JP2015135929A - デスミア処理方法およびデスミア処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】絶縁層と導電層とが積層されおり、当該絶縁層を貫通するホールよりなる凹部が形成されてなる配線基板材料に対して短時間でデスミア処理を行うことのできるデスミア処理方法およびデスミア処理装置を提供すること。【解決手段】デスミア処理方法は、絶縁層と導電層とが積層されており、当該絶縁層を貫通する貫通孔よりなる凹部が形成された配線基板材料のデスミア処理方法において、前記配線基板材料における被処理部分に対して、高圧水、または液体に浸漬した状態で物理的振動を作用させる一次物理的洗浄処理工程と、この一次物理的洗浄処理工程を経由した配線基板材料における前記被処理部分に対して真空紫外線を照射する紫外線処理工程と、この紫外線処理工程を経由した配線基板材料に対して、物理的振動を与える二次物理的洗浄処理工程とを有することを特徴とする。【選択図】図３

Description

本発明は、絶縁層と導電層とが積層されてなる配線基板材料のデスミア処理方法およびデスミア処理装置に関する。

例えば半導体集積回路素子等の半導体素子を搭載するための配線基板としては、絶縁層と導電層（配線層）とが交互に積層されてなる多層配線基板が知られている。このような多層配線基板においては、一の導電層と他の導電層とを電気的に接続するため、１つのもしくは複数の絶縁層を厚み方向に貫通して伸びるビアホールやスルーホールが形成されている。
多層配線基板の製造工程においては、絶縁層と導電層とが積層されてなる配線基板材料に、ドリル加工やレーザ加工を施すことによって絶縁層や導電層の一部を除去することにより、ビアホールやスルーホールが形成される。そして、ビアホールやスルーホールの形成においては、配線基板材料には絶縁層や導電層を構成する材料に起因するスミア（残渣）が生じる。このため、配線基板材料に対してスミアを除去するデスミア処理が行われる。

配線基板材料のデスミア処理方法としては、乾式のデスミア処理方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。乾式のデスミア処理方法は、配線基板材料に紫外線を照射することにより、当該紫外線のエネルギーおよび紫外線の照射に伴って生ずるオゾンによってスミアを分解して除去する方法である。
この乾式のデスミア処理方法によれば、短時間でデスミア処理を行うことができ、またデスミア処理についてコストの低減化を図ることが可能である。更に、径の小さいビアホールを有する配線基板材料についても対応可能である。
しかしながら、多層配線基板の製造工程においては、配線基板材料のデスミア処理を、より効率的に、具体的には、より短時間で行うことが求められている。

特開平０８−１８０７５７号公報

本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであって、その目的は、絶縁層と導電層とが積層されており、当該絶縁層を貫通するホールよりなる凹部が形成されてなる配線基板材料に対して短時間でデスミア処理を行うことのできるデスミア処理方法およびデスミア処理装置を提供することにある。

本発明のデスミア処理方法は、絶縁層と導電層とが積層されており、当該絶縁層を貫通する貫通孔よりなる凹部が形成された配線基板材料のデスミア処理方法において、
前記配線基板材料における被処理部分に対して、高圧水、または液体に浸漬した状態で物理的振動を作用させる一次物理的洗浄処理工程と、
この一次物理的洗浄処理工程を経由した配線基板材料における前記被処理部分に対して真空紫外線を照射する紫外線処理工程と、
この紫外線処理工程を経由した配線基板材料に対して、物理的振動を与える二次物理的洗浄処理工程と
を有することを特徴とする。

本発明のデスミア処理方法は、前記紫外線処理工程の前処理工程として、前記一次物理的洗浄処理工程を経由した配線基板材料における被処理部分上の液体を除去する液体除去処理工程を有することが好ましい。

本発明のデスミア処理装置は、絶縁層と導電層とが積層されており、当該絶縁層を貫通するホールよりなる凹部が形成された配線基板材料をデスミア処理するためのデスミア処理装置であって、
前記配線基板材料における被処理部分に対して、高圧水、または液体に浸漬した状態で物理的振動を作用させる一次物理的洗浄処理手段と、
この一次物理的洗浄処理手段によって処理された配線基板材料における前記被処理部分に対して真空紫外線を照射する紫外線処理手段と、
この紫外線処理手段によって処理された配線基板材料に対して、物理的振動を与える二次物理的洗浄処理手段とが、
この順に配置されてなることを特徴とする。

本発明のデスミア処理装置は、前記一次物理的洗浄処理手段によって処理された配線基板材料における被処理部分上の液体を、前記紫外線処理手段によって処理する前に除去する液体除去処理手段が、当該一次物理的洗浄処理手段と当該紫外線処理手段との間の位置に配設されていることが好ましい。

本発明のデスミア処理方法においては、紫外線処理工程に供する前の配線基板材料における被処理部分に対して、高圧水、または液体に浸漬した状態で物理的振動を作用させる一次物理的洗浄処理工程が行われる。そして、この一次物理的洗浄処理工程においては、配線基板材料における凹部内を含む被処理部分に残留しているスミアの一部を短時間で除去することができる。そのため、一次物理的洗浄処理工程の後に行われる処理工程に要する時間、特に紫外線処理工程に要する時間を大幅に低減することができる。
従って、本発明のデスミア処理方法によれば、絶縁層と導電層とが積層されており、当該絶縁層を貫通するホールよりなる凹部が形成されてなる配線基板材料に対して短時間でデスミア処理を行うことができる。

