JP2015061026A - 配線基板材料の製造方法および配線基板材料 - Google Patents

Abstract

【課題】絶縁層に対する接着性が高い導電層を形成することができる配線基板材料の製造方法、および絶縁層に対する接着性が高い導電層を有する配線基板材料を提供する。
【解決手段】本発明の製造方法は、球状フィラーが含有された樹脂よりなる絶縁層と導電層とが積層されてなる配線基板材料の製造方法において、前記絶縁層の表面に対して、酸素を含むガス雰囲気下において紫外線を照射し、その後、当該絶縁層に２５〜１７０ｋＨｚの物理的振動を与えることによって、当該絶縁層の表面に球面状の凹部を形成する粗面形成工程を有することを特徴とする。
【選択図】図６

Description

本発明は、球状フィラーが含有された樹脂よりなる絶縁層と導電層とが積層されてなる配線基板材料の製造方法および配線基板材料に関する。

電子部品が搭載される多層配線基板を製造する方法としては、絶縁層および導電層（配線層）を順次に積層するビルドアップ法が知られている。このビルドアップ法において、導電層を形成する方法としては、セミアディティブ法が利用されている。
このセミアディティブ法においては、無電電解メッキおよび電解メッキによって、絶縁層の表面に導電層が形成される。このため、形成される導電層は、絶縁層に対する接着性が低い。このような理由から、導電層を形成する前に絶縁層の表面を粗面化することにより、そのアンカー効果によって絶縁層に対する導電層の接着性を高めることが行われている。

絶縁層の表面を粗面化する方法としては、過マンガン酸カリウムや水酸化ナトリウムが溶解されてなるアルカリ溶液中に浸漬することにより、絶縁層の表層部分における樹脂を除去した後、超音波処理によって、絶縁層の表面に露出したフィラーを除去する方法が提案されている（特許文献１参照。）。

特開２００７−１５８２３８号公報

しかしながら、アルカリ溶液によって絶縁層の表面を粗面化する方法においては、以下のような問題があることが判明した。
すなわち、絶縁層の表面をアルカリ溶液によって粗面化した場合には、絶縁層の表面に導電層を形成したときに十分なアンカー効果が発揮されず、その結果、絶縁層に対して十分に接着性の高い導電層を得ることが困難である。

上記の問題について検討したところ、十分なアンカー効果が発揮されない理由は、以下のように推測される。図１２に示すように、絶縁層４の表面をアルカリ溶液によって処理したときには、絶縁層４の表面に露出した球状フィラーＦと樹脂との間に，アルカリ溶液が進入する。これにより、露出した球状フィラーＦに接する樹脂が溶解除去される。その結果、絶縁層４の凹部Ｄの内面に微小な凹凸が形成される。そして、絶縁層４の凹部Ｄの内面に形成された凹凸の存在によって、導電層を形成したときに十分なアンカー効果が発揮されない。

本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであって、その目的は、絶縁層に対する接着性が高い導電層を形成することができる配線基板材料の製造方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、絶縁層に対する接着性が高い導電層を有する配線基板材料を提供することにある。

本発明の配線基板材料の製造方法は、球状フィラーが含有された樹脂よりなる絶縁層と導電層とが積層されてなる配線基板材料の製造方法において、
前記絶縁層の表面に対して、酸素を含むガス雰囲気下において紫外線を照射し、その後、当該絶縁層に２５〜１７０ｋＨｚの物理的振動を与えることによって、当該絶縁層の表面に球面状の凹部を形成する粗面形成工程
を有することを特徴とする。

本発明の配線基板材料の製造方法においては、前記球状フィラーの平均粒径が０．１〜２．０μｍであることが好ましい。
また、前記粗面形成工程を行った後、前記絶縁層の表面に、無電解メッキ用触媒よりなるシード層を形成し、このシード層上に、無電解メッキおよび電解メッキによって前記導電層を形成する工程を行うことが好ましい。
また、前記シード層の厚みが１０〜５００ｎｍであり、前記導電層の厚みが０．１〜２０μｍであることが好ましい。

本発明の配線基板材料は、上記の製造方法によって得られる配線基板材料であって、
前記絶縁層は、表面に球面状の凹所が形成されてなり、当該絶縁層の表面の表面粗さＲａが２０〜３００ｎｍであることを特徴とする。

