WO2021256870A1

WO2021256870A1 - 동박부착수지 및 이를 포함하는 회로기판

Info

Publication number: WO2021256870A1
Application number: PCT/KR2021/007604
Authority: WO
Inventors: 김정한; 김용석; 김무성
Original assignee: 엘지이노텍 주식회사
Priority date: 2020-06-17
Filing date: 2021-06-17
Publication date: 2021-12-23
Also published as: JP2023531457A; CN116133845A; KR20210155977A; US20230240008A1

Abstract

실시 예에 따른 동박적층수지는, 레진 및 상기 레진 내에 분산된 필러를 포함하는 절연층; 및 상기 절연층 상에 배치되는 동박층을 포함하고, 상기 절연층은, 상기 동박층과 접촉하는 표면에 다수의 공극이 형성되고, 상기 다수의 공극은, 200nm 내지 350nm 사이의 폭을 가진다.

Description

동박부착수지 및 이를 포함하는 회로기판

실시 예는 동박부착수지에 관한 것으로, 특히 미세한 회로패턴의 구현이 가능하면서 회로패턴과의 밀착력을 향상시킬 수 있는 동박부착수지 및 이를 포함하는 회로기판에 관한 것이다.

인쇄회로기판(PCB; Printed Circuit Board)은 전기 절연성 기판에 구리와 같은 전도성 재료로 회로라인 패턴을 인쇄하여 형성한 것으로, 전자부품을 탑재하기 직전의 기판(Board)을 말한다. 즉, 여러 종류의 많은 전자 소자를 평판 위에 밀집 탑재하기 위해, 각 부품의 장착 위치를 확정하고, 부품을 연결하는 회로패턴을 평판 표면에 인쇄하여 고정한 회로기판을 의미한다.

상기 인쇄회로기판 상에 실장되는 부품들은 각 부품들에 연결되는 회로 패턴에 의해 부품에서 발생되는 신호가 전달될 수 있다.

한편, 최근의 휴대용 전자 기기 등의 고기능화에 수반하여, 대량의 정보의 고속 처리를 하기 위해 신호의 고주파화가 진행되고 있어, 고주파 용도에 적합한 인쇄회로기판의 회로 패턴이 요구되고 있다.

이러한 인쇄회로기판의 회로 패턴은 신호의 전송 손실을 최소화하여, 고주파 신호의 품질을 저하시키지 않으면서 신호 전송이 가능하도록 해야 한다.

인쇄회로기판의 회로 패턴의 전송 손실은, 구리와 같은 금속 박막에 기인하는 도체 손실과, 절연층과 같은 절연체에 기인하는 유전체 손실로 주로 이루어진다.

금속 박막에 기인하는 도체손실은 회로 패턴의 표면 조도와 관계가 있다. 즉, 회로 패턴의 표면 조도가 증가될 수록 스킨 이펙트(skin effect) 효과에 의해 전송 손실이 증가될 수 있다.

따라서, 회로 패턴의 표면 조도를 감소시키면, 전송 손실 감소를 방지할 수 있는 효과가 있으나, 회로 패턴과 절연층의 접착력이 감소되는 문제점이 있다.

또한, 유전체에 따른 감소하기 위해 유전율이 작은 물질을 이용하여 회로기판의 절연층으로 사용할 수 있다.

그러나, 고주파 용도의 회로기판에서 절연층은 낮은 유전율 이외에도 회로 기판에 사용하기 위한 화학적, 기계적 특성이 요구된다.

자세하게, 고주파 용도의 회로기판에 사용되는 절연층은 회로 패턴 설계 및 공정의 용이성을 위한 전기적 성질의 등방성, 금속배선 물질과의 낮은 반응성, 낮은 이온 전이성 및 화학적ㆍ기계적 연마(chemical mechanical polishing, CMP) 등의 공정에 견딜 수 있는 충분한 기계적 강도, 박리 또는 유전율 상승을 방지할 수 있는 낮은 흡습율, 공정 가공 온도를 견딜 수 있는 내열성, 온도 변화에 따른 균열을 없애기 위한 낮은 열팽창계수를 가져야 한다.

또한, 고주파 용도의 회로기판에 사용되는 절연층은 다른 물질(예를 들어 금속 박막)과의 계면에서 발생될 수 있는 각종 응력 및 박리를 최소화할 수 있는 접착력, 내크랙성, 낮은 스트레스 및 낮은 고온 기체 발생성 등 다양한 조건을 만족해야 한다.

이에 따라, 고주파 용도의 회로기판에 사용되는 절연층은 우선적으로 저유전율 및 저열팽창계수 특성을 가지고 있어야 하며, 이에 따라 전체적인 회로기판의 두께를 슬림화할 수 있다.

그러나, 한계점 이상의 얇은 저유전 소재의 절연층을 사용하여 회로 기판을 제작하는 경우, 휨, 크랙 및 박리와 같은 신뢰성 문제가 발생하고 있으며, 이는 저유전 소재의 절연층의 층수가 증가할수록 휨, 크랙 및 박리와 같은 신뢰성 문제 정도가 커지게 된다.

따라서, 저유전 소재의 절연층을 사용하여 회로 기판을 슬림화하면서 미세회로패턴 구현이 가능하고, 휨, 크랙 및 박리와 같은 신뢰성 문제도 해결할 수 있는 방안이 요구되고 있는 실정이다.

실시 예에서는 회로기판의 슬림화를 달성할 수 있도록 한다.

또한, 실시 예에서는 낮은 유전율 및 낮은 표면 거칠기를 가지는 동박부착수지 및 이를 포함하는 인쇄회로기판을 제공하도록 한다.

또한, 실시 예에서는 낮은 열팽창계수를 가지는 동박부착수지 및 이를 포함하는 인쇄회로기판을 제공할 수 있도록 한다.

또한, 실시 예에서는 동박부착수지 및 프리프레그의 혼합 적층 구조를 가지는 하이브리드 타입의 인쇄회로기판을 제공할 수 있도록 한다.

또한, 실시 예에서는 프리프레그의 열팽창계수에 대응하게 동박부착수지의 열팽창계수를 제어하여 휨 발생을 최소화할 수 있는 회로 기판을 제공할 수 있도록 한다.

또한, 실시 예에서는 인쇄회로기판의 전체 적층 구조에서의 동박부착수지의 전체 층수에 따라 상기 동박부착수지가 가지는 열팽창계수를 제어하도록 한 회로 기판을 제공하도록 한다.

제안되는 실시 예에서 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 제안되는 실시 예가 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

또한, 상기 동박층은 구리 입자를 포함하고, 상기 구리 입자는, 200nm 내지 350nm 사이의 직경을 가진다.

또한, 상기 절연층의 표면에는, 10㎛의 길이를 가지는 가상의 라인 내에서, 30개 내지 50개의 공극이 형성된다.

또한, 상기 절연층은, 0.1㎛ 내지 0.15㎛ 정도의 중심선 평균 표면 거칠기(Ra)를 가진다.

또한, 상기 절연층은, 0.8㎛ 내지 1.5㎛ 사이의 십점 평균 표면 거칠기(Rz)를 가진다.

한편, 실시 예에 따른 인쇄회로기판은 절연층; 상기 절연층의 상면에 배치되는 도금층; 및 상기 도금층의 상면에 배치되는 회로패턴을 포함하고, 상기 제1 절연층은, 동박적층수지(RCC)이고, 상기 절연층은, 상기 동박층과 접촉하는 표면에 다수의 공극이 형성되고, 상기 다수의 공극은, 200nm 내지 350nm 사이의 폭을 가진다.

또한, 상기 회로 패턴은 제1 선폭을 가지고, 상기 제1 선폭 내에서, 상기 절연층에 형성된 다수의 공극 중 30개 내지 50개의 공극과 수직 방향 내에서 중첩된다.

또한, 상기 절연층은, 0.1㎛ 내지 0.15㎛ 정도의 중심선 평균 표면 거칠기(Ra) 및 0.8㎛ 내지 1.5㎛ 사이의 십점 평균 표면 거칠기(Rz)를 가진다.

한편, 실시 예에 따른 인쇄회로기판은 복수의 절연층을 포함하는 절연부를 포함하고, 상기 절연부는, 제1 절연부; 상기 제1 절연부 위에 배치되고, 상기 제1 절연부에 대응하는 열팽창 계수를 가지는 제2 절연부; 및 상기 제1 절연부 아래에 배치되고, 상기 제1 절연부에 대응하는 열팽창 계수를 가지는 제3 절연부를 포함하고, 상기 제1 절연부는, 유리 섬유를 포함하는 프리프레그로 구성되고, 상기 제2 및 제3 절연부는, 동박적층수지로 구성되고, 상기 제2 및 제3 절연부를 구성하는 각각의 절연층의 표면에는 200nm 내지 350nm 사이의 폭을 가지는 공극이 형성된다.

또한, 상기 제2 및 제3 절연부를 구성하는 동박적층수지는, 상기 제1 내지 제3 절연부를 구성하는 절연층의 전체 층수 중 30% 내지 50% 범위의 층수로 구성되거나, 상기 제1 내지 제3 절연부를 구성하는 절연층의 전체 두께 중 30% 내지 50% 범위의 두께를 차지하며, 10 내지 50 (10^-6m/m·k)의 범위의 열팽창계수를 가진다.

또한, 상기 제2 및 제3 절연부를 구성하는 동박적층수지는, 수지 및 상기 수지 내에 분산된 필러를 포함하고, 상기 필러는, 55 중량% 내지 70중량%의 필러를 포함한다.

또한, 상기 동박적층수지는, 폴리페닐에테르(Polyphenyl Ether, PPE)를 포함하는 제 1 화합물; 및 트리사이클로데케인(tricyclodecane) 및 상기 트리사이클로데케인과 연결되는 말단기를 포함하는 제 2 화합물을 포함하고, 상기 제 1 화합물과 상기 제 2 화합물의 중량비는 4:6 내지 6:4이다.

또한, 상기 말단기는 아크릴레이트기, 에폭사이드기, 카르복실기 및 하이드록실기, 이소시아네이트기 중 적어도 하나를 포함하고, 상기 제 1 화합물 및 상기 제 2 화합물은 화학적으로 비결합한다.

또한, 상기 동박적층수지는, 2.03 내지 2.7 범위의 유전율을 가진다.