本発明のデスミア処装置は、一次物理的洗浄処理手段と、紫外線処理手段と、二次物理的洗浄処理手段とがこの順に配置されたものであることから、その配置順に処理手段を用いて、配線基板材料に対して順次に処理を行うことにより、本発明のデスミア処理方法を実施することができる。そのため、一次物理的洗浄処理手段によって、配線基板材料における凹部内を含む被処理部分に残留しているスミアの一部を短時間で除去することができ、よって特に紫外線処理手段による処理に要する時間を大幅に低減することができる。

本発明のデスミア処理方法における処理対象となる配線基板材料の一例における要部の構成を示す説明用断面図である。 図１に示す配線基板材料の製造工程を示す説明用断面図である。 本発明のデスミア処理装置の構成の一例における概略を示す説明用概略図である。

以下、本発明のデスミア処理方法の実施の形態について説明する。
図１は、本発明のデスミア処理方法における処理対象となる配線基板材料の一例における要部の構成を示す説明用断面図である。
この配線基板材料１は、第１絶縁層２と、この第１絶縁層２の表面上に積層された、所要のパターンの導電層（配線層）３と、この導電層３を含む第１絶縁層２上に積層された第２絶縁層４とにより構成されている。第２絶縁層４には、その厚み方向に伸びる、例えばビアホールなどの貫通孔５が形成されており、この貫通孔５によって、導電層３の一部が露出した状態とされ、凹部が形成されている。

第１絶縁層２および第２絶縁層４の各々は、無機物質よりなるフィラーが含有された樹脂によって構成されている。
第１絶縁層２および第２絶縁層４を構成する樹脂としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂などを用いることができる。
第１絶縁層２中および第２絶縁層４中に含有されるフィラーを構成する材料としては、シリカ、アルミナ、マイカ、珪酸塩、硫酸バリウム、水酸化マグネシウム、酸化チタンなどを用いることができる。フィラーの平均粒子径は、例えば０．１〜３μｍである。
第１絶縁層２および第２絶縁層４の各々におけるフィラーの割合は、例えば２０〜６０質量％である。
導電層３を構成する材料としては、銅、ニッケル、金などを用いることができる。
第１絶縁層２の厚みは、例えば２０〜８００μｍ、第２絶縁層４の厚みは、例えば１０〜５０μｍである。導電層３の厚みは、例えば１０〜１００μｍである。また、貫通孔５の径は、例えば３０〜１００μｍである。

このような配線基板材料１は、例えば以下のようにして得られる。
先ず、図２（ａ）に示すように、第１絶縁層２の表面上に、所要のパターンの導電層３を形成する。次いで、図２（ｂ）に示すように、導電層３を含む第１絶縁層２の表面上に第２絶縁層４を形成する。そして、図２（ｃ）に示すように、第２絶縁層４における所要の箇所に、当該第２絶縁層４の厚み方向に貫通して伸びる貫通孔５を形成する。

以上において、導電層３を形成する方法としては、特に限定されず、サブトラクティブ法、セミアディティブ法などの種々の方法を利用することができる。
第２絶縁層４を形成する方法としては、液状の熱硬化性樹脂中にフィラーが含有されてなる絶縁層形成材料を、導電層３を含む第１絶縁層２の表面上に塗布した後、当該絶縁層形成材料を硬化処理する方法や、導電層３を含む第１絶縁層２の表面上に、粒状フィラーが含有された絶縁シートを熱圧着等によって貼り合わせる方法を利用することができる。
第２絶縁層４に貫通孔５を形成する方法としては、ドリル加工による方法、レーザ加工による方法を利用することができる。レーザ加工によって貫通孔５を形成する場合には、炭酸ガスレーザ装置やＹＡＧレーザ装置などを用いることができる。
このようにして得られる配線基板材料１においては、第２絶縁層４における貫通孔５の内壁面、第２絶縁層４の表面における貫通孔５の周辺領域、および貫通孔５の底部すなわち導電層３における貫通孔５によって露出した部分などには、貫通孔５を形成する際に生じたスミア６が残留している。このスミア６は、樹脂などの有機物質に起因するスミア（以下、「有機物スミア」ともいう。）と、この有機物スミア中に含有された、フィラーなどの無機物質に起因するスミア（以下、「無機物スミア」ともいう。）とよりなるものである。

本発明のデスミア処理においては、配線基板材料１に対して、下記の（１）〜（３）の工程が行われる。

（１）配線基板材料１における被処理部分に対して、高圧水、または液体に浸漬した状態で物理的振動を作用させる一次物理的洗浄処理工程。
（２）一次物理的洗浄処理工程を経由した配線基板材料１における被処理部分に対して真空紫外線を照射する紫外線処理工程。
（３）紫外線処理工程を経由した配線基板材料１に対して、物理的振動を与える二次物理的洗浄処理工程。

一次物理的洗浄処理工程は、配線基板材料１における被処理部分に対して、高圧水を作用させる高圧水洗浄処理、または液体に浸漬した状態で物理的振動を作用させる物理的振動洗浄処理のいずれかの処理によって行われる。