本発明の配線基板材料の製造方法においては、絶縁層の表面に酸素を含むガス雰囲気下において紫外線を照射することにより、紫外線のエネルギーおよび紫外線の照射に伴って生ずるオゾンや活性酸素によって、当該絶縁層の表層部分における樹脂が分解される。このため、アルカリ溶液を使用したときのように、露出した球状フィラーに接する樹脂が溶解除去されることがない。その結果、絶縁層に物理的振動を付与することによって球状フィラーが離脱することにより、絶縁層の表面には、球状フィラーの球面に適合する多数の凹部が形成される。
従って、本発明の配線基板材料の製造方法によれば、絶縁層の表面に導電部を形成する際に十分にアンカー効果が発揮されるので、絶縁層に対する接着性が高い導電層を形成することができる。

本発明の製造方法によって得られる配線基板材料の一例における要部の構成を示す説明用断面図である。 絶縁性基板上に導電層が形成された状態を示す説明用断面図である。 中間積層体の構成を示す説明用断面図である。 紫外線の照射によって絶縁層の表層部分における樹脂が除去された状態を示す説明用断面図である。 波長２２０ｎｍ以下の紫外線の光源として用いられるエキシマランプの一例における構成の概略を示す説明用断面図であって、（ａ）放電容器の長手方向に沿った断面を示す横断面図、（ｂ）（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図である。 絶縁層の表面に球面状の凹所が形成された状態を示す説明用断面図である。 絶縁層の表面にシード層が形成された状態を示す説明用断面図である。 絶縁層の表面に金属薄層が形成された状態を示す説明用断面図である。 金属薄層の表面にメッキレジスト層が形成された状態を示す説明用断面図である。 絶縁層の表面に第２の導電層が形成された状態を示す説明用断面図である。 メッキレジスト層が除去されて金属薄層が露出した状態を示す説明用断面図である。 従来の配線基板材料の製造方法において、アルカリ溶液によって、絶縁層の表面に露出した球状フィラーに接する樹脂が溶解除去された状態を示す説明用断面図である。

以下、本発明の実施の形態について説明する。
図１は、本発明の製造方法によって得られる配線基板材料の一例における要部の構成を示す説明用断面図である。この配線基板材料１は、絶縁性基板２と、この絶縁性基板２の表面上に積層された、所要のパターンの第１の導電層（配線層）３と、この導電層３を含む絶縁性基板２上に積層された絶縁層４と、この絶縁層４上に積層された第２の導電層５とにより構成されている。

絶縁性基板２は、例えばガラス繊維補強型エポキシ樹脂、ガラス繊維補強型ポリエステル樹脂などによって構成されている。
絶縁性基板２の厚みは、例えば２０〜８００μｍである。

絶縁層４は、無機物質よりなる球状フィラーが含有された樹脂によって構成されている。絶縁層４を構成する樹脂としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂などを用いることができる。絶縁層４中に含有される球状フィラーを構成する材料としては、シリカ、アルミナ、マイカ、珪酸塩、硫酸バリウム、水酸化マグネシウム、酸化チタンなどを用いることができる。球状フィラーの平均粒径は、例えば０．１〜２μｍである。
絶縁層４の各々における球状フィラーの割合は、例えば２０〜６０質量％である。
絶縁層４の厚みは、例えば１０〜５０μｍである。

第１の導電層３および第２の導電層５を構成する材料としては、銅、ニッケル、金などを用いることができる。
第１の導電層３の厚みは、例えば１０〜１００μｍである。また、第２の導電層５の厚みは、例えば０．１〜２０μｍである。

本発明の製造方法においては、上記の配線基板材料１は、例えば以下のようにして製造される。
先ず、図２に示すように、絶縁性基板２の表面上に、所要のパターンの第１の導電層３を形成する。
第１の導電層３を形成する方法としては、特に限定されず、サブトラクティブ法、セミアディティブ法などの種々の方法を利用することができる。

