TWI616126B - 除膠渣處理裝置 - Google Patents

Description

除膠渣處理裝置

本發明係關於對層積由含有充填物之樹脂所成的絕緣層與導電層，並形成貫通前述絕緣層的貫通孔之配線基板材料進行除膠渣處理的除膠渣處理裝置。

例如作為用以搭載半導體積體電路元件等之半導體元件的配線基板，公知有交互層積絕緣層與導電層(配線層)所成的多層配線基板。於此種多層配線基板中，電性連接一個導電層與其他導電層，故形成有於厚度方向貫通1個或複數絕緣層並延伸的通孔及貫穿孔。

於多層配線基板的製造工程中，利用對於層積絕緣層與導電層所成的配線基板材料，施加鑽孔加工或雷射加工，來去除絕緣層或導電層的一部分，藉此，形成通孔及貫穿孔。然後，於通孔及貫穿孔的形成中，於配線基板材料會產生起因於構成絕緣層及導電層之材料的膠渣(殘渣)。因此，進行對於該配線基板材料去除膠渣的除膠渣處理。

作為配線基板材料的除膠渣處理方法，先前 公知有濕式的除膠渣處理方法及乾式的除膠渣處理方法(參照專利文獻1及專利文獻2)。

濕式的除膠渣處理方法係藉由將配線基板材料浸漬於溶解過錳酸鉀或氫氧化鈉所成的鹼性溶液中，溶解或剝離殘留於配線基板材料的膠渣來去除的方法。另一方面，乾式的除膠渣處理方法有藉由對配線基板材料照射紫外線，利用伴隨該紫外線的能量及紫外線的照射所產生之臭氧來分解並去除膠渣的方法。

然而，於濕式的除膠渣處理方法中，因為使膠渣溶解於鹼性溶液需要長時間、將配線基板材料浸漬於鹼性溶液之後需要進行洗淨處理及中和處理、關於使用過的鹼性溶液須要廢液處理等，有除膠渣處理的成本變相當高的問題。

又，近年來，伴隨配線基板之配線圖案的細微化的要求，追求形成直徑小的通孔。然後，對於具有直徑小之通孔的配線基板材料進行除膠渣處理時，因鹼性溶液未充分浸入通孔內，難以確實進行所需要的除膠渣處理。

相對於此，依據乾式的除膠渣處理方法，可在短時間中進行除膠渣處理，又，不需要配線基板材料的洗淨．中和及廢液處理，所以，關於除膠渣處理可謀求成本的減低化。進而，也可對應具有直徑小之通孔的配線基板材料。

然而，於先前之乾式的除膠渣處理中，判明有以下的問題。

於乾式的除膠渣處理中，起因於構成絕緣層的樹脂等之有機物質的膠渣，藉由紫外線及臭氧的作用而分解去除。然而，起因於構成絕緣層中所含有之充填物的陶瓷及構成導電層的金屬等的無機物質之膠渣，並不會藉由紫外線及臭氧的作用而分解，有殘留於配線基板材料的問題。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2010-205801號公報

[專利文獻2]日本特開平8-180757號公報

本發明係依據以上的情況所發明者，其目的為提供即使是起因於無機物質及有機物質之任一的膠渣，也可確實去除，不需要使用需要廢液處理之藥品的除膠渣處理裝置。

本發明的除膠渣處理裝置，係層積由含有充填物之樹脂所成的絕緣層與導電層所成之配線基板材料的除膠渣處理裝置，其特徵為具有：紫外線照射處理部，係對於前述配線基板材料，照射波長220nm以下的紫外線；及 物理性振動處理部，係對藉由該紫外線照射處理部進行紫外線照射處理的配線基板材料賦予物理性振動。

於本發明的除膠渣處理裝置中，前述物理性振動處理部，係藉由超音波振動處理來對配線基板材料賦予物理性振動者為佳。

又，前述紫外線照射處理部，係具有配置前述配線基板材料的處理室，與對該處理室供給包含氧之處理用氣體的氣體供給口為佳。

又具有在前述配線基板材料被供給至前述紫外線照射處理部之前，濕潤該配線基板材料之被處理部分濕潤處理部為佳。

又，前述濕潤處理部，係將前述配線基板材料浸漬於水中，並在該狀態下，對該水進行超音波振動，藉此，濕潤該配線基板材料之被處理部分者為佳。

又，具有在前述配線基板材料被供給至濕潤處理部之前，對該配線基板材料之被處理部分照射紫外線的乾式紫外線照射處理部為佳。

依據本發明的除膠渣處理裝置，於紫外線照射處理部中，藉由波長220nm以下的紫外線照射至氣氛氣體，產生臭氧及活性氧。又，在具有濕潤處理部時，於該濕潤處理部中配線基板材料被濕潤，故藉由對該配線基板材料照射波長220nm以下的紫外線，產生OH自由基 等。然後，起因於有機物質的膠渣，係藉由伴隨紫外線的能量及紫外線的照射所產生之臭氧及活性氧，或OH自由基等而被分解。

於紫外線照射處理部中，起因於無機物質的膠渣不分解，而殘留於配線基板材料，但是，起因於該無機物質的膠渣，例如氧化矽或氧化鋁等的無機物質會因被照射紫外線而成為脆弱。因此，於物理性振動處理部中，藉由對配線基板材料賦予物理性振動，起因於無機物質的膠渣被破壞，從該配線基板材料脫離。或者，因為起因於無機物質之膠渣的收縮、在對各膠渣照射紫外線時發生之熱膨脹的差等，在膠渣之間產收些微間隙，故起因於無機物質的膠渣，可藉由施加物理性振動處理而從該配線基板材料脫離。

所以，依據本發明的除膠渣處理裝置，即使是起因於無機物質及有機物質之任一的膠渣，也可確實去除。

又，因為只要對於配線基板材料進行紫外線照射處理及物理性振動處理即可，不需要使用需要廢液處理的藥品。

1‧‧‧配線基板材料

2‧‧‧第1絕緣層

3‧‧‧導電層

4‧‧‧第2絕緣層

5‧‧‧貫通孔

6‧‧‧膠渣

7‧‧‧有機物膠渣

8‧‧‧無機物膠渣

10‧‧‧準分子燈

11‧‧‧放電容器

15‧‧‧一方的電極(高電壓供給電極)