실시 예에서의 동박적층수지는 절연층 및 동박층을 포함한다. 이때, 동박층을 구리 입자의 직경은 200nm 내지 350nm 사이의 범위를 가진다. 이에 따라, 실시 예에서의 동박적층수지를 구성하는 절연층의 표면에는 200nm 내지 350nm 사이의 범위의 공극이 형성된다. 또한, 이와 같은 실시 예의 절연층은 0.1㎛ 내지 0.15㎛ 정도의 중심선 평균 표면 거칠기(Ra), 0.8㎛ 내지 1.5㎛ 사이의 십점 평균 표면 거칠기(Rz)를 가질 수 있다. 즉, 실시 예의 동박적층수지는 절연층의 표면 거칠기를 비교 예 대비 감소시킬 수 있으며, 이에 따른 미세 회로 패턴 구현이 가능하고, 신호 전송 손실을 최소화할 수 있다. 또한, 실시 예의 절연층의 표면에는 200nm 내지 350nm 사이의 범위의 폭의 공극이 형성됨에 따라 공극 밀집도를 향상시킬 수 있다. 즉, 일정 영역 내에서, 본 실시 예에서의 절연층에 형성된 공극의 개수는, 비교 예에서의 절연층에 형성된 공극의 개수 대비 증가할 수 있다. 예를 들어, 일정 영역 내에서, 본 실시 예에서의 절연층에 형성된 공극의 개수는, 비교 예에서의 절연층에 형성된 공극의 개수 대비 2배 내지 5배 증가할 수 있다. 그리고, 실시 예에서는 상기 절연층의 표면에 형성되는 공극의 밀집도를 향상시키고, 이에 따라 추후 형성되는 화학동도금층과의 접촉 면적을 증가시켜, 이에 따른 화학동도금층, 나아가 회로 패턴과의 밀착력을 향상시킬 수 있다.

또한, 실시예에 따른 인쇄회로기판은 절연층과 회로 패턴 사이에 배치되는 버퍼층을 포함할 수 있다. 즉, 실시예에 따른 인쇄회로 기판은 회로 패턴의 표면에 버퍼층을 형성하거나, 절연층 상에 버퍼층을 형성할 수 있다. 상기 버퍼층은 상기 절연층과 상기 회로 패턴 사이에 배치되어 상기 절연층과 상기 회로 패턴의 밀착력을 향상시킬 수 있다. 즉, 상기 절연층과 상기 회로 패턴은 각각 수지물질 및 금속을 포함하는 이종물질로서, 상기 절연층 상에 상기 회로 패턴을 형성할 때, 접착력이 저하되는 문제점이 있다. 따라서, 상기 절연층과 상기 회로 패턴 사이에 상기 절연층과 상기 회로 패턴과 각각 화학적으로 결합되는 버퍼층을 배치하여, 상기 절연층과 상기 회로 패턴의 밀착력을 향상시킬 수 있다.

즉, 상기 버퍼층은 상기 절연층과 상기 회로 패턴과 결합되는 복수의 작용기들을 포함하고, 상기 작용기들이 상기 절연층 및 상기 회로 패턴과 공유결합 또는 배위결합에 의해 화학적으로 결합됨으로써, 상기 절연층과 상기 회로 패턴의 밀착력을 향상시킬 수 있다.

이에 따라, 상기 절연층의 표면 조도를 감소시켜도, 상기 절연층과 상기 회로 패턴의 밀착 신뢰성을 확보할 수 있다.

따라서, 실시예에 따른 회로기판을 고주파 용도로 사용하는 경우에도 회로 패턴의 표면 조도를 낮게 유지하여 고주파 신호의 전송 손실을 감소시킬 수 있고, 회로 패턴의 표면 조도를 낮게 유지하여도, 버퍼층에 의해 절연층과 회로 패턴의 밀착력을 확보할 수 있으므로, 회로 패턴의 전체적인 신뢰성을 확보할 수 있다.

또한, 실시예에 따른 회로기판은 낮은 유전율 및 낮은 열팽창 계수를 가지고 향상된 강도를 가지는 절연층을 포함할 수 있다.

자세하게, 상기 절연층은 낮은 유전율 및 향상된 강도를 가지는 제 1 물질과 제 2 물질을 포함하고, 상기 절연층 내에서 상기 제 1 물질이 상기 제 2 물질의 네트워크 구조의 내부에 배치되도록 형성함에 따라, 상기 제 1 물질과 상기 제 2 물질의 상분리를 방지할 수 있다. 따라서, 상기 절연층은 상기 제 1 물질과 상기 제 2 물질을 단일상으로 형성할 수 있어, 절연층의 강도를 향상시킬 수 있다.

즉, 크로스 링킹에 의해 네트워크 구조를 가지는 상기 제 2 물질의 프리 볼륨 즉, 분자 운동(mole motion)을 증가시켜, 네트워크 구조를 가지는 고분자 사슬이 가깝게 배치되지 않게 구조화할 수 있고, 네트워크 구조의 내부에는 상기 제 1 물질이 부분적으로 배치됨에 따라, 상기 제 1 물질과 상기 제 2 물질을 절연층의 내부에서 단일상으로 형성시킬 수 있다.

따라서, 실시예에 따른 회로기판을 고주파 용도로 사용하는 경우에도 절연층의 유전율을 감소시켜 고주파 신호의 전송 손실을 감소시킬 수 있고, 절연층의 열팽창계수 및 기계적 강도를 향상시켜, 회로 기판의 전체적인 신뢰성을 확보할 수 있다.

도 1은 비교 예에 따른 동박부착수지를 나타낸 단면도이다.

도 2는 비교 예에 따른 동박부착수지의 계면 상태를 나타낸 도면이다.

도 3은 비교 예에 따른 인쇄회로기판의 신뢰성 평가를 설명하기 위한 도면이다.

도 4는 실시 예에 따른 동박부착수지를 나타낸 단면도이다.

도 5는 실시 예에 따른 동박부착수지의 계면 상태를 나타낸 도면이다.

도 6은 실시 예에 따른 인쇄회로기판을 나타낸 도면이다.

도 7 및 도 8은 비교 예와 실시 예의 인쇄회로기판에서의 신뢰성 비교를 위한 도면이다.

도 9는 제1 실시예에 따른 인쇄회로기판의 단면도를 도시한 도면이다.

도 10 내지 도 13은 상기 버퍼층(400)의 위치 및 배치 관계를 설명하기 위한 도면들이다.

도 14는 실시예에 따른 인쇄회로기판의 버퍼층의 간략한 구조식을 도시한 도면이다.

도 15는 실시예에 따른 인쇄회로기판의 절연층이 포함하는 제 2 물질의 구조를 도시한 도면이다.

도 16은 실시예에 따른 인쇄회로기판의 절연층이 포함하는 제 1 물질 및 제 2 물질의 배열 구조를 설명하기 위해 도시한 도면이다.

도 17은 제2 실시 예에 따른 인쇄회로기판의 단면도를 도시한 도면이다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 다만, 본 발명의 기술 사상은 설명되는 일부 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있고, 본 발명의 기술 사상 범위 내에서라면, 실시예들간 그 구성 요소들 중 하나 이상을 선택적으로 결합, 치환하여 사용할 수 있다.

또한, 본 발명의 실시예에서 사용되는 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는, 명백하게 특별히 정의되어 기술되지 않는 한, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 일반적으로 이해될 수 있는 의미로 해석될 수 있으며, 사전에 정의된 용어와 같이 일반적으로 사용되는 용어들은 관련 기술의 문맥상의 의미를 고려하여 그 의미를 해석할 수 있을 것이다.

또한, 본 발명의 실시예에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함할 수 있고, “A 및(와) B, C중 적어도 하나(또는 한개이상)”로 기재되는 경우 A, B, C로 조합할 수 있는 모든 조합 중 하나이상을 포함 할 수 있다.

또한, 본 발명의 실시 예의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등으로 한정되지 않는다.

그리고, 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 '연결', '결합' 또는 '접속'된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결, 결합 또는 접속되는 경우뿐만 아니라, 그 구성 요소와 그 다른 구성요소 사이에 있는 또 다른 구성 요소로 인해 '연결', '결합' 또는 '접속＇되는 경우도 포함할 수 있다.

또한, 각 구성 요소의 " 상(위) 또는 하(아래)"에 형성 또는 배치되는 것으로 기재되는 경우, 상(위) 또는 하(아래)는 두 개의 구성 요소들이 서로 직접 접촉되는 경우뿐만 아니라 하나 이상의 또 다른 구성 요소가 두 개의 구성 요소들 사이에 형성 또는 배치되는 경우도 포함한다.

또한 “상(위) 또는 하(아래)”으로 표현되는 경우 하나의 구성 요소를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.

이하, 도면들을 참조하여, 실시예들에 따른 동박부착수지 및 이를 포함하는 인쇄회로기판을 설명한다.

본 실시 예의 설명에 앞서, 비교 예에 따른 동박부착수지에 대해 먼저 설명하기로 한다.

도 1은 비교 예에 따른 동박부착수지를 나타낸 단면도이고, 도 2는 비교 예에 따른 동박부착수지의 계면 상태를 나타낸 도면이고, 도 3은 비교 예에 따른 인쇄회로기판의 신뢰성 평가를 설명하기 위한 도면이다.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 비교 예의 동박부착수지는 절연층(10) 및 동박층(20)을 포함한다.

절연층(10)은 레진(11) 및 상기 레진(11) 내에 분산된 필러(12)를 포함한다.

그리고, 절연층(10)의 적어도 일면에는 동박층(20)이 배치된다. 상기 동박층(20)은 절연층(10)의 양면 중 어느 일면에만 배치될 수 있고, 이와 다르게 양면에 모두 배치될 수 있다.

이와 같은, 절연층의 표면에는 제1 폭(w1)을 가지는 공극(pore)이 형성된다. 상기 공극은 상기 동박층(20)의 표면에 형성된 돌기에 의해 나타난다.

즉, 동박부착수지는 절연층(10) 상에 동박층(20)을 배치하고, 압착 공정을 진행하여 제조될 수 있다. 이때, 상기 동박층(20)은 구리 입자를 포함한다. 그리고, 상기 동박층의 표면은 상기 구리 입자의 직경에 대응하는 사이즈를 가지는 돌기가 형성될 수 있다.

이때, 상기 절연층(10)과 동박층(20)을 부착하는 과정에서, 상기 동박층(20)의 표면 돌기에 대응하게 상기 절연층(10)의 표면에 공극이 형성된다. 이때, 상기 공극은 상기 동박층(20)을 구성하는 구리 입자의 직경에 대응된다.

예를 들어, 비교 예에서의 동박층(20)을 구성하는 구리 입자의 직경은 400nm 내지 800nm 사이의 범위를 가진다. 이에 따라, 비교 예에서의 절연층(10)의 표면에 형성되는 공극은 400nm 내지 800nm 사이의 범위를 가진다.

또한, 이와 같은 비교 예의 절연층(10)은 0.21㎛ 정도의 중심선 평균 표면 거칠기(Ra), 2.1㎛ 정도의 십점 평균 표면 거칠기(Rz)를 가진다.

이때, 상기와 같은 비교 예에서의 절연층(10)은 표면 거칠기를 구성하는 공극의 밀집도가 상대적으로 낮으며, 이에 따른 회로 패턴과의 밀착력이 낮은 문제점을 가진다.

즉, 비교 예의 인쇄회로기판은 도 3의 (a)에서와 같이 동박부착수지에 포함된 동박층(20)을 제거한 후, 절연층(10)의 표면에 형성한 화학동도금층(30)을 포함한다. 또한, 비교 예의 인쇄회로기판은 도 3의 (b)에서와 같이, 상기 화학동도금층(30) 위에 전해도금 공정을 통해 형성한 회로 패턴(40)을 포함한다.