一次物理的洗浄処理工程を高圧水洗浄処理によって行う場合には、配線基板材料１の被処理部分に対して、例えば高圧水発生装置において加圧された水（高圧水）を吹き付けることにより、被処理部分が洗浄処理される。
ここに、高圧水の圧力は、１〜３０ＭＰａであることが好ましく、更に好ましくは２〜３０Ｍｐａである。この高圧水の圧力が過大である場合には、配線基板材料１自体の破壊、具体的には絶縁層の剥離などが生じるおそれがある。一方、高圧水の圧力が過小である場合には、洗浄効果が得られなくなるおそれがある。
また、高圧水洗浄処理の処理時間は、例えば０．００１〜３秒間である。

また、一次物理的洗浄処理工程を物理的振動洗浄処理によって行う場合には、配線基板材料１を液体中に浸漬させた状態で超音波振動させることにより、被処理部分が洗浄処理される。
ここに、超音波の周波数は、２０〜７０ｋＨｚであることが好ましく、更に好ましくは２５〜３０ｋＨｚである。この周波数が７０ｋＨｚ以上である場合には、十分な洗浄効果が得られなくなるおそれがある。また、２０ｋＨｚ以下は使用されることのない周波数である。
また、物理的振動洗浄処理の処理時間は、例えば１０〜３００秒間である。

物理的振動洗浄処理に用いる液体としては、例えば水などが挙げられる。

紫外線処理工程において、配線基板材料１に照射される真空紫外線は、波長が２２０ｎｍ以下のものであり、好ましくは波長が１９０ｎｍ以下のものである。紫外線の波長が２２０ｎｍを超える場合には、有機スミアを分解除去することが困難となる。
波長２２０ｎｍ以下の真空紫外線の光源としては、キセノンエキシマランプ（ピーク波長１７２ｎｍ）、低圧水銀灯（１８５ｎｍ輝線）、希ガス蛍光ランプなどを用いることができる。
配線基板材料１に照射される紫外線の照度は、例えば１０〜１０００ｍＷ／ｃｍ² である。
また、配線基板材料１に対する真空紫外線の照射時間は、真空紫外線の照度やスミア６の残留状態などを考慮して適宜設定されるが、例えば３０秒間〜１８０分間である。

二次物理的洗浄処理工程は、例えば超音波振動処理によって行うことができる。超音波振動処理における超音波の周波数は、２０〜７０ｋＨｚであることが好ましい。この周波数が７０ｋＨｚを超える場合には、無機スミアを破壊して配線基板材料１から離脱させることが困難となる。
このような超音波振動処理においては、超音波の振動媒体として、水などの液体および空気などの気体を用いることができる。

具体的に説明すると、振動媒体として液体を用いる場合には、配線基板材料１を液体（例えば水）中に浸漬し、この状態で、当該液体を超音波振動させることにより、超音波振動処理を行うことができる。また、超音波振動処理の処理時間は、例えば１０〜６００秒間である。

また、振動媒体として空気を用いる場合には、圧縮空気を超音波振動させながら配線基板材料１に吹きつけることにより、超音波振動処理を行うことができる。ここで、圧縮空気の圧力は０．２ＭＰａ以上であることが好ましい。また、圧縮空気による超音波振動処理の処理時間は、例えば５〜６０秒間である。

本発明のデスミア処理方法においては、紫外線処理工程の前処理工程として、一次物理的洗浄処理工程を経由した配線基板材料１における被処理部分上の液体を除去する液体除去処理工程が行われることが好ましい。
液体除去処理工程が行われることによれば、被処理部分に残留している液体（水分）によって真空紫外線が吸収されることに起因して、当該被処理部分に到達する真空紫外線量が低下することを防止することができる。その結果、紫外線処理工程における紫外線照射時間をより一層短縮することができる。

液体除去処理工程は、例えばエアーナイフを用いることによって行うことができる。

以上のような本発明のデスミア処理方法は、一次物理的洗浄処理手段と、紫外線処理手段と、二次物理的洗浄処理手段とを備えており、これらの一次物理的洗浄処理手段、紫外線処理手段および二次物理的洗浄処理手段がこの順に配置されてなる本発明のデスミア処理装置によって、好適に実施することができる。

以下、本発明のデスミア処置装置の実施の形態について説明する。
図３は、本発明のデスミア処理装置の構成の一例の概略を示す説明図である。
このデスミア処理装置１０は、一次物理的洗浄処理手段２０と、紫外線処理手段４０と、二次物理的洗浄処理手段５０とがこの順に直線状に配置されたものである。また、各処理手段の間には、それぞれ搬送手段１２，１２が設けられている。
この図の例において、搬送手段１２は、直方体状の支持台１３に回転自在に設けられた搬送用部材１４を備えたものである。この搬送用部材１４は、支持台１３の上面から垂直に突出して伸びる円柱棒状のアーム支持部１４Ａと、このアーム支持部１４Ａの先端に、当該アーム支持部１４Ａに垂直に伸びるように設けられた矩形棒状のアーム部１４Ｂとよりなるものである。このアーム部１４Ｂの下面には、吸着パット１５が設けられている。そして、搬送用部材１４は、支持台１３の内部に配置された駆動機構によって、アーム部１４Ｂが円弧を描くように回転駆動される。

また、デスミア処理装置１０には、図３に示されているように、一次物理的洗浄処理手段２０と紫外線処理手段４０との間に、液体除去処理手段３０が設けられていることが好ましい。この液体除去処理手段３０は、一次物理的洗浄処理手段２０によって処理された配線基板材料１における被処理部分上の液体を、紫外線処理手段４０によって処理する前に除去するものである。
この図の例において、液体除去処理手段３０は、一次物理的洗浄処理手段２０と共通のケーシング３１を有している。このケーシング３１内は、区画壁部２３により、一次物理的洗浄処理手段２０に係る一次物理的洗浄空間と、液体除去処理手段３０に係る液体除去手段空間とに区画されている。