次いで、図３に示すように、第１の導電層３を含む絶縁性基板２の表面上に絶縁層４を積層することにより、中間積層体１ａを形成する。
絶縁層４を積層する方法としては、液状の熱硬化性樹脂中に球状フィラーが含有されてなる絶縁層形成材料を、第１の導電層３を含む絶縁性基板２の表面上に塗布した後、当該絶縁層形成材料を硬化処理する方法や、第１の導電層３を含む絶縁性基板２の表面上に、球状フィラーが含有された絶縁シートを熱圧着等によって貼り合わせる方法を利用することができる。

そして、中間積層体１ａにおける絶縁層４に対して、その表面の粗面形成が行われる。 具体的に説明すると、先ず、絶縁層４の表面に対して、酸素を含むガス雰囲気下において紫外線を照射する。これにより、絶縁層４の表層部分における樹脂が、紫外線のエネルギーおよび紫外線の照射に伴って生ずるオゾンや活性酸素によって分解されてガス化される。その結果、図４に拡大して示すように、絶縁層４の表層部分（破線で示す）４ａにおける樹脂が除去される。一方、絶縁層４の表層部分４ａにおける球状フィラーＦは、樹脂が除去されることによって表面に露出される。
このとき、アルカリ溶液を使用したときのように、絶縁層４の表面に露出した球状フィラーＦに接する樹脂が溶解除去されることがない。
また、露出した球状フィラーＦは、紫外線が照射されることによって脆いものとなる。これは、球状フィラーＦが紫外線を受けることによって収縮することにより、当該球状フィラーＦに歪みが生じるためと考えられる。

以上において、紫外線照射が行われるガス雰囲気における酸素濃度は、５０〜１００体積％であることが好ましく、より好ましくは ９０〜１００体積％である。酸素濃度が過小である場合には、樹脂の分解に必要な活性酸素の供給量が足りなくなるので、可能な限り高い酸素濃度が望ましい。

また、絶縁層４に照射される紫外線は、波長２２０ｎｍ以下であることが好ましく、より好ましくは１９０ｎｍ以下である。紫外線の波長が２２０ｎｍを超える場合には、絶縁層の表層部分を分解除去することが困難となる。
波長２２０ｎｍ以下の紫外線の光源としては、キセノンエキシマランプ（ピーク波長１７２ｎｍ）、低圧水銀灯（１８５ｎｍ輝線）、希ガス蛍光ランプなどを用いることができる。
絶縁層４に照射される紫外線の照度は、例えば１０〜２００ｍＷ／ｃｍ² である。また、絶縁層４に対する紫外線の照射時間は、紫外線の照度などを考慮して適宜設定されるが、例えば１〜３０分間である。

図５は、波長２２０ｎｍ以下の紫外線の光源として用いられるエキシマランプの一例における構成の概略を示す説明用断面図であって、（ａ）放電容器の長手方向に沿った断面を示す横断面図、（ｂ）（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図である。
このエキシマランプ１０は、両端が気密に封止されて内部に放電空間Ｓが形成された、断面矩形状の中空長尺状の放電容器１１を備えており、この放電容器１１の内部には、放電用ガスとして、例えばキセノンガスや、アルゴンと塩素とを混合したガスが封入されている。
放電容器１１は、真空紫外光を良好に透過するシリカガラス、例えば合成石英ガラスよりなり、誘電体としての機能を有する。

放電容器１１における長辺面の外表面には、一対の格子状の電極、すなわち、高電圧供給電極として機能する一方の電極１５および接地電極として機能する他方の電極１６が長尺な方向に伸びるよう対向して配置されており、これにより、一対の電極１５，１６間に誘電体として機能する放電容器１１が介在された状態とされている。
このような電極は、例えば、金属よりなる電極材料を放電容器１１にペースト塗布することにより、あるいは、プリント印刷や蒸着することによって形成することができる。

このエキシマランプ１０においては、一方の電極１５に点灯電力が供給されると、誘電体として機能する放電容器１１の壁を介して両電極１５，１６間に放電が生成され、これにより、エキシマ分子が形成されると共にこのエキシマ分子から真空紫外光が放射されるエキシマ放電が生ずるが、このエキシマ放電によって発生する真空紫外光を効率良く利用するために、放電容器１１の内表面に、シリカ粒子とアルミナ粒子とからなる紫外線反射膜２０が設けられている。ここに、放電用ガスとしてキセノンガスを用いた場合は、波長１７２ｎｍにピークを有する真空紫外線が放出され、放電用ガスとしてアルゴンと塩素とを混合したガスを用いた場合には、波長１７５ｎｍにピークを有する真空紫外線が放出される。