그러나, 이와 같이 제조된 비교 예의 인쇄회로기판은 화학동도금층(30), 회로 패턴(40) 및 절연층(10) 사이의 밀착력이 상대적으로 낮다.

이에 따라, 비교 예에서의 인쇄회로기판은 도 3의 (c)에서와 같이, 트레이스 전단 방향으로 일정 힘을 가하는 경우, 절연층(10)으로부터 화학동도금층(30) 및 회로 패턴(40)이 분리 또는 박리되는 문제를 가진다.

이때, 절연층(10)과 화학동도금층(30) 사이의 밀착력을 높이기 위해서는 상기 절연층(10)의 표면 거칠기를 높이는 것에 의해 해결될 수 있다. 그러나, 상기 절연층(10)의 표면 거칠기를 높이는 경우, 신호의 전송 손실이 증가하는 문제를 가진다. 또한, 상기 절연층(10)의 표면 거칠기를 높이는 경우, 미세회로패턴 구현이 어려운 문제를 가진다.

따라서, 실시 예에서는 절연층의 표면 거칠기를 낮추어 신호의 전송 손실을 감소시킴과 동시에, 상기 절연층과 화학동도금층 사이의 밀착력, 나아가 회로 패턴과의 밀착력을 향상시킬 수 있는 동박적층수지 및 이를 포함하는 인쇄회로기판을 제공하도록 한다.

도 4는 실시 예에 따른 동박부착수지를 나타낸 단면도이고, 도 5는 실시 예에 따른 동박부착수지의 계면 상태를 나타낸 도면이고, 도 6은 실시 예에 따른 인쇄회로기판을 나타낸 도면이다.

도 4 내지 도 6을 참조하면, 실시 예의 동박부착수지는 절연층(50) 및 동박층(60)을 포함한다.

절연층(50)은 레진(51) 및 상기 레진(51) 내에 분산된 필러(52)를 포함할 수 있다.

이때, 실시 예에서의 절연층(50)에 분산된 필러(52)의 함량은 55중량% 내지 70중량%일 수 있다. 또한, 실시 예에서의 필러(52)는 낮은 유전율 및 낮은 열팽창계수를 구성하는 F 관능기를 포함할 수 있고, 이에 따라 전기적 특성을 향상시킬 수 있다.

그리고, 절연층(50)의 적어도 일면에는 동박층(60)이 배치된다. 상기 동박층(60)은 절연층(50)의 양면 중 어느 일면에만 배치될 수 있고, 이와 다르게 양면에 모두 배치될 수 있다.

이와 같은, 절연층의 표면에는 제2 폭(w2)을 가지는 공극이 형성된다. 상기 공극은 상기 동박층(60)의 표면에 형성된 돌기에 의해 나타난다.

즉, 동박부착수지는 절연층(50) 상에 동박층(60)을 배치하고, 압착 공정을 진행하여 제조될 수 있다. 이때, 상기 동박층(50)은 구리 입자를 포함한다. 그리고, 상기 동박층의 표면은 상기 구리 입자의 직경에 대응하는 사이즈를 가지는 돌기가 형성될 수 있다.

이때, 상기 절연층(50)과 동박층(60)을 부착하는 과정에서, 상기 동박층(60)의 표면 돌기에 대응하게 상기 절연층(50)의 표면에 공극이 형성된다. 이때, 상기 공극은 상기 동박층(60)을 구성하는 구리 입자의 직경에 대응된다.

즉, 상기 공극은 상기 절연층(50)의 표면에서, 수지가 채워지지 않아 움푹 패인 부분을 의미할 수 있다. 그리고, 상기 공극은 상기 동박층(20)의 구리 입자에 대응하는 돌기에 의해 형성된다. 이에 따라, 상기 공극은 상기 동박층(20)의 돌기에 대응하는 홈 또는 리세스라고도 할 수 있다.

예를 들어, 실시 예에서의 동박층(60)을 구성하는 구리 입자의 직경은 200nm 내지 350nm 사이의 범위를 가진다. 이에 따라, 실시 예에서의 절연층(50)의 표면에 형성되는 공극은 200nm 내지 350nm 사이의 범위를 가진다.

또한, 이와 같은 실시 예의 절연층(50)은 0.1㎛ 내지 0.15㎛ 정도의 중심선 평균 표면 거칠기(Ra), 0.8㎛ 내지 1.5㎛ 사이의 십점 평균 표면 거칠기(Rz)를 가질 수 있다. 즉, 실시 예의 동박적층수지는 절연층(50)의 표면 거칠기를 비교 예 대비 감소시킬 수 있으며, 이에 따른 미세 회로 패턴 구현이 가능하고, 신호 전송 손실을 최소화할 수 있다.

다만, 상기 표면 거칠기가 감소하는 경우, 이에 따른 절연층(50)과 화학동도금층 사이의 밀착력이 저하될 수 있다.

이때, 실시 예에서의 절연층(50)은 표면에 200nm 내지 350nm 사이의 범위를 가지는 공극이 형성된다. 다시 말해서, 실시 예에서의 절연층(50)의 표면에는 비교 예 대비 밀집도가 높은 공극이 형성될 수 있다.

이에 따라, 일정 영역 내에서, 본 실시 예에서의 절연층(50)에 형성된 공극의 개수는, 비교 예에서의 절연층(10)에 형성된 공극의 개수 대비 증가할 수 있다. 예를 들어, 일정 영역 내에서, 본 실시 예에서의 절연층(50)에 형성된 공극의 개수는, 비교 예에서의 절연층(10)에 형성된 공극의 개수 대비 2배 내지 5배 증가할 수 있다.

그리고, 실시 예에서는 상기 절연층(50)의 표면에 형성되는 공극의 밀집도를 향상시키고, 이에 따라 추후 형성되는 화학동도금층과의 접촉 면적을 증가시켜, 이에 따른 화학동도금층, 나아가 회로 패턴과의 밀착력을 향상시킬 수 있다.

즉, 도 6에서와 같이, 실시 예에서의 인쇄회로기판은 동박적층수지에 포함된 동박층(60)을 제거한 후, 상기 절연층(50)의 표면에 화학동도금층(70)을 형성한다. 그리고, 실시 예에서의 인쇄회로기판은 상기 화학동도금층(70)을 이용하여 전해도금을 하여 회로 패턴(80)을 형성한다. 한편, 상기 회로 패턴(80)은 미세회로패턴일 수 있다. 예를 들어, 상기 회로 패턴(80)은 트레이스일 수 있다. 예를 들어, 상기 회로 패턴(80)은 10㎛의 선폭을 가지는 미세회로패턴의 트레이스일 수 있다.

이때, 실시 예에서는 상기 절연층(50)의 표면에 형성된 공극의 밀집도가 비교 예 대비 증가하고, 이에 따라, 상기 미세 선폭을 가지는 회로 패턴(80)과 수직방향 내에서 중첩되는 공극의 수가 비교 예 대비 증가할 수 있다. 그리고, 이는 상기 절연층(50)과 화학동도금층(70) 사이의 접촉 면적을 증가시키고, 나아가 상기 회로 패턴(80)과 화학동도금층(70) 사이의 접촉면적을 증가시킬 수 있다. 이에 따라, 실시 예에서는 상기 절연층(50)과 화학동도금층(70) 및 회로 패턴(80) 사이의 밀착력을 비교 예 대비 증가시킬 수 있고, 이에 따른 비교 예 대비 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

도 7은 비교 예의 인쇄회로기판에서의 밀착력 특성을 설명하기 위한 도면이고, 도 8은 실시 예의 인쇄회로기판에서의 밀착력 특성을 설명하기 위한 도면이다.

도 7을 참조하면, 일반적인 미세 회로 패턴은 10㎛ 정도의 선폭을 가진다.

그리고, 도 7에서의 비교 예의 절연층의 표면에는 400nm 내지 800nm 범위의 사이즈를 가진 공극이 형성된다.

이에 따라, 비교 예에서의 미세 회로 패턴이 가지는 10㎛의 영역 내에는, 12 개 내지 25개의 공극이 형성된다. 즉, 비교 예에서의 미세회로패턴은 12개 내지 25개의 공극과 수직 방향 내에서 중첩되어 형성될 수 있다. 예를 들어, 비교 예에서의 절연층은 10㎛의 가상의 라인 내에 12개 내지 25개의 공극이 위치할 수 있다.

도 8을 참조하면, 실시 예에서의 절연층의 표면에는 20nm 내지 350nm의 사이즈를 가진 공극이 형성된다.

이에 따라, 실시 예에서의 미세 회로 패턴이 가지는 10㎛의 영역 내에는, 30 개 내지 50개의 공극이 형성된다. 즉, 실시 예에서의 미세회로패턴은 30개 내지 50개의 공극과 수직 방향 내에서 중첩되어 형성될 수 있다. 즉, 실시 예에서의 화학동도금층(70)은 10㎛의 가상의 라인 내에서, 30개 내지 50개의 공극과 접촉할 수 있다. 예를 들어, 실시 예에서의 절연층은 10㎛의 가상의 라인 내에 30개 내지 50개의 공극이 위치할 수 있다. 다시 말해서, 실시 예의 절연층은 비교 예의 절연층 대비, 동일 영역 내에서의 공극의 개수가 2배 이상 증가할 수 있다. 이에 따라, 실시 예에서는 절연층과 화학동도금층 사이의 접촉 면적을 증가시킬 수 있으며, 이에 따른 밀착력을 향상시킬 수 있다.

도 9를 참조하면, 제1 실시예에 따른 인쇄회로기판(1000)은 제1 내지 제3 절연부(110, 120, 130)를 포함하는 절연기판, 제 1 패드(160), 제 1 보호층(SR1), 제 2 보호층(SR2), 솔더 페이스트(200), 전자 부품(300)을 포함할 수 있다.

상기 제1 내지 제3 절연부(110, 120, 130)를 포함하는 절연기판은 평판 구조를 가질 수 있다. 상기 절연기판은 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board)일 수 있다. 여기에서, 상기 절연기판은 단일 기판으로 구현될 수 있으며, 이와 다르게 다수 개의 절연층이 연속적으로 적층된 다층 기판으로 구현될 수 있다.

이에 따라, 상기 절연기판은 복수의 절연부(110, 120, 130)를 포함할 수 있다. 도 9에 도시된 바와 같이, 복수의 절연부는 제1 절연부(110), 상기 제1 절연부(110)의 상부에 배치된 제2 절연부(120) 및 상기 제1 절연부(110)의 하부에 배치된 제3 절연부(130)를 포함한다.

이때, 상기 제1 절연부(110), 제2 절연부(120) 및 제3 절연부(130)는 서로 다른 절연물질로 구성될 수 있다. 바람직하게, 상기 제1 절연부(110)는 유리 섬유를 포함할 수 있다. 그리고, 제2 절연부(120) 및 제3 절연부(130)는 상기 제1 절연부(110)와는 다르게 상기 유리 섬유를 포함하지 않을 수 있다.