16‧‧‧另一方的電極(接地電極)

18‧‧‧光射出部(光圈部)

20‧‧‧紫外線反射膜

25‧‧‧搬運機器人

26‧‧‧吸附機械臂

27‧‧‧搬運機器人

28‧‧‧吸附機械臂

30‧‧‧紫外線照射處理部

31‧‧‧框體

32‧‧‧紫外線透射窗構件

33‧‧‧平台

34a‧‧‧氣體供給口

34b‧‧‧氣體排出口

35‧‧‧處理室形成材

36a‧‧‧氣體導入口

36b‧‧‧氣體排出口

40‧‧‧物理性振動處理部

41‧‧‧水槽

41H‧‧‧排水口

42‧‧‧振動板

43‧‧‧泵

44‧‧‧過濾器

45‧‧‧框體

46‧‧‧壓縮空氣噴射口

47‧‧‧膠渣吸引口

48‧‧‧搬送機構

50‧‧‧清洗處理部

50a‧‧‧第1清洗處理部

50b‧‧‧第2清洗處理部

51a，51b‧‧‧水槽

56‧‧‧噴射噴嘴

57，57a，57b‧‧‧泵

58，58a，58b‧‧‧過濾器

60‧‧‧乾燥處理部

61‧‧‧縫隙噴嘴

62‧‧‧送風機

63‧‧‧過濾器

64‧‧‧加熱器

65‧‧‧框體

65H‧‧‧排氣口

66‧‧‧搬送機構

66a‧‧‧搬送用軌道

67，68‧‧‧槽

69‧‧‧搬送用籃

70‧‧‧濕潤處理部

71‧‧‧水槽

71H‧‧‧排水口

72‧‧‧振動板

73‧‧‧槽

74‧‧‧搬送機構

75‧‧‧框體

75H‧‧‧排氣口

76‧‧‧泵

77‧‧‧過濾器

78‧‧‧縫隙噴嘴

79‧‧‧送風機

80‧‧‧過濾器

S1‧‧‧燈管收容室

S2‧‧‧處理室

S3‧‧‧濕潤處理室

S4‧‧‧水分去除處理室

[圖1]揭示本發明的除膠渣處理裝置所致之除膠渣處理的處理對象之配線基板材料的一例之要部的說明用剖面圖。

[圖2]揭示圖1所示的配線基板材料的製造工程的說明用剖面圖。

[圖3]揭示本發明的除膠渣處理裝置的第1例之構造的說明圖。

[圖4]揭示作為波長220nm的紫外線的光源所用之準分子燈的一例之構造的概略的說明用剖面圖，(a)是揭示沿著放電容器的長邊方向之剖面的橫剖面圖，(b)是(a)之A-A線剖面圖。

[圖5]揭示本發明的除膠渣處理裝置的第2例之構造的說明圖。

[圖6]揭示本發明的除膠渣處理裝置的第3例之構造的說明圖。

[圖7]揭示本發明的除膠渣處理裝置的第4例之構造的說明圖。

[圖8]揭示本發明的除膠渣處理裝置的第5例之構造的說明圖。

[圖9]揭示本發明的除膠渣處理裝置中，將配線基板材料交互重複供給給紫外線照射部及物理性振動處理部時的處理工程的說明圖。

以下，針對本發明的除膠渣處理裝置的實施形態進行說明。

圖1係揭示本發明的除膠渣處理裝置所致之除膠渣處 理的處理對象之配線基板材料的一例之要部的說明用剖面圖。該配線基板材料1係藉由第1絕緣層3、被層積於該第1絕緣層2的表面上，所需要之圖案的導電層(配線層)3、及被層積於包含該導電層3的第1絕緣層2上的第2絕緣層4所構成。於第2絕緣層4，形成有延伸於其厚度方向，例如通孔等的貫通孔5，藉由該貫通孔5，成為導電層3的一部分露出之狀態。

第1絕緣層2及第2絕緣層4分別藉由由含有無機物質所成之粒狀的充填物的樹脂所構成。

作為構成第1絕緣層2及第2絕緣層4的樹脂，可使用環氧樹脂、雙馬來醯亞胺-三氮雜苯樹脂(Bismaleimide triazine resin)、聚醯亞胺樹脂、聚酯樹脂等。

作為構成第1絕緣層2中及第2絕緣層4中所含有的充填物的材料，可使用氧化矽、氧化鋁、雲母、矽酸鹽、硫酸鋇、氫氧化鎂、氧化鈦等。充填物的平均粒徑係例如0.1~3μm。

第1絕緣層2及第2絕緣層4個別之充填物的比例係例如20~60質量%。

作為構成導電層3的材料，可使用銅、鎳、金等。

第1絕緣層2的厚度係例如20~800μm，第2絕緣層4的厚度係例如10~50μm。導電層3的厚度係例如10~100μm。又，貫通孔5的直徑係例如30~100μm程度。

此種配線基板材料1係例如以下所示般取得。

絕緣層，如圖2(a)所示，於第1絕緣層2的表面上形成所需要的之圖案的導電層3。接下來，如圖2(b)所示，於包含導電層3的第1絕緣層2的表面上，形成第2絕緣層4。然後，如圖2(c)所示，於第2絕緣層4之所需要之處，形成貫通該第2絕緣層4的厚度方向並延伸的貫通孔5。

於以上內容，作為形成導電層3的方法，並未特別限定，可利用減成法、半加成製程法等的各種方法。

作為形成第2絕緣層4的方法，可利用將於液狀的熱硬化性樹脂中含有充填物所成的絕緣層形成材料，塗布於包含導電層3的第1絕緣層2的表面上之後，對該絕緣層形成材料進行硬化處理的方法，及於包含導電層3的第1絕緣層2的表面上，藉由熱壓接合等貼合含有充填物的絕緣薄片的方法。

作為於第2絕緣層4形成貫通孔5的方法，可利用鑽孔加工所致之方法、雷射加工所致之方法。在藉由雷射加工來形成貫通孔5時，可利用二氧化碳雷射裝置或YAG雷射裝置等。

於如此所得的配線基板材料1中，於第2絕緣層4之貫通孔5的內壁面、第2絕緣層4的表面之貫通孔5的周邊區域、及貫通孔5的底部，亦即導電層3之藉由貫通孔5所露出的部分等，殘留有形成貫通孔5時所產生的膠渣6。