紫外線反射膜２０は、例えば、放電容器１１における長辺面の、高電圧供給電極として機能する一方の電極１５に対応する内表面領域とこの領域に連続する短辺面の内表面領域の一部にわたって形成されており、放電容器１１における長辺面の、接地電極として機能する他方の電極１６に対応する内表面領域において紫外線反射膜２０が形成されていないことによって光出射部（アパーチャ部）１８が構成されている。
紫外線反射膜２０の膜厚は、例えば１０〜１００μｍであることが好ましい。

紫外線反射膜２０は、シリカ粒子およびアルミナ粒子それ自体が高い屈折率を有する真空紫外光透過性を有するものであることから、シリカ粒子またはアルミナ粒子に到達した真空紫外光の一部が粒子の表面で反射されると共に他の一部が屈折して粒子の内部に入射され、さらに、粒子の内部に入射される光の多くが透過され（一部が吸収）、再び、出射されるに際して屈折される、このような反射、屈折が繰り返し起こる「拡散反射」させる機能を有する。
また、紫外線反射膜２０は、シリカ粒子およびアルミナ粒子、すなわちセラミックスにより構成されていることにより、不純ガスを発生させず、また、放電に耐えられる特性を有する。

紫外線反射膜２０を構成するシリカ粒子は、例えばシリカガラスを粉末状に細かい粒子としたものなどを用いることができる。
シリカ粒子は、以下のように定義される粒子径が例えば０．０１〜２０μｍの範囲内にあるものであって、中心粒径（数平均粒子径のピーク値）が、例えば０．１〜１０μｍであるものが好ましく、より好ましくは０．３〜３μｍであるものである。
また、中心粒径を有するシリカ粒子の割合が５０％以上であることが好ましい。

紫外線反射膜２０を構成するアルミナ粒子は、粒子径が例えば０．１〜１０μｍの範囲内にあるものであって、中心粒径（数平均粒子径のピーク値）が、例えば０．１〜３μｍであるものが好ましく、より好ましくは０．３〜１μｍであるものである。
また、中心粒径を有するアルミナ粒子の割合が５０％以上であることが好ましい。

次いで、絶縁層４に対して物理的振動を与えることによって、絶縁層４の表面に露出した球状フィラーＦが離脱して除去される。
球状フィラーＦが絶縁層４の表面から離脱する理由としては、振動による機械的作用によって球状フィラーＦが破壊されること、紫外線の照射によって、球状フィラーＦの収縮や、紫外線の照射によって生ずる球状フィラーＦと樹脂との熱膨張の差などによって、球状フィラーＦと樹脂との間にわずかな隙間が生じることなどが考えられる。
その結果、図６に示すように、絶縁層４の表面には、離脱した球状フィラーＦの球面に適合する多数の球面状の凹部Ｄが形成される。以て、絶縁層４の表面には、粗面が形成される。

絶縁層４に付与される物理的振動の周波数（振動数）は、２５〜１７０ｋＨｚとされ、好ましくは２５〜７５ｋＨｚとされる。この周波数が過小である場合には、絶縁層４の表面に露出した球状フィラーＦを離脱させることが困難となる。一方、この周波数が過大である場合には、絶縁層４における樹脂の一部が破壊されることにより、第２の導電層５を形成する際に、十分なアンカー効果が得られない。

絶縁層４に対する機械的振動の付与は、例えば超音波振動処理によって行うことができる。このような超音波振動処理においては、超音波の振動媒体として、水などの液体および空気などの気体を用いることができる。

具体的に説明すると、振動媒体として水を用いる場合には、中間積層体１ａを例えば水中に浸漬し、この状態で、当該水を超音波振動させることにより、超音波振動処理を行うことができる。超音波の振動媒体として液体を用いる場合には、超音波振動処理の処理時間は、例えば３０〜１８０秒間である。

