JP5967147B2 - デスミア処理装置 - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 263
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 74
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 10
- 238000009736 wetting Methods 0.000 claims description 4
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 44
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 35
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 34
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 31
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 26
- 230000008569 process Effects 0.000 description 25
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 208000028659 discharge Diseases 0.000 description 20
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 20
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 19
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 17
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 17
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 11
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 11
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 8
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 6
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 3
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[[4-(2,5-dioxopyrrol-1-yl)phenyl]methyl]phenyl]pyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)N1C(C=C1)=CC=C1CC1=CC=C(N2C(C=CC2=O)=O)C=C1 XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L magnesium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mg+2] VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000347 magnesium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001862 magnesium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920003192 poly(bis maleimide) Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000012286 potassium permanganate Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000007348 radical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- -1 that is Substances 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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Description
多層配線基板の製造工程においては、絶縁層と導電層とが積層されてなる配線基板材料に、ドリル加工やレーザ加工を施すことによって絶縁層や導電層の一部を除去することにより、ビアホールやスルーホールが形成される。そして、ビアホールやスルーホールの形成においては、配線基板材料には絶縁層や導電層を構成する材料に起因するスミア(残渣)が生じる。このため、当該配線基板材料に対してスミアを除去するデスミア処理が行われる。
湿式のデスミア処理方法は、配線基板材料を過マンガン酸カリウムや水酸化ナトリウムが溶解されてなるアルカリ溶液中に浸漬することにより、配線基板材料に残留するスミアを溶解若しくは剥離して除去する方法である。一方、乾式のデスミア処理方法は、配線基板材料に紫外線を照射することにより、当該紫外線のエネルギーおよび紫外線の照射に伴って生ずるオゾンによってスミアを分解して除去する方法である。
また、近年、配線基板における配線パターンの微細化の要請に伴って、径の小さいビアホールを形成することが求められている。そして、径の小さいビアホールを有する配線基板材料に対してデスミア処理を行う場合には、アルカリ溶液がビアホール内に十分に浸入しないため、所要のデスミア処理を確実に行うことが困難となる。
乾式のデスミア処理においては、絶縁層を構成する樹脂などの有機物質に起因するスミアは、紫外線およびオゾンの作用によって分解して除去される。然るに、絶縁層中に含有されたフィラーを構成するセラミックスや導電層を構成する金属などの無機物質に起因するスミアは、紫外線やオゾンの作用によっては分解されず、配線基板材料に残留する、という問題がある。
前記配線基板材料に対して、波長220nm以下の紫外線を照射する紫外線照射処理部と、
この紫外線照射処理部によって紫外線照射処理された配線基板材料に物理的振動を与える物理的振動処理部と、
前記配線基板材料が前記紫外線照射処理部に供される前に、当該配線基板材料における被処理部分を湿潤する湿潤処理部とを有し、
前記湿潤処理部は、前記配線基板材料を水中に浸漬し、この状態で、当該水を超音波振動させることにより、当該配線基板材料における被処理部分を湿潤するものであることを特徴とする。
紫外線照射処理部においては、無機物質に起因するスミアは分解されず、配線基板材料に残留するが、当該無機物質に起因するスミア、例えばシリカやアルミナなどの無機物質は、紫外線が照射されることによって脆いものとなる。このため、物理的振動処理部において、配線基板材料に物理的振動を与えることにより、無機物質に起因するスミアが破壊されて当該配線基板材料から離脱する。或いは、無機物質に起因するスミアの収縮や、各スミアに紫外線を照射したときに発生する熱膨張の差などによって、スミア間にわずかな隙間が生じるため、無機物質に起因するスミアは、物理的振動処理を施すことにより当該配線基板材料から離脱する。
従って、本発明のデスミア処理装置によれば、無機物質および有機物質のいずれに起因するスミアであっても確実に除去することができる。
また、配線基板材料に対して紫外線照射処理および物理的振動処理を行えばよいので、廃液処理が必要となる薬品を用いることが不要である。
図1は、本発明のデスミア処理装置によるデスミア処理の処理対象となる配線基板材料の一例における要部の構成を示す説明用断面図である。この配線基板材料1は、第1絶縁層2と、この第1絶縁層2の表面上に積層された、所要のパターンの導電層(配線層)3と、この導電層3を含む第1絶縁層2上に積層された第2絶縁層4とにより構成されている。第2絶縁層4には、その厚み方向に伸びる、例えばビアホールなどの貫通孔5が形成されており、この貫通孔5によって、導電層3の一部が露出した状態とされている。
第1絶縁層2および第2絶縁層4を構成する樹脂としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂などを用いることができる。
第1絶縁層2中および第2絶縁層4中に含有されるフィラーを構成する材料としては、シリカ、アルミナ、マイカ、珪酸塩、硫酸バリウム、水酸化マグネシウム、酸化チタンなどを用いることができる。フィラーの平均粒子径は、例えば0.1〜3μmである。
第1絶縁層2および第2絶縁層4の各々におけるフィラーの割合は、例えば20〜60質量%である。
導電層3を構成する材料としては、銅、ニッケル、金などを用いることができる。
第1絶縁層2の厚みは、例えば20〜800μm、第2絶縁層4の厚みは、例えば10〜50μmである。導電層3の厚みは、例えば10〜100μmである。また、貫通孔5の径は、例えば30〜100μmである。
先ず、図2(a)に示すように、第1絶縁層2の表面上に、所要のパターンの導電層3を形成する。次いで、図2(b)に示すように、導電層3を含む第1絶縁層2の表面上に第2絶縁層4を形成する。そして、図2(c)に示すように、第2絶縁層4における所要の箇所に、当該第2絶縁層4の厚み方向に貫通して伸びる貫通孔5を形成する。