一次物理的洗浄処理手段２０は、一次物理的洗浄処理工程を行うものであり、配線基板材料１における被処理部分に対して、高圧水、または液体に浸漬した状態で物理的振動を作用させることのできるものである。すなわち、一次物理的洗浄処理手段２０としては、高圧水洗浄処理装置、または物理的振動洗浄処理装置が用いられる。ここに、一次物理的洗浄処理手段２０として用いられる高圧洗浄処理装置は、配線基板材料１における被処理部分に対して高圧水を作用させ、その高圧水による水流によって、被処理部分を洗浄することのできるものである。一方、物理的振動洗浄処理装置は、配線基板材料１における被処理部分に対して液体に浸漬した状態で物理的振動を作用させ、その物理的振動によって、被処理部分を洗浄することのできるものである。
この図の例において、一次物理的洗浄処理手段２０としては、物理的洗浄処理装置が用いられている。

一次物理的洗浄処理手段２０を構成する物理的洗浄処理装置は、例えば図３に示すような構成を有するものである。
この物理的洗浄処理装置は、ケーシング３１における洗浄処理空間に配置された、矩形箱型の水槽２１を備えたものである。この水槽２１は、配線基板材料１を液体（具体的には、例えば水）に浸漬した状態とすることのできる内部寸法を有するものであり、内部には、超音波振動板２９が液体に浸漬された状態で配置されている。また、水槽２１には、下壁部２１Ａに液体排出用貫通孔２２が設けられている。
また、ケーシング３１の洗浄処理空間には、水槽２１の下方側に、液体排出用貫通孔２２から排出された液体を受水するための受水部が設けられており、ケーシング３１の下壁部３１Ａにおける当該受水部に係る領域には、液体排出用貫通孔３２が設けられている。そして、液体排出用貫通孔３２には、液体循環路形成部材２４の一端部が接続されており、この液体循環路形成部材２４の他端部によって水槽２１に水を供給するための液体供給部が形成されている。そして、液体循環路形成部材２４によって形成される液体循環路上には循環ポンプ２５およびスミア除去フィルタ２６が設けられている。
また、ケーシング３１には、区画壁部２３および当該区画壁部２３に対向する側壁部３１Ｂに、互いに対向するように貫通孔３４，２８が設けられており、貫通孔３４によって配線基板材料搬入口が構成され、貫通孔２８によって配線基板材料搬出口が構成されている。
この図の例において、貫通孔２８は、液体除去処理手段３０における配線基板材料搬入口と共通のものである。また、ケーシング３１内には、等間隔で配置された複数の搬送用ローラ１７によって搬送路が形成されている。

一次物理的洗浄処理手段２０を構成する高圧水洗浄処理装置としては、例えば図３の物理的洗浄処理装置において、ケーシングの洗浄処理空間に、水槽に変えて高圧水噴射ノズルが設けられた構成のものが用いられる。
この高圧水噴射ノズルは、配線基板材料１における被処理部分に対して高圧水を吹き付けるためのものであり、高圧水供給源に接続されている。

液体除去処理手段３０は、液体除去処理工程を行うものである。
この液体除去処理手段３０としては、一次物理的洗浄処理手段２０によって処理された配線基板材料１における被処理部分上の液体（水分）を除去して乾燥させることのできる液体除去処理装置が用いられる。

液体除去処理手段３０を構成する液体除去処理装置は、例えば図３に示すような構成を有するものである。
この液体除去処置装置は、ケーシング３１における液体除去手段空間に、搬送路を介して対向配置されたエアーナイフ用スリットノズル３５Ａ，３５Ｂを備えたものである。エアーナイフ用スリットノズル３５Ａは、配線基板材料１の上面に対して空気を吹き付けるためのものであり、一方、エアーナイフ用スリットノズル３５Ｂは、当該配線基板材料１の下面に対して空気を吹き付けるためのものである。これらのエアーナイフ用スリットノズル３５Ａ，３５Ｂは、空気供給路形成部材３６を介して共通の送風手段３８に接続されている。この空気供給路形成部材３６によって形成される空気供給路上には、エアーフィルタ３７が設けられている。
また、ケーシング３１における区画壁部２３に対向する側壁部３１Ｄには、区画壁部２３の貫通孔２８に対向する位置およびその位置よりも上方側の位置に、貫通孔３９Ａ，３９Ｂが設けられている。貫通孔３９Ａによっては配線基板材料搬出口が構成されており、貫通孔３９Ｂによっては排気口が構成されている。この排気口には、空気排出路形成部材３３が接続されている。

紫外線処理手段４０は、紫外線処理工程を行うものである。
この紫外線処理手段４０としては、配線基板材料１における被処理部分に対して、例えば酸素を含む処理用ガスの雰囲気下において真空紫外線を照射することのできる紫外線処理装置が用いられる。