また、振動媒体として空気を用いる場合には、圧縮空気を超音波振動させながら絶縁層４に吹きつけることにより、超音波振動処理を行うことができる。ここで、圧縮空気の圧力は０．２ＭＰａ以上であることが好ましい。また、圧縮空気による超音波振動処理の処理時間は、例えば３０〜１８０秒間である。

絶縁層４に対する紫外線の照射および物理的振動の付与は、この順でそれぞれ１回ずつ行ってもよいが、紫外線の照射および物理的振動の付与を交互に繰り返して行ってもよい。絶縁層４に対する紫外線の照射および物理的振動の付与の繰り返し回数は、例えば１〜５回である。

このようにして粗面形成が施された絶縁層４の表面は、その表面粗さＲａが２０〜３００ｎｍであることが好ましい。この表面粗さＲａが２０ｎｍ未満でも特に問題はないが、粗面を施さなくても、絶縁層４の表面の表面粗さＲａが２０ｎｍ程度ある。一方、この表面粗さＲａが３００ｎｍを超える場合には、絶縁層４と密着する第２の導電層５も絶縁層４と同程度の表面粗さになってしまい、この表面粗さが電気的伝導の損失を大きくしてしまう。

次いで、粗面形成が施された絶縁層４の表面に、第２の導電層５を形成する。
具体的に説明すると、先ず、図７に示すように、絶縁層４の表面に、無電解メッキ用触媒よりなるシード層６を形成する。
無電解メッキ用触媒としては、パラジウム（Ｐｄ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）などを用いることができる。
シード層６の厚みは、１０〜５００ｎｍであることが好ましく、よりより好ましくは１０〜１００ｎｍである。
また、シード層６を形成する方法としては、無電解メッキ用触媒のコロイド溶液を絶縁層の表面に塗布する方法、無電解メッキ用触媒を構成するチタン（Ｔｉ）や銅（Ｃｕ）を蒸着する方法などを利用することができる。

このようにして形成されたシード層６上に無電解メッキを施すことによって、図８に示すように、金属薄層７を形成する。金属薄層７の厚みは、例えば１〜２０μｍである。

そして、図９に示すように、金属薄層７の表面に、形成すべき第２の導電層に対してネガパターンとなるメッキレジスト層８を形成する。次いで、金属薄層７における露出した部分に電解メッキを施すことによって、図１０に示すように、絶縁層４の表面に所要の厚みの第２の導電層５を形成する。その後、メッキレジスト層８を除去することにより、図１１に示すように、金属薄層７を露出させる。そして、露出した金属薄層７をエッチング処理によって除去することにより、図１に示す配線基板材料１が得られる。

以上のように、本発明の配線基板材料の製造方法においては、絶縁層４の表面に酸素を含むガス雰囲気下において紫外線を照射することにより、紫外線のエネルギーおよび紫外線の照射に伴って生ずるオゾンや活性酸素によって、当該絶縁層４の表層部分における樹脂が分解される。このため、アルカリ溶液を使用したときのように、露出した球状フィラーＦに接する樹脂が溶解除去されることがない。その結果、絶縁層４に物理的振動を付与することによって球状フィラーＦが離脱することにより、絶縁層４の表面には、球状フィラーＦの球面に適合する多数の凹部Ｄが形成される。
従って、本発明の配線基板材料の製造方法によれば、絶縁層４の表面に第２の導電部５を形成する際に十分にアンカー効果が発揮されるので、絶縁層４に対する接着性が高い第２の導電層５を形成することができる。

以下、本発明の具体的な実施例について説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

〈実施例１〉
（１）中間積層体の製造：
ＰＥＴ樹脂よりなる絶縁性基板（厚み：５０μｍ）の表面上に、サブトラクティブ法によって銅よりなる第１の導電層（厚み：２０μｍ）を形成した。次いで、第１の導電層を含む絶縁性基板の表面上に、球状シリカ（平均粒径：０．５μｍ，含有割合：６０質量％）が含有された、エポキシ樹脂よりなる層間絶縁用フィルムをラミネートすることにより、厚みが２５μｍの絶縁層を形成し、以て、中間積層体を製造した。