第2絶縁層4を形成する方法としては、液状の熱硬化性樹脂中にフィラーが含有されてなる絶縁層形成材料を、導電層3を含む第1絶縁層2の表面上に塗布した後、当該絶縁層形成材料を硬化処理する方法や、導電層3を含む第1絶縁層2の表面上に、フィラーが含有された絶縁シートを熱圧着等によって貼り合わせる方法を利用することができる。
第2絶縁層4に貫通孔5を形成する方法としては、ドリル加工による方法、レーザ加工による方法を利用することができる。レーザ加工によって貫通孔5を形成する場合には、炭酸ガスレーザ装置やYAGレーザ装置などを用いることができる。
このようにして得られる配線基板材料1においては、第2絶縁層4における貫通孔5の内壁面、第2絶縁層4の表面における貫通孔5の周辺領域、および貫通孔5の底部すなわち導電層3における貫通孔5によって露出した部分などには、貫通孔5を形成する際に生じたスミア6が残留している。
また、物理的振動処理部40、リンス処理部50および乾燥処理部60は、共通の筐体65内に、配線基板材料1の搬送方向に沿って並ぶよう設けられている。この筐体65は、その内部に物理的振動処理部40において用いられる水を貯蔵するタンク67と、リンス処理部50において用いられる水を貯蔵するタンク68とを有する。また、筐体65には、乾燥処理部60側の側面に、排気口65Hが設けられている。
紫外線照射処理部30と物理的振動処理部40との間には、紫外線照射処理部30から物理的振動処理部40に配線基板材料1を運搬する運搬ロボット25が設けられている。この運搬ロボット25は、配線基板材料1を吸着して保持する吸着アーム26を有する。 また、筐体65の内部には、配線基板材料1を、物理的振動処理部40、リンス処理部50および乾燥処理部60にこの順で搬送する搬送機構66が設けられている。
処理室S2内には、配線基板材料1が載置されるステージ33が設けられている。このステージ33には、処理室S2内に処理用ガスを供給するガス供給口34aおよび処理室S2からガスを排出するガス排出口34bが形成されている。
また、ステージ33には、ヒータが内蔵されている。このヒータによって、ステージ33上に載置された配線基板材料1を、例えば80〜200℃に加熱することができる。
このエキシマランプ10は、両端が気密に封止されて内部に放電空間Sが形成された、断面矩形状の中空長尺状の放電容器11を備えており、この放電容器11の内部には、放電用ガスとして、例えばキセノンガスや、アルゴンと塩素とを混合したガスが封入されている。
放電容器11は、真空紫外光を良好に透過するシリカガラス、例えば合成石英ガラスよりなり、誘電体としての機能を有する。
このような電極は、例えば、金属よりなる電極材料を放電容器11にペースト塗布することにより、あるいは、プリント印刷や蒸着することによって形成することができる。
紫外線反射膜20の膜厚は、例えば10〜100μmであることが好ましい。
また、紫外線反射膜20は、シリカ粒子およびアルミナ粒子、すなわちセラミックスにより構成されていることにより、不純ガスを発生させず、また、放電に耐えられる特性を有する。
シリカ粒子は、以下のように定義される粒子径が例えば0.01〜20μmの範囲内にあるものであって、中心粒径(数平均粒子径のピーク値)が、例えば0.1〜10μmであるものが好ましく、より好ましくは0.3〜3μmであるものである。
また、中心粒径を有するシリカ粒子の割合が50%以上であることが好ましい。
また、中心粒径を有するアルミナ粒子の割合が50%以上であることが好ましい。
物理的振動処理部40は、水槽41を有する。水槽41内には、振動板42が設けられている。また、水槽41には、排水口41Hが設けられている。
水槽41には、ポンプ43によって、タンク67内に貯蔵された水が、フィルター44を介して供給される。また、排水口41Hから排出された水は、タンク67に回収される。これにより、水槽41内の水を、フィルター44を介して循環させることができる。
水槽41の縦横の寸法が、700mm×800mmである。
振動板42の縦横の寸法が500mm×600mmで、振動板42の駆動電力が2kWである。
リンス処理部50は、配線基板材料1に水を噴射するスプレーノズル56を有する。このスプレーノズル56には、ポンプ57によって、タンク68に貯蔵された水がフィルター58を介して供給される。スプレーノズル56から噴射された水は、タンク68に回収される。これにより、リンス処理に用いられる水を、フィルター58を介して循環して使用することができる。
また、スプレーノズル56から噴射される水の水圧は、例えば0.1〜0.5MPaである。
乾燥処理部60は、配線基板材料1にエアーを噴射するスリットノズル61を有する。このスリットノズル61には、ブロワー62によって、フィルター63を介してエアーが供給される。スリットノズル61から噴射されたエアーは、排気口65Hを介して、筐体65の外部に排出される。