圖3係揭示本發明的除膠渣處理裝置的第1例之構造的說明圖。該除膠渣處理裝置係具有對於配線基板材料1，照射波長220nm以下的紫外線的紫外線照射處理部30。於該紫外線照射處理部30的下游側，設置有對藉由該紫外線照射處理部30被紫外線照射處理過的配線基板材料1賦予物理性振動的物理性振動處理部40。於該物理性振動處理部40的下游側，設置有對藉由該物理性振動處理部40被振動處理過的配線基板材料1噴射水的清洗處理部50。於該清洗處理部50的下游側，設置有對藉由該清洗處理部50被清洗處理過的配線基板材料1進行乾燥處理的乾燥處理部60。

於該第1例的除膠渣處理裝置中，紫外線照射處理部30係具有從其他處理部獨立的框體31。

又，物理性振動處理部40、清洗處理部50及乾燥處理部60係以於共通的框體65內，沿著配線基板材料1的搬送方向並排之方式設置。該框體65係具有於其內部貯藏物理性振動處理部40中所用之水的槽67，與清洗處理部50中所用之水的槽68。又，於框體65，在乾燥處理部60側的側面，設置有排氣口65H。

在紫外線照射處理部30與物理性振動處理部40之間，設置有將配線基板材料1從紫外線照射處理部30搬運至物理性振動處理部40的搬運機器人25。該搬運機器人25係具有吸附並保持配線基板材料1的吸附機械臂26。

又，於框體65的內部，設置有以物理性振動處理部40、清洗處理部50及乾燥處理部60的順序來搬送配線基板材料1的搬送機構66。

於紫外線照射處理部30之框體31內，設置有收容複數準分子燈10的燈管收容室S1。又，於框體31的下面，設置有例如由合成石英玻璃所成的紫外線透射窗構件32。然後，於燈管收容室S1的下方，隔著紫外線透射窗構件32，設置有搬入配線基板材料1的處理室S2。

於處理室S2內，設置有載置配線基板材料1的平台33。於該平台33，形成有對處理室S2內供給處理用氣體的氣體供給口34a及從處理室S2排出氣體的氣體排出口34b。

又，於平台33內藏有加熱器。藉由該加熱器，可將載置於平台33上的配線基板材料1，加熱至例如80~200℃。

作為準分子燈10，使用放射波長220nm以下，理想為190nm以下之紫外線者。紫外線的波長超過220nm時，會難以分解去除起因於樹脂等的有機物質的膠渣(以下，也稱為「有機物膠渣」)。作為放射波長220nm以下之紫外線的準分子燈10，可使用氙準分子燈(尖峰波長172nm)。

圖4係揭示作為波長220nm以下的紫外線的光源所用之準分子燈的一例之構造的概略的說明用剖面圖，(a)是揭示沿著放電容器的長邊方向之剖面的橫剖面 圖，(b)是(a)之A-A線剖面圖。

此準分子燈10係於兩端被氣密封止，具備內部形成放電空間S之剖面矩形狀的中空長條狀的放電容器11，並於此放電容器11的內部，作為放電用氣體，例如封入氙氣、或混合氬與氯的氣體。

放電容器11係由可良好地透射真空紫外光的矽玻璃，例如合成石英玻璃所成，具有作為介電體的功能。

於放電容器11之長邊面的外表面，一對格子狀的電極，亦即具有作為高電壓供給電極的功能之一方的電極15及具有作為接地電極的功能之另一方的電極16以延伸於長條方向之方式對向配置，藉此，成為在一對的電極15、16之間，中介存在有具有作為介電體的功能的放電容器11之狀態。

此種電極係例如可藉由將由金屬所成的電極材料糊狀塗布，或者藉由印刷或蒸鍍於放電容器11來形成。

於此準分子燈10中，對一方的電極15供給點燈電力時，隔著具有作為介電體的功能之放電容器11的壁，在兩電極15、16之間產生放電，藉此，形成準分子並且從該準分子產生放射真空紫外光的準分子放電，但是，為了可有效率地利用藉由該準分子放電所發生的真空紫外光，於放電容器11的內表面，設置有由氧化矽粒子與氧化鋁粒子所成的紫外線反射膜20。在此，作為放電用氣體而使用氙氣時，放出在波長172nm具有尖峰的真空紫外線，作為放電用氣體而使用混合氬與氯的氣體時， 放出在波長175nm具有尖峰的真空紫外線。

紫外線反射膜20係例如以涵蓋放電容器11之長邊面的對應具有高電壓供給電極的功能之一方的電極15的內表面區域與連續於該區域之短邊面的內表面區域的一部分之方式形成，於放電容器11之長邊面的對應具有接地電極的功能之另一方的電極16的內表面區域中未形成紫外線反射膜20，藉此，構成光射出部(光圈部)18。

紫外線反射膜20的厚度係例如為10~100μm為佳。

紫外線反射膜20係因為氧化矽粒子及氧化鋁粒子本身具有高折射率的具有真空紫外光透射性者，具有到達氧化矽粒子或氧化鋁粒子之真空紫外光的一部分在粒子的表面反射，並且其他的一部分折射而射入至粒子的內部，進而，射入至粒子的內部的光線大多透射(一部分吸收)，再度射出時被折射，重複此種反射、折射之「擴散反射」的功能。

又，紫外線反射膜20係藉由利用氧化矽粒子及氧化鋁粒子，亦即陶瓷所構成，不會發生不純氣體，又，具有耐放電的特性。

構成紫外線反射膜20的氧化矽粒子例如可使用使矽玻璃成為粉末狀的細微粒子者。

氧化矽粒子係如以下所述，被界定的粒徑為例如0.01~20μm的範圍內者，中心粒徑(數平均粒徑的峰值)為例如0.1~10μm為佳，更理想為0.3~3μm。

又，具有中心粒徑之氧化矽粒子的比例為50%以上為 佳。

構成紫外線反射膜20的氧化鋁粒子係數平均粒徑為例如0.1~10μm的範圍內者，中心粒徑(數平均粒徑的峰值)為例如0.1~3μm為佳，更理想為0.3~1μm。

又，具有中心粒徑之氧化鋁粒子的比例為50%以上為佳。

該第1例的除膠渣處理裝置之物理性振動處理部40係藉由對於配線基板材料1，將液體作為振動媒體來施加超音波振動處理，具體來說，例如於水中對配線基板材料1施加超音波振動處理，進行對於配線基板材料1的物理性振動處理者。