（２）絶縁層の粗面形成
（２−１）紫外線照射
酸素濃度が９５体積％のガス雰囲気において、中間積層体における絶縁層の表面に、キセノンエキシマランプを備えた紫外線照射装置によって下記の条件で紫外線照射処理を行った。
紫外線照射処理条件：
紫外線照射装置の紫外線出射窓の外面における紫外線照度＝１００Ｗ／ｃｍ²
紫外線照射装置の紫外線出射窓と試験用配線基板材料との離間距離＝１ｍｍ
紫外線照射時間＝５分間
（２−２）物理的振動付与
上記（２−１）の紫外線照射処理工程が終了した後、中間積層体を純水中に浸漬した。この状態で、中間積層体に対して２５ｋＨｚの超音波による超音波振動処理を１分間行った。
その後、絶縁層の表面の表面粗さＲａを測定したところ、２５０ｎｍであった。

（３）導電層の形成
絶縁層の表面に、パラジウムのコロイド溶液を絶縁層の表面に塗布することにより、厚みが１００ｎｍのシード層を形成した。次いで、このシード層上に無電解銅メッキを施すことによって、厚みが８００ｎｍの銅よりなる金属薄層を形成した。その後、金属薄層に対して電解銅メッキを施すことによって、厚みが２０μｍの第２の導電層を形成することにより、配線基板材料を製造した。

〈実施例２〉
物理的振動付与において、超音波の周波数を２５ｋＨｚから７５ｋＨｚに変更したこと以外は、実施例１と同様にして配線基板材料を製造した。
絶縁層の表面の表面粗さＲａを測定したところ、１６０ｎｍであった。

〈実施例３〉
物理的振動付与において、超音波の周波数を２５ｋＨｚから１００ｋＨｚに変更したこと以外は、実施例１と同様にして配線基板材料を製造した。
絶縁層の表面の表面粗さＲａを測定したところ、１６５ｎｍであった。

〈実施例４〉
物理的振動付与において、超音波の周波数を２５ｋＨｚから１７０ｋＨｚに変更したこと以外は、実施例１と同様にして配線基板材料を製造した。
絶縁層の表面の表面粗さＲａを測定したところ、２８０ｎｍであった。

〈実施例５〉
層間絶縁用フィルムとして、球状シリカ（平均粒径：０．６μｍ，含有割合：６０質量％）が含有されてなるものを用いたこと以外は、実施例１と同様にして配線基板材料を製造した。
絶縁層の表面の表面粗さＲａを測定したところ、２６０ｎｍであった。

〈実施例６〉
層間絶縁用フィルムとして、球状シリカ（平均粒径：０．６μｍ，含有割合：７０質量％）が含有されてなるものを用いたこと以外は、実施例４と同様にして配線基板材料を製造した。
絶縁層の表面の表面粗さＲａを測定したところ、２９０ｎｍであった。

〈比較例１〉
物理的振動付与を行わなかったこと以外は、実施例１と同様にして配線基板材料を製造した。
絶縁層の表面の表面粗さＲａを測定したところ、３８０ｎｍであった。

〈比較例２〉
物理的振動付与において、超音波の周波数を２５ｋＨｚから１８ｋＨｚに変更したこと以外は、実施例１と同様にして配線基板材料を製造した。
絶縁層の表面の表面粗さＲａを測定したところ、３４０ｎｍであった。

〈比較例３〉
物理的振動付与において、超音波の周波数を２５ｋＨｚから２０ｋＨｚに変更したこと以外は、実施例１と同様にして配線基板材料を製造した。
絶縁層の表面の表面粗さＲａを測定したところ、３１５ｎｍであった。

〈比較例４〉
物理的振動付与において、超音波の周波数を２５ｋＨｚから２００ｋＨｚに変更したこと以外は、実施例１と同様にして配線基板材料を製造した。
絶縁層の表面の表面粗さＲａを測定したところ、３０５ｎｍであった。

〈比較例５〉
物理的振動付与において、超音波の周波数を２５ｋＨｚから４００ｋＨｚに変更したこと以外は、実施例１と同様にして配線基板材料を製造した。
絶縁層の表面の表面粗さＲａを測定したところ、３２０ｎｍであった。