이에 따라, 상기 제1 절연부(110)를 구성하는 각 절연층의 두께는 상기 제2 절연부(120) 및 제3 절연부(130)를 구성하는 각 절연층의 두께와 다를 수 있다. 다시 말해서, 상기 제1 절연부(110)를 구성하는 각 절연층의 두께는 상기 제2 절연부(120) 및 제3 절연부(130)를 구성하는 각 절연층의 두께보다 클 수 있다.

즉, 상기 제1 절연부(110)에는 유리 섬유를 포함하고 있다. 상기 유리 섬유는 일반적으로 12㎛ 정도의 두께를 가진다. 이에 따라, 상기 제1 절연부(110)를 구성하는 각 절연층의 두께는 상기 유리 섬유의 두께를 포함하며, 19㎛ 내지 23㎛ 사이의 범위를 가질 수 있다.

이와 다르게, 상기 제2 절연부(120)에는 상기 유리 섬유가 포함되어 있지 않다. 바람직하게, 상기 제2 절연부(120)를 구성하는 각 절연층은 동박적층수지(RCC: Resin coated Copper)로 구성될 수 있다. 구체적으로, 제2 절연부(120)는 도 4 내지 도 6에 도시된 동박적층수지로 구성될 수 있다.

이에 따라, 상기 제2 절연부(120)를 구성하는 각 절연층의 두께는 10㎛ 내지 15㎛ 사이의 범위를 가질 수 있다. 바람직하게, 상기 동박적층수지로 구성된 제2 절연부(120)의 각 층의 두께는 15㎛를 초과하지 않는 범위 내에서 형성될 수 있다.

또한, 상기 제3 절연부(130)에는 상기 유리 섬유가 포함되어 있지 않다. 바람직하게, 상기 제3 절연부(130)를 구성하는 각 절연층은 동박적층수지(RCC: Resin coated Copper)로 구성될 수 있다. 구체적으로, 제3 절연부(130)는 도 4 내지 도 6에 도시된 동박적층수지로 구성될 수 있다. 이에 따라, 상기 제3 절연부(130)를 구성하는 각 절연층의 두께는 10㎛ 내지 15㎛ 사이의 범위를 가질 수 있다.

즉, 비교 예에서의 인쇄회로기판을 구성하는 절연부는 복수의 절연층을 포함하며, 상기 복수의 절연층은 모두 유리 섬유를 포함하는 프리프레그(PPG)로 구성되었다. 이때, 비교 예에서의 인쇄회로기판은 PPG를 기준으로 유리 섬유의 두께를 줄이기가 어렵다. 이는, 상기 PPG의 두께가 감소하는 경우, 상기 PPG에 포함된 유리 섬유가 상기 PPG의 표면에 배치된 회로패턴과 전기적으로 접속될 수 있으며, 이에 따른 크랙 리스트가 유발되기 때문이다. 이에 따라, 비교 예에서의 인쇄회로기판은 PPG의 두께를 감소시키는 경우, 이에 따른 유전체 파괴 및 회로패턴의 손상이 발생할 수 있었다. 이에 따라, 비교 예에서의 회로기판은 PPG를 구성하는 유리 섬유의 두께로 인해 전체적인 두께를 감소시키는데 한계가 있었다.

또한, 비교 예에서의 인쇄회로 기판은 유리 섬유를 포함한 PPG로만의 절연층으로 구성되기 때문에, 높은 유전율을 가지고 있다. 그러나, 높은 유전율을 가지는 유전체의 경우, 고주파 대용으로 접근하기가 어려운 문제가 있다. 즉, 비교 예에서의 회로 기판은 유리 섬유의 유전율이 높은 관계로 고주파수 대역에서 유전율이 파괴되는 현상이 발생하게 된다.

이에 따라, 실시 예에서는 저유전율의 동박적층수지를 이용하여 절연층을 구성하도록 하여, 이에 따른 회로 기판의 두께를 슬림하게 하면서 고주파수 대역에서도 신호 손실이 최소화되는 신뢰성 높은 회로기판을 제공할 수 있다. 이는, 상기 제2 절연부(120) 및 제3 절연부(130)를 구성하는 각 절연층 내의 물질의 특성에 의해 달성될 수 있으며, 이에 대해서는 하기에서 더욱 상세히 설명하기로 한다.

제1 절연부(110)는 아래에서부터 제1 절연층(111), 제2 절연층(112), 제3 절연층(113) 및 제4 절연층(114)을 포함할 수 있다. 그리고, 제1 절연층(111), 제2 절연층(112), 제3 절연층(113) 및 제4 절연층(114)은 각각 유리 섬유를 포함하는 PPG로 구성될 수 있다.

한편, 본원의 실시 예에서 절연 기판은 절연층을 기준으로 8층으로 구성될 수 있다. 그러나, 실시 예는 이에 한정되지 않으며 상기 절연층의 전체 층 수는 증가 또는 감소할 수 있을 것이다.

또한, 제1 실시 예에서 상기 제1 절연부(110)는 4층으로 구성될 수 있다. 예를 들어, 제1 실시 예에서 상기 제1 절연부(110)는 4층의 프리프레그로 구성될 수 있다.

또한, 제2 절연부(120)는 아래에서부터 제5 절연층(121) 및 제6 절연층(122)을 포함할 수 있다. 상기 제2 절연부(120)를 구성하는 제5 절연층(121) 및 제6 절연층(122)은 저유전율 및 저열팽창계수의 동박적층수지로 구성될 수 있다. 즉, 제1 실시 예에서 상기 제2 절연부(120)는 2층으로 구성될 수 있다. 예를 들어, 제1 실시 예에서 상기 제2 절연부(120)는 2층의 동박적층수지로 구성될 수 있다.

또한, 제3 절연부(130)는 위에서부터 제7 절연층(131) 및 제8 절연층(132)을 포함할 수 있다. 상기 제3 절연부(130)를 구성하는 제7 절연층(131) 및 제8 절연층(132)은 저유전율 및 저열팽창계수의 동박적층수지로 구성될 수 있다. 즉, 제1 실시 예에서 상기 제3 절연부(130)는 3층으로 구성될 수 있다. 예를 들어, 제1 실시 예에서 상기 제3 절연부(130)는 3층의 동박적층수지로 구성될 수 있다.

한편, 제1 실시 예에서는 절연층의 전체 층 수가 8층이고, 이 중 프리프레그로 형성된 제1 절연부(110)가 4층으로 형성되고, 동박적층수지로 형성되는 제2 절연부(120) 및 제3 절연부(130)가 각각 2층으로 형성되는 것으로 도시하였으나, 이에 한정되지 않으며, 제1 절연부(110)를 구성하는 절연층의 수는 증가하거나 감소할 수 있을 것이다.

다만, 실시 예에서는 상기 제2 절연부(120) 및 제3 절연부(130)의 전체 층 수에 따라, 상기 제2 절연부(120) 및 제3 절연부(130)을 구성하는 각각의 절연층의 열팽창계수(CTE)가 결정될 수 있다.

바람직하게, 상기 제2 절연부(120) 및 제3 절연부(130)를 구성하는 각각의 절연층의 열팽창계수(CTE)는 상기 제1 절연부(110)를 구성하는 프리프레그의 열팽창계수(CTE)에 의해 결정될 수 있다. 구체적으로, 상기 제2 절연부(120) 및 제3 절연부(130)를 구성하는 동박적층수지는 기본적으로 상기 제1 절연부(110)를 구성하는 프리프레그의 열팽창계수(CTE)에 상응하는 제1 범위의 열팽창계수(CTE)를 가질 수 있다. 나아가, 상기 제2 절연부(120) 및 제3 절연부(130)를 구성하는 동박적층수지는 이의 절연층의 총 수에 따라 상기 제1 범위보다 작은 제2 범위의 열팽창계수(CTE)를 가질 수 있다. 이때, 상기 제2 범위의 열팽창계수(CTE)는 상기 제1 범위 내에 포함될 수 있을 것이다. 한편, 상기 제2 절연부(120) 및 제3 절연부(130)를 구성하는 동박적층수지의 열팽창계수(CTE)는 상기 동박적층수지 내에 포함되는 필러의 함량을 조절하는 것에 의해 용이하게 조절 가능하다.

상기 제2 절연부(120) 및 제3 절연부(130)를 구성하는 RCC의 열팽창계수(CTE)에 대해서는 하기에서 더욱 상세히 설명하기로 한다.

상기와 같이, 제1 실시 예에서의 인쇄회로기판은 제1 절연부(110), 제2 절연부(120) 및 제3 절연부(130)를 포함하고, 제1 절연부(110)는 유리 섬유를 포함한 프리프레그로 구성될 수 있고, 제2 절연부(120) 및 제3 절연부(130)는 고주파 용도에 적용되는 회로기판에 사용하기 위해 낮은 유전율을 가지는 동박적층수지로 구성될 수 있다. 또한, 상기 제2 절연부(120) 및 제3 절연부(130)는 낮은 유전율을 가지는 동시에 기계적/화학적 안전성을 확보하여 회로기판의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

한편, 상기 제1 절연부(110), 제2 절연부(120) 및 제3 절연부(130) 각각을 구성하는 절연층의 표면에는 회로 패턴(140)이 배치될 수 있다.

바람직하게, 제1 절연층(111), 제2 절연층(112), 제3 절연층(113), 제4 절연층(114), 제5 절연층(121), 제6 절연층(122), 제7 절연층(131) 및 제8 절연층(132)의 각각의 적어도 일면에는 회로 패턴(140)이 배치될 수 있다.

상기 회로 패턴(140)은 전기적 신호를 전달하는 배선으로, 전기 전도성이 높은 금속물질로 형성될 수 있다. 이를 위해, 상기 회로패턴(140)은 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 티타늄(Ti), 주석(Sn), 구리(Cu) 및 아연(Zn) 중에서 선택되는 적어도 하나의 금속 물질로 형성될 수 있다.

또한, 상기 회로패턴(140)은 본딩력이 우수한 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 티타늄(Ti), 주석(Sn), 구리(Cu), 아연(Zn) 중에서 선택되는 적어도 하나의 금속 물질을 포함하는 페이스트 또는 솔더 페이스트로 형성될 수 있다. 바람직하게, 상기 회로패턴(140)은 전기전도성이 높으면서 가격이 비교적 저렴한 구리(Cu)로 형성될 수 있다.

또한, 상기 회로패턴(140)의 두께는 12㎛±2㎛를 가질 수 있다. 즉, 회로 패턴(140)의 두께는 10㎛ 내지 14㎛ 사이의 범위를 가질 수 있다.

상기 회로패턴(140)은 통상적인 인쇄회로기판의 제조 공정인 어디티브 공법(Additive process), 서브트렉티브 공법(Subtractive Process), MSAP(Modified Semi Additive Process) 및 SAP(Semi Additive Process) 공법 등으로 가능하며 여기에서는 상세한 설명은 생략한다.

한편, 상기 제1 절연부(110), 제2 절연부(120) 및 제3 절연부(130)를 구성하는 각각 절연층 및/또는 상기 회로패턴(140)의 표면에는 버퍼층(400)이 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 버퍼층(400)은 상기 회로 패턴(140)의 상면, 하면 및 측면들 중 적어도 하나의 회로 패턴의 표면 상에 또는 상기 회로 패턴이 배치되는 상기 절연층의 표면 상에 배치될 수 있다.