物理性振動處理部40係具有水槽41。於水槽41內，設置有振動板42。又，於水槽41，設置有排水口41H。

對於水槽41，藉由泵43，被貯藏於槽67內的水透過過濾器44供給。又，從排水口41H排出的水係被槽67回收。藉此，可使水槽41內的水，透過過濾器41循環。

從振動板42的表面到水面為止的距離係30~300nm為佳。該距離未滿30mm時，有因為超音波的反射，振動板42本身的壽命縮短之狀況。另一方面，在該距離超過300mm時，因為電力密度降低，有難以去除無機膠渣之狀況。

於物理性振動處理部40中，對於配線基板材料1的物理性振動處理，可一邊藉由搬送機構66搬送該 配線基板材料1一邊進行。配線基板材料1的搬送速度，係考慮處理時間及水槽41的尺寸等來設定，例如為0.5m/min。

揭示物理性振動處理部40的規格之一例的話，則如下所述。

水槽41的橫縱的尺寸為700mm×800mm。

振動板42的橫縱的尺寸為500mm×600mm，振動板42的驅動電源為2kW。

清洗處理部50中，藉由對配線基板材料1噴射水，進行該配線基板材料1的清洗處理。該清洗處理可一邊藉由搬送機構66搬送配線基板材料1一邊進行。

清洗處理部50係具有對配線基板材料1噴射水的噴射噴嘴56。對於該噴射噴嘴56，藉由泵57，被貯藏於槽68的水透過過濾器58供給。從噴射噴嘴56噴射的水係被槽68回收。藉此，可使清洗處理所用的水，透過過濾器58循環使用。

又，從噴射噴嘴56噴射的水的水壓係例如為0.1~0.5MPa。

乾燥處理部60中，藉由對配線基板材料1噴射空氣，進行該配線基板材料1的乾燥處理。該乾燥處理可一邊藉由搬送機構66搬送配線基板材料1一邊進行。

乾燥處理部60係具有對配線基板材料1噴射空氣的縫隙噴嘴61。對於該縫隙噴嘴61，藉由送風機62，透過過濾器63供給空氣。從縫隙噴嘴61噴射的空氣係透過排 氣口65H，被排出至框體65的外部。

於前述的除膠渣處理裝置中，於紫外線照射處理部30的處理室S2之平台33上，載置配線基板材料1。又，從氣體供給口34a包含氧的處理用氣體被供給至處理室S2內。然後，藉由利用準分子燈10對配線基板材料1照射紫外線，進行對於配線基板材料1的紫外線照射處理。

於紫外線照射處理部30中，被照射至配線基板材料1之紫外線的照度係例如10~1000mW/cm²。又，對於配線基板材料1的紫外線的照射時間，係考慮紫外線的照度及膠渣的殘留狀態等來適切設定，例如30秒鐘~180分鐘。

紫外線照射處理過的配線基板材料1係藉由搬運機器人25及搬送機構66被搬送至物理性振動處理部40。然後，於物理性振動處理部40的水槽41內，配線基板材料1被浸漬於水中。然後，藉由配線基板材料1一邊藉由搬送機構66被搬送，一邊對水進行超音波振動，進行對於該配線基板材料1的物理性振動處理。

超音波振動處理之超音波的頻率係為20~70kHz為佳。該頻率超過70kHz時，會破壞起因於無機物質的膠渣(以下，也稱為「無機物膠渣」)而難以使其從配線基板材料脫離。

又，超音波振動處理的處理時間係例如10~600秒鐘。

振動處理過的配線基板材料1係藉由搬送機構66被搬送至清洗處理部50。然後，藉由配線基板材料1一邊藉由搬送機構66被搬送，一邊從清洗處理部50的噴射噴嘴56對配線基板材料1噴射水，進行對於該配線基板材料1的清洗處理。

清洗處理過的配線基板材料1係藉由搬送機構66被搬送至乾燥處理部60。然後，藉由配線基板材料1一邊藉由搬送機構66被搬送，一邊從乾燥處理部60的縫隙噴嘴61對配線基板材料1噴射空氣，進行對於該配線基板材料1的乾燥處理。

圖5係揭示本發明的除膠渣處理裝置，的第2例之構造的說明圖。該除膠渣處理裝置係具有對於配線基板材料1，照射波長220nm以下的紫外線的紫外線照射處理部30。於該紫外線照射處理部30的下游側，設置有對藉由該紫外線照射處理部30被紫外線照射處理過的配線基板材料1賦予物理性振動的物理性振動處理部40。於該物理性振動處理部40的下游側，設置有對藉由該物理性振動處理部40被振動處理過的配線基板材料1噴射水的清洗處理部50。於該清洗處理部50的下游側，設置有對藉由該清洗處理部50被清洗處理過的配線基板材料1進行乾燥處理的乾燥處理部60。

於該第2例的除膠渣處理裝置中，紫外線照射處理部30係具有從其他處理部獨立的框體31。

又，物理性振動處理部40、清洗處理部50及乾燥處 理部60係以於共通的框體65內，沿著配線基板材料1的搬送方向並排之方式設置。物理性振動處理部40、清洗處理部50、乾燥處理部60及框體65的構造，係與第1例的除膠渣處理裝置相同。

於紫外線照射處理部30之框體31內，設置有收容放射波長220nm以下之紫外線的複數準分子燈10的燈管收容室S1。又，於框體31的下面，設置有例如由合成石英玻璃所成的紫外線透射窗構件32。然後，於燈管收容室S1的下方，隔著紫外線透射窗構件32，設置有搬入配線基板材料1的處理室S2。該處理室S2係藉由框體31的下面及箱型的處理室形成材35所形成。具體來說，處理室形成材35係於上面具有開口，以封塞該開口之方式配置框體31。