紫外線照射処理部30において、配線基板材料1に照射される紫外線の照度は、例えば10〜1000mW/cm2 である。また、配線基板材料1に対する紫外線の照射時間は、紫外線の照度やスミアの残留状態などを考慮して適宜設定されるが、例えば30秒間〜180分間である。
超音波振動処理における超音波の周波数は、20〜70kHzであることが好ましい。この周波数が70kHzを超える場合には、無機物質に起因するスミア(以下、「無機物スミア」ともいう。)を破壊して配線基板材料から離脱させることが困難となる。
また、超音波振動処理の処理時間は、例えば10〜600秒間である。
リンス処理された配線基板材料1は、搬送機構66によって乾燥処理部60に搬送される。そして、配線基板材料1が搬送機構66によって搬送されながら、乾燥処理部60のスリットノズル61から配線基板材料1にエアーが噴射されることにより、当該配線基板材料1に対する乾燥処理が行われる。
また、物理的振動処理部40、リンス処理部50および乾燥処理部60は、共通の筐体65内に、配線基板材料1の搬送方向に沿って並ぶよう設けられている。物理的振動処理部40、リンス処理部50、乾燥処理部60および筐体65の構成は、第1の例のデスミア処理装置と同様である。
処理室形成材35には、処理室S2内に処理用ガスを導入する複数のガス導入口36aおよび処理室S2からガスを排出する複数のガス排出口36bが形成されている。処理室形成材35の内部および筐体65の内部には、配線基板材料1を、紫外線照射処理部30、物理的振動処理部40、リンス処理部50および乾燥処理部60にこの順で搬送する共通の搬送機構66が設けられている。配線基板材料1に対する紫外線照射処理は、当該配線基板材料1を、搬送機構66によって搬送しながら行うことができる。
紫外線照射処理された配線基板材料1は、運搬ロボット25および搬送機構66によって物理的振動処理部40に搬送される。そして、物理的振動処理部40の水槽41内において、配線基板材料1が搬送機構66によって搬送されながら、当該配線基板材料1に対する物理的振動処理が行われる。
振動処理された配線基板材料1は、搬送機構66によってリンス処理部50に搬送される。そして、配線基板材料1が搬送機構66によって搬送されながら、リンス処理部50のスプレーノズル56から配線基板材料1に水が噴射されることにより、当該配線基板材料1に対するリンス処理が行われる。
リンス処理された配線基板材料1は、搬送機構66によって乾燥処理部60に搬送される。そして、配線基板材料1が搬送機構66によって搬送されながら、乾燥処理部60のスリットノズル61から配線基板材料1にエアーが噴射されることにより、当該配線基板材料1に対する乾燥処理が行われる。
また、物理的振動処理部40、第1リンス処理部50a、第2リンス処理部50bおよび乾燥処理部60は、共通の筐体65内に、配線基板材料1の搬送方向に沿って並ぶよう設けられている。筐体65には、乾燥処理部60側の上面に、排気口65Hが設けられている。
紫外線照射処理部30と物理的振動処理部40との間には、紫外線照射処理部30から後述する搬送用かご69内に配線基板材料1を運搬する運搬ロボット25が設けられている。この運搬ロボット25は、配線基板材料1を吸着して保持する吸着アーム26を有する。
物理的振動処理部40は、配線基板材料1が収納された搬送用かご69を収容する水槽41を有する。水槽41内には、2つの振動板42がそれぞれ垂直な姿勢で互いに対向するよう配置されている。水槽41内の水は、ポンプ43によって、フィルター44を介して循環される。
第1リンス処理部50aおよび第2リンス処理部50bの各々は、配線基板材料1が収納された搬送用かご69を収容する水槽51a,51bを有する。水槽51a,51b内の水は、ポンプ57a,57bによって、フィルター58a,58bを介して循環される。
紫外線照射処理された配線基板材料1は、運搬ロボット25によって搬送用かご69内に搬送されて収納される。配線基板材料1が収納された搬送用かご69は、搬送用レール66aに沿って搬送され、物理的振動処理部40の水槽41内に収容される。そして、水槽41内において配線基板材料1に対する物理的振動処理が行われる。
次いで、配線基板材料1が収納された搬送用かご69は、搬送用レール66aに沿って搬送され、第1リンス部50aの水槽51a内の水中に浸漬される。その後、配線基板材料1が収納された搬送用かご69は、搬送用レール66aに沿って搬送され、第2リンス部50bの水槽51b内の水中に浸漬される。このようにして、配線基板材料1に対するリンス処理が行われる。
次いで、配線基板材料1が収納された搬送用かご69は、搬送用レール66aに沿って搬送され、乾燥処理部60における2つのヒータ64の間に配置される。そして、配線基板材料1がヒータ64によって加熱されることにより、当該配線基板材料1に対する乾燥処理が行われる。