상기 제1 절연부(110), 제2 절연부(120) 및 제3 절연부(130)를 구성하는 각각의 복수의 절연층 중 적어도 하나에는 적어도 하나의 비아(150)가 형성된다. 상기 비아(150)는 상기 복수의 절연층 중 적어도 하나의 절연층을 관통하며 배치된다. 상기 비아(150)는 상기 복수의 절연층 중 어느 하나의 절연층만을 관통할 수 있으며, 이와 다르게 상기 복수의 절연층 중 적어도 2개의 절연층을 공통으로 관통하며 형성될 수도 있다. 이에 따라, 상기 비아(150)는 서로 다른 절연층의 표면에 배치되어 있는 회로 패턴을 상호 전기적으로 연결한다.

상기 비아(150)는 상기 복수의 절연층 중 적어도 하나의 절연층을 관통하는 관통 홀(도시하지 않음) 내부를 전도성 물질로 충진하여 형성할 수 있다.

상기 관통 홀은 기계, 레이저 및 화학 가공 중 어느 하나의 가공 방식에 의해 형성될 수 있다. 상기 관통 홀이 기계 가공에 의해 형성되는 경우에는 밀링(Milling), 드릴(Drill) 및 라우팅(Routing) 등의 방식을 사용할 수 있고, 레이저 가공에 의해 형성되는 경우에는 UV나 CO₂ 레이저 방식을 사용할 수 있으며, 화학 가공에 의해 형성되는 경우에는 아미노실란, 케톤류 등을 포함하는 약품을 이용하여 절연층을 개방할 수 있다.

한편, 상기 레이저에 의한 가공은 광학 에너지를 표면에 집중시켜 재료의 일부를 녹이고 증발시켜, 원하는 형태를 취하는 절단 방법으로, 컴퓨터 프로그램에 의한 복잡한 형성도 쉽게 가공할 수 있고, 다른 방법으로는 절단하기 어려운 복합 재료도 가공할 수 있다.

또한, 상기 레이저에 의한 가공은 절단 직경이 최소 0.005mm까지 가능하며, 가공 가능한 두께 범위로 넓은 장점이 있다.

상기 레이저 가공 드릴로, YAG(Yttrium Aluminum Garnet)레이저나 CO₂ 레이저나 자외선(UV) 레이저를 이용하는 것이 바람직하다. YAG 레이저는 동박층 및 절연층 모두를 가공할 수 있는 레이저이고, CO₂ 레이저는 절연층만 가공할 수 있는 레이저이다.

상기 관통 홀이 형성되면, 상기 관통 홀 내부를 전도성 물질로 충진하여 상기 비아(150)를 형성한다. 상기 비아(150)를 형성하는 금속 물질은 구리(Cu), 은(Ag), 주석(Sn), 금(Au), 니켈(Ni) 및 팔라듐(Pd) 중에서 선택되는 어느 하나의 물질일 수 있으며, 상기 전도성 물질 충진은 무전해 도금, 전해 도금, 스크린 인쇄(Screen Printing), 스퍼터링(Sputtering), 증발법(Evaporation), 잉크젯팅 및 디스펜싱 중 어느 하나 또는 이들의 조합된 방식을 이용할 수 있다.

상기 복수의 절연층 중 최상부에 배치된 절연층(구체적으로, 제2 절연부(120)를 구성하는 제6 절연층(122)) 위에는 제 1 패드(160)가 배치되고, 상기 복수의 절연층 중 최하부에 배치된 절연층(구체적으로, 제3 절연부(130)를 구성하는 제8 절연층(132)) 아래에는 제 2 패드(미도시)가 배치된다.

다시 말해서, 상기 복수의 절연층 중 전자부품(300)이 형성될 최상부의 절연층 위에는 제 1 패드(160)가 배치된다. 상기 제 1 패드(160)는 상기 최상부의 절연층 위에 복수 개 형성될 수 있다. 그리고, 상기 제 1 패드(160) 중 일부는 신호 전달을 위한 패턴 역할을 하며, 다른 일부는 상기 전자부품(300)과 와이어등을 통해 전기적으로 연결되는 이너 리드 역할을 할 수 있다. 다시 말해서, 상기 제 1 패드(160)는 와이어 본딩 용도를 위한 와이어 본딩 패드를 포함할 수 있다.

그리고, 상기 복수의 절연층 중 외부 기판(도시하지 않음)이 부착될 최하부의 절연층 아래에는 제 2 패드(미도시)가 배치된다. 상기 제 2 패드도 상기 제 1 패드(160)와 마찬가지로, 일부는 신호 전달을 위한 패턴 역할을 하며, 나머지 일부는 상기 외부 기판의 부착을 위해 접착부재(미도시)가 배치되는 아우터 리드 역할을 할 수 있다. 다시 말해서, 상기 제 2 패드는 솔더링 용도로 사용되는 솔더링 패드를 포함할 수 있다.

그리고, 상기 제 1 패드(160) 위에는 표면 처리층(미도시)이 배치되고, 상기 제 2 패드 아래에도 표면 처리층(미도시)이 배치될 수 있다. 상기 표면 처리층은 상기 제 1 패드(160) 및 상기 제 2 패드를 보호하면서, 상기 와이어 본딩 또는 상기 솔더링 특성을 증가시킨다.

이를 위해, 상기 표면 처리층은 금(Au)을 포함하는 금속으로 형성될 수 있다. 바람직하게, 표면 처리층은 순수 금(순도 99% 이상)만을 포함할 수 있으며, 이와 다르게 금(Au)을 포함하는 합금으로 형성될 수 있다. 상기 표면 처리층이 금을 포함하는 합금으로 형성되는 경우, 상기 합금을 코발트를 포함하는 금 합금으로 형성될 수 있다.

상기 복수의 절연층 중 상기 최상부에 배치된 절연층 위에는 솔더페이스트(200)가 배치된다. 상기 솔더 페이스트는 상기 절연기판에 부착되는 전자부품(300)을 고정시키는 접착제이다. 이에 따라, 상기 솔더페이스트(200)는 접착제라 이름할 수도 있을 것이다. 상기 접착제는 전도성 접착제일 수 있으며, 이와 다르게 비전도성 접착제일 수 있다. 즉, 상기 회로기판은 와이어 본딩 방식으로 상기 전자부품(300)이 부착되는 기판일 수 있으며, 이에 따라 상기 접착제 상에는 상기 전자부품(300)의 단자(도시하지 않음)가 배치되지 않을 수 있다. 또한, 상기 접착제는 상기 전자부품(300)과 전기적으로 연결되지 않을 수 있다. 따라서, 상기 접착제는 비전도성 접착제를 사용할 수 있으며, 이와 다르게 전도성 접착제를 사용할 수도 있다.

상기 전도성 접착제는, 크게 이방성 도전 접착제(anisotropic conductive adhesive)와 등방성 도전 접착제(isotropic conductive adhesive)로 구분되며, 기본적으로 Ni, Au/고분자, 또는 Ag 등의 도전성 입자들과, 열경화성, 열가소성, 또는 이 둘의 특성을 혼합한 혼합형 절연수지(blend type insulating resin)로 구성된다.

또한, 비전도성 접착제는 폴리머 접착제일 수 있으며, 바람직하게, 열경화성수지, 열가소성수지, 충전제, 경화제, 및 경화촉진제를 포함하는 비전도 폴리머 접착제일 수 있다.

또한, 상기 최상부의 절연층 위에는 상기 제1 패드(160)의 표면을 적어도 일부 노출하는 제 1 보호층(SR1)이 배치된다. 상기 제 1 보호층(SR1)은 상기 최상부의 절연층의 표면을 보호하기 위해 배치되며, 예를 들어 솔더레지스트일 수 있다.

여기에서, 상기 전자부품(300)은 소자나 칩을 모두 포함할 수 있다. 상기 소자는 능동 소자와 수동 소자로 구분될 수 있으며, 상기 능동 소자는 비선형 부분을 적극적으로 이용한 소자이고, 수동 소자는 선형 및 비선형 특성이 모두 존재하여도 비선형 특성은 이용하지 않는 소자를 의미한다. 그리고, 상기 수동 소자에는 트랜지스터, IC 반도체 칩 등이 포함될 수 있으며, 상기 수동 소자에는 콘덴서, 저항 및 인덕터 등을 포함할 수 있다. 상기 수동 소자는 능동 소자인 반도체 칩의 신호 처리 속도를 높이거나, 필터링 기능 등을 수행하기 위해, 통상의 반도체 패키지와 함께 기판 위에 실장된다.

결론적으로, 상기 전자부품(300)은 반도체 칩, 발광 다이오드 칩 및 기타 구동 칩을 모두 포함할 수 있다.

그리고, 상기 최상부의 절연층 위에는 수지 몰딩부가 형성될 수 있으며, 그에 따라 상기 전자부품(300), 제1 패드(160)는 상기 수지 몰딩부에 의해 보호될 수 있다.

한편, 상기 복수의 절연층 중 최하부의 절연층 아래에는 제 2 보호층(SR2)이 배치된다. 상기 제 2 보호층(SR2)은 제2 패드를 노출하는 개구부를 갖는다. 상기 제 2 보호층(SR2)을 솔더레지스트로 형성될 수 있다.

앞서 설명하였듯이. 상기 절연층 또는 상기 회로 패턴(140)의 적어도 하나의 표면에는 버퍼층이 배치될 수 있다.

자세하게, 상기 버퍼층(400)은 상기 절연층과 상기 회로 패턴(140)이 중첩되는 영역에서 상기 절연층과 상기 회로 패턴(140) 사이에 배치될 수 있다. 한편, 명확하게는, 상기 버퍼층(400)은 회로 패턴(140)의 형성을 위한 시드층인 화학동도금층과 절연층 사이에 배치될 수 있다. 다만, 이하에서는 상기 회로 패턴(140)이 화학동도금층을 포함하는 것으로 설명하기로 한다.

상기 버퍼층(400)은 상기 절연층의 표면에 처리되는 표면 처리층일 수 있다. 상기 버퍼층(400)은 상기 회로 패턴(140)의 표면에 처리되는 표면 처리층일 수 있다.

상기 버퍼층(400)은 상기 절연층과 상기 회로 패턴 사이에 배치되는 중간층일 수 있다. 상기 버퍼층(400)은 상기 절연층과 상기 회로 패턴 사이에 배치되는 코팅층일 수 있다. 상기 버퍼층(400)은 상기 절연층과 상기 회로 패턴의 밀착력을 향상시키는 기능층 즉, 밀착력 강화층일 수 있다.

도 10 내지 도 13은 상기 버퍼층(400)의 위치 및 배치 관계를 설명하기 위한 도면들이다. 이하에서는, 복수의 절연부 중 제2 절연부(120)를 구성하는 절연층에 배치되는 버퍼층(400)의 위치 및 배치 관계에 대해 설명한다. 다만, 제1 절연부(110) 및 제3 절연부(130)를 구성하는 절연층에도 이하에서 설명하는 위치 및 배치 관계에 대응하게 버퍼층(400)이 배치될 수 있을 것이다.