於處理室形成材35，形成有對處理室S2內導入處理用氣體的複數氣體導入口36a及從處理室S2排出氣體的複數氣體排出口36b。又，於處理室形成材35的內部框體65的內部，設置有以紫外線照射處理部30、物理性振動處理部40、清洗處理部50及乾燥處理部60的順序來搬送配線基板材料1之共通的搬送機構66。對於配線基板材料1的紫外線照射處理，可一邊藉由搬送機構66搬送該配線基板材料1一邊進行。

於前述的除膠渣處理裝置中，配線基板材料1藉由搬送機構66搬送至紫外線照射處理部30的處理室S2。又，從氣體導入口36a包含氧的處理用氣體被供給至 處理室S2內。然後，於處理室S2內，藉由配線基板材料1一邊藉由搬送機構66搬送，一邊利用準分子燈10對配線基板材料1照射紫外線，進行對於配線基板材料1的紫外線照射處理。

紫外線照射處理過的配線基板材料1係藉由搬運機器人25及搬送機構66被搬送至物理性振動處理部40。然後，於物理性振動處理部40的水槽41內，配線基板材料1一邊藉由搬送機構66被搬送，一邊進行對於該配線基板材料1的物理性振動處理。

振動處理過的配線基板材料1係藉由搬送機構66被搬送至清洗處理部50。然後，藉由配線基板材料1一邊藉由搬送機構66被搬送，一邊從清洗處理部50的噴射噴嘴56對配線基板材料1噴射水，進行對於該配線基板材料1的清洗處理。

清洗處理過的配線基板材料1係藉由搬送機構66被搬送至乾燥處理部60。然後，藉由配線基板材料1一邊藉由搬送機構66被搬送，一邊從乾燥處理部60的縫隙噴嘴61對配線基板材料1噴射空氣，進行對於該配線基板材料1的乾燥處理。

圖6係揭示本發明的除膠渣處理裝置的第3例之構造的說明圖。該除膠渣處理裝置係具有對於配線基板材料1，照射波長220nm以下的紫外線的紫外線照射處理部30。於該紫外線照射處理部30的下游側，設置有對藉由該紫外線照射處理部30被紫外線照射處理過的配線 基板材料1賦予物理性振動的物理性振動處理部40。於該物理性振動處理部40的下游側，將藉由該物理性振動處理部40被振動處理過的配線基板材料1浸漬於水中的第1清洗處理部50a及第2清洗處理部50b，沿著配線基板材料1的搬送方向，以該順序設置。於第2清洗處理部50b的下游側，設置有對藉由該第2清洗處理部50b被清洗處理過的配線基板材料1進行乾燥處理的乾燥處理部60。

於該第3例的除膠渣處理裝置中，紫外線照射處理部30係與第1例的除膠渣處理裝置的紫外線照射處理部30相同構造。

又，物理性振動處理部40、第1清洗處理部50a、第2清洗處理部50b及乾燥處理部60係以於共通的框體65內，沿著配線基板材料1的搬送方向並排之方式設置。又，於框體65，在乾燥處理部60側的上面，設置有排氣口65H。

在紫外線照射處理部30與物理性振動處理部40之間，設置有將配線基板材料1從紫外線照射處理部30搬運至後述之搬送用籃69內的搬運機器人25。該搬運機器人25係具有吸附並保持配線基板材料1的吸附機械臂26。

物理性振動處理部40、第1清洗處理部50a、第2清洗處理部50b及乾燥處理部60，分別在將複數配線基板材料1收納於搬送用籃69內的狀態下，進行 對於各配線基板材料1的處理者。又，於框體65的內部，設置有以物理性振動處理部40、第1清洗處理部50a、第2清洗處理部50b及乾燥處理部60的順序來搬送收容配線基板材料1之搬送用籃69的搬送用軌道66a。

於物理性振動處理部40中，藉由對於被收納於搬送用籃69內的配線基板材料1，將液體例如水作為振動媒體，來施加超音波振動處理，進行對於配線基板材料1的物理性振動處理。

物理性振動處理部40係具有收容收納配線基板材料1之搬送用籃69的水槽41。於水槽41內，兩個振動板42以分別垂直的姿勢相互對向之方式配置。水槽41內的水係藉由泵43，透過過濾器41循環。

於第1清洗處理部50a及第2清洗處理部50b中，藉由將被搬送用籃69收納的配線基板材料1浸漬於水中，進行該配線基板材料1的清洗處理。

第1清洗處理部50a及第2清洗處理部50b，係分別具有收容收納配線基板材料1之搬送用籃69的水槽51a、51b。水槽51a、51b內的水係藉由泵57a、57b，透過過濾器58a、58b循環。

於乾燥處理部60，兩個加熱器64以相互間隔並對向之方式配置。於乾燥處理部60中，收納配線基板材料1的搬送用籃69被配置於兩個加熱器64之間。然後，藉由被收納於搬送用籃69內的配線基板材料1被加熱器64加熱，進行對於該配線基板材料1的乾燥處理。

於前述的除膠渣處理裝置中，於紫外線照射處理部30的處理室S2之平台33上，載置配線基板材料1。又，從氣體供給口34a包含氧的處理用氣體被供給至處理室S2內。然後，藉由利用準分子燈10對配線基板材料1照射紫外線，進行對於配線基板材料1的紫外線照射處理。

紫外線照射處理過的配線基板材料1係藉由搬運機器人25被搬送並收納於搬送用籃69內。收納配線基板材料1的搬送用籃69係沿著搬送用軌道66a搬送，被收容於物理性振動處理部40的水槽41內。然後，於水槽41內，進行對於配線基板材料1的物理性振動處理。

接下來，收納配線基板材料1的搬送用籃69係沿著搬送用軌道66a搬送，被浸漬於第1清洗部50a的水槽51a的水中。之後，收納配線基板材料1的搬送用籃69係沿著搬送用軌道66a搬送，被浸漬於第2清洗部50b的水槽51b的水中。如此一來，進行對於配線基板材料1的清洗處理。

接下來，收納配線基板材料1的搬送用籃69係沿著搬送用軌道66a搬送，被配置於乾燥處理部60之兩個加熱器64之間。然後，藉由配線基板材料1被加熱器64加熱，進行對於該配線基板材料1的乾燥處理。