この物理的振動処理部40は、筐体45を有する。この筐体45には、当該筐体45内に配置された配線基板材料1に、超音波振動させた圧縮空気を噴射する圧縮空気噴射口46と物理的振動処理によって配線基板材料1から離脱したスミアを吸引するスミア吸引口47とが形成されている。また、筐体45の内部には、配線基板材料1を搬送する搬送機構48が設けられている。超音波振動させた圧縮空気を供給する手段としては、実開平5−80573号公報、特開平7−60211号公報、特開平7−68226号公報等に記載された手段を用いることができる。
紫外線照射処理された配線基板材料1は、運搬ロボット25および搬送機構66によって物理的振動処理部40に搬送される。そして、配線基板材料1が搬送機構66によって搬送されながら、配線基板材料1に圧縮空気噴射口46から超音波振動させた圧縮空気を噴射することにより、当該配線基板材料1に対する物理的振動処理が行われる。
圧縮空気の圧力は0.2MPa以上であることが好ましい。また、圧縮空気による超音波振動処理の処理時間は、例えば5〜60秒間である。
紫外線照射処理部30においては、無機物スミアは分解されず、配線基板材料1に残留するが、当該無機物スミアは、紫外線が照射されることによって脆いものとなる。このため、物理的振動処理部40において、配線基板材料1に物理的振動を与えることにより、無機物スミアが破壊し、或いは無機物スミアと有機物スミアとのわずかな隙間から剥離して当該配線基板材料1から離脱する。
従って、第1〜第4の例のデスミア処理装置によれば、無機物スミアおよび有機物スミアのいずれであっても確実に配線基板材料1から除去することができる。
また、配線基板材料1に対して紫外線照射処理および物理的振動処理を行えばよいので、廃液処理が必要となる薬品を用いることが不要である。
湿潤処理部70における湿潤処理室S3内には、水槽71が設けられている。水槽71内には、振動板72が設けられている。また、水槽71には、排水口71Hが設けられている。また、水槽71の下方には、湿潤処理に用いられるタンク73が設けられている。 水槽71には、ポンプ76によって、タンク73内に貯蔵された水が、フィルター77を介して供給される。また、排水口71Hから排出された水は、タンク73に回収される。これにより、水槽71内の水を、フィルター77を介して循環させることができる。
水分除去処理室S4内には、配線基板材料1にエアーを噴射するスリットノズル78が設けられている。このスリットノズル78には、ブロワー79によって、フィルター80を介してエアーが供給される。スリットノズル78から噴射されたエアーは、筐体75に形成された排気口75Hを介して、筐体75の外部に排出される。
以上において、配線基板材料1の浸漬時間は、例えば10〜60秒間である。
紫外線照射処理された配線基板材料1は、運搬ロボット25および搬送機構66によって物理的振動処理部40に搬送される。そして、物理的振動処理部40の水槽41内において、配線基板材料1が搬送機構66によって搬送されながら、当該配線基板材料1に対する物理的振動処理が行われる。
振動処理された配線基板材料1は、搬送機構66によってリンス処理部50に搬送される。そして、配線基板材料1が搬送機構66によって搬送されながら、リンス処理部50のスプレーノズル56から配線基板材料1に水が噴射されることにより、当該配線基板材料1に対するリンス処理が行われる。
リンス処理された配線基板材料1は、搬送機構66によって乾燥処理部60に搬送される。そして、配線基板材料1が搬送機構66によって搬送されながら、乾燥処理部60のスリットノズル61から配線基板材料1にエアーが噴射されることにより、当該配線基板材料1に対する乾燥処理が行われる。
紫外線照射処理部30においては、無機物スミアは分解されず、配線基板材料1に残留するが、当該無機物スミアは、紫外線が照射されることによって脆いものとなる。このため、物理的振動処理部40において、配線基板材料1に物理的振動を与えることにより、無機物スミアが破壊し、或いは無機物スミアと有機物スミアとのわずかな隙間から剥離して当該配線基板材料1から離脱する。
従って、第5の例のデスミア処理装置によれば、無機物スミアおよび有機物スミアのいずれであっても確実に配線基板材料1から除去することができる。
また、配線基板材料1に対して紫外線照射処理および物理的振動処理を行えばよいので、廃液処理が必要となる薬品を用いることが不要である。
(1)紫外線処理部30において、エキシマランプ10の代わりに、低圧水銀灯(185nm輝線)、希ガス蛍光ランプなどを用いることもできる。
(2)第1の例、第3の例、第4の例および第5の例のデスミア処理装置においては、配線基板材料1の両面に対してデスミア処理を行うことが必要である場合には、紫外線照射処理部30によって配線基板材料1の一面に対して紫外線照射処理を行い、次いで、運搬ロボット25によって配線基板材料1を反転させた後、紫外線照射処理部30によって配線基板材料1の他面に対して紫外線照射処理を行うことができる。