도 10을 참조하면, 상기 버퍼층(400)은 상기 회로 패턴의 표면 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 버퍼층(400)은 상기 회로 패턴의 상부면 및 하부면에 배치될 수 있다. 즉, 상기 버퍼층(400)은 상기 회로 패턴의 표면들 중 상기 절연층과 접촉되는 또는 마주보는 표면 상에 배치될 수 있다.

또는, 도 11을 참조하면, 상기 버퍼층(400)은 상기 회로 패턴의 표면 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 버퍼층(400)은 상기 회로 패턴의 상부면, 하부면 및 양측면들에 배치될 수 있다. 즉, 상기 버퍼층(400)은 상기 회로 패턴의 전체 표면을 둘러싸며 배치될 수 있다.

또는, 도 12를 참조하면, 상기 버퍼층(400)은 상기 절연층의 표면 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 버퍼층(400)은 상기 절연층의 상부면 및 하부면에 배치될 수 있다. 즉, 상기 버퍼층(400)은 상기 절연층의 표면들 중 상기 회로 패턴(140)과 접촉되는 또는 마주보는 표면 상에 배치될 수 있다. 즉, 상기 버퍼층(400)은 상기 회로 패턴(140)이 배치되는 상기 절연층의 전체 표면 상에 배치될 수 있다.

또는, 도 13을 참조하면, 상기 버퍼층(400)은 상기 절연층의 표면 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 버퍼층(400)은 상기 절연층의 상부면, 하부면에 배치될 수 있다. 즉, 상기 버퍼층(400)은 상기 절연층의 표면들 중 상기 회로 패턴(140)과 접촉되는 또는 마주보는 표면 상에 배치될 수 있다. 즉, 상기 버퍼층(400)은 상기 회로 패턴(140)이 배치되는 상기 절연층의 면에서 상기 회로 패턴(140)이 배치되는 영역에만 배치될 수 있다.

즉, 상기 버퍼층(400)은 상기 절연층과 상기 회로 패턴(140) 사이에 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 버퍼층(400)은 상기 절연층과 상기 회로 패턴(140) 사이에 배치되고, 상기 버퍼층(400)은 상기 절연층의 일면 및 상기 회로 패턴(140)의 일면과 결합 될 수 있다. 즉, 상기 버퍼층의 말단기와 상기 절연층의 말단기, 상기 버퍼층의 말단기와 상기 회로 패턴의 말단기가 화학적으로 결합될 수 있다.

상기 버퍼층(400)은 일정한 두께로 형성될 수 있다. 자세하게, 상기 버퍼층(400)은 박막으로 형성될 수 있다. 자세하게, 상기 버퍼층(400)은 500㎚ 이하의 두께로 형성될 수 있다. 더 자세하게, 상기 버퍼층(400)은 5㎚ 내지 500㎚의 두께로 형성될 수 있다.

상기 버퍼층(400)의 두께를 5㎚ 이하로 형성하는 경우, 버퍼층의 두께가 너무 얇아 절연층과 회로 패턴의 접착력을 충분하게 확보할 수 없고, 상기 버퍼층의 두께를 500㎚을 초과하여 형성하는 경우, 두께에 따른 접착력 향샹 효과가 미미하며, 회로기판의 전체적인 두께가 증가 될 수 있으며, 절연층의 유전율이 증가하여 고주파 용도시 회로 기판의 전송 손실이 증가될 수 있다.

상기 버퍼층(400)은 복수의 원소들을 포함할 수 있다. 상기 버퍼층(400)에 포함되는 복수의 원소들은 버퍼층 내에서 서로 결합되어 분자형태로 포함되거나 또는 이온 형태로 포함되고, 상기 분자들, 상기 분자 및 상기 이온은 서로 화학적으로 결합되어 버퍼층을 형성할 수 있다.

상기 버퍼층(400)은 탄소 원소, 질소 원소, 산소 원소, 규소 원소, 황 원소 및 금속 원소 중 적어도 하나의 원소를 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 버퍼층(400) 탄소 원소, 질소 원소, 산소 원소, 규소 원소, 황 원소 및 금속 원소를 모두 포함할 수 있다.

상기 탄소 원소, 질소 원소, 산소 원소, 규소 원소, 황 원소 및 금속 원소는 각각 버퍼층 내에서 서로 결합되어 분자 형태로 존재하거나 또는 단독의 이온 형태로 존재할 수 있다.

상기 복수의 원소들 중, 상기 산소 원소, 상기 탄소 원소, 상기 질소 원소는 상기 절연층과 결합되는 상기 버퍼층의 작용기와 관련될 수 있다. 즉, 상기 산소 원소, 상기 탄소 원소, 상기 질소 원자 등을 포함하는 분자들에 의해 형성되는 작용기는 상기 절연층과 화학적으로 결합될 수 있다.

또한, 상기 복수의 원소들 중 상기 탄소 원소, 상기 질소 원소, 상기 규소 원소, 상기 황 원소는 상기 회로 패턴과 결합되는 상기 버퍼층의 작용기와 관련될 수 있다. 즉, 상기 탄소 원소, 상기 질소 원소, 상기 규소 원소, 상기 황 원소 등을 포함하는 분자들에 의해 형성되는 작용기가 상기 회로패턴과 화학적으로 결합될 수 있다.

또한, 상기 금속 원소는 상기 탄소 원소, 질소 원소, 산소 원소, 규소 원소, 황 원소들에 의해 형성되는 분자들을 서로 결합할 수 있다. 즉, 상기 탄소 원소, 질소 원소, 산소 원소, 규소 원소, 황 원소들에 의해 형성되는 분자들은 상기 금속 원소를 통해 화학적으로 결합되어 버퍼층을 형성할 수 있다. 즉, 상기 금속 원소는 상기 분자들 사이에 배치되어, 상기 분자들을 화학적으로 결합하는 매개체 역할을 할 수 있다.

이를 위해, 상기 탄소 원소, 질소 원소, 산소 원소, 규소 원소, 황 원소 및 금속 원소는 일정한 질량 비율로 포함될 수 있다. 자세하게, 복수의 원소들 중, 상기 금속 원소는 다른 원소들보다 가장 많이 포함할 수 있고, 상기 탄소 원소, 질소 원소, 산소 원소, 규소 원소, 황 원소는 상기 금속 원소를 기준으로 하여 각각 일정한 질량 비율로 포함될 수 있다.

자세하게, 금속 원소에 대한 탄소 원소의 비((탄소원소/구리원소)*100)는 5 내지 7일 수 있다,

또한, 상기 금속 원소에 대한 질소 원소의 비((질소원소/구리원소)*100)는 1.5 내지 7일 수 있다.

또한, 상기 금속 원소에 대한 산소 원소의 비((산소원소/구리원소)*100)는 1.1 내지 1.9일 수 있다.

또한, 상기 금속 원소에 대한 규소 원소의 비((규소원소/구리원소)*100)는 0.5 내지 0.9일 수 있다.

또한, 상기 금속 원소에 대한 황 원소의 비((황원소/구리원소)*100)는 0.5 내지 1.5일 수 있다.

상기 금속 원소에 대한 상기 탄소 원소, 질소 원소, 산소 원소, 규소 원소, 황 원소의 비는 상기 절연층 또는 상기 회로기판의 결합력과 관계될 수 있다.

자세하게, 상기 금속 원소에 대한 탄소 원소의 비((탄소원소/구리원소)*100)가 5 내지 7 범위를 벗어나는 경우, 상기 버퍼층과 상기 회로기판 또는 상기 버퍼층과 상기 절연층의 결합력이 약해질 수 있다.

또한, 상기 금속 원소에 대한 질소 원소의 비((질소원소/구리원소)*100)가 1.5 내지 7 범위를 벗어나는 경우, 상기 버퍼층과 상기 회로기판 또는 상기 버퍼층과 상기 절연층의 결합력이 약해질 수 있다.

또한, 상기 금속 원소에 대한 산소 원소의 비((산소원소/구리원소)*100)가 1.1 내지 1.9 범위를 벗어나는 경우, 상기 버퍼층과 상기 절연층의 결합력이 약해질 수 있다.

또한, 상기 금속 원소에 대한 규소 원소의 비((규소원소/구리원소)*100)가 0.5 내지 0.9 범위를 벗어나는 경우, 상기 버퍼층과 상기 회로기판의 결합력이 약해질 수 있다.

또한, 상기 금속 원소에 대한 황 원소의 비((황원소/구리원소)*100)가 0.5 내지 1.5 범위를 벗어나는 경우, 상기 버퍼층과 상기 회로기판의 결합력이 약해질 수 있다.

한편, 상기 탄소 원소, 질소 원소, 산소 원소, 규소 원소, 황 원소 및 금속 원소는 상기 버퍼층 내에서 분자 또는 이온 형태로 존재하며, 상기 분자들 및 상기 이온들은 서로 결합되어 연결될 수 있다.

자세하게, 상기 버퍼층(400)은 상기 탄소 원소, 질소 원소, 산소 원소, 규소 원소, 황 원소 및 금속 원소들에 의해 형성되는 분자 및 금속 이온을 포함할 수 있다. 상기 버퍼층(400)에 포함되는 분자들은 분자의 크기 또는 분자량의 크기에 따라 적어도 2 종류의 분자들을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 분자는 마크로 분자(Macromolecule) 및 단분자(Unimolecular)를 포함할 수 있다.

상기 마크로 분자, 상기 단분자 및 상기 금속 이온은 상기 버퍼층 내에서 서로 결합되어 연결되는 구조로 형성될 수 있다.

자세하게, 상기 마크로 분자, 상기 단분자 및 상기 금속 이온은 상기 버퍼층 내에서 공유결합 및 배위결합에 의해 화학적으로 결합되어 서로 연결되는 구조로 형성될 수 있다.

상기 금속 이온은 상기 마크로 분자들, 상기 단분자들 또는 상기 마크로 분자와 상기 단분자를 서로 연결할 수 있다. 자세하게, 상기 마크로 분자들, 상기 단분자들 또는 상기 마크로 분자와 상기 단분자는 상기 금속 이온과 배위 결합을 하고, 이에 따라, 상기 마크로 분자들, 상기 단분자들 또는 상기 마크로 분자와 상기 단분자는 화학적으로 결합될 수 있다.

상기 금속 이온은 상기 회로 패턴과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 또는, 상기 금속 이온은 상기 회로 패턴과 다른 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 회로 패턴이 구리를 포함하는 경우, 상기 금속 이온은 구리를 포함하거나 또는 구리 이외의 다른 금속을 포함할 수 있다.

자세하게, 상기 금속 이온은 상기 회로 패턴에 의해 형성될 수 있다. 자세하게, 별도의 산화제를 이용하여 금속을 포함하는 상기 회로 패턴을 이온화 시켜 금속 이온이 형성될 수 있다. 이에 따라, 이온화된 금속 이온이 상기 버퍼층 내에서 상기 마크로 분자 및 상기 단분자와 배위 결합을 하여 분자들을 서로 연결함으로써 버퍼층을 구성할 수 있다.