圖7係揭示本發明的除膠渣處理裝置的第4例之構造的說明圖。該除膠渣處理裝置係具有對於配線基板材料1，照射波長220nm以下的紫外線的紫外線照射處 理部30。該紫外線照射處理部30係與第1例的除膠渣處理裝置的紫外線照射處理部30相同構造。於紫外線照射處理部30的下游側，設置有對藉由該紫外線照射處理部30被紫外線照射處理過的配線基板材料1賦予物理性振動的物理性振動處理部40。在紫外線照射處理部30與物理性振動處理部40之間，設置有將配線基板材料1從紫外線照射處理部30搬運至物理性振動處理部40的搬運機器人25。該搬運機器人25係具有吸附並保持配線基板材料1的吸附機械臂26。

該第4例的除膠渣處理裝置之物理性振動處理部40係藉由對於配線基板材料1，將空氣作為振動媒體來施加超音波振動處理，進行對於配線基板材料1的物理性振動處理者。具體來說，藉由一邊對壓縮空氣進行超音波振動一邊吹附至配線基板材料1，進行對於該配線基板材料1的物理性振動處理。

該物理性振動處理部40係具有框體45。於該框體45，在配置於該框體45內的配線基板材料1，形成有噴射超音波振動之壓縮空氣的壓縮空氣噴射口46與吸引因物理性振動處理而從配線基板材料1脫離的膠渣的膠渣吸引口47。又，於框體45的內部，設置有搬送配線基板材料1的搬送機構48。作為供給超音波振動之壓縮空氣的手段，可使用日本實開平5-80573號公報、日本特開平7-60211號公報、日本特開平7-68226號公報等所記載的手段。

於前述的除膠渣處理裝置中，於紫外線照射處理部30的處理室S2之平台33上，載置配線基板材料1。又，從氣體導入口34a包含氧的處理用氣體被供給至處理室S2內。然後，藉由利用準分子燈10對配線基板材料1照射紫外線，進行對於配線基板材料1的紫外線照射處理。

紫外線照射處理過的配線基板材料1係藉由搬運機器人25及搬送機構66被搬送至物理性振動處理部40。然後，藉由配線基板材料1一邊藉由搬送機構66被搬送，一邊對配線基板材料1從壓縮空氣噴射口46噴射超音波振動的壓縮空氣，進行對於該配線基板材料1的物理性振動處理。

壓縮空氣的壓力為0.2MPa以上為佳。又，壓縮空氣所致之超音波振動處理的處理時間係例如5~60秒鐘。

依據第1~第4例的除膠渣處理裝置，於紫外線照射處理部30中，藉由波長220nm以下的紫外線照射至包含氧的氣氛氣體，產生臭氧及活性氧。然後，殘留於配線基板材料1的有機物膠渣，係藉由伴隨紫外線的能量及紫外線的照射所產生之臭氧及活性氧而被分解。

於紫外線照射處理部30中，無機物膠渣不被分解，而殘留於配線基板材料1，但是，該無機物膠渣因被照射紫外線而成為脆弱。因此，於物理性振動處理部40中，藉由對配線基板材料1賦予物理性振動，無機物膠渣被破壞，或從無機物膠渣與有機物膠渣之些微間隙剝離，而從 該配線基板材料1脫離。

所以，依據第1~第4例的除膠渣處理裝置，即使是無機物膠渣及有機物膠渣之任一，也可確實從配線基板材料1去除。

又，因為只要對於配線基板材料1進行紫外線照射處理及物理性振動處理即可，不需要使用需要廢液處理的藥品。

圖8係揭示本發明的除膠渣處理裝置的第5例之構造的說明圖。該除膠渣處理裝置係具有濕潤配線基板材料1之被處理部分的濕潤處理部70。於該濕潤處理部70的下游側，設置有對於濕潤處理過的配線基板材料1，照射波長220nm以下的紫外線的紫外線照射處理部30。於該紫外線照射處理部30的下游側，設置有對藉由該紫外線照射處理部30被紫外線照射處理過的配線基板材料1賦予物理性振動的物理性振動處理部40。於該物理性振動處理部40的下游側，設置有對藉由該物理性振動處理部40被振動處理過的配線基板材料1噴射水的清洗處理部50。於該清洗處理部50的下游側，設置有對藉由該清洗處理部50被清洗處理過的配線基板材料1進行乾燥處理的乾燥處理部60。該第5例之從紫外線照射處理部30至乾燥處理部60為止的的構造，係與第1例的除膠渣處理裝置相同。又，在濕潤處理部70與紫外線照射處理部30之間，設置有將配線基板材料1從濕潤處理部70搬運至紫外線照射處理部30的搬運機器人27。該搬運 機器人27係具有吸附並保持配線基板材料1的吸附機械臂28。

濕潤處理部70係具有框體75。於框體75內，形成有對於配線基板材料1進行濕潤處理的濕潤處理室S3，與從被濕潤處理之配線基板材料1去除剩餘的水分的水分去除處理室S4。又，於框體75的內部，設置有將配線基板材料1從濕潤處理部S3搬送至水分去除處理室S4的搬送機構74。

於濕潤處理部70中，將配線基板材料1浸漬於水中，在此狀態下，藉由對該水進行超音波振動，進行對於配線基板材料1的濕潤處理。藉由超音波振動，水在短時間進入配線基板材料之貫通孔內，故可縮短浸漬時間。

於濕潤處理室70之濕潤處理室S3內，設置有水槽71。於水槽71內，設置有振動板72。又，於水槽71，設置有排水口71H。又，於水槽71的下方，設置有濕潤處理所用的槽73。

對於水槽71，藉由泵76，被貯藏於槽73內的水透過過濾器77供給。又，從排水口71H排出的水係被槽73回收。藉此，可使水槽71內的水，透過過濾器77循環。

於水分去除處理室S4內，設置有對配線基板材料1噴射空氣的縫隙噴嘴78。對於該縫隙噴嘴78，藉由送風機79，透過過濾器80供給空氣。從縫隙噴嘴78噴射的空氣係透過形成於框體75的排氣口75，被排出至框體75 的外部。