(3)第2の例のデスミア処理装置においては、配線基板材料1の両面に対してデスミア処理を行うことが必要である場合には、紫外線照射処理部30における処理室S2の上方および下方の両方の位置に、エキシマランプ10を配置することにより、配線基板材料1の両面に対して同時に紫外線照射処理を行うことができる。
(4)第1の例、第2の例および第5の例のデスミア処理装置においては、物理的振動処理部40の水槽41内における配線基板材料1の上方および下方の両方の位置に、振動板42を配置することができる。このような構成によれば、超音波の電力密度を上げることができる。そのため、振動板42の長さを小さくすることができ、その結果、デスミア処理装置の全長を小さくすることができる。
ぬれ性改善処理部は、配線基板材料1における被処理部分に対して、当該被処理部分が湿潤していない状態で紫外線を照射する乾式紫外線照射処理部、大気圧プラズマ処理部、減圧プラズマ処理部、コロナ放電処理部などによって構成することができるが、乾式紫外線照射処理部が好ましい。乾式紫外線照射処理部としては、紫外線照射処理部30と同様の構成のものを用いることができる。
乾式紫外線照射処理部において、配線基板材料1に照射される紫外線の照度は、例えば10〜1000mW/cm2 である。また、配線基板材料1に対する紫外線の照射時間は、紫外線の照度や配線基板材料1の材質などを考慮して適宜設定されるが、例えば10〜60秒間である。
このような構成によれば、乾式紫外線照射処理部によって配線基板材料1における被処理部分のぬれ性が改善されるので、湿潤処理部70において配線基板材料1における被処理部分を確実に湿潤することができる。
配線基板材料1が湿潤処理部70および紫外線照射処理部30に供される繰り返し回数は、紫外線照射処理部30における紫外線の照射時間などを考慮して適宜設定されるが、例えば1〜5回である。
このような構成によれは、配線基板材料1における被処理部分が湿潤した状態を確保することができるので、紫外線照射処理部30においては、有機物スミアが高い効率で分解される。その結果、紫外線照射処理部30における紫外線照射時間の合計を短縮することができる。
配線基板材料1が紫外線照射処理部30および物理的振動処理部40に供される繰り返し回数は、紫外線照射処理部30における紫外線の照射時間などを考慮して適宜設定されるが、例えば1〜5回である。
図9(a)に示すように、デスミア処理前の配線基板材料1においては、配線基板材料1における被処理部分例えば導電層3上にはスミア6が残留している。このスミア6は、樹脂などの有機物スミア7と、この有機物スミア7中に含有された、無機物スミア8とよりなるものである。
このような配線基板材料1の被処理部分に対して、紫外線照射処理部において、酸素を含む雰囲気下において波長220nm以下の紫外線を照射することにより、雰囲気ガス中の酸素が反応してオゾンや活性酸素が生成される。そして、有機物スミア7の一部は、紫外線のエネルギーおよび紫外線の照射に伴って生ずるオゾンや活性酸素によって分解されてガス化される。また、配線基板材料1が、湿潤処理部によって湿潤した状態である場合には、配線基板材料1の被処理部分に対して、波長220nm以下の紫外線を照射することにより、水が反応してOHラジカルなどが生成される。そして、有機物スミア7の一部は、紫外線のエネルギーおよび紫外線が水に照射されることによって生ずるOHラジカルなどによって分解されてガス化される。
次いで、配線基板材料1に対して物理的振動処理を施すことにより、露出した無機物スミア8は、振動による機械的作用によって破壊されて当該配線基板材料1から離脱する。 また、無機物スミア8の収縮や、各スミアに紫外線を照射したときに発生する熱膨張の差などによって、有機物スミア7と無機物スミア8との間にわずかな隙間が生じることも考えられ、無機物スミア8は、物理的振動処理を施すことにより当該配線基板材料1から離脱する。
それらの結果、図9(c)に示すように、配線基板材料1から無機物スミア8の一部が除去される。
次いで、配線基板材料1に対して物理的振動処理を施すことにより、露出した無機物スミア8や有機物スミア7の残部は、振動による機械的作用によって破壊されて当該配線基板材料1から離脱する。また、無機物スミア8の収縮や、各スミアに紫外線を照射したときに発生する熱膨張の差などによって、配線基板材料1と無機物スミア8との間にわずかな隙間が生じることも考えられ、物理的振動処理を施すことにより当該配線基板材料1から離脱する。それらの結果、図9(e)に示すように、配線基板材料1から無機物スミア8の残部および有機物スミア7の残部が除去され、これにより、例えば導電層3の表面が露出した状態となる。