紫外線処理手段を構成する紫外線処理装置は、例えば図３に示すような構成を有するものである。
この紫外線処理装置は、配線基板材料１が載置される平坦な被処理物載置面４１ａを有する処理ステージ４１を備えた保持装置と、処理ステージ４１上にスペーサ４９を介して配置された光源ユニット４３とを備えたものである。この光源ユニット４３と処理ステージ４１との間には一定の大きさの厚みを有する処理室Ｓが形成されている。
光源ユニット４３は、一方に開口部を有する略直方体の箱型形状のケーシング４４を備えており、開口部には、真空紫外線を透過する光透過性窓部材４２が気密に設けられている。また、ケーシング４４内には、円柱棒状の複数（図３においては５本）紫外線ランプ４５が並設されている。また、光源ユニット４３の光照射方向における紫外線ランプ４５の背面側の位置には、反射ミラー４６が設けられている。
処理ステージ４１には、各々処理ステージ４１の厚さ方向に貫通して延びるガス供給用貫通孔４１Ａおよびガス排出用貫通孔４１Ｂが形成されており、ガス供給用貫通孔４１Ａには、処理用ガス供給源（図示せず）が接続されている。ガス供給用貫通孔４１Ａおよびガス排出用貫通孔４２Ｂは、いずれも、例えば開口形状が紫外線ランプ４５の管軸方向に沿って延びる長円形とされた長孔により構成されている。そして、ガス供給用貫通孔４１Ａおよびガス排出用貫通孔４１Ｂは、例えば紫外線ランプ４５の配列方向に互いに離間した位置に形成されている。ここに、配線基板材料１は、処理ステージ４１の被処理物載置面４１ａ上において、紫外線ランプ４５の配列方向における、ガス供給用貫通孔４１Ａとガス排出用貫通孔４１Ｂとの間の位置に配置される。

二次物理的洗浄処理手段５０は、二次物理的洗浄処理工程を行うものである。
この二次物理的洗浄処理手段５０としては、配線基板材料１に対して物理的振動を与えることができ、その物理的振動によって、配線基板材料１の被処理部分を洗浄することのできる物理的洗浄処理装置が用いられる。

二次次物理的洗浄処理手段５０を構成する物理的洗浄処理装置は、例えば図３に示すような構成を有するものである。
この物理的洗浄処理装置は、配線基板材料１に対して、液体を振動媒体として超音波振動を与えるものである。
この図の例において、物理的洗浄処理装置は、配線基板材料１に対して超音波振動を与える洗浄部６０と共に、洗浄部６０において処理された配線基板部材１に対してリンス処理を行うリンス部７０、およびリンス部７０において処理された配線基板部材１を乾燥処理する乾燥部８０を備えたものである。そして、洗浄部６０、リンス部７０および乾燥部８０は、共通のケーシング５１を有している。このケーシング５１内は、区画壁部５２，５３により、洗浄部６０に係る洗浄処理空間と、リンス部７０に係るリンス処理空間と、乾燥部８０に係る乾燥処理空間とに区画されている。
また、同図において、ケーシング５１内には、等間隔で配置された複数の搬送用ローラ１８によって搬送路が形成されている。

洗浄部６０は、図３に示されているように、基本的に、一次物理的洗浄処理手段２０を構成する物理的洗浄処理装置と同様の構成を有するものである。
すなわち、洗浄部６０は、ケーシング５１における洗浄処理空間に配置された、矩形箱型の水槽６１を備えたものである。この水槽６１は、配線基板材料１を液体に浸漬した状態とすることのできる内部寸法を有するものであり、内部には、液体に浸漬された状態で超音波振動板６９が配置されている。また、水槽６１には、下壁部６１Ａに液体排出用貫通孔６２が設けられている。
また、ケーシング５１の洗浄処理空間には、水槽６１の下方側に、液体排出用貫通孔６２から排出された液体を受水するための受水部が設けられており、ケーシング５１の下壁部５４Ａにおける当該受水部に係る領域には、液体排出用貫通孔５５が設けられている。そして、その液体排出用貫通孔５５には、液体循環路形成部材６４の一端部が接続されており、この液体循環路形成部材６４の他端部によって水槽６１に液体を供給すための液体供給部が形成されている。そして、液体循環路形成部材６４によって形成される液体循環路上には循環ポンプ６５およびスミア除去フィルタ６６が設けられている。
また、ケーシング５１には、区画壁部５２および当該区画壁部５２に対向する側壁部５４Ｂに、互いに対向するように貫通孔５７，６８が設けられており、貫通孔５７によって配線基板材料搬入口が構成され、貫通孔６８によって配線基板材料搬出口が構成されている。
この図の例において、貫通孔６８は、リンス部７０における配線基板材料搬入口と共通のものである。

リンス部７０は、ケーシング５１におけるリンス処理空間に、搬送路を介して対向配置されたリンス用スプレーノズル７１Ａ，７１Ｂを備えたものである。リンス用スプレーノズル７１Ａは、配線基板材料１の上面に対して水を吹き付けるためのものであり、一方、リンス用スプレーノズル７１Ｂは、当該配線基板材料１の下面に対して水を吹き付けるためのものである。
また、ケーシング５１のリンス処理空間には、リンス用スプレーノズル７１Ａ，７１Ｂの下方側に、リンス用スプレーノズル７１Ａ，７１Ｂから配線基板材料１に向かって出射された水を受水するための受水部が設けられており、ケーシング５１の下壁部５４Ａにおける当該受水部に係る領域には、水排出用貫通孔５６が設けられている。そして、その水排出用貫通孔５６には、水循環路形成部材７４の一端部が接続されている。また、水循環路形成部材７４は、他端部において２つに枝分かれして、リンス用スプレーノズル７１Ａ，７１Ｂに接続されている。更に、水循環路形成部材７４によって形成される水循環路上には、一端部と枝分かれ部７４Ａとの間に、循環ポンプ７５およびスミア除去フィルタ７６が設けられている。
また、ケーシング５１における区画壁部５３には、区画壁部５２の貫通孔６８に対向する位置に貫通孔７８が設けられており、貫通孔６８によって配線基板材料搬入口が構成され、貫通孔７８によって配線基板材料搬出口が構成されている。
この図の例において、貫通孔７８は、乾燥部８０における配線基板材料搬入口と共通のものである。