〈比較例６〉
物理的振動付与において、超音波の周波数を２５ｋＨｚから９５０ｋＨｚに変更したこと以外は、実施例１と同様にして配線基板材料を製造した。
絶縁層の表面の表面粗さＲａを測定したところ、３７０ｎｍであった。

〈比較例７〉
絶縁層の粗面形成において、絶縁層に対する紫外線照射の代わりに、中間積層体を過マンガン酸カリウム溶液中に２０分間浸漬したこと以外は、実施例１と同様にして配線基板材料を製造した。
絶縁層の表面の表面粗さＲａを測定したところ、２８０ｎｍであった。

［評価］
ＪＩＳ Ｃ ５０１６に準拠し、以下のようにして第２の導電層について９０度引きはがし強さを測定した。
第２の導電層に対して線幅が１ｃｍとなるよう切り込みをいれ、切り込みを入れた第２の導電層の端部を引っ張り試験機にセットし、１０ｃｍ引きはがしたときの強度を測定した。
上記き引きはがし強度が０．５ｋｇ／ｃｍを超えた場合を○、０．４５〜０．５ｋｇ／ｃｍである場合を△、０．４５ｋｇ／ｃｍ未満である場合を×として評価した結果を表１に示す。

表１の結果から明らかなように、実施例１〜６によれば、絶縁層に対する接着性が高い導電層が得られることが確認された。この接着性は、絶縁層の表面に形成された凹部の内面に不所望な凹凸が形成されなかったために、得られたものと推測される。
これに対して、比較例１においては、絶縁層に対する物理的振動の付与を行っていないため、球状フィラーが絶縁層の表面に残留しており、これにより、絶縁層に対する接着性が高い導電層が得られなかった。
また、比較例２〜３においては、絶縁層に対する物理的振動の付与の周波数が過小であるため、絶縁層の表面に露出した球状フィラーが十分に離脱せず、これにより、絶縁層に対する接着性が高い導電層が得られなかった。
また、比較例４〜６においては、絶縁層に対する物理的振動の付与の周波数が過大であるため、絶縁層における樹脂の一部が破壊され、これにより、絶縁層に対する接着性が高い導電層が得られなかった。
また、比較例７においては、アルカリ溶液を使用したため、絶縁層の表面に形成された凹部の内面に微小な凹凸が形成され、これにより、絶縁層に対する接着性が高い導電層が得られなかった。

１ 配線基板材料
１ａ 中間積層体
２ 絶縁性基板
３ 第１の導電層
４ 絶縁層
４ａ 表層部分
５ 第２の導電層
６ シード層
７ 金属薄層
８ メッキレジスト層
１０ エキシマランプ
１１ 放電容器
１５ 一方の電極（高電圧供給電極）
１６ 他方の電極（接地電極）
１８ 光出射部（アパーチャ部）
２０ 紫外線反射膜
Ｄ 凹部
Ｆ 球状フィラー
Ｓ 放電空間

Claims (5)

1. 球状フィラーが含有された樹脂よりなる絶縁層と導電層とが積層されてなる配線基板材料の製造方法において、
   前記絶縁層の表面に対して、酸素を含むガス雰囲気下において紫外線を照射し、その後、当該絶縁層に２５〜１７０ｋＨｚの物理的振動を与えることによって、当該絶縁層の表面に球面状の凹部を形成する粗面形成工程
   を有することを特徴とする配線基板材料の製造方法。
2. 前記球状フィラーの平均粒径が０．１〜２．０μｍであることを特徴とする請求項１に記載の配線基板材料の製造方法。
3. 前記粗面形成工程を行った後、前記絶縁層の表面に、無電解メッキ用触媒よりなるシード層を形成し、このシード層上に、無電解メッキおよび電解メッキによって前記導電層を形成する工程を行うことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の配線基板材料の製造方法。
4. 前記シード層の厚みが１０〜５００ｎｍであり、前記導電層の厚みが０．１〜２０μｍであることを特徴とする請求項３に記載の配線基板材料の製造方法。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の製造方法によって得られる配線基板材料であって、
   前記絶縁層は、表面に球面状の凹所が形成されてなり、当該絶縁層の表面の表面粗さＲａが２０〜３００ｎｍであることを特徴とする配線基板材料。

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