また、配線基板材料1が湿潤した状態である場合には、OHラジカルおよびオゾンや活性酸素による分解が行われる。OHラジカルは、オゾンや活性酸素よりも分解速度が高いため、紫外線照射処理部に繰り返し供されることにより、OHラジカル反応が起こる時間を長く取ることでき、紫外線照射時間の合計を短くすることができる。
2 第1絶縁層
3 導電層
4 第2絶縁層
5 貫通孔
6 スミア
7 有機物スミア
8 無機物スミア
10 エキシマランプ
11 放電容器
15 一方の電極(高電圧供給電極)
16 他方の電極(接地電極)
18 光出射部(アパーチャ部)
20 紫外線反射膜
25 運搬ロボット
26 吸着アーム
27 運搬ロボット
28 吸着アーム
30 紫外線照射処理部
31 筐体
32 紫外線透過窓部材
33 ステージ
34a ガス供給口
34b ガス排出口
35 処理室形成材
36a ガス導入口
36b ガス排出口
40 物理的振動処理部
41 水槽
41H 排水口
42 振動板
43 ポンプ
44 フィルター
45 筐体
46 圧縮空気噴射口
47 スミア吸引口
48 搬送機構
50 リンス処理部
50a 第1リンス処理部
50b 第2リンス処理部
51a,51b 水槽
56 スプレーノズル
57,57a,57b ポンプ
58,58a,58b フィルター
60 乾燥処理部
61 スリットノズル
62 ブロワー
63 フィルター
64 ヒータ
65 筐体
65H 排気口
66 搬送機構
66a 搬送用レール
67,68 タンク
69 搬送用かご
70 湿潤処理部
71 水槽
71H 排水口
72 振動板
73 タンク
74 搬送機構
75 筐体
75H 排気口
76 ポンプ
77 フィルター
78 スリットノズル
79 ブロワー
80 フィルター
S1 ランプ収容室
S2 処理室
S3 湿潤処理室
S4 水分除去処理室
Claims (2)
- フィラーが含有された樹脂よりなる絶縁層と導電層とが積層されてなり、前記絶縁層を貫通する貫通孔が形成された配線基板材料のデスミア処理装置において、
前記配線基板材料に対して、波長220nm以下の紫外線を照射する紫外線照射処理部と、
この紫外線照射処理部によって紫外線照射処理された配線基板材料に物理的振動を与える物理的振動処理部と、
前記配線基板材料が前記紫外線照射処理部に供される前に、当該配線基板材料における被処理部分を湿潤する湿潤処理部とを有し、
前記湿潤処理部は、前記配線基板材料を水中に浸漬し、この状態で、当該水を超音波振動させることにより、当該配線基板材料における被処理部分を湿潤するものであることを特徴とするデスミア処理装置。 - 前記配線基板材料が湿潤処理部に供される前に、当該配線基板材料における被処理部分に紫外線を照射する乾式紫外線照射処理部を有することを特徴とする請求項1に記載のデスミア処理装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014132086A JP5967147B2 (ja) | 2013-12-26 | 2014-06-27 | デスミア処理装置 |
TW104112223A TWI544849B (zh) | 2014-06-27 | 2015-04-16 | In addition to glue residue treatment device |
TW105112825A TWI616126B (zh) | 2014-06-27 | 2015-04-16 | 除膠渣處理裝置 |
TW105112824A TWI607680B (zh) | 2014-06-27 | 2015-04-16 | Scrape removal device |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2013/084789 WO2014104154A1 (ja) | 2012-12-27 | 2013-12-26 | デスミア処理方法およびデスミア処理装置 |
WOPCT/JP2013/084789 | 2013-12-26 | ||
JP2014132086A JP5967147B2 (ja) | 2013-12-26 | 2014-06-27 | デスミア処理装置 |
Related Child Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016061149A Division JP6156536B2 (ja) | 2012-12-27 | 2016-03-25 | デスミア処理装置 |
JP2016061148A Division JP2016111372A (ja) | 2012-12-27 | 2016-03-25 | デスミア処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015126227A JP2015126227A (ja) | 2015-07-06 |