또는, 상기 버퍼층 형성시 별도의 금속 이온을 첨가하고, 상기 금속 이온은 상기 버퍼층 내에서 상기 마크로 분자 및 상기 단분자와 배위 결합을 하여 분자들을 서로 연결함으로써 버퍼층을 구성할 수 있다. 이때, 별도로 첨가되는 금속 이온은 상기 회로 패턴의 금속과 동일하거나 또는 상이할 수 있다.

상기 마크로 분자 및 상기 단분자는 상기 탄소 원소, 질소 원소, 산소 원소, 규소 원소, 황 원소 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.

즉, 상기 마크로 분자 및 상기 단분자는 상기 탄소 원소, 질소 원소, 산소 원소, 규소 원소, 황 원소 중 적어도 하나를 포함하는 분자일 수 있다.

자세하게, 상기 마크로 분자는 상기 탄소 원소, 상기 질소 원소를 포함하는 분자를 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 마크로 분자는 상기 탄소 원소, 상기 질소 원소를 포함하는 아졸 그룹을 포함할 수 있다.

또한, 상기 마크로 분자는 상기 규소 원소를 포함하는 분자를 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 마크로 분자는 상기 규소 원소를 포함하는 실란 그룹을 포함할 수 있다.

또한, 상기 단분자는 상기 탄소 원소, 상기 질소 원소 및 상기 황 원소를 포함할 수 있다. 즉, 상기 단분자는 상기 탄소 원소, 상기 질소 원소 및 상기 황 원소를 포함하는 분자일 수 있다. 예를 들어, 상기 단분자는 티오시아네이트기(-SCN)가 연결되는 SCN 그룹을 포함할 수 있다.

도 14를 참조하면, 상기 버퍼층(400)은 복수의 작용기를 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 버퍼층(400)은 상기 절연층과 화학적으로 결합되는 제 1 작용기와 상기 회로 패턴(140)과 화학적으로 결합되는 제 2 작용기를 포함할 수 있다.

즉, 상기 마크로 분자 및 상기 단분자들은 상기 절연층 및 상기 회로 패턴과 화학적으로 결합되는 복수의 말단기 즉, 작용기들을 포함할 수 있다. 이러한 작용기 들에 의해 상기 절연층과 상기 회로 패턴은 상기 버퍼층에 의해 화학적으로 단단하게 결합되어, 상기 절연층과 상기 회로 패턴의 밀착력이 향상될 수 있다.

상기 제 1 작용기 및 상기 제 2 작용기는 상기 마크로 분자, 상기 단원자 또는 상기 금속 원자 중 하나와 연결되는 버퍼층의 말단기로 정의될 수 있다.

상기 제 1 작용기는 상기 절연층과 공유결합에 의해 결합될 수 있다. 상기 제 1 작용기는 상기 절연층과 공유결합되는 작용기들을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 작용기는 하이드록시기(-OH) 및 아졸 그룹의 N기를 포함할 수 있다.

또한, 상기 제 2 작용기는 상기 회로 패턴(140)과 배위결합에 의해 결합될 수 있다. 상기 제 2 작용기는 상기 회로 패턴(140)과 배위결합되는 작용기들을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 작용기는 실란 그룹의 Si기 및 티오시아네이트기(-SCN)를 포함할 수 있다.

상기 버퍼층에 포함되는 제 1 작용기 및 제 2 작용기들은 각각 상기 절연층 및 상기 회로패턴과 화학적으로 결합될 수 있다. 이에 따라, 상기 절연층과 상기 회로 패턴 사이에 배치되는 상기 버퍼층에 의해 이종 물질인 절연층과 회로 패턴의 밀착력을 향상시킬 수 있다.

한편, 앞서 설명하였듯이, 상기 제2 절연부(120) 및 제3 절연부(130)을 구성하는 상기 절연층은 낮은 유전율과 함께 기계적/화학적 신뢰성을 확보할 수 있는 물질을 포함할 수 있다.

자세하게, 상기 절연층(121, 122, 131, 132)은 3.0 이하의 유전율(Dk)을 가질 수 있다. 더 자세하게, 상기 절연층(121, 122, 131, 132)은 2.03 내지 2.7의 유전율을 가질 수 있다. 따라서, 상기 절연층은 낮은 유전율을 가질 수 있어, 절연층을 고주파 용도의 회로기판에 적용할 때, 절연층의 유전율 크기에 따른 전송 손실을 감소시킬 수 있다.

제1 실시 예에서의 전체 절연층의 적층 구조에서, 동박적층수지는 4층을 구성될 수 있다. 예를 들어, 제1 실시 예에서의 회로 기판은 프리프레그로 형성된 절연층이 4층으로 구성될 수 있고, 동박적층수지로 형성된 절연층이 4층으로 구성될 수 있다.

예를 들어, 제1 실시 예에서는 절연층의 전체 층수에서, 동박적층수지가 30% 내지 50%의 범위의 층수를 차지할 수 있다.

예를 들어, 제1 실시 예에서는 절연층의 전체 두께에서, 동박적층수지가 30% 내지 50%의 범위의 두께를 가질 수 있다. 여기에서, 절연층의 전체 두께는 회로 기판의 전체 두께에서 회로 패턴의 두께, 버퍼층의 두께 및 보호층의 두께를 제외한 순수한 절연층들만의 두께를 의미할 수 있다.

이때의, 상기 절연층(121, 122, 131, 132)은 50(10^-6m/m·k) 이하의 열팽창 계수를 가질 수 있다. 여기에서, 상기 열팽창계수의 단위에서 알 수 있듯이, 상기 절연층(121, 122, 131, 132)는 50(10^-6m/m·k) 이하의 선팽창계수를 가질 수 있다. 자세하게, 상기 절연층(121, 122, 131, 132)는 10 내지 50(10^-6m/m·k) 범위의 열팽창계수를 가질 수 있다.

즉, 제1 실시 예에서의 절연층(121, 122, 131, 132)은 전체 절연층의 적층 구조에서, 30% 내지 50%의 층수 또는 두께를 차지할 수 있고, 이의 일 예로 절연층(121, 122, 131, 132)는 4층으로 구성될 수 있고, 이때의 동박적층수지는 각각 10 내지 50(10^-6m/m·k) 범위의 열팽창계수를 가질 수 있다.

이때, 상기 절연층(121, 122, 131, 132)의 열팽창계수는 절연층(121, 122, 131, 132) 내에 포함되는 필러의 함량을 조절하는 것에 의해 용이하게 조절 가능하다.

즉, 상기 절연층(121, 122, 131, 132)을 구성하는 동박적층수지는 10 내지 50(10^-6m/m·k) 범위의 열팽창계수를 가지기 위해, 55중량% 내지 70중량%의 필러를 포함할 수 있다.

이때, 상기 절연층(121, 122, 131, 132)을 구성하는 RCC의 열팽창계수가 10 내지 50(10^-6m/m·k) 범위를 벗어나는 경우, 상기 회로기판의 전체적인 신뢰성에 문제가 발생할 수 있다. 예를 들어, 상기 절연층(121, 122, 131, 132)을 구성하는 동박적층수지의 열팽창계수가 50(10^-6m/m·k) 보다 큰 경우, 상기 제1 절연부(110)를 구성하는 프리프레그가 가지는 열팽창계수와의 미스매칭에 의해 회로기판의 적층 공정에서 휨이 발생할 수 있다.

즉, 회로 기판은 프레프레그와 동박적층수지로 구성되는 이종의 절연층을 순차적으로 적층하여 제조된다. 이때, 상기 프리프레그와 동박적층수지를 순차적으로 적층하는 공정에서 열에 의한 지속적인 스트레스가 회로기판에 전달될 수 있다. 그리고, 상기와 같은 스트레스에 의해, 상기 회로 기판의 휨 발생 정도가 증가한다.

이에 따라, 실시 예에서는 프리프레그와 동박적층수지로 구성되는 하이브리드 타입의 회로 기판의 적층 공정시에 발생하는 스트레스를 최소화하기 위해, 상기 동박적층수지의 신축률이 상기 프리프레그의 신축률에 대응되도록 하여, 상기 회로 기판의 휨 발생 정도를 최소화할 수 있도록 한다.

상기와 같은 실시 예에서의 절연층(121, 122, 131, 132)은 낮은 열팽창 계수를 가질 수 있어, 온도 변화에 따른 절연층의 크랙을 최소화할 수 있다.

이를 위해, 상기 절연층(121, 122, 131, 132)은 2개의 물질로 형성될 수 있다. 자세하게, 상기 절연층(121, 122, 131, 132)은 2개의 화합물이 혼재된 물질을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 절연층(121, 122, 131, 132)은 제 1 화합물과 제 2 화합물을 포함할 수 있다.

상기 제 1 물질과 상기 제 2 물질은 일정한 비율 범위로 포함될 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 물질과 상기 제 2 물질은 4:6 내지 6:4의 비율로 포함될 수 있다.

또한, 상기 절연층(121, 122, 131, 132)은 추가적으로 필러를 더 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 절연층(121, 122, 131, 132)은 이산화규소(SiO₂) 등의 필러를 더 포함할 수 있다. 그리고, 제1 실시 예에서, 상기 필러는 상기 절연층(121, 122, 131, 132) 전체에 대해 약 55 중량% 내지 70 중량% 만큼 포함될 수 있다.

상기 필러의 비율이 상기 범위를 벗어나는 경우, 상기 필러에 의해 열팽창 계수 또는 유전율의 크기가 증가되어 절연층의 특성이 저하될 수 있고, 상기 프리프레그와의 열팽창계수 미스매칭에 의한 휨 현상이 발생할 수 있다.

또한, 상기 제 1 물질과 상기 제 2 물질은 상기 절연층(121, 122, 131, 132) 내에서 서로 화학적으로 비결합될 수 있다. 그러나, 실시예는 이에 제한되지 않고, 상기 제 1 화합물을 포함하는 제 1 물질과 상기 제 2 화합물을 포함하는 제 2 물질은 직접 또는 별도의 연결기에 의해 화학적으로 결합될 수도 있다.

상기 제1 물질은 절연특성을 가지는 물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제 1 물질은 높은 충격 강도를 가져 향상된 기계적 특성을 가질 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 물질은 수지물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 물질은 폴리페닐에테르(Polyphenyl Ether, PPE)를 포함하는 제 1 화합물을 포함할 수 있다.

상기 제 1 물질은 상기 제 1 화합물을 복수로 포함할 수 있으며, 제 1 화합물들은 서로 화학적으로 결합되어 형성될 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 화합물은 공유결합 즉, 파이파이 결합(π-π)에 의해 서로 선형적으로 연결될 수 있다.

즉, 상기 제 1 화합물들은 상기 제 1 물질이 분자량이 약 300 내지 500의 분자량을 가지도록 서로 화학적으로 결합되어 형성될 수 있다.

