粒子径が１．０μｍのシリカが４０質量％の割合で含有されてなるものである。
この積層体における絶縁層に対して、炭酸ガスレーザ装置によってレーザ加工を施すことにより、当該絶縁層に径が５０μｍの貫通孔を形成し、以て、試験用配線基板材料を得た。この試験用配線基板材料の貫通孔の底部を、走査型電子顕微鏡によって観察したところ、貫通孔の底部にはスミアが残留していることが確認された。

〈実施例１〉
試験用配線基板材料について、下記紫外線照射処理工程および下記物理的振動処理工程を行うことにより、試験用配線基板材料のデスミア処理を行った。
（１）紫外線照射処理工程
大気中において、試験用配線基板材料の貫通孔の内部に対して、キセノンエキシマランプを備えた紫外線照射装置によって下記の条件で紫外線照射処理を行った。
紫外線照射処理条件：
紫外線照射装置の紫外線出射窓の外面における紫外線照度＝４０Ｗ／ｃｍ²
紫外線照射装置の紫外線出射窓と試験用配線基板材料との離間距離＝３ｍｍ
紫外線照射時間＝１８０分間
（２）物理的振動処理工程
上記（１）の紫外線照射処理工程が終了した後、試験用配線基板材料を純水中に浸漬した。この状態で、試験用配線基板材料に対して４０．０ｋＨｚの超音波による超音波振動処理を３分間行った。

［評価］
デスミア処理が終了した試験用配線基板材料の底部を走査型電子顕微鏡によって観察し、樹脂に起因する有機物スミアおよびフィラーに起因する無機物スミアの各々の残留状態を下記の基準で評価を行った。
○：スミアの残留が認められないもの
×：多量にスミアの残留が認められるもの
以上、結果を下記表１に示す。

〈実施例２〉
試験用配線基板材料について、下記紫外線照射処理工程および下記物理的振動処理工程を交互に３回繰り返すことにより、試験用配線基板材料のデスミア処理を行った。そして、デスミア処理が終了した試験用配線基板材料について、実施例１と同様の評価を行った。結果を下記表１に示す。
（１）紫外線照射処理工程
大気中において、試験用配線基板材料の貫通孔の内部に対して、キセノンエキシマランプを備えた紫外線照射装置によって下記の条件で紫外線照射処理を行った。そして、デスミア処理が終了した試験用配線基板材料について、実施例１と同様の評価を行った。結果を下記表１に示す。
紫外線照射処理条件：
紫外線照射装置の紫外線出射窓の外面における紫外線照度＝４０Ｗ／ｃｍ²
紫外線照射装置の紫外線出射窓と試験用配線基板材料との離間距離＝３ｍｍ
紫外線照射時間＝３０分間
（２）物理的振動処理工程
上記（１）の紫外線照射処理が終了した後、当該試験用配線基板材料を純水中に浸漬した。この状態で、試験用配線基板材料に対して４０．０ｋＨｚの超音波による超音波振動処理を３分間行った。

〈実施例３〉
試験用配線基板材料について、下記紫外線照射処理工程および下記物理的振動処理工程を行うことにより、試験用配線基板材料のデスミア処理を行った。そして、デスミア処理が終了した試験用配線基板材料について、実施例１と同様の評価を行った。結果を下記表１に示す。
（１）紫外線照射処理工程
実施例１と同様にして試験用配線基板材料の貫通孔の内部に紫外線を照射した。
（２）物理的振動処理工程
上記（１）基板材料に対する紫外線照射処理工程が終了した後、当該試験用配線基板材料の貫通孔の内部に、０．２ＭＰａの圧縮空気を３０ｋＨｚで超音波振動させながら１０秒間吹きつけた。