JP5967147B2 true JP5967147B2 (ja) | 2016-08-10 |
Family
ID=53536702
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014132086A Active JP5967147B2 (ja) | 2013-12-26 | 2014-06-27 | デスミア処理装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5967147B2 (ja) |
TW (3) | TWI544849B (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6160656B2 (ja) * | 2015-06-18 | 2017-07-12 | ウシオ電機株式会社 | 配線基板の製造方法、配線基板及び配線基板製造装置 |
JP6422837B2 (ja) * | 2015-09-25 | 2018-11-14 | ウシオ電機株式会社 | 配線基板の製造方法、配線基板及び配線基板製造装置 |
JP6401136B2 (ja) * | 2015-09-25 | 2018-10-03 | ウシオ電機株式会社 | 配線基板の製造方法、配線基板及び配線基板製造装置 |
JP6192704B2 (ja) * | 2015-12-14 | 2017-09-06 | 株式会社トクヤマ | 洗浄方法および洗浄装置 |
CN116419492B (zh) * | 2023-04-19 | 2024-08-06 | 广西拓联电子有限公司 | 一种线路板加工用快速去除胶渣装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08180757A (ja) * | 1994-12-21 | 1996-07-12 | Nitto Denko Corp | 接点部の形成方法 |
JP2005050999A (ja) * | 2003-07-28 | 2005-02-24 | Toyota Motor Corp | 配線基板および配線の形成方法 |
JP4724547B2 (ja) * | 2005-12-08 | 2011-07-13 | 新光電気工業株式会社 | 樹脂層表面の洗浄方法 |
JP5322531B2 (ja) * | 2008-05-27 | 2013-10-23 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板の製造方法 |
KR101708941B1 (ko) * | 2009-10-14 | 2017-02-21 | 스미토모 베이클리트 컴퍼니 리미티드 | 에폭시 수지 조성물, 프리프레그, 금속 부착 적층판, 프린트 배선판 및 반도체 장치 |
TWI513389B (zh) * | 2010-09-27 | 2015-12-11 | Taiyo Holdings Co Ltd | The formation method of resistance welding resistance |
-
2014
- 2014-06-27 JP JP2014132086A patent/JP5967147B2/ja active Active
-
2015
- 2015-04-16 TW TW104112223A patent/TWI544849B/zh active
- 2015-04-16 TW TW105112824A patent/TWI607680B/zh active
- 2015-04-16 TW TW105112825A patent/TWI616126B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201608951A (zh) | 2016-03-01 |
TWI544849B (zh) | 2016-08-01 |
TW201628476A (zh) | 2016-08-01 |
TWI616126B (zh) | 2018-02-21 |
TW201628477A (zh) | 2016-08-01 |
TWI607680B (zh) | 2017-12-01 |
JP2015126227A (ja) | 2015-07-06 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150424 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160121 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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