乾燥部８０は、図３に示されているように、基本的に、液体除去処理手段３０を構成する液体除去処理装置と同様の構成を有するものである。
この乾燥部８０は、ケーシング５１における乾燥処理空間に、搬送路を介して対向配置されたエアーナイフ用スリットノズル８１Ａ，８１Ｂを備えたものである。エアーナイフ用スリットノズル８１Ａ，８１Ｂは、配線基板材料１の上面に対して空気を吹き付けるためのものであり、一方、エアーナイフ用スリットノズル８１Ｂは、当該配線基板材料１の下面に対して空気を吹き付けるためのものである。これらのエアーナイフ用スリットノズル８１Ａ，８１Ｂは、空気供給路形成部材８３を介して共通の送風手段８５に接続されている。この空気供給路形成部材８３によって形成される空気供給路上には、エアーフィルタ８４が設けられている。
また、ケーシング５１における区画壁部５３に対向する側壁部５４Ｄには、区画壁部５３の貫通孔７８に対向する位置およびその位置よりも上方側の位置に、貫通孔８９Ａ，８９Ｂが設けられている。貫通孔８９Ａ貫通孔によっては配線基板材料搬出口が構成されており、貫通孔８９Ｂによっては排気口が構成されている。この排気口には、空気排出路形成部材８６が接続されている。

以下、本発明のデスミア処理方法について、デスミア処理装置１０を用いて行う場合を例に挙げて説明する。
一次物理的洗浄処理工程を行う前の配線基板材料１においては、図１に示されているように、配線基板材料１における被処理部分、例えば凹部に係る導電層３上にはスミア６が残留しており、そのスミア６は堆積層を形成している。

このような配線基板材料１に対して、先ず、一次物理的洗浄処理手段２０によって物理的振動処理を施すことにより、スミア６の堆積層における表層部分が振動による機械的作用によって破壊されて配線基板材料１から離脱する。その結果、スミア６の一部が除去される。この除去されたスミア６の一部には、有機スミアと無機スミアとが含まれる。そして、この一次物理的洗浄処理手段２０によって処理された配線基板材料１には、その表面に、処理において用いた液体（水分）が残留している。
次いで、液体除去処理手段３０によって、乾燥処理を施すことにより、配線基板材料１における被処理部分を含む表面上の液体が除去される。

その後、紫外線処理手段４０によって、配線基板材料１に対して、その被処理部分に真空紫外線を照射することにより、有機物スミアの残部の大部分は、紫外線のエネルギーおよび紫外線が処理用ガスに照射されることによって生ずる酸素ラジカルなどによって分解されてガス化される。その結果、配線基板材料１から有機物スミアの残部の大部分が除去される。このとき、無機物スミアの残部は、有機物スミアの残部の大部分が除去されることによって露出される。また、露出した無機物スミアは、真空紫外線が照射されることによって脆いものとなる。

次いで、二次物理的洗浄処理手段５０によって、配線基板材料１に対して物理的振動処理を施すことにより、露出した無機物スミアの残部は、振動による機械的作用によって破壊されて当該配線基板材料１から離脱する。また、無機物スミアの残部の収縮や、各スミアの残部に紫外線を照射したときに発生する熱膨張の差などによって、配線基板材料１と無機物スミアの残部との間にわずかな隙間が生じることも考えられ、物理的振動処理を施すことにより当該配線基板材料１から離脱する。それらの結果、配線基板材料１から無機物スミアの残部が除去され、これにより、例えば導電層３が露出した状態となる。

このように、本発明のデスミア処理方法においては、一次物理的洗浄処理工程において、配線基板材料１に形成された凹部内を含む被処理部分に残留しているスミア６の一部を短時間で除去することができる。そのため、一次物理的洗浄処理工程の後に行われる処理工程に要する時間、特に紫外線照射処理工程に要する時間を大幅に低減することができる。
従って、本発明のデスミア処理方法によれば、後述の実施例１〜実施例４の結果から明らかなように、絶縁層と導電層とが積層されており、当該絶縁層を貫通するホールよりなる凹部が形成されてなる配線基板材料１に対して短時間でデスミア処理を行うことができる。

また、本発明のデスミア処理方法においては、紫外線処理工程の前処理工程として液体除去処理工程を行うことにより、被処理部分に残留している液体（水分）によって真空紫外線が吸収されることに起因して、当該被処理部分に到達する真空紫外線量が低下することを防止することができる。その結果、紫外線処理工程における紫外線照射時間をより一層短縮することができる。

そして、デスミア処装置１０は、一次物理的洗浄処理手段２０と、液体除去処理手段３０と、紫外線処理手段４０と、二次物理的洗浄処理手段５０とがこの順に配置されたものであることから、その配置順に処理手段を用いて、配線基板材料１に対して順次に処理を行うことにより、本発明のデスミア処理方法を実施することができる。そのため、配線基板材料１に対して短時間でデスミア処理を行うことができる。