또한, 상기 제 2 물질은 제 2 화합물을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 물질은 복수의 제 2 화합물들이 서로 화학적으로 결합되어 형성될 수 있다.

상기 제 2 화합물은 낮은 유전율 및 열팽창계수를 가지는 물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제 2 화합물은 향상된 기계적 강도를 가지는 물질을 포함할 수 있다.

상기 제 2 화합물은 트리사이클로데케인(tricyclodecane) 및 상기 트리사이클로데케인과 연결되는 말단기를 포함할 수 있다. 상기 트리사이클로데케인과 연결되는 말단기는 상기 제 2 화합물들이 서로 탄소 이중결합(C=C 본딩)으로 연결될 수 있는 다양한 물질을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 트리사이클로데케인과 연결되는 말단기는 아크릴레이트기, 에폭사이드기, 카르복실기, 하이드록실기, 이소시아네이트기를 포함할 수 있다.

상기 제 2 화합물들은 상기 트리사이클로데케인에 연결된 말단기들끼리 서로 연결될 수 있다, 자세하게, 상기 제 2 화합물들은 상기 말단기들끼리 탄소 이중결합(C=C 본딩)으로 크로스 링킹(cross-linked)되어 네트워크 구조를 형성할 수 있다.

자세하게, 도 15를 참조하면, 상기 제 2 화합물들은 크로스 링킹(cross-linked)되어 네트워크 구조를 형성하여 연결될 수 있다. 즉, 상기 제 2 화합물들은 복수의 네트워크 구조를 가지는 결합의 집합체일 수 있다.

이에 따라, 상기 제 2 화합물들에 의해 형성되는 상기 제 2 물질은 물질 특성에 따른 낮은 유전율 및 열팽창 계수를 가지면서, 네트워크 구조에 의해 향상된 기계적 강도를 가질 수 있다.

도 16은 실시 예의 동박적층수지상기 절연층을 구성하는 상기 제1 물질과 상기 제 2 물질의 배열을 설명하기 위한 도면이다.

상기 제 1 물질과 상기 제 2 물질은 상기 절연층 내에서 하나의 단일상으로 형성될 수 있다. 도 16을 참조하면, 상기 제 1 화합물의 공유결합에 의해 연결되는 상기 제 1 물질은, 서로 크로스 링킹되어 네트워크 구조를 형성하는 제 2 화합물에 의해 형성되는 제 2 물질의 내부에 배치될 수 있다.

자세하게, 상기 제 1 화합물은 상기 제 2 화합물이 화학적으로 결합되어 형성되는 상기 제 2 물질의 네트워크 구조의 내부에 배치되어 상기 제 1 물질과 상기 제 2 물질이 분리되는 것을 방지할 수 있다.

즉, 상기 절연층은 상기 제 1 물질과 상기 제 2 물질은 절연층 내에서 상분리되어 배치되지 않고, 하나의 단일상 구조로 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 물질과 상기 제 2 물질의 물질 특성에 의해 낮은 유전율 및 낮은 열팽창 계수를 가지면서, 하나의 단일상으로 형성될 수 있으므로, 높은 기계적 강도를 가질 수 있다.

한편, 제1 실시 예에서는 제1 절연부(110)는 유리 섬유를 포함하는 PPG로 절연층이 구성되어 있고, 제2 절연부(120) 및 제3 절연부(130)는 상기 설명한 바와 같은 저유전율 및 저열팽창계수를 가진 동박적층수지로 구성되었다.

상기와 같이, 제1 실시 예에서는 상기 제2 절연부(120) 및 제3 절연부(130)를 구성하는 각각의 절연층의 열팽창 계수가 10 내지 50(10^-6m/m·k) 범위를 가지도록 한다. 이를 위해, 제1 실시 예에서의 상기 제2 절연부(120) 및 제3 절연부(130)를 구성하는 각각의 절연층은 동박적층수지로 구성되고, 여기에는 55중량% 내지 70중량%의 필러를 포함할 수 있다.

상기와 같이 제1 실시 예에서는 제2 절연부(120) 및 제3 절연부(130)를 구성하는 동박적층수지가 총 4층으로 구성됨에 따라, 상기 동박적층수지의 열팽창계수가 제1 범위 내에 포함되도록 한다.

이때, 상기 동박적층수지의 열팽창계수는 층 수에 따라 상기 제1 범위보다 작은 제2 범위를 가질 수 있고, 상기 제1 범위보다 큰 제3 범위를 가질 수 있다. 즉, 동박적층수지의 열팽창계수는 층 수가 증가(5층 이상)하는 경우, 상기 제1 범위보다 작은 제2 범위를 가질 수 있다. 또한, 상기 동박적층수지의 열팽창계수는 층 수가 감소(3층 이하)하는 경우 상기 제1 범위보다 큰 제3 범위를 가질 수 있다.

한편, 실시 예에서는 제2 절연부(120) 및 제3 절연부(130)를 동박적층수지로 구성함에 따라, 상기 제2 절연부(120) 및 제3 절연부(130)를 구성하는 각각의 절연층의 두께를 감소시킬 수 있다.

도 17을 참조하면, 인쇄회로기판(1000A)는 제1 내지 제3 절연부를 포함하는 절연 기판, 제 1 패드(160), 제 1 보호층(SR1), 제 2 보호층(SR2), 솔더 페이스트(200), 전자 부품(300)을 포함할 수 있다.

상기 절연기판은 복수의 절연층을 포함하는 절연부로 구성될 수 있다.

상기 절연부는 도 9에서 설명한 바와 같이, 프리프레그로 구성되는 제1 절연부(110), 상기 제1 절연부(110) 위에 배치되고 동박적층수지로 구성되는 제2 절연부(120A), 상기 제1 절연부(110) 아래에 배치되고 동박적층수지로 구성되는 제3 절연부(130A)를 포함할 수 있다.

이때, 제2 실시 예에서는 상기 제2 절연부(120A) 및 제3 절연부(130A)를 동박적층수지로 구성함에 따라, 상기 제2 절연부(120A) 및 제3 절연부(130A)을 구성하는 절연층의 두께를 감소시킬 수 있다.

이에 따라, 제2 실시 예에서의 제2 절연부(120A) 및 제3 절연부(130A)를 구성하는 각각의 절연층의 두께(H2)는 상기 회로 패턴(140)의 두께(H1)보다 작을 수 있다.

예를 들어, 상기 회로패턴(140)의 두께(H1)는 12㎛±2㎛를 가질 수 있다. 즉, 회로패턴(140)의 두께(H1)는 10㎛ 내지 14㎛ 사이의 범위를 가질 수 있다.

또한, 상기 제2 절연부(120A) 및 제3 절연부(130A)을 구성하는 각각의 절연층의 두께(H2)는 8㎛±2㎛를 가질 수 있다. 즉, 상기 제2 절연부(120A) 및 제3 절연부(130A)을 구성하는 각 절연층의 두께는 6㎛ 내지 10㎛ 사이의 범위를 가질 수 있다. 이때, 상기 제2 절연부(120A) 및 제3 절연부(130A)를 구성하는 각각의 절연층의 두께(H2)는 상기 회로패턴(140)의 상면 위로 돌출된 부분의 높이로 정의될 수 있다.

이에 따라, 상기 제2 절연부(120A) 및 제3 절연부(130A)를 구성하는 각각의 절연층 내에 배치되는 비아(150)의 두께도 상기 회로 패턴(140)의 두께보다 작을 수 있다.

한편, 제1 및 제2 실시 예에서는 절연층의 전체 적층 구조에서, 동박적층수지가 30% 내지 50%의 두께 또는 층수를 차지하며 구성되었다. 이와 다르게 상기 동박적층수지가 차지하는 층수 또는 두께는 증가하거나 감소할 수 있다.

상술한 실시예에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

또한, 이상에서 실시예들을 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예들에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부한 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims

레진 및 상기 레진 내에 분산된 필러를 포함하는 절연층; 및

상기 절연층 상에 배치되는 동박층을 포함하고,

상기 절연층은,

상기 동박층과 접촉하는 표면에 다수의 공극이 형성되고,

상기 다수의 공극은, 200nm 내지 350nm 사이의 폭을 가지는,

동박부착수지.
제1항에 있어서,

상기 동박층은 구리 입자를 포함하고,

상기 구리 입자는, 200nm 내지 350nm 사이의 직경을 가지며,

상기 공극은 상기 구리 입자에 대응하게, 상기 절연층의 표면에 형성된 홈인,

동박부착수지.
제1항에 있어서,

상기 절연층의 표면에는,

10㎛의 길이를 가지는 가상의 라인 내에서, 30개 내지 50개의 공극이 형성되는

동박부착수지.
제1항에 있어서,

상기 절연층은, 0.1㎛ 내지 0.15㎛ 정도의 중심선 평균 표면 거칠기(Ra)를 가지는,

동박부착수지.
제1항에 있어서,

상기 절연층은, 0.8㎛ 내지 1.5㎛ 사이의 십점 평균 표면 거칠기(Rz)를 가지는,

동박부착수지.
절연층;

상기 절연층의 상면에 배치되는 도금층; 및

상기 도금층의 상면에 배치되는 회로패턴을 포함하고,

상기 제1 절연층은, 동박적층수지(RCC)이고,

상기 절연층은,

상기 동박층과 접촉하는 표면에 다수의 공극이 형성되고,

상기 다수의 공극은, 200nm 내지 350nm 사이의 폭을 가지는,

인쇄회로기판.
제6항에 있어서,

상기 회로 패턴은 제1 선폭을 가지고,

상기 제1 선폭 내에서, 상기 절연층에 형성된 다수의 공극 중 30개 내지 50개의 공극과 수직 방향 내에서 중첩되는

인쇄회로기판.
제6항에 있어서,

상기 절연층은, 0.1㎛ 내지 0.15㎛ 정도의 중심선 평균 표면 거칠기(Ra) 및 0.8㎛ 내지 1.5㎛ 사이의 십점 평균 표면 거칠기(Rz)를 가지는,

인쇄회로기판.
복수의 절연층을 포함하는 절연부를 포함하고,

상기 절연부는,

제1 절연부;

상기 제1 절연부 위에 배치되고, 상기 제1 절연부에 대응하는 열팽창 계수를 가지는 제2 절연부; 및

상기 제1 절연부 아래에 배치되고, 상기 제1 절연부에 대응하는 열팽창 계수를 가지는 제3 절연부를 포함하고,

상기 제1 절연부는,

유리 섬유를 포함하는 프리프레그로 구성되고,

상기 제2 및 제3 절연부는,

동박적층수지로 구성되고,

상기 제2 및 제3 절연부를 구성하는 각각의 절연층의 표면에는 200nm 내지 350nm 사이의 폭을 가지는 공극이 형성된,

인쇄회로기판.
제9항에 있어서,

상기 절연층은, 0.1㎛ 내지 0.15㎛ 정도의 중심선 평균 표면 거칠기(Ra) 및 0.8㎛ 내지 1.5㎛ 사이의 십점 평균 표면 거칠기(Rz)를 가지는,

인쇄회로기판.