〈比較例１〉
試験用配線基板材料について、以下のようにしてデスミア処理を行った。
大気中において、試験用配線基板材料の貫通孔の内部に対して、キセノンエキシマランプを備えた紫外線照射装置によって下記の条件で紫外線照射処理を行った。この紫外線照射処理が終了した後、試験用配線基板材料を高圧水流によって洗浄した。そして、デスミア処理が終了した試験用配線基板材料について、実施例１と同様の評価を行った。結果を下記表１に示す。
紫外線照射処理条件：
紫外線照射装置の紫外線出射窓の外面における紫外線照度＝４０Ｗ／ｃｍ²
紫外線照射装置の紫外線出射窓と試験用配線基板材料との離間距離＝３ｍｍ
紫外線照射時間＝９０分間

〈比較例２〉
紫外線照射時間を１２０分間に変更したこと以外は、比較例１と同様にして試験用配線基板材料のデスミア処理を行い、当該試験用配線基板材料についての評価を行った。結果を下記表１に示す。

〈比較例３〉
紫外線照射時間を１８０分間に変更したこと以外は、比較例１と同様にして試験用配線基板材料のデスミア処理を行い、当該試験用配線基板材料についての評価を行った。結果を下記表１に示す。

〈比較例４〉
試験用配線基板材料を純水中に浸漬し、この状態で、試験用配線基板材料に対して４０．０ｋＨｚの超音波による超音波振動処理を１０分間行うことにより、試験用配線基板材料のデスミア処理を行った。
そして、デスミア処理が終了した試験用配線基板材料について、実施例１と同様の評価を行った。結果を下記表１に示す。

〈比較例５〉
試験用配線基板材料の貫通孔の内部に対して、０．２ＭＰａの圧縮空気を３０ｋＨｚで超音波振動させながら１０秒間吹きつけることにより、試験用配線基板材料のデスミア処理を行った。
そして、デスミア処理が終了した試験用配線基板材料について、実施例１と同様の評価を行った。結果を下記表１に示す。

表１の結果から明らかなように、実施例１〜３に係るデスミア処理方法によれば、無機物スミアおよび有機物スミアのいずれも確実に配線基板材料から除去されることが確認された。特に、実施例２に係るデスミア処理方法によれば、紫外線照射処理工程および物理的振動処理工程を交互に繰り返して行うため、各紫外線照射工程の紫外線照射時間の合計を、実施例１に係るデスミア処理方法における紫外線照射時間よりも短くすることができる。
これに対して、比較例１〜３においては、物理的振動処理の代わりに高圧水流による洗浄処理を行ったため、デスミア処理後の試験用配線基板材料にはスミアが残留しており、特に無機物スミアの残留が顕著であった。これは、高圧水流が試験用配線基板材料の貫通孔の内部に十分に進入しないためであると考えられる。
また、比較例４〜５においては、試験用配線基板材料に対して紫外線照射処理を行っていないため、無機物スミアおよび有機物スミアのいずれもほとんど除去することができなかった。

１配線基板材料
２第１絶縁層
３導電層
４第２絶縁層
５貫通孔
６スミア
７有機物スミア
８無機物スミア
１０エキシマランプ
１１放電容器
１５一方の電極（高電圧供給電極）
１６他方の電極（接地電極）
１８光出射部（アパーチャ部）
２０紫外線反射膜

Claims

粒状フィラーが含有された樹脂よりなる絶縁層と導電層とが積層されてなり、前記絶縁層を貫通する貫通孔が形成された配線基板材料のデスミア処理方法において、
前記粒状フィラーはシリカまたはアルミナよりなり、
前記配線基板材料に対して、酸素を含むガス雰囲気下において波長２２０ｎｍ以下の紫外線を照射する紫外線照射処理工程と、
この紫外線照射処理工程を経由した配線基板材料に物理的振動を与える物理的振動処理工程と
を有することを特徴とするデスミア処理方法。
前記絶縁層を貫通する前記貫通孔は、レーザ加工によって形成されたものであることを特徴とする請求項１に記載のデスミア処理方法。
前記紫外線照射処理工程と前記物理的振動処理工程とを交互に繰り返すことを特徴とする請求項１または請求項２のいずれかに記載のデスミア処理方法。
前記物理的振動処理工程は、超音波振動処理によって行われることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のデスミア処理方法。