以上、本発明のデスミア処理方法および本発明のデスミア処理装置について具体的に説明したが、本発明は以上の例に限定されるものではなく、種々の変更を加えることができる。
例えばデスミア処理方法は、一次物理的洗浄処理手段と、必要に応じて用いられる液体除去処理手段と、紫外線処理手段と、二次物理的洗浄処理手段とがこの順に配置され、一体とされてなる装置によって実施されることに限定されない。例えば、一次物理的洗浄処理工程と、必要に応じて行われる液体除去処理工程と、紫外線処理工程と、二次物理的洗浄処理工程とを、個別の装置によって行うこともできる。

以下、本発明の具体的な実施例について説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

〔試験用配線基板材料の作製〕
厚みが１００μｍの銅箔上に厚みが１００μｍの絶縁層が形成されてなる積層体を用意した。ここで、絶縁層は、エポキシ樹脂中に、平均粒子径が１．０μｍのシリカが４０質量％の割合で含有されてなるものである。
この積層体における絶縁層に対して、炭酸ガスレーザ装置によってレーザ加工を施すことにより、当該絶縁層に径が５０μｍの貫通孔を形成し、以て、試験用配線基板材料を得た。この試験用配線基板材料の貫通孔の底部を、走査型電子顕微鏡によって観察したところ、貫通孔の底部にはスミアが残留していることが確認された。

〔実施例１〕
試験用配線基板材料について、下記の一次物理的洗浄処理工程、下記の紫外線処理工程および下記の二次物理的洗浄処理工程を行い、デスミア処理を行った。そして、紫外線処理工程に要する時間、すなわち紫外線照射時間を測定した。結果を表１に示す。
ここに、デスミア処理が終了した試験用配線基板材料については、底部を走査型電子顕微鏡によって観察し、スミアの残留が認められないことを確認した。

（１）一次物理的洗浄処理工程
試験用配線基板材料に対して、物理的振動洗浄処理を行った。
具体的には、試験用配線基板材料を純水中に浸漬した。この状態で、試験用配線基板材料に対して２５ｋＨｚの超音波による超音波振動処理を３０秒間行った。
（２）紫外線処理工程
上記（１）の一次物理的洗浄処理工程が終了した後、酸素雰囲気中において、試験用配線基板材料の貫通孔の内部に対して、キセノンエキシマランプを備えた紫外線照射装置によって下記の条件で乾式紫外線照射処理を行った。
紫外線照射処理の条件：
紫外線照射装置の光透過性窓部材の外面における紫外線照度＝１００Ｗ／ｃｍ²
紫外線照射装置の光透過性窓部材と試験用配線基板材料との離間距離＝０．５ｍｍ
（３）二次物理的洗浄処理工程
上記（２）の紫外線照射処理工程が終了した後、試験用配線基板材料を純水中に浸漬した。この状態で、試験用配線基板材料に対して２５ｋＨｚの超音波による超音波振動処理を３０秒間行った。

〔実施例２〕
一次物理的洗浄処理工程において、下記の高圧水洗浄処理を行ったこと以外は、実施例１と同様にして試験用配線基板材料のデスミア処理を行い、紫外線処理工程に要する時間を測定した。結果を表１に示す。
高圧水洗浄処理は、試験用配線基板材料の貫通孔の内部に対して、２Ｍｐａの圧力の高圧水を、１．８秒間にわたって吹き付けることによって行った。

〔実施例３〕
試験用配線基板材料について、先ず、実施例１と同様にして一次物理的洗浄処理工程を行った。次いで、エアーナイフを用いて、試験用配線基板の貫通孔の底部に存在する水分を除去する液体除去処理工程を行った。その後、試験用配線基板材料について、実施例１と同様にして紫外線照射工程および二次物理的洗浄処理工程を行い、以て、当該試験用配線基板材料について、デスミア処理を行った。そして、紫外線処理工程に要する時間を測定した。結果を表１に示す。

〔実施例４〕
試験用配線基板材料について、先ず、実施例２と同様にして一次物理的洗浄処理工程を行った。次いで、エアーナイフを用いて、試験用配線基板の貫通孔の底部に存在する水分を除去する液体除去処理工程を行った。その後、試験用配線基板材料について、実施例１と同様にして紫外線照射工程および二次物理的洗浄処理工程を行い、以て、当該試験用配線基板材料について、デスミア処理を行った。そして、紫外線処理工程に要する時間を測定した。結果を表１に示す。

〔比較例１〕
試験用配線基板材料について、一次物理的洗浄処理工程を行わなかったこと、および二次的洗浄処理工程における超音波振動処理を６０秒間としたこと以外は、実施例１と同様にしてデスミア処理を行った。
具体的には、大気中において、試験用配線基板材料の貫通孔の内部に対して、キセノンエキシマランプを備えた紫外線照射装置によって下記の条件で乾式紫外線照射処理を行った。この紫外線照射処理が終了した後、試験用配線基板材料を純水中に浸漬した。この状態で、試験用配線基板材料に対して２５ｋＨｚの超音波による超音波振動処理を６０秒間行った。
紫外線照射処理の条件：
紫外線照射装置の光透過性窓部材の外面における紫外線照度＝１００Ｗ／ｃｍ²
紫外線照射装置の光透過性窓部材と試験用配線基板材料との離間距離＝０．５ｍｍ
そして、紫外線処理工程に要する時間を測定した。結果を表１に示す。