於前述的除膠渣處理裝置中，配線基板材料1藉由搬送機構74搬送至濕潤處理部70的水槽71。然後，於水槽71內，藉由配線基板材料1一邊藉由搬送機構74被搬送，一邊對該水進行超音波振動，進行對於該配線基板材料1的濕潤處理。濕潤處理過的配線基板材料1係藉由搬送機構74被搬送至水分去除處理室S4。然後，藉由配線基板材料1一邊藉由搬送機構74被搬送，一邊從縫隙噴嘴78對配線基板材料1噴射空氣，從該配線基板材料1去除剩餘的水分。

於以上內容中，配線基板材料1的浸漬時間係例如10~60秒鐘。

如此被濕潤處理的配線基板材料1，係藉由搬運機器人27，被載置於紫外線照射處理部30的處理室S2之平台33上。又，從氣體導入口34a包含氧的處理用氣體被供給至處理室S2內。然後，藉由利用準分子燈10對配線基板材料1照射紫外線，進行對於配線基板材料1的紫外線照射處理。

紫外線照射處理過的配線基板材料1係藉由搬運機器人25及搬送機構66被搬送至物理性振動處理部40。然後，於物理性振動處理部40的水槽41內，配線基板材料1一邊藉由搬送機構66被搬送，一邊進行對於該配線基板材料1的物理性振動處理。

振動處理過的配線基板材料1係藉由搬送機構66被 搬送至清洗處理部50。然後，藉由配線基板材料1一邊藉由搬送機構66被搬送，一邊從清洗處理部50的噴射噴嘴56對配線基板材料1噴射水，進行對於該配線基板材料1的清洗處理。

清洗處理過的配線基板材料1係藉由搬送機構66被搬送至乾燥處理部60。然後，藉由配線基板材料1一邊藉由搬送機構66被搬送，一邊從乾燥處理部60的縫隙噴嘴61對配線基板材料1噴射空氣，進行對於該配線基板材料1的乾燥處理。

依據第5例的除膠渣處理裝置，於濕潤處理部70中配線基板材料1被濕潤，於紫外線照射處理部30中，對配線基板材料1照射波長220nm以下的紫外線，藉此，產生OH自由基等。然後，有機物膠渣係藉由伴隨紫外線的能量及紫外線的照射所產生之OH自由基等而被分解。OH自由基係相較於臭氧及活性氧等，氧化力比較高，故有機物膠渣會在短時間中分解。

於紫外線照射處理部30中，無機物膠渣不被分解，而殘留於配線基板材料1，但是，該無機物膠渣因被照射紫外線而成為脆弱。因此，於物理性振動處理部40中，藉由對配線基板材料1賦予物理性振動，無機物膠渣被破壞，或從無機物膠渣與有機物膠渣之些微間隙剝離，而從該配線基板材料1脫離。

所以，依據第5例的除膠渣處理裝置，即使是無機物膠渣及有機物膠渣之任一，也可確實從配線基板材料1去 除。

又，因為只要對於配線基板材料1進行紫外線照射處理及物理性振動處理即可，不需要使用需要廢液處理的藥品。

於本發明的除膠渣處理裝置中，並不限定於前述實施形態，可施加如以下的各種變更。

(1)於紫外線處理部30中，也可使用低壓水銀燈(185nm輝線)、稀有氣體螢光燈等來代替準分子燈10。

(2)於第1例、第3例、第4例及第5例的除膠渣處理裝置中，在需要對於配線基板材料1的兩面進行除膠渣處理時，可藉由紫外線照射處理部30對於配線基板材料之一面進行紫外線照射處理，接下來，藉由搬運機器人25使配線基板材料1反轉之後，藉由紫外線照射處理部30對於紫外線基板材料1的另一面進行紫外線照射處理。

(3)於第2例的除膠渣處理裝置中，在需要對於配線基板材料1的兩面進行除膠渣處理時，可藉由於紫外線照射處理部30之處理室S2的上方及下方雙方的位置，配置準分子燈10，對於配線基板材料1的兩面同時進行紫外線照射處理。

於第1例、第2例及第5例的除膠渣處理裝置中，可於物理性振動處理部40的水槽41內之配線基板材料1的上方及下方雙方的位置，配置振動板42。依據此種構造，可提高超音波的電力密度。因此，可縮短振動板42的長度，結果，可縮短除膠渣處理裝置的全長。

(5)於第5例的除膠渣處理裝置中，設置有在配線基板材料1被供給至濕潤處理部70之前，在配線基板材料1之被處理部分未濕潤之狀態下，改善該被處理部分的可濕性的可濕性改善處理部亦可。

可濕性改善處理部，係可藉由對於配線基板材料1之被處理部分，在該被處理部分未濕潤之狀態下照射紫外線的乾式紫外線照射處理部、大氣壓電漿處理部、減壓電漿處理部、電暈放電處理部等所構成，但是，乾式紫外線照射處理部為佳。作為乾式紫外線照射處理部，可使用與紫外線照射處理部30相同構造者。

於乾式紫外線照射處理部中，被照射至配線基板材料1之紫外線的照度係例如10~1000mW/cm²。又，對於配線基板材料1的紫外線的照射時間，係考慮紫外線的照度及配線基板材料1的材質等來適切設定，例如10秒鐘~60秒鐘。

依據此種構造，藉由乾式紫外線照射處理部可改善配線基板材料1之被處理部分的可濕性，所以，於濕潤處理部70中可確實濕潤配線基板材料1之被處理部分。

(6)於第5例的除膠渣處理裝置中，作為配線基板材料1被供給至物理性振動處理部40之前，交互重複供給至濕潤處理部70及紫外線照射處理部30的構造亦可。

配線基板材料1被重複供給至濕潤處理部70及紫外線照射處理部30的次數，考慮紫外線照射處理部30之紫 外線的照射時間等來適切設定，例如1~5次。

依據此種構造，因為可確保配線基板材料1之被處理部分濕潤的狀態，於紫外線照射處理部30中，有機物膠渣以高效率分解。結果，可縮短紫外線照射處理部30之紫外線照射時間的合計。

(7)於本發明的除膠渣處理裝置中，作為將配線基板材料1交互重複供給至紫外線照射處理部30及物理性振動處理部40的構造亦可。

配線基板材料1被重複供給至紫外線照射處理部30及物理性振動處理部40的次數，考慮紫外線照射處理部30之紫外線的照射時間等來適切設定，例如1~5次。

於此種構造的除膠渣處理裝置中，如以下所述，進行對於配線基板材料1的除膠渣處理。

如圖9(a)所示，於除膠渣處理前的配線基板材料1中，於配線基板材料1之被處理部分，例如導電層3上殘留有膠渣6。該膠渣6係由有樹脂等的有機物膠渣7，與該有機物膠渣7所含有之無機物膠渣8所成者。

對於此種配線基板材料1的被處理部分，於紫外線照射處理部中，包含氧的氣氛下照射波長220nm以下的紫外線，藉此，氣氛氣體中的氧反應而生臭氧及活性氧。然後，有機物膠渣7的一部分，係藉由伴隨紫外線的能量及紫外線的照射所產生之臭氧及活性氧而被分解且氣體化。又，配線基板材料1是藉由濕潤處理部濕潤之狀態時，藉由對於配線基板材料1的被處理部分，照射波長220nm 以下的紫外線，水產生反應而產生OH自由基。然後，有機物膠渣7的一部分，係藉由伴隨紫外線的能量及紫外線照射至水所產生之OH自由基等而被分解且氣體化。

結果，如圖9(b)所示，從配線基板材料1去除有機物膠渣7的一部分。此時，無機物膠渣8的一部分，係因為有機物膠渣7的一部分被去除而露出。又，露出的無機物膠渣8，例如氧化矽或氧化鋁等的無機物膠渣8係藉由照射紫外線而成為脆弱者。此係可推測因為無機物膠渣8因承受紫外線而收縮，該無機物膠渣8產生歪曲所致。

接下來，藉由對於配線基板材料1施加物理性振動處理，露出的無機物膠渣8係被振動所致之機械性作用破壞，從該配線基板材料1脫離。

又，因為起因於無機物膠渣8的收縮、在對各膠渣照射紫外線時發生之熱膨脹的差等，在有機物膠渣7與無機物膠渣8之間產生些微間隙，無機物膠渣8可藉由施加物理性振動處理而從該配線基板材料1脫離。

該等結果，如圖9(c)所示，從配線基板材料1去除有機物膠渣8的一部分。

之後，藉由對配線基板材料1的被處理部分照射220nm以下的紫外線，有機物膠渣7的殘留部分的大部分，係藉由伴隨紫外線的能量及紫外線的照射所產生之臭氧及活性氧而被分解且氣體化。結果，如圖9(d)所示，從配線基板材料1去除有機物膠渣7的殘留部分的大 部分。此時，無機物膠渣8的殘留部分，係因為有機物膠渣7的殘留部分的大部分被去除而露出。又，露出的無機物膠渣8係因被照射紫外線而成為脆弱者。

接下來，藉由對於配線基板材料1施加物理性振動處理，露出的無機物膠渣8及有機物膠渣7的殘留部分係被振動所致之機械性作用破壞，從該配線基板材料1脫離。又，也可推測因為起因於無機物膠渣8的收縮、在對各膠渣照射紫外線時發生之熱膨脹的差等，在配線基板材料1與無機物膠渣8之間產生些微間隙，可藉由施加物理性振動處理而從該配線基板材料1脫離。該等結果，如圖9(e)所示，從配線基板材料1去除無機物膠渣8的殘留部分及有機物膠渣7的殘留部分，藉此，例如成為導電層3的表面露出之狀態。

如此，藉由配線基板材料1交互重複供給至紫外線照射處理部及物理性振動處理部，可使紫外線照射處理部之紫外線照射時間的合計，比供給至紫外線照射處理部的次數為1次時的紫外線照射時間還短。此係可推測即使有機物膠渣7不因紫外線的照射分解而殘留，該有機物膠渣也會劣化，故藉由物理性振動處理從配線基板材料1脫離而去除所致。

又，配線基板材料1為濕潤之狀態時，進行OH自由基及臭氧及活性氧所致之分解。OH自由基的分解速度比臭氧及活性氧還快，故藉由重複供給至紫外線照射處理部，可獲較長之OH自由基反應發生的時間，可縮短紫外 線照射處理的合計。

1‧‧‧配線基板材料

10‧‧‧準分子燈

25‧‧‧搬運機器人

26‧‧‧吸附機械臂

27‧‧‧搬運機器人

28‧‧‧吸附機械臂

30‧‧‧紫外線照射處理部

31‧‧‧框體

32‧‧‧紫外線透射窗構件

33‧‧‧平台

34a‧‧‧氣體供給口

34b‧‧‧氣體排出口

40‧‧‧物理性振動處理部

41‧‧‧水槽

41H‧‧‧排水口

42‧‧‧振動板

43‧‧‧泵

44‧‧‧過濾器

50‧‧‧清洗處理部

56‧‧‧噴射噴嘴

57‧‧‧泵

58‧‧‧過濾器

60‧‧‧乾燥處理部

61‧‧‧縫隙噴嘴

62‧‧‧送風機

63‧‧‧過濾器

65‧‧‧框體

65H‧‧‧排氣口

66‧‧‧搬送機構

67‧‧‧槽

68‧‧‧槽

70‧‧‧

71‧‧‧水槽

71H‧‧‧排水口

72‧‧‧振動板

73‧‧‧槽

74‧‧‧搬送機構

75‧‧‧框體

75H‧‧‧排氣口

76‧‧‧泵

77‧‧‧過濾器

78‧‧‧縫隙噴嘴

79‧‧‧送風機

80‧‧‧過濾器

S1‧‧‧燈管收容室

S2‧‧‧處理室

S3‧‧‧濕潤處理室

S4‧‧‧水分去除處理室

Claims (1)

1. 一種除膠渣處理裝置，係層積由含有充填物之樹脂所成的絕緣層與導電層，並形成貫通前述絕緣層的貫通孔之配線基板材料的除膠渣處理裝置，其特徵為具有：紫外線照射處理部，係對於前述配線基板材料，照射波長220nm以下的紫外線；物理性振動處理部，係對藉由該紫外線照射處理部進行紫外線照射處理的配線基板材料賦予物理性振動；濕潤處理室，係在前述配線基板材料被供給至前述紫外線照射處理部之前，濕潤該配線基板材料之被處理部分；及水分去除處理室，係具備對於藉由該濕潤處理室進行濕潤處理的配線基板材料，噴射空氣的噴嘴。