表１の結果から明らかなように、実施例１〜実施例４に係るデスミア処理方法によれば、紫外線照射処理工程における紫外線照射時間を短くすることができ、よって短時間でデスミア処理を行えることが確認された。
また、実施例３および実施例４に係るデスミア処理方法によれば、液体除去処理工程を行っているため、実施例１および実施例２に係るデスミア処理方法に比較して紫外線照射処理工程における紫外線照射時間を短くでき、よってより一層短時間でデスミア処理を行えることが確認された。
これに対して、比較例１においては、一次物理的振動処理工程を行っていないため、実施例１に係るデスミア処理方法における超音波処理に供した合計時間と同じ時間で超音波振動処理を行ったにも拘わらず、紫外線照射処理に長い時間を要した。

１ 配線基板材料
２ 第１絶縁層
３ 導電層
４ 第２絶縁層
５ 貫通孔
６ スミア
１０ デスミア処理装置
１２ 搬送手段
１３ 支持台
１４ 搬送用部材
１４Ａ アーム支持部
１４Ｂ アーム部
１５ 吸着パッド
１７，１８ 搬送ローラ
２０ 一次物理的洗浄処理手段
２１ 水槽
２１Ａ 下壁部
２２ 液体排出用貫通孔
２３ 区画壁部
２４ 液体循環路形成部材
２５ 循環ポンプ
２６ スミア除去フィルタ
２８ 貫通孔
２９ 超音波振動板
３０ 液体除去処理手段
３１ ケーシング
３１Ａ 下壁部
３１Ｂ，３１Ｄ 側壁部
３２ 液体排出用貫通孔
３３ 空気排出路形成部材
３４ 貫通孔
３５Ａ，３５Ｂ エアーナイフ用スリットノズル
３６ 空気供給路形成部材
３７ エアーフィルタ
３８ 送風手段
３９Ａ，３９Ｂ 貫通孔
４０ 紫外線処理手段
４１ 処理ステージ
４１ａ 被処理物載置面
４１Ａ ガス供給用貫通孔
４１Ｂ ガス排出用貫通孔
４２ 光透過性窓部材
４３ 光源ユニット
４４ ケーシング
４５ 紫外線ランプ
４６ 反射ミラー
４９ スペーサ
５０ 二次物理的洗浄処理手段
５１ ケーシング
５２，５３ 区画壁部
５４Ａ 下壁部
５４Ｂ，５４Ｄ 側壁部
５５ 液体排出用貫通孔
５６ 水排出用貫通孔
５７ 貫通孔
６０ 洗浄部
６１ 水槽
６１Ａ 下壁部
６２ 液体排出用貫通孔
６４ 液体循環路形成部材
６５ 循環ポンプ
６６ スミア除去フィルタ
６８ 貫通孔
６９ 超音波振動板
７０ リンス部
７１Ａ，７１Ｂ リンス用スプレーノズル
７４ 水循環路形成部材
７４Ａ 枝分かれ部
７５ スミア除去フィルタ
７６ 循環ポンプ
７８ 貫通孔
８０ 乾燥部
８１Ａ，８１Ｂ エアーナイフ用スリットノズル
８３ 空気供給路形成部材
８４ エアーフィルタ
８５ 送風手段
８６ 空気排出路形成部材
８９Ａ，８９Ｂ 貫通孔

Claims (4)

1. 絶縁層と導電層とが積層されており、当該絶縁層を貫通する貫通孔よりなる凹部が形成された配線基板材料のデスミア処理方法において、
   前記配線基板材料における被処理部分に対して、高圧水、または液体に浸漬した状態で物理的振動を作用させる一次物理的洗浄処理工程と、
   この一次物理的洗浄処理工程を経由した配線基板材料における前記被処理部分に対して真空紫外線を照射する紫外線処理工程と、
   この紫外線処理工程を経由した配線基板材料に対して、物理的振動を与える二次物理的洗浄処理工程と
   を有することを特徴とするデスミア処理方法。
2. 前記紫外線処理工程の前処理工程として、前記一次物理的洗浄処理工程を経由した配線基板材料における被処理部分上の液体を除去する液体除去処理工程を有することを特徴とする請求項１に記載のデスミア処理方法。
3. 絶縁層と導電層とが積層されており、当該絶縁層を貫通するホールよりなる凹部が形成された配線基板材料をデスミア処理するためのデスミア処理装置であって、
   前記配線基板材料における被処理部分に対して、高圧水、または液体に浸漬した状態で物理的振動を作用させる一次物理的洗浄処理手段と、
   この一次物理的洗浄処理手段によって処理された配線基板材料における前記被処理部分に対して真空紫外線を照射する紫外線処理手段と、
   この紫外線処理手段によって処理された配線基板材料に対して、物理的振動を与える二次物理的洗浄処理手段とが、
   この順に配置されてなることを特徴とするデスミア処理装置。
4. 前記一次物理的洗浄処理手段によって処理された配線基板材料における被処理部分上の液体を、前記紫外線処理手段によって処理する前に除去する液体除去処理手段が、当該一次物理的洗浄処理手段と当該紫外線処理手段との間の位置に配設されていることを特徴とする請求項３に記載のデスミア処理装置